JPH01164419A - 水素分離用膜の製造法 - Google Patents
水素分離用膜の製造法Info
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- JPH01164419A JPH01164419A JP32271487A JP32271487A JPH01164419A JP H01164419 A JPH01164419 A JP H01164419A JP 32271487 A JP32271487 A JP 32271487A JP 32271487 A JP32271487 A JP 32271487A JP H01164419 A JPH01164419 A JP H01164419A
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B3/00—Hydrogen; Gaseous mixtures containing hydrogen; Separation of hydrogen from mixtures containing it; Purification of hydrogen
- C01B3/50—Separation of hydrogen or hydrogen containing gases from gaseous mixtures, e.g. purification
- C01B3/501—Separation of hydrogen or hydrogen containing gases from gaseous mixtures, e.g. purification by diffusion
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B2203/00—Integrated processes for the production of hydrogen or synthesis gas
- C01B2203/04—Integrated processes for the production of hydrogen or synthesis gas containing a purification step for the hydrogen or the synthesis gas
- C01B2203/0405—Purification by membrane separation
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Separation Using Semi-Permeable Membranes (AREA)
- Hydrogen, Water And Hydrids (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[発明の目的]
(産業上の利用分野)
本発明は水素分離用膜の製造法に関するものである。
(従来の技術)
Pdを主体とする水素分離用膜は広く知られている。
本発明者は多数の小孔を有する耐熱性多孔質体の表面に
Pdを主体とする膜を化学メッキ法によって形成させる
ことなにより性能の極めて良好な水素分離用膜の得られ
ることを見出し、特願昭61−113576号(先願発
明という)として特許出願した。
Pdを主体とする膜を化学メッキ法によって形成させる
ことなにより性能の極めて良好な水素分離用膜の得られ
ることを見出し、特願昭61−113576号(先願発
明という)として特許出願した。
(発明が解決しようとする問題点)
Pdを主体とする薄膜は水素の透過選択性及び水素の透
過速度か大きく、水素分離用膜として好適なものである
が、300℃以下の低温ではPaの水素化合物形成によ
りひび割れ等が生じ易い問題点を有する。
過速度か大きく、水素分離用膜として好適なものである
が、300℃以下の低温ではPaの水素化合物形成によ
りひび割れ等が生じ易い問題点を有する。
本発明は従来技術が有していた上記問題点を解消するこ
とを目的とするものである。
とを目的とするものである。
[発明の構成]
(問題点を解決するための手段)
本発明は前述の問題点を解決すべくなされたものであり
、多数の小孔を有する耐熱性多孔体の表面にPd薄膜を
、Pd薄膜上にAg薄膜を夫々化学メッキ法によって形
成させ次いで加熱処理を行なうことを特徴とする水素分
離用膜の製造法を提供するものである。
、多数の小孔を有する耐熱性多孔体の表面にPd薄膜を
、Pd薄膜上にAg薄膜を夫々化学メッキ法によって形
成させ次いで加熱処理を行なうことを特徴とする水素分
