JP2638099B2 - 3環系シクロヘキセニルシクロヘキサン誘導体 - Google Patents
3環系シクロヘキセニルシクロヘキサン誘導体Info
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
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- C07C43/02—Ethers
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- C07—ORGANIC CHEMISTRY
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- C07C2601/12—Systems containing only non-condensed rings with a six-membered ring
- C07C2601/16—Systems containing only non-condensed rings with a six-membered ring the ring being unsaturated
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Materials Engineering (AREA)
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- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は電気光学的表示材料として有用な新規シクロ
ヘキセン誘導体に関する。
ヘキセン誘導体に関する。
液晶表示セルの代表的なものにエム・シャット(M・
Schadt)等〔APPLIED PHYSIED LETTERS18,127〜128(19
71)〕によって提案された電解効果型セル(フィールド
・エフェクト・モード・セル)又はジー・エイチ・ハイ
ルマイー(G・H・Heilmeier)等〔PROCEEDING OF THE
I.E.E.E.56 1162〜1171(1968)〕によって提案された
動的光散型セル(ダイナミック・クキャッタリングモー
ド・セル)又はジー・エイチ・ハイルマイヤー(G・H
・Heilmeier)等〔APPLIED PHYSICSLETTERS 13,91(196
8)〕あるいはディー・エル・ホワイト(D・L・Whit
e)等〔JOURNAL OF APPLIDE PHYSICS 45,4718(197
4)〕によって提案されたゲスト・ホスト型セルなどが
ある。
Schadt)等〔APPLIED PHYSIED LETTERS18,127〜128(19
71)〕によって提案された電解効果型セル(フィールド
・エフェクト・モード・セル)又はジー・エイチ・ハイ
ルマイー(G・H・Heilmeier)等〔PROCEEDING OF THE
I.E.E.E.56 1162〜1171(1968)〕によって提案された
動的光散型セル(ダイナミック・クキャッタリングモー
ド・セル)又はジー・エイチ・ハイルマイヤー(G・H
・Heilmeier)等〔APPLIED PHYSICSLETTERS 13,91(196
8)〕あるいはディー・エル・ホワイト(D・L・Whit
e)等〔JOURNAL OF APPLIDE PHYSICS 45,4718(197
4)〕によって提案されたゲスト・ホスト型セルなどが
ある。
これらの液晶表示セルの中で現在主流をなすものは、
電解効果型セルの一種のTN型セルである。このTN型セル
においては、G.BauerによってMol.Cryst.Liq.Cryst.63,
45(1981)に報告されているように、セル外観を損う原
因となるセル表面での干渉縞の発生を防止するために、
セルに充填される液晶材料の屈折率の異方性(Δn)と
セルにおける液晶層の厚さ(d)μmの積を或る特定の
値に設定する必要がある。実用的に使用される液晶表示
セルでは、Δn・dの値が0.5、1.0、1.6又は2.2のいず
れかに設定されて詠いる。通常、Δn・dの値を0.5に
設定した場合、視角特性が良くなるという特徴があり、
Δn・dの値を1.0、1.6又は2.2に設定した場合、正面
からのコントラストが良くなるという特徴がある。従っ
て、どの方向からも見やすい視角特性を重視する液晶表
示セルの場合は、Δn・dの値を0.5に設定し、特に正
