JP2023535759A - 誘電体基板及びその形成方法 - Google Patents
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Abstract
本開示は、ポリイミド層と、ポリイミド層の上を覆う第１の充填ポリマー層と、を含み得る誘電体基板に関する。第１の充填ポリマー層は、樹脂マトリックス成分と、第１のセラミックフィラー成分と、を含むことができる。第１のセラミックフィラー成分は、第１のフィラー材料を含むことができる。第１のフィラー材料は、更に、約１０マイクロメートル以下の平均粒径を有することができる。【選択図】図１
Description
本開示は、誘電体基板及びその形成方法に関する。特に、本開示は、銅張積層構造において使用するための誘電体基板及びその形成方法に関する。
銅張積層板（copper-clad laminate、ＣＣＬ）は、導電性銅箔の２つの層の上又は間に積層された誘電体材料を含む。このようなＣＣＬは、その後の工程でプリント回路基板（printed circuit board、ＰＣＢ）に加工される。ＰＣＢを形成するために使用されるとき、導電性銅箔は、選択的にエッチングされ、層間に開けられたスルーホールを有する回路を形成し、メタライズ（すなわち、めっき）され、多層ＰＣＢの層間の導通を確立する。したがって、ＣＣＬは、優れた熱機械的安定性を示さなければならない。また、ＰＣＢは、はんだ付けなどの製造工程のみならず使用時において、過度に高い温度に日常的にさらされる。結果として、ＰＣＢは、継続的な２００℃超の温度下で変形することなく機能し、激しい温度変動にも耐え、吸湿しないことが要求される。ＣＣＬの誘電体層は、導電層間のスペーサーとしての役割を果たし、導電性を遮断することによって電気信号の損失及びクロストークを最小にすることができる。誘電体層の誘電率（絶対誘電率）が低いほど、その層を通過する電気信号の速度が速くなる。したがって、温度及び周波数、並びに材料の分極率に依存する低い誘電正接は、高周波用途では極めて重要である。したがって、ＰＣＢ及び他の高周波用途に使用できる改良された誘電体材料及び誘電体層が望まれている。
第１の態様によれば、誘電体基板は、ポリイミド層と、ポリイミド層の上を覆う第１の充填ポリマー層と、を含むことができる。第１の充填ポリマー層は、樹脂マトリックス成分と、第１のセラミックフィラー成分と、を含むことができる。第１のセラミックフィラー成分は、第１のフィラー材料を含むことができる。第１のフィラー材料は、更に、約１０マイクロメートル以下の平均粒径を有することができる。
別の態様によれば、銅張積層板は、銅箔層と、銅箔層の上を覆う誘電体基板と、を含むことができる。誘電体基板は、ポリイミド層と、ポリイミド層の上を覆う第１の充填ポリマー層と、を含むことができる。第１の充填ポリマー層は、樹脂マトリックス成分と、第１のセラミックフィラー成分と、を含むことができる。第１のセラミックフィラー成分は、第１のフィラー材料を含むことができる。第１のフィラー材料は、更に、約１０マイクロメートル以下の平均粒径を有することができる。
更に別の態様によれば、プリント回路基板は、銅箔層と、銅箔層の上を覆う誘電体基板と、を含むことができる。誘電体基板は、ポリイミド層と、ポリイミド層の上を覆う第１の充填ポリマー層と、を含むことができる。第１の充填ポリマー層は、樹脂マトリックス成分と、第１のセラミックフィラー成分と、を含むことができる。第１のセラミックフィラー成分は、第１のフィラー材料を含むことができる。第１のフィラー材料は、更に、約１０マイクロメートル以下の平均粒径を有することができる。
別の態様によれば、誘電体基板を形成する方法は、ポリイミド層を提供することと、第１の樹脂マトリックス前駆体成分と第１のセラミックフィラー前駆体成分とを組み合わせて第１の形成混合物を形成することと、第１の形成混合物を、ポリイミド層の上を覆う第１の充填ポリマー層に形成することと、を含むことができる。第１のセラミックフィラー前駆体成分は、第１のフィラー前駆体材料を含むことができる。第１のフィラー前駆体材料は、更に、約１０マイクロメートル以下の平均粒子径を有することができる。
更に別の態様によれば、銅張積層板を形成する方法は、銅箔を提供することと、銅箔の上を覆う誘電体層を形成することと、を含むことができる。誘電体層を形成することは、ポリイミド層を提供することと、第１の樹脂マトリックス前駆体成分と第１のセラミックフィラー前駆体成分とを組み合わせて第１の形成混合物を形成することと、第１の形成混合物を、ポリイミド層の上を覆う第１の充填ポリマー層に形成することと、を含むことができる。第１のセラミックフィラー前駆体成分は、第１のフィラー材料を含むことができる。第１のフィラー前駆体材料は、更に、約１０マイクロメートル以下の平均粒径を有することができる。
更に別の態様によれば、プリント回路基板を形成する方法は、銅箔を提供することと、銅箔の上を覆う誘電体層を形成することと、を含むことができる。誘電体層を形成することは、ポリイミド層を提供することと、第１の樹脂マトリックス前駆体成分と第１のセラミックフィラー前駆体成分とを組み合わせて第１の形成混合物を形成することと、第１の形成混合物を、ポリイミド層の上を覆う第１の充填ポリマー層に形成することと、を含むことができる。第１のセラミックフィラー前駆体成分は、第１のフィラー材料を含むことができる。第１のフィラー前駆体材料は、更に、約１０マイクロメートル以下の平均粒径を有することができる。
実施形態は、例として示されており、添付の図面に限定されない。
本明細書に記載の実施形態による誘電体層形成方法を示す略図である。
本明細書に記載の実施形態に従って形成された誘電体層の構成を示す図である。
本明細書に記載の実施形態に従って形成された誘電体層の構成を示す図である。
本明細書に記載の実施形態による銅張積層板形成方法を示す略図である。
本明細書に記載の実施形態に従って形成された銅張積層板の構成を示す図である。
本明細書に記載の実施形態に従って形成された銅張積層板の構成を示す図である。
本明細書に記載の実施形態によるプリント回路基板形成方法を示す略図である。
本明細書に記載の実施形態に従って形成されたプリント回路基板の構成を示す図である。
本明細書に記載の実施形態に従って形成されたプリント回路基板の構成を示す図である。
当業者は、図中の要素が簡略化及び明瞭化を目的として示されており、必ずしも縮尺通りに描かれていないことを理解されたい。
以下の説明は、教示の特定の実施態様及び実施形態に焦点を当てている。詳細な説明は、特定の実施形態を説明するのを助けるために提供されており、本開示又は教示の範囲又は適用性に関する限定として解釈されるべきではない。本明細書で提供される本開示及び教示に基づいて、他の実施形態を使用することができることが理解されよう。
用語「備える（comprises）」、「備える（comprising）」、「含む（includes）」、「含む（including）」、「有する（has）」、「有する（having）」、又はそれらの任意の他の変形は、非排他的包含を網羅することを意図している。例えば、特徴のリストを含む方法、物品、又は装置は、必ずしもそれらの特徴に限定されるものではないが、明示的に列挙されていない他の特徴、あるいはそのような方法、物品、又は装置に固有の他の特徴を含み得る。更に、矛盾する記載がない限り、「又は」は、包含的なｏｒを指し、排他的なｏｒを指すのではない。例えば、条件Ａ又はＢは、以下のいずれか１つによって満たされる：Ａが真であり（又は存在し）、Ｂが偽である（又は存在しない）、Ａが偽であり（又は存在せず）、Ｂが真である（又は存在する）、及び、ＡとＢとの両方が真である（又は存在する）。
また、「１つの（ａ）」又は「１つの（ａｎ）」の使用は、本明細書に記載の要素及び部品を説明するために用いられる。これは、単に便宜上、及び本発明の範囲の一般的な意味を与えるために行われる。この説明は、そうでないことを意味することが明らかでない限り、１つ、少なくとも１つ、又は単数形が複数形も含むものとして、又はその逆として理解されるべきである。例えば、単一の物品が本明細書に記載されている場合、単一の物品の代わりに２つ以上の物品を使用することができる。同様に、２つ以上の物品が本明細書に記載されている場合、単一の物品を２つ以上の物品に置き換えることができる。
本明細書に記載されている実施形態は、一般に、ポリイミド層と、ポリイミド層の上を覆う第１の充填ポリマー層と、を含み得る誘電体基板を対象としており、第１の充填ポリマー層は、第１の樹脂マトリックス成分と、第１のセラミックフィラー成分と、を含むことができる。
最初に誘電体基板の形成方法を参照すると、図１は、本明細書に記載の実施形態による、誘電体基板を形成するための形成方法１００を示す略図を含む。特定の実施形態によれば、形成方法１００は、ポリイミド層を提供する第１のステップ１１０と、第１の樹脂マトリックス前駆体成分と第１のセラミックフィラー前駆体成分とを組み合わせて第１の形成混合物を形成する第２のステップ１２０と、第１の形成混合物を、ポリイミド層の上を覆う第１の充填ポリマー層に形成する第３のステップ１３０と、を含むことができる。
特定の実施形態によれば、第１のセラミックフィラー前駆体成分は、形成方法１００によって形成された誘電体基板の性能を向上させ得る特定の特性を有し得る第１のフィラー前駆体材料を含むことができる。
特定の実施形態によれば、第１のフィラー前駆体材料は、特定のサイズ分布を有してもよい。本明細書に記載の実施形態の目的のために、材料の粒径分布、例えば、第１のフィラー前駆体材料の粒径分布は、粒径分布Ｄ値Ｄ１０、Ｄ５０及びＤ９０の任意の組み合わせを使用して記載され得る。粒径分布からのＤ１０値は、粒子の１０％がその値よりも小さく、粒子の９０％がその値よりも大きい粒径値として定義される。粒径分布からのＤ５０値は、粒子の５０％がその値よりも小さく、粒子の５０％がその値よりも大きい粒径値として定義される。粒径分布からのＤ９０値は、粒子の９０％がその値よりも小さく、粒子の１０％がその値よりも大きい粒径値として定義される。本明細書に記載の実施形態の目的のために、特定の材料の粒径測定は、レーザー回折分光法を使用して行われる。
特定の実施形態によれば、第１のフィラー前駆体材料は、特定のサイズ分布Ｄ１０値を有してもよい。例えば、第１のフィラー前駆体材料のＤ１０は、少なくとも約０．３マイクロメートル、又は少なくとも約０．４マイクロメートル、又は少なくとも約０．５マイクロメートル、又は少なくとも約０．６マイクロメートル、又は少なくとも約０．７マイクロメートル、又は少なくとも約０．８マイクロメートル、又は少なくとも約０．９マイクロメートル、又は少なくとも約１．０マイクロメートル、又は少なくとも約１．１マイクロメートル、又は更には少なくとも約１．２マイクロメートルなどの、少なくとも約０．２マイクロメートルであってもよい。更に他の実施形態によれば、第１のフィラー材料のＤ１０は、約１．５マイクロメートル以下、又は更には約１．４マイクロメートル以下などの、約１．６マイクロメートル以下であってもよい。第１のフィラー前駆体材料のＤ１０は、上記の最小値及び最大値のうちのいずれかの間の（両端値を含む）任意の値であり得ることが理解されよう。第１のフィラー前駆体材料のＤ１０は、上記の最小値及び最大値のうちのいずれかの間の（両端値を含む）範囲内であり得ることが更に理解されよう。
他の実施形態によれば、第１のフィラー前駆体材料は、特定のサイズ分布Ｄ５０値を有してもよい。例えば、第１のフィラー前駆体材料のＤ５０は、少なくとも約０．６マイクロメートル、又は少なくとも約０．７マイクロメートル、又は少なくとも約０．８マイクロメートル、又は少なくとも約０．９マイクロメートル、又は少なくとも約１．０マイクロメートル、又は少なくとも約１．１マイクロメートル、又は少なくとも約１．２マイクロメートル、又は少なくとも約１．３マイクロメートル、又は少なくとも約１．４マイクロメートル、又は少なくとも約１．５マイクロメートル、又は少なくとも約１．６マイクロメートル、又は少なくとも約１．７マイクロメートル、又は少なくとも約１．８マイクロメートル、又は少なくとも約１．９マイクロメートル、又は少なくとも約２．０マイクロメートル、又は少なくとも約２．１マイクロメートル、又は更には少なくとも約２．２マイクロメートルなどの、少なくとも約０．５マイクロメートルであってもよい。更に他の実施形態によれば、第１のフィラー材料のＤ５０は、約２．６マイクロメートル以下、又は約２．５マイクロメートル以下又は更には約２．４マイクロメートル以下などの、約２．７マイクロメートル以下であってもよい。第１のフィラー前駆体材料のＤ５０は、上記の最小値及び最大値のうちのいずれかの間の（両端値を含む）任意の値であり得ることが理解されよう。第１のフィラー前駆体材料のＤ５０は、上記の最小値及び最大値のうちのいずれかの間の（両端値を含む）範囲内であり得ることが更に理解されよう。
他の実施形態によれば、第１のフィラー前駆体材料は、特定のサイズ分布Ｄ９０値を有してもよい。例えば、第１のフィラー前駆体材料のＤ９０は、少なくとも約０．９マイクロメートル、又は少なくとも約１．０マイクロメートル、又は少なくとも約１．１マイクロメートル、又は少なくとも約１．２マイクロメートル、又は少なくとも約１．３マイクロメートル、又は少なくとも約１．４マイクロメートル、又は少なくとも約１．５マイクロメートル、又は少なくとも約１．６マイクロメートル、又は少なくとも約１．７マイクロメートル、又は少なくとも約１．８マイクロメートル、又は少なくとも約１．９マイクロメートル、又は少なくとも約２．０マイクロメートル、又は少なくとも約２．１マイクロメートル、又は少なくとも約２．２マイクロメートル、又は少なくとも約２．３マイクロメートル、又は少なくとも約２．４マイクロメートル、又は少なくとも約２．５マイクロメートル、又は少なくとも約２．６マイクロメートル、又は更には少なくとも約２．７マイクロメートルなどの、少なくとも約０．８マイクロメートルであってもよい。更に他の実施形態によれば、第１のフィラー材料のＤ９０は、約７．５マイクロメートル以下、又は約７．０マイクロメートル以下、又は約６．５マイクロメートル以下、又は約６．０マイクロメートル以下、又は約５．５マイクロメートル以下、又は約５．４マイクロメートル以下、又は約５．３マイクロメートル以下、又は約５．２マイクロメートル以下、又は更には約５．１マイクロメートル以下などの、約８．０マイクロメートル以下であってもよい。第１のフィラー前駆体材料のＤ９０は、上記の最小値及び最大値のうちのいずれかの間の（両端値を含む）任意の値であり得ることが理解されよう。第１のフィラー前駆体材料のＤ９０は、上記の最小値及び最大値のうちのいずれかの間の（両端値を含む）範囲内であり得ることが更に理解されよう。
更に他の実施形態によれば、第１のフィラー前駆体材料は、レーザー回折分光法を使用して測定される特定の平均粒径を有してもよい。例えば、第１のフィラー前駆体材料の平均粒径は、約９マイクロメートル以下、又は約８マイクロメートル以下、又は約７マイクロメートル以下、又は約６マイクロメートル以下、又は約５マイクロメートル以下、又は約４マイクロメートル以下、又は約３マイクロメートル以下、又は更には約２マイクロメートル以下などの、約１０マイクロメートル以下であってもよい。第１のフィラー前駆体材料の平均粒径は、上記の値のいずれかの間の（両端値を含む）任意の値であり得ることが理解されよう。第１のフィラー前駆体材料の平均粒径は、上記の値のうちのいずれかの間の（両端値を含む）範囲内であり得ることが更に理解されよう。
更に他の実施形態によれば、第１のフィラー前駆体材料は、特定の粒径分布スパン（ＰＳＤＳ）を有するものとして説明することができ、第１のフィラー前駆体材料のＰＳＤＳは、（Ｄ９０－Ｄ１０）／Ｄ５０に等しく、式中、Ｄ９０は、第１のフィラー前駆体材料のＤ９０粒径分布測定値に等しく、Ｄ１０は、第１のフィラー前駆体材料のＤ１０粒径分布測定値に等しく、Ｄ５０は、第１のフィラー前駆体材料のＤ５０粒径分布測定値に等しい。例えば、第１のフィラー前駆体材料のＰＳＤＳは、約４．５以下、又は約４．０以下、又は約３．５以下、又は約３．０以下、又は更には約２．５以下などの、約５以下であってもよい。第１のフィラー前駆体材料のＰＳＤＳは、上記の値のいずれかの間の（両端値を含む）任意の値であり得ることが理解されよう。第１のフィラー前駆体材料のＰＳＤＳは、上記の値のいずれかの間の（両端値を含む）範囲内であってもよいことが更に理解されよう。
更に他の実施形態によれば、第１のフィラー前駆体材料は、Ｂｒｕｎａｕｅｒ－Ｅｍｍｅｔｔ－Ｔｅｌｌｅｒ（ＢＥＴ）表面積分析（窒素吸着）を使用して測定される特定の平均表面積を有するものとして記述され得る。例えば、第１のフィラー前駆体材料は、約７．９ｍ２／ｇ以下、又は約７．５ｍ２／ｇ以下、又は約７．０ｍ２／ｇ以下、又は約６．５ｍ２／ｇ以下、又は約６．０ｍ２／ｇ以下、又は約５．５ｍ２／ｇ以下、又は約５．０ｍ２／ｇ以下、又は約４．５ｍ２／ｇ以下、又は約４．０ｍ２／ｇ以下、又は更には約３．５ｍ２／ｇ以下などの、約１０ｍ２／ｇ以下の平均表面積を有してもよい。更に他の実施形態によれば、第１のフィラー前駆体材料は、少なくとも約２．２ｍ２／ｇなどの、少なくとも約１．２ｍ２／ｇの平均表面積を有してもよい。第１のフィラー前駆体材料の平均表面積は、上記の最小値及び最大値のうちのいずれかの間の（両端値を含む）任意の値であり得ることが理解されよう。第１のフィラー前駆体材料の平均表面積は、上記の最小値及び最大値のうちのいずれかの間の（両端値を含む）範囲内であり得ることが更に理解されよう。
他の実施形態によれば、第１のフィラー前駆体材料は、特定の材料を含み得る。特定の実施形態によれば、第１のフィラー前駆体材料は、シリカ系化合物を含んでもよい。更に他の実施形態によれば、第１のフィラー前駆体材料は、シリカ系化合物からなってもよい。他の実施形態によれば、第１のフィラー前駆体材料は、シリカを含んでもよい。更に他の実施形態によれば、第１のフィラー前駆体材料は、シリカからなってもよい。
更に他の実施形態によれば、第１の形成混合物は、特定の含有量の第１のセラミックフィラー前駆体成分を含むことができる。例えば、第１のセラミックフィラー前駆体成分の含有量は、第１の形成混合物の総体積に対して、少なくとも約３１体積％、又は少なくとも約３２体積％、又は少なくとも約３３体積％、又は少なくとも約３４体積％、又は少なくとも約３５体積％、又は少なくとも約３６体積％、又は少なくとも約３７体積％、又は少なくとも約３８体積％、又は少なくとも約３９体積％、又は少なくとも約４０体積％、又は少なくとも約４１体積％、又は少なくとも約４２体積％、又は少なくとも約４３体積％、又は少なくとも約４４体積％、又は少なくとも約４５体積％、又は少なくとも約４６体積％、又は少なくとも約４７体積％、又は少なくとも約４８体積％、又は少なくとも約４９体積％、又は少なくとも約５０体積％、又は少なくとも約５１体積％、又は少なくとも約５２体積％、又は少なくとも約５３体積％、又は更には少なくとも約５４体積％などの、少なくとも約３０体積％であってもよい。更に他の実施形態によれば、第１のセラミックフィラー前駆体成分の含有量は、第１の形成混合物の総体積に対して、約５６体積％以下、又は更には約５５体積％以下などの、約５７体積％以下であってもよい。第１のセラミックフィラー前駆体成分の含有量は、上記の最小値及び最大値のうちのいずれかの間の（両端値を含む）任意の値であり得ることが理解されよう。第１のセラミックフィラー前駆体成分の含有量は、上記の最小値及び最大値のうちのいずれかの間の（両端値を含む）範囲内であり得ることが更に理解されよう。
更に他の実施形態によれば、第１のセラミックフィラー前駆体成分は、特定の含有量の第１のフィラー前駆体材料を含むことができる。例えば、第１のフィラー前駆体材料の含有量は、第１のセラミックフィラー前駆体成分の総体積に対して、少なくとも約８１体積％、又は少なくとも約８２体積％、又は少なくとも約８３体積％、又は少なくとも約８４体積％、又は少なくとも約８５体積％、又は少なくとも約８６体積％、又は少なくとも約８７体積％、又は少なくとも約８８体積％、又は少なくとも約８９体積％、又は更には少なくとも約９０体積％などの、少なくとも約８０体積％であってもよい。更に他の実施形態によれば、第１のフィラー前駆体材料の含有量は、第１のセラミックフィラー前駆体成分の総体積に対して、約９９体積％以下、又は約９８体積％以下、又は約９７体積％以下、又は約９６体積％以下、又は約９５体積％以下、又は約９４体積％以下、又は約９３体積％以下、又は更には約９２体積％以下などの、約１００体積％以下であってもよい。第１のフィラー前駆体材料の含有量は、上記の最小値及び最大値のうちのいずれかの間の（両端値を含む）任意の値であり得ることが理解されよう。第１のフィラー前駆体材料の含有量は、上記の最小値及び最大値のうちのいずれかの間の（両端値を含む）範囲内であり得ることが更に理解されよう。
更に他の実施形態によれば、第１のセラミックフィラー前駆体成分は、第２のフィラー前駆体材料を含んでもよい。
更に他の実施形態によれば、第２のフィラー前駆体材料は、特定の材料を含むことができる。例えば、第２のフィラー前駆体材料は、少なくとも約１４の誘電率を有するセラミック材料などの高誘電率セラミック材料を含むことができる。特定の実施形態によれば、第２のフィラー前駆体材料は、ＴｉＯ２、ＳｒＴｉＯ３、ＺｒＴｉ２Ｏ６、ＭｇＴｉＯ３、ＣａＴｉＯ３、ＢａＴｉＯ４、又はそれらの任意の組み合わせなどの任意の高誘電率セラミック材料を含むことができる。
更に他の実施形態によれば、第２のフィラー前駆体材料は、ＴｉＯ２を含んでもよい。更に他の実施形態によれば、第２のフィラー前駆体材料は、ＴｉＯ２からなってもよい。
更に他の実施形態によれば、第１のセラミックフィラー前駆体成分は、特定の含有量の第２のフィラー前駆体材料を含んでもよい。例えば、第２のフィラー前駆体材料の含有量は、第１のセラミックフィラー前駆体成分の総体積に対して、少なくとも約２体積％、又は少なくとも約３体積％、又は少なくとも約４体積％、又は少なくとも約５体積％、又は少なくとも約６体積％、又は少なくとも約７体積％、又は少なくとも約８体積％、又は少なくとも約９体積％、又は少なくとも約１０体積％などの、少なくとも約１体積％であってもよい。更に他の実施形態によれば、第２のフィラー前駆体材料の含有量は、第１のセラミックフィラー前駆体成分の総体積に対して、約１９体積％以下、又は約１８体積％以下、又は約１７体積％以下、又は約１６体積％以下、又は約１５体積％以下、又は約１４体積％以下、又は約１３体積％以下、又は約１２体積％以下などの、約２０体積％以下であってもよい。第２のフィラー前駆体材料の含有量は、上記の最小値及び最大値のうちのいずれかの間の（両端値を含む）任意の値であり得ることが理解されよう。第２のフィラー前駆体材料の含有量は、上記の最小値及び最大値のうちのいずれかの間の（両端値を含む）範囲内であり得ることが更に理解されよう。
更に他の実施形態によれば、第１のセラミックフィラー前駆体成分は、特定の含有量の非晶質材料を含むことができる。例えば、第１のセラミックフィラー前駆体成分は、少なくとも約９８％、又は更には少なくとも約９９％などの、少なくとも約９７％の非晶質材料を含むことができる。非晶質材料の含有量は、上記の値のいずれかの間の（両端値を含む）任意の値であり得ることが理解されよう。非晶質材料の含有量は、上記の値のいずれかの間の（両端値を含む）範囲内であってもよいことが更に理解されよう。
他の実施形態によれば、第１の樹脂マトリックス前駆体成分は、特定の材料を含んでもよい。例えば、第１の樹脂マトリックス前駆体成分は、ペルフルオロポリマーを含んでもよい。更に他の実施形態によれば、第１の樹脂マトリックス前駆体成分は、ペルフルオロポリマーからなってもよい。
更に他の実施形態によれば、第１の樹脂前駆体マトリックス成分のペルフルオロポリマーは、テトラフルオロエチレン（tetrafluoroethylene、ＴＦＥ）のコポリマー、ヘキサフルオロプロピレン（hexafluoropropylene、ＨＦＰ）のコポリマー、テトラフルオロエチレン（tetrafluoroethylene、ＴＦＥ）のターポリマー、又はそれらの任意の組み合わせ、を含んでもよい。他の実施形態によれば、第１の樹脂マトリックス前駆体成分のペルフルオロポリマーは、テトラフルオロエチレン（ＴＦＥ）のコポリマー、ヘキサフルオロプロピレン（ＨＦＰ）のコポリマー、テトラフルオロエチレン（ＴＦＥ）のターポリマー、又はそれらの任意の組み合わせ、からなってもよい。
更に他の実施形態によれば、第１の樹脂マトリックス前駆体成分のペルフルオロポリマーは、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）、ペルフルオロアルコキシポリマー樹脂（perfluoroalkoxy polymer resin、ＰＦＡ）、フッ素化エチレンプロピレン（fluorinated ethylene propylene、ＦＥＰ）、又はそれらの任意の組み合わせを含んでもよい。更に他の実施形態によれば、第１の樹脂マトリックス前駆体成分のペルフルオロポリマーは、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）、ペルフルオロアルコキシポリマー樹脂（ＰＦＡ）、フッ素化エチレンプロピレン（ＦＥＰ）、又はそれらの任意の組み合わせからなってもよい。
更に他の実施形態によれば、第１の形成混合物は、特定の含有量の第１の樹脂マトリックス前駆体成分を含んでもよい。例えば、第１の樹脂マトリックス前駆体成分の含有量は、形成混合物の総体積に対して、少なくとも約４６体積％、又は少なくとも約４７体積％、又は少なくとも約４８体積％、又は少なくとも約４９体積％、又は少なくとも約５０体積％、又は少なくとも約５１体積％、又は少なくとも約５２体積％、又は少なくとも約５３体積％、又は少なくとも約５４体積％、又は更には少なくとも約５５体積％などの、少なくとも約４５体積％であってもよい。更に他の実施形態によれば、第１の樹脂マトリックス前駆体成分の含有量は、第１の形成混合物の総体積に対して約６３体積％以下、又は約６２体積％以下、又は約６１体積％以下、又は約６０体積％以下、又は約５９体積％以下、又は約５８体積％以下、又は更には約５７体積％以下である。第１の樹脂マトリックス前駆体成分の含有量は、上記の最小値及び最大値のうちのいずれかの間の（両端値を含む）任意の値であり得ることが理解されよう。第１の樹脂マトリックス前駆体成分の含有量は、上記の最小値及び最大値のうちのいずれかの間の（両端値を含む）範囲内であり得ることが更に理解されよう。
更に他の実施形態によれば、第１の形成混合物は、特定の含有量のペルフルオロポリマーを含んでもよい。例えば、ペルフルオロポリマーの含有量は、形成混合物の総体積に対して、少なくとも約４６体積％、又は少なくとも約４７体積％、又は少なくとも約４８体積％、又は少なくとも約４９体積％、又は少なくとも約５０体積％、又は少なくとも約５１体積％、又は少なくとも約５２体積％、又は少なくとも約５３体積％、又は少なくとも約５４体積％、又は更には少なくとも約５５体積％などの、少なくとも約４５体積％であってもよい。更に他の実施形態によれば、ペルフルオロポリマーの含有量は、第１の形成混合物の総体積に対して、約６２体積％以下、又は約６１体積％以下、又は約６０体積％以下、又は約５９体積％以下、又は約５８体積％以下、又は更には約５７体積％以下などの、約６３体積％以下であり得る。ペルフルオロポリマーの含有量は、上記の最小値及び最大値のうちのいずれかの間の（両端値を含む）任意の値であり得ることが理解されよう。ペルフルオロポリマーの含有量は、上記の最小値及び最大値のうちのいずれかの間の（両端値を含む）範囲内であり得ることが更に理解されよう。
更に他の実施形態によれば、第２のステップ１２０は、第２の樹脂マトリックス前駆体成分と第２のセラミックフィラー前駆体成分とを組み合わせて第２の形成混合物を形成するステップを更に含むことができ、第３のステップ１３０は、第２の形成混合物を、ポリイミド層の下を覆う第２の充填ポリマー層に形成するステップを更に含むことができる。
