JP3244869B2 - 露光装置 - Google Patents
露光装置Info
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- beam splitter
- polarization
- wave plate
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70225—Optical aspects of catadioptric systems, i.e. comprising reflective and refractive elements
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70308—Optical correction elements, filters or phase plates for manipulating imaging light, e.g. intensity, wavelength, polarisation, phase or image shift
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【０００１】
【技術分野】本発明は露光装置、特にＩＣやＬＳＩ等の
半導体デバイスやＣＣＤ等の撮像デバイスや液晶パネル
等の表示デバイスや磁気ヘッド等のデバイスを製造する
ために使用される露光装置に関する。
半導体デバイスやＣＣＤ等の撮像デバイスや液晶パネル
等の表示デバイスや磁気ヘッド等のデバイスを製造する
ために使用される露光装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＩＣ、ＬＳＩ等の半導体デバイスの高集
積化がますます加速度を増しており、これに伴う半導体
ウエハーの微細可工技術の進展も著しい。この微細加工
技術の中心をなす投影露光技術は、現在、０．５μｍ以
下の寸法の像を形成するべく解像度の向上が図られてい
る。
積化がますます加速度を増しており、これに伴う半導体
ウエハーの微細可工技術の進展も著しい。この微細加工
技術の中心をなす投影露光技術は、現在、０．５μｍ以
下の寸法の像を形成するべく解像度の向上が図られてい
る。
【０００３】解像度を向上させるべく露光光の波長を短
くする方法があるが、波長が短くなると投影レンズに使
用可能な硝材の種類が制限されるため、色収差の補正が
難しくなる。
くする方法があるが、波長が短くなると投影レンズに使
用可能な硝材の種類が制限されるため、色収差の補正が
難しくなる。
【０００４】この色収差の補正に関する負荷を軽減させ
た投影光学系として、主として凹面鏡のパワーで結像を
行ない、更に露光領域を拡大させるために投影光学系中
にビームスプリッターを用い、この凹面鏡とこのビーム
スプリッターとレンズ群により構成された反射屈折光学
系を用いる露光装置がある。
た投影光学系として、主として凹面鏡のパワーで結像を
行ない、更に露光領域を拡大させるために投影光学系中
にビームスプリッターを用い、この凹面鏡とこのビーム
スプリッターとレンズ群により構成された反射屈折光学
系を用いる露光装置がある。
【０００５】
【発明が解決しようとしている課題】この反射屈折光学
系を用いる露光装置は露光領域が広く分解能も高いが、
焦点深度が十分に深いとは言えない。
系を用いる露光装置は露光領域が広く分解能も高いが、
焦点深度が十分に深いとは言えない。
【０００６】近年、線幅の微細化にともない焦点深度の
余裕度が少なくなってきており焦点深度を拡大させるた
めの様々な技術が検討されおり、投影光学系の瞳面に所
定の複素振幅透過率分布を有する光学フィルターを配置
し、焦点深度を拡大させる技術がある。
余裕度が少なくなってきており焦点深度を拡大させるた
めの様々な技術が検討されおり、投影光学系の瞳面に所
