JPH0722350A - 露光装置及びそれを用いた素子の製造方法 - Google Patents
露光装置及びそれを用いた素子の製造方法Info
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- JPH0722350A JPH0722350A JP5160891A JP16089193A JPH0722350A JP H0722350 A JPH0722350 A JP H0722350A JP 5160891 A JP5160891 A JP 5160891A JP 16089193 A JP16089193 A JP 16089193A JP H0722350 A JPH0722350 A JP H0722350A
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- optical system
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70225—Optical aspects of catadioptric systems, i.e. comprising reflective and refractive elements
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ウエハー表面の反射率に依存していたレチク
ル信号強度を、安定した強度の信号として得ることによ
り、検出率の高い、高精度な位置合わせを有する露光装
置及びそれを用いた素子の製造方法を可能にする。 【構成】 第１物体面上のパターンを感光剤が塗布され
た第２物体面上に露光する露光手段と、第１物体上、第
２物体上にそれぞれの位置を検出するためのマークと、
第１物体と第２物体との間から前記各マークを照明する
照明手段と、第１物体と第２物体とを同期させて移動さ
せる移動手段と、第１及び第２物体の移動により変調さ
れた前記照明光を検出する第１、第２の光検出手段と、
前記第１、第２の光検出手段からの出力に基づいて第１
物体と第２物体との相対的位置を検出する位置検出手段
とを有する露光装置において、第１物体を照明する前記
照明手段が、第２物体を介さない照明光で第１物体を照
明する。
ル信号強度を、安定した強度の信号として得ることによ
り、検出率の高い、高精度な位置合わせを有する露光装
置及びそれを用いた素子の製造方法を可能にする。 【構成】 第１物体面上のパターンを感光剤が塗布され
た第２物体面上に露光する露光手段と、第１物体上、第
２物体上にそれぞれの位置を検出するためのマークと、
第１物体と第２物体との間から前記各マークを照明する
照明手段と、第１物体と第２物体とを同期させて移動さ
せる移動手段と、第１及び第２物体の移動により変調さ
れた前記照明光を検出する第１、第２の光検出手段と、
前記第１、第２の光検出手段からの出力に基づいて第１
物体と第２物体との相対的位置を検出する位置検出手段
とを有する露光装置において、第１物体を照明する前記
照明手段が、第２物体を介さない照明光で第１物体を照
明する。
Description
【０００１】
【技術分野】本発明は、例えば半導体ＩＣやＬＳＩを製
造するための露光装置において、ウエハーとマスクの相
対位置を検出し位置を制御する位置合わせ装置に関する
ものであり、特にステップ・アンド・スキャン方式を用
いた露光装置に最適なものである。
造するための露光装置において、ウエハーとマスクの相
対位置を検出し位置を制御する位置合わせ装置に関する
ものであり、特にステップ・アンド・スキャン方式を用
いた露光装置に最適なものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体技術の進展は近年益々速度を増し
ており、それに伴って微細加工技術の進展も著しいもの
がある。特にその中心をなす光加工技術は１ＭＤＲＡＭ
を境にサブミクロンの領域に踏み込んだ。解像力を向上
させる手段としてこれまで用いられてきたのは、波長を
固定して、光学系のＮＡを大きくしていく手法であっ
た。しかし最近では露光波長をｇ線からｉ線、更には２
４８ｎｍ、１９３ｎｍのエキシマレーザーへと、光露光
法の限界を広げようという試みも行なわれている。
ており、それに伴って微細加工技術の進展も著しいもの
がある。特にその中心をなす光加工技術は１ＭＤＲＡＭ
を境にサブミクロンの領域に踏み込んだ。解像力を向上
させる手段としてこれまで用いられてきたのは、波長を
固定して、光学系のＮＡを大きくしていく手法であっ
た。しかし最近では露光波長をｇ線からｉ線、更には２
４８ｎｍ、１９３ｎｍのエキシマレーザーへと、光露光
法の限界を広げようという試みも行なわれている。
【０００３】現在、上記微細加工を担う主流の方式は、
屈折型縮小投影レンズを搭載したステップ・アンド・リ
ピート方式の露光装置である。しかし、この方式は、露
光波長を短波長化すると、数種類の限られた硝材のみで
投影レンズを製造しなくてはならない。このことが、露
光装置に搭載している一部のシステム構築を困難にす
る。
屈折型縮小投影レンズを搭載したステップ・アンド・リ
ピート方式の露光装置である。しかし、この方式は、露
光波長を短波長化すると、数種類の限られた硝材のみで
投影レンズを製造しなくてはならない。このことが、露
光装置に搭載している一部のシステム構築を困難にす
る。
【０００４】ウエハーとレチクルを位置合わせするアラ
イメントシステムも影響を受けるシステムの一つであ
る。現在、ウエハー上に塗布されたレジストを感光させ
ない光（以下、非露光光）、例えば、Ｈｅ−Ｎｅレーザ
ーの６３３ｎｍの波長の光を用いて、投影レンズを介し
（ＴＴＬ方式）、ウエハー上のアライメントターゲット
を検出する方式が多く採用されている。しかし、露光波
長の短波長化に対応した投影レンズは、一般に非露光光
に対する軸上色収差が大きい。ひどい場合には、非露光
光における投影レンズのパワーが、負のパワーとなり、
投影レンズ単体では像を結べないこともある。このよう
な状況において、非露光光ＴＴＬアライメントシステム
を構築することは、設計上、また製造上においてもかな
り難易度の高いものとなっている。
イメントシステムも影響を受けるシステムの一つであ
る。現在、ウエハー上に塗布されたレジストを感光させ
ない光（以下、非露光光）、例えば、Ｈｅ−Ｎｅレーザ
ーの６３３ｎｍの波長の光を用いて、投影レンズを介し
（ＴＴＬ方式）、ウエハー上のアライメントターゲット
を検出する方式が多く採用されている。しかし、露光波
長の短波長化に対応した投影レンズは、一般に非露光光
に対する軸上色収差が大きい。ひどい場合には、非露光
光における投影レンズのパワーが、負のパワーとなり、
投影レンズ単体では像を結べないこともある。このよう
な状況において、非露光光ＴＴＬアライメントシステム
を構築することは、設計上、また製造上においてもかな
