JP2004186690A - 集積回路識別 - Google Patents

Abstract

【課題】各チップの個別識別マークを効率良く与える半導体ウエハへのマーキング。
【解決手段】半導体ウエハ３０２をマーキングするための方法であって、液晶画素を含むレチクル３００を提供する工程、半導体ウエハをレチクルに近接して配置する工程、第１の複数の画素を介してウエハの第１の領域に放射を向ける工程、半導体ウエハとレチクルの相対的な位置を変更する工程、および第２の複数の画素を介してウエハの第２の領域に放射を向ける工程を含む。第１の複数の画素は、第１のマークを形成するために用いられ得、第２の複数の画素は、第２のマークを形成するために用いられ得、ここで、第２のマークは、第１のマークとは異なるものである。スペースを節約するため、これらのマークはドットのパターンでつくられ得る。画素は、各画素に連結され得るトランジスタをオンまたはオフにするコンピュータ３０４を用いることによって、ある一定のマークを形成するように選択され得る。
【選択図】図３

Description

本発明は、集積回路の分野、および追跡の目的で集積回路をマーキングする分野に関連する。

半導体業界において、それらが製造された後や世界中の顧客に届けられた後のデバイス追跡を容易にするために、集積回路ダイ（チップ）をマーキングする信頼性の高い方法が必要とされている。例えば、ある顧客が、ある特定のチップに欠陥を見つけた場合、またはある特定のチップと同様に動作するチップをもっと欲しいと思っている場合、そのチップの来歴やそれが製造された際の条件を確かめることができることは、集積回路メーカーにとって競争力の上で利点となり得る。これまで、ある特定のウエハ上のチップにマーキングをすることは可能であったが、ある特定のタイプの集積回路の所与のウエハ・ロット中のあるウエハ上のチップすべてが、同じレチクル・セットまたはマスク・セットでつくられるため、全体レベルの識別名でチップにマーキングすることしかできていない。ウエハ製造プロセス中にそれぞれの個別のチップにそのチップ独自の識別マークをつけることは、最もコスト効率がよいのだが、チップ製造の所与のレベルに対して、その同じレチクルがウエハ全体にわたってステッピングされる（stepped）ため、これは可能になってはいない。このため、ある特定のチップに関する問題も、そのチップの識別レベルが許す限りでしか追跡することができない。

さらに、一層小さなチップが引き続き求められていることにより、スペースが制限され、マーキング・タスクが複雑になっている。一般的に、あるロットのすべてのウエハには同じマークがつき、このマークは、デバイス設計型番、製造年月、製造場所などを示す。また、この識別マークは、例えば、顕微鏡で視覚的に識別するのに充分な大きさであることが一般的である。一層小さなチップの需要が高まっているため、それに応じて、各チップ上でこのような情報を配置するために使うことのできるスペースも減ってきている。例えば、１．５ｍｍ×１．５ｍｍのデバイス・パッケージの場合、そのチップ上に充分なスペースを設けることができるのは識別文字約５文字分のみ（例えば、デバイス型番に３文字、製造年月に２文字）であることは珍しいことではない。このようなデバイスに欠陥がある場合、そのチップが製造された年月によってしか追跡することができない。

多くの場合、メーカーは大抵世界中に製造施設を有しており、それらの施設のそれぞれでひと月に何千ものウエハが製造されているため、このような小さなチップにさらに詳細なマーキングをすることが必要である。この業界において、集積回路ダイをマーキングするためのもっと良い方法が必要とされていることは明白である。

本発明の一実施例は半導体ウエハをマーキングするための方法である。この方法は、液晶画素を含むレチクルを提供する工程、半導体ウエハをレチクルに近接して配置する工程、第１の複数の画素を介して、ウエハの第１の領域に放射を向ける工程、半導体ウエハとレチクルの相対的な位置を変更する工程、および第２の複数の画素を介して、ウエハの第２の領域に放射を向ける工程を含む。第１の複数の画素は第１のマークを形成するために用いられ得、第２の複数の画素は第２のマークを形成するために用いられ得、ここで、第２のマークは、第１のマークとは異なるものである。スペースを節約するため、これらのマークはドットのパターンでつくられ得る。画素は、それぞれの画素に連結され得るトランジスタをオンまたはオフにするコンピュータを用いることによって、ある一定のマークを形成するように選択され得る。

