JPH0232033A - 3環系シクロヘキセニルシクロヘキサン誘導体 - Google Patents
3環系シクロヘキセニルシクロヘキサン誘導体Info
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- JPH0232033A JPH0232033A JP63178086A JP17808688A JPH0232033A JP H0232033 A JPH0232033 A JP H0232033A JP 63178086 A JP63178086 A JP 63178086A JP 17808688 A JP17808688 A JP 17808688A JP H0232033 A JPH0232033 A JP H0232033A
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-
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- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K19/00—Liquid crystal materials
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-
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- C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
- C07C43/00—Ethers; Compounds having groups, groups or groups
- C07C43/02—Ethers
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- C07C43/188—Unsaturated ethers
-
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- C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
- C07C2601/00—Systems containing only non-condensed rings
- C07C2601/12—Systems containing only non-condensed rings with a six-membered ring
- C07C2601/16—Systems containing only non-condensed rings with a six-membered ring the ring being unsaturated
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は電気光学的表示材料として有用な新規シクロへ
キシルシクロヘキセン誘導体に関スル。
キシルシクロヘキセン誘導体に関スル。
液晶表示セルの代表的なものにエム・シャット(M−8
chadt )等[APPLIED PHYSIC8L
ETTER818,127〜128(1971))によ
りて提案された電界効果型セル(フィールド・エフェク
ト・モード・セA/)又はノー・エイチ・バイルマイ
−(G・H−Heilmeier )等(PROCEE
DING OF THE 1.E、E、E。
chadt )等[APPLIED PHYSIC8L
ETTER818,127〜128(1971))によ
りて提案された電界効果型セル(フィールド・エフェク
ト・モード・セA/)又はノー・エイチ・バイルマイ
−(G・H−Heilmeier )等(PROCEE
DING OF THE 1.E、E、E。
56 1162〜1171(1968)]によりて提案
された動的光散型セル(ダイミ、り・スキャッタリング
・モード・セル)又はジー・エイテ・バイルマイヤー(
G−H−Heilmeier )等(APPLIED
PHffiIC8LETTER813、91(1968
) )あるいはデイ−・エル・ホワイト(I)L−Wh
ite )等(JOURNAL 0FAPPLIED
PHYSIC845、4718(1974) )によっ
て提案されたダスト・ホスト型セルなどがある。
された動的光散型セル(ダイミ、り・スキャッタリング
・モード・セル)又はジー・エイテ・バイルマイヤー(
G−H−Heilmeier )等(APPLIED
PHffiIC8LETTER813、91(1968
) )あるいはデイ−・エル・ホワイト(I)L−Wh
ite )等(JOURNAL 0FAPPLIED
PHYSIC845、4718(1974) )によっ
て提案されたダスト・ホスト型セルなどがある。
これらの液晶表示セルの中で現在主流をなすものは、電
界効果型セルの一種のTN型セルである。
界効果型セルの一種のTN型セルである。
このTN型セルにおいては、G、 Bau@rによりて
Mo1. Cryst、 Llq、 Cryst、 6
3 + 45(1981)に報告されているように、セ
ル外観を損う原因となるセル表面での干渉縞の発生を防
止するために、セルに充填される液晶材料の屈折率の異
方性(Δn)とセルにおける液晶層の厚さ(d)μmの
積を成る特定の値に設定する必要がある。実用的に使用
される液晶表示セルでは、Δn−dの値が0.5.1.
0゜1.6又は2.2のいずれかに設定されている。通
常、Δn−dの値t−0,5に設定した場合、視角特性
が良くなるという特徴があり、Δn−dの値’i 1.
0.1.6又は2.2に設定した場合、正面からのコン
トラストが良くなるという特徴がある。従って、どの方
向からも見やすい視角特性を重視する液晶表示セルの場
合は、Δn−dの値を0.5に設定し、特に正面からの
コントラス)?重視する液晶表示セルの場合は、Δn−
dの値i1.o、1.6又は2.2に設定するのが普通
である。
Mo1. Cryst、 Llq、 Cryst、 6
3 + 45(1981)に報告されているように、セ
ル外観を損う原因となるセル表面での干渉縞の発生を防
止するために、セルに充填される液晶材料の屈折率の異
方性(Δn)とセルにおける液晶層の厚さ(d)μmの
積を成る特定の値に設定する必要がある。実用的に使用
される液晶表示セルでは、Δn−dの値が0.5.1.
