JPH11191530A - アライメントマーク装置 - Google Patents
アライメントマーク装置Info
- Publication number
- JPH11191530A JPH11191530A JP9367237A JP36723797A JPH11191530A JP H11191530 A JPH11191530 A JP H11191530A JP 9367237 A JP9367237 A JP 9367237A JP 36723797 A JP36723797 A JP 36723797A JP H11191530 A JPH11191530 A JP H11191530A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pattern
- alignment mark
- wafer
- mask
- light
- Prior art date
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- Granted
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70605—Workpiece metrology
- G03F7/70616—Monitoring the printed patterns
- G03F7/70633—Overlay, i.e. relative alignment between patterns printed by separate exposures in different layers, or in the same layer in multiple exposures or stitching
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 目視によるアライメント操作に熟練を要さ
ず、オペレータの視覚的固体差による誤差が少なく、パ
ターンの線太りや線細りの影響が少ないアライメントマ
ーク装置を得るにある。 【解決手段】 光学的に組み合わせて用いられるウエハ
側アライメントマークＡ及びマスク側アライメントマー
クＢにおいて、これらのウエハ側アライメントマークＡ
及びマスク側アライメントマークＢの何れか一方を構成
しかつ行方向、列方向、対角方向に一定の間隔をおきマ
トリックス状に配列される多数の第１多角形パターンエ
レメントからなる第１光不透過パターンａ1 と、この第
１光不透過パターンａ1 に重ねたとき前記第１多角形パ
ターンエレメント間に介在して同第１多角形パターンエ
レメントとの間に市松模様を形成する第２多角形パター
ンエレメントからなる第２光不透過パターンｂ1 とを備
えるアライメントマーク装置。
ず、オペレータの視覚的固体差による誤差が少なく、パ
ターンの線太りや線細りの影響が少ないアライメントマ
ーク装置を得るにある。 【解決手段】 光学的に組み合わせて用いられるウエハ
側アライメントマークＡ及びマスク側アライメントマー
クＢにおいて、これらのウエハ側アライメントマークＡ
及びマスク側アライメントマークＢの何れか一方を構成
しかつ行方向、列方向、対角方向に一定の間隔をおきマ
トリックス状に配列される多数の第１多角形パターンエ
レメントからなる第１光不透過パターンａ1 と、この第
１光不透過パターンａ1 に重ねたとき前記第１多角形パ
ターンエレメント間に介在して同第１多角形パターンエ
レメントとの間に市松模様を形成する第２多角形パター
ンエレメントからなる第２光不透過パターンｂ1 とを備
えるアライメントマーク装置。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体素子や液晶表
示素子の製造時のフォトリソグラフィ工程で用いるアラ
イメントマーク装置に関し、特に、目視による位置合わ
せに適したアライメントマーク装置に関する。
示素子の製造時のフォトリソグラフィ工程で用いるアラ
イメントマーク装置に関し、特に、目視による位置合わ
せに適したアライメントマーク装置に関する。
【０００２】
【背景技術】周知のように、半導体ウエハの製造工程で
用いるステッパ等の投影露光装置にあっては、処理すべ
き回路パターンの位置合わせを行うため、ウエハの非画
像部に第１光不透過パターンをエッチング処理してお
き、回路パターンをもつマスクの対応位置に形成するマ
スク側アライメントマークを同第１光不透過パターンに
位置合わせした後、回路パターンの露光を行う。
用いるステッパ等の投影露光装置にあっては、処理すべ
