JPS60222458A - p−置換フエニルイソチオシアネ−ト類 - Google Patents
p−置換フエニルイソチオシアネ−ト類Info
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- JPS60222458A JPS60222458A JP7733484A JP7733484A JPS60222458A JP S60222458 A JPS60222458 A JP S60222458A JP 7733484 A JP7733484 A JP 7733484A JP 7733484 A JP7733484 A JP 7733484A JP S60222458 A JPS60222458 A JP S60222458A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は液晶組成物の一成分として有用な新規な液晶化
合物およびそれを含有する液晶組成物に関する。
合物およびそれを含有する液晶組成物に関する。
液晶表示素子は液晶物質が持つ光学異方性および誘砥異
方性を利用したものであり、その表示様式によってTN
型(ねじれネマチック型)、Ds型(動的散乱型)、ゲ
スト・ホスト壓、DAP型など各種の方式に分けられ、
それぞれの使用に適する液晶物質の性質は異なる。いず
れの液晶物質も水分、空気、熱、光等に安定であること
が必要である事は共通しており、室温を中心として出来
るだ吋広い温度範囲で液晶相を−示すものがめられてい
る。
方性を利用したものであり、その表示様式によってTN
型(ねじれネマチック型)、Ds型(動的散乱型)、ゲ
スト・ホスト壓、DAP型など各種の方式に分けられ、
それぞれの使用に適する液晶物質の性質は異なる。いず
れの液晶物質も水分、空気、熱、光等に安定であること
が必要である事は共通しており、室温を中心として出来
るだ吋広い温度範囲で液晶相を−示すものがめられてい
る。
しかしながら、現在のところ、単一化合物では液晶温度
範囲、動作電圧、応答性能等の緒特性に優れ、実用にで
きるものはないので、実際には数種の液晶化合物や非液
晶化合物を混合して得られる液晶組成物が使用されてい
る。
範囲、動作電圧、応答性能等の緒特性に優れ、実用にで
きるものはないので、実際には数種の液晶化合物や非液
晶化合物を混合して得られる液晶組成物が使用されてい
る。
すなわち、表示素子に使用される液晶組成物には、前述
した液晶相が実用の温度を含む広い温度範囲で存在する
ことのほかに、粘度が小さいこと、動作のしきい電圧が
低く小電力で駆動できること、動作の応答速度が大きい
ことなどが一般に要求される。
した液晶相が実用の温度を含む広い温度範囲で存在する
ことのほかに、粘度が小さいこと、動作のしきい電圧が
低く小電力で駆動できること、動作の応答速度が大きい
ことなどが一般に要求される。
本発明の目的は、液晶物質に添加してその液晶組成物の
要求されているかかる特性を改善できる新規な液晶化合
物を提供することにある。
要求されているかかる特性を改善できる新規な液晶化合
物を提供することにある。
即ち本発明の第1は一般式
R→に二二X匹セツニX≦巨巨E)N=C=8(夏)(
上式に於てRは炭素数1〜10のアルキル基を示し、会
は−()−(1,4−)ランス−シクロヘキシレン基)
又は+(1,4−7−1−二しン基を示す)で表わされ
るp−置換フェニルインチオシアネート類及び少くとも
その1種を1成分として含有する液晶組成物である。
上式に於てRは炭素数1〜10のアルキル基を示し、会
は−()−(1,4−)ランス−シクロヘキシレン基)
又は+(1,4−7−1−二しン基を示す)で表わされ
るp−置換フェニルインチオシアネート類及び少くとも
その1種を1成分として含有する液晶組成物である。
本発明の(1)式の化合物は広い温度範囲にわたって液
晶性を示し、又、インチオシアナート基(−N=C=8
基)を有するために正の誘電異方性を示し、比較的長大
な分子構造を有する割合に、対応するシアノ化合物((
り式の化合物の−N−C=S基の代りに一〇N基を有す