別の実施例は半導体ウエハをマーキングするためのシステムである。このシステムは、ウエハ・マウント、ウエハ・マウントに近接する放射光源、液晶画素を含み、放射光源とウエハ・マウントとの間に配置され得るレチクル、およびレチクルとウエハ・マウントの相対的な位置を変更するためのメカニズムを含む。放射光源は、非干渉性の遠紫外線や近紫外線、または可視光源、またはレーザであってもよい。

本発明のさらに別の実施例は、半導体ウエハをマーキングするための方法を含む。この方法はテスト・プローブ・ツールを提供する工程を含む。このツールは、ウエハ・チャック、ウエハ・チャックに近接するテスト・ヘッド、テスト・ヘッドに取り付けられるプローブ・カード、およびツールに取り付けられるレーザを含む。この方法はさらに、ウエハ・チャックに半導体ウエハを載せる工程、プローブ・カードでウエハ上の第１の領域に接触する工程、レーザで第１の領域に第１のマークをマーキングする工程、プローブ・カードとウエハの相対的な位置を変更する工程、プローブ・カードでウエハ上の第２の領域に接触する工程、およびレーザで第２の領域に第２のマークをマーキングする工程を含む。第２のマークは、第１のマークとは異なるものであり、ウエハ上の第１および第２の領域を示すドットのパターンを含み得る。ウエハ上の第１の領域に接触する工程と、第１の領域に第１のマークをマーキングする工程は、同時に成されてもよい。

本発明の利点は、本発明が、ウエハ上の各チップのチップレベルの個別（custom）識別マークについて考慮していることである。

本発明は、添付の図面を参照して、以下の本発明の好ましい実施例の詳細な説明を読むことによってより良く理解され得る。当業者であれば、図面は一定の尺度で描かれてはおらず、特に、垂直方向の寸法は実施例の詳細をより分かりやすく示すために誇張されている場合が多いことが分かるであろう。

図１ａは、個別のダイすなわちチップ１０２に区分けされたウエハ１００の平面図を示す。図１ｂは、ある特定のチップ１０４の詳細を示し、チップ１０４は、ボンド・パッド１０６および識別マーク１０８を含んでいる。典型的に、このマークは、そのチップを製造した施設、製造年月日、そのチップと共に処理されたウエハ・ロットおよびそのロット内のウエハ番号、および最後に、そのウエハ上でその特定のダイが占有する領域を示す情報を含み得る。このようなマークは「EBT2K20704-MIB-02-17」のように表示され得、ここで、「EBT」は製造施設であり、「2K2」は製造年の２００２、「07」は製造月の７月、「04」は４日、「MIB」はロット識別名、「02」はそのロット内のウエハ番号、「17」はそのウエハ上のダイ領域である。もちろん、メーカーＩＤもそのチップのどこかに表示される。従来のサイズおよび文字フォーマットで１つのチップ上にこのような多くの情報を載せることは、余りに多くのスペースを消費し得る。そのため、これまで、この情報は、所与のチップ設計で使うことのできるスペースに応じて短縮されていた。例えば、図２ａは、４．０ｍｍ×４．０ｍｍのパッケージのチップにこの情報がどのように表示され得るかを示す。この場合、デバイス情報が７つのブロックに割り当てられ、メーカー識別名が２ブロックを使い、年、月、および製造施設が残りの３ブロックを使う。２．０ｍｍ×２．０ｍｍのチップでは、この情報は図２ｂに示すようにさらに短縮され、１．５ｍｍ×１．５ｍｍのパッケージのチップでは、図２ｃに示すようにさらに一層短縮される。

