CN106125517A - 显示基板曝光方法 - Google Patents
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Abstract
提供了一种显示基板曝光方法,通过图案掩模将具有多个区域的显示基板顺序曝光,该方法包括:第一曝光步骤,通过基于设置在显示基板的第一区域的非显示区中的第一基板对准标记对准形成在图案掩模中的掩模对准标记来曝光显示基板的第一区域;第一对准结果计算步骤,计算第一基板对准标记和掩模对准标记的第一对准结果;第二基板对准标记设置步骤,通过反映第一对准结果在显示基板的第二区域的非显示区中设置第二基板对准标记;以及第二曝光步骤,通过基于第二基板对准标记对准掩模对准标记来曝光显示基板的第二区域。
Description
技术领域
所描述的技术大体涉及显示基板曝光方法,更具体地说,涉及用曝光装置的图案掩模顺序对准并曝光具有多个区域的显示基板的方法。
背景技术
目前已知的平板显示器包括液晶显示器(LCD)、等离子体显示面板(PDP)、有机发光二极管设备(OLED设备)、场效应显示器(FED)、电泳显示设备等。
平板显示器是通过半导体工艺制造的,在加工期间形成各种图案,并且为了形成图案而使用曝光装置。曝光装置根据形成在图案掩模中的图案曝光目标。
然而,当显示设备扩大时,由于图案掩模的大小是有限的,难以由图案掩模一次曝光显示基板,其结果是,使用顺序对准并曝光显示基板上的图案掩模的方法。
然而,由于难以精确地将图案掩模上的对准标记对准在显示基板上设置的对准基准点上,因此实际上,图案掩模以未对准的状态被对准在显示基板上。当在显示基板上顺序对准图案掩模时,形成了在曝光期间未对准度彼此重叠的缝线(stitch line),其结果是,存在重叠偏差出现在显示基板上的问题,并且增加了产生诸如显示设备的斑点的缺陷的可能性。
在此背景技术部分公开的上述信息仅用于增强对所描述技术的背景的理解,因此其可能包含不形成在本国对本领域普通技术人员来说已经知晓的现有技术的信息。
发明内容
所描述的技术已经致力于提供一种对准并曝光图案掩模的方法,通过在曝光装置中反映显示基板和图案掩模的初始对准结果以在后续图案掩模对准期间应用初始对准结果,具有在曝光期间减少缝线中的重叠偏差的优点。
一个示例性实施例提供了一种曝光方法,通过图案掩模将具有多个区域的显示基板顺序曝光,该方法包括:第一曝光步骤,通过基于设置在显示基板的第一区域的非显示区中的第一基板对准标记对准形成在图案掩模中的掩模对准标记来曝光显示基板的第一区域;第一对准结果计算步骤,计算第一基板对准标记和掩模对准标记的第一对准结果;第二基板对准标记设置步骤,通过反映第一对准结果在显示基板的第二区域的非显示区中设置第二基板对准标记;以及第二曝光步骤,通过基于第二基板对准标记对准掩模对准标记来曝光显示基板的第二区域。
第一基板对准标记可以被设置在显示基板的第一区域的边缘的上角和下角。
第二基板对准标记可以被设置在显示基板的第二区域的边缘的上角和下角。
显示基板可以进一步包括除了第一区域和第二区域之外的第三区域,并且在第二曝光步骤之后,该方法可以进一步包括:第二对准结果计算步骤,计算第二基板对准标记和掩模对准标记的第二对准结果;第三基板对准标记设置步骤,通过反映第二对准结果在显示基板的第三区域的非显示区中设置第三基板对准标记;以及第三曝光步骤,通过基于第三基板对准标记对准掩模对准标记来曝光显示基板的第三区域。
第三基板对准标记可以被设置在显示基板的第三区域的边缘的上角和下角。
另一示例性实施例提供了一种曝光方法,通过图案掩模将具有多个区域的显示基板顺序曝光,该方法包括:第一曝光步骤,通过基于设置在显示基板的第一区域的非显示区和第二区域的非显示区中的第一基板对准标记对准形成在图案掩模中的掩模对准标记并遮蔽第二区域来曝光显示基板的第一区域;第一对准结果计算步骤,计算第一基板对准标记和掩模对准标记的第一对准结果;第二基板对准标记设置步骤,通过反映第一对准结果在显示基板的第二区域的非显示区和第三区域的非显示区中设置第二基板对准标记;以及第二曝光步骤,通过基于第二基板对准标记对准掩模对准标记来曝光显示基板的第二区域和第三区域。