る化合物)に比べて、それらを成分とする液晶組成物の
粘度を上昇させることが少ないという優れた特徴を有す
る。(1)式の化合物が低粘度であるということは、先
に本発明者らが発明して出願した(特願昭59−585
号)次式(II)の化合物と共通した特性である。
晶性を示し、又、インチオシアナート基(−N=C=8
基)を有するために正の誘電異方性を示し、比較的長大
な分子構造を有する割合に、対応するシアノ化合物((
り式の化合物の−N−C=S基の代りに一〇N基を有す
る化合物)に比べて、それらを成分とする液晶組成物の
粘度を上昇させることが少ないという優れた特徴を有す
る。(1)式の化合物が低粘度であるということは、先
に本発明者らが発明して出願した(特願昭59−585
号)次式(II)の化合物と共通した特性である。
8つ(防N=C−8(1)
(1)式の化合物は更に具体的には次の(IA)?(I
B)の2つの化合物群に分けられる。
B)の2つの化合物群に分けられる。
ueN=c=s (IA)
即ちp−(4−)7ンスー(4’ −) ?ンスーアル
キルシクロヘキシル)シクロヘキシル〕フェニルインチ
オシアネート類、及び R()D(叉N=C=、8 (IB) 即ちp −(4−(,4’−) 9ンスーアルキルシク
ロヘキシル)フェニル〕フェニルインチオシアネート類
。
キルシクロヘキシル)シクロヘキシル〕フェニルインチ
オシアネート類、及び R()D(叉N=C=、8 (IB) 即ちp −(4−(,4’−) 9ンスーアルキルシク
ロヘキシル)フェニル〕フェニルインチオシアネート類
。
(IA)式に於てRがC3H7のもの及び(IB)式に
於てRがcsHt□のものの物性値を対応するシアノ化
合物(III A)及び(IIB)のそれと比較して下
表に示す。
於てRがcsHt□のものの物性値を対応するシアノ化
合物(III A)及び(IIB)のそれと比較して下
表に示す。
第1表
*1)C−結晶相、9xスメクチツク相。
N=ネマチック相、I=等方相(透明相)CIA)式と
(IIA)式の化合物を比較した場合両化合物の融点及
び液晶温度範囲はほぼ同一であるが、(IA)式の化合
物はスメクチック相は示さずネマチック相のみを示すと
いう違いがある。
(IIA)式の化合物を比較した場合両化合物の融点及
び液晶温度範囲はほぼ同一であるが、(IA)式の化合
物はスメクチック相は示さずネマチック相のみを示すと
いう違いがある。
又、(IB)式と(IB)式の化合物を比較した場合#
′1(IB)式の化合物の融点及び透明点(N−IA)
の方が約20℃高−0 更に本発明の(1)式の化合物の室温付近での訪電異方
性値ΔCの外挿値は約14〜20であり、これは対応す
るシアノ化合物のそれとほぼ同一でβる。
′1(IB)式の化合物の融点及び透明点(N−IA)
の方が約20℃高−0 更に本発明の(1)式の化合物の室温付近での訪電異方
性値ΔCの外挿値は約14〜20であり、これは対応す
るシアノ化合物のそれとほぼ同一でβる。
本発明の(1)式の化合物は他の既知の液晶化合物との
相溶性がすぐれ、例えば安息香酸フェ二k ! スフ−
k 系、シクロヘキサンカルボン#fi、7エ二ルエス
テル系、シクロヘキサンカルボン酸シクロヘキシルエス
テル系、シクロヘキシルベンゾニトリル系、シクロヘキ
シルフェニル系、ビフェニル系、フェニル−m−ジオキ
サン系、フェニルピリミジン系、シッフ塩基系、アゾキ
ク系などの各液晶化合物及び本出願が先に出願中のシク
ロヘキサンカルボン酸4−インチオシアナートフェニル
エステル系液晶化合物(特願昭58−248,934号
)、4−(トランス−4−アル中ルシクロヘキシル)フ
ェニルインチオシアナート系液晶化合物(特願59−5
85号)などのいずれか一種又は数種の混合物と混合し
て新規な液晶組成物を得ることができる。
相溶性がすぐれ、例えば安息香酸フェ二k ! スフ−
k 系、シクロヘキサンカルボン#fi、7エ二ルエス
テル系、シクロヘキサンカルボン酸シクロヘキシルエス
テル系、シクロヘキシルベンゾニトリル系、シクロヘキ
シルフェニル系、ビフェニル系、フェニル−m−ジオキ
