JPH07135149A - 照明装置及び該照明装置を備える露光装置 - Google Patents
照明装置及び該照明装置を備える露光装置Info
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- JPH07135149A JPH07135149A JP5159058A JP15905893A JPH07135149A JP H07135149 A JPH07135149 A JP H07135149A JP 5159058 A JP5159058 A JP 5159058A JP 15905893 A JP15905893 A JP 15905893A JP H07135149 A JPH07135149 A JP H07135149A
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- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/702—Reflective illumination, i.e. reflective optical elements other than folding mirrors, e.g. extreme ultraviolet [EUV] illumination systems
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70358—Scanning exposure, i.e. relative movement of patterned beam and workpiece during imaging
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 像質を改善する。
【構成】 複数個の断面が略長方形のレンズを２次元的
に配置したフライアイレンズ６からの光でマスク１２を
照明し、マスク１２のパタ−ンを投影光学系１４により
ウエハ−１５上に投影する装置において、ランプと楕円
鏡の組を２組（１、２；１’、２’）設け、各ランプの
発光部1a、1aの像をフライアイレンズ６の略長方形レン
ズの長辺方向に並べて形成し、発光部1a、1aの像からの
各光を前記フライアアイレンズに照射することにより、
フライアイレンズの略長方形のレンズ毎に長辺方向に並
んだ一対の光源を生じせしめる。
に配置したフライアイレンズ６からの光でマスク１２を
照明し、マスク１２のパタ−ンを投影光学系１４により
ウエハ−１５上に投影する装置において、ランプと楕円
鏡の組を２組（１、２；１’、２’）設け、各ランプの
発光部1a、1aの像をフライアイレンズ６の略長方形レン
ズの長辺方向に並べて形成し、発光部1a、1aの像からの
各光を前記フライアアイレンズに照射することにより、
フライアイレンズの略長方形のレンズ毎に長辺方向に並
んだ一対の光源を生じせしめる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は照明装置及び該照明装置
を備える露光装置に関するものであり、特にＩＣ、ＬＳ
Ｉ等の半導体デバイス、ＣＣＤ等の撮像デバイス、液晶
パネル、磁気ヘッド等のデバイスを製造するために使用
される照明装置及び該照明装置を備える走査型投影露光
装置に関するものである。
を備える露光装置に関するものであり、特にＩＣ、ＬＳ
Ｉ等の半導体デバイス、ＣＣＤ等の撮像デバイス、液晶
パネル、磁気ヘッド等のデバイスを製造するために使用
される照明装置及び該照明装置を備える走査型投影露光
装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図８は従来の走査型投影露光装置を示す
概略図である。
概略図である。
【０００３】図８において、１はHgランプ、Xe-Hg ラン
プ等の紫外線を発する光源であり、1aはその発光部（電
極）である。２は楕円鏡であり、その第１焦点付近に光