第一基板对准标记可以被设置在显示基板的第一区域的边缘的上角和第二区域的边缘的下角。
第二基板对准标记可以被设置在显示基板的第二区域的边缘的上角和第三区域的边缘的下角。
又一示例性实施例提供了一种曝光方法,通过图案掩模将具有多个区域的显示基板顺序曝光,该方法包括:第一曝光步骤,通过基于设置在显示基板的第一区域的非显示区和第二区域的非显示区中的第一基板对准标记对准形成在图案掩模中的掩模对准标记并遮蔽第二区域来曝光显示基板的第一区域;第一对准结果计算步骤,计算第一基板对准标记和掩模对准标记的第一对准结果;第二基板对准标记设置步骤,通过反映第一对准结果在显示基板的第二区域的非显示区和第三区域的非显示区中设置第二基板对准标记;第二曝光步骤,通过基于第二基板对准标记对准掩模对准标记并遮蔽第三区域来曝光显示基板的第二区域;第二对准结果计算步骤,计算第二基板对准标记和掩模对准标记的第二对准结果;第三基板对准标记设置步骤,通过反映第二对准结果在显示基板的第三区域的非显示区和第四区域的非显示区中设置第三基板对准标记;以及第三曝光步骤,通过基于第三基板对准标记对准掩模对准标记来曝光显示基板的第三区域和第四区域。
第一基板对准标记可以被设置在显示基板的第一区域的边缘的上角和第二区域的边缘的下角。
第二基板对准标记可以被设置在显示基板的第二区域的边缘的上角和第三区域的边缘的下角。
第三基板对准标记可以被设置在显示基板的第三区域的边缘的上角和第四区域的边缘的下角。
根据示例性实施例,在通过图案掩模顺序曝光大型显示基板的曝光方法中,通过在曝光装置中反映显示基板和图案掩模的初始对准结果以在后续图案掩模对准期间应用初始对准结果,能够在曝光期间减少缝线的重叠偏差,并防止诸如显示设备的斑点的缺陷。
附图说明
图1是示出了根据第一示例性实施例的曝光方法的流程图。
图2是示意性地示出了根据第一示例性实施例的曝光方法中的第一曝光步骤中的图案掩模的对准状态的图。
图3是示意性地示出了根据第一示例性实施例的曝光方法中的第二曝光步骤中的图案掩模的对准状态的图。
图4是示意性地示出了根据第一示例性实施例的曝光方法中的第一基板对准标记和掩模对准标记的第一对准状态的图。
图5是示意性示出了根据第一示例性实施例的曝光方法中的第二基板对准标记设置状态的图。
图6是示意性地示出了根据第二示例性实施例的曝光方法中的第一曝光步骤中的图案掩模的对准状态的图。
图7是示意性地示出了根据第二示例性实施例的曝光方法中的第二曝光步骤中的图案掩模的对准状态的图。
图8是示意性地示出了根据第二示例性实施例的曝光方法中的第三曝光步骤中的图案掩模的对准状态的图。
图9是示意性地示出了根据第三示例性实施例的曝光方法中的第一曝光步骤中的图案掩模的对准状态的图。
图10是示意性地示出了根据第三示例性实施例的曝光方法中的第二曝光步骤中的图案掩模的对准状态的图。
图11是示意性地示出了根据第四示例性实施例的曝光方法中的第三曝光步骤中的图案掩模的对准状态的图。
具体实施例
在下文中将参考其中示出了发明的示例性实施例的附图更完整地描述本发明。如本领域技术人员将认识到的那样,所描述的实施例可以以各种不同的方式修改,所有这些都不脱离本发明的精神或范围。
此外,在示例性实施例中,由于相同的附图标记指代具有相同构造的相同元件,代表性地描述了第一示例性实施例,在其它示例性实施例中,将只描述不同于第一示例性实施例的构造。
应该注意的是,图是示意性的,没有按照比例绘制。为了清楚和方便,图中部分的相对尺寸和比例被示出为在图中的尺寸上被夸大或减小了,任何尺寸仅仅是例示,而不是限制。此外,在两个或更多的图中示出的相同结构、元件或部件使用相同的附图标记,以显示相似的特征。将理解的是,当诸如层、膜、区域或基板的元件被称为在另一元件“上”时,它可以直接在另一元件上,或者也可以存在中间元件。
