JPS59179688A - 液晶組成物 - Google Patents
液晶組成物Info
- Publication number
- JPS59179688A JPS59179688A JP5707383A JP5707383A JPS59179688A JP S59179688 A JPS59179688 A JP S59179688A JP 5707383 A JP5707383 A JP 5707383A JP 5707383 A JP5707383 A JP 5707383A JP S59179688 A JPS59179688 A JP S59179688A
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- JP
- Japan
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- liquid crystal
- composition
- crystal composition
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- alkylcyclohexyl
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- Granted
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
く技術分野〉
本発明は、ねじれネマチック電界効果型（ＴＮ−ＦＥＭ
型）液晶表示装置に用いる液晶組成物に関し、特に電圧
平均化駆動法におけるマルチプレックヌ駆動特性時の表
示コントラスト及び応答特性に優れた組成物に関するも
のである。
型）液晶表示装置に用いる液晶組成物に関し、特に電圧
平均化駆動法におけるマルチプレックヌ駆動特性時の表
示コントラスト及び応答特性に優れた組成物に関するも
のである。
近年、液晶表示装置において、特に表示情報量の拡大化
が要求されているが、そのだめには必然的にマルチプレ
ックス駆動の度数（Ｎ）を増すことが必要となる。−１
，たこれとともに応答速度の向上も望まれており、特に
マ） ＩＪフックス液晶表示方式を用いた動画表示にあ
っては、応答速度が画像品位を決定付ける大きな要素と
なる。
が要求されているが、そのだめには必然的にマルチプレ
ックス駆動の度数（Ｎ）を増すことが必要となる。−１
，たこれとともに応答速度の向上も望まれており、特に
マ） ＩＪフックス液晶表示方式を用いた動画表示にあ
っては、応答速度が画像品位を決定付ける大きな要素と
なる。
〈発明の目的〉
本発明は、以上のような要素に応えるべくなされたもの
でありマルチプレックス駆動に適した、応答速度の速い
混合ネマチック液晶組成物を提供することを目的とする
ものである。
でありマルチプレックス駆動に適した、応答速度の速い
混合ネマチック液晶組成物を提供することを目的とする
ものである。
〈実施例の説明〉
最適なマルチプレックス駆動法では、液晶表示に際して
の選択画素に印加される電圧ＶＳ及び非選択画素に印加
される電圧ＶＮ５ とマルチブレックヌの度数Ｎとの間
には次式が成立する。
の選択画素に印加される電圧ＶＳ及び非選択画素に印加
される電圧ＶＮ５ とマルチブレックヌの度数Ｎとの間
には次式が成立する。
この式・によれば、度数Ｎを増すためには、ＶｓはＶＭ
Ｓに近い値にすることが望ましい。従って、液晶組成物
をねじれネマチック（ＴＮ）セルに封入して測定した光
透過率対印加電圧曲線の閾値特性が急峻であるほど表示
コントラストが良好となり、その結果Ｎを大きくするこ
とができるので、情報量の大きな表示が可能となる。液
晶組成物のこのような特性を評価するだめのパラメータ
として光透過率対印加電圧曲線の急峻度αを次のように
定義した。
Ｓに近い値にすることが望ましい。従って、液晶組成物
をねじれネマチック（ＴＮ）セルに封入して測定した光
透過率対印加電圧曲線の閾値特性が急峻であるほど表示
コントラストが良好となり、その結果Ｎを大きくするこ
とができるので、情報量の大きな表示が可能となる。液
晶組成物のこのような特性を評価するだめのパラメータ
として光透過率対印加電圧曲線の急峻度αを次のように
定義した。
ここにＶ２ＯおよびＶＩＯは、ＴＮセルの法線方向から
観測した光透過率がそれぞれ９０％および１０％となる
電圧を表わす。
観測した光透過率がそれぞれ９０％および１０％となる
電圧を表わす。
また、立上りおよび立下りの応答時間τｒ、τｄはとも
に液晶層の厚さに依存するため、応答速度の評価は液晶