面からのコントラストを重視する液晶表示セルの場合
は、Δn・dの値を1.0、1.6又は2.2に設定するのが普
通である。
電解効果型セルの一種のTN型セルである。このTN型セル
においては、G.BauerによってMol.Cryst.Liq.Cryst.63,
45(1981)に報告されているように、セル外観を損う原
因となるセル表面での干渉縞の発生を防止するために、
セルに充填される液晶材料の屈折率の異方性(Δn)と
セルにおける液晶層の厚さ(d)μmの積を或る特定の
値に設定する必要がある。実用的に使用される液晶表示
セルでは、Δn・dの値が0.5、1.0、1.6又は2.2のいず
れかに設定されて詠いる。通常、Δn・dの値を0.5に
設定した場合、視角特性が良くなるという特徴があり、
Δn・dの値を1.0、1.6又は2.2に設定した場合、正面
からのコントラストが良くなるという特徴がある。従っ
て、どの方向からも見やすい視角特性を重視する液晶表
示セルの場合は、Δn・dの値を0.5に設定し、特に正
面からのコントラストを重視する液晶表示セルの場合
は、Δn・dの値を1.0、1.6又は2.2に設定するのが普
通である。
一方、実用的に使用されている液晶表示セルにおける
液晶層の厚さは、通常、6〜10μmの限定された範囲で
或る値に設定されるため、Δn・dの値を0.5に設定す
る場合は、Δnの値の小さな液晶材料が必要となり、Δ
n・dの値を1.0、1.6又は2.2に設定する場合は、逆
に、Δnの値の大きな液晶材料が必要となる。このよう
に、液晶表示セルの表示特性に応じてΔnの値が小さい
液晶材料とΔnの値が大きい液晶材料が必要とされる。
液晶層の厚さは、通常、6〜10μmの限定された範囲で
或る値に設定されるため、Δn・dの値を0.5に設定す
る場合は、Δnの値の小さな液晶材料が必要となり、Δ
n・dの値を1.0、1.6又は2.2に設定する場合は、逆
に、Δnの値の大きな液晶材料が必要となる。このよう
に、液晶表示セルの表示特性に応じてΔnの値が小さい
液晶材料とΔnの値が大きい液晶材料が必要とされる。
一方、実用可能な液晶材料の多くは、通造、室温付近
にネマチック相を有する化合物と室温より高い温度領域
にネマチック相を有する化合物から成る数値又はそれ以
上の成分を混合することによって調整される。現在実用
的に使用される上記の如き混合液晶の多くは、少なくと
も−30℃〜65℃の全温度範囲に亘ってネマチック相を有
することが要求されているため、室温付近又は室温より
高い温度領域にネマチック相を有する液晶材料が必要と
されている。
にネマチック相を有する化合物と室温より高い温度領域
にネマチック相を有する化合物から成る数値又はそれ以
上の成分を混合することによって調整される。現在実用
的に使用される上記の如き混合液晶の多くは、少なくと
も−30℃〜65℃の全温度範囲に亘ってネマチック相を有
することが要求されているため、室温付近又は室温より
高い温度領域にネマチック相を有する液晶材料が必要と
されている。
本発明が解決しようとする課題は、現在母体液晶とし
て実用的に汎用されているネマチック混合の液量に添加
することによって、混合液晶のΔnの値を現象させ、か
つネマチック相を示す温度範囲の上限であるネマチック
相−等方性液体相転移温度(以下、N−I点という。)
を上昇させることができる新規な化合物の提供にある。
て実用的に汎用されているネマチック混合の液量に添加
することによって、混合液晶のΔnの値を現象させ、か
つネマチック相を示す温度範囲の上限であるネマチック
相−等方性液体相転移温度(以下、N−I点という。)
を上昇させることができる新規な化合物の提供にある。
本発明は上記課題を解決するために、 一般式 〔式中、Rは炭素原子数1〜9の直鎖状アルキル基を表
わし、R′は炭素原子数1〜9の直鎖状アルキル基又は
トランス−クロチル基を表わす。
わし、R′は炭素原子数1〜9の直鎖状アルキル基又は
トランス−クロチル基を表わす。
のうち1つの環は を表わし、他の2つの環は を表わす。シクロヘキサン環はトランス配置である。〕 で表わされる化合物を提供する。
本発明に係わる式(I)の化合物は、例えば、次に述
べる製造方法(1)、(2)、及び(3)に従って製造
することができる。
べる製造方法(1)、(2)、及び(3)に従って製造
することができる。
製造方法(1): (上記反応式におけるR及びR′は夫々、式(I)にお
けるR及びR′と同じ意味をもつ。) 式(II)で表わされる化合物をp−トルエンスルホン
