JP2734183B2 - 液晶表示素子 - Google Patents
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Description
上に認識マークが設けられた液晶表示素子に関する。
を備えたアクティブマトリックス型の液晶表示素子にお
いて、 表示パターン部の表示領域および端子領域を除く余白
部分に、認識マーク部が設けられた認識マーク付不透明
薄膜を形成し、この認識マーク付不透明薄膜領域の上部
は他の不透明薄膜は形成しないで透明薄膜で覆うように
することにより、 認識マークを基板裏面からだけでなく素子表面から確
認できるようにし、製品の管理を容易にしたものであ
る。
パターンとともに、定められた固定の型番として採番さ
れて設けられていた。一方、液晶表示素子は、従来のセ
グメント型や単純ドットマトリックス型からアクティブ
マトリックス型も市場に多量に出荷されるようになっ
た。このアクティブマトリックス型は表示容量が大きい
ため、広いニーズに答えるものであり、同一製品型番が
多量に出回り、各種の表示素子付応用製品として利用さ
れ始めている。これはアクティブマトリックス型は生産
形態として受注生産より見込生産が可能である製品とい
える。
らのトレーサビリティが困難であり、かつ生産品保証の
立場からの製造工程中の製品管理が困難であった。なぜ
なら、アクティブマトリックス型は今市場に出回り始め
ているとはいえ、生産性は未だ低く、同一製品型番の製
品は特性仕様が均一だけでなく、信頼性仕様まで均一に
することはなかなか困難である。さらに市場トレーサビ
リティを高めてクレーム処理を活用し、製造工程中の製
品管理能力を高めて歩留向上に生すことが工業的に求め
られている。
何らかの認識マークを設け、生産管理に役立てることが
考えられる。その一例を第6図、第7図および第8図を
用いて説明する。
子製造工程途中のアクティブ素子基板の裏面を示す模式
的平面図である。ガラス基板1の表面にはアクティブ素
子を設けるために各種薄膜がパターン化されて設けられ
ており、第6図のように裏面から見ても透けてその表面
のパターン状態が見える。ガラス基板1には各種薄膜を
多層に積層して設けるが、基板周辺には素子として利用
されない薄膜積層部2が存在する。薄膜積層部2は素子
パターン部3をパターニングする際にホトレジストが感
光されずに残ってしまう領域に対応している。従って、
使用しているほとんどの薄膜がそのまま成膜順に積層さ
れて残ることになる。
識マークを設けることが考えられる。第7図は認識マー
ク部4の部分拡大平面図である。第7図において、「9B
12」の文字の意味するところは製品型番ではなく、製造
ロット番号である。このような文字列が記載された透光
性フィルムを用い、ハンディスポット露光器により、最
下層の不透明膜をホトレジストを用いてパターニングす
る際、文字列を反転させて付加工程として露光を行う。
すると、素子パターン部3のエッチング時に認識マーク
部4も同時にエッチングされ、各アクティブ素子用ガラ
ス基板ごとに採番することができる。ガラス基板1の裏
面のスポット露光部5を見ると文字列6が目視でき、そ
の文字列6を認識マークとして利用できる。
ない他の従来例として、特開昭57−136676号公報に透明
導電膜に製造工程専用パターンを設け、その一部に品名
表示番号等、主として製造工程のみで必要なパターンも
形成した例がある。さらに、特開平1−234827公報に電
極基板端部上の透明導電膜からなる電極端子にぬき表示
の識別表示を設けた例がある。
の構造では、下記のような種々の欠点があった。
のガラス基板1の模式的断面図である。ガラス基板1の
表面に設けられる薄膜トランジスタ用のゲート配線とな
る下層金属膜7は第7図に示したような文字列パターン
が設けられている。しかし、その上層には薄膜トランジ
スタアレーを設けるために次々に成膜された下層絶縁膜
8、半導体膜9、上層金属膜10、および上層絶縁膜11な
どがそのまま積層された形で残る。従って、認識マーク
部4の文字列6を見るためには、常にガラス基板1の裏
面が直視側12となる不都合な問題があった。ガラス基板
1の表裏反転を頻繁に行うことは生産性が悪いだけでな
く、塵埃による歩留低下すら引き起こす原因となる欠点
があった。
下層金属膜7との認識コントラストが悪く、人間の目で
は判るもののセンサー機器を用いることは困難がある欠
点があった。
いるため、認識マーク部4を素子パターン部3に設ける
ことは、寸法的にも、精度的にも、塵埃的にもできな
い。よって、ガラス基板1に多数個の素子パターン部3
が設けられているのを、製造過程で個別に切り離し、不
要部分である薄膜積層部2を切り離すと全く認識マーク
は存在しなくなる問題があった。マークと切り離された
製品との対応付けをマニアル処理で管理することが困難
な欠点があった。
公報に記載の従来例では、透明導電膜しか用いていなの
