JPS61233659A - アルケニル置換されたフエニルイソチオシアネート類及びベンゾニトリル類 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は新規なアルケニル−置換されたフェニルインチ
オシアネート類及びベンゾニトリル類並びにこれらの化
合物を含有する液晶混合物、電子−光学目的に刻する該
化合物及び混合物の用途に関する。

液晶は、かかる物質の光学的特性が電圧によって影響さ
れ得る場合、表示装置における誘電体として主に重要性
を有する。液晶をベースとする電子−光学装置は当業者
にとって既知のものであり、種々の効果、例えば動的散
乱（ｄｙｎａｍｉｃ　　ｓｃａｔｔｅｒｉｎｇ）、整列
した相の変形（ＤＡＰタイプ）、シャット−へル７リツ
ヒ効果（Ｓ　ｃｈａｄｔ−Ｈｅｌｆｒｉｃｈ　　ｅｆｆ
ｅｃｌ）（回転セル）、デストーホスト効果（ｇｕｅｓ
ｔ／　ｂｏｓｔｅｆｆｅｃｔ）（ゲスト／ホストセル）
またはコレステリツクーネマテイク（ｃｈｏｌｅｓｔｅ
ｒｉｃ−ｎｅｍａｔｉｃ）相転位（相変化セル）に基づ
くことができる。

しかしながら、電子−光学的表示装置に体する誘電体と
して適応させるために、液晶は多くの必要条件を満たさ
なければならない。例えば液晶は環境の影響例えば熱、
水分、空気並びに赤外、可視及び紫外領域における電磁
照射に関して良好な化学的安定性をもたねばならない。

更に液晶は無色であるべきであり、良好なコントラスト
を示すべきであり、そして液晶セルを操作する全体の温
度範囲でネマテイクまたはコレステリック中間相（ｍｅ
ｓｏｐｈａｓｅ　）を有するべきである。更に液晶は低
粘度及び短い応答時間を有するべきである。後者は液晶
をテンビジョン装置に用いる場合、特に重要である。更
に情報の高密度を有する表示器に対しては、高度の多重
性及び同時に急こう配の透過曲線を必要とする。更ｌこ
特性は用いるセルのタイプに応じて異なる条件を満たさ
れなければならない。例えば回転セルに用いる液晶は誘
電率の大きな正の異方性（△ε＝ε　−ε　〉０、ε１
１は分子１１土 の縦軸に沿う誘電率を表わし、そしてε□はこれに垂直
な誘電率を表わす）を有するべきであり、ゲスト／ホス
トセルに用いる液晶は誘電率の大きな正または負の異方
性を有するべきであ、る。更に、双方の場合に、低い閾
値電位（ｔ、ｌ＋ｒｅｓｈｏｌｄ　、ｐｏｔｅｎｔｉａ
ｌ）及びできるだけ低い伝導率が望ましい。

一般に所望のそして成る程度の相反する特性の全てを達
成することが不可能なために、数種の化合物することに
より、個々の用途に対する特性を最適ｌこする試みが主
になされている。しかしながら、高密度の情報に使用す
る場合、そして特にテレビジョン装置及び自動車におけ
る用途の場合の高度の必要条件を考慮して、特に応答時
間及び透過曲線の急こう配を更に改善し得る成分の必要
性がある。

一般式 のアルケル−置換された化合物及び特に一般式■ 式中、ｍは４〜７の整数を表わし、モしてｎは０または
正の整数を表わし；環Ａはトランス−１，４−シクロヘ
キシレンまたは２，５−二置換されたピリミジン環を表
わし；Ｚは単一共有結合または、環へがトランス−１，
４−シクロヘキシレンを表わす限り、またエチレン基−
ＣＨ２Ｃ１−１゜−を表わし：Ｘは水素または７ツ素を
表わし；そしてＲは基−ＮＣ５または−ＣＮを表わす、 のアルケニル−置換されたフェニルイソチオシアネート
類は所望の特性を有することが見出された。

本発明におけるフェニルインチオシアネートＭは殊に弾
性定数に、３（曲げ）及びＫ　ｚ（広げ）の好ましい比
を有し、電子−光学装置に用いた場合、急こう配の透過
曲線及び高度の多重性を示す。更に、本化合物は誘電率
の大きな正の異方性を有し、使用する操作電圧を低くす
ることができる。更に、本発明における化合物は低粘度
を有し、電子−光学装置に用いた場合、極めて短い開閉
時間を与える。本発明における化合物は無色で化学的に
安定であり、公知の液晶との良好な混和性を有する。