0゜1.6又は2.2のいずれかに設定されている。通
常、Δn−dの値t−0,5に設定した場合、視角特性
が良くなるという特徴があり、Δn−dの値’i 1.
0.1.6又は2.2に設定した場合、正面からのコン
トラストが良くなるという特徴がある。従って、どの方
向からも見やすい視角特性を重視する液晶表示セルの場
合は、Δn−dの値を0.5に設定し、特に正面からの
コントラス)?重視する液晶表示セルの場合は、Δn−
dの値i1.o、1.6又は2.2に設定するのが普通
である。
一方、実用的に使用されている液晶表示セルにおける液
晶層の厚さは、通常、6〜10μmの限定された範囲で
成る値に設定されるため、Δn−dの値ヲ0.5に設定
する場合は、Δnの値の小さな液晶材料が必要となり、
Δn−dの値’(i−1,0,1,6又は2.2に設定
する場合は、逆に、Δnの値の大きな液晶材料が必要と
なる。このように、液晶表示セルの表示特性に応じてΔ
nの値が小さい液晶材料とΔnの値が大きい液晶材料が
必要とされる。
晶層の厚さは、通常、6〜10μmの限定された範囲で
成る値に設定されるため、Δn−dの値ヲ0.5に設定
する場合は、Δnの値の小さな液晶材料が必要となり、
Δn−dの値’(i−1,0,1,6又は2.2に設定
する場合は、逆に、Δnの値の大きな液晶材料が必要と
なる。このように、液晶表示セルの表示特性に応じてΔ
nの値が小さい液晶材料とΔnの値が大きい液晶材料が
必要とされる。
一方、実用可能な液晶材料の多くは、通常、室温付近に
ネマチック相を有する化合物と室温より高い温度領域に
ネマチ、り相を有する化合物から成る数種又はそれ以上
の成分を混合するとと忙よって調製される。現在実用的
に使用される上記の如き混合液晶の多くは、少なくとも
一30℃〜+65℃の全温度範囲に亘ってネマチック相
を有することが要求されているため、室温付近又は室温
より高い温度領域にネマチック相を有する液晶材料が必
要とされている。
ネマチック相を有する化合物と室温より高い温度領域に
ネマチ、り相を有する化合物から成る数種又はそれ以上
の成分を混合するとと忙よって調製される。現在実用的
に使用される上記の如き混合液晶の多くは、少なくとも
一30℃〜+65℃の全温度範囲に亘ってネマチック相
を有することが要求されているため、室温付近又は室温
より高い温度領域にネマチック相を有する液晶材料が必
要とされている。
本発明が解決しようとする課題は、現在母体液晶として
実用的に汎用されているネマチ、り混合液晶に添加する
ことによって、混合液晶のΔnの値を減少させ、かつネ
マチック相を示す温度範囲の上限であるネマテ、り相−
等方性液体相転移温度(以下、N−I点という。)を上
昇させることができる新規な化合物の提供にある。
実用的に汎用されているネマチ、り混合液晶に添加する
ことによって、混合液晶のΔnの値を減少させ、かつネ
マチック相を示す温度範囲の上限であるネマテ、り相−
等方性液体相転移温度(以下、N−I点という。)を上
昇させることができる新規な化合物の提供にある。
本発明は上記課題を解決するために、
一般式
〔式中、RVi炭素原子数1〜9の直鎖状アルキル基を
表わし、R′は炭素原子数1〜9の直鎖状アルキル基又
はトランス−クロチル基金表わす。
表わし、R′は炭素原子数1〜9の直鎖状アルキル基又
はトランス−クロチル基金表わす。
ス装置である。〕
で表わされる化合物を提供する。
本発明に係わる式(I)の化合物は、例えば、次に述べ
る製造方法(1)、(2)、及び(3)に従って製造す
ることができる。
る製造方法(1)、(2)、及び(3)に従って製造す
ることができる。
製造方法(1):
(上記反応式におけるR及びR′は夫々、式(I)にお
けるR及びR′と同じ意+1tt−もつ。)式(n)で
表わされる化合物kp −)ルエンスルホン酸・1水和
物の如き酸性触媒の存在下で、オルトぎ酸トリアルキル
と室温で反応させた後、減圧下に温度を徐々に上げなが
ら生成するアルカノールと1!′酸アルキルを除去して
、本発明に係わる式(I−a)の化合物を製造する。
けるR及びR′と同じ意+1tt−もつ。)式(n)で
表わされる化合物kp −)ルエンスルホン酸・1水和
物の如き酸性触媒の存在下で、オルトぎ酸トリアルキル
と室温で反応させた後、減圧下に温度を徐々に上げなが
ら生成するアルカノールと1!′酸アルキルを除去して
、本発明に係わる式(I−a)の化合物を製造する。
製造方法(2):
(xm−a)
(上記反応式におけるR及びR′は夫々、式(I) K
おけるR及びR′と同じ意味を持つ。m及びnはO又は
