JP2660702B2 - 液晶組成物 - Google Patents

液晶組成物

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Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は液晶表示用の液晶組成物に関する。さらに詳
しくは、スーパーツイスト複屈折効果方式を用いた高時
分割表示装置に使用される液晶組成物とそれを用いた液
晶表示素子に関する。 (従来の技術) 最近の情報機器の急速な発達、特に携帯用端末機器の
成長に伴い、従来のCRT並みの表示容量、表示品質をも
つ小形、薄形、低消費電力の表示デバイスに対する要求
が強まつてきている。液晶表示装置は上述の小形、薄
形、消費電力という要請にこたえて従来からねじれ角が
90゜であるTN形液晶セルのマルチプレツクス駆動により
時計、電卓をはじめ1/100デユーテイ程度までの表示端
末装置として使用されてきたが、原理上これ以上のデユ
ーテイ数の拡大は表示品質の低下をもたらし困難なもの
とされている。 これに対し、カイラルネマチツク液晶の電気光学特性
での双安定性が生じるぎりぎりのねじれ角を180〜270゜
の間に定めた液晶セルの複屈折効果を利用するスーパー
ツイスト複屈折効果方式(以下SBE方式と略す)が提案
されている。このSBE方式は、通常の90゜ツイストのTN
方式のマトリツクスデイスプレイと同じ駆動方法、すな
わち印加電圧の実効値に応答するフアストスキヤンアド
レツシング方式で駆動するマトリツクスデイスプレイが
可能であり、また90゜ツイストTNデイスプレイよりもか
なり良好なコントラストとより広い視角をもつことがシ
エフアー等により報告されている。(T.J.Scheffer,J.N
chring:Appl.Phys.Lett.45,1021(1984)参照) SBE方式の表示素子に用いられる液晶組成物に要求さ
れる特性としては、 (1) 電圧−透過率特性が急峻であること。 (2) ネマチツク−等方性液相転位温度が高いこと。 (3) セル厚(dと略記する)に応じて適当な屈折率
異方性値(以下△nと略記する)をとりうること。 (4) 粘度が小さいこと。 などである。 (2)の特性はSBE方式においては、△nの温度依存
性によつてデイスプレイに色づきが生じるのを押えるた
めに必要で、透明点はできるだけ高いことが望まれる。
(4)はSBE方式の液晶セルにおいてその応答時間を小
さくするのに特に有効である。 (発明が解決しようとする課題) 本発明の目的は、前記したように高い透明点と小さい
粘度をもち、さらに所望の△n値をとりうることに加え
て、SBE方式表示において電圧−透過率特性における急
峻性を改良したネマチツク液晶組成物を提供するにあ
る。本発明の別の目的はSBE方式において電圧−透過率
曲線が急峻でコントラストの良い液晶表示素子を提供す
ることにある。 (問題点を解決するための手段) 本発明者らは前記問題点を解決するため鋭意研究を行
つた。その結果、一般式(I)で表わされる化合物に一
般式(II)で表わされる化合物を混合するか、これに更
に一般式(III)で表わされる化合物を混合するか、こ
れに更に一般式(IV)、(V)で表わされる化合物のう
ち少くとも1種類以上を混合した液晶組成物が前記改良
を要請されている特性値を大巾に改良し得ることを見出
し本発明を完成した。 すなわち、本発明第一の発明の液晶組成物は、 一般式 (式中、R1は炭素数2〜8のアルケニル基を示す。)に
て表わされる化合物からなる第一成分と 一般式 (式中、R2は炭素数1〜8のアルキル基、R3はHまたは
F、R4は炭素数1〜8のアルキル基、アルコキシ基、F
またはCNを示す。) にて表わされる化合物からなる第二成分とを含有するこ
とを特徴とするが、第一成分として10〜50重量%、第二
成分は30〜60重量%の配合割合が好ましい。 また、本発明の液晶組成物は、第一成分と第二成分に
さらに第三成分として 一般式 (式中、R5は炭素数1〜8のアルキル基またはアルコキ
