JPS60222458A - p−置換フエニルイソチオシアネ−ト類 - Google Patents

p−置換フエニルイソチオシアネ−ト類

Info

Publication number
JPS60222458A
JPS60222458A JP7733484A JP7733484A JPS60222458A JP S60222458 A JPS60222458 A JP S60222458A JP 7733484 A JP7733484 A JP 7733484A JP 7733484 A JP7733484 A JP 7733484A JP S60222458 A JPS60222458 A JP S60222458A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
compound
formula
liquid crystal
trans
compounds
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP7733484A
Other languages
English (en)
Inventor
Takashi Inukai
犬飼 孝
Hiromichi Inoue
博道 井上
Tetsuya Ogawa
哲也 小川
Kenji Furukawa
古川 顕治
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
JNC Corp
Original Assignee
Chisso Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Chisso Corp filed Critical Chisso Corp
Priority to JP7733484A priority Critical patent/JPS60222458A/ja
Publication of JPS60222458A publication Critical patent/JPS60222458A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は液晶組成物の一成分として有用な新規な液晶化
合物およびそれを含有する液晶組成物に関する。
〔発明の背景及び従来技術〕
液晶表示素子は液晶物質が持つ光学異方性および誘砥異
方性を利用したものであり、その表示様式によってTN
型(ねじれネマチック型)、Ds型(動的散乱型)、ゲ
スト・ホスト壓、DAP型など各種の方式に分けられ、
それぞれの使用に適する液晶物質の性質は異なる。いず
れの液晶物質も水分、空気、熱、光等に安定であること
が必要である事は共通しており、室温を中心として出来
るだ吋広い温度範囲で液晶相を−示すものがめられてい
る。
しかしながら、現在のところ、単一化合物では液晶温度
範囲、動作電圧、応答性能等の緒特性に優れ、実用にで
きるものはないので、実際には数種の液晶化合物や非液
晶化合物を混合して得られる液晶組成物が使用されてい
る。
すなわち、表示素子に使用される液晶組成物には、前述
した液晶相が実用の温度を含む広い温度範囲で存在する
ことのほかに、粘度が小さいこと、動作のしきい電圧が
低く小電力で駆動できること、動作の応答速度が大きい
ことなどが一般に要求される。
〔発明の目的〕
本発明の目的は、液晶物質に添加してその液晶組成物の
要求されているかかる特性を改善できる新規な液晶化合
物を提供することにある。
〔発明の構成〕
即ち本発明の第1は一般式 R→に二二X匹セツニX≦巨巨E)N=C=8(夏)(
上式に於てRは炭素数1〜10のアルキル基を示し、会
は−()−(1,4−)ランス−シクロヘキシレン基)
又は+(1,4−7−1−二しン基を示す)で表わされ
