JPS615031A - 新規トラン系炭化水素化合物 - Google Patents
新規トラン系炭化水素化合物Info
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- JPS615031A JPS615031A JP12448984A JP12448984A JPS615031A JP S615031 A JPS615031 A JP S615031A JP 12448984 A JP12448984 A JP 12448984A JP 12448984 A JP12448984 A JP 12448984A JP S615031 A JPS615031 A JP S615031A
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- C07D319/06—1,3-Dioxanes; Hydrogenated 1,3-dioxanes not condensed with other rings
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は電気光学的表示月料として有用な新規トラン系
炭化水素化合物に関する。本発明によって提供されるこ
の炭化水素化合物は 一般式 式中、R及びR’はそれぞれ独立的に炭素原子数1〜5
の直鎖状アルキル基を表わす。
炭化水素化合物に関する。本発明によって提供されるこ
の炭化水素化合物は 一般式 式中、R及びR’はそれぞれ独立的に炭素原子数1〜5
の直鎖状アルキル基を表わす。
で表わされる化合物である。
液晶表示セルの代表的なものにエム・シャット(M−8
ehadt )等[APPLIED PHYSIC8L
ETTER81B 、127〜128(1971))に
よって提案された電界効果型セル(フィールド・エフェ
クト・モード・セル)又はジー・エイチ・ノ・イルマイ
ヤー(G−HHeilmeier )等(PRO(IE
DING OF THEI、E、E、E、 56 11
62〜1171 (1968))によって提案された動
的光散型セル(ダイミック・スキャツタリング・モード
・セル)又はジー・エイチ・ノ1イルマイヤー(G−H
Heilmeier)等(APPLIED PHYSI
C8LETTER813,91(1968))あるいは
ディー・エル・ホワイト(D L White)等(J
OURNAL 0FAPPLIED PHY8IC8
旦、4718(1974)]によって断案されたゲスト
・ホスト型セルなどがある。
ehadt )等[APPLIED PHYSIC8L
ETTER81B 、127〜128(1971))に
よって提案された電界効果型セル(フィールド・エフェ
クト・モード・セル)又はジー・エイチ・ノ・イルマイ
ヤー(G−HHeilmeier )等(PRO(IE
DING OF THEI、E、E、E、 56 11
62〜1171 (1968))によって提案された動
的光散型セル(ダイミック・スキャツタリング・モード
・セル)又はジー・エイチ・ノ1イルマイヤー(G−H
Heilmeier)等(APPLIED PHYSI
C8LETTER813,91(1968))あるいは
ディー・エル・ホワイト(D L White)等(J
OURNAL 0FAPPLIED PHY8IC8
旦、4718(1974)]によって断案されたゲスト
・ホスト型セルなどがある。
これらの液晶表示セルの中で現在主流をなすものは、電
界効果型セルの一種のTN型セルである。このTN型セ
ルにおいては、G、BauerによってMol、 Cr
yst、Liq。
界効果型セルの一種のTN型セルである。このTN型セ
ルにおいては、G、BauerによってMol、 Cr
yst、Liq。
Cryst 63 45(1981)に報告されてい
るように、セル外観を損う原因となるセル表面での干渉
縞の発生を防止するために、セルに充填される液晶材料
の屈折率の異方Igj: (Δn)とセルの厚さくd1
μmの積を成る特定の値に設定する必要がある。実用的
に使用される液晶表示セルでは、Δn−dの値が[1,
5,1,0,1,6又は2.2のいずれかに設定されて
いる。このようにΔnodの値が一定値に設定されるか
ら、Δnの値の大きな液晶材料を使用すれば、dの値を
小ならしめることができる。dの値が小となれば、応答
時間(τ)は、よく知られたταd2の関係式に従って
小となる。
るように、セル外観を損う原因となるセル表面での干渉
縞の発生を防止するために、セルに充填される液晶材料
の屈折率の異方Igj: (Δn)とセルの厚さくd1
μmの積を成る特定の値に設定する必要がある。実用的
に使用される液晶表示セルでは、Δn−dの値が[1,
5,1,0,1,6又は2.2のいずれかに設定されて
いる。このようにΔnodの値が一定値に設定されるか
ら、Δnの値の大きな液晶材料を使用すれば、dの値を
小ならしめることができる。dの値が小となれば、応答
時間(τ)は、よく知られたταd2の関係式に従って
小となる。
さらに応答時間(τ)は液晶材料の粘度(η)と比例関
係(ταη)がある。すなわち、Δnの値が大きく低粘
度の液晶材料は高速応答の液晶表示セルを製作するのに
極めて重要な材料である。
係(ταη)がある。すなわち、Δnの値が大きく低粘
度の液晶材料は高速応答の液晶表示セルを製作するのに
極めて重要な材料である。
現在、高速応答の液晶表示セルを製作するために用いら
又はR→5◇−DoR′ (両式中、R及びR′は直鎖
状アルキル基を表わす。)で表わされる化合物等がある
が、これらの材料は混合液晶の粘度を低下させることが
できる反面、Δnを低下させるという欠点をもっている
。
又はR→5◇−DoR′ (両式中、R及びR′は直鎖
状アルキル基を表わす。)で表わされる化合物等がある
が、これらの材料は混合液晶の粘度を低下させることが
できる反面、Δnを低下させるという欠点をもっている
。
本発明に係る式(I)の化合物は、この欠点を改善した
ものであシ、各種の母体液晶に混合した場合、粘度を低
下させΔnを低下させないすぐれた特性を有する。すな
わち、式(I)の化合物を使用することによって車載用
ディスプレー等に有用な高速応答用混合液晶を容易に調
製することができる。
ものであシ、各種の母体液晶に混合した場合、粘度を低
下させΔnを低下させないすぐれた特性を有する。すな
わち、式(I)の化合物を使用することによって車載用
ディスプレー等に有用な高速応答用混合液晶を容易に調
製することができる。
本発明に係る式(1)の化合物は次の製造方法に従って
製造することができる。下記(II)〜(VI)の各式
におけるR及びR′は式(I)におけるR及びR′と同
じ意味をもつ。
製造することができる。下記(II)〜(VI)の各式
におけるR及びR′は式(I)におけるR及びR′と同
じ意味をもつ。
第1段階−4−n−アルキルベンゼンに二硫化炭素ある
いはニトロベンゼン中で式(■)の化合物と無水アルミ
ニウムを反応させて式(Iff)の化合物を製造する。
いはニトロベンゼン中で式(■)の化合物と無水アルミ
ニウムを反応させて式(Iff)の化合物を製造する。
第2段階−第1段階で製造された式(LIT)の化合物
に無水エーテルあるいは無水THF中で水素化リチウム
アルミニウム等の還元剤を反応させて式(IV)の化合
物を製造する。
に無水エーテルあるいは無水THF中で水素化リチウム
アルミニウム等の還元剤を反応させて式(IV)の化合
物を製造する。
第6段階−第2段階で製造された式(]’V)の化合物
に硫酸水素カリウム等の脱水剤を加え加熱し脱水して式
(V)の化合物を製造する。
に硫酸水素カリウム等の脱水剤を加え加熱し脱水して式
(V)の化合物を製造する。
第4段階−第3段階で製造された式(V)の化合物に四
塩化炭素あるいはクロロホルムあるいは1,1.2−1
−リクロルエタンの如き溶媒中で臭素を付加させて式(
■)の化合物を製造する。
塩化炭素あるいはクロロホルムあるいは1,1.2−1
−リクロルエタンの如き溶媒中で臭素を付加させて式(
■)の化合物を製造する。
第5段階−1第4段階で製造された式(VI)の化合物
をN。
をN。
N−ジメチルホルムアミドの如き溶媒中で1,5−ジア
ザビシクロ[5,4,0]ウンデセン−5の如き塩基と
反応させ、式(I)の化合物を製造する。
ザビシクロ[5,4,0]ウンデセン−5の如き塩基と
反応させ、式(I)の化合物を製造する。
斯くして製造される式(I)の化合物の代表的なものの
転移温度を第1表に掲げる。
転移温度を第1表に掲げる。
第1表
16 RR’ 転移温度C℃)i n
−C3H7−C2H,51℃(C→工)2 IT −
C,H7−n−C,Ht−73℃(C→■)3 n−
C3H7−n−C4N。−22℃(C−+I) 15
℃(ニーN)4 n−C4H(+ nn−C4T
(41℃(C→I)5 n C4HQ n C5
% 26℃(C→I) 21℃(INN)本発明
に係る式(I)の化合物は弱い負の誘電率異方性を有す
るネマチック液晶化合物であり、従って例えば、負又は
弱い正の誘電率異方性を有する他のネマチック液晶化合
物との混合物の状態で動的光散乱型表示セルの材料とし
て使用することができ、また強い正の誘電率異方性を有
する他のネマチック液晶化合物との混合物の状態で電界
効果型表示セルの材料として使用することができる。
−C3H7−C2H,51℃(C→工)2 IT −
C,H7−n−C,Ht−73℃(C→■)3 n−
C3H7−n−C4N。−22℃(C−+I) 15
℃(ニーN)4 n−C4H(+ nn−C4T
(41℃(C→I)5 n C4HQ n C5
% 26℃(C→I) 21℃(INN)本発明
に係る式(I)の化合物は弱い負の誘電率異方性を有す
るネマチック液晶化合物であり、従って例えば、負又は
弱い正の誘電率異方性を有する他のネマチック液晶化合