シメチル基、R6は炭素数1〜8のアルキル基、アルコキ
シ基またはF、 は各々単独に を示し、Xは単結合、−COO−、−C≡C−を示す。) にて表わされる化合物の少くとも1種を含有し、第一成
分としては10〜50重量%、第二成分は30〜60重量%、第
三成分が15〜40重量%の配合割合が好ましい。 本発明の液晶組成物の他の態様としては、第一成分、
第二成分および第三成分にさらに第四成分として 一般式 (式中、R7は炭素数1〜8のアルキル基、アルコキシメ
チル基、R8はHまたはFを示し、 を示す。) にて表わされる化合物、および 一般式 (式中、R9は炭素数1〜8のアルキル基を示し、R10
HまたはFを示し、R11はFを示す。) にて表わされる化合物群から選ばれる少くとも1種類を
含有し、第一成分としては10〜50重量%、第二成分は30
〜60重量%、第三成分は15〜40重量%、第四成分は10〜
40%の配合割合が好ましい。 本発明における第二成分としては、一般式(II)で表
わされる化合物のうち、特に 一般式 (式中、R12は炭素数1〜8のアルキル基を示す。) にて表わされる化合物、および 一般式 (式中、R13は炭素数1〜8のアルキル基を示す。) にて表わされる化合物であることが好ましい。 本発明における第三成分としては、一般式(III)で
表わされる化合物のうち、特に 一般式 (式中、R14、R15は炭素数1〜8のアルキル基を示
す。) にて表わされる化合物、および 一般式 (式中、R16は炭素数1〜8のアルキル基を示し、R17
炭素数1〜8のアルコキシ基を示す。) にて表わされる化合物であることをが好ましい。 本発明における第四成分としては、一般式(IV)で表
わされる化合物のうち、特に 一般式 (式中、R18は炭素数1〜8のアルキル基を示す。) にて表わされる化合物であることが好ましい。 本発明の液晶組成物は上記式(I)〜(X)で示され
る化合物のほかに、しきい値電圧、液晶温度範囲、粘度
などを調節する目的で他のネマチツク液晶または液晶性
化合物を本発明の目的を害さない範囲で適当量含有する
ことができる。このような他の化合物の好適な代表例と
して、 2−{−4−(トランス−4−アルキルシクロヘキシ
ル)フエニル}−5−アルキルピリミジン、2−(4−
アルキルフエニル)−5−アルキルピリミジン、 4−(トランス−4−アルキルシクロヘキシル)−
4′−アルキルビフエニル、 トランス−4−アルキルシクロヘキシルトランス−4
−アルキルシクロヘキサカンカルボキシレート、 4″−アルキル−4−シアノテルフエニル をあげることができる。 本発明第二の発明の液晶表示素子は、 一般式(式中、R1は炭素数2〜8のアルケニル基を示す。) にて表わされる化合物からなる第一成分と 一般式 (式中、R2は炭素数1〜8のアルキル基、R3はHまたは
F、R4は炭素数1〜8のアルキル基、アルコキシ基、F
またはCNを示す。) にて表わされる化合物からなる第二成分とを含有する液
晶組成物を用いたことを特徴として、該組成物の第一成
分として10〜50重量%、第二成分として30〜60重量%の
配合割合が好ましい。 他の態様として、第一成分、第二成分と第三成分とか
らなる液晶組成物を用いた液晶表示素子。第一成分、第
二成分、第三成分と第四成分とからなる液晶組成物を用
いた液晶素子をあげることができる。また、該液晶素子
に用いる液晶組成物の各成分の配合は前述の本発明の液
晶組成物の配合割合が好ましい。 本発明の第一成分として式(I)で表わされる化合物
(特開昭59−176221)のネマチツク−アイソトロピツク
転移点(以降、透明点と略記する)は一部モノトロピツ
クのものを除き大部分が53.8〜74.5℃に分布する。ま
た、メルク社製フエニルシクロヘキサン系組成物Zli−1
083に15重量パーセント溶解した混合物からの外挿値
は、25℃において、誘電異方性量(以降△εと略記す
る)が9〜16を示し、屈折率異方性量(以降△nと略記
することがある。)が0.10〜0.16を示し、20℃における
