JPH0992592A - 走査露光装置及びそれを用いたデバイスの製造方法 - Google Patents
走査露光装置及びそれを用いたデバイスの製造方法Info
- Publication number
- JPH0992592A JPH0992592A JP7269435A JP26943595A JPH0992592A JP H0992592 A JPH0992592 A JP H0992592A JP 7269435 A JP7269435 A JP 7269435A JP 26943595 A JP26943595 A JP 26943595A JP H0992592 A JPH0992592 A JP H0992592A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- scanning
- mask
- optical system
- exposure apparatus
- reflecting
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70225—Optical aspects of catadioptric systems, i.e. comprising reflective and refractive elements
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70358—Scanning exposure, i.e. relative movement of patterned beam and workpiece during imaging
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 マスク上のパターンを感光基板上に高速でし
かも高精度に走査露光することができる走査露光装置及
びそれを用いたデバイスの製造方法を得ること。 【解決手段】 マスクのパターンの各部分を被露光物体
の対応する部分に順次投影する走査型露光装置におい
て、前記マスク又は被露光物体に沿って移動し、前記マ
スクパターンの各部分からの光を受けて前記被露光物体
に順次向ける走査部材と、前記マスクパターンの各部分
からの光の光路長の変化を補正するように移動する補正
部材とを有し、前記被露光物体又はマスクを前記走査部
材及び補正部材の移動と同期させて移動させること。
かも高精度に走査露光することができる走査露光装置及
びそれを用いたデバイスの製造方法を得ること。 【解決手段】 マスクのパターンの各部分を被露光物体
の対応する部分に順次投影する走査型露光装置におい
て、前記マスク又は被露光物体に沿って移動し、前記マ
スクパターンの各部分からの光を受けて前記被露光物体
に順次向ける走査部材と、前記マスクパターンの各部分
からの光の光路長の変化を補正するように移動する補正
部材とを有し、前記被露光物体又はマスクを前記走査部
材及び補正部材の移動と同期させて移動させること。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は走査露光装置及びそ
れを用いたデバイスの製造方法に関し、例えばＩＣやＬ
ＳＩ等の半導体デバイスやＣＣＤ等の撮像デバイスや液
晶パネル等の表示デバイスや磁気ヘッド等のデバイスを
製造する工程のうちリソグラフィー工程に使用される際
に好適なものである。
れを用いたデバイスの製造方法に関し、例えばＩＣやＬ
ＳＩ等の半導体デバイスやＣＣＤ等の撮像デバイスや液
晶パネル等の表示デバイスや磁気ヘッド等のデバイスを
製造する工程のうちリソグラフィー工程に使用される際
に好適なものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、ＩＣ，ＬＳＩ等の半導体デバイス
の高集積化がますます加速度を増しており、これに伴う
半導体ウエハの微細加工技術の進展も著しい。この微細
加工技術としてマスク（レチクル）の回路パターン像を
投影光学系により感光基板上に形成し、感光基板をステ
ップアンドリピート方式で露光する縮小露光装置（ステ
ッパー）が種々と提案されている。
の高集積化がますます加速度を増しており、これに伴う
半導体ウエハの微細加工技術の進展も著しい。この微細
加工技術としてマスク（レチクル）の回路パターン像を
投影光学系により感光基板上に形成し、感光基板をステ
ップアンドリピート方式で露光する縮小露光装置（ステ
ッパー）が種々と提案されている。
【０００３】このステッパーにおいては、レチクル上の
回路パターンを所定の縮小倍率を持った投影光学系を介
してウエハ面上の所定の位置に縮小投影して転写を行
い、１回の投影転写終了後、ウエハが載ったステージを
所定の量移動して再び転写を行うステップを繰り返して
ウエハ全面の露光を行っている。
回路パターンを所定の縮小倍率を持った投影光学系を介
してウエハ面上の所定の位置に縮小投影して転写を行
い、１回の投影転写終了後、ウエハが載ったステージを
所定の量移動して再び転写を行うステップを繰り返して
ウエハ全面の露光を行っている。
【０００４】これらの投影露光装置のうち最近では高解
像力が得られ、且つ画面サイズを拡大できる走査機構を
用いたステップアンドスキャン方式の露光装置が種々と
提案されている。このステップアンドスキャン方式の露
光装置ではスリット状の露光領域を有し、ショットの露
光はレチクルとウエハとを走査することにより行ってい
る。そして１つのショットの走査露光が終了すると、ウ
エハは次のショットにステップし、次のショットの露光
を開始している。これを繰り返してウエハ全体の露光を
行っている。
像力が得られ、且つ画面サイズを拡大できる走査機構を
用いたステップアンドスキャン方式の露光装置が種々と
提案されている。このステップアンドスキャン方式の露
光装置ではスリット状の露光領域を有し、ショットの露
光はレチクルとウエハとを走査することにより行ってい
る。そして１つのショットの走査露光が終了すると、ウ
エハは次のショットにステップし、次のショットの露光
を開始している。これを繰り返してウエハ全体の露光を
行っている。
【０００５】従来より反射投影光学系を用いた等倍の走
査露光装置を改良し、投影光学系に反射素子と屈折素子
を組み合わせたカタディオプトリック光学系を用いた
り、あるいは屈折素子のみで構成した縮小投影光学系を
用いて、マスクステージと感光基板のステージとの両方
を縮小倍率に応じた速度比で相対走査する投影式の走査
露光装置が種々と提案されている。
査露光装置を改良し、投影光学系に反射素子と屈折素子
を組み合わせたカタディオプトリック光学系を用いた
り、あるいは屈折素子のみで構成した縮小投影光学系を
用いて、マスクステージと感光基板のステージとの両方
