JPH06181161A - 反射屈折型光学系及び該光学系を備える投影露光装置 - Google Patents
反射屈折型光学系及び該光学系を備える投影露光装置Info
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- JPH06181161A JPH06181161A JP4333090A JP33309092A JPH06181161A JP H06181161 A JPH06181161 A JP H06181161A JP 4333090 A JP4333090 A JP 4333090A JP 33309092 A JP33309092 A JP 33309092A JP H06181161 A JPH06181161 A JP H06181161A
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70225—Optical aspects of catadioptric systems, i.e. comprising reflective and refractive elements
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Projection-Type Copiers In General (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 明るい微細パターン像を得る。
【構成】 レンズ群（２）と偏光ビームスプリッター
（３）と反射光学系（４、５、６）とレンズ群（１０）
を備え、レチクル１の微細パターンをウエハ（９）上に
結像する反射屈折光学系において、反射光学系（７、
８、９）を設けることにより、偏光ビームスプリッター
で生じた２つの偏光光の双方を用いて、微細パターンを
ウエハ１１上に結像する。
（３）と反射光学系（４、５、６）とレンズ群（１０）
を備え、レチクル１の微細パターンをウエハ（９）上に
結像する反射屈折光学系において、反射光学系（７、
８、９）を設けることにより、偏光ビームスプリッター
で生じた２つの偏光光の双方を用いて、微細パターンを
ウエハ１１上に結像する。
Description
【０００１】
【技術分野】本発明は反射屈折型光学系、特にＩＣやＬ
ＳＩ等の半導体デバイスやＣＣＤ等撮像デバイスや液晶
パネル等の表示デバイスを製造する為に使用される微細
パターン結像用の反射屈折型光学系と該反射屈折光学系
を備える投影露光装置に関する。
ＳＩ等の半導体デバイスやＣＣＤ等撮像デバイスや液晶
パネル等の表示デバイスを製造する為に使用される微細
パターン結像用の反射屈折型光学系と該反射屈折光学系
を備える投影露光装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＩＣ、ＬＳＩ等の半導体装置の高集積化
が益々加速度を増しており、これに伴なう半導体ウエハ
ーの微細加工技術の進展も著しい。この微細加工技術の
中心をなす投影露光技術は、現在、０．５ミクロン以下
の寸法の像を形成するべく、解像度の向上が図られてい
る。
が益々加速度を増しており、これに伴なう半導体ウエハ
ーの微細加工技術の進展も著しい。この微細加工技術の
中心をなす投影露光技術は、現在、０．５ミクロン以下
の寸法の像を形成するべく、解像度の向上が図られてい
る。
【０００３】解像度を向上させるべく露光光の波長を短
くする方法があるが、波長が短くなると投影レンズ系に
使用可能な硝材の種類が制限される為、色収差の補正が
難しくなる。
くする方法があるが、波長が短くなると投影レンズ系に
使用可能な硝材の種類が制限される為、色収差の補正が
難しくなる。
【０００４】この色収差の補正に関する負荷を軽減させ
た投影光学系として、主として凹面鏡のパワーで結像を
行う、この凹面鏡とレンズ群とにより構成された反射屈
折型光学系がある。
た投影光学系として、主として凹面鏡のパワーで結像を
行う、この凹面鏡とレンズ群とにより構成された反射屈
折型光学系がある。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】この反射屈折型光学系
は、物平面側から順に偏光ビームスプリッターと１／４