粘度は20〜30cpを示す。 本発明の第二成分として式(II)で表わされる化合物
(特開昭57−165328、特開昭57−154135、特開昭59−15
2362、特開昭57−64626、特開昭58−10552)の透明点は
大部分が85.4〜246℃に分布する。また、同上Zli−1083
に15重量パーセント溶解した混合物からの外挿値は、25
℃において△εが1〜25.9を示し、△nが0.10から0.16
を示し、20℃における粘度は10〜64cpを示す。 本発明の第三成分として式(III)で表わされる化合
物(特開昭56−104844、東独特許105701、特開昭58−16
7535、米国特許3,925,482など)は特に低粘度を有する
ことに特徴をもち、式(I)および式(II)で表わされ
る化合物と比較しても同等ないしそれ以下の値を示すも
のが多い。 本発明の第四成分として式(IV)または式(V)にて
表わされる化合物は特に△εの値がで正で大きいことに
特徴をもち、式(I)、式(II)および式(III)で表
わされる化合物と比較しても同等ないしそれ以上の値を
示すものが多い。 本発明において式(I)で表わされる化合物の第一成
分の含量は10〜50重量%が好適である。含量が10重量%
未満では前述のとおり比較的△εが小さいので、第二成
分以下との組合せ方によつてはしきい値電圧の低下を任
意に行うには不充分な場合がある。また、一般にスーパ
ーツイスト複屈折方式においては後述するデイスプレイ
の色味の温度変化をおさえるため、液晶の透明点を可能
なかぎり高く、たとえば75℃程度以上にすることが求め
られるが、式(I)の化合物の含量が50重量%をこえる
と比較的透明点が低いので第二成分以下の組合せ方によ
つては、得られる液晶組成物の透明点が著しく低下する
場合がある。このため△nの温度依存性が大きくなり、
ひいては複屈折の光路長d・△nが変化しデイスプレイ
の色味を変化せしめる悪影響が出るので好ましくない。 本発明において式(II)で表わされる化合物の第二成
分の含量は30〜60重量%が好適である。第一成分および
第三成分以下との組合せ方によつては、含量が30重量%
未満では充分なる透明点が得られず、前述のごとくデイ
スプレイの色味に悪影響が出る。また含量が60重量%の
こえるとネマチツク相下限温度が上昇し、低温側におけ
る動作温度範囲を狭くするので適当でない場合がある。 本発明において式(III)で表わされる化合物の第三
成分の含量は15〜40重量%が好適である。第一成分およ
び第二成分以下との組合せ方によつては、含量が15重量
%未満では得られる液晶組成物の粘度の上昇に伴い、応
答時間が長くなる場合があるので好ましくない。また含
量が40重量%をこえると充分なる透明点が得られず、や
はり△nの温度依存性が大きくなり、ひいては複屈折の
光路長d・△nが変化しデイスプレイの色味を変化せし
める悪影響が出るので好ましくない。 本発明において式(IV)、式(V)で表わされる化合
物の第四成分の含量は10〜40重量%が好適である。第一
成分、第二成分および第三成分との組合せ方によつて
は、含量が10重量%未満では得られる組成物のしきい値
電圧の低下を任意に行うには不充分な場合があるので好
ましくない。また含量が40重量%をこえると充分なる透
明点が得られず、やはり△nの温度依存性が大きくな
り、ひいては複屈折の光路長d・△nが変化しデイスプ
レイの色味を変化せしめる悪影響が出るので好ましくな
い。 本発明の液晶組成物は後記の実施例で明らかになるよ
うにネマチツク−等方性液相の転移温度の高さ、セル厚
さに応じた適当な屈折率異方性値、しきい値電圧等の特
性値で従来の液晶組成物と同等以上の特性を示すと同時
に、小さい粘度を有し、SBE方式液晶表示素子における
電圧−透過率特性において急峻性にすぐれ高時分割性を
有するのでコントラストの良い液晶表示素子を与える。 (実施例) 以下に実施例により本発明を詳述するが、本発明はこ
れらの実施例に限定されるものではない。 本発明において、電圧−透過率特性の急峻性とはデイ