を縮小倍率に応じた速度比で相対走査する投影式の走査
露光装置が種々と提案されている。
【０００６】例えば特開昭６３−１６３３１９号公報で
は、反射素子と屈折素子とを組み合わせた縮小投影光学
系が提案されている。そしてこの投影光学系を用いた走
査露光方式がＳＶＧＬ社からステップ＆スキャン方式の
投影式の走査露光装置として発表されている。このよう
な走査露光装置は、ＩＣやＬＳＩの微細化に伴う大画面
化を考慮した場合、投影光学系に負荷を与えずに大画面
化を実施できる点で注目されており、マスクステージと
感光基板のステージの走査範囲を大きくとることが可能
であれば、理論的にはどこまでも大画面化が可能とな
る。
は、反射素子と屈折素子とを組み合わせた縮小投影光学
系が提案されている。そしてこの投影光学系を用いた走
査露光方式がＳＶＧＬ社からステップ＆スキャン方式の
投影式の走査露光装置として発表されている。このよう
な走査露光装置は、ＩＣやＬＳＩの微細化に伴う大画面
化を考慮した場合、投影光学系に負荷を与えずに大画面
化を実施できる点で注目されており、マスクステージと
感光基板のステージの走査範囲を大きくとることが可能
であれば、理論的にはどこまでも大画面化が可能とな
る。
【０００７】図７は従来の走査露光装置の要部概略図で
ある。
ある。
【０００８】同図において、マスク１０１はマスクステ
ージ１０２に真空吸着などで固定されている。マスク１
０２は紙面上で左右に平行移動する機能を有しており、
レーザ干渉計等の測長器（不図示）でその動きを制御し
ている。照明光学系１１２からの光束によってマスク１
０１上を照射し、マスク１０１の原画パターンを有した
光束ＯＰはレンズ系１０３で集光され、ミラー１０４で
反射し、レンズ系１０５で集光され、所定の偏光成分の
みの光束が偏光ビームスプリッタ１０６を通過し、λ／
４板１０７を経て凹面ミラー１０８に導かれる。凹面ミ
ラー１０８で反射した光束ＯＰは再びλ／４板１０７を
通り、これにより光束ＯＰは偏光ビームスプリッタ１０
６を通過した偏光方向に対して９０度回転した偏光方向
を持つようになる為、今度は偏光ビームスプリッタ１０
６で反射し、レンズ系１０９を経て感光基板１１０上に
マスク１０１の原画パターン情報を結像している。
ージ１０２に真空吸着などで固定されている。マスク１
０２は紙面上で左右に平行移動する機能を有しており、
レーザ干渉計等の測長器（不図示）でその動きを制御し
ている。照明光学系１１２からの光束によってマスク１
０１上を照射し、マスク１０１の原画パターンを有した
光束ＯＰはレンズ系１０３で集光され、ミラー１０４で
反射し、レンズ系１０５で集光され、所定の偏光成分の
みの光束が偏光ビームスプリッタ１０６を通過し、λ／
４板１０７を経て凹面ミラー１０８に導かれる。凹面ミ
ラー１０８で反射した光束ＯＰは再びλ／４板１０７を
通り、これにより光束ＯＰは偏光ビームスプリッタ１０
６を通過した偏光方向に対して９０度回転した偏光方向
を持つようになる為、今度は偏光ビームスプリッタ１０
６で反射し、レンズ系１０９を経て感光基板１１０上に
マスク１０１の原画パターン情報を結像している。
【０００９】感光基板１１０は感光基板ステージ１１１
に真空吸着などで固定している。感光基板ステージ１１
１はマスクステージ１０２と同様に紙面上で左右に平行
移動する機能を持ち、その移動はやはりレーザ干渉計等
の測長器（不図示）で制御している。走査露光の際に
は、このマスクステージ１０２と感光基板ステージ１１
１を、投影光学系（１０３〜１０９）の倍率差分の相対
差を持たせた速度で同時に移動させることにより、大画
面領域を感光基板１１０に転写している。
に真空吸着などで固定している。感光基板ステージ１１
１はマスクステージ１０２と同様に紙面上で左右に平行
移動する機能を持ち、その移動はやはりレーザ干渉計等
の測長器（不図示）で制御している。走査露光の際に
は、このマスクステージ１０２と感光基板ステージ１１
１を、投影光学系（１０３〜１０９）の倍率差分の相対
差を持たせた速度で同時に移動させることにより、大画
面領域を感光基板１１０に転写している。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】微小投影光学系により
マスク面上の原画パターンをウエハ上に縮小投影すると
きには、マスク上では感光基板に対して４倍〜１０倍の
倍率で拡大されたパターンが原画パターンとして描画さ
れている。この為、従来の走査露光装置のうち、特に縮
小投影光学系を有した走査露光装置では、走査露光時に
マスクステージを感光基板の走査速度に対して４倍〜１
０倍の速度で４倍〜１０倍の領域を走査せねばならな
い。例えば、感光基板の走査速度が３０ｍｍ／ｓｅｃで
５０ｍｍの範囲を走査する場合、縮小投影倍率が５倍と
すると、マスクの走査速度は１５０ｍｍ／ｓｅｃで２５
０ｍｍの範囲を走査することが必要となる。
マスク面上の原画パターンをウエハ上に縮小投影すると
きには、マスク上では感光基板に対して４倍〜１０倍の
倍率で拡大されたパターンが原画パターンとして描画さ
れている。この為、従来の走査露光装置のうち、特に縮
小投影光学系を有した走査露光装置では、走査露光時に
マスクステージを感光基板の走査速度に対して４倍〜１
０倍の速度で４倍〜１０倍の領域を走査せねばならな
い。例えば、感光基板の走査速度が３０ｍｍ／ｓｅｃで
５０ｍｍの範囲を走査する場合、縮小投影倍率が５倍と
すると、マスクの走査速度は１５０ｍｍ／ｓｅｃで２５
０ｍｍの範囲を走査することが必要となる。
【００１１】一般にマスクステージのような大きなステ
ージに対して、このような高速で大画面領域を一定速度
を維持しながら、かつ走査方向を高精度に制御すること
は大変困難である。また、このような高速走査から振動
が多く発生し、この振動が露光装置全体に伝わり、投影
露光状態を悪化させているという問題点が生じてくる。
ージに対して、このような高速で大画面領域を一定速度
を維持しながら、かつ走査方向を高精度に制御すること
は大変困難である。また、このような高速走査から振動
が多く発生し、この振動が露光装置全体に伝わり、投影
露光状態を悪化させているという問題点が生じてくる。
【００１２】本発明はマスク面上の原画パターンを走査
照明し、該原画パターンを投影光学系により感光基板
（ウエハ）上に縮小投影露光する際に、マスク面と投影
光学系との間の光路中に適切に設定した走査手段を配置
することにより該原画パターンを高精度にしかも高速度
に走査し、該原画パターンをウエハ面上に高い解像力で
走査露光することのできる走査露光装置及びそれを用い
たデバイスの製造方法の提供を目的とする。
照明し、該原画パターンを投影光学系により感光基板
（ウエハ）上に縮小投影露光する際に、マスク面と投影
