JPH0722350A - 露光装置及びそれを用いた素子の製造方法 - Google Patents
露光装置及びそれを用いた素子の製造方法Info
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- JPH0722350A JPH0722350A JP5160891A JP16089193A JPH0722350A JP H0722350 A JPH0722350 A JP H0722350A JP 5160891 A JP5160891 A JP 5160891A JP 16089193 A JP16089193 A JP 16089193A JP H0722350 A JPH0722350 A JP H0722350A
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- reticle
- light
- optical system
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70225—Optical aspects of catadioptric systems, i.e. comprising reflective and refractive elements
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ウエハー表面の反射率に依存していたレチク
ル信号強度を、安定した強度の信号として得ることによ
り、検出率の高い、高精度な位置合わせを有する露光装
置及びそれを用いた素子の製造方法を可能にする。 【構成】 第1物体面上のパターンを感光剤が塗布され
た第2物体面上に露光する露光手段と、第1物体上、第
2物体上にそれぞれの位置を検出するためのマークと、
第1物体と第2物体との間から前記各マークを照明する
照明手段と、第1物体と第2物体とを同期させて移動さ
せる移動手段と、第1及び第2物体の移動により変調さ
れた前記照明光を検出する第1、第2の光検出手段と、
前記第1、第2の光検出手段からの出力に基づいて第1
物体と第2物体との相対的位置を検出する位置検出手段
とを有する露光装置において、第1物体を照明する前記
照明手段が、第2物体を介さない照明光で第1物体を照
明する。
ル信号強度を、安定した強度の信号として得ることによ
り、検出率の高い、高精度な位置合わせを有する露光装
置及びそれを用いた素子の製造方法を可能にする。 【構成】 第1物体面上のパターンを感光剤が塗布され
た第2物体面上に露光する露光手段と、第1物体上、第
2物体上にそれぞれの位置を検出するためのマークと、
第1物体と第2物体との間から前記各マークを照明する
照明手段と、第1物体と第2物体とを同期させて移動さ
せる移動手段と、第1及び第2物体の移動により変調さ
れた前記照明光を検出する第1、第2の光検出手段と、
前記第1、第2の光検出手段からの出力に基づいて第1
物体と第2物体との相対的位置を検出する位置検出手段
とを有する露光装置において、第1物体を照明する前記
照明手段が、第2物体を介さない照明光で第1物体を照
明する。
Description
【0001】
【技術分野】本発明は、例えば半導体ICやLSIを製
造するための露光装置において、ウエハーとマスクの相
対位置を検出し位置を制御する位置合わせ装置に関する
ものであり、特にステップ・アンド・スキャン方式を用
いた露光装置に最適なものである。
造するための露光装置において、ウエハーとマスクの相
対位置を検出し位置を制御する位置合わせ装置に関する
ものであり、特にステップ・アンド・スキャン方式を用
いた露光装置に最適なものである。
【0002】
【従来の技術】半導体技術の進展は近年益々速度を増し
ており、それに伴って微細加工技術の進展も著しいもの
がある。特にその中心をなす光加工技術は1MDRAM
を境にサブミクロンの領域に踏み込んだ。解像力を向上
させる手段としてこれまで用いられてきたのは、波長を
固定して、光学系のNAを大きくしていく手法であっ
た。しかし最近では露光波長をg線からi線、更には2
48nm、193nmのエキシマレーザーへと、光露光
法の限界を広げようという試みも行なわれている。
ており、それに伴って微細加工技術の進展も著しいもの
がある。特にその中心をなす光加工技術は1MDRAM
を境にサブミクロンの領域に踏み込んだ。解像力を向上
させる手段としてこれまで用いられてきたのは、波長を
固定して、光学系のNAを大きくしていく手法であっ
た。しかし最近では露光波長をg線からi線、更には2
48nm、193nmのエキシマレーザーへと、光露光
法の限界を広げようという試みも行なわれている。
【0003】現在、上記微細加工を担う主流の方式は、
屈折型縮小投影レンズを搭載したステップ・アンド・リ
ピート方式の露光装置である。しかし、この方式は、露
光波長を短波長化すると、数種類の限られた硝材のみで
投影レンズを製造しなくてはならない。このことが、露
光装置に搭載している一部のシステム構築を困難にす
る。
屈折型縮小投影レンズを搭載したステップ・アンド・リ
ピート方式の露光装置である。しかし、この方式は、露
光波長を短波長化すると、数種類の限られた硝材のみで
投影レンズを製造しなくてはならない。このことが、露
光装置に搭載している一部のシステム構築を困難にす
る。
【0004】ウエハーとレチクルを位置合わせするアラ
イメントシステムも影響を受けるシステムの一つであ
る。現在、ウエハー上に塗布されたレジストを感光させ
ない光(以下、非露光光)、例えば、He−Neレーザ
ーの633nmの波長の光を用いて、投影レンズを介し
(TTL方式)、ウエハー上のアライメントターゲット
を検出する方式が多く採用されている。しかし、露光波
長の短波長化に対応した投影レンズは、一般に非露光光
に対する軸上色収差が大きい。ひどい場合には、非露光
光における投影レンズのパワーが、負のパワーとなり、
投影レンズ単体では像を結べないこともある。このよう
な状況において、非露光光TTLアライメントシステム
を構築することは、設計上、また製造上においてもかな
り難易度の高いものとなっている。
イメントシステムも影響を受けるシステムの一つであ
る。現在、ウエハー上に塗布されたレジストを感光させ
ない光(以下、非露光光)、例えば、He−Neレーザ
ーの633nmの波長の光を用いて、投影レンズを介し
(TTL方式)、ウエハー上のアライメントターゲット
を検出する方式が多く採用されている。しかし、露光波
長の短波長化に対応した投影レンズは、一般に非露光光
に対する軸上色収差が大きい。ひどい場合には、非露光
光における投影レンズのパワーが、負のパワーとなり、
投影レンズ単体では像を結べないこともある。このよう
な状況において、非露光光TTLアライメントシステム
を構築することは、設計上、また製造上においてもかな