中間相範囲は電子−光学用途に好ましい温度範囲内にあ
り、殊に融点は一般に比較的低温である。

本発明におけるベンゾニトリルＭ（Ｒ＝　ＣＮ　）ｆ：
］：フェニルイソチオシアネートを製造する際の液晶中
間体であり、このもの自体がフェニルインチオシアネー
トに匹敵する特性を有している。

上記式ＩＡには次の一般式 ｄ　　　　　嶋　　　　　　Ｑ　　　　　　　　　℃　
　　　　　　鴫　　　　　　　　　ト喝　　　　　（（
ミ　　　　　　　福　　　　　　　　　（伽　　　　　
　　　　　　４ 嘔　　　　　　　　ミ 式中、Ｒ１は基Ｃｎ　Ｈｚｍ＋　−ｃ　Ｈ＝　ＣＨ−（
ＣＨ２）１１１−を表わし、そしてｍＡｖｎは上記の意
味を有する、 のイソチオシアネート類並びに基−ＮＣ８の代りに基−
ＣＮを有する式Ｉａ−Ｉｈに応答するベンゾニトリル類
が包含される。

上記の式ＩＡ及びＩａ−１ｈにおいて、Ｉは数４．５．
６及び７を表わし、そしてｎは数ｏ、ｉ、２．３．４．
５．６等を表わす、即ち、基ｃｌＩＨ２ｍ＋−ＣＨ＝　
ＣＨ−（ＣＨ２）□−またはＲ’は５−アルケニル、例
えば５−へキセニル、５−ヘプテニル、５−オ９テニル
、５−ノネニル、５−デセニル、５−ウンデセニル及び
５−ドデセニルを表わすが、６−アルケニル、例えば６
−へブテニル、６−オクテニル、６−ノネニル、６−デ
セニル、６−ウンデセニル及び６−ドデセニルを表わす
が、７−アルケニル、例えば７−オクテニル、７−ノネ
ニル、７−デセニル、７−ウンデセニル及び７−ドデセ
ニルを表わすが、または８−アルケニル、例えば８−ノ
ネニル、８−デセニル、８−ウンデセニル及び８−ドデ
セニルを表わす。アルケニル基はｎ＜０の場合、Ｅまた
は２−型で存在することができる、即ち、式ＩＡ、Ｉ及
びＩａ−１ｈには純粋な異性体のみならず、また異性体
の混合物が包含される。

存在し得る側面の（ｌａｔｅｒａｌ　）　７ツ素置換分
は好ましくは基−ＮＣ８または−ＣＮに対して〇−粒位
置ある。しかしながら、Ｘが水素を表わす化合物、即ち
、式１ａ、ＩｃＳ　ｒｅ及びＩｇの化合物並びに対応す
るベンゾニトリル類が特に好ましい。

上記式ＩＡ及びＩにおいて、Ｚは好ましくは単一共有結
合を表わす。項八は好ましくはトランス−１，４−シク
ロヘキシレンを表わす。

残基ＣｎＨ２ｍ＋には、水素に加えて（ｎ＝０の場合）
、直鎖状のみならず、また分枝鎖状アルキル基が包含さ
れる。水素及び直鎖状アルキル、即ち、式Ｈ−（ＣＨ２
）ｎ−の基が好ましい。

上記式）Ａ％　Ｉ及びＩａ〜ｌｈにおける好ましいアル
ケニル置換基は炭素原子最大１２個を有するものである
、即ち、和ｍ＋ｎは好ましくは最大１０である。

９一 式■の化合物は本発明に従って、一般式■ 式中、１％ｎ、Ｘ、Ｚ及び環Ａは上記の意味を有する、 の化合物をアミンの存在下においてチオホ・スゲンと、
または順次二硫化炭素及びクロロギ酸エステルと反応さ
せて製造することができる。

式■の化合物の反応はそれ自体公知の方法において行う
ことができる。好ましいアミン類はジアルキルアミン及
びトリアルキルアミン、特に「アルキル」が各々の場合
に炭素原子１〜７個を有する基を表わすものである。ト
リエチルアミンが特に好ましい。好ましいクロロギ酸エ
ステルはアルキル部分が炭素原子１〜７個を有するクロ
ロギ酸アルキル、例えばクロロギ酸メチル及びクロロギ
酸エチルである。この反応は有極性有機溶媒、例えばエ
ーテル、塩素化された炭化水素或いはニトリル、例えば
テトラヒドロ７ラン、ジオキサン、塩化メチレン、クロ
ロホルムまたはアセトニトリル中で有利に行われる。二
硫化炭素との反応において得られるジチオカルバミン酸
アンモニウムを必要に応じで単離し得るか、または更に
クロロギ酸エステルと直接反応させることができる。し
かしながら、直接所望のインチオシアネートを誘導する
チオホスデンとの反応が好ましい。本発明による方法に
おいて温度及び圧力は臨界的ではない。

