JPH08248618A - レチクル - Google Patents
レチクルInfo
- Publication number
- JPH08248618A JPH08248618A JP5410695A JP5410695A JPH08248618A JP H08248618 A JPH08248618 A JP H08248618A JP 5410695 A JP5410695 A JP 5410695A JP 5410695 A JP5410695 A JP 5410695A JP H08248618 A JPH08248618 A JP H08248618A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- reticle
- circuit pattern
- film
- metal film
- oxide
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 散乱光の発生を防ぎ、解像度を上げられるレ
チクルを得ること。 【構成】 この発明のレチクル１は、ガラス基板１１の
表面に形成されたクロムの回路パターン１５の表面を酸
化膜１３Ａで覆うのみならず、その側面も酸化膜１３Ｂ
で覆って散乱光の発生を防止するようにしている。この
ような回路パターン１５をペリクルのようなカバー２で
覆い、その内部に窒素ガスＮ2 を充満させて、酸化の進
行を防止している。
チクルを得ること。 【構成】 この発明のレチクル１は、ガラス基板１１の
表面に形成されたクロムの回路パターン１５の表面を酸
化膜１３Ａで覆うのみならず、その側面も酸化膜１３Ｂ
で覆って散乱光の発生を防止するようにしている。この
ような回路パターン１５をペリクルのようなカバー２で
覆い、その内部に窒素ガスＮ2 を充満させて、酸化の進
行を防止している。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、半導体集積回路装置
（ＩＣ）、液晶表示装置（ＬＣＤ）などの電子回路パタ
ーンを基板にフォトリソグラフィ手法を用いて形成する
場合に用いられるレチクル、特にその解像度を上げるこ
と主眼にしたレチクルに関するものである。
（ＩＣ）、液晶表示装置（ＬＣＤ）などの電子回路パタ
ーンを基板にフォトリソグラフィ手法を用いて形成する
場合に用いられるレチクル、特にその解像度を上げるこ
と主眼にしたレチクルに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】先ず、図を用いて、従来技術のレチクル
を説明する。図３は従来技術のレチクルの一部の断面図
であり、図４は従来技術のレチクルの現象を説明するた
めのレチクルの一部とその光感応特性を示したグラフで
ある。
を説明する。図３は従来技術のレチクルの一部の断面図
であり、図４は従来技術のレチクルの現象を説明するた
めのレチクルの一部とその光感応特性を示したグラフで
ある。
【０００３】図３において、符号１０は従来技術のレチ
クルを指す。このレチクル１０は透明なガラスの基板１
１の表面に、例えば、クロムをスパッタリングのような
薄膜形成手法で厚さ８０ｎｍ程度の金属膜１２を成膜
し、そしてその表面に、例えば、酸化クロムをスパッタ
リングで厚さ３０ｎｍ程度の酸化膜１３Ａを成膜されて
いて、全体を薄膜１４とする。
クルを指す。このレチクル１０は透明なガラスの基板１
１の表面に、例えば、クロムをスパッタリングのような
薄膜形成手法で厚さ８０ｎｍ程度の金属膜１２を成膜
し、そしてその表面に、例えば、酸化クロムをスパッタ
リングで厚さ３０ｎｍ程度の酸化膜１３Ａを成膜されて
いて、全体を薄膜１４とする。
【０００４】このような薄膜１４に、例えば、電子線露
光装置、パターンジェネレータ、カメラ工程などによっ
て、ＩＣの或る工程の回路パターン１５やアライメント
マークなどが形成される。
光装置、パターンジェネレータ、カメラ工程などによっ
て、ＩＣの或る工程の回路パターン１５やアライメント
マークなどが形成される。
【０００５】このようなレチクル１０をステッパに装着
して、ｇ線またはｉ線の光源を用いて、表面にレジスト
膜が成膜されている半導体ウエハに、順次、前記回路パ
ターン１５などを露光して行くと、ＩＣの或る工程の回
路パターン１５やアライメントマークを形成することが
できる。
して、ｇ線またはｉ線の光源を用いて、表面にレジスト
膜が成膜されている半導体ウエハに、順次、前記回路パ
ターン１５などを露光して行くと、ＩＣの或る工程の回
路パターン１５やアライメントマークを形成することが
できる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかし、図４に示した
ように、光源からの露光光の内、或る露光光は前記回路
パターン１５などの金属膜１２の側面に当たり散乱光１
６となり、露光光の強度は低下し、そして広がり、半導
体ウエハの表面を被覆しているレジスト膜に所定の線幅
で露光できなくなる。現在、ＩＣの高集積化に伴い、回
路パターン１５の線を益々細線化する必要があり、露光
により投影されるレチクル１０の回路パターン１５の解
像度が高いことが求められている。