本発明の一実施例は、チップ別の（chip-specific）識別名を含む、ロット識別マークを形成するための方法である。ステップ・アンド・リピート・リソグラフィでは、あるウエハ上に、およびあるロット内のそれぞれのウエハ上に、それぞれのチップを形成するために同一のレチクル・セットが用いられる。従来のレチクルを用いると、ウエハ毎の個別識別マークには、ロット中のそれぞれのウエハに対して少なくとも１つの個別レチクルが必要となり、これは、最上層の金属層用の個別レチクルであることが多いが、或いは、上部誘電体層をパターニングするために用いられるレチクルであることもある。同様に、ウエハ上のチップ毎の個別識別マークには、各チップ用の、またはその特定のレチクルでパターニングされるチップ・グループ用の個別レチクルが必要となる。これほど多くの個別レチクルを製造し、用いることは、費用もかさみ複雑であるため、従来のレチクル技術ではこれらのアプローチはいずれも実用的ではない。この明細書に記載される本発明のコンセプトは、これらの制約に対する解決策である。

図３は、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）レチクルまたはマスク３００を含む、一実施例のマーキング・システムの概念図であり、ＬＣＤレチクルまたはマスク３００は、そのレチクルがウエハ３０２の表面にわたってステッピングするとき、ステップ毎に電子的にカスタマイズされ得る。このＬＣＤレチクルのカスタマイズは、例えば、自動パターン認識、整合などのためにステッパーが用いるコンピューターなどの、コンピュータ３０４からの指令を介して、個別のＬＣＤ画素に連結されたトランジスタを選択的にオンにすることによって成され得る。ＬＣＤレチクル３００は、従来のレチクルを保持するために用いられていたメカニズム（図示せず）に合うように修正されてもよく、その場合、そのプロセスの他のフォトリソグラフィ工程に用いられるディープＵＶ放射光源３０６が、ＬＣＤレチクル３００でのチップ・マーキングに用いられ得る。代わりに、レーザが放射光源３０６として用いられてもよい。このシステムは、光源３０６からの放射をコリメートするためのレンズ３０８、およびＬＣＤレチクル３００上の像がウエハ３０２の表面上に投影されるようにその像を縮小（例えば、１０：１に縮小）させるための光学系３１０を含む。ＬＣＤレチクル３００は、レチクル内の所望の領域に識別マークを形成するため、コンピュータ３０４の指令でオンまたはオフし得る画素を含む。このＬＣＤレチクルは、その表面全体にわたってまたは選択した領域に配置される画素を有し得、このことは、フォトリソグラフィのツールを用いてつくられるチップ設計のそれぞれに専用のスペースに識別マークを表示する場合に好ましい。しかし、好ましい実施例では、完全に個別のマークがレチクル内の任意の地点につけられるように、これらの画素がレチクル全体に及んでいる。これにより、フォトリソグラフィのツールを用いて製造される、実質的に任意のチップ設計、例えば、個別の製造施設に有用な特徴、に同じＬＣＤレチクルを用いることができるようになる。ＬＣＤレチクル３００はさらに、チップを製造するために用いられるレチクル・セットの他のレチクル上のアライメント・マークに対応するレチクルの領域に、アライメント・マーク３１４を含む。アライメント・マーク３１４は、ＬＣＤマスクのガラスまたは石英表面の不変の特徴であってもよく、あるいは識別マーク３１２が形成されるのと同様の方法でＬＣＤ画素を用いて形成されてもよく、すなわち、サイズ、形状、およびレチクル３００内の領域に関して完全にカスタマイズされ得る。このツールは、レチクルがウエハ３０２の表面にわたって露光を行なうために用いられる際のレチクル３００のｘ、ｙ、およびｚ方向に関連してウエハ・マウント３０１を動かすため、アライメント光学系３１６、および精密ステッピング装置３０３を含む。