サン系、フェニルピリミジン系、シッフ塩基系、アゾキ
ク系などの各液晶化合物及び本出願が先に出願中のシク
ロヘキサンカルボン酸4−インチオシアナートフェニル
エステル系液晶化合物(特願昭58−248,934号
)、4−(トランス−4−アル中ルシクロヘキシル)フ
ェニルインチオシアナート系液晶化合物(特願59−5
85号)などのいずれか一種又は数種の混合物と混合し
て新規な液晶組成物を得ることができる。
本発明の化合物は以下に示す方法によって最も好適に製
造することができる。
造することができる。
9NH2
R−く)−く囚〉−く巨)−NH,+08□十R’−N
−C=N−R’最後のアミン化合物から目的愉を得る反
応はJ、C,Jochimaの方法(Chew、 Ba
r、、 101.1746(196B) )を適用した
ものでるるか、その他J、L Hodgkingらの方
法(J、 Org、 Chem、、 29゜3Q9B(
1964) )を適用してもよい。又アミノ化合物は前
記の方法の他 Ri防NH。
−C=N−R’最後のアミン化合物から目的愉を得る反
応はJ、C,Jochimaの方法(Chew、 Ba
r、、 101.1746(196B) )を適用した
ものでるるか、その他J、L Hodgkingらの方
法(J、 Org、 Chem、、 29゜3Q9B(
1964) )を適用してもよい。又アミノ化合物は前
記の方法の他 Ri防NH。
などの通常知られている化学的方法を適用することによ
っても容易に合成される。
っても容易に合成される。
以下、実施例により、本発明の化合物につき更に詳細に
説明する。
説明する。
実施例1 (p −(4−トランス−(4′−)ランス
−プロピルシクロヘキシル)シクロ ヘキシル〕フェニルインチオシアネー ) ((IA)式に於てC3H,のもの)の!R造〕 原料のp−(4−1)ンスー(4’−) 5ンスープロ
ビルシクロヘキシル)シクロヘキシル〕ベンゾニトリル
は公知の液晶化合物で、本実施例に於ては特開u85s
−10552号記載の方法により製造されたものを使用
した。このニトリル50?を509の苛性カリ、 90
0sdのエタノール、250mの水と6時間還流下に加
熱撹拌したのち生成物を戸別しエタノールで洗浄、乾燥
して53.5 rのp−〔4−トランス−(4’−)ラ
ンスーグロビルシク四ヘキシル)シクロヘキシル〕べ/
ズアミドを得た。この11換ベンズアミド532を、5
5tのナトリウムメトキシドを含む271のメタノール
に加え、約5℃に保ちながら臭素20mを滴加し、40
℃で1時間加熱後、更に2時間還流下に加熱した。メタ
ノールを留去した後、残留物を2.51のエタノールよ
り再結晶して351Fの無色結晶(融点170.5℃)
を得た。このものがp−〔4−トランス=(4′−トラ
ンス−プロビルシクロヘキシル)シクロヘキシル〕フェ
ニルカルバミン酸メチルエステルである。このカルバミ
ン酸エステル34tをエタノールIIl、水100 m
、苛性カリ50fと共に20時間還流加熱した後、溶媒
を留去し、残留物をトルエンで抽出し、そのトルエン層
を水洗して後トルエンを留去し、残留物をエタノールよ
り熱濾過、再結晶してl’i’ro淡黄色物質を得た。
−プロピルシクロヘキシル)シクロ ヘキシル〕フェニルインチオシアネー ) ((IA)式に於てC3H,のもの)の!R造〕 原料のp−(4−1)ンスー(4’−) 5ンスープロ
ビルシクロヘキシル)シクロヘキシル〕ベンゾニトリル
は公知の液晶化合物で、本実施例に於ては特開u85s
−10552号記載の方法により製造されたものを使用
した。このニトリル50?を509の苛性カリ、 90
0sdのエタノール、250mの水と6時間還流下に加
熱撹拌したのち生成物を戸別しエタノールで洗浄、乾燥
して53.5 rのp−〔4−トランス−(4’−)ラ
ンスーグロビルシク四ヘキシル)シクロヘキシル〕べ/
ズアミドを得た。この11換ベンズアミド532を、5
5tのナトリウムメトキシドを含む271のメタノール
に加え、約5℃に保ちながら臭素20mを滴加し、40
℃で1時間加熱後、更に2時間還流下に加熱した。メタ