定の複素振幅透過率分布を有する光学フィルターを配置
し、焦点深度を拡大させる技術がある。
【０００７】この瞳面フィルターによる結像技術は特定
のパターンに対しては大きな効果があるが、それ以外の
パターンに対して効果があるとは限らず、逆に悪影響が
出てくる場合もある。
のパターンに対しては大きな効果があるが、それ以外の
パターンに対して効果があるとは限らず、逆に悪影響が
出てくる場合もある。
【０００８】このため、実際の装置では、結像方式を変
更できるように、瞳面フィルターを着脱するような機構
が必要となる。しかしながら、投影光学系は非常に高い
精度で製作され、組み立て精度も非常に高いものが要求
されるているので、瞳フィルターを着脱し、常に高い精
度で組み込むことは困難である。
更できるように、瞳面フィルターを着脱するような機構
が必要となる。しかしながら、投影光学系は非常に高い
精度で製作され、組み立て精度も非常に高いものが要求
されるているので、瞳フィルターを着脱し、常に高い精
度で組み込むことは困難である。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明の目的は、上記課
題を解決する、改良された露光装置を提供することにあ
る。
題を解決する、改良された露光装置を提供することにあ
る。
【００１０】本発明の露光装置の第１の形態は、レチク
ルのパターンをウエハー上に投影する投影光学系を有す
る露光装置において、前記投影光学系が、前記レチクル
のパターンからの光が入射する偏光ビームスプリッター
と、該偏光ビームスプリッターからのＰ偏光の透過光を
反射する第１の鏡と、該偏光ビームスプリッターからの
Ｓ偏光の反射光を反射する第２の鏡と、前記偏光ビーム
スプリッターと前記第１の鏡の間に前記透過光の偏光状
態を前記Ｓ偏光にするよう配置した第１の４分の１波長
板と、前記偏光ビームスプリッターと前記第２の鏡の間
に前記反射光の偏光状態を前記Ｐ偏光にするよう配置し
た第２の４分の１波長板と、前記第１の鏡と前記第２の
鏡の少なくとも一方の近傍に配した光学フィルターとを
有し、前記レチクルのパターンを照明する照明光の偏光
状態を前記Ｐ偏光と前記Ｓ偏光の間で切り換える手段を
有することを特徴とする。
ルのパターンをウエハー上に投影する投影光学系を有す
る露光装置において、前記投影光学系が、前記レチクル
のパターンからの光が入射する偏光ビームスプリッター
と、該偏光ビームスプリッターからのＰ偏光の透過光を
反射する第１の鏡と、該偏光ビームスプリッターからの
Ｓ偏光の反射光を反射する第２の鏡と、前記偏光ビーム
スプリッターと前記第１の鏡の間に前記透過光の偏光状
態を前記Ｓ偏光にするよう配置した第１の４分の１波長
板と、前記偏光ビームスプリッターと前記第２の鏡の間
に前記反射光の偏光状態を前記Ｐ偏光にするよう配置し
た第２の４分の１波長板と、前記第１の鏡と前記第２の
鏡の少なくとも一方の近傍に配した光学フィルターとを
有し、前記レチクルのパターンを照明する照明光の偏光
状態を前記Ｐ偏光と前記Ｓ偏光の間で切り換える手段を
有することを特徴とする。
【００１１】また本発明の露光装置の第２の形態は、レ
チクルのパターンをウエハー上に投影する投影光学系を
有する露光装置において、前記投影光学系が、前記レチ
クルのパターンからの光束を受ける正の屈折力を有する
第１のレンズ群と、該第１レンズ群からの光束が入射す
る偏光ビームスプリッターと、該偏光ビームスプリッタ
ーからのＰ偏光の透過光を反射及び集光する第１の凹面
鏡と、該偏光ビームスプリッターからのＳ偏光の反射光
を反射及び集光する第２の凹面鏡と、前記偏光ビームス
プリッターと前記第１の凹面鏡の間に前記透過光の偏光
状態を前記Ｓ偏光にするよう配置した第１の４分の１波
長板と、前記偏光ビームスプリッターと前記第２の凹面
鏡の間に前記反射光の偏光状態を前記Ｐ偏光にするよう
配置した第２の４分の１波長板と、前記第１の凹面鏡及
