JPH0349957B2 - - Google Patents
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- JPH0349957B2 JPH0349957B2 JP5707383A JP5707383A JPH0349957B2 JP H0349957 B2 JPH0349957 B2 JP H0349957B2 JP 5707383 A JP5707383 A JP 5707383A JP 5707383 A JP5707383 A JP 5707383A JP H0349957 B2 JPH0349957 B2 JP H0349957B2
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Landscapes
- Liquid Crystal Substances (AREA)
Description
<技術分野>
本発明は、ねじれネマチツク電界効果型(TN
−FEM型)液晶表示装置に用いる液晶組成物に
関し、特に電圧平均化駆動法におけるマルチプレ
ツクス駆動特性時の表示コントラスト及び応答特
性に優れた組成物に関するものである。 近年、液晶表示装置において、特に表示情報量
の拡大化が要求されているが、そのためには必然
的にマルチプレツクス駆動の度数(N)を増すこ
とが必要となる。またこれとともに応答速度の向
上も望まれており、特にマトリツクス型液晶表示
方式を用いた動画表示にあつては、応答速度が画
像品位を決定付ける大きな要素となる。 <発明の目的> 本発明は、以上のような要素に応えるべくなさ
れたものでありマルチプレツクス駆動に適した、
応答速度の速い混合ネマチツク液晶組成物を提供
することを目的とするものである。 <実施例の説明> 最適なマルチプレツクス駆動法では、液晶表示
に際しての選択画素に印加される電圧VS及び非
選択画素に印加される電圧VNSとマルチプレツク
スの度数Nとの間には次式が成立する。 この式によれば、度数Nを増すためには、VS
はVNSに近い値にすることが望ましい。従つて、
液晶組成物をねじれネマチツクTNセルに封入し
て測定した光透過率対印加電圧曲線の閾値特性が
急峻であるほど表示コントラストが良好となり、
その結果Nを大きくすることができるので、情報
量の大きな表示が可能となる。液晶組成物のこの
ような特性を評価するためのパラメータとして光
透過率対印加電圧曲線の急峻度αを次のように定
義した。 α=V10/V90 ここにV90およびV10は、TNセルの法線方向か
ら観測した光透過率がそれぞれ90%および10%と
なる電圧を表わす。 また、立上りおよび立下りの応答時間τr,τdは
ともに液晶層の厚さに依存するため、応答速度の
評価は液晶セル厚を統一して定める。 以上のパラメータα,τrおよびτdに着目してマ
ルチプレツクス駆動に適した応答特性の良い液晶
組成物を得た。この液晶組成物を構成する各成分
とそれを選択した理由について以下説明する。ま
ず、閾値の急峻度を増すための成分として種々の
化合物を検討した結果、 (R,R′はアルキル基:以下同様) で表わされる4−アルキルフエニル4−アルカノ
イルオキシ安息香酸が有効であることが判明し
た。一般に、閾値の急峻度を増すためにはスプレ
イの弾性定数K11とベントの弾性係数K33の比
K33/K11の小さいネマチツク液晶が適している
ことが知られているが、上記成分のK33/K11は、
約1.0と小さい。またこのエステル化合物の誘電
率は、分子長軸に直角方向の成分(ε⊥ )が平行
成分(ε11)より大きいいわゆる誘電率の異方性
Δεが負(Δε=ε11−ε⊥ <0)の液晶である。従
つて、Δεが正の組成物を得るためには、Δεが正
の成分液晶を添加しなければならない。Δεが正
の成分液晶として種々の化合物を検討した結果 で表わされる4−(4−アルキルシクロヘキシル)
ベンゾニトリルが効果的であることが判明した。
以下、実験試料として を混合して成る組成物に、それぞれ別個に4−
(4−アルキルシクロヘキシル)ベンゾニトリル
70%、4′−アルキル−4−シアノビシクロヘキシ
ル70%、または4−シアノフエニル4−アルキル
シクロヘキサンカルボキシレート70%を添加して
3種の組成物(それぞれ組成物1、2、3と称
す。)を構成した。それぞれの組成物1、2、3
の閾値特性と応答特性を測定したところ第1表に
示す結果を得た。これから明らかなように、組成
物1が両特性ともに優れている。
−FEM型)液晶表示装置に用いる液晶組成物に
関し、特に電圧平均化駆動法におけるマルチプレ
ツクス駆動特性時の表示コントラスト及び応答特
性に優れた組成物に関するものである。 近年、液晶表示装置において、特に表示情報量