示例性实施例详细显示了示例性实施例。其结果是,可以预期对图的各种修改。因此,示例性实施例不限于所示区域的特定方面,例如,通过制造包括一方面的改进。
在下文中,将参考图1至图5描述根据第一示例性实施例的曝光方法。
图1是示出了根据第一示例性实施例的曝光方法的流程图,图2是示意性地示出了根据第一示例性实施例的曝光方法中的第一曝光步骤中的图案掩模的对准状态的图,图3是示意性地示出了根据第一示例性实施例的曝光方法中的第二曝光步骤中的图案掩模的对准状态的图,图4是示意性地示出了根据第一示例性实施例的曝光方法中的第一基板对准标记和掩模对准标记的第一对准状态的图,并且图5是示意性示出了根据第一示例性实施例的曝光方法中的第二基板对准标记设置状态的图。
参考图1和图2,在根据第一示例性实施例的曝光方法中,显示基板100被划分成显示区和非显示区,显示区可被划分成两个区域,这两个区域由图案掩模50顺序曝光。在显示基板100的第一区域10的非显示区中设置了第一基板对准标记12、14、16和18。另外,在图案掩模50中形成了与第一基板对准标记12、14、16和18对准的掩模对准标记52。
首先,如图2所示,显示基板100的第一区域10通过基于设置在显示基板100的第一区域10的非显示区中的第一基板对准标记12、14、16和18对准形成在图案掩模50中的掩模对准标记52来曝光(S101)。
此后,计算第一基板对准标记12、14、16和18与掩模对准标记52的第一对准结果(S102)。在作为原始目标的第一对准结果中,图案掩模50被定位成使得掩模对准标记52的中心与第一基板对准标记12、14、16和18的中心的基准点C重合,但实际上,如图2和图4所示,图案掩模50可能以未对准状态被定位在显示基板100上。由于未对准状态,图案掩模50被定位成平行于与第一区域10和第二区域20的虚拟分割线2未对准的扭曲线4。
在第一对准结果中,第一基板对准标记12、14、16和18与掩模对准标记52之间的未对准度可以以(X,Y)坐标形式绘制。参考图4,例如,第一对准结果可以是在显示基板100的左上侧的(-0.5μm,-0.3μm)(参见图4A)和在显示基板100的右上侧的(+0.3μm,+0.5μm)(参见图4B)。
此后,通过反映第一对准结果,在显示基板100的第二区域20的非显示区中设置第二基板对准标记22、24、26和28(S103)。当设置第二基板对准标记22、24、26和28时,应用以(X,Y)坐标形式绘制的第一对准结果,并以显示基板100的第二区域20的非显示区中的第一对准结果的(X,Y)坐标以扭曲状态设置第二基板对准标记22、24、26和28。也就是说,如图5所示,当应用上述第一对准结果的示例时,第二基板对准标记22、24、26和28可以通过在显示基板100的左上侧移动到(+0.5μm,+0.3μm)(参见图5A)并在显示基板100的右上侧移动超过原始第二对准标记(-0.3μm,-0.5μm)(参见图5B)来设置。
此后,通过基于新设置的第二基板对准标记22、24、26和28对准掩模对准标记52来曝光显示基板100的第二区域20(S104)。
同时,第一基板对准标记12、14、16和18被设置在显示基板100的第一区域10的边缘的上角和下角,并且第二基板对准标记22、24、26和28被设置在显示基板100的第二区域20的边缘的上角和下角。
图6是示意性地示出了根据第二示例性实施例的曝光方法中的第一曝光步骤中的图案掩模的对准状态的图,图7是示意性地示出了根据第二示例性实施例的曝光方法中的第二曝光步骤中的图案掩模的对准状态的图,图8是示意性地示出了根据第二示例性实施例的曝光方法中的第三曝光步骤中的图案掩模的对准状态的图。