源１の発光部1aが置かれており、楕円鏡２は発光部1aを
その第２焦点４に結像される。３は紫外線を反射し赤外
線は透過させるコールドミラーである。第２焦点４にお
ける光強度分布を図１０に示す。
プ等の紫外線を発する光源であり、1aはその発光部（電
極）である。２は楕円鏡であり、その第１焦点付近に光
源１の発光部1aが置かれており、楕円鏡２は発光部1aを
その第２焦点４に結像される。３は紫外線を反射し赤外
線は透過させるコールドミラーである。第２焦点４にお
ける光強度分布を図１０に示す。
【０００４】楕円鏡２の第２焦点４の発光部1aの像から
の光はコンデンサーレンズ５によりフライアアイレンズ
６より成るオプティカルインテグレーターの光入射面上
に集光される。フライアアイレンズ６は複数の微小レン
ズの集合体である。７は開口絞りである。
の光はコンデンサーレンズ５によりフライアアイレンズ
６より成るオプティカルインテグレーターの光入射面上
に集光される。フライアアイレンズ６は複数の微小レン
ズの集合体である。７は開口絞りである。
【０００５】この装置では、断面が長方形のスリット状
の光でレチクル１２を照明してレチクル１２上に長方形
の照明領域を形成するので、フライアイレンズの各微小
レンズの断面形状は、照明領域と相似の長方形となって
いる。
の光でレチクル１２を照明してレチクル１２上に長方形
の照明領域を形成するので、フライアイレンズの各微小
レンズの断面形状は、照明領域と相似の長方形となって
いる。
【０００６】１１はコンデンサーレンズであり、１０は
視野絞りであるマスキングブレードで、マスキングブレ
ード１０と共役な位置にレチクル１２が位置している。
１４は投影光学系であり、屈折光学系、反射屈折光学系
等で構成される。１５はウェハーであり、レチクル１２
とウェハー１５は投影光学系１４に関して光学的に共役
な関係にある。１３、１６はそれぞれレチクル１２とウ
ェハー１５をスキャン方向に動かすための駆動装置であ
り、駆動装置１３、１６によりレチクル１２とウェハー
１５を動かしてスリット状の光で走査露光する。
視野絞りであるマスキングブレードで、マスキングブレ
ード１０と共役な位置にレチクル１２が位置している。
１４は投影光学系であり、屈折光学系、反射屈折光学系
等で構成される。１５はウェハーであり、レチクル１２
とウェハー１５は投影光学系１４に関して光学的に共役
な関係にある。１３、１６はそれぞれレチクル１２とウ
ェハー１５をスキャン方向に動かすための駆動装置であ
り、駆動装置１３、１６によりレチクル１２とウェハー
１５を動かしてスリット状の光で走査露光する。
【０００７】
【発明が解決しようとしている課題】上記装置はフライ
アイレンズ６の各微小レンズの断面が長方形であるた
め、フライアイレンズ６の作る有効光源（２次光源）は
図９に示す強度分布を持ち、図９のｘ方向とｙ方向とで
照度分布（強度分布）が異なっている。従って、ウエハ
−１５上に形成される像の質がｘ方向とｙ方向とで異な
ってくるため、像の質が低下するという問題がある。
アイレンズ６の各微小レンズの断面が長方形であるた
め、フライアイレンズ６の作る有効光源（２次光源）は
図９に示す強度分布を持ち、図９のｘ方向とｙ方向とで
照度分布（強度分布）が異なっている。従って、ウエハ
−１５上に形成される像の質がｘ方向とｙ方向とで異な
ってくるため、像の質が低下するという問題がある。
【０００８】尚、この有効光源はフライアイレンズ６を
構成する個々の微小レンズを通して見える楕円鏡２の開
口の像の集合と成っている。
構成する個々の微小レンズを通して見える楕円鏡２の開
口の像の集合と成っている。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明の目的は像質を改
善することが可能な照明装置と露光装置とを提供するこ
とにある。
善することが可能な照明装置と露光装置とを提供するこ
とにある。
【００１０】本発明の照明装置は複数個の断面が略長方
