JPH01164419A - 水素分離用膜の製造法 - Google Patents

水素分離用膜の製造法

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JPH01164419A
JPH01164419A JP32271487A JP32271487A JPH01164419A JP H01164419 A JPH01164419 A JP H01164419A JP 32271487 A JP32271487 A JP 32271487A JP 32271487 A JP32271487 A JP 32271487A JP H01164419 A JPH01164419 A JP H01164419A
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film
porous body
heat
thin
hydrogen
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JP32271487A
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Hidekazu Kikuchi
英一 菊地
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Ise Kagaku Kogyo KK
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Ise Kagaku Kogyo KK
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    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01BNON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B3/00Hydrogen; Gaseous mixtures containing hydrogen; Separation of hydrogen from mixtures containing it; Purification of hydrogen
    • C01B3/50Separation of hydrogen or hydrogen containing gases from gaseous mixtures, e.g. purification
    • C01B3/501Separation of hydrogen or hydrogen containing gases from gaseous mixtures, e.g. purification by diffusion
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01BNON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B2203/00Integrated processes for the production of hydrogen or synthesis gas
    • C01B2203/04Integrated processes for the production of hydrogen or synthesis gas containing a purification step for the hydrogen or the synthesis gas
    • C01B2203/0405Purification by membrane separation

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  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Separation Using Semi-Permeable Membranes (AREA)
  • Hydrogen, Water And Hydrids (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [発明の目的] (産業上の利用分野) 本発明は水素分離用膜の製造法に関するものである。
(従来の技術) Pdを主体とする水素分離用膜は広く知られている。
本発明者は多数の小孔を有する耐熱性多孔質体の表面に
Pdを主体とする膜を化学メッキ法によって形成させる
ことなにより性能の極めて良好な水素分離用膜の得られ
ることを見出し、特願昭61−113576号(先願発
明という)として特許出願した。
(発明が解決しようとする問題点) Pdを主体とする薄膜は水素の透過選択性及び水素の透
過速度か大きく、水素分離用膜として好適なものである
が、300℃以下の低温ではPaの水素化合物形成によ
りひび割れ等が生じ易い問題点を有する。
本発明は従来技術が有していた上記問題点を解消するこ
とを目的とするものである。
[発明の構成] (問題点を解決するための手段) 本発明は前述の問題点を解決すべくなされたものであり
、多数の小孔を有する耐熱性多孔体の表面にPd薄膜を
、Pd薄膜上にAg薄膜を夫々化学メッキ法によって形
成させ次いで加熱処理を行なうことを特徴とする水素分
離用膜の製造法を提供するものである。
次に本願発明を更に具体的に説明する。