参考图6至图8,除了根据上述第一示例性实施例的曝光方法中的显示基板100的第一区域10和第二区域20之外,显示基板100进一步包括第三区域30。由于根据第一示例性实施例的曝光方法的第一曝光步骤(S101)、第一对准结果计算步骤(S102)、第二基板对准标记设置步骤(S103)和第二曝光步骤(S104)与根据第二示例性实施例的曝光方法的这些步骤是共同的,其描述将被省略。
根据第二示例性实施例的曝光方法在第二曝光步骤之后(S104)进一步包括计算第二基板对准标记22、24、26和28与掩模对准标记52的对准结果的第二对准结果计算步骤。在上述的第二曝光步骤中,第二基板对准标记22、24、26和28与掩模对准标记52的第二对准结果可能进一步扭曲。
此后,通过反映第二对准结果,在显示基板100的第三区域30的非显示区中设置第三基板对准标记32、34、36和38。由于第三基板对准标记32、34、36和38的设置方法与上述的第二基板对准标记22、24、26和28的设置方法相同,其描述被省略。
此后,通过基于第三基板对准标记32、34、36和38对准掩模对准标记52来曝光显示基板100的第三区域30。
同时,第三基板对准标记32、34、36和38可以被设置在显示基板100的第三区域30的边缘的上角和下角。
图9是示意性地示出了根据第三示例性实施例的曝光方法中的第一曝光步骤中的图案掩模的对准状态的图,图10是示意性地示出了根据第三示例性实施例的曝光方法中的第二曝光步骤中的图案掩模的对准状态的图。
参考图9和图10,根据第三示例性实施例的曝光方法中的显示基板100包括作为显示区的第一区域10、第二区域20和第三区域30,并且图案掩模50被形成为对应于两个区域的尺寸。
首先,参考图9,形成在图案掩模50中的掩模对准标记52基于设置在显示基板100的第一区域10的非显示区和第二区域20的非显示区中的第一基板对准标记12、14、16和18对准。另外,显示基板100的第一区域10通过遮蔽第二区域20来曝光。
此后,计算第一对准标记12、14、16和18与掩模对准标记52的第一对准结果。由于此示例性实施例中的第一对准结果的计算与上述第一示例性实施例中的第一对准结果的计算方法相同,其描述被省略。
此后,通过反映第一对准结果,第二基板对准标记22、24、26和28被设置在显示基板100的第二区域20的非显示区和第三区域30的非显示区中。由于此示例性实施例中的第二基板对准标记22、24、26和28的设置与上述第一示例性实施例中的第二基板对准标记22、24、26和28的设置方法相同,其描述被省略。
此后,如图10所示,显示基板100的第二区域20和第三区域30通过基于第二基板对准标记22、24、26和28对准掩模对准标记52来曝光。
同时,在此示例性实施例中,第一基板对准标记12、14、16和18可以被设置在显示基板100的第一区域10的边缘的上角和第二区域20的边缘的下角。此外,第二基板对准标记22、24、26和28可以被设置在显示基板100的第二区域20的边缘的上角和第三区域30的边缘的下角。
图11是示意性地示出了根据第四示例性实施例的曝光方法中的第三曝光步骤中的图案掩模的对准状态的图。
参考图11,根据第四示例性实施例的曝光方法的显示基板100包括作为显示区的第一区域10、第二区域20、第三区域30和第四区域40,并且图案掩模50被形成为对应于两个区域的尺寸。
首先,形成在图案掩模50中的掩模对准标记52基于设置在显示基板100的第一区域10的非显示区和第二区域20的非显示区中的第一基板对准标记12、14、16和18被对准。另外,显示基板100的第一区域10通过遮蔽第二区域20来曝光。
此后,计算第一基板对准标记12、14、16和18与掩模对准标记52的第一对准结果。由于此示例性实施例中的第一对准结果的计算与上述第一示例性实施例至第三示例性实施例中的第一对准结果的计算方法相同,其描述被省略。
此后,通过反映第一对准结果,第二基板对准标记22、24、26和28被设置在显示基板100的第二区域20的非显示区和第三区域30的非显示区中。由于在此示例性实施例中的第二基板对准标记22、24、26和28的设置与上述第一示例性实施例至第三示例性实施例中的第二基板对准标记22、24、26和28的设置方法相同,其描述被省略。
