WO2004034446A1

WO2004034446A1 - 露光装置、アライメント方法および半導体装置の製造方法

Info

Publication number: WO2004034446A1
Application number: PCT/JP2003/012825
Authority: WO
Inventors: Shinichiro Nohdo
Original assignee: Sony Corporation
Priority date: 2002-10-09
Filing date: 2003-10-07
Publication date: 2004-04-22
Also published as: TW200416820A; JP2004134476A

Abstract

相補分割によるパターン形成を行う場合に、例えば下地ショット回転が発生しても、相補分割領域間でのつなぎ精度を良好に保つことができ、しかも収率悪化を極力抑制できるようにする。相補分割マスク（４）を用いてパターン転写を行うのにあたり、被露光体であるウエハ（１）のスクライブライン（２）上にアライメントマーク（３ａ，３ｂ）を配するとともに、隣り合う原パターン領域同士でスクライブライン（２）上のアライメントマーク（３ａ，３ｂ）を共有する。そして、これらのアライメントマーク（３ａ，３ｂ）と、相補分割マスク（４）に配されたアライメントマーク（５ａ，５ｂ）とを、それぞれ光学的に検出して、ウエハ（１）と相補分割マスク（４）との相対的な位置合わせを行うようにする。

Description

露光装置、ァライメント方法および半導体装置の製造方法明

技術分野

本発明は、半導体装置の製造プロ田セスにおけるリソグラフイエ程にて用いられる露光装置およびァライメント方法、並びにこれらを用いて行う半導体装置の製造方法に関する。

背景技術

近年、半導体装置の製造プロセスにおいては、形成すべき集積回路パターンの微細化に伴い、これまでの一般的な紫外線を用いたフォトリソグラフィ法では光学系の解像度限界を超えてしまうため、電子線ゃィォンビーム等の荷電粒子線を用いて描画する微細加工技術が開発されている。微細加工技術としては、例えば L E E P L (Low Energy E-beam Proximity Projection Lithography；低カロ速電子線近接転写）技術力知られている。この L E E P L技術では、電子線透過型のステンシルマスクを被露光体であるウェハの直上約 5 0 μ mの位置に設置して近接露光を行い、これによりウェハ上への微細パターンの転写を行うようになつている。

ところで、 L E E P L技術で用いられるステンシルマスクは、その性質上、例えばドーナツ形状パターンのように、中落ち等が生じるために形成不可能なパターン形状がある。また、例えばラインアンドスペースパターンについても、その長さによってはパターン倒壊を招いてしまうために形成不可能な場合がある。このことから、ステンシルマスクについては、形成不可能なパターン形状を相補的に分割し、その分割後のパターンを組み合わせて用いることが必須となる。具体的には、例えば図 3 Aと図 3 Bに示すように、ウェハ上に転写すべき原パターン 1 0を、相補的に四分割するとともに、その分割後の各パターンを 2 X 2に並べて、それぞれのパターン領域に当該パターンに対応する開口部 1 1を配置し、さらにマスク捕強のために梁構造 1 2を採り入れた、いわゆる四分割相捕マスクが、 L E E P L技術で用いられるステンシルマスクとして提案されている。

四分割相補マスクを用いてパターン転写を行う場合の転写シークェンスは、例えば図 4 Aから図 4 Dに示す通りである。すなおち、図 4 Aに示すように、 2 X 2に並ぶ各パターンを一度に転写した後（ステップ 1 )、ウェハと四分割相補マスクとの相対的位置を一パターン領域分だけ移動させて（例えば分割相捕マスクを右方向にずらして）、図 4 Bに示すように、再び 2 X 2の各パターンを一度に転写する（ステヅプ 2 ) 。その後は、別方向にウェハと四分割相補マスクとの相対的位置を一パターン領域分だけ移動させて（例えば分割相補マスクを上方向にずらして）、図 4 Cに示すように、 2 X 2の各パターンを一度に転写し（ステップ 3 )、さらに別な方向にウェハと四分割相補マスクとの相対的位置を一パターン領域分だけ移動させて（例えば分割相補マスクを左方向にずらして）、図 4 Dに示すように、再び 2 X 2の各パターンを一度に転写する（ステップ 4 ) 。これにより、四回の露光が行われた部分には、原パターン 1 0が復元されて転写される。