の拡大化が要求されているが、そのためには必然
的にマルチプレツクス駆動の度数(N)を増すこ
とが必要となる。またこれとともに応答速度の向
上も望まれており、特にマトリツクス型液晶表示
方式を用いた動画表示にあつては、応答速度が画
像品位を決定付ける大きな要素となる。 <発明の目的> 本発明は、以上のような要素に応えるべくなさ
れたものでありマルチプレツクス駆動に適した、
応答速度の速い混合ネマチツク液晶組成物を提供
することを目的とするものである。 <実施例の説明> 最適なマルチプレツクス駆動法では、液晶表示
に際しての選択画素に印加される電圧VS及び非
選択画素に印加される電圧VNSとマルチプレツク
スの度数Nとの間には次式が成立する。 この式によれば、度数Nを増すためには、VS
はVNSに近い値にすることが望ましい。従つて、
液晶組成物をねじれネマチツクTNセルに封入し
て測定した光透過率対印加電圧曲線の閾値特性が
急峻であるほど表示コントラストが良好となり、
その結果Nを大きくすることができるので、情報
量の大きな表示が可能となる。液晶組成物のこの
ような特性を評価するためのパラメータとして光
透過率対印加電圧曲線の急峻度αを次のように定
義した。 α=V10/V90 ここにV90およびV10は、TNセルの法線方向か
ら観測した光透過率がそれぞれ90%および10%と
なる電圧を表わす。 また、立上りおよび立下りの応答時間τr,τdは
ともに液晶層の厚さに依存するため、応答速度の
評価は液晶セル厚を統一して定める。 以上のパラメータα,τrおよびτdに着目してマ
ルチプレツクス駆動に適した応答特性の良い液晶
組成物を得た。この液晶組成物を構成する各成分
とそれを選択した理由について以下説明する。ま
ず、閾値の急峻度を増すための成分として種々の
化合物を検討した結果、 (R,R′はアルキル基:以下同様) で表わされる4−アルキルフエニル4−アルカノ
イルオキシ安息香酸が有効であることが判明し
た。一般に、閾値の急峻度を増すためにはスプレ
イの弾性定数K11とベントの弾性係数K33の比
K33/K11の小さいネマチツク液晶が適している
ことが知られているが、上記成分のK33/K11は、
約1.0と小さい。またこのエステル化合物の誘電
率は、分子長軸に直角方向の成分(ε⊥ )が平行
成分(ε11)より大きいいわゆる誘電率の異方性
Δεが負(Δε=ε11−ε⊥ <0)の液晶である。従
つて、Δεが正の組成物を得るためには、Δεが正
の成分液晶を添加しなければならない。Δεが正
の成分液晶として種々の化合物を検討した結果 で表わされる4−(4−アルキルシクロヘキシル)
ベンゾニトリルが効果的であることが判明した。
以下、実験試料として を混合して成る組成物に、それぞれ別個に4−
(4−アルキルシクロヘキシル)ベンゾニトリル
70%、4′−アルキル−4−シアノビシクロヘキシ
ル70%、または4−シアノフエニル4−アルキル
シクロヘキサンカルボキシレート70%を添加して
3種の組成物(それぞれ組成物1、2、3と称
す。)を構成した。それぞれの組成物1、2、3
の閾値特性と応答特性を測定したところ第1表に
示す結果を得た。これから明らかなように、組成
物1が両特性ともに優れている。
【表】
次に、液晶組成物のネマチツク温度範囲を拡大
する目的で高いネマチツク−等方性移温度を示す
成分を検討した。その結果 で表わされる4−アルキル−4′−(4−アルキル
フエニル)ビシクロヘキシルが有効であることが
判明した。以下、実験試料として (R=C3H7,C5H11,C7H15) (R′=C3H7,C5H11,C7H15) を混合して成る組成物に別個に4−アルキル−
4′−(4−アルキルフエニル)ビシクロヘキシル
30%または4−アルキル−4′−(4−アルキルシ
クロヘキシル)ビフエニル30%を添加した組成物
(それぞれ組成物4、5と称する)を調製した。
ところが、組成物4が室温でネマチツク相を示す
のに対して組成物5は室温でスメチツク相を示し
た。また組成物4は本成分液晶も添加する前に比
べて、清澄点が52℃から79℃に上昇しており実用
上必要な液晶温度範囲を有している。 次に、応答特性をさらに高めるための成分を選
定した。応答時間τは液晶組成物の粘度ηおよび
弾性定数Kと次の関係にある。 τ∝η/K そこで粘度の低い化合物として、ジ(4−アル
キルシクロヘキシル)エタン、4−(4−アルキ
ルシクロヘキシル)−1−アルコキシベンゼンま
たは4−(4−アルキルシクロヘキシル)−1−ア
ルキルベンゼンをそれぞれ別個に10重量%ずつ上
記組成物4に添加して、組成を調製した。得られ
た各組成物をそれぞれ、組成物6、7、8と称す
る。これらの組成物6、7、8の特性を第2表に