るp−置換フェニルインチオシアネート類及び少くとも
その1種を1成分として含有する液晶組成物である。
〔発明の作用及び効果〕
本発明の(1)式の化合物は広い温度範囲にわたって液
晶性を示し、又、インチオシアナート基(−N=C=8
基)を有するために正の誘電異方性を示し、比較的長大
な分子構造を有する割合に、対応するシアノ化合物((
り式の化合物の−N−C=S基の代りに一〇N基を有す
る化合物)に比べて、それらを成分とする液晶組成物の
粘度を上昇させることが少ないという優れた特徴を有す
る。(1)式の化合物が低粘度であるということは、先
に本発明者らが発明して出願した(特願昭59−585
号)次式(II)の化合物と共通した特性である。
8つ(防N=C−8(1) (1)式の化合物は更に具体的には次の(IA)?(I
B)の2つの化合物群に分けられる。
ueN=c=s (IA) 即ちp−(4−)7ンスー(4’ −) ?ンスーアル
キルシクロヘキシル)シクロヘキシル〕フェニルインチ
オシアネート類、及び R()D(叉N=C=、8 (IB) 即ちp −(4−(,4’−) 9ンスーアルキルシク
ロヘキシル)フェニル〕フェニルインチオシアネート類
(IA)式に於てRがC3H7のもの及び(IB)式に
於てRがcsHt□のものの物性値を対応するシアノ化
合物(III A)及び(IIB)のそれと比較して下
表に示す。
第1表 *1)C−結晶相、9xスメクチツク相。
N=ネマチック相、I=等方相(透明相)CIA)式と
(IIA)式の化合物を比較した場合両化合物の融点及
び液晶温度範囲はほぼ同一であるが、(IA)式の化合
物はスメクチック相は示さずネマチック相のみを示すと
いう違いがある。
又、(IB)式と(IB)式の化合物を比較した場合#
′1(IB)式の化合物の融点及び透明点(N−IA)
の方が約20℃高−0 更に本発明の(1)式の化合物の室温付近での訪電異方
性値ΔCの外挿値は約14〜20であり、これは対応す
るシアノ化合物のそれとほぼ同一でβる。
本発明の(1)式の化合物は他の既知の液晶化合物との
相溶性がすぐれ、例えば安息香酸フェ二k ! スフ−
k 系、シクロヘキサンカルボン#fi、7エ二ルエス
テル系、シクロヘキサンカルボン酸シクロヘキシルエス
テル系、シクロヘキシルベンゾニトリル系、シクロヘキ
シルフェニル系、ビフェニル系、フェニル−m−ジオキ
サン系、フェニルピリミジン系、シッフ塩基系、アゾキ
ク系などの各液晶化合物及び本出願が先に出願中のシク
ロヘキサンカルボン酸4−インチオシアナートフェニル
エステル系液晶化合物(特願昭58−248,934号
)、4−(トランス−4−アル中ルシクロヘキシル)フ
ェニルインチオシアナート系液晶化合物(特願59−5
85号)などのいずれか一種又は数種の混合物と混合し
て新規な液晶組成物を得ることができる。
〔化合物の製法〕
本発明の化合物は以下に示す方法によって最も好適に製
造することができる。
 9NH2 R−く)−く囚〉−く巨)−NH,+08□十R’−N
−C=N−R’最後のアミン化合物から目的愉を得る反
応はJ、C,Jochimaの方法(Chew、 Ba
r、、 101.1746(196B) )を適用した
ものでるるか、その他J、L Hodgkingらの方
法(J、 Org、 Chem、、 29゜3Q9B(
1964) )を適用してもよい。又アミノ化合物は前
記の方法の他 Ri防NH。
などの通常知られている化学的方法を適用することによ
っても容易に合成される。
〔実施例〕
以下、実施例により、本発明の化合物につき更に詳細に
説明する。
実施例1 (p −(4−トランス−(4′−)ランス
−プロピルシクロヘキシル)シクロ ヘキシル〕フェニルインチオシアネー ) ((IA)式に於てC3H,のもの)の!R造〕 原料のp−(4−1)ンスー(4’−) 5ンスープロ