び前記第１の４分の１波長板若しくは前記第２の凹面鏡
及び前記第２の４分の１波長板と前記偏光ビームスプリ
ッターとを経由した光束を前記ウエハー上に集光する正
の屈折力を有する第２のレンズ群とを有し、前記第１の
凹面鏡と前記第２の凹面鏡の少なくとも一方の近傍に複
素振幅透過率分布を持った光学フィルターを配置し、前
記レチクルのパターンを照明する照明光の偏光状態を前
記Ｐ偏光と前記Ｓ偏光の間で切り換える手段を有するこ
とを特徴とする。
チクルのパターンをウエハー上に投影する投影光学系を
有する露光装置において、前記投影光学系が、前記レチ
クルのパターンからの光束を受ける正の屈折力を有する
第１のレンズ群と、該第１レンズ群からの光束が入射す
る偏光ビームスプリッターと、該偏光ビームスプリッタ
ーからのＰ偏光の透過光を反射及び集光する第１の凹面
鏡と、該偏光ビームスプリッターからのＳ偏光の反射光
を反射及び集光する第２の凹面鏡と、前記偏光ビームス
プリッターと前記第１の凹面鏡の間に前記透過光の偏光
状態を前記Ｓ偏光にするよう配置した第１の４分の１波
長板と、前記偏光ビームスプリッターと前記第２の凹面
鏡の間に前記反射光の偏光状態を前記Ｐ偏光にするよう
配置した第２の４分の１波長板と、前記第１の凹面鏡及
び前記第１の４分の１波長板若しくは前記第２の凹面鏡
及び前記第２の４分の１波長板と前記偏光ビームスプリ
ッターとを経由した光束を前記ウエハー上に集光する正
の屈折力を有する第２のレンズ群とを有し、前記第１の
凹面鏡と前記第２の凹面鏡の少なくとも一方の近傍に複
素振幅透過率分布を持った光学フィルターを配置し、前
記レチクルのパターンを照明する照明光の偏光状態を前
記Ｐ偏光と前記Ｓ偏光の間で切り換える手段を有するこ
とを特徴とする。
【００１２】
【００１３】本発明の露光装置は、投影光学系の瞳面フ
ィルターを使用する露光と使用しない露光の使い分け
や、投影光学系での相異なる瞳面フィルターの使い分け
が容易に行なえる。
ィルターを使用する露光と使用しない露光の使い分け
や、投影光学系での相異なる瞳面フィルターの使い分け
が容易に行なえる。
【００１４】本発明の露光装置を用いれば、ＩＣやＬＳ
Ｉ等の半導体デバイスやＣＣＤ等の撮像デバイスや液晶
パネル等の表示デバイスや磁気ヘッド等のデバイスを正
確に製造することができる。
Ｉ等の半導体デバイスやＣＣＤ等の撮像デバイスや液晶
パネル等の表示デバイスや磁気ヘッド等のデバイスを正
確に製造することができる。
【００１５】
【実施例】図１、図２は本発明の一実施例を示す概略構
成図であり、ＩＣやＬＳＩ等の半導体デバイスやＣＣＤ
等の撮像デバイスや液晶パネル等の表示デバイスや磁気
ヘッド等のデバイスを正確に製造するための走査型投影
露光装置を示す。
成図であり、ＩＣやＬＳＩ等の半導体デバイスやＣＣＤ
等の撮像デバイスや液晶パネル等の表示デバイスや磁気
ヘッド等のデバイスを正確に製造するための走査型投影
露光装置を示す。
【００１６】図１、図２において、１はウエハー上に転
写される半導体素子の回路パターンが描かれたレチク
ル、１００はレチクル１を照明する照明系である。照明
系１００において、光源１１からの光束は被照射面であ
るレチクル１上にコンデンサーレンズ１２により集光せ
しめられる。コンデンサーレンズ１２とレチクル１の間
に偏光方向選択素子１３が配置されている。偏光方向選
択素子１３としては、偏光板や２分の１波長板がある。
また、偏光方向選択素子１３は、不図示の調整機構によ
り光軸に直交する面内で偏光軸や光学軸の角度を調整で
きるよう構成したり、複数の偏光方向選択素子を選択的
に交換できるよう構成する。
写される半導体素子の回路パターンが描かれたレチク
ル、１００はレチクル１を照明する照明系である。照明
系１００において、光源１１からの光束は被照射面であ
るレチクル１上にコンデンサーレンズ１２により集光せ
しめられる。コンデンサーレンズ１２とレチクル１の間