離用膜の製造法を提供するものである。
次に本願発明を更に具体的に説明する。
本発明においては多数の小孔を有する耐熱性多孔質体(
以下単に多孔質体と言う)の表面にPd薄膜(以下単に
Pd膜という)を化学メッキ法によって形成させ、得ら
れたPd膜上に化学メッキ法によってAg薄膜(以下単
にAg膜という)を形成させ、次いで加熱処理を行なう
ことによってPd、 Agを拡散させ、Pd、 Agを
主体とする合金(本合金)よりなる水素分離用膜を形成
させる。
以下単に多孔質体と言う)の表面にPd薄膜(以下単に
Pd膜という)を化学メッキ法によって形成させ、得ら
れたPd膜上に化学メッキ法によってAg薄膜(以下単
にAg膜という)を形成させ、次いで加熱処理を行なう
ことによってPd、 Agを拡散させ、Pd、 Agを
主体とする合金(本合金)よりなる水素分離用膜を形成
させる。
本発明によって得られる水素分離用膜は先願発明で開示
したように多孔質体の小孔を覆って形成され、この多孔
質体で支持されているため、本合金を伸延する場合に比
し遥かに薄く(10ル程度迄)した場合でも工業的使用
に耐える充分な機械的強度を有し、ピンホールもなく、
水素透過速度を大とすることができ、しかも高価なPd
を使用量を大幅に節減することかてきる。
したように多孔質体の小孔を覆って形成され、この多孔
質体で支持されているため、本合金を伸延する場合に比
し遥かに薄く(10ル程度迄)した場合でも工業的使用
に耐える充分な機械的強度を有し、ピンホールもなく、
水素透過速度を大とすることができ、しかも高価なPd
を使用量を大幅に節減することかてきる。
本合金の組成は化学メッキによって形成させるPd膜、
Ag膜の厚みによって定まるが、本合金の組成かPd7
0〜95wt%、Ag5〜30 wt%となるようこれ
らの膜の厚みを定めるのが適当である。
Ag膜の厚みによって定まるが、本合金の組成かPd7
0〜95wt%、Ag5〜30 wt%となるようこれ
らの膜の厚みを定めるのが適当である。
Agの量があまり少ない場合、本発明の効果が充分でな
く、又Agの量があまり多いと水素の透過選択性、水素
の透過速度が低下し易い。
く、又Agの量があまり多いと水素の透過選択性、水素
の透過速度が低下し易い。
多孔質体としては、300℃以上、望ましくは400
’C以上の温度に耐える耐熱性を有し、処理すべき気体
と反応性を有せず、且つ20〜30.QOO人望ましく
は40〜s、ooo人の均一な小孔を有する多孔質体を
使用するのが適当である。
’C以上の温度に耐える耐熱性を有し、処理すべき気体
と反応性を有せず、且つ20〜30.QOO人望ましく
は40〜s、ooo人の均一な小孔を有する多孔質体を
使用するのが適当である。
又多孔質体としてはA1□03等のセラミック微粒の焼
結体、多孔質硝子が例示されるが、多孔質硝子を使用す
るのか好ましい。
結体、多孔質硝子が例示されるが、多孔質硝子を使用す
るのか好ましい。
多孔質硝子としてはバイコール硝子、或はSiO□45
〜70 wt%、8g038 ヘ30 wt%、CaO
3〜25wt%、 Al2O:15〜15 wt%、
Na2O3〜8%、 K、01〜5%、 Na2O+
K2O4〜1 3 wt%、MgOO〜8yt%なる組
成を宥する硝子(以下硝子Aという)又は5iOz45
〜70wt%、B203a〜30wt%、CaO3〜2
5wt%、 A]zQz5〜I 5%なる組成を有する
硝子(以下硝子Bという)を熱処理してBzOi、Ca
Oを主体とする相を分相せしめ、この相を溶解除去する
ことによって得られる多孔質硝子(以下、多孔質硝子A
又はBと呼ぶ)が適当であり、多孔質硝子Aを使用する
ことによって特に好適な結果をうろことができる。
〜70 wt%、8g038 ヘ30 wt%、CaO
3〜25wt%、 Al2O:15〜15 wt%、
Na2O3〜8%、 K、01〜5%、 Na2O+
K2O4〜1 3 wt%、MgOO〜8yt%なる組
成を宥する硝子(以下硝子Aという)又は5iOz45
〜70wt%、B203a〜30wt%、CaO3〜2
5wt%、 A]zQz5〜I 5%なる組成を有する
硝子(以下硝子Bという)を熱処理してBzOi、Ca
Oを主体とする相を分相せしめ、この相を溶解除去する
ことによって得られる多孔質硝子(以下、多孔質硝子A
又はBと呼ぶ)が適当であり、多孔質硝子Aを使用する
ことによって特に好適な結果をうろことができる。
上述した多孔質体としては1〜0.2Hの厚みを有する
円筒状、又は板状のものを使用するのが適当であり、こ
のような多孔質体は所定形状に成型した原料硝子に分相
