JPH0781141B2 - ネマチツク液晶組成物 - Google Patents
ネマチツク液晶組成物Info
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- JPH0781141B2 JPH0781141B2 JP61009360A JP936086A JPH0781141B2 JP H0781141 B2 JPH0781141 B2 JP H0781141B2 JP 61009360 A JP61009360 A JP 61009360A JP 936086 A JP936086 A JP 936086A JP H0781141 B2 JPH0781141 B2 JP H0781141B2
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K19/00—Liquid crystal materials
- C09K19/04—Liquid crystal materials characterised by the chemical structure of the liquid crystal components, e.g. by a specific unit
- C09K19/42—Mixtures of liquid crystal compounds covered by two or more of the preceding groups C09K19/06 - C09K19/40
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Description
【発明の詳細な説明】 （発明の目的） 本発明は液晶性組成物ならびにそれを用いたTN型液晶表
示素子に関する。さらに詳しくはTN型液晶表示素子のし
きい値電圧（以下Vthと略記することがある）の低下お
よびその温度依存性の改善をなし得る液晶組成物に関す
る。
示素子に関する。さらに詳しくはTN型液晶表示素子のし
きい値電圧（以下Vthと略記することがある）の低下お
よびその温度依存性の改善をなし得る液晶組成物に関す
る。
近年、液晶表示装置の性能が向上し、応用分野も拡大さ
れつつある。液晶表示装置の初期においては、その低消
費電力の特徴を生かし、ハンデイタイプの電卓、腕時
計、クロツク等に主に使用されて来た。しかしながら、
最近では液晶組成物の開発と相俟つて屋外用の表示装置
や自動車の計器盤、更にハンドヘルドコンピユーターや
コンピユータ端末の表示装置等の大形デイスプレイの分
野へ急速に拡大され始めて来つつある。
れつつある。液晶表示装置の初期においては、その低消
費電力の特徴を生かし、ハンデイタイプの電卓、腕時
計、クロツク等に主に使用されて来た。しかしながら、
最近では液晶組成物の開発と相俟つて屋外用の表示装置
や自動車の計器盤、更にハンドヘルドコンピユーターや
コンピユータ端末の表示装置等の大形デイスプレイの分
野へ急速に拡大され始めて来つつある。
これを表示装置の駆動方式からみると、情報量の拡大、
部品点数の削減等のため、初期の3V駆動スタテイツク方
式から、時計等では3V駆動1/2デユーテイ、電卓等では3
V駆動1/3〜1/4デユーテイへ、ワードプロセツサー、コ
ンピユータ端末等のグラフイツク表示では4.5V駆動1/16
デユーテイおよび十数Ｖ駆動1/64デユーテイ、もしくは
それ以上の駆動電圧、時分割数を有する高機能表示へと
移行しつつある。さらにこれらの動きに加え、液晶表示
装置のもつもう一の特徴である低電圧駆動に対する要求
がLCDのさらなる小形化、軽量化を実現するために強く
なつている。例えば時計、電卓等の1/2〜1/4デユーテイ
は1.5V駆動、ワードプロセツサー等の1/16デユーテイは
3V駆動、コンピユータ端末等の1/64デユーテイは10V以
下の電圧で駆動することが望まれている。すなわち、液
晶組成物の電圧−輝度特性におけるしきい値電圧の低下
が望まれるが、従来の材料系においては後述する表示品
位の確保のための他の特性、すなわち、しきい値電圧の
温度依存性および応答速度に関する粘性をも満足しつ
つ、低電圧駆動をはかることは、非常に困難であつた。
部品点数の削減等のため、初期の3V駆動スタテイツク方