き回路パターンの位置合わせを行うため、ウエハの非画
像部に第１光不透過パターンをエッチング処理してお
き、回路パターンをもつマスクの対応位置に形成するマ
スク側アライメントマークを同第１光不透過パターンに
位置合わせした後、回路パターンの露光を行う。
【０００３】図６は半導体素子の製造工程で用いられて
いる従来の縮小投影型露光装置を示し、この縮小投影型
露光装置は回路パターンを形成されるマスクＭとウエハ
Ｗとの位置合わせを行うアライメント装置を備えてい
る。即ち、露光用光源系１からの露光光及び照明光はミ
ラー２、メインコンデンサレンズ３を介してハーフミラ
ーで構成するダイクロイックミラー４に到達し、このダ
イクロイックミラー４で垂直下方に反射され、第１可動
台５上に位置されたマスクＭの表面を照明する。
いる従来の縮小投影型露光装置を示し、この縮小投影型
露光装置は回路パターンを形成されるマスクＭとウエハ
Ｗとの位置合わせを行うアライメント装置を備えてい
る。即ち、露光用光源系１からの露光光及び照明光はミ
ラー２、メインコンデンサレンズ３を介してハーフミラ
ーで構成するダイクロイックミラー４に到達し、このダ
イクロイックミラー４で垂直下方に反射され、第１可動
台５上に位置されたマスクＭの表面を照明する。
【０００４】そして、マスクＭの回路パターンｍｐを通
過した露光光及び照明光は、両側テレセントリックな投
影光学系６に入射するが、この投影光学系６はマスクＭ
の回路パターンｍｐを所定の倍率で縮小した画像を、第
２可動台７上のウエハＷの表面のフォトレジスト層に投
影する。
過した露光光及び照明光は、両側テレセントリックな投
影光学系６に入射するが、この投影光学系６はマスクＭ
の回路パターンｍｐを所定の倍率で縮小した画像を、第
２可動台７上のウエハＷの表面のフォトレジスト層に投
影する。
【０００５】また、ウエハＷの回路パターンｗｐの側部
にはエッチング処理される位置合わせ用の図７（ａ）の
ウエハ側アライメントマークｗｍが、マスクＭの回路パ
ターンの側部には位置合わせに用いる図７（ｂ）のマス
ク側アライメントマークｍｍがそれぞれ付設され、前述
した第１可動台５及び第２稼働台７は、それぞれに結合
された駆動系８，９により図６の紙面に対して直角な平
面内において回転方向及び２次元方向に位置を微調整で
きる。
にはエッチング処理される位置合わせ用の図７（ａ）の
ウエハ側アライメントマークｗｍが、マスクＭの回路パ
ターンの側部には位置合わせに用いる図７（ｂ）のマス
ク側アライメントマークｍｍがそれぞれ付設され、前述
した第１可動台５及び第２稼働台７は、それぞれに結合
された駆動系８，９により図６の紙面に対して直角な平
面内において回転方向及び２次元方向に位置を微調整で
きる。
【０００６】ところで、前述したような縮小投影型露光
装置においては、前述したダイクロイックミラー４の透
過光を用いて前記ウエハ側アライメントマークｗｍとマ
スク側アライメントマークｍｍとのアライメント状態が
目視で観察され、マスクＭとウエハＷとの完全な位置決
め状態を得た後、露光用光源系の露光光でフォトレジス
ト層の露光が行われるけれども、従来のウエハ側アライ
メントマークｗｍ及びマスク側アライメントマークｍｍ
としては、図７のようなパターンのものを使用してい
る。
装置においては、前述したダイクロイックミラー４の透
過光を用いて前記ウエハ側アライメントマークｗｍとマ
スク側アライメントマークｍｍとのアライメント状態が
目視で観察され、マスクＭとウエハＷとの完全な位置決
め状態を得た後、露光用光源系の露光光でフォトレジス
ト層の露光が行われるけれども、従来のウエハ側アライ
メントマークｗｍ及びマスク側アライメントマークｍｍ
としては、図７のようなパターンのものを使用してい
る。
【０００７】つまり、図７（ａ）のウエハ側アライメン
トマークｗｍは光不透過の十字パターン１０であり、こ
の十字パターン１０はウエハＷの表面にエッチング処理
され、図７（ｂ）のマスク側アライメントマークｍｍは
前記十字パターン１０の線幅Ｌ1 よりも僅かに大きな間
隔Ｌ2 の”田”の字配置パターン１１で構成される。こ
のような十字パターン１０及び”田”の字配置パターン
１１を用いる場合、ウエハ側アライメントマークｗｍと
マスク側アライメントマークｍｍが不一致の状態にある
と、図８に示すように、十字パターン１０の周囲に観察
される”田”の字配置パターン１１の視覚的な間隔幅が
不均一になるから、図９に示すように、同間隔幅が均一
な状態になるまで、第１可動台または第２可動台が微調
整される。
トマークｗｍは光不透過の十字パターン１０であり、こ