セル厚を統一して定める。
に液晶層の厚さに依存するため、応答速度の評価は液晶
セル厚を統一して定める。
以−ヒのパラメータα、τｒおよびτｄに着目してマル
チプレックス駆動に適した応答特性の良い液晶組成物を
得た。この液晶組成物を構成する各成分とそれを選択し
た理由について以下説明する。
チプレックス駆動に適した応答特性の良い液晶組成物を
得た。この液晶組成物を構成する各成分とそれを選択し
た理由について以下説明する。
まず、閾値の急峻度を増すための成分として種々の化合
物を検討した結果、 ＲＣ００＋ＣＯＯ分Ｒ′ （Ｒ，Ｒ’はアルキル基：以下同様） で表わされる４−アルキルフェニル４−アルカノイルオ
キシ安息香酸が有効であることが判明した。
物を検討した結果、 ＲＣ００＋ＣＯＯ分Ｒ′ （Ｒ，Ｒ’はアルキル基：以下同様） で表わされる４−アルキルフェニル４−アルカノイルオ
キシ安息香酸が有効であることが判明した。
一般に、閾値の急峻度を増すだめにはヌプレイの弾性定
数Ｋｌ＋とベントの弾性係数に３３の比に３３／／Ｋ１
１の小さいネマチック液晶が適していることが知られて
いるが、上記成分のに３３／Ｋ１１は、約１．０と小さ
い。またこのエステル化合物の誘電率は、分子長軸に直
角方向の成分（ε上）が平行成分（’ｔ１ ）より大き
いいわゆる誘電率の異方性Δεが負（Δε−ε）／−ε
１〈０）の液晶である。従って、Δεが正の組成物を得
るためには、Δεが正の成分液晶を添加しなければなら
ない。Δεが正の成分液晶として種々の化合物を検刺し
だ結果で表わされる４−（４−アルキルシクロヘキシル
）ベンゾニトリルが効果的であることが判明した。
数Ｋｌ＋とベントの弾性係数に３３の比に３３／／Ｋ１
１の小さいネマチック液晶が適していることが知られて
いるが、上記成分のに３３／Ｋ１１は、約１．０と小さ
い。またこのエステル化合物の誘電率は、分子長軸に直
角方向の成分（ε上）が平行成分（’ｔ１ ）より大き
いいわゆる誘電率の異方性Δεが負（Δε−ε）／−ε
１〈０）の液晶である。従って、Δεが正の組成物を得
るためには、Δεが正の成分液晶を添加しなければなら
ない。Δεが正の成分液晶として種々の化合物を検刺し
だ結果で表わされる４−（４−アルキルシクロヘキシル
）ベンゾニトリルが効果的であることが判明した。
以下、実験試料として
・・・・３３，３％
・・・・３３．３％
・・・・３３．３％
を混合して成る組成物に、それぞれ別個に４−（４−ア
ルキルシクロヘキシル）ベンゾニトリル７０％、４′〜
アルキｚ＋／−４−シアノビシクロヘキシル７０％、ｉ
ｋは４−シアノフエニ／Ｌ／４−アルキルシクロヘキザ
ン力ルポキシレート７０％ヲ添加して３種の組成物（そ
れぞれ組成物１，２．３と称す。）を構成した。それぞ
れの組成物１，２．３の閾値特性と応答特性を測定した
ところ第１表に示す結果を得た。これから明らかなよう
に、組成物１が両特性ともに優れている。
ルキルシクロヘキシル）ベンゾニトリル７０％、４′〜
アルキｚ＋／−４−シアノビシクロヘキシル７０％、ｉ
ｋは４−シアノフエニ／Ｌ／４−アルキルシクロヘキザ
ン力ルポキシレート７０％ヲ添加して３種の組成物（そ
れぞれ組成物１，２．３と称す。）を構成した。それぞ
れの組成物１，２．３の閾値特性と応答特性を測定した
ところ第１表に示す結果を得た。これから明らかなよう
に、組成物１が両特性ともに優れている。
第１表
次に、液晶組成物のネマチック温度範囲を拡大する目的
で高いネマチック−等方性転移温度を示す成分を検討し
た。その結果 で表わされる４−アルキル−４’ −（４−７／Ｌ’
：￥ルフェニル）ビンクロヘキシルが有効であることが
判明した。以−「、実験試料として Ｃ５Ｈ＋】ＣＯＯ＋ ＣＯＯ畳Ｒ・・・・・・・６７形
（Ｒ＝Ｃ３Ｈ７１ＣＦＩＨＩＩＩ Ｃ７Ｈ１５）Ｒ′→
）（かＣＮ３３形 （Ｒ’ ＝Ｃ５Ｈ７，Ｃ＋、Ｈｌｌ、 Ｃ７Ｈ１５）を
混合して成る組成物に別個に４−アルキル−４′−（４
−アルキルフェニル）ビシクロヘキシ／ｌ／３０％ｔだ
ｕ４−アルキル−４’−（４−アルギルシクロヘキシル
）ビフェニ／１／３０％を添加しり組成物（それぞれ組
成物４，５と称する）を調製した。
で高いネマチック−等方性転移温度を示す成分を検討し
た。その結果 で表わされる４−アルキル−４’ −（４−７／Ｌ’
：￥ルフェニル）ビンクロヘキシルが有効であることが
判明した。以−「、実験試料として Ｃ５Ｈ＋】ＣＯＯ＋ ＣＯＯ畳Ｒ・・・・・・・６７形
（Ｒ＝Ｃ３Ｈ７１ＣＦＩＨＩＩＩ Ｃ７Ｈ１５）Ｒ′→
）（かＣＮ３３形 （Ｒ’ ＝Ｃ５Ｈ７，Ｃ＋、Ｈｌｌ、 Ｃ７Ｈ１５）を