り難易度の高いものとなっている。
【0005】それに対し、屈折型投影レンズを使用しな
い、反射屈折型縮小光学系を搭載したステップ・アンド
・スキャン方式の露光装置が考案されている。このシス
テムは、露光波長を短波長化しても屈折型投影レンズを
使用したシステムほど、システム構築の難易度が高くな
らない利点がある。その最も大きな理由は、反射屈折光
学系を使用しているため、色収差の影響が少ない点であ
る。
い、反射屈折型縮小光学系を搭載したステップ・アンド
・スキャン方式の露光装置が考案されている。このシス
テムは、露光波長を短波長化しても屈折型投影レンズを
使用したシステムほど、システム構築の難易度が高くな
らない利点がある。その最も大きな理由は、反射屈折光
学系を使用しているため、色収差の影響が少ない点であ
る。
【0006】このステップ・アンド・スキャン方式にお
ける位置合わせシステムが、既に特開昭63−4102
3号広報にて開示されている。以下、図5を用いて従来
の実施例を説明する。
ける位置合わせシステムが、既に特開昭63−4102
3号広報にて開示されている。以下、図5を用いて従来
の実施例を説明する。
【0007】図5において、光源であるレーザー4から
出射したレーザービームは、ビーム整形光学系5に入射
し、その中に設けられている2つの直交したスリット状
の視野絞り(不図示)により、2つのシート状のビーム
に整形される。2つのシートビームはビームスプリッタ
ー6を透過後、照明光学系7に入射し、ビーム整形光学
系内の前記視野絞りと共役な面16に空中像を結像す
る。この視野絞り共役面16は、反射屈折型投影光学系
1を介しアライメントマーク(不図示)が形成されたウ
エハー2面とも共役な関係にある。アライメントマーク
は前記スリット状の視野絞りと同じ方向に直交した2つ
の4辺形で形成される。共役面16通過後、レチクル3
とミラー投影光学系1の間にあるビームスプリッター1
00に入射する。その後、この2つのシートビームは、
ビームスプリッター100によりミラー投影光学系1側
に反射され、反射屈折型投影光学系1によりウエハー2
上にあるアライメントマーク(不図示)上にスリット像
を結像し、マークを照明する。ウエハー2上のアライメ
ントマークにて散乱・回折したウエハー信号光は、ミラ
ー投影光学系1に再入射し、その1部は、ビームスプリ
ッター100で再び反射され、照明光学系7を経て、ビ
ームスプリッター6に入射する。ウエハー信号光は、ビ
ームスプリッター6で反射され、ウエハー信号検出系8
に入射し、所定次数の回折光を選択する。この時アライ
メントマークが形成されたウエハーはスリット像を横切
って走査されるのでウエハー信号光は変調されアライメ
ントマークとスリット像の相対的位置が検出される。位
置検出後、その情報は、コンピューター15に回線を通
じ転送される。
出射したレーザービームは、ビーム整形光学系5に入射
し、その中に設けられている2つの直交したスリット状
の視野絞り(不図示)により、2つのシート状のビーム
に整形される。2つのシートビームはビームスプリッタ
ー6を透過後、照明光学系7に入射し、ビーム整形光学
系内の前記視野絞りと共役な面16に空中像を結像す
る。この視野絞り共役面16は、反射屈折型投影光学系
1を介しアライメントマーク(不図示)が形成されたウ
エハー2面とも共役な関係にある。アライメントマーク
は前記スリット状の視野絞りと同じ方向に直交した2つ
の4辺形で形成される。共役面16通過後、レチクル3
とミラー投影光学系1の間にあるビームスプリッター1
00に入射する。その後、この2つのシートビームは、
ビームスプリッター100によりミラー投影光学系1側
に反射され、反射屈折型投影光学系1によりウエハー2
上にあるアライメントマーク(不図示)上にスリット像
を結像し、マークを照明する。ウエハー2上のアライメ
ントマークにて散乱・回折したウエハー信号光は、ミラ
ー投影光学系1に再入射し、その1部は、ビームスプリ
ッター100で再び反射され、照明光学系7を経て、ビ
ームスプリッター6に入射する。ウエハー信号光は、ビ
ームスプリッター6で反射され、ウエハー信号検出系8
に入射し、所定次数の回折光を選択する。この時アライ
メントマークが形成されたウエハーはスリット像を横切
って走査されるのでウエハー信号光は変調されアライメ
ントマークとスリット像の相対的位置が検出される。位
置検出後、その情報は、コンピューター15に回線を通
じ転送される。
【0008】一方、ビームスプリッター100を透過し
たウエハー2からの反射光は、レチクル3上にあるアラ
イメントマーク(不図示)上に前記スリット状の視野絞
りを結像し、前記アライメントマークを透過照明する。
レチクル上のアライメントマークにより散乱・回折した
レチクル信号光は、コンデンサー光学系9、ダイクロイ
ックミラー10を経た後、レチクル信号検出系11に入
射し、レチクルの位置が検出される。ダイクロイックミ
ラー10は、不図示の露光光源からの光12を反射し、
コンデンサー光学系9の方へ露光光を反射させ、アライ
メント光は透過させるという性質を備えている。ウエハ
ーと同様、この時アライメントマークが形成されたレチ
クルはスリット像を横切って走査されるのでレチクル信
号光は変調されアライメントマークとスリット像の相対
的位置が検出される。位置検出後、その情報は、コンピ
ューター15に回線を通じ転送される。
たウエハー2からの反射光は、レチクル3上にあるアラ
イメントマーク(不図示)上に前記スリット状の視野絞
りを結像し、前記アライメントマークを透過照明する。
レチクル上のアライメントマークにより散乱・回折した
レチクル信号光は、コンデンサー光学系9、ダイクロイ
ックミラー10を経た後、レチクル信号検出系11に入
射し、レチクルの位置が検出される。ダイクロイックミ
ラー10は、不図示の露光光源からの光12を反射し、
コンデンサー光学系9の方へ露光光を反射させ、アライ
メント光は透過させるという性質を備えている。ウエハ
ーと同様、この時アライメントマークが形成されたレチ
クルはスリット像を横切って走査されるのでレチクル信
号光は変調されアライメントマークとスリット像の相対
的位置が検出される。位置検出後、その情報は、コンピ
ューター15に回線を通じ転送される。
【0009】コンピューター15に集められたウエハー
とレチクルの位置情報により、その相対ずれ量が計算さ
れ、回線を通じその補正量がウエハー位置補正機構1
4、レチクル位置補正機構13に転送される。各補正機
構は、その量に応じウエハー位置、レチクル位置を補正
し位置合わせを達成している。
とレチクルの位置情報により、その相対ずれ量が計算さ
れ、回線を通じその補正量がウエハー位置補正機構1
4、レチクル位置補正機構13に転送される。各補正機
構は、その量に応じウエハー位置、レチクル位置を補正
し位置合わせを達成している。
【0010】
【発明が解決しようとしている課題】前記した従来の実