光学系との間の光路中に適切に設定した走査手段を配置
することにより該原画パターンを高精度にしかも高速度
に走査し、該原画パターンをウエハ面上に高い解像力で
走査露光することのできる走査露光装置及びそれを用い
たデバイスの製造方法の提供を目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明の走査露光装置
は、 （１−１）マスクのパターンの各部分を被露光物体の対
応する部分に順次投影する走査型露光装置において、前
記マスク又は被露光物体に沿って移動し、前記マスクパ
ターンの各部分からの光を受けて前記被露光物体に順次
向ける走査部材と、前記マスクパターンの各部分からの
光の光路長の変化を補正するように移動する補正部材と
を有し、前記被露光物体又はマスクを前記走査部材及び
補正部材の移動と同期させて移動させることにより走査
露光を行なうことを特徴としている。
は、 （１−１）マスクのパターンの各部分を被露光物体の対
応する部分に順次投影する走査型露光装置において、前
記マスク又は被露光物体に沿って移動し、前記マスクパ
ターンの各部分からの光を受けて前記被露光物体に順次
向ける走査部材と、前記マスクパターンの各部分からの
光の光路長の変化を補正するように移動する補正部材と
を有し、前記被露光物体又はマスクを前記走査部材及び
補正部材の移動と同期させて移動させることにより走査
露光を行なうことを特徴としている。
【００１４】特に、（１−１−１）前記マスクパターン
の像を形成する投影光学系と前記マスクとの間に、前記
走査部材及び補正部材を配したこと、（１−１−２）前
記投影光学系の結像倍率は１より小さいこと、（１−１
−３）前記走査部材及び補正部材の移動により前記マス
クパターンの各部分を順次像平面内の同一位置に結像
し、前記被露光物体を前記走査部材及び補正部材の移動
と同期させて移動させることにより走査露光を行なうこ
と、（１−１−４）前記マスクの位置を固定して走査露
光を行なうこと、（１−１−５）前記マスクを移動させ
ることにより物体平面内の同一箇所で前記マスクパター
ンの各部分からの光を検出し、前記マスクの移動と同時
に前記走査部材及び補正部材を移動させて前記マスクパ
ターンの各部分を前記被露光物体の対応する部分に順次
結像することにより走査露光を行なうこと、（１−１−
６）前記被露光物体の位置を固定して走査露光を行なう
こと、（１−１−７）前記走査部材は入射光を反射して
その光路を折り曲げる第１反射部材を有し、前記補正部
材は前記第１反射部材からの光を反射してその光路を折
り曲げる第２反射部材を有し、前記第１反射部材と第２
反射部材とが所定の速度比で移動すること、（１−１−
８）前記第１反射部材と第２反射部材が２：１の速度比
で移動すること、（１−１−９）前記第１反射部材と第
２反射部材が同一方向に移動すること、（１−１−１
０）前記第２反射部材が互いの反射面が直交する２枚の
反射鏡を備えること、（１−１−１１）前記マスクパタ
ーンの像を形成する光学系に前記第２反射部材からの光
が入射すること、（１−１−１２）前記投影光学系がレ
ンズ系より成ること、（１−１−１３）前記投影光学系
が凹面鏡を有すること、（１−１−１４）前記投影光学
系がレンズを有すること、（１−１−１５）前記マスク
パターンの各部分を順次照明する走査照明光学ユニット
を有すること、（１−１−１６）前記走査照明光学ユニ
ットは照明光により前記マスクを走査する走査光学系を
有すること、（１−１−１７）前記走査光学系は前記マ
スクパターンの各部分に前記照明光を照射するために前
記マスクに沿って移動する第３反射部材と、前記マスク
パターンの各部分に照射される前記照明光の光路長の変
化を補正するように移動する第４反射部材鏡とを有し、
前記第３反射部材と第４反射部材とが所定の速度比で移
動すること、（１−１−１８）前記第３反射部材と第４
反射部材が２：１の速度比で移動すること、（１−１−
１９）前記第３反射部材と第４反射部材が同一方向に移
動すること、（１−１−２０）前記第４反射部材が互い
の反射面が直交する２枚の反射鏡を備えること、（１−
１−２１）前記走査光学系は前記照明光の光路を変更す
る回転可能な偏向部材を有すること、（１−１−２２）
前記回転可能な偏向部材は反射鏡を有すること、等を特
徴としている。
の像を形成する投影光学系と前記マスクとの間に、前記
走査部材及び補正部材を配したこと、（１−１−２）前
記投影光学系の結像倍率は１より小さいこと、（１−１
−３）前記走査部材及び補正部材の移動により前記マス
クパターンの各部分を順次像平面内の同一位置に結像
し、前記被露光物体を前記走査部材及び補正部材の移動
と同期させて移動させることにより走査露光を行なうこ
と、（１−１−４）前記マスクの位置を固定して走査露
光を行なうこと、（１−１−５）前記マスクを移動させ
ることにより物体平面内の同一箇所で前記マスクパター
ンの各部分からの光を検出し、前記マスクの移動と同時
に前記走査部材及び補正部材を移動させて前記マスクパ
ターンの各部分を前記被露光物体の対応する部分に順次
結像することにより走査露光を行なうこと、（１−１−
６）前記被露光物体の位置を固定して走査露光を行なう
こと、（１−１−７）前記走査部材は入射光を反射して
その光路を折り曲げる第１反射部材を有し、前記補正部
材は前記第１反射部材からの光を反射してその光路を折
り曲げる第２反射部材を有し、前記第１反射部材と第２
反射部材とが所定の速度比で移動すること、（１−１−
８）前記第１反射部材と第２反射部材が２：１の速度比
で移動すること、（１−１−９）前記第１反射部材と第
２反射部材が同一方向に移動すること、（１−１−１
０）前記第２反射部材が互いの反射面が直交する２枚の
反射鏡を備えること、（１−１−１１）前記マスクパタ
ーンの像を形成する光学系に前記第２反射部材からの光
が入射すること、（１−１−１２）前記投影光学系がレ
ンズ系より成ること、（１−１−１３）前記投影光学系
が凹面鏡を有すること、（１−１−１４）前記投影光学
系がレンズを有すること、（１−１−１５）前記マスク
パターンの各部分を順次照明する走査照明光学ユニット
を有すること、（１−１−１６）前記走査照明光学ユニ
ットは照明光により前記マスクを走査する走査光学系を
有すること、（１−１−１７）前記走査光学系は前記マ
スクパターンの各部分に前記照明光を照射するために前
記マスクに沿って移動する第３反射部材と、前記マスク
パターンの各部分に照射される前記照明光の光路長の変
化を補正するように移動する第４反射部材鏡とを有し、
前記第３反射部材と第４反射部材とが所定の速度比で移
動すること、（１−１−１８）前記第３反射部材と第４
反射部材が２：１の速度比で移動すること、（１−１−
１９）前記第３反射部材と第４反射部材が同一方向に移