特定の実施形態によれば、第２のセラミックフィラー前駆体成分は、形成方法１００によって形成される誘電体基板の性能を改善することができる特定の特性を有し得る第３のフィラー前駆体材料を含むことができる。
特定の実施形態によれば、第３のフィラー前駆体材料は、特定のサイズ分布を有してもよい。本明細書に記載されている実施形態の目的のために、材料の粒径分布、例えば、第３のフィラー前駆体材料の粒径分布は、粒径分布Ｄ値Ｄ１０、Ｄ５０及びＤ９０の任意の組み合わせを使用して記述され得る。粒径分布からのＤ１０値は、粒子の１０％がその値よりも小さく、粒子の９０％がその値よりも大きい粒径値として定義される。粒径分布からのＤ５０値は、粒子の５０％がその値よりも小さく、粒子の５０％がその値よりも大きい粒径値として定義される。粒径分布からのＤ９０値は、粒子の９０％がその値よりも小さく、粒子の１０％がその値よりも大きい粒径値として定義される。本明細書に記載される実施形態の目的のために、特定の材料の粒径測定は、レーザー回折分光法を使用して行われる。
特定の実施形態によれば、第３のフィラー前駆体材料は、特定のサイズ分布Ｄ１０値を有してもよい。例えば、第３のフィラー前駆体材料のＤ１０値は、少なくとも約０．３マイクロメートル、又は少なくとも約０．４マイクロメートル、又は少なくとも約０．５マイクロメートル、又は少なくとも約０．６マイクロメートル、又は少なくとも約０．７マイクロメートル、又は少なくとも約０．８マイクロメートル、又は少なくとも約０．９マイクロメートル、又は少なくとも約１．０マイクロメートル、又は少なくとも約１．１マイクロメートル、又は更には少なくとも約１．２マイクロメートルなどの、少なくとも約０．２マイクロメートルであってもよい。更に他の実施形態によれば、第３のフィラー材料のＤ１０は、約１．５マイクロメートル以下、又は更には約１．４マイクロメートル以下などの、約１．６マイクロメートル以下であってもよい。第３のフィラー前駆体材料のＤ１０は、上記の最小値及び最大値のうちのいずれかの間の（両端値を含む）任意の値であり得ることが理解されよう。第３のフィラー前駆体材料のＤ１０は、上記の最小値及び最大値のうちのいずれかの間の（両端値を含む）範囲内であり得ることが更に理解されよう。
他の実施形態によれば、第３のフィラー前駆体材料は、特定のサイズ分布Ｄ５０値を有してもよい。例えば、第３のフィラー前駆体材料のＤ５０は、少なくとも約０．６マイクロメートル、又は少なくとも約０．７マイクロメートル、又は少なくとも約０．８マイクロメートル、又は少なくとも約０．９マイクロメートル、又は少なくとも約１．０マイクロメートル、又は少なくとも約１．１マイクロメートル、又は少なくとも約１．２マイクロメートル、又は少なくとも約１．３マイクロメートル、又は少なくとも約１．４マイクロメートル、又は少なくとも約１．５マイクロメートル、又は少なくとも約１．６マイクロメートル、又は少なくとも約１．７マイクロメートル、又は少なくとも約１．８マイクロメートル、又は少なくとも約１．９マイクロメートル、又は少なくとも約２．０マイクロメートル、又は少なくとも約２．１マイクロメートル、又は更には少なくとも約２．２マイクロメートルなどの、少なくとも約０．５マイクロメートルであってもよい。更に他の実施形態によれば、第３のフィラー材料のＤ５０は、約２．６マイクロメートル以下、又は約２．５マイクロメートル以下、又は更には約２．４マイクロメートル以下などの、約２．７マイクロメートル以下であってもよい。第３のフィラー材料のＤ５０は、上記の最小値及び最大値のうちのいずれかの間の（両端値を含む）任意の値であり得ることが理解されよう。第３のフィラー前駆体材料のＤ５０は、上記の最小値及び最大値のうちのいずれかの間の（両端値を含む）範囲内であり得ることが更に理解されよう。
他の実施形態によれば、第３のフィラー前駆体材料は、特定のサイズ分布Ｄ９０値を有してもよい。例えば、第３のフィラー前駆体材料のＤ９０は、少なくとも約０．９マイクロメートル、又は少なくとも約１．０マイクロメートル、又は少なくとも約１．１マイクロメートル、又は少なくとも約１．２マイクロメートル、又は少なくとも約１．３マイクロメートル、又は少なくとも約１．４マイクロメートル、又は少なくとも約１．５マイクロメートル、又は少なくとも約１．６マイクロメートル、又は少なくとも約１．７マイクロメートル、又は少なくとも約１．８マイクロメートル、又は少なくとも約１．９マイクロメートル、又は少なくとも約２．０マイクロメートル、又は少なくとも約２．１マイクロメートル、又は少なくとも約２．２マイクロメートル、又は少なくとも約２．３マイクロメートル、又は少なくとも約２．４マイクロメートル、又は少なくとも約２．５マイクロメートル、又は少なくとも約２．６マイクロメートル、又は更には少なくとも約２．７マイクロメートルなどの、少なくとも約０．８マイクロメートルであってもよい。更に他の実施形態によれば、第３のフィラー材料のＤ９０は、約７．５マイクロメートル以下、又は約７．０マイクロメートル以下、又は約６．５マイクロメートル以下、又は約６．０マイクロメートル以下、又は約５．５マイクロメートル以下、又は約５．４マイクロメートル以下、又は約５．３マイクロメートル以下、又は約５．２マイクロメートル以下、又は更には約５．１マイクロメートル以下などの、約８．０マイクロメートル以下であってもよい。第３のフィラー前駆体材料のＤ９０は、上記の最小値及び最大値のうちのいずれかの間の（両端値を含む）任意の値であり得ることが理解されよう。第３のフィラー前駆体材料のＤ９０は、上記の最小値及び最大値のうちのいずれかの間の（両端値を含む）範囲内であり得ることが更に理解されよう。
更に他の実施形態によれば、第３のフィラー前駆体材料は、レーザー回折分光法を使用して測定される特定の平均粒径を有してもよい。例えば、第３のフィラー前駆体材料の平均粒径は、約９マイクロメートル以下、又は約８マイクロメートル以下、又は約７マイクロメートル以下、又は約６マイクロメートル以下、又は約５マイクロメートル以下、又は約４マイクロメートル以下、又は約３マイクロメートル以下、又は更には約２マイクロメートル以下などの、約１０マイクロメートル以下であってもよい。第３のフィラー前駆体材料の平均粒径は、上記の値のいずれかの間の（両端値を含む）任意の値であり得ることが理解されよう。第３のフィラー前駆体材料の平均粒径は、上記の値のうちのいずれかの間の（両端値を含む）範囲内であり得ることが更に理解されよう。
更に他の実施形態によれば、第３のフィラー前駆体材料は、特定の粒径分布スパン（ＰＳＤＳ）を有するものとして説明することができ、第３のフィラー前駆体材料のＰＳＤＳは、（Ｄ９０－Ｄ１０）／Ｄ５０に等しく、式中、Ｄ９０は、第３のフィラー前駆体材料のＤ９０粒径分布測定値に等しく、Ｄ１０は、第３のフィラー前駆体材料のＤ１０粒径分布測定値に等しく、Ｄ５０は、第３のフィラー前駆体材料のＤ５０粒径分布測定値に等しい。例えば、第３のフィラー前駆体材料のＰＳＤＳは、約４．５以下、又は約４．０以下、又は約３．５以下、又は約３．０以下、又は更には約２．５以下などの、約５以下であってもよい。第３のフィラー前駆体材料のＰＳＤＳは、上記の値のいずれかの間の（両端値を含む）任意の値であり得ることが理解されよう。第３のフィラー前駆体材料のＰＳＤＳは、上記の値のいずれかの間の（両端値を含む）範囲内であってもよいことが更に理解されよう。
更に他の実施形態によれば、第３のフィラー前駆体材料は、Ｂｒｕｎａｕｅｒ－Ｅｍｍｅｔｔ－Ｔｅｌｌｅｒ（ＢＥＴ）表面積分析（窒素吸着）を使用して測定される特定の平均表面積を有するものとして記述され得る。例えば、第３のフィラー前駆体材料は、約７．９ｍ２／ｇ以下、又は約７．５ｍ２／ｇ以下、又は約７．０ｍ２／ｇ以下、又は約６．５ｍ２／ｇ以下、又は約６．０ｍ２／ｇ以下、又は約５．５ｍ２／ｇ以下、又は約５．０ｍ２／ｇ以下、又は約４．５ｍ２／ｇ以下、又は約４．０ｍ２／ｇ以下、又は更には約３．５ｍ２／ｇ以下などの、約１０ｍ２／ｇ以下の平均表面積を有してもよい。更に他の実施形態によれば、第３のフィラー前駆体材料は、少なくとも約２．４ｍ２／ｇなどの、少なくとも約１．２ｍ２／ｇの平均表面積を有してもよい。第３のフィラー前駆体材料の平均表面積は、上記の最小値及び最大値のうちのいずれかの間の（両端値を含む）任意の値であり得ることが理解されよう。第３のフィラー前駆体材料の平均表面積は、上記の最小値及び最大値のうちのいずれかの間の（両端値を含む）範囲内であり得ることが更に理解されよう。
他の実施形態によれば、第３のフィラー前駆体材料は、特定の材料を含み得る。特定の実施形態によれば、第３のフィラー前駆体材料は、シリカ系シリカ系化合物を含んでもよい。更に他の実施形態によれば、第３のフィラー前駆体材料は、シリカ系化合物からなってもよい。他の実施形態によれば、第３のフィラー前駆体材料は、シリカを含んでもよい。更に他の実施形態によれば、第３のフィラー前駆体材料は、シリカからなってもよい。
更に他の実施形態によれば、第２の形成混合物は、特定の含有量の第２のセラミックフィラー前駆体成分を含むことができる。例えば、第２のセラミックフィラー前駆体成分の含有量は、第２の形成混合物の総体積に対して、少なくとも約３１体積％、又は少なくとも約３２体積％、又は少なくとも約３３体積％、又は少なくとも約３４体積％、又は少なくとも約３５体積％、又は少なくとも約３６体積％、又は少なくとも約３７体積％、又は少なくとも約３８体積％、又は少なくとも約３９体積％、又は少なくとも約４０体積％、又は少なくとも約４１体積％、又は少なくとも約４２体積％、又は少なくとも約４３体積％、又は少なくとも約４４体積％、又は少なくとも約４５体積％、又は少なくとも約４６体積％、又は少なくとも約４７体積％、又は少なくとも約４８体積％、又は少なくとも約４９体積％、又は少なくとも約５０体積％、又は少なくとも約５１体積％、又は少なくとも約５２体積％、又は少なくとも約５３体積％、又は更には少なくとも約５４体積％などの、少なくとも約３０体積％であってもよい。更に他の実施形態によれば、第２のセラミックフィラー前駆体成分の含有量は、第２の形成混合物の総体積に対して、約５６体積％以下、又は更には約５５体積％以下などの、約５７体積％以下であってもよい。第２のセラミックフィラー前駆体成分の含有量は、上記の最小値及び最大値のうちのいずれかの間の（両端値を含む）任意の値であり得ることが理解されよう。第２のセラミックフィラー前駆体成分の含有量は、上記の最小値及び最大値のうちのいずれかの間の（両端値を含む）範囲内であり得ることが更に理解されよう。
更に他の実施形態によれば、第２のセラミックフィラー前駆体成分は、特定の含有量の第３のフィラー前駆体材料を含むことができる。例えば、第３のフィラー前駆体材料の含有量は、第２のセラミックフィラー前駆体成分の総体積に対して、少なくとも約８１体積％、又は少なくとも約８２体積％、又は少なくとも約８３体積％、又は少なくとも約８４体積％、又は少なくとも約８５体積％、又は少なくとも約８６体積％、又は少なくとも約８７体積％、又は少なくとも約８８体積％、又は少なくとも約８９体積％、又は更には少なくとも約９０体積％などの、少なくとも約８０体積％であってもよい。更に他の実施形態によれば、第３のフィラー前駆体材料の含有量は、第２のセラミックフィラー前駆体成分の総体積に対して、約９９体積％以下、又は約９８体積％以下、又は約９７体積％以下、又は約９６体積％以下、又は約９５体積％以下、又は約９４体積％以下、又は約９３体積％以下、又は更には約９２体積％以下などの、約１００体積％以下であってもよい。第３のフィラー前駆体材料の含有量は、上記の最小値及び最大値のうちのいずれかの間の（両端値を含む）任意の値であり得ることが理解されよう。第３のフィラー前駆体材料の含有量は、上記の最小値及び最大値のうちのいずれかの間の（両端値を含む）範囲内であり得ることが更に理解されよう。
更に他の実施形態によれば、第２のセラミックフィラー前駆体成分は、第４のフィラー前駆体材料を含んでもよい。
更に他の実施形態によれば、第４のフィラー前駆体材料は、特定の材料を含み得る。例えば、第４のフィラー前駆体材料は、少なくとも約１４の誘電率を有するセラミック材料などの高誘電率セラミック材料を含むことができる。特定の実施形態によれば、第４のフィラー前駆体材料は、ＴｉＯ２、ＳｒＴｉＯ３、ＺｒＴｉ２Ｏ６、ＭｇＴｉＯ３、ＣａＴｉＯ３、ＢａＴｉＯ４、又はそれらの任意の組み合わせなどの任意の高誘電率セラミック材料を含むことができる。
更に他の実施形態によれば、第４のフィラー前駆体材料は、ＴｉＯ２を含んでもよい。更に他の実施形態によれば、第４のフィラー前駆体材料は、ＴｉＯ２からなってもよい。
更に他の実施形態によれば、第２のセラミックフィラー前駆体成分は、特定の含有量の第４のフィラー前駆体材料を含むことができる。例えば、第４のフィラー前駆体材料の含有量は、第２のセラミックフィラー前駆体成分の総体積に対して、少なくとも約２体積％、又は少なくとも約３体積％、又は少なくとも約４体積％、又は少なくとも約５体積％、又は少なくとも約６体積％、又は少なくとも約７体積％、又は少なくとも約８体積％、又は少なくとも約９体積％、又は少なくとも約１０体積％などの、少なくとも約１体積％であってもよい。更に他の実施形態によれば、第４のフィラー前駆体材料の含有量は、第２のセラミックフィラー前駆体成分の総体積に対して、約１９体積％以下、又は約１８体積％以下、又は約１７体積％以下、又は約１６体積％以下、又は約１５体積％以下、又は約１４体積％以下、又は約１３体積％以下、又は約１２体積％以下などの、約２０体積％以下であってもよい。第４のフィラー前駆体材料の含有量は、上記の最小値及び最大値のうちのいずれかの間の（両端値を含む）任意の値であり得ることが理解されよう。第４のフィラー前駆体材料の含有量は、上記の最小値及び最大値のうちのいずれかの間の（両端値を含む）範囲内であり得ることが更に理解されよう。
更に他の実施形態によれば、第２のセラミックフィラー前駆体成分は、特定の含有量の非晶質材料を含むことができる。例えば、第２のセラミックフィラー前駆体成分は、少なくとも約９８％、又は更には少なくとも約９９％などの、少なくとも約９７％の非晶質材料を含むことができる。非晶質材料の含有量は、上記の値のいずれかの間の（両端値を含む）任意の値であり得ることが理解されよう。非晶質材料の含有量は、上記の値のいずれかの間の（両端値を含む）範囲内であってもよいことが更に理解されよ。
他の実施形態によれば、第２の樹脂マトリックス前駆体成分は、特定の材料を含んでもよい。例えば、第２の樹脂マトリックス前駆体成分は、ペルフルオロポリマーを含んでもよい。更に他の実施形態によれば、第２の樹脂マトリックス前駆体成分は、ペルフルオロポリマーからなってもよい。
更に他の実施形態によれば、第１の樹脂前駆体マトリックス成分のペルフルオロポリマーは、テトラフルオロエチレン（ＴＦＥ）のコポリマー、ヘキサフルオロプロピレン（ＨＦＰ）のコポリマー、テトラフルオロエチレン（ＴＦＥ）のターポリマー、又はそれらの任意の組み合わせ、を含んでもよい。他の実施形態によれば、第２の樹脂マトリックス前駆体成分のペルフルオロポリマーは、テトラフルオロエチレン（ＴＦＥ）のコポリマー、ヘキサフルオロプロピレン（ＨＦＰ）のコポリマー、テトラフルオロエチレン（ＴＦＥ）のターポリマー、又はそれらの任意の組み合わせ、からなってもよい。
更に他の実施形態によれば、第２の樹脂マトリックス前駆体成分のペルフルオロポリマーは、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）、ペルフルオロアルコキシポリマー樹脂（ＰＦＡ）、フッ素化エチレンプロピレン（ＦＥＰ）、又はそれらの任意の組み合わせを含んでもよい。更に他の実施形態によれば、第２の樹脂マトリックス前駆体成分のペルフルオロポリマーは、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）、ペルフルオロアルコキシポリマー樹脂（ＰＦＡ）、フッ素化エチレンプロピレン（ＦＥＰ）、又はそれらの任意の組み合わせからなってもよい。
更に他の実施形態によれば、第２の形成混合物は、特定の含有量の第２の樹脂マトリックス前駆体成分を含むことができる。例えば、第２の樹脂マトリックス前駆体成分の含有量は、形成混合物の総体積に対して、少なくとも約４６体積％、又は少なくとも約４７体積％、又は少なくとも約４８体積％、又は少なくとも約４９体積％、又は少なくとも約５０体積％、又は少なくとも約５１体積％、又は少なくとも約５２体積％、又は少なくとも約５３体積％、又は少なくとも約５４体積％、又は更には少なくとも約５５体積％などの、少なくとも約４５体積％であってもよい。更に他の実施形態によれば、第２の樹脂マトリックス前駆体成分の含有量は、第２の形成混合物の総体積に対して約６３体積％以下、又は約６２体積％以下、又は約６１体積％以下、又は約６０体積％以下、又は約５９体積％以下、又は約５８体積％以下、又は更には約５７体積％以下である。第２の樹脂マトリックス前駆体成分の含有量は、上記の最小値及び最大値のうちのいずれかの間の（両端値を含む）任意の値であり得ることが理解されよう。第２の樹脂マトリックス前駆体成分の含有量は、上記の最小値及び最大値のうちのいずれかの間の（両端値を含む）範囲内であり得ることが更に理解されよう。
更に他の実施形態によれば、第２の形成混合物は、特定の含有量のペルフルオロポリマーを含んでもよい。例えば、ペルフルオロポリマーの含有量は、形成混合物の総体積に対して、少なくとも約４６体積％、又は少なくとも約４７体積％、又は少なくとも約４８体積％、又は少なくとも約４９体積％、又は少なくとも約５０体積％、又は少なくとも約５１体積％、又は少なくとも約５２体積％、又は少なくとも約５３体積％、又は少なくとも約５４体積％、又は更には少なくとも約５５体積％などの、少なくとも約４５体積％であってもよい。更に他の実施形態によれば、ペルフルオロポリマーの含有量は、第２の形成混合物の総体積に対して、約６２体積％以下、又は約６１体積％以下、又は約６０体積％以下、又は約５９体積％以下、又は約５８体積％以下、又は更には約５７体積％以下などの、約６３体積％以下であってもよい。ペルフルオロポリマーの含有量は、上記の最小値及び最大値のうちのいずれかの間の（両端値を含む）任意の値であり得ることが理解されよう。ペルフルオロポリマーの含有量は、上記の最小値及び最大値のうちのいずれかの間の（両端値を含む）範囲内であり得ることが更に理解されよう。
次に、形成方法１００に従って形成された誘電体基板の実施形態を参照すると、図２ａは、誘電体基板２００の略図を含む。図２ａに示したように、誘電体基板２００は、ポリイミド層２０２と、ポリイミド層の上を覆う第１の充填ポリマー層２０４と、を含むことができる。図２ａに示したように、第１の充填ポリマー層２０４は、第１の樹脂マトリックス成分２１０及び第１のセラミックフィラー成分２２０を含むことができる。
特定の実施形態によれば、第１のセラミックフィラー成分２２０は、誘電体基板２００の性能を改善することができる特定の特性を有し得る第１のフィラー材料を含むことができる。
特定の実施形態によれば、第１のセラミックフィラー成分２２０の第１のフィラー材料は、特定のサイズ分布を有することができる。本明細書に記載されている実施形態の目的のために、材料の粒径分布、例えば、第１のフィラー材料の粒径分布は、粒径分布Ｄ値Ｄ１０、Ｄ５０及びＤ９０の任意の組み合わせを使用して記述され得る。粒径分布からのＤ１０値は、粒子の１０％がその値よりも小さく、粒子の９０％がその値よりも大きい粒径値として定義される。粒径分布からのＤ５０値は、粒子の５０％がその値よりも小さく、粒子の５０％がその値よりも大きい粒径値として定義される。粒径分布からのＤ９０値は、粒子の９０％がその値よりも小さく、粒子の１０％がその値よりも大きい粒径値として定義される。本明細書に記載される実施形態の目的のために、特定の材料の粒径測定は、レーザー回折分光法を使用して行われる。
特定の実施形態によれば、第１のセラミックフィラー成分２２０の第１のフィラー材料は、特定のサイズ分布Ｄ１０値を有することができる。例えば、第１のフィラー材料のＤ１０値は、少なくとも約０．３マイクロメートル、又は少なくとも約０．４マイクロメートル、又は少なくとも約０．５マイクロメートル、又は少なくとも約０．６マイクロメートル、又は少なくとも約０．７マイクロメートル、又は少なくとも約０．８マイクロメートル、又は少なくとも約０．９マイクロメートル、又は少なくとも約１．０マイクロメートル、又は少なくとも約１．１マイクロメートル、又は更には少なくとも約１．２マイクロメートルなどの、少なくとも約０．２マイクロメートルであってもよい。更に他の実施形態によれば、第１のフィラー材料のＤ１０は、約１．５マイクロメートル以下、又は更には約１．４マイクロメートル以下などの、約１．６マイクロメートル以下であってもよい。第１のフィラー材料のＤ１０は、上記の最小値及び最大値のうちのいずれかの間の（両端値を含む）任意の値であり得ることが理解されよう。第１のフィラー材料のＤ１０は、上記の最小値及び最大値のうちのいずれかの間の（両端値を含む）範囲内であり得ることが更に理解されよう。
他の実施形態によれば、第１のセラミックフィラー成分２２０の第１のフィラー材料は、特定のサイズ分布Ｄ５０値を有してもよい。例えば、第１のフィラー材料のＤ５０は、少なくとも約０．６マイクロメートル、又は少なくとも約０．７マイクロメートル、又は少なくとも約０．８マイクロメートル、又は少なくとも約０．９マイクロメートル、又は少なくとも約１．０マイクロメートル、又は少なくとも約１．１マイクロメートル、又は少なくとも約１．２マイクロメートル、又は少なくとも約１．３マイクロメートル、又は少なくとも約１．４マイクロメートル、又は少なくとも約１．５マイクロメートル、又は少なくとも約１．６マイクロメートル、又は少なくとも約１．７マイクロメートル、又は少なくとも約１．８マイクロメートル、又は少なくとも約１．９マイクロメートル、又は少なくとも約２．０マイクロメートル、又は少なくとも約２．１マイクロメートル、又は更には少なくとも約２．２マイクロメートルなどの、少なくとも約０．５マイクロメートルであってもよい。更に他の実施形態によれば、第１のフィラー材料のＤ５０は、約２．６マイクロメートル以下、又は約２．５マイクロメートル以下又は更には約２．４マイクロメートル以下などの、約２．７マイクロメートル以下であってもよい。第１のフィラー材料のＤ５０は、上記の最小値及び最大値のうちのいずれかの間の（両端値を含む）任意の値であり得ることが理解されよう。第１のフィラー材料のＤ５０は、上記の最小値及び最大値のうちのいずれかの間の（両端値を含む）範囲内であり得ることが更に理解されよう。
他の実施形態によれば、第１のセラミックフィラー成分２２０の第１のフィラー材料は、特定のサイズ分布Ｄ９０値を有してもよい。例えば、第１のフィラー材料のＤ９０は、少なくとも約０．９マイクロメートル、又は少なくとも約１．０マイクロメートル、又は少なくとも約１．１マイクロメートル、又は少なくとも約１．２マイクロメートル、又は少なくとも約１．３マイクロメートル、又は少なくとも約１．４マイクロメートル、又は少なくとも約１．５マイクロメートル、又は少なくとも約１．６マイクロメートル、又は少なくとも約１．７マイクロメートル、又は少なくとも約１．８マイクロメートル、又は少なくとも約１．９マイクロメートル、又は少なくとも約２．０マイクロメートル、又は少なくとも約２．１マイクロメートル、又は少なくとも約２．２マイクロメートル、又は少なくとも約２．３マイクロメートル、又は少なくとも約２．４マイクロメートル、又は少なくとも約２．５マイクロメートル、又は少なくとも約２．６マイクロメートル、又は更には少なくとも約２．７マイクロメートルなどの、少なくとも約０．８マイクロメートルであってもよい。更に他の実施形態によれば、第１のフィラー材料のＤ９０は、約７．５マイクロメートル以下、又は約７．０マイクロメートル以下、又は約６．５マイクロメートル以下、又は約６．０マイクロメートル以下、又は約５．５マイクロメートル以下、又は約５．４マイクロメートル以下、又は約５．３マイクロメートル以下、又は約５．２マイクロメートル以下、又は更には約５．１マイクロメートル以下などの、約８．０マイクロメートル以下であってもよい。第１のフィラー材料のＤ９０は、上記の最小値及び最大値のうちのいずれかの間の（両端値を含む）任意の値であり得ることが理解されよう。第１のフィラー材料のＤ９０は、上記の最小値及び最大値のうちのいずれかの間の（両端値を含む）範囲内であり得ることが更に理解されよう。
更に他の実施形態によれば、第１のセラミックフィラー成分２２０の第１のフィラー材料は、レーザー回折分光法によって測定される特定の平均粒径を有してもよい。例えば、第１のフィラー材料の平均粒径は、約９マイクロメートル以下、又は約８マイクロメートル以下、又は約７マイクロメートル以下、又は約６マイクロメートル以下、又は約５マイクロメートル以下、又は約４マイクロメートル以下、又は約３マイクロメートル以下、又は更には約２マイクロメートル以下などの、約１０マイクロメートル以下であってもよい。第１のフィラー材料の平均粒径は、上記の値のいずれかの間の（両端値を含む）任意の値であり得ることが理解されよう。第１のフィラー材料の平均粒径は、上記の値のうちのいずれかの間の（両端値を含む）範囲内であり得ることが更に理解されよう。
更に他の実施形態によれば、第１のセラミックフィラー成分２２０の第１のフィラー材料は、特定の粒径分布スパン（ＰＳＤＳ）を有するものとして説明することができ、ＰＳＤＳは、（Ｄ９０－Ｄ１０）／Ｄ５０に等しく、式中、Ｄ９０は、第１のフィラー材料のＤ９０粒径分布測定値に等しく、Ｄ１０は、第１のフィラー材料のＤ１０粒径分布測定値に等しく、Ｄ５０は、第１のフィラー材料のＤ５０粒径分布測定値に等しい。例えば、第１のフィラー材料のＰＳＤＳは、約４．５以下、又は約４．０以下、又は約３．５以下、又は約３．０以下、又は更には約２．５以下などの、約５以下であってもよい。第１のフィラー材料のＰＳＤＳは、上記の値のうちのいずれかの間の（両端値を含む）任意の値であり得ることが理解されよう。第１のフィラー材料のＰＳＤＳは、上記の値のいずれかの間の（両端値を含む）範囲内であってもよいことが更に理解されよう。
更に他の実施形態によれば、第１のセラミックフィラー成分２２０の第１のフィラー材料は、Ｂｒｕｎａｕｅｒ－Ｅｍｍｅｔｔ－Ｔｅｌｌｅｒ（ＢＥＴ）表面積分析（窒素吸着）を使用して測定される特定の平均表面積を有するものとして記述され得る。例えば、第１のフィラー材料は、約７．９ｍ２／ｇ以下、又は約７．５ｍ２／ｇ以下、又は約７．０ｍ２／ｇ以下、又は約６．５ｍ２／ｇ以下、又は約６．０ｍ２／ｇ以下、又は約５．５ｍ２／ｇ以下、又は約５．０ｍ２／ｇ以下、又は約４．５ｍ２／ｇ以下、又は約４．０ｍ２／ｇ以下、又は更には約３．５ｍ２／ｇ以下などの、約１０ｍ２／ｇ以下の平均表面積を有してもよい。更に他の実施形態によれば、第１のフィラー材料は、少なくとも約２．４ｍ２／ｇなどの、少なくとも約１．２ｍ２／ｇの平均表面積を有してもよい。第１のフィラー材料の平均表面積は、上記の最小値及び最大値のうちのいずれかの間の（両端値を含む）任意の値であり得ることが理解されよう。第１のフィラー材料の平均表面積は、上記の最小値及び最大値のうちのいずれかの間の（両端値を含む）範囲内であり得ることが更に理解されよう。
他の実施形態によれば、第１のセラミックフィラー成分２２０の第１のフィラー材料は、特定の材料を含むことができる。特定の実施形態によれば、第１のフィラー材料は、シリカ系化合物を含むことができる。更に他の実施形態によれば、第１のフィラー材料は、シリカ系化合物からなってもよい。他の実施形態によれば、第１のフィラー材料は、シリカを含んでもよい。更に他の実施形態によれば、第１のフィラー材料は、シリカからなってもよい。