波長板と凹面鏡を備えており、物平面からの光を偏光ビ
ームスプリッターと１／４波長板を介して凹面鏡で反射
した後、再度１／４波長と偏光ビームスプリッターを介
して像平面に結像するものであり、偏光ビームスプリッ
ターで物平面からの光が分割されて生じる２つの偏光光
の一方しか結像に寄与しない為に、像が暗いという問題
がある。
は、物平面側から順に偏光ビームスプリッターと１／４
波長板と凹面鏡を備えており、物平面からの光を偏光ビ
ームスプリッターと１／４波長板を介して凹面鏡で反射
した後、再度１／４波長と偏光ビームスプリッターを介
して像平面に結像するものであり、偏光ビームスプリッ
ターで物平面からの光が分割されて生じる２つの偏光光
の一方しか結像に寄与しない為に、像が暗いという問題
がある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の反射屈折光学系
は、物平面側から順に偏光ビームスプリッターと第１の
１／４波長板と第１の凹面鏡を備えており、物平面から
の光を偏光ビームスプリッターと第１の１／４波長板を
介して第１の凹面鏡で反射した後、再度第１の１／４波
長と偏光ビームスプリッターを介して像平面に結像する
反射屈折型光学系において、前記物平面側から順に第２
の１／４波長板と第２の凹面鏡を設け、前記偏光ビーム
スプリッターで生じる２つの偏光光の一方の偏光光を第
１の１／４波長板に他方の偏光光を第２の１／４波長板
に向け、前記他方の偏光光を第２の１／４波長板を介し
て第２の凹面鏡で反射した後、再度第２の１／４波長と
前記偏光ビームスプリッターを介して前記像平面に結像
せしめることにより、上記問題を解決しようとするもの
である。
は、物平面側から順に偏光ビームスプリッターと第１の
１／４波長板と第１の凹面鏡を備えており、物平面から
の光を偏光ビームスプリッターと第１の１／４波長板を
介して第１の凹面鏡で反射した後、再度第１の１／４波
長と偏光ビームスプリッターを介して像平面に結像する
反射屈折型光学系において、前記物平面側から順に第２
の１／４波長板と第２の凹面鏡を設け、前記偏光ビーム
スプリッターで生じる２つの偏光光の一方の偏光光を第
１の１／４波長板に他方の偏光光を第２の１／４波長板
に向け、前記他方の偏光光を第２の１／４波長板を介し
て第２の凹面鏡で反射した後、再度第２の１／４波長と
前記偏光ビームスプリッターを介して前記像平面に結像
せしめることにより、上記問題を解決しようとするもの
である。
【０００７】本発明の投影露光装置は、マスクのパター
ンを投影光学系により被露光基板上に投影する投影露光
装置において、前記投影光学系が、前記マスク側から順
に偏光ビームスプリッターと第１の１／４波長板と第１
の凹面鏡を備えており、前記マスクからの光を偏光ビー
ムスプリッターと第１の１／４波長板を介して第１の凹
面鏡で反射した後、再度第１の１／４波長と偏光ビーム
スプリッターを介して前記ウエハ上に結像するよう配置
し、更に、前記マスク側から順に第２の１／４波長板と
第２の凹面鏡を設け、前記偏光ビームスプリッターで生
じる２つの偏光光の一方の偏光光を第１の１／４波長板
に他方の偏光光を第２の１／４波長板に向け、前記他方
の偏光光を第２の１／４波長板を介して第２の凹面鏡で
反射した後、再度第２の１／４波長と前記偏光ビームス
プリッターを介して前記ウエハ上に結像せしめることに
より、上記課題を解決しようとするものである。
ンを投影光学系により被露光基板上に投影する投影露光
装置において、前記投影光学系が、前記マスク側から順
に偏光ビームスプリッターと第１の１／４波長板と第１
の凹面鏡を備えており、前記マスクからの光を偏光ビー
ムスプリッターと第１の１／４波長板を介して第１の凹
面鏡で反射した後、再度第１の１／４波長と偏光ビーム
スプリッターを介して前記ウエハ上に結像するよう配置
し、更に、前記マスク側から順に第２の１／４波長板と
第２の凹面鏡を設け、前記偏光ビームスプリッターで生
じる２つの偏光光の一方の偏光光を第１の１／４波長板
に他方の偏光光を第２の１／４波長板に向け、前記他方
の偏光光を第２の１／４波長板を介して第２の凹面鏡で
反射した後、再度第２の１／４波長と前記偏光ビームス
プリッターを介して前記ウエハ上に結像せしめることに
