JPH0477715A - 液晶表示素子 - Google Patents
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- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 title claims description 20
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 48
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 44
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 35
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 32
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 13
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 10
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 16
- 238000010330 laser marking Methods 0.000 description 6
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 6
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011149 active material Substances 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 2
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 2
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 238000004886 process control Methods 0.000 description 1
- 238000001028 reflection method Methods 0.000 description 1
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 1
- 238000011179 visual inspection Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/1306—Details
- G02F1/1309—Repairing; Testing
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/133374—Constructional arrangements; Manufacturing methods for displaying permanent signs or marks
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
- G02F1/133509—Filters, e.g. light shielding masks
- G02F1/133512—Light shielding layers, e.g. black matrix
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
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Abstract
め要約のデータは記録されません。
Description
に認識マークが設けられた液晶表示素子に関する。
備えたアクティブマトリックス型の液晶表示素子におい
て、 表示パターン部の表示領域および端子領域を除(余白部
分に、認識マークが設けられた認識マーク付不透明薄膜
を形成し、この認識マーク付不透明薄膜領域の上部は他
の不透明薄膜は形成しないで透明薄膜で覆うようにする
ことにより、認識マークを素子表面から確認できるよう
にし、製品の管理を容易にしたものである。
ターンとともに、定められた固定の型番として採番され
て設けられていた。一方、液晶表示素子は、従来のセグ
メント型や単純ドツトマトリックス型からアクティブマ
トリックス型モ市場に多量に出荷されるようになった。
ため、広いニーズに答えるものであり、同一製品型番が
多量に出回り、各種の表示素子付応用製品として利用さ
れ始めている。これはアクティブマトリックス型は生産
形態として受注生産より見込生産が可能である製品とい
える。
のトレーサビリティが困難であり、かつ生産品保証の立
場からの製造工程中の製品管理が困難であった。なぜな
ら、アクティブマ) IJソックスは今市基に出回り始
めているとはいえ、生産性は未だ低く、同一製品型番の
製品は特件仕様が均一だけでなく、信頼性仕様まで均一
にすることはなかなか困難である。さらに市場トレーサ