示す。
する目的で高いネマチツク−等方性移温度を示す
成分を検討した。その結果 で表わされる4−アルキル−4′−(4−アルキル
フエニル)ビシクロヘキシルが有効であることが
判明した。以下、実験試料として (R=C3H7,C5H11,C7H15) (R′=C3H7,C5H11,C7H15) を混合して成る組成物に別個に4−アルキル−
4′−(4−アルキルフエニル)ビシクロヘキシル
30%または4−アルキル−4′−(4−アルキルシ
クロヘキシル)ビフエニル30%を添加した組成物
(それぞれ組成物4、5と称する)を調製した。
ところが、組成物4が室温でネマチツク相を示す
のに対して組成物5は室温でスメチツク相を示し
た。また組成物4は本成分液晶も添加する前に比
べて、清澄点が52℃から79℃に上昇しており実用
上必要な液晶温度範囲を有している。 次に、応答特性をさらに高めるための成分を選
定した。応答時間τは液晶組成物の粘度ηおよび
弾性定数Kと次の関係にある。 τ∝η/K そこで粘度の低い化合物として、ジ(4−アル
キルシクロヘキシル)エタン、4−(4−アルキ
ルシクロヘキシル)−1−アルコキシベンゼンま
たは4−(4−アルキルシクロヘキシル)−1−ア
ルキルベンゼンをそれぞれ別個に10重量%ずつ上
記組成物4に添加して、組成を調製した。得られ
た各組成物をそれぞれ、組成物6、7、8と称す
る。これらの組成物6、7、8の特性を第2表に
示す。
【表】
【表】
組成物4のτdが77m秒であるから、応答特性
が明確に改善されたのは、組成物6のみである。
組成物7、8で改善が見られなかつた理由は、こ
れらの添加成分が、粘度を下げるだけでなく、同
時に弾性定数をも低下させたためと考えられる。 以上の結果に基いて構成した液晶組成物の実施
例を以下に示す。 実施例 4−ヘキサノイルオキシ安息香酸 4−プロピ
ルフエニル……17% 4−ヘキサノイルオキシ安息香酸 4−ペンチ
ルフエニル……14% 4−ヘキサノイルオキシ安息香酸 4−ヘプチ
ルフエニル……11% 4−(トランス−4−プロピルシクロヘキシル)
ベンゾニトリル……7% 4−(トランス−4−ペンチルシクロヘキシル)
ベンゾニトリル……7% 4−(トランス−4−ヘプチルシクロヘキシル)
ベンゾニトリル……7% 4−プロピル−4′−(4−メチルフエニル)−ト
ランス、トランス−ビシクロヘキシル……14% 4−プロピル−4′−(4−エチルフエニル)−ト
ランス、トランス−ビシクロヘキシル……14% ジ(トランス−4−プロピルシクロヘキシル)
エタン……9% 以上の成分を混合して成る液晶組成物は、結晶
析出温度−5℃から清澄点77℃までネマチツク相
を示す。この液晶組成物を予めシランカツプリン
グ剤処理とラビング法の併用によるツイスト配向
処理を行なつたTNセルに注入し、TNセルの両
面に偏光板をその偏光軸が基板のラビング方向と
直交するように配置し、印加電圧対光透過率曲線
を測定した。その結果を3表に示す。 比較の対象として、次の組成による従来の液晶
組成物の特性も合せて第3表に示す。 4−(トランス−4−プロピルシクロヘキシル)
ベンゾニトリル……11.6% 4−(トランス−4−ペンチルシクロヘキシル)
ベンゾニトリル……30.5% 4−ペンチル−4′−シアノビフエニル……21.1
% 4−(トランス−4−ペンチル)−4′−シアノビ
フエニル……11.0% 4−ペンチル−4″−シアノターフエニル……
10.3% トランス−4−ブチルシクロヘキシル安息香酸 トランス−4−プロピルシクロヘキシル……
15.5%
が明確に改善されたのは、組成物6のみである。
組成物7、8で改善が見られなかつた理由は、こ
れらの添加成分が、粘度を下げるだけでなく、同
時に弾性定数をも低下させたためと考えられる。 以上の結果に基いて構成した液晶組成物の実施
例を以下に示す。 実施例 4−ヘキサノイルオキシ安息香酸 4−プロピ
ルフエニル……17% 4−ヘキサノイルオキシ安息香酸 4−ペンチ
ルフエニル……14% 4−ヘキサノイルオキシ安息香酸 4−ヘプチ
ルフエニル……11% 4−(トランス−4−プロピルシクロヘキシル)
ベンゾニトリル……7% 4−(トランス−4−ペンチルシクロヘキシル)
ベンゾニトリル……7% 4−(トランス−4−ヘプチルシクロヘキシル)
ベンゾニトリル……7% 4−プロピル−4′−(4−メチルフエニル)−ト
ランス、トランス−ビシクロヘキシル……14% 4−プロピル−4′−(4−エチルフエニル)−ト
ランス、トランス−ビシクロヘキシル……14% ジ(トランス−4−プロピルシクロヘキシル)
エタン……9% 以上の成分を混合して成る液晶組成物は、結晶
析出温度−5℃から清澄点77℃までネマチツク相