形のレンズを２次元的に配置したフライアイレンズから
の光で被照明面を照明する装置において、前記レンズの
長辺方向に並んだ複数の光源像からの光を前記フライア
イレンズに照射する光照射手段を有する。
形のレンズを２次元的に配置したフライアイレンズから
の光で被照明面を照明する装置において、前記レンズの
長辺方向に並んだ複数の光源像からの光を前記フライア
イレンズに照射する光照射手段を有する。
【００１１】本発明の露光装置は複数個の断面が略長方
形のレンズを２次元的に配置したフライアイレンズから
の光で、マスクを介して基板を露光する装置において、
前記レンズの長辺方向に並んだ複数の光源像からの光を
前記フライアイレンズに照射する光照射手段を有する。
形のレンズを２次元的に配置したフライアイレンズから
の光で、マスクを介して基板を露光する装置において、
前記レンズの長辺方向に並んだ複数の光源像からの光を
前記フライアイレンズに照射する光照射手段を有する。
【００１２】本発明の照明装置及び露光装置によれば、
前記光照射手段を有することにより、方向によらず像質
がほぼ一定の像を生じせしめることができ、像質を改善
することが可能である。
前記光照射手段を有することにより、方向によらず像質
がほぼ一定の像を生じせしめることができ、像質を改善
することが可能である。
【００１３】本発明の装置のある形態は前記光照射手段
が複数個の発光部を備えるランプと該ランプからの光を
反射及び集光して前記複数個の発光部の像を形成する楕
円鏡とを有することを特徴とする。
が複数個の発光部を備えるランプと該ランプからの光を
反射及び集光して前記複数個の発光部の像を形成する楕
円鏡とを有することを特徴とする。
【００１４】また本発明の装置の他の形態は前記光照射
手段が複数個のランプと該複数個のランプからの光を反
射及び集光して各ランプの発光部の像を形成する複数個
の楕円鏡とを有することを特徴とする。
手段が複数個のランプと該複数個のランプからの光を反
射及び集光して各ランプの発光部の像を形成する複数個
の楕円鏡とを有することを特徴とする。
【００１５】また本発明の装置の別の形態は前記光照射
手段が複数個のランプと該複数個のランプからの光を反
射および集光して各ランプの発光部の像を形成する単一
の楕円鏡とを有することを特徴とする請求項５の露光装
置。
手段が複数個のランプと該複数個のランプからの光を反
射および集光して各ランプの発光部の像を形成する単一
の楕円鏡とを有することを特徴とする請求項５の露光装
置。
【００１６】更に本発明の露光装置の好ましい形態は前
記マスクのパタ−ンを前記基板上に結像せしめる投影光
学系を有することを特徴とする。
記マスクのパタ−ンを前記基板上に結像せしめる投影光
学系を有することを特徴とする。
【００１７】本発明の露光装置を用いてＩＣ、ＬＳＩ等
の半導体デバイス、ＣＣＤ等の撮像デバイス、液晶パネ
ル、磁気ヘッド等のデバイスを正確に製造することがで
きる。
の半導体デバイス、ＣＣＤ等の撮像デバイス、液晶パネ
ル、磁気ヘッド等のデバイスを正確に製造することがで
きる。
【００１８】
【実施例】図１は本発明の一実施例を示す概略構成図で
あり、ＩＣ、ＬＳＩ等の半導体デバイス、ＣＣＤ等の撮
像デバイス、液晶パネル、磁気ヘッド等のデバイスを製
造するための走査型投影露光装置を示している。
あり、ＩＣ、ＬＳＩ等の半導体デバイス、ＣＣＤ等の撮
像デバイス、液晶パネル、磁気ヘッド等のデバイスを製
造するための走査型投影露光装置を示している。
【００１９】図１では簡略化のため図８で図示した折り
曲げミラー、コールドミラーは省略しているが、破線の
位置に、これらのミラ−が設けてあっても構わない。
曲げミラー、コールドミラーは省略しているが、破線の
位置に、これらのミラ−が設けてあっても構わない。
【００２０】図１において、１はHgランプ、Xe-Hg ラン
プ等の紫外線を発する光源であり、1aはその発光部（電
極）、２は楕円鏡であり、その第１焦点付近に光源１の
発光部1aが置かれており、楕円鏡２は発光部1aをその第
