JPS6339049B2 - - Google Patents
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- JPS6339049B2 JPS6339049B2 JP10656984A JP10656984A JPS6339049B2 JP S6339049 B2 JPS6339049 B2 JP S6339049B2 JP 10656984 A JP10656984 A JP 10656984A JP 10656984 A JP10656984 A JP 10656984A JP S6339049 B2 JPS6339049 B2 JP S6339049B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mask
- laser
- laser marking
- glass base
- light shielding
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 238000010330 laser marking Methods 0.000 claims abstract description 17
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 12
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 12
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 14
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 7
- 239000005357 flat glass Substances 0.000 claims description 3
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 abstract description 15
- 238000010276 construction Methods 0.000 abstract 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 abstract 1
- QDOXWKRWXJOMAK-UHFFFAOYSA-N dichromium trioxide Chemical compound O=[Cr]O[Cr]=O QDOXWKRWXJOMAK-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 abstract 1
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract 1
- WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N Trioxochromium Chemical compound O=[Cr](=O)=O WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 4
- 229910000423 chromium oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000010329 laser etching Methods 0.000 description 2
- 238000004080 punching Methods 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005299 abrasion Methods 0.000 description 1
- 150000001844 chromium Chemical class 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 239000008188 pellet Substances 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/88—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof prepared by photographic processes for production of originals simulating relief
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Dot-Matrix Printers And Others (AREA)
- Printers Or Recording Devices Using Electromagnetic And Radiation Means (AREA)
- Laser Beam Printer (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は半導体装置の外囲器にレーザエツチ
ングによりマーキングを施すのに用いる遮光マス
クの改良された構造を提供するものである。 〔発明の技術的背景〕 IC，LSI等の樹脂モールド形成された外囲器に
製造会社名、品種名等を刻印、すなわちマーキン
グを施すのに、予め形成されたマスクを介してレ
ーザ光を照射しレーザエツチングにより形成して
いた。第５図にレーザマーキング装置の概略を示
す。図において、１０１はレーザ発生機（例えば
CO2レーザ発振器）、１０２は第１集光レンズ、
１０３は金属板に文字を打抜いたレーザマーキン
グ用マスク、１０４は第２集光レンズ、１０５は
半導体装置で一例のエポキシ樹脂によるモールド
外囲器を有するDIP型のICである。なお、上記レ
ーザマーキング用マスク１０３は断面図で示さ