式から、時計等では3V駆動1/2デユーテイ、電卓等では3
V駆動1/3〜1/4デユーテイへ、ワードプロセツサー、コ
ンピユータ端末等のグラフイツク表示では4.5V駆動1/16
デユーテイおよび十数Ｖ駆動1/64デユーテイ、もしくは
それ以上の駆動電圧、時分割数を有する高機能表示へと
移行しつつある。さらにこれらの動きに加え、液晶表示
装置のもつもう一の特徴である低電圧駆動に対する要求
がLCDのさらなる小形化、軽量化を実現するために強く
なつている。例えば時計、電卓等の1/2〜1/4デユーテイ
は1.5V駆動、ワードプロセツサー等の1/16デユーテイは
3V駆動、コンピユータ端末等の1/64デユーテイは10V以
下の電圧で駆動することが望まれている。すなわち、液
晶組成物の電圧−輝度特性におけるしきい値電圧の低下
が望まれるが、従来の材料系においては後述する表示品
位の確保のための他の特性、すなわち、しきい値電圧の
温度依存性および応答速度に関する粘性をも満足しつ
つ、低電圧駆動をはかることは、非常に困難であつた。
通常、電圧平均化法を用いた時分割駆動方式では、原理
上スタテイツク方式では全く生じない動作上の制限が存
在する。すなわち、半選択点、非選択点においてクロス
トークが生じやすい。それも高時分割になるに伴つて動
作電圧の余裕、つまり動作マージンが小さくなり、クロ
ストークが発生し易くなる。動作マージンを左右するも
のには３つの要因がある。
上スタテイツク方式では全く生じない動作上の制限が存
在する。すなわち、半選択点、非選択点においてクロス
トークが生じやすい。それも高時分割になるに伴つて動
作電圧の余裕、つまり動作マージンが小さくなり、クロ
ストークが発生し易くなる。動作マージンを左右するも
のには３つの要因がある。
しきい値電圧の温度依存性 しきい値電圧の視覚依存性 しきい値電圧の急峻性 このうち、について表示セルの厚み等のセル製作条件
による影響が大きく、材料系の差は小さい。について
はTN型液晶表示装置に特有のもので材料系によつて格段
の差が出ることはない。、に較べについては動作
温度範囲との関係もあり、材料系の影響が一番大きなも
のである。一般にの要因を改良するために液晶組成物
としての対策としては誘電率異方性（以下△εと略記す
ることがある。）が負の材料の比率を多くすることによ
つてしきい値電圧の温度依存性を小さくすることが行な
われて来た。しかしながら△εが負の材料の比率を増す
ことはしきい値電圧の上昇を招き、充分なる低電圧駆動
は達成できなかつた。
による影響が大きく、材料系の差は小さい。について
はTN型液晶表示装置に特有のもので材料系によつて格段
の差が出ることはない。、に較べについては動作
温度範囲との関係もあり、材料系の影響が一番大きなも
のである。一般にの要因を改良するために液晶組成物
としての対策としては誘電率異方性（以下△εと略記す
ることがある。）が負の材料の比率を多くすることによ
つてしきい値電圧の温度依存性を小さくすることが行な
われて来た。しかしながら△εが負の材料の比率を増す
ことはしきい値電圧の上昇を招き、充分なる低電圧駆動
は達成できなかつた。
又、表示装置においては応答速度は無視することのでき
ない重要な要素である。液晶表示装置の応答速度はこれ
に関する液晶組成物の粘度と相関関係を持つているのは
良く知られている。しきい値電圧の低下を達成するため
に従来の材料のみを用いた場合には液晶組成物の粘性が
高くなり、表示装置として満足すべき応答速度の達成は
誠に困難であつた。
ない重要な要素である。液晶表示装置の応答速度はこれ
に関する液晶組成物の粘度と相関関係を持つているのは
良く知られている。しきい値電圧の低下を達成するため
に従来の材料のみを用いた場合には液晶組成物の粘性が
高くなり、表示装置として満足すべき応答速度の達成は
誠に困難であつた。
前述したことから明らかなように、本発明の目的は新し
い液晶材料を提供することにより、液晶表示装置に要求
されている動作温度範囲、応答速度等の諸特性をバラン
ス良く保ちながらしきい値電圧の温度依存性を小さく
し、かつ、充分に低いしきい値電圧を達成しようとする
ものである。
い液晶材料を提供することにより、液晶表示装置に要求
されている動作温度範囲、応答速度等の諸特性をバラン