別の実施例において、単一のリソグラフィ工程でそのウエハ上のすべてのチップに完全に個別の識別マークを形成するために、ＬＣＤレチクルではなく、全体ＬＣＤマスクを用いることもできる。縮小用光学系および以下に記載する簡略化されたマーキング・システムによって、このようなウエハ単位のマスクが容易になる。別の実施例において、ＬＣＤレチクルは、（ウエハ上に集積回路を製造するために成されるフォトリソグラフィ工程において用いられるツールではなく）別途のツールを用いて、そのウエハにわたってステッピングされてもよく、この場合、レーザ、または近ＵＶおよび可視光（例えば、カメラのオートフォーカス・システムの照射器から得られる光など）を含む一層長い波長の放射光源を用いることが一層容易となり得る。

図４は、石英又はガラス基板４０２の内側の面に配置されるＬＣＤ画素４００を示す透視図である。これらの画素は、およそ１０から３０μｍ四方であり、高密度に詰まった格子状に配置される。各画素のオペレーションを制御するために用いられるシリコン・トランジスタ４０４が、各画素４００に連結される。このトランジスタは、画素間の基板上で、直交して配置される複数のゲート線４０６およびドレイン線４０８の１つに接続される。スペースまたはギャップによって、上部の基板４０２が、底部の石英又はガラス基板４１０から分離される。２つの基板間のギャップは、液晶ポリマー（図示せず）で満たされる。基板４０２の上側または外側の表面は偏光フィルム（図示せず）で覆われ、基板４１０の下側または外側の表面も偏光フィルム４１２で覆われる。以下に記載する理由により、これらの偏光フィルムは、それぞれの偏光角度が互いに直交するように配置される。矢印４１４は、レチクルに当たる光の方向を示す。

図５は、図４に示したレチクルの一画素の断面図である。この画素は、例えば、約１から５μｍの厚みのシアノビフェニル（cyanobiphenyl）化合物の棒状の分子を含む液晶コア５００を囲んで配置されている。これらの液晶分子は、その層に電圧が印加されるとき、層の厚みにわたって互いに整列される。このため、このバイアスがかけられた状態では、層を通る偏光された光は、変化されず、層の反対側に直交して配置される偏光物（polarizer）に当たる際、透過しないように完全に遮断される。逆に、印加電圧がない場合、層の厚みにわたって種々の地点にある分子は、層に入ってくる偏光された光が層を透過するとき回転されるように、互いに対してねじられる。液晶を適切に選択することによって、光は、層の反対側に直交して配置される偏光物を通るように、直角にねじられる。これが、ＬＣＤ画素が、ライトバルブまたは光学スイッチの機能を行なうことができる原理である。これらの無数の画素から成るレチクルは、選択された画素または画素グループを単にオンまたはオフにすることによって、半導体ウエハ上のしるしである、完全にカスタマイズし得るマークを形成するのに必要な解像度を有する。