11に表わし、m=0の場合はn = 1を表わし、m
=1の場合はn = Oを夫々表わす。)第1段階−式
(IV)で表わされる化合物をテトラヒドロフラン(以
下、THFという。)の如きエーテル系溶媒と、エタノ
ールの如キアルコール系溶媒との混合溶媒中で、水素化
ホウ素ナトリウムで還元して、式(v)の化合物を製造
する。
おけるR及びR′と同じ意味を持つ。m及びnはO又は
11に表わし、m=0の場合はn = 1を表わし、m
=1の場合はn = Oを夫々表わす。)第1段階−式
(IV)で表わされる化合物をテトラヒドロフラン(以
下、THFという。)の如きエーテル系溶媒と、エタノ
ールの如キアルコール系溶媒との混合溶媒中で、水素化
ホウ素ナトリウムで還元して、式(v)の化合物を製造
する。
第2段階−式(v)の化合物を無水THF中で1水素化
ナトリウムの存在下に、よう化アルキルと反応させて、
式(Vl)の化合物を製造する。
ナトリウムの存在下に、よう化アルキルと反応させて、
式(Vl)の化合物を製造する。
第3段階−式(VI)の化合物をトルエンの如き不活性
溶媒中で、希硫酸の如き酸性水溶液と還流温度で反応さ
せて加水分解し、式(■)の化合物を製造する。
溶媒中で、希硫酸の如き酸性水溶液と還流温度で反応さ
せて加水分解し、式(■)の化合物を製造する。
第4段階−式(■)の化合物を、無水ジエチルエーテル
中でリチウムと還流温度で4〜7時間反応させて、式(
IX)の化合物を製造する。
中でリチウムと還流温度で4〜7時間反応させて、式(
IX)の化合物を製造する。
第5段階−式(■)の化合物を無水ジエチルエーテルの
如きエーテル系溶媒に溶解し、この溶液を、前段階で得
た式(IX)の化合物の無水ジエチルエーテル溶液中に
、−15〜O℃で加えた後、さらに0〜25℃で30分
間反応させる。反応混合物を冷水中に加えて加水分解し
、反応生成物をトルエンで抽出した後、抽出液を水洗、
乾燥し、抽出液から溶媒を留去して、式(X)の化合物
を製造する。
如きエーテル系溶媒に溶解し、この溶液を、前段階で得
た式(IX)の化合物の無水ジエチルエーテル溶液中に
、−15〜O℃で加えた後、さらに0〜25℃で30分
間反応させる。反応混合物を冷水中に加えて加水分解し
、反応生成物をトルエンで抽出した後、抽出液を水洗、
乾燥し、抽出液から溶媒を留去して、式(X)の化合物
を製造する。
第6段階−式(X)の化合物を、トルエンに溶解し、こ
の溶液を、アセトニトリル中でクロロトリメチル7ラン
とよう化ナトリウムから調製したヨードトリメチルシラ
ンのアセトニトリル溶液中に加えて、5〜10℃で30
分〜1時間反応させることによって、式(X)の化合物
から、式(XI)の化合物、式(立)の化合物、弐□Q
n−a)及び式(X[n−b)の化合物を経て、式(X
[V−a) 、式(XIV−b) 、式(XV−a )
及び式(xv−b)の化合物から成る反応混合物を製造
する。
の溶液を、アセトニトリル中でクロロトリメチル7ラン
とよう化ナトリウムから調製したヨードトリメチルシラ
ンのアセトニトリル溶液中に加えて、5〜10℃で30
分〜1時間反応させることによって、式(X)の化合物
から、式(XI)の化合物、式(立)の化合物、弐□Q
n−a)及び式(X[n−b)の化合物を経て、式(X
[V−a) 、式(XIV−b) 、式(XV−a )
及び式(xv−b)の化合物から成る反応混合物を製造
する。
この反応混合物に1,8−ジアザ−ビシクロ(5,4,
0)ウンデセン−7(以下、DBUという。)の如き塩
基を加えて、5〜30℃で3〜5時間、還流温度で1時
間反応させる。反応混合物に水を加えた後、反応生成物
をトルエンで抽出し・抽出液を希塩酸、飽和酸性亜m酸
す) IJウム水溶液、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液
、飽和食塩水で順次洗浄し、乾燥した後、この抽出液か
ら溶媒を留去する。
0)ウンデセン−7(以下、DBUという。)の如き塩
基を加えて、5〜30℃で3〜5時間、還流温度で1時
間反応させる。反応混合物に水を加えた後、反応生成物
をトルエンで抽出し・抽出液を希塩酸、飽和酸性亜m酸
す) IJウム水溶液、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液
、飽和食塩水で順次洗浄し、乾燥した後、この抽出液か
ら溶媒を留去する。
反応粗生成物をシリカダルカラムクロマトグラフィーに
よりて精製した後、エタノールから再結晶させて精製し