り難易度の高いものとなっている。
【０００５】それに対し、屈折型投影レンズを使用しな
い、反射屈折型縮小光学系を搭載したステップ・アンド
・スキャン方式の露光装置が考案されている。このシス
テムは、露光波長を短波長化しても屈折型投影レンズを
使用したシステムほど、システム構築の難易度が高くな
らない利点がある。その最も大きな理由は、反射屈折光
学系を使用しているため、色収差の影響が少ない点であ
る。
い、反射屈折型縮小光学系を搭載したステップ・アンド
・スキャン方式の露光装置が考案されている。このシス
テムは、露光波長を短波長化しても屈折型投影レンズを
使用したシステムほど、システム構築の難易度が高くな
らない利点がある。その最も大きな理由は、反射屈折光
学系を使用しているため、色収差の影響が少ない点であ
る。
【０００６】このステップ・アンド・スキャン方式にお
ける位置合わせシステムが、既に特開昭６３−４１０２
３号広報にて開示されている。以下、図５を用いて従来
の実施例を説明する。
ける位置合わせシステムが、既に特開昭６３−４１０２
３号広報にて開示されている。以下、図５を用いて従来
の実施例を説明する。
【０００７】図５において、光源であるレーザー４から
出射したレーザービームは、ビーム整形光学系５に入射
し、その中に設けられている２つの直交したスリット状
の視野絞り（不図示）により、２つのシート状のビーム
に整形される。２つのシートビームはビームスプリッタ
ー６を透過後、照明光学系７に入射し、ビーム整形光学
系内の前記視野絞りと共役な面１６に空中像を結像す
る。この視野絞り共役面１６は、反射屈折型投影光学系
１を介しアライメントマーク（不図示）が形成されたウ
エハー２面とも共役な関係にある。アライメントマーク
は前記スリット状の視野絞りと同じ方向に直交した２つ
の４辺形で形成される。共役面１６通過後、レチクル３
とミラー投影光学系１の間にあるビームスプリッター１
００に入射する。その後、この２つのシートビームは、
ビームスプリッター１００によりミラー投影光学系１側
に反射され、反射屈折型投影光学系１によりウエハー２
上にあるアライメントマーク（不図示）上にスリット像
を結像し、マークを照明する。ウエハー２上のアライメ
ントマークにて散乱・回折したウエハー信号光は、ミラ
ー投影光学系１に再入射し、その１部は、ビームスプリ
ッター１００で再び反射され、照明光学系７を経て、ビ
ームスプリッター６に入射する。ウエハー信号光は、ビ
ームスプリッター６で反射され、ウエハー信号検出系８
に入射し、所定次数の回折光を選択する。この時アライ
メントマークが形成されたウエハーはスリット像を横切
って走査されるのでウエハー信号光は変調されアライメ
ントマークとスリット像の相対的位置が検出される。位
置検出後、その情報は、コンピューター１５に回線を通
じ転送される。
出射したレーザービームは、ビーム整形光学系５に入射
し、その中に設けられている２つの直交したスリット状
の視野絞り（不図示）により、２つのシート状のビーム
に整形される。２つのシートビームはビームスプリッタ
ー６を透過後、照明光学系７に入射し、ビーム整形光学
系内の前記視野絞りと共役な面１６に空中像を結像す
る。この視野絞り共役面１６は、反射屈折型投影光学系
１を介しアライメントマーク（不図示）が形成されたウ
エハー２面とも共役な関係にある。アライメントマーク
は前記スリット状の視野絞りと同じ方向に直交した２つ
の４辺形で形成される。共役面１６通過後、レチクル３
とミラー投影光学系１の間にあるビームスプリッター１
００に入射する。その後、この２つのシートビームは、
ビームスプリッター１００によりミラー投影光学系１側
に反射され、反射屈折型投影光学系１によりウエハー２
上にあるアライメントマーク（不図示）上にスリット像
を結像し、マークを照明する。ウエハー２上のアライメ
ントマークにて散乱・回折したウエハー信号光は、ミラ
ー投影光学系１に再入射し、その１部は、ビームスプリ
ッター１００で再び反射され、照明光学系７を経て、ビ
ームスプリッター６に入射する。ウエハー信号光は、ビ
ームスプリッター６で反射され、ウエハー信号検出系８
に入射し、所定次数の回折光を選択する。この時アライ
メントマークが形成されたウエハーはスリット像を横切
って走査されるのでウエハー信号光は変調されアライメ
ントマークとスリット像の相対的位置が検出される。位
置検出後、その情報は、コンピューター１５に回線を通
じ転送される。
【０００８】一方、ビームスプリッター１００を透過し
たウエハー２からの反射光は、レチクル３上にあるアラ
イメントマーク（不図示）上に前記スリット状の視野絞
りを結像し、前記アライメントマークを透過照明する。
レチクル上のアライメントマークにより散乱・回折した
レチクル信号光は、コンデンサー光学系９、ダイクロイ
ックミラー１０を経た後、レチクル信号検出系１１に入
射し、レチクルの位置が検出される。ダイクロイックミ
ラー１０は、不図示の露光光源からの光１２を反射し、
コンデンサー光学系９の方へ露光光を反射させ、アライ
メント光は透過させるという性質を備えている。ウエハ
ーと同様、この時アライメントマークが形成されたレチ
クルはスリット像を横切って走査されるのでレチクル信
号光は変調されアライメントマークとスリット像の相対
的位置が検出される。位置検出後、その情報は、コンピ
ューター１５に回線を通じ転送される。
たウエハー２からの反射光は、レチクル３上にあるアラ
イメントマーク（不図示）上に前記スリット状の視野絞
りを結像し、前記アライメントマークを透過照明する。
レチクル上のアライメントマークにより散乱・回折した
レチクル信号光は、コンデンサー光学系９、ダイクロイ
ックミラー１０を経た後、レチクル信号検出系１１に入
射し、レチクルの位置が検出される。ダイクロイックミ
ラー１０は、不図示の露光光源からの光１２を反射し、
コンデンサー光学系９の方へ露光光を反射させ、アライ
メント光は透過させるという性質を備えている。ウエハ
ーと同様、この時アライメントマークが形成されたレチ
クルはスリット像を横切って走査されるのでレチクル信
号光は変調されアライメントマークとスリット像の相対
的位置が検出される。位置検出後、その情報は、コンピ
ューター１５に回線を通じ転送される。
【０００９】コンピューター１５に集められたウエハー
とレチクルの位置情報により、その相対ずれ量が計算さ
れ、回線を通じその補正量がウエハー位置補正機構１
４、レチクル位置補正機構１３に転送される。各補正機
構は、その量に応じウエハー位置、レチクル位置を補正
し位置合わせを達成している。
とレチクルの位置情報により、その相対ずれ量が計算さ
れ、回線を通じその補正量がウエハー位置補正機構１
４、レチクル位置補正機構１３に転送される。各補正機
構は、その量に応じウエハー位置、レチクル位置を補正
し位置合わせを達成している。
【００１０】
【発明が解決しようとしている課題】前記した従来の実