混合して成る組成物に別個に４−アルキル−４′−（４
−アルキルフェニル）ビシクロヘキシ／ｌ／３０％ｔだ
ｕ４−アルキル−４’−（４−アルギルシクロヘキシル
）ビフェニ／１／３０％を添加しり組成物（それぞれ組
成物４，５と称する）を調製した。
ところが、組成物４が室温でネマチック相を示すのに列
して組成物５は室温でスメクチック相を示した。寸だ組
成物４は本成分液晶も添加する前に比べて、清澄点が５
２°Ｃから７９℃に上昇しており実用上必要な液晶温度
範囲を有している。
して組成物５は室温でスメクチック相を示した。寸だ組
成物４は本成分液晶も添加する前に比べて、清澄点が５
２°Ｃから７９℃に上昇しており実用上必要な液晶温度
範囲を有している。
次に、応答特性をさらに高めるだめの成分を選定した。
応答時間τは液晶組成物の粘度ηおよび弾性定数にと次
の関係にある。
の関係にある。
τｆη／に
そこで粘度の低い化合物として、ジ（４−アルキルシク
ロへキシル）エタン、４−（４−アルキルシクロヘキシ
ル）−１−アルコキシベンゼンま＆ｕ４−（４−アルキ
ルシクロヘキシル）−１−アルキルベンゼンをそれぞれ
別個に１０重量％ずつ上記組成物４に添加して、組成を
調製した。得られた各組成物をそれぞれ、組成物６，７
．８と称する。これらの組成物６，７．８の特性を第２
表に示す。
ロへキシル）エタン、４−（４−アルキルシクロヘキシ
ル）−１−アルコキシベンゼンま＆ｕ４−（４−アルキ
ルシクロヘキシル）−１−アルキルベンゼンをそれぞれ
別個に１０重量％ずつ上記組成物４に添加して、組成を
調製した。得られた各組成物をそれぞれ、組成物６，７
．８と称する。これらの組成物６，７．８の特性を第２
表に示す。
第２表
組成物４のτｄが７７ｍ秒であるから、応答特性が明確
に改善されたのは、組成物６のみである。
に改善されたのは、組成物６のみである。
組成物７，８で改善が見られなかった理由は、これらの
添加成分が、粘度を下げるだけでなく、同時に弾性定数
をも低下させたためと考えられる。
添加成分が、粘度を下げるだけでなく、同時に弾性定数
をも低下させたためと考えられる。
以」二の結果に基いて構成した液晶組成物の実施例を以
下に示す。
下に示す。
実施例
４−ヘキサノイルオキシ安息香酸 ４−プロピルフェニ
ル・・・・・・１７％ ４−ヘキサノイルオキシ安息香酸 ４−ペンチルフェニ
ル・・・・ １４％ ４−ヘキサノイルオキシ安息香酸 ４−へブチルフェニ
ル・・・・・１１％ ４−（１−ランス−４−プロピルシクロヘキシ／Ｖ）ベ
ンゾニトリル ４−（）ランス−４−ペンチルシクロヘキシ）Ｖ）ベン
ゾニトリル・・山・７％ ４ − （ ＋ーランヌー４ーヘプチルシクロヘキシ／
Ｖ）ベンゾニトリル・・・・・・７％ ４−７’ロビルー４’−（４−メチルフェニルトランス
、トランス−ビシクロヘキシル・・・・１４％４−プロ
ピ／Ｌ／−４’−（４−エチルフェニルトランス、
ｌ−ランス−ビシクロヘキシル・・・・・１４Φシ（ト
ランス−４−プロビルシクロヘギシル）エタン・・・・
・・・・・９％ 酸物を予めシランカップリング剤処理とラビング法の併
用によるツイスト配向処理を行なっだＴＮ ′セル
に注入し、ＴＮセルの両面に偏光板をその偏光軸が基板
のラビング方向と直交するように配置し、印加電圧対光
透過率曲線を測定した。その結果を第３表に示す。
ル・・・・・・１７％ ４−ヘキサノイルオキシ安息香酸 ４−ペンチルフェニ
ル・・・・ １４％ ４−ヘキサノイルオキシ安息香酸 ４−へブチルフェニ
ル・・・・・１１％ ４−（１−ランス−４−プロピルシクロヘキシ／Ｖ）ベ
ンゾニトリル ４−（）ランス−４−ペンチルシクロヘキシ）Ｖ）ベン
ゾニトリル・・山・７％ ４ − （ ＋ーランヌー４ーヘプチルシクロヘキシ／
Ｖ）ベンゾニトリル・・・・・・７％ ４−７’ロビルー４’−（４−メチルフェニルトランス
、トランス−ビシクロヘキシル・・・・１４％４−プロ
ピ／Ｌ／−４’−（４−エチルフェニルトランス、
ｌ−ランス−ビシクロヘキシル・・・・・１４Φシ（ト
ランス−４−プロビルシクロヘギシル）エタン・・・・
・・・・・９％ 酸物を予めシランカップリング剤処理とラビング法の併
用によるツイスト配向処理を行なっだＴＮ ′セル
に注入し、ＴＮセルの両面に偏光板をその偏光軸が基板
のラビング方向と直交するように配置し、印加電圧対光
透過率曲線を測定した。その結果を第３表に示す。
比較の対象として、次の組成による従来の液晶組成物の
特性も合せて第３表に示す。
特性も合せて第３表に示す。
４−（トラン７、−４−クロビルシクロヘキシ）ｖ）ベ