本発明においては多数の小孔を有する耐熱性多孔質体(
以下単に多孔質体と言う)の表面にPd薄膜(以下単に
Pd膜という)を化学メッキ法によって形成させ、得ら
れたPd膜上に化学メッキ法によってAg薄膜(以下単
にAg膜という)を形成させ、次いで加熱処理を行なう
ことによってPd、 Agを拡散させ、Pd、 Agを
主体とする合金(本合金)よりなる水素分離用膜を形成
させる。
本発明によって得られる水素分離用膜は先願発明で開示
したように多孔質体の小孔を覆って形成され、この多孔
質体で支持されているため、本合金を伸延する場合に比
し遥かに薄く(10ル程度迄)した場合でも工業的使用
に耐える充分な機械的強度を有し、ピンホールもなく、
水素透過速度を大とすることができ、しかも高価なPd
を使用量を大幅に節減することかてきる。
本合金の組成は化学メッキによって形成させるPd膜、
Ag膜の厚みによって定まるが、本合金の組成かPd7
0〜95wt%、Ag5〜30 wt%となるようこれ
らの膜の厚みを定めるのが適当である。
Agの量があまり少ない場合、本発明の効果が充分でな
く、又Agの量があまり多いと水素の透過選択性、水素
の透過速度が低下し易い。
多孔質体としては、300℃以上、望ましくは400 
’C以上の温度に耐える耐熱性を有し、処理すべき気体
と反応性を有せず、且つ20〜30.QOO人望ましく
は40〜s、ooo人の均一な小孔を有する多孔質体を
使用するのが適当である。
又多孔質体としてはA1□03等のセラミック微粒の焼
結体、多孔質硝子が例示されるが、多孔質硝子を使用す
るのか好ましい。
多孔質硝子としてはバイコール硝子、或はSiO□45
〜70 wt%、8g038 ヘ30 wt%、CaO
3〜25wt%、  Al2O:15〜15 wt%、
Na2O3〜8%、 K、01〜5%、 Na2O+ 
K2O4〜1 3 wt%、MgOO〜8yt%なる組
成を宥する硝子(以下硝子Aという)又は5iOz45
〜70wt%、B203a〜30wt%、CaO3〜2
5wt%、 A]zQz5〜I 5%なる組成を有する
硝子(以下硝子Bという)を熱処理してBzOi、Ca
Oを主体とする相を分相せしめ、この相を溶解除去する
ことによって得られる多孔質硝子(以下、多孔質硝子A
又はBと呼ぶ)が適当であり、多孔質硝子Aを使用する
ことによって特に好適な結果をうろことができる。
上述した多孔質体としては1〜0.2Hの厚みを有する
円筒状、又は板状のものを使用するのが適当であり、こ
のような多孔質体は所定形状に成型した原料硝子に分相
処理、溶解処理を施こすことによって得ることかできる
硝子A、Bを所定形状に成型した後熱処理してCaO、
B2O3を主体とする相(以下CaO、B、0.相とい
う)を分相せしめる。加熱処理温度か高い程、又熱処理
時間か長い程CaO、B2O3相は大きくなつ、従って
得られる多孔硝子の小孔の径は大きくなる傾向を有し、
熱処理条件を選択することによって小孔の径を50〜s
o、ooo人の範囲の所望の値とすることができる。こ
のようにして得られた多孔質硝子は、小孔の径は均一で
あり、本発明の目的を達成するのに極めて好適なもので
ある。
加熱処理を行った硝子をHCI 、 H2SO1等の酸
中に浸漬してCaO、B20z相を溶解除去する。なお
酸処理を行なうに先立ち、IF溶液で短時間その表面を
エツチング処理するのが望ましい。
熱処理の条件によって、得られる多孔硝子の小孔の径を
制御することができ、又小孔の径は多孔質硝子中に残存
するB2O3の量に応じて変化すること及びこのB20
.の量は熱処理、酸処理の条件によって左右されること
が判明した。モしてB20□が望ましく 0.5 wt
%以上残存するようこれらの条件を定めることにより特
に好適な結果の得られることが判明した。
望ましい処理条件は次の通りである。
加熱温度 600〜850℃ 加熱時間 2〜48hr、望ましくは12〜24hr酸
の種類 H(:1 、 H2SO,HNOi酸の濃度 
0.01〜2.ON、望ましくは0.1〜1、ON 処理時間 2〜20hr、望ましくは4〜16hr温 
 度 50〜95℃、望ましくは80〜90°C上述し
た多孔質体に化学メッキ法によりPd膜を形成させる。
化学メッキを施こす前に多孔質体の表面に付着する汚れ
を除去するため洗浄を行なうのが望ましい。好適な汚れ
除去法としては、トリクロロエチレンを用いた超音波洗
浄法が例示できる。トリクロロエチレンによる洗浄後エ
タノール等の低級アルコールによる洗浄を行ない多孔質
体に残存するトリクロロエチレンをアルコールで置換し
、次いて乾燥するのが適当である。
その後、化学メッキに先立ち、多孔質体の活性化を行な
い、多孔質体に活性化されたPdを被着するのが適当で
ある。
活性化は例えば、50C12溶液及びPdtl:12溶
液による浸漬処理を交互に行なうことによって好適な結
果をうろことがてきる。好ましい処理液の組成として5
nC12−28201g/l + 37%HC11ma
fL、 PdC1z 0.1 g / l + 37%
HCI 0.14m/立を例示することができる。なお
、これらの溶液による処理を交互に行なう際、一方の溶
液の処理路後、純水による充分な洗浄を行なうのが適当
である。
次いで多孔質体を以下示すようなメッキ液に浸漬するこ
とにより、前述の処理によって形成された活性化Pd上
にPdを析出させ、多孔質体の表面側開口部を覆ってP
d膜を生成せしめることがてきる。この際マスキング等