ノールを留去した後、残留物を2.51のエタノールよ
り再結晶して351Fの無色結晶(融点170.5℃)
を得た。このものがp−〔4−トランス=(4′−トラ
ンス−プロビルシクロヘキシル)シクロヘキシル〕フェ
ニルカルバミン酸メチルエステルである。このカルバミ
ン酸エステル34tをエタノールIIl、水100 m
、苛性カリ50fと共に20時間還流加熱した後、溶媒
を留去し、残留物をトルエンで抽出し、そのトルエン層
を水洗して後トルエンを留去し、残留物をエタノールよ
り熱濾過、再結晶してl’i’ro淡黄色物質を得た。
このものがp−〔4−トランス−(4’−トランス−プ
ロピル)シクロヘキシルコアニリンであり、融点111
’CでスメクチックB相を、169℃でネマチック相を
、192℃で等吉相を示した。
ロピル)シクロヘキシルコアニリンであり、融点111
’CでスメクチックB相を、169℃でネマチック相を
、192℃で等吉相を示した。
このアニリン16.2fを125dのピリジンに溶解し
、それをジシクロへキシルカルボジイミド11.2F、
二硫化炭素21.5m、ピリジン100mの混合液に一
10℃で滴下し、その温度で2時間、更に室温で3時間
撹拌してのち溶媒を留去した。その残留物よりトルエン
で目的物を抽出し、トルエン層は稀塩酸、次いで水で洗
浄してからトルエンを留去し、残留物を酢酸エチルより
再結晶して14fの無色結晶を得た。このものが最終目
的物であるp −(4−)ランス−(4’−)ランス−
プロピルシクロヘキシル)シクロヘキシル〕フェニルイ
ンチオシアネートである。このものは融点77.1℃で
ネマチック相となり24Q8℃で等吉相となる。又この
ものの元素分析値は次の如く理論値とよく一致している
。
、それをジシクロへキシルカルボジイミド11.2F、
二硫化炭素21.5m、ピリジン100mの混合液に一
10℃で滴下し、その温度で2時間、更に室温で3時間
撹拌してのち溶媒を留去した。その残留物よりトルエン
で目的物を抽出し、トルエン層は稀塩酸、次いで水で洗
浄してからトルエンを留去し、残留物を酢酸エチルより
再結晶して14fの無色結晶を得た。このものが最終目
的物であるp −(4−)ランス−(4’−)ランス−
プロピルシクロヘキシル)シクロヘキシル〕フェニルイ
ンチオシアネートである。このものは融点77.1℃で
ネマチック相となり24Q8℃で等吉相となる。又この
ものの元素分析値は次の如く理論値とよく一致している
。
分析値00 理論値(チ)(C22H3□NBとして)
C’i’7.2 ’i’7.36 H9,19,15 N 4.0 4.10 実施例2 (p −(4−(4’−トランス−ペンチン
チルシクロヘキシル)フェニル〕フ ェニルインチオシアネート((IB)式でRがC5H1
□のもの)の製造〕 p−(4−(4’−トランス−ペンチルシクロヘキシル
)フェニル〕ベンゾニトリル501Fを509の苛性カ
リ、11の75チエタノールとともに4時間還流下に加
熱撹拌した後、生成物を戸別し、エタノールで洗浄、乾
燥して53・6tのp−(4−ft:=(4′−トラン
ス−ペンチルシクロヘキシル)フェニル〕ベンズアミド
を得た。
C’i’7.2 ’i’7.36 H9,19,15 N 4.0 4.10 実施例2 (p −(4−(4’−トランス−ペンチン
チルシクロヘキシル)フェニル〕フ ェニルインチオシアネート((IB)式でRがC5H1
□のもの)の製造〕 p−(4−(4’−トランス−ペンチルシクロヘキシル
)フェニル〕ベンゾニトリル501Fを509の苛性カ
リ、11の75チエタノールとともに4時間還流下に加
熱撹拌した後、生成物を戸別し、エタノールで洗浄、乾
燥して53・6tのp−(4−ft:=(4′−トラン
ス−ペンチルシクロヘキシル)フェニル〕ベンズアミド
を得た。
この置換ベンズアミド30Fを、352のナトリウムメ
トキシドを含む21のメタノールに加え、約lO℃で臭
$12−を滴加した後40℃で1時間反応させ、更に約
lO℃で臭素12−を滴加した後40℃で1時間反応さ
せ、更に約10℃で臭$12−を滴加した後40℃で2
時間反応させ、メタノールを留去してから残留物を3!