施例において、レチクル上のアライメントマークの照明
光は、ウエハーからの反射光を利用している。その場
合、レチクル信号強度は、ウエハー表面におけるアライ
メント光の反射率に依存する。ウエハーのでき次第で
は、反射率が低くなり、レチクル信号が検出できなくな
ったり、感光剤の塗布むらで、同一ウエハーに対する位
置合わせにもかかわらず、レチクル信号が大きく変化し
てしまい、位置合わせ精度劣化、スループット低下等の
問題点が生じる。
施例において、レチクル上のアライメントマークの照明
光は、ウエハーからの反射光を利用している。その場
合、レチクル信号強度は、ウエハー表面におけるアライ
メント光の反射率に依存する。ウエハーのでき次第で
は、反射率が低くなり、レチクル信号が検出できなくな
ったり、感光剤の塗布むらで、同一ウエハーに対する位
置合わせにもかかわらず、レチクル信号が大きく変化し
てしまい、位置合わせ精度劣化、スループット低下等の
問題点が生じる。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明の露光装置は、第
１物体面上のパターンを感光剤が塗布された第２物体面
上に露光する露光手段と、第１物体上、第２物体上にそ
れぞれの位置を検出するためのマークと、第１物体と第
２物体との間から前記各マークを照明する照明手段と、
第１物体と第２物体とを同期させて移動させる移動手段
と、第１物体の移動により変調された前記照明光を検出
する第１の光検出手段と、第２物体の移動により変調さ
れた前記照明光を検出する第２の光検出手段と、前記第
１の光検出手段からの出力と前記第２の光検出手段から
の出力とに基づいて第１物体と第２物体との相対的位置
を検出する位置検出手段とを有する露光装置において、
第１物体を照明する前記照明手段が、第２物体を介さな
い照明光で第１物体を照明することを特徴としている。
１物体面上のパターンを感光剤が塗布された第２物体面
上に露光する露光手段と、第１物体上、第２物体上にそ
れぞれの位置を検出するためのマークと、第１物体と第
２物体との間から前記各マークを照明する照明手段と、
第１物体と第２物体とを同期させて移動させる移動手段
と、第１物体の移動により変調された前記照明光を検出
する第１の光検出手段と、第２物体の移動により変調さ
れた前記照明光を検出する第２の光検出手段と、前記第
１の光検出手段からの出力と前記第２の光検出手段から
の出力とに基づいて第１物体と第２物体との相対的位置
を検出する位置検出手段とを有する露光装置において、
第１物体を照明する前記照明手段が、第２物体を介さな
い照明光で第１物体を照明することを特徴としている。
【００１２】特に、第２物体を照明する前記照明手段
が、第１物体を介する照明光で第２物体を照明すること
を特徴としている。
が、第１物体を介する照明光で第２物体を照明すること
を特徴としている。
【００１３】
【実施例】図１を用いて本発明の第１実施例を説明す
る。図１において、光源であるレーザー４から出射した
レーザービームは、ビーム整形光学系５に入射し、その
中に設けられている２つの直交したスリット状の視野絞
り（不図示）により、２つのシート状のビームに整形さ
れる。２つのシートビームはビームスプリッター６を透
過後、照明光学系７に入射し、ビーム整形光学系内の前
記視野絞りと共役な面１６に空中像を結像する。この視
野絞り共役面１６は、反射屈折型投影光学系１を介しウ
エハー２上のアライメントマーク（不図示）とも共役な
関係にある。共役面１６通過後、レチクル３と反射屈折
投影光学系１の間にあるビームスプリッター２０に入射
する。このビームスプリッター２０の配置位置は、本出
願の本質的な部分ではなく、反射屈折投影光学系１とウ
エハー２の間でもよければ、反射屈折投影光学系１の内
部に構成されていても良い。ただし、その場合には、視
野絞り共役面１６は、反射屈折投影光学系１を介しレチ
クル３上のアライメントマークと共役な関係であった
り、ウエハー、レチクル両方のアライメントマークと共
役な関係であったりする。また、ウエハー、レチクルと
も結像関係にない場合にも、スリットのぼけ量がシステ
ムの許容範囲内であるような配置でも構わない。
る。図１において、光源であるレーザー４から出射した
レーザービームは、ビーム整形光学系５に入射し、その
中に設けられている２つの直交したスリット状の視野絞
り（不図示）により、２つのシート状のビームに整形さ
れる。２つのシートビームはビームスプリッター６を透
過後、照明光学系７に入射し、ビーム整形光学系内の前
記視野絞りと共役な面１６に空中像を結像する。この視
野絞り共役面１６は、反射屈折型投影光学系１を介しウ
エハー２上のアライメントマーク（不図示）とも共役な
関係にある。共役面１６通過後、レチクル３と反射屈折
投影光学系１の間にあるビームスプリッター２０に入射
する。このビームスプリッター２０の配置位置は、本出
願の本質的な部分ではなく、反射屈折投影光学系１とウ
エハー２の間でもよければ、反射屈折投影光学系１の内
部に構成されていても良い。ただし、その場合には、視
野絞り共役面１６は、反射屈折投影光学系１を介しレチ
クル３上のアライメントマークと共役な関係であった
り、ウエハー、レチクル両方のアライメントマークと共
役な関係であったりする。また、ウエハー、レチクルと
も結像関係にない場合にも、スリットのぼけ量がシステ
ムの許容範囲内であるような配置でも構わない。
【００１４】ビームスプリッター２０の波面分割面によ
り所定の割合に反射光、透過光に分けられる。波面分割
面にて反射した２つのシートビームは、反射屈折投影光
学系１を経て、ウエハー２上にあるアライメントマーク
（不図示）上にスリット像を結像し、マークを照明す
る。
り所定の割合に反射光、透過光に分けられる。波面分割
面にて反射した２つのシートビームは、反射屈折投影光
学系１を経て、ウエハー２上にあるアライメントマーク
（不図示）上にスリット像を結像し、マークを照明す
る。
【００１５】ウエハー２上のアライメントマークにて散
乱・回折したウエハー信号光は、反射屈折投影光学系１
に再入射し、その１部は、ビームスプリッター２０で再
び反射され、照明光学系７を経て、ビームスプリッター
６に入射する。ウエハー信号光は、ビームスプリッター
６で反射され、ウエハー信号検出系８に入射し、所定次
数の回折光を選択する。この時アライメントマークが形
成されたウエハーはスリット像を横切って走査されるの
でウエハー信号光は変調されアライメントマークとスリ
ット像の相対的位置が検出される。位置検出後、その情
報は、コンピューター１５に回線を通じ転送される。
乱・回折したウエハー信号光は、反射屈折投影光学系１
に再入射し、その１部は、ビームスプリッター２０で再
び反射され、照明光学系７を経て、ビームスプリッター
６に入射する。ウエハー信号光は、ビームスプリッター
６で反射され、ウエハー信号検出系８に入射し、所定次