このとき、ウェハと四分割相捕マスクとの間では、その相対的位置を移動させる度に、互いの位置を合わせるためのァライメントが必要となる。ァライメントは、通常、予めウェハ上の所定箇所に付されたァライ 3 メントマーク（以下「ウェハマーク」という）と、これと同様に四分割相捕マスクに付されたァライメントマーク（以下「マスクマーク」という）とを、それぞれ光学的に検出し、その検出結果に基づいてウェハまたは四分割相捕マスクの位置を制御することで行われる。

光学的な検出は、三軸の S L A ( Scattered-Light Al ignment) 光学系を用いて行われる。 S L A光学系は、例えば図 5 Aに示すように、光源 2 1、ミラー 2 2、対物レンズ 2 3およぴ C C D ( Charge Coupl ed Devi ce) 撮像部 2 4とを備えたもので、ウェハ 3 0上のウェハマークおよぴ四分割相補マスク 4 0上のマスクマークを光学的に検出するものである。そして、このような S L A光学系が、例えば図 5 Bに示すように、四分割相捕マスク 4 0の上面から見て X 1， y 1 , y 2の三軸に配されていれば、各軸毎にァライメントマークを検出することにより、 y lおよび y 2の二軸で y方向のオフセットと回転成分を、 X 1の一軸で X方向のォフセットを、それぞれ認識し得るようになる。すなわち、各軸では、 C C D撮像部 2 4が例えば図 5 Cに示すように一対のウェハマーク 3 1 とその間に位置し得るマスクマーク 4 1 とを検出するので、それぞれの重心位置の認識によりオフセット量や回転量等がわかる。したがって、その認識結果を基にウェハ 3 0または四分割相補マスク 4 0の位置を制御すれば、これらの間にオフセットゃ回転等が生じないように位置合わせ (ァライメント）を行うことができる。

ただし、このような光学的な検出を行うためには、ァライメントマ一ク（ウェハマークおょぴマスクマーク）も、 2 X 2の各パターン領域にて x l， y 1 , y 2の各軸に対応するように配する必要がある。ウェハ 3 0と四分割相捕マスク 4 0との相対的位置は、 2 X 2に並ぶ各パターン領域を一つの単位として移動するからである。なお、パターン領域毎に配するァライメントマークのうち、ウェハマークについては、例えば P T/JP2003/012825

4 ウェハ 3 0に対して一般的な光リソグラフィでパターン形成し、ドライエッチングで 0 . 3 m程度の段差をつけた後、レジストを除去するといった手順を経ることで、各軸に対応する配置を実現することができる。以上のようなァライメントを行いつつ、上述した露光動作（パターン転写処理）を被露光体であるウェハ 3 0の全面について繰り返し行えば、そのウェハ 3 0上には、原パターン 1 0が規則的に並ぶような状態（具体的には、マトリクス配置された状態）で転写されることになる。そして、規則的に並んだ各パターンの間は、各パターンの部分（半導体装置のチップとなる部分）をダイシングするためスクライブライン（典型的には 1 0 0 // m幅）として用いる。一般的には、このスクライブラインと呼ばれる領域上に、ウェハマーク 3 1が付されるようになっている。ところが、従来のァライメントマークのうち、ウェハ 3 0上のウェハマーク 3 1は、各パターン領域のそれぞれに個別に対応するように配されている。例えば、三軸 S L Aァライメントの各軸について考えると、各パターン領域のそれぞれに X 1， y 1 , y 2の各軸に対応する一対のウェハマークが配されている。したがって、スクライブライン上では、図 6 A及ぴ図 6 Bに示すように、互いに隣り合うパターン領域の境界線 3 2を挟んで、例えば一方の領域の y 1に対応するウェハマーク 3 1 a と他方の領域の y 2に対応するウェハマーク 3 1 b とが並ぶといったように、それぞれのパターン領域についてのウェハマーク 3 1 a , 3 1 b が並んで配されることになる。そのために、従来のァライメントマークでは、以下に述べるような難点が生じてしまうことが考えられる。