酸・1水和物の如き酸性触媒の存在下で、オルトぎ酸ト
リアルキルと室温で反応させた後、減圧下に温度を徐々
に上げながら生成するアルカノールとぎ酸アルキルを除
去して、本発明に係わる式(I−a)の化合物を製造す
る。
けるR及びR′と同じ意味をもつ。) 式(II)で表わされる化合物をp−トルエンスルホン
酸・1水和物の如き酸性触媒の存在下で、オルトぎ酸ト
リアルキルと室温で反応させた後、減圧下に温度を徐々
に上げながら生成するアルカノールとぎ酸アルキルを除
去して、本発明に係わる式(I−a)の化合物を製造す
る。
製造方法(2): (上記反応式におけるRD及びR′は夫々、式(I)にお
けるR及びR′と同じ意味を持つ。m及びnは0又は1
を表わし、m=0の場合はn=1を表わし、m=1の場
合はn=0を夫々表わす。) 第1段階−式(IV)で表わされる化合物をテトラヒド
ロフラン(以下、THFという。)の如きエーテル系溶媒
と、エタノールの如きアルコール系溶媒との混合溶媒中
で、水素化ホウ素ナトリウムで還元して、式(V)の化
合物を製造する。
けるR及びR′と同じ意味を持つ。m及びnは0又は1
を表わし、m=0の場合はn=1を表わし、m=1の場
合はn=0を夫々表わす。) 第1段階−式(IV)で表わされる化合物をテトラヒド
ロフラン(以下、THFという。)の如きエーテル系溶媒
と、エタノールの如きアルコール系溶媒との混合溶媒中
で、水素化ホウ素ナトリウムで還元して、式(V)の化
合物を製造する。
第2段階−式(V)の化合物を無水THF中で、水素化
ナトリウムの存在下に、よう化アルキルと反応させて、
式(VI)の化合物を製造する。
ナトリウムの存在下に、よう化アルキルと反応させて、
式(VI)の化合物を製造する。
第3段階−式(VI)の化合物をトルエンの如き不活性
溶媒中で、希硫酸の如き酸性水溶液と還流温度で反応さ
せて加水分解し、式(VII)の化合物を製造する。
溶媒中で、希硫酸の如き酸性水溶液と還流温度で反応さ
せて加水分解し、式(VII)の化合物を製造する。
第4段階−式(VIII)の化合物は、無水ジエチルエー
テル中でリチウムと還流温度で4〜7時間反応させて
詠、式(IX)の化合物を製造する。
テル中でリチウムと還流温度で4〜7時間反応させて
詠、式(IX)の化合物を製造する。
第5段階−式(VIII)の化合物を無水ヂエチルエーテ
ルの如きエーテル系溶媒に溶解し、この溶液を、前段階
で得た(IX)の加望物の無水ジエチルエーテル溶液中
に、−15〜0℃で加えた後、さらに0〜25℃で30分間反
応させる。反応混合物を冷水中に加えて加水分解し、反
応生成物をトルエンで抽出した後、抽出液を水洗、乾燥
し、抽出液から溶媒を留去して、式(X)の化合物を製
造する。
ルの如きエーテル系溶媒に溶解し、この溶液を、前段階
で得た(IX)の加望物の無水ジエチルエーテル溶液中
に、−15〜0℃で加えた後、さらに0〜25℃で30分間反
応させる。反応混合物を冷水中に加えて加水分解し、反
応生成物をトルエンで抽出した後、抽出液を水洗、乾燥
し、抽出液から溶媒を留去して、式(X)の化合物を製
造する。
第6段階−式(X)の化合物を、トルエンに溶解し、
この溶液を、アセトニトリル中でクロロトリメチルシラ
ンとよう化ナトリウムから調整したヨードトリメチルシ
ランのアセトニトリル溶液中に加えて、5〜10℃で30分
〜1時間反応させることによって、式(X)の化合部打
から、式(XI)の化合物、式(XIII−a)及び式(XIII
−b)の化合物を経て、式(XIV−a)、式(XIV−
b)、式(XV−a)及び式(XV−b)の化合物から成る
反応混合物を製造する。
この溶液を、アセトニトリル中でクロロトリメチルシラ
ンとよう化ナトリウムから調整したヨードトリメチルシ
ランのアセトニトリル溶液中に加えて、5〜10℃で30分
〜1時間反応させることによって、式(X)の化合部打
から、式(XI)の化合物、式(XIII−a)及び式(XIII
−b)の化合物を経て、式(XIV−a)、式(XIV−
b)、式(XV−a)及び式(XV−b)の化合物から成る
反応混合物を製造する。
この反応混合物に1,8−ジアザ−ビシクロ(5,4,0)ウ
ンデセン−7(以下、DUBという。)の如き塩基を加え
て、5〜30℃で3〜5時間、還流温度で1時間反応させ
る。反応混合物に水を加えた後、反応生成物をトルエン
で抽出し、抽出液を希塩酸、飽和酸性亜硫酸ナトリウム
水溶液、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液、飽和食塩水で
順次洗浄し、乾燥した後、この抽出液から溶液を留去す
る。
ンデセン−7(以下、DUBという。)の如き塩基を加え
て、5〜30℃で3〜5時間、還流温度で1時間反応させ
る。反応混合物に水を加えた後、反応生成物をトルエン
で抽出し、抽出液を希塩酸、飽和酸性亜硫酸ナトリウム
水溶液、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液、飽和食塩水で
順次洗浄し、乾燥した後、この抽出液から溶液を留去す
る。
反応粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー
によって精製した後、エタノールから再結晶させて精製
し、本発明に係わる式(I−b)及び式(I−c)の化
合物の混合物を製造する。
によって精製した後、エタノールから再結晶させて精製
し、本発明に係わる式(I−b)及び式(I−c)の化
合物の混合物を製造する。
次いで、高速液体クロマトグラフィーを使用して、式
(I−b)及び式(I−c)の化合物の混合物から式
(I−b)及び式(I−c)の化合物を夫々単離した
後、この単離した化合物をエタノールから各々再結晶さ
せることによって、本発明に係わる式(I−b)及び
(I−c)の化合物を製造する。
(I−b)及び式(I−c)の化合物の混合物から式
(I−b)及び式(I−c)の化合物を夫々単離した
後、この単離した化合物をエタノールから各々再結晶さ
せることによって、本発明に係わる式(I−b)及び
(I−c)の化合物を製造する。
製造方法(3): (上記反応式におけるR及びR′は夫々式(I)におけ
るR及びR′と同じ意味をもつ。) 第1段階−式(XVI)の化合物を無水THF中で、n−ア
ルキルマグネシウムブロマイドと反応させて式(XVII)
の化合物を製造する。
るR及びR′と同じ意味をもつ。) 第1段階−式(XVI)の化合物を無水THF中で、n−ア
ルキルマグネシウムブロマイドと反応させて式(XVII)
の化合物を製造する。
第2段階−式(XVII)の化合物をトルエン中で、p−
トルエンスルホン酸・1水和物の如き酸性触媒の存在下
に、還流温度で反応させて脱水し、本発明に係わる式
(I−d)の化合物を製造する。
トルエンスルホン酸・1水和物の如き酸性触媒の存在下
に、還流温度で反応させて脱水し、本発明に係わる式
(I−d)の化合物を製造する。
斯くして製造された本発明に係わる式(I)の化合物
の代表的なものの転移温度を第1表に掲げる。
の代表的なものの転移温度を第1表に掲げる。
なお、上記第1表に示した各化合物は、室温において
スメチック相を示した。
スメチック相を示した。
本発明の一般式(I)の化合物において、 及び のうちの1つの環は を表わし、他の2つの環は を表すが、 であってよく、 であってよく、 は であってよいが、このとき、Rはn−プロピル基であっ
てよく、R′はエチル基であってよい。
てよく、R′はエチル基であってよい。
本発明に係る式(I)の化合物は弱い負の誘電率異方
性を有するスメクチック液晶化合部物又はネマチック液
晶化合物であり、従って例えば、負の誘電率異方性を有
する他のネマチック液晶化合部物と混合物の状態で動的
光散乱型表示セルの材料として使用することができ、ま
た正の誘電率異方性を有する他のネマチック液晶化合物
との混合物の状態で電解効果表示セルの材料として使用
することができる。
性を有するスメクチック液晶化合部物又はネマチック液
晶化合物であり、従って例えば、負の誘電率異方性を有
する他のネマチック液晶化合部物と混合物の状態で動的
光散乱型表示セルの材料として使用することができ、ま
た正の誘電率異方性を有する他のネマチック液晶化合物
との混合物の状態で電解効果表示セルの材料として使用
することができる。
このように、式’(I)の化合物と混合して使用する
ことのできる好ましい代表例としては、例えば4−置換
安息香酸4′−置換フェニルエステル、4−置換シクロ
ヘキサンカルボン酸4′−置換フェニルエステル4−置
換シクロヘキサンカルボン酸4′−置換ビフェニルエス
テル、4−(4−置換シクロヘキサンカルボニルオキ
シ)安息香酸4′−置換フェニレンエステル、4−(4
−置換シクロヘキシル)安息香酸4′−置換フェニルエ
ステル、4−(4−置換シクロヘキシル)安息香酸4′
−置換シクロヘキシルエステル、4−置換4′−置換ビ
フェニル、4−置換フェニル−4′−置換シクロヘキサ
ン、4−置換4″−置換ターフェニル、4−置換ビフェ
ニル4′−置換シクロヘキサン、2−(4′−置換フェ
ニル)−5−置換ピリンミジンなどを挙げることができ
る。
ことのできる好ましい代表例としては、例えば4−置換
安息香酸4′−置換フェニルエステル、4−置換シクロ
ヘキサンカルボン酸4′−置換フェニルエステル4−置
換シクロヘキサンカルボン酸4′−置換ビフェニルエス
テル、4−(4−置換シクロヘキサンカルボニルオキ
シ)安息香酸4′−置換フェニレンエステル、4−(4
−置換シクロヘキシル)安息香酸4′−置換フェニルエ
ステル、4−(4−置換シクロヘキシル)安息香酸4′
−置換シクロヘキシルエステル、4−置換4′−置換ビ
フェニル、4−置換フェニル−4′−置換シクロヘキサ
ン、4−置換4″−置換ターフェニル、4−置換ビフェ
ニル4′−置換シクロヘキサン、2−(4′−置換フェ
ニル)−5−置換ピリンミジンなどを挙げることができ
る。
第2表は、ネマチック液晶材料として現在母体液晶と
して実用的に汎用されている混合液晶(A)の80重量%
と第1表に示した式(I)の化合物No.1の10重量%及び
化合物No.2の10重量%とから成る混合液晶(B)と、混
合液晶(A)の80重量%と化合物No.3の10重量%及び化
合物No.4の10重量%とから成る混合液晶(C)について
測定されたN−I点とΔnの値を掲示し、比較のために
混合液晶(A)について測定されたN−I点とΔnの値
を掲示したものである。
して実用的に汎用されている混合液晶(A)の80重量%
と第1表に示した式(I)の化合物No.1の10重量%及び
化合物No.2の10重量%とから成る混合液晶(B)と、混
合液晶(A)の80重量%と化合物No.3の10重量%及び化
合物No.4の10重量%とから成る混合液晶(C)について
測定されたN−I点とΔnの値を掲示し、比較のために
混合液晶(A)について測定されたN−I点とΔnの値
を掲示したものである。
尚、混合液晶(A)は、 20重量%の 16重量%の 16重量%の 8重量%の 8重量%の 8重量%の 8重量%の 8重量%の 及び 8重量%の から成るものである。
第2表に掲示したデータから、式(I)の化合物は、
混合液晶(A)のΔn値を減少させ、かつN−I点を大
幅に上昇させることが理解できる。
混合液晶(A)のΔn値を減少させ、かつN−I点を大
幅に上昇させることが理解できる。
実施例1 で表わされる化合物30.0g(0.126モル)をTHF60mlとエ
タノール30mlの混合溶媒に溶解し、この溶液を撹拌及び
冷却しながら水素書ホウ素ナトリウム2.4g(0.063モ
ル)を少量ずつ加えた後、更に室温で2時間反応させ
た。反応混合物を氷冷した飽和塩化トルエンアンモニウ
ム水溶液に加えた後、反応生成物をトルエンで抽出し、
抽出液を水洗、乾燥後、この液から溶媒を留去して、下
記化合物を含む粗生成物30.0gを得た。
タノール30mlの混合溶媒に溶解し、この溶液を撹拌及び
冷却しながら水素書ホウ素ナトリウム2.4g(0.063モ
ル)を少量ずつ加えた後、更に室温で2時間反応させ
た。反応混合物を氷冷した飽和塩化トルエンアンモニウ
ム水溶液に加えた後、反応生成物をトルエンで抽出し、
抽出液を水洗、乾燥後、この液から溶媒を留去して、下
記化合物を含む粗生成物30.0gを得た。
この粗生成物30.0gを無水THF150mlに溶解し、この溶
液を、50%水素化ナトリウム15g(0.31モル)とよう化
エチル48g(0.31モル)の無水THF懸濁液150ml中に還流
温度で滴下した後、更に同温度で8時間反応させた。冷
却後、反応混合物を冷水中に加え、反応生成物をトルエ
ンで抽出し、抽出液を水洗、乾燥後、この液から溶媒を
留去して下記化合物を含む粗生成物38.7gを得た。
液を、50%水素化ナトリウム15g(0.31モル)とよう化
エチル48g(0.31モル)の無水THF懸濁液150ml中に還流
温度で滴下した後、更に同温度で8時間反応させた。冷
却後、反応混合物を冷水中に加え、反応生成物をトルエ
ンで抽出し、抽出液を水洗、乾燥後、この液から溶媒を
留去して下記化合物を含む粗生成物38.7gを得た。
この粗生成物38.7gをトルエン80mlに溶解し、この溶
液に10%硫酸80mlを加えた後、これらを撹拌しながら還
流温度で4時間反応させた。反応終了後、反応混合物を
冷却し、トルエン層を飽和炭酸水素ナトリウム溶液及び
飽和食塩水で順次洗浄し、乾燥させた後、トルエンを留
去した。得られた粗生成物をn−ヘキサンから再結晶さ
れて精製し、下記化合物19.8g(0.088モル)を得た。
(収率70%) 次に で表わされる化合物3.0g(0.019モル)を無水ジエチル
エーテル9mgに溶解し、この溶液にリチウム0.26g(0.03
8グラム原子)を加えた後、撹拌しながら還流温度で4
時間反応させた。反応終了後、反応混合物を冷却し、こ
の反応混合物に、前段階で得られた式 で表わされる化合物3.5g(0.016モル)の無水ジエチル
エーテル溶液11mlを−13〜−2℃で滴下し後、更に室温
で30分間反応させた。反応混合物を冷水中に加えた後、
乾燥した後、溶媒を留去して下記化合物を含む粗生成物
置5.2gを得た。
液に10%硫酸80mlを加えた後、これらを撹拌しながら還
流温度で4時間反応させた。反応終了後、反応混合物を
冷却し、トルエン層を飽和炭酸水素ナトリウム溶液及び
飽和食塩水で順次洗浄し、乾燥させた後、トルエンを留
去した。得られた粗生成物をn−ヘキサンから再結晶さ
れて精製し、下記化合物19.8g(0.088モル)を得た。
(収率70%) 次に で表わされる化合物3.0g(0.019モル)を無水ジエチル
エーテル9mgに溶解し、この溶液にリチウム0.26g(0.03
8グラム原子)を加えた後、撹拌しながら還流温度で4
時間反応させた。反応終了後、反応混合物を冷却し、こ
の反応混合物に、前段階で得られた式 で表わされる化合物3.5g(0.016モル)の無水ジエチル
エーテル溶液11mlを−13〜−2℃で滴下し後、更に室温
で30分間反応させた。反応混合物を冷水中に加えた後、
乾燥した後、溶媒を留去して下記化合物を含む粗生成物
置5.2gを得た。
次に、ヨウ化ナトリウム8.4g(0.056モル)をアセト
ニトリル35mlに溶解し、この溶液にクロロトリメチルシ
ラン6.1g(0.056モル)を滴下して得た溶液中に、前段
階で得た粗生成物のトルエン溶液20mlを、撹拌下に5〜
10℃で滴下した後、更に同温度で30分間反応させた。反
応混合物にDUB9.7g(0.064モル)を10〜15℃で滴下した
後、更に室温(25℃)で5時間、還流温度で1時間反応
させた。この反応混合物を冷却した後、希塩酸を加え、
反応生成物をトルエンで抽出液を希塩酸、飽和酸性亜硫
酸ナトリウム水溶液、飽和酸水素ナトリウム水溶液、飽
和食塩水で順次洗浄し、次いで乾燥した後、溶媒を留去
して粗生成物を得た。
ニトリル35mlに溶解し、この溶液にクロロトリメチルシ
ラン6.1g(0.056モル)を滴下して得た溶液中に、前段
階で得た粗生成物のトルエン溶液20mlを、撹拌下に5〜
10℃で滴下した後、更に同温度で30分間反応させた。反
応混合物にDUB9.7g(0.064モル)を10〜15℃で滴下した
後、更に室温(25℃)で5時間、還流温度で1時間反応
させた。この反応混合物を冷却した後、希塩酸を加え、
反応生成物をトルエンで抽出液を希塩酸、飽和酸性亜硫
酸ナトリウム水溶液、飽和酸水素ナトリウム水溶液、飽
和食塩水で順次洗浄し、次いで乾燥した後、溶媒を留去
して粗生成物を得た。
この反応粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフ
ィー(展開溶媒;n−ヘキサン:トルエン=1:1)を用い
て精製した後、エタノールから再結晶させて精製し、下
記の2種類の化合物の混合物2.5g(0.0075モル)を得
た。(収率47%) この混合物は、室温においてスメクチック相を示し、
透明点は160〜165℃であった。
ィー(展開溶媒;n−ヘキサン:トルエン=1:1)を用い
て精製した後、エタノールから再結晶させて精製し、下
記の2種類の化合物の混合物2.5g(0.0075モル)を得
た。(収率47%) この混合物は、室温においてスメクチック相を示し、
透明点は160〜165℃であった。
この混合物を高速液体クロマトグラフィーを使用して
分離した後、分離した化合物をエタノールから各々再結
晶させて精製し、下記化合物を各々得た。
分離した後、分離した化合物をエタノールから各々再結
晶させて精製し、下記化合物を各々得た。
これらの化合物は、室温においてスメクチック相を示
した。
した。
転移温度 174℃(SI) 転移温度 158℃(SI) 実施例2 実施例1において、 で表わされる化合物に代えて、 で表わされる化合物19.7gを用い更に で表わされる化合物に代えて、 で表わされる化合物4.6gを用いる以外は、実施例1と同
様にして下記の2種類の化合物の混合物を得た。
様にして下記の2種類の化合物の混合物を得た。
この混合物は、室温においてスメクチック相を示し、
透明点は167〜172℃であった。
透明点は167〜172℃であった。
この混合物を実施例1と同様にして分離・精製し、下
記化合部を各々得た。
記化合部を各々得た。
これらの化合物は、室温においてスメクチック相を示
した。
した。
転移温度 156℃(SI) 転移温度 172℃(SN) 176℃(NI) 〔発明の効果〕 本発明に係わる式(I)の化合物は、現在母体液晶と
して実用的に汎用されているネマチック混合液晶に混合
することによって、混合液晶のΔnの値を減少させ、而
もN−I点を大幅に上昇させることができる化合物であ
る。
して実用的に汎用されているネマチック混合液晶に混合
することによって、混合液晶のΔnの値を減少させ、而
もN−I点を大幅に上昇させることができる化合物であ
る。
従って、本発明に係わる式(I)の化合物は、視角特
性及び高温駆動性に優れた液晶表示セルを製造するため
の材料として極めて有用である。
性及び高温駆動性に優れた液晶表示セルを製造するため
の材料として極めて有用である。
Claims (5)
- 【請求項1】一般式(I) 〔式中、Rは炭素原子数1〜9の直鎖状アルキル基を表
わし、R′は炭素原子数1〜9の直鎖状アルキル基又は
トランス−クロチル基を表わす。 を表わす。シクロヘキサン環はトランス配置である。〕 で表わされる化合物。 - 【請求項2】 である請求項1記載の化合物。
- 【請求項3】 である請求項1記載の化合物。
- 【請求項4】 である請求項1記載の化合物。
- 【請求項5】請求項1、2、3又は4記載の化合物を含
有するネマチック液晶組成物。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63178086A JP2638099B2 (ja) | 1988-07-19 | 1988-07-19 | 3環系シクロヘキセニルシクロヘキサン誘導体 |
US07/381,357 US4964616A (en) | 1988-07-19 | 1989-07-18 | Tricyclic cyclohexenyl cyclohexane derivative |
EP89113247A EP0351822B1 (en) | 1988-07-19 | 1989-07-19 | Tricyclic cyclohexenyl cyclohexane derivative |
DE68916329T DE68916329T2 (de) | 1988-07-19 | 1989-07-19 | Tricyclisches Derivat von Cyclohexenylcyclohexan. |
HK98104422A HK1005312A1 (en) | 1988-07-19 | 1998-05-22 | Tricyclic cylohexenyl cyclohexane derivative |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63178086A JP2638099B2 (ja) | 1988-07-19 | 1988-07-19 | 3環系シクロヘキセニルシクロヘキサン誘導体 |
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Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0232033A JPH0232033A (ja) | 1990-02-01 |
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ID=16042383
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63178086A Expired - Fee Related JP2638099B2 (ja) | 1988-07-19 | 1988-07-19 | 3環系シクロヘキセニルシクロヘキサン誘導体 |
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EP (1) | EP0351822B1 (ja) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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US4422951A (en) * | 1981-04-02 | 1983-12-27 | Chisso Corporation | Liquid crystal benzene derivatives |
US4477369A (en) * | 1982-01-22 | 1984-10-16 | Chisso Corporation | New high temperature liquid-crystalline substances consisting of 4 or 5 six-member-rings and liquid-crystalline compositions containing same |
EP0168701B1 (de) * | 1984-07-14 | 1988-11-02 | MERCK PATENT GmbH | Tercyclohexyle |
DE3510432A1 (de) * | 1985-03-22 | 1986-09-25 | Merck Patent Gmbh, 6100 Darmstadt | Cyclohexanderivate |
DE3510434A1 (de) * | 1985-03-22 | 1986-09-25 | Merck Patent Gmbh, 6100 Darmstadt | Cyclohexanderivate |
US4698177A (en) * | 1985-04-16 | 1987-10-06 | Dainippon Ink And Chemicals, Inc. | Cyclohexylcyclohexene derivatives |
US4654421A (en) * | 1985-06-20 | 1987-03-31 | Dainippon Ink And Chemicals, Inc. | 4-substituted phenyl crotyl ether derivative |
JPS6287533A (ja) * | 1985-10-14 | 1987-04-22 | Dainippon Ink & Chem Inc | 三環系炭化水素化合物 |
JPS6422830A (en) * | 1987-07-17 | 1989-01-25 | Dainippon Ink & Chemicals | Bicyclohexylcyclohexene derivative |
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1988
- 1988-07-19 JP JP63178086A patent/JP2638099B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1989
- 1989-07-18 US US07/381,357 patent/US4964616A/en not_active Expired - Lifetime
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-
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- 1998-05-22 HK HK98104422A patent/HK1005312A1/xx not_active IP Right Cessation
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Publication number | Publication date |
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DE68916329D1 (de) | 1994-07-28 |
HK1005312A1 (en) | 1998-12-31 |
EP0351822A3 (en) | 1991-03-20 |
JPH0232033A (ja) | 1990-02-01 |
DE68916329T2 (de) | 1995-03-30 |
EP0351822A2 (en) | 1990-01-24 |
US4964616A (en) | 1990-10-23 |
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