数の回折光を選択する。この時アライメントマークが形
成されたウエハーはスリット像を横切って走査されるの
でウエハー信号光は変調されアライメントマークとスリ
ット像の相対的位置が検出される。位置検出後、その情
報は、コンピューター１５に回線を通じ転送される。
【００１６】一方、ビームスプリッター２０の波面分割
面を透過した照明光は、ビームスプリッター２０の図中
右側の面にてレチクル３側に反射され、視野絞り結像光
学系２１を透過後、レチクル３上にあるアライメントマ
ーク（不図示）上に前記スリット状の視野絞りを結像
し、前記アライメントマークを透過照明する。尚、レチ
クル照明光の開口数が小さく、視野絞り共役面１６とレ
チクル３上のアライメントマークまでの距離が焦点深度
内であったり、焦点深度外であってもアライメントマー
ク上におけるスリットのぼけ量が許容範囲内であれば、
視野絞り結像光学系２１は装備しなくても良い。
面を透過した照明光は、ビームスプリッター２０の図中
右側の面にてレチクル３側に反射され、視野絞り結像光
学系２１を透過後、レチクル３上にあるアライメントマ
ーク（不図示）上に前記スリット状の視野絞りを結像
し、前記アライメントマークを透過照明する。尚、レチ
クル照明光の開口数が小さく、視野絞り共役面１６とレ
チクル３上のアライメントマークまでの距離が焦点深度
内であったり、焦点深度外であってもアライメントマー
ク上におけるスリットのぼけ量が許容範囲内であれば、
視野絞り結像光学系２１は装備しなくても良い。
【００１７】レチクル上のアライメントマークにより散
乱・回折したレチクル信号光は、コンデンサー光学系
９、ダイクロイックミラー１０を経た後、レチクル信号
検出系１１に入射し、レチクルの位置が検出される。ダ
イクロイックミラー１０は、不図示の露光光源からの光
１２を反射し、コンデンサー光学系９の方へ露光光を反
射させ、アライメント光は透過させるという性質を備え
ている。ウエハーと同様、この時アライメントマークが
形成されたレチクルはスリット像を横切って走査される
のでレチクル信号光は変調されアライメントマークとス
リット像の相対的位置が検出される。位置検出後、その
情報は、コンピューター１５に回線を通じ転送される。
乱・回折したレチクル信号光は、コンデンサー光学系
９、ダイクロイックミラー１０を経た後、レチクル信号
検出系１１に入射し、レチクルの位置が検出される。ダ
イクロイックミラー１０は、不図示の露光光源からの光
１２を反射し、コンデンサー光学系９の方へ露光光を反
射させ、アライメント光は透過させるという性質を備え
ている。ウエハーと同様、この時アライメントマークが
形成されたレチクルはスリット像を横切って走査される
のでレチクル信号光は変調されアライメントマークとス
リット像の相対的位置が検出される。位置検出後、その
情報は、コンピューター１５に回線を通じ転送される。
【００１８】コンピューター１５に集められたウエハー
とレチクルの位置情報により、その相対ずれ量が計算さ
れ、回線を通じその補正量がウエハー位置補正機構１
４、レチクル位置補正機構１３に転送される。各補正機
構は、その量に応じウエハー位置、レチクル位置を補正
し位置合わせを達成している。本実施例により、ウエハ
ープロセスの影響をうけない高精度な位置合わせを達成
することができる。
とレチクルの位置情報により、その相対ずれ量が計算さ
れ、回線を通じその補正量がウエハー位置補正機構１
４、レチクル位置補正機構１３に転送される。各補正機
構は、その量に応じウエハー位置、レチクル位置を補正
し位置合わせを達成している。本実施例により、ウエハ
ープロセスの影響をうけない高精度な位置合わせを達成
することができる。
【００１９】次に第２の実施例を図２を用いて説明す
る。第１の実施例では、レチクル上のアライメントマー
クとウエハー上のアライメントが、反射屈折投影光学系
１の光軸に対し、同じ像高にないため、計測時にオフセ
ットを生じるおそれがある。そこで、本実施例は、ウエ
ハー上のアライメントマークとレチクル上のアライメン
トマークが反射屈折投影光学系１に対し、同じ像高にな
るようにしたものである。以下に実施例を示す。
る。第１の実施例では、レチクル上のアライメントマー
クとウエハー上のアライメントが、反射屈折投影光学系
１の光軸に対し、同じ像高にないため、計測時にオフセ
ットを生じるおそれがある。そこで、本実施例は、ウエ
ハー上のアライメントマークとレチクル上のアライメン
トマークが反射屈折投影光学系１に対し、同じ像高にな
るようにしたものである。以下に実施例を示す。
【００２０】図２において、光源であるレーザー４から
出射したランダム偏光のレーザービームは、ビーム整形
光学系５に入射し、その中に設けられている２つの直交
したスリット状の視野絞り（不図示）により、２つのシ
ート状のビームに整形される。２つのシートビームはビ
ームスプリッター６を透過後、照明光学系７に入射し、
ビーム整形光学系内の前記視野絞りと共役な面１６に空
中像を結像する。この視野絞り共役面１６は、反射屈折
投影光学系１を介しウエハー２上のアライメントマーク
（不図示）とも共役な関係にある。共役面１６通過後、
レチクル３と反射屈折投影光学系１の間にある偏光ビー
ムスプリッター４０に入射する。
出射したランダム偏光のレーザービームは、ビーム整形
光学系５に入射し、その中に設けられている２つの直交
したスリット状の視野絞り（不図示）により、２つのシ
ート状のビームに整形される。２つのシートビームはビ
ームスプリッター６を透過後、照明光学系７に入射し、
ビーム整形光学系内の前記視野絞りと共役な面１６に空
中像を結像する。この視野絞り共役面１６は、反射屈折
投影光学系１を介しウエハー２上のアライメントマーク
（不図示）とも共役な関係にある。共役面１６通過後、
レチクル３と反射屈折投影光学系１の間にある偏光ビー
ムスプリッター４０に入射する。
【００２１】偏光ビームスプリッター４０の波面分割面
によりＳ偏光は反射光、Ｐ偏光は透過光と、２つの直線
偏光に分けられる。波面分割面にて反射した２つのシー
トビームは、反射屈折投影光学系１により、ウエハー２
上にあるアライメントマーク（不図示）上にスリットを
結像し、マークを照明する。
によりＳ偏光は反射光、Ｐ偏光は透過光と、２つの直線
偏光に分けられる。波面分割面にて反射した２つのシー
トビームは、反射屈折投影光学系１により、ウエハー２
上にあるアライメントマーク（不図示）上にスリットを
結像し、マークを照明する。
【００２２】ウエハー２上のアライメントマークにて散
乱・回折したウエハー信号光は、反射屈折投影光学系１
に再入射し、その１部は、偏光ビームスプリッター４０
で再び反射され、照明光学系７を経て、ビームスプリッ
ター６に入射する。ウエハー信号光は、ビームスプリッ
ター６で反射され、ウエハー信号検出系８に入射し、所
定次数の回折光を選択する。そして第１の実施例と同様