更に他の実施形態によれば、第１の充填ポリマー層２０４は、特定の含有量の第１のセラミックフィラー成分２２０を含むことができる。例えば、セラミックフィラー成分２２０の含有量は、第１の充填ポリマー層２０４の総体積に対して、少なくとも約３１体積％、又は少なくとも約３２体積％、又は少なくとも約３３体積％、又は少なくとも約３４体積％、又は少なくとも約３５体積％、又は少なくとも約３６体積％、又は少なくとも約３７体積％、又は少なくとも約３８体積％、又は少なくとも約３９体積％、又は少なくとも約４０体積％、又は少なくとも約４１体積％、又は少なくとも約４２体積％、又は少なくとも約４３体積％、又は少なくとも約４４体積％、又は少なくとも約４５体積％、又は少なくとも約４６体積％、又は少なくとも約４７体積％、又は少なくとも約４８体積％、又は少なくとも約４９体積％、又は少なくとも約５０体積％、又は少なくとも約５１体積％、又は少なくとも約５２体積％、又は少なくとも約５３体積％、又は更には少なくとも約５４体積％などの、少なくとも約３０体積％であってもよい。更に他の実施形態によれば、セラミックフィラー成分２２０の含有量は、第１の充填ポリマー層２０４の総体積に対して、約５６体積％以下、又は更には約５５体積％以下などの、約５７体積％以下であってもよい。セラミックフィラー成分２２０の含有量は、上記の最小値及び最大値のうちのいずれかの間の（両端値を含む）任意の値であり得ることが理解されよう。セラミックフィラー成分２２０の含有量は、上記の最小値及び最大値のうちのいずれかの間の（両端値を含む）範囲内であり得ることが更に理解されよう。
更に他の実施形態によれば、第１のセラミックフィラー成分２２０は、特定の含有量の第１のフィラー材料を含むことができる。例えば、第１のフィラー材料の含有量は、第１のセラミックフィラー成分２２０の総体積に対して、少なくとも約８１体積％、又は少なくとも約８２体積％、又は少なくとも約８３体積％、又は少なくとも約８４体積％、又は少なくとも約８５体積％、又は少なくとも約８６体積％、又は少なくとも約８７体積％、又は少なくとも約８８体積％、又は少なくとも約８９体積％、又は更には少なくとも約９０体積％などの、少なくとも約８０体積％であってもよい。更に他の実施形態によれば、第１のフィラー材料の含有量は、第１のセラミックフィラー成分２２０の総体積に対して、約９９体積％以下、又は約９８体積％以下、又は約９７体積％以下、又は約９６体積％以下、又は約９５体積％以下、又は約９４体積％以下、又は約９３体積％以下、又は更には約９２体積％以下などの、約１００体積％以下であってもよい。第１のフィラー材料の含有量は、上記の最小値及び最大値のうちのいずれかの間の（両端値を含む）任意の値であり得ることが理解されよう。第１のフィラー材料の含有量は、上記の最小値及び最大値のうちのいずれかの間の（両端値を含む）範囲内であり得ることが更に理解されよう。
更に他の実施形態によれば、第１のセラミックフィラー成分２２０は、第２のフィラー材料を含むことができる。
更に他の実施形態によれば、第１のセラミックフィラー成分２２０の第２のフィラー材料は、特定の材料を含むことができる。例えば、第２のフィラー材料は、少なくとも約１４の誘電率を有するセラミック材料などの高誘電率セラミック材料を含むことができる。特定の実施形態によれば、第１のセラミックフィラー成分２２０の第２のフィラー材料は、ＴｉＯ２、ＳｒＴｉＯ３、ＺｒＴｉ２Ｏ６、ＭｇＴｉＯ３、ＣａＴｉＯ３、ＢａＴｉＯ４、又はそれらの任意の組み合わせなどの任意の高誘電率セラミック材料を含むことができる。
更に他の実施形態によれば、第１のセラミックフィラー成分２２０の第２のフィラー材料は、ＴｉＯ２を含むことができる。更に他の実施形態によれば、第２のフィラー材料は、ＴｉＯ２からなってもよい。
更に他の実施形態によれば、第１のセラミックフィラー成分２２０は、特定の含有量の第２のフィラー材料を含むことができる。例えば、第２のフィラー材料の含有量は、第１のセラミックフィラー成分２２０の総体積に対して、少なくとも約２体積％、又は少なくとも約３体積％、又は少なくとも約４体積％、又は少なくとも約５体積％、又は少なくとも約６体積％、又は少なくとも約７体積％、又は少なくとも約８体積％、又は少なくとも約９体積％、又は少なくとも約１０体積％などの、少なくとも約１体積％であってもよい。更に他の実施形態によれば、第２のフィラー材料の含有量は、第１のセラミックフィラー成分２２０の総体積に対して、約１９体積％以下、又は約１８体積％以下、又は約１７体積％以下、又は約１６体積％以下、又は約１５体積％以下、又は約１４体積％以下、又は約１３体積％以下、又は約１２体積％以下などの、約２０体積％以下であってもよい。第２のフィラー材料の含有量は、上記の最小値及び最大値のうちのいずれかの間の（両端値を含む）任意の値であり得ることが理解されよう。第２のフィラー材料の含有量は、上記の最小値及び最大値のうちのいずれかの間の（両端値を含む）範囲内であり得ることが更に理解されよう。
更に他の実施形態によれば、第１のセラミックフィラー成分２２０は、特定の含有量の非晶質材料を含むことができる。例えば、第１のセラミックフィラー成分２２０は、少なくとも約９８％又は更には少なくとも約９９％などの、少なくとも約９７％の非晶質材料を含むことができる。非晶質材料の含有量は、上記の値のいずれかの間の（両端値を含む）任意の値であり得ることが理解されよう。非晶質材料の含有量は、上記の値のいずれかの間の（両端値を含む）範囲内であってもよいことが更に理解されよう。
他の実施形態によれば、第１の樹脂マトリックス成分２１０は、特定の材料を含み得る。例えば、第１の樹脂マトリックス成分２１０は、ペルフルオロポリマーを含むことができる。更に他の実施形態によれば、第１の樹脂マトリックス成分２１０は、ペルフルオロポリマーからなってもよい。
更に他の実施形態によれば、第１の樹脂マトリックス成分２１０のペルフルオロポリマーは、テトラフルオロエチレン（ＴＦＥ）のコポリマー、ヘキサフルオロプロピレン（ＨＦＰ）のコポリマー、テトラフルオロエチレン（ＴＦＥ）のターポリマー、又はそれらの任意の組み合わせ、を含んでもよい。他の実施形態によれば、第１の樹脂マトリックス成分２１０のペルフルオロポリマーは、テトラフルオロエチレン（ＴＦＥ）のコポリマー、ヘキサフルオロプロピレン（ＨＦＰ）のコポリマー、テトラフルオロエチレン（ＴＦＥ）のターポリマー、又はそれらの任意の組み合わせ、からなってもよい。
更に他の実施形態によれば、第１の樹脂マトリックス成分２１０のペルフルオロポリマーは、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）、ペルフルオロアルコキシポリマー樹脂（ＰＦＡ）、フッ素化エチレンプロピレン（ＦＥＰ）、又はそれらの任意の組み合わせを含むことができる。更に他の実施形態によれば、第１の樹脂マトリックス成分２１０のペルフルオロポリマーは、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）、ペルフルオロアルコキシポリマー樹脂（ＰＦＡ）、フッ素化エチレンプロピレン（ＦＥＰ）、又はそれらの任意の組み合わせからなってもよい。
更に他の実施形態によれば、第１の充填ポリマー層２０４は、特定の含有量の第１の樹脂マトリックス成分２１０を含むことができる。例えば、第１の樹脂マトリックス成分２１０の含有量は、第１の充填ポリマー層２０４の総体積に対して、少なくとも約４６体積％、又は少なくとも約４７体積％、又は少なくとも約４８体積％、又は少なくとも約４９体積％、又は少なくとも約５０体積％、又は少なくとも約５１体積％、又は少なくとも約５２体積％、又は少なくとも約５３体積％、又は少なくとも約５４体積％、又は更には少なくとも約５５体積％などの、少なくとも約４５体積％であってもよい。更に他の実施形態によれば、第１の樹脂マトリックス成分２１０の含有量は、第１の充填ポリマー層２０４の総体積に対して約６３体積％以下、又は約６２体積％以下、又は約６１体積％以下、又は約６０体積％以下、又は約５９体積％以下、又は約５８体積％以下、又は更には約５７体積％以下である。第１の樹脂マトリックス成分２１０の含有量は、上記の最小値及び最大値のうちのいずれかの間の（両端値を含む）任意の値であり得ることが理解されよう。第１の樹脂マトリックス成分２１０の含有量は、上記の最小値及び最大値のうちのいずれかの間の（両端値を含む）範囲内であり得ることが更に理解されよう。
更に他の実施形態によれば、第１の充填ポリマー層２０４は、特定の含有量のペルフルオロポリマーを含んでもよい。例えば、ペルフルオロポリマーの含有量は、第１の充填ポリマー層２０４の総体積に対して、少なくとも約４６体積％、又は少なくとも約４７体積％、又は少なくとも約４８体積％、又は少なくとも約４９体積％、又は少なくとも約５０体積％、又は少なくとも約５１体積％、又は少なくとも約５２体積％、又は少なくとも約５３体積％、又は少なくとも約５４体積％、又は更には少なくとも約５５体積％などの、少なくとも約４５体積％であってもよい。更に他の実施形態によれば、ペルフルオロポリマーの含有量は、第１の充填ポリマー層２０４の総体積に対して、約６２体積％以下、又は約６１体積％以下、又は約６０体積％以下、又は約５９体積％以下、又は約５８体積％以下又は更には約５７体積％以下などの、約６３体積％以下であってもよい。ペルフルオロポリマーの含有量は、上記の最小値及び最大値のうちのいずれかの間の（両端値を含む）任意の値であり得ることが理解されよう。ペルフルオロポリマーの含有量は、上記の最小値及び最大値のうちのいずれかの間の（両端値を含む）範囲内であり得ることが更に理解されよう。
更に他の実施形態によれば、誘電体基板２００は、Ｘ線回折を使用して測定される特定の空隙率を含むことができる。例えば、基板２００の空隙率は、約９体積％以下、又は約８体積％以下、又は約７体積％以下、又は約６体積％以下、又は更には約５体積％以下などの、約１０体積％以下であってもよい。誘電体基板２００の空隙率は、上記の値のうちのいずれかの間の（両端値を含む）任意の値であり得ることが理解されよう。誘電体基板２００の空隙率は、上記の値のうちのいずれかの間の（両端値を含む）範囲内であり得ることが更に理解されよう。
更に他の実施形態によれば、誘電体基板２００は、特定の平均厚さを有してもよい。例えば、誘電体基板２００の平均厚さは、少なくとも約１５マイクロメートル、又は少なくとも約２０マイクロメートル、又は少なくとも約２５マイクロメートル、又は少なくとも約３０マイクロメートル、又は少なくとも約３５マイクロメートル、又は少なくとも約４０マイクロメートル、又は少なくとも約４５マイクロメートル、又は少なくとも約５０マイクロメートル、又は少なくとも約５５マイクロメートル、又は少なくとも約６０マイクロメートル、又は少なくとも約６５マイクロメートル、又は少なくとも約７０マイクロメートル、又は更には少なくとも約７５マイクロメートルなどの、少なくとも約１０マイクロメートルであってもよい。更に他の実施形態によれば、誘電体基板２００の平均厚さは、約１８００マイクロメートル以下、又は約１６００マイクロメートル以下、又は約１４００マイクロメートル以下、又は約１２００マイクロメートル以下、又は約１０００マイクロメートル以下、又は約８００マイクロメートル以下、又は約６００マイクロメートル以下、又は約４００マイクロメートル以下、又は約２００マイクロメートル以下、又は約１９０マイクロメートル以下、又は約１８０マイクロメートル以下、又は約１７０マイクロメートル以下、又は約１６０マイクロメートル以下、又は約１５０マイクロメートル以下、又は約１４０マイクロメートル以下、又は約１２０マイクロメートル以下、又は更には約１００マイクロメートル以下などの、約２０００マイクロメートル以下であってもよい。誘電体基板２００の平均厚さは、上記の最小値及び最大値のうちのいずれかの間の（両端値を含む）任意の値であり得ることが理解されよう。誘電体基板２００の平均厚さは、上記の最小値及び最大値のうちのいずれかの間の（両端値を含む）範囲内であり得ることが更に理解されよう。
更に他の実施形態によれば、誘電体基板２００は、５ＧＨｚの範囲、２０％ＲＨで測定される特定の誘電正接（dissipation factor、Ｄｆ）を有してもよい。例えば、誘電体基板２００は、約０．００４以下、又は約０．００３以下、又は約０．００２以下、又は約０．００１９以下、又は約０．００１８以下、又は約０．００１７以下、又は約０．００１６以下、又は約０．００１５以下、又は約０．００１４以下などの、約０．００５以下の誘電正接を有してもよい。誘電体基板２００の誘電正接は、上記の値のうちのいずれかの間の（両端値を含む）任意の値であり得ることが理解されよう。誘電体基板２００の誘電正接は、上記の値のうちのいずれかの間の（両端値を含む）範囲内であり得ることが更に理解されよう。
更に他の実施形態によれば、誘電体基板２００は、５ＧＨｚの範囲、８０％ＲＨで測定される特定の誘電正接（Ｄｆ）を有してもよい。例えば、誘電体基板２００は、約０．００４以下、又は約０．００３以下、又は約０．００２以下、又は約０．００１９以下、又は約０．００１８以下、又は約０．００１７以下、又は約０．００１６以下、又は約０．００１５以下、又は約０．００１４以下などの、約０．００５以下の誘電正接を有してもよい。誘電体基板２００の誘電正接は、上記の値のうちのいずれかの間の（両端値を含む）任意の値であり得ることが理解されよう。誘電体基板２００の誘電正接は、上記の値のうちのいずれかの間の（両端値を含む）範囲内であり得ることが更に理解されよう。
更に他の実施形態によれば、誘電体基板２００は、１０ＧＨｚの範囲、２０％ＲＨで測定される特定の誘電正接（Ｄｆ）を有してもよい。例えば、誘電体基板２００は、約０．００４以下、又は約０．００３以下、又は約０．００２以下、又は約０．００１９以下、又は約０．００１８以下、又は約０．００１７以下、又は約０．００１６以下、又は約０．００１５以下、又は約０．００１４以下などの、約０．００５以下の誘電正接を有してもよい。誘電体基板２００の誘電正接は、上記の値のうちのいずれかの間の（両端値を含む）任意の値であり得ることが理解されよう。誘電体基板２００の誘電正接は、上記の値のうちのいずれかの間の（両端値を含む）範囲内であり得ることが更に理解されよう。
更に他の実施形態によれば、誘電体基板２００は、１０ＧＨｚの範囲、８０％ＲＨで測定される特定の誘電正接（Ｄｆ）を有してもよい。例えば、誘電体基板２００は、約０．００４以下、又は約０．００３以下、又は約０．００２以下、又は約０．００１９以下、又は約０．００１８以下、又は約０．００１７以下、又は約０．００１６以下、又は約０．００１５以下、又は約０．００１４以下などの、約０．００５以下の誘電正接を有してもよい。誘電体基板２００の誘電正接は、上記の値のうちのいずれかの間の（両端値を含む）任意の値であり得ることが理解されよう。誘電体基板２００の誘電正接は、上記の値のうちのいずれかの間の（両端値を含む）範囲内であり得ることが更に理解されよう。
更に他の実施形態によれば、誘電体基板２００は、２８ＧＨｚの範囲、２０％ＲＨで測定される特定の誘電正接（Ｄｆ）を有してもよい。例えば、誘電体基板２００は、約０．００４以下、又は約０．００３以下、又は約０．００２以下、又は約０．００１９以下、又は約０．００１８以下、又は約０．００１７以下、又は約０．００１６以下、又は約０．００１５以下、又は約０．００１４以下などの、約０．００５以下の誘電正接を有してもよい。誘電体基板２００の誘電正接は、上記の値のうちのいずれかの間の（両端値を含む）任意の値であり得ることが理解されよう。誘電体基板２００の誘電正接は、上記の値のうちのいずれかの間の（両端値を含む）範囲内であり得ることが更に理解されよう。
更に他の実施形態によれば、誘電体基板２００は、２８ＧＨｚの範囲、８０％ＲＨで測定される特定の誘電正接（Ｄｆ）を有してもよい。例えば、誘電体基板２００は、約０．００４以下、又は約０．００３以下、又は約０．００２以下、又は約０．００１９以下、又は約０．００１８以下、又は約０．００１７以下、又は約０．００１６以下、又は約０．００１５以下、又は約０．００１４以下などの、約０．００５以下の誘電正接を有してもよい。誘電体基板２００の誘電正接は、上記の値のうちのいずれかの間の（両端値を含む）任意の値であり得ることが理解されよう。誘電体基板２００の誘電正接は、上記の値のうちのいずれかの間の（両端値を含む）範囲内であり得ることが更に理解されよう。
更に他の実施形態によれば、誘電体基板２００は、３９ＧＨｚの範囲、２０％ＲＨで測定される特定の誘電正接（Ｄｆ）を有してもよい。例えば、誘電体基板２００は、約０．００４以下、又は約０．００３以下、又は約０．００２以下、又は約０．００１９以下、又は約０．００１８以下、又は約０．００１７以下、又は約０．００１６以下、又は約０．００１５以下、又は約０．００１４以下などの、約０．００５以下の誘電正接を有してもよい。誘電体基板２００の誘電正接は、上記の値のうちのいずれかの間の（両端値を含む）任意の値であり得ることが理解されよう。誘電体基板２００の誘電正接は、上記の値のうちのいずれかの間の（両端値を含む）範囲内であり得ることが更に理解されよう。
更に他の実施形態によれば、誘電体基板２００は、３９ＧＨｚの範囲、８０％ＲＨで測定される特定の誘電正接（Ｄｆ）を有してもよい。例えば、誘電体基板２００は、約０．００４以下、又は約０．００３以下、又は約０．００２以下、又は約０．００１９以下、又は約０．００１８以下、又は約０．００１７以下、又は約０．００１６以下、又は約０．００１５以下、又は約０．００１４以下などの、約０．００５以下の誘電正接を有してもよい。誘電体基板２００の誘電正接は、上記の値のうちのいずれかの間の（両端値を含む）任意の値であり得ることが理解されよう。誘電体基板２００の誘電正接は、上記の値のうちのいずれかの間の（両端値を含む）範囲内であり得ることが更に理解されよう。
更に他の実施形態によれば、誘電体基板２００は、７６～８１ＧＨｚの範囲、２０％ＲＨで測定される特定の誘電正接（Ｄｆ）を有してもよい。例えば、誘電体基板２００は、約０．００４以下、又は約０．００３以下、又は約０．００２以下、又は約０．００１９以下、又は約０．００１８以下、又は約０．００１７以下、又は約０．００１６以下、又は約０．００１５以下、又は約０．００１４以下などの、約０．００５以下の誘電正接を有してもよい。誘電体基板２００の誘電正接は、上記の値のうちのいずれかの間の（両端値を含む）任意の値であり得ることが理解されよう。誘電体基板２００の誘電正接は、上記の値のうちのいずれかの間の（両端値を含む）範囲内であり得ることが更に理解されよう。
更に他の実施形態によれば、誘電体基板２００は、７６～８１ＧＨｚの範囲、８０％ＲＨで測定される特定の誘電正接（Ｄｆ）を有してもよい。例えば、誘電体基板２００は、約０．００４以下、又は約０．００３以下、又は約０．００２以下、又は約０．００１９以下、又は約０．００１８以下、又は約０．００１７以下、又は約０．００１６以下、又は約０．００１５以下、又は約０．００１４以下などの、約０．００５以下の誘電正接を有してもよい。誘電体基板２００の誘電正接は、上記の値のうちのいずれかの間の（両端値を含む）任意の値であり得ることが理解されよう。誘電体基板２００の誘電正接は、上記の値のうちのいずれかの間の（両端値を含む）範囲内であり得ることが更に理解されよう。
更に他の実施形態によれば、誘電体基板２００は、ＩＰＣ－ＴＭ－６５０ ２．４．２４ Ｒｅｖ．Ｃガラス転移温度及びＴＭＡによるＺ軸熱膨張に従って測定される特定の熱膨張係数を有してもよい。例えば、誘電体基板２００は、約８０ｐｐｍ／℃以下の熱膨張係数を有してもよい。
形成方法１００に従って形成される誘電体基板の他の実施形態によれば、図２ｂは、誘電体基板２０１の略図を含む。図２ｂに示したように、誘電体基板２０１は、ポリイミド層２０２と、ポリイミド層の上を覆う第１の充填ポリマー層２０４と、ポリイミド層の下を覆う第２の充填ポリマー層２０６と、を含むことができる。図２ｂに示したように、第２の充填ポリマー層２０６は、第２の樹脂マトリックス成分２３０及び第２のセラミックフィラー成分２４０を含むことができる。
特定の実施形態によれば、第２のセラミックフィラー成分２４０は、誘電体基板２０１の性能を改善することができる特定の特性を有し得る第３のフィラー材料を含むことができる。
特定の実施形態によれば、第２のセラミックフィラー成分２４０の第３のフィラー材料は、特定のサイズ分布を有することができる。本明細書に記載されている実施形態の目的のために、材料の粒径分布、例えば、第３のフィラー材料の粒径分布は、粒径分布Ｄ値Ｄ１０、Ｄ５０及びＤ９０の任意の組み合わせを使用して記述され得る。粒径分布からのＤ１０値は、粒子の１０％がその値よりも小さく、粒子の９０％がその値よりも大きい粒径値として定義される。粒径分布からのＤ５０値は、粒子の５０％がその値よりも小さく、粒子の５０％がその値よりも大きい粒径値として定義される。粒径分布からのＤ９０値は、粒子の９０％がその値よりも小さく、粒子の１０％がその値よりも大きい粒径値として定義される。本明細書に記載される実施形態の目的のために、特定の材料の粒径測定は、レーザー回折分光法を使用して行われる。
特定の実施形態によれば、第２のセラミックフィラー成分２４０の第３のフィラー材料は、特定のサイズ分布Ｄ１０値を有してもよい。例えば、第３のフィラー材料のＤ１０は、少なくとも約０．３マイクロメートル、又は少なくとも約０．４マイクロメートル、又は少なくとも約０．５マイクロメートル、又は少なくとも約０．６マイクロメートル、又は少なくとも約０．７マイクロメートル、又は少なくとも約０．８マイクロメートル、又は少なくとも約０．９マイクロメートル、又は少なくとも約１．０マイクロメートル、又は少なくとも約１．１マイクロメートル、又は更には少なくとも約１．２マイクロメートルなどの、少なくとも約０．２マイクロメートルであってもよい。更に他の実施形態によれば、第３のフィラー材料のＤ１０は、約１．５マイクロメートル以下、又は更には約１．４マイクロメートル以下などの、約１．６マイクロメートル以下であってもよい。第３のフィラー材料のＤ１０は、上記の最小値及び最大値のうちのいずれかの間の（両端値を含む）任意の値であり得ることが理解されよう。第３のフィラー材料のＤ１０は、上記の最小値及び最大値のうちのいずれかの間の（両端値を含む）範囲内であり得ることが更に理解されよう。
他の実施形態によれば、第２のセラミックフィラー成分２４０の第３のフィラー材料は、特定のサイズ分布Ｄ５０値を有してもよい。例えば、第３のフィラー材料のＤ５０は、少なくとも約０．６マイクロメートル、又は少なくとも約０．７マイクロメートル、又は少なくとも約０．８マイクロメートル、又は少なくとも約０．９マイクロメートル、又は少なくとも約１．０マイクロメートル、又は少なくとも約１．１マイクロメートル、又は少なくとも約１．２マイクロメートル、又は少なくとも約１．３マイクロメートル、又は少なくとも約１．４マイクロメートル、又は少なくとも約１．５マイクロメートル、又は少なくとも約１．６マイクロメートル、又は少なくとも約１．７マイクロメートル、又は少なくとも約１．８マイクロメートル、又は少なくとも約１．９マイクロメートル、又は少なくとも約２．０マイクロメートル、又は少なくとも約２．１マイクロメートル、又は更には少なくとも約２．２マイクロメートルなどの、少なくとも約０．５マイクロメートルであってもよい。更に他の実施形態によれば、第３のフィラー材料のＤ５０は、約２．６マイクロメートル以下、又は約２．５マイクロメートル以下、又は更には約２．４マイクロメートル以下などの、約２．７マイクロメートル以下であってもよい。第３のフィラー材料のＤ５０は、上記の最小値及び最大値のうちのいずれかの間の（両端値を含む）任意の値であり得ることが理解されよう。第３のフィラー材料のＤ５０は、上記の最小値及び最大値のうちのいずれかの間の（両端値を含む）範囲内であり得ることが更に理解されよう。
他の実施形態によれば、第２のセラミックフィラー成分２４０の第３のフィラー材料は、特定のサイズ分布Ｄ９０値を有してもよい。例えば、第３のフィラー材料のＤ９０は、少なくとも約０．９マイクロメートル、又は少なくとも約１．０マイクロメートル、又は少なくとも約１．１マイクロメートル、又は少なくとも約１．２マイクロメートル、又は少なくとも約１．３マイクロメートル、又は少なくとも約１．４マイクロメートル、又は少なくとも約１．５マイクロメートル、又は少なくとも約１．６マイクロメートル、又は少なくとも約１．７マイクロメートル、又は少なくとも約１．８マイクロメートル、又は少なくとも約１．９マイクロメートル、又は少なくとも約２．０マイクロメートル、又は少なくとも約２．１マイクロメートル、又は少なくとも約２．２マイクロメートル、又は少なくとも約２．３マイクロメートル、又は少なくとも約２．４マイクロメートル、又は少なくとも約２．５マイクロメートル、又は少なくとも約２．６マイクロメートル、又は更には少なくとも約２．７マイクロメートルなどの、少なくとも約０．８マイクロメートルであってもよい。更に他の実施形態によれば、第３のフィラー材料のＤ９０は、約７．５マイクロメートル以下、又は約７．０マイクロメートル以下、又は約６．５マイクロメートル以下、又は約６．０マイクロメートル以下、又は約５．５マイクロメートル以下、又は約５．４マイクロメートル以下、又は約５．３マイクロメートル以下、又は約５．２マイクロメートル以下、又は更には約５．１マイクロメートル以下などの、約８．０マイクロメートル以下であってもよい。第３のフィラー材料のＤ９０は、上記の最小値及び最大値のうちのいずれかの間の（両端値を含む）任意の値であり得ることが理解されよう。第３のフィラー材料のＤ９０は、上記の最小値及び最大値のうちのいずれかの間の（両端値を含む）範囲内であり得ることが更に理解されよう。
更に他の実施形態によれば、第２のセラミックフィラー成分２４０の第３のフィラー材料は、レーザー回折分光法に従って測定される特定の平均粒径を有してもよい。例えば、第３のフィラー材料の平均粒径は、約９マイクロメートル以下、又は約８マイクロメートル以下、又は約７マイクロメートル以下、又は約６マイクロメートル以下、又は約５マイクロメートル以下、又は約４マイクロメートル以下、又は約３マイクロメートル以下、又は更には約２マイクロメートル以下などの、約１０マイクロメートル以下であってもよい。第３のフィラー材料の平均粒径は、上記の値のいずれかの間の（両端値を含む）任意の値であり得ることが理解されよう。第３のフィラー材料の平均粒径は、上記の値のうちのいずれかの間の（両端値を含む）範囲内であり得ることが更に理解されよう。
更に他の実施形態によれば、第２のセラミックフィラー成分２４０の第３のフィラー材料は、特定の粒径分布スパン（ＰＳＤＳ）を有するものとして説明することができ、ＰＳＤＳは、（Ｄ９０－Ｄ１０）／Ｄ５０に等しく、式中、Ｄ９０は、第３のフィラー材料のＤ９０粒径分布測定値に等しく、Ｄ１０は、第３のフィラー材料のＤ１０粒径分布測定値に等しく、Ｄ５０は、第３のフィラー材料のＤ５０粒径分布測定値に等しい。例えば、第３のフィラー材料のＰＳＤＳは、約４．５以下、又は約４．０以下、又は約３．５以下、又は約３．０以下、又は更には約２．５以下などの、約５以下であってもよい。第３のフィラー材料のＰＳＤＳは、上記の値のうちのいずれかの間の（両端値を含む）任意の値であり得ることが理解されよう。第３のフィラー材料のＰＳＤＳは、上記の値のいずれかの間の（両端値を含む）範囲内であり得ることが更に理解されよう。