施例において、レチクル上のアライメントマークの照明
光は、ウエハーからの反射光を利用している。その場
合、レチクル信号強度は、ウエハー表面におけるアライ
メント光の反射率に依存する。ウエハーのでき次第で
は、反射率が低くなり、レチクル信号が検出できなくな
ったり、感光剤の塗布むらで、同一ウエハーに対する位
置合わせにもかかわらず、レチクル信号が大きく変化し
てしまい、位置合わせ精度劣化、スループット低下等の
問題点が生じる。
施例において、レチクル上のアライメントマークの照明
光は、ウエハーからの反射光を利用している。その場
合、レチクル信号強度は、ウエハー表面におけるアライ
メント光の反射率に依存する。ウエハーのでき次第で
は、反射率が低くなり、レチクル信号が検出できなくな
ったり、感光剤の塗布むらで、同一ウエハーに対する位
置合わせにもかかわらず、レチクル信号が大きく変化し
てしまい、位置合わせ精度劣化、スループット低下等の
問題点が生じる。
【0011】
【課題を解決するための手段】本発明の露光装置は、第
1物体面上のパターンを感光剤が塗布された第2物体面
上に露光する露光手段と、第1物体上、第2物体上にそ
れぞれの位置を検出するためのマークと、第1物体と第
2物体との間から前記各マークを照明する照明手段と、
第1物体と第2物体とを同期させて移動させる移動手段
と、第1物体の移動により変調された前記照明光を検出
する第1の光検出手段と、第2物体の移動により変調さ
れた前記照明光を検出する第2の光検出手段と、前記第
1の光検出手段からの出力と前記第2の光検出手段から
の出力とに基づいて第1物体と第2物体との相対的位置
を検出する位置検出手段とを有する露光装置において、
第1物体を照明する前記照明手段が、第2物体を介さな
い照明光で第1物体を照明することを特徴としている。
1物体面上のパターンを感光剤が塗布された第2物体面
上に露光する露光手段と、第1物体上、第2物体上にそ
れぞれの位置を検出するためのマークと、第1物体と第
2物体との間から前記各マークを照明する照明手段と、
第1物体と第2物体とを同期させて移動させる移動手段
と、第1物体の移動により変調された前記照明光を検出
する第1の光検出手段と、第2物体の移動により変調さ
れた前記照明光を検出する第2の光検出手段と、前記第
1の光検出手段からの出力と前記第2の光検出手段から
の出力とに基づいて第1物体と第2物体との相対的位置
を検出する位置検出手段とを有する露光装置において、
第1物体を照明する前記照明手段が、第2物体を介さな
い照明光で第1物体を照明することを特徴としている。
【0012】特に、第2物体を照明する前記照明手段
が、第1物体を介する照明光で第2物体を照明すること
を特徴としている。
が、第1物体を介する照明光で第2物体を照明すること
を特徴としている。
【0013】
【実施例】図1を用いて本発明の第1実施例を説明す
る。図1において、光源であるレーザー4から出射した
レーザービームは、ビーム整形光学系5に入射し、その
中に設けられている2つの直交したスリット状の視野絞
り(不図示)により、2つのシート状のビームに整形さ
れる。2つのシートビームはビームスプリッター6を透
過後、照明光学系7に入射し、ビーム整形光学系内の前
記視野絞りと共役な面16に空中像を結像する。この視
野絞り共役面16は、反射屈折型投影光学系1を介しウ
エハー2上のアライメントマーク(不図示)とも共役な
関係にある。共役面16通過後、レチクル3と反射屈折
投影光学系1の間にあるビームスプリッター20に入射
する。このビームスプリッター20の配置位置は、本出
願の本質的な部分ではなく、反射屈折投影光学系1とウ
エハー2の間でもよければ、反射屈折投影光学系1の内
部に構成されていても良い。ただし、その場合には、視
野絞り共役面16は、反射屈折投影光学系1を介しレチ
クル3上のアライメントマークと共役な関係であった
り、ウエハー、レチクル両方のアライメントマークと共
役な関係であったりする。また、ウエハー、レチクルと
も結像関係にない場合にも、スリットのぼけ量がシステ
ムの許容範囲内であるような配置でも構わない。
る。図1において、光源であるレーザー4から出射した
レーザービームは、ビーム整形光学系5に入射し、その
中に設けられている2つの直交したスリット状の視野絞
り(不図示)により、2つのシート状のビームに整形さ
れる。2つのシートビームはビームスプリッター6を透
過後、照明光学系7に入射し、ビーム整形光学系内の前
記視野絞りと共役な面16に空中像を結像する。この視
野絞り共役面16は、反射屈折型投影光学系1を介しウ
エハー2上のアライメントマーク(不図示)とも共役な
関係にある。共役面16通過後、レチクル3と反射屈折
投影光学系1の間にあるビームスプリッター20に入射
する。このビームスプリッター20の配置位置は、本出
願の本質的な部分ではなく、反射屈折投影光学系1とウ
エハー2の間でもよければ、反射屈折投影光学系1の内
部に構成されていても良い。ただし、その場合には、視
野絞り共役面16は、反射屈折投影光学系1を介しレチ
クル3上のアライメントマークと共役な関係であった
り、ウエハー、レチクル両方のアライメントマークと共
役な関係であったりする。また、ウエハー、レチクルと
も結像関係にない場合にも、スリットのぼけ量がシステ
ムの許容範囲内であるような配置でも構わない。
【0014】ビームスプリッター20の波面分割面によ
り所定の割合に反射光、透過光に分けられる。波面分割
面にて反射した2つのシートビームは、反射屈折投影光
学系1を経て、ウエハー2上にあるアライメントマーク
(不図示)上にスリット像を結像し、マークを照明す
る。
り所定の割合に反射光、透過光に分けられる。波面分割
面にて反射した2つのシートビームは、反射屈折投影光
学系1を経て、ウエハー2上にあるアライメントマーク
(不図示)上にスリット像を結像し、マークを照明す
る。
【0015】ウエハー2上のアライメントマークにて散
乱・回折したウエハー信号光は、反射屈折投影光学系1
に再入射し、その1部は、ビームスプリッター20で再
び反射され、照明光学系7を経て、ビームスプリッター
6に入射する。ウエハー信号光は、ビームスプリッター
6で反射され、ウエハー信号検出系8に入射し、所定次
数の回折光を選択する。この時アライメントマークが形
成されたウエハーはスリット像を横切って走査されるの
でウエハー信号光は変調されアライメントマークとスリ
ット像の相対的位置が検出される。位置検出後、その情
報は、コンピューター15に回線を通じ転送される。
乱・回折したウエハー信号光は、反射屈折投影光学系1
に再入射し、その1部は、ビームスプリッター20で再
び反射され、照明光学系7を経て、ビームスプリッター
6に入射する。ウエハー信号光は、ビームスプリッター
6で反射され、ウエハー信号検出系8に入射し、所定次
数の回折光を選択する。この時アライメントマークが形