のウエハー位置検出を行なう。位置検出後、その情報
は、コンピューター１５に回線を通じ転送される。
乱・回折したウエハー信号光は、反射屈折投影光学系１
に再入射し、その１部は、偏光ビームスプリッター４０
で再び反射され、照明光学系７を経て、ビームスプリッ
ター６に入射する。ウエハー信号光は、ビームスプリッ
ター６で反射され、ウエハー信号検出系８に入射し、所
定次数の回折光を選択する。そして第１の実施例と同様
のウエハー位置検出を行なう。位置検出後、その情報
は、コンピューター１５に回線を通じ転送される。
【００２３】一方、偏光ビームスプリッター４０の波面
分割面を透過したＰ偏光の照明光は、λ／４板４１を通
り、円偏光となる。そして、視野絞り結像光学系４２を
通り、ミラー４３にて再び視野絞り結像光学系４２に入
射するように反射される。視野絞り結像光学系４２透過
後、再びλ／４板４１に入射し、今度は、偏光ビームス
プリッター４０に対しＳ偏光になるように入射する。偏
光ビームスプリッター４０の波面分割面にて反射された
照明光束は、レチクル３上にあるアライメントマーク
（不図示）上に前記スリット状の視野絞りを結像し、前
記アライメントマークを透過照明する。尚、視野絞り結
像光学系４２は、光束がそこを往復することで、視野絞
り共役面１６とレチクル上のアライメントマークが共役
な関係になるように設定されている。また、本実施例で
は、視野絞り結像光学系４２とミラー４３は別々に記載
したが、視野絞り結像光学系４２を反射光学系で構成す
れば、ミラーは不要となる。更に、レチクル照明光の開
口数が小さく、視野絞り共役面１６とレチクル３上のア
ライメントマークまでの距離が焦点深度内であったり、
焦点深度外であってもアライメントマーク上におけるス
リットのぼけ量が許容範囲内であれば、視野絞り結像光
学系４２は装備しなくても良い。
分割面を透過したＰ偏光の照明光は、λ／４板４１を通
り、円偏光となる。そして、視野絞り結像光学系４２を
通り、ミラー４３にて再び視野絞り結像光学系４２に入
射するように反射される。視野絞り結像光学系４２透過
後、再びλ／４板４１に入射し、今度は、偏光ビームス
プリッター４０に対しＳ偏光になるように入射する。偏
光ビームスプリッター４０の波面分割面にて反射された
照明光束は、レチクル３上にあるアライメントマーク
（不図示）上に前記スリット状の視野絞りを結像し、前
記アライメントマークを透過照明する。尚、視野絞り結
像光学系４２は、光束がそこを往復することで、視野絞
り共役面１６とレチクル上のアライメントマークが共役
な関係になるように設定されている。また、本実施例で
は、視野絞り結像光学系４２とミラー４３は別々に記載
したが、視野絞り結像光学系４２を反射光学系で構成す
れば、ミラーは不要となる。更に、レチクル照明光の開
口数が小さく、視野絞り共役面１６とレチクル３上のア
ライメントマークまでの距離が焦点深度内であったり、
焦点深度外であってもアライメントマーク上におけるス
リットのぼけ量が許容範囲内であれば、視野絞り結像光
学系４２は装備しなくても良い。
【００２４】レチクル上のアライメントマークにより散
乱・回折したレチクル信号光は、コンデンサー光学系
９、ダイクロイックミラー１０を経た後、レチクル信号
検出系１１に入射し、レチクルの位置が検出される。ダ
イクロイックミラー１０は、不図示の露光光源からの光
１２を反射し、コンデンサー光学系９の方へ露光光を反
射させ、アライメント光は透過させるという性質を備え
ている。位置検出後、ウエハーと同様、その情報はコン
ピューター１５に回線を通じ転送される。
乱・回折したレチクル信号光は、コンデンサー光学系
９、ダイクロイックミラー１０を経た後、レチクル信号
検出系１１に入射し、レチクルの位置が検出される。ダ
イクロイックミラー１０は、不図示の露光光源からの光
１２を反射し、コンデンサー光学系９の方へ露光光を反
射させ、アライメント光は透過させるという性質を備え
ている。位置検出後、ウエハーと同様、その情報はコン
ピューター１５に回線を通じ転送される。
【００２５】コンピューター１５に集められたウエハー
とレチクルの位置情報により、その相対ずれ量が計算さ
れ、回線を通じその補正量がウエハー位置補正機構１
４、レチクル位置補正機構１３に転送される。各補正機
構は、その量に応じウエハー位置、レチクル位置を補正
し位置合わせを達成している。本実施例により、ウエハ
ー上のアライメントマークとレチクル上のアライメント
マークが反射屈折投影光学系１に対し同像高で位置合わ
せでき、更に、ウエハープロセスの影響をうけない高精
度な位置合わせを達成することができる。
とレチクルの位置情報により、その相対ずれ量が計算さ
れ、回線を通じその補正量がウエハー位置補正機構１
４、レチクル位置補正機構１３に転送される。各補正機
構は、その量に応じウエハー位置、レチクル位置を補正
し位置合わせを達成している。本実施例により、ウエハ
ー上のアライメントマークとレチクル上のアライメント
マークが反射屈折投影光学系１に対し同像高で位置合わ
せでき、更に、ウエハープロセスの影響をうけない高精
度な位置合わせを達成することができる。
【００２６】次に、第３の実施例を説明する。本実施例
は、レチクルの反射を用いて、ウエハー上のアライメン
トを検出することを目的としている。レチクルの反射
は、ウエハー表面の反射と比べ、レチクル毎に大きく変
化することがなく、安定しているためである。以下に図
３を用いて説明する。
は、レチクルの反射を用いて、ウエハー上のアライメン
トを検出することを目的としている。レチクルの反射
は、ウエハー表面の反射と比べ、レチクル毎に大きく変
化することがなく、安定しているためである。以下に図
３を用いて説明する。
【００２７】図３において、光源であるレーザー４から
出射した直線偏光のレーザービームは、ビーム整形光学
系５に入射し、その中に設けられている２つの直交した
スリット状の視野絞り（不図示）により、２つのシート
状のビームに整形される。２つのシートビームは照明光
学系７に入射し、ビーム整形光学系内の前記視野絞りを
偏光ビームスプリッター３０、λ／４板３１を経て、レ
チクル３上にあるアライメントマーク上に結像する。
出射した直線偏光のレーザービームは、ビーム整形光学
系５に入射し、その中に設けられている２つの直交した
スリット状の視野絞り（不図示）により、２つのシート
状のビームに整形される。２つのシートビームは照明光
学系７に入射し、ビーム整形光学系内の前記視野絞りを
偏光ビームスプリッター３０、λ／４板３１を経て、レ
チクル３上にあるアライメントマーク上に結像する。
【００２８】偏光ビームスプリッター３０に入射する
際、２つのシートビームは、偏光ビームスプリッター３
０の波面分割面に対し、Ｓ偏光（反射）になるように予
め直線偏光の向きを設定しておく。
際、２つのシートビームは、偏光ビームスプリッター３
０の波面分割面に対し、Ｓ偏光（反射）になるように予