ンゾニトリル・・・・・・１１．６％４−（ ）ランス
−４−ペンチルシクロヘキシ１ｖ）ベンゾニトリル・・
・・・・３０．５％４−ベンチ／ｌ／−４’−シアノビ
フェニル・・・・・・２１．１％４−（トランス−４−
ベンチ／ｌ／）−４’−シアノビフェニル・・・・・・
１１．０％ ４−ベンチ／Ｉ／−４７−ジアツターフエニル・・・１
０，３％トランメー４−ブチルシクロヘキシル安息香酸
トランス−４−プロピルシクロヘキシル第３表 第３表の結果から、本実施例の液晶組成物は従来のもの
と比較して光透過率対印加電圧の閾値特性がより急峻で
ありマルチプレックス駆動を行なった場合のコントラス
トが改善されている。また応答速度も大幅に向上してい
ることがわかる。
ンゾニトリル・・・・・・１１．６％４−（ ）ランス
−４−ペンチルシクロヘキシ１ｖ）ベンゾニトリル・・
・・・・３０．５％４−ベンチ／ｌ／−４’−シアノビ
フェニル・・・・・・２１．１％４−（トランス−４−
ベンチ／ｌ／）−４’−シアノビフェニル・・・・・・
１１．０％ ４−ベンチ／Ｉ／−４７−ジアツターフエニル・・・１
０，３％トランメー４−ブチルシクロヘキシル安息香酸
トランス−４−プロピルシクロヘキシル第３表 第３表の結果から、本実施例の液晶組成物は従来のもの
と比較して光透過率対印加電圧の閾値特性がより急峻で
ありマルチプレックス駆動を行なった場合のコントラス
トが改善されている。また応答速度も大幅に向上してい
ることがわかる。
〈発明の効果〉
以上の如く、本発明の液晶組成物は表示特性が非常に優
れているため、電子式卓上計算器や時計等の数値表示装
置のみならず、さらに複雑な表示形態の装置特にＸ−Ｙ
マトリックス方式の表示容量が大きい動画表示装置に使
用した場合にその有用性が顕著に表われる。
れているため、電子式卓上計算器や時計等の数値表示装
置のみならず、さらに複雑な表示形態の装置特にＸ−Ｙ
マトリックス方式の表示容量が大きい動画表示装置に使
用した場合にその有用性が顕著に表われる。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 第１類；Ｒ，ＣＯＯ＋Ｃ００（訓Ｒ２第２類；Ｒ３
（の−ＱＸｃＮ なる構造式で表わされる各類からそれぞれ少なくとも１
種を選択して構成したことを特徴とする液晶組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5707383A JPS59179688A (ja) | 1983-03-31 | 1983-03-31 | 液晶組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5707383A JPS59179688A (ja) | 1983-03-31 | 1983-03-31 | 液晶組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59179688A true JPS59179688A (ja) | 1984-10-12 |
| JPH0349957B2 JPH0349957B2 (ja) | 1991-07-31 |
Family
ID=13045276
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5707383A Granted JPS59179688A (ja) | 1983-03-31 | 1983-03-31 | 液晶組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59179688A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01156392A (ja) * | 1987-12-14 | 1989-06-19 | Chisso Corp | 液晶組成物 |
-
1983
- 1983-03-31 JP JP5707383A patent/JPS59179688A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01156392A (ja) * | 1987-12-14 | 1989-06-19 | Chisso Corp | 液晶組成物 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0349957B2 (ja) | 1991-07-31 |
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