成されたウエハーはスリット像を横切って走査されるの
でウエハー信号光は変調されアライメントマークとスリ
ット像の相対的位置が検出される。位置検出後、その情
報は、コンピューター15に回線を通じ転送される。
【0016】一方、ビームスプリッター20の波面分割
面を透過した照明光は、ビームスプリッター20の図中
右側の面にてレチクル3側に反射され、視野絞り結像光
学系21を透過後、レチクル3上にあるアライメントマ
ーク(不図示)上に前記スリット状の視野絞りを結像
し、前記アライメントマークを透過照明する。尚、レチ
クル照明光の開口数が小さく、視野絞り共役面16とレ
チクル3上のアライメントマークまでの距離が焦点深度
内であったり、焦点深度外であってもアライメントマー
ク上におけるスリットのぼけ量が許容範囲内であれば、
視野絞り結像光学系21は装備しなくても良い。
面を透過した照明光は、ビームスプリッター20の図中
右側の面にてレチクル3側に反射され、視野絞り結像光
学系21を透過後、レチクル3上にあるアライメントマ
ーク(不図示)上に前記スリット状の視野絞りを結像
し、前記アライメントマークを透過照明する。尚、レチ
クル照明光の開口数が小さく、視野絞り共役面16とレ
チクル3上のアライメントマークまでの距離が焦点深度
内であったり、焦点深度外であってもアライメントマー
ク上におけるスリットのぼけ量が許容範囲内であれば、
視野絞り結像光学系21は装備しなくても良い。
【0017】レチクル上のアライメントマークにより散
乱・回折したレチクル信号光は、コンデンサー光学系
9、ダイクロイックミラー10を経た後、レチクル信号
検出系11に入射し、レチクルの位置が検出される。ダ
イクロイックミラー10は、不図示の露光光源からの光
12を反射し、コンデンサー光学系9の方へ露光光を反
射させ、アライメント光は透過させるという性質を備え
ている。ウエハーと同様、この時アライメントマークが
形成されたレチクルはスリット像を横切って走査される
のでレチクル信号光は変調されアライメントマークとス
リット像の相対的位置が検出される。位置検出後、その
情報は、コンピューター15に回線を通じ転送される。
乱・回折したレチクル信号光は、コンデンサー光学系
9、ダイクロイックミラー10を経た後、レチクル信号
検出系11に入射し、レチクルの位置が検出される。ダ
イクロイックミラー10は、不図示の露光光源からの光
12を反射し、コンデンサー光学系9の方へ露光光を反
射させ、アライメント光は透過させるという性質を備え
ている。ウエハーと同様、この時アライメントマークが
形成されたレチクルはスリット像を横切って走査される
のでレチクル信号光は変調されアライメントマークとス
リット像の相対的位置が検出される。位置検出後、その
情報は、コンピューター15に回線を通じ転送される。
【0018】コンピューター15に集められたウエハー
とレチクルの位置情報により、その相対ずれ量が計算さ
れ、回線を通じその補正量がウエハー位置補正機構1
4、レチクル位置補正機構13に転送される。各補正機
構は、その量に応じウエハー位置、レチクル位置を補正
し位置合わせを達成している。本実施例により、ウエハ
ープロセスの影響をうけない高精度な位置合わせを達成
することができる。
とレチクルの位置情報により、その相対ずれ量が計算さ
れ、回線を通じその補正量がウエハー位置補正機構1
4、レチクル位置補正機構13に転送される。各補正機
構は、その量に応じウエハー位置、レチクル位置を補正
し位置合わせを達成している。本実施例により、ウエハ
ープロセスの影響をうけない高精度な位置合わせを達成
することができる。
【0019】次に第2の実施例を図2を用いて説明す
る。第1の実施例では、レチクル上のアライメントマー
クとウエハー上のアライメントが、反射屈折投影光学系
1の光軸に対し、同じ像高にないため、計測時にオフセ
ットを生じるおそれがある。そこで、本実施例は、ウエ
ハー上のアライメントマークとレチクル上のアライメン
トマークが反射屈折投影光学系1に対し、同じ像高にな
るようにしたものである。以下に実施例を示す。
る。第1の実施例では、レチクル上のアライメントマー
クとウエハー上のアライメントが、反射屈折投影光学系
1の光軸に対し、同じ像高にないため、計測時にオフセ
ットを生じるおそれがある。そこで、本実施例は、ウエ
ハー上のアライメントマークとレチクル上のアライメン
トマークが反射屈折投影光学系1に対し、同じ像高にな
るようにしたものである。以下に実施例を示す。
【0020】図2において、光源であるレーザー4から
出射したランダム偏光のレーザービームは、ビーム整形
光学系5に入射し、その中に設けられている2つの直交
したスリット状の視野絞り(不図示)により、2つのシ
ート状のビームに整形される。2つのシートビームはビ
ームスプリッター6を透過後、照明光学系7に入射し、
ビーム整形光学系内の前記視野絞りと共役な面16に空
中像を結像する。この視野絞り共役面16は、反射屈折
投影光学系1を介しウエハー2上のアライメントマーク
(不図示)とも共役な関係にある。共役面16通過後、
レチクル3と反射屈折投影光学系1の間にある偏光ビー
ムスプリッター40に入射する。
出射したランダム偏光のレーザービームは、ビーム整形
光学系5に入射し、その中に設けられている2つの直交
したスリット状の視野絞り(不図示)により、2つのシ
ート状のビームに整形される。2つのシートビームはビ
ームスプリッター6を透過後、照明光学系7に入射し、
ビーム整形光学系内の前記視野絞りと共役な面16に空
中像を結像する。この視野絞り共役面16は、反射屈折
投影光学系1を介しウエハー2上のアライメントマーク
(不図示)とも共役な関係にある。共役面16通過後、
レチクル3と反射屈折投影光学系1の間にある偏光ビー
ムスプリッター40に入射する。
【0021】偏光ビームスプリッター40の波面分割面
によりS偏光は反射光、P偏光は透過光と、2つの直線
偏光に分けられる。波面分割面にて反射した2つのシー
トビームは、反射屈折投影光学系1により、ウエハー2
上にあるアライメントマーク(不図示)上にスリットを
結像し、マークを照明する。
によりS偏光は反射光、P偏光は透過光と、2つの直線
偏光に分けられる。波面分割面にて反射した2つのシー
トビームは、反射屈折投影光学系1により、ウエハー2
上にあるアライメントマーク(不図示)上にスリットを
結像し、マークを照明する。
【0022】ウエハー2上のアライメントマークにて散
乱・回折したウエハー信号光は、反射屈折投影光学系1
に再入射し、その1部は、偏光ビームスプリッター40
で再び反射され、照明光学系7を経て、ビームスプリッ
ター6に入射する。ウエハー信号光は、ビームスプリッ
ター6で反射され、ウエハー信号検出系8に入射し、所
定次数の回折光を選択する。そして第1の実施例と同様
のウエハー位置検出を行なう。位置検出後、その情報