、本発明に係わる式(I−b)及び式(I−e)の化合
物の混合物を製造する。
よりて精製した後、エタノールから再結晶させて精製し
、本発明に係わる式(I−b)及び式(I−e)の化合
物の混合物を製造する。
次いで、高速液体クロマトグラフィーを使用して、式(
I−b)及び式(I−e)の化合物の混合物から式(I
−b)及び式(I−e)の化合物を夫々単離した後、こ
の単離した化合物をエタノールから各々再結晶させるこ
とによって、本発明に係わる式(I−b)及び式(I−
c)の化合物ヲ裂造する。
I−b)及び式(I−e)の化合物の混合物から式(I
−b)及び式(I−e)の化合物を夫々単離した後、こ
の単離した化合物をエタノールから各々再結晶させるこ
とによって、本発明に係わる式(I−b)及び式(I−
c)の化合物ヲ裂造する。
製造方法(3):
(上記反応式におけるR及びR′は夫々式(I)におけ
るR及びR′と同じ意味をもつ。) 第1段階−式(XVI)の化合物を無水THF中で、n
−アルキルマグネシウムブロマイドと反応させて式(x
vit)の化合物を製造する。
るR及びR′と同じ意味をもつ。) 第1段階−式(XVI)の化合物を無水THF中で、n
−アルキルマグネシウムブロマイドと反応させて式(x
vit)の化合物を製造する。
第2段階−式(XVI)の化合物をトルエン中で、p−
)ルエンスルホン酸・1水和物の如き酸性触媒の存在下
に、還流温度で反応させて脱水し、本発明に係わる式(
I−d)の化合物を製造する0斯くして製造された本発
明に係わる式(I)の化合物の代表的なものの転移温度
を第1表に掲げる。
)ルエンスルホン酸・1水和物の如き酸性触媒の存在下
に、還流温度で反応させて脱水し、本発明に係わる式(
I−d)の化合物を製造する0斯くして製造された本発
明に係わる式(I)の化合物の代表的なものの転移温度
を第1表に掲げる。
/
/
/
/
なお、上記第1表に示した各化合物は、室温においてス
メクチック相を示した。
メクチック相を示した。
本発明に係る式(I)の化合物は弱い負の誘電率異方性
を有するスメクチ、り液晶化合物又はネマチ、り液晶化
合物であり、従って例えば、負の誘電率異方性を有する
他のネマチ、り液晶化合物との混合物の状態で動的光散
乱型表示セルの材料として使用することができ、また正
の誘電率異方性を有する他のネマチック液晶化合物との
混合物の状態で電界効果型表示セルの材料として使用す
ることができる。
を有するスメクチ、り液晶化合物又はネマチ、り液晶化
合物であり、従って例えば、負の誘電率異方性を有する
他のネマチ、り液晶化合物との混合物の状態で動的光散
乱型表示セルの材料として使用することができ、また正
の誘電率異方性を有する他のネマチック液晶化合物との
混合物の状態で電界効果型表示セルの材料として使用す
ることができる。
このように、式(I)の化合物と混合して使用すること
のできる好ましい代表例としては、例えば4−置換安息
香酸4′−置換フェニルエステル、4−置換シクロヘキ
サンカルデン酸4’−tik換フェニルエステル、4−
置換シクロヘキサンカルゲン酸4′−置換ピフェニルエ
ステル、4−(4−を換シクロヘキサンカルデニルオキ
シ)安息香酸4′−置換フェニルエステル、4−(4−
filtfiシクロヘキシル)安息香酸4′−置換フェ
ニルエステル、4−(4−置換シクロヘキシル)安息香
酸4′−置換シクロヘキシルエステル、4−[換4’−
1i換ヒフェニル、4−[換フェニルー4′−置換シク
ロヘキサン、4−置換4〃−置換ターフェニル、4−置
換ピフェニル4/−51換シクロヘキサン、2−(4’
−置換フェニル)−5−置換ピリミジンなどを挙げるこ
とができる。
のできる好ましい代表例としては、例えば4−置換安息
香酸4′−置換フェニルエステル、4−置換シクロヘキ
サンカルデン酸4’−tik換フェニルエステル、4−
置換シクロヘキサンカルゲン酸4′−置換ピフェニルエ
ステル、4−(4−を換シクロヘキサンカルデニルオキ
シ)安息香酸4′−置換フェニルエステル、4−(4−
filtfiシクロヘキシル)安息香酸4′−置換フェ
ニルエステル、4−(4−置換シクロヘキシル)安息香
酸4′−置換シクロヘキシルエステル、4−[換4’−
1i換ヒフェニル、4−[換フェニルー4′−置換シク
ロヘキサン、4−置換4〃−置換ターフェニル、4−置
換ピフェニル4/−51換シクロヘキサン、2−(4’
−置換フェニル)−5−置換ピリミジンなどを挙げるこ
とができる。
第2表は、ネマチック液晶材料として現在母体液晶とし
て実用的に汎用されている混合液晶(A)の80重量%