此后,通过基于第二基板对准标记22、24、26和28对准掩模对准标记52并遮蔽第三区域30来曝光显示基板100的第二区域20。
此后,通过计算第二基板对准标记22、24、26和28与掩模对准标记52并反映第二对准结果,第三基板对准标记32、34、36和38被设置在显示基板100中的第三区域30的非显示区和第四区域40的非显示区中。
此后,如图11所示,通过基于第三基板对准标记32、34、36和38对准掩模对准标记52来曝光显示基板100的第三区域30和第四区域40。
同时,在此示例性实施例中,第一基板对准标记12、14、16和18可以被设置在显示基板100的第一区域10的边缘的上角和第二区域20的边缘的下角。此外,第二基板对准标记22、24、26和28可以被设置在显示基板100的第二区域20的边缘的上角和第三区域30的边缘的下角。此外,第三基板对准标记32、34、36和38可以被设置在显示基板100的第三区域30的边缘的上角和第四区域40的边缘的下角。
这样,根据示例性实施例,在通过图案掩模顺序曝光大型显示基板的曝光方法中,通过在曝光装置中反映显示基板和图案掩模的初始对准结果以在后续图案掩模对准期间应用初始对准结果,能够在曝光期间减少缝线的重叠偏差,并防止诸如显示设备的斑点的缺陷。
尽管已经结合目前被认为是实用的示例性实施例描述了本公开,但是应该理解的是,本发明不限于所公开的实施例,而是相反,旨在覆盖包括在所附权利要求的精神和范围内的各种修改和等同布置。
<符号说明>
100:显示基板 10:第一区域
12、14、16、18:第一基板对准标记
20:第二区域 22、24、26、28:第二基板对准标记
30:第三区域 32、34、36、38:第三基板对准标记
40:第四区域 50:图案掩模
52:掩模对准标记
Claims (12)
1.一种显示基板曝光方法,通过图案掩模将具有多个区域的显示基板顺序曝光,该方法包括:
第一曝光步骤,通过基于设置在所述显示基板的第一区域的非显示区中的第一基板对准标记对准形成在所述图案掩模中的掩模对准标记来曝光所述显示基板的所述第一区域;
第一对准结果计算步骤,计算所述第一基板对准标记和所述掩模对准标记的第一对准结果;
第二基板对准标记设置步骤,通过反映所述第一对准结果在所述显示基板的第二区域的非显示区中设置第二基板对准标记;和
第二曝光步骤,通过基于所述第二基板对准标记对准所述掩模对准标记来曝光所述显示基板的所述第二区域。
2.根据权利要求1所述的方法,其中:
所述第一基板对准标记被设置在所述显示基板的所述第一区域的边缘的上角和下角。
3.根据权利要求2所述的方法,其中:
所述第二基板对准标记被设置在所述显示基板的所述第二区域的边缘的上角和下角。
4.根据权利要求3所述的方法,
所述显示基板进一步包括除了所述第一区域和所述第二区域之外的第三区域,并且
在所述第二曝光步骤之后,
所述方法进一步包括:第二对准结果计算步骤,计算所述第二基板对准标记和所述掩模对准标记的第二对准结果;
第三基板对准标记设置步骤,通过反映所述第二对准结果在所述显示基板的所述第三区域的非显示区中设置第三基板对准标记;和
第三曝光步骤,通过基于所述第三基板对准标记对准所述掩模对准标记来曝光所述显示基板的所述第三区域。
5.根据权利要求4所述的方法,其中:
所述第三基板对准标记被设置在所述显示基板的所述第三区域的边缘的上角和下角。
6.一种显示基板曝光方法,通过图案掩模将具有多个区域的显示基板顺序曝光,该方法包括:
第一曝光步骤,通过基于设置在所述显示基板的第一区域的非显示区和第二区域的非显示区中的第一基板对准标记对准形成在所述图案掩模中的掩模对准标记并遮蔽所述第二区域来曝光所述显示基板的所述第一区域;
第一对准结果计算步骤,计算所述第一基板对准标记和所述掩模对准标记的第一对准结果;