動すること、（１−１−２０）前記第４反射部材が互い
の反射面が直交する２枚の反射鏡を備えること、（１−
１−２１）前記走査光学系は前記照明光の光路を変更す
る回転可能な偏向部材を有すること、（１−１−２２）
前記回転可能な偏向部材は反射鏡を有すること、等を特
徴としている。
【００１５】本発明のデバイスの製造方法は、前述の構
成要件（１−１）又は／及び構成要件（１−１−１）〜
（１−１−２２）のいずれか１項記載の走査型露光装置
を用いてデバイスパターンを被露光物体上に転写する段
階を有することを特徴としている。
成要件（１−１）又は／及び構成要件（１−１−１）〜
（１−１−２２）のいずれか１項記載の走査型露光装置
を用いてデバイスパターンを被露光物体上に転写する段
階を有することを特徴としている。
【００１６】
【発明の実施の形態】図１は本発明の実施形態１の要部
ブロック図である。
ブロック図である。
【００１７】同図において、１は水銀ランプやエキシマ
レーザ等の露光光源（光源手段）、２はコンデンサーレ
ンズやフライアイレンズ等を含む照明光学系であり、光
源手段１からの光束を所定の光束に変換して反射系を含
む第１の照明側走査光学系３に入射している。第１の照
明側走査光学系３は第３反射部材を有し照明光学系２か
らの光束を光路長補正用の反射系（第４反射部材）を含
む第２の照明側走査光学系４に導光している。
レーザ等の露光光源（光源手段）、２はコンデンサーレ
ンズやフライアイレンズ等を含む照明光学系であり、光
源手段１からの光束を所定の光束に変換して反射系を含
む第１の照明側走査光学系３に入射している。第１の照
明側走査光学系３は第３反射部材を有し照明光学系２か
らの光束を光路長補正用の反射系（第４反射部材）を含
む第２の照明側走査光学系４に導光している。
【００１８】５はマスクであり、第２の照明側走査光学
系４からの光束で照明されている。６はマスクステージ
でありマスク５を載置している。７は反射系（第１反射
部材）を含む第１の投影側走査光学系（走査部材）であ
り、マスク５からの光束を光路長補正用の反射系（第２
反射部材）を含む第２の投影側走査光学系（補正部材）
８に導光している。第２の投影側走査光学系８からの光
束は光路長が補正されて縮小露光するための投影光学系
９に入射している。投影光学系９はマスク５上のパター
ンをレジストを塗布したウエハ等の感光基板（被露光物
体）１０上に投影している。１１は感光基板ステージで
あり、感光基板１０を載置している。
系４からの光束で照明されている。６はマスクステージ
でありマスク５を載置している。７は反射系（第１反射
部材）を含む第１の投影側走査光学系（走査部材）であ
り、マスク５からの光束を光路長補正用の反射系（第２
反射部材）を含む第２の投影側走査光学系（補正部材）
８に導光している。第２の投影側走査光学系８からの光
束は光路長が補正されて縮小露光するための投影光学系
９に入射している。投影光学系９はマスク５上のパター
ンをレジストを塗布したウエハ等の感光基板（被露光物
体）１０上に投影している。１１は感光基板ステージで
あり、感光基板１０を載置している。
【００１９】本実施形態では光源手段１からの光束を照
明光学系２により、走査露光に最適な照明光束に変換し
ている。走査露光の場合においては、照明光束のマスク
５上での形状は投影光学系９の最適結像領域の形状に依
存しており、例えばスリット状や円弧状の照明になるよ
うに最適化している。最適化した照明光束は、第１の照
明側走査光学系３及び第２の照明側走査光学系４を介し
て、マスクステージ６に固定したマスク５上の走査開始
位置５ａを照射している。
明光学系２により、走査露光に最適な照明光束に変換し
ている。走査露光の場合においては、照明光束のマスク
５上での形状は投影光学系９の最適結像領域の形状に依
存しており、例えばスリット状や円弧状の照明になるよ
うに最適化している。最適化した照明光束は、第１の照
明側走査光学系３及び第２の照明側走査光学系４を介し
て、マスクステージ６に固定したマスク５上の走査開始
位置５ａを照射している。
【００２０】マスク５面上の走査開始位置５ａの原画パ
ターン情報を有する光束は、反射系を含む第１の投影側
走査光学系７及び第２の投影側走査光学系８を介して、
投影光学系９へ導入している。そして、露光開始位置１
０ａに移動されている感光基板１０上に、投影光学系９
により原画パターン情報を結像している。
ターン情報を有する光束は、反射系を含む第１の投影側
走査光学系７及び第２の投影側走査光学系８を介して、
投影光学系９へ導入している。そして、露光開始位置１
０ａに移動されている感光基板１０上に、投影光学系９
により原画パターン情報を結像している。
【００２１】本実施形態では、第２の照明側走査光学系
４と第１の投影側走査光学系７が第１の照明側走査光学
系３と第２の投影側走査光学系８に対して同一方向に所
定の速度比、具体的には２：１の速度比でマスク５に対
して平行方向（ｘ方向）に移動してマスク５面上を走査
しながら照明しつつ、投影光学系９によりマスク５面上
のパターンを感光基板１０上に走査投影露光している。
４と第１の投影側走査光学系７が第１の照明側走査光学
系３と第２の投影側走査光学系８に対して同一方向に所
定の速度比、具体的には２：１の速度比でマスク５に対
して平行方向（ｘ方向）に移動してマスク５面上を走査
しながら照明しつつ、投影光学系９によりマスク５面上
のパターンを感光基板１０上に走査投影露光している。
【００２２】特に本実施形態では、マスクステージ６の
平行移動機能を除き、第１の投影側走査光学系と第２の
投影側走査光学系が、互いに２：１の移動速度で移動す
ることでマスク５を走査することを特徴としている。
平行移動機能を除き、第１の投影側走査光学系と第２の
投影側走査光学系が、互いに２：１の移動速度で移動す
ることでマスク５を走査することを特徴としている。
【００２３】本実施形態における走査露光では、マスク
５上から照明された光束が、感光基板１０上に結像して
転写し始めてから、 ・第１の照明側走査光学系３が位置３ａへ速度ｖで移動
する ・第２の照明側走査光学系４が位置４ａへ速度２ｖで移
動する ・第１の投影側走査光学系７が位置７ａへ速度２ｖで移
動する ・第２の投影側走査光学系８が位置８ａへ速度ｖで移動
する ・感光基板ステージ１１が位置１１ａへ倍率差分相対差
をつけた速度で移動する（例えば１／５倍縮小ならば速
度２ｖ／５となる） という動作を同時に開始することで実行している。
５上から照明された光束が、感光基板１０上に結像して
転写し始めてから、 ・第１の照明側走査光学系３が位置３ａへ速度ｖで移動
する ・第２の照明側走査光学系４が位置４ａへ速度２ｖで移
動する ・第１の投影側走査光学系７が位置７ａへ速度２ｖで移