しかしながら、反応を好ましくは大気圧及び約０°〜４
０℃の温度で行う。

式■の化合物は新規なものである。これらのものは例え
ば次の反応式１に従って対応するベンゾニトリルから製
造することができる；式中、ｕｓ　ｎ５Ｘ１Ｚ及び環Ａ
は上記の意味を有する：タ　　　　　　　　ｑ　　　　
　　　　　　　　　ｍ＋ 鱗 喚 吠 １３一 式■の化合物は新規なものであり、また本発明の一目的
である。またこれらのものは液晶特性、好ましい弾性定
数、誘電率の天外な正の異方性及び低粘度を有し、そし
て電子−光学装置に用いた場合、低い閾値電位、急こう
配の透過曲線及び短い応答時間を容易にする。これらの
化合物は相互の混合物及び／＊たは他の液晶成分、特ｌ
も式Ｉの化合物及び／または下記式ｘｘ−ｘｘ■の化合
物との混合物の形態で用いることができる。

式■の化合物は例えば次の反応式２〜４に基づいて製造
することかで外、式中、Ｔｓはｐ−）シルを表わし、Ｚ
は単一共有結合またはエチレン基−ＣＨ２ＣＨ２−を表
わし、そして舶、ｎ及びＸは上記の意味を有する： ！＋２！　　　　　　　　　　　　　岡　　　　　Ｘ≧
　　　　　　　　　　　　　　　　４ｘ　　　　　　　
　　　　　　　　１ ば 目≧〉シ ≧ １　　　　　！！！ ト … θ 喚 り 上記の反応式２〜４に用いる出発物質は公知の化合物で
あるか、ま、たは公知の化合物の同族体であり、公知の
方法に従って製造することができる。

式Ｘ■及びＸ■の化合物は例えば対応するニトリルから
、メタノール中の塩化水素酸との反応、次にアンモニア
による処理によって得ることができる。

式ＩＡの化合物を相互の混合物及び／または普通の液晶
成分との混合物の形態で用（・ることができる、即ち、
本発明における混合物は少なくとも２種の成分を含み、
少な（とも１成分は式ＩＡの化合物、好ましくは式Ｉの
化合物である。

式ＩＡの化合物の好ましい特性及び他の液晶成分とのそ
の良好な混和性を考慮して、本発明における混合物中の
式ＩＡの化合物の量は広い範囲に変えることができる。

本発明における混合物は好ましくは式ＩＡまたはＩの化
合物約１〜６０重量％、殊に約５〜４０重量％を含有す
る。

１種またはそれ以上の式ＩＡまたはＩの化合物との混合
物に使用し得る好ましい化合物は次の−ｔ＋　　　　　
　　ｅ＝１　　　　　　５１　　　　　　　　　　Ｘ＞
　　　　　＞　　　　　＞　　　　　　　　Ｘ式中、環
Ｂは１，４−フェニレンまたは２，５−二置換されたピ
リミジン環を表わし；Ｒ２は直鎖状アルキルまたは３Ｅ
−アルケニルヲ表ワし；Ｒ３は直鎖状アルキル、ＩＥ−
アルケニルまたは３Ｅ−アルケニルを表わし；Ｒ４はシ
アノ、−ＮＣ８または直鎖状アルキル、もしくはアルコ
キシを表わし；Ｒ５及びＲ６は直鎖状アルキルを表わし
；Ｒ７はシアノまたは直鎖状アルコキシを表わしＳＲ”
はシアノまたは直鎖状アルキルを表わし、ｐは０または
１を表わし；そして残基Ｒ２〜Ｒ８は各々の場合に炭素
原子最大１２個、好ましくは最大７個を有する。

また本発明における混合物には適当な光学的活性化合物
、例えば光学的活性ビフェニル類及び／または二色性着
色物質、例えばアゾ、アゾキシまたはアントラキノン着
色物質を含ませることができる。かがる化合物の量は溶
解度及び所望の色調（ｐｉｔｃｈ）、色、吸光等によっ
て決定される。好ましくは光学的活性化合物の量は最大
約４重量％であり、そして二色性着色物質の量は最大約
１０重量％である。

本発明における液晶混合物の製造はそれ自体公知の方法
において、例えば各成分の混合物をわずかに透明点以上
の温度に加熱し、次に該混合物を冷却することによって
行うことができる。