第二基板对准标记设置步骤,通过反映所述第一对准结果在所述显示基板的所述第二区域的非显示区和第三区域的非显示区中设置第二基板对准标记;和
第二曝光步骤,通过基于所述第二基板对准标记对准所述掩模对准标记来曝光所述显示基板的所述第二区域和所述第三区域。
7.根据权利要求6所述的方法,其中
所述第一基板对准标记被设置在所述显示基板的所述第一区域的边缘的上角和所述第二区域的边缘的下角。
8.根据权利要求7所述的方法,其中:
所述第二基板对准标记被设置在所述显示基板的所述第二区域的边缘的上角和所述第三区域的边缘的下角。
9.一种显示基板曝光方法,通过图案掩模将具有多个区域的显示基板顺序曝光,该方法包括:
第一曝光步骤,通过基于设置在所述显示基板的第一区域的非显示区和第二区域的非显示区中的第一基板对准标记对准形成在所述图案掩模中的掩模对准标记并遮蔽所述第二区域来曝光所述显示基板的所述第一区域;
第一对准结果计算步骤,计算所述第一基板对准标记和所述掩模对准标记的第一对准结果;
第二基板对准标记设置步骤,通过反映所述第一对准结果在所述显示基板的所述第二区域的非显示区和第三区域的非显示区中设置第二基板对准标记;
第二曝光步骤,通过基于所述第二基板对准标记对准所述掩模对准标记并遮蔽所述第三区域来曝光所述显示基板的所述第二区域;
第二对准结果计算步骤,计算所述第二基板对准标记和所述掩模对准标记的第二对准结果;
第三基板对准标记设置步骤,通过反映所述第二对准结果在所述显示基板的第三区域的非显示区和第四区域的非显示区中设置第三基板对准标记;和
第三曝光步骤,通过基于所述第三基板对准标记对准所述掩模对准标记来曝光所述显示基板的所述第三区域和所述第四区域。
10.根据权利要求9所述的方法,其中:
所述第一基板对准标记被设置在所述显示基板的所述第一区域的边缘的上角和所述第二区域的边缘的下角。
11.据权利要求10所述的方法,其中:
所述第二基板对准标记被设置在所述显示基板的所述第二区域的边缘的上角和所述第三区域的边缘的下角。
12.根据权利要求11所述的方法,其中:
所述第三基板对准标记被设置在所述显示基板的所述第三区域的边缘的上角和所述第四区域的边缘的下角。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-2015-0063364 | 2015-05-06 | ||
KR1020150063364A KR102392043B1 (ko) | 2015-05-06 | 2015-05-06 | 표시 기판 노광 방법 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN106125517A true CN106125517A (zh) | 2016-11-16 |
CN106125517B CN106125517B (zh) | 2020-05-08 |
Family
ID=57270310
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201610289214.4A Active CN106125517B (zh) | 2015-05-06 | 2016-05-04 | 显示基板曝光方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR102392043B1 (zh) |
CN (1) | CN106125517B (zh) |
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KR20160132191A (ko) | 2016-11-17 |
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C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |