JP2001209188A

JP2001209188A - 走査型露光装置および走査露光方法並びにマスク

Info

Publication number: JP2001209188A
Application number: JP2000019179A
Authority: JP
Inventors: Makoto Tsuchiya; 誠土屋
Original assignee: Nikon Corp
Current assignee: Nikon Corp
Priority date: 2000-01-27
Filing date: 2000-01-27
Publication date: 2001-08-03
Also published as: US6654099B2; US20020159041A1; KR20010077942A

Abstract

(57)【要約】【課題】長尺鏡の面精度を計測する際にも、干渉計の
計測軸を削減してコストの抑制に寄与する。【解決手段】マスクＭと基板Ｐとを第１方向に沿って
移動させて、マスクＭのパターンを基板Ｐに露光する走
査型露光装置１において、第１方向に所定距離隔てて配
置されるとともに、パターンを基板Ｐに投影する投影領
域の少なくとも一部が重複している一対の投影光学系３
と、基板Ｐに重複露光されるパターンの像を第１方向と
ほぼ直交する第２方向に沿ってシフトさせるシフト部と
を備える。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、一対の投影光学系
により投影されるパターンを有するマスク、およびマス
クと基板とを所定方向に同期移動して、マスクに形成さ
れたパターンをガラス基板等の基板に露光する走査型露
光装置並びに走査露光方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】近年、パソコンやテレビ等の表示素子と
しては、薄型化を可能とする液晶表示パネルが多用され
るようになっている。この種の液晶表示パネルは、平面
視矩形状の感光基板上に透明薄膜電極をフォトリソグラ
フィの手法で所望の形状にパターニングすることにより
製造されている。そして、このフォトリソグラフィの装
置として、マスク（レチクル）上に形成されたパターン
を投影光学系を介して感光基板上のフォトレジスト層に
露光する露光装置が用いられている。

【０００３】ところで、上記の液晶表示パネルは、画面
の見やすさから大面積化が進んでいる。この要請に応え
る露光装置としては、例えば、特開平７−５７９８６号
に開示されているように、マスクのパターンを正立像で
基板上に投影する複数の投影光学系を組み合わせ、マス
クとガラス基板とを所定方向に同期移動して、投影光学
系に対して走査することによって、同期移動方向と直交
する方向に大きな露光領域を有し、マスクに形成された
ＬＣＤ（ＬｉｑｕｉｄＣｒｙｓｔａｌＤｉｓｐｌａ
ｙ）等のパターンをガラス基板上の露光領域に順次転写
する走査型露光装置が考案されている。

【０００４】この際、投影領域が大きくても装置を大型
化させず、且つ良好な結像特性を得る投影光学系とし
て、複数の投影光学系を、隣り合う投影領域が走査方向
で所定量変位するように、且つ隣り合う投影領域の端部
同士が走査方向と直交する方向に重複するように配置さ
れたものが使用されている。この場合、各投影光学系の
視野絞りは台形形状で、走査方向の視野絞りの開口幅の
合計は常に等しくなるように設定されている。そのた
め、上記のような走査型露光装置は、隣り合う投影光学
系の継ぎ部が重複して露光され、投影光学系の光学収差
や露光照度が滑らかに変化するという利点を持ってい
る。

【０００５】この種の走査型露光装置では、走査露光中
においてもマスクとガラス基板との相対位置関係を高精
度に制御する必要があるため、複数の位置計測装置、例
えばレーザ干渉計により、マスクを保持するマスクステ
ージとガラス基板を保持するプレートステージとの走査
方向（Ｘ方向とする）に関する相対的な位置ずれや、マ
スク面内で走査方向と直交する非走査方向（Ｙ方向とす
る）に関する相対的な位置ずれ、さらに露光光の光軸方
向（Ｚ方向とする）周りの相対的な角度ずれ等、マスク
とガラス基板に関する相対位置や姿勢がモニタされてい
る。

【０００６】これらの相対位置ずれのうち、Ｙ方向に関
する相対的な位置ずれは、走査方向に延びた長尺の反射
鏡（以後、長尺鏡と称する）をマスクステージおよびプ
レートステージそれぞれに対応して設け、各ステージと
各反射鏡との変位を干渉計でそれぞれ計測することによ
り求めている。このように、長尺鏡は、Ｙ方向に関する
相対位置ずれを計測する際の基準となるが、走査する長
さ全体に亙って面精度を維持すると長尺鏡の製造コスト
が増大するという問題があった。

【０００７】そこで、長尺鏡の面精度を厳しくすること
なく、走査露光を実施する技術として、例えば特願平８
−１８４１１３号が開示されているが、この技術におい
ては、長尺鏡に短い周期のうねりがある場合に、Ｙ方向
におけるマスクとガラス基板との相対的な位置ずれを無
視できるレベルに高精度に保つことができないという不
都合があった。

【０００８】この不都合を解消するための技術として
は、例えば特開平１０−２８４４１６号公報や特開平１
１−１３２７６２号公報が提供されている。これらの技
術は、各ステージと各長尺鏡との変位をそれぞれ計測す
る干渉計の他に、両長尺鏡を介してマスクステージとプ
レートステージとのＹ方向の相対的な位置ずれを計測す
る差動型干渉計を設け、Ｘ方向に離間した２ヶ所で各ス
テージと各長尺鏡との変位をそれぞれ計測する工程を、
Ｘ方向に移動しながら複数回行うことで、各長尺鏡の面
精度を求め、この結果に基づいてマスクとガラス基板と
の相対位置ずれを補正するものである。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
たような従来の走査型露光装置および走査露光方法に
は、以下のような問題が存在する。干渉計は高価な装置
であるため、Ｘ方向で離間した複数位置でマスクステー
ジとプレートステージとのＹ方向の相対的な位置ずれを
計測するための差動型干渉計を別途設けることで、コス
トアップを招いており、コストダウンの要請が益々高ま
る昨今では無視できない問題となっていた。

【００１０】本発明は、以上のような点を考慮してなさ
れたもので、長尺鏡の面精度を計測する際にも、干渉計
の計測軸を削減してコストの抑制に寄与できる走査型露
光装置および走査露光方法並びにマスクを提供すること
を目的とする。

【００１１】

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに本発明は、実施の形態を示す図１ないし図１１に対
応付けした以下の構成を採用している。本発明の走査型
露光装置は、マスク（Ｍ）と基板（Ｐ）とを第１方向
（Ｘ方向）に沿って移動させて、マスク（Ｍ）のパター
ン（４３）を基板（Ｐ）に露光する走査型露光装置
（１）において、第１方向（Ｘ方向）に所定距離隔てて
配置されるとともに、パターン（４３）を基板（Ｐ）に
投影する投影領域の少なくとも一部が重複している一対
の投影光学系（３ｂ、３ｃ）と、基板（Ｐ）に重複露光
されるパターン（４３）の像を第１方向（Ｘ方向）とほ
ぼ直交する第２方向（Ｙ方向）に沿ってシフトさせるシ
フト部（２５）とを備えることを特徴とするものであ
る。