また誘電体として本発明における混合物を含む電子−光
学装置の製造はそれ自体公知の方法において、例えば適
当なセルを空にし、そしてこの空にしたセル中に該混合
物を導入することによって行うことができる。

式ＩＡの化合物の製造を以下の実施例によって更に説明
する。実施例中、Ｃは液晶相を表わし、Ｓはスメクテイ
ク（ｓｍａｃｔｉｃ）相を表わし、Ｎはネマテイク相を
表わし、そして工はイソトロピック（ｉｓｏｔｒｏｐｉ
ｃ）相を表わす。

実施例１ ａ）　　）ランス−４−（ｐ−シア／フェニル）シクロ
ヘキサンカルボキシアルデヒド６０ｇを０．Ｉ　Ｎメタ
ノール性水酸化カリウム溶液５００ａｌｌ！に溶解し、
この溶液を０℃で１時間以内に水素化ホウ素ナトリウム
３．１ｇで一部づつ処理した。その後、反応混合物を本
釣２００ｍｆで希釈し、水浴中にて注意して２５％塩酸
約４０ＬＩＩＩ！でｐＨ値２〜３に調節した。この混合
物を塩化メチレンで抽出し、有機相を硫酸マグネシウム
上で乾燥し、そして濃縮した。酢酸エチル２５０ｍ１及
び石油エーテル２５０＋ｎｊ！の混合物から結晶させ、
融点１０８°Ｃを有する無色の結晶としてトランス−４
−（ｐ−シアノフェニル）ヒドロキシメチルシクロヘキ
サン（純度９９．６％）４５．７５ｇを得た。

ｂ）　ピリジン６０艶！中のトランス−４−（ｐ−シア
ノフェニル）ヒドロキシメチルシクロヘキサン１５ｇの
溶液を０℃にてｐ−）ジルクロライド２２．で処理し、
次に室温で１９時間攪攪拌た。その後、反応混合物を氷
水に注ぎ、２５％塩酸でｐＨＨＩ３調節し、塩化メチレ
ンで抽出した。有機相を飽和炭酸水素ナトリウム溶液で
１回、そして水で２回洗浄し、次に硫酸マグネシウム上
で乾燥した。

溶媒を蒸発させた後、白色の結晶性残渣として粗製のト
ランス−４−（ｐ−シアノフェニル）−ｐ−）シルオキ
シメチルシクロヘキサン２５．５８ｇが得られ、このも
のを更に精製せずに次の工程に用いた。

Ｃ）粗製のトランス−４−（ｐ−シアノフェニル）−ｐ
−トシルオキシメチルシクロヘキサン１３．４ｇをアセ
トン２００ｍｆに溶解し、この溶液をヨウ化ナトリウム
８．１５ｇで処理した。この混合物を３０分間還流下で
沸騰させ、次に濃縮し、残渣を水及びジエチルエーテル
間に分配させた。有機相を硫酸マグネシウム上で乾燥し
、そして溶媒を蒸発させた後、帯黄色結晶１２．５ｇが
得られた。シリカゲル上で酢酸エチル／石油エーテル（
容量比１：４）によってクロマトグラフ分離し、次にメ
タノール１４０ｍｊ！から結晶させ、融点１２７℃の無
色の結晶としてトランス−４−（ｐ−シアノフェニル）
−ヨードメチルシクロヘキサン３．７ｇを得た。

ｄ）乾燥ヨウ化銅（Ｉ）７０５ＬＩ１ｇ及びテトラヒド
ロフラン７＋ａｌの混合物をはげしく攪拌しながら一７
８℃でヘキサン中のメチルリチウムの１．５Ｍ溶液２．
５ｍｆで滴下処理し、次に徐々に０°Ｃに加温した。次
に混合物を再び一７８℃に冷却し、注射器を用いて、４
−ペンテニルマグネシウムブロマイド溶液（テトラヒド
ロフラン２ｖｌ中のマグネシウム９０１１１ｇ及び５−
ブロモ−１−ペンテン０．４４ｍＡから製造したもの）
で滴下処理した。反応混合物を、赤−紫色の懸濁液を生
じるまで、徐々に加温し、次に５℃に２０分間保持した
。その後、反応混合物を一７８℃に再冷却し、テトラ６
ヒドロ７ラン５ｍｌ中のトランス−４−（ｐ−シアノフ
ェニル）−ヨードメチルシクロヘキサン６００ｍｇの溶
液で滴下処理し、次に徐々に室温に加温した。反応混合
物を室温で更に３０分間攪拌し、次に飽和塩化アンモニ
ツム溶液で処理し、ジメチルエーテルで抽出した。有機
相を硫酸マグネシウム上で乾燥し、そして濃縮した。シ
リカゲル上で酢酸エチル／石油エーテル（容量比５：９
５）を用いてクロマトグラフ分離し、メタノールから２
回再結晶させ、融点（Ｃ−Ｎ）４５．５℃及び透明点（
Ｎ−Ｉ　）５２．５℃の無色の結晶としてｐ−［トラン
ス−４−（５−ヘキセニル）シクロヘキシル］ベンゾニ
トリル（純度９９．７５％）１６５ｍｇを得た。