処理、溶解処理を施こすことによって得ることかできる
。
円筒状、又は板状のものを使用するのが適当であり、こ
のような多孔質体は所定形状に成型した原料硝子に分相
処理、溶解処理を施こすことによって得ることかできる
。
硝子A、Bを所定形状に成型した後熱処理してCaO、
B2O3を主体とする相(以下CaO、B、0.相とい
う)を分相せしめる。加熱処理温度か高い程、又熱処理
時間か長い程CaO、B2O3相は大きくなつ、従って
得られる多孔硝子の小孔の径は大きくなる傾向を有し、
熱処理条件を選択することによって小孔の径を50〜s
o、ooo人の範囲の所望の値とすることができる。こ
のようにして得られた多孔質硝子は、小孔の径は均一で
あり、本発明の目的を達成するのに極めて好適なもので
ある。
B2O3を主体とする相(以下CaO、B、0.相とい
う)を分相せしめる。加熱処理温度か高い程、又熱処理
時間か長い程CaO、B2O3相は大きくなつ、従って
得られる多孔硝子の小孔の径は大きくなる傾向を有し、
熱処理条件を選択することによって小孔の径を50〜s
o、ooo人の範囲の所望の値とすることができる。こ
のようにして得られた多孔質硝子は、小孔の径は均一で
あり、本発明の目的を達成するのに極めて好適なもので
ある。
加熱処理を行った硝子をHCI 、 H2SO1等の酸
中に浸漬してCaO、B20z相を溶解除去する。なお
酸処理を行なうに先立ち、IF溶液で短時間その表面を
エツチング処理するのが望ましい。
中に浸漬してCaO、B20z相を溶解除去する。なお
酸処理を行なうに先立ち、IF溶液で短時間その表面を
エツチング処理するのが望ましい。
熱処理の条件によって、得られる多孔硝子の小孔の径を
制御することができ、又小孔の径は多孔質硝子中に残存
するB2O3の量に応じて変化すること及びこのB20
.の量は熱処理、酸処理の条件によって左右されること
が判明した。モしてB20□が望ましく 0.5 wt
%以上残存するようこれらの条件を定めることにより特
に好適な結果の得られることが判明した。
制御することができ、又小孔の径は多孔質硝子中に残存
するB2O3の量に応じて変化すること及びこのB20
.の量は熱処理、酸処理の条件によって左右されること
が判明した。モしてB20□が望ましく 0.5 wt
%以上残存するようこれらの条件を定めることにより特
に好適な結果の得られることが判明した。
望ましい処理条件は次の通りである。
加熱温度 600〜850℃
加熱時間 2〜48hr、望ましくは12〜24hr酸
の種類 H(:1 、 H2SO,HNOi酸の濃度
0.01〜2.ON、望ましくは0.1〜1、ON 処理時間 2〜20hr、望ましくは4〜16hr温
度 50〜95℃、望ましくは80〜90°C上述し
た多孔質体に化学メッキ法によりPd膜を形成させる。
の種類 H(:1 、 H2SO,HNOi酸の濃度
0.01〜2.ON、望ましくは0.1〜1、ON 処理時間 2〜20hr、望ましくは4〜16hr温
度 50〜95℃、望ましくは80〜90°C上述し
た多孔質体に化学メッキ法によりPd膜を形成させる。
化学メッキを施こす前に多孔質体の表面に付着する汚れ
を除去するため洗浄を行なうのが望ましい。好適な汚れ
除去法としては、トリクロロエチレンを用いた超音波洗
浄法が例示できる。トリクロロエチレンによる洗浄後エ
タノール等の低級アルコールによる洗浄を行ない多孔質
体に残存するトリクロロエチレンをアルコールで置換し
、次いて乾燥するのが適当である。
を除去するため洗浄を行なうのが望ましい。好適な汚れ
除去法としては、トリクロロエチレンを用いた超音波洗
浄法が例示できる。トリクロロエチレンによる洗浄後エ
タノール等の低級アルコールによる洗浄を行ない多孔質
体に残存するトリクロロエチレンをアルコールで置換し
、次いて乾燥するのが適当である。
その後、化学メッキに先立ち、多孔質体の活性化を行な
い、多孔質体に活性化されたPdを被着するのが適当で
ある。
い、多孔質体に活性化されたPdを被着するのが適当で
ある。
活性化は例えば、50C12溶液及びPdtl:12溶
液による浸漬処理を交互に行なうことによって好適な結
果をうろことがてきる。好ましい処理液の組成として5
nC12−28201g/l + 37%HC11ma
fL、 PdC1z 0.1 g / l + 37%
HCI 0.14m/立を例示することができる。なお
、これらの溶液による処理を交互に行なう際、一方の溶
液の処理路後、純水による充分な洗浄を行なうのが適当
である。
液による浸漬処理を交互に行なうことによって好適な結
果をうろことがてきる。好ましい処理液の組成として5