に偏光方向選択素子１３が配置されている。偏光方向選
択素子１３としては、偏光板や２分の１波長板がある。
また、偏光方向選択素子１３は、不図示の調整機構によ
り光軸に直交する面内で偏光軸や光学軸の角度を調整で
きるよう構成したり、複数の偏光方向選択素子を選択的
に交換できるよう構成する。
【００１７】この偏光方向選択素子１３（調整機構付
き）を用いて、レチクル１を、当該レチクル１のデバイ
スパターンの結像に瞳面フィルター１０を使用するかし
ないかに応じて、偏光方向が相異なる２つの偏光照明光
の一方で照明できる。
き）を用いて、レチクル１を、当該レチクル１のデバイ
スパターンの結像に瞳面フィルター１０を使用するかし
ないかに応じて、偏光方向が相異なる２つの偏光照明光
の一方で照明できる。
【００１８】先ず、図１において瞳面フィルター１０を
使用しないでレチクル１のデバイスパターンの縮小像を
ウエハー面９上に形成する場合について説明する。照明
系１００の偏光方向選択素子１３を調整して、レチクル
１を紙面内に偏光面を持つＰ偏光の光で照明する。レチ
クル１からのＰ偏光光束は正の屈折力を有するレンズ２
に入射し、この正レンズ２によってほぼ平行光に変換さ
れた光束は偏光ビームスプリッター３に入射し、Ｐ偏光
なので、偏光ビームスプリッター３の偏光分離面３ａを
透過し４分の１波長板４ａに入射する。
使用しないでレチクル１のデバイスパターンの縮小像を
ウエハー面９上に形成する場合について説明する。照明
系１００の偏光方向選択素子１３を調整して、レチクル
１を紙面内に偏光面を持つＰ偏光の光で照明する。レチ
クル１からのＰ偏光光束は正の屈折力を有するレンズ２
に入射し、この正レンズ２によってほぼ平行光に変換さ
れた光束は偏光ビームスプリッター３に入射し、Ｐ偏光
なので、偏光ビームスプリッター３の偏光分離面３ａを
透過し４分の１波長板４ａに入射する。
【００１９】偏光ビームスプリッター３を透過したＰ偏
光の光は４分の１波長板４ａにより円偏光に変換され凹
面鏡５ａによって反射、集光され、再び４分の１波長板
４ａを透過し、円偏光からＳ偏光の光に変換される。こ
の光束は偏光ビームスプリッター３に入射し、その偏光
分離面３ａで下方に反射され偏光可変手段である４分の
１波長板６に入射する。この光束は４分の１波長板６に
よりＳ偏光から再び円偏光に変換され、正のレンズ７に
よってウエハー面９に集光され、レチクル１のデバイス
パターンの縮小像をウエハー面９に形成する。
光の光は４分の１波長板４ａにより円偏光に変換され凹
面鏡５ａによって反射、集光され、再び４分の１波長板
４ａを透過し、円偏光からＳ偏光の光に変換される。こ
の光束は偏光ビームスプリッター３に入射し、その偏光
分離面３ａで下方に反射され偏光可変手段である４分の
１波長板６に入射する。この光束は４分の１波長板６に
よりＳ偏光から再び円偏光に変換され、正のレンズ７に
よってウエハー面９に集光され、レチクル１のデバイス
パターンの縮小像をウエハー面９に形成する。
【００２０】次に、図２を用いて、瞳フィルター１０を
使用してレチクル１のデバイスパターンの投影像を形成
する場合について説明する。照明系１００内の偏光方向
選択素子１３を調整して、レチクル１を紙面に垂直なＳ
偏光の光束で照明する。レチクル１からのＳ偏光光束は
正のレンズ２に入射し、この正のレンズ２でほぼ平行な
光束に変換され、偏光ビームスプリッター３に入射す
る。この光束は、Ｓ偏光であるため、偏光ビームスプリ
ッター３の偏光分離面３ａによって上方に反射され、４
分の１波長板４ｂにより円偏光に変換され、瞳面フィル
ター１０を透過する。瞳面フィルター１０は所定の複素
振幅透過率分布を有しており、瞳面フィルター１０を透
過する光は当該瞳面フィルター１０の複素振幅透過率分
布に応じてその波面の各場所の位相と振幅が変調された
後、凹面鏡５ｂにより反射、集光され、再び、瞳面フィ