スプレイ表示面に対して垂直な光軸方向の光の透過率が
10%、80%になるときの電圧をV10、V80と表わすとき、
次式を用いて定義される。ここでV10をしきい値電圧と
する。 α=V80/V10 (1) したがつてパラメータαが1に近いほど電圧輝度特性
が急峻であることを示している。時分割数を表わすパラ
メータNmaxをαを用いて次式で定義する。 Nmaxが大きいほど高時分割できることを示している。
また、組成は重量%を以つて表わす。 実施例1 第一成分すなわち式(I)の化合物として次の4つの化
合物 4−{トランス−4−(1−ブテニル)シクロヘキシ
ル}ベンゾニトリル 10% 4−{トランス−4−(1−ペンテニル)シクロヘキシ
ル}ベンゾニトリル 10% 4−{トランス−4−(3−ブテニル)シクロヘキシ
ル}ベンゾニトリル 15% 4−{トランス−4−(3−ペンテニル)シクロヘキシ
ル}ベンゾニトリル 15% 第二成分すなわち式(II)の化合物としてつぎの6つの
化合物 4−{トランス−4−(トランス−4−エチルシクロヘ
キシル)シクロヘキシル}ベンゾニトリル 4% 4−{トランス−4−(トランス−4−プロピルシクロ
ヘキシル)シクロヘキシル}ベンゾニトリル 6% 4−{トランス−4−(トランス−4−プロピルシクロ
ヘキシル)シクロヘキシル}−2−フルオロベンゾニト
リル 10% 4−{トランス−4−(トランス−4−プロピルシクロ
ヘキシル)シクロヘキシル}フルオロベンゼン 6% 4−{トランス−4−(トランス−4−プロピルシクロ
ヘキシル)シクロヘキシル}トルエン 8% 4−{トランス−4−(トランス−4−プロピルシクロ
ヘキシル}プロピルベンゼン 16% からなる液晶組成物を調製した。この液晶組成物の透明
点は118.6℃、屈折異方性量は0.132、20℃における粘度
は28.2cpであつた。該組成物にカイラル物質(メルク社
製S−811)を添加したものを対向する平面透明電極上
にラビングされたポリイミド系の配向膜をもち、テイル
ト角が小さく(<3゜)、かつツイスト角180゜のセル
にd・△n=900nm、d/P=0.5の条件下で封入し、諸特
性を測定した。 ここにPはカイラルネマチツク液晶の固有のらせんピ
ツチ、dはセル厚、すなわち電極間距離である。25℃に
おけるしきい値電圧は2.340Vであり、急峻性を表わすパ
ラメータαは1.074であり、時分割数を表わすパラメー
タNmaxは196であつた。 実施例2 第一成分すなわち式(I)の化合物としてつぎの1つの
化合物 4−{トランス−4−(3−ブテニル)シクロヘキシ
ル}ベンゾニトリル 10% 第二成分すなわち式(II)の化合物としてつぎの6つの
化合物 4−{トランス−4−(トランス−4−エチルシクロヘ
キシル)シクロヘキシル}ベンゾニトリル 4% 4−{トランス−4−(トランス−4−プロピルシクロ
ヘキシル)シクロヘキシル}ベンゾニトリル 6% 4−{トランス−4−(トランス−4−プロピルシクロ
ヘキシル)シクロヘキシル}1,2−ジフルオロベンゼン 10% 4−{トランス−4−(トランス−4−プロピルシクロ
ヘキシル)シクロヘキシル}フルオロベンゼン 5% 4−{トランス−4−(トランス−4−プロピルシクロ
ヘキシル)シクロヘキシル}トルエン 10% 4−{トランス−4−(トランス−4−プロピルシクロ
ヘキシル)シクロヘキシル}プロピルベンゼン 15% 第四成分すなわち式(IV)の化合物としてつぎの1つの
化合物 4−(トランス−4−プロピルシクロヘキシル)ベンゾ
ニトリル 30% および式(V)の化合物としてつぎの1つの化合物 2−(4−フルオロフエニル)−5−エチルピリミジン 10% からなる液晶組成物を調製し、実施例1と同様にしてそ
の特性を測定した。その結果を表1に示す。 実施例3 第一成分すなわち式(I)の化合物としてつぎの1つの
化合物 4−{トランス−4−(3−ブテニル)シクロヘキシ
ル}ベンゾニトリル 10% 第二成分すなわち式(II)の化合物としてつぎの5つの
化合物 4−{トランス−4−(トランス−4−エチルシクロヘ