ス良く保ちながらしきい値電圧の温度依存性を小さく
し、かつ、充分に低いしきい値電圧を達成しようとする
ものである。
（発明の構成） 本発明の第一は、 （１） 第一の成分が一般式 （（Ｉ）式中、ｍは０または１を示し、R1はＦまたはＨ
を、R2は炭素数１〜８のアルキル基を示す。）にて表わ
される化合物であり、第一の成分10〜80重量パーセント
を含有し、第二の成分として一般式 （式中、ｌは１または２を示し、R2は前記した意味をも
つ）で表わされる化合物を10〜40重量パーセント含有
し、第三以下の成分10〜50重量パーセントを含有するネ
マチツク液晶組成物、でありその望ましい態様は以下の
（２）〜（４）項に記載される。
を、R2は炭素数１〜８のアルキル基を示す。）にて表わ
される化合物であり、第一の成分10〜80重量パーセント
を含有し、第二の成分として一般式 （式中、ｌは１または２を示し、R2は前記した意味をも
つ）で表わされる化合物を10〜40重量パーセント含有
し、第三以下の成分10〜50重量パーセントを含有するネ
マチツク液晶組成物、でありその望ましい態様は以下の
（２）〜（４）項に記載される。
（２） 前記第（１）項において、第一の成分として下
記の一般式（II）で表わされる化合物10〜40重量パーセ
ントと一般式（III）で表わされる化合物０〜40重量パ
ーセントとを含むネマチツク液晶組成物。
記の一般式（II）で表わされる化合物10〜40重量パーセ
ントと一般式（III）で表わされる化合物０〜40重量パ
ーセントとを含むネマチツク液晶組成物。
（（II）および（III）の各式においてR2は前記した意
味をもつ。） （３） 前記の第（１）項または第（２）項において、
第三以下の成分として以下の一般式（Ｖ）、（VI）、
（VII）、（VIII）または（IX）で表わされる化合物の
少なくとも一つを含有する、ネマチック液晶組成物。
味をもつ。） （３） 前記の第（１）項または第（２）項において、
第三以下の成分として以下の一般式（Ｖ）、（VI）、
（VII）、（VIII）または（IX）で表わされる化合物の
少なくとも一つを含有する、ネマチック液晶組成物。
（（Ｖ）〜（VII）の各式においてR2は前記した意味を
もち、（VIII）および（IX）の両式においてR2は同一も
しくは相異なる、炭素数１〜８のアルキル基を示す。） （４） 前記第（３）項において、第三以下の成分の一
部として、前記の（Ｖ）式で表わされる化合物０〜22重
量パーセントと（VI）式で表わされる化合物０〜20重量
パーセントと（VII）式で表わされる化合物０〜18重量
パーセントと（VIII）式で表わされる化合物０〜40重量
パーセントと（IX）式で表わされる化合物０〜40重量パ
ーセントとを含有する、ネマチツク液晶組成物。
もち、（VIII）および（IX）の両式においてR2は同一も
しくは相異なる、炭素数１〜８のアルキル基を示す。） （４） 前記第（３）項において、第三以下の成分の一
部として、前記の（Ｖ）式で表わされる化合物０〜22重
量パーセントと（VI）式で表わされる化合物０〜20重量
パーセントと（VII）式で表わされる化合物０〜18重量
パーセントと（VIII）式で表わされる化合物０〜40重量
パーセントと（IX）式で表わされる化合物０〜40重量パ
ーセントとを含有する、ネマチツク液晶組成物。
本発明の第二は、前記第（１）項ないし第（４）項のい
ずれか一項に記載のネマチツク液晶組成物を用いること
を特徴とする液晶表示素子である。
ずれか一項に記載のネマチツク液晶組成物を用いること
を特徴とする液晶表示素子である。
本発明の液晶組成物において第一の成分として用いられ
る化合物を例示すると、２−（3,4−ジフルオロフエニ
ル）−５−アルキルピリミジン、２−（４−フルオロフ
エニル）−５−アルキルピリミジン、２−（3,4−ジフ
ルオロビフエニリル−４′）−５−アルキルピリミジ
ン、２−（４−フルオロビフエニリル−４′）−５−ア
ルキルピリミジンであり、これらの化合物は得られる液
晶組成物の誘電異方性に寄与し、組成物の△εを大きな
正値とする。
る化合物を例示すると、２−（3,4−ジフルオロフエニ
ル）−５−アルキルピリミジン、２−（４−フルオロフ
エニル）−５−アルキルピリミジン、２−（3,4−ジフ
ルオロビフエニリル−４′）−５−アルキルピリミジ