同様の方法において、次の化合物を製造することができ
た： ｐ−［）ランス−４−（６−へブテニル）シクロヘキシ
ル１ベンゾニトリル；融点（Ｃ−Ｎ）１９．２℃、透明
点（Ｎ−１）３２．３℃、 ｐ−［）ランス−４−（７−オクテニル）シクロヘキシ
ル１ベンゾニトリル；融点（Ｃ−Ｎ）３８．０℃、透明
点（Ｎ−Ｉ）５３．２℃、 ｐ−［）ランス−４−（８−ノネニル）シクロヘキシル
１ベンゾニトリル、 ｐ−［トランス−４−（５Ｅ−または５７−へブテニル
）シクロヘキシル］ベンゾニトリル、 ｐ−［トランス−４−（５Ｅ−または５Ｚ−オクテニル
）シクロヘキシル］ベンゾニトリル、 ｐ−［トランス−４−（６Ｅ−または６Ｚ−オクテニル
）シクロヘキシル］ベンゾニトリル、 ｏ−フルオロ−ｐ−［トランス−４−（５−へキセニル
）シクロヘキシル］ベンゾニトリル、 ｏ−フルオロ−ｐ−［トランス−４−（６−へブテニル
）シクロヘキシル］ベンゾニトリル、 ｐ−［２−（）ランス−４−（５−へキセニル）シクロ
ヘキシル）エチル１ベンゾニトリル、 ｐ−［２−（）ランス−４−（６−へブテニル）シクロ
ヘキシル）エチル１ベンゾニトリル、 ｐ−［１（）ランス−４−（７−オクテニル）シクロヘ
キシル）エチル］ベンゾニトリル、 ｐ−［２−（）ランス−４−（５Ｅ−または５Ｚ−ヘプ
テニル）シクロヘキシル）エチル］ベンゾニトリル、０
−フルオロ−ｐ−［２−（）ランス−４−（５−へキセ
ニル）シクロヘキシル）エチル１ベンゾニトリル。

実施例２ ａ）磁気攪拌機及び還流冷却器を備えた丸底フラスコ中
で、ジエチレングリコール２００ωβ中ノｐ−［）ラン
ス−４−（５−へキセニル）シクロヘキシル］ベンゾニ
トリル２．６１ｇ及び水酸化カリウム２０ｇの混合物を
アルゴン通気しながら１８０℃で１時間沸騰させた。冷
却後、褐色の反応混合物を３６％塩酸３５＋ｎ／で酸性
にし、塩化メチレン１００ｍ＋２及び水１００ｍｆ！間
に分配させた。水相を塩化メチレン各１００ｍβで３回
逆抽出した。

有機相を水各１００ｍｊ！で２回洗浄し、硫酸マグネシ
ウム及び活性炭上で乾燥した。溶媒を回転蒸発機で分離
した後、帯揚色の全く純粋でない結晶トＬテｐ−［）ラ
ンス−４−（５−へキセニル）シクロヘキシル］安息香
酸２．９３ｇ（１０４％）が得られた；Ｒｆ値０．３８
（酢酸エチル／石油エーテル容量比３ニア）。

ｂ）アセトン５０田！及び水７ｍｌ中のｐ−［）ランス
−４−（５−へキセニル）シクロヘキシル］ｌ、！酸２
．８ｇの懸濁液を０℃に冷却し、アセトン１５ｖａＩ！
中のトリエチルアミン２．７３＋＋＋ｊ！の溶液で徐々
に処理し、これによって透明な溶液を生じた。

次にこの混合物をアセトン１０＋ｏＡ中のクロロギ酸エ
チル２．３３ｍβの溶液で滴下処理し、これによって白
色の綿状沈殿物が分離した。混合物をＯｏＣで更に３０
分間攪件し、次に水１ｍ１ｌ中のナトリウム１．７４ｇ
の溶液で滴下処理し、０°Ｃで更に１時間攪件した。そ
の後、反応混合物を塩化メチレン１５０＋ｎｊｉ！及び
水１５０ａ＋ｆ間に分配させた。