ウェハマーク 3 1 a， 3 1 bは、既に説明したように、ウェハ 3 0に対する光リソグラフィによりパターエングすることで形成すればよいが、その光リソグラフィによるパターニングの際に形成する下地パターンでショット回転が発生すると、その後に四分割相補マスク 4 0を用いてパターン転写を行う場合に、各相補分割領域間における転写パターンのつなぎ精度が悪化してしまうおそれがある。すなわち、図 7 Aに示すように、下地パターンが正しく配列されていれば、その後に四分割相補マスク 4 0を用いたパターン転写を行っても、相補間のつなぎ精度は良好となる。しかしながら、図 7 Bに示すように、例えば下地パターンのバタ一ユングの際にショット回転が 1 μ rad生じたとすると、その後に四分割相補マスク 4 0を用いてパターン転写を行った場合に、その回転成分が悪影響を及ぼし、各相補分割領域間での合わせずれが生じてしまう。具体的には、 2 0 m mのチップサイズを想定した場合、最大で 4 0 n m 1 0— ²m X 1 0— ⁶rad X 2 ) の相補ずれが発生してしまい、結果として 5 0 n m世代の半導体装置についての相補露光には対応できなくなってしまつ。

また、一般に半導体装置を製造するためのリソグラフイエ程では何十層ものレイヤーに対するプロセスを経るが、そのプロセスマージンを考慮した複数個のウェハマークをスクライブライン上に配すると、マーク配置領域が足りなくなってしまうことも懸念される。つまり、マーク配置領域が足りない場合には、スクライプラインを拡張しなければならないので、一枚のウェハから得られる半導体装置の数が減ってしまい、結果として半導体装置の収率の悪化を招いてしまうおそれがある。

そこで、本発明は、相補分割によるパターン形成を行う場合に、例えばそのための下地パターンでショット回転が発生しても、相捕分割領域間でのつなぎ精度を良好に保つことができ、しかも収率悪化を極力抑制することのできる露光装置、ァライメント方法および半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。発明の開示 03 012825

6 本発明は、上記目的を達成するために案出された露光装置である。すなわち、原パターンを相補的に分割したパターンを有する露光用マスクを用い、当該露光用マスクと被露光体であるウェハとの相対位置を移動させつつ複数回の露光を行って、前記ウェハ上にて前記原パターンが規則的に並ぶようにパターン転写を行う露光装置であって、前記ウェハ上にて規則的に並ぶ前記パターン同士の間に位置するスクライブライン領域に、前記露光用マスクと前記ウェハとの位置合わせを行うためのァラィメントマークを配するとともに、隣り合う前記パターン領域同士で前記スクライブライン領域のァライメントマークを共有することを特徴とするものである。

また、本発明は、上記目的を達成するために案出されたァライメント方法である。すなわち、原パターンを相補的に分割したパターンを有する露光用マスクを用い、当該露光用マスクと被露光体であるウェハとの相対位置を移動させつつ複数回の露光を行って、前記ウェハ上にて前記パターンが規則的に並ぶようにパターン転写を行うときに、前記露光用マスクと前記ウェハとの位置合わせのために用いられるァライメント方法であって、前記ウェハ上にて規則的に並ぶパターンを配された各領域同士の間に位置するスクライブライン領域に、前記露光用マスクと前記ウェハとの位置合わせを行うためのァライメントマークを配するとともに、隣り合うパターンを配された各領域同士で前記スクライブライン領域にあるァライメントマークを共有し、前記スクライブライン領域に配されたァライメントマークおよび前記露光用マスクに配されたァライメントマークをそれぞれ光学的に検出し、その検出結果を基に前記露光用マスクと前記ウェハとの相対的な位置合わせを行うことを特徴とする。また、本発明は、上記目的を達成するために案出された半導体装置の製造方法である。すなわち、原パターンを相補的に分割したパターンを有する露光用マスクを用い、当該露光用マスクと被露光体であるウェハとの相対位置を移動させつつ複数回の露光を行って、前記ウェハ上にて前記パターンを配された各領域が規則的に並ぶようにパターン転写を行うリソグラフイエ程を経て、半導体装置を製造する製造方法であって、前記リソグラフィ工程にて前記露光用マスクと前記ウェハとの位置合わせを行う際に、当該位置合わせのためのァライメントマークを、前記ゥェハ上にて規則的に並ぶパターンを配された各領域同士の間に位置するスクライブライン領域に配するとともに、隣り合う原パターン領域同士で前記スクライブライン領域にあるァライメントマークを共有することを特徴とする。