ルター１０に入射して瞳面フィルター１０により位相と
振幅が変調される。本発明の瞳面フィルター１０は光線
が２回通過するため、１回の透過に対して所望の位相振
幅変調の１／２になるように設計製造されている。瞳フ
ィルター１０を透過した光束は、４分の１波長板４ｂを
透過し、円偏光からＰ偏光に変換される。この光束は偏
光ビームスプリッター３に入射し、Ｐ偏光であるため、
偏光分離面３ａを透過し、４分の１波長板６によりＰ偏
光から円偏光に変換され、正のレンズ７によりウエハー
面９に集光され、レチクル１のデバイスパターンの瞳面
フィルタリングを行なった縮小像をウエハー面９に形成
する。
使用してレチクル１のデバイスパターンの投影像を形成
する場合について説明する。照明系１００内の偏光方向
選択素子１３を調整して、レチクル１を紙面に垂直なＳ
偏光の光束で照明する。レチクル１からのＳ偏光光束は
正のレンズ２に入射し、この正のレンズ２でほぼ平行な
光束に変換され、偏光ビームスプリッター３に入射す
る。この光束は、Ｓ偏光であるため、偏光ビームスプリ
ッター３の偏光分離面３ａによって上方に反射され、４
分の１波長板４ｂにより円偏光に変換され、瞳面フィル
ター１０を透過する。瞳面フィルター１０は所定の複素
振幅透過率分布を有しており、瞳面フィルター１０を透
過する光は当該瞳面フィルター１０の複素振幅透過率分
布に応じてその波面の各場所の位相と振幅が変調された
後、凹面鏡５ｂにより反射、集光され、再び、瞳面フィ
ルター１０に入射して瞳面フィルター１０により位相と
振幅が変調される。本発明の瞳面フィルター１０は光線
が２回通過するため、１回の透過に対して所望の位相振
幅変調の１／２になるように設計製造されている。瞳フ
ィルター１０を透過した光束は、４分の１波長板４ｂを
透過し、円偏光からＰ偏光に変換される。この光束は偏
光ビームスプリッター３に入射し、Ｐ偏光であるため、
偏光分離面３ａを透過し、４分の１波長板６によりＰ偏
光から円偏光に変換され、正のレンズ７によりウエハー
面９に集光され、レチクル１のデバイスパターンの瞳面
フィルタリングを行なった縮小像をウエハー面９に形成
する。
【００２１】本実施例の装置では、この様に、照明系１
００内の偏光方向選択素子１３を調整してレチクル１を
照明する照明光の偏光状態を選択するだけで、同一の投
影光学系で瞳面フィルターを切り換えたのと同様な効果
が得られる。
００内の偏光方向選択素子１３を調整してレチクル１を
照明する照明光の偏光状態を選択するだけで、同一の投
影光学系で瞳面フィルターを切り換えたのと同様な効果
が得られる。
【００２２】図１の４分の１波長板６は、ウエハー面９
に入射する光の偏光方向を変化させる働きがある。これ
は、微細パターンの結像の場合、微細パターンの延びる
方向と光の偏光方向により像性能に違いがあるため、直
線偏光を任意の偏光状態に変換することが望ましいから
である。本実施例の場合、縦パターンと横パターンの方
向差による像性能の差を無くすために、直線偏光を円偏
光に変換するために４分の１波長板を使用しているが、
勿論、４分の１波長板の他にも２分の１波長板で良い場
合もある。
に入射する光の偏光方向を変化させる働きがある。これ
は、微細パターンの結像の場合、微細パターンの延びる
方向と光の偏光方向により像性能に違いがあるため、直
線偏光を任意の偏光状態に変換することが望ましいから
である。本実施例の場合、縦パターンと横パターンの方
向差による像性能の差を無くすために、直線偏光を円偏
光に変換するために４分の１波長板を使用しているが、
勿論、４分の１波長板の他にも２分の１波長板で良い場
合もある。
【００２３】本実施例に示したレンズ２はコリメーター
レンズであったが、レンズ２は非コリメーターレンズで
もいい。
レンズであったが、レンズ２は非コリメーターレンズで
もいい。
【００２４】本実施例に示した投影光学系は偏光ビーム