ように、光源からの露光光の内、或る露光光は前記回路
パターン１５などの金属膜１２の側面に当たり散乱光１
６となり、露光光の強度は低下し、そして広がり、半導
体ウエハの表面を被覆しているレジスト膜に所定の線幅
で露光できなくなる。現在、ＩＣの高集積化に伴い、回
路パターン１５の線を益々細線化する必要があり、露光
により投影されるレチクル１０の回路パターン１５の解
像度が高いことが求められている。
【０００７】この解像度を上げるためには、 １．光源を短波長化する ２．レジスト材料の高解像度化 ３．ステッパ制御用のソフト面での対処 などが挙げられるが、レチクルそのものを改良して、前
記解像度を上げようとする試みは余り行われていない。
この発明では、このような問題点を解決することを課題
とするものであって、前記のような散乱光が生じない改
良したレチクルを得ることを目的とするものである。
記解像度を上げようとする試みは余り行われていない。
この発明では、このような問題点を解決することを課題
とするものであって、前記のような散乱光が生じない改
良したレチクルを得ることを目的とするものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】従って、この発明のレチ
クルは、透明基板の表面に形成された金属パターンの表
面のみならず、その側面をも酸化膜で被覆して、前記課
題を解決した。
クルは、透明基板の表面に形成された金属パターンの表
面のみならず、その側面をも酸化膜で被覆して、前記課
題を解決した。
【０００９】
【作用】従って、この発明のレチクルによれば、回路パ
ターンを形成する金属膜の側面に露光光が当たっても、
酸化膜で吸収され、散乱光が生ぜず、レジスト膜上に露
光された回路パターンの解像度を上げることができる。
ターンを形成する金属膜の側面に露光光が当たっても、
酸化膜で吸収され、散乱光が生ぜず、レジスト膜上に露
光された回路パターンの解像度を上げることができる。
【００１０】
【実施例】次に、図１及び図２を用いて、この発明のレ
チクルを説明する。図１はこの発明のレチクルの一部断
面図であり、図２はこの発明のレチクルの現象を説明す
るためのレチクルの一部とその光感応特性を示したグラ
フである。なお、従来技術のレチクルの構成部分と同一
の構成部分には同一の符号を付して説明する。
チクルを説明する。図１はこの発明のレチクルの一部断
面図であり、図２はこの発明のレチクルの現象を説明す
るためのレチクルの一部とその光感応特性を示したグラ
フである。なお、従来技術のレチクルの構成部分と同一
の構成部分には同一の符号を付して説明する。
【００１１】図１において、符号１はこの発明のレチク
ルを指す。このレチクル１は透明なガラスの基板１１の
表面に、従来技術と同様に、例えば、クロムの金属膜１
２を成膜し、そしてその表面に、例えば、酸化クロムの
酸化膜１３Ａを成膜し、前記金属膜１２の厚さはできる
だけ厚くし、従来技術の厚さの２倍以上の厚さとし、薄
膜１４を形成する。このような薄膜１４に、従来技術の
レチクル１０の形成方法と同様の形成方法でＩＣの或る
工程の回路パターン１５やアライメントマークなどを形
成する。
ルを指す。このレチクル１は透明なガラスの基板１１の
表面に、従来技術と同様に、例えば、クロムの金属膜１
２を成膜し、そしてその表面に、例えば、酸化クロムの
酸化膜１３Ａを成膜し、前記金属膜１２の厚さはできる
だけ厚くし、従来技術の厚さの２倍以上の厚さとし、薄
膜１４を形成する。このような薄膜１４に、従来技術の
レチクル１０の形成方法と同様の形成方法でＩＣの或る
工程の回路パターン１５やアライメントマークなどを形
成する。
【００１２】回路パターン１５などを形成し終えると、
次に、全体を酸素ガスＯ2 の雰囲気中に晒し、前記全金
属膜１２の側面を酸化し、酸化膜１３Ｂを形成する。そ
して金属膜１２の酸化の進行を防止するため、全回路パ
ターン１５をペリクルのようなカバー２で覆い、その内
部を窒素ガスＮ2 で充満した。
次に、全体を酸素ガスＯ2 の雰囲気中に晒し、前記全金
属膜１２の側面を酸化し、酸化膜１３Ｂを形成する。そ
して金属膜１２の酸化の進行を防止するため、全回路パ
ターン１５をペリクルのようなカバー２で覆い、その内
部を窒素ガスＮ2 で充満した。
【００１３】
【発明の効果】以上、説明したように、この発明のレチ
クル１によれば、図２に示したように、露光光が金属膜
１２の酸化膜１３Ｂに当たっても、その酸化膜１３Ｂで
吸収され、従来技術のレチクル１０で見受けられたよう
な散乱光１６の発生を防止することができる。従って、
半導体ウエハの表面に被覆されているレジスト膜には直
射光のみが当たり、その強度も高く、尖鋭な細線で回路
パターンを露光することができる。また、金属膜１２に
厚さを厚くしたので露光光の直進性を助成することがで
きるなど数々の優れた効果が得られる。
クル１によれば、図２に示したように、露光光が金属膜
１２の酸化膜１３Ｂに当たっても、その酸化膜１３Ｂで
吸収され、従来技術のレチクル１０で見受けられたよう
な散乱光１６の発生を防止することができる。従って、
半導体ウエハの表面に被覆されているレジスト膜には直
射光のみが当たり、その強度も高く、尖鋭な細線で回路