上記構成の露光装置、上記手順のァライメント方法および上記手順の半導体装置の製造方法によれば、パターンを配された隣り合う各領域同士でスクライブライン上のァライメントマークを共有していることから、例えばそのァライメントマークのパターユングの際にショット回転が生じたとしても、その回転成分はキャンセルされることになる。したがつて、その共有するァライメントマークを基に露光用マスクとウェハとの相対的な位置合わせを行えば、相補分割によるパターン形成を行う場合であっても、良好な相捕間のパターンつなぎ精度が得られる。また、ァライメントマークの共有によって、そのァライメントマーク数の削減が可能となり、これによりマーク配置領域であるスクライプラインも縮小化することが可能になる。図面の簡単な説明

図 1 A〜図 1 Cは、本発明が適用されたァライメントマークの配置例を示す説明図であり、図 1 Aはスクライブライン上のウェハマークの例を示す図、図 1 Bおよぴ図 1 Cはウェハマークとマスクマークとの例を 8 示す図である。

図 2 Aと図 2 Bは、本発明が適用されたァライメントマークについてパターユング時にショット回転が生じた場合の配置例を示す説明図である。図 2 Aはその一例を示す図、図 2 Bは他の例を示す図である。

図 3 Aと図 3 Bは、四分割相捕マスクの一具体例を示す説明図である。図 4 Aから図 4 Dは、四分割相補マスクを用いてパターン転写を行う場合の転写シークェンスの一例を示す説明図である。

図 5 Aから図 5 Cは、三軸 S L A光学系の一例を示す説明図である。図 5 Aはその概略構成を示す図、図 5 Bは三軸の配置例を示す図、図 5 Cはァライメントマークの検出例を示す図である。

図 6 Aと図 6 Bは、従来におけるァライメントマークの配置例を示す説明図である。

図 7 Aと図 7 Bは、下地パターンの配列例を示す説明図である。図 7 Aは下地パターンが正しく配列されている状態を示す図、図 7 Bは下地パターンにショット回転が生じている状態を示す図である。発明を実施するための最良の形態

以下、図面に基づき本発明に係る露光装置、ァライメント方法おょぴ半導体装置の製造方法について説明する。ここでは、 L E E P L技術による四分割相補露光を行う場合を例に挙げて説明する。

先ず、露光装置の概要について説明する。ここで説明する露光装置は、半導体装置の製造プロセスにおけるリソグラフイエ程にて用いられるものである。さらに詳しくは、電子線透過型のステンシルマスクを用いて、そのステンシルマスク上に形成されたパターンを半導体ウェハ上に転写し、これにより半導体ウェハ上に微細な回路パターンを形成するために用いられるものである。この露光装置で用いられるステンシルマスクは、 L E E P L技術に対応したものである。すなわち、ウェハ上に転写すべき原パターンを相捕的に分割したパターンを有するもので、分割後の各パターンが 2 X 2に並べて配置されており、さらにはマスク捕強のための梁構造を採り入れた、四分割相捕マスクである。

露光装置では、この四分割相捕マスクを用いて、ウェハとの相対位置を移動させつつ複数回の露光を行うようになっている。したがって、この露光装置での露光を行った後には、露光対象物であるウェハ上に、転写すべき原パターンが規則的（例えばマトリクス状）に並んだ状態で転写されることになる。

また、露光装置では、ウェハと四分割相補マスクとの相対的位置を移動させつつ複数回の露光を行うので、その都度ァラィメントを行って互いの位置合わせを行うための機能を有している。具体的には、既に説明した従来の場合と略同様に、三軸の S L A光学系を備えており、その S L A光学系を用いて、予めウェハ上に付されたウェハマークおよび分割相補マスクに付されたマスクマークとをそれぞれ光学的に検出するようになっている。