nC12−28201g/l + 37%HC11ma
fL、 PdC1z 0.1 g / l + 37%
HCI 0.14m/立を例示することができる。なお
、これらの溶液による処理を交互に行なう際、一方の溶
液の処理路後、純水による充分な洗浄を行なうのが適当
である。
次いで多孔質体を以下示すようなメッキ液に浸漬するこ
とにより、前述の処理によって形成された活性化Pd上
にPdを析出させ、多孔質体の表面側開口部を覆ってP
d膜を生成せしめることがてきる。この際マスキング等
によって多孔質体の必要な部分のみにPd膜を形成させ
るのが適当である。
とにより、前述の処理によって形成された活性化Pd上
にPdを析出させ、多孔質体の表面側開口部を覆ってP
d膜を生成せしめることがてきる。この際マスキング等
によって多孔質体の必要な部分のみにPd膜を形成させ
るのが適当である。
例えば円筒状の多孔質体の外表面にPd膜を形成させる
場合、円筒の両端面に閉塞することにより外面のみにP
d膜を形成させることができる。或は又[Pd(NHz
)4] CI□ ・H2Oを主体とするメッキ液を用い
る場合、アルコール、水のような液体を滲み込ませてお
くことにより、小孔内部にはPd膜を形成させることな
く、多孔質体表面のみPd膜を形成させることがてきる
。
場合、円筒の両端面に閉塞することにより外面のみにP
d膜を形成させることができる。或は又[Pd(NHz
)4] CI□ ・H2Oを主体とするメッキ液を用い
る場合、アルコール、水のような液体を滲み込ませてお
くことにより、小孔内部にはPd膜を形成させることな
く、多孔質体表面のみPd膜を形成させることがてきる
。
上記手段のうち低級アルコールを用いることは本発明の
目的を達成するのに特に有効である。
目的を達成するのに特に有効である。
[Pd(NH3)−+] C12が低級アルコールに溶
解性を有しないためと思われる。
解性を有しないためと思われる。
化学メッキによってPd膜を形成させるために好適に用
いられるメッキ液として次の組成の溶液が例示される。
いられるメッキ液として次の組成の溶液が例示される。
[Pd(NHi)1CI2 ・HzO5,4gI文ED
TA・2Na 67.2g/INH3(
28%水溶液) 651.3 m/文H2NNH2
・H2O0,46m/JLpH11,3 温度 50°C 形成させるPd膜の厚みか小さい程水素の透過速度が大
となり、且つ高価なPd使用量を減少することかできる
が、あまりこの厚みを小とするとPd膜にピンホールが
生じ水素以外の気体かリークし易くなる。この傾向は、
小孔開口部の径か大きくなる程増大する。
TA・2Na 67.2g/INH3(
28%水溶液) 651.3 m/文H2NNH2
・H2O0,46m/JLpH11,3 温度 50°C 形成させるPd膜の厚みか小さい程水素の透過速度が大
となり、且つ高価なPd使用量を減少することかできる
が、あまりこの厚みを小とするとPd膜にピンホールが
生じ水素以外の気体かリークし易くなる。この傾向は、
小孔開口部の径か大きくなる程増大する。
好適なPd膜の厚さは小孔の径が3.000人の場合0
.01mm程度である。
.01mm程度である。
メッキ所要時間はPd膜の厚みか大となる程大きくする
必要かあるが、厚み0.01mmの場合17hr程度で
ある。
必要かあるが、厚み0.01mmの場合17hr程度で
ある。
このようにして形成されたPd膜上に化学メッキ法によ
ってAg膜を形成させる。
ってAg膜を形成させる。
なお多孔質体上に化学メッキ法によってAg膜を形成さ
せ、次いで化学メッキ法によってPd膜を形成させるこ
とも試みたが、好適な結果をうろことはできなかった。
せ、次いで化学メッキ法によってPd膜を形成させるこ
とも試みたが、好適な結果をうろことはできなかった。
メッキ液としては次の組成の溶液が例示される。
Ag NO:I :1.46 g/
文EDTA ・2Na 33.6 ge
fLNH2(28%水溶液) 651.3 m
文/文H2NNH2・H2O0,46+1JI / 1
H 温度 so’c メッキ所要時間は厚みか0.002mmの場合7hr程
度である。
文EDTA ・2Na 33.6 ge
fLNH2(28%水溶液) 651.3 m
文/文H2NNH2・H2O0,46+1JI / 1
H 温度 so’c メッキ所要時間は厚みか0.002mmの場合7hr程
度である。
Ag膜を形成させるために公知のメッキ液を用いること
もできるが、EDTA・2Naを含有するメッキ液の使
用が特に好ましく、生成したAg粒子の粒径が小さく、