キシル)シクロヘキシル}ベンゾニトリル 4% 4−{トランス−4−(トランス−4−プロピルシクロ
ヘキシル)シクロヘキシル}ベンゾニトリル 6% 4−{トランス−4−(トランス−4−エチルシクロヘ
キシル)シクロヘキシル}−1,2−ジフルオロベンゼン1
0% 4−{トランス−4−(トランス−4−プロピルシクロ
ヘキシル)シクロヘキシル}−1,2−ジフルオロベンゼ
ン 10% 4−{トランス−4−(トランス−4−プロピルシクロ
ヘキシル)シクロヘキシル}トルエン 10% 第三成分すなわち式(III)の化合物としてつぎの3つ
の化合物 トランス−4−(トランス−4−メトキシメチルシクロ
ヘキシル)プロピルシクロヘキサン 10% 4−エトキシフエニルトランス−4−ブチルシクロヘキ
サンカルボキシレート 10% 4−(トランス−4−プロピルシクロヘキシル)エトキ
シベンゼン 20% 第四成分すなわち式(IV)の化合物としてつぎの1つの
化合物 4−(トランス−4−プロピルシクロヘキシル)ベンゾ
ニトリル 10% からなる液晶組成物を調製し、実施例1と同様にしてそ
の特性を測定した。その結果を表1に示す。 実施例4 第一成分すなわち式(I)の化合物としてつぎの2つの
化合物 4−{トランス−4−(3−ブテニル)シクロヘキシ
ル}ベンゾニトリル 10% 4−{トランス−4−(3−ペンテニル)シクロヘキシ
ル}ベンゾニトリル 10% 第二成分すなわち式(II)の化合物としてつぎの8つの
化合物 4−{トランス−4−(トランス−4−エチルシクロヘ
キシル)シクロヘキシル}ベンゾニトリル 5% 4−{トランス−4−(トランス−4−プロピルシクロ
ヘキシル)シクロヘキシル}ベンゾニトリル 6% 4−{トランス−4−(トランス−4−エチルシクロヘ
キシル)シクヘキシル}−1,2−ジフルオロベンゼン 10% 4−{トランス−4−(トランス−4−プロピルシクロ
ヘキシル)シクロヘキシル}−1,2−ジフルオロベンゼ
ン 10% 4−{トランス−4−(トランス−4−プロピルシクロ
ヘキシル)シクロヘキシル}メトキシベンゼン 4% 4−{トランス−4−(トランス−4−プロピルシクロ
ヘキシル)シクロヘキシル}フルオロベンゼン 4% 4−{トランス−4−(トランス−4−プロピルシクロ
ヘキシル)シクロヘキシル}トルエン 6% 4−{トランス−4−(トランス−4−プロピルシクロ
ヘキシル)シクロヘキシル}プロピルベンゼン 6% 第三成分すなわち式(III)の化合物としてつぎの3つ
の化合物 4−エチル−4′−メチルジフエニルアセチレン 5% 4,4′−ジブチルフエニルアセチレン 5% 4−ヘキシル−4′−メチルジフエニルアセチレン5% 第四成分すなわち式(IV)の化合物としてつぎの1つの
化合物 4−(トランス−4−プロピルシクロヘキシル)−2−
フルオロベンゾニトリル 14% からなる液晶組成物を調製し、実施例1と同様にしてそ
の特性を測定した。その結果を表1に示す。 実施例5 第一成分すなわち式(I)の化合物としてつぎの2つの
化合物 4−{トランス−4−(3−ブテニル)シクロヘキシ
ル}ベンゾニトリル 10% 4−{トランス−4−(3−ペンテニル)シクロヘキシ
ル}ベンゾニトリル 10% 第二成分すなわち式(II)の化合物としてつぎの8つの
化合物 4−{トランス−4−(トランス−4−エチルシクロヘ
キシル)シクロヘキシル}ベンゾニトリル 5% 4−{トランス−4−(トランス−4−プロピルシクロ
ヘキシル)シクロヘキシル}ベンゾニトリル 6% 4−{トランス−4−(トランス−4−エチルシクロヘ
キシル)シクロヘキシル}−1,2−ジフルオロベンゼン 7% 4−{トランス−4−(トランス−4−プロピルシクロ
ヘキシル)シクロヘキシル}−1,2−ジフルオロベンゼ
ン 7% 4−{トランス−4−(トランス−4−プロピルシクロ
ヘキシル)シクロヘキシル}メトキシベンゼン 4% 4−{トランス−4−(トランス−4−プロピルシクロ
ヘキシル)シクロヘキシル}フルオロベンゼン 4% 4−{トランス−4−(トランス−4−プロピルシクロ