と第1表に示した式(I)の化合物屋1の10重量%及
び化合物墓2の10重量%とから成る混合液晶(B)と
、混合液晶(A)の80重量%と化合物墓3の10重量
%及び化合物黒4の10重量%とから成る混合液晶(C
)について測定されたN−I点とΔnの値を掲示し、比
較のために混合液晶(A)について測定されたN−I点
とΔnの値を掲示したものである。
て実用的に汎用されている混合液晶(A)の80重量%
と第1表に示した式(I)の化合物屋1の10重量%及
び化合物墓2の10重量%とから成る混合液晶(B)と
、混合液晶(A)の80重量%と化合物墓3の10重量
%及び化合物黒4の10重量%とから成る混合液晶(C
)について測定されたN−I点とΔnの値を掲示し、比
較のために混合液晶(A)について測定されたN−I点
とΔnの値を掲示したものである。
尚、混合液晶(A)は、
第2表に掲示したデータから、式(I)の化合物は、混
合液晶(A)のΔnの値を減少させ、かつN−I点を大
幅に上昇させることが理解できる。
合液晶(A)のΔnの値を減少させ、かつN−I点を大
幅に上昇させることが理解できる。
実施例1
第 2 表
11(9,126モル)をTHF 6011dとエタノ
ール3〇−の混合溶媒に溶解し、この溶液を攪拌及び冷
却しながら水素化ホウ素ナトリウム2.4II(0,0
63モル)t−少量ずつ加えた後、更に室温で2時間反
応させた。反応混合物を氷冷した飽和塩化アンモニウム
水浴液に加えた後、反応生成物をトルエンで抽出し、抽
出液を水洗、乾燥後、この液から溶媒を留去して、下記
化合物を含む粗生成物30.0Iit−得た。
ール3〇−の混合溶媒に溶解し、この溶液を攪拌及び冷
却しながら水素化ホウ素ナトリウム2.4II(0,0
63モル)t−少量ずつ加えた後、更に室温で2時間反
応させた。反応混合物を氷冷した飽和塩化アンモニウム
水浴液に加えた後、反応生成物をトルエンで抽出し、抽
出液を水洗、乾燥後、この液から溶媒を留去して、下記
化合物を含む粗生成物30.0Iit−得た。
この粗生成物30.0.91−無水THF 15011
Llに溶解し、この溶液t−1son水素化ナトリウム
15j’(0,31%#)とよう化!?ル48 N (
0,31モル)の無水THF懸濁液150d中に還流温
度で滴下した後、更に同温度で8時間反応させた0冷却
後、反応混合物を冷水中に加え、反応生成物をトルエン
で抽出し、抽出液を水洗、乾燥後、この液から溶媒を留
去して下記化合物を含む粗生成物38.711を得た。
Llに溶解し、この溶液t−1son水素化ナトリウム
15j’(0,31%#)とよう化!?ル48 N (
0,31モル)の無水THF懸濁液150d中に還流温
度で滴下した後、更に同温度で8時間反応させた0冷却
後、反応混合物を冷水中に加え、反応生成物をトルエン
で抽出し、抽出液を水洗、乾燥後、この液から溶媒を留
去して下記化合物を含む粗生成物38.711を得た。
3.0&(0,019モル)を無水ジエチルエーテル9
dIIC@解し、この溶液にリチウム0.26jl(0
,038グラム原子)を加えた後、攪拌しながら還流温
度で4時間反応させた。反応終了後、反応混合物を冷却
し、この反応混合物に、前段階で得られた式この粗生成
物38.719t−)ルエン80−に溶解し、この溶液
に1OL4硫酸80−を加えた後、これらを攪拌しなが
ら還流温度で4時間反応させ九。
dIIC@解し、この溶液にリチウム0.26jl(0
,038グラム原子)を加えた後、攪拌しながら還流温
度で4時間反応させた。反応終了後、反応混合物を冷却
し、この反応混合物に、前段階で得られた式この粗生成
物38.719t−)ルエン80−に溶解し、この溶液
に1OL4硫酸80−を加えた後、これらを攪拌しなが
ら還流温度で4時間反応させ九。
反応終了後、反応混合物を冷却し、トルエン層を飽和炭
酸水素す) IJウム水溶液及び飽和食塩水で順次洗浄
し、乾燥させた後、トルエンを留去した。
酸水素す) IJウム水溶液及び飽和食塩水で順次洗浄
し、乾燥させた後、トルエンを留去した。
得られた粗生成物をn−へキサンから再結晶させテff
g L、下記化41+ 19.8 N (0,088モ
ル) t−得た。(収率70チ) (0,016モル)の無水ジエチルエーテル溶液11d
を−13〜−2℃で滴下した後、更に室温で30分間反
応させた。反応混合物を冷水中に加えた後、反応生成物
をトルエンで抽出し、抽出液管水洗、乾燥した後、溶媒
を留去して下記化合物を含む粗生成物5.29を得た。
g L、下記化41+ 19.8 N (0,088モ