ン、２−（４−フルオロビフエニリル−４′）−５−ア
ルキルピリミジンであり、これらの化合物は得られる液
晶組成物の誘電異方性に寄与し、組成物の△εを大きな
正値とする。
これらの化合物の中、（Ｉ）式でｍ＝０である、２環の
化合物には常用の温度では化合物自体が液晶相を示さな
い物が多いが、組成物の△εへの効果は液晶性化合物と
同様に大きい。
化合物には常用の温度では化合物自体が液晶相を示さな
い物が多いが、組成物の△εへの効果は液晶性化合物と
同様に大きい。
第二の成分として用いられる化合物としては、既知の液
晶性化合物の中から、本発明の目的を損なわない範囲
で、種々のネマチツク液晶を選択することができる。第
二の成分として好ましい化合物としては、前記の（IV）
〜（IX）の各式で表わされる化合物を挙げることができ
る。特に（IV）式の化合物が好適である。
晶性化合物の中から、本発明の目的を損なわない範囲
で、種々のネマチツク液晶を選択することができる。第
二の成分として好ましい化合物としては、前記の（IV）
〜（IX）の各式で表わされる化合物を挙げることができ
る。特に（IV）式の化合物が好適である。
本発明の組成物において、（Ｉ）式で表わされる第一の
成分化合物の含有量は10〜80重量パーセントが好適であ
る。含量が10重量パーセント未満では、目的とするしき
い値電圧の低下とその温度依存性の改善が充分でない。
含量が80重量パーセントを越えると、得られる液晶組成
物のネマチツク相下限温度が上昇することがある。
成分化合物の含有量は10〜80重量パーセントが好適であ
る。含量が10重量パーセント未満では、目的とするしき
い値電圧の低下とその温度依存性の改善が充分でない。
含量が80重量パーセントを越えると、得られる液晶組成
物のネマチツク相下限温度が上昇することがある。
本発明の組成物において、（Ｉ）式でｍ＝０の化合物を
第一の成分化合物として用いる場合、その含量は10〜40
重量パーセントとすることが好ましい。液晶相を示さな
い２環の化合物の含量が40重量パーセントを越えると得
られる液晶組成物の液晶相温度範囲が狭くなることがあ
るので適当でない。
第一の成分化合物として用いる場合、その含量は10〜40
重量パーセントとすることが好ましい。液晶相を示さな
い２環の化合物の含量が40重量パーセントを越えると得
られる液晶組成物の液晶相温度範囲が狭くなることがあ
るので適当でない。
本発明の液晶組成物の成分として用いられる（Ｉ）〜
（IX）の各式で表わされる化合物群ごとの特性は後記す
る実施例だけでは充分に説明できないが、発明者等は別
に得られた知見から各群の化合物の特性を巧みに（Ｉ）
式の化合物と組合せることによつて本発明をなしたので
ある。すなわち、本発明の作用をあげると、 （１） （Ｉ）式の化合物は大きな正値の△εをもち、
トランス−アルキルシクロヘキシルベンゾニトリル系の
液晶との混合物の△ε値から外挿法により得られた、化
合物（Ｉ）の△εは16〜28ときわめて大きく、しきい値
電圧の大巾な引き下げに有効である。
（IX）の各式で表わされる化合物群ごとの特性は後記す
る実施例だけでは充分に説明できないが、発明者等は別
に得られた知見から各群の化合物の特性を巧みに（Ｉ）
式の化合物と組合せることによつて本発明をなしたので
ある。すなわち、本発明の作用をあげると、 （１） （Ｉ）式の化合物は大きな正値の△εをもち、
トランス−アルキルシクロヘキシルベンゾニトリル系の
液晶との混合物の△ε値から外挿法により得られた、化
合物（Ｉ）の△εは16〜28ときわめて大きく、しきい値
電圧の大巾な引き下げに有効である。
（２） （Ｉ）式でｍ＝０の２環の化合物は粘性が小さ
く、前述の混合物の20℃における粘度（η20と略記する
ことがある）から外挿したη20は10〜20cPである。
（Ｉ）式でｍ＝１の３環の化合物は３環をもつにもかか
わらずη20外挿値が30〜40cPである。化合物（Ｉ）の低
粘性は得られる組成物を用いた液晶表示素子の応答速度
の改善に寄与する。
く、前述の混合物の20℃における粘度（η20と略記する
ことがある）から外挿したη20は10〜20cPである。
（Ｉ）式でｍ＝１の３環の化合物は３環をもつにもかか
わらずη20外挿値が30〜40cPである。化合物（Ｉ）の低