ビルシクロヘキシル)シクロヘキシル〕ベンゾニトリル
は公知の液晶化合物で、本実施例に於ては特開u85s
−10552号記載の方法により製造されたものを使用
した。このニトリル50?を509の苛性カリ、 90
0sdのエタノール、250mの水と6時間還流下に加
熱撹拌したのち生成物を戸別しエタノールで洗浄、乾燥
して53.5 rのp−〔4−トランス−(4’−)ラ
ンスーグロビルシク四ヘキシル)シクロヘキシル〕べ/
ズアミドを得た。この11換ベンズアミド532を、5
5tのナトリウムメトキシドを含む271のメタノール
に加え、約5℃に保ちながら臭素20mを滴加し、40
℃で1時間加熱後、更に2時間還流下に加熱した。メタ
ノールを留去した後、残留物を2.51のエタノールよ
り再結晶して351Fの無色結晶(融点170.5℃)
を得た。このものがp−〔4−トランス=(4′−トラ
ンス−プロビルシクロヘキシル)シクロヘキシル〕フェ
ニルカルバミン酸メチルエステルである。このカルバミ
ン酸エステル34tをエタノールIIl、水100 m
、苛性カリ50fと共に20時間還流加熱した後、溶媒
を留去し、残留物をトルエンで抽出し、そのトルエン層
を水洗して後トルエンを留去し、残留物をエタノールよ
り熱濾過、再結晶してl’i’ro淡黄色物質を得た。
このものがp−〔4−トランス−(4’−トランス−プ
ロピル)シクロヘキシルコアニリンであり、融点111
’CでスメクチックB相を、169℃でネマチック相を
、192℃で等吉相を示した。
このアニリン16.2fを125dのピリジンに溶解し
、それをジシクロへキシルカルボジイミド11.2F、
二硫化炭素21.5m、ピリジン100mの混合液に一
10℃で滴下し、その温度で2時間、更に室温で3時間
撹拌してのち溶媒を留去した。その残留物よりトルエン
で目的物を抽出し、トルエン層は稀塩酸、次いで水で洗
浄してからトルエンを留去し、残留物を酢酸エチルより
再結晶して14fの無色結晶を得た。このものが最終目
的物であるp −(4−)ランス−(4’−)ランス−
プロピルシクロヘキシル)シクロヘキシル〕フェニルイ
ンチオシアネートである。このものは融点77.1℃で
ネマチック相となり24Q8℃で等吉相となる。又この
ものの元素分析値は次の如く理論値とよく一致している
分析値00 理論値(チ)(C22H3□NBとして)
C’i’7.2 ’i’7.36 H9,19,15 N 4.0 4.10 実施例2 (p −(4−(4’−トランス−ペンチン
チルシクロヘキシル)フェニル〕フ ェニルインチオシアネート((IB)式でRがC5H1
□のもの)の製造〕 p−(4−(4’−トランス−ペンチルシクロヘキシル
)フェニル〕ベンゾニトリル501Fを509の苛性カ
リ、11の75チエタノールとともに4時間還流下に加
熱撹拌した後、生成物を戸別し、エタノールで洗浄、乾
燥して53・6tのp−(4−ft:=(4′−トラン
ス−ペンチルシクロヘキシル)フェニル〕ベンズアミド
を得た。
この置換ベンズアミド30Fを、352のナトリウムメ
トキシドを含む21のメタノールに加え、約lO℃で臭
$12−を滴加した後40℃で1時間反応させ、更に約
lO℃で臭素12−を滴加した後40℃で1時間反応さ
せ、更に約10℃で臭$12−を滴加した後40℃で2
時間反応させ、メタノールを留去してから残留物を3!
のエタノールにより熱濾過して15.3 tの無色結晶
を得た。このものはp −(4−(4’ −)ランス−
ペンチルシクロヘキシル)フェニル〕フェニルカルバミ
ン酸メチルエステルである。
このカルバミン酸エステル15fを550−の95%エ
タノール、26vの苛性カリと20時間還流加熱した後
、水を加えてから生成物をトルエン抽出し、トルエン層
は水洗しテ後トルエンを留去しエタノールより再結晶し