れ、その交斜線を施した部分は金属板の部分であ
る。 次に、第６図によつてレーザマーキング用マス
ク１０３の構造を説明する。このマスクは例えば
板厚が0.15mmの銅板に所定の数字１０３１，１０
３１…，文字１０３２，１０３２…，記号１０３
３，１０３３…等が線で打抜されたものである。 〔背景技術の問題点〕 叙上のマスクにおいては、例えば「Ｏ」「Ｂ」
「Ｄ」「口」等に見られるように打抜線で囲まれた
島部を保持させるために、その周囲の打抜線に
「くびれ部」１０３４が必須であつた。 上記「くびれ部」は半導体装置が急速に小型化
しつつある現在においてマークの字体も必然的に
小型化し、判読が不可能である場合が多いという
重大な問題がある。次にはマスクの製造、保守に
も問題がある。 〔発明の目的〕 この発明は従来の問題点に鑑みレーザマーキン
グ用マスクの改良され構造を提供する。 〔発明の概要〕 この発明にかかるレーザマーキング用マスク
は、透光性の平板状ガラス基体と、この基体の主
面にパターン状に形成された金属層と、この金属
層上に積層して被着された酸化金属層とからなる
ことを特徴とする。 〔発明の実施例〕 次にこの発明の実施例を第１図ないし第４図に
よつて詳細に説明する。 １実施例のマスクを示す第１図において、レー
ザ光に対し透光性で板厚が２〜３mmの平板状ガラ
ス基体１の主面に、層厚が2000Åのクロム層２ａ
と、この露出面を被覆する酸化クロム層２ｂが
800Åの層厚に積層して設けられて遮光部２をな
すレーザマーキング用マスク３が形成されてい
る。このマスクはIC等のペレツトの製造に使用
するガラスマスクと同じ製造方式で製造されるも
のであり、表面の酸化クロム層２ｂはレーザ光の
反射防止に有効である。 次に、別の実施例を第３図に示す。これは上に
説明した実施例のマスク３のガラス基体１の露出
主面側にも遮光部１２が設けられたものである。
すなわち、ガラス基体１の１方の主面側の遮光部
２は変わらず、他方の主面側に前記遮光部２に対
応した遮光部１２を備える。この遮光部１２の構
成は対向する遮光部２のそれと変わらず、ガラス
基体１にパターン状のクロム層１２ａと、このク
ロム層の露出面に被覆された酸化クロム層１２ｂ
とからなるものである。 叙上の実施例には、一般にガラス基体中に投射
されたレーザ光は回折して放散されるが、上記実
施例に比しレーザ光に曝されるガラス基体の面積
が遥かに少ないためレーザ光の回折放散分がきわ
めて少く、鮮明なパターンが得られると同時にガ
ラス基体表面の擦過損傷が防止できる利点があ
る。 さらに、別の実施例を第４図に示す。このマス
ク２３レーザ光入射側の遮光部２２によるパター
ンの太さＡ，Ｂ…を、半導体装置に対向する所定
のパターン層を備える遮光部２のパターンの太さ
ａ，ｂ…よりも若干大に形成したものである。 これによると、レーザ光がガラス層中で回折す
るのを防止できると同時に、パターン表裏合致が
容易に達成できる利点、ガラス基体表面の擦過傷
も防止できる利点もある。 また、ガラス基体の両面に金属層を設けるもの
は、片面のものが金属層に傷付いた場合に光線洩
れを生じて問題となるのに比し両面の金属層の対
応した部位に傷付くことはきわめて稀であるの
で、マスクの耐久性において顕著にすぐれる。 〔発明の効果〕 この発明によれば、従来のレーザマークの欠点
であつた文字のくびれによる判読不能が完全に解
消できるという極めて顕著な利点がある。
ングによりマーキングを施すのに用いる遮光マス
クの改良された構造を提供するものである。 〔発明の技術的背景〕 IC，LSI等の樹脂モールド形成された外囲器に
製造会社名、品種名等を刻印、すなわちマーキン
グを施すのに、予め形成されたマスクを介してレ
ーザ光を照射しレーザエツチングにより形成して
いた。第５図にレーザマーキング装置の概略を示
す。図において、１０１はレーザ発生機（例えば
CO2レーザ発振器）、１０２は第１集光レンズ、
１０３は金属板に文字を打抜いたレーザマーキン
グ用マスク、１０４は第２集光レンズ、１０５は
半導体装置で一例のエポキシ樹脂によるモールド
外囲器を有するDIP型のICである。なお、上記レ
ーザマーキング用マスク１０３は断面図で示さ
れ、その交斜線を施した部分は金属板の部分であ
る。 次に、第６図によつてレーザマーキング用マス
ク１０３の構造を説明する。このマスクは例えば
板厚が0.15mmの銅板に所定の数字１０３１，１０
３１…，文字１０３２，１０３２…，記号１０３
３，１０３３…等が線で打抜されたものである。 〔背景技術の問題点〕 叙上のマスクにおいては、例えば「Ｏ」「Ｂ」
「Ｄ」「口」等に見られるように打抜線で囲まれた
島部を保持させるために、その周囲の打抜線に
「くびれ部」１０３４が必須であつた。 上記「くびれ部」は半導体装置が急速に小型化
しつつある現在においてマークの字体も必然的に
小型化し、判読が不可能である場合が多いという
重大な問題がある。次にはマスクの製造、保守に
も問題がある。 〔発明の目的〕 この発明は従来の問題点に鑑みレーザマーキン
グ用マスクの改良され構造を提供する。 〔発明の概要〕 この発明にかかるレーザマーキング用マスク
は、透光性の平板状ガラス基体と、この基体の主
面にパターン状に形成された金属層と、この金属
層上に積層して被着された酸化金属層とからなる
ことを特徴とする。 〔発明の実施例〕 次にこの発明の実施例を第１図ないし第４図に
よつて詳細に説明する。 １実施例のマスクを示す第１図において、レー
ザ光に対し透光性で板厚が２〜３mmの平板状ガラ
ス基体１の主面に、層厚が2000Åのクロム層２ａ
と、この露出面を被覆する酸化クロム層２ｂが
800Åの層厚に積層して設けられて遮光部２をな
すレーザマーキング用マスク３が形成されてい
る。このマスクはIC等のペレツトの製造に使用
するガラスマスクと同じ製造方式で製造されるも
のであり、表面の酸化クロム層２ｂはレーザ光の