２焦点４に結像する。光源１、楕円鏡２の横に光源１、
楕円鏡２と同様のランプと楕円鏡が、光源１’、楕円鏡
２’として配置してあり、1a’は光源１’の発光部（電
極）、楕円鏡２’の第１焦点付近に光源１’の発光部1
a’が置かれており、楕円鏡２’は発光部1a’をその第
２焦点４’に結像する。第２焦点4 、4'は図１の紙面上
で光軸に対して左右に対称にずれている。第２焦点４、
４’近傍における光強度分布を図３に示す。
プ等の紫外線を発する光源であり、1aはその発光部（電
極）、２は楕円鏡であり、その第１焦点付近に光源１の
発光部1aが置かれており、楕円鏡２は発光部1aをその第
２焦点４に結像する。光源１、楕円鏡２の横に光源１、
楕円鏡２と同様のランプと楕円鏡が、光源１’、楕円鏡
２’として配置してあり、1a’は光源１’の発光部（電
極）、楕円鏡２’の第１焦点付近に光源１’の発光部1
a’が置かれており、楕円鏡２’は発光部1a’をその第
２焦点４’に結像する。第２焦点4 、4'は図１の紙面上
で光軸に対して左右に対称にずれている。第２焦点４、
４’近傍における光強度分布を図３に示す。
【００２１】第２焦点４の発光部1aの像空の光と第２焦
点４’の発光部1a’の像からの光はコンデンサーレンズ
５によりフライアイレンズ６より成るオプティカルイン
テグレーターの光入射面上に集光され、この光入射面上
には発光部1a、1a’が再結像される。７は開口絞りであ
る。
点４’の発光部1a’の像からの光はコンデンサーレンズ
５によりフライアイレンズ６より成るオプティカルイン
テグレーターの光入射面上に集光され、この光入射面上
には発光部1a、1a’が再結像される。７は開口絞りであ
る。
【００２２】この装置では、断面が長方形のスリット状
の光でレチクル１２を照明してレチクル１２上に長方形
の照明領域を形成するので、フライアイレンズの各微小
レンズの断面形状は、照明領域と相似の長方形となって
いる。
の光でレチクル１２を照明してレチクル１２上に長方形
の照明領域を形成するので、フライアイレンズの各微小
レンズの断面形状は、照明領域と相似の長方形となって
いる。
【００２３】８、１１はコンデンサーレンズであり、１
０は視野絞りであるマスキングブレードで、マスキング
ブレード１０と共役な位置にレチクル１２が位置してい
る。１４は投影光学系であり、屈折光学系、反射屈折光
学系等で構成される。１５はウェハーであり、レチクル
１２とウェハー１５は投影光学系１４に関して光学的に
共役な関係にある。１３、１６はそれぞれレチクル１２
とウェハー１５をスキャン方向に動かすための駆動装置
であり、駆動装置１３、１６によりレチクル１２とウェ
ハー１５を動かしてスリット状の光で走査露光する。
０は視野絞りであるマスキングブレードで、マスキング
ブレード１０と共役な位置にレチクル１２が位置してい
る。１４は投影光学系であり、屈折光学系、反射屈折光
学系等で構成される。１５はウェハーであり、レチクル
１２とウェハー１５は投影光学系１４に関して光学的に
共役な関係にある。１３、１６はそれぞれレチクル１２
とウェハー１５をスキャン方向に動かすための駆動装置
であり、駆動装置１３、１６によりレチクル１２とウェ
ハー１５を動かしてスリット状の光で走査露光する。
【００２４】本実施例では、第２焦点４、４’に、発光
部像1a、1a’がフライアイレンズ６の微小レンズの断面
形状の長辺方向に並んで形成されるよう構成してるた
め、第２焦点４、４’近傍における光強度分布は中心が
弱く周辺が強い（２つのピ−クを持つ）分布となり、２
光束が異なる方向からフライアイレンズに入射するの
で、フライアイレンズ６の作る有効光源の強度分布は、
図２に示す通り、各微小レンズ毎に一対の光源を持つ様
な分布になる。
部像1a、1a’がフライアイレンズ６の微小レンズの断面
形状の長辺方向に並んで形成されるよう構成してるた
め、第２焦点４、４’近傍における光強度分布は中心が
弱く周辺が強い（２つのピ−クを持つ）分布となり、２