の十字パターン１０はウエハＷの表面にエッチング処理
され、図７（ｂ）のマスク側アライメントマークｍｍは
前記十字パターン１０の線幅Ｌ1 よりも僅かに大きな間
隔Ｌ2 の”田”の字配置パターン１１で構成される。こ
のような十字パターン１０及び”田”の字配置パターン
１１を用いる場合、ウエハ側アライメントマークｗｍと
マスク側アライメントマークｍｍが不一致の状態にある
と、図８に示すように、十字パターン１０の周囲に観察
される”田”の字配置パターン１１の視覚的な間隔幅が
不均一になるから、図９に示すように、同間隔幅が均一
な状態になるまで、第１可動台または第２可動台が微調
整される。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな視覚によるアライメントは、十字パターン１０に形
成される間隔幅の離隔した２箇所での比較により行われ
るから、熟練を要する作業となり、オペレータの視覚的
な固体差で結果が異なるものである。
うな視覚によるアライメントは、十字パターン１０に形
成される間隔幅の離隔した２箇所での比較により行われ
るから、熟練を要する作業となり、オペレータの視覚的
な固体差で結果が異なるものである。
【０００９】前述したように、ウエハ側アライメントマ
ークｗｍとして用いられる十字パターン１０はウエハＷ
の表面にエッチング工程で形成されるから、エッチング
により規定の線幅よりも太い図１０の線太りの状態とな
ることがある。このような場合、”田”の字配置パター
ンと十字パターン１０との不一致の状態を示す図１０
（ａ）と、”田”の字配置パターンと十字パターン１０
とのアライメント状態を示す図１０（ｂ）との比較から
理解されるように、視覚的に両状態を区別することは事
実上困難になる。
ークｗｍとして用いられる十字パターン１０はウエハＷ
の表面にエッチング工程で形成されるから、エッチング
により規定の線幅よりも太い図１０の線太りの状態とな
ることがある。このような場合、”田”の字配置パター
ンと十字パターン１０との不一致の状態を示す図１０
（ａ）と、”田”の字配置パターンと十字パターン１０
とのアライメント状態を示す図１０（ｂ）との比較から
理解されるように、視覚的に両状態を区別することは事
実上困難になる。
【００１０】また、十字パターン１０が線細りになる
と、アライメント状態で十字パターン１０の周囲に形成
される間隔幅が十字パターン１０の線幅程度にまで拡大
するので、幅の広い２箇所の間隔幅の比較が困難にな
り、厳密な位置決めを行うことは無理な状態となる。
と、アライメント状態で十字パターン１０の周囲に形成
される間隔幅が十字パターン１０の線幅程度にまで拡大
するので、幅の広い２箇所の間隔幅の比較が困難にな
り、厳密な位置決めを行うことは無理な状態となる。
【００１１】本発明の目的は、以上に述べたような従来
のアライメントマーク装置の問題に鑑み、目視によるア
ライメント操作に熟練を要さず、オペレータの視覚的固
体差による誤差が少なく、パターンの線太りや線細りの
影響が少ないアライメントマーク装置を得るにある。
のアライメントマーク装置の問題に鑑み、目視によるア
ライメント操作に熟練を要さず、オペレータの視覚的固
体差による誤差が少なく、パターンの線太りや線細りの
影響が少ないアライメントマーク装置を得るにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するた
め、本発明は、光学的に組み合わせて用いられるウエハ
側アライメントマーク及びマスク側アライメントマーク
において、これらのウエハ側アライメントマーク及びマ
スク側アライメントマークの何れか一方を構成しかつ行
方向、列方向、対角方向に一定の間隔をおきマトリック
ス状に配列される多数の第１多角形パターンエレメント
からなる第１光不透過パターンと、この第１光不透過パ
ターンに重ねたとき前記第１多角形パターンエレメント
間に介在して同第１多角形パターンエレメントとの間に
市松模様を形成する第２多角形パターンエレメントから
なる第２光不透過パターンとを備えるアライメントマー
ク装置を提案するものである。
め、本発明は、光学的に組み合わせて用いられるウエハ
側アライメントマーク及びマスク側アライメントマーク
において、これらのウエハ側アライメントマーク及びマ
スク側アライメントマークの何れか一方を構成しかつ行
方向、列方向、対角方向に一定の間隔をおきマトリック
ス状に配列される多数の第１多角形パターンエレメント
からなる第１光不透過パターンと、この第１光不透過パ
ターンに重ねたとき前記第１多角形パターンエレメント