より、上記課題を解決しようとするものである。
【０００８】本発明の反射屈折型光学系及び投影露光装
置は、ＩＣやＬＳＩ等の半導体デバイスやＣＣＤ等撮像
デバイスや液晶パネル等の表示デバイスを製造する為
に、効果的に使用される。特に、投影光学系となる反射
屈折光学系の倍率を縮小にすることにより、遠紫外光を
用いて、０．５ｕｍ以下の微細なデバイスパターンを結
像できる。
置は、ＩＣやＬＳＩ等の半導体デバイスやＣＣＤ等撮像
デバイスや液晶パネル等の表示デバイスを製造する為
に、効果的に使用される。特に、投影光学系となる反射
屈折光学系の倍率を縮小にすることにより、遠紫外光を
用いて、０．５ｕｍ以下の微細なデバイスパターンを結
像できる。
【０００９】
【実施例】図１は本発明の一実施例であるところの半導
体素子製造用縮小投影露光装置を示す。
体素子製造用縮小投影露光装置を示す。
【００１０】図１において、１はウエハ９上に転写され
るべき半導体素子の回路パターンが形成されたレチクル
で、反射屈折型光学系１００の物平面に不図示のレチク
ルステージにより保持され、不図示の照明系からの、自
然光（無偏光）や楕円偏光光（円偏光含む。）や幾つか
の偏光光が混在した、波長λ（＜３００ｎｍ）の遠紫外
光によりレチクル１の回路パターンが均一な照度で照明
される。レチクル１の回路パターンからの０次や１次の
回折光を含む発散光は正の屈折力を備えるコリメーター
レンズ群２に入射する。レンズ群２は、この発散光を、
光軸ＡＸにほぼ平行な光線の束より成る平行光に変換
し、偏光ビームスプリッター３に入射させる。
るべき半導体素子の回路パターンが形成されたレチクル
で、反射屈折型光学系１００の物平面に不図示のレチク
ルステージにより保持され、不図示の照明系からの、自
然光（無偏光）や楕円偏光光（円偏光含む。）や幾つか
の偏光光が混在した、波長λ（＜３００ｎｍ）の遠紫外
光によりレチクル１の回路パターンが均一な照度で照明
される。レチクル１の回路パターンからの０次や１次の
回折光を含む発散光は正の屈折力を備えるコリメーター
レンズ群２に入射する。レンズ群２は、この発散光を、
光軸ＡＸにほぼ平行な光線の束より成る平行光に変換
し、偏光ビームスプリッター３に入射させる。
【００１１】偏光ビームスプリッター３は分割面３ａで
入射平行光を分割面３ａを透過するＰ偏光光と分割面３
ａで反射するＳ偏光光とに分割する。Ｐ偏光光は偏光ビ
ームスプリッター３を透過して直進し、１／４波長（λ
／４）板４を介して、負の屈折力を備える第１レンズ群
５に入射する。一方、Ｓ偏光光は偏光ビームスプリッタ
ー３で上方に反射されて、１／４波長（λ／４）板７を
介して、負の屈折力を備える第２レンズ群８に入射す
る。
入射平行光を分割面３ａを透過するＰ偏光光と分割面３
ａで反射するＳ偏光光とに分割する。Ｐ偏光光は偏光ビ
ームスプリッター３を透過して直進し、１／４波長（λ
／４）板４を介して、負の屈折力を備える第１レンズ群
５に入射する。一方、Ｓ偏光光は偏光ビームスプリッタ
ー３で上方に反射されて、１／４波長（λ／４）板７を
介して、負の屈折力を備える第２レンズ群８に入射す
る。
【００１２】１／４波長板４は、図の左側から入射する
Ｐ偏光光を円偏光にし且つ図の右側から入射する円偏光
光をＳ偏光光に変換するよう構成、配置されている。
又、１／４波長板７は、図の下側から入射するＳ偏光光
を円偏光にし且つ図の上側から入射する円偏光光をＰ偏
光光に変換するよう構成、配置されている。
Ｐ偏光光を円偏光にし且つ図の右側から入射する円偏光
光をＳ偏光光に変換するよう構成、配置されている。
又、１／４波長板７は、図の下側から入射するＳ偏光光
を円偏光にし且つ図の上側から入射する円偏光光をＰ偏
光光に変換するよう構成、配置されている。
【００１３】第１レンズ群５は、偏光ビームスプリッタ
ー３及び１／４波長板４を通過した平行光を発散光に変
換して凹面鏡６に入射させる。凹面鏡６は光軸ＡＸに関
して回転対称な球面反射面を備えており、凹面鏡６は、
入射発散光を反射、集光して再びレンズ群５に入射さ
せ、第１レンズ群５と１／４波長板４とを介して偏光ビ
ームスプリッター３に向ける。凹面鏡６で反射、集光さ
れて偏光ビームスプリッター３に再入射する光は、１／
４波長板４の作用で分割面３ａに関してＳ偏光光となっ