のエタノールにより熱濾過して15.3 tの無色結晶
を得た。このものはp −(4−(4’ −)ランス−
ペンチルシクロヘキシル)フェニル〕フェニルカルバミ
ン酸メチルエステルである。
トキシドを含む21のメタノールに加え、約lO℃で臭
$12−を滴加した後40℃で1時間反応させ、更に約
lO℃で臭素12−を滴加した後40℃で1時間反応さ
せ、更に約10℃で臭$12−を滴加した後40℃で2
時間反応させ、メタノールを留去してから残留物を3!
のエタノールにより熱濾過して15.3 tの無色結晶
を得た。このものはp −(4−(4’ −)ランス−
ペンチルシクロヘキシル)フェニル〕フェニルカルバミ
ン酸メチルエステルである。
このカルバミン酸エステル15fを550−の95%エ
タノール、26vの苛性カリと20時間還流加熱した後
、水を加えてから生成物をトルエン抽出し、トルエン層
は水洗しテ後トルエンを留去しエタノールより再結晶し
て8.5fの淡黄色結晶を得た。このものはp−(4−
(4’−)9ンスーペンチルシクロヘキシル)フェニル
コアニリンであり、融点106℃でスメクチックA相を
161℃でネマチック相を、181.5℃で等吉相を示
した。
タノール、26vの苛性カリと20時間還流加熱した後
、水を加えてから生成物をトルエン抽出し、トルエン層
は水洗しテ後トルエンを留去しエタノールより再結晶し
て8.5fの淡黄色結晶を得た。このものはp−(4−
(4’−)9ンスーペンチルシクロヘキシル)フェニル
コアニリンであり、融点106℃でスメクチックA相を
161℃でネマチック相を、181.5℃で等吉相を示
した。
このアニリン8tを40+dのピリジンで溶解し、これ
をジシクロカルボジイミド5.3v、二硫化炭素10.
4 t、ピリジン50mの混合液に一10℃で滴加し、
その温度で2時間、更に室温で3時間反応させた後、溶
媒を留去し、残留物より目的物をトルエン抽出し、その
トルエン層を稀塩酸、次いで水で洗浄してからトルエン
を留去し、残留物を酢酸エチルより再結晶して7.1f
の無色結晶を得た。このものが目的物であるp−(4−
(4’−)ランス−ペンチルシクロヘキシル)フェニル
〕フェニルインチオシアネートである。このものは融点
121.1℃でネマチック相を、234.0℃で等吉相
を示した。又このものの元素分析値は次の通り理論値と
よく一致している。
をジシクロカルボジイミド5.3v、二硫化炭素10.