間に介在して同第１多角形パターンエレメントとの間に
市松模様を形成する第２多角形パターンエレメントから
なる第２光不透過パターンとを備えるアライメントマー
ク装置を提案するものである。
【００１３】後述する本発明の好ましい実施例の説明に
おいては、 1)前記第１多角形パターンエレメント及び前記第２多角
形パターンエレメントは正方形パターンエレメントであ
る構造、 2)前記第１光不透過パターンは前記第１多角形パターン
エレメントの中心位置を示す光不透過性の標準点マーク
を備え、前記第２光不透過パターンは同標準点マークに
対応した位置に、第２多角形パターンエレメントの一部
を取り除いた透明な取除き領域を形成されてなる が説明される。
おいては、 1)前記第１多角形パターンエレメント及び前記第２多角
形パターンエレメントは正方形パターンエレメントであ
る構造、 2)前記第１光不透過パターンは前記第１多角形パターン
エレメントの中心位置を示す光不透過性の標準点マーク
を備え、前記第２光不透過パターンは同標準点マークに
対応した位置に、第２多角形パターンエレメントの一部
を取り除いた透明な取除き領域を形成されてなる が説明される。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、図１から図５について本発
明の実施例の詳細を説明する。図１は本発明によるアラ
イメントマーク装置を示し、図１（ａ）はウエハに形成
されるウエハ側アライメントマークＡを、図１（ｂ）は
マスクに形成されるマスク側アライメントマークＢをそ
れぞれ示している。
明の実施例の詳細を説明する。図１は本発明によるアラ
イメントマーク装置を示し、図１（ａ）はウエハに形成
されるウエハ側アライメントマークＡを、図１（ｂ）は
マスクに形成されるマスク側アライメントマークＢをそ
れぞれ示している。
【００１５】図１（ａ）に示すウエハ側アライメントマ
ークＡは、行方向、列方向、対角方向に間隔をもってマ
トリックス状に配置される第１光不透過パターンａ1 か
ら構成される。即ち、図示例の場合、これらの第１光不
透過パターンａ1 は、行方向及び列方向共に「ａ」なる
間隔で、しかも一辺が「ａ」なる正方形パターンエレメ
ントで構成してあるけれども、本発明の好ましい変形例
においては、同第１光不透過パターンａ1 は、他の多角
形パターンエレメントとして実施することもできる。言
い換えると、第１光不透過パターンａ1 として重要な点
は、後述から明らかなように、第１光不透過パターンａ
1 の各多角形頂点とこれらの第１光不透過パターンａ1
に対応した第２光不透過パターンｂ1 （後述）の多角形
頂点との間の視覚的な間隔の相違を利用するから、かな
らずしも正方形パターンエレメントに限定される理由は
ない。
ークＡは、行方向、列方向、対角方向に間隔をもってマ
トリックス状に配置される第１光不透過パターンａ1 か
ら構成される。即ち、図示例の場合、これらの第１光不
透過パターンａ1 は、行方向及び列方向共に「ａ」なる
間隔で、しかも一辺が「ａ」なる正方形パターンエレメ
ントで構成してあるけれども、本発明の好ましい変形例
においては、同第１光不透過パターンａ1 は、他の多角
形パターンエレメントとして実施することもできる。言
い換えると、第１光不透過パターンａ1 として重要な点
は、後述から明らかなように、第１光不透過パターンａ
1 の各多角形頂点とこれらの第１光不透過パターンａ1
に対応した第２光不透過パターンｂ1 （後述）の多角形
頂点との間の視覚的な間隔の相違を利用するから、かな
らずしも正方形パターンエレメントに限定される理由は
ない。
【００１６】また、ウエハ側アライメントマークＡの中
心部には、正方形パターンエレメントの各辺の約１／２
の長さの辺で構成した標準点マークａ2 が形成され、後
述するウエハ側アライメントマークＡとマスク側アライ
メントマークＢとの光学的なアライメント時に、同標準
点マークａ2 は、マスク側アライメントマークＢの中心
部に形成される取除き領域ｂ2 に対応位置される。
心部には、正方形パターンエレメントの各辺の約１／２
の長さの辺で構成した標準点マークａ2 が形成され、後
述するウエハ側アライメントマークＡとマスク側アライ
メントマークＢとの光学的なアライメント時に、同標準
点マークａ2 は、マスク側アライメントマークＢの中心
部に形成される取除き領域ｂ2 に対応位置される。
【００１７】図１（ｂ）はマスク側アライメントマーク
Ｂを示し、同マスク側アライメントマークＢは、行方
向、列方向、対角方向に間隔をもってマトリックス状に
配置される第２光不透過パターンｂ1 で構成される。即