更に他の実施形態によれば、第２のセラミックフィラー成分２４０の第３のフィラー材料は、Ｂｒｕｎａｕｅｒ－Ｅｍｍｅｔｔ－Ｔｅｌｌｅｒ（ＢＥＴ）表面積分析（窒素吸着）を使用して測定される特定の平均表面積を有するものとして説明することができる。例えば、第３のフィラー材料は、約９．９ｍ２／ｇ以下、又は約９．５ｍ２／ｇ以下、又は約９．０ｍ２／ｇ以下、又は約８．５ｍ２／ｇ以下、又は約８．０ｍ２／ｇ以下、又は約７．５ｍ２／ｇ以下、又は約７．０ｍ２／ｇ以下、又は約６．５ｍ２／ｇ以下、又は約６．０ｍ２／ｇ以下、又は約５．５ｍ２／ｇ以下、又は約５．０ｍ２／ｇ以下、又は約４．５ｍ２／ｇ以下、又は約４．０ｍ２／ｇ以下、又は更には約３．５ｍ２／ｇ以下などの、約１０ｍ２／ｇ以下の平均表面積を有してもよい。更に他の実施形態によれば、第３のフィラー材料は、少なくとも約２．４ｍ２／ｇなどの、少なくとも約１．２ｍ２／ｇの平均表面積を有してもよい。第３のフィラー材料の平均表面積は、上記の最小値及び最大値のうちのいずれかの間の（両端値を含む）任意の値であり得ることが理解されよう。第３のフィラー材料の平均表面積は、上記の最小値及び最大値のうちのいずれかの間の（両端値を含む）範囲内であり得ることが更に理解されよう。
他の実施形態によれば、第２のセラミックフィラー成分２４０の第３のフィラー材料は、特定の材料を含むことができる。特定の実施形態によれば、第３のフィラー材料は、シリカ系化合物を含むことができる。更に他の実施形態によれば、第３のフィラー材料は、シリカ系化合物からなってもよい。他の実施形態によれば、第３のフィラー材料は、シリカを含むことができる。更に他の実施形態によれば、第３のフィラー材料は、シリカからなってもよい。
更に他の実施形態によれば、第１の充填ポリマー層２０４は、特定の含有量の第２のセラミックフィラー成分２４０を含むことができる。例えば、第２のセラミックフィラー成分２４０の含有量は、第２のセラミックフィラー成分２４０の総体積に対して、少なくとも約３１体積％、又は少なくとも約３２体積％、又は少なくとも約３３体積％、又は少なくとも約３４体積％、又は少なくとも約３５体積％、又は少なくとも約３６体積％、又は少なくとも約３７体積％、又は少なくとも約３８体積％、又は少なくとも約３９体積％、又は少なくとも約４０体積％、又は少なくとも約４１体積％、又は少なくとも約４２体積％、又は少なくとも約４３体積％、又は少なくとも約４４体積％、又は少なくとも約４５体積％、又は少なくとも約４６体積％、又は少なくとも約４７体積％、又は少なくとも約４８体積％、又は少なくとも約４９体積％、又は少なくとも約５０体積％、又は少なくとも約５１体積％又は少なくとも約５２体積％又は少なくとも約５３体積％、又は少なくとも約５４体積％などの、少なくとも約３０体積％であってもよい。更に他の実施形態によれば、第２のセラミックフィラー成分２４０の含有量は、第１の充填ポリマー層２０４の総体積に対して、約５６体積％以下、又は更には約５５体積％以下などの、約５７体積％以下であってもよい。セラミックフィラー成分２２０の含有量は、上記の最小値及び最大値のうちのいずれかの間の（両端値を含む）任意の値であり得ることが理解されよう。セラミックフィラー成分２２０の含有量は、上記の最小値及び最大値のうちのいずれかの間の（両端値を含む）範囲内であり得ることが更に理解されよう。
更に他の実施形態によれば、第２のセラミックフィラー成分２４０は、特定の含有量の第３のフィラー材料を含むことができる。例えば、第３のフィラー材料の含有量は、第２のセラミックフィラー成分２４０の総体積に対して、少なくとも約８１体積％、又は少なくとも約８２体積％、又は少なくとも約８３体積％、又は少なくとも約８４体積％、又は少なくとも約８５体積％、又は少なくとも約８６体積％、又は少なくとも約８７体積％、又は少なくとも約８８体積％、又は少なくとも約８９体積％、又は更には少なくとも約９０体積％などの、少なくとも約８０体積％であってもよい。更に他の実施形態によれば、第３のフィラー材料の含有量は、第２のセラミックフィラー成分２４０の総体積に対して、約９９体積％以下、又は約９８体積％以下、又は約９７体積％以下、又は約９６体積％以下、又は約９５体積％以下、又は約９４体積％以下、又は約９３体積％以下、又は更には約９２体積％以下などの、約１００体積％以下であってもよい。第３のフィラー材料の含有量は、上記の最小値及び最大値のうちのいずれかの間の（両端値を含む）任意の値であり得ることが理解されよう。第３のフィラー材料の含有量は、上記の最小値及び最大値のうちのいずれかの間の（両端値を含む）範囲内であり得ることが更に理解されよう。
更に他の実施形態によれば、第２のセラミックフィラー成分２４０は、第４のフィラー材料を含むことができる。
更に他の実施形態によれば、第２のセラミックフィラー成分２４０の第４のフィラー材料は、特定の材料を含むことができる。例えば、第４のフィラー材料は、少なくとも約１４の誘電率を有するセラミック材料などの高誘電率セラミック材料を含むことができる。特定の実施形態によれば、第２のセラミックフィラー成分２４０の第４のフィラー材料は、ＴｉＯ２、ＳｒＴｉＯ３、ＺｒＴｉ２Ｏ６、ＭｇＴｉＯ３、ＣａＴｉＯ３、ＢａＴｉＯ４、又はそれらの任意の組み合わせなどの任意の高誘電率セラミック材料を含むことができる。
更に他の実施形態によれば、第２のセラミックフィラー成分２４０の第４のフィラー材料は、ＴｉＯ２を含むことができる。更に他の実施形態によれば、第４のフィラー材料は、ＴｉＯ２からなってもよい。
更に他の実施形態によれば、第２のセラミックフィラー成分２４０は、特定の含有量の第４のフィラー材料を含むことができる。例えば、第４のフィラー材料の含有量は、第２のセラミックフィラー成分２４０の総体積に対して、少なくとも約２体積％、又は少なくとも約３体積％、又は少なくとも約４体積％、又は少なくとも約５体積％、又は少なくとも約６体積％、又は少なくとも約７体積％、又は少なくとも約８体積％、又は少なくとも約９体積％、又は少なくとも約１０体積％などの、少なくとも約１体積％であってもよい。更に他の実施形態によれば、第４のフィラー材料の含有量は、第２のセラミックフィラー成分２４０の総体積に対して、約１９体積％以下、又は約１８体積％以下、又は約１７体積％以下、又は約１６体積％以下、又は約１５体積％以下、又は約１４体積％以下、又は約１３体積％以下、又は約１２体積％以下などの、約２０体積％以下であってもよい。第４のフィラー材料の含有量は、上記の最小値及び最大値のうちのいずれかの間の（両端値を含む）任意の値であり得ることが理解されよう。第４のフィラー材料の含有量は、上記の最小値及び最大値のうちのいずれかの間の（両端値を含む）範囲内であり得ることが更に理解されよう。
更に他の実施形態によれば、第２のセラミックフィラー成分２４０は、特定の含有量の非晶質材料を含むことができる。例えば、第２のセラミックフィラー成分２４０は、少なくとも約９８％又は更には少なくとも約９９％などの、少なくとも約９７％の非晶質材料を含むことができる。非晶質材料の含有量は、上記の値のいずれかの間の（両端値を含む）任意の値であり得ることが理解されよう。非晶質材料の含有量は、上記の値のいずれかの間の（両端値を含む）範囲内であってもよいことが更に理解されよう。
他の実施形態によれば、第２の樹脂マトリックス成分２３０は、特定の材料を含み得る。例えば、第２の樹脂マトリックス成分２３０は、ペルフルオロポリマーを含むことができる。更に他の実施形態によれば、第２の樹脂マトリックス成分２３０は、ペルフルオロポリマーからなってもよい。
更に他の実施形態によれば、第２の樹脂マトリックス成分２３０のペルフルオロポリマーは、テトラフルオロエチレン（ＴＦＥ）のコポリマー、ヘキサフルオロプロピレン（ＨＦＰ）のコポリマー、テトラフルオロエチレン（ＴＦＥ）のターポリマー、又はそれらの任意の組み合わせ、を含んでもよい。他の実施形態によれば、第２の樹脂マトリックス成分２３０のペルフルオロポリマーは、テトラフルオロエチレン（ＴＦＥ）のコポリマー、ヘキサフルオロプロピレン（ＨＦＰ）のコポリマー、テトラフルオロエチレン（ＴＦＥ）のターポリマー、又はそれらの任意の組み合わせ、からなってもよい。
更に他の実施形態によれば、第２の樹脂マトリックス成分２３０のペルフルオロポリマーは、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）、ペルフルオロアルコキシポリマー樹脂（ＰＦＡ）、フッ素化エチレンプロピレン（ＦＥＰ）、又はそれらの任意の組み合わせを含むことができる。更に他の実施形態によれば、第２の樹脂マトリックス成分２３０のペルフルオロポリマーは、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）、ペルフルオロアルコキシポリマー樹脂（ＰＦＡ）、フッ素化エチレンプロピレン（ＦＥＰ）、又はそれらの任意の組み合わせからなってもよい。
更に他の実施形態によれば、第２の充填ポリマー層２０６は、特定の含有量の第２の樹脂マトリックス成分２３０を含むことができる。例えば、第２の樹脂マトリックス成分２３０の含有量は、第２の充填ポリマー層２０６の総体積に対して、少なくとも約４６体積％、又は少なくとも約４７体積％、又は少なくとも約４８体積％、又は少なくとも約４９体積％、又は少なくとも約５０体積％、又は少なくとも約５１体積％、又は少なくとも約５２体積％、又は少なくとも約５３体積％、又は少なくとも約５４体積％、又は更には少なくとも約５５体積％などの、少なくとも約４５体積％であってもよい。更に他の実施形態によれば、第２の樹脂マトリックス成分２３０の含有量は、第２の充填ポリマー層２０６の総体積に対して約６３体積％以下、又は約６２体積％以下、又は約６１体積％以下、又は約６０体積％以下、又は約５９体積％以下、又は約５８体積％以下、又は更には約５７体積％以下である。第２の樹脂マトリックス成分２３０の含有量は、上記の最小値及び最大値のうちのいずれかの間の（両端値を含む）任意の値であり得ることが理解されよう。第２の樹脂マトリックス成分２３０の含有量は、上記の最小値及び最大値のうちのいずれかの間の（両端値を含む）範囲内であり得ることが更に理解されよう。
更に他の実施形態によれば、第２の充填ポリマー層２０６は、特定の含有量のペルフルオロポリマーを含んでもよい。例えば、ペルフルオロポリマーの含有量は、第２の充填ポリマー層２０６の総体積に対して、少なくとも約４６体積％、又は少なくとも約４７体積％、又は少なくとも約４８体積％、又は少なくとも約４９体積％、又は少なくとも約５０体積％、又は少なくとも約５１体積％、又は少なくとも約５２体積％、又は少なくとも約５３体積％、又は少なくとも約５４体積％、又は更には少なくとも約５５体積％などの、少なくとも約４５体積％であってもよい。更に他の実施形態によれば、ペルフルオロポリマーの含有量は、第２の充填ポリマー層２０６の総体積に対して、約６２体積％以下、又は約６１体積％以下、又は約６０体積％以下、又は約５９体積％以下、又は約５８体積％以下、又は更には約５７体積％以下などの、約６３体積％以下であってもよい。ペルフルオロポリマーの含有量は、上記の最小値及び最大値のうちのいずれかの間の（両端値を含む）任意の値であり得ることが理解されよう。ペルフルオロポリマーの含有量は、上記の最小値及び最大値のうちのいずれかの間の（両端値を含む）範囲内であり得ることが更に理解されよう。
更に他の実施形態によれば、誘電体基板２０１は、Ｘ線回折を使用して測定される特定の空隙率を有することができる。例えば、基板２００の空隙率は、約９体積％以下、又は約８体積％以下、又は約７体積％以下、又は約６体積％以下、又は更には約５体積％以下などの、約１０体積％以下であってもよい。誘電体基板２０１の空隙率は、上記の値のうちのいずれかの間の（両端値を含む）任意の値であり得ることが理解されよう。誘電体基板２０１の空隙率は、上記の値のうちのいずれかの間の（両端値を含む）範囲内であり得ることが更に理解されよう。
更に他の実施形態によれば、誘電体基板２０１は、特定の平均厚さを有してもよい。例えば、誘電体基板２０１の平均厚さは、少なくとも約１５マイクロメートル、又は少なくとも約２０マイクロメートル、又は少なくとも約２５マイクロメートル、又は少なくとも約３０マイクロメートル、又は少なくとも約３５マイクロメートル、又は少なくとも約４０マイクロメートル、又は少なくとも約４５マイクロメートル、又は少なくとも約５０マイクロメートル、又は少なくとも約５５マイクロメートル、又は少なくとも約６０マイクロメートル、又は少なくとも約６５マイクロメートル、又は少なくとも約７０マイクロメートル、又は更には少なくとも約７５マイクロメートルなどの、少なくとも約１０マイクロメートルであってもよい。更に他の実施形態によれば、誘電体基板２０１の平均厚さは、約１８００マイクロメートル以下、又は約１６００マイクロメートル以下、又は約１４００マイクロメートル以下、又は約１２００マイクロメートル以下、又は約１０００マイクロメートル以下、又は約８００マイクロメートル以下、又は約６００マイクロメートル以下、又は約４００マイクロメートル以下、又は約２００マイクロメートル以下、又は約１９０マイクロメートル以下、又は約１８０マイクロメートル以下、又は約１７０マイクロメートル以下、又は約１６０マイクロメートル以下、又は約１５０マイクロメートル以下、又は約１４０マイクロメートル以下、又は約１２０マイクロメートル以下、又は更には約１００マイクロメートル以下などの、約２０００マイクロメートル以下であってもよい。誘電体基板２０１の平均厚さは、上記の最小値及び最大値のうちのいずれかの間の（両端値を含む）任意の値であり得ることが理解されよう。誘電体基板２０１の平均厚さは、上記の最小値及び最大値のうちのいずれかの間の（両端値を含む）範囲内であり得ることが更に理解されよう。
更に他の実施形態によれば、誘電体基板２０１は、５ＧＨｚの範囲、２０％ＲＨで測定される特定の誘電正接（Ｄｆ）を有してもよい。例えば、誘電体基板２０１は、約０．００４以下、又は約０．００３以下、又は約０．００２以下、又は約０．００１９以下、又は約０．００１８以下、又は約０．００１７以下、又は約０．００１６以下、又は約０．００１５以下、又は約０．００１４以下などの、約０．００５以下の誘電正接を有してもよい。誘電体基板２０１の誘電正接は、上記の値のうちのいずれかの間の（両端値を含む）任意の値であり得ることが理解されよう。誘電体基板２０１の誘電正接は、上記の値のうちのいずれかの間の（両端値を含む）範囲内であり得ることが更に理解されよう。
更に他の実施形態によれば、誘電体基板２０１は、５ＧＨｚの範囲、８０％ＲＨで測定される特定の誘電正接（Ｄｆ）を有してもよい。例えば、誘電体基板２０１は、約０．００４以下、又は約０．００３以下、又は約０．００２以下、又は約０．００１９以下、又は約０．００１８以下、又は約０．００１７以下、又は約０．００１６以下、又は約０．００１５以下、又は約０．００１４以下などの、約０．００５以下の誘電正接を有してもよい。誘電体基板２０１の誘電正接は、上記の値のうちのいずれかの間の（両端値を含む）任意の値であり得ることが理解されよう。誘電体基板２０１の誘電正接は、上記の値のうちのいずれかの間の（両端値を含む）範囲内であり得ることが更に理解されよう。
更に他の実施形態によれば、誘電体基板２０１は、１０ＧＨｚの範囲、２０％ＲＨで測定される特定の誘電正接（Ｄｆ）を有してもよい。例えば、誘電体基板２０１は、約０．００４以下、又は約０．００３以下、又は約０．００２以下、又は約０．００１９以下、又は約０．００１８以下、又は約０．００１７以下、又は約０．００１６以下、又は約０．００１５以下、又は約０．００１４以下などの、約０．００５以下の誘電正接を有してもよい。誘電体基板２０１の誘電正接は、上記の値のうちのいずれかの間の（両端値を含む）任意の値であり得ることが理解されよう。誘電体基板２０１の誘電正接は、上記の値のうちのいずれかの間の（両端値を含む）範囲内であり得ることが更に理解されよう。
更に他の実施形態によれば、誘電体基板２０１は、１０ＧＨｚの範囲、８０％ＲＨで測定される特定の誘電正接（Ｄｆ）を有してもよい。例えば、誘電体基板２０１は、約０．００４以下、又は約０．００３以下、又は約０．００２以下、又は約０．００１９以下、又は約０．００１８以下、又は約０．００１７以下、又は約０．００１６以下、又は約０．００１５以下、又は約０．００１４以下などの、約０．００５以下の誘電正接を有してもよい。誘電体基板２０１の誘電正接は、上記の値のうちのいずれかの間の（両端値を含む）任意の値であり得ることが理解されよう。誘電体基板２０１の誘電正接は、上記の値のうちのいずれかの間の（両端値を含む）範囲内であり得ることが更に理解されよう。
更に他の実施形態によれば、誘電体基板２０１は、２８ＧＨｚの範囲、２０％ＲＨで測定される特定の誘電正接（Ｄｆ）を有してもよい。例えば、誘電体基板２０１は、約０．００４以下、又は約０．００３以下、又は約０．００２以下、又は約０．００１９以下、又は約０．００１８以下、又は約０．００１７以下、又は約０．００１６以下、又は約０．００１５以下、又は約０．００１４以下などの、約０．００５以下の誘電正接を有してもよい。誘電体基板２０１の誘電正接は、上記の値のうちのいずれかの間の（両端値を含む）任意の値であり得ることが理解されよう。誘電体基板２０１の誘電正接は、上記の値のうちのいずれかの間の（両端値を含む）範囲内であり得ることが更に理解されよう。
更に他の実施形態によれば、誘電体基板２０１は、２８ＧＨｚの範囲、８０％ＲＨで測定される特定の誘電正接（Ｄｆ）を有してもよい。例えば、誘電体基板２０１は、約０．００４以下、又は約０．００３以下、又は約０．００２以下、又は約０．００１９以下、又は約０．００１８以下、又は約０．００１７以下、又は約０．００１６以下、又は約０．００１５以下、又は約０．００１４以下などの、約０．００５以下の誘電正接を有してもよい。誘電体基板２０１の誘電正接は、上記の値のうちのいずれかの間の（両端値を含む）任意の値であり得ることが理解されよう。誘電体基板２０１の誘電正接は、上記の値のうちのいずれかの間の（両端値を含む）範囲内であり得ることが更に理解されよう。
更に他の実施形態によれば、誘電体基板２０１は、３９ＧＨｚの範囲、２０％ＲＨで測定される特定の誘電正接（Ｄｆ）を有してもよい。例えば、誘電体基板２０１は、約０．００４以下、又は約０．００３以下、又は約０．００２以下、又は約０．００１９以下、又は約０．００１８以下、又は約０．００１７以下、又は約０．００１６以下、又は約０．００１５以下、又は約０．００１４以下などの、約０．００５以下の誘電正接を有してもよい。誘電体基板２０１の誘電正接は、上記の値のうちのいずれかの間の（両端値を含む）任意の値であり得ることが理解されよう。誘電体基板２０１の誘電正接は、上記の値のうちのいずれかの間の（両端値を含む）範囲内であり得ることが更に理解されよう。
更に他の実施形態によれば、誘電体基板２０１は、３９ＧＨｚの範囲、８０％ＲＨで測定される特定の誘電正接（Ｄｆ）を有してもよい。例えば、誘電体基板２０１は、約０．００４以下、又は約０．００３以下、又は約０．００２以下、又は約０．００１９以下、又は約０．００１８以下、又は約０．００１７以下、又は約０．００１６以下、又は約０．００１５以下、又は約０．００１４以下などの、約０．００５以下の誘電正接を有してもよい。誘電体基板２０１の誘電正接は、上記の値のうちのいずれかの間の（両端値を含む）任意の値であり得ることが理解されよう。誘電体基板２０１の誘電正接は、上記の値のうちのいずれかの間の（両端値を含む）範囲内であり得ることが更に理解されよう。
更に他の実施形態によれば、誘電体基板２０１は、７６～８１ＧＨｚの範囲、２０％ＲＨで測定される特定の誘電正接（Ｄｆ）を有してもよい。例えば、誘電体基板２０１は、約０．００４以下、又は約０．００３以下、又は約０．００２以下、又は約０．００１９以下、又は約０．００１８以下、又は約０．００１７以下、又は約０．００１６以下、又は約０．００１５以下、又は約０．００１４以下などの、約０．００５以下の誘電正接を有してもよい。誘電体基板２０１の誘電正接は、上記の値のうちのいずれかの間の（両端値を含む）任意の値であり得ることが理解されよう。誘電体基板２０１の誘電正接は、上記の値のうちのいずれかの間の（両端値を含む）範囲内であり得ることが更に理解されよう。
更に他の実施形態によれば、誘電体基板２０１は、７６～８１ＧＨｚの範囲、８０％ＲＨで測定される特定の誘電正接（Ｄｆ）を有してもよい。例えば、誘電体基板２０１は、約０．００４以下、又は約０．００３以下、又は約０．００２以下、又は約０．００１９以下、又は約０．００１８以下、又は約０．００１７以下、又は約０．００１６以下、又は約０．００１５以下、又は約０．００１４以下などの、約０．００５以下の誘電正接を有してもよい。誘電体基板２０１の誘電正接は、上記の値のうちのいずれかの間の（両端値を含む）任意の値であり得ることが理解されよう。誘電体基板２０１の誘電正接は、上記の値のうちのいずれかの間の（両端値を含む）範囲内であり得ることが更に理解されよう。
更に他の実施形態によれば、誘電体基板２０１は、ＩＰＣ－ＴＭ－６５０ ２．４．２４ Ｒｅｖ．Ｃガラス転移温度及びＴＭＡによるＺ軸熱膨張に従って測定される特定の熱膨張係数を有してもよい。例えば、誘電体基板２０１は、約８０ｐｐｍ／℃以下の熱膨張係数を有してもよい。
本明細書に開示されている誘電体基板の実施形態を参照して説明される充填ポリマー層は、ポリイミド層と直接接触してもよい、又は充填ポリマー層とポリイミド層との間に追加の層が存在してもよいことが理解されよう。例えば、フルオロポリマー層（充填又は非充填）が、誘電体基板のポリイミド層と充填ポリマー層との間に配置されてもよい。
次に、本明細書に記載されている誘電体基板を含み得る銅張積層板の実施形態を説明する。本明細書に記載されるそのような追加の実施形態は、一般的に、銅箔層と、銅箔層の上を覆う誘電体基板と、を含むことができる銅張積層板に関する。特定の実施形態によれば、誘電体基板は、ポリイミド層と、ポリイミド層の上を覆う第１の充填ポリマー層と、を含むことができ、第１の充填ポリマー層は、第１の樹脂マトリックス成分と、第１のセラミックフィラー成分と、を含むことができる。
次に、銅張積層板を形成する方法を参照すると、図３は、本明細書に記載されている実施形態に係る、銅張積層板を形成するための形成方法３００を示した略図を含む。特定の実施形態によれば、形成方法３００は、銅箔層を提供する第１のステップ３１０と、銅箔層の上を覆う誘電体基板を形成する第２のステップ３２０と、を含むことができる。特定の実施形態によれば、誘電体基板を形成することは、第１の樹脂マトリックス前駆体成分と第１のセラミックフィラー前駆体成分とを組み合わせて第１の形成混合物を形成することと、第１の形成混合物を、ポリイミド層の上を覆う第１の充填ポリマー層に形成して誘電体基板を形成することと、を含むことができる。
特定の実施形態によれば、第１のセラミックフィラー前駆体成分は、形成方法３００によって形成される銅張積層板の性能を改善することができる特定の特性を有し得る第１のフィラー前駆体材料を含むことができる。
特定の実施形態によれば、第１のフィラー前駆体材料は、特定のサイズ分布を有してもよい。本明細書に記載される実施形態の目的のために、材料の粒径分布、例えば、第１のフィラー前駆体材料の粒径分布は、粒径分布Ｄ値Ｄ１０、Ｄ５０及びＤ９０の任意の組み合わせを使用して記載され得る。粒径分布からのＤ１０値は、粒子の１０％がその値よりも小さく、粒子の９０％がその値よりも大きい粒径値として定義される。粒径分布からのＤ５０値は、粒子の５０％がその値よりも小さく、粒子の５０％がその値よりも大きい粒径値として定義される。粒径分布からのＤ９０値は、粒子の９０％がその値よりも小さく、粒子の１０％がその値よりも大きい粒径値として定義される。本明細書に記載される実施形態の目的のために、特定の材料の粒径測定は、レーザー回折分光法を使用して行われる。
特定の実施形態によれば、第１のフィラー前駆体材料は、特定のサイズ分布Ｄ１０値を有してもよい。例えば、第１のフィラー前駆体材料のＤ１０は、少なくとも約０．３マイクロメートル、又は少なくとも約０．４マイクロメートル、又は少なくとも約０．５マイクロメートル、又は少なくとも約０．６マイクロメートル、又は少なくとも約０．７マイクロメートル、又は少なくとも約０．８マイクロメートル、又は少なくとも約０．９マイクロメートル、又は少なくとも約１．０マイクロメートル、又は少なくとも約１．１マイクロメートル、又は更には少なくとも約１．２マイクロメートルなどの、少なくとも約０．２マイクロメートルであってもよい。更に他の実施形態によれば、第１のフィラー材料のＤ１０は、約１．５マイクロメートル以下、又は更には約１．４マイクロメートル以下などの、約１．６マイクロメートル以下であってもよい。第１のフィラー前駆体材料のＤ１０は、上記の最小値及び最大値のうちのいずれかの間の（両端値を含む）任意の値であり得ることが理解されよう。第１のフィラー前駆体材料のＤ１０は、上記の最小値及び最大値のうちのいずれかの間の（両端値を含む）範囲内であり得ることが更に理解されよう。
他の実施形態によれば、第１のフィラー前駆体材料は、特定のサイズ分布Ｄ５０値を有してもよい。例えば、第１のフィラー前駆体材料のＤ５０は、少なくとも約０．６マイクロメートル、又は少なくとも約０．７マイクロメートル、又は少なくとも約０．８マイクロメートル、又は少なくとも約０．９マイクロメートル、又は少なくとも約１．０マイクロメートル、又は少なくとも約１．１マイクロメートル、又は少なくとも約１．２マイクロメートル、又は少なくとも約１．３マイクロメートル、又は少なくとも約１．４マイクロメートル、又は少なくとも約１．５マイクロメートル、又は少なくとも約１．６マイクロメートル、又は少なくとも約１．７マイクロメートル、又は少なくとも約１．８マイクロメートル、又は少なくとも約１．９マイクロメートル、又は少なくとも約２．０マイクロメートル、又は少なくとも約２．１マイクロメートル、又は更には少なくとも約２．２マイクロメートルなどの、少なくとも約０．５マイクロメートルであってもよい。更に他の実施形態によれば、第１のフィラー材料のＤ５０は、約２．６マイクロメートル以下、又は約２．５マイクロメートル以下又は更には約２．４マイクロメートル以下などの、約２．７マイクロメートル以下であってもよい。第１のフィラー前駆体材料のＤ５０は、上記の最小値及び最大値のうちのいずれかの間の（両端値を含む）任意の値であり得ることが理解されよう。第１のフィラー前駆体材料のＤ５０は、上記の最小値及び最大値のうちのいずれかの間の（両端値を含む）範囲内であり得ることが更に理解されよう。
他の実施形態によれば、第１のフィラー前駆体材料は、特定のサイズ分布Ｄ９０値を有してもよい。例えば、第１のフィラー前駆体材料のＤ９０は、少なくとも約０．９マイクロメートル、又は少なくとも約１．０マイクロメートル、又は少なくとも約１．１マイクロメートル、又は少なくとも約１．２マイクロメートル、又は少なくとも約１．３マイクロメートル、又は少なくとも約１．４マイクロメートル、又は少なくとも約１．５マイクロメートル、又は少なくとも約１．６マイクロメートル、又は少なくとも約１．７マイクロメートル、又は少なくとも約１．８マイクロメートル、又は少なくとも約１．９マイクロメートル、又は少なくとも約２．０マイクロメートル、又は少なくとも約２．１マイクロメートル、又は少なくとも約２．２マイクロメートル、又は少なくとも約２．３マイクロメートル、又は少なくとも約２．４マイクロメートル、又は少なくとも約２．５マイクロメートル、又は少なくとも約２．６マイクロメートル、又は更には少なくとも約２．７マイクロメートルなどの、少なくとも約０．８マイクロメートルであってもよい。更に他の実施形態によれば、第１のフィラー材料のＤ９０は、約７．５マイクロメートル以下、又は約７．０マイクロメートル以下、又は約６．５マイクロメートル以下、又は約６．０マイクロメートル以下、又は約５．５マイクロメートル以下、又は約５．４マイクロメートル以下、又は約５．３マイクロメートル以下、又は約５．２マイクロメートル以下、又は更には約５．１マイクロメートル以下などの、約８．０マイクロメートル以下であってもよい。第１のフィラー前駆体材料のＤ９０は、上記の最小値及び最大値のうちのいずれかの間の（両端値を含む）任意の値であり得ることが理解されよう。第１のフィラー前駆体材料のＤ９０は、上記の最小値及び最大値のうちのいずれかの間の（両端値を含む）範囲内であり得ることが更に理解されよう。