性能の優れた本合金膜をうることかできる。
もできるが、EDTA・2Naを含有するメッキ液の使
用が特に好ましく、生成したAg粒子の粒径が小さく、
性能の優れた本合金膜をうることかできる。
なおEDTA ・2Naの11中の含有量は20〜60
grとするのか望ましい。又このメッキ液において、還
元剤としてはH2NN)!2・H2Oを使用するのが好
ましく、還元剤を含むに拘らず、このメッキ液はポット
ライフが特に大きい優れた効果を有する。
grとするのか望ましい。又このメッキ液において、還
元剤としてはH2NN)!2・H2Oを使用するのが好
ましく、還元剤を含むに拘らず、このメッキ液はポット
ライフが特に大きい優れた効果を有する。
なおAg膜の上に更にPd膜を形成するのが一層望まし
く、以下述べる加熱処理によって得られる本合金膜のピ
ンホールを減少させることができる。
く、以下述べる加熱処理によって得られる本合金膜のピ
ンホールを減少させることができる。
Pd膜、Ag膜を形成後、好ましくは洗浄真空乾燥後熱
処理を行なうことによりPd、 Agを拡散させ、Pd
、 Agを含む合金よりなる氷膜を形成、させることが
できる。
処理を行なうことによりPd、 Agを拡散させ、Pd
、 Agを含む合金よりなる氷膜を形成、させることが
できる。
熱処理温度は450〜600℃、処理時間は8〜16h
r程度とするのか適当である。
r程度とするのか適当である。
なお処理はAr、或はH2と82の混合ガスのような不
活性又は還元性雰囲気で行なうのが適当である。
活性又は還元性雰囲気で行なうのが適当である。
Pd膜とAg膜の厚みを所定比に保つことにより所望組
成を有する氷膜をつることができる。
成を有する氷膜をつることができる。
熱処理によりPdとAgとか合金化することはX線回折
法により確認された。第1図にそのX線回折結果を示す
。第1図のa)は多孔質ガラス上にPdをメッキし、そ
れを下地としてAgメッキをしたもの、b)はa)と同
様なものを500°Cで12時間アルゴン気流中で熱処
理したもののX線回折図である。a)、b)を対比する
ことによりPdとAgとは熱処理により容易に合金化さ
せることか可能なことがわかる。
法により確認された。第1図にそのX線回折結果を示す
。第1図のa)は多孔質ガラス上にPdをメッキし、そ
れを下地としてAgメッキをしたもの、b)はa)と同
様なものを500°Cで12時間アルゴン気流中で熱処
理したもののX線回折図である。a)、b)を対比する
ことによりPdとAgとは熱処理により容易に合金化さ
せることか可能なことがわかる。
なおPdとAgを同時に化学メッキにより析出させるこ
とも試みたが、良好な結果をうろことかできなかった。
とも試みたが、良好な結果をうろことかできなかった。
熱処理を行なわない膜(第1図aの膜)は水素の透過性
を示さないか、熱処理を行ない、P(+、Agの拡散、
合金化か進行するにつれ、水素の透過性は大幅に上昇す
る。
を示さないか、熱処理を行ない、P(+、Agの拡散、
合金化か進行するにつれ、水素の透過性は大幅に上昇す
る。
第2図は2,600人の平均径を有する多孔質硝子A上
に18hrのメッキで形成させた厚み0.018mmの
Pd膜の上に7hrのメッキで厚み0.002 mmの
Ag膜を形成させ、更にこの上に7hrのメッキで厚み
0.005 IlmのPd膜を形成させ、次いで500
℃に12hr加熱して得られた本合金膜を用いて、Lr
82の等モル混合物を400 mu/minの割合で供
給し圧力差5 kg/crn”のもとに行なった水素の
透過速度と加熱温度との関係を示すグラフである。
に18hrのメッキで形成させた厚み0.018mmの
Pd膜の上に7hrのメッキで厚み0.002 mmの
Ag膜を形成させ、更にこの上に7hrのメッキで厚み
0.005 IlmのPd膜を形成させ、次いで500
℃に12hr加熱して得られた本合金膜を用いて、Lr
82の等モル混合物を400 mu/minの割合で供
給し圧力差5 kg/crn”のもとに行なった水素の
透過速度と加熱温度との関係を示すグラフである。
このグラフに示すように加熱温度を上昇させるとともに
、合金化か進行して水素透過能が増加する。
、合金化か進行して水素透過能が増加する。
なお、図中黒丸プロットで示したように透過ガス中の水
素モル分率はいずれの温度においても100%であった
。
素モル分率はいずれの温度においても100%であった
。
又図中破線で示すグラフは本願発明者が特願昭62−1
28480号として出願したPd、 Cu合金膜を用い
て同様な実験結果を示すものであり、Pd、 Ag合金