ヘキシル)シクロヘキシル}トルエン 7% 4−{トランス−4−(トランス−4−プロピルシクロ
ヘキシル)シクロヘキシル}プロピルベンゼン 10% 第三成分すなわち式(III)の化合物としてつぎの4つ
の化合物 4−エチル−4′−メチルジフエニルアセチレン 5% 4,4′−ジブチルフエニルアセチレン 5% 4−ヘキシル−4′−メチルジフエニルアセチレン5% 4−ヘキシル−4′−エチルジフエニルアセチレン5% 第四成分すなわち式(IV)の化合物としてつぎの2つの
化合物 4′−エチル−4−シアノビフエニル 6% 4−(トランス−4−エチルシクロヘキシル)ベンゾニ
トリル 4% からなる液晶組成物を調製し、実施例1と同様にしてそ
の特性を測定した。その結果を表1に示す。 実施例6 第一成分すなわち式(I)の化合物としてつぎの1つの
化合物 4−{トランス−4−(3−ブテニル)シクロヘキシ
ル}ベンゾニトリル 15% 第二成分すなわち式(II)の化合物としてつぎの4つの
化合物 4−{トランス−4−(トランス−4−エチルシクロヘ
キシル)シクロヘキシル}ベンゾニトリル 4% 4−{トランス−4−(トランス−4−プロピルシクロ
ヘキシル)シクロヘキシル}ベンゾニトリル 6% 4−{トランス−4−(トランス−4−プロピルシクロ
ヘキシル)シクロヘキシル}−2−フルオロベンゾニト
リル 10% 4−{トランス−4−(トランス−4−プロピルシクロ
ヘキシル)シクロヘキシル}トルエン 10% 第三成分すなわち式(III)の化合物としてつぎの1つ
の化合物 4−(トランス−4−プロピルシクロヘキシル)エトキ
シベンゼン 20% 第四成分すなわち式(V)の化合物としてつぎの2つの
化合物 2−(4−フルオロフエニル)−5−エチルピリミジン
5% 2−(3,4−ジフルオロフエニル)−5−プロピルピリ
ミジン 10% 第一成分から第四成分以外の化合物すなわち式(I)か
ら式(X)以外の化合物としてつぎの化合物 2−{4−(トランス−4−プロピルシクロヘキシル)
フエニル}−5−エチルピリミジン 10% 2−{4−(トランス−4−プロピルシクロヘキシル)
フエニル}−5−プロピルピリミジン 10% からなる液晶組成物を調製し、実施例1と同様にしてそ
の特性を測定した。その結果を表1に示す。 実施例7 第一成分すなわち式(I)の化合物としてつぎの2つの
化合物 4−{トランス−4−(3−ブテニル)シクロヘキシ
ル}ベンゾニトリル 10% 4−{トランス−4−(3−ペンテニル)シクロヘキシ
ル}ベンゾニトリル 10% 第二成分すなわち式(II)の化合物としてつぎの7つの
化合物 4−{トランス−4−(トランス−4−エチルシクロヘ
キシル)シクロヘキシル}ベンゾニトリル 5% 4−{トランス−4−(トランス−4−プロピルシクロ
ヘキシル)シクロヘキシル}ベンゾニトリル 6% 4−{トランス−4−(トランス−4−プロピルシクロ
ヘキシル)シクロヘキシル}−1,2−ジフルオロベンゼ
ン 9% 4−{トランス−4−(トランス−4−プロピルシクロ
ヘキシル)シクロヘキシル}メトキシベンゼン 4% 4−{トランス−4−(トランス−4−プロピルシクロ
ヘキシル)シクロヘキシル}フルオロベンゼン 4% 4−{トランス−4−(トランス−4−プロピルシクロ
ヘキシル)シクロヘキシル}トルエン 6% 4−{トランス−4−(トランス−4−プロピルシクロ
ヘキシル)シクロヘキシル}プロピルベンゼン 6% 第三成分すなわち式(III)の化合物としてつぎの3つ
の化合物 4−エチル−4′−メチルジフエニルアセチレン 5% 4,4′−ジブチルフエニルアセチレン 5% 4−ヘキシル−4′−メチルジフエニルアセチレン5% 第四成分すなわち式(IV)の化合物としてつぎの1つの
化合物 4′−エチル−4−シアノビフエニル 10% 第一成分から第四成分以外の化合物すなわち式(I)か
ら式(X)以外の化合物としてつぎの2つの化合物 2−(4−エチルフエニル)−5−メチルピリミジン 7% 2−(4−エチルフエニル)−5−エチルピリミジン 8% からなる液晶組成物を調製し、実施例1と同様にしてそ