で、視認性に劣り、単層膜であるため膜表面に傷などが
入り、マークを劣化させていた。また上記例と同様に固
定パターンしかできないために、マーク情報を適宜変え
ることができなかった。
認識マークが表面から容易に見えるところに付加され、
工程管理および信頼性管理などの製品の管理が十分にで
きるところの液晶表示素子を提供することである。
を備えたアクティブマトリックス型の液晶表示素子にお
いて、前記表示パターン部の表示領域および端子領域を
除く余白部分に形成された認識マーク部を備え、この認
識マーク部は、前記ガラス基板に最初に形成された不透
明薄膜で、前記表示パターン部の表示領域または端子領
域とは一体ではない別のパターンにより形成された認識
マーク付不透明薄膜が形成され、この認識マーク付不透
明薄膜領域の上は前記表示パターン部の透明絶縁膜と共
通の透明薄膜で覆われた構成であることを特徴とする。
板に設けられた個々の素子を分離する切断線の内側に形
成することができる。
記ガラス基板に最初に形成された下層金属膜にナンバー
リング機構付き露光装置またはレーザマーキング装置に
より前記表示パターン部とは独立に製品ごとの個別番号
または製造型番あるいは製造ロット番号が認識文字また
はバーコードで形成されたものである。
子領域を除く余白部分に、例えば、ガラス基板の直上に
形成される下層金属線の一部を用いて認識マークが設け
られた認識マーク付不透明薄膜により構成される。そし
て、この認識マーク付不透明薄膜領域上には透明薄膜し
か形成されない。
になり、素子の管理が容易となる。また、赤外センサを
用いた透過光による自動識別が可能となり、生産性が格
段に向上する。
金属膜からなる認識マークに擦り傷などが発生せず、認
識マークの自動識別上のノイズが抑えられ、自動識別に
おける認識率が向上できる。また不透明認識マークを表
示パターン部の表示領域および端子領域を除く余白部分
に独立して形成したので、ヌキのネガ表示だけでなくポ
ジ表示の認識マークが形成でき、目視性が向上できた。
することにより、切り離された各素子ごとに認識マーク
を付加でき、素子の信頼性管理も容易となる。1個片に
切断後の工程管理上も、素子の信頼性管理や出荷後の製
品の品質保証やクレーム対策などトレーサビリティが細
分化してできる。またガラス基板に最初に形成された下
層金属膜としたため、認識性を向上させたばかりでな
く、2層目以降の薄膜素子製造工程内のトレーサビリテ
ィを向上させた。
なった固定パターンではなくしたことにより、市場出荷
後までもトレーサビリティを向上させた、1品(1面)
管理の製造番号や製品型番あるいは製造ロット番号が付
与できた。しかもレーザマーキング装置を用いると、微
小な認識マークが形成でき、高精細なアクティブマトリ
ックス型の表示部パターンの余白部にも容易に、認識マ
ークを設けることを可能にできた。
コードを併記することにより、素子の管理を一層容易に
することができる。
る。
途中のアクティブマトリックス用ガラス基板の表面を示
す模式的平面図である。ガラス基板1の表面には従来と
全く同じようにアクティブ素子を設けるために各種薄膜
がパターン化されて設けられており、従来の直視側12と
反対の直視側15すなわち表面から見れば当然第1図のよ
うにパターン状態が判る。ガラス基板1上の基板周辺の
薄膜積層部2は同様に存在するが、製品個別認識マーク
を設ける部分としては用いない。素子パターン部3の通
常の製造工程中でホトレジストワークが行われる領域を
用い、表示領域(マトリックスアレー領域)と端子領域
とを除いた余白部分に認識マーク部4を設ける。
る。積層される最初の不透明薄膜を用いて、素子パター
ン部3中の前記余白部分に文字用パッド13を設けるた
め、付加パターンをその最初の不透明薄膜のパターン形
成用露光マスク内に設ける。第2図では文字用パッド13
は長方形となっているが、認識マークに必要な面積を有
していれば形状は任意である。ここでは文字用パッド13
は薄膜トランジスタ用のゲート配線用のクロム金属膜が
下層金属膜7であり、最初の不透明薄膜である。文字用
パッド13周辺は余白部分とし、薄膜積層部2や他の不透
明膜は設けない。
文字の刻印は、最初の不透明薄膜のパターニング前でも
後でも可能であるが、製造工程管理上からは、より上流
である成膜後直ちに所定位置に刻印するのが望ましい。
刻印の方法はレーザマーキング装置を用い、マーキング
文字14をレーザでクロム膜を飛ばすことにより、ヌキ文
字となった文字列6とした。レーザマーキング装置はマ
ーキング位置を定めるステージ系とマーク種を定めるビ
ームスキャン系とからなり、それぞれコンピュータ制御
されている。従って、認識マークの大きさや種類、およ
び位置精度も高い。また、レーザにより飛ばされるクロ
ムはガス状となるため、ガラス基板1を洗浄しても除去
できない塵埃を付着させることはない。なお、レーザマ
ーキング装置を用いず、ナンバリング機能の有する露光