膜はPd、 Cu合金膜に比しH2透過率が大きいこと
が判明する。
28480号として出願したPd、 Cu合金膜を用い
て同様な実験結果を示すものであり、Pd、 Ag合金
膜はPd、 Cu合金膜に比しH2透過率が大きいこと
が判明する。
この膜は長時間使用しても性能は劣化せず、又300°
C以下の低温で使用してもひび割れ等を生ずることもな
い。
C以下の低温で使用してもひび割れ等を生ずることもな
い。
本合金膜は単に水素を含有する混合ガスから水素を分離
採取するのに使用することもできるが、本合金膜は本発
明者が特願昭62−128479号として提案した水素
の製造法における水素選択透過膜として好適に使用でき
る。
採取するのに使用することもできるが、本合金膜は本発
明者が特願昭62−128479号として提案した水素
の製造法における水素選択透過膜として好適に使用でき
る。
次にこの点に就いて説明する。
例えば
GO+ H2O、−GO□+H2
GH:+OH+ 820 =二COz + 382CH
s + 2H20:l;””GO□+482GH4+H
20震=CO+ 3 H2 のような、可逆反応により水素を生成する反応の原料物
質を1本合金膜で少なくとも壁の一部を形成した反応室
内に連続的に供給して反応せしめ、前記反応により生成
した水素を本合金膜を通過せしめて分離採取することに
より、エネルギーコストを増大させることもなく、或は
高い圧力で反応させる必要もなく1反応を上記反応式右
辺に進行させ、高純度水素を高収率でうることができる
。
s + 2H20:l;””GO□+482GH4+H
20震=CO+ 3 H2 のような、可逆反応により水素を生成する反応の原料物
質を1本合金膜で少なくとも壁の一部を形成した反応室
内に連続的に供給して反応せしめ、前記反応により生成
した水素を本合金膜を通過せしめて分離採取することに
より、エネルギーコストを増大させることもなく、或は
高い圧力で反応させる必要もなく1反応を上記反応式右
辺に進行させ、高純度水素を高収率でうることができる
。
(実施例)
SiO□49 w t%、B2O318wt%、(:a
O13wt%、 Al2O:+9wt%、Na、05
wt%、K、02wt%、Mg04wt%なる組成を有
する硝子型の厚み0.5mat、内径10o+m、長さ
500■の円筒体を710℃に20hr加熱してCaO
、B207を主体とする相を分相せしめ、2%HF溶液
で30m1nエツチングし、次いで80℃のHCIIN
溶液中に16hr浸漬してCa0 、820:lを主体
とする相を溶解除去して小孔径2,500人の多孔質体
を得た。
O13wt%、 Al2O:+9wt%、Na、05
wt%、K、02wt%、Mg04wt%なる組成を有
する硝子型の厚み0.5mat、内径10o+m、長さ
500■の円筒体を710℃に20hr加熱してCaO
、B207を主体とする相を分相せしめ、2%HF溶液
で30m1nエツチングし、次いで80℃のHCIIN
溶液中に16hr浸漬してCa0 、820:lを主体
とする相を溶解除去して小孔径2,500人の多孔質体
を得た。
ついて、トリクロロエチレンとエタノールによる超音波
洗浄を行なった。トリクロロエチレンによる洗浄は、主
に脱脂及びごみやガラスに残留している粉の除去を目的
として30分間行なった。
洗浄を行なった。トリクロロエチレンによる洗浄は、主
に脱脂及びごみやガラスに残留している粉の除去を目的
として30分間行なった。
エタノールによる洗浄は脱脂効果もあるが、主に水にほ
とんど不溶のトリクロロエチレンとの置換を目的として
同様に30分間行なった。以上の洗浄工程ののちに、真
空乾燥を約4〜5時間行なった。この時間は多孔質ガラ
スにエタノールの臭いがほとんどしなくなる程度の時間
である0以上の工程の後に次の表面活性化処理をおこな
った。
とんど不溶のトリクロロエチレンとの置換を目的として
同様に30分間行なった。以上の洗浄工程ののちに、真
空乾燥を約4〜5時間行なった。この時間は多孔質ガラ
スにエタノールの臭いがほとんどしなくなる程度の時間
である0以上の工程の後に次の表面活性化処理をおこな
った。
基板表面の活性化は二液型でおこなった。すなわちSn
C:12感受性化処理(SnC12−21(20+ 3
7%HCI 1mi/i)およびPd(:It活性化
処理(PdC1z0.1g/M+37%H(:I O,
1ml/ l )である。
C:12感受性化処理(SnC12−21(20+ 3
7%HCI 1mi/i)およびPd(:It活性化
処理(PdC1z0.1g/M+37%H(:I O,
1ml/ l )である。
表面のパラジウム核をてきるだけ密にするために、各浸