反射防止に有効である。 次に、別の実施例を第３図に示す。これは上に
説明した実施例のマスク３のガラス基体１の露出
主面側にも遮光部１２が設けられたものである。
すなわち、ガラス基体１の１方の主面側の遮光部
２は変わらず、他方の主面側に前記遮光部２に対
応した遮光部１２を備える。この遮光部１２の構
成は対向する遮光部２のそれと変わらず、ガラス
基体１にパターン状のクロム層１２ａと、このク
ロム層の露出面に被覆された酸化クロム層１２ｂ
とからなるものである。 叙上の実施例には、一般にガラス基体中に投射
されたレーザ光は回折して放散されるが、上記実
施例に比しレーザ光に曝されるガラス基体の面積
が遥かに少ないためレーザ光の回折放散分がきわ
めて少く、鮮明なパターンが得られると同時にガ
ラス基体表面の擦過損傷が防止できる利点があ
る。 さらに、別の実施例を第４図に示す。このマス
ク２３レーザ光入射側の遮光部２２によるパター
ンの太さＡ，Ｂ…を、半導体装置に対向する所定
のパターン層を備える遮光部２のパターンの太さ
ａ，ｂ…よりも若干大に形成したものである。 これによると、レーザ光がガラス層中で回折す
るのを防止できると同時に、パターン表裏合致が
容易に達成できる利点、ガラス基体表面の擦過傷
も防止できる利点もある。 また、ガラス基体の両面に金属層を設けるもの
は、片面のものが金属層に傷付いた場合に光線洩
れを生じて問題となるのに比し両面の金属層の対
応した部位に傷付くことはきわめて稀であるの
で、マスクの耐久性において顕著にすぐれる。 〔発明の効果〕 この発明によれば、従来のレーザマークの欠点
であつた文字のくびれによる判読不能が完全に解
消できるという極めて顕著な利点がある。
第１図はこの発明の一実施例のレーザマーキン
グ用マスクに関し、図ａは正面図、図ｂは図ａの
XX線に沿う断面図、第２図はマスクによるレー
ザマーキングを説明するための一部断面図で示す
側面図、第３図は別の実施例のレーザマーキング
用マスクの断面図、第４図はさらに別の実施例の
レーザマーキング用のマスク断面図、第５図はレ
ーザマーキング装置の概略を一部断面で示す側面
図、第６図は従来のレーザマーキング用マスクに
かかり、図ａは正面図、図ｂは図ａのXX線に沿
う断面図である。 １……ガラス基体、２，１２，２２……マスク
の遮光部、２ａ，１２ａ，２２ａ……遮光部のク
ロム層、２ｂ，１２ｂ，２２ｂ……遮光部の酸化
クロム層、３，１３，２３……レーザマーキング
用マスク、１０４……第２集光レンズ、１０５…
…半導体装置。
グ用マスクに関し、図ａは正面図、図ｂは図ａの
XX線に沿う断面図、第２図はマスクによるレー
ザマーキングを説明するための一部断面図で示す
側面図、第３図は別の実施例のレーザマーキング
用マスクの断面図、第４図はさらに別の実施例の
レーザマーキング用のマスク断面図、第５図はレ
ーザマーキング装置の概略を一部断面で示す側面
図、第６図は従来のレーザマーキング用マスクに
かかり、図ａは正面図、図ｂは図ａのXX線に沿
う断面図である。 １……ガラス基体、２，１２，２２……マスク
の遮光部、２ａ，１２ａ，２２ａ……遮光部のク
ロム層、２ｂ，１２ｂ，２２ｂ……遮光部の酸化
クロム層、３，１３，２３……レーザマーキング
用マスク、１０４……第２集光レンズ、１０５…
…半導体装置。
Claims (1)
- １ 半導体装置の外囲器にレーザ光を照射しエツ
チングによりマーキングを施すのに用いる遮光マ
スクが、透光性の平板状ガラス基体と、上記基体
の主面にパターン状に形成された金属層と、上記
金属層上に積層して被着された酸化金属層とから
なることを特徴とする半導体装置のレーザマーキ
ング用マスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59106569A JPS60250345A (ja) | 1984-05-28 | 1984-05-28 | 半導体装置のレ−ザマ−キング用マスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59106569A JPS60250345A (ja) | 1984-05-28 | 1984-05-28 | 半導体装置のレ−ザマ−キング用マスク |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60250345A JPS60250345A (ja) | 1985-12-11 |
| JPS6339049B2 true JPS6339049B2 (ja) | 1988-08-03 |
Family
ID=14436886
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59106569A Granted JPS60250345A (ja) | 1984-05-28 | 1984-05-28 | 半導体装置のレ−ザマ−キング用マスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60250345A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0823686B2 (ja) * | 1990-07-24 | 1996-03-06 | 凸版印刷株式会社 | レーザーマスク |
| KR101453878B1 (ko) * | 2008-08-07 | 2014-10-23 | 삼성디스플레이 주식회사 | 평판 표시장치의 제조방법 |
-
1984
- 1984-05-28 JP JP59106569A patent/JPS60250345A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60250345A (ja) | 1985-12-11 |
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