スプリッターと凹面鏡の間にレンズ群を配置していない
が、この間にレンズ群を配置することも可能である。
スプリッターと凹面鏡の間にレンズ群を配置していない
が、この間にレンズ群を配置することも可能である。
【００２５】本実施例は、ステップ＆リピート露光を行
なう露光装置において使用できる。
なう露光装置において使用できる。
【００２６】本実施例は瞳面フィルターを使用した露光
と使用しない露光を容易に切り換えるものであったが、
互いに複素振幅透過率分布が異なる瞳面フィルターを２
個の凹面鏡の夫々に設けておき、夫々の瞳面フィルター
を使う露光の切替を行なうようにしてもいい。
と使用しない露光を容易に切り換えるものであったが、
互いに複素振幅透過率分布が異なる瞳面フィルターを２
個の凹面鏡の夫々に設けておき、夫々の瞳面フィルター
を使う露光の切替を行なうようにしてもいい。
【００２７】次に図１、２の露光装置を利用した半導体
デバイスの製造方法の実施例を説明する。図３は半導体
装置（ＩＣやＬＳＩ等の半導体チップ、液晶パネルやＣ
ＣＤ）の製造フローを示す。ステップ１（回路設計）で
は半導体装置の回路設計を行なう。ステップ２（マスク
製作）では設計した回路パターンを形成したマスク（レ
チクル３０４）を製作する。一方、ステップ３（ウエハ
ー製造）ではシリコン等の材料を用いてウエハー（ウエ
ハー３０６）を製造する。ステップ４（ウエハープロセ
ス）は前工程と呼ばれ、上記用意したマスクとウエハー
とを用いて、リソグラフィー技術によってウエハー上に
実際の回路を形成する。次のステップ５（組み立て）は
後工程と呼ばれ、ステップ４よって作成されたウエハー
を用いてチップ化する工程であり、アッセンブリ工程
（ダイシング、ボンデイ ング）、パッケージング工程
（チップ封入）等の工程を含む。ステップ６（検査）で
はステップ５で作成された半導体装置の動作確認テス
ト、耐久性テスト等の検査を行なう。こうした工程を経
て半導体装置が完成し、これが出荷（ステップ７）され
る。
デバイスの製造方法の実施例を説明する。図３は半導体
装置（ＩＣやＬＳＩ等の半導体チップ、液晶パネルやＣ
ＣＤ）の製造フローを示す。ステップ１（回路設計）で
は半導体装置の回路設計を行なう。ステップ２（マスク
製作）では設計した回路パターンを形成したマスク（レ
チクル３０４）を製作する。一方、ステップ３（ウエハ
ー製造）ではシリコン等の材料を用いてウエハー（ウエ
ハー３０６）を製造する。ステップ４（ウエハープロセ
ス）は前工程と呼ばれ、上記用意したマスクとウエハー
とを用いて、リソグラフィー技術によってウエハー上に
実際の回路を形成する。次のステップ５（組み立て）は
後工程と呼ばれ、ステップ４よって作成されたウエハー
を用いてチップ化する工程であり、アッセンブリ工程
（ダイシング、ボンデイ ング）、パッケージング工程
（チップ封入）等の工程を含む。ステップ６（検査）で
はステップ５で作成された半導体装置の動作確認テス
ト、耐久性テスト等の検査を行なう。こうした工程を経
て半導体装置が完成し、これが出荷（ステップ７）され
る。
【００２８】図４は上記ウエハープロセスの詳細なフロ
ーを示す。ステップ１１（酸化）ではウエハー（ウエハ
ー３０６）の表面を酸化させる。ステップ１２（ＣＶ
Ｄ）ではウエハーの表面に絶縁膜を形成する。ステップ
１３（電極形成）ではウエハー上に電極を蒸着によって
形成する。ステップ１４（イオン打ち込み）ではウエハ
ーにイオンを打ち込む。ステップ１５（レジスト処理）
ではウエハーにレジスト（感材）を塗布する。ステップ
１６（露光）では上記投影露光装置によってマスク（レ
チクル３０４）の回路パターンの像でウエハーを露光す
る。ステップ１７（現像）では露光したウエハーを現像
する。ステップ１８（エッチング）では現像したレジス
ト以外の部分を削り取る。ステップ１９（レジスト剥
離）ではエッチングが済んで不要となったレジストを取