【００１２】また、本発明の走査露光方法は、マスク
（Ｍ）と基板（Ｐ）とを第１方向（Ｘ方向）に沿って移
動させて、マスク（Ｍ）のパターン（４３）を基板
（Ｐ）に露光する走査露光方法において、第１方向（Ｘ
方向）に所定距離隔てて配置されるとともに、パターン
（４３）を基板（Ｐ）に投影する投影領域（３４ｂ、３
４ｃ）の少なくとも一部が重複している一対の投影光学
系（３ｂ、３ｃ）を用いて基板（Ｐ）に露光する際に、
基板（Ｐ）に重複露光されるパターン（４３）の像を第
１方向（Ｘ方向）とほぼ直交する第２方向（Ｙ方向）に
沿ってシフトさせるステップ（Ｓ２）を含むことを特徴
とするものである。

【００１３】従って、本発明の走査型露光装置および走
査露光方法では、一対の投影光学系（３ｂ、３ｃ）の投
影領域（３４ｂ、３４ｃ）が重複する領域でパターン
（４３）が走査されるようにマスク（Ｍ）を位置させ、
シフト部（２５）により一方の投影光学系（３ｂ）の結
像位置を第２方向（Ｙ方向）に沿ってシフトさせた後
に、マスク（Ｍ）と基板（Ｐ）とをそれぞれ長尺鏡（３
６、３７）との変位に基づいて第１方向（Ｘ方向）に沿
って移動させると、一方の投影光学系（３ｂ）で投影さ
れたパターン（４３）の像が他方の投影光学系（３ｃ）
で投影された像に対してシフトして第２方向（Ｙ方向）
に分離される。

【００１４】ここで、各投影像は、パターン（４３）が
各投影光学系（３ｂ、３ｃ）で投影される各位置に対応
する各長尺鏡（３６、３７）の面精度に応じて変位す
る。そのため、両投影像の間隔からシフト量を差し引い
た値が、一対の投影光学系（３ｂ、３ｃ）をパターン
（４３）が移動する際に生じた第２方向（Ｙ方向）の誤
差、すなわち長尺鏡（３６、３７）の２点間の平面度差
として求められる。このとき、分離された各パターン
（４３）は、重複して投影されるときに比較して半分の
露光量で投影されるため、この投影領域（３４ｂ、３４
ｃ）の露光量を変更して２倍にしておくことが好まし
い。また、分離したパターン（４３）の計測を容易に行
えるように、両投影像が重複しないように一方の投影光
学系（３ｂ）の結像位置をシフトさせることが好まし
い。

【００１５】そして、本発明のマスクは、所定距離
（Ｌ）隔てて配置される一対の投影光学系（３ｂ、３
ｃ）により投影されるパターン（４３）を有したマスク
（Ｍ）において、パターン（４３）が所定距離（Ｌ）隔
てて複数形成されていることを特徴とするものである。

【００１６】従って、本発明のマスクでは、投影領域
（３４ｂ、３４ｃ）の少なくとも一部が重複している一
対の投影光学系（３ｂ、３ｃ）のうち、一方の投影光学
系（３ｂ）の結像位置をシフトさせた状態で投影光学系
（３ｂ、３ｃ）が配置される方向にマスク（Ｍ）が移動
することで、各投影光学系（３ｂ、３ｃ）で投影された
像が分離される。そして、分離された両投影像の間隔か
らシフト量を差し引いた値が、当該一対の投影光学系
（３ｂ、３ｃ）をパターン（４３）が移動する際に生じ
た長尺鏡（３６、３７）の２点間の平面度差として求め
られる。

【００１７】

【発明の実施の形態】以下、本発明の走査型露光装置お
よび走査露光方法並びにマスクの第１の実施の形態を、
図１ないし図９を参照して説明する。ここでは、基板と
して液晶表示パネル製造に用いられる角形のガラス基板
を用い、マスクに形成されたパターンをガラス基板上に
転写する場合の例を用いて説明する。また、ここでは、
投影光学系が五つの投影系モジュールからなる場合の例
を用いて説明する。なお、以下の説明では、マスクとガ
ラス基板との走査移動方向をＸ方向（第１方向）とし、
マスクと同一面内においてＸ方向と直交する方向をＹ方
向（第２方向）とし、マスクの法線方向、すなわち露光
光の光軸方向をＺ方向とする。

【００１８】図１は、正立等倍の走査型露光装置１の外
観斜視図である。この走査型露光装置１は、平面視矩形
のマスク（レチクル）Ｍとガラス基板（基板）Ｐとを同
期移動して、マスクＭに形成されたパターンをガラス基
板Ｐに露光するものであって、複数の照明系モジュール
２ａ〜２ｅを有する照明光学系２と、マスクＭ上のパタ
ーンをガラス基板Ｐ上に投影する複数の投影系モジュー
ル３ａ〜３ｅからなる投影光学系３と、マスクＭを保持
するマスクステージ４と、ガラス基板Ｐを保持するプレ
ートステージ５と、マスクステージ４およびプレートス
テージ５を投影光学系３ａ〜３ｅを挟んで一体的に支持
するＵ字状のキャリッジ６とから概略構成されている。

【００１９】照明光学系２は、図２に示す超高圧水銀ラ
ンプ等の光源７から射出された光束（露光光）をマスク
Ｍ上に照明するものであって、リレー光学系、ライトガ
イド８および投影系モジュール３ａ〜３ｅのそれぞれに
対応して配設された照明系モジュール（ただし図２にお
いては、便宜上投影系モジュール３ａに対応するものの
みを示している）から構成されている。

【００２０】そして、楕円鏡７ａの第一焦点位置にある
光源７から射出した光束は、楕円鏡７ａで第二焦点位置
に集光される。リレー光学系は、この第二焦点位置の光
源像をライトガイド８の入射面に結像させるものであっ
て、その光路中にはダイクロイックミラー９と波長選択
フィルタ１０と露光シャッタ１２とが配置されている。
このダイクロイックミラー９は、露光に必要な波長の光
束を反射し、その他の波長の光束を透過させるものであ
る。ダイクロイックミラー９で反射された光束は、波長
選択フィルタ１０に入射し、投影光学系３が露光を行う
のに適した波長（通常は、ｇ、ｈ、ｉ線の内、少なくと
も１つの帯域を含む）の光束となる。