漬時間を1分として、交互に10回おこなった。(各溶
液から引きあげた後におのおの充分な純水による洗浄を
おこなった)なお、これらの処理は外面のみメッキを施
す目的のため、上下をメッキ用テープ(スコッチ社製)
で目かくしをして管内部に液がはいりこまないように工
夫した。
漬時間を1分として、交互に10回おこなった。(各溶
液から引きあげた後におのおの充分な純水による洗浄を
おこなった)なお、これらの処理は外面のみメッキを施
す目的のため、上下をメッキ用テープ(スコッチ社製)
で目かくしをして管内部に液がはいりこまないように工
夫した。
表面活性化を行なった多孔質ガラスは、上下の目かくし
をしたテープをはりかえエタノール中に浸漬し、純水で
洗浄した後、1文中に[Pd(NHz) 4]C1a
・H2Oを5.4 gr、 EDTA・2Naを67.
2g、NH4OHを350 gr、 H2NNH2・H
2Oを0.4mM含有する50°Cのメッキ液に18h
r浸漬してPdメッキを行なった。
をしたテープをはりかえエタノール中に浸漬し、純水で
洗浄した後、1文中に[Pd(NHz) 4]C1a
・H2Oを5.4 gr、 EDTA・2Naを67.
2g、NH4OHを350 gr、 H2NNH2・H
2Oを0.4mM含有する50°Cのメッキ液に18h
r浸漬してPdメッキを行なった。
次いで、1文中にAgN0iを3.46gr、 EDT
A・2Naを3:t、6gr、 NH,OHを350
gr、 HJNH2・HJを0.46 txl含有する
50℃のメッキ液に7hr浸漬してAgメッキを行った
。
A・2Naを3:t、6gr、 NH,OHを350
gr、 HJNH2・HJを0.46 txl含有する
50℃のメッキ液に7hr浸漬してAgメッキを行った
。
なお、このメッキ液はメッキ速度をなるべく一定とする
ため1時間に1回交換した。
ため1時間に1回交換した。
更に、この上に、前述と同様の方法でPdメッキを7h
r行なった。
r行なった。
洗滌、乾燥後Ar雰囲気中で、500℃に12hr加熱
し、Pd、 Agを拡散させ、Pd92.5wt%、A
g 7.5wt%よりなる厚み25ILの水素分離用膜
を得た。
し、Pd、 Agを拡散させ、Pd92.5wt%、A
g 7.5wt%よりなる厚み25ILの水素分離用膜
を得た。
この膜(有効面積75.4cm″)の差圧2 kg/c
m″で測定した水素の透過速度は275m1/minで
あり、300℃以下で長時間使用しても性能の低下、ひ
び割れを生ずることはなかった。
m″で測定した水素の透過速度は275m1/minで
あり、300℃以下で長時間使用しても性能の低下、ひ
び割れを生ずることはなかった。
(発明の効果)
水素の選択透過性は良好であり、300°C以下の低温
で長時間使用しても性能の劣化、ひび割れを生ずること
はく、純度100%の水素をうることができる。
で長時間使用しても性能の劣化、ひび割れを生ずること
はく、純度100%の水素をうることができる。
第1図はX線回折結果を示すグラフ、第2図は加熱温度
と水素透過量の関係を示すグラフである。
と水素透過量の関係を示すグラフである。
Claims (3)
- (1)多数の小孔を有する耐熱性多孔体の表面にPd薄
膜を、Pd薄膜上にAg薄膜を夫々化学メッキ法によっ
て形成させ、次いで加熱処理を行なうことを特徴とする
水素分離用膜の製造法。 - (2)加熱処理に先立ちAg薄膜上に更にPd薄膜を化
学メッキ法によって形成させることを特徴とする特許請
求の範囲第1項記載の水素分離用膜の製造法。 - (3)EDTA・2Naを含有する溶液を使用してAg
薄膜を化学メッキ法によって形成させることを特徴とす
る特許請求の範囲第1項又は第2項記載の水素分離用膜
の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP32271487A JPH01164419A (ja) | 1987-12-22 | 1987-12-22 | 水素分離用膜の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP32271487A JPH01164419A (ja) | 1987-12-22 | 1987-12-22 | 水素分離用膜の製造法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01164419A true JPH01164419A (ja) | 1989-06-28 |
Family
ID=18146801