電圧電位は、例えば、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）から成る透明電極を用いて液晶５００に印加される。図５において、共通電極５０２は、液晶層５００の底部を完全に覆っている。ＩＴＯフィルム５０２は、この実施例では、例えばポリイミドである配向フィルム５０１によって液晶から分離されることに注意されたい。同様に、液晶層５００の反対側では、別のポリイミド配向層５０３が、液晶層５００をＩＴＯ電極５０４から分離する。電極５０４は、連続しておらず、図４に示したような画素サイズの区画に分割される。このため、液晶の図５に示した区域の電圧電位は、画素サイズの区画の電極５０４と共通電極５０２との間に印加される。図５の構造の残りの構成要素はシリコン・トランジスタ５０６を含み、シリコン・トランジスタ５０６は、ゲート端子５０８、ドレイン端子５１０、およびソース端子５１２（すべて例えばアルミニウムから成る）を含む。図４に関連して述べたように、ゲート端子およびドレイン端子は、画素アレイの端まで延びる線（図示せず）に接続されており、それらの手段を介して画素が制御される。ソース端子５１２は画素電極５０４に接続され、画素電極５０４はさらに、画素電極５０４とアルミニウム底面５１６との間に形成されるキャパシタ５１４の上面を形成する。キャパシタ５１４は、その１つが各画素と連結されており、レチクルに全体にわたって転写される像の均一性を改善する。トランジスタ５０６のチャネルは、アモルファスまたは多結晶シリコン５１８に形成される。窒化シリコン層５２０は、ゲート誘電体およびキャパシタ５１４の誘電体層のいずれとしても機能する。液晶層５００の反対側では、シールド５２２（例えばアルミニウムから成る）が、迷光または反射光が画素を透過しないようにし、画素コントラストを高める。前述の構造はすべて、２つの石英基板、上部基板５２４および底部基板５２６に挟まれている。石英は、光学的な特性が一層良好であり、例えばトランジスタを形成する際に用いられる比較的高い温度に耐えることができるため、ガラスよりも望ましい。上部基板５２４の上部または外側の表面は偏光フィルム５２８で覆われ、底部基板５２６の底部または外側の表面は、フィルム５２８の偏光角度と直交する偏光角度を有するように配置された偏光フィルム５３０で覆われる。

オペレーションにおいて、方向５３２から画素に当たる光は、偏光フィルム５２８を透過し、石英基板５２４を透過し、酸化シリコン層５２１を透過し、窒化シリコン層５２０を透過し、画素電極５０４を透過し、ポリイミド層５０３を透過し、液晶層５００に到達する。液晶を透過するときの光の動きは、電極５０４と共通電極５０２との間に電位差があるかどうかに依存する。ドレイン５１０およびゲート５０８に電圧が印加される場合、電極はデジタル「高」であり、電極間に電位差が形成され、液晶分子はその電位で整列し、液晶を透過するときの光を変化させない。ゲート電圧がデジタル「低」である場合、電極間には電位差は存在せず、液晶分子は、偏光された光が層５００を透過するにつれて回転されるように、それらが徐々に回転された状態で存在する。回転された場合も回転されない場合も、光はその後、ポリイミド配向層５０１を透過し、共通電極５０２を透過し、シールド層５２２に形成される開口５３４を通り、石英基板５２６を透過する。この時点で、光が変化しないまま層５００を透過した場合、その光が、直交配置された偏光フィルム５３０を透過しないようにされる（すなわち、その画素は「オフ」である）。逆に、光が層５００を透過するにつれて回転された場合、その光は偏光フィルム５３０を透過し（すなわち、その画素は「オン」である）、その場合、例えば、ウエハ表面上のフォトレジスト層に光が当たるようにされ得る。

ＬＣＤレチクルの使用は、ウエハ上へ投射される像を、そのＬＣＤレチクル上の像よりも小さくするために投射リソグラフィ・システムで通常用いられる縮小光学系を用いることによって、より一層実用的となる。さらに、チップまたはウエハの識別名をマーキングする際に用いられる形状は、従来のレチクルと比べて一層低い解像度のＬＣＤレチクルに適応するように簡略化され得る。例えば、（図２ａからｃに示したような）ローマ字やアラビア数字を用いるのではなく、視覚障害者のためのブライユ式に用いられるような、ドット・コードやそれに類するマークを用いてマーキングが成され得る。図６は、０から９の数がブライユ式でどのように形成されるかを示す。この実施例のコードが、ドットなどの非常にシンプルな形状で伝達され得るという事実は、液晶ディスプレイから成るマスクで達成され得る解像度が限られているという点で重要である。レチクルを介する光やＵＶ放射の不充分な透過などの要因だけでなく、横方向の現像、定在波、反射など、従来のリソグラフィを非常に困難にしていた要因から生じ得るゆがみは、単にドットのパターンを形成することが目的である場合、問題はずっと小さなものとなる。４つのドットの方式は１５個の別個の文字を表すことができ、チップ識別の目的には充分である。