光束が異なる方向からフライアイレンズに入射するの
で、フライアイレンズ６の作る有効光源の強度分布は、
図２に示す通り、各微小レンズ毎に一対の光源を持つ様
な分布になる。
【００２５】図１から楕円鏡２、２’が並ぶ方向とフラ
イアイレンズ６の微小レンズの断面形状の長辺方向との
関係が明白になる。
イアイレンズ６の微小レンズの断面形状の長辺方向との
関係が明白になる。
【００２６】本実施例の装置がフライアイレンズ６を介
して作る図３に示す有効光源は、図９に示した従来の有
効光源に比べ、ｘ方向とｙ方向の照度分布の差が少な
い。従って、本実施例の装置によればウェハー１５上の
像のｘ方向とｙ方向の解像度の違いも少ない。
して作る図３に示す有効光源は、図９に示した従来の有
効光源に比べ、ｘ方向とｙ方向の照度分布の差が少な
い。従って、本実施例の装置によればウェハー１５上の
像のｘ方向とｙ方向の解像度の違いも少ない。
【００２７】また、ランプを２個使うことにより従来よ
りも照度が高く、そのため半導体素子等のデバイスを生
産する際のスループットも向上している。
りも照度が高く、そのため半導体素子等のデバイスを生
産する際のスループットも向上している。
【００２８】本実施例では２個のランプと２個の楕円鏡
を用いたが、３個以上のランプと楕円鏡の組を用いても
いい。
を用いたが、３個以上のランプと楕円鏡の組を用いても
いい。
【００２９】図４は本発明の他の実施例を示す部分的概
略図であり、ランプと楕円鏡以外の他の部分の構成、配
置は図１で示す実施例と同一であるで、ここではランプ
と楕円鏡のみ図示している。本実施例では、一つ楕円鏡
２に２個のランプ１、１’が取り付け、楕円鏡２の第２
焦点４（４’）付近に２個の発光部１ａ、１ａ’を結像
せしめ、第２焦点４（４’）近傍に前記実施例と同じく
図３に示す様な光強度分布を生じせしめている。発光部
１ａ、１ａ’の並び方とフライアイレンズ６の各微小レ
ンズの長辺の向きの関係は前記実施例と同じである。従
って、本実施例の装置も前記実施例と同様の効果を示
す。
略図であり、ランプと楕円鏡以外の他の部分の構成、配
置は図１で示す実施例と同一であるで、ここではランプ
と楕円鏡のみ図示している。本実施例では、一つ楕円鏡
２に２個のランプ１、１’が取り付け、楕円鏡２の第２
焦点４（４’）付近に２個の発光部１ａ、１ａ’を結像
せしめ、第２焦点４（４’）近傍に前記実施例と同じく
図３に示す様な光強度分布を生じせしめている。発光部
１ａ、１ａ’の並び方とフライアイレンズ６の各微小レ
ンズの長辺の向きの関係は前記実施例と同じである。従
って、本実施例の装置も前記実施例と同様の効果を示
す。
【００３０】本実施例では楕円鏡を一つだけ用いている
ので、その分構造が簡単になるという利点がある。
ので、その分構造が簡単になるという利点がある。
【００３１】本実施例では２個のランプを用いたが、３
個以上のランプを用いてもいい。
個以上のランプを用いてもいい。
【００３２】図５は本発明の他の実施例を示す部分的概
略図であり、ランプと楕円鏡以外の他の部分の構成、配
置は図１で示す実施例と同一であるで、ここではランプ
と楕円鏡のみ図示している。本実施例では、一つの楕円
鏡２に２個の発光部１ａ、１ａ’を持ったランプ１が取
り付けられており、楕円鏡２の第２焦点４（４’）付近
に２個の発光部１ａ、１ａ’を結像せしめ、第２焦点４
（４’）近傍に前記実施例と同じく図３に示す様な光強
度分布を生じせしめている。発光部１ａ、１ａ’の並び
方とフライアイレンズ６の各微小レンズの長辺の向きの
関係は前記実施例と同じである。従って、本実施例の装
置も前記実施例と同様の効果を示す。
略図であり、ランプと楕円鏡以外の他の部分の構成、配
置は図１で示す実施例と同一であるで、ここではランプ
と楕円鏡のみ図示している。本実施例では、一つの楕円
鏡２に２個の発光部１ａ、１ａ’を持ったランプ１が取
り付けられており、楕円鏡２の第２焦点４（４’）付近
に２個の発光部１ａ、１ａ’を結像せしめ、第２焦点４