動する ・第２の投影側走査光学系８が位置８ａへ速度ｖで移動
する ・感光基板ステージ１１が位置１１ａへ倍率差分相対差
をつけた速度で移動する（例えば１／５倍縮小ならば速
度２ｖ／５となる） という動作を同時に開始することで実行している。
【００２４】この際、同じ速度で移動する第１の照明側
走査光学系３と第２の投影側走査光学系８は筐体によっ
て一体化していても良い。同様に第２の照明側走査光学
系４と第１の投影側走査光学系７が筐体によって一体化
していても良い。上記のような速度比でマスク５面上の
走査開始位置５ａから５ｂまで走査することにより、１
ラインの走査露光を行っている。
走査光学系３と第２の投影側走査光学系８は筐体によっ
て一体化していても良い。同様に第２の照明側走査光学
系４と第１の投影側走査光学系７が筐体によって一体化
していても良い。上記のような速度比でマスク５面上の
走査開始位置５ａから５ｂまで走査することにより、１
ラインの走査露光を行っている。
【００２５】図２は本実施形態においてマスク５面上を
走査露光するときの走査状態を示す概略図である。
走査露光するときの走査状態を示す概略図である。
【００２６】同図は図１で説明した各要素３，４，７，
８を所定の速度比で移動することにより、マスク５上の
任意の走査位置から投影光学系９の開口位置９ａまでの
光路長が走査開始から終了まで常に一定に保たれること
を示している。
８を所定の速度比で移動することにより、マスク５上の
任意の走査位置から投影光学系９の開口位置９ａまでの
光路長が走査開始から終了まで常に一定に保たれること
を示している。
【００２７】図２において、ミラー２７が第１の投影側
走査光学系７に対応し、ミラー２８ｕ，２８ｄが第２の
投影側走査光学系８に対応している。ここでマスク５上
の任意の走査位置ＡとＸについての光路長を比較する。
走査位置Ａから走査位置Ｘに移動したとき、ミラー２７
は距離２ｍだけ移動して２７ａとなり、この時ミラー２
８ｕ，２８ｄは距離ｍだけ移動して、それぞれ２８ｕ
ａ，２８ｄａとなる。ここで直線ＹＺ上に距離ＣＢ＝Ｚ
Ｂ’となる図のような点Ｂ’を考えると、Ｂ’Ｙ＝ｍで
あることは容易に分かる。
走査光学系７に対応し、ミラー２８ｕ，２８ｄが第２の
投影側走査光学系８に対応している。ここでマスク５上
の任意の走査位置ＡとＸについての光路長を比較する。
走査位置Ａから走査位置Ｘに移動したとき、ミラー２７
は距離２ｍだけ移動して２７ａとなり、この時ミラー２
８ｕ，２８ｄは距離ｍだけ移動して、それぞれ２８ｕ
ａ，２８ｄａとなる。ここで直線ＹＺ上に距離ＣＢ＝Ｚ
Ｂ’となる図のような点Ｂ’を考えると、Ｂ’Ｙ＝ｍで
あることは容易に分かる。
【００２８】従って、点Ａから点Ｐまでの光路長 ＝ＡＢ＋ＢＣ＋ＣＤ＋ＤＷ＋ＷＰ ＝ＸＹ＋Ｂ’Ｚ＋ＺＷ＋Ｂ’Ｙ＋ＷＰ ＝ＸＹ＋ＹＢ’＋Ｂ’Ｚ＋ＺＷ＋ＷＰ ＝点Ｘから点Ｐまでの光路長 となり、走査位置によらず光路長が等しくなる。
【００２９】図３は本発明の実施形態２の要部概略図で
ある。
ある。
【００３０】同図において、図１で示した要素と同一要
素には同符号を付している。
素には同符号を付している。
【００３１】図中、３１は図１に示した照明光学系２及
び反射系を含む第１の照明側走査光学系及び反射系を含
む第２の照明側走査光学系から構成される走査照明光学
ユニットであり光源手段１からの照明光束でマスク５面
上の位置５ａから位置５ｂまでを走査照明している。３
７は可動のミラーであり第１の投影側走査光学系を構成
している。３８は可動のミラーであり第２の投影側走査
光学系を構成している。
び反射系を含む第１の照明側走査光学系及び反射系を含
む第２の照明側走査光学系から構成される走査照明光学
ユニットであり光源手段１からの照明光束でマスク５面
上の位置５ａから位置５ｂまでを走査照明している。３
７は可動のミラーであり第１の投影側走査光学系を構成
している。３８は可動のミラーであり第２の投影側走査
光学系を構成している。
【００３２】９１はレンズ系であり、ミラー３８からの
光束を集光している。９２は偏光ビームスプリッタであ
り、所定の偏光を通過させている。９３はλ／４板、９
４は凹面ミラー、９５は適当なフィルタ系、９６はレン
ズ系である。各要素９１〜９６で、図１の投影光学系９
に対応するカタディオプトリック光学系９０を構成して
いる。
光束を集光している。９２は偏光ビームスプリッタであ
り、所定の偏光を通過させている。９３はλ／４板、９
４は凹面ミラー、９５は適当なフィルタ系、９６はレン
ズ系である。各要素９１〜９６で、図１の投影光学系９
に対応するカタディオプトリック光学系９０を構成して
いる。
【００３３】本実施形態では、走査照明光学ユニット３
１からの照明光束によりマスク５の原画パターンを走査
照明している。マスク５からの光束ＯＰは、ミラー３７
とミラー３８を介してレンズ系９１で集光されて、例え
ばＰ偏光のみを通過する偏光ビームスプリッタ９２を通
過し、λ／４板９３を経て円偏光となり、凹面ミラー９
４に導かれる。凹面ミラー９４で反射した光束ＯＰは再
びλ／４板９３を通り、偏光面が変化することでＳ偏光
となり、今度は偏光ビームスプリッタ９２で反射され、
フィルタ系９５及びレンズ系９６を経て、感光基板１０
上に入射し、該面上にマスク５の原画パターン情報を所
定の倍率で結像している。
１からの照明光束によりマスク５の原画パターンを走査
照明している。マスク５からの光束ＯＰは、ミラー３７
とミラー３８を介してレンズ系９１で集光されて、例え
ばＰ偏光のみを通過する偏光ビームスプリッタ９２を通
過し、λ／４板９３を経て円偏光となり、凹面ミラー９
４に導かれる。凹面ミラー９４で反射した光束ＯＰは再
びλ／４板９３を通り、偏光面が変化することでＳ偏光
となり、今度は偏光ビームスプリッタ９２で反射され、
フィルタ系９５及びレンズ系９６を経て、感光基板１０
上に入射し、該面上にマスク５の原画パターン情報を所
定の倍率で結像している。
【００３４】走査露光の基本動作は実施形態１と略同じ
である。即ち、ミラー３７とミラー３８とが速度比２：
１で移動してミラー３７ａ，ミラー３８ａとなり、マス
ク５面上を順次走査して感光基板１０上にマスク５面上
の原画パターンを結像している。このとき感光基板１０
を載置した感光基板ステージ１１は感光基板ステージ１
１ａへと移動する。
である。即ち、ミラー３７とミラー３８とが速度比２：
１で移動してミラー３７ａ，ミラー３８ａとなり、マス
ク５面上を順次走査して感光基板１０上にマスク５面上
の原画パターンを結像している。このとき感光基板１０
を載置した感光基板ステージ１１は感光基板ステージ１
１ａへと移動する。
【００３５】本実施形態では、相対的に早い速度で移動
する必要のある第１の投影側走査光学系を小さなミラー