は、コンピューター15に回線を通じ転送される。
乱・回折したウエハー信号光は、反射屈折投影光学系1
に再入射し、その1部は、偏光ビームスプリッター40
で再び反射され、照明光学系7を経て、ビームスプリッ
ター6に入射する。ウエハー信号光は、ビームスプリッ
ター6で反射され、ウエハー信号検出系8に入射し、所
定次数の回折光を選択する。そして第1の実施例と同様
のウエハー位置検出を行なう。位置検出後、その情報
は、コンピューター15に回線を通じ転送される。
【0023】一方、偏光ビームスプリッター40の波面
分割面を透過したP偏光の照明光は、λ/4板41を通
り、円偏光となる。そして、視野絞り結像光学系42を
通り、ミラー43にて再び視野絞り結像光学系42に入
射するように反射される。視野絞り結像光学系42透過
後、再びλ/4板41に入射し、今度は、偏光ビームス
プリッター40に対しS偏光になるように入射する。偏
光ビームスプリッター40の波面分割面にて反射された
照明光束は、レチクル3上にあるアライメントマーク
(不図示)上に前記スリット状の視野絞りを結像し、前
記アライメントマークを透過照明する。尚、視野絞り結
像光学系42は、光束がそこを往復することで、視野絞
り共役面16とレチクル上のアライメントマークが共役
な関係になるように設定されている。また、本実施例で
は、視野絞り結像光学系42とミラー43は別々に記載
したが、視野絞り結像光学系42を反射光学系で構成す
れば、ミラーは不要となる。更に、レチクル照明光の開
口数が小さく、視野絞り共役面16とレチクル3上のア
ライメントマークまでの距離が焦点深度内であったり、
焦点深度外であってもアライメントマーク上におけるス
リットのぼけ量が許容範囲内であれば、視野絞り結像光
学系42は装備しなくても良い。
分割面を透過したP偏光の照明光は、λ/4板41を通
り、円偏光となる。そして、視野絞り結像光学系42を
通り、ミラー43にて再び視野絞り結像光学系42に入
射するように反射される。視野絞り結像光学系42透過
後、再びλ/4板41に入射し、今度は、偏光ビームス
プリッター40に対しS偏光になるように入射する。偏
光ビームスプリッター40の波面分割面にて反射された
照明光束は、レチクル3上にあるアライメントマーク
(不図示)上に前記スリット状の視野絞りを結像し、前
記アライメントマークを透過照明する。尚、視野絞り結
像光学系42は、光束がそこを往復することで、視野絞
り共役面16とレチクル上のアライメントマークが共役
な関係になるように設定されている。また、本実施例で
は、視野絞り結像光学系42とミラー43は別々に記載
したが、視野絞り結像光学系42を反射光学系で構成す
れば、ミラーは不要となる。更に、レチクル照明光の開
口数が小さく、視野絞り共役面16とレチクル3上のア
ライメントマークまでの距離が焦点深度内であったり、
焦点深度外であってもアライメントマーク上におけるス
リットのぼけ量が許容範囲内であれば、視野絞り結像光
学系42は装備しなくても良い。
【0024】レチクル上のアライメントマークにより散
乱・回折したレチクル信号光は、コンデンサー光学系
9、ダイクロイックミラー10を経た後、レチクル信号
検出系11に入射し、レチクルの位置が検出される。ダ
イクロイックミラー10は、不図示の露光光源からの光
12を反射し、コンデンサー光学系9の方へ露光光を反
射させ、アライメント光は透過させるという性質を備え
ている。位置検出後、ウエハーと同様、その情報はコン
ピューター15に回線を通じ転送される。
乱・回折したレチクル信号光は、コンデンサー光学系
9、ダイクロイックミラー10を経た後、レチクル信号
検出系11に入射し、レチクルの位置が検出される。ダ
イクロイックミラー10は、不図示の露光光源からの光
12を反射し、コンデンサー光学系9の方へ露光光を反
射させ、アライメント光は透過させるという性質を備え
ている。位置検出後、ウエハーと同様、その情報はコン
ピューター15に回線を通じ転送される。
【0025】コンピューター15に集められたウエハー
とレチクルの位置情報により、その相対ずれ量が計算さ
れ、回線を通じその補正量がウエハー位置補正機構1
4、レチクル位置補正機構13に転送される。各補正機
構は、その量に応じウエハー位置、レチクル位置を補正
し位置合わせを達成している。本実施例により、ウエハ
ー上のアライメントマークとレチクル上のアライメント
マークが反射屈折投影光学系1に対し同像高で位置合わ
せでき、更に、ウエハープロセスの影響をうけない高精
度な位置合わせを達成することができる。
とレチクルの位置情報により、その相対ずれ量が計算さ
れ、回線を通じその補正量がウエハー位置補正機構1
4、レチクル位置補正機構13に転送される。各補正機
構は、その量に応じウエハー位置、レチクル位置を補正
し位置合わせを達成している。本実施例により、ウエハ
ー上のアライメントマークとレチクル上のアライメント
マークが反射屈折投影光学系1に対し同像高で位置合わ
せでき、更に、ウエハープロセスの影響をうけない高精
度な位置合わせを達成することができる。
【0026】次に、第3の実施例を説明する。本実施例
は、レチクルの反射を用いて、ウエハー上のアライメン
トを検出することを目的としている。レチクルの反射
は、ウエハー表面の反射と比べ、レチクル毎に大きく変
化することがなく、安定しているためである。以下に図
3を用いて説明する。
は、レチクルの反射を用いて、ウエハー上のアライメン
トを検出することを目的としている。レチクルの反射
は、ウエハー表面の反射と比べ、レチクル毎に大きく変
化することがなく、安定しているためである。以下に図
3を用いて説明する。
【0027】図3において、光源であるレーザー4から
出射した直線偏光のレーザービームは、ビーム整形光学
系5に入射し、その中に設けられている2つの直交した
スリット状の視野絞り(不図示)により、2つのシート
状のビームに整形される。2つのシートビームは照明光
学系7に入射し、ビーム整形光学系内の前記視野絞りを
偏光ビームスプリッター30、λ/4板31を経て、レ
チクル3上にあるアライメントマーク上に結像する。
出射した直線偏光のレーザービームは、ビーム整形光学
系5に入射し、その中に設けられている2つの直交した
スリット状の視野絞り(不図示)により、2つのシート
状のビームに整形される。2つのシートビームは照明光
学系7に入射し、ビーム整形光学系内の前記視野絞りを
偏光ビームスプリッター30、λ/4板31を経て、レ
チクル3上にあるアライメントマーク上に結像する。
【0028】偏光ビームスプリッター30に入射する
際、2つのシートビームは、偏光ビームスプリッター3
0の波面分割面に対し、S偏光(反射)になるように予
め直線偏光の向きを設定しておく。
際、2つのシートビームは、偏光ビームスプリッター3
0の波面分割面に対し、S偏光(反射)になるように予
め直線偏光の向きを設定しておく。