4 t、ピリジン50mの混合液に一10℃で滴加し、
その温度で2時間、更に室温で3時間反応させた後、溶
媒を留去し、残留物より目的物をトルエン抽出し、その
トルエン層を稀塩酸、次いで水で洗浄してからトルエン
を留去し、残留物を酢酸エチルより再結晶して7.1f
の無色結晶を得た。このものが目的物であるp−(4−
(4’−)ランス−ペンチルシクロヘキシル)フェニル
〕フェニルインチオシアネートである。このものは融点
121.1℃でネマチック相を、234.0℃で等吉相
を示した。又このものの元素分析値は次の通り理論値と
よく一致している。
分析値(%) 理論値(%) (C24H29NSとし
て)CBo、0 Bo、17 H7,1’i’、ol N 3.8 3.90 実施例3(組成物) 03H,べ=〉(ΣトCN 30チ (重量、以下同じ
)C,H,□〈違つづN 40% 07H15℃+CN 30% よりなる液晶組成物(以下液晶組成物Aと略称する)は
透明点(N−I点)が52.1℃、20℃での粘度(η
2゜)が23.4CP、折率異方性(八n)が0.11
9、誘電異方性(6審)が11.2、TN方式のしきい
′電圧が1.54’/、飽和電圧が2.13 Vである
。この液晶組成物A85重量部に対して本発明の化合物
の1つであるCIA)式でRが03H7の化合物(実施
例1の化合物)15部を添加して得られる液晶組成物は
透明点が72.7℃、η1.が26.2 cp、 △n
が0.133.△eが11.7、TN方式のしきい電圧
が1.6 ’i’ V、飽和電圧が2.34 Vとなっ
た。即ち、本発明の化合物を用いることにより透明点が
20℃も上昇し、それにもかかわらず粘度の上昇はわず
かである。又Δnも大きくなっている。
て)CBo、0 Bo、17 H7,1’i’、ol N 3.8 3.90 実施例3(組成物) 03H,べ=〉(ΣトCN 30チ (重量、以下同じ
)C,H,□〈違つづN 40% 07H15℃+CN 30% よりなる液晶組成物(以下液晶組成物Aと略称する)は
透明点(N−I点)が52.1℃、20℃での粘度(η
2゜)が23.4CP、折率異方性(八n)が0.11
9、誘電異方性(6審)が11.2、TN方式のしきい
′電圧が1.54’/、飽和電圧が2.13 Vである
。この液晶組成物A85重量部に対して本発明の化合物
の1つであるCIA)式でRが03H7の化合物(実施
例1の化合物)15部を添加して得られる液晶組成物は
透明点が72.7℃、η1.が26.2 cp、 △n
が0.133.△eが11.7、TN方式のしきい電圧
が1.6 ’i’ V、飽和電圧が2.34 Vとなっ
た。即ち、本発明の化合物を用いることにより透明点が
20℃も上昇し、それにもかかわらず粘度の上昇はわず
かである。又Δnも大きくなっている。
尚、比較のために本発明の化合物と同様な目的に使用さ
れる既知化合物の1つであるC、H□□−Cべ互パ回>
CN 15部を組成物A85部に加えて得られる液晶組
成物の4性値を測定したところ、透明点は72℃、η、
。け27.8℃、Δnは0.140、△#は11.6、
TN方式のしきい電圧は1.75 V、飽和電圧は2.
40Vで透明点は同程度に上昇したが、粘度及びしきい
電圧は本発明の化合物を使用した場合より高くなってい
る。
れる既知化合物の1つであるC、H□□−Cべ互パ回>
CN 15部を組成物A85部に加えて得られる液晶組
成物の4性値を測定したところ、透明点は72℃、η、
。け27.8℃、Δnは0.140、△#は11.6、
TN方式のしきい電圧は1.75 V、飽和電圧は2.
40Vで透明点は同程度に上昇したが、粘度及びしきい
電圧は本発明の化合物を使用した場合より高くなってい
る。
実施例4(組成物)
実施例3に於ける組成物A90部に、本発明の化合物の
1つである(IB)式でRがC5HItのもO(実施例
2の化合物)10部を加えて得られる液晶組成物は透明
点が64℃、り、。
1つである(IB)式でRがC5HItのもO(実施例
2の化合物)10部を加えて得られる液晶組成物は透明
点が64℃、り、。
が27.7 cp、 Δnが0.135、ΔCが11.