【００２１】露光シャッタ１２は、光束の光路に対して
進退自在に配置され、非露光時には光路中に挿入される
ことにより光束のマスクＭへの照明を遮断し、逆に露光
時には光路から退避することで光束がマスクＭ上に照明
されるようになっている。また露光シャッタ１２には、
該露光シャッタ１２を光路に対して進退移動させるシャ
ッタ駆動部１６が付設されており、シャッタ駆動部１６
は制御装置（露光量制御部）１７によってその駆動を制
御されている。ライトガイド８は、入射した光束を五本
に分岐して反射ミラー１１を介して各照明系モジュール
２ａ〜２ｅに入射させるものである。

【００２２】各照明系モジュール２ａ〜２ｅは、インプ
ット光学系とコンデンサ光学系とから概略構成されてい
る。なお、本実施の形態では、照明系モジュール２ａと
同じ構成の照明系モジュール２ｂ〜２ｅが、Ｘ方向とＹ
方向とに一定の間隔をもって配置されている。そして、
各照明系モジュール２ａ〜２ｅからの光束は、マスクＭ
上の異なる照明領域を照明する構成になっている。

【００２３】インプット光学系は、ライトガイド８の射
出面からの光束により照度の均一な第二の光源像を形成
する。インプット光学系中には、光量調整機構が設けら
れている。この光量調整機構は、例えば図３に示すよう
なガラス板上にＣｒ等ですだれ状にパターニングされ透
過率がＹ方向に沿ってある範囲で線形に漸次変化するフ
ィルタ２１を備えている。そして、フィルタ駆動部２２
によりフィルタ２１を光軸に垂直な方向に移動させるこ
とで、任意の透過率、すなわち任意の露光量を得ること
ができる構成になっている。このフィルタ駆動部２２
は、制御装置１７によってその駆動が制御されている。

【００２４】光量調整機構を透過した光束は、リレーレ
ンズ１３を介してフライアイレンズ１４に入射する。フ
ライアイレンズ１４は、照度を均一にするためのもので
あり、射出面側には二次光源が形成される。フライアイ
レンズ１４を透過した光束は、コンデンサ光学系のコン
デンサレンズ１５によりマスクＭの照明領域を均一な照
度で照明する。また、コンデンサ光学系中には、光量モ
ニタ機構が配設されている。

【００２５】この光量モニタ機構は、光路中に配置され
たハーフミラー１９が光束の一部を反射してディテクタ
２０に入射させ、その光量を検出することで、光路中の
照度をモニタするものである。検出した照度信号は制御
装置１７に出力される。制御装置１７は、光量モニタ機
構および光量調整機構を制御することにより、光束の光
量を所定値に調整可能になっている。

【００２６】マスクＭを透過した光束は、投影系モジュ
ール３ａ〜３ｅにそれぞれ入射する。そして、照明領域
のマスクＭのパターンは、所定の結像特性をもって、レ
ジストが塗布されたガラス基板Ｐ上に正立像で露光され
る。各投影系モジュール３ａ〜３ｅは、図４に示すよう
に、二組の反射屈折型光学系２３、２４と像シフト機構
（シフト部）２５と像倍率機構２６と像回転機構（不図
示）と視野絞り２７とから構成されている。

【００２７】マスクＭを透過した光束は、まず像シフト
機構２５に入射する。像シフト機構２５は、例えば、二
枚の平行平面板ガラスがそれぞれＹ軸周りもしくはＸ軸
周りに回転することで、マスク像をＸ方向もしくはＹ方
向にシフトさせるものである。像シフト機構２５を透過
した光束は、一組目の反射屈折型光学系２３に入射す
る。この反射屈折型光学系２３は、マスク像の中間像を
形成するものであって、直角プリズム２８、レンズ２９
および凹面鏡３０等から構成される。中間像位置には、
視野絞り２７が配置されており、ガラス基板Ｐ上での投
影領域が設定される。視野絞り２７を透過した光束は、
二組目の反射屈折型光学系２４に入射する。

【００２８】反射屈折型光学系２４は、直角プリズム３
１、レンズ３２および凹面鏡３３等から構成され、ここ
では凹面鏡３０で反射された光束の光路中の、レンズ３
２と直角プリズム３１との間に像倍率機構２６が配置さ
れている。この像倍率機構２６によりマスク像の倍率を
任意に変化させることができる。像回転機構は、直角プ
リズム３１をＺ軸周りに回転させることでマスク像に任
意の回転を与えることができる。これら像シフト機構２
５、像倍率機構２６および像回転機構の駆動部（不図
示）は、制御装置１７によりその駆動を制御され、各投
影系モジュール３ａ〜３ｅ毎に、マスクＭの像位置を調
整可能になっている。

【００２９】図５に、ガラス基板Ｐにおける投影系モジ
ュール３ａ〜３ｅの投影領域３４ａ〜３４ｅを示す。こ
の図に示すように、各投影領域３４ａ〜３４ｅは、台形
形状を呈している。また、投影領域３４ａ、３４ｃ、３
４ｅと投影領域３４ｂ、３４ｄとは、Ｘ方向に距離（所
定距離）Ｌ隔てて対向配置されている。さらに、投影領
域３４ａ〜３４ｅは、隣り合う投影領域の端部同士が二
点鎖線で示すように、Ｙ方向で重複するように並列配置
され、Ｘ方向の投影領域の幅の総計がほぼ等しくなるよ
うに設定されている。すなわち、Ｘ方向に走査露光した
ときの露光量が等しくなるように設定されている。

【００３０】このように、各投影系モジュール３ａ〜３
ｅによる投影領域３４ａ〜３４ｅが重複するオーバーラ
ップ部を設けることにより、継ぎ部におけるＹ方向の光
学収差の変化や照度変化を滑らかにすることができるよ
うになっている。なお、本実施の形態の投影領域３４ａ
〜３４ｅの形状は台形であるが、六角形や菱形、平行四
辺形等であっても構わない。

【００３１】マスクステージ４は、マスクＭを保持する
ものであって、３つの微動機（不図示）を介してキャリ
ッジ６に支持されている。すなわち、マスクステージ４
は、Ｘ方向微動機によってマスクステージ４のＸ方向の
位置を微動し、２つのＹ方向微動機によってマスクステ
ージ４のＹ方向の位置とＺ軸周りの位置とを微動可能に
構成されている。