て8.5fの淡黄色結晶を得た。このものはp−(4−
(4’−)9ンスーペンチルシクロヘキシル)フェニル
コアニリンであり、融点106℃でスメクチックA相を
161℃でネマチック相を、181.5℃で等吉相を示
した。
このアニリン8tを40+dのピリジンで溶解し、これ
をジシクロカルボジイミド5.3v、二硫化炭素10.
4 t、ピリジン50mの混合液に一10℃で滴加し、
その温度で2時間、更に室温で3時間反応させた後、溶
媒を留去し、残留物より目的物をトルエン抽出し、その
トルエン層を稀塩酸、次いで水で洗浄してからトルエン
を留去し、残留物を酢酸エチルより再結晶して7.1f
の無色結晶を得た。このものが目的物であるp−(4−
(4’−)ランス−ペンチルシクロヘキシル)フェニル
〕フェニルインチオシアネートである。このものは融点
121.1℃でネマチック相を、234.0℃で等吉相
を示した。又このものの元素分析値は次の通り理論値と
よく一致している。
分析値(%) 理論値(%) (C24H29NSとし
て)CBo、0 Bo、17 H7,1’i’、ol N 3.8 3.90 実施例3(組成物) 03H,べ=〉(ΣトCN 30チ (重量、以下同じ
)C,H,□〈違つづN 40% 07H15℃+CN 30% よりなる液晶組成物(以下液晶組成物Aと略称する)は
透明点(N−I点)が52.1℃、20℃での粘度(η
2゜)が23.4CP、折率異方性(八n)が0.11
9、誘電異方性(6審)が11.2、TN方式のしきい
′電圧が1.54’/、飽和電圧が2.13 Vである
。この液晶組成物A85重量部に対して本発明の化合物
の1つであるCIA)式でRが03H7の化合物(実施
例1の化合物)15部を添加して得られる液晶組成物は
透明点が72.7℃、η1.が26.2 cp、 △n
が0.133.△eが11.7、TN方式のしきい電圧
が1.6 ’i’ V、飽和電圧が2.34 Vとなっ
た。即ち、本発明の化合物を用いることにより透明点が
20℃も上昇し、それにもかかわらず粘度の上昇はわず
かである。又Δnも大きくなっている。
尚、比較のために本発明の化合物と同様な目的に使用さ
れる既知化合物の1つであるC、H□□−Cべ互パ回>
CN 15部を組成物A85部に加えて得られる液晶組
成物の4性値を測定したところ、透明点は72℃、η、
。け27.8℃、Δnは0.140、△#は11.6、
TN方式のしきい電圧は1.75 V、飽和電圧は2.
40Vで透明点は同程度に上昇したが、粘度及びしきい
電圧は本発明の化合物を使用した場合より高くなってい
る。
実施例4(組成物) 実施例3に於ける組成物A90部に、本発明の化合物の
1つである(IB)式でRがC5HItのもO(実施例
2の化合物)10部を加えて得られる液晶組成物は透明
点が64℃、り、。
が27.7 cp、 Δnが0.135、ΔCが11.
5、TN方式に於けるしきい電圧が1.58V、飽和電
圧が2.21 Vであった。即ち、透明点の上昇及びし
きい電圧の低下という効果は認められるが、実施例2の
化合物と比較して粘度の上昇が大きいという点では劣る
。しかしΔnを大きくする効果は実施例1の化合物より
大きい。
実施例5(組成物) C,H,+NC83FNb c 3H,> Ncs 28 % C4H0iN08 6% C3H,4NC820% C6H,、()○→cs s% なる組成の液晶組成物を調製し、その特性を測定したと
ころ、次の様な値であった。
透明点72.5℃、Δ6 tt= 12.4、Δn −
0,205、しきい電圧(vl、) = 1. s 1
 v、飽和電圧(v90)=2.50 V 、立ち上り
時間(τrise ) l 4 rnsec 。
立ち下り時間(τdecay) 24m5ec上記の如
くこの組成では△nが大きく、応答速度の早い液晶組成
物を得ることができた。
以 上