本発明の別の実施例では、識別マークの不変の部分は従来の方法で形成されるが、ロット情報、ウエハ識別名、およびチップ番号を含む可変情報は、ドット・コードを用いてＬＣＤレチクルで形成される。この実施例には、そのコードに関する知識がない顧客が、例えば、デバイス番号など、そのダイに関するある一定の情報を識別できる一方で、メーカーがそのドット・コードに含まれる情報すべてを得ることができるという利点がある。

本発明の代替の実施例では、プロセスの都合のよい時点で、ウエハ表面にマークを直接書くためにレーザが用いられる。一例は、ダイシングおよびパッケージングの前の最終フォームでウエハがテストされる、ウエハ・プローブ・テスト工程の時点である。図７において、ウエハ７００は、ウエハ・プローブ・テスター７０４のチャック７０２に載せられる。コンピュータ７１０に接続されるプローブ７０８を含むプローブ・カード７０６は、テスト・ヘッド７１２によって支持され、テスト・ヘッド７１２は、プローブ７０８をウエハ７００と接触させるように下げることができる。プローブ・カード７０６がウエハ全体をチップからチップへと移動するにつれて、ウエハ７００上の各チップの上部金属または誘電体層に識別マークを形成するため、コンピュータ７１０によって（或いは、別個の電子制御手段によって）制御され得るレーザ７１４が、テスト・ヘッド７１２に取り付けられている。このようにして、付加的なプロセス時間を追加することなく、マーキング・オペレーションをプローブ工程に組み込むことができる。レーザ７１４は、精密アライメントおよび動作メカニズムによって、その「書込み」機能を行なうように制御される。別の代替実施例において、レーザは、自由度を高めるため、テスターから分離されたツールに組み込まれてもよい。さらに、上述したように、レーザは、チップまたはウエハ・レベルの顧客の識別マークを形成するために、ＬＣＤマスクと組合せて用いることもできる。

本発明を好ましい実施例に従って説明したが、もちろん、これらの実施例の変形及び代替、即ち、本発明の利点及び利益をもたらすこのような変形及び代替は、本明細書及びその図面を参照すれば当業者には明らかであると考えられる。このような変形及び代替は、添付の特許請求の範囲に包含されると考えられる。