【００３２】プレートステージ５は、ガラス基板Ｐを保
持するものであって、ガラス基板Ｐの厚みムラや傾きの
影響を補正し、同時にマスクパターンの結像面に一致さ
せるために、３つ以上のＺ方向微動機（不図示）を介し
てキャリッジ６に支持されており、Ｚ方向の微動（オー
トフォーカス）と、Ｘ軸周りおよびＹ軸周りの傾斜角度
（オートレベリング）とを調節可能に構成されている。

【００３３】キャリッジ６は、キャリッジ駆動部３５に
駆動されて、不図示のベース上をＸ方向に移動自在とさ
れている。このキャリッジ駆動部３５は、制御装置１７
によって制御されている。そして、キャリッジ駆動部３
５を介してキャリッジ６をＸ方向に走査することによ
り、マスクＭ上のパターン全体がガラス基板Ｐ上に転写
される。

【００３４】図１に示すように、マスクステージ４およ
びプレートステージ５の上方には、マスク用長尺鏡３６
および基板用長尺鏡３７が不図示の架台にそれぞれ固定
されている。両長尺鏡３６、３７は、Ｘ方向に延びた反
射鏡であり、その反射面の法線はＹ方向を向いて配置さ
れている。マスク用長尺鏡３６はマスクステージ４に対
向して配置され、基板用長尺鏡３７は、プレートステー
ジ５に対向して配置されている。

【００３５】これらマスクステージ４およびプレートス
テージ５の位置と姿勢は、５つの干渉計Ｉｘ１、Ｉｘ
２、Ｉｃｘ、Ｉｍｙ、Ｉｐｙにより検出され、検出結果
は制御装置１７に出力される。制御装置１７は、干渉計
Ｉｘ１、Ｉｘ２、Ｉｃｘ、Ｉｍｙ、Ｉｐｙの出力に基づ
いてマスクステージ４、プレートステージ５の位置をモ
ニタし、各ステージ４、５の微動機およびキャリッジ駆
動部３５を制御することで、マスクステージ４およびプ
レートステージ５（ひいてはマスクＭおよびガラス基板
Ｐ）を所望の位置に高精度に移動させることが可能にな
っている。

【００３６】差動型干渉計Ｉｘ１は、マスクステージ４
とプレートステージ５とのＸ方向の相対的な位置ずれを
計測するためのものである。すなわち、干渉計Ｉｘ１
は、分割されたレーザ光束がマスクステージ４、プレー
トステージ５にそれぞれ設けられた反射鏡３８ａ、３８
ｂで反射し、その反射光と入射光との干渉に基づいてマ
スクステージ４とプレートステージ５とのＸ方向の相対
的な位置ずれを計測する。

【００３７】差動型干渉計Ｉｘ２は、干渉計Ｉｘ１とは
Ｙ方向で異なる位置において、マスクステージ４とプレ
ートステージ５とのＸ方向の相対位置ずれ量を計測する
ためのものである。すなわち、干渉計Ｉｘ２は、分割さ
れたレーザ光束がマスクステージ４、プレートステージ
５にそれぞれ設けられた反射鏡３９ａ、３９ｂで反射
し、その反射光と入射光との干渉に基づいてマスクステ
ージ４とプレートステージ５とのＸ方向の相対的な位置
ずれを計測する。

【００３８】なお、マスクステージ４に設けた反射鏡３
８ａおよび３９ａの間隔と、プレートステージ５に設け
た反射鏡３８ｂおよび３９ｂの間隔とは等しく設定され
ている。また、マスクステージ４上の反射鏡３８ａ、３
９ａおよびプレートステージ５上の反射鏡３８ｂ、３９
ｂの位置は、各ステージ４、５の中心から等距離にある
ことが好ましい。これら両干渉系Ｉｘ１、Ｉｘ２によ
り、マスクステージ４とプレートステージ５との相対位
置ずれ量およびＺ軸周りの相対回転量を計測できる。

【００３９】測長型干渉計Ｉｃｘは、キャリッジ６のＸ
方向の位置を計測するためのものである。すなわち、干
渉計Ｉｃｘは、レーザ光束がキャリッジ６に設けられた
反射鏡４０で反射し、その反射光と入射光との干渉に基
づいてキャリッジ６のＸ方向の位置を計測する。

【００４０】測長型干渉計Ｉｍｙは、マスクステージ４
とマスク用長尺鏡３６とのＹ方向の距離を検出すること
で、マスクステージ４のＹ方向の変位を計測するための
ものである。すなわち、干渉計Ｉｍｙは、レーザ光束が
マスクステージ４に設けられた反射鏡４１を介して長尺
鏡３６で反射し、その反射光と入射光との干渉に基づい
てマスクステージ４のＹ方向の変位を計測する。

【００４１】同様に、測長型干渉計Ｉｐｙは、プレート
ステージ５と基板用長尺鏡３７とのＹ方向の距離を検出
することで、プレートステージ５のＹ方向の変位を計測
するためのものである。すなわち、干渉計Ｉｐｙは、レ
ーザ光束がプレートステージ５に設けられた反射鏡４２
を介して長尺鏡３７で反射し、その反射光と入射光との
干渉に基づいてプレートステージ５のＹ方向の変位を計
測する。

【００４２】なお、長尺鏡３６と長尺鏡３７とは走査方
向に延びており、走査露光時におけるマスクステージ４
とプレートステージ５とのＹ方向の変位を計測するため
の基準となっているが、干渉計Ｉｍｙ、Ｉｐｙの計測値
には、マスクステージ４およびプレートステージ５のＹ
方向の変位の他に長尺鏡３６および３７の面精度が含ま
れている。従って、長尺鏡３６、３７の面精度を予め計
測し、露光時に補正する必要がある。ただし、本実施の
形態では、マスクステージ４とプレートステージ５との
Ｙ方向の相対的な変位が計測できればよいので、長尺鏡
３６、３７の平面度を個々に求める必要はなく、長尺鏡
３６、３７の平面度差を求めればよい。これ以降、干渉
計ＩｍｙとＩｐｙの同一時点における各長尺鏡３６、３
７の計測点の平面度差を単に長尺鏡の平面度と呼ぶ。

【００４３】図５に、長尺鏡３６、３７の面精度計測用
のマスクＭを示す。この図に示すように、マスクＭに
は、Ｙ方向の位置が投影領域３４ｂと３４ｃとのオーバ
ーラップ部の略中心に位置し、且つ投影領域３４ａ、３
４ｃ、３４ｅと投影領域３４ｂ、３４ｄとが２列に配置
される距離と同一の距離Ｌ隔ててパターン４３が複数形
成されている。図６（ａ）に示すように、各パターン４
３は、Ｘ方向に延在する幅Ｓのラインマークを有してい
る。