ル) t−得た。(収率70チ) (0,016モル)の無水ジエチルエーテル溶液11d
を−13〜−2℃で滴下した後、更に室温で30分間反
応させた。反応混合物を冷水中に加えた後、反応生成物
をトルエンで抽出し、抽出液管水洗、乾燥した後、溶媒
を留去して下記化合物を含む粗生成物5.29を得た。
次に、ヨウ化ナトリウム8.4#(0,056モル)を
アセトニトリル351Llに溶解し、この浴液にクロロ
トリメチルシラン6、1 lI(0,056モ/I/)
t−滴下して得た溶液中に、前段階で得た粗生成物のト
ルエン溶液20mを、攪拌下に5〜10℃で滴下した後
、更に同温度で30分間反応させた。反応混合物にDB
U 9.7 # (0,064モル)を10〜15℃で
滴下した後、更に室温(25℃)で5時間、還流温度で
1時間反応させた。この反応混合物を冷却した後、希塩
酸を加え、反応生成物をトルエンで抽出し、抽出液を希
塩酸、飽和酸性亜硫酸ナトリウム水溶液、飽和炭酸水素
す) IJウム水溶液、飽和食塩水で順次洗浄し、次い
で乾燥した後、溶媒を留去して粗生成物を得た。
アセトニトリル351Llに溶解し、この浴液にクロロ
トリメチルシラン6、1 lI(0,056モ/I/)
t−滴下して得た溶液中に、前段階で得た粗生成物のト
ルエン溶液20mを、攪拌下に5〜10℃で滴下した後
、更に同温度で30分間反応させた。反応混合物にDB
U 9.7 # (0,064モル)を10〜15℃で
滴下した後、更に室温(25℃)で5時間、還流温度で
1時間反応させた。この反応混合物を冷却した後、希塩
酸を加え、反応生成物をトルエンで抽出し、抽出液を希
塩酸、飽和酸性亜硫酸ナトリウム水溶液、飽和炭酸水素
す) IJウム水溶液、飽和食塩水で順次洗浄し、次い
で乾燥した後、溶媒を留去して粗生成物を得た。
この反応粗生成物をシリカダルカラムクロマトグラフィ
ー(展開溶媒;n−ヘキサン:トルエン= 1 : 1
)’を用いて精製した後、エタノールから再結晶させ
て精製し、下記の2種類の化合物の混合物2.5 、@
(0,0075モル)tl−得た。(収率47チ) この混合物は、室温においてスメクチック相を示し、透
明点は160〜165℃であった。
ー(展開溶媒;n−ヘキサン:トルエン= 1 : 1
)’を用いて精製した後、エタノールから再結晶させ
て精製し、下記の2種類の化合物の混合物2.5 、@
(0,0075モル)tl−得た。(収率47チ) この混合物は、室温においてスメクチック相を示し、透
明点は160〜165℃であった。
この混合物を高速液体クロマトグラフィーを使用して分
離した後、分離した化合物をエタノールから各々再結晶
させて精製し、下記化合物を各々得た。
離した後、分離した化合物をエタノールから各々再結晶
させて精製し、下記化合物を各々得た。
これらの化合物は、室温においてスメクチック相を示し
た。
た。
転移温度 174℃(SヰN)
転移温度 158℃(s =N)
実施例2
で表わされる化合物に代えて、式n−C,H,(◇−0
−で表わされる化合物4.69t−用いる以外は、実施
例1と同様にして下記の2種類の化合物の混合物を得た
。
−で表わされる化合物4.69t−用いる以外は、実施
例1と同様にして下記の2種類の化合物の混合物を得た
。
この混合物は、室温においてスメクチック相を示し、透
明点は167〜172℃であった。
明点は167〜172℃であった。
この混合物を実施例1と同様にして分離・精製し、下記
化合物を各々得た。
化合物を各々得た。
これらの化合物は、室温においてスメクチック相を示し
た。
た。
負特性及び高温駆動性に優れた液晶表示セルを製造する
ための材料として極めて有用である。
ための材料として極めて有用である。
代理人 弁理士 高 橋 勝 利
転移温度 156℃(S: I )
176℃(Nヰエ)
〔発明の効果〕
本発明に係わる式(I)の化合物は、現在母体液晶とし
て実用的に汎用されているネマチ、り混合液晶に混合す
ることによって、混合液晶のΔnの値金減少させ、而も
N−I点を大幅に上昇させることができる化合物である
。
て実用的に汎用されているネマチ、り混合液晶に混合す
ることによって、混合液晶のΔnの値金減少させ、而も
N−I点を大幅に上昇させることができる化合物である
。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔式中、Rは炭素原子数1〜9の直鎖状アルキル基を表
わし、R′は炭素原子数1〜9の直鎖状アルキル基又は
トランス−クロチル基を表わす。 ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