１枚で構成することにより、走査により発生する振動の
影響が少なく、等速運動制御が容易で、省スペース化が
計られた大画面走査露光を容易に実現することを可能と
している。
する必要のある第１の投影側走査光学系を小さなミラー
１枚で構成することにより、走査により発生する振動の
影響が少なく、等速運動制御が容易で、省スペース化が
計られた大画面走査露光を容易に実現することを可能と
している。
【００３６】図４は本発明の実施形態３の要部概略図で
ある。
ある。
【００３７】図中、図１，図３で示した要素と同一要素
には同符号を付している。
には同符号を付している。
【００３８】同図において、３１は図３で示したのと同
様の走査照明光学ユニット、４７はミラーであり第１の
投影側走査光学系を構成している。４８は互いに直交す
る２つのミラーＭ１，Ｍ２からなる第２の投影側走査光
学系、４１は固定のミラーである。
様の走査照明光学ユニット、４７はミラーであり第１の
投影側走査光学系を構成している。４８は互いに直交す
る２つのミラーＭ１，Ｍ２からなる第２の投影側走査光
学系、４１は固定のミラーである。
【００３９】本実施形態では、走査照明光学ユニット３
１は光源手段１からの光束を集光してマスク５面上の原
画パターンを順次走査露光している。走査照明光学ユニ
ット３１からの照明光束により照明されたマスク５の原
画パターンからの光束ＯＰは順次ミラー４７，４８，４
１を介して投影光学系９に導かれ、感光基板１０上でマ
スク５の原画パターン情報を結像している。
１は光源手段１からの光束を集光してマスク５面上の原
画パターンを順次走査露光している。走査照明光学ユニ
ット３１からの照明光束により照明されたマスク５の原
画パターンからの光束ＯＰは順次ミラー４７，４８，４
１を介して投影光学系９に導かれ、感光基板１０上でマ
スク５の原画パターン情報を結像している。
【００４０】走査露光の基本動作は実施形態１と略同じ
である。即ち、ミラー４７と第２の走査光学系４８とが
速度比２：１で移動してミラー４７ａ、第２の走査光学
系４８ａとなり、マスク５面上を順次走査して感光基板
１０上にマスク５面上の原画パターンを結像している。
このとき感光基板１０を載置した感光基板ステージ１１
は感光基板ステージ１１ａへと移動する。
である。即ち、ミラー４７と第２の走査光学系４８とが
速度比２：１で移動してミラー４７ａ、第２の走査光学
系４８ａとなり、マスク５面上を順次走査して感光基板
１０上にマスク５面上の原画パターンを結像している。
このとき感光基板１０を載置した感光基板ステージ１１
は感光基板ステージ１１ａへと移動する。
【００４１】本実施形態では、相対的に早い速度で移動
する必要のある第１の投影側走査光学系を小さなミラー
１枚で構成することにより、走査に伴う振動の影響が少
なく、等速運動制御が容易で、省スペース化が計られた
大画面走査露光を容易に実現することを可能としてい
る。
する必要のある第１の投影側走査光学系を小さなミラー
１枚で構成することにより、走査に伴う振動の影響が少
なく、等速運動制御が容易で、省スペース化が計られた
大画面走査露光を容易に実現することを可能としてい
る。
【００４２】次に上記説明した走査露光装置を利用した
デバイス（半導体素子）の製造方法の実施例を説明す
る。
デバイス（半導体素子）の製造方法の実施例を説明す
る。
【００４３】図５はデバイス（ＩＣやＬＳＩ等の半導体
チップ、或いは液晶パネルやＣＣＤ等）の製造のフロー
を示す。
チップ、或いは液晶パネルやＣＣＤ等）の製造のフロー
を示す。
【００４４】ステップ１（回路設計）では半導体デバイ
スの回路設計を行なう。ステップ２（マスク製作）では
設計した回路パターンを形成したマスクを製作する。
スの回路設計を行なう。ステップ２（マスク製作）では
設計した回路パターンを形成したマスクを製作する。
【００４５】一方、ステップ３（ウエハ製造）ではシリ
コン等の材料を用いてウエハを製造する。ステップ４
（ウエハプロセス）は前工程と呼ばれ、前記用意したマ
スクとウエハを用いてリソグラフィ技術によってウエハ
上に実際の回路を形成する。
コン等の材料を用いてウエハを製造する。ステップ４
（ウエハプロセス）は前工程と呼ばれ、前記用意したマ
スクとウエハを用いてリソグラフィ技術によってウエハ
上に実際の回路を形成する。
【００４６】次のステップ５（組立）は後工程と呼ば
れ、ステップ４によって作製されたウエハを用いて半導
体チップ化する工程であり、アッセンブリ工程（ダイシ
ング、ボンディング）、パッケージング工程（チップ封
入）等の工程を含む。
れ、ステップ４によって作製されたウエハを用いて半導
体チップ化する工程であり、アッセンブリ工程（ダイシ
ング、ボンディング）、パッケージング工程（チップ封
入）等の工程を含む。
【００４７】ステップ６（検査）ではステップ５で作製
された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト
等の検査を行なう。こうした工程を経て半導体デバイス
が完成し、これが出荷（ステップ７）される。
された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト
等の検査を行なう。こうした工程を経て半導体デバイス
が完成し、これが出荷（ステップ７）される。
【００４８】図６は上記ウエハプロセスの詳細なフロー
を示す。
を示す。
【００４９】ステップ１１（酸化）ではウエハの表面を
酸化させる。ステップ１２（ＣＶＤ）ではウエハ表面に
絶縁膜を形成する。
酸化させる。ステップ１２（ＣＶＤ）ではウエハ表面に
絶縁膜を形成する。
【００５０】ステップ１３（電極形成）ではウエハ上に
電極を蒸着によって形成する。ステップ１４（イオン打
込み）ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ１５
（レジスト処理）ではウエハに感光剤を塗布する。ステ
ップ１６（露光）では前記説明した露光装置によってマ
スクの回路パターンをウエハに焼付露光する。
電極を蒸着によって形成する。ステップ１４（イオン打
込み）ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ１５
（レジスト処理）ではウエハに感光剤を塗布する。ステ
ップ１６（露光）では前記説明した露光装置によってマ
スクの回路パターンをウエハに焼付露光する。
【００５１】ステップ１７（現像）では露光したウエハ
を現像する。ステップ１８（エッチング）では現像した
レジスト以外の部分を削り取る。ステップ１９（レジス
ト剥離）ではエッチングがすんで不要となったレジスト
を取り除く。これらのステップを繰り返し行なうことに
よってウエハ上に多重に回路パターンが形成される。
を現像する。ステップ１８（エッチング）では現像した