の特性を測定した。その結果を表1に示す。 (比較例) 比較のために汎用されているつぎの従来公知の化合物
を含む液晶組成物を調製した。 4′−エチル−4−シアノビフエニル 15% 4′−ブチル−4−シアノビフエニル 10% 4−ブトキシフエニルトランス−4−プロピルシクロヘ
キサンカルボキシレート 16% 4−エトキシフエニルトランス−4−ブチルシクロヘキ
サンカルボキシレート 12% 4−メトキシフエニルトランス−4−ペンチルシクロヘ
キサンカルボキシレート 12% 4−エトキシフエニルトランス−4−プロピルシクロヘ
キサンカルボキシレート 10% 4−エトキシフエニルトランス−4−ペンチルシクロヘ
キサンカルボキシレート 10% 4′−(トランス−4−ペンチルシクロヘキシル)−4
−シアノビフエニル 15% からなる液晶組成物を調製し、実施例1と同様にしてそ
の特性を測定した。結果を表1に示す。(発明の効果) 本発明のもたらす効果はスーパーツイスト複屈折効果
方式に用いられる液晶組成物に要求される諸特性、とり
わけ高い透明点、低い粘性、制御可能な△nをバランス
よく保ちつつ、同方式における電圧−透過率特性におけ
る急峻性を改善したことである。 (1)式で定義される急峻性αの値は時分割駆動方式
の液晶表示素子では1に近いほど望ましく、本発明にお
いて一段と小さなαの値が達成されている。これには第
一、第二の成分化物をはじめ、第三、第四の成分化合物
が大きく寄与していると考えられる。さらに第一、第二
の成分化合物または第一、第二成分化合物に加えて第
三、第四化合物を主成分として適当な割合で調製するこ
とにより、αの他に前述の諸特性もバランスよく保つこ
とができる。これらは前記した実施例と比較例の比較に
おいて端的に示されている。 本発明の液晶組成物および該組成物を用いた液晶表示
素子は前述したような特性を兼ねそなえているので、該
組成物を用いることによりスーパーツイスト複屈折方式
による高コントラストの1/100デユーテイ以上の時分割
駆動が可能となる。また高い透明点と低い粘性等は特に
急峻性を問題としない90゜ツイストTN方式における使用
をも可能とすることは勿論である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭58−194972(JP,A) 特開 昭62−275187(JP,A) 特開 昭58−10552(JP,A) 特開 昭58−167535(JP,A) 特開 昭57−154135(JP,A) 特開 昭59−152362(JP,A) 特開 昭59−179688(JP,A) 特開 昭62−167388(JP,A) 特開 昭57−64626(JP,A) 特開 昭57−165328(JP,A) 特開 昭61−233659(JP,A) 特開 昭59−176221(JP,A)

Claims (1)

  1. (57)【特許請求の範囲】 1.一般式 (式中、R1は炭素数2〜8のアルケニル基を示す。)に
    て表わされる化合物からなる第一成分と一般式 (式中、R2は炭素数1〜8のアルキル基、R3はHまたは
    F、R4は炭素数1〜8のアルキル基、アルコキシ基、F
    またはCNを示す。)にて表わされる化合物からなる第二
    成分とを含有することを特徴とする液晶組成物。 2.第一成分が10〜50重量%、第二成分が30〜60重量%
    である特許請求の範囲第1項に記載の液晶組成物。 3.一般式(式中、R1は炭素数2〜8のアルケニル基を示す。)に
    て表わされる化合物からなる第一成分と一般式 (式中、R2は炭素数1〜8のアルキル基、R3はHまたは
    F、R4は炭素数1〜8のアルキル基、アルコキシ基、F
    またはCNを示す。)にて表わされる化合物からなる第二
    成分と一般式 (式中、R5は炭素数1〜8のアルキル基またはアルコキ
    シメチル基、R6は炭素数1〜8のアルキル基、アルコキ
    シ基またはF、 は各々単独に を示し、Xは単結合、−COO−、−C≡C−を示す。)