（４’）近傍に前記実施例と同じく図３に示す様な光強
度分布を生じせしめている。発光部１ａ、１ａ’の並び
方とフライアイレンズ６の各微小レンズの長辺の向きの
関係は前記実施例と同じである。従って、本実施例の装
置も前記実施例と同様の効果を示す。
【００３３】本実施例ではランプや楕円鏡を一つだけ用
いているので、その分構造が簡単になるという利点があ
る。
いているので、その分構造が簡単になるという利点があ
る。
【００３４】次に図１〜図５の走査型露光装置を利用し
た半導体素子の製造方法の実施例を説明する。図６は半
導体装置（ＩＣやＬＳＩ等の半導体チップ、液晶パネル
やＣＣＤ）の製造フロ−を示す。ステップ１（回路設
計）では半導体装置の回路設計を行なう。ステップ２
（マスク製作）では設計した回路パタ−ンを形成したマ
スク（レチクル３０４）を製作する。一方、ステップ３
（ウエハ−製造）ではシリコン等の材料を用いてウエハ
−（ウエハ−３０６）を製造する。ステップ４（ウエハ
−プロセス）は前工程と呼ばれ、上記用意したマスクと
ウエハ−とを用いて、リソグラフィ−技術によってウエ
ハ−上に実際の回路を形成する。次のステップ５（組み
立て）は後工程と呼ばれ、ステップ４よって作成された
ウエハ−を用いてチップ化する工程であり、アッセンブ
リ工程（ダイシング、ボンデイ ング）、パッケ−ジング
工程（チップ封入）等の工程を含む。ステップ６（検
査）ではステップ５で作成された半導体装置の動作確認
テスト、耐久性テスト等の検査を行なう。こうした工程
を経て半導体装置が完成し、これが出荷（ステップ７）
される。
た半導体素子の製造方法の実施例を説明する。図６は半
導体装置（ＩＣやＬＳＩ等の半導体チップ、液晶パネル
やＣＣＤ）の製造フロ−を示す。ステップ１（回路設
計）では半導体装置の回路設計を行なう。ステップ２
（マスク製作）では設計した回路パタ−ンを形成したマ
スク（レチクル３０４）を製作する。一方、ステップ３
（ウエハ−製造）ではシリコン等の材料を用いてウエハ
−（ウエハ−３０６）を製造する。ステップ４（ウエハ
−プロセス）は前工程と呼ばれ、上記用意したマスクと
ウエハ−とを用いて、リソグラフィ−技術によってウエ
ハ−上に実際の回路を形成する。次のステップ５（組み
立て）は後工程と呼ばれ、ステップ４よって作成された
ウエハ−を用いてチップ化する工程であり、アッセンブ
リ工程（ダイシング、ボンデイ ング）、パッケ−ジング
工程（チップ封入）等の工程を含む。ステップ６（検
査）ではステップ５で作成された半導体装置の動作確認
テスト、耐久性テスト等の検査を行なう。こうした工程
を経て半導体装置が完成し、これが出荷（ステップ７）
される。
【００３５】図７は上記ウエハ−プロセスの詳細なフロ
−を示す。ステップ１１（酸化）ではウエハ−（ウエハ
−３０６）の表面を酸化させる。ステップ１２（ＣＶ
Ｄ）ではウエハ−の表面に絶縁膜を形成する。ステップ
１３（電極形成）ではウエハ−上に電極を蒸着によって
形成する。ステップ１４（イオン打ち込み）ではウエハ
−にイオンを打ち込む。ステップ１５（レジスト処理）
ではウエハ−にレジスト（感材）を塗布する。ステップ
１６（露光）では上記走査型露光装置によってマスク
（レチクル３０４）の回路パタ−ンの像でウエハ−を露
光する。ステップ１７（現像）では露光したウエハ−を
現像する。ステップ１８（エッチング）では現像したレ
ジスト以外の部分を削り取る。ステップ１９（レジスト
剥離）ではエッチングが済んで不要となったレジストを
取り除く。これらステップを繰り返し行なうことにより
ウエハ−上に回路パタ−ンが形成される。
−を示す。ステップ１１（酸化）ではウエハ−（ウエハ
−３０６）の表面を酸化させる。ステップ１２（ＣＶ
Ｄ）ではウエハ−の表面に絶縁膜を形成する。ステップ
１３（電極形成）ではウエハ−上に電極を蒸着によって
形成する。ステップ１４（イオン打ち込み）ではウエハ
−にイオンを打ち込む。ステップ１５（レジスト処理）
ではウエハ−にレジスト（感材）を塗布する。ステップ