【００４４】上記の構成の走査型露光装置１およびマス
クＭにより、長尺鏡３６、３７の平面度差を求める手順
を図７に示すフローチャートに基づいて説明する。な
お、マスクステージ４、プレートステージ５の移動は、
キャリッジ駆動部３５およびキャリッジ６を介して制御
装置１７の制御に基づいて行われるものとする（以下、
同様）。

【００４５】シーケンスがスタートすると（ステップＳ
０）、まず投影領域３４ｂ、３４ｃが重複する領域でパ
ターン４３が走査される位置にマスクＭをセットする
（ステップＳ１）。次に、パターン４３を投影する一対
の投影系モジュール３ｂ、３ｃのうち、投影系モジュー
ル３ｂについて像シフト機構２５により、ガラス基板Ｐ
上におけるパターン４３の結像位置を図６（ｂ）に示す
ように、＋Ｙ方向に沿って距離Δ分シフトさせる（ステ
ップＳ２）。このとき、距離Δをパターン４３のライン
幅Ｓよりも大きくすることで、各投影像を重複させずに
分離することができる。

【００４６】ここで、パターン４３は、投影系モジュー
ル３ｂ、３ｃを介してガラス基板Ｐ上で二重に投影され
ることで適正露光量で露光されるが、投影系モジュール
３ｂの結像位置をシフトさせたことにより１つの投影系
モジュールのみで投影されることになり、適正値の半分
の露光量で露光される。そのため、照明系モジュール３
ｂ、３ｃの光量調整機構において、フィルタ駆動部２２
を介してフィルタ２１を駆動し、投影領域３４ｂ、３４
ｃにおける露光量を通常の二倍に設定する（ステップＳ
３）。

【００４７】そして、走査開始位置から干渉計Ｉｘ１、
Ｉｘ２、Ｉｃｘ、Ｉｍｙ、Ｉｐｙの計測結果に基づいて
キャリッジ６を−Ｘ方向に移動させて、マスクＭのパタ
ーン４３をガラス基板Ｐ上に露光する（ステップＳ
４）。これにより、図８に示すように、ガラス基板Ｐ上
にはパターン４３が分離したパターンｍ１、ｎ１〜ｍ１
１、ｎ１１が露光される。この後、ガラス基板Ｐを現像
し（ステップＳ５）、ガラス基板Ｐ上にＹ方向に分離し
て転写された各パターン４３の間隔をＳＥＭ（Scanning
Electron Microscope；走査型電子顕微鏡）等により計
測する（ステップＳ６）。

【００４８】走査露光時には、干渉計Ｉｍｙ、Ｉｐｙの
計測結果に基づいて、マスクステージ４とプレートステ
ージ５とのＹ方向の変位を補正するように各ステージ
４、５に設けられた微動機を駆動している。そのため、
各パターン４３は、長尺鏡３６、３７の各反射面が双方
共理想平面である場合には距離Δ隔てて露光されるが、
実際にはマスクＭのパターンがガラス基板Ｐ上に露光さ
れるときに、干渉計Ｉｍｙ、Ｉｐｙのレーザ光束が長尺
鏡３６、３７でそれぞれ反射する位置の面精度に応じて
ずれて露光される。

【００４９】つまり、図８に示すように、マスクＭのパ
ターン４３がガラス基板Ｐ上で分離してパターンｍ１、
ｎ１として露光された際にパターンｍ１は、パターン４
３の像が投影領域３４ｂに投影されたときの長尺鏡３
６、３７におけるレーザ光束の反射位置Ｄ１の面精度に
応じた位置に露光され、パターンｎ１は、パターン４３
の像が投影領域３４ｃに投影されたときの長尺鏡３６、
３７におけるレーザ光束の反射位置Ｄ２の面精度に応じ
た位置に露光される。

【００５０】ここで、図９に示すように、パターンｍ１
が露光された際の反射位置Ｄ１における長尺鏡３６、３
７のＹ方向成分ベクトルをａ１、パターンｎ１が露光さ
れた際の反射位置Ｄ２における長尺鏡３６、３７のＹ方
向成分ベクトルをｂ１とすると、反射位置Ｄ１、Ｄ２間
の平面度ｃ１は下式で示される。ｃ１＝ｂ１−ａ１

【００５１】一方、ガラス基板Ｐ上でパターンｍ１はＹ
方向にａ１シフトした位置に露光され、パターンｎ１は
Ｙ方向に（Δ＋ｂ１）シフトした位置に露光される。従
って、転写されたパターンｍ１、ｎ１の間隔は、（Δ＋
ｂ１）−ａ１＝Δ＋ｃ１となる。そのため、計測したパ
ターンｍ１、ｎ１の間隔から投影系モジュール３ｂにお
けるシフト量Δを差し引いた値は、２列に配置された投
影系モジュール３ｂ、３ｃをキャリッジ６が移動する際
に生じたＹ方向の誤差、すなわちパターン４３が投影系
モジュール３ｂ、３ｃからの露光光でガラス基板Ｐにそ
れぞれ露光された時点での長尺鏡３６、３７の反射位置
Ｄ１、Ｄ２間の平面度ｃ１になる。

【００５２】また、マスクＭ上のパターン４３の配置間
隔が投影系モジュール３ｂ、３ｃの配置間隔と同じ距離
Ｌなので、一つめのパターン４３の像が投影領域３４ｃ
に投影されたときに、二つ目のパターン４３の像は投影
領域３４ｂに同時に投影されパターンｍ２として、長尺
鏡３６、３７におけるレーザ光束の反射位置Ｄ２の面精
度（ベクトルａ２）に応じた位置に露光される。そし
て、キャリッジ６の移動に伴い、この二つ目のパターン
４３の像は、投影領域３４ｃに投影されパターンｎ２と
して、長尺鏡３６、３７におけるレーザ光束の反射位置
Ｄ３の面精度（ベクトルｂ２＋Δ）に応じた位置に露光
される。従って、計測したパターンｍ２、ｎ２の間隔か
ら投影系モジュール３ｂにおけるシフト量Δを差し引い
た値は、二つ目のパターン４３が投影系モジュール３
ｂ、３ｃからの露光光でガラス基板Ｐにそれぞれ露光さ
れた時点での長尺鏡３６、３７の反射位置Ｄ２、Ｄ３間
の平面度ｃ２になる。

【００５３】同様に、パターンｍ３、ｎ３〜ｍ１１、ｎ
１１毎に間隔をそれぞれ計測することで、長尺鏡３６、
３７の反射位置Ｄ３、Ｄ４〜Ｄ１０、Ｄ１１間の平面度
ｃ３〜ｃ１０をそれぞれ求めることができる。そのた
め、反射位置ｉにおける長尺鏡３６、３７の平面度ＭＦ
ｉは、下式で表される。ＭＦｉ＝ｃ１＋ｃ２＋…＋ｃｉまた、各反射位置間の平面度は、線形補間やスプライン
補間等で補間することができる。長尺鏡３６、３７にお
ける位置とマスクＭ（またはガラス基板Ｐ）との位置関
係は既知であるため、任意の露光位置における長尺鏡３
６、３７の平面度を求めることができる。