ている為、この再入射光は、偏光ビームスプリッター３
の分割面３ａによって、図の下方に反射される。
ー３及び１／４波長板４を通過した平行光を発散光に変
換して凹面鏡６に入射させる。凹面鏡６は光軸ＡＸに関
して回転対称な球面反射面を備えており、凹面鏡６は、
入射発散光を反射、集光して再びレンズ群５に入射さ
せ、第１レンズ群５と１／４波長板４とを介して偏光ビ
ームスプリッター３に向ける。凹面鏡６で反射、集光さ
れて偏光ビームスプリッター３に再入射する光は、１／
４波長板４の作用で分割面３ａに関してＳ偏光光となっ
ている為、この再入射光は、偏光ビームスプリッター３
の分割面３ａによって、図の下方に反射される。
【００１４】第２レンズ群８は、偏光ビームスプリッタ
ー３及び１／４波長板７を通過した平行光を発散光に変
換して凹面鏡９に入射させる。凹面鏡９も光軸ＡＸに関
して回転対称な球面反射面を備えており、凹面鏡９は、
入射発散光を反射、集光して再びレンズ群８に入射さ
せ、第２レンズ群８と１／４波長板７とを介して偏光ビ
ームスプリッター３に向ける。凹面鏡８で反射、集光さ
れて偏光ビームスプリッター３に再入射する光は、１／
４波長板７の作用で分割面３ａに関してＰ偏光光となっ
ている為、この再入射光は、偏光ビームスプリッター３
の分割面３ａを図の下方に向けて透過−直進する。
ー３及び１／４波長板７を通過した平行光を発散光に変
換して凹面鏡９に入射させる。凹面鏡９も光軸ＡＸに関
して回転対称な球面反射面を備えており、凹面鏡９は、
入射発散光を反射、集光して再びレンズ群８に入射さ
せ、第２レンズ群８と１／４波長板７とを介して偏光ビ
ームスプリッター３に向ける。凹面鏡８で反射、集光さ
れて偏光ビームスプリッター３に再入射する光は、１／
４波長板７の作用で分割面３ａに関してＰ偏光光となっ
ている為、この再入射光は、偏光ビームスプリッター３
の分割面３ａを図の下方に向けて透過−直進する。
【００１５】偏光ビームスプリッター３の下方には、正
の屈折力を備えるコンデンサーレンズ群１０が設けられ
てあり、レンズ群１０の更に下方には反射屈折型光学系
１００の像平面に被露光面が一致するように、半導体デ
バイス製造用のシリコンウエハ１１が不図示の可動ＸＹ
ステージにより保持されている。
の屈折力を備えるコンデンサーレンズ群１０が設けられ
てあり、レンズ群１０の更に下方には反射屈折型光学系
１００の像平面に被露光面が一致するように、半導体デ
バイス製造用のシリコンウエハ１１が不図示の可動ＸＹ
ステージにより保持されている。
【００１６】コンデンサーレンズ群１０は、凹面鏡６で
反射されて偏光ビームスプリッター３に再入射した再入
射光（Ｓ偏光光）と凹面鏡９で反射されて偏光ビームス
プリッター３に再入射した再入射光（Ｐ偏光光）とを集
光し、各々の再入射光によりレチクル１の回路パターン
の縮小像をウエハ１１上に形成する。第１の反射光学系
（４、５、６）と第２の反射光学系（７、８、９）とは
全く同じ構成（材質、形状、配置等）を備えており、両
者の光軸はどちらも光軸ＡＸと完全に重なっている。従
って、各々の再入射光によりウエハ１１上に形成される
像同士は完全に重なる。
反射されて偏光ビームスプリッター３に再入射した再入
射光（Ｓ偏光光）と凹面鏡９で反射されて偏光ビームス
プリッター３に再入射した再入射光（Ｐ偏光光）とを集
光し、各々の再入射光によりレチクル１の回路パターン
の縮小像をウエハ１１上に形成する。第１の反射光学系
（４、５、６）と第２の反射光学系（７、８、９）とは
全く同じ構成（材質、形状、配置等）を備えており、両
者の光軸はどちらも光軸ＡＸと完全に重なっている。従
って、各々の再入射光によりウエハ１１上に形成される
像同士は完全に重なる。
【００１７】本投影露光装置は、偏光ビームスプリッタ
ー３で平行光が分割されて生じる２つの偏光光の双方を
結像に用いるので、光利用効率が高く、ウエハ１１上に
明るい像を作ることができる。
ー３で平行光が分割されて生じる２つの偏光光の双方を
結像に用いるので、光利用効率が高く、ウエハ１１上に
明るい像を作ることができる。
【００１８】又、結像に一つの直線偏光光が用いられる
と、０．５ｕｍ以下の微細な像を形成する場合には、物
平面の（線状）パターンの（長手）方向性に依存して結