更に他の実施形態によれば、第１のフィラー前駆体材料は、レーザー回折分光法を使用して測定される特定の平均粒径を有してもよい。例えば、第１のフィラー前駆体材料の平均粒径は、約９マイクロメートル以下、又は約８マイクロメートル以下、又は約７マイクロメートル以下、又は約６マイクロメートル以下、又は約５マイクロメートル以下、又は約４マイクロメートル以下、又は約３マイクロメートル以下、又は更には約２マイクロメートル以下などの、約１０マイクロメートル以下であってもよい。第１のフィラー前駆体材料の平均粒径は、上記の値のいずれかの間の（両端値を含む）任意の値であってもよいことが理解されるであろう。第１のフィラー前駆体材料の平均粒径は、上記の値のうちのいずれかの間の（両端値を含む）範囲内であり得ることが更に理解されよう。
更に他の実施形態によれば、第１のフィラー前駆体材料は、特定の粒径分布スパン（ＰＳＤＳ）を有するものとして説明することができ、第１のフィラー前駆体材料のＰＳＤＳは、（Ｄ９０－Ｄ１０）／Ｄ５０に等しく、式中、Ｄ９０は、第１のフィラー前駆体材料のＤ９０粒径分布測定値に等しく、Ｄ１０は、第１のフィラー前駆体材料のＤ１０粒径分布測定値に等しく、Ｄ５０は、第１のフィラー前駆体材料のＤ５０粒径分布測定値に等しい。例えば、第１のフィラー前駆体材料のＰＳＤＳは、約４．５以下、又は約４．０以下、又は約３．５以下、又は約３．０以下、又は更には約２．５以下などの、約５以下であってもよい。第１のフィラー前駆体材料のＰＳＤＳは、上記の値のいずれかの間の（両端値を含む）任意の値であってもよいことが理解されよう。第１のフィラー前駆体材料のＰＳＤＳは、上記の値のいずれかの間の（両端値を含む）範囲内であってもよいことが更に理解されよう。
更に他の実施形態によれば、第１のフィラー前駆体材料は、Ｂｒｕｎａｕｅｒ－Ｅｍｍｅｔｔ－Ｔｅｌｌｅｒ（ＢＥＴ）表面積分析（窒素吸着）を使用して測定される特定の平均表面積を有するものとして記述され得る。例えば、第１のフィラー前駆体材料は、約９．９ｍ２／ｇ以下、又は約９．５ｍ２／ｇ以下、又は約９．０ｍ２／ｇ以下、又は約８．５ｍ２／ｇ以下、又は約８．０ｍ２／ｇ以下、又は約７．５ｍ２／ｇ以下、又は約７．０ｍ２／ｇ以下、又は約６．５ｍ２／ｇ以下、又は約６．０ｍ２／ｇ以下、又は約５．５ｍ２／ｇ以下、又は約５．０ｍ２／ｇ以下、又は約４．５ｍ２／ｇ以下、又は約４．０ｍ２／ｇ以下、又は更には約３．５ｍ２／ｇ以下などの、約１０ｍ２／ｇ以下の平均表面積を有してもよい。更に他の実施形態によれば、第１のフィラー前駆体材料は、少なくとも約２．４ｍ２／ｇなどの、少なくとも約１．２ｍ２／ｇの平均表面積を有してもよい。第１のフィラー前駆体材料の平均表面積は、上記の最小値及び最大値のうちのいずれかの間の（両端値を含む）任意の値であり得ることが理解されよう。第１のフィラー前駆体材料の平均表面積は、上記の最小値及び最大値のうちのいずれかの間の（両端値を含む）範囲内であり得ることが更に理解されよう。
他の実施形態によれば、第１のフィラー前駆体材料は、特定の材料を含み得る。特定の実施形態によれば、第１のフィラー前駆体材料は、シリカ系化合物を含んでもよい。更に他の実施形態によれば、第１のフィラー前駆体材料は、シリカ系化合物からなってもよい。他の実施形態によれば、第１のフィラー前駆体材料は、シリカを含んでもよい。更に他の実施形態によれば、第１のフィラー前駆体材料は、シリカからなってもよい。
更に他の実施形態によれば、第１の形成混合物は、特定の含有量の第１のセラミックフィラー前駆体成分を含むことができる。例えば、第１のセラミックフィラー前駆体成分の含有量は、第１の形成混合物の総体積に対して、少なくとも約３１体積％、又は少なくとも約３２体積％、又は少なくとも約３３体積％、又は少なくとも約３４体積％、又は少なくとも約３５体積％、又は少なくとも約３６体積％、又は少なくとも約３７体積％、又は少なくとも約３８体積％、又は少なくとも約３９体積％、又は少なくとも約４０体積％、又は少なくとも約４１体積％、又は少なくとも約４２体積％、又は少なくとも約４３体積％、又は少なくとも約４４体積％、又は少なくとも約４５体積％、又は少なくとも約４６体積％、又は少なくとも約４７体積％、又は少なくとも約４８体積％、又は少なくとも約４９体積％、又は少なくとも約５０体積％、又は少なくとも約５１体積％、又は少なくとも約５２体積％、又は少なくとも約５３体積％、又は更には少なくとも約５４体積％などの、少なくとも約３０体積％であってもよい。更に他の実施形態によれば、第１のセラミックフィラー前駆体成分の含有量は、第１の形成混合物の総体積に対して、約５６体積％以下、又は更には約５５体積％以下などの、約５７体積％以下であってもよい。第１のセラミックフィラー前駆体成分の含有量は、上記の最小値及び最大値のうちのいずれかの間の（両端値を含む）任意の値であり得ることが理解されよう。第１のセラミックフィラー前駆体成分の含有量は、上記の最小値及び最大値のうちのいずれかの間の（両端値を含む）範囲内であり得ることが更に理解されよう。
更に他の実施形態によれば、第１のセラミックフィラー前駆体成分は、特定の含有量の第１のフィラー前駆体材料を含むことができる。例えば、第１のフィラー前駆体材料の含有量は、第１のセラミックフィラー前駆体成分の総体積に対して、少なくとも約８１体積％、又は少なくとも約８２体積％、又は少なくとも約８３体積％、又は少なくとも約８４体積％、又は少なくとも約８５体積％、又は少なくとも約８６体積％、又は少なくとも約８７体積％、又は少なくとも約８８体積％、又は少なくとも約８９体積％、又は更には少なくとも約９０体積％などの、少なくとも約８０体積％であってもよい。更に他の実施形態によれば、第１のフィラー前駆体材料の含有量は、第１のセラミックフィラー前駆体成分の総体積に対して、約９９体積％以下、又は約９８体積％以下、又は約９７体積％以下、又は約９６体積％以下、又は約９５体積％以下、又は約９４体積％以下、又は約９３体積％以下、又は更には約９２体積％以下などの、約１００体積％以下であってもよい。第１のフィラー前駆体材料の含有量は、上記の最小値及び最大値のうちのいずれかの間の（両端値を含む）任意の値であり得ることが理解されよう。第１のフィラー前駆体材料の含有量は、上記の最小値及び最大値のうちのいずれかの間の（両端値を含む）範囲内であり得ることが更に理解されよう。
更に他の実施形態によれば、第１のセラミックフィラー前駆体成分は、第２のフィラー前駆体材料を含んでもよい。
更に他の実施形態によれば、第２のフィラー前駆体材料は、特定の材料を含み得る。例えば、第２のフィラー前駆体材料は、少なくとも約１４の誘電率を有するセラミック材料などの高誘電率セラミック材料を含むことができる。特定の実施形態によれば、第２のフィラー前駆体材料は、ＴｉＯ２、ＳｒＴｉＯ３、ＺｒＴｉ２Ｏ６、ＭｇＴｉＯ３、ＣａＴｉＯ３、ＢａＴｉＯ４、又はそれらの任意の組み合わせなどの任意の高誘電率セラミック材料を含むことができる。
更に他の実施形態によれば、第２のフィラー前駆体材料は、ＴｉＯ２を含んでもよい。更に他の実施形態によれば、第２のフィラー前駆体材料は、ＴｉＯ２からなってもよい。
更に他の実施形態によれば、第１のセラミックフィラー前駆体成分は、特定の含有量の第２のフィラー前駆体材料を含んでもよい。例えば、第２のフィラー前駆体材料の含有量は、第１のセラミックフィラー前駆体成分の総体積に対して、少なくとも約２体積％、又は少なくとも約３体積％、又は少なくとも約４体積％、又は少なくとも約５体積％、又は少なくとも約６体積％、又は少なくとも約７体積％、又は少なくとも約８体積％、又は少なくとも約９体積％、又は少なくとも約１０体積％などの、少なくとも約１体積％であってもよい。更に他の実施形態によれば、第２のフィラー前駆体材料の含有量は、第１のセラミックフィラー前駆体成分の総体積に対して、約１９体積％以下、又は約１８体積％以下、又は約１７体積％以下、又は約１６体積％以下、又は約１５体積％以下、又は約１４体積％以下、又は約１３体積％以下、又は約１２体積％以下などの、約２０体積％以下であってもよい。第２のフィラー前駆体材料の含有量は、上記の最小値及び最大値のうちのいずれかの間の（両端値を含む）任意の値であり得ることが理解されよう。第２のフィラー前駆体材料の含有量は、上記の最小値及び最大値のうちのいずれかの間の（両端値を含む）範囲内であり得ることが更に理解されよう。
更に他の実施形態によれば、第１のセラミックフィラー前駆体成分は、特定の含有量の非晶質材料を含むことができる。例えば、第１のセラミックフィラー前駆体成分は、少なくとも約９８％、又は更には少なくとも約９９％などの、少なくとも約９７％の非晶質材料を含むことができる。非晶質材料の含有量は、上記の値のいずれかの間の（両端値を含む）任意の値であり得ることが理解されよう。非晶質材料の含有量は、上記の値のいずれかの間の（両端値を含む）範囲内であってもよいことが更に理解されよう。
他の実施形態によれば、第１の樹脂マトリックス前駆体成分は、特定の材料を含んでもよい。例えば、第１の樹脂マトリックス前駆体成分は、ペルフルオロポリマーを含んでもよい。更に他の実施形態によれば、第１の樹脂マトリックス前駆体成分は、ペルフルオロポリマーからなってもよい。
更に他の実施形態によれば、第１の樹脂前駆体マトリックス成分のペルフルオロポリマーは、テトラフルオロエチレン（ＴＦＥ）のコポリマー、ヘキサフルオロプロピレン（ＨＦＰ）のコポリマー、テトラフルオロエチレン（ＴＦＥ）のターポリマー、又はそれらの任意の組み合わせ、を含んでもよい。他の実施形態によれば、第１の樹脂マトリックス前駆体成分のペルフルオロポリマーは、テトラフルオロエチレン（ＴＦＥ）のコポリマー、ヘキサフルオロプロピレン（ＨＦＰ）のコポリマー、テトラフルオロエチレン（ＴＦＥ）のターポリマー、又はそれらの任意の組み合わせ、からなってもよい。
更に他の実施形態によれば、第１の樹脂マトリックス前駆体成分のペルフルオロポリマーは、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）、ペルフルオロアルコキシポリマー樹脂（ＰＦＡ）、フッ素化エチレンプロピレン（ＦＥＰ）、又はそれらの任意の組み合わせを含んでもよい。更に他の実施形態によれば、第１の樹脂マトリックス前駆体成分のペルフルオロポリマーは、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）、ペルフルオロアルコキシポリマー樹脂（ＰＦＡ）、フッ素化エチレンプロピレン（ＦＥＰ）、又はそれらの任意の組み合わせからなってもよい。
更に他の実施形態によれば、第１の形成混合物は、特定の含有量の第１の樹脂マトリックス前駆体成分を含んでもよい。例えば、第１の樹脂マトリックス前駆体成分の含有量は、第１の形成混合物の総体積に対して、少なくとも約４６体積％、又は少なくとも約４７体積％、又は少なくとも約４８体積％、又は少なくとも約４９体積％、又は少なくとも約５０体積％、又は少なくとも約５１体積％、又は少なくとも約５２体積％、又は少なくとも約５３体積％、又は少なくとも約５４体積％、又は更には少なくとも約５５体積％などの、少なくとも約４５体積％であってもよい。更に他の実施形態によれば、第１の樹脂マトリックス前駆体成分の含有量は、第１の形成混合物の総体積に対して約６３体積％以下、又は約６２体積％以下、又は約６１体積％以下、又は約６０体積％以下、又は約５９体積％以下、又は約５８体積％以下、又は更には約５７体積％以下である。第１の樹脂マトリックス前駆体成分の含有量は、上記の最小値及び最大値のうちのいずれかの間の（両端値を含む）任意の値であり得ることが理解されよう。第１の樹脂マトリックス前駆体成分の含有量は、上記の最小値及び最大値のうちのいずれかの間の（両端値を含む）範囲内であり得ることが更に理解されよう。
更に他の実施形態によれば、第１の形成混合物は、特定の含有量のペルフルオロポリマーを含んでもよい。例えば、ペルフルオロポリマーの含有量は、第１の形成混合物の総体積に対して、少なくとも約４６体積％、又は少なくとも約４７体積％、又は少なくとも約４８体積％、又は少なくとも約４９体積％、又は少なくとも約５０体積％、又は少なくとも約５１体積％、又は少なくとも約５２体積％、又は少なくとも約５３体積％、又は少なくとも約５４体積％、又は更には少なくとも約５５体積％などの、少なくとも約４５体積％であってもよい。更に他の実施形態によれば、ペルフルオロポリマーの含有量は、第１の形成混合物の総体積に対して、約６２体積％以下、又は約６１体積％以下、又は約６０体積％以下、又は約５９体積％以下、又は約５８体積％以下、又は更には約５７体積％以下などの、約６３体積％以下であり得る。ペルフルオロポリマーの含有量は、上記の最小値及び最大値のうちのいずれかの間の（両端値を含む）任意の値であり得ることが理解されよう。ペルフルオロポリマーの含有量は、上記の最小値及び最大値のうちのいずれかの間の（両端値を含む）範囲内であり得ることが更に理解されよう。
更に他の実施形態によれば、誘電体基板を形成することは、第２の樹脂マトリックス前駆体成分と第２のセラミックフィラー前駆体成分とを組み合わせて第２の形成混合物を形成することと、第２の形成混合物を、ポリイミド層の下を覆う第２の充填ポリマー層に形成することと、を更に含むことができる。
特定の実施形態によれば、第２のセラミックフィラー前駆体成分は、形成方法３００によって形成される銅張積層板の性能を改善することができる特定の特性を有し得る第３のフィラー前駆体材料を含むことができる。
特定の実施形態によれば、第３のフィラー前駆体材料は、特定のサイズ分布を有してもよい。本明細書に記載されている実施形態の目的のために、材料の粒径分布、例えば、第３のフィラー前駆体材料の粒径分布は、粒径分布Ｄ値Ｄ１０、Ｄ５０及びＤ９０の任意の組み合わせを使用して記述され得る。粒径分布からのＤ１０値は、粒子の１０％がその値よりも小さく、粒子の９０％がその値よりも大きい粒径値として定義される。粒径分布からのＤ５０値は、粒子の５０％がその値よりも小さく、粒子の５０％がその値よりも大きい粒径値として定義される。粒径分布からのＤ９０値は、粒子の９０％がその値よりも小さく、粒子の１０％がその値よりも大きい粒径値として定義される。本明細書に記載される実施形態の目的のために、特定の材料の粒径測定は、レーザー回折分光法を使用して行われる。
特定の実施形態によれば、第３のフィラー前駆体材料は、特定のサイズ分布Ｄ１０値を有してもよい。例えば、第３のフィラー前駆体材料のＤ１０値は、少なくとも約０．３マイクロメートル、又は少なくとも約０．４マイクロメートル、又は少なくとも約０．５マイクロメートル、又は少なくとも約０．６マイクロメートル、又は少なくとも約０．７マイクロメートル、又は少なくとも約０．８マイクロメートル、又は少なくとも約０．９マイクロメートル、又は少なくとも約１．０マイクロメートル、又は少なくとも約１．１マイクロメートル、又は更には少なくとも約１．２マイクロメートルなどの、少なくとも約０．２マイクロメートルであってもよい。更に他の実施形態によれば、第３のフィラー材料のＤ１０は、約１．５マイクロメートル以下、又は更には約１．４マイクロメートル以下などの、約１．６マイクロメートル以下であってもよい。第３のフィラー前駆体材料のＤ１０は、上記の最小値及び最大値のうちのいずれかの間の（両端値を含む）任意の値であり得ることが理解されよう。第３のフィラー前駆体材料のＤ１０は、上記の最小値及び最大値のうちのいずれかの間の（両端値を含む）範囲内であり得ることが更に理解されよう。
他の実施形態によれば、第３のフィラー前駆体材料は、特定のサイズ分布Ｄ５０値を有してもよい。例えば、第３のフィラー前駆体材料のＤ５０は、少なくとも約０．６マイクロメートル、又は少なくとも約０．７マイクロメートル、又は少なくとも約０．８マイクロメートル、又は少なくとも約０．９マイクロメートル、又は少なくとも約１．０マイクロメートル、又は少なくとも約１．１マイクロメートル、又は少なくとも約１．２マイクロメートル、又は少なくとも約１．３マイクロメートル、又は少なくとも約１．４マイクロメートル、又は少なくとも約１．５マイクロメートル、又は少なくとも約１．６マイクロメートル、又は少なくとも約１．７マイクロメートル、又は少なくとも約１．８マイクロメートル、又は少なくとも約１．９マイクロメートル、又は少なくとも約２．０マイクロメートル、又は少なくとも約２．１マイクロメートル、又は更には少なくとも約２．２マイクロメートルなどの、少なくとも約０．５マイクロメートルであってもよい。更に他の実施形態によれば、第３のフィラー材料のＤ５０は、約２．６マイクロメートル以下、又は約２．５マイクロメートル以下、又は更には約２．４マイクロメートル以下などの、約２．７マイクロメートル以下であってもよい。第３のフィラー材料のＤ５０は、上記の最小値及び最大値のうちのいずれかの間の（両端値を含む）任意の値であり得ることが理解されよう。第３のフィラー前駆体材料のＤ５０は、上記の最小値及び最大値のうちのいずれかの間の（両端値を含む）範囲内であり得ることが更に理解されよう。
他の実施形態によれば、第３のフィラー前駆体材料は、特定のサイズ分布Ｄ９０値を有してもよい。例えば、第３のフィラー前駆体材料のＤ９０は、少なくとも約０．９マイクロメートル、又は少なくとも約１．０マイクロメートル、又は少なくとも約１．１マイクロメートル、又は少なくとも約１．２マイクロメートル、又は少なくとも約１．３マイクロメートル、又は少なくとも約１．４マイクロメートル、又は少なくとも約１．５マイクロメートル、又は少なくとも約１．６マイクロメートル、又は少なくとも約１．７マイクロメートル、又は少なくとも約１．８マイクロメートル、又は少なくとも約１．９マイクロメートル、又は少なくとも約２．０マイクロメートル、又は少なくとも約２．１マイクロメートル、又は少なくとも約２．２マイクロメートル、又は少なくとも約２．３マイクロメートル、又は少なくとも約２．４マイクロメートル、又は少なくとも約２．５マイクロメートル、又は少なくとも約２．６マイクロメートル、又は更には少なくとも約２．７マイクロメートルなどの、少なくとも約０．８マイクロメートルであってもよい。更に他の実施形態によれば、第３のフィラー材料のＤ９０は、約７．５マイクロメートル以下、又は約７．０マイクロメートル以下、又は約６．５マイクロメートル以下、又は約６．０マイクロメートル以下、又は約５．５マイクロメートル以下、又は約５．４マイクロメートル以下、又は約５．３マイクロメートル以下、又は約５．２マイクロメートル以下、又は更には約５．１マイクロメートル以下などの、約８．０マイクロメートル以下であってもよい。第３のフィラー前駆体材料のＤ９０は、上記の最小値及び最大値のうちのいずれかの間の（両端値を含む）任意の値であり得ることが理解されよう。第３のフィラー前駆体材料のＤ９０は、上記の最小値及び最大値のうちのいずれかの間の（両端値を含む）範囲内であり得ることが更に理解されよう。
更に他の実施形態によれば、第３のフィラー前駆体材料は、レーザー回折分光法を使用して測定される特定の平均粒径を有してもよい。例えば、第３のフィラー前駆体材料の平均粒径は、約９マイクロメートル以下、又は約８マイクロメートル以下、又は約７マイクロメートル以下、又は約６マイクロメートル以下、又は約５マイクロメートル以下、又は約４マイクロメートル以下、又は約３マイクロメートル以下、又は更には約２マイクロメートル以下などの、約１０マイクロメートル以下であってもよい。第３のフィラー前駆体材料の平均粒径は、上記の値のいずれかの間の（両端値を含む）任意の値であり得ることが理解されよう。第３のフィラー前駆体材料の平均粒径は、上記の値のうちのいずれかの間の（両端値を含む）範囲内であり得ることが更に理解されよう。
更に他の実施形態によれば、第３のフィラー前駆体材料は、特定の粒径分布スパン（ＰＳＤＳ）を有するものとして説明することができ、第３のフィラー前駆体材料のＰＳＤＳは、（Ｄ９０－Ｄ１０）／Ｄ５０に等しく、式中、Ｄ９０は、第３のフィラー前駆体材料のＤ９０粒径分布測定値に等しく、Ｄ１０は、第３のフィラー前駆体材料のＤ１０粒径分布測定値に等しく、Ｄ５０は、第３のフィラー前駆体材料のＤ５０粒径分布測定値に等しい。例えば、第３のフィラー前駆体材料のＰＳＤＳは、約４．５以下、又は約４．０以下、又は約３．５以下、又は約３．０以下、又は更には約２．５以下などの、約５以下であってもよい。第３のフィラー前駆体材料のＰＳＤＳは、上記の値のいずれかの間の（両端値を含む）任意の値であり得ることが理解されよう。第３のフィラー前駆体材料のＰＳＤＳは、上記の値のいずれかの間の（両端値を含む）範囲内であってもよいことが更に理解されよう。
更に他の実施形態によれば、第３のフィラー前駆体材料は、Ｂｒｕｎａｕｅｒ－Ｅｍｍｅｔｔ－Ｔｅｌｌｅｒ（ＢＥＴ）表面積分析（窒素吸着）を使用して測定される特定の平均表面積を有するものとして記述され得る。例えば、第３のフィラー前駆体材料は、約９．９ｍ２／ｇ以下、又は約９．５ｍ２／ｇ以下、又は約９．０ｍ２／ｇ以下、又は約８．５ｍ２／ｇ以下、又は約８．０ｍ２／ｇ以下、又は約７．５ｍ２／ｇ以下、又は約７．０ｍ２／ｇ以下、又は約６．５ｍ２／ｇ以下、又は約６．０ｍ２／ｇ以下、又は約５．５ｍ２／ｇ以下、又は約５．０ｍ２／ｇ以下、又は約４．５ｍ２／ｇ以下、又は約４．０ｍ２／ｇ以下、又は更には約３．５ｍ２／ｇ以下などの、約１０ｍ２／ｇ以下の平均表面積を有してもよい。更に他の実施形態によれば、第３のフィラー前駆体材料は、少なくとも約２．４ｍ２／ｇなどの、少なくとも約１．２ｍ２／ｇの平均表面積を有してもよい。第３のフィラー前駆体材料の平均表面積は、上記の最小値及び最大値のうちのいずれかの間の（両端値を含む）任意の値であり得ることが理解されよう。第３のフィラー前駆体材料の平均表面積は、上記の最小値及び最大値のうちのいずれかの間の（両端値を含む）範囲内であり得ることが更に理解されよう。
他の実施形態によれば、第３のフィラー前駆体材料は、特定の材料を含み得る。特定の実施形態によれば、第３のフィラー前駆体材料は、シリカ系化合物を含んでもよい。更に他の実施形態によれば、第３のフィラー前駆体材料は、シリカ系化合物からなってもよい。他の実施形態によれば、第３のフィラー前駆体材料は、シリカを含んでもよい。更に他の実施形態によれば、第３のフィラー前駆体材料は、シリカからなってもよい。
更に他の実施形態によれば、第２の形成混合物は、特定の含有量の第２のセラミックフィラー前駆体成分を含むことができる。例えば、第２のセラミックフィラー前駆体成分の含有量は、第２の形成混合物の総体積に対して、少なくとも約３１体積％、又は少なくとも約３２体積％、又は少なくとも約３３体積％、又は少なくとも約３４体積％、又は少なくとも約３５体積％、又は少なくとも約３６体積％、又は少なくとも約３７体積％、又は少なくとも約３８体積％、又は少なくとも約３９体積％、又は少なくとも約４０体積％、又は少なくとも約４１体積％、又は少なくとも約４２体積％、又は少なくとも約４３体積％、又は少なくとも約４４体積％、又は少なくとも約４５体積％、又は少なくとも約４６体積％、又は少なくとも約４７体積％、又は少なくとも約４８体積％、又は少なくとも約４９体積％、又は少なくとも約５０体積％、又は少なくとも約５１体積％、又は少なくとも約５２体積％、又は少なくとも約５３体積％、又は更には少なくとも約５４体積％などの、少なくとも約３０体積％であってもよい。更に他の実施形態によれば、第２のセラミックフィラー前駆体成分の含有量は、第２の形成混合物の総体積に対して、約５６体積％以下、又は更には約５５体積％以下などの、約５７体積％以下であってもよい。第２のセラミックフィラー前駆体成分の含有量は、上記の最小値及び最大値のうちのいずれかの間の（両端値を含む）任意の値であり得ることが理解されよう。第２のセラミックフィラー前駆体成分の含有量は、上記の最小値及び最大値のうちのいずれかの間の（両端値を含む）範囲内であり得ることが更に理解されよう。
更に他の実施形態によれば、第２のセラミックフィラー前駆体成分は、特定の含有量の第３のフィラー前駆体材料を含むことができる。例えば、第３のフィラー前駆体材料の含有量は、第２のセラミックフィラー前駆体成分の総体積に対して、少なくとも約８１体積％、又は少なくとも約８２体積％、又は少なくとも約８３体積％、又は少なくとも約８４体積％、又は少なくとも約８５体積％、又は少なくとも約８６体積％、又は少なくとも約８７体積％、又は少なくとも約８８体積％、又は少なくとも約８９体積％、又は更には少なくとも約９０体積％などの、少なくとも約８０体積％であってもよい。更に他の実施形態によれば、第３のフィラー前駆体材料の含有量は、第２のセラミックフィラー前駆体成分の総体積に対して、約９９体積％以下、又は約９８体積％以下、又は約９７体積％以下、又は約９６体積％以下、又は約９５体積％以下、又は約９４体積％以下、又は約９３体積％以下、又は更には約９２体積％以下などの、約１００体積％以下であってもよい。第３のフィラー前駆体材料の含有量は、上記の最小値及び最大値のうちのいずれかの間の（両端値を含む）任意の値であり得ることが理解されよう。第３のフィラー前駆体材料の含有量は、上記の最小値及び最大値のうちのいずれかの間の（両端値を含む）範囲内であり得ることが更に理解されよう。
更に他の実施形態によれば、第２のセラミックフィラー前駆体成分は、第４のフィラー前駆体材料を含んでもよい。
更に他の実施形態によれば、第４のフィラー前駆体材料は、特定の材料を含み得る。例えば、第４のフィラー前駆体材料は、少なくとも約１４の誘電率を有するセラミック材料などの高誘電率セラミック材料を含むことができる。特定の実施形態によれば、第４のフィラー前駆体材料は、ＴｉＯ２、ＳｒＴｉＯ３、ＺｒＴｉ２Ｏ６、ＭｇＴｉＯ３、ＣａＴｉＯ３、ＢａＴｉＯ４、又はそれらの任意の組み合わせなどの任意の高誘電率セラミック材料を含むことができる。
更に他の実施形態によれば、第４のフィラー前駆体材料は、ＴｉＯ２を含んでもよい。更に他の実施形態によれば、第４のフィラー前駆体材料は、ＴｉＯ２からなってもよい。
更に他の実施形態によれば、第２のセラミックフィラー前駆体成分は、特定の含有量の第４のフィラー前駆体材料を含むことができる。例えば、第４のフィラー前駆体材料の含有量は、第２のセラミックフィラー前駆体成分の総体積に対して、少なくとも約２体積％、又は少なくとも約３体積％、又は少なくとも約４体積％、又は少なくとも約５体積％、又は少なくとも約６体積％、又は少なくとも約７体積％、又は少なくとも約８体積％、又は少なくとも約９体積％、又は少なくとも約１０体積％などの、少なくとも約１体積％であってもよい。更に他の実施形態によれば、第４のフィラー前駆体材料の含有量は、第２のセラミックフィラー前駆体成分の総体積に対して、約１９体積％以下、又は約１８体積％以下、又は約１７体積％以下、又は約１６体積％以下、又は約１５体積％以下、又は約１４体積％以下、又は約１３体積％以下、又は約１２体積％以下などの、約２０体積％以下であってもよい。第４のフィラー前駆体材料の含有量は、上記の最小値及び最大値のうちのいずれかの間の（両端値を含む）任意の値であり得ることが理解されよう。第４のフィラー前駆体材料の含有量は、上記の最小値及び最大値のうちのいずれかの間の（両端値を含む）範囲内であり得ることが更に理解されよう。
更に他の実施形態によれば、第２のセラミックフィラー前駆体成分は、特定の含有量の非晶質材料を含むことができる。例えば、第２のセラミックフィラー前駆体成分は、少なくとも約９８％、又は更には少なくとも約９９％などの、少なくとも約９７％の非晶質材料を含むことができる。非晶質材料の含有量は、上記の値のいずれかの間の（両端値を含む）任意の値であり得ることが理解されよう。非晶質材料の含有量は、上記の値のいずれかの間の（両端値を含む）範囲内であってもよいことが更に理解されよう。
他の実施形態によれば、第２の樹脂マトリックス前駆体成分は、特定の材料を含んでもよい。例えば、第２の樹脂マトリックス前駆体成分は、ペルフルオロポリマーを含んでもよい。更に他の実施形態によれば、第２の樹脂マトリックス前駆体成分は、ペルフルオロポリマーからなってもよい。