水相をジエチルエーテル各１５０ｍｆｆ１で３回逆抽出
した。有機相を水各１００ｍｊ＋で２回洗浄し、硫酸マ
グネシウム上で乾燥した。溶媒を回転蒸発機で分離した
後、固体の結晶性の塊としてｐ−［トランス−４−（５
−へキセニル）シクロヘキシル］安息香酸アジド３．１
ｇ（１００％）が得られ、このものを粗製の状態で更に
処理した；Ｒｆ値０．６；３（酢酸エチル／石油エーテ
ル容量比１：９）。　　・Ｃ）オＩＬ製のｐ−［トラン
ス−４−（５−へキセニル）シクロヘキシル］安息香酸
アジド３．１ｇ及びプロパツール１００ｍ１の混合物を
アルゴン通気しながら還流下で１時間沸Ｉｌ！させ、そ
の後、蒸発させた。

かくして、淡褐色固体の塊としてｐ−［）ランス−４−
（５−へキセニル）シクロヘキシル］フェニルカルバミ
ン酸プロピル３．３３ｇ（９７％）が得られ、このもの
を粗製の状態で更に処理した；Ｒｆ値０．３９（酢酸エ
チル／石油エーテル容量比１：９）。

ｄ）オ■製のｐ−［トランス−４−（５−へキセニル）
シクロヘキシル］フェニルカルバミン酸プロピル３゜３
３ｇ及びンエチレングリコール／水（容量比４：１）中
の水酸化カリウム１０％溶液１５０■βの混合物を１２
０℃で２時間沸騰させ、次に室温に冷却器、塩化メチレ
ン１５０ｍｆ及び水１５０ｍβ間に分配させた。水相を
塩化メチレン各１５Ｏｍ／で２回逆抽出した。有機相を
水各１００ｍｊ！で２回洗浄し、硫酸マグネシウム上で
乾燥し、そして濃縮した。シリカゲル７０ｇ上で、酢酸
エチル／石油エーテルを用いて褐色結晶性残渣（３ｇ）
を低圧クロマトグラフィー（０，５バール）にかけ、淡
い帯黄色の結晶としてｐ−［トランス−４−（５−へキ
セニル）シクロヘキシルコアニリン（純度９８．１％）
２．１８ｇ（８８％）を得た；Ｒｆ値０．２０（酢酸エ
チル／石油エーテル容量比１：５）。

ｅ）　　クロロホルム１５ｗ１中のトリエチルアミン２
．３６＋ｏＡの溶液を一１０°Ｃでクロロホルム２０ｖ
ａｌ中のｐ−［トランス−４−（５−へキセニル）シク
ロへキシル］アニリン２．１８ｇの溶液で滴下処理した
。５分後、この混合物をクロロホルム１０ｍ！中のチオ
ホスデン６９０μβの溶液で処理し、室温に加温し、そ
して２時間攪拌した。その後、反応混合物を水及びクロ
ロホルム間に分配させた。

有機相を硫酸マグネシウム」二で乾燥し、そして濃縮し
た。酢酸エチル／石油エーテル（容量比５：９５）を用
いて、シリカゲル１４０ｇ上でクロマトグラフ分離し、
次にメタノール８０Ｉｔｌｊ！から結晶化させ、そして
低温濾過し、融点（Ｃ−Ｎ）１５．２℃及び透明点（Ｎ
−Ｉ）４６．１°Ｃの乳白色の液体としてｐ−［）ラン
ス−４−（５−へキセニル）シクロヘキシル］フェニル
インチオシアネート（純度１００％）１．２４ｇを得た
。

２２℃でｐ−Ｆトランス−４−（５−へキセニル）シク
ロヘキシル］フェニルイソチオシアネートは、電極間隔
８μ「ｎを有する回転セルにおいで、１２．１ｃＰのか
さ粘度η、０，１．８０の光学的異方性及び２６ｍ５の
スイッチング時間ｔ　　を有していた。

ｆｆ 従って、このものは対応するヘキシル誘導体よりも低粘
度であり、実質的に短いスイッチング時間を可ｆｆｆｌ
にする。ｐ−（）ランス−４−へキシルシクロヘキシル
）フェニルインチオシアネートに対する対応する値は次
の通りであった：η＝１６．ＯｃＰ。

Δ・−０・１５３．　ｔ　ｏｆｆ＝４１ｍｓ。

同様の方法において、次の化合物を製造することができ
た： ｐ−［）ランス−４−（６−へブテニル）シクロヘキシ
ル］フェニルインチオシアネート；融点（Ｃ−Ｎ　）１
　。