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP32271487A Pending JPH01164419A (ja) | 1987-12-22 | 1987-12-22 | 水素分離用膜の製造法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01164419A (ja) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03146122A (ja) * | 1989-11-02 | 1991-06-21 | Tokyo Gas Co Ltd | 水素分離膜の製造方法 |
JPH05137979A (ja) * | 1991-11-25 | 1993-06-01 | Mitsubishi Kakoki Kaisha Ltd | 水素分離膜の製造方法 |
US5614001A (en) * | 1994-05-23 | 1997-03-25 | Ngk Insulators, Ltd. | Hydrogen separator, hydrogen separating apparatus and method for manufacturing hydrogen separator |
US6503348B1 (en) | 1997-09-03 | 2003-01-07 | Ballard Power Systems Ag | Method of making a metal membrane foil made of a palladium alloy for hydrogen separation |
US6527832B2 (en) | 2000-06-27 | 2003-03-04 | Nisshin Steel Co., Ltd. | Device for recovery of hydrogen |
US6773472B2 (en) | 2000-06-27 | 2004-08-10 | Nisshin Steel Co., Ltd. | Gas reformer for recovery of hydrogen |
JP2006055831A (ja) * | 2004-07-21 | 2006-03-02 | Iwatani Internatl Corp | 水素分離膜及びその製造方法 |
-
1987
- 1987-12-22 JP JP32271487A patent/JPH01164419A/ja active Pending
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03146122A (ja) * | 1989-11-02 | 1991-06-21 | Tokyo Gas Co Ltd | 水素分離膜の製造方法 |
JPH05137979A (ja) * | 1991-11-25 | 1993-06-01 | Mitsubishi Kakoki Kaisha Ltd | 水素分離膜の製造方法 |
US5614001A (en) * | 1994-05-23 | 1997-03-25 | Ngk Insulators, Ltd. | Hydrogen separator, hydrogen separating apparatus and method for manufacturing hydrogen separator |
US6503348B1 (en) | 1997-09-03 | 2003-01-07 | Ballard Power Systems Ag | Method of making a metal membrane foil made of a palladium alloy for hydrogen separation |
US6527832B2 (en) | 2000-06-27 | 2003-03-04 | Nisshin Steel Co., Ltd. | Device for recovery of hydrogen |
US6773472B2 (en) | 2000-06-27 | 2004-08-10 | Nisshin Steel Co., Ltd. | Gas reformer for recovery of hydrogen |
JP2006055831A (ja) * | 2004-07-21 | 2006-03-02 | Iwatani Internatl Corp | 水素分離膜及びその製造方法 |
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