ところで、ここで説明する露光装置では、ァライメントを行う際に基にするァライメントマーク、特にそのうちのウェハマークに大きな特徴がある。図 1 A〜図 1 Cは、ウェハマークの配置例を示す説明図である。図 1 Aに示すように、本実施形態で説明するウェハマークは、ウェハ 1 上にて規則的に並ぶ各パターン領域の間のスクライブライン 2上に位置する点では従来のものと略同様であるが、従来のように各パターン領域のそれぞれに個別に対応して配されているのではなく、隣り合うパターン領域同士で一対のウェハマーク 3 a， 3 bを共有するように配されている。このとき、共有するウェハマーク 3 a， 3 bは、三軸の S L A光学系のうち、少なくとも y 1および y 2の各軸に対応するものだけでよい。すなわち、各パターン領域の対向する端縁近傍に分けて配置される y 1， y 2の各軸についてのウェハマーク 3 a , 3 bはスクライブライン 2上で共有するが、 X 1に対応するウェハマーク（ただし不図示）については、隣り合うパターン領域同士で共有せずに、従来と同様に各パターン領域毎に配置しても構わない。

このようなウェハマーク 3は、以下に述べるような手順で形成すればよい。具体的には、従来と略同様に、例えばウェハ 1に対して一般的な光リソグラフィでパターン形成し、ドライエッチングで 0 . 3 μ πι程度の段差をつけた後、レジストを除去するといつた手順を経ればよい。ただし、パターン形成に際しては、隣り合うパターン領域同士で一対のゥェハマーク 3 a， 3 bを共有することから、一方のパターン領域についてのパターニング時に、一対のウェハマーク 3のうちの一方についてパターニングを行い、他方のパターン領域についてのパターニング時に、一対のウェハマーク 3のうちの他方についてパターユングを行うようにする。さらに具体的には、例えば、図 1 A中の左側の領域のパターニング時にウェハマーク 3 aを形成し、同図中の右側の領域のパターユング時にウェハマーク 3 bを形成する。

次に、以上のように形成されたウェハマーク 3 a， 3 bを用いて露光装置がァライメントを行う場合の手順、すなわち本発明に係るァライメント方法について説明する。なお、ァライメントが必要となる四分割相捕マスクを用いた転写シークェンスについては、従来の場合と略同様であるため（図 4 Aから図 4 D参照）、ここではその説明を省略する。ァライメントは、図 1 Bおよび図 1 Cに示すように、三軸の S L A光学系を用いて、ウェハ 1上のウェハマーク 3 a , 3 bおよぴ四分割相補マスク 4上のマスクマーク 5 a， 5 bを光学的に検出し、それぞれの重心位置を合わせるようにウェハ 1または四分割相捕マスク 4を移動させることによって行う。

ただし'、このとき、スクライブライン 2上では、隣り合うパターン領域同士で一対のウェハマーク 3 a， 3 bを共有している。したがって、ァライメントの際にも、隣り合うパターン領域同士で一対のウェハマーク 3 a , 3 bを共有することになる。具体的には、隣り合うパターン領域同士のうち、一方の領域のァライメントの際には、図 1 Bに示すように、スクライブライン 2上の一対のウェハマーク 3 a， 3 bに対して、四分割相補マスク 4上における例えば y 1についてのマスクマーク 5 a の重心位置を合わせ、他方の領域のァライメントの際には、図 1 Cに示すように、スクライブライン 2上の一対のウェハマーク 3 a， 3 bに対して、四分割相補マスク 4上における例えば y 2についてのマスクマーク 5 bの重心位置を合わせるようにする。

このようにして、ウェハマーク 3 a， 3 bとマスクマーク 5 a， 5 b との重心位置を合わせれば、ウェハ 1 と四分割相補マスク 4 との間にォフセットや回転等が生じないように位置合わせ（ァライメント）を行うことができる。しかも、そのァライメントの際に用いるウェハマーク 3 a , 3 bは、隣り合うパターン領域同士で共有しているものである。したがって、そのウェハマーク 3 a , 3 bを基にしてァライメントを行えば、単にウェハ 1 と四分割相補マスク 4との間の位置合わせを行えるだけではなく、以下に述べる利点が得られるようにもなる。