【００５４】さらに、マスクＭ上のパターン４３を当該
マスクＭのＸ方向におけるパターン領域に亙って、且つ
パターン４３の間隔を全て距離Ｌで形成することで、長
尺鏡３６、３７の平面度を露光範囲全体に亙って間断な
く連続的に求めることができる。そして、上記演算によ
り求めた平面度を制御装置１７に記憶しておく（ステッ
プＳ７）。

【００５５】この後、量産用のマスクおよびガラス基板
をマスクステージ４およびプレートステージ５にそれぞ
れセットし、キャリッジ６を投影系モジュール３ａ〜３
ｅに対して相対移動させることにより、マスクの回路パ
ターンをガラス基板上に走査露光する。この際、干渉計
Ｉｍｙ、Ｉｐｙの計測結果と長尺鏡３６、３７の平面度
に基づいて、マスクステージ４とプレートステージ５と
のＹ方向の変位を補正するように各ステージ４、５に設
けられた微動機を駆動すればよい（ステップＳ８）。

【００５６】なお、上記長尺鏡３６、３７の平面度を求
めるシーケンスは、露光装置１を設置する際のイニシャ
ル動作時に行っても、ロット毎に行ってもよい。

【００５７】本実施の形態の走査型露光装置および走査
露光方法並びにマスクでは、投影系モジュール３ｂ、３
ｃの配置間隔と同じ距離Ｌ隔てて形成したパターン４３
を、投影系モジュール３ｂの結像位置をシフトさせて露
光しているので、分離して露光されたパターンｍ１、ｎ
１〜ｍ１１、ｎ１１の間隔を計測することでマスク用長
尺鏡３６、基板用長尺鏡３７の平面度差を容易に求める
ことができる。そのため、長尺鏡３６、３７に対してＸ
方向に離間した２ヶ所で各ステージ４、５の変位を計測
する際に使用する干渉計を別途設ける等、干渉系の計測
軸を増やす必要がなくなり、コストの削減に寄与するこ
とができる。また、本実施の形態の走査型露光装置およ
び走査露光方法では、投影系モジュール３ｂの結像特性
を調整する像シフト機構２５により、パターン４３の像
をシフトさせているので、別途シフト機構を設ける必要
がなくなり、コストの削減に一層寄与することができ
る。

【００５８】しかも、本実施の形態では、マスクＭ上の
パターン４３を当該マスクＭのＸ方向におけるパターン
領域に亙って、且つパターン４３の間隔を全て距離Ｌで
形成することで、長尺鏡３６、３７の平面度を露光範囲
全体に亙って間断なく連続的に求めることができるよう
になっている。

【００５９】さらに、本実施の形態の走査型露光装置お
よび走査露光方法では、ガラス基板Ｐ上でパターンｍ１
〜ｍ１１とパターンｎ１〜ｎ１１とが重複しないように
投影系モジュール３ｂの結像位置をシフトさせているの
で、パターンの間隔を容易に計測することが可能になっ
ている。また、本実施の形態では、投影領域３４ｂ、３
４ｃの露光量を２倍に上げているので、本来重複露光さ
れることで適正露光量になるオーバーラップ部でパター
ン４３をシフトして露光する際にも、分離された両パタ
ーンをそれぞれ適正露光量で露光することができ、所定
の線幅のパターンｍ１〜ｍ１１、ｎ１〜ｎ１１を得るこ
とができる。

【００６０】図１０は、本発明の走査型露光装置および
走査露光方法並びにマスクの第２の実施の形態を示す図
である。この図において、図１ないし図９に示す第１の
実施の形態の構成要素と同一の要素については同一符号
を付し、その説明を省略する。第２の実施の形態と上記
の第１の実施の形態とが異なる点は、パターン４３の像
をガラス基板Ｐに露光せずにディテクタで計測する構成
にしたことである。

【００６１】すなわち、この図に示すように、プレート
ステージ５には、分離して投影されたパターン４３の像
を双方受像可能な位置に結像レンズ４４およびディテク
タ４５がＸ方向に沿って距離Ｌを隔ててそれぞれ対で複
数埋設されている。結像レンズ４４は、分離して投影さ
れたパターン４３の像をそれぞれディテクタ４５に結像
するものである。ディテクタ４５は、例えば二次元ＣＣ
Ｄで構成され、分離して投影されたパターン４３の像を
画像処理することで像の間隔を検出し、制御装置１７に
出力する。他の構成は、上記第１の実施の形態と同様で
ある。

【００６２】本実施の形態の走査型露光装置および走査
露光方法では、上記第１の実施の形態と同様の作用・効
果が得られることに加えて、分離されたパターン４３の
像の間隔を直接検出できるので、現像工程や計測工程を
別途経る必要がなく、長尺鏡３６、３７の平面度を迅速
に求めることが可能になり、タクトの向上に寄与でき
る。

【００６３】なお、上記実施の形態において、投影系モ
ジュール３ｂにおいて結像位置をシフトさせる構成とし
たが、投影系モジュール３ｃにおいて結像位置をシフト
させたり、投影系モジュール３ｂ、３ｃの双方で結像位
置をシフトさせる構成であってもよい。また、投影系モ
ジュール３ｂ、３ｃに対応する投影領域３４ｂ、３４ｃ
のオーバーラップ部でマスクＭのパターン４３を投影す
る構成としたが、パターン４３の位置をＹ方向に変更す
ることで、他の投影領域のオーバーラップ部で投影する
ことも可能である。この場合、投影領域に対応する一対
の投影系モジュールにおいて、少なくともどちらか一方
で結像位置をシフトさせればよい。さらに、マスクＭ上
にパターン４３をＸ方向に沿って１列形成する構成とし
たが、投影領域３４ａ〜３４ｅの４つのオーバーラップ
部の全てに対応するように４列形成してもよい。この場
合、投影系モジュール３ａ〜３ｅのうち、一方の列、例
えば投影系モジュール３ｂ、３ｄの双方において結像位
置をＹ方向にシフトさせればよい。これにより、長尺鏡
３６、３７の平面度を複数の計測結果により平均化して
求めることができ、計測精度を向上させることができ
る。