粘性は得られる組成物を用いた液晶表示素子の応答速度
の改善に寄与する。
（３） （Ｉ）式でｍ＝０の２環の化合物は、前述の液
晶混合物の屈折率異方性値（△ｎと略記することがあ
る）から外挿して求めた△ｎの値が0.1以下と小さいの
で、良く知られているように、液晶表示素子の視覚特性
の改良に寄与する。
晶混合物の屈折率異方性値（△ｎと略記することがあ
る）から外挿して求めた△ｎの値が0.1以下と小さいの
で、良く知られているように、液晶表示素子の視覚特性
の改良に寄与する。
（４） 本発明の組成物において、第二の成分として
（IV）式の化合物を用いると、化合物（IV）は△εが11
〜25と大きいので、化合物（Ｉ）との併用により、得ら
れる液晶表示素子のしきい値電圧のさらなる引き下げが
可能となる。
（IV）式の化合物を用いると、化合物（IV）は△εが11
〜25と大きいので、化合物（Ｉ）との併用により、得ら
れる液晶表示素子のしきい値電圧のさらなる引き下げが
可能となる。
（発明の効果） 以上に発明の作用と効果について幾つか述べた。本発明
のもたらす驚くべき効果は、前述したしきい値電圧の低
下、応答性の改善等のほかに、電圧平均化法を用いた時
分割駆動方式の液晶表示装置の液晶材料に要求される諸
特性をバランスよく保ちつつ、しきい値電圧の温度依存
性を改善したことである。
のもたらす驚くべき効果は、前述したしきい値電圧の低
下、応答性の改善等のほかに、電圧平均化法を用いた時
分割駆動方式の液晶表示装置の液晶材料に要求される諸
特性をバランスよく保ちつつ、しきい値電圧の温度依存
性を改善したことである。
後記する（１）式によつて定義されるしきい値電圧の温
度依存性dV/dtの値は、時分割駆動方式の液晶表示素子
では０に近いほど望ましく、本発明においては一段と小
さなdV/dt値が達成できている。これには（Ｉ）式の化
合物が大きく寄与していると考えられ、広い温度範囲に
わたつてdV/dtを小さくすることが可能である。
度依存性dV/dtの値は、時分割駆動方式の液晶表示素子
では０に近いほど望ましく、本発明においては一段と小
さなdV/dt値が達成できている。これには（Ｉ）式の化
合物が大きく寄与していると考えられ、広い温度範囲に
わたつてdV/dtを小さくすることが可能である。
これは、後記する実施例８と比較例２との比較において
端的に示されている。すなわち、透明点が近似したこれ
らの例のネマチツク液晶組成物では、（Ｉ）式の化合物
を成分とすることによりdV/dtのほかに粘度およびしき
い値電圧においても改善がなされ、その結果、液晶表示
素子の応答特性にも著しい改善がなされていることが判
る。
端的に示されている。すなわち、透明点が近似したこれ
らの例のネマチツク液晶組成物では、（Ｉ）式の化合物
を成分とすることによりdV/dtのほかに粘度およびしき
い値電圧においても改善がなされ、その結果、液晶表示
素子の応答特性にも著しい改善がなされていることが判
る。
本発明のネマチツク液晶組成物は前述したような特性を
兼ね備えているので、該組成物を用いることにより、低
電圧の時分割駆動（例えば1.5V駆動で1/2〜1/3デユーテ
イが可能となる。
兼ね備えているので、該組成物を用いることにより、低
電圧の時分割駆動（例えば1.5V駆動で1/2〜1/3デユーテ
イが可能となる。
従来の低電圧駆動用液晶表示素子の材料は、メタジオキ
サン系、ピリミジン系、エステル系等の化合物の中でも
特に△εが大きな正値をもつ物を中心に構成されてお
り、何よりもVthの引き下げの達成に注力せざるを得な
かつた。その代表例のネマチツク液晶材料を比較例１に
示す。後記される実施例および比較例から判るように、
本発明の液晶組成物は、比較例の液晶材料に比べると、
透明点が高いにもかかわらず、印加電圧−輝度特性にお
けるVthは殆んど違わず、またVthの温度依存性は著しく
改善されている。さらに本発明の組成物は粘度が小さ
く、本発明の液晶表示素子の応答速度も比較例よりも大
きく改善されている。
サン系、ピリミジン系、エステル系等の化合物の中でも
特に△εが大きな正値をもつ物を中心に構成されてお
り、何よりもVthの引き下げの達成に注力せざるを得な
かつた。その代表例のネマチツク液晶材料を比較例１に