り除く。これらステップを繰り返し行なうことによりウ
エハー上に回路パターンが形成される。
ーを示す。ステップ１１（酸化）ではウエハー（ウエハ
ー３０６）の表面を酸化させる。ステップ１２（ＣＶ
Ｄ）ではウエハーの表面に絶縁膜を形成する。ステップ
１３（電極形成）ではウエハー上に電極を蒸着によって
形成する。ステップ１４（イオン打ち込み）ではウエハ
ーにイオンを打ち込む。ステップ１５（レジスト処理）
ではウエハーにレジスト（感材）を塗布する。ステップ
１６（露光）では上記投影露光装置によってマスク（レ
チクル３０４）の回路パターンの像でウエハーを露光す
る。ステップ１７（現像）では露光したウエハーを現像
する。ステップ１８（エッチング）では現像したレジス
ト以外の部分を削り取る。ステップ１９（レジスト剥
離）ではエッチングが済んで不要となったレジストを取
り除く。これらステップを繰り返し行なうことによりウ
エハー上に回路パターンが形成される。
【００２９】本実施例の製造方法を用いれば、高集積度
の半導体デバイスを製造することが可能になる。
の半導体デバイスを製造することが可能になる。
【００３０】
【発明の効果】以上、本発明によれば、瞳面フィルター
の着脱という煩雑な作業を行なわずに、瞳面フィルター
を使用した露光と使用しない露光を容易に切り換えるこ
とが可能になる。また相異なる瞳面フィルターを使用す
る場合の切替も容易に行なえる。
の着脱という煩雑な作業を行なわずに、瞳面フィルター
を使用した露光と使用しない露光を容易に切り換えるこ
とが可能になる。また相異なる瞳面フィルターを使用す
る場合の切替も容易に行なえる。
【図１】本発明の一実施例を示す概略構成図であり、通
常の結像を示す説明図である。
常の結像を示す説明図である。
【図２】本発明の一実施例を示す図１と同じ装置の概略
構成図であり、瞳面フィルタリングを行なう結像を示す
説明図である。
構成図であり、瞳面フィルタリングを行なう結像を示す
説明図である。
【図３】半導体素子の製造工程を示すフローチャート図
である。
である。
【図４】図３の工程中のウエハープロセスの詳細を示す
フローチャート図である。
フローチャート図である。
１ レチクル ２ 正のレンズ群 ３ 偏光ビームスプリッター ３ａ 偏光分離面 ４ａ，４ｂ ４分の１波長板 ５ａ，５ｂ 凹面鏡 ６ ４分の１波長板 ７ 正のレンズ群 ９ ウエハー １０ 瞳フィルター １１ 光源 １２ コンデンサーレンズ １３ 偏光方向選択素子 １００ 照明光学系
Claims (4)
- 【請求項１】 レチクルのパターンをウエハー上に投影
する投影光学系を有する露光装置において、前記投影光
学系が、前記レチクルのパターンからの光が入射する偏
光ビームスプリッターと、該偏光ビームスプリッターか
らのＰ偏光の透過光を反射する第１の鏡と、該偏光ビー
ムスプリッターからのＳ偏光の反射光を反射する第２の
鏡と、前記偏光ビームスプリッターと前記第１の鏡の間
に前記透過光の偏光状態を前記Ｓ偏光にするよう配置し
た第１の４分の１波長板と、前記偏光ビームスプリッタ
ーと前記第２の鏡の間に前記反射光の偏光状態を前記Ｐ
偏光にするよう配置した第２の４分の１波長板と、前記
第１の鏡と前記第２の鏡の少なくとも一方の近傍に配し
た光学フィルターとを有し、前記レチクルのパターンを
照明する照明光の偏光状態を前記Ｐ偏光と前記Ｓ偏光の
間で切り換える手段を有することを特徴とする露光装
置。 - 【請求項２】 レチクルのパターンをウエハー上に投影
する投影光学系を有する露光装置において、前記投影光
学系が、前記レチクルのパターンからの光束を受ける正
の屈折力を有する第１のレンズ群と、該第１レンズ群か
らの光束が入射する偏光ビームスプリッターと、該偏光
ビームスプリッターからのＰ偏光の透過光を反射及び集
光する第１の凹面鏡と、該偏光ビームスプリッターから
のＳ偏光の反射光を反射及び集光する第２の凹面鏡と、
前記偏光ビームスプリッターと前記第１の凹面鏡の間に