器を用い、最初の不透明薄膜のパターニング用マスクに
オーバラップさせたナンバーリングブレードを利用し、
同時にパターニングする方法でもよい。
図である。マーキングする下層金属膜7からなる文字用
パッド13には、マーキング文字が穴状に刻印されてお
り、その上層は最初の不透明薄膜である下層金属膜7以
外の不透明薄膜は積層されてなく、下層絶縁膜8、上層
絶縁膜11が積層されているのみである。この下層絶縁膜
8および上層絶縁膜11は一般的にフィールド絶縁膜や素
子全体のパッシベーション膜をも兼ねる場合が多く、パ
ターン余白部分とはいえ残されている。しかし、これら
の絶縁膜は酸化シリコン膜や窒化シリコーン膜などの透
明な膜が用いられるため、従来の直視側12である裏面の
みならず、表面も直視側15とすることができる。また、
透過光が利用できるようになり、赤外自動センサを用い
た認識率が向上できた。
て、素子パターン部3の表示領域および端子領域を除く
余白部分に形成された認識マーク部4を備え、この認識
マーク部4は、ガラス基板1上に形成され認識マークが
設けられた認識マーク付不透明薄膜としての下層金属膜
7を含み、この認識マーク付不透明薄膜領域の上は透明
薄膜としての下層絶縁膜8および上層絶縁膜11のみで覆
われた構成であることである。
ことにより、コントラストを高められ人間目視ばかりで
なく、センサ機器を用いることも可能となった。これら
のセンサ機器は赤色可視光や近赤外光の約600nmから約1
000nmまでの光を用いているものが多いが、ガラス基板
1もボロシリケートガラス製であり、酸化シリコン膜や
窒化シリコン膜なども光の透過域は350nm以上の波長の
光に対して透過率約90%程度得られる。一方、ゲート配
線に用いられるようなクロムの膜厚が約1500Å程度であ
り、ほとんどこれらの光は透過しない。また、半導体膜
として用いられているポリシリコンやアモルファスシリ
コンなどの透過率も小さい。従って、前記光学センサを
用いれば、コントラストよく、表面および裏面から反射
方式および透過方式いずれでも読取ることができる。
文字パット部の拡大図である。他は第一実施例と同じで
あるが、認識マークをヌキではなく残し(ネガとポジの
関係)とした場合である。この場合でもレーザマーキン
グ装置を用いることができる。さらに、本第二実施例
は、人間目視用の文字列6だけでなく、センサ機器とし
てバーコードリーダを用いるために、本発明の特徴とす
るところの、バーコード16を設けたものである。
が文字列6はスタート、ストップマーク*(アスタリス
ク)を略している。また、他のバーコード体系でマーク
してもよい。また、バーコードはポジとなる残しパター
ンに限定されるものでなく、いずれも信号処理によって
読み取ることができる。さらに文字列6の文字寸法をこ
のように大きくすると、文字用パッドの幅が必要となる
が、文字をOCRで読み取ることや、文字はバーコードの
補助的なものと考えれば、文字高さを2mmまで小さくで
き、素子パターン部3の余白に設けるのには都合良くな
る。
あり、それを文字用パッド13としたが、薄膜トランジス
タのタイプやアクティブスイッチング素子の種類によっ
て、ゲート配線用クロムに文字用パッド13が限定される
ものでなく、いずれのタイプや素子の場合でも不透明な
薄膜を1層用いればよく、(連続している積層不透明薄
膜の2層は機能上1層と同じと考える)不透明な膜であ
れ何でもよい。
文字用パッド13を表示領域17と端子領域18とを除く素子
パターン部3の余白部分とするばかりでなく、本発明の
特徴とするところの、切断マーク19に囲まれた切断線よ
り内側に設けた場合である。文字用パッド13はOCR文字
を2mm文字高にレーザマーキングによりヌキモードによ
り形成した。バーコードの場合もそうであるがOCRの場
合もセンサ機器を用いることを考えると、マークの桁数
は人間目視で手入力管理よりも多くできる。従って、す
べての製品1個ごとの個別ナンバーすら設けることがで
きる。また、製品型番と製造シリアルナンバーとの併用
すらできる。
により、単品になってもその採番された認識マークはそ
の製品内に残ることになり、市場に出荷された後でもそ
の認識マークを元にフィールドトレースが可能となり、
その認識マークを用いて工場内、外の一元管理すること
ができる。
文字用パッドを素子パターン部内に素子形成に用いられ
る下層の不透明薄膜で形成し、認識マークを刻印し、そ
の部分には他の不透明薄膜を設けないため、ガラス基板
の表面からでもマークを識別することが可能となり、基
板の表裏反転が不要となった。その結果、作業繁雑さが
解消され、塵埃発生による歩留低下を引き起こさない。
また、目視のみならず、センサー機器の読取りコントラ
ストを向上させることができ、センサー機器を用いた工
程管理が可能となるなどの効果がある。認識マークが付
いた下層金属膜上に透明絶縁膜が覆っているため、マー