示す。後記される実施例および比較例から判るように、
本発明の液晶組成物は、比較例の液晶材料に比べると、
透明点が高いにもかかわらず、印加電圧−輝度特性にお
けるVthは殆んど違わず、またVthの温度依存性は著しく
改善されている。さらに本発明の組成物は粘度が小さ
く、本発明の液晶表示素子の応答速度も比較例よりも大
きく改善されている。
（実施例） 以下に実施例により本発明を詳述するが、本発明はこれ
らの実施例に限定されるものではない。
らの実施例に限定されるものではない。
なお、本発明において、しきい値電圧およびしきい値電
圧の温度依存性は以下のように定義する。
圧の温度依存性は以下のように定義する。
電圧−輝度特性において、デイスプレイの表示面に対し
て垂直な光軸方向の光の透過率が10％になるときの電圧
をしきい値電圧としVthで表わす。また相異なる二つの
温度t1（℃）およびt2（℃）におけるしきい値電圧をそ
れぞれVth（t1）およびVth（t2）とするとき、しきい値
電圧の温度依存性dV/dtを（１）式により定める。
て垂直な光軸方向の光の透過率が10％になるときの電圧
をしきい値電圧としVthで表わす。また相異なる二つの
温度t1（℃）およびt2（℃）におけるしきい値電圧をそ
れぞれVth（t1）およびVth（t2）とするとき、しきい値
電圧の温度依存性dV/dtを（１）式により定める。
また、表示素子の応答性は次に述べる立上り時間（τ
ｒ）および立ち下り時間（τｄ）にて表わす。液晶表示
素子にVthの２倍の電圧を印加し、印加開始時から光の
透過率が90％となる時までの時間をτｒとし、電圧−輝
度特性における光の透過率が100％に達して充分時間を
経過した後、電圧印加を断とした時から光の透過率が10
％になるまでの時間をτｄとする。
ｒ）および立ち下り時間（τｄ）にて表わす。液晶表示
素子にVthの２倍の電圧を印加し、印加開始時から光の
透過率が90％となる時までの時間をτｒとし、電圧−輝
度特性における光の透過率が100％に達して充分時間を
経過した後、電圧印加を断とした時から光の透過率が10
％になるまでの時間をτｄとする。
以下の実施例および比較例において組成は重量パーセン
トを以て表わす。
トを以て表わす。
実施例１ 一般式（Ｉ）の化合物として次の４つの化合物 一般式（IV）の化合物として次の２つの化合物 一般式（Ｖ）、（VI）および（VII）の化合物としてそ
れぞれ からなるネマチツク液晶組成物を調製した。この液晶組
成物の透明点は62.2℃、η20は39cP、△ｎは0.154であ
つた。該液晶組成物はラビング処理を施した基板間距離
が８μｍのセルに封入してTN型のホモジニアス液晶セル
を作成し、諸特性を測定した。25℃におけるしきい値電
圧は0.98Vであり、25℃におけるτｒおよびτｄはいず
れも50msec.であつた。また０〜40℃におけるしきい値
電圧の温度依存性dV/dtの値は0.55であつた。
れぞれ からなるネマチツク液晶組成物を調製した。この液晶組
成物の透明点は62.2℃、η20は39cP、△ｎは0.154であ
つた。該液晶組成物はラビング処理を施した基板間距離
が８μｍのセルに封入してTN型のホモジニアス液晶セル
を作成し、諸特性を測定した。25℃におけるしきい値電
圧は0.98Vであり、25℃におけるτｒおよびτｄはいず
れも50msec.であつた。また０〜40℃におけるしきい値
電圧の温度依存性dV/dtの値は0.55であつた。
実施例２ 一般式（Ｉ）の化合物２つ 一般式（IV）の化合物２つ 一般式（Ｖ）の化合物として および、一般式（VI）の化合物２つ からなるネマチツク液晶組成物を調製した。該組成物の
特性を第１表に示す。
特性を第１表に示す。
実施例３ 一般式（Ｉ）の化合物として次の４つの化合物 第二以下の成分として次の５つの化合物 からなるネマチツク液晶組成物を調製し、実施例１と同
様にしてその特性を測定した。結果を第１表に示す。
様にしてその特性を測定した。結果を第１表に示す。
実施例４ 実施例１に準じて、（Ｉ）式の化合物５つと、第二以下
の成分化合物２つとからなる、以下の組成のネマチツク
液晶材料を調製した。その諸特性を測定した結果を第１
表に示す。
の成分化合物２つとからなる、以下の組成のネマチツク
液晶材料を調製した。その諸特性を測定した結果を第１