レジスト以外の部分を削り取る。ステップ１９（レジス
ト剥離）ではエッチングがすんで不要となったレジスト
を取り除く。これらのステップを繰り返し行なうことに
よってウエハ上に多重に回路パターンが形成される。
【００５２】本実施例の製造方法を用いれば、従来は製
造が難しかった高集積度のデバイスを製造することがで
きる。
造が難しかった高集積度のデバイスを製造することがで
きる。
【００５３】
【発明の効果】本発明によれば以上のように、マスク面
上の原画パターンを走査照明し、該原画パターンを投影
光学系により感光基板（ウエハ）上に縮小投影露光する
際に、マスク面と投影光学系との間の光路中に適切に設
定した走査手段を配置することにより該原画パターンを
高精度にしかも高速度に走査し、該原画パターンをウエ
ハ面上に高い解像力で走査露光することのできる走査露
光装置及びそれを用いたデバイスの製造方法を達成する
ことができる。
上の原画パターンを走査照明し、該原画パターンを投影
光学系により感光基板（ウエハ）上に縮小投影露光する
際に、マスク面と投影光学系との間の光路中に適切に設
定した走査手段を配置することにより該原画パターンを
高精度にしかも高速度に走査し、該原画パターンをウエ
ハ面上に高い解像力で走査露光することのできる走査露
光装置及びそれを用いたデバイスの製造方法を達成する
ことができる。
【００５４】この他、本発明によれば、走査露光装置に
おいて、マスクを保持するステージ自体を走査する代わ
りに投影光学系内に配置された第１と第２の走査光学系
を、互いに２：１の速度比で並進走査することにより、
マスクの露光領域全体を走査する事とし、この並進走査
を感光基板ステージの走査と同期させて行うことで、結
果的にマスク上の原画パターンを、縮小投影光学系の倍
率通り縮小して感光基板に転写露光することができる。
マスクステージを固定して、マスクステージよりも比較
的小さな光学系を高速平行移動することにより、・振動
の影響が少ない並進走査が行なえる・等速運動制御が容
易となる等の効果を得ることができる。
おいて、マスクを保持するステージ自体を走査する代わ
りに投影光学系内に配置された第１と第２の走査光学系
を、互いに２：１の速度比で並進走査することにより、
マスクの露光領域全体を走査する事とし、この並進走査
を感光基板ステージの走査と同期させて行うことで、結
果的にマスク上の原画パターンを、縮小投影光学系の倍
率通り縮小して感光基板に転写露光することができる。
マスクステージを固定して、マスクステージよりも比較
的小さな光学系を高速平行移動することにより、・振動
の影響が少ない並進走査が行なえる・等速運動制御が容
易となる等の効果を得ることができる。
【図１】 本発明の実施形態１の要部ブロック図
【図２】 図１の走査手段の走査露光方法の説明図
【図３】 本発明の実施形態２の要部概略図
【図４】 本発明の実施形態３の要部概略図
【図５】 本発明のデバイスの製造方法のフローチャー
ト
ト
【図６】 本発明のデバイスの製造方法のフローチャー
ト
ト
【図７】 従来の走査露光装置の要部概略図
１ 光源手段 ２ 照明光学系 ３ 第１の照明側走査光学系 ４ 第２の照明側走査光学系 ５ マスク ６ マスクステージ ７ 第１の投影側走査光学系 ８ 第２の投影側走査光学系 ９ 投影光学系 １０ 感光基板（ウエハ） １１ 感光基板ステージ ３１ 走査照明光学ユニット ９０ カタディオプトリック光学系 ３７，３８，４７，４８ 走査用ミラー
Claims (24)
- 【請求項１】 マスクのパターンの各部分を被露光物体
の対応する部分に順次投影する走査型露光装置におい
て、前記マスク又は被露光物体に沿って移動し、前記マ
スクパターンの各部分からの光を受けて前記被露光物体
に順次向ける走査部材と、前記マスクパターンの各部分
からの光の光路長の変化を補正するように移動する補正
部材とを有し、前記被露光物体又はマスクを前記走査部
材及び補正部材の移動と同期させて移動させることによ
り走査露光を行なうことを特徴とする走査型露光装置。 - 【請求項２】 前記マスクパターンの像を形成する投影
光学系と前記マスクとの間に、前記走査部材及び補正部
材を配したことを特徴とする請求項１の走査型露光装
置。 - 【請求項３】 前記投影光学系の結像倍率は１より小さ
いことを特徴とする請求項２の走査型露光装置。 - 【請求項４】 前記走査部材及び補正部材の移動により
前記マスクパターンの各部分を順次像平面内の同一位置
に結像し、前記被露光物体を前記走査部材及び補正部材
の移動と同期させて移動させることにより走査露光を行
なうことを特徴とする請求項１，２又は３の走査型露光
装置。 - 【請求項５】 前記マスクの位置を固定して走査露光を
行なうことを特徴とする請求項４の走査型露光装置。 - 【請求項６】 前記マスクを移動させることにより物体
平面内の同一箇所で前記マスクパターンの各部分からの
光を検出し、前記マスクの移動と同時に前記走査部材及
び補正部材を移動させて前記マスクパターンの各部分を
前記被露光物体の対応する部分に順次結像することによ
り走査露光を行なうことを特徴とする請求項１，２又は
３の走査型露光装置。 - 【請求項７】 前記被露光物体の位置を固定して走査露
光を行なうことを特徴とする請求項６の走査型露光装
置。 - 【請求項８】 前記走査部材は入射光を反射してその光
路を折り曲げる第１反射部材を有し、前記補正部材は前
記第１反射部材からの光を反射してその光路を折り曲げ
る第２反射部材を有し、前記第１反射部材と第２反射部
材とが所定の速度比で移動することを特徴とする請求項
２から７のいずれか１項の走査型露光装置。 - 【請求項９】 前記第１反射部材と第２反射部材が２：
１の速度比で移動することを特徴とする請求項８の走査
型露光装置。 - 【請求項１０】 前記第１反射部材と第２反射部材が同
一方向に移動することを特徴とする請求項８又は９の走
査型露光装置。 - 【請求項１１】 前記第２反射部材が互いの反射面が直
交する２枚の反射鏡を備えることを特徴とする請求項８
又は９の走査型露光装置。 - 【請求項１２】 前記マスクパターンの像を形成する光
学系に前記第２反射部材からの光が入射することを特徴
とする請求項８又は９の走査型露光装置。 - 【請求項１３】 前記投影光学系がレンズ系より成るこ
とを特徴とする請求項１２の走査型露光装置。 - 【請求項１４】 前記投影光学系が凹面鏡を有すること
を特徴とする請求項１２の走査型露光装置。 - 【請求項１５】 前記投影光学系がレンズを有すること
を特徴とする請求項１４の走査型露光装置。 - 【請求項１６】 前記マスクパターンの各部分を順次照
明する走査照明光学ユニットを有することを特徴とする