以上の説明に関し、さらに以下の項目を開示する。
（１） 半導体ウエハをマーキングするための方法であって、
液晶画素を含むレチクルを提供し、
前記半導体ウエハを前記レチクルに近接して配置し、
第１の複数の前記画素を介して、前記ウエハの第１の領域に放射を向け、
前記半導体ウエハと前記レチクルの相対的な位置を変更し、さらに、
第２の複数の前記画素を介して、前記ウエハの第２の領域に放射を向ける工程
を含む方法。
（２） 第１項に記載の方法であって、第１の複数の前記画素を介して放射を向ける前記工程は、前記ウエハの前記第１の領域に第１のマークを形成する工程を含み、第２の複数の前記画素を介して放射を向ける前記工程は、前記ウエハの前記第２の領域に第２のマークを形成する工程を含み、ここで、前記第２のマークは、前記第１のマークとは異なるものである方法。
（３） 第１項に記載の方法であって、前記第１および第２の複数の前記画素を介して放射を向ける前記工程はさらに、前記ウエハ上にドットのパターンを形成することを含む方法。
（４） 第１項に記載の方法であって、液晶画素を含むレチクルを提供する前記工程はさらに、前記画素のそれぞれに連結されるトランジスタを含むレチクルを提供することを含む方法。
（５） 第４項に記載の方法であって、液晶画素を含むレチクルを提供する前記工程はさらに、前記画素のそれぞれに連結される前記トランジスタのそれぞれに接続されるコンピュータを提供する工程を含む方法。
（６） 半導体ウエハをマーキングするためのシステムであって、
ウエハ・マウント、
前記ウエハ・マウントに近接する放射源、
前記放射源と前記ウエハ・マウントとの間に配置され得、液晶画素を含むレチクル、および
前記レチクルと前記ウエハ・マウントの相対的な位置を変更するためのメカニズム
を含むシステム。
（７） 第６項に記載のシステムであって、液晶画素を含む前記レチクルはさらに、前記画素のそれぞれに連結されるトランジスタを含むシステム。
（８） 第７項に記載のシステムであって、前記画素のそれぞれに連結される前記トランジスタのそれぞれに接続されるコンピュータをさらに含むシステム。
（９） 第８項に記載のシステムであって、前記コンピュータが、前記画素に連結されたトランジスタをアクティブにすることによって複数の前記画素を選択するように動作し得るシステム。
（１０） 第８項に記載のシステムであって、前記選択された複数の前記画素がドット・コードに対応するシステム。
（１１） 半導体ウエハ３０２をマーキングするための方法であって、液晶画素を含むレチクル３００を提供する工程、半導体ウエハをレチクルに近接して配置する工程、第１の複数の画素を介してウエハの第１の領域に放射を向ける工程、半導体ウエハとレチクルの相対的な位置を変更する工程、および第２の複数の画素を介してウエハの第２の領域に放射を向ける工程を含む。第１の複数の画素は、第１のマークを形成するために用いられ得、第２の複数の画素は、第２のマークを形成するために用いられ得、ここで、第２のマークは、第１のマークとは異なるものである。スペースを節約するため、これらのマークはドットのパターンでつくられ得る。画素は、各画素に連結され得るトランジスタをオンまたはオフにするコンピュータ３０４を用いることによって、ある一定のマークを形成するように選択され得る。さらに、半導体ウエハをマーキングするためのシステムを説明する。このシステムは、ウエハ・マウント３０１、ウエハ・マウントに近接する放射光源３０６、液晶画素を含み、放射光源とウエハ・マウントとの間に配置され得るレチクル３００、およびレチクルとウエハ・マウントの相対的な位置を変更するためのメカニズム３０３を含む。放射光源は、非干渉性の遠紫外線や近紫外線、または可視光源、またはレーザであってよい。

チップに区分けされたウエハ表面を示す半導体ウエハの平面図。 １つのチップの平面図。 ４ｍｍ×４ｍｍのチップへのマーキングの一例。 ２ｍｍ×２ｍｍのチップへのマーキングの一例。 １．５ｍｍ×１．５ｍｍのチップへのマーキングの一例。 ＬＣＤマスクを組み込んだフォトリソグラフィ装置。 マスク内の画素を示す、図３に示したＬＣＤマスクの詳細な透視図。 図４に示した画素のうちの１つの詳細な断面図。 先行技術のドットに基づくブライユ符号化方式。 マーキング・レーザを組み込んだプローブ・テスト・ツール。

符号の説明

３００ レチクル
３０１ ウエハ・マウント
３０２ 半導体ウエハ
３０３ ステッピング装置
３０４ コンピュータ
３０６ 放射光源

Claims (2)

1. 半導体ウエハをマーキングするための方法であって、
   液晶画素を含むレチクルを提供し、
   前記半導体ウエハを前記レチクルに近接して配置し、
   第１の複数の前記画素を介して、前記ウエハの第１の領域に放射を向け、
   前記半導体ウエハと前記レチクルの相対的な位置を変更し、さらに、
   第２の複数の前記画素を介して、前記ウエハの第２の領域に放射を向ける工程
   を含む方法。
2. 半導体ウエハをマーキングするためのシステムであって、
   ウエハ・マウント、
   前記ウエハ・マウントに近接する放射源、
   前記放射源と前記ウエハ・マウントとの間に配置され得、液晶画素を含むレチクル、および
   前記レチクルと前記ウエハ・マウントの相対的な位置を変更するためのメカニズム
   を含むシステム。

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