既に説明したように、ウェハマーク 3 a， 3 bを形成するための下地パターンのパターユングの際には、ショット回転が発生することも考えられる（図 7 B参照）。ところが、このような場合であっても、隣り合うパターン領域同士でスクライブライン 2上のウェハマーク 3 a， 3 b P T/JP2003/012825

12 を共有すれば、そのショット回転によって生じた回転成分は、キャンセノレされることになる。

図 2 Aと図 2 Bは、パターユング時にショット回転が生じた場合のゥェハマークの配置例を示す説明図である。図 2 Aに示すように、スクライブライン 2上でウェハマーク 3 a， 3 bを共有する場合には、下地パターンのパターエングの際にショット回転が生じても、各ウェハマーク 3 a , 3 bがいずれも相反する方向にずれる。つまり、各ウェハマーク 3 a , 3 bの重心位置は変わらない。そのため、ショット回転が生じたとしても、その回転成分はキャンセルされることになる。このことは、図 2 Bに示すように、ウェハマークの分割方法を変えた場合であっても、全く同様である。

したがって、上述したように共有するウェハマーク 3 a， 3 bを基にしてァライメントを行った場合には、下地パターンのパターユング時にショット回転が発生しても、その回転成分はキャンセルされるので、各相補分割領域間における転写パターンのつなぎ精度に回転ずれの影響が及ぶことがなくなる。すなわち、相補分割によるパターン形成を行う場合であっても、良好な相補間のパターンつなぎ精度が得られ、結果として高精度な四分割相補露光を実現できるという利点が得られる。これにより、例えば 5 0 n m世代の半導体装置の相捕露光についても、これに十分に対応し得るようになる。

また、スクライブライン 2上でウェハマーク 3 a， 3 bを共有した場合には、その共有によってウェハマーク数を削減でき、これによりマーク配置領域であるスクライブライン 2の縮小化も可能となる。つまり、ウェハ 1上におけるスクライブライン 2のための領域を縮小して、パターン領域を十分に確保し得るようになるので、一枚のウェハ 1から得られる半導体装置の数が減ってしまうことがなくなり、結果として半導体装置の収率悪化を回避することができるという利点が得られる。

なお、上述した実施の形態では、本発明を L E E P L技術に適用した場合を例に挙げて説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、半導体製造プロセスのリソグラフィ工程にて用いられる他の微細加工技術であっても、全く同様に適用可能であることは勿論である。また、これと同様に、相補分割も本実施形態で説明した四分割相捕露光に限定されるものではない。産業上の利用可能性

以上に説明したように、本発明に係る露光装置、ァライメント方法および半導体装置の製造方法によれば、隣り合う原パターン領域同士でスクライブライン上のァライメントマークを共有していることから、相補分割によるパターン形成を行う場合に、例えばそのための下地パターンでショット回転が発生しても、そのショット回転ずれによる悪影響を回避でき、相補分割領域間でのつなぎ精度を良好に保つことができる。しかも、ウェハマーク数の削減を通じて、マーク配置領域であるスクライブラインの縮小化も可能となる。これらのことから、相補分割によるパターン形成を行う場合に本発明を適用すれば、高精度な相補つなぎ精度が実現可能となるとともに、半導体装置の収率悪化を極力抑制することができるようになる。

Claims

14 請求の範囲

1 . 原パターンを相捕的に分割したパターンを有する露光用マスクを用い、当該露光用マスクと被露光体であるウェハとの相対位置を移動させつつ複数回の露光を行って、前記ウェハ上にて前記パターンを配された各領域が規則的に並ぶようにパターン転写を行う露光装置であって、前記ウェハ上にて規則的に並ぶ前記パターンを配された各領域同士の間に位置するスクライブライン領域に、前記露光用マスクと前記ウェハとの位置合わせを行うためのァライメントマークを配するとともに、隣り合う前記パターンを配された各領域同士で前記スクライブライン領域のァライメントマークを共有する