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)一般式 (但し、上式に於てRは炭素数1〜10のアランスーシ
    クロヘキシレン基)又はXφX(l、4−フェニレン基
    )を示す) で表わされるp−置換フェニルインチオシアネート類。
  2. (2)一般式 %式%(1) (但し、上式に於てRFi炭素数1−Noのアランスー
    シクロヘキシレン基)又ハ<φX(1,4−フェニレン
    基)を示す) で表わされるp−置換フェニルイソチアシアネート類を
    少くとも1種類、少くとも1成分として含有することを
    特徴とする液晶組成物。
JP7733484A 1984-04-17 1984-04-17 p−置換フエニルイソチオシアネ−ト類 Pending JPS60222458A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP7733484A JPS60222458A (ja) 1984-04-17 1984-04-17 p−置換フエニルイソチオシアネ−ト類

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP7733484A JPS60222458A (ja) 1984-04-17 1984-04-17 p−置換フエニルイソチオシアネ−ト類

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS60222458A true JPS60222458A (ja) 1985-11-07

Family

ID=13631022

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP7733484A Pending JPS60222458A (ja) 1984-04-17 1984-04-17 p−置換フエニルイソチオシアネ−ト類

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS60222458A (ja)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6166A (ja) * 1984-05-25 1986-01-06 エフ・ホフマン―ラ ロシユ アーゲー フエニルイソチオシアネート類
US4770503A (en) * 1985-03-26 1988-09-13 Hoffmann-Laroche Inc. Liquid crystalline compounds
US4849130A (en) * 1985-12-16 1989-07-18 Wojskowa Akademia Techniczna Liquid crystalline ethane derivatives, their preparation and the liquid crystal compositions containing same
US4970022A (en) * 1985-12-20 1990-11-13 Merck Patent Gesellschaft Mit Beschrankter Haftung Liquid-crystalline mustard oils
CN106674022A (zh) * 2015-11-10 2017-05-17 深圳超多维光电子有限公司 液晶材料中间体以及液晶材料的制备方法

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6166A (ja) * 1984-05-25 1986-01-06 エフ・ホフマン―ラ ロシユ アーゲー フエニルイソチオシアネート類
US4915480A (en) * 1984-05-25 1990-04-10 Martin Petrzilka Liquid crystalline compounds and mixtures
US4770503A (en) * 1985-03-26 1988-09-13 Hoffmann-Laroche Inc. Liquid crystalline compounds
US4849130A (en) * 1985-12-16 1989-07-18 Wojskowa Akademia Techniczna Liquid crystalline ethane derivatives, their preparation and the liquid crystal compositions containing same
US4970022A (en) * 1985-12-20 1990-11-13 Merck Patent Gesellschaft Mit Beschrankter Haftung Liquid-crystalline mustard oils
CN106674022A (zh) * 2015-11-10 2017-05-17 深圳超多维光电子有限公司 液晶材料中间体以及液晶材料的制备方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPS60222458A (ja) p−置換フエニルイソチオシアネ−ト類
JPS6228137B2 (ja)
US4158011A (en) p'-Cyanophenyl ester of p-(β-alkoxy)ethoxybenzoic acid
JPS59141540A (ja) 三環カルボン酸エステル誘導体
JPS6124382B2 (ja)
JPS60204781A (ja) トランス−2−(p−イソチオシアナ−トフエニル)−5−アルキル−m−ジオキサン類
JP2829436B2 (ja) シクロブタン誘導体
JPS59170056A (ja) 新規ネマチツク液晶化合物
JPS6287556A (ja) エステル化合物
JP2696963B2 (ja) ピリミジン誘導体
JPS6050177B2 (ja) 液晶化合物
JPH0142261B2 (ja)
JPS62286943A (ja) 4′−置換ビフエニルクロチルエ−テル誘導体
JPS642595B2 (ja)
JPH03123749A (ja) エーテル系しきい値電圧低下剤
JPH03246246A (ja) シクロプロパン誘導体
JPH0350734B2 (ja)
JPH0142260B2 (ja)
JPS61282345A (ja) エステル化合物
JPS6133159A (ja) シアノフエニルエステル誘導体
JPS615054A (ja) シクロヘキサンカルボン酸フエネチルエステル誘導体
JPH01193254A (ja) アリルピリミジニルフェノールのエステル誘導体
JPH0518821B2 (ja)
JPS5920250A (ja) 液晶性エステル化合物
JPH0119391B2 (ja)