物との混合物の状態で動的光散乱型表示セルの材料とし
て使用することができ、また強い正の誘電率異方性を有
する他のネマチック液晶化合物との混合物の状態で電界
効果型表示セルの材料として使用することができる。
このように、式CI)の化合物と混合して使用すること
のできる好ましい代表例としては、例えば4,4′−置
換安息香酸フェニルエステル、4 、4’−fif換シ
クシクロヘキサンカルボン酸フェニルエステル 、 4
’−fil換シクシクロヘキサンカルボン酸ビフェニル
エステル(4−fi換ジシクロヘキサンカルボニルオキ
シ安息香酸4′−置換フェニルエステル、4(4−W換
シクロヘキシル)安息香酸4′−置換フェニルエステル
、4(4−置換シクロヘキシル)安息香24/−置閃シ
クロヘキシルエステル、4 、’ 4’ #i換ビフ
ェニル、4゜4′−置換フェニルンクロヘキサン、4
、4’−R換ターフェニル、4’、4’−ピフェニルシ
クロヘキサン% 2 (4’−f)l換フェニル)5−
置換ビリミジンなどを挙げることができる。
のできる好ましい代表例としては、例えば4,4′−置
換安息香酸フェニルエステル、4 、4’−fif換シ
クシクロヘキサンカルボン酸フェニルエステル 、 4
’−fil換シクシクロヘキサンカルボン酸ビフェニル
エステル(4−fi換ジシクロヘキサンカルボニルオキ
シ安息香酸4′−置換フェニルエステル、4(4−W換
シクロヘキシル)安息香酸4′−置換フェニルエステル
、4(4−置換シクロヘキシル)安息香24/−置閃シ
クロヘキシルエステル、4 、’ 4’ #i換ビフ
ェニル、4゜4′−置換フェニルンクロヘキサン、4
、4’−R換ターフェニル、4’、4’−ピフェニルシ
クロヘキサン% 2 (4’−f)l換フェニル)5−
置換ビリミジンなどを挙げることができる。
第2表はネマチック液晶材料として現在汎用されている
母体液晶(Alの75重量%と第1表に示した式(I)
の化合物A1./162、扁3、廓4及び席5の各々の
25重量%とから成る各混合液晶について測定された粘
度と屈折率の異方性(Δn)を掲示し、比較のために母
体液晶(A)自体について個1定された粘度にΔnを掲
示したものである。
母体液晶(Alの75重量%と第1表に示した式(I)
の化合物A1./162、扁3、廓4及び席5の各々の
25重量%とから成る各混合液晶について測定された粘
度と屈折率の異方性(Δn)を掲示し、比較のために母
体液晶(A)自体について個1定された粘度にΔnを掲
示したものである。
尚、母体液晶は
から成るものである。
第 2 表
粘度720°CΔn
(c、p、)(−)
(Al 22.0 0.118fA)+41
17.6 0.132(N十腐2
17.7 0.133fAl+A3
1 B、1 0.131(A)+A4 18.4
0.129(A)+45 18.3 0.129
第2表に提示したデータから、式CI)の化合物は母体
液晶の粘度を減少させ、屈折率の異方性(Δn)を上昇
せしめ得ることが理解できる。
17.6 0.132(N十腐2
17.7 0.133fAl+A3
1 B、1 0.131(A)+A4 18.4
0.129(A)+45 18.3 0.129
第2表に提示したデータから、式CI)の化合物は母体
液晶の粘度を減少させ、屈折率の異方性(Δn)を上昇
せしめ得ることが理解できる。
本発明の効果は、下記の実験によっても明らかにされる
。
。
高速応答の液晶表示セルを製作するために用いられてい
る特にすぐれた粘度低下剤の式 の公知化合物を前記の母体液晶囚に種々の割合で混合し
た3゜同様に本発明に係る化合物の1つ、即ち式の化合
物を母体液晶に種々の割合で混合した。斯くして得られ
た2種類の混合液晶について、夫々の粘度とΔnを測定
した。これらの測定結果に基いて、添付図面の第1図に
粘度とΔnの関係を示した。
る特にすぐれた粘度低下剤の式 の公知化合物を前記の母体液晶囚に種々の割合で混合し
た3゜同様に本発明に係る化合物の1つ、即ち式の化合
物を母体液晶に種々の割合で混合した。斯くして得られ
た2種類の混合液晶について、夫々の粘度とΔnを測定
した。これらの測定結果に基いて、添付図面の第1図に
粘度とΔnの関係を示した。
、 これらの事実から、従来公知の粘度低下剤として
すぐれた化合物がΔnを減少させるのに対し、本発明に
係る式(Ilの化合物は粘度を低下させるとともにΔn
を上昇させ得ることが理解できるであろう。これによっ
て応答速度を著しく改善することができる。
すぐれた化合物がΔnを減少させるのに対し、本発明に
係る式(Ilの化合物は粘度を低下させるとともにΔn
を上昇させ得ることが理解できるであろう。これによっ
て応答速度を著しく改善することができる。
二硫化炭素200111中に無水アルミニウム16g(
0,120mol)を加え、加熱還流しながら、この溶
液の中にエチルベンゼン10.6g (0,100mo
l)と4−n−プロピルフェニル酢酸クロライド19.