ち、図示例の場合、これらの第２光不透過パターンｂ1
は、第１光不透過パターンａ1 と同様に、行方向及び列
方向共に「ａ」なる間隔で、しかも一辺が「ａ」なる正
方形パターンエレメントで構成してあるけれども、これ
らの第２光不透過パターンｂ1 の配列位置は、第１光不
透過パターンａ1 に対して行方向及び列方向に「ａ」だ
けずらしてある。言い換えると、第２光不透過パターン
ｂ1 の配列位置は、図３に示すように、ウエハ側アライ
メントマークＡの第１光不透過パターンａ1 に組み合わ
せた時、第１光不透過パターンａ1 との間で市松模様を
構成する位置、即ち対応位置される各第１光不透過パタ
ーンａ1 の行方向及び列方向にピッチ「ａ」だけそれぞ
れ偏位される。
Ｂを示し、同マスク側アライメントマークＢは、行方
向、列方向、対角方向に間隔をもってマトリックス状に
配置される第２光不透過パターンｂ1 で構成される。即
ち、図示例の場合、これらの第２光不透過パターンｂ1
は、第１光不透過パターンａ1 と同様に、行方向及び列
方向共に「ａ」なる間隔で、しかも一辺が「ａ」なる正
方形パターンエレメントで構成してあるけれども、これ
らの第２光不透過パターンｂ1 の配列位置は、第１光不
透過パターンａ1 に対して行方向及び列方向に「ａ」だ
けずらしてある。言い換えると、第２光不透過パターン
ｂ1 の配列位置は、図３に示すように、ウエハ側アライ
メントマークＡの第１光不透過パターンａ1 に組み合わ
せた時、第１光不透過パターンａ1 との間で市松模様を
構成する位置、即ち対応位置される各第１光不透過パタ
ーンａ1 の行方向及び列方向にピッチ「ａ」だけそれぞ
れ偏位される。
【００１８】また、マスク側アライメントマークＢの中
心部には、ひとつの第２光不透過パターンｂ1 を取り除
いて形成する取除き領域ｂ2 が形成され、この取除き領
域ｂ2 の中心が前述した標準点マークａ2 に対応される
から、図３に示すように、同標準点マークａ2 の周囲の
４個の第１光不透過パターンａ1 を同取除き領域ｂ2に
完全に一致させた状態が、完全なアライメント状態とな
る。
心部には、ひとつの第２光不透過パターンｂ1 を取り除
いて形成する取除き領域ｂ2 が形成され、この取除き領
域ｂ2 の中心が前述した標準点マークａ2 に対応される
から、図３に示すように、同標準点マークａ2 の周囲の
４個の第１光不透過パターンａ1 を同取除き領域ｂ2に
完全に一致させた状態が、完全なアライメント状態とな
る。
【００１９】図示実施例による位置は、以上のような構
成であるから、次のような工程でマスクの回路パターン
をウエハの回路パターンに視覚的に位置合わせできる。
即ち、ウエハ側アライメントマークＡに対してマスク側
アライメントマークＢが左方向に僅かに偏位した状態で
は、ウエハ側アライメントマークＡの第１光不透過パタ
ーンａ1 とマスク側アライメントマークＢの第２光不透
過パターンｂ1 とが図２のような関係にある。したがっ
て、アライメント装置に位置したウエハ及び／またはマ
スクの位置を左右方向に微調整することにより、図３に
示すようなアライメント状態を得ることができる。
成であるから、次のような工程でマスクの回路パターン
をウエハの回路パターンに視覚的に位置合わせできる。
即ち、ウエハ側アライメントマークＡに対してマスク側
アライメントマークＢが左方向に僅かに偏位した状態で
は、ウエハ側アライメントマークＡの第１光不透過パタ
ーンａ1 とマスク側アライメントマークＢの第２光不透
過パターンｂ1 とが図２のような関係にある。したがっ
て、アライメント装置に位置したウエハ及び／またはマ
スクの位置を左右方向に微調整することにより、図３に
示すようなアライメント状態を得ることができる。
【００２０】つまり、図３の完全なアライメント状態で
は、マスク側アライメントマークＢの取除き領域ｂ2 の
内部に、中心に標準点マークａ2 をもった４個の第１光
不透過パターンａ1 が略内接する状態になったことで、
大まかな位置合わせ状態を視覚的に知ることができる。
そして、更なるウエハ側アライメントマークＡ及び／ま
たはマスク側アライメントマークＢの微調整を行うに
は、各第１光不透過パターンａ1 が第２光不透過パター
ンｂ1 の対角方向に完全に位置するように、言い換える
と、各第１光不透過パターンａ1 の頂点に対応する第２
光不透過パターンｂ1 の対応頂点が一致して全体が市松
模様となる状態まで、図３の紙面の２次元平面内で位置
修正を行えば完全なアライメント状態となる。
は、マスク側アライメントマークＢの取除き領域ｂ2 の
内部に、中心に標準点マークａ2 をもった４個の第１光