前記透過光の偏光状態を前記Ｓ偏光にするよう配置した
第１の４分の１波長板と、前記偏光ビームスプリッター
と前記第２の凹面鏡の間に前記反射光の偏光状態を前記
Ｐ偏光にするよう配置した第２の４分の１波長板と、前
記第１の凹面鏡及び前記第１の４分の１波長板若しくは
前記第２の凹面鏡及び前記第２の４分の１波長板と前記
偏光ビームスプリッターとを経由した光束を前記ウエハ
ー上に集光する正の屈折力を有する第２のレンズ群とを
有し、前記第１の凹面鏡と前記第２の凹面鏡の少なくと
も一方の近傍に複素振幅透過率分布を持った光学フィル
ターを配置し、前記レチクルのパターンを照明する照明
光の偏光状態を前記Ｐ偏光と前記Ｓ偏光の間で切り換え
る手段を有することを特徴とする露光装置。 - 【請求項３】 前記偏光ビームスプリッターと前記ウエ
ハーとの間に、前記 偏光ビームスプリッターからの前記
光束の偏光状態を円偏光にする第３の４分の１波長板を
有することを特徴とする請求項２に記載の露光装置。 - 【請求項４】 請求項１乃至請求項３のいずれかに記載
の露光装置を用いてレチクルの回路パターンでウエハー
を露光する段階と該露光したウエハーを現像する段階と
を含むことを特徴とする半導体デバイス製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15906093A JP3244869B2 (ja) | 1993-06-29 | 1993-06-29 | 露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15906093A JP3244869B2 (ja) | 1993-06-29 | 1993-06-29 | 露光装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07142334A JPH07142334A (ja) | 1995-06-02 |
| JP3244869B2 true JP3244869B2 (ja) | 2002-01-07 |
Family
ID=15685348
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15906093A Expired - Fee Related JP3244869B2 (ja) | 1993-06-29 | 1993-06-29 | 露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3244869B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19808461A1 (de) * | 1998-03-02 | 1999-09-09 | Zeiss Carl Fa | Retikel mit Kristall-Trägermaterial |
| US7271874B2 (en) | 2004-11-02 | 2007-09-18 | Asml Holding N.V. | Method and apparatus for variable polarization control in a lithography system |
| JP2009099629A (ja) * | 2007-10-12 | 2009-05-07 | Nikon Corp | 照明光学装置、露光方法及び装置、並びに電子デバイスの製造方法 |
-
1993
- 1993-06-29 JP JP15906093A patent/JP3244869B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07142334A (ja) | 1995-06-02 |
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