更に他の実施形態によれば、第１の樹脂前駆体マトリックス成分のペルフルオロポリマーは、テトラフルオロエチレン（ＴＦＥ）のコポリマー、ヘキサフルオロプロピレン（ＨＦＰ）のコポリマー、テトラフルオロエチレン（ＴＦＥ）のポリマーのターポリマー、又はそれらの任意の組み合わせ、を含んでもよい。他の実施形態によれば、第２の樹脂マトリックス前駆体成分のペルフルオロポリマーは、テトラフルオロエチレン（ＴＦＥ）のコポリマー、ヘキサフルオロプロピレン（ＨＦＰ）のコポリマー、テトラフルオロエチレン（ＴＦＥ）のターポリマー、又はそれらの任意の組み合わせ、からなってもよい。
更に他の実施形態によれば、第２の樹脂マトリックス前駆体成分のペルフルオロポリマーは、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）、ペルフルオロアルコキシポリマー樹脂（ＰＦＡ）、フッ素化エチレンプロピレン（ＦＥＰ）、又はそれらの任意の組み合わせを含んでもよい。更に他の実施形態によれば、第２の樹脂マトリックス前駆体成分のペルフルオロポリマーは、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）、ペルフルオロアルコキシポリマー樹脂（ＰＦＡ）、フッ素化エチレンプロピレン（ＦＥＰ）、又はそれらの任意の組み合わせからなってもよい。
更に他の実施形態によれば、第２の形成混合物は、特定の含有量の第２の樹脂マトリックス前駆体成分を含むことができる。例えば、第２の樹脂マトリックス前駆体成分の含有量は、第２の形成混合物の総体積に対して、少なくとも約４６体積％、又は少なくとも約４７体積％、又は少なくとも約４８体積％、又は少なくとも約４９体積％、又は少なくとも約５０体積％、又は少なくとも約５１体積％、又は少なくとも約５２体積％、又は少なくとも約５３体積％、又は少なくとも約５４体積％、又は更には少なくとも約５５体積％などの、少なくとも約４５体積％であってもよい。更に他の実施形態によれば、第２の樹脂マトリックス前駆体成分の含有量は、第２の形成混合物の総体積に対して約６３体積％以下、又は約６２体積％以下、又は約６１体積％以下、又は約６０体積％以下、又は約５９体積％以下、又は約５８体積％以下、又は更には約５７体積％以下である。第２の樹脂マトリックス前駆体成分の含有量は、上記の最小値及び最大値のうちのいずれかの間の（両端値を含む）任意の値であり得ることが理解されよう。第２の樹脂マトリックス前駆体成分の含有量は、上記の最小値及び最大値のうちのいずれかの間の（両端値を含む）範囲内であり得ることが更に理解されよう。
更に他の実施形態によれば、第２の形成混合物は、特定の含有量のペルフルオロポリマーを含んでもよい。例えば、ペルフルオロポリマーの含有量は、第２の形成混合物の総体積に対して、少なくとも約４６体積％、又は少なくとも約４７体積％、又は少なくとも約４８体積％、又は少なくとも約４９体積％、又は少なくとも約５０体積％、又は少なくとも約５１体積％、又は少なくとも約５２体積％、又は少なくとも約５３体積％、又は少なくとも約５４体積％、又は更には少なくとも約５５体積％などの、少なくとも約４５体積％であってもよい。更に他の実施形態によれば、ペルフルオロポリマーの含有量は、第２の形成混合物の総体積に対して、約６２体積％以下、又は約６１体積％以下、又は約６０体積％以下、又は約５９体積％以下、又は約５８体積％以下、又は更には約５７体積％以下などの、約６３体積％以下であってもよい。ペルフルオロポリマーの含有量は、上記の最小値及び最大値のうちのいずれかの間の（両端値を含む）任意の値であり得ることが理解されよう。ペルフルオロポリマーの含有量は、上記の最小値及び最大値のうちのいずれかの間の（両端値を含む）範囲内であり得ることが更に理解されよう。
次に、形成方法３００に従って形成される銅張積層板の実施形態を参照すると、図４ａは、銅張積層板４００の略図を含む。図４ａに示したように、銅張積層板４００は、銅箔層４０３と、銅箔層４０３の表面を覆う誘電体基板４０５と、を含むことができる。図４ａに更に示したように、誘電体基板４０５は、ポリイミド層４０２と、ポリイミド層４０２の上を覆う第１の充填ポリマー層４０４と、を含むことができる。図４ａに示したように、第１の充填ポリマー層４０４は、第１の樹脂マトリックス成分４１０及び第１のセラミックフィラー成分４２０を含むことができる。
特定の実施形態によれば、第１のセラミックフィラー成分４２０は、誘電体基板４０５の性能を改善することができる特定の特性を有し得る第１のフィラー材料を含むことができる。
特定の実施形態によれば、第１のセラミックフィラー成分４２０の第１のフィラー材料は、特定のサイズ分布を有することができる。本明細書に記載されている実施形態の目的のために、材料の粒径分布、例えば、第１のフィラー材料の粒径分布は、粒径分布Ｄ値Ｄ１０、Ｄ５０及びＤ９０の任意の組み合わせを使用して記載ああされ得る。粒径分布からのＤ１０値は、粒子の１０％がその値よりも小さく、粒子の９０％がその値よりも大きい粒径値として定義される。粒径分布からのＤ５０値は、粒子の５０％がその値よりも小さく、粒子の５０％がその値よりも大きい粒径値として定義される。粒径分布からのＤ９０値は、粒子の９０％がその値よりも小さく、粒子の１０％がその値よりも大きい粒径値として定義される。本明細書に記載される実施形態の目的のために、特定の材料の粒径測定は、レーザー回折分光法を使用して行われる。
特定の実施形態によれば、第１のセラミックフィラー成分４２０の第１のフィラー材料は、特定のサイズ分布Ｄ１０値を有することができる。例えば、第１のフィラー材料のＤ１０は、少なくとも約０．３マイクロメートル、又は少なくとも約０．４マイクロメートル、又は少なくとも約０．５マイクロメートル、又は少なくとも約０．６マイクロメートル、又は少なくとも約０．７マイクロメートル、又は少なくとも約０．８マイクロメートル、又は少なくとも約０．９マイクロメートル、又は少なくとも約１．０マイクロメートル、又は少なくとも約１．１マイクロメートル、又は更には少なくとも約１．２マイクロメートルなどの、少なくとも約０．２マイクロメートルであってもよい。更に他の実施形態によれば、第１のフィラー材料のＤ１０は、約１．５マイクロメートル以下、又は更には約１．４マイクロメートル以下などの、約１．６マイクロメートル以下であってもよい。第１のフィラー材料のＤ１０は、上記の最小値及び最大値のうちのいずれかの間の（両端値を含む）任意の値であり得ることが理解されよう。第１のフィラー材料のＤ１０は、上記の最小値及び最大値のうちのいずれかの間の（両端値を含む）範囲内であり得ることが更に理解されよう。
他の実施形態によれば、第１のセラミックフィラー成分４２０の第１のフィラー材料は、特定のサイズ分布Ｄ５０値を有してもよい。例えば、第１のフィラー材料のＤ５０は、少なくとも約０．９マイクロメートル、又は少なくとも約１．０マイクロメートル、又は少なくとも約１．１マイクロメートル、又は少なくとも約１．２マイクロメートル、又は少なくとも約１．３マイクロメートル、又は少なくとも約１．４マイクロメートル、又は少なくとも約１．５マイクロメートル、又は少なくとも約１．６マイクロメートル、又は少なくとも約１．７マイクロメートル、又は少なくとも約１．８マイクロメートル、又は少なくとも約１．９マイクロメートル、又は少なくとも約２．０マイクロメートル、又は少なくとも約２．１マイクロメートル、又は更には少なくとも約２．２マイクロメートルなどの、少なくとも約０．８マイクロメートルであってもよい。更に他の実施形態によれば、第１のフィラー材料のＤ５０は、約２．６マイクロメートル以下、又は約２．５マイクロメートル以下又は更には約２．４マイクロメートル以下などの、約２．７マイクロメートル以下であってもよい。第１のフィラー材料のＤ５０は、上記の最小値及び最大値のうちのいずれかの間の（両端値を含む）任意の値であり得ることが理解されよう。第１のフィラー材料のＤ５０は、上記の最小値及び最大値のうちのいずれかの間の（両端値を含む）範囲内であり得ることが更に理解されよう。
他の実施形態によれば、第１のセラミックフィラー成分４２０の第１のフィラー材料は、特定のサイズ分布Ｄ９０値を有してもよい。例えば、第１のフィラー材料のＤ９０は、少なくとも約０．９マイクロメートル、又は少なくとも約１．０マイクロメートル、又は少なくとも約１．１マイクロメートル、又は少なくとも約１．２マイクロメートル、又は少なくとも約１．３マイクロメートル、又は少なくとも約１．４マイクロメートル、又は少なくとも約１．５マイクロメートル、又は少なくとも約１．６マイクロメートル、又は少なくとも約１．７マイクロメートル、又は少なくとも約１．８マイクロメートル、又は少なくとも約１．９マイクロメートル、又は少なくとも約２．０マイクロメートル、又は少なくとも約２．１マイクロメートル、又は少なくとも約２．２マイクロメートル、又は少なくとも約２．３マイクロメートル、又は少なくとも約２．４マイクロメートル、又は少なくとも約２．５マイクロメートル、又は少なくとも約２．６マイクロメートル、又は更には少なくとも約２．７マイクロメートルなどの、少なくとも約０．８マイクロメートルであってもよい。更に他の実施形態によれば、第１のフィラー材料のＤ９０は、約７．５マイクロメートル以下、又は約７．０マイクロメートル以下、又は約６．５マイクロメートル以下、又は約６．０マイクロメートル以下、又は約５．５マイクロメートル以下、又は約５．４マイクロメートル以下、又は約５．３マイクロメートル以下、又は約５．２マイクロメートル以下、又は更には約５．１マイクロメートル以下などの、約８．０マイクロメートル以下であってもよい。第１のフィラー材料のＤ９０は、上記の最小値及び最大値のうちのいずれかの間の（両端値を含む）任意の値であり得ることが理解されよう。第１のフィラー材料のＤ９０は、上記の最小値及び最大値のうちのいずれかの間の（両端値を含む）範囲内であり得ることが更に理解されよう。
更に他の実施形態によれば、第１のセラミックフィラー成分４２０の第１のフィラー材料は、レーザー回折分光法によって測定される特定の平均粒径を有してもよい。例えば、第１のフィラー材料の平均粒径は、約９マイクロメートル以下、又は約８マイクロメートル以下、又は約７マイクロメートル以下、又は約６マイクロメートル以下、又は約５マイクロメートル以下、又は約４マイクロメートル以下、又は約３マイクロメートル以下、又は更には約２マイクロメートル以下などの、約１０マイクロメートル以下であってもよい。第１のフィラー材料の平均粒径は、上記の値のいずれかの間の（両端値を含む）任意の値であり得ることが理解されよう。第１のフィラー材料の平均粒径は、上記の値のうちのいずれかの間の（両端値を含む）範囲内であり得ることが更に理解されよう。
更に他の実施形態によれば、第１のセラミックフィラー成分４２０の第１のフィラー材料は、特定の粒径分布スパン（ＰＳＤＳ）を有するものとして説明することができ、ＰＳＤＳは、（Ｄ９０－Ｄ１０）／Ｄ５０に等しく、式中、Ｄ９０は、第１のフィラー材料のＤ９０粒径分布測定値に等しく、Ｄ１０は、第１のフィラー材料のＤ１０粒径分布測定値に等しく、Ｄ５０は、第１のフィラー材料のＤ５０粒径分布測定値に等しい。例えば、第１のフィラー材料のＰＳＤＳは、約４．５以下、又は約４．０以下、又は約３．５以下、又は約３．０以下、又は更には約２．５以下などの、約５以下であってもよい。第１のフィラー材料のＰＳＤＳは、上記の値のうちのいずれかの間の（両端値を含む）任意の値であり得ることが理解されよう。第１のフィラー材料のＰＳＤＳは、上記の値のいずれかの間の（両端値を含む）範囲内であってもよいことが更に理解されよう。
更に他の実施形態によれば、第１のセラミックフィラー成分４２０の第１のフィラー材料は、Ｂｒｕｎａｕｅｒ－Ｅｍｍｅｔｔ－Ｔｅｌｌｅｒ（ＢＥＴ）表面積分析（窒素吸着）を使用して測定される特定の平均表面積を有するものとして説明され得る。例えば、第１のフィラー材料は、約９．９ｍ２／ｇ以下、又は約９．５ｍ２／ｇ以下、又は約９．０ｍ２／ｇ以下、又は約８．５ｍ２／ｇ以下、又は約８．０ｍ２／ｇ以下、又は約７．５ｍ２／ｇ以下、又は約７．０ｍ２／ｇ以下、又は約６．５ｍ２／ｇ以下、又は約６．０ｍ２／ｇ以下、又は約５．５ｍ２／ｇ以下、又は約５．０ｍ２／ｇ以下、又は約４．５ｍ２／ｇ以下、又は約４．０ｍ２／ｇ以下、又は更には約３．５ｍ２／ｇ以下などの、約１０ｍ２／ｇ以下の平均表面積を有してもよい。更に他の実施形態によれば、第１のフィラー材料は、少なくとも約２．４ｍ２／ｇなどの、少なくとも約１．２ｍ２／ｇの平均表面積を有してもよい。第１のフィラー材料の平均表面積は、上記の最小値及び最大値のうちのいずれかの間の（両端値を含む）任意の値であり得ることが理解されよう。第１のフィラー材料の平均表面積は、上記の最小値及び最大値のうちのいずれかの間の（両端値を含む）範囲内であり得ることが更に理解されよう。
他の実施形態によれば、第１のセラミックフィラー成分４２０の第１のフィラー材料は、特定の材料を含むことができる。特定の実施形態によれば、第１のフィラー材料は、シリカ系化合物を含むことができる。更に他の実施形態によれば、第１のフィラー材料は、シリカ系化合物からなってもよい。他の実施形態によれば、第１のフィラー材料は、シリカを含んでもよい。更に他の実施形態によれば、第１のフィラー材料は、シリカからなってもよい。
更に他の実施形態によれば、第１の充填ポリマー層４０４は、特定の含有量の第１のセラミックフィラー成分４２０を含むことができる。例えば、第１のセラミックフィラー成分４２０の含有量は、第１の充填ポリマー層４０４の総体積に対して、少なくとも約５１体積％、又は少なくとも約５２体積％、又は少なくとも約５３体積％、又は更には少なくとも約５４体積％などの、少なくとも約５０体積％であってもよい。更に他の実施形態によれば、セラミックフィラー成分２２０の含有量は、第１の充填ポリマー層４０４の総体積に対して、約５６体積％以下、又は更には約５５体積％以下などの、約５７体積％以下であってもよい。第１のセラミックフィラー成分４２０の含有量は、上記の最小値及び最大値のうちのいずれかの間の（両端値を含む）任意の値であり得ることが理解されよう。第１のセラミックフィラー成分４２０の含有量は、上記の最小値及び最大値のうちのいずれかの間の（両端値を含む）範囲内であり得ることが更に理解されよう。
更に他の実施形態によれば、第１のセラミックフィラー成分４２０は、特定の含有量の第１のフィラー材料を含むことができる。例えば、第１のフィラー材料の含有量は、第１のセラミックフィラー成分４２０の総体積に対して、少なくとも約８１体積％、又は少なくとも約８２体積％、又は少なくとも約８３体積％、又は少なくとも約８４体積％、又は少なくとも約８５体積％、又は少なくとも約８６体積％、又は少なくとも約８７体積％、又は少なくとも約８８体積％、又は少なくとも約８９体積％、又は更には少なくとも約９０体積％などの、少なくとも約８０体積％であってもよい。更に他の実施形態によれば、第１のフィラー材料の含有量は、第１のセラミックフィラー成分４２０の総体積に対して、約９９体積％以下、又は約９８体積％以下、又は約９７体積％以下、又は約９６体積％以下、又は約９５体積％以下、又は約９４体積％以下、又は約９３体積％以下、又は更には約９２体積％以下などの、約１００体積％以下であってもよい。第１のフィラー材料の含有量は、上記の最小値及び最大値のうちのいずれかの間の（両端値を含む）任意の値であり得ることが理解されよう。第１のフィラー材料の含有量は、上記の最小値及び最大値のうちのいずれかの間の（両端値を含む）範囲内であり得ることが更に理解されよう。
更に他の実施形態によれば、第１のセラミックフィラー成分４２０は、第２のフィラー材料を含むことができる。
更に他の実施形態によれば、第１のセラミックフィラー成分４２０の第２のフィラー材料は、特定の材料を含むことができる。例えば、第２のフィラー材料は、少なくとも約１４の誘電率を有するセラミック材料などの高誘電率セラミック材料を含むことができる。特定の実施形態によれば、第１のセラミックフィラー成分４２０の第２のフィラー材料は、ＴｉＯ２、ＳｒＴｉＯ３、ＺｒＴｉ２Ｏ６、ＭｇＴｉＯ３、ＣａＴｉＯ３、ＢａＴｉＯ４、又はそれらの任意の組み合わせなどの任意の高誘電率セラミック材料を含むことができる。
更に他の実施形態によれば、第１のセラミックフィラー成分４２０の第２のフィラー材料は、ＴｉＯ２を含むことができる。更に他の実施形態によれば、第２のフィラー材料は、ＴｉＯ２からなってもよい。
更に他の実施形態によれば、第１のセラミックフィラー成分４２０は、特定の含有量の第２のフィラー材料を含むことができる。例えば、第２のフィラー材料の含有量は、第１のセラミックフィラー成分４２０の総体積に対して、少なくとも約２体積％、又は少なくとも約３体積％、又は少なくとも約４体積％、又は少なくとも約５体積％、又は少なくとも約６体積％、又は少なくとも約７体積％、又は少なくとも約８体積％、又は少なくとも約９体積％、又は少なくとも約１０体積％などの、少なくとも約１体積％であってもよい。更に他の実施形態によれば、第２のフィラー材料の含有量は、第１のセラミックフィラー成分４２０の総体積に対して、約１９体積％以下、又は約１８体積％以下、又は約１７体積％以下、又は約１６体積％以下、又は約１５体積％以下、又は約１４体積％以下、又は約１３体積％以下、又は約１２体積％以下などの、約２０体積％以下であってもよい。第２のフィラー材料の含有量は、上記の最小値及び最大値のうちのいずれかの間の（両端値を含む）任意の値であり得ることが理解されよう。第２のフィラー材料の含有量は、上記の最小値及び最大値のうちのいずれかの間の（両端値を含む）範囲内であり得ることが更に理解されよう。
更に他の実施形態によれば、第１のセラミックフィラー成分４２０は、特定の含有量の非晶質材料を含むことができる。例えば、第１のセラミックフィラー成分４２０は、少なくとも約９８％又は更には少なくとも約９９％などの、少なくとも約９７％の非晶質材料を含むことができる。非晶質材料の含有量は、上記の値のいずれかの間の（両端値を含む）任意の値であり得ることが理解されよう。非晶質材料の含有量は、上記の値のいずれかの間の（両端値を含む）範囲内であってもよいことが更に理解されよう。
他の実施形態によれば、第１の樹脂マトリックス成分４１０は、特定の材料を含み得る。例えば、第１の樹脂マトリックス成分４１０は、ペルフルオロポリマーを含むことができる。更に他の実施形態によれば、第１の樹脂マトリックス成分４１０は、ペルフルオロポリマーからなってもよい。
更に他の実施形態によれば、第１の樹脂マトリックス成分４１０のペルフルオロポリマーは、テトラフルオロエチレン（ＴＦＥ）のコポリマー、ヘキサフルオロプロピレン（ＨＦＰ）のコポリマー、テトラフルオロエチレン（ＴＦＥ）のターポリマー、又はそれらの任意の組み合わせ、を含んでもよい。他の実施形態によれば、第１の樹脂マトリックス成分４１０のペルフルオロポリマーは、テトラフルオロエチレン（ＴＦＥ）のコポリマー、ヘキサフルオロプロピレン（ＨＦＰ）のコポリマー、テトラフルオロエチレン（ＴＦＥ）のターポリマー、又はそれらの任意の組み合わせ、からなってもよい。
更に他の実施形態によれば、第１の樹脂マトリックス成分４１０のペルフルオロポリマーは、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）、ペルフルオロアルコキシポリマー樹脂（ＰＦＡ）、フッ素化エチレンプロピレン（ＦＥＰ）、又はそれらの任意の組み合わせを含むことができる。更に他の実施形態によれば、第１の樹脂マトリックス成分４１０のペルフルオロポリマーは、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）、ペルフルオロアルコキシポリマー樹脂（ＰＦＡ）、フッ素化エチレンプロピレン（ＦＥＰ）、又はそれらの任意の組み合わせからなってもよい。
更に他の実施形態によれば、第１の充填ポリマー層４０４は、特定の含有量の第１の樹脂マトリックス成分４１０を含むことができる。例えば、第１の樹脂マトリックス成分４１０の含有量は、第１の充填ポリマー層４０４の総体積に対して、少なくとも約４６体積％、又は少なくとも約４７体積％、又は少なくとも約４８体積％、又は少なくとも約４９体積％、又は少なくとも約５０体積％、又は少なくとも約５１体積％、又は少なくとも約５２体積％、又は少なくとも約５３体積％、又は少なくとも約５４体積％、又は更には少なくとも約５５体積％などの、少なくとも約４５体積％であってもよい。更に他の実施形態によれば、第１の樹脂マトリックス成分４１０の含有量は、第１の充填ポリマー層４０４の総体積に対して約６３体積％以下、又は約６２体積％以下、又は約６１体積％以下、又は約６０体積％以下、又は約５９体積％以下、又は約５８体積％以下、又は更には約５７体積％以下である。第１の樹脂マトリックス成分４１０の含有量は、上記の最小値及び最大値のうちのいずれかの間の（両端値を含む）任意の値であり得ることが理解されよう。第１の樹脂マトリックス成分４１０の含有量は、上記の最小値及び最大値のうちのいずれかの間の（両端値を含む）範囲内であり得ることが更に理解されよう。
更に他の実施形態によれば、第１の充填ポリマー層４０４は、特定の含有量のペルフルオロポリマーを含んでもよい。例えば、ペルフルオロポリマーの含有量は、第１の充填ポリマー層４０４の総体積に対して、少なくとも約４６体積％、又は少なくとも約４７体積％、又は少なくとも約４８体積％、又は少なくとも約４９体積％、又は少なくとも約５０体積％、又は少なくとも約５１体積％、又は少なくとも約５２体積％、又は少なくとも約５３体積％、又は少なくとも約５４体積％、又は更には少なくとも約５５体積％などの、少なくとも約４５体積％であってもよい。更に他の実施形態によれば、ペルフルオロポリマーの含有量は、第１の充填ポリマー層４０４の総体積に対して、約６２体積％以下、又は約６１体積％以下、又は約６０体積％以下、又は約５９体積％以下、又は約５８体積％以下、又は更には約５７体積％以下などの、約６３体積％以下であってもよい。ペルフルオロポリマーの含有量は、上記の最小値及び最大値のうちのいずれかの間の（両端値を含む）任意の値であり得ることが理解されよう。ペルフルオロポリマーの含有量は、上記の最小値及び最大値のうちのいずれかの間の（両端値を含む）範囲内であり得ることが更に理解されよう。
更に他の実施形態によれば、誘電体基板４０５は、Ｘ線回折を使用して測定される特定の空隙率を有することができる。例えば、基板４０５の空隙率は、約９体積％以下、又は約８体積％以下、又は約７体積％以下、又は約６体積％以下、又は更には約５体積％以下などの、約１０体積％以下であってもよい。誘電体基板４０５の空隙率は、上記の値のうちのいずれかの間の（両端値を含む）任意の値であり得ることが理解されよう。誘電体基板４０５の空隙率は、上記の値のうちのいずれかの間の（両端値を含む）範囲内であり得ることが更に理解されよう。
更に他の実施形態によれば、誘電体基板４０５は、特定の平均厚さを有してもよい。例えば、誘電体基板４０５の平均厚さは、少なくとも約１５マイクロメートル、又は少なくとも約２０マイクロメートル、又は少なくとも約２５マイクロメートル、又は少なくとも約３０マイクロメートル、又は少なくとも約３５マイクロメートル、又は少なくとも約４０マイクロメートル、又は少なくとも約４５マイクロメートル、又は少なくとも約５０マイクロメートル、又は少なくとも約５５マイクロメートル、又は少なくとも約６０マイクロメートル、又は少なくとも約６５マイクロメートル、又は少なくとも約７０マイクロメートル、又は更には少なくとも約７５マイクロメートルなどの、少なくとも約１０マイクロメートルであってもよい。更に他の実施形態によれば、誘電体基板４０５の平均厚さは、約１８００マイクロメートル以下、又は約１６００マイクロメートル以下、又は約１４００マイクロメートル以下、又は約１２００マイクロメートル以下、又は約１０００マイクロメートル以下、又は約８００マイクロメートル以下、又は約６００マイクロメートル以下、又は約４００マイクロメートル以下、又は約２００マイクロメートル以下、又は約１９０マイクロメートル以下、又は約１８０マイクロメートル以下、又は約１７０マイクロメートル以下、又は約１６０マイクロメートル以下、又は約１５０マイクロメートル以下、又は約１４０マイクロメートル以下、又は約１２０マイクロメートル以下、又は更には約１００マイクロメートル以下などの、約２０００マイクロメートル以下であってもよい。誘電体基板４０５の平均厚さは、上記の最小値及び最大値のうちのいずれかの間の（両端値を含む）任意の値であり得ることが理解されよう。誘電体基板４０５の平均厚さは、上記の最小値及び最大値のうちのいずれかの間の（両端値を含む）範囲内であり得ることが更に理解されよう。
更に他の実施形態によれば、誘電体基板４０５は、５ＧＨｚの範囲、２０％ＲＨで測定される特定の誘電正接（Ｄｆ）を有してもよい。例えば、誘電体基板４０５は、約０．００４以下、又は約０．００３以下、又は約０．００２以下、又は約０．００１９以下、又は約０．００１８以下、又は約０．００１７以下、又は約０．００１６以下、又は約０．００１５以下、又は約０．００１４以下などの、約０．００５以下の誘電正接を有してもよい。誘電体基板４０５の誘電正接は、上記の値のうちのいずれかの間の（両端値を含む）任意の値であり得ることが理解されよう。誘電体基板４０５の誘電正接は、上記の値のうちのいずれかの間の（両端値を含む）範囲内であり得ることが更に理解されよう。
更に他の実施形態によれば、誘電体基板４０５は、５ＧＨｚの範囲、８０％ＲＨで測定される特定の誘電正接（Ｄｆ）を有してもよい。例えば、誘電体基板４０５は、約０．００４以下、又は約０．００３以下、又は約０．００２以下、又は約０．００１９以下、又は約０．００１８以下、又は約０．００１７以下、又は約０．００１６以下、又は約０．００１５以下、又は約０．００１４以下などの、約０．００５以下の誘電正接を有してもよい。誘電体基板４０５の誘電正接は、上記の値のうちのいずれかの間の（両端値を含む）任意の値であり得ることが理解されよう。誘電体基板４０５の誘電正接は、上記の値のうちのいずれかの間の（両端値を含む）範囲内であり得ることが更に理解されよう。
更に他の実施形態によれば、誘電体基板４０５は、１０ＧＨｚの範囲、２０％ＲＨで測定される特定の誘電正接（Ｄｆ）を有してもよい。例えば、誘電体基板４０５は、約０．００４以下、又は約０．００３以下、又は約０．００２以下、又は約０．００１９以下、又は約０．００１８以下、又は約０．００１７以下、又は約０．００１６以下、又は約０．００１５以下、又は約０．００１４以下などの、約０．００５以下の誘電正接を有してもよい。誘電体基板４０５の誘電正接は、上記の値のうちのいずれかの間の（両端値を含む）任意の値であり得ることが理解されよう。誘電体基板４０５の誘電正接は、上記の値のうちのいずれかの間の（両端値を含む）範囲内であり得ることが更に理解されよう。
更に他の実施形態によれば、誘電体基板４０５は、１０ＧＨの範囲ｚ、８０％ＲＨで測定される特定の誘電正接（Ｄｆ）を有してもよい。例えば、誘電体基板４０５は、約０．００４以下、又は約０．００３以下、又は約０．００２以下、又は約０．００１９以下、又は約０．００１８以下、又は約０．００１７以下、又は約０．００１６以下、又は約０．００１５以下、又は約０．００１４以下などの、約０．００５以下の誘電正接を有してもよい。誘電体基板４０５の誘電正接は、上記の値のうちのいずれかの間の（両端値を含む）任意の値であり得ることが理解されよう。誘電体基板４０５の誘電正接は、上記の値のうちのいずれかの間の（両端値を含む）範囲内であり得ることが更に理解されよう。
更に他の実施形態によれば、誘電体基板４０５は、２８ＧＨｚの範囲、２０％ＲＨで測定される特定の誘電正接（Ｄｆ）を有してもよい。例えば、誘電体基板４０５は、約０．００４以下、又は約０．００３以下、又は約０．００２以下、又は約０．００１９以下、又は約０．００１８以下、又は約０．００１７以下、又は約０．００１６以下、又は約０．００１５以下、又は約０．００１４以下などの、約０．００５以下の誘電正接を有してもよい。誘電体基板４０５の誘電正接は、上記の値のうちのいずれかの間の（両端値を含む）任意の値であり得ることが理解されよう。誘電体基板４０５の誘電正接は、上記の値のうちのいずれかの間の（両端値を含む）範囲内であり得ることが更に理解されよう。