を示す。この液晶組成物を予めシランカツプリン
グ剤処理とラビング法の併用によるツイスト配向
処理を行なつたTNセルに注入し、TNセルの両
面に偏光板をその偏光軸が基板のラビング方向と
直交するように配置し、印加電圧対光透過率曲線
を測定した。その結果を3表に示す。 比較の対象として、次の組成による従来の液晶
組成物の特性も合せて第3表に示す。 4−(トランス−4−プロピルシクロヘキシル)
ベンゾニトリル……11.6% 4−(トランス−4−ペンチルシクロヘキシル)
ベンゾニトリル……30.5% 4−ペンチル−4′−シアノビフエニル……21.1
% 4−(トランス−4−ペンチル)−4′−シアノビ
フエニル……11.0% 4−ペンチル−4″−シアノターフエニル……
10.3% トランス−4−ブチルシクロヘキシル安息香酸 トランス−4−プロピルシクロヘキシル……
15.5%
【表】
第3表の結果から、本実施例の液晶組成物は従
来のものと比較して光透過率対印加電圧の閾値特
性がより急峻でありマルチプレツクス駆動を行な
つた場合のコントラストが改善されている。また
応答速度も大幅に向上していることがわかる。 <発明の効果> 以上の如く、本発明の液晶組成物は表示特性が
非常に優れているため、電子式卓上計算器や時計
等の数値表示装置のみならず、さらに複雑な表示
形態の装置特にX−Yマトリツクス方式の表示容
量が大きい動画表示装置に使用した場合にその有
用性が顕著に表われる。
来のものと比較して光透過率対印加電圧の閾値特
性がより急峻でありマルチプレツクス駆動を行な
つた場合のコントラストが改善されている。また
応答速度も大幅に向上していることがわかる。 <発明の効果> 以上の如く、本発明の液晶組成物は表示特性が
非常に優れているため、電子式卓上計算器や時計
等の数値表示装置のみならず、さらに複雑な表示
形態の装置特にX−Yマトリツクス方式の表示容
量が大きい動画表示装置に使用した場合にその有
用性が顕著に表われる。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 第1類; 第2類; 第3類; 第4類; 〔ここにR1〜R7は炭素数1から7の直鎖状ア
ルキル基を表わし、シクロヘキサン環上の置換基
はトランス配置をとつている。〕 なる構造式で表わされる各類からそれぞれ少なく
とも1種を選択して混合し、第1類より選択され
た化合物の含有量を30〜50wt%、第2類より選
択された化合物の含有量を20〜70wt%、第3類
より選択された化合物の含有量を30wt%前後、
第4類より選択された化合物の含有量を10wt%
前後にそれぞれ設定したことを特徴とする液晶組
成物。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5707383A JPS59179688A (ja) | 1983-03-31 | 1983-03-31 | 液晶組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5707383A JPS59179688A (ja) | 1983-03-31 | 1983-03-31 | 液晶組成物 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS59179688A JPS59179688A (ja) | 1984-10-12 |
JPH0349957B2 true JPH0349957B2 (ja) | 1991-07-31 |
Family
ID=13045276
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP5707383A Granted JPS59179688A (ja) | 1983-03-31 | 1983-03-31 | 液晶組成物 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS59179688A (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2660702B2 (ja) * | 1987-12-14 | 1997-10-08 | チッソ株式会社 | 液晶組成物 |
-
1983
- 1983-03-31 JP JP5707383A patent/JPS59179688A/ja active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS59179688A (ja) | 1984-10-12 |
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