６℃、透明点（Ｎ＝　Ｉ　）１９．０℃、ｐ−［）ラン
ス−４−（７−オクテニル）シクロヘキシル１フ工ニル
インチオシアネート；融点（Ｃ−Ｎ）２４．６℃、透明
点（Ｎ−Ｉ）４５．４℃、ｐ−［）ランス−４−（８−
ノネニル）シクロヘキシル１フ工ニルインチオシアネー
ト、 ｐ−［トランス−４−（５Ｅ−または５Ｚ−へブテニル
）シクロヘキシル］フェニルインチオシアネート、ｐ−
［トランス−４−（５Ｅ−または５Ｚ−オクテニル）シ
クロヘキシル］フェニルインチオシアネート、ｐ−［ト
ランス−４−（６Ｅ−または６Ｚ−オクテニル）シクロ
ヘキシル］フェニルインチオシアネート、ｏ−フルオロ
−ｐづトランス−４−（５−へキセニル）シクロヘキシ
ル１フ工ニルインチオシアネート、ｏ−フルオロ−ｐ−
［トランス−４−（６−へブテニル）シクロヘキシル］
フェニルイソチオシアネート、３Ｏ− ｐ−［２−（トランス−４−（５−ヘキセニル）シクロ
ヘキシル）エチル］フェニルイソチオシアネート、ｐ−
［２１）ランス−４−（６−へブテニル）シクロヘキシ
ル）エチル］フェニルイソチオシアネート、ｐ−［２−
（）ランス−４−（７−オクテニル）シクロヘキシル）
エチル］フェニルインチオシアネ７ト、ｐ−［２−（）
ランス−４−（５Ｅ−または５Ｚ−、ヘプテニル）シク
ロヘキシル）エチル］フェニルイソチオシアネート、 ｐ−フルオロ−ｐ−［２−（）ランス−４−（５−ヘキ
セニル）シクロヘキシル）エチル］フェニルインチオシ
アネート、 ｐ−［５−（５−へキセニル）−２−ピリミジニル］フ
ェニルインチオシアネート、 ｐ−［５１５−へブテニル）−２−ビリミノニル］フェ
ニルイソチオシアネート、 ｐ−［５−（７−オクテニル）−２−ビリミノニル］フ
ェニルインチオシアネート、 ｐ−［５−（８−ノネニル）−２−ピリミジニル］フェ
ニルインチオシアネート、 ３ｌ− ｐ−［５−（５Ｅ−または５Ｚ−へブテニル）−２−ピ
リミジニル１フエニルインチオシアネ−１・、ｐ−［５
−（５Ｅ−または５Ｚ−オクテニル）−２−ピリミジニ
ル１フエニルイソチオシアネート、ｐ−フルオロ−ｐ−
［５−（５−へキセニル）−２−ピリミジニル］フェニ
ルインチオシアネート。

実施例３ ａ）　ジエチルエーテル６０ｍｆ中のメトキシメチル−
トリフェニルホスホニウムクロライド２２゜３ｇの懸濁
液を攪拌しながらカリウムｔ−ブチシー）　７，６２１
？で処理した。４５分後、混合物をジエチルエーテル３
０ｗ１中の６−へブチナール３．１６ｇの溶液で処理し
た。室温で２時間後、混合物を氷水に注いだ。有機相を
分離し、水で洗浄し、乾燥し、得られた粗製の１．７−
オクタシエニルメチルエーテルを蒸留した。

ｂ）蒸留したクロロギ酸メチル５０＋ｏｊ！中の三７ツ
化ホウ素ニーテレ−）　１．３１１！の溶液を水浴で冷
却しなから１，７−オクタジニニルメチルエーテル２．
５８ｇで滴下処理した。反応混合物を室温で−夜攪拌し
、次にトルエン１００ｍｆで希釈し、炭酸水素ナトリウ
ム溶液及び水で洗浄し、そして乾燥した。溶媒を蒸発さ
せた後、粗製の（５−へキセニル）マロン−テトラアセ
タールが得られた。

Ｃ）　　粗製の（５−へキセニル）マロン−テトラアセ
タール３，７７ｇ、水０．３５ｍ／及びｐ−トルエンス
ルホン酸１５（１の混合物を攪拌しながら８０〜８５℃
に３時間加熱した。冷却後、混合物を炭酸水素ナトリウ
ム１６０Ｂで処理し、そして１．５時間攪拌した。次に
反応混合物をジエチルエーテルで希釈し、冷３Ｎ水酸化
ナトリウム溶液で３回抽出し、水で洗浄し、そして乾燥
した。溶媒の蒸発後に得られた粗製の３−メトキシ−２
−（５−へキセニル）アクロレインを更に精製せずに続
いて処理した。