ビリティを高めてクレーム処理を活用し、製造工程中の
製品管理能力を高めて歩留向上に生ずことが工業的に求
められている。
らかの認識マークを設け、生産管理に役立てることが考
えられる。その−例を第6図、第7図および第8図を用
いて説明する。
素子!l!造工程途中のアクティブ素子基板の裏面を示
す模式的平面図である。ガラス基板1の表面にはアクテ
ィブ素子を設けるために各種薄膜がパターン化されて設
けろれており、第6図のように裏面から見ても透けてそ
の表面のパターン状態が見える。ガラス基板lには各種
薄膜を多層に積層して設けるが、基板周辺には素子とし
て利用されない薄膜積層部2が存在する。薄膜積層部2
は素子パターン部3をパターニングする際にホトレジス
トが感光されずに残ってしまう領域に対応している。従
って、使用しているほとんどの薄膜がそのまま成膜順に
積層されて残ることになる。
マークを設けることが考えられる。第7図は認識マーク
部4の部分拡大平面図である。第7図において、’9B
12Jの文字の意味するきころは製品型番ではなく、製
造ロット番号である。
ハンディスポット露光器により、最下層の不透明膜をホ
トレジストを用いてパターニングする際、文字列を反転
させて付加工程として露光を行う。すると、素子パター
ン部3のエツチング時に認識マーク部4も同時にエツチ
ングされ、各アクティブ素子用ガラス基板ごとに採番す
ることができる。ガラス基板1の裏面のスポット露光部
5を見ると文字列6が目視でき、その文字列6を認識マ
ークとして利用できる。
構造では、下記のような種々の欠点かあ第8図は、スポ
ット露光部5のマーキング−文字部分のガラス基板1の
模式的断面図である。ガラス基板1の表面に設けられる
薄膜トランジスタ用のゲート配線となる下層金属膜7は
第7図に示したような文字列パターンが設けられている
。しかし、その上層には薄膜トランジスタアレーを設け
るために次々に成膜された下層絶縁膜8、半導体膜9、
上層金属膜10、および上層絶縁膜11などがそのまま
積層された形で残る。従って、認識マーク部4の文字列
6を見るためには、常にガラス基板1の裏面が直視側1
2となる不都合な問題があった。ガラス基板1の表裏反
転を頻繁に行うことは生産性が悪いだけでなく、塵埃に
よる歩留低下すら引き起こす原因となる欠点があった。
層金属膜7との認識コントラストが悪く、人間の目では
判るもののセンサー機器を用いることは困難がある欠点
があった。
るため、認識マーク部4を素子パターン部3に設けるこ
とは、寸法的にも、精度的にも、塵埃的にもてきない。
けられているのを、製造過程で個別に切り離し、不要部
分である薄膜積層部2を切り離すと全く認識マークは存
在しなくなる問題があった。マークと切り離された製品
との対応付けをマニアル処理で管理することが困難な欠
点があった。
識マークが表面から容易に見えるどころに付加され、工
程管理および信頼性管理などの製品の管理が十分にてき
るところの液晶表示素子を提供することである。
備えたアクティブマトリックス型の液晶表示素子におい
て、前記表示パターン部の表示領域および端子領域を除
く余白部分に形成された認識マーク部を備え、この認識
マーク部は、前記ガラス基板上に形成され認識マークが
設けられた認識マーク付不透明薄膜を含み、この認識マ
ーク付不透明薄膜領域の上は透明薄膜で覆われた構成で
あることを特徴とする。
に設けられた個々の素子を分離する切断線の内側に形成
することができる。
ガラス基板の直上に形成された下層金属膜であることが
できる。
バーコードを含むことができる。
領域を除く余白部分に、例えば、ガラス基板の直上に形
成される下層金属線の一部を用いて認識マークが設けら
れた認識マーク付不透明薄膜により構成される。そして
、この認識マーク付不透明薄膜領域上には透明薄膜しか
形成されない。
なり、素子の管理が容易となる。
ることにより、切り離された各素子ごとに認識マークを
付加でき、素子の信頼性管理も容易となる。
コードを併記することにより、素子の管理を一層容易に
することができる。
。
中のアクティブマトリックス用ガラス基板の表面を示す
模式的平面図である。ガラス基板1の表面には従来と全
く同じようにアクティブ素子を設けるために各種薄膜が
パターン化されて設けられており、従来の直視側12と
反対の直視側15すなわち表面から見れば当然第1図の
ようにパターン状態が判る。ガラス基板1上の基板周辺
の薄膜積層部2は同様に存在するが、製品個別認識マー
クを設ける部分としては用いない。素子パターン部3の
通常の製造工程中でホトレジストワークが行われる領域
を用い、表示領域(マトリックスアレー領域)と端子領
域とを除いた余白部分に認識マーク部4を設ける。
3中の前記余白部分に文字用パッド13を設けるため、
付加パターンをその最初の不透明薄膜のパターン形成用
露光マスク内に設ける。
認識マークに必要な面積を有していれば形状は任意であ
る。ここでは文字用パッド13は薄膜トランジスタ用の
ゲート配線用のクロム金属膜が下層金属膜7であり、最
初の不透明薄膜である。文字用パッド13周辺は余白部
分とし、薄膜積層部2や他の不透明膜は設けない。