パターンを露光することができる。また、金属膜１２に
厚さを厚くしたので露光光の直進性を助成することがで
きるなど数々の優れた効果が得られる。
【図１】 この発明のレチクルの一部の断面図である。
【図２】 この発明のレチクルの現象を説明するための
レチクルの一部とその光感応特性を示したグラフであ
る。
レチクルの一部とその光感応特性を示したグラフであ
る。
【図３】 従来技術のレチクルの一部の断面図である。
【図４】 従来技術のレチクルの現象を説明するための
レチクルの一部とその光感応特性を示したグラフであ
る。
レチクルの一部とその光感応特性を示したグラフであ
る。
１ この発明のレチクル ２ カバー １１ ガラス基板 １２ 金属膜 １３Ａ 酸化膜 １３Ｂ 酸化膜 １４ 薄膜 １５ 回路パターン
Claims (3)
- 【請求項１】 透明基板の表面に形成された金属パター
ンの表面のみならず、その側面をも酸化膜で被覆したこ
とを特徴とするレチクル。 - 【請求項２】 透明基板の表面に形成された金属パター
ンの表面のみならず、その側面をも酸化膜で被覆し、こ
の酸化膜で被覆された前記金属パターン全体をカバーで
覆い、その中に不活性ガスを充満させたことを特徴とす
るレチクル。 - 【請求項３】 前記金属パターンの厚みを可能な限り厚
くしたことを特徴とする請求項１または２に記載のレチ
クル。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5410695A JPH08248618A (ja) | 1995-03-14 | 1995-03-14 | レチクル |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5410695A JPH08248618A (ja) | 1995-03-14 | 1995-03-14 | レチクル |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08248618A true JPH08248618A (ja) | 1996-09-27 |
Family
ID=12961363
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5410695A Pending JPH08248618A (ja) | 1995-03-14 | 1995-03-14 | レチクル |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08248618A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013539065A (ja) * | 2010-07-26 | 2013-10-17 | エルジー・ケム・リミテッド | マスク及びこれを含む光学フィルタ製造装置 |
| CN103959155A (zh) * | 2011-12-01 | 2014-07-30 | Lg化学株式会社 | 掩膜 |
| US9041993B2 (en) | 2010-07-26 | 2015-05-26 | Lg Chem, Ltd. | Mask |
| US9140979B2 (en) | 2011-12-01 | 2015-09-22 | Lg Chem, Ltd. | Mask |
-
1995
- 1995-03-14 JP JP5410695A patent/JPH08248618A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013539065A (ja) * | 2010-07-26 | 2013-10-17 | エルジー・ケム・リミテッド | マスク及びこれを含む光学フィルタ製造装置 |
| US9041993B2 (en) | 2010-07-26 | 2015-05-26 | Lg Chem, Ltd. | Mask |
| US9069257B2 (en) | 2010-07-26 | 2015-06-30 | Lg Chem, Ltd. | Mask and optical filter manufacturing apparatus including the same |
| JP2015187731A (ja) * | 2010-07-26 | 2015-10-29 | エルジー・ケム・リミテッド | マスク及びこれを含む光学フィルタ製造装置 |
| CN103959155A (zh) * | 2011-12-01 | 2014-07-30 | Lg化学株式会社 | 掩膜 |
| JP2015507213A (ja) * | 2011-12-01 | 2015-03-05 | エルジー・ケム・リミテッド | マスク |
| US9140979B2 (en) | 2011-12-01 | 2015-09-22 | Lg Chem, Ltd. | Mask |
| CN103959155B (zh) * | 2011-12-01 | 2017-02-22 | Lg化学株式会社 | 掩膜 |
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