不透過パターンａ1 が略内接する状態になったことで、
大まかな位置合わせ状態を視覚的に知ることができる。
そして、更なるウエハ側アライメントマークＡ及び／ま
たはマスク側アライメントマークＢの微調整を行うに
は、各第１光不透過パターンａ1 が第２光不透過パター
ンｂ1 の対角方向に完全に位置するように、言い換える
と、各第１光不透過パターンａ1 の頂点に対応する第２
光不透過パターンｂ1 の対応頂点が一致して全体が市松
模様となる状態まで、図３の紙面の２次元平面内で位置
修正を行えば完全なアライメント状態となる。
【００２１】ところで、ウエハの表面に形成されるウエ
ハ側アライメントマークＡはエッチング手法で構成され
るから、エッチング工程で線太りまたは線細り状態とな
ることもあるが、図示実施例の構造は、このような線太
りまたは線細り状態にも充分に対応できる。即ち、図４
（ａ）は第１光不透過パターンａ1 が規定の大きさより
も僅かに大きな線太り状態に加工された例であるが、図
４（ｂ）のようにアライメント状態とすればよい。この
位置合わせ操作は、第１光不透過パターンａ1 の対応頂
点と第２光不透過パターンｂ1 の頂点とが均一に重ね合
わされる状態を視覚的に得るだけの操作であるから、視
覚的に確認し易い位置わせ操作となる。
ハ側アライメントマークＡはエッチング手法で構成され
るから、エッチング工程で線太りまたは線細り状態とな
ることもあるが、図示実施例の構造は、このような線太
りまたは線細り状態にも充分に対応できる。即ち、図４
（ａ）は第１光不透過パターンａ1 が規定の大きさより
も僅かに大きな線太り状態に加工された例であるが、図
４（ｂ）のようにアライメント状態とすればよい。この
位置合わせ操作は、第１光不透過パターンａ1 の対応頂
点と第２光不透過パターンｂ1 の頂点とが均一に重ね合
わされる状態を視覚的に得るだけの操作であるから、視
覚的に確認し易い位置わせ操作となる。
【００２２】また、第１光不透過パターンａ1 の線細り
状態の場合も、図５に示すように、第１光不透過パター
ンａ1 の対応頂点と第２光不透過パターンｂ1 の頂点と
の距離が均一に離間する状態を視覚的に得るだけの操作
であるから、視覚的に確認し易い位置わせ操作となる。
状態の場合も、図５に示すように、第１光不透過パター
ンａ1 の対応頂点と第２光不透過パターンｂ1 の頂点と
の距離が均一に離間する状態を視覚的に得るだけの操作
であるから、視覚的に確認し易い位置わせ操作となる。
【００２３】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
によれば、多角形パターンエレメントで構成するウエハ
側アライメントマークの第１光不透過パターンとマスク
側アライメントマークの第２光不透過パターンとで市松
模様を構成させるように、ウエハ及び／またはマスクを
視覚的に微調整するだけでよいから、熟練を要せず、能
率よくアライメント操作を行うことができる。また、請
求項２及び請求項３記載の発明によると、第１光不透過
パターン及び第２光不透過パターンを正方形パターンエ
レメントとするので、近接位置される対応第１光不透過
パターンの頂点と第２光不透過パターンの頂点の位置を
視覚的に確認し易くなり、また、標準点マークと取除き
領域の形成により、ウエハ側アライメントマークの中心
部にマスク側アライメントマークの中心部が一致したか
否かを視覚的に認識し易い効果がある。
によれば、多角形パターンエレメントで構成するウエハ
側アライメントマークの第１光不透過パターンとマスク
側アライメントマークの第２光不透過パターンとで市松
模様を構成させるように、ウエハ及び／またはマスクを
視覚的に微調整するだけでよいから、熟練を要せず、能
率よくアライメント操作を行うことができる。また、請
求項２及び請求項３記載の発明によると、第１光不透過
パターン及び第２光不透過パターンを正方形パターンエ
レメントとするので、近接位置される対応第１光不透過
パターンの頂点と第２光不透過パターンの頂点の位置を
視覚的に確認し易くなり、また、標準点マークと取除き
領域の形成により、ウエハ側アライメントマークの中心
部にマスク側アライメントマークの中心部が一致したか
否かを視覚的に認識し易い効果がある。
【図１】（ａ），（ｂ）は本発明のアライメントマーク
装置で用いるマスク側アライメントマーク及びウエーハ
側アライメントマークの平面図である。
装置で用いるマスク側アライメントマーク及びウエーハ
側アライメントマークの平面図である。
【図２】アライメント不良時の同アライメントマーク装
置の平面図である。