像性能が変化するといった問題があり、例えば、開口数
ＮＡ＝０．５、設計波長２４８ｎｍの投影光学系と位相
シフトマスク（ライン＆スペースパターン）を用いて形
成できる０．２ｕｍの像のコントラストは、結像に用い
る光の偏光方向がパターンの長手方向と平行か垂直かに
よって、２０％程度の差が生じるが、本投影露光装置で
は、互いに直交する２つの偏光光により結像を行なうよ
う構成してあるので、微細パターンの結像に際しても、
微細パターンの偏光依存性によるパターン毎の解像度の
不均一が生じることが少ない。即ち、本投影露光装置
は、レチクル１の微細パターンの種類（方向性）によら
ず、ほぼ一定の解像力を持つことになる。
と、０．５ｕｍ以下の微細な像を形成する場合には、物
平面の（線状）パターンの（長手）方向性に依存して結
像性能が変化するといった問題があり、例えば、開口数
ＮＡ＝０．５、設計波長２４８ｎｍの投影光学系と位相
シフトマスク（ライン＆スペースパターン）を用いて形
成できる０．２ｕｍの像のコントラストは、結像に用い
る光の偏光方向がパターンの長手方向と平行か垂直かに
よって、２０％程度の差が生じるが、本投影露光装置で
は、互いに直交する２つの偏光光により結像を行なうよ
う構成してあるので、微細パターンの結像に際しても、
微細パターンの偏光依存性によるパターン毎の解像度の
不均一が生じることが少ない。即ち、本投影露光装置
は、レチクル１の微細パターンの種類（方向性）によら
ず、ほぼ一定の解像力を持つことになる。
【００１９】本投影露光装置において、レチクル１を保
持するレチクルステージを水平に置き、このレチクルス
テージとレンズ群２の間に光軸ＡＸを４５度折り曲げる
反射鏡を置くことにより、全体が小型になる。
持するレチクルステージを水平に置き、このレチクルス
テージとレンズ群２の間に光軸ＡＸを４５度折り曲げる
反射鏡を置くことにより、全体が小型になる。
【００２０】本投影露光装置は、回路パターンをウエハ
９のほぼ全面に形成する為に、ウエハ９を保持するＸＹ
ステージをステップ移動させてステップ＆リピート方式
の露光を行なう形態や、ウエハ９を保持するＸＹステー
ジをステップ移動−スキャン移動させてステップ＆スキ
ャン方式の露光を行なう形態等を採るよう構成できる。
９のほぼ全面に形成する為に、ウエハ９を保持するＸＹ
ステージをステップ移動させてステップ＆リピート方式
の露光を行なう形態や、ウエハ９を保持するＸＹステー
ジをステップ移動−スキャン移動させてステップ＆スキ
ャン方式の露光を行なう形態等を採るよう構成できる。
【００２１】又、本投影露光装置では、レチクル１とし
て例えば位相シフトマスクを用い、より微細なパターン
を結像することができる。又、不図示の照明系を光軸Ａ
Ｘに関して傾いた方向からレチクル１を照明する斜め照
明が可能な系としても、より微細パターンを結像するこ
とができる。
て例えば位相シフトマスクを用い、より微細なパターン
を結像することができる。又、不図示の照明系を光軸Ａ
Ｘに関して傾いた方向からレチクル１を照明する斜め照
明が可能な系としても、より微細パターンを結像するこ
とができる。
【００２２】又、本投影露光装置では、ＫｒＦエキマシ
レーザー（λ≒２４８ｎｍ）、ＡｒＦエキシマレーザー
（λ≒１９３ｎｍ）、超高圧水銀灯（輝線スペクトル：
λ≒２５０ｎｍ）等の光源を用いる。
レーザー（λ≒２４８ｎｍ）、ＡｒＦエキシマレーザー
（λ≒１９３ｎｍ）、超高圧水銀灯（輝線スペクトル：
λ≒２５０ｎｍ）等の光源を用いる。
【００２３】次に図１の投影露光装置とレチクル１とを
利用した半導体素子の製造方法の実施例を説明する。図
２は半導体装置（ＩＣやＬＳＩ等の半導体チップ、液晶
パネルやＣＣＤ）の製造フローを示す。ステップ１（回
路設計）では半導体装置の回路設計を行なう。ステップ
２（マスク製作）では設計した回路パターンを形成した
マスク（レチクル３０４）を製作する。一方、ステップ
３（ウエハー製造）ではシリコン等の材料を用いてウエ
ハー（ウエハー３０６）を製造する。ステップ４（ウエ
ハープロセス）は前工程と呼ばれ、上記用意したマスク
とウエハーとを用いて、リソグラフィー技術によってウ
エハー上に実際の回路を形成する。次のステップ５（組
み立て）は後工程と呼ばれ、ステップ４よって作成され