表等があります▼及び▲数式、化学式、表等があります
▼のうち1つの環 は▲数式、化学式、表等があります▼又は▲数式、化学
式、表等があります▼を表わし、他の2つの環は▲数式
、化学式、表等があります▼を表わす。シクロヘキサン
環はトランス配置である。〕 で表わされる化合物。 2、▲数式、化学式、表等があります▼が▲数式、化学
式、表等があります▼である請求項1記載の 化合物。 3、▲数式、化学式、表等があります▼が▲数式、化学
式、表等があります▼である請求項1記載の 化合物。 4、▲数式、化学式、表等があります▼が▲数式、化学
式、表等があります▼である請求項1記載の 化合物。 5、▲数式、化学式、表等があります▼が▲数式、化学
式、表等があります▼である請求項1記載の 化合物。 6、Rがn−プロピル基であり、R′がエチル基である
請求項2記載の化合物。 7、Rがn−プロピル基であり、R′がエチル基である
請求項3記載の化合物。 8、Rがn−プロピル基であり、R′がエチル基である
請求項4記載の化合物。 9、Rがn−プロピル基であり、R′がエチル基である
請求項5記載の化合物。 10、請求項1記載の化合物を含有するネマチック液晶
組成物。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63178086A JP2638099B2 (ja) | 1988-07-19 | 1988-07-19 | 3環系シクロヘキセニルシクロヘキサン誘導体 |
US07/381,357 US4964616A (en) | 1988-07-19 | 1989-07-18 | Tricyclic cyclohexenyl cyclohexane derivative |
DE68916329T DE68916329T2 (de) | 1988-07-19 | 1989-07-19 | Tricyclisches Derivat von Cyclohexenylcyclohexan. |
EP89113247A EP0351822B1 (en) | 1988-07-19 | 1989-07-19 | Tricyclic cyclohexenyl cyclohexane derivative |
HK98104422A HK1005312A1 (en) | 1988-07-19 | 1998-05-22 | Tricyclic cylohexenyl cyclohexane derivative |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63178086A JP2638099B2 (ja) | 1988-07-19 | 1988-07-19 | 3環系シクロヘキセニルシクロヘキサン誘導体 |
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Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0232033A true JPH0232033A (ja) | 1990-02-01 |
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Family
ID=16042383
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---|---|---|---|
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---|---|
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DE (1) | DE68916329T2 (ja) |
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002293781A (ja) * | 2001-03-30 | 2002-10-09 | Dainippon Ink & Chem Inc | ジオンモノアセタール類の製造方法 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4422951A (en) * | 1981-04-02 | 1983-12-27 | Chisso Corporation | Liquid crystal benzene derivatives |