表に示す。
実施例５ 実施例１に準じて、（Ｉ）式の化合物３つと、第二以下
の成分化合物５つとからなる、以下に示すネマチツク液
晶組成物を調製した。実施例１と同様にして測定したそ
の諸特性を第１表に示す。
の成分化合物５つとからなる、以下に示すネマチツク液
晶組成物を調製した。実施例１と同様にして測定したそ
の諸特性を第１表に示す。
実施例６ 実施例１に準じて、（Ｉ）式の化合物３つと、第二以下
の成分化合物５つとからなる、以下に示すネマチツク液
晶組成物を調製し、その諸特性を測定した。結果を第１
表に示す。
の成分化合物５つとからなる、以下に示すネマチツク液
晶組成物を調製し、その諸特性を測定した。結果を第１
表に示す。
実施例７ 実施例１に準じて、（Ｉ）式の化合物４つと第二以下の
成分化合物５つとからなる、下記のネマチツク液晶組成
物を調製し、その諸特性を実施例１と同様にして測定し
た。その結果を第１表に示す。
成分化合物５つとからなる、下記のネマチツク液晶組成
物を調製し、その諸特性を実施例１と同様にして測定し
た。その結果を第１表に示す。
実施例８ 実施例１に準じて、（Ｉ）式の化合物として次の４つの
化合物 および、第二以下の成分として１つの（IV）式の化合物
と２つの（Ｖ）式の化合物および１つの（VII）式の化
合物、すなわち とからなるネマチツク液晶組成物を調製した。この組成
物の諸特性を第１表に示す。
化合物 および、第二以下の成分として１つの（IV）式の化合物
と２つの（Ｖ）式の化合物および１つの（VII）式の化
合物、すなわち とからなるネマチツク液晶組成物を調製した。この組成
物の諸特性を第１表に示す。
比較例１ 従来の低電圧駆動用のネマチツク液晶材料として、△ε
の大きな成分からなる、以下の組成物について実施例１
と同様にしてその諸特性を測定した。その結果を実施例
の結果とともに第１表に示す。
の大きな成分からなる、以下の組成物について実施例１
と同様にしてその諸特性を測定した。その結果を実施例
の結果とともに第１表に示す。
比較例２ 実施例８において第二以下の成分として用いた化合物だ
けからなる以下のネマチツク液晶組成物を調製した。
けからなる以下のネマチツク液晶組成物を調製した。
これは実施例８の組成物から（Ｉ）式で表わされる成分
を除いた組成の混合物である。このネマチツク液晶の特
性を実施例８と同様にして測定し、第１表に示す。
を除いた組成の混合物である。このネマチツク液晶の特
性を実施例８と同様にして測定し、第１表に示す。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 // Ｇ０２Ｆ 1/13 ５００
Claims (6)
- 【請求項１】第一の成分として一般式 （（Ｉ）式中、ｍは０または１を示し、R1はＦまたはＨ
を、R2は炭素数１〜８のアルキル基を示す。）にて表わ
される化合物を10〜80重量パーセント含有し、第二の成
分として一般式 （（IV）式中、ｌは１または２を示し、R2は前記した意
味をもつ。）で表わされる化合物を10〜40重量パーセン
ト含有し、第三以下の成分を10〜50重量パーセント含有
するネマチック液晶組成物。 - 【請求項２】特許請求の範囲第（１）項において、第一
の成分として、下記の一般式（II）で表わされる化合物
10〜40重量パーセントと一般式（III）で表わされる化
合物０〜40重量パーセントとを含むネマチック液晶組成
物。 （（II）および（III）の各式においてR2は炭素数１〜
８のアルキル基を示す。） - 【請求項３】特許請求の範囲第（１）項または第（２）
項において、第三以下の成分として、下記の一般式
（Ｖ）、（VI）、（VII）、（VIII）または（IX）で表
わされる化合物の群から選ばれた少なくとも一つを含有
するネマチック液晶組成物。 （（Ｖ）〜（VII）式においてR2は炭素数１〜８のアル
キル基を示し、（VIII）式および（IX）式においては二
つのR2は同一もしくは相異なる炭素数１〜８のアルキル
基を示す。） - 【請求項４】特許請求の範囲第（３）項において、一般
式（Ｖ）で表わされる化合物、一般式（VI）で表わされ
る化合物、一般式（VII）で表わされる化合物、一般式
（VIII）で表わされる化合物および一般式（IX）で表わ