たウエハーを用いてチップ化する工程であり、アッセン
ブリ工程（ダイシング、ボンデイング）、パッケージン
グ工程（チップ封入）等の工程を含む。ステップ６（検
査）ではステップ５で作成された半導体装置の動作確認
テスト、耐久性テスト等の検査を行なう。こうした工程
を経て半導体装置が完成し、これが出荷（ステップ７）
される。
利用した半導体素子の製造方法の実施例を説明する。図
２は半導体装置（ＩＣやＬＳＩ等の半導体チップ、液晶
パネルやＣＣＤ）の製造フローを示す。ステップ１（回
路設計）では半導体装置の回路設計を行なう。ステップ
２（マスク製作）では設計した回路パターンを形成した
マスク（レチクル３０４）を製作する。一方、ステップ
３（ウエハー製造）ではシリコン等の材料を用いてウエ
ハー（ウエハー３０６）を製造する。ステップ４（ウエ
ハープロセス）は前工程と呼ばれ、上記用意したマスク
とウエハーとを用いて、リソグラフィー技術によってウ
エハー上に実際の回路を形成する。次のステップ５（組
み立て）は後工程と呼ばれ、ステップ４よって作成され
たウエハーを用いてチップ化する工程であり、アッセン
ブリ工程（ダイシング、ボンデイング）、パッケージン
グ工程（チップ封入）等の工程を含む。ステップ６（検
査）ではステップ５で作成された半導体装置の動作確認
テスト、耐久性テスト等の検査を行なう。こうした工程
を経て半導体装置が完成し、これが出荷（ステップ７）
される。
【００２４】図３は上記ウエハープロセスの詳細なフロ
ーを示す。ステップ１１（酸化）ではウエハー（ウエハ
ー３０６）の表面を酸化させる。ステップ１２（ＣＶ
Ｄ）ではウエハーの表面に絶縁膜を形成する。ステップ
１３（電極形成）ではウエハー上に電極を蒸着によって
形成する。ステップ１４（イオン打ち込み）ではウエハ
ーにイオンを打ち込む。ステップ１５（レジスト処理）
ではウエハーにレジスト（感材）を塗布する。ステップ
１６（露光）では上記投影露光装置によってマスク（レ
チクル３０４）の回路パターンの像でウエハーを露光す
る。ステップ１７（現像）では露光したウエハーを現像
する。ステップ１８（エッチング）では現像したレジス
ト以外の部分を削り取る。ステップ１９（レジスト剥
離）ではエッチングが済んで不要となったレジストを取
り除く。これらステップを繰り返し行なうことによりウ
エハー上に回路パターンが形成される。
ーを示す。ステップ１１（酸化）ではウエハー（ウエハ
ー３０６）の表面を酸化させる。ステップ１２（ＣＶ
Ｄ）ではウエハーの表面に絶縁膜を形成する。ステップ
１３（電極形成）ではウエハー上に電極を蒸着によって
形成する。ステップ１４（イオン打ち込み）ではウエハ
ーにイオンを打ち込む。ステップ１５（レジスト処理）
ではウエハーにレジスト（感材）を塗布する。ステップ
１６（露光）では上記投影露光装置によってマスク（レ
チクル３０４）の回路パターンの像でウエハーを露光す
る。ステップ１７（現像）では露光したウエハーを現像
する。ステップ１８（エッチング）では現像したレジス
ト以外の部分を削り取る。ステップ１９（レジスト剥
離）ではエッチングが済んで不要となったレジストを取
り除く。これらステップを繰り返し行なうことによりウ
エハー上に回路パターンが形成される。
【００２５】本実施例の製造方法を用いれば、従来は難
しかった高集積度の半導体素子を製造することが可能に
なる。
しかった高集積度の半導体素子を製造することが可能に
なる。
【００２６】
【発明の効果】以上、本発明では、偏光ビームスプリッ
ターで生じる２つの偏光光の双方を結像に用いるので、
明るい像を作ることができる。従って、反射屈折型光学
系により投影露光を行なう生産性に優れた投影露光装置
と反射屈折型光学系により各種デバイスを製造する生産
性に優れた方法とを提供できる。
ターで生じる２つの偏光光の双方を結像に用いるので、
明るい像を作ることができる。従って、反射屈折型光学
系により投影露光を行なう生産性に優れた投影露光装置
と反射屈折型光学系により各種デバイスを製造する生産
性に優れた方法とを提供できる。
【図１】本発明の一実施例を示す半導体素子製造用縮小
投影露光装置の概略図である。
投影露光装置の概略図である。
【図２】半導体素子の製造工程を示すフローチャート図
である。