【0029】レチクル3上にあるアライメントマーク
(不図示)上に結像したスリット状の視野絞りは、アラ
イメントマークを透過照明する。
(不図示)上に結像したスリット状の視野絞りは、アラ
イメントマークを透過照明する。
【0030】レチクル信号光は、レチクル上のアライメ
ントマークにより散乱・回折し、その後、コンデンサー
光学系9、ダイクロイックミラー10を経て、レチクル
信号検出系11に入射する。それにより、レチクルの位
置が検出される。ダイクロイックミラー10は、不図示
の露光光源からの光12を反射し、コンデンサー光学系
9の方へ露光光を反射させ、アライメント光は透過させ
るという性質を備えている。位置検出後、ウエハーと同
様、その情報はコンピューター15に回線を通じ転送さ
れる。
ントマークにより散乱・回折し、その後、コンデンサー
光学系9、ダイクロイックミラー10を経て、レチクル
信号検出系11に入射する。それにより、レチクルの位
置が検出される。ダイクロイックミラー10は、不図示
の露光光源からの光12を反射し、コンデンサー光学系
9の方へ露光光を反射させ、アライメント光は透過させ
るという性質を備えている。位置検出後、ウエハーと同
様、その情報はコンピューター15に回線を通じ転送さ
れる。
【0031】一方、レチクルパターン面にて結像、反射
した光は、再びλ/4板31を通り、偏光ビームスプリ
ッター30にP偏光として入射する。この時、光束はP
偏光となるため、偏光ビームスプリッター30を光束は
透過する。更に前記光束は、λ/4板32を通り円偏光
となり、反射屈折投影光学系1を介し、ウエハー2上に
あるアライメントマーク(不図示)上にスリット上の視
野絞りを結像させ、マークを照明する。
した光は、再びλ/4板31を通り、偏光ビームスプリ
ッター30にP偏光として入射する。この時、光束はP
偏光となるため、偏光ビームスプリッター30を光束は
透過する。更に前記光束は、λ/4板32を通り円偏光
となり、反射屈折投影光学系1を介し、ウエハー2上に
あるアライメントマーク(不図示)上にスリット上の視
野絞りを結像させ、マークを照明する。
【0032】ウエハー上のアライメントマークにより散
乱・回折したウエハー信号光は、反射屈折投影光学系1
に再入射し、再びλ/4板32を通り、偏光ビームスプ
リッター30に対しS偏光として入射する。その後、ウ
エハー信号光は、偏光ビームスプリッター30で再び反
射され、ウエハー信号検出系50に入射し、所定次数の
回折光を選択するこ。そして第1の実施例と同様なウエ
ハー位置検出を行なう。位置検出後、その情報は、コン
ピューター15に回線を通じ転送される。
乱・回折したウエハー信号光は、反射屈折投影光学系1
に再入射し、再びλ/4板32を通り、偏光ビームスプ
リッター30に対しS偏光として入射する。その後、ウ
エハー信号光は、偏光ビームスプリッター30で再び反
射され、ウエハー信号検出系50に入射し、所定次数の
回折光を選択するこ。そして第1の実施例と同様なウエ
ハー位置検出を行なう。位置検出後、その情報は、コン
ピューター15に回線を通じ転送される。
【0033】コンピューター15に集められたウエハー
とレチクルの位置情報により、その相対ずれ量が計算さ
れ、回線を通じその補正量がウエハー位置補正機構1
4、レチクル位置補正機構13に転送される。各補正機
構は、その量に応じウエハー位置、レチクル位置を補正
し位置合わせを達成している。本実施例により、ウエハ
ープロセスの影響をうけない、安定したレチクル信号と
ウエハー信号を得ることができ、高精度な位置合わせを
達成することができる。
とレチクルの位置情報により、その相対ずれ量が計算さ
れ、回線を通じその補正量がウエハー位置補正機構1
4、レチクル位置補正機構13に転送される。各補正機
構は、その量に応じウエハー位置、レチクル位置を補正
し位置合わせを達成している。本実施例により、ウエハ
ープロセスの影響をうけない、安定したレチクル信号と
ウエハー信号を得ることができ、高精度な位置合わせを
達成することができる。
【0034】次に第4の実施例を説明する。図4におい
て、光源であるレーザー4から出射した直線偏光のレー
ザービームは、ビーム整形光学系5に入射し、その中に
設けられている2つの直交したスリット状の視野絞り
(不図示)により、2つのシート状のビームに整形され
る。その後、偏光ビームスプリッター36に入射する。
図4は、説明のため、後述する偏光ビームスプリッター
30の波面分割面と、偏光ビームスプリッター36の波
面分割面は、平行に描かれているが、実際は、90°ね
じれている。そのため、偏光ビームスプリッター36で
P偏光の光は、偏光ビームスプリッター30ではS偏
光、偏光ビームスプリッター36でS偏光の光は、偏光
ビームスプリッター30でP偏光となる。
て、光源であるレーザー4から出射した直線偏光のレー
ザービームは、ビーム整形光学系5に入射し、その中に
設けられている2つの直交したスリット状の視野絞り
(不図示)により、2つのシート状のビームに整形され
る。その後、偏光ビームスプリッター36に入射する。
図4は、説明のため、後述する偏光ビームスプリッター
30の波面分割面と、偏光ビームスプリッター36の波
面分割面は、平行に描かれているが、実際は、90°ね
じれている。そのため、偏光ビームスプリッター36で
P偏光の光は、偏光ビームスプリッター30ではS偏
光、偏光ビームスプリッター36でS偏光の光は、偏光
ビームスプリッター30でP偏光となる。
【0035】さて、2つのシートビームは照明光学系7
に入射し、ビーム整形光学系内の前記視野絞りを偏光ビ
ームスプリッター30、λ/4板31を経て、レチクル
3上にあるアライメントマーク上に結像する。
に入射し、ビーム整形光学系内の前記視野絞りを偏光ビ
ームスプリッター30、λ/4板31を経て、レチクル
3上にあるアライメントマーク上に結像する。
【0036】偏光ビームスプリッター30に入射する
際、2つのシートビームは、偏光ビームスプリッター3
0の波面分割面に対し、S偏光(反射)になるように予
め直線偏光の向きを設定しておく。
際、2つのシートビームは、偏光ビームスプリッター3
0の波面分割面に対し、S偏光(反射)になるように予
め直線偏光の向きを設定しておく。
【0037】レチクル3上にあるアライメントマーク
(不図示)上に結像したスリット状の視野絞りは、アラ
イメントマークを透過照明する。
(不図示)上に結像したスリット状の視野絞りは、アラ
イメントマークを透過照明する。
【0038】レチクル信号光は、レチクル上のアライメ
ントマークにより散乱・回折し、その後、コンデンサー
光学系9、ダイクロイックミラー10を経て、レチクル
信号検出系11に入射する。それにより、レチクルの位
置が検出される。ダイクロイックミラー10は、不図示
の露光光源からの光12を反射し、コンデンサー光学系
9の方へ露光光を反射させ、アライメント光は透過させ