請求項１から１５のいずれか１項の走査型露光装置。 - 【請求項１７】 前記走査照明光学ユニットは照明光に
より前記マスクを走査する走査光学系を有することを特
徴とする請求項１６の走査型露光装置。 - 【請求項１８】 前記走査光学系は前記マスクパターン
の各部分に前記照明光を照射するために前記マスクに沿
って移動する第３反射部材と、前記マスクパターンの各
部分に照射される前記照明光の光路長の変化を補正する
ように移動する第４反射部材鏡とを有し、前記第３反射
部材と第４反射部材とが所定の速度比で移動することを
特徴とする請求項１７の走査型露光装置。 - 【請求項１９】 前記第３反射部材と第４反射部材が
２：１の速度比で移動することを特徴とする請求項１８
の走査型露光装置。 - 【請求項２０】 前記第３反射部材と第４反射部材が同
一方向に移動することを特徴とする請求項１８又は１９
の走査型露光装置。 - 【請求項２１】 前記第４反射部材が互いの反射面が直
交する２枚の反射鏡を備えることを特徴とする請求項１
８又は１９の走査型露光装置。 - 【請求項２２】 前記走査光学系は前記照明光の光路を
変更する回転可能な偏向部材を有することを特徴とする
請求項１７の走査型露光装置。 - 【請求項２３】 前記回転可能な偏向部材は反射鏡を有
することを特徴とする請求項２２の走査型露光装置。 - 【請求項２４】 請求項１乃至請求項２３のいずれか１
項の走査型露光装置を用いてデバイスパターンを被露光
物体上に転写する段階を有するデバイスの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7269435A JPH0992592A (ja) | 1995-09-22 | 1995-09-22 | 走査露光装置及びそれを用いたデバイスの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7269435A JPH0992592A (ja) | 1995-09-22 | 1995-09-22 | 走査露光装置及びそれを用いたデバイスの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0992592A true JPH0992592A (ja) | 1997-04-04 |
Family
ID=17472401
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7269435A Pending JPH0992592A (ja) | 1995-09-22 | 1995-09-22 | 走査露光装置及びそれを用いたデバイスの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0992592A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004502197A (ja) * | 2000-06-27 | 2004-01-22 | マイクロニック レーザー システムズ アクチボラゲット | マルチビームパターン生成装置 |
-
1995
- 1995-09-22 JP JP7269435A patent/JPH0992592A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004502197A (ja) * | 2000-06-27 | 2004-01-22 | マイクロニック レーザー システムズ アクチボラゲット | マルチビームパターン生成装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH088177A (ja) | 投影露光装置及びそれを用いたデバイスの製造方法 | |
| US8023103B2 (en) | Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device | |
| JP2000164504A (ja) | ステージ装置、露光装置、及び前記ステージ装置を用いた位置決め方法 | |
| JP2000021748A (ja) | 露光方法および露光装置 | |
| JPWO2007100081A1 (ja) | 露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法 | |
| TW200305928A (en) | Exposure apparatus and method | |
| JP2002353108A (ja) | 露光方法、露光装置、フォトマスク、デバイス製造方法、及びフォトマスク製造方法 | |
| US6714691B2 (en) | Exposure method and apparatus, and device manufacturing method using the same | |
| US6683673B2 (en) | Alignment system and projection exposure apparatus | |
| JP3796294B2 (ja) | 照明光学系及び露光装置 | |
| JP3352325B2 (ja) | 走査露光装置及びそれを用いたデバイスの製造方法 | |
| JPH0917718A (ja) | 露光装置及びこれを用いたデバイス生産方法 | |
| JPH08298239A (ja) | 走査露光方法及びそれを用いた投影露光装置 | |
| JP2010177423A (ja) | 投影光学系、並びに露光方法及び装置 | |
| JPH07297117A (ja) | 投影露光装置及びそれを用いた半導体デバイスの製造方法 | |
| JP2001209188A (ja) | 走査型露光装置および走査露光方法並びにマスク | |
| JPH0992592A (ja) | 走査露光装置及びそれを用いたデバイスの製造方法 | |
| JPH09246179A (ja) | 投影露光装置及びそれを用いたデバイスの製造方法 | |
| JP3576722B2 (ja) | 走査型露光装置及びそれを用いたデバイス製造方法 | |
| JP4332891B2 (ja) | 位置検出装置、位置検出方法、及び露光方法、並びにデバイス製造方法 | |
| JP2003197504A (ja) | 露光方法及びデバイス製造方法 | |
| JPH1154416A (ja) | 投影露光装置およびデバイス製造方法 | |
| JPH09213623A (ja) | 走査露光装置及びそれを用いたデバイスの製造方法 | |
| JPH09283433A (ja) | 走査露光装置及びそれを用いたデバイス製造方法 | |
| JPH0513304A (ja) | 投影露光装置及び半導体デバイス製造方法 |