め直線偏光の向きを設定しておく。
【００２９】レチクル３上にあるアライメントマーク
（不図示）上に結像したスリット状の視野絞りは、アラ
イメントマークを透過照明する。
（不図示）上に結像したスリット状の視野絞りは、アラ
イメントマークを透過照明する。
【００３０】レチクル信号光は、レチクル上のアライメ
ントマークにより散乱・回折し、その後、コンデンサー
光学系９、ダイクロイックミラー１０を経て、レチクル
信号検出系１１に入射する。それにより、レチクルの位
置が検出される。ダイクロイックミラー１０は、不図示
の露光光源からの光１２を反射し、コンデンサー光学系
９の方へ露光光を反射させ、アライメント光は透過させ
るという性質を備えている。位置検出後、ウエハーと同
様、その情報はコンピューター１５に回線を通じ転送さ
れる。
ントマークにより散乱・回折し、その後、コンデンサー
光学系９、ダイクロイックミラー１０を経て、レチクル
信号検出系１１に入射する。それにより、レチクルの位
置が検出される。ダイクロイックミラー１０は、不図示
の露光光源からの光１２を反射し、コンデンサー光学系
９の方へ露光光を反射させ、アライメント光は透過させ
るという性質を備えている。位置検出後、ウエハーと同
様、その情報はコンピューター１５に回線を通じ転送さ
れる。
【００３１】一方、レチクルパターン面にて結像、反射
した光は、再びλ／４板３１を通り、偏光ビームスプリ
ッター３０にＰ偏光として入射する。この時、光束はＰ
偏光となるため、偏光ビームスプリッター３０を光束は
透過する。更に前記光束は、λ／４板３２を通り円偏光
となり、反射屈折投影光学系１を介し、ウエハー２上に
あるアライメントマーク（不図示）上にスリット上の視
野絞りを結像させ、マークを照明する。
した光は、再びλ／４板３１を通り、偏光ビームスプリ
ッター３０にＰ偏光として入射する。この時、光束はＰ
偏光となるため、偏光ビームスプリッター３０を光束は
透過する。更に前記光束は、λ／４板３２を通り円偏光
となり、反射屈折投影光学系１を介し、ウエハー２上に
あるアライメントマーク（不図示）上にスリット上の視
野絞りを結像させ、マークを照明する。
【００３２】ウエハー上のアライメントマークにより散
乱・回折したウエハー信号光は、反射屈折投影光学系１
に再入射し、再びλ／４板３２を通り、偏光ビームスプ
リッター３０に対しＳ偏光として入射する。その後、ウ
エハー信号光は、偏光ビームスプリッター３０で再び反
射され、ウエハー信号検出系５０に入射し、所定次数の
回折光を選択するこ。そして第１の実施例と同様なウエ
ハー位置検出を行なう。位置検出後、その情報は、コン
ピューター１５に回線を通じ転送される。
乱・回折したウエハー信号光は、反射屈折投影光学系１
に再入射し、再びλ／４板３２を通り、偏光ビームスプ
リッター３０に対しＳ偏光として入射する。その後、ウ
エハー信号光は、偏光ビームスプリッター３０で再び反
射され、ウエハー信号検出系５０に入射し、所定次数の
回折光を選択するこ。そして第１の実施例と同様なウエ
ハー位置検出を行なう。位置検出後、その情報は、コン
ピューター１５に回線を通じ転送される。
【００３３】コンピューター１５に集められたウエハー
とレチクルの位置情報により、その相対ずれ量が計算さ
れ、回線を通じその補正量がウエハー位置補正機構１
４、レチクル位置補正機構１３に転送される。各補正機
構は、その量に応じウエハー位置、レチクル位置を補正
し位置合わせを達成している。本実施例により、ウエハ
ープロセスの影響をうけない、安定したレチクル信号と
ウエハー信号を得ることができ、高精度な位置合わせを
達成することができる。
とレチクルの位置情報により、その相対ずれ量が計算さ
れ、回線を通じその補正量がウエハー位置補正機構１
４、レチクル位置補正機構１３に転送される。各補正機
構は、その量に応じウエハー位置、レチクル位置を補正
し位置合わせを達成している。本実施例により、ウエハ
ープロセスの影響をうけない、安定したレチクル信号と
ウエハー信号を得ることができ、高精度な位置合わせを
達成することができる。
【００３４】次に第４の実施例を説明する。図４におい
て、光源であるレーザー４から出射した直線偏光のレー
ザービームは、ビーム整形光学系５に入射し、その中に
設けられている２つの直交したスリット状の視野絞り
（不図示）により、２つのシート状のビームに整形され
る。その後、偏光ビームスプリッター３６に入射する。
図４は、説明のため、後述する偏光ビームスプリッター
３０の波面分割面と、偏光ビームスプリッター３６の波
面分割面は、平行に描かれているが、実際は、９０°ね
じれている。そのため、偏光ビームスプリッター３６で
Ｐ偏光の光は、偏光ビームスプリッター３０ではＳ偏
光、偏光ビームスプリッター３６でＳ偏光の光は、偏光
ビームスプリッター３０でＰ偏光となる。
て、光源であるレーザー４から出射した直線偏光のレー
ザービームは、ビーム整形光学系５に入射し、その中に
設けられている２つの直交したスリット状の視野絞り
（不図示）により、２つのシート状のビームに整形され
る。その後、偏光ビームスプリッター３６に入射する。
図４は、説明のため、後述する偏光ビームスプリッター
３０の波面分割面と、偏光ビームスプリッター３６の波
面分割面は、平行に描かれているが、実際は、９０°ね
じれている。そのため、偏光ビームスプリッター３６で
Ｐ偏光の光は、偏光ビームスプリッター３０ではＳ偏
光、偏光ビームスプリッター３６でＳ偏光の光は、偏光
ビームスプリッター３０でＰ偏光となる。
【００３５】さて、２つのシートビームは照明光学系７
に入射し、ビーム整形光学系内の前記視野絞りを偏光ビ
ームスプリッター３０、λ／４板３１を経て、レチクル
３上にあるアライメントマーク上に結像する。
に入射し、ビーム整形光学系内の前記視野絞りを偏光ビ
ームスプリッター３０、λ／４板３１を経て、レチクル
３上にあるアライメントマーク上に結像する。
【００３６】偏光ビームスプリッター３０に入射する
際、２つのシートビームは、偏光ビームスプリッター３
０の波面分割面に対し、Ｓ偏光（反射）になるように予
め直線偏光の向きを設定しておく。
際、２つのシートビームは、偏光ビームスプリッター３
０の波面分割面に対し、Ｓ偏光（反射）になるように予
め直線偏光の向きを設定しておく。
【００３７】レチクル３上にあるアライメントマーク
（不図示）上に結像したスリット状の視野絞りは、アラ
イメントマークを透過照明する。
（不図示）上に結像したスリット状の視野絞りは、アラ
イメントマークを透過照明する。
【００３８】レチクル信号光は、レチクル上のアライメ
ントマークにより散乱・回折し、その後、コンデンサー
光学系９、ダイクロイックミラー１０を経て、レチクル
信号検出系１１に入射する。それにより、レチクルの位
置が検出される。ダイクロイックミラー１０は、不図示
の露光光源からの光１２を反射し、コンデンサー光学系