【００６４】また、上記実施の形態では、投影系モジュ
ール３ｂ、３ｃで結像するパターン４３の像が互いに重
複しないようにシフトさせたが、投影された像の間隔が
計測可能であれば一部重複してもよい。例えば、ガラス
基板Ｐ上にパターン４３を一部重複して転写した場合、
重複した部分は露光量が非重複部に対して二倍になるこ
とで線幅が異なるため、容易に識別できる。

【００６５】なお、本実施の形態の基板としては、液晶
表示デバイス用のガラス基板Ｐのみならず、半導体デバ
イス用の半導体ウエハや、薄膜磁気ヘッド用のセラミッ
クウエハ、あるいは露光装置で用いられるマスクまたは
レチクルの原版（合成石英、シリコンウエハ）等が適用
される。

【００６６】走査型露光装置１の種類としては、ガラス
基板Ｐに液晶表示デバイスパターンを露光する液晶表示
デバイス製造用の露光装置に限られず、ウエハに半導体
デバイスパターンを露光する半導体デバイス製造用の露
光装置や、薄膜磁気ヘッド、撮像素子（ＣＣＤ）あるい
はレチクルなどを製造するための露光装置などにも広く
適用できる。さらに、本実施の形態においては、マスク
Ｍとガラス基板Ｐとを鉛直方向に沿って支持したが、マ
スクＭとガラス基板Ｐとを水平方向に沿って支持させて
もよい。

【００６７】また、光源７として、超高圧水銀ランプか
ら発生する輝線（ｇ線（４３６ｎｍ）、ｈ線（４０４．
７ｎｍ）、ｉ線（３６５ｎｍ））、ＫｒＦエキシマレー
ザ（２４８ｎｍ）、ＡｒＦエキシマレーザ（１９３ｎ
ｍ）、Ｆ₂レーザ（１５７ｎｍ）のみならず、Ｘ線や電
子線などの荷電粒子線を用いることができる。例えば、
電子線を用いる場合には電子銃として、熱電子放射型の
ランタンヘキサボライト（ＬａＢ₆）、タンタル（Ｔ
ａ）を用いることができる。また、ＹＡＧレーザや半導
体レーザ等の高周波などを用いてもよい。

【００６８】投影系モジュール３ａ〜３ｅの倍率は、等
倍系のみならず縮小系および拡大系のいずれでもよい。
また、投影系モジュール３ａ〜３ｅとしては、エキシマ
レーザなどの遠紫外線を用いる場合は硝材として石英や
蛍石などの遠紫外線を透過する材料を用い、Ｆ₂レーザ
やＸ線を用いる場合は反射屈折系または屈折系の光学系
にし（マスクＭも反射型タイプのものを用いる）、また
電子線を用いる場合には光学系として電子レンズおよび
偏向器からなる電子光学系を用いればよい。なお、電子
線が通過する光路は、真空状態にすることはいうまでも
ない。

【００６９】キャリッジ６（キャリッジ６を用いずにガ
ラス基板Ｐ、マスクＭをそれぞれ独立して駆動する場合
は、プレートステージ５、マスクステージ４）にリニア
モータ（USP5,623,853またはUSP5,528,118参照）を用い
る場合は、エアベアリングを用いたエア浮上型およびロ
ーレンツ力またはリアクタンス力を用いた磁気浮上型の
どちらを用いてもよい。また、キャリッジ６（場合によ
ってはプレートステージ５、マスクステージ４）は、ガ
イドに沿って移動するタイプでもよく、ガイドを設けな
いガイドレスタイプであってもよい。

【００７０】キャリッジ６のキャリッジ駆動部３５（場
合によっては各ステージ４、５の駆動部）としては、二
次元に磁石を配置した磁石ユニット（永久磁石）と、二
次元にコイルを配置した電機子ユニットとを対向させ電
磁力によりキャリッジ６（場合によっては各ステージ
４、５）を駆動する平面モータを用いてもよい。この場
合、磁石ユニットと電機子ユニットとのいずれか一方を
キャリッジ６（場合によってはステージ４、５）に接続
し、磁石ユニットと電機子ユニットとの他方をキャリッ
ジ６（場合によっては各ステージ４、５）の移動面側
（ベース）に設ければよい。

【００７１】キャリッジ６（場合によってはマスクステ
ージ４、プレートステージ５）の移動により発生する反
力は、投影光学系３（投影系モジュール３ａ〜３ｅ）に
伝わらないように、特開平８−１６６４７５号公報（US
P5,528,118）や特開平８−３３０２２４号公報（US S/N
08/416,558）に記載されているように、フレーム部材
を用いて機械的に床（大地）に逃がしてもよい。本発明
はこのような構造を備えた露光装置においても適用可能
である。

【００７２】以上のように、本願実施形態の基板処理装
置である走査型露光装置１は、本願特許請求の範囲に挙
げられた各構成要素を含む各種サブシステムを、所定の
機械的精度、電気的精度、光学的精度を保つように、組
み立てることで製造される。これら各種精度を確保する
ために、この組み立ての前後には、各種光学系について
は光学的精度を達成するための調整、各種機械系につい
ては機械的精度を達成するための調整、各種電気系につ
いては電気的精度を達成するための調整が行われる。各
種サブシステムから露光装置への組み立て工程は、各種
サブシステム相互の、機械的接続、電気回路の配線接
続、気圧回路の配管接続等が含まれる。この各種サブシ
ステムから露光装置への組み立て工程の前に、各サブシ
ステム個々の組み立て工程があることはいうまでもな
い。各種サブシステムの露光装置への組み立て工程が終
了したら、総合調整が行われ、露光装置全体としての各
種精度が確保される。なお、露光装置の製造は温度およ
びクリーン度等が管理されたクリーンルームで行うこと
が望ましい。

【００７３】液晶表示デバイスや半導体デバイス等のデ
バイスは、図１１に示すように、液晶表示デバイス等の
機能・性能設計を行うステップ２０１、この設計ステッ
プに基づいたマスクＭ（レチクル）を製作するステップ
２０２、石英等からガラス基板Ｐ、またはシリコン材料
からウエハを製作するステップ２０３、前述した実施の
形態の走査型露光装置１によりマスクＭのパターンをガ
ラス基板Ｐ（またはウエハ）に露光するステップ２０
４、液晶表示デバイス等を組み立てるステップ（ウエハ
の場合、ダイシング工程、ボンディング工程、パッケー
ジ工程を含む）２０５、検査ステップ２０６等を経て製
造される。