77’l ([1,100mojりの混合物を滴下した
。1時間加熱還流した後、二硫化炭素を留去し、生成物
を氷水中に加え、60℃で1時間攪拌した。冷後、生成
物をトルエンで抽出、水洗、乾燥し、トルエンを留去後
メタノールで再結晶精製し、下記化合物201<0.0
752mol)を得た。
0,120mol)を加え、加熱還流しながら、この溶
液の中にエチルベンゼン10.6g (0,100mo
l)と4−n−プロピルフェニル酢酸クロライド19.
77’l ([1,100mojりの混合物を滴下した
。1時間加熱還流した後、二硫化炭素を留去し、生成物
を氷水中に加え、60℃で1時間攪拌した。冷後、生成
物をトルエンで抽出、水洗、乾燥し、トルエンを留去後
メタノールで再結晶精製し、下記化合物201<0.0
752mol)を得た。
この化合物を水素化リチウムアルミニウム3.2g(0
,0840mol )と無水THF120mの混合溶液
に、無水TI(F50m1/に溶解して滴下し、1時間
室温で反応させた後、この溶液の中に9%H(J200
R/及び水200m1を加え、生成物をトルエンで抽出
、水洗、乾燥し抽出液からトルエンを留去した。得られ
た抽状物をトルエン300m1に溶解し、この溶液に更
に硫酸水素カリウム3g([1,0220mol )を
加え、除水しながら1時間加熱還流した。反応稜、無機
物を濾別し、トルエンを留去後、エタノールで再結晶製
造し、下記化合物15g(0,0600moA’)勿得
た。
,0840mol )と無水THF120mの混合溶液
に、無水TI(F50m1/に溶解して滴下し、1時間
室温で反応させた後、この溶液の中に9%H(J200
R/及び水200m1を加え、生成物をトルエンで抽出
、水洗、乾燥し抽出液からトルエンを留去した。得られ
た抽状物をトルエン300m1に溶解し、この溶液に更
に硫酸水素カリウム3g([1,0220mol )を
加え、除水しながら1時間加熱還流した。反応稜、無機
物を濾別し、トルエンを留去後、エタノールで再結晶製
造し、下記化合物15g(0,0600moA’)勿得
た。
仁の化合物kl 、1+2)リクロルエタン200m/
に溶解し、室温下で臭素9.69 (0,0600mo
/)を滴下し、1時間反応させた。反応液にメタノール
150罰を加え、冷却して析出する結晶を濾取し、メタ
ノールで洗滌、乾燥した。得られた化合物をN、N−ジ
メチルホルムアミド1[IQm/!に溶解し、この溶液
に更に1.5−ジアザビシクロ[5,4,01ウンデセ
y−5149(0,0921mol )を加え、2時間
加熱還流した。冷後、希塩酸を加え酸性とした後、生成
物を酢酸エチルで抽出、水洗、乾燥し溶媒を留去後、メ
タノールで再結晶精製を行ない、下記化合物8.70g
(0,0351moAりを得た。
に溶解し、室温下で臭素9.69 (0,0600mo
/)を滴下し、1時間反応させた。反応液にメタノール
150罰を加え、冷却して析出する結晶を濾取し、メタ
ノールで洗滌、乾燥した。得られた化合物をN、N−ジ
メチルホルムアミド1[IQm/!に溶解し、この溶液
に更に1.5−ジアザビシクロ[5,4,01ウンデセ
y−5149(0,0921mol )を加え、2時間
加熱還流した。冷後、希塩酸を加え酸性とした後、生成
物を酢酸エチルで抽出、水洗、乾燥し溶媒を留去後、メ
タノールで再結晶精製を行ない、下記化合物8.70g
(0,0351moAりを得た。
収 率 46.7%
転移温度 51℃(C−)I)
実施例2
実施例1と同様にして下記化合物を得た。
収 率 43.5%
転移温度 73℃(C→工)
実施例3
実施例1と同様にして下記化合物を得た。
収 率 45.6%
転移温度 22℃(C→■)
15℃(I口N)
実施例4
実施例1と同様にして下記化合物を得た。
収 率 45.1%
転移温度 41℃(C→I)
実施例5
実施例1と同様にして下記化合物を得た。
収 率 45.4%
転移温度 26℃(C→I)
21℃(■→N)
第1図は本発明に係る化合物の1つである腐1の化合物
及び低粘度液晶の公知化合物a)の夫々を現在汎用され
ている母体液晶(Alに添加して得られる混合液晶の粘
度と屈折率の異方性Δnの関係を示す図表である。 代理人 弁理士 高 橋 勝 利
及び低粘度液晶の公知化合物a)の夫々を現在汎用され
ている母体液晶(Alに添加して得られる混合液晶の粘
度と屈折率の異方性Δnの関係を示す図表である。 代理人 弁理士 高 橋 勝 利
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔式中、R及びR′はそれぞれ独立的に炭素原子数1〜
5の直鎖状アルキル基を表わす。〕 で表わされる化合物。
Priority Applications (7)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12448984A JPS615031A (ja) | 1984-06-19 | 1984-06-19 | 新規トラン系炭化水素化合物 |
GB08501733A GB2155465B (en) | 1984-01-23 | 1985-01-23 | Tolan-type nematic liquid crystalline compounds |
US07/014,256 US4820878A (en) | 1984-01-23 | 1987-02-11 | Tolan-type nematic liquid crystalline compounds |
US07/014,262 US4705905A (en) | 1984-01-23 | 1987-02-11 | Tolan-type nematic liquid crystalline compounds |