９の方へ露光光を反射させ、アライメント光は透過させ
るという性質を備えている。位置検出後、ウエハーと同
様、その情報はコンピューター１５に回線を通じ転送さ
れる。
ントマークにより散乱・回折し、その後、コンデンサー
光学系９、ダイクロイックミラー１０を経て、レチクル
信号検出系１１に入射する。それにより、レチクルの位
置が検出される。ダイクロイックミラー１０は、不図示
の露光光源からの光１２を反射し、コンデンサー光学系
９の方へ露光光を反射させ、アライメント光は透過させ
るという性質を備えている。位置検出後、ウエハーと同
様、その情報はコンピューター１５に回線を通じ転送さ
れる。
【００３９】一方、レチクルパターン面にて結像、反射
した光は、再びλ／４板３１を通り、偏光ビームスプリ
ッター３０にＰ偏光として入射する。この時、光はＰ偏
光となるため、偏光ビームスプリッター３０を光は透過
する。反射光は、λ／４板３２を通り円偏光となり、反
射屈折投影光学系１を介し、ウエハー２上にあるアライ
メントマーク（不図示）上にスリット上の視野絞りを結
像させ、照明する。
した光は、再びλ／４板３１を通り、偏光ビームスプリ
ッター３０にＰ偏光として入射する。この時、光はＰ偏
光となるため、偏光ビームスプリッター３０を光は透過
する。反射光は、λ／４板３２を通り円偏光となり、反
射屈折投影光学系１を介し、ウエハー２上にあるアライ
メントマーク（不図示）上にスリット上の視野絞りを結
像させ、照明する。
【００４０】ウエハー上のアライメントマークにより散
乱・回折したウエハー信号光は、反射屈折投影光学系１
に再入射し、再びλ／４板３２を通り、偏光ビームスプ
リッター３０に対しＳ偏光として入射する。その後、ウ
エハー信号光は、偏光ビームスプリッター３０で再び反
射される。反射後、ミラー投影レンズ１を介し、ウエハ
ー２上のアライメントと共役な関係にある像面３７、及
びλ／４板３３を通過する。そこで、偏光は、直線偏光
から円偏光となる。λ／４板３３を透過したウエハー信
号光は、リレー光学系３４を透過し、ミラー３５でもと
来た方向へ反射される。そして、再び、リレー光学系３
４を通り、λ／４板３３に入射する。このリレー光学系
３４は、光が往復することで像面３７と同じ位置に１回
結像させている。このリレー光学系３４は、反射光学系
で構成すれば、ミラー３５は不要になる。
乱・回折したウエハー信号光は、反射屈折投影光学系１
に再入射し、再びλ／４板３２を通り、偏光ビームスプ
リッター３０に対しＳ偏光として入射する。その後、ウ
エハー信号光は、偏光ビームスプリッター３０で再び反
射される。反射後、ミラー投影レンズ１を介し、ウエハ
ー２上のアライメントと共役な関係にある像面３７、及
びλ／４板３３を通過する。そこで、偏光は、直線偏光
から円偏光となる。λ／４板３３を透過したウエハー信
号光は、リレー光学系３４を透過し、ミラー３５でもと
来た方向へ反射される。そして、再び、リレー光学系３
４を通り、λ／４板３３に入射する。このリレー光学系
３４は、光が往復することで像面３７と同じ位置に１回
結像させている。このリレー光学系３４は、反射光学系
で構成すれば、ミラー３５は不要になる。
【００４１】λ／４板３３を通過した信号光は、偏光ビ
ームスプリッター３０に対しＰ偏光となり、偏光ビーム
スプリッター３０を透過する。その後、照明光学系７を
通り、偏光ビームスプリッター３６に対しＳ偏光となり
反射され、ウエハー信号検出系８にて検知される。位置
検出後、その情報は、コンピューター１５に回線を通じ
転送される。
ームスプリッター３０に対しＰ偏光となり、偏光ビーム
スプリッター３０を透過する。その後、照明光学系７を
通り、偏光ビームスプリッター３６に対しＳ偏光となり
反射され、ウエハー信号検出系８にて検知される。位置
検出後、その情報は、コンピューター１５に回線を通じ
転送される。
【００４２】コンピューター１５に集められたウエハー
とレチクルの位置情報により、その相対ずれ量が計算さ
れ、回線を通じその補正量がウエハー位置補正機構１
４、レチクル位置補正機構１３に転送される。各補正機
構は、その量に応じウエハー位置、レチクル位置を補正
し位置合わせを達成している。本実施例により、ウエハ
ープロセスの影響をうけない高精度な位置合わせを達成
することができる。
とレチクルの位置情報により、その相対ずれ量が計算さ
れ、回線を通じその補正量がウエハー位置補正機構１
４、レチクル位置補正機構１３に転送される。各補正機
構は、その量に応じウエハー位置、レチクル位置を補正
し位置合わせを達成している。本実施例により、ウエハ
ープロセスの影響をうけない高精度な位置合わせを達成
することができる。
【００４３】次に上記説明した位置検出装置を利用した
半導体デバイスの製造方法の実施例を説明する。図６は
半導体デバイス（ＩＣやＬＳＩなどの半導体チップ、あ
るいは液晶パネルやＣＣＤなど）の製造のフローを示
す。ステツプ１（回路設計）では半導体デバイスの回路
設計を行う。ステツプ２（マスク製作）では設計した回
路パターンを形成したマスクを製作する。一方、ステツ
プ３（ウエハ−製造）ではシリコンなどの材料を用いて
ウエハーを製造する。ステツプ４（ウエハープロセス）
は前工程と呼ばれ、上記用意したマスクとウエハーを用
いて、リソグラフイ−技術によってウエハー上に実際の
回路を形成する。次のステツプ５（組み立て）は後工程
と呼ばれ、ステツプ４によって作製されたウエハ−を用
いて半導体チップ化する工程であり。アッセンブリ工程
（ダイシング、ボンディング）、パッケージング工程
（チップ封入）などの工程を含む。ステツプ６（検査）
ではステツプ５で作製された半導体デバイスの動作確認
テスト、耐久性テストなどの検査を行う。こうした工程
を経て半導体デバイスが完成し、これが出荷（ステツプ
７）される。
半導体デバイスの製造方法の実施例を説明する。図６は
半導体デバイス（ＩＣやＬＳＩなどの半導体チップ、あ
るいは液晶パネルやＣＣＤなど）の製造のフローを示
す。ステツプ１（回路設計）では半導体デバイスの回路
設計を行う。ステツプ２（マスク製作）では設計した回
路パターンを形成したマスクを製作する。一方、ステツ
プ３（ウエハ−製造）ではシリコンなどの材料を用いて
ウエハーを製造する。ステツプ４（ウエハープロセス）
は前工程と呼ばれ、上記用意したマスクとウエハーを用
いて、リソグラフイ−技術によってウエハー上に実際の
回路を形成する。次のステツプ５（組み立て）は後工程
と呼ばれ、ステツプ４によって作製されたウエハ−を用
いて半導体チップ化する工程であり。アッセンブリ工程
（ダイシング、ボンディング）、パッケージング工程
（チップ封入）などの工程を含む。ステツプ６（検査）
ではステツプ５で作製された半導体デバイスの動作確認
テスト、耐久性テストなどの検査を行う。こうした工程
を経て半導体デバイスが完成し、これが出荷（ステツプ
７）される。
【００４４】図７は上記ウエハープロセスの詳細なフロ