クの傷等を防止でき、認識率低下を防止できた。さら
に、同一ガラス基板内に複数設けられた表示素子を個別
に切り離すための切断マークより内側(素子側)に文字
用パッドを設けたため、認識マークを製品内に残すこと
ができ、製品ロット管理、製品シリアル管理、および製
品型番管理等が容易に行うことができるため、工場内外
のトレーサビリティが向上する効果がある。
ま利用し、文字用パッドパターンも同時に行えるため、
付加工数は全く発生しない利点を有する。従来のスポッ
ト露光による採番工程に比べ、レーザマーキング装置に
よる採番や、素子パターン露光器のナンバリングブレー
ドを用いた採番は工数削減はあっても、増加はせず、マ
ニアルより、よりオートマチックに適した認識マーク位
置であり、生産性が高い効果もある。
中のアクティブマトリックス用ガラス基板の表面を示す
模式的平面図。 第2図は第1図中の認識マーク部の部分拡大平面図。 第3図は第2図のマーキング文字部分の模式的断面図。 第4図は本発明の第二実施例の液晶表示素子の認識マー
ク部の部分拡大平面図。 第5図は本発明の第三実施例の液晶表示素子のアクティ
ブマトリックス用ガラス基板の表面の認識マーク部を含
む部分拡大平面図。 第6図は従来例の液晶表示素子製造工程途中のアクティ
ブマトリックス用ガラス基板の裏面を示す模式的平面
図。 第7図は第6図中の認識マーク部の部分拡大平面図。 第8図は第7図のマーキング文字部分の模式的断面図。 1…ガラス基板、2…薄膜積層部、3…素子パターン
部、4…認識マーク部、5…スポット露光部、6…文字
列、7…下層金属膜、8…下層絶縁膜、9…半導体膜、
10…上層金属膜、11…上層絶縁膜、12、15…直視側、3
…文字用パッド、14…マーキング文字、16…バーコー
ド、17…表示領域、18…端子領域、19…切断マーク、20
…基準コーナ。
Claims (3)
- 【請求項1】ガラス基板上に形成された表示パターン部
を備えたアクティブマトリックス型の液晶表示素子にお
いて、 前記表示パターン部の表示領域および端子領域を除く余
白部分に形成された認識マーク部を備え、 この認識マーク部は、前記ガラス基板に最初に形成され
た不透明膜で、前記表示パターン部の表示領域または端
子領域とは一体でない別のパターンにより形成された認
識マーク付不透明薄膜が形成され、この認識マーク付不
透明薄膜領域の上は前記表示パターン部の透明絶縁膜と
共通の透明薄膜で覆われた構成である ことを特徴とする液晶表示素子。 - 【請求項2】前記認識マーク部は、前記ガラス基板に設
けられた個々の素子を分離する切断線の内側に形成され
た請求項1記載の液晶表示素子。 - 【請求項3】前記認識マーク付不透明薄膜は、前記ガラ
ス基板に最初に形成された下層金属膜にナンバーリング
機構付き露光装置またはレーザマーキング装置により前
記表示パターン部とは独立に製品ごとの個別番号または
製品型番あるいは製造ロット番号が認識文字またはバー
コードで形成されたものである請求項1または2記載の
液晶表示素子。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2192326A JP2734183B2 (ja) | 1990-07-19 | 1990-07-19 | 液晶表示素子 |
US08/092,669 US5361150A (en) | 1990-07-19 | 1993-07-14 | Active matrix liquid crystal display with identification mark in the lower opaque conductive film |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2192326A JP2734183B2 (ja) | 1990-07-19 | 1990-07-19 | 液晶表示素子 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0477715A JPH0477715A (ja) | 1992-03-11 |
JP2734183B2 true JP2734183B2 (ja) | 1998-03-30 |
Family
ID=16289428
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2192326A Expired - Lifetime JP2734183B2 (ja) | 1990-07-19 | 1990-07-19 | 液晶表示素子 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5361150A (ja) |
JP (1) | JP2734183B2 (ja) |
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