【００７４】

【発明の効果】以上説明したように、請求項１に係る走
査型露光装置は、パターンを基板に投影する投影領域の
少なくとも一部が重複している一対の投影光学系が第１
方向に所定距離隔てて配置され、シフト部が基板に重複
露光されるパターンの像を第２方向に沿ってシフトさせ
る構成となっている。これにより、この走査型露光装置
では、分離して露光されたパターンの間隔を計測するこ
とで長尺鏡の平面度差を容易に求めることができるた
め、長尺鏡に対して使用する干渉系の計測軸を増やす必
要がなくなり、コストの抑制に寄与できるという効果が
得られる。

【００７５】請求項２に係る走査型露光装置は、シフト
部が一対の投影光学系の少なくとも一方に配置される構
成となっている。これにより、この走査型露光装置で
は、少なくとも一方の投影光学系で投影するパターンの
像をシフトできるという効果が得られる。

【００７６】請求項３に係る走査型露光装置は、一対の
投影光学系が投影する像を重複しないようにシフトさせ
る構成となっている。これにより、この走査型露光装置
では、パターンの間隔を容易に計測できるという効果が
得られる。

【００７７】請求項４に係る走査型露光装置は、露光量
制御部が投影像のシフトに応じて、パターンを基板に露
光する際の露光量を変更する構成となっている。これに
より、この走査型露光装置では、分離された両パターン
をそれぞれ適正露光量で露光することができ、所定の線
幅のパターンが得られるという効果を奏する。

【００７８】請求項５に係る走査露光方法は、パターン
を基板に投影する投影領域の少なくとも一部が重複し、
第１方向に所定距離隔てて配置されている一対の投影光
学系を用いて基板に露光する際に、基板に重複露光され
るパターンの像を第２方向に沿ってシフトさせる手順と
なっている。これにより、この走査露光方法では、分離
して露光されたパターンの間隔を計測することで長尺鏡
の平面度差を容易に求めることができるため、長尺鏡に
対して使用する干渉系の計測軸を増やす必要がなくな
り、コストの抑制に寄与できるという効果が得られる。

【００７９】請求項６に係る走査露光方法は、一対の投
影光学系が投影する像を重複しないようにシフトさせる
手順となっている。これにより、この走査露光方法で
は、パターンの間隔を容易に計測できるという効果が得
られる。

【００８０】請求項７に係る走査露光方法は、投影像の
シフトに応じて、パターンを基板に露光する際の露光量
を変更する手順となっている。これにより、この走査露
光方法では、分離された両パターンをそれぞれ適正露光
量で露光することができ、所定の線幅のパターンが得ら
れるという効果を奏する。

【００８１】請求項８に係るマスクは、一対の投影光学
系が配置される距離と同一の距離隔ててパターンが複数
形成される構成となっている。これにより、このマスク
では、分離して露光されたパターンの間隔を計測するこ
とで長尺鏡の平面度差を容易に求めることができるとい
う効果が得られる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明を適用する走査型露光装置の一例の
構成を示す外観斜視図である。

【図２】同走査型露光装置の概略構成図である。

【図３】本発明の走査型露光装置を構成するフィル
タの平面図である。

【図４】本発明の走査型露光装置を構成する投影光
学系モジュールの概略構成図である。

【図５】本発明の実施の形態を示す図であって、マ
スクのパターンと投影領域との位置関係を示す正面図で
ある。

【図６】（ａ）は図５におけるパターンの拡大図で
あり、（ｂ）は分離して投影されたパターンの図であ
る。

【図７】本発明の走査露光方法に係るフローチャー
ト図である。

【図８】本発明の実施の形態を示す図であって、ガ
ラス基板に投影されたパターンと長尺鏡との位置関係を
示す正面図である。

【図９】同長尺鏡における反射位置と反射位置間の
ベクトルとの関係を説明するための説明図である。

【図１０】本発明の第２の実施の形態を示す図であ
って、プレートステージ内に結像レンズおよびディテク
タが対で複数設けられた断面図である。

【図１１】液晶表示デバイスの製造工程の一例を示
すフローチャート図である。

【符号の説明】

Ｍマスク（レチクル）Ｐガラス基板（基板）１走査型露光装置３、３ａ〜３ｅ投影光学系１７制御装置（露光量制御部）２５像シフト機構（シフト部）３４ａ〜３４ｅ投影領域４３パターン

フロントページの続きＦターム(参考） 2H097 AA20 AB09 BA10 CA13 GB02 LA12 5F046 BA05 CA02 CB02 CB04 CB06 CB08 CB10 CB13 CB20 CB23 CB25 CC01 CC02 CC03 CC15 CC16 DA01 DA06 DA07 DA08 DB01 DB05 DB11 DB12 DC02

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】マスクと基板とを第１方向に沿って移
動させて、前記マスクのパターンを前記基板に露光する
走査型露光装置において、前記第１方向に所定距離隔てて配置されるとともに、前
記パターンを前記基板に投影する投影領域の少なくとも
一部が重複している一対の投影光学系と、前記基板に前記重複露光されるパターンの像を前記第１
方向とほぼ直交する第２方向に沿ってシフトさせるシフ
ト部とを備えることを特徴とする走査型露光装置。
【請求項２】請求項１記載の走査型露光装置におい
て、前記シフト部は、前記一対の投影光学系の少なくとも一
方の投影光学系に配置されていることを特徴とする走査
型露光装置。
【請求項３】請求項１または２記載の走査型露光装
置において、前記シフト部は、前記一対の投影光学系が投影する像を
重複しないようにシフトさせることを特徴とする走査型
露光装置。
【請求項４】請求項１から３のいずれか一項に記載
の走査型露光装置において、前記シフト部の前記シフトに応じて、前記パターンを基
板に露光する際の露光量を変更する露光量制御部を備え
ることを特徴とする走査型露光装置。
【請求項５】マスクと基板とを第１方向に沿って移
動させて、前記マスクのパターンを前記基板に露光する
走査露光方法において、前記第１方向に所定距離隔てて配置されるとともに、前
記パターンを前記基板に投影する投影領域の少なくとも
一部が重複している一対の投影光学系を用いて前記基板
に露光する際に、前記基板に前記重複露光されるパター
ンの像を前記第１方向とほぼ直交する第２方向に沿って
シフトさせるステップを含むことを特徴とする走査露光
方法。
【請求項６】請求項５記載の走査露光方法におい
て、前記シフトさせるステップは、前記一対の投影光学系が
投影する像を重複しないようにシフトさせることを特徴
とする走査露光方法。
【請求項７】請求項５または６記載の走査露光方法
において、前記シフトに応じて、前記パターンを基板に露光する際
の露光量を変更するステップを含むことを特徴とする走
査露光方法。
【請求項８】所定距離隔てて配置される一対の投影
光学系により投影されるパターンを有したマスクにおい
て、前記パターンは、前記所定距離隔てて複数形成されてい
ることを特徴とするマスク。