るという性質を備えている。位置検出後、ウエハーと同
様、その情報はコンピューター15に回線を通じ転送さ
れる。
ントマークにより散乱・回折し、その後、コンデンサー
光学系9、ダイクロイックミラー10を経て、レチクル
信号検出系11に入射する。それにより、レチクルの位
置が検出される。ダイクロイックミラー10は、不図示
の露光光源からの光12を反射し、コンデンサー光学系
9の方へ露光光を反射させ、アライメント光は透過させ
るという性質を備えている。位置検出後、ウエハーと同
様、その情報はコンピューター15に回線を通じ転送さ
れる。
【0039】一方、レチクルパターン面にて結像、反射
した光は、再びλ/4板31を通り、偏光ビームスプリ
ッター30にP偏光として入射する。この時、光はP偏
光となるため、偏光ビームスプリッター30を光は透過
する。反射光は、λ/4板32を通り円偏光となり、反
射屈折投影光学系1を介し、ウエハー2上にあるアライ
メントマーク(不図示)上にスリット上の視野絞りを結
像させ、照明する。
した光は、再びλ/4板31を通り、偏光ビームスプリ
ッター30にP偏光として入射する。この時、光はP偏
光となるため、偏光ビームスプリッター30を光は透過
する。反射光は、λ/4板32を通り円偏光となり、反
射屈折投影光学系1を介し、ウエハー2上にあるアライ
メントマーク(不図示)上にスリット上の視野絞りを結
像させ、照明する。
【0040】ウエハー上のアライメントマークにより散
乱・回折したウエハー信号光は、反射屈折投影光学系1
に再入射し、再びλ/4板32を通り、偏光ビームスプ
リッター30に対しS偏光として入射する。その後、ウ
エハー信号光は、偏光ビームスプリッター30で再び反
射される。反射後、ミラー投影レンズ1を介し、ウエハ
ー2上のアライメントと共役な関係にある像面37、及
びλ/4板33を通過する。そこで、偏光は、直線偏光
から円偏光となる。λ/4板33を透過したウエハー信
号光は、リレー光学系34を透過し、ミラー35でもと
来た方向へ反射される。そして、再び、リレー光学系3
4を通り、λ/4板33に入射する。このリレー光学系
34は、光が往復することで像面37と同じ位置に1回
結像させている。このリレー光学系34は、反射光学系
で構成すれば、ミラー35は不要になる。
乱・回折したウエハー信号光は、反射屈折投影光学系1
に再入射し、再びλ/4板32を通り、偏光ビームスプ
リッター30に対しS偏光として入射する。その後、ウ
エハー信号光は、偏光ビームスプリッター30で再び反
射される。反射後、ミラー投影レンズ1を介し、ウエハ
ー2上のアライメントと共役な関係にある像面37、及
びλ/4板33を通過する。そこで、偏光は、直線偏光
から円偏光となる。λ/4板33を透過したウエハー信
号光は、リレー光学系34を透過し、ミラー35でもと
来た方向へ反射される。そして、再び、リレー光学系3
4を通り、λ/4板33に入射する。このリレー光学系
34は、光が往復することで像面37と同じ位置に1回
結像させている。このリレー光学系34は、反射光学系
で構成すれば、ミラー35は不要になる。
【0041】λ/4板33を通過した信号光は、偏光ビ
ームスプリッター30に対しP偏光となり、偏光ビーム
スプリッター30を透過する。その後、照明光学系7を
通り、偏光ビームスプリッター36に対しS偏光となり
反射され、ウエハー信号検出系8にて検知される。位置
検出後、その情報は、コンピューター15に回線を通じ
転送される。
ームスプリッター30に対しP偏光となり、偏光ビーム
スプリッター30を透過する。その後、照明光学系7を
通り、偏光ビームスプリッター36に対しS偏光となり
反射され、ウエハー信号検出系8にて検知される。位置
検出後、その情報は、コンピューター15に回線を通じ
転送される。
【0042】コンピューター15に集められたウエハー
とレチクルの位置情報により、その相対ずれ量が計算さ
れ、回線を通じその補正量がウエハー位置補正機構1
4、レチクル位置補正機構13に転送される。各補正機
構は、その量に応じウエハー位置、レチクル位置を補正
し位置合わせを達成している。本実施例により、ウエハ
ープロセスの影響をうけない高精度な位置合わせを達成
することができる。
とレチクルの位置情報により、その相対ずれ量が計算さ
れ、回線を通じその補正量がウエハー位置補正機構1
4、レチクル位置補正機構13に転送される。各補正機
構は、その量に応じウエハー位置、レチクル位置を補正
し位置合わせを達成している。本実施例により、ウエハ
ープロセスの影響をうけない高精度な位置合わせを達成
することができる。
【0043】次に上記説明した位置検出装置を利用した
半導体デバイスの製造方法の実施例を説明する。図6は
半導体デバイス(ICやLSIなどの半導体チップ、あ
るいは液晶パネルやCCDなど)の製造のフローを示
す。ステツプ1(回路設計)では半導体デバイスの回路
設計を行う。ステツプ2(マスク製作)では設計した回
路パターンを形成したマスクを製作する。一方、ステツ
プ3(ウエハ−製造)ではシリコンなどの材料を用いて
ウエハーを製造する。ステツプ4(ウエハープロセス)
は前工程と呼ばれ、上記用意したマスクとウエハーを用
いて、リソグラフイ−技術によってウエハー上に実際の
回路を形成する。次のステツプ5(組み立て)は後工程
と呼ばれ、ステツプ4によって作製されたウエハ−を用
いて半導体チップ化する工程であり。アッセンブリ工程
(ダイシング、ボンディング)、パッケージング工程
(チップ封入)などの工程を含む。ステツプ6(検査)
ではステツプ5で作製された半導体デバイスの動作確認
テスト、耐久性テストなどの検査を行う。こうした工程
を経て半導体デバイスが完成し、これが出荷(ステツプ
7)される。
半導体デバイスの製造方法の実施例を説明する。図6は
半導体デバイス(ICやLSIなどの半導体チップ、あ
るいは液晶パネルやCCDなど)の製造のフローを示
す。ステツプ1(回路設計)では半導体デバイスの回路
設計を行う。ステツプ2(マスク製作)では設計した回
路パターンを形成したマスクを製作する。一方、ステツ
プ3(ウエハ−製造)ではシリコンなどの材料を用いて
ウエハーを製造する。ステツプ4(ウエハープロセス)
は前工程と呼ばれ、上記用意したマスクとウエハーを用
いて、リソグラフイ−技術によってウエハー上に実際の
回路を形成する。次のステツプ5(組み立て)は後工程
と呼ばれ、ステツプ4によって作製されたウエハ−を用
いて半導体チップ化する工程であり。アッセンブリ工程
(ダイシング、ボンディング)、パッケージング工程
(チップ封入)などの工程を含む。ステツプ6(検査)
ではステツプ5で作製された半導体デバイスの動作確認
テスト、耐久性テストなどの検査を行う。こうした工程
を経て半導体デバイスが完成し、これが出荷(ステツプ
7)される。
【0044】図7は上記ウエハープロセスの詳細なフロ