される化合物の混合割合がそれぞれ、０〜22重量パーセ
ント、０〜20重量パーセント、０〜18重量パーセント、
０〜40重量パーセントおよび０〜40重量パーセントであ
るネマチック液晶組成物。 - 【請求項５】第一の成分として一般式 （（Ｉ）式中、ｍは０または１を示し、R1はＦまたはＨ
を、R2は炭素数１〜８のアルキル基を示す。）にて表わ
される化合物を10〜80重量パーセント含有し、第二の成
分として一般式 （（IV）式中、ｌは１または２を示し、R2は前記した意
味をもつ。）で表わされる化合物を10〜40重量パーセン
ト含有し、第三以下の成分を10〜50重量パーセント含有
するネマチック液晶組成物を用いることを特徴とする液
晶表示素子。 - 【請求項６】特許請求の範囲第（５）項において、第一
の成分が下記の一般式（II）で表わされる化合物10〜40
重量パーセントと一般式（III）で表わされる化合物０
〜40重量パーセントとからなるネマチック液晶組成物を
用いる液晶表示素子。 （（II）および（III）の各式においてR2は炭素数１〜
８のアルキル基を示す。）
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61009360A JPH0781141B2 (ja) | 1986-01-20 | 1986-01-20 | ネマチツク液晶組成物 |
| US07/003,760 US4776975A (en) | 1986-01-20 | 1987-01-16 | Nematic liquid crystal composition |
| EP87300462A EP0232052B1 (en) | 1986-01-20 | 1987-01-20 | Nematic liquid crystal composition |
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|---|---|---|---|
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| GB8724458D0 (en) * | 1987-10-19 | 1987-11-25 | Secr Defence | Lateral cyano terphenyls |
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| WO1991016400A1 (de) * | 1990-04-13 | 1991-10-31 | MERCK Patent Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Flüssigkristallines medium |
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| JPS6054371A (ja) * | 1983-09-01 | 1985-03-28 | Chisso Corp | ５−アルキル−２−（置換フエニル）ピリミジン |
| JPS59216876A (ja) * | 1983-05-24 | 1984-12-06 | Chisso Corp | フルオロピリミジン誘導体 |
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-
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- 1987-01-16 US US07/003,760 patent/US4776975A/en not_active Expired - Lifetime
- 1987-01-20 DE DE8787300462T patent/DE3784952T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1987-01-20 EP EP87300462A patent/EP0232052B1/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
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