US4477369A (en) * | 1982-01-22 | 1984-10-16 | Chisso Corporation | New high temperature liquid-crystalline substances consisting of 4 or 5 six-member-rings and liquid-crystalline compositions containing same |
EP0168701B1 (de) * | 1984-07-14 | 1988-11-02 | MERCK PATENT GmbH | Tercyclohexyle |
DE3510434A1 (de) * | 1985-03-22 | 1986-09-25 | Merck Patent Gmbh, 6100 Darmstadt | Cyclohexanderivate |
DE3510432A1 (de) * | 1985-03-22 | 1986-09-25 | Merck Patent Gmbh, 6100 Darmstadt | Cyclohexanderivate |
US4698177A (en) * | 1985-04-16 | 1987-10-06 | Dainippon Ink And Chemicals, Inc. | Cyclohexylcyclohexene derivatives |
US4654421A (en) * | 1985-06-20 | 1987-03-31 | Dainippon Ink And Chemicals, Inc. | 4-substituted phenyl crotyl ether derivative |
JPS6287533A (ja) * | 1985-10-14 | 1987-04-22 | Dainippon Ink & Chem Inc | 三環系炭化水素化合物 |
JPS6422830A (en) * | 1987-07-17 | 1989-01-25 | Dainippon Ink & Chemicals | Bicyclohexylcyclohexene derivative |
-
1988
- 1988-07-19 JP JP63178086A patent/JP2638099B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1989
- 1989-07-18 US US07/381,357 patent/US4964616A/en not_active Expired - Lifetime
- 1989-07-19 EP EP89113247A patent/EP0351822B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1989-07-19 DE DE68916329T patent/DE68916329T2/de not_active Expired - Fee Related
-
1998
- 1998-05-22 HK HK98104422A patent/HK1005312A1/xx not_active IP Right Cessation
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---|---|---|---|---|
JP2002293781A (ja) * | 2001-03-30 | 2002-10-09 | Dainippon Ink & Chem Inc | ジオンモノアセタール類の製造方法 |
JP4735915B2 (ja) * | 2001-03-30 | 2011-07-27 | Dic株式会社 | ジオンモノアセタール類の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US4964616A (en) | 1990-10-23 |
DE68916329T2 (de) | 1995-03-30 |
EP0351822A2 (en) | 1990-01-24 |
HK1005312A1 (en) | 1998-12-31 |
EP0351822A3 (en) | 1991-03-20 |
JP2638099B2 (ja) | 1997-08-06 |
DE68916329D1 (de) | 1994-07-28 |
EP0351822B1 (en) | 1994-06-22 |
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