文字の刻印は、最初の不透明薄膜のパターユング前でも
後でも可能であるが、製造工程管理上からは、より上流
である成膜後直ちに所定位置に刻印するのが望ましい。
文字14をレーザでクロム膜を飛ばすことにより、ヌキ
文字となった文字列6とした。レーザマーキング装置は
マーキング位置を定めるステージ系とマーク種を定める
ビームスキャン系とからなり、それぞれコンピュータ制
御されている。従って、認識マークの大きさや種類、お
よび位置精度も高い。また、レーザにより飛ばされるク
ロムはガス状となるため、ガラス基板1を洗浄しても除
去できない塵埃を付着させることはない。なお、レーザ
マーキング装置を用いず、ナンバリング機能の有する露
光器を用い、最初の不透明薄膜のパターニング用マスク
にオーバラップさせたナンバーリングブレードを利用し
、同時にパターニングする方法でもよい。
図である。マーキングする下層金属膜7からなる文字用
パッド13には、マーキング文字が穴状に刻印されてお
り、その上層は最初の不透明薄膜である下層金属膜7以
外の不透明薄膜は積層されてなく、下層絶縁膜8、上層
絶縁膜11が積層されているのみである。この下層絶縁
膜8および上層絶縁膜11は一般的にフィールド絶縁膜
や素子全体のパッシベーション膜をも兼ねる場合が多く
、パターン余白部分とはいえ残されている。しかし、こ
れらの絶縁膜は酸化ンリコン膜や窒化シリコン膜などの
透明な膜が用いられるため、従来の直視側12である裏
面のみならず、表面も直視側15とすることができる。
、素子パターン部3の表示領域および端子領域を除く余
白部分に形成された認識マーク部4を備え、この認識マ
ーク部4は、ガラス基板1上に形成され認識マークが設
けられた認識マーク付不透明薄膜としての下層金属膜7
を含み、この認識マーク付不透胡薄膜領域の上は透明薄
膜としての下層絶縁膜8および上層絶縁膜11のみて覆
われた構成であることである。
とにより、コントラストを高められ人間目視ばかりでな
く、センサ機器を用いることも可能となった。これらの
センサ機器は赤色可視光や近赤外光の約600nmから
約11000nまでの光を用いているものが多いが、ガ
ラス基板1もボロシリケートガラス製であり、酸化シリ
コン膜や窒化シリコン膜なども光の透過域は350nm
以上の波長の光に対して透過率約90%程度得られる。
1500人程度であり、はとんどこれらの光は透過しな
い。
モルファスシリコンなどの透過率も小さい。
、表面および裏面から反射方式および透過方式いずれで
も読取ることができる。
字バット部の拡大図である。他は第一実施例と同じであ
るが、認識マークをヌキではなく残しくネガとポジの関
係)とした場合である。この場合でもレーザマーキング
装置を用いることができる。さらに、本第二実施例は、
人間目視用の文字列6だけでなく、センサ機器としてバ
ーコードリーグを用いるた杓に、本発明の特徴とすると
ころの、バーコード16を設けたものである。
たが文字列6はスタート、ストップマーク*(アスタリ
スク)を略している。また、他のバーコード体系でマー
クしてもよい。また、バーコードはポジとなる残しパタ
ーン限定されるものでなく、いずれも信号処理によって
読み取ることができる。さらに文字列6の文字寸法をこ
のように大きくすると、文字用パッドの幅が必要となる
が、文字をOCRで読み取ることや、文字はバーコード
の補助的なものと考えれば、文字高さを2mmまで小さ
くでき、素子パターン部3の余白に設けるのには部会長
(なる。
り、それを文字用パッド13としたが、薄膜トランジス
タのタイプやアクティブスイッチング素子の種類によっ
て、ゲート配線用クロムに文字用パッド13が限定され
るものでなく、いずれのタイプや素子の場合でも不透明
な薄膜を1層用いればよく、(連続している積層不透明
薄膜の2層は機能上1層と同じと考える)不透明な膜で
あれ何でもよい。
字用パッド13を表示領域17と端子領域18とを除く
素子パターン部3の余白部分とするばかりでなく、本発
明の特徴とするところの、切断マーク19に囲まれた切
断線より内側に設けた場合である。文字用パッド13は
OCR文字を2 mm文字高にレーザマーキングにより
ヌキモードにより形成した。バーコードの場合もそうで
あるがOCRの場合もセンサ機器を用いることを考える
と、マークの桁数は人間目視で手入力管理よりも多くで
きる。従って、すべての製品1個ごとの個別ナンバーす
ら設けることができる。また、製品型番と製造シリアル
ナンバーとの併用すらできる。
とにより、単品になってもその採番された認識マークは
その製品内に残ることになり、市場に出荷された後でも
その認識マークを元にフィールドトレースが可能となり
、その認識マークを用いて工場内、外の一元管理するこ
とができる。
字用パッドを素子パターン部内に素子形成に用いられる
下層の不透明薄膜で形成し、認識マークを刻印し、その
部分には他の不透明薄膜を設けないため、ガラス基板の
表面からでもマークを識別することが可能となり、基板
の表裏反転が不要となった。その結果、作業繁雑さが解
消され、塵埃発生による歩留低下を引き起こさない。ま
た、目視のみならず、センサー機器の読取りコントラス