    にて表わされる化合物の少くとも1種からなる第三成分
    を含有することを特徴とする液晶組成物。 4.第一成分が10〜50重量%、第二成分が30〜60重量
    %、第三成分が15〜40重量%である特許請求の範囲第3
    項に記載の液晶組成物。 5.一般式 (式中、R1は炭素数2〜8のアルケニル基を示す。)に
    て表わされる化合物からなる第一成分、一般式 (式中、R2は炭素数1〜8のアルキル基、R3はHまたは
    F、R4は炭素数1〜8のアルキル基、アルコキシ基、F
    またはCNを示す。)にて表わされる化合物からなる第二
    成分、一般式 (式中、R5は炭素数1〜8のアルキル基またはアルコキ
    シメチル基、R6は炭素数1〜8のアルキル基、アルコキ
    シ基またはF、 は各々単独に を示し、Xは単結合、−COO−、−C≡C−を示す。)
    にて表わされる化合物の少くとも1種からなる第三成分
    および一般式 (式中、R7は炭素数1〜8のアルキル基、アルコキシル
    基、R8はHまたはFを示し、を示す。)にて表わされる化合物と一般式 (式中、R9は炭素数1〜8のアルキル基を示し、R10
    HまたはFを示し、R11はFを示す。)にて表わされる
    化合物群から選ばれる少くとも1種類からなる第四成分
    を含有することを特徴とする液晶組成物。 6.第一成分が10〜50重量%、第二成分が30〜60重量
    %、第三成分が15〜40重量%である特許請求の範囲第5
    項に記載の液晶組成物。 7.第四成分が10〜40重量%である特許請求の範囲第6
    項に記載の液晶組成物。 8.一般式 (式中、R1は炭素数2〜8のアルケニル基を示す。)に
    て表わされる化合物からなる第一成分と一般式 (式中、R2は炭素数1〜8のアルキル基、R3はHまたは
    F、R4は炭素数1〜8のアルキル基、アルコキシ基、F
    またはCNを示す。)にて表わされる化合物からなる第二
    成分とを含有する液晶組成物を用いた液晶表示素子。 9.一般式 (式中、R1は炭素数2〜8のアルケニル基を示す。)に
    て表わされる化合物からなる第一成分と一般式 (式中、R2は炭素数1〜8のアルキル基、R3はHまたは
    F、R4は炭素数1〜8のアルキル基、アルコキシ基、F
    またはCNを示す。)にて表わされる化合物からなる第二
    成分と一般式 (式中、R5は炭素数1〜8のアルキル基またはアルコキ
    シメチル基、R6は炭素数1〜8のアルキル基、アルコキ
    シ基またはF、 は各々単独に を示し、Xは単結合、−COO−、−C≡C−を示す。)
    にて表わされる化合物の少くとも1種からなる第三成分
    を含有する液晶組成物を用いた液晶表示素子。 10.一般式 (式中、R1は炭素数2〜8のアルケニル基を示す。)に
    て表わされる化合物からなる第一成分、一般式 (式中、R2は炭素数1〜8のアルキル基、R3はHまたは
    F、R4は炭素数1〜8のアルキル基、アルコキシ基、F
    またはCNを示す。)にて表わされる化合物からなる第二
    成分、一般式 (式中、R5は炭素数1〜8のアルキル基またはアルコキ
    シメチル基、R6は炭素数1〜8のアルキル基、アルコキ
    シ基またはF、 は各々単独に を示し、Xは単結合、−COO−、−C≡C−を示す。)
    にて表わされる化合物の少くとも1種からなる第三成分
    および一般式 (式中、R7は炭素数1〜8のアルキル基、アルコキシ
    基、R8はHまたはFを示し、 を示す。)にて表わされる化合物と一般式 (式中、R9は炭素数1〜8のアルキル基を示し、R10
    HまたはFを示し、R11はFを示す。)にて表わされる
    化合物群から選ばれる少くとも1種類からなる第四成分
    を含有する液相組成物を用いた液晶表示素子。
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