である。
【図３】図２の工程中のウエハープロセスの詳細を示す
フローチャート図である。
フローチャート図である。
【符号の説明】 １ レチクル ２、５、７、１０ レンズ群 ３ 偏光ビームスプリッター ４、７ １／４波長板 ６、９ 凹面鏡 １１ ウエハ
Claims (8)
- 【請求項１】 物平面側から順に偏光ビームスプリッタ
ーと第１の１／４波長板と第１の凹面鏡を備えており、
物平面からの光を偏光ビームスプリッターと第１の１／
４波長板を介して第１の凹面鏡で反射した後、再度第１
の１／４波長と偏光ビームスプリッターを介して像平面
に結像する反射屈折型光学系において、前記物平面側か
ら順に第２の１／４波長板と第２の凹面鏡を設け、前記
偏光ビームスプリッターで生じる２つの偏光光の一方の
偏光光を第１の１／４波長板に他方の偏光光を第２の１
／４波長板に向け、前記他方の偏光光を第２の１／４波
長板を介して第２の凹面鏡で反射した後、再度第２の１
／４波長と前記偏光ビームスプリッターを介して前記像
平面に結像せしめることを特徴とする反射屈折型光学
系。 - 【請求項２】 前記物平面側から順に、物平面からの発
散光を平行光に変換し、前記偏光ビームスプリッターに
入射させるコリメーターレンズ群と、前記偏光ビームス
プリッターからの前記平行光の内の前記一方の偏光光を
発散光に変換し、前記第１の凹面鏡に入射させる第１レ
ンズ群と、前記偏光ビームスプリッターからの前記平行
光の内の前記他方の偏光光を発散光に変換し、前記第２
の凹面鏡に入射させる第２レンズ群と、前記第１の凹面
鏡により反射及び集光されて前記第１レンズ群を介して
前記偏光ビームスプリッターに戻された光と前記第２の
凹面鏡により反射及び集光されて前記第２レンズ群を介
して前記偏光ビームスプリッターに戻された光とを前記
偏光ビームスプリッターを介して受け、像平面に集光す
るコンデンサーレンズ群とを備えることを特徴とする請
求項１の反射屈折型光学系。 - 【請求項３】 前記第１レンズ群と前記第２レンズ群と
が互いに同じ構成を有し、前記第１の凹面鏡と前記第２
の凹面鏡とが互いに同じ構成を有することを特徴とする
請求項２の反射屈折型光学系。 - 【請求項４】 倍率を縮小に設定してあることを特徴と
する請求項１〜３の反射屈折型光学系。 - 【請求項５】 マスクのパターンを投影光学系により被
露光基板上に投影する投影露光装置において、前記投影
光学系が、前記マスク側から順に偏光ビームスプリッタ
ーと第１の１／４波長板と第１の凹面鏡を備えており、
前記マスクからの光を偏光ビームスプリッターと第１の
１／４波長板を介して第１の凹面鏡で反射した後、再度
第１の１／４波長と偏光ビームスプリッターを介して前
記ウエハ上に結像するよう配置し、更に、前記マスク側
から順に第２の１／４波長板と第２の凹面鏡を設け、前
記偏光ビームスプリッターで生じる２つの偏光光の一方
の偏光光を第１の１／４波長板に他方の偏光光を第２の
１／４波長板に向け、前記他方の偏光光を第２の１／４
波長板を介して第２の凹面鏡で反射した後、再度第２の
１／４波長と前記偏光ビームスプリッターを介して前記
ウエハ上に結像せしめることを特徴とする投影露光装
置。 - 【請求項６】 前記投影光学系が、前記マスク側から順
に、前記マスクからの発散光を平行光に変換し、前記偏
光ビームスプリッターに入射させるコリメーターレンズ
群と、前記偏光ビームスプリッターからの前記平行光の
内の前記一方の偏光光を発散光に変換し、前記第１の凹
面鏡に入射させる第１レンズ群と、前記偏光ビームスプ
リッターからの前記平行光の内の前記他方の偏光光を発
散光に変換し、前記第２の凹面鏡に入射させる第２レン
ズ群と、前記第１の凹面鏡により反射及び集光されて前
記第１レンズ群を介して前記偏光ビームスプリッターに
戻された光と前記第２の凹面鏡により反射及び集光され
て前記第２レンズ群を介して前記偏光ビームスプリッタ
ーに戻された光とを前記偏光ビームスプリッターを介し
て受け、前記ウエハ上に集光するコンデンサーレンズ群
とを備えることを特徴とする請求項５の投影露光装置。 - 【請求項７】 前記第１レンズ群と前記第２レンズ群と
が互いに同じ構成を有し、前記第１の凹面鏡と前記第２
の凹面鏡とが互いに同じ構成を有することを特徴とする