更に他の実施形態によれば、誘電体基板４０５は、２８ＧＨｚの範囲、８０％ＲＨで測定される特定の誘電正接（Ｄｆ）を有してもよい。例えば、誘電体基板４０５は、約０．００４以下、又は約０．００３以下、又は約０．００２以下、又は約０．００１９以下、又は約０．００１８以下、又は約０．００１７以下、又は約０．００１６以下、又は約０．００１５以下、又は約０．００１４以下などの、約０．００５以下の誘電正接を有してもよい。誘電体基板４０５の誘電正接は、上記の値のうちのいずれかの間の（両端値を含む）任意の値であり得ることが理解されよう。誘電体基板４０５の誘電正接は、上記の値のうちのいずれかの間の（両端値を含む）範囲内であり得ることが更に理解されよう。
更に他の実施形態によれば、誘電体基板４０５は、３９ＧＨｚの範囲、２０％ＲＨで測定される特定の誘電正接（Ｄｆ）を有してもよい。例えば、誘電体基板４０５は、約０．００４以下、又は約０．００３以下、又は約０．００２以下、又は約０．００１９以下、又は約０．００１８以下、又は約０．００１７以下、又は約０．００１６以下、又は約０．００１５以下、又は約０．００１４以下などの、約０．００５以下の誘電正接を有してもよい。誘電体基板４０５の誘電正接は、上記の値のうちのいずれかの間の（両端値を含む）任意の値であり得ることが理解されよう。誘電体基板４０５の誘電正接は、上記の値のうちのいずれかの間の（両端値を含む）範囲内であり得ることが更に理解されよう。
更に他の実施形態によれば、誘電体基板４０５は、３９ＧＨｚの範囲、８０％ＲＨで測定される特定の誘電正接（Ｄｆ）を有してもよい。例えば、誘電体基板４０５は、約０．００４以下、又は約０．００３以下、又は約０．００２以下、又は約０．００１９以下、又は約０．００１８以下、又は約０．００１７以下、又は約０．００１６以下、又は約０．００１５以下、又は約０．００１４以下などの、約０．００５以下の誘電正接を有してもよい。誘電体基板４０５の誘電正接は、上記の値のうちのいずれかの間の（両端値を含む）任意の値であり得ることが理解されよう。誘電体基板４０５の誘電正接は、上記の値のうちのいずれかの間の（両端値を含む）範囲内であり得ることが更に理解されよう。
更に他の実施形態によれば、誘電体基板４０５は、７６～８１ＧＨｚの範囲、２０％ＲＨで測定される特定の誘電正接（Ｄｆ）を有してもよい。例えば、誘電体基板４０５は、約０．００４以下、又は約０．００３以下、又は約０．００２以下、又は約０．００１９以下、又は約０．００１８以下、又は約０．００１７以下、又は約０．００１６以下、又は約０．００１５以下、又は約０．００１４以下などの、約０．００５以下の誘電正接を有してもよい。誘電体基板４０５の誘電正接は、上記の値のうちのいずれかの間の（両端値を含む）任意の値であり得ることが理解されよう。誘電体基板４０５の誘電正接は、上記の値のうちのいずれかの間の（両端値を含む）範囲内であり得ることが更に理解されよう。
更に他の実施形態によれば、誘電体基板４０５は、７６～８１ＧＨｚの範囲、８０％ＲＨで測定される特定の誘電正接（Ｄｆ）を有してもよい。例えば、誘電体基板４０５は、約０．００４以下、又は約０．００３以下、又は約０．００２以下、又は約０．００１９以下、又は約０．００１８以下、又は約０．００１７以下、又は約０．００１６以下、又は約０．００１５以下、又は約０．００１４以下などの、約０．００５以下の誘電正接を有してもよい。誘電体基板４０５の誘電正接は、上記の値のうちのいずれかの間の（両端値を含む）任意の値であり得ることが理解されよう。誘電体基板４０５の誘電正接は、上記の値のうちのいずれかの間の（両端値を含む）範囲内であり得ることが更に理解されよう。
更に他の実施形態によれば、誘電体基板４０５は、ＩＰＣ－ＴＭ－６５０ ２．４．２４ Ｒｅｖ．Ｃガラス転移温度及びＴＭＡによるＺ軸熱膨張に従って測定される特定の熱膨張係数を有してもよい。例えば、誘電体基板４０５は、約８０ｐｐｍ／℃以下の熱膨張係数を有してもよい。
形成方法３００に従って形成される銅張積層板の他の実施形態によれば、図４ｂは、銅張積層板４０１の略図を含む。図４ａに示したように、銅張積層板４０１は、銅箔層４０３と、銅箔層４０３の表面を覆う誘電体基板４０５と、を含むことができる。図４ｂに示したように、誘電体基板４０５は、ポリイミド層４０２と、ポリイミド層４０２の上を覆う第１の充填ポリマー層４０４と、ポリイミド層４０２の下を覆う第２の充填ポリマー層４０６と、を含むことができる。図４ｂに示したように、第２の充填ポリマー層４０６は、第２の樹脂マトリックス成分４３０及び第２のセラミックフィラー成分４４０を含むことができる。
特定の実施形態によれば、第２のセラミックフィラー成分４４０は、誘電体基板４０５の性能を改善することができる特定の特性を有し得る第３のフィラー材料を含むことができる。
特定の実施形態によれば、第２のセラミックフィラー成分４４０の第３のフィラー材料は、特定のサイズ分布を有することができる。本明細書に記載されている実施形態の目的のために、材料の粒径分布、例えば、第３のフィラー材料の粒径分布は、粒径分布Ｄ値Ｄ１０、Ｄ５０及びＤ９０の任意の組み合わせを使用して記述され得る。粒径分布からのＤ１０値は、粒子の１０％がその値よりも小さく、粒子の９０％がその値よりも大きい粒径値として定義される。粒径分布からのＤ５０値は、粒子の５０％がその値よりも小さく、粒子の５０％がその値よりも大きい粒径値として定義される。粒径分布からのＤ９０値は、粒子の９０％がその値よりも小さく、粒子の１０％がその値よりも大きい粒径値として定義される。本明細書に記載される実施形態の目的のために、特定の材料の粒径測定は、レーザー回折分光法を使用して行われる。
特定の実施形態によれば、第２のセラミックフィラー成分４４０の第３のフィラー材料は、特定のサイズ分布Ｄ１０値を有してもよい。例えば、第３のフィラー材料のＤ１０は、少なくとも約０．３マイクロメートル、又は少なくとも約０．４マイクロメートル、又は少なくとも約０．５マイクロメートル、又は少なくとも約０．６マイクロメートル、又は少なくとも約０．７マイクロメートル、又は少なくとも約０．８マイクロメートル、又は少なくとも約０．９マイクロメートル、又は少なくとも約１．０マイクロメートル、又は少なくとも約１．１マイクロメートル、又は更には少なくとも約１．２マイクロメートルなどの、少なくとも約０．２マイクロメートルであってもよい。更に他の実施形態によれば、第３のフィラー材料のＤ１０は、約１．５マイクロメートル以下、又は更には約１．４マイクロメートル以下などの、約１．６マイクロメートル以下であってもよい。第３のフィラー材料のＤ１０は、上記の最小値及び最大値のうちのいずれかの間の（両端値を含む）任意の値であり得ることが理解されよう。第３のフィラー材料のＤ１０は、上記の最小値及び最大値のうちのいずれかの間の（両端値を含む）範囲内であり得ることが更に理解されよう。
他の実施形態によれば、第２のセラミックフィラー成分４４０の第３のフィラー材料は、特定のサイズ分布Ｄ５０値を有してもよい。例えば、第３のフィラー材料のＤ５０は、少なくとも約０．９マイクロメートル、又は少なくとも約１．０マイクロメートル、又は少なくとも約１．１マイクロメートル、又は少なくとも約１．２マイクロメートル、又は少なくとも約１．３マイクロメートル、又は少なくとも約１．４マイクロメートル、又は少なくとも約１．５マイクロメートル、又は少なくとも約１．６マイクロメートル、又は少なくとも約１．７マイクロメートル、又は少なくとも約１．８マイクロメートル、又は少なくとも約１．９マイクロメートル、又は少なくとも約２．０マイクロメートル、又は少なくとも約２．１マイクロメートル、又は更には少なくとも約２．２マイクロメートルなどの、少なくとも約０．８マイクロメートルであってもよい。更に他の実施形態によれば、第３のフィラー材料のＤ５０は、約２．６マイクロメートル以下、又は約２．５マイクロメートル以下、又は更には約２．４マイクロメートル以下などの、約２．７マイクロメートル以下であってもよい。第３のフィラー材料のＤ５０は、上記の最小値及び最大値のうちのいずれかの間の（両端値を含む）任意の値であり得ることが理解されよう。第３のフィラー材料のＤ５０は、上記の最小値及び最大値のうちのいずれかの間の（両端値を含む）範囲内であり得ることが更に理解されよう。
他の実施形態によれば、第２のセラミックフィラー成分４４０の第３のフィラー材料は、特定のサイズ分布Ｄ９０値を有してもよい。例えば、第３のフィラー材料のＤ９０は、少なくとも約０．９マイクロメートル、又は少なくとも約１．０マイクロメートル、又は少なくとも約１．１マイクロメートル、又は少なくとも約１．２マイクロメートル、又は少なくとも約１．３マイクロメートル、又は少なくとも約１．４マイクロメートル、又は少なくとも約１．５マイクロメートル、又は少なくとも約１．６マイクロメートル、又は少なくとも約１．７マイクロメートル、又は少なくとも約１．８マイクロメートル、又は少なくとも約１．９マイクロメートル、又は少なくとも約２．０マイクロメートル、又は少なくとも約２．１マイクロメートル、又は少なくとも約２．２マイクロメートル、又は少なくとも約２．３マイクロメートル、又は少なくとも約２．４マイクロメートル、又は少なくとも約２．５マイクロメートル、又は少なくとも約２．６マイクロメートル、又は更には少なくとも約２．７マイクロメートルなどの、少なくとも約０．８マイクロメートルであってもよい。更に他の実施形態によれば、第３のフィラー材料のＤ９０は、約７．５マイクロメートル以下、又は約７．０マイクロメートル以下、又は約６．５マイクロメートル以下、又は約６．０マイクロメートル以下、又は約５．５マイクロメートル以下、又は約５．４マイクロメートル以下、又は約５．３マイクロメートル以下、又は約５．２マイクロメートル以下、又は更には約５．１マイクロメートル以下などの、約８．０マイクロメートル以下であってもよい。第３のフィラー材料のＤ９０は、上記の最小値及び最大値のうちのいずれかの間の（両端値を含む）任意の値であり得ることが理解されよう。第３のフィラー材料のＤ９０は、上記の最小値及び最大値のうちのいずれかの間の（両端値を含む）範囲内であり得ることが更に理解されよう。
更に他の実施形態によれば、第２のセラミックフィラー成分４４０の第３のフィラー材料は、レーザー回折分光法に従って測定される特定の平均粒径を有してもよい。例えば、第３のフィラー材料の平均粒径は、約９マイクロメートル以下、又は約８マイクロメートル以下、又は約７マイクロメートル以下、又は約６マイクロメートル以下、又は約５マイクロメートル以下、又は約４マイクロメートル以下、又は約３マイクロメートル以下、又は更には約２マイクロメートル以下などの、約１０マイクロメートル以下であってもよい。第３のフィラー材料の平均粒径は、上記の値のいずれかの間の（両端値を含む）任意の値であり得ることが理解されよう。第３のフィラー材料の平均粒径は、上記の値のうちのいずれかの間の（両端値を含む）範囲内であり得ることが更に理解されよう。
更に他の実施形態によれば、第２のセラミックフィラー成分４４０の第３のフィラー材料は、特定の粒径分布スパン（ＰＳＤＳ）を有するものとして説明することができ、ＰＳＤＳは、（Ｄ９０－Ｄ１０）／Ｄ５０に等しく、式中、Ｄ９０は、第３のフィラー材料のＤ９０粒径分布測定値に等しく、Ｄ１０は、第３のフィラー材料のＤ１０粒径分布測定値に等しく、Ｄ５０は、第３のフィラー材料のＤ５０粒径分布測定値に等しい。例えば、第３のフィラー材料のＰＳＤＳは、約４．５以下、又は約４．０以下、又は約３．５以下、又は約３．０以下、又は更には約２．５以下などの、約５以下であってもよい。第３のフィラー材料のＰＳＤＳは、上記の値のうちのいずれかの間の（両端値を含む）任意の値であり得ることが理解されよう。第３のフィラー材料のＰＳＤＳは、上記の値のいずれかの間の（両端値を含む）範囲内であり得ることが更に理解されよう。
更に他の実施形態によれば、第２のセラミックフィラー成分４４０の第３のフィラー材料は、Ｂｒｕｎａｕｅｒ－Ｅｍｍｅｔｔ－Ｔｅｌｌｅｒ（ＢＥＴ）表面積分析（窒素吸着）を使用して測定される特定の平均表面積を有するものとして説明することができる。例えば、第３のフィラー材料は、約９．９ｍ２／ｇ以下、又は約９．５ｍ２／ｇ以下、又は約９．０ｍ２／ｇ以下、又は約８．５ｍ２／ｇ以下、又は約８．０ｍ２／ｇ以下、又は約７．５ｍ２／ｇ以下、又は約７．０ｍ２／ｇ以下、又は約６．５ｍ２／ｇ以下、又は約６．０ｍ２／ｇ以下、又は約５．５ｍ２／ｇ以下、又は約５．０ｍ２／ｇ以下、又は約４．５ｍ２／ｇ以下、又は約４．０ｍ２／ｇ以下、又は更には約３．５ｍ２／ｇ以下などの、約１０ｍ２／ｇ以下の平均表面積を有してもよい。更に他の実施形態によれば、第３のフィラー材料は、少なくとも約２．４ｍ２／ｇなどの、少なくとも約１．２ｍ２／ｇの平均表面積を有してもよい。第３のフィラー材料の平均表面積は、上記の最小値及び最大値のうちのいずれかの間の（両端値を含む）任意の値であり得ることが理解されよう。第３のフィラー材料の平均表面積は、上記の最小値及び最大値のうちのいずれかの間の（両端値を含む）範囲内であり得ることが更に理解されよう。
他の実施形態によれば、第２のセラミックフィラー成分４４０の第３のフィラー材料は、特定の材料を含むことができる。特定の実施形態によれば、第３のフィラー材料は、シリカ系化合物を含むことができる。更に他の実施形態によれば、第３のフィラー材料は、シリカ系化合物からなってもよい。他の実施形態によれば、第３のフィラー材料は、シリカを含むことができる。更に他の実施形態によれば、第３のフィラー材料は、シリカからなってもよい。
更に他の実施形態によれば、第１の充填ポリマー層４０４は、特定の含有量の第２のセラミックフィラー成分４４０を含むことができる。例えば、第２のセラミックフィラー成分４４０の含有量は、第１の充填ポリマー層４０４の総体積に対して、少なくとも約３１体積％、又は少なくとも約３２体積％、又は少なくとも約３３体積％、又は少なくとも約３４体積％、又は少なくとも約３５体積％、又は少なくとも約３６体積％、又は少なくとも約３７体積％、又は少なくとも約３８体積％、又は少なくとも約３９体積％、又は少なくとも約４０体積％、又は少なくとも約４１体積％、又は少なくとも約４２体積％、又は少なくとも約４３体積％、又は少なくとも約４４体積％、又は少なくとも約４５体積％、又は少なくとも約４６体積％、又は少なくとも約４７体積％、又は少なくとも約４８体積％、又は少なくとも約４９体積％、又は少なくとも約５０体積％、又は少なくとも約５１体積％、又は少なくとも約５２体積％、又は少なくとも約５３体積％、又は更には少なくとも約５４体積％などの、少なくとも約３０体積％であってもよい。更に他の実施形態によれば、第２のセラミックフィラー成分４４０の含有量は、第１の充填ポリマー層４０４の総体積に対して、約５６体積％以下、又は更には約５５体積％以下などの、約５７体積％以下であってもよい。セラミックフィラー成分２２０の含有量は、上記の最小値及び最大値のうちのいずれかの間の（両端値を含む）任意の値であり得ることが理解されよう。セラミックフィラー成分２２０の含有量は、上記の最小値及び最大値のうちのいずれかの間の（両端値を含む）範囲内であり得ることが更に理解されよう。
更に他の実施形態によれば、第２のセラミックフィラー成分４４０は、特定の含有量の第３のフィラー材料を含むことができる。例えば、第３のフィラー材料の含有量は、第２のセラミックフィラー成分４４０の総体積に対して、少なくとも約８１体積％、又は少なくとも約８２体積％、又は少なくとも約８３体積％、又は少なくとも約８４体積％、又は少なくとも約８５体積％、又は少なくとも約８６体積％、又は少なくとも約８７体積％、又は少なくとも約８８体積％、又は少なくとも約８９体積％、又は更には少なくとも約９０体積％などの、少なくとも約８０体積％であってもよい。更に他の実施形態によれば、第３のフィラー材料の含有量は、第２のセラミックフィラー成分４４０の総体積に対して、約９９体積％以下、又は約９８体積％以下、又は約９７体積％以下、又は約９６体積％以下、又は約９５体積％以下、又は約９４体積％以下、又は約９３体積％以下、又は更には約９２体積％以下などの、約１００体積％以下であってもよい。第３のフィラー材料の含有量は、上記の最小値及び最大値のうちのいずれかの間の（両端値を含む）任意の値であり得ることが理解されよう。第３のフィラー材料の含有量は、上記の最小値及び最大値のうちのいずれかの間の（両端値を含む）範囲内であり得ることが更に理解されよう。
更に他の実施形態によれば、第２のセラミックフィラー成分４４０は、第４のフィラー材料を含むことができる。
更に他の実施形態によれば、第２のセラミックフィラー成分４４０の第４のフィラー材料は、特定の材料を含むことができる。例えば、第４のフィラー材料は、少なくとも約１４の誘電率を有するセラミック材料などの高誘電率セラミック材料を含むことができる。特定の実施形態によれば、第２のセラミックフィラー成分４４０の第４のフィラー材料は、ＴｉＯ２、ＳｒＴｉＯ３、ＺｒＴｉ２Ｏ６、ＭｇＴｉＯ３、ＣａＴｉＯ３、ＢａＴｉＯ４、又はそれらの任意の組み合わせなどの任意の高誘電率セラミック材料を含むことができる。
更に他の実施形態によれば、第２のセラミックフィラー成分４４０の第４のフィラー材料は、ＴｉＯ２を含むことができる。更に他の実施形態によれば、第４のフィラー材料は、ＴｉＯ２からなってもよい。
更に他の実施形態によれば、第２のセラミックフィラー成分４４０は、特定の含有量の第４のフィラー材料を含むことができる。例えば、第４のフィラー材料の含有量は、第２のセラミックフィラー成分４４０の総体積に対して少なくとも、少なくとも約２体積％、又は少なくとも約３体積％、又は少なくとも約４体積％、又は少なくとも約５体積％、又は少なくとも約６体積％、又は少なくとも約７体積％、又は少なくとも約８体積％、又は少なくとも約９体積％、又は少なくとも約１０体積％などの、約１体積％であってもよい。更に他の実施形態によれば、第４のフィラー材料の含有量は、第２のセラミックフィラー成分４４０の総体積に対して、約１９体積％以下、又は約１８体積％以下、又は約１７体積％以下、又は約１６体積％以下、又は約１５体積％以下、又は約１４体積％以下、又は約１３体積％以下、又は約１２体積％以下などの、約２０体積％以下であってもよい。第４のフィラー材料の含有量は、上記の最小値及び最大値のうちのいずれかの間の（両端値を含む）任意の値であり得ることが理解されよう。第４のフィラー材料の含有量は、上記の最小値及び最大値のうちのいずれかの間の（両端値を含む）範囲内であり得ることが更に理解されよう。
更に他の実施形態によれば、第２のセラミックフィラー成分４４０は、特定の含有量の非晶質材料を含むことができる。例えば、第２のセラミックフィラー成分４４０は、少なくとも約９８％又は更には少なくとも約９９％などの、少なくとも約９７％の非晶質材料を含むことができる。非晶質材料の含有量は、上記の値のいずれかの間の（両端値を含む）任意の値であり得ることが理解されよう。非晶質材料の含有量は、上記の値のいずれかの間の（両端値を含む）範囲内であってもよいことが更に理解されよう。
更に他の実施形態によれば、第２の樹脂マトリックス成分４３０は、特定の材料を含み得る。例えば、第２の樹脂マトリックス成分４３０は、ペルフルオロポリマーを含むことができる。更に他の実施形態によれば、第２の樹脂マトリックス成分４３０は、ペルフルオロポリマーからなってもよい。
更に他の実施形態によれば、第２の樹脂マトリックス成分４３０のペルフルオロポリマーは、テトラフルオロエチレン（ＴＦＥ）のコポリマー、ヘキサフルオロプロピレン（ＨＦＰ）のコポリマー、テトラフルオロエチレン（ＴＦＥ）のターポリマー、又はそれらの任意の組み合わせ、を含んでもよい。他の実施形態によれば、第２の樹脂マトリックス成分４３０のペルフルオロポリマーは、テトラフルオロエチレン（ＴＦＥ）のコポリマー、ヘキサフルオロプロピレン（ＨＦＰ）のコポリマー、テトラフルオロエチレン（ＴＦＥ）のターポリマー、又はそれらの任意の組み合わせ、からなってもよい。
更に他の実施形態によれば、第２の樹脂マトリックス成分４３０のペルフルオロポリマーは、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）、ペルフルオロアルコキシポリマー樹脂（ＰＦＡ）、フッ素化エチレンプロピレン（ＦＥＰ）、又はそれらの任意の組み合わせを含むことができる。更に他の実施形態によれば、第２の樹脂マトリックス成分４３０のペルフルオロポリマーは、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）、ペルフルオロアルコキシポリマー樹脂（ＰＦＡ）、フッ素化エチレンプロピレン（ＦＥＰ）、又はそれらの任意の組み合わせからなってもよい。
更に他の実施形態によれば、第１の充填ポリマー層４０４は、特定の含有量の第２の樹脂マトリックス成分４３０を含んでもよい。例えば、第２の樹脂マトリックス成分４３０の含有量は、第１の充填ポリマー層４０４の総体積に対して少なくとも、少なくとも約３１体積％、又は少なくとも約３２体積％、又は少なくとも約３３体積％、又は少なくとも約３４体積％、又は少なくとも約３５体積％、又は少なくとも約３６体積％、又は少なくとも約３７体積％、又は少なくとも約３８体積％、又は少なくとも約３９体積％、又は少なくとも約４０体積％、又は少なくとも約４１体積％、又は少なくとも約４２体積％、又は少なくとも約４３体積％、又は少なくとも約４４体積％、又は少なくとも約４５体積％、又は少なくとも約４６体積％、又は少なくとも約４７体積％、又は少なくとも約４８体積％、又は少なくとも約４９体積％、又は少なくとも約５０体積％、又は少なくとも約５１体積％、又は少なくとも約５２体積％、又は少なくとも約５３体積％、又は少なくとも約５４体積％、又は更には少なくとも約５５体積％などの、約３０体積％であってもよい。更に他の実施形態によれば、第１の樹脂マトリックス成分４１０の含有量は、第１の充填ポリマー層４０４の総体積に対して約６３体積％以下、又は約６２体積％以下、又は約６１体積％以下、又は約６０体積％以下、又は約５９体積％以下、又は約５８体積％以下、又は更には約５７体積％以下である。第２の樹脂マトリックス成分４３０の含有量は、上記の最小値及び最大値のうちのいずれかの間の（両端値を含む）任意の値であり得ることが理解されよう。第２の樹脂マトリックス成分４３０の含有量は、上記の最小値及び最大値のうちのいずれかの間の（両端値を含む）範囲内であり得ることが更に理解されよう。
更に他の実施形態によれば、第２の充填ポリマー層４０６は、特定の含有量のペルフルオロポリマーを含んでもよい。例えば、ペルフルオロポリマーの含有量は、第２の充填ポリマー層４０６の総体積に対して、少なくとも約４６体積％、又は少なくとも約４７体積％、又は少なくとも約４８体積％、又は少なくとも約４９体積％、又は少なくとも約５０体積％、又は少なくとも約５１体積％、又は少なくとも約５２体積％、又は少なくとも約５３体積％、又は少なくとも約５４体積％、又は更には少なくとも約５５体積％などの、少なくとも約４５体積％であってもよい。更に他の実施形態によれば、ペルフルオロポリマーの含有量は、第２の充填ポリマー層４０６の総体積に対して、約６２体積％以下、又は約６１体積％以下、又は約６０体積％以下、又は約５９体積％以下、又は約５８体積％以下、又は更には約５７体積％以下などの、約６３体積％以下であってもよい。ペルフルオロポリマーの含有量は、上記の最小値及び最大値のうちのいずれかの間の（両端値を含む）任意の値であり得ることが理解されよう。ペルフルオロポリマーの含有量は、上記の最小値及び最大値のうちのいずれかの間の（両端値を含む）範囲内であり得ることが更に理解されよう。
更に他の実施形態によれば、誘電体基板４０５は、Ｘ線回折を使用して測定される特定の空隙率を有することができる。例えば、基板２００の空隙率は、約９体積％以下、又は約８体積％以下、又は約７体積％以下、又は約６体積％以下、又は更には約５体積％以下などの、約１０体積％以下であってもよい。誘電体基板４０５の空隙率は、上記の値のうちのいずれかの間の（両端値を含む）任意の値であり得ることが理解されよう。誘電体基板４０５の空隙率は、上記の値のうちのいずれかの間の（両端値を含む）範囲内であり得ることが更に理解されよう。
更に他の実施形態によれば、誘電体基板４０５は、特定の平均厚さを有してもよい。例えば、誘電体基板４０５の平均厚さは、少なくとも約１５マイクロメートル、又は少なくとも約２０マイクロメートル、又は少なくとも約２５マイクロメートル、又は少なくとも約３０マイクロメートル、又は少なくとも約３５マイクロメートル、又は少なくとも約４０マイクロメートル、又は少なくとも約４５マイクロメートル、又は少なくとも約５０マイクロメートル、又は少なくとも約５５マイクロメートル、又は少なくとも約６０マイクロメートル、又は少なくとも約６５マイクロメートル、又は少なくとも約７０マイクロメートル、又は更には少なくとも約７５マイクロメートルなどの、少なくとも約１０マイクロメートルであってもよい。更に他の実施形態によれば、誘電体基板４０５の平均厚さは、約１８００マイクロメートル以下、又は約１６００マイクロメートル以下、又は約１４００マイクロメートル以下、又は約１２００マイクロメートル以下、又は約１０００マイクロメートル以下、又は約８００マイクロメートル以下、又は約６００マイクロメートル以下、又は約４００マイクロメートル以下、又は約２００マイクロメートル以下、又は約１９０マイクロメートル以下、又は約１８０マイクロメートル以下、又は約１７０マイクロメートル以下、又は約１６０マイクロメートル以下、又は約１５０マイクロメートル以下、又は約１４０マイクロメートル以下、又は約１２０マイクロメートル以下、又は更には約１００マイクロメートル以下などの、約２０００マイクロメートル以下であってもよい。誘電体基板４０５の平均厚さは、上記の最小値及び最大値のうちのいずれかの間の（両端値を含む）任意の値であり得ることが理解されよう。誘電体基板４０５の平均厚さは、上記の最小値及び最大値のうちのいずれかの間の（両端値を含む）範囲内であり得ることが更に理解されよう。
更に他の実施形態によれば、誘電体基板４０５は、５ＧＨｚの範囲、２０％ＲＨで測定される特定の誘電正接（Ｄｆ）を有してもよい。例えば、誘電体基板４０５は、約０．００４以下、又は約０．００３以下、又は約０．００２以下、又は約０．００１９以下、又は約０．００１８以下、又は約０．００１７以下、又は約０．００１６以下、又は約０．００１５以下、又は約０．００１４以下などの、約０．００５以下の誘電正接を有してもよい。誘電体基板４０５の誘電正接は、上記の値のうちのいずれかの間の（両端値を含む）任意の値であり得ることが理解されよう。誘電体基板４０５の誘電正接は、上記の値のうちのいずれかの間の（両端値を含む）範囲内であり得ることが更に理解されよう。
更に他の実施形態によれば、誘電体基板４０５は、５ＧＨｚの範囲、８０％ＲＨで測定される特定の誘電正接（Ｄｆ）を有してもよい。例えば、誘電体基板４０５は、約０．００４以下、又は約０．００３以下、又は約０．００２以下、又は約０．００１９以下、又は約０．００１８以下、又は約０．００１７以下、又は約０．００１６以下、又は約０．００１５以下、又は約０．００１４以下などの、約０．００５以下の誘電正接を有してもよい。誘電体基板４０５の誘電正接は、上記の値のうちのいずれかの間の（両端値を含む）任意の値であり得ることが理解されよう。誘電体基板４０５の誘電正接は、上記の値のうちのいずれかの間の（両端値を含む）範囲内であり得ることが更に理解されよう。
更に他の実施形態によれば、誘電体基板４０５は、１０ＧＨｚの範囲、２０％ＲＨで測定される特定の誘電正接（Ｄｆ）を有してもよい。例えば、誘電体基板４０５は、約０．００４以下、又は約０．００３以下、又は約０．００２以下、又は約０．００１９以下、又は約０．００１８以下、又は約０．００１７以下、又は約０．００１６以下、又は約０．００１５以下、又は約０．００１４以下などの、約０．００５以下の誘電正接を有してもよい。誘電体基板４０５の誘電正接は、上記の値のうちのいずれかの間の（両端値を含む）任意の値であり得ることが理解されよう。誘電体基板４０５の誘電正接は、上記の値のうちのいずれかの間の（両端値を含む）範囲内であり得ることが更に理解されよう。