１６（露光）では上記走査型露光装置によってマスク
（レチクル３０４）の回路パタ−ンの像でウエハ−を露
光する。ステップ１７（現像）では露光したウエハ−を
現像する。ステップ１８（エッチング）では現像したレ
ジスト以外の部分を削り取る。ステップ１９（レジスト
剥離）ではエッチングが済んで不要となったレジストを
取り除く。これらステップを繰り返し行なうことにより
ウエハ−上に回路パタ−ンが形成される。
【００３６】本実施例の製造方法を用いれば、高集積度
の半導体素子を製造することが可能になる。
の半導体素子を製造することが可能になる。
【００３７】
【発明の効果】以上、本発明によれば、方向によらず像
質がほぼ一定の像を生じせしめることでき、像質を改善
することが可能になる。
質がほぼ一定の像を生じせしめることでき、像質を改善
することが可能になる。
【図１】本発明の一実施例を示す概略構成図である。
【図２】図１の装置のフライアイレンズと有効光源の光
強度分布とを示す図である。
強度分布とを示す図である。
【図３】図１の装置の楕円鏡の第２焦点位置近傍におけ
る光強度分布を示す図である。
る光強度分布を示す図である。
【図４】本発明の他の実施例を示す部分的概略図であ
る。
る。
【図５】本発明の他の実施例を示す部分的概略図であ
る。
る。
【図６】半導体装置の製造工程を示すフロ−チャ−ト図
である。
である。
【図７】図６の工程中のウエハ−プロセスの詳細を示す
フロ−チャ−ト図である。
フロ−チャ−ト図である。
【図８】従来の走査型投影露光装置を示す概略構成図で
ある。
ある。
【図９】図８の装置のフライアイレンズと有効光源の光
強度分布とを示す図である。
強度分布とを示す図である。
【図１０】図８の装置の楕円鏡の第２焦点位置近傍にお
ける光強度分布を示す図である。
ける光強度分布を示す図である。
１、１’ ランプ 1a、 1a ’ 発光部 ２、２’ 楕円鏡 ４、４ 第２焦点（位置） ６ フライアイレンズ １２ マスク １４ 投影光学系 １５ ウエハ−
Claims (10)
- 【請求項１】 複数個の断面が略長方形のレンズを２次
元的に配置したフライアイレンズからの光で被照明面を
照明する装置において、前記レンズの長辺方向に並んだ
複数の光源像からの光を前記フライアイレンズに照射す
る光照射手段を有することを特徴とする照明装置。 - 【請求項２】 前記光照射手段が複数個の発光部を備え
るランプと該ランプからの光を反射及び集光して前記複
数個の発光部の像を形成する楕円鏡とを有することを特
徴とする請求項１の照明装置。 - 【請求項３】 前記光照射手段が複数個のランプと該複
数個のランプからの光を反射及び集光して各ランプの発
光部の像を形成する複数個の楕円鏡とを有することを特
徴とする請求項１の照明装置。 - 【請求項４】 前記光照射手段が複数個のランプと該複
数個のランプからの光を反射および集光して各ランプの
発光部の像を形成する単一の楕円鏡とを有することを特
徴とする請求項１の照明装置。 - 【請求項５】複数個の断面が略長方形のレンズを２次元
的に配置したフライアイレンズからの光で、マスクを介
して基板を露光する装置において、前記レンズの長辺方
向に並んだ複数の光源像からの光を前記フライアイレン
ズに照射する光照射手段を有することを特徴とする露光
装置。 - 【請求項６】 前記光照射手段が複数個の発光部を備え
るランプと該ランプからの光を反射及び集光して前記複
数個の発光部の像を形成する楕円鏡とを有することを特
徴とする請求項１の露光装置。 - 【請求項７】 前記光照射手段が複数個のランプと該複
数個のランプからの光を反射及び集光して各ランプの発
光部の像を形成する複数個の楕円鏡とを有することを特
徴とする請求項１の露光装置。 - 【請求項８】 前記光照射手段が複数個のランプと該複
数個のランプからの光を反射および集光して各ランプの
発光部の像を形成する単一の楕円鏡とを有することを特
徴とする請求項５の露光装置。 - 【請求項９】 前記マスクのパタ−ンを前記基板上に結