ｄ）　メタノール１７．５ｍ４２中のナトリウム４８０
ｍｇの溶液を３−メトキシ−２−（５−へキセニル）ア
クロレイン１．１８ｇ及び４−アミジ／ベンズアミド塩
酸塩１．６２ｇで処理し、この混合物を窒素下にて５０
℃で一夜攪拌した。冷却後、この懸濁液を３Ｎ塩酸５，
５ａ＋ｊ！で処理し、濾過し、残渣を水で洗浄し、そし
て乾燥した。得られた粗製のｐ４５−（５−ヘキセニル
）−２−ピリミジニル１ベンズアミドを更に精製せずに
続いて処理した。

ｅ）　ピリジン１５ｍｆ中の粗製のｐ−［５−（５−へ
キセニル）−２−ピリミジニル］ベンズアミド１．３７
ｇの懸濁液をベンゼンスルホニルクロライド０゜９５１
１１１で処理し、この混合物を５５℃に６時間加熱した
。次に反応混合物を冷希釈塩酸中に注ぎ、塩化メチレン
で抽出した。有機相を順＊塩酸、炭酸水素ナトリウム溶
液及び水で洗浄し、そして乾燥した。溶媒の蒸発後、粗
製のｐ４５−（５−ヘキセニル）−２−ピリミジニル１
ベンゾニトリルをシリカゾル上でトルエン／アセトンを
用いてクロマトグラフィーによって精製し、そして再結
晶させた。

必要に応じて、ｐ−［５−（５−へキセニル）−２−ピ
リミジニル］ベンズアミドを実施例２ａと同様の方法に
おいて直接加水分解し、ｐ−［５−（５−へキセニル）
−２−ピリミジニル］安息香酸な生成させることができ
た。

同様の方法において、次の化合物を製造することができ
た： ｐ−［５−（６−へブテニル）−２−ピリミジニル１ベ
ンゾニトリル、 ｐ−［５−（７−オクテニル）−２−ピリミジニル］ベ
ンゾニトリル、 ｐ−［５−（８−／ネニル）−２−ビリミノニル１ベン
ゾニトリル、 ｐ−（５−（５Ｅ−または５Ｚ−へブテニル）−２−ピ
リミジニル１ベンゾニトリル、 ｐ−［５−（５Ｅ−または５Ｚ−オクテニル）−２−ピ
リミジニル］ベンゾニトリル、 ｏ−フルオロ−ｐ−［５−（５−へキセニル）−２−ピ
リミジニル１ベンゾニトリル。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ I Ａ 式中、ｍは４〜７の整数を表わし、そしてｎは０または
   正の整数を表わし；環Ａはトランス−１，４−シクロヘ
   キシレンまたは２，５−二置換されたピリミジン環を表
   わし；Ｚは単一共有結合または、環Ａがトランス−１，
   ４−シクロヘキシレンを表わす限り、またエチレン基−
   ＣＨ＿２ＣＨ＿２−を表わし；Ｘは水素またはフッ素を
   表わし；そしてＲは基−ＮＣＳまたは −ＣＮを表わす、 の化合物。 ２、Ｒが基−ＮＣＳを表わす特許請求の範囲第１項記載
   の化合物。 ３、Ｚが単−共有結合を表わす特許請求の範囲第１項ま
   たは第２項記載の化合物。 ４、環Ａがトランス−１，４−シクロヘキシレンを表わ
   す特許請求の範囲第１〜３項のいずれかに記載の化合物
   。 ５、一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ I ａ 式中、Ｒ＾１はＣ＿ｎＨ＿２＿ｎ＿＋＿１−ＣＨ＝ＣＨ
   −（ＣＨ＿２）＿ｍ−を表わし、そしてｍ及びｎは特許
   請求の範囲第１項記載の意味を有する、 を有する特許請求の範囲第１〜４項のいずれかに記載の
   化合物。 ６、和ｍ＋ｎが最大１０である特許請求の範囲第１〜５
   項のいずれかに記載の化合物。 ７、残基Ｃ＿ｎＨ＿２＿ｎ＿＋＿１が水素または直鎖状
   アルキルを表わす特許請求の範囲第１〜６項のいずれか
   に記載の化合物。 ８、ｍが数４を表わす特許請求の範囲第１〜７項のいず
   れかに記載の化合物。 ９、少なくとも１成分が特許請求の範囲第１項に定義し
   た式 I Ａの化合物である少なくとも２成分を有する液
   晶混合物。 １０、電子−光学目的のために特許請求の範囲第１項に
   定義した式 I Ａの化合物の使用。