によって多孔質体の必要な部分のみにPd膜を形成させ
るのが適当である。
例えば円筒状の多孔質体の外表面にPd膜を形成させる
場合、円筒の両端面に閉塞することにより外面のみにP
d膜を形成させることができる。或は又[Pd(NHz
)4] CI□ ・H2Oを主体とするメッキ液を用い
る場合、アルコール、水のような液体を滲み込ませてお
くことにより、小孔内部にはPd膜を形成させることな
く、多孔質体表面のみPd膜を形成させることがてきる
上記手段のうち低級アルコールを用いることは本発明の
目的を達成するのに特に有効である。
[Pd(NH3)−+] C12が低級アルコールに溶
解性を有しないためと思われる。
化学メッキによってPd膜を形成させるために好適に用
いられるメッキ液として次の組成の溶液が例示される。
[Pd(NHi)1CI2 ・HzO5,4gI文ED
TA・2Na        67.2g/INH3(
28%水溶液)   651.3 m/文H2NNH2
・H2O0,46m/JLpH11,3 温度          50°C 形成させるPd膜の厚みか小さい程水素の透過速度が大
となり、且つ高価なPd使用量を減少することかできる
が、あまりこの厚みを小とするとPd膜にピンホールが
生じ水素以外の気体かリークし易くなる。この傾向は、
小孔開口部の径か大きくなる程増大する。
好適なPd膜の厚さは小孔の径が3.000人の場合0
.01mm程度である。
メッキ所要時間はPd膜の厚みか大となる程大きくする
必要かあるが、厚み0.01mmの場合17hr程度で
ある。
このようにして形成されたPd膜上に化学メッキ法によ
ってAg膜を形成させる。
なお多孔質体上に化学メッキ法によってAg膜を形成さ
せ、次いで化学メッキ法によってPd膜を形成させるこ
とも試みたが、好適な結果をうろことはできなかった。
メッキ液としては次の組成の溶液が例示される。
Ag NO:I         :1.46  g/
文EDTA ・2Na       33.6  ge
fLNH2(28%水溶液)    651.3  m
文/文H2NNH2・H2O0,46+1JI / 1
H 温度         so’c メッキ所要時間は厚みか0.002mmの場合7hr程
度である。
Ag膜を形成させるために公知のメッキ液を用いること
もできるが、EDTA・2Naを含有するメッキ液の使
用が特に好ましく、生成したAg粒子の粒径が小さく、
性能の優れた本合金膜をうることかできる。
なおEDTA ・2Naの11中の含有量は20〜60
grとするのか望ましい。又このメッキ液において、還
元剤としてはH2NN)!2・H2Oを使用するのが好
ましく、還元剤を含むに拘らず、このメッキ液はポット
ライフが特に大きい優れた効果を有する。
なおAg膜の上に更にPd膜を形成するのが一層望まし
く、以下述べる加熱処理によって得られる本合金膜のピ
ンホールを減少させることができる。
Pd膜、Ag膜を形成後、好ましくは洗浄真空乾燥後熱
処理を行なうことによりPd、 Agを拡散させ、Pd
、 Agを含む合金よりなる氷膜を形成、させることが
できる。
熱処理温度は450〜600℃、処理時間は8〜16h
r程度とするのか適当である。
なお処理はAr、或はH2と82の混合ガスのような不
活性又は還元性雰囲気で行なうのが適当である。
Pd膜とAg膜の厚みを所定比に保つことにより所望組
成を有する氷膜をつることができる。
熱処理によりPdとAgとか合金化することはX線回折
法により確認された。第1図にそのX線回折結果を示す
。第1図のa)は多孔質ガラス上にPdをメッキし、そ
れを下地としてAgメッキをしたもの、b)はa)と同
様なものを500°Cで12時間アルゴン気流中で熱処
理したもののX線回折図である。a)、b)を対比する
ことによりPdとAgとは熱処理により容易に合金化さ
せることか可能なことがわかる。
なおPdとAgを同時に化学メッキにより析出させるこ
とも試みたが、良好な結果をうろことかできなかった。
熱処理を行なわない膜(第1図aの膜)は水素の透過性
を示さないか、熱処理を行ない、P(+、Agの拡散、
合金化か進行するにつれ、水素の透過性は大幅に上昇す
る。
第2図は2,600人の平均径を有する多孔質硝子A上
に18hrのメッキで形成させた厚み0.018mmの
Pd膜の上に7hrのメッキで厚み0.002 mmの
Ag膜を形成させ、更にこの上に7hrのメッキで厚み
0.005 IlmのPd膜を形成させ、次いで500
℃に12hr加熱して得られた本合金膜を用いて、Lr
82の等モル混合物を400 mu/minの割合で供
給し圧力差5 kg/crn”のもとに行なった水素の
透過速度と加熱温度との関係を示すグラフである。
このグラフに示すように加熱温度を上昇させるとともに
、合金化か進行して水素透過能が増加する。
なお、図中黒丸プロットで示したように透過ガス中の水
素モル分率はいずれの温度においても100%であった
又図中破線で示すグラフは本願発明者が特願昭62−1
28480号として出願したPd、 Cu合金膜を用い
て同様な実験結果を示すものであり、Pd、 Ag合金
膜はPd、 Cu合金膜に比しH2透過率が大きいこと
が判明する。
この膜は長時間使用しても性能は劣化せず、又300°
C以下の低温で使用してもひび割れ等を生ずることもな
い。
本合金膜は単に水素を含有する混合ガスから水素を分離
採取するのに使用することもできるが、本合金膜は本発
明者が特願昭62−128479号として提案した水素