ーを示す。ステツプ11(酸化)ではウエハーの表面を
酸化させる。ステツプ12(CVD)ではウエハー表面
に絶縁膜を形成する。ステツプ13(電極形成)ではウ
エハー上に電極を蒸着によって形成する。ステツプ14
(イオン打ち込み)ではウエハーにイオンを打ち込む。
ステツプ15(レジスト処理)ではウエハーに感光剤を
塗布する。ステツプ16(露光)では上記説明した位置
検出装置を備えた露光装置によってマスクの回路パター
ンをウエハーに焼付け露光する。ステツプ17(現像)
では露光したウエハーを現像する。ステツプ18(エッ
チング)では現像したレジスト像以外の部分を削り取
る。ステツプ19(レジスト剥離)ではエッチングが済
んで不要となったレジストを取り除く。これらのステツ
プを繰り返し行うことによってウエハー上に多重に回路
パターンが形成される。
ーを示す。ステツプ11(酸化)ではウエハーの表面を
酸化させる。ステツプ12(CVD)ではウエハー表面
に絶縁膜を形成する。ステツプ13(電極形成)ではウ
エハー上に電極を蒸着によって形成する。ステツプ14
(イオン打ち込み)ではウエハーにイオンを打ち込む。
ステツプ15(レジスト処理)ではウエハーに感光剤を
塗布する。ステツプ16(露光)では上記説明した位置
検出装置を備えた露光装置によってマスクの回路パター
ンをウエハーに焼付け露光する。ステツプ17(現像)
では露光したウエハーを現像する。ステツプ18(エッ
チング)では現像したレジスト像以外の部分を削り取
る。ステツプ19(レジスト剥離)ではエッチングが済
んで不要となったレジストを取り除く。これらのステツ
プを繰り返し行うことによってウエハー上に多重に回路
パターンが形成される。
【0045】本実施例の製造方法を用いれば、従来製造
が難しかった高集積度の半導体デバイスが製造すること
ができる。
が難しかった高集積度の半導体デバイスが製造すること
ができる。
【0046】
【発明の効果】本発明により、従来、ウエハー表面の反
射率に依存していたレチクル信号強度を、安定した強度
の信号として得ることができる。そのため、検出率の高
い、高精度な位置合わせを有する露光装置及びそれを用
いた素子の製造方法が達成できる。
射率に依存していたレチクル信号強度を、安定した強度
の信号として得ることができる。そのため、検出率の高
い、高精度な位置合わせを有する露光装置及びそれを用
いた素子の製造方法が達成できる。
【図1】第1の実施例を示した図
【図2】第2の実施例を示した図
【図3】第3の実施例を示した図
【図4】第4の実施例を示した図
【図5】従来の実施例を示した図
【図6】デバイス製造のフローの図
【図7】ウエハープロセスの図
1 反射屈折投影光学系 2 ウエハー 3 レチクル 4 光源 5 シートビーム整形光学系 6 ビームスプリッター 7 照明光学系 8 ウエハー信号検出系 9 コンデンサー光学系 10 ダイクロイックミラー 11 レチクル信号検出系 12 露光光 13 レチクル位置補正機構 14 ウエハー位置補正機構 15 コンピューター 16 視野絞り共役面 20 ビームスプリッター 21、42 視野絞り結像光学系 30 偏光ビームスプリッター 31、32、33、41 λ/4板 34 リレー光学系 35 ミラー 36、40 偏光ビームスプリッター 37 ウエハーと共役な像面 43 ミラー 50 ウエハー信号検出系 100 ビームスプリッター
Claims (3)
- 【請求項1】 第1物体面上のパターンを感光剤が塗布
された第2物体面上に露光する露光手段と、第1物体
上、第2物体上にそれぞれの位置を検出するためのマー
クと、第1物体と第2物体との間から前記各マークを照
明する照明手段と、第1物体と第2物体とを同期させて
移動させる移動手段と、第1物体の移動により変調され
た前記照明光を検出する第1の光検出手段と、第2物体
の移動により変調された前記照明光を検出する第2の光
検出手段と、前記第1の光検出手段からの出力と前記第
2の光検出手段からの出力とに基づいて第1物体と第2
物体との相対的位置を検出する位置検出手段とを有する
露光装置において、 第1物体を照明する前記照明手段が、第2物体を介さな
い照明光で第1物体を照明することを特徴とする露光装
置。 - 【請求項2】 第2物体を照明する前記照明手段が、第
1物体を介する照明光で第2物体を照明することを特徴
とする露光装置。 - 【請求項3】 請求項1、2の露光装置を用いることを
特徴とする素子の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5160891A JPH0722350A (ja) | 1993-06-30 | 1993-06-30 | 露光装置及びそれを用いた素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5160891A JPH0722350A (ja) | 1993-06-30 | 1993-06-30 | 露光装置及びそれを用いた素子の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0722350A true JPH0722350A (ja) | 1995-01-24 |
Family
ID=15724605
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP5160891A Withdrawn JPH0722350A (ja) | 1993-06-30 | 1993-06-30 | 露光装置及びそれを用いた素子の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0722350A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6583856B1 (en) | 1998-03-06 | 2003-06-24 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and fabrication method of semiconductor device using the same |
-
1993
- 1993-06-30 JP JP5160891A patent/JPH0722350A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6583856B1 (en) | 1998-03-06 | 2003-06-24 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and fabrication method of semiconductor device using the same |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20000905 |