請求項６の投影露光装置。 - 【請求項８】 倍率を縮小に設定してあることを特徴と
する請求項５〜７の投影露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4333090A JPH06181161A (ja) | 1992-12-14 | 1992-12-14 | 反射屈折型光学系及び該光学系を備える投影露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4333090A JPH06181161A (ja) | 1992-12-14 | 1992-12-14 | 反射屈折型光学系及び該光学系を備える投影露光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06181161A true JPH06181161A (ja) | 1994-06-28 |
Family
ID=18262164
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4333090A Pending JPH06181161A (ja) | 1992-12-14 | 1992-12-14 | 反射屈折型光学系及び該光学系を備える投影露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06181161A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1426825A2 (en) * | 2002-12-02 | 2004-06-09 | ASML Holding N.V. | Catadioptric lithographic projection apparatus with a non-inverting beamsplitter system |
| WO2013080996A1 (ja) * | 2011-11-30 | 2013-06-06 | 株式会社オーク製作所 | 反射屈折型投影光学系およびそれを備えた投影露光装置 |
-
1992
- 1992-12-14 JP JP4333090A patent/JPH06181161A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1426825A2 (en) * | 2002-12-02 | 2004-06-09 | ASML Holding N.V. | Catadioptric lithographic projection apparatus with a non-inverting beamsplitter system |
| EP1426825A3 (en) * | 2002-12-02 | 2006-02-22 | ASML Holding N.V. | Catadioptric lithographic projection apparatus with a non-inverting beamsplitter system |
| US7199862B2 (en) | 2002-12-02 | 2007-04-03 | Asml Holding N.V. | Beam-splitter optics design that maintains an unflipped (unmirrored) image for a catadioptric lithographic system |
| CN100458566C (zh) * | 2002-12-02 | 2009-02-04 | Asml控股股份有限公司 | 保持折反射光刻系统以无翻转（非镜面）像的分束器光学设计 |
| WO2013080996A1 (ja) * | 2011-11-30 | 2013-06-06 | 株式会社オーク製作所 | 反射屈折型投影光学系およびそれを備えた投影露光装置 |
| JP2013114175A (ja) * | 2011-11-30 | 2013-06-10 | Orc Manufacturing Co Ltd | 反射屈折型投影光学系およびそれを備えた投影露光装置 |
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