ーを示す。ステツプ１１（酸化）ではウエハーの表面を
酸化させる。ステツプ１２（ＣＶＤ）ではウエハー表面
に絶縁膜を形成する。ステツプ１３（電極形成）ではウ
エハー上に電極を蒸着によって形成する。ステツプ１４
（イオン打ち込み）ではウエハーにイオンを打ち込む。
ステツプ１５（レジスト処理）ではウエハーに感光剤を
塗布する。ステツプ１６（露光）では上記説明した位置
検出装置を備えた露光装置によってマスクの回路パター
ンをウエハーに焼付け露光する。ステツプ１７（現像）
では露光したウエハーを現像する。ステツプ１８（エッ
チング）では現像したレジスト像以外の部分を削り取
る。ステツプ１９（レジスト剥離）ではエッチングが済
んで不要となったレジストを取り除く。これらのステツ
プを繰り返し行うことによってウエハー上に多重に回路
パターンが形成される。
ーを示す。ステツプ１１（酸化）ではウエハーの表面を
酸化させる。ステツプ１２（ＣＶＤ）ではウエハー表面
に絶縁膜を形成する。ステツプ１３（電極形成）ではウ
エハー上に電極を蒸着によって形成する。ステツプ１４
（イオン打ち込み）ではウエハーにイオンを打ち込む。
ステツプ１５（レジスト処理）ではウエハーに感光剤を
塗布する。ステツプ１６（露光）では上記説明した位置
検出装置を備えた露光装置によってマスクの回路パター
ンをウエハーに焼付け露光する。ステツプ１７（現像）
では露光したウエハーを現像する。ステツプ１８（エッ
チング）では現像したレジスト像以外の部分を削り取
る。ステツプ１９（レジスト剥離）ではエッチングが済
んで不要となったレジストを取り除く。これらのステツ
プを繰り返し行うことによってウエハー上に多重に回路
パターンが形成される。
【００４５】本実施例の製造方法を用いれば、従来製造
が難しかった高集積度の半導体デバイスが製造すること
ができる。
が難しかった高集積度の半導体デバイスが製造すること
ができる。
【００４６】
【発明の効果】本発明により、従来、ウエハー表面の反
射率に依存していたレチクル信号強度を、安定した強度
の信号として得ることができる。そのため、検出率の高
い、高精度な位置合わせを有する露光装置及びそれを用
いた素子の製造方法が達成できる。
射率に依存していたレチクル信号強度を、安定した強度
の信号として得ることができる。そのため、検出率の高
い、高精度な位置合わせを有する露光装置及びそれを用
いた素子の製造方法が達成できる。
【図１】第１の実施例を示した図
【図２】第２の実施例を示した図
【図３】第３の実施例を示した図
【図４】第４の実施例を示した図
【図５】従来の実施例を示した図
【図６】デバイス製造のフローの図
【図７】ウエハープロセスの図
１ 反射屈折投影光学系 ２ ウエハー ３ レチクル ４ 光源 ５ シートビーム整形光学系 ６ ビームスプリッター ７ 照明光学系 ８ ウエハー信号検出系 ９ コンデンサー光学系 １０ ダイクロイックミラー １１ レチクル信号検出系 １２ 露光光 １３ レチクル位置補正機構 １４ ウエハー位置補正機構 １５ コンピューター １６ 視野絞り共役面 ２０ ビームスプリッター ２１、４２ 視野絞り結像光学系 ３０ 偏光ビームスプリッター ３１、３２、３３、４１ λ／４板 ３４ リレー光学系 ３５ ミラー ３６、４０ 偏光ビームスプリッター ３７ ウエハーと共役な像面 ４３ ミラー ５０ ウエハー信号検出系 １００ ビームスプリッター
Claims (3)
- 【請求項１】 第１物体面上のパターンを感光剤が塗布
された第２物体面上に露光する露光手段と、第１物体
上、第２物体上にそれぞれの位置を検出するためのマー
クと、第１物体と第２物体との間から前記各マークを照
明する照明手段と、第１物体と第２物体とを同期させて
移動させる移動手段と、第１物体の移動により変調され
た前記照明光を検出する第１の光検出手段と、第２物体
の移動により変調された前記照明光を検出する第２の光
検出手段と、前記第１の光検出手段からの出力と前記第
２の光検出手段からの出力とに基づいて第１物体と第２
物体との相対的位置を検出する位置検出手段とを有する
露光装置において、 第１物体を照明する前記照明手段が、第２物体を介さな
い照明光で第１物体を照明することを特徴とする露光装
置。 - 【請求項２】 第２物体を照明する前記照明手段が、第
１物体を介する照明光で第２物体を照明することを特徴
とする露光装置。 - 【請求項３】 請求項１、２の露光装置を用いることを
特徴とする素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5160891A JPH0722350A (ja) | 1993-06-30 | 1993-06-30 | 露光装置及びそれを用いた素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5160891A JPH0722350A (ja) | 1993-06-30 | 1993-06-30 | 露光装置及びそれを用いた素子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0722350A true JPH0722350A (ja) | 1995-01-24 |
Family
ID=15724605
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5160891A Withdrawn JPH0722350A (ja) | 1993-06-30 | 1993-06-30 | 露光装置及びそれを用いた素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0722350A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6583856B1 (en) | 1998-03-06 | 2003-06-24 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and fabrication method of semiconductor device using the same |
-
1993
- 1993-06-30 JP JP5160891A patent/JPH0722350A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6583856B1 (en) | 1998-03-06 | 2003-06-24 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and fabrication method of semiconductor device using the same |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20000905 |