の製造法における水素選択透過膜として好適に使用でき
る。
次にこの点に就いて説明する。
例えば GO+ H2O、−GO□+H2 GH:+OH+ 820 =二COz + 382CH
s + 2H20:l;””GO□+482GH4+H
20震=CO+ 3 H2 のような、可逆反応により水素を生成する反応の原料物
質を1本合金膜で少なくとも壁の一部を形成した反応室
内に連続的に供給して反応せしめ、前記反応により生成
した水素を本合金膜を通過せしめて分離採取することに
より、エネルギーコストを増大させることもなく、或は
高い圧力で反応させる必要もなく1反応を上記反応式右
辺に進行させ、高純度水素を高収率でうることができる
(実施例) SiO□49 w t%、B2O318wt%、(:a
O13wt%、 Al2O:+9wt%、Na、05 
wt%、K、02wt%、Mg04wt%なる組成を有
する硝子型の厚み0.5mat、内径10o+m、長さ
500■の円筒体を710℃に20hr加熱してCaO
、B207を主体とする相を分相せしめ、2%HF溶液
で30m1nエツチングし、次いで80℃のHCIIN
溶液中に16hr浸漬してCa0 、820:lを主体
とする相を溶解除去して小孔径2,500人の多孔質体
を得た。
ついて、トリクロロエチレンとエタノールによる超音波
洗浄を行なった。トリクロロエチレンによる洗浄は、主
に脱脂及びごみやガラスに残留している粉の除去を目的
として30分間行なった。
エタノールによる洗浄は脱脂効果もあるが、主に水にほ
とんど不溶のトリクロロエチレンとの置換を目的として
同様に30分間行なった。以上の洗浄工程ののちに、真
空乾燥を約4〜5時間行なった。この時間は多孔質ガラ
スにエタノールの臭いがほとんどしなくなる程度の時間
である0以上の工程の後に次の表面活性化処理をおこな
った。
基板表面の活性化は二液型でおこなった。すなわちSn
C:12感受性化処理(SnC12−21(20+ 3
7%HCI  1mi/i)およびPd(:It活性化
処理(PdC1z0.1g/M+37%H(:I O,
1ml/ l )である。
表面のパラジウム核をてきるだけ密にするために、各浸
漬時間を1分として、交互に10回おこなった。(各溶
液から引きあげた後におのおの充分な純水による洗浄を
おこなった)なお、これらの処理は外面のみメッキを施
す目的のため、上下をメッキ用テープ(スコッチ社製)
で目かくしをして管内部に液がはいりこまないように工
夫した。
表面活性化を行なった多孔質ガラスは、上下の目かくし
をしたテープをはりかえエタノール中に浸漬し、純水で
洗浄した後、1文中に[Pd(NHz) 4]C1a 
・H2Oを5.4 gr、 EDTA・2Naを67.
2g、NH4OHを350 gr、 H2NNH2・H
2Oを0.4mM含有する50°Cのメッキ液に18h
r浸漬してPdメッキを行なった。
次いで、1文中にAgN0iを3.46gr、 EDT
A・2Naを3:t、6gr、 NH,OHを350 
gr、 HJNH2・HJを0.46 txl含有する
50℃のメッキ液に7hr浸漬してAgメッキを行った
なお、このメッキ液はメッキ速度をなるべく一定とする
ため1時間に1回交換した。
更に、この上に、前述と同様の方法でPdメッキを7h
r行なった。
洗滌、乾燥後Ar雰囲気中で、500℃に12hr加熱
し、Pd、 Agを拡散させ、Pd92.5wt%、A
g 7.5wt%よりなる厚み25ILの水素分離用膜
を得た。
この膜(有効面積75.4cm″)の差圧2 kg/c
m″で測定した水素の透過速度は275m1/minで
あり、300℃以下で長時間使用しても性能の低下、ひ
び割れを生ずることはなかった。
(発明の効果) 水素の選択透過性は良好であり、300°C以下の低温
で長時間使用しても性能の劣化、ひび割れを生ずること
はく、純度100%の水素をうることができる。
【図面の簡単な説明】
第1図はX線回折結果を示すグラフ、第2図は加熱温度
と水素透過量の関係を示すグラフである。

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)多数の小孔を有する耐熱性多孔体の表面にPd薄
    膜を、Pd薄膜上にAg薄膜を夫々化学メッキ法によっ
    て形成させ、次いで加熱処理を行なうことを特徴とする
    水素分離用膜の製造法。
  2. (2)加熱処理に先立ちAg薄膜上に更にPd薄膜を化
    学メッキ法によって形成させることを特徴とする特許請
    求の範囲第1項記載の水素分離用膜の製造法。
  3. (3)EDTA・2Naを含有する溶液を使用してAg
    薄膜を化学メッキ法によって形成させることを特徴とす
    る特許請求の範囲第1項又は第2項記載の水素分離用膜
    の製造方法。
JP32271487A 1987-12-22 1987-12-22 水素分離用膜の製造法 Pending JPH01164419A (ja)

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Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03146122A (ja) * 1989-11-02 1991-06-21 Tokyo Gas Co Ltd 水素分離膜の製造方法
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