像せしめる投影光学系を有することを特徴とする請求項
５の露光装置。 - 【請求項１０】 請求項５乃至請求項９の露光装置を用
いてデバイスを製造することを特徴とするデバイス製造
方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15905893A JP3566318B2 (ja) | 1993-06-29 | 1993-06-29 | 走査型露光装置及びデバイス製造方法 |
| KR1019940014955A KR0165701B1 (ko) | 1993-06-29 | 1994-06-28 | 조명장치 및 동장치를 사용하는 노광장치 |
| US08/711,307 US6055039A (en) | 1993-06-29 | 1996-09-03 | Illumination system and exposure apparatus using the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15905893A JP3566318B2 (ja) | 1993-06-29 | 1993-06-29 | 走査型露光装置及びデバイス製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07135149A true JPH07135149A (ja) | 1995-05-23 |
| JP3566318B2 JP3566318B2 (ja) | 2004-09-15 |
Family
ID=15685305
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15905893A Expired - Fee Related JP3566318B2 (ja) | 1993-06-29 | 1993-06-29 | 走査型露光装置及びデバイス製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3566318B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004361746A (ja) * | 2003-06-05 | 2004-12-24 | Mejiro Genossen:Kk | 露光用照明装置 |
| JP2008058899A (ja) * | 2006-09-04 | 2008-03-13 | Hitachi High-Technologies Corp | 露光装置、露光方法、及び表示用パネル基板の製造方法 |
| JP2010245224A (ja) * | 2009-04-03 | 2010-10-28 | Nikon Corp | 照明装置、露光装置、及びデバイス製造方法 |
-
1993
- 1993-06-29 JP JP15905893A patent/JP3566318B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004361746A (ja) * | 2003-06-05 | 2004-12-24 | Mejiro Genossen:Kk | 露光用照明装置 |
| JP2008058899A (ja) * | 2006-09-04 | 2008-03-13 | Hitachi High-Technologies Corp | 露光装置、露光方法、及び表示用パネル基板の製造方法 |
| JP2010245224A (ja) * | 2009-04-03 | 2010-10-28 | Nikon Corp | 照明装置、露光装置、及びデバイス製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3566318B2 (ja) | 2004-09-15 |
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