トを向上させることができ、センサー機器を用いた工程
管理が可能となるなどの効果がある。さらに、同一ガラ
ス基板内に複数設けられた表示素子を個別に切り離すた
めの切断マークより内側(素子側)に文字用パッドを設
けたため、認識マークを製品内に残すことができ、製品
ロット管理、製品シリアル管理、および製品型番管理等
が容易に行うことができるた杓、工場内外のトレーサビ
リティが向上する効果がある。
利用し、文字用パッドパターンも同時に行えるため、付
加工数は全く発生しない利点を有する。従来のスポット
露光による採番工程に比べ、レーザマーキング装置によ
る採番や、素子パターン露光器のナンバリングブレード
を用いた採番は工数削減はあっても、増加はせず、マニ
アルより、よりオートマチックに適した認識マーク位置
であり、生産性が高い効果もある。
中のアクティブマトリックス用ガラス基板の表面を示す
模式的平面図。 第2図は第1図中の認識マーク部の部分拡大平面図。 第3図は第2図のマーキング文字部分の模式的断面図。 第4図は本発明の第二実施例の液晶表示素子の認識マー
ク部の部分拡大平面図。 第5図は本発明の第三実施例の液晶表示素子のアクティ
ブマ) IJフックスガラス基板の表面の認識マーク部
を含む部分拡大平面図。 第6図は従来例の液晶表示素子製造工程途中のアクティ
ブマトリックス用ガラス基板の裏面を示す模式的平面図
。 第7図は第6図中の認識マーク部の部分拡大平面図。 第8図は第7図のマーキング文字部分の模式的断面図。 1・・・ガラス基板、2・・・薄膜積層部、3・・・素
子パターン部、4・・・認識マーク部、5・・・スポッ
ト露光部、6・・・文字列、7・・・下層金属膜、8・
・・下層絶縁膜、9・・・半導体膜、10・・・上層金
属膜、11・・・上層絶縁膜、12.15・・・直視側
、13・・・文字用パッド、14・・・マーキング文字
、16・・・バーコード、17・・・表示領域、】8・
・・端子領域、 19・・・切断マーク、2o・・・基準コーナ。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、ガラス基板上に形成された表示パターン部を備えた
アクティブマトリックス型の液晶表示素子において、 前記表示パターン部の表示領域および端子領域を除く余
白部分に形成された認識マーク部を備え、この認識マー
ク部は、前記ガラス基板上に形成され認識マークが設け
られた認識マーク付不透明薄膜を含み、この認識マーク
付不透明薄膜領域の上は透明薄膜で覆われた構成である ことを特徴とする液晶表示素子。 2、前記認識マーク部は、前記ガラス基板に設けられた
個々の素子を分離する切断線の内側に形成された請求項
1記載の液晶表示素子。 3、前記認識マーク付不透明薄膜は、前記ガラス基板の
直上に形成された下層金属膜である請求項1また請求項
2に記載の液晶表示素子。 4、前記認識マークは、認識文字のほかにバーコードを
含む請求項1、請求項2または請求項3に記載の液晶表
示素子。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2192326A JP2734183B2 (ja) | 1990-07-19 | 1990-07-19 | 液晶表示素子 |
US08/092,669 US5361150A (en) | 1990-07-19 | 1993-07-14 | Active matrix liquid crystal display with identification mark in the lower opaque conductive film |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2192326A JP2734183B2 (ja) | 1990-07-19 | 1990-07-19 | 液晶表示素子 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0477715A true JPH0477715A (ja) | 1992-03-11 |
JP2734183B2 JP2734183B2 (ja) | 1998-03-30 |
Family
ID=16289428
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2192326A Expired - Lifetime JP2734183B2 (ja) | 1990-07-19 | 1990-07-19 | 液晶表示素子 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5361150A (ja) |
JP (1) | JP2734183B2 (ja) |
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R250 | Receipt of annual fees |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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