5、TN方式に於けるしきい電圧が1.58V、飽和電
圧が2.21 Vであった。即ち、透明点の上昇及びし
きい電圧の低下という効果は認められるが、実施例2の
化合物と比較して粘度の上昇が大きいという点では劣る
。しかしΔnを大きくする効果は実施例1の化合物より
大きい。
5、TN方式に於けるしきい電圧が1.58V、飽和電
圧が2.21 Vであった。即ち、透明点の上昇及びし
きい電圧の低下という効果は認められるが、実施例2の
化合物と比較して粘度の上昇が大きいという点では劣る
。しかしΔnを大きくする効果は実施例1の化合物より
大きい。
実施例5(組成物)
C,H,+NC83FNb
c 3H,> Ncs 28 %
C4H0iN08 6%
C3H,4NC820%
C6H,、()○→cs s%
なる組成の液晶組成物を調製し、その特性を測定したと
ころ、次の様な値であった。
ころ、次の様な値であった。
透明点72.5℃、Δ6 tt= 12.4、Δn −
0,205、しきい電圧(vl、) = 1. s 1
v、飽和電圧(v90)=2.50 V 、立ち上り
時間(τrise ) l 4 rnsec 。
0,205、しきい電圧(vl、) = 1. s 1
v、飽和電圧(v90)=2.50 V 、立ち上り
時間(τrise ) l 4 rnsec 。
立ち下り時間(τdecay) 24m5ec上記の如
くこの組成では△nが大きく、応答速度の早い液晶組成
物を得ることができた。
くこの組成では△nが大きく、応答速度の早い液晶組成
物を得ることができた。
以 上
Claims (2)
- (1)一般式 (但し、上式に於てRは炭素数1〜10のアランスーシ
クロヘキシレン基)又はXφX(l、4−フェニレン基
)を示す) で表わされるp−置換フェニルインチオシアネート類。 - (2)一般式 %式%(1) (但し、上式に於てRFi炭素数1−Noのアランスー
シクロヘキシレン基)又ハ<φX(1,4−フェニレン
基)を示す) で表わされるp−置換フェニルイソチアシアネート類を
少くとも1種類、少くとも1成分として含有することを
特徴とする液晶組成物。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7733484A JPS60222458A (ja) | 1984-04-17 | 1984-04-17 | p−置換フエニルイソチオシアネ−ト類 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7733484A JPS60222458A (ja) | 1984-04-17 | 1984-04-17 | p−置換フエニルイソチオシアネ−ト類 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS60222458A true JPS60222458A (ja) | 1985-11-07 |
Family
ID=13631022
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP7733484A Pending JPS60222458A (ja) | 1984-04-17 | 1984-04-17 | p−置換フエニルイソチオシアネ−ト類 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS60222458A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6166A (ja) * | 1984-05-25 | 1986-01-06 | エフ・ホフマン―ラ ロシユ アーゲー | フエニルイソチオシアネート類 |
US4770503A (en) * | 1985-03-26 | 1988-09-13 | Hoffmann-Laroche Inc. | Liquid crystalline compounds |
US4849130A (en) * | 1985-12-16 | 1989-07-18 | Wojskowa Akademia Techniczna | Liquid crystalline ethane derivatives, their preparation and the liquid crystal compositions containing same |
US4970022A (en) * | 1985-12-20 | 1990-11-13 | Merck Patent Gesellschaft Mit Beschrankter Haftung | Liquid-crystalline mustard oils |
CN106674022A (zh) * | 2015-11-10 | 2017-05-17 | 深圳超多维光电子有限公司 | 液晶材料中间体以及液晶材料的制备方法 |
-
1984
- 1984-04-17 JP JP7733484A patent/JPS60222458A/ja active Pending
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6166A (ja) * | 1984-05-25 | 1986-01-06 | エフ・ホフマン―ラ ロシユ アーゲー | フエニルイソチオシアネート類 |
US4915480A (en) * | 1984-05-25 | 1990-04-10 | Martin Petrzilka | Liquid crystalline compounds and mixtures |
US4770503A (en) * | 1985-03-26 | 1988-09-13 | Hoffmann-Laroche Inc. | Liquid crystalline compounds |
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