US07/014,257 US4705870A (en) | 1984-01-23 | 1987-02-11 | Tolan-type nematic liquid crystalline compounds |
US07/014,259 US4713468A (en) | 1984-01-23 | 1987-02-11 | Tolan-type nematic liquid crystalline compounds |
US07/042,524 US4726910A (en) | 1984-01-23 | 1987-04-27 | Tolan-type nematic liquid crystalline compounds |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12448984A JPS615031A (ja) | 1984-06-19 | 1984-06-19 | 新規トラン系炭化水素化合物 |
Related Child Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP6110027A Division JP2545760B2 (ja) | 1994-05-24 | 1994-05-24 | トラン系炭化水素化合物を含有するネマチック液晶組成物 |
JP6109544A Division JP2503939B2 (ja) | 1994-05-24 | 1994-05-24 | トラン系炭化水素化合物 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS615031A true JPS615031A (ja) | 1986-01-10 |
JPH0557313B2 JPH0557313B2 (ja) | 1993-08-23 |
Family
ID=14886772
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP12448984A Granted JPS615031A (ja) | 1984-01-23 | 1984-06-19 | 新規トラン系炭化水素化合物 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS615031A (ja) |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63125593A (ja) * | 1986-11-14 | 1988-05-28 | Casio Comput Co Ltd | 液晶組成物 |
WO1989005846A1 (en) * | 1987-12-14 | 1989-06-29 | Chisso Corporation | Liquid crystal composition |
JPH01174592A (ja) * | 1987-12-28 | 1989-07-11 | Casio Comput Co Ltd | 液晶組成物 |
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JPH01308486A (ja) * | 1987-12-28 | 1989-12-13 | Casio Comput Co Ltd | 液晶組成物 |
US5262084A (en) * | 1987-12-14 | 1993-11-16 | Chisso Corporation | Liquid crystal composition |
US5833879A (en) * | 1995-02-15 | 1998-11-10 | Chisso Corporation | Liquid crystalline alkynyltolan compound, liquid crystal composition and liquid crystal display element |
WO2023157909A1 (ja) * | 2022-02-17 | 2023-08-24 | 関東電化工業株式会社 | ジアリールアセチレン誘導体の製造方法 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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FR2161285A6 (ja) * | 1971-11-19 | 1973-07-06 | Anvar |
-
1984
- 1984-06-19 JP JP12448984A patent/JPS615031A/ja active Granted
Patent Citations (2)
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EP0364588B1 (en) * | 1987-12-14 | 1993-02-10 | Chisso Corporation | Liquid crystal composition |
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WO2023157909A1 (ja) * | 2022-02-17 | 2023-08-24 | 関東電化工業株式会社 | ジアリールアセチレン誘導体の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0557313B2 (ja) | 1993-08-23 |
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