ことを特徴とする露光装置。

2 . 前記ァライメントマークは対となるマークであることを特徴とする請求項 1に記載の露光装置。

3 . 前記ァライメントマークはァライメントに使用する三軸の光学系のうちの 1軸に対応するウェハマークであることを特徴とする請求項 1 に記載の露光装置。

4 . 前記ァライメントマークは S L A光学系を用いて行われるウェハマークであることを特徴とする請求項 1に記載の露光装置。

5 . 前記ァライメントマークは前記パターン領域の対向する端縁近傍に分けて配置されていることを特徴とする請求項 1に記載の露光装置。

6 . 前記露光マスクはステンシルマスクであることを特徴とする請求項 1に記載の露光装置。

7 . 前記露光マスクは荷電粒子線を露光線として用いられるマスクであることを特徴とする請求項 1に記載の露光装置。

8 . 原パターンを相補的に分割したパターンを有する露光用マスクを用い、当該露光用マスクと被露光体であるウェハとの相対位置を移動させつつ複数回の露光を行って、前記ウェハ上にて前記パターンを配された各領域が規則的に並ぶようにパターン転写を行うときに、前記露光用マスクと前記ウェハとの位置合わせのために用いられるァライメント方法であって、

前記ウェハ上にて規則的に並ぶ前記パターンを配された各領域同士の間に位置するスクライブライン領域に、前記露光用マスクと前記ウェハとの位置合わせを行うためのァライメントマークを配するとともに、隣り合う前記パターンを配された各領域同士で前記スクライブライン領域にあるァライメントマークを共有し、

前記スクライブライン領域に配されたァライメントマークおよび前記露光用マスクに配されたァライメントマークをそれぞれ光学的に検出し、その検出結果を基に前記露光用マスクと前記ウェハとの相対的な位置合わせを行う

ことを特徴とするァライメント方法。

9 . 前記ァライメントマークは対となるマークであることを特徴とする請求項 8に記載のァライメント方法。

1 0 . 前記ァライメントマークはァライメントに使用する三軸の光学系のうち 1軸に対応するウェハマークであることを特徴とする請求項 8 に記載のァライメント方法。

1 1 . 前記位置合わせは S L A光学系を用いて行われることを特徴とする請求項 8に記載のァラィメント方法。

1 2 . 前記ァラィメントマークは前記各パターン領域の対向する端縁近傍に分けて配置されていることを特徴とする請求項 8に記載のァライメント方法。

1 3 . 前記それぞれのァライメントマークの重心位置を合わせるようにウェハまたはマスクを移動させることを特徴とする請求項 8に記載のァライメント方法。

1 4 . 前記露光用マスクはステンシルマスクであることを特徴とする請求項 8に記載のァライメント方法。

1 5 . 前記露光用マスクは荷電粒子線を露光線として用いられるマスクであることを特徴とする請求項 8に記載の露光装置。

1 6 . 原パターンを相補的に分割したパターンを有する露光用マスクを用い、当該露光用マスクと被露光体であるウェハとの相対位置を移動させつつ複数回の露光を行って、前記ウェハ上にて前記パターンを配された各領域が規則的に並ぶように前記パターン転写を行うリソグラフィ工程を経て、半導体装置を製造する製造方法であって、

前記リソグラフイエ程にて前記露光用マスクと前記ウェハとの位置合わせを行う際に、当該位置合わせのためのァライメントマークを、前記ウェハ上にて規則的に並ぶ前記パターンを配された各領域同士の間に位置するスクライブライン領域に配するとともに、隣り合う原パターン領域同士で前記スクライブライン領域にあるァライメントマークを共有する

ことを特徴とする半導体装置の製造方法。

1 7 . 前記ァライメントマークは対となるマークであることを特徴とする請求項 1 6に記載の半導体装置の製造方法。

1 8 . 前記パターン領域のうち一方についてのパターユング時に、前記対となるマークのうちの一方についてパターユングを行い、前記パターン領域のうち他方のパターン領域についてのパターユング時に、前記対となるマークのうちの他方についてパターニングを行なうことを特徴とする請求項 1 7に記載の半導体装置の製造方法。

1 9 . 前記それぞれのァライメントマークの重心位鬵を合わせるようにウェハまたはマスクを移動させ、前記リソグラフィ工程を行うことを特徴とする請求項 1 6に記載の半導体製造装置の製造方法。

2 0 . 前記露光用マスクは荷電粒子線を露光線として用いられるマスクであることを特徴とする請求項 1 6に記載の露光装置。