置の平面図である。
【図３】アライメント時の同アライメントマーク装置の
平面図である。
平面図である。
【図４】（ａ），（ｂ）は線太りの際の同アライメント
マーク装置のアライメント不良時及びアライメント時の
平面図である。
マーク装置のアライメント不良時及びアライメント時の
平面図である。
【図５】線細りの際の同アライメント装置のアライメン
ト時の平面図である。
ト時の平面図である。
【図６】従来の縮小投影型露光装置の概念図である。
【図７】（ａ），（ｂ）は従来のアライメントマーク装
置で用いるマスク側アライメントマーク及びウエーハ側
アライメントマークの平面図である。
置で用いるマスク側アライメントマーク及びウエーハ側
アライメントマークの平面図である。
【図８】アライメント不良時の同アライメントマーク装
置の平面図である。
置の平面図である。
【図９】アライメント時の同アライメントマーク装置の
平面図である。
平面図である。
【図１０】（ａ），（ｂ）は線太りの際の同アライメン
トマーク装置のアライメント不良時及びアライメント時
の平面図である。
トマーク装置のアライメント不良時及びアライメント時
の平面図である。
【図１１】線細りの際の同アライメント装置のアライメ
ント時の平面図である。
ント時の平面図である。
Ａ ウエハ側アライメントマーク ａ1 第１光不透過パターン ａ2 標準点マーク Ｂ マスク側アライメントマーク ｂ1 第２光不透過パターン ｂ2 取除き領域
Claims (3)
- 【請求項１】 光学的に組み合わせて用いられるウエハ
側アライメントマーク及びマスク側アライメントマーク
において、これらのウエハ側アライメントマーク及びマ
スク側アライメントマークの何れか一方を構成しかつ行
方向、列方向、対角方向に一定の間隔をおきマトリック
ス状に配列される多数の第１多角形パターンエレメント
からなる第１光不透過パターンと、この第１光不透過パ
ターンに重ねたとき前記第１多角形パターンエレメント
間に介在して同第１多角形パターンエレメントとの間に
市松模様を形成する第２多角形パターンエレメントから
なる第２光不透過パターンとを備えることを特徴とする
アライメントマーク装置。 - 【請求項２】 前記第１多角形パターンエレメント及び
前記第２多角形パターンエレメントは正方形パターンエ
レメントであることを特徴とする請求項１記載のアライ
メントマーク装置。 - 【請求項３】 前記第１光不透過パターンは前記第１多
角形パターンエレメントの中心位置を示す光不透過性の
標準点マークを備え、前記第２光不透過パターンは同標
準点マークに対応した位置に、第２多角形パターンエレ
メントの一部を取り除いた透明な取除き領域を形成され
てなることを特徴とする請求項１記載のアライメントマ
ーク装置。
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|---|---|---|---|
| JP36723797A JP3461708B2 (ja) | 1997-12-25 | 1997-12-25 | アライメントマーク装置 |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP36723797A JP3461708B2 (ja) | 1997-12-25 | 1997-12-25 | アライメントマーク装置 |
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|---|---|
| JPH11191530A true JPH11191530A (ja) | 1999-07-13 |
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ID=18488819
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|---|---|---|---|
| JP36723797A Expired - Fee Related JP3461708B2 (ja) | 1997-12-25 | 1997-12-25 | アライメントマーク装置 |
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1997
- 1997-12-25 JP JP36723797A patent/JP3461708B2/ja not_active Expired - Fee Related
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