更に他の実施形態によれば、誘電体基板４０５は、１０ＧＨｚの範囲、８０％ＲＨで測定される特定の誘電正接（Ｄｆ）を有してもよい。例えば、誘電体基板４０５は、約０．００４以下、又は約０．００３以下、又は約０．００２以下、又は約０．００１９以下、又は約０．００１８以下、又は約０．００１７以下、又は約０．００１６以下、又は約０．００１５以下、又は約０．００１４以下などの、約０．００５以下の誘電正接を有してもよい。誘電体基板４０５の誘電正接は、上記の値のうちのいずれかの間の（両端値を含む）任意の値であり得ることが理解されよう。誘電体基板４０５の誘電正接は、上記の値のうちのいずれかの間の（両端値を含む）範囲内であり得ることが更に理解されよう。
更に他の実施形態によれば、誘電体基板４０５は、２８ＧＨｚの範囲、２０％ＲＨで測定される特定の誘電正接（Ｄｆ）を有してもよい。例えば、誘電体基板４０５は、約０．００４以下、又は約０．００３以下、又は約０．００２以下、又は約０．００１９以下、又は約０．００１８以下、又は約０．００１７以下、又は約０．００１６以下、又は約０．００１５以下、又は約０．００１４以下などの、約０．００５以下の誘電正接を有してもよい。誘電体基板４０５の誘電正接は、上記の値のうちのいずれかの間の（両端値を含む）任意の値であり得ることが理解されよう。誘電体基板４０５の誘電正接は、上記の値のうちのいずれかの間の（両端値を含む）範囲内であり得ることが更に理解されよう。
更に他の実施形態によれば、誘電体基板４０５は、２８ＧＨｚの範囲、８０％ＲＨで測定される特定の誘電正接（Ｄｆ）を有してもよい。例えば、誘電体基板４０５は、約０．００４以下、又は約０．００３以下、又は約０．００２以下、又は約０．００１９以下、又は約０．００１８以下、又は約０．００１７以下、又は約０．００１６以下、又は約０．００１５以下、又は約０．００１４以下などの、約０．００５以下の誘電正接を有してもよい。誘電体基板４０５の誘電正接は、上記の値のうちのいずれかの間の（両端値を含む）任意の値であり得ることが理解されよう。誘電体基板４０５の誘電正接は、上記の値のうちのいずれかの間の（両端値を含む）範囲内であり得ることが更に理解されよう。
更に他の実施形態によれば、誘電体基板４０５は、３９ＧＨｚの範囲、２０％ＲＨで測定される特定の誘電正接（Ｄｆ）を有してもよい。例えば、誘電体基板４０５は、約０．００４以下、又は約０．００３以下、又は約０．００２以下、又は約０．００１９以下、又は約０．００１８以下、又は約０．００１７以下、又は約０．００１６以下、又は約０．００１５以下、又は約０．００１４以下などの、約０．００５以下の誘電正接を有してもよい。誘電体基板４０５の誘電正接は、上記の値のうちのいずれかの間の（両端値を含む）任意の値であり得ることが理解されよう。誘電体基板４０５の誘電正接は、上記の値のうちのいずれかの間の（両端値を含む）範囲内であり得ることが更に理解されよう。
更に他の実施形態によれば、誘電体基板４０５は、３９ＧＨｚの範囲、８０％ＲＨで測定される特定の誘電正接（Ｄｆ）を有してもよい。例えば、誘電体基板４０５は、約０．００４以下、又は約０．００３以下、又は約０．００２以下、又は約０．００１９以下、又は約０．００１８以下、又は約０．００１７以下、又は約０．００１６以下、又は約０．００１５以下、又は約０．００１４以下などの、約０．００５以下の誘電正接を有してもよい。誘電体基板４０５の誘電正接は、上記の値のうちのいずれかの間の（両端値を含む）任意の値であり得ることが理解されよう。誘電体基板４０５の誘電正接は、上記の値のうちのいずれかの間の（両端値を含む）範囲内であり得ることが更に理解されよう。
更に他の実施形態によれば、誘電体基板４０５は、７６～８１ＧＨｚの範囲、２０％ＲＨで測定される特定の誘電正接（Ｄｆ）を有してもよい。例えば、誘電体基板４０５は、約０．００４以下、又は約０．００３以下、又は約０．００２以下、又は約０．００１９以下、又は約０．００１８以下、又は約０．００１７以下、又は約０．００１６以下、又は約０．００１５以下、又は約０．００１４以下などの、約０．００５以下の誘電正接を有してもよい。誘電体基板４０５の誘電正接は、上記の値のうちのいずれかの間の（両端値を含む）任意の値であり得ることが理解されよう。誘電体基板４０５の誘電正接は、上記の値のうちのいずれかの間の（両端値を含む）範囲内であり得ることが更に理解されよう。
更に他の実施形態によれば、誘電体基板４０５は、７６～８１ＧＨｚの範囲、８０％ＲＨで測定される特定の誘電正接（Ｄｆ）を有してもよい。例えば、誘電体基板４０５は、約０．００４以下、又は約０．００３以下、又は約０．００２以下、又は約０．００１９以下、又は約０．００１８以下、又は約０．００１７以下、又は約０．００１６以下、又は約０．００１５以下、又は約０．００１４以下などの、約０．００５以下の誘電正接を有してもよい。誘電体基板４０５の誘電正接は、上記の値のうちのいずれかの間の（両端値を含む）任意の値であり得ることが理解されよう。誘電体基板４０５の誘電正接は、上記の値のうちのいずれかの間の（両端値を含む）範囲内であり得ることが更に理解されよう。
更に他の実施形態によれば、誘電体基板４０５は、ＩＰＣ－ＴＭ－６５０ ２．４．２４ Ｒｅｖ．Ｃガラス転移温度及びＴＭＡによるＺ軸熱膨張に従って測定される特定の熱膨張係数を有してもよい。例えば、誘電体基板４０５は、約８０ｐｐｍ／℃以下の熱膨張係数を有してもよい。
次に、プリント回路基板を形成する方法を参照すると、図５は、本明細書に記載の実施形態による、プリント回路基板を形成するための形成方法５００を示す略図を含む。特定の実施形態によれば、形成方法５００は、銅箔層を提供する第１のステップ５１０と、銅箔層の上を覆う誘電体基板を形成する第２のステップ５２０と、を含むことができる。特定の実施形態によれば、誘電体基板を形成するステップは、第１の樹脂マトリックス前駆体成分と第１のセラミックフィラー前駆体成分とを組み合わせて第１の形成混合物を形成するステップと、第１の形成混合物を、ポリイミド層の上を覆う第１の充填ポリマー層に形成して誘電体基板を形成するステップと、を含むことができる。
形成方法１００及び／又は形成方法３００に関して本明細書で提供される全ての説明、詳細、及び特徴は、形成方法５００の対応する態様に更に適用され得るか、又はそれを説明し得ることが理解されよう。
次に、形成方法５００に従って形成されるプリント回路基板の実施形態を参照すると、図６ａは、プリント回路基板６００の略図を含む。図６ａに示したように、プリント回路基板６００は、銅箔層６０３と、銅箔層６０３の表面を覆う誘電体基板６０５と、を含むことができる。図６ａに更に示したように、誘電体基板６０５は、ポリイミド層６０２と、ポリイミド層６０２の上を覆う第１の充填ポリマー層６０４と、を含むことができる。図６ａに示したように、第１の充填ポリマー層６０４は、第１の樹脂マトリックス成分６１０及び第１のセラミックフィラー成分６２０を含むことができる。
この場合も、誘電体基板２００（４０５）及び／又は銅張積層板４００に関して本明細書で提供される全ての説明は、プリント回路基板６００の全ての構成要素を含むプリント回路基板６００の修正態様に更に適用され得ることが理解されよう。
形成方法５００に従って形成されるプリント回路基板の他の実施形態によれば、図６ｂは、プリント回路基板６０１の略図を含む。図６ｂに示したように、プリント回路基板６０１は、銅箔層６０３と、銅箔層６０３の表面を覆う誘電体基板６０５と、を含むことができる。図６ｂに示したように、誘電体基板６０５は、ポリイミド層６０２と、ポリイミド層６０２の上を覆う第１の充填ポリマー層６０４と、ポリイミド層６０２の下を覆う第２の充填ポリマー層６０６と、を含むことができる。図６ｂに示したように、第２の充填ポリマー層６０６は、第２の樹脂マトリックス成分６３０及び第２のセラミックフィラー成分６４０を含むことができる。
この場合も、誘電体基板２００（４０５）及び／又は銅張積層板４００に関して本明細書で提供される全ての説明は、プリント回路基板６０１の全ての構成要素を含むプリント回路基板６０１の修正態様に更に適用され得ることが理解されよう。
多くの異なる態様及び実施形態が可能である。これらの態様及び実施形態のいくつかを本明細書に記載する。本明細書を読んだ後、当業者は、それらの態様及び実施形態が単なる例示であり、本発明の範囲を限定するものではないことを理解するであろう。実施形態は、以下に列挙される実施形態のうちのいずれか１つ以上に従うことができる。
実施形態１。誘電体基板であって、ポリイミド層と、ポリイミド層の上を覆う第１の充填ポリマー層と、を備え、第１の充填ポリマー層は、第１の樹脂マトリックス成分と、第１のセラミックフィラー成分と、を含み、第１のセラミックフィラー成分は、第１のフィラー材料を含み、第１のフィラー材料は、約１０マイクロメートル以下の平均粒径を更に有する、誘電体基板。
実施形態２。第１のセラミックフィラー成分のシリカフィラー材料の粒径分布は、少なくとも約０．２マイクロメートルかつ約１．６以下のＤ１０、少なくとも約０．５マイクロメートルかつ約２．７マイクロメートル以下のＤ５０、及び少なくとも約０．８マイクロメートルかつ約４．７マイクロメートル以下のＤ９０を含む、実施形態１に記載の誘電体基板。
実施形態３。第１のセラミックフィラー成分のシリカフィラー材料は、約８以下の粒径分布スパン（ＰＳＤＳ）を有し、ＰＳＤＳは、（Ｄ９０－Ｄ１０）／Ｄ５０に等しく、式中、Ｄ９０は、シリカフィラー材料のＤ９０粒径分布測定値に等しく、Ｄ１０は、第１のフィラー材料のＤ１０粒径分布測定値に等しく、Ｄ５０は、第１のフィラー材料のＤ５０粒径分布測定値に等しい、実施形態１に記載の誘電体基板。
実施形態４。第１のフィラー材料は、約１０ｍ２／ｇ以下の平均表面積を更に有する、実施形態１に記載の誘電体基板。
実施形態５。第１のフィラー材料は、シリカ系化合物を含む、実施形態１に記載の誘電体基板。
実施形態６。第１のフィラー材料は、シリカを含む、実施形態１に記載の誘電体基板。
実施形態７。第１の樹脂マトリックス成分は、ペルフルオロポリマーを含む、実施形態１に記載の誘電体基板。
実施形態８。ペルフルオロポリマーは、テトラフルオロエチレン（ＴＦＥ）のコポリマー、ヘキサフルオロプロピレン（ＨＦＰ）のコポリマー、テトラフルオロエチレン（ＴＦＥ）のターポリマー、又はそれらの任意の組み合わせ、を含む、実施形態７に記載の方法。
実施形態９。ペルフルオロポリマーは、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）、ペルフルオロアルコキシポリマー樹脂（ＰＦＡ）、フッ素化エチレンプロピレン（ＦＥＰ）、又はそれらの任意の組み合わせを含む、実施形態７に記載の誘電体基板。
実施形態１０。ペルフルオロポリマーは、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）、ペルフルオロアルコキシポリマー樹脂（ＰＦＡ）、フッ素化エチレンプロピレン（ＦＥＰ）、又はそれらの任意の組み合わせからなる、実施形態７に記載の誘電体基板。
実施形態１１。第１の樹脂マトリックス成分の含有量は、第１の充填ポリマー層の総体積に対して少なくとも約４５体積％である、実施形態１に記載の誘電体基板。
実施形態１２。第１の樹脂マトリックス成分の含有量は、第１の充填ポリマー層の総体積に対して約６３体積％以下である、実施形態１に記載の誘電体基板。
実施形態１３。ペルフルオロポリマーの含有量は、第１の充填ポリマー層の総体積に対して少なくとも約４５体積％である、実施形態７に記載の誘電体基板。
実施形態１４。ペルフルオロポリマーの含有量は、第１の充填ポリマー層の総体積に対して約６３体積％以下である、実施形態７に記載の誘電体基板。
実施形態１５。第１のセラミックフィラー成分の含有量は、第１の充填ポリマー層の総体積に対して少なくとも約３０体積％である、実施形態１に記載の誘電体基板。
実施形態１６。第１のセラミックフィラー成分の含有量は、第１の充填ポリマー層の総体積に対して約５７体積％以下である、実施形態１に記載の誘電体基板。
実施形態１７。第１のフィラー材料の含有量は、第１のセラミックフィラー成分の総体積に対して少なくとも約８０体積％である、実施形態１に記載の誘電体基板。
実施形態１８。第１のフィラー材料の含有量は、第１のセラミックフィラー成分の総体積に対して約１００体積％以下である、実施形態１に記載の誘電体基板。
実施形態１９。第１のセラミックフィラー成分は、第２のフィラー材料を更に含む、実施形態１に記載の誘電体基板。
実施形態２０。第１のセラミックフィラー成分の第２のフィラー材料は、高誘電率セラミック材料を含む、実施形態１９に記載の誘電体基板。
実施形態２１。高誘電率セラミック材料は、少なくとも約１４の誘電率を有する、実施形態２０の誘電体基板。
実施形態２２。第２のセラミックフィラー成分は、ＴｉＯ２、ＳｒＴｉＯ３、ＺｒＴｉ２Ｏ６、ＭｇＴｉＯ３、ＣａＴｉＯ３、ＢａＴｉＯ４、又はそれらの任意の組み合わせを更に含む、実施形態２０に記載の誘電体基板。
実施形態２３。第１のセラミックフィラー成分の第２のフィラー材料の含有量は、第１のセラミックフィラー成分の総体積に対して少なくとも約１体積％である、実施形態１９に記載の誘電体基板。
実施形態２４。第１のセラミックフィラー成分の第２のフィラー材料の含有量は、第１のセラミックフィラー成分の総体積に対して約２０体積％以下である、実施形態１９に記載の誘電体基板。
実施形態２５。第１のセラミックフィラー成分中のＴｉＯ２フィラー材料の含有量は、第１のセラミックフィラー成分の総体積に対して少なくとも約１体積％である、実施形態２２に記載の誘電体基板。
実施形態２６。第１のセラミックフィラー成分中のＴｉＯ２フィラー材料の含有量は、第１のセラミックフィラー成分の総体積に対して約２０体積％以下である、実施形態２２に記載の誘電体基板。
実施形態２７。第１のセラミックフィラー成分は、少なくとも約９７％である、実施形態１に記載の誘電体基板。
実施形態２８。誘電体基板は、ポリイミド層の下を覆う第２の充填ポリマー層を更に含み、第２の充填ポリマー層は、第２の樹脂マトリックス成分と、第２のセラミックフィラー成分と、を含み、第２のセラミックフィラー成分は、シリカフィラー材料を含み、第１のフィラー材料は、約１０マイクロメートル以下の平均粒径を更に有する、実施形態１に記載の誘電体基板。
実施形態２９。第２のセラミックフィラー成分のシリカフィラー材料の粒径分布は、少なくとも約０．２マイクロメートルかつ約１．６以下のＤ１０、少なくとも約０．５マイクロメートルかつ約２．７マイクロメートル以下のＤ５０、及び少なくとも約０．８マイクロメートルかつ約４．７マイクロメートル以下のＤ９０を含む、実施形態２８に記載の誘電体基板。
実施形態３０。第２のセラミックフィラー成分のシリカフィラー材料は、約８以下の粒径分布スパン（ＰＳＤＳ）を有し、ＰＳＤＳは、（Ｄ９０－Ｄ１０）／Ｄ５０に等しく、式中、Ｄ９０は、シリカフィラー材料のＤ９０粒径分布測定値に等しく、Ｄ１０は、第１のフィラー材料のＤ１０粒径分布測定値に等しく、Ｄ５０は、第１のフィラー材料のＤ５０粒径分布測定値に等しい、実施形態２８に記載の誘電体基板。
実施形態３１。第１のフィラー材料は、約１０ｍ２／ｇ以下の平均表面積を更に有する、実施形態２８に記載の誘電体基板。
実施形態３２。第２のフィラー材料は、シリカ系化合物を含む、実施形態２８に記載の誘電体基板。
実施形態３３。第２のフィラー材料は、シリカを含む、実施形態２８に記載の誘電体基板。
実施形態３４。第２の樹脂マトリックスは、ペルフルオロポリマーを含む、実施形態２８に記載の誘電体基板。
実施形態３５。ペルフルオロポリマーは、テトラフルオロエチレン（ＴＦＥ）のコポリマー、ヘキサフルオロプロピレン（ＨＦＰ）のコポリマー、テトラフルオロエチレン（ＴＦＥ）のターポリマー、又はそれらの任意の組み合わせ、を含む、実施形態３４に記載の方法。
実施形態３６。ペルフルオロポリマーは、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）、ペルフルオロアルコキシポリマー樹脂（ＰＦＡ）、フッ素化エチレンプロピレン（ＦＥＰ）、又はそれらの任意の組み合わせを含む、実施形態３４に記載の誘電体基板。
実施形態３７。ペルフルオロポリマーは、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）、ペルフルオロアルコキシポリマー樹脂（ＰＦＡ）、フッ素化エチレンプロピレン（ＦＥＰ）、又はそれらの任意の組み合わせからなる、実施形態３４に記載の誘電体基板。
実施形態３８。第２の樹脂マトリックス成分の含有量は、第２の充填ポリマー層の総体積に対して少なくとも約４５体積％である、実施形態２８に記載の誘電体基板。
実施形態３９。第２の樹脂マトリックス成分の含有量は、第２の充填ポリマー層の総体積に対して約６３体積％以下である、実施形態２８に記載の誘電体基板。
実施形態４０。ペルフルオロポリマーの含有量は、第２の充填ポリマー層の総体積に対して少なくとも約４５体積％である、実施形態２８に記載の誘電体基板。
実施形態４１。ペルフルオロポリマーの含有量は、第２の充填ポリマー層の総体積に対して約６３体積％以下である、実施形態２８に記載の誘電体基板。
実施形態４２。第２のセラミックフィラー成分の含有量は、第２の充填ポリマー層の総体積に対して少なくとも約３０体積％である、実施形態２８に記載の誘電体基板。
実施形態４３。第２のセラミックフィラー成分の含有量は、第２の充填ポリマー層の総体積に対して約５７体積％以下である、実施形態２８に記載の誘電体基板。
実施形態４４。第２のフィラー材料の含有量は、第２のセラミックフィラー成分の総体積に対して少なくとも約８０体積％である、実施形態２８に記載の誘電体基板。
実施形態４５。第２のフィラー材料の含有量は、第２のセラミックフィラー成分の総体積に対して約１００体積％以下である、実施形態２８に記載の誘電体基板。
実施形態４６。第２のセラミックフィラー成分は、ＴｉＯ２フィラー材料を更に含む、実施形態２８に記載の誘電体基板。
実施形態４７。ＴｉＯ２フィラー材料の含有量は、第２のセラミックフィラー成分の総体積に対して少なくとも約１体積％である、実施形態４６に記載の誘電体基板。
実施形態４８。ＴｉＯ２フィラー材料の含有量は、第２のセラミックフィラー成分の総体積に対して約２０体積％以下である、実施形態４６に記載の誘電体基板。
実施形態４９。第２のセラミックフィラー成分は、少なくとも約９７％が非晶質である、実施形態２８の誘電体基板。
実施形態５０。誘電体基板は、約１０体積％以下の空隙率を有する、実施形態１及び２８のいずれか１つに記載の誘電体基板。
実施形態５１。誘電体基板は、少なくとも約１０マイクロメートルの平均厚さを有する、実施形態１及び２８のいずれか１つに記載の誘電体基板。
実施形態５２。誘電体基板は、約２００マイクロメートル以下の平均厚さを有する、実施形態１及び２８のいずれか１つに記載の誘電体基板。
実施形態５３。誘電体基板は、約０．００５以下の誘電正接（５ＧＨｚ、２０％ＲＨ）を有する、実施形態１及び２８のいずれか１つに記載の誘電体基板。
実施形態５４。誘電体基板は、約０．００１４以下の誘電正接（５ＧＨｚ、２０％ＲＨ）を有する、実施形態１及び２８のいずれか１つに記載の誘電体基板。
実施形態５５。誘電体基板は、約８０ｐｐｍ／℃以下の熱膨張係数（ｘ／ｙ軸）を有する、実施形態１及び２８のいずれか１つに記載の誘電体基板。
実施形態５６。誘電体基板は、第１の充填ポリマー層とポリイミド層との間に少なくとも約５ｌｂ／ｉｎの剥離強度を有する、実施形態１及び２８のいずれか１つに記載の誘電体基板。
実施形態５７。誘電体基板は、第２の充填ポリマー層とポリイミド層との間に少なくとも約５ｌｂ／ｉｎの剥離強度を有する、実施形態１及び２８のいずれか１つに記載の誘電体基板。
実施形態５８。誘電体基板は、約１．２％以下の吸湿率を有する、実施形態１及び２８のいずれか１つに記載の誘電体基板。
実施形態５９。銅箔層と、銅箔層の上を覆う誘電体基板と、を備えた銅張積層板であって、誘電体基板は、ポリイミド層と、ポリイミド層の上を覆う第１の充填ポリマー層と、を含み、第１の充填ポリマー層は、第１の樹脂マトリックス成分と、第１のセラミックフィラー成分と、を含み、第１のセラミックフィラー成分は、第１のフィラー材料を含み、第１のフィラー材料は、約１０マイクロメートル以下の平均粒径を更に有する、銅張積層板。
実施形態６０。第１のセラミックフィラー成分のシリカフィラー材料の粒径分布は、少なくとも約０．２マイクロメートルかつ約１．６以下のＤ１０、少なくとも約０．５マイクロメートルかつ約２．７マイクロメートル以下のＤ５０、及び少なくとも約０．８マイクロメートルかつ約４．７マイクロメートル以下のＤ９０を含む、実施形態５９に記載の銅張積層板。
実施形態６１。第１のセラミックフィラー成分のシリカフィラー材料は、約８以下の粒径分布スパン（ＰＳＤＳ）を有し、ＰＳＤＳは、（Ｄ９０－Ｄ１０）／Ｄ５０に等しく、式中、Ｄ９０は、シリカフィラー材料のＤ９０粒径分布測定値に等しく、Ｄ１０は、第１のフィラー材料のＤ１０粒径分布測定値に等しく、Ｄ５０は、第１のフィラー材料のＤ５０粒径分布測定値に等しい、実施形態５９に記載の銅張積層板。
実施形態６２。第１のフィラー材料は、約１０ｍ２／ｇ以下の平均表面積を更に有する、実施形態５９に記載の銅張積層板。
実施形態６３。第１のフィラー材料は、シリカ系化合物を含む、実施形態５９に記載の銅張積層板。
実施形態６４。第１のフィラー材料は、シリカを含む、実施形態５９に記載の銅張積層板。
実施形態６５。第１の樹脂マトリックス成分は、ペルフルオロポリマーを含む、実施形態５９に記載の銅張積層板。
実施形態６６。ペルフルオロポリマーは、テトラフルオロエチレン（ＴＦＥ）のコポリマー、ヘキサフルオロプロピレン（ＨＦＰ）のコポリマー、テトラフルオロエチレン（ＴＦＥ）のターポリマー、又はそれらの任意の組み合わせ、を含む、実施形態６５に記載の方法。
実施形態６７。ペルフルオロポリマーは、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）、ペルフルオロアルコキシポリマー樹脂（ＰＦＡ）、フッ素化エチレンプロピレン（ＦＥＰ）、又はそれらの任意の組み合わせを含む、実施形態６５に記載の銅張積層板。
実施形態６８。ペルフルオロポリマーは、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）、ペルフルオロアルコキシポリマー樹脂（ＰＦＡ）、フッ素化エチレンプロピレン（ＦＥＰ）、又はそれらの任意の組み合わせからなる、実施形態６５に記載の銅張積層板。
実施形態６９。第１の樹脂マトリックス成分の含有量は、第１の充填ポリマー層の総体積に対して少なくとも約４５体積％である、実施形態５９に記載の銅張積層板。
実施形態７０。第１の樹脂マトリックス成分の含有量は、第１の充填ポリマー層の総体積に対して約６３体積％以下である、実施形態５９に記載の銅張積層板。
実施形態７１。ペルフルオロポリマーの含有量は、第１の充填ポリマー層の総体積に対して少なくとも約４５体積％である、実施形態６５の銅張積層板。
実施形態７２。ペルフルオロポリマーの含有量は、第１の充填ポリマー層の総体積に対して約６３体積％以下である、実施形態６５に記載の銅張積層板。
実施形態７３。第１のセラミックフィラー成分の含有量は、第１の充填ポリマー層の総体積に対して少なくとも約５０体積％である、実施形態５９に記載の銅張積層板。
実施形態７４。第１のセラミックフィラー成分の含有量は、第１の充填ポリマー層の総体積に対して約５７体積％以下である、実施形態５９に記載の銅張積層板。
実施形態７５。第１のフィラー材料の含有量は、第１のセラミックフィラー成分の総体積に対して少なくとも約８０体積％である、実施形態５９に記載の銅張積層板。
実施形態７６。第１のフィラー材料の含有量は、第１のセラミックフィラー成分の総体積に対して約１００体積％以下である、実施形態５９に記載の銅張積層板。
実施形態７７。第１のセラミックフィラー成分は、第２のフィラー材料を更に含む、実施形態５９に記載の銅張積層板。
実施形態７８。第１のセラミックフィラー成分の第２のフィラー材料は、高誘電率セラミック材料を含む、実施形態７７の銅張積層板。
実施形態７９。高誘電率セラミック材料は、少なくとも約１４の誘電率を有する、実施形態７８の銅張積層板。
実施形態８０。第１のセラミックフィラー成分は、ＴｉＯ２、ＳｒＴｉＯ３、ＺｒＴｉ２Ｏ６、ＭｇＴｉＯ３、ＣａＴｉＯ３、ＢａＴｉＯ４、又はそれらの任意の組み合わせを更に含む、実施形態７８に記載の銅張積層板。
実施形態８１。第１のセラミックフィラー成分の第２のフィラー材料の含有量は、第１のセラミックフィラー成分の総体積に対して少なくとも約１体積％である、実施形態７７の銅張積層板。
実施形態８２。第１のセラミックフィラー成分の第２のフィラー材料の含有量は、第１のセラミックフィラー成分の総体積に対して約２０体積％以下である、実施形態７７に記載の銅張積層板。
実施形態８３。第１のセラミックフィラー成分中のＴｉＯ２フィラー材料の含有量は、第１のセラミックフィラー成分の総体積に対して少なくとも約１体積％である、実施形態８０に記載の銅張積層板。
実施形態８４。第１のセラミックフィラー成分中のＴｉＯ２フィラー材料の含有量は、第１のセラミックフィラー成分の総体積に対して約２０体積％以下である、実施形態８０に記載の銅張積層板。
実施形態８５。第１のセラミックフィラー成分は、少なくとも約９７％が非晶質である、実施形態５９の銅張積層板。
実施形態８６。誘電体基板は、ポリイミド層の下を覆う第２の充填ポリマー層を更に含み、第２の充填ポリマー層は、第２の樹脂マトリックス成分と、第２のセラミックフィラー成分と、を含み、第２のセラミックフィラー成分は、シリカフィラー材料を含み、第１のフィラー材料は、約１０マイクロメートル以下の平均粒径を更に有する、実施形態５９に記載の銅張積層板。
実施形態８７。第２のセラミックフィラー成分のシリカフィラー材料の粒径分布は、少なくとも約０．２マイクロメートルかつ約１．６以下のＤ１０、少なくとも約０．５マイクロメートルかつ約２．７マイクロメートル以下のＤ５０、及び少なくとも約０．８マイクロメートルかつ約４．７マイクロメートル以下のＤ９０を含む、実施形態８６に記載の銅張積層板。
実施形態８８。第２のセラミックフィラー成分の第２のフィラー材料は、約８以下の粒径分布スパン（ＰＳＤＳ）を有し、ＰＳＤＳは、（Ｄ９０－Ｄ１０）／Ｄ５０に等しく、式中、Ｄ９０は、シリカフィラー材料のＤ９０粒径分布測定値に等しく、Ｄ１０は、第１のフィラー材料のＤ１０粒径分布測定値に等しく、Ｄ５０は、第１のフィラー材料のＤ５０粒径分布測定値に等しい、実施形態８６に記載の銅張積層板。
実施形態８９。第２のフィラー材料は、約１０ｍ２／ｇ以下の平均表面積を更に有する、実施形態８６に記載の銅張積層板。
実施形態９０。第２のフィラー材料は、シリカ系化合物を含む、実施形態８６の銅張積層板。
実施形態９１。第２のフィラー材料は、シリカを含む、実施形態８６の銅張積層板。
実施形態９２。第２の樹脂マトリックスは、ペルフルオロポリマーを含む、実施形態８６に記載の銅張積層板。
実施形態９３。ペルフルオロポリマーは、テトラフルオロエチレン（ＴＦＥ）のコポリマー、ヘキサフルオロプロピレン（ＨＦＰ）のコポリマー、テトラフルオロエチレン（ＴＦＥ）のターポリマー、又はそれらの任意の組み合わせ、を含む、実施形態９２に記載の方法。
実施形態９４。ペルフルオロポリマーは、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）、ペルフルオロアルコキシポリマー樹脂（ＰＦＡ）、フッ素化エチレンプロピレン（ＦＥＰ）、又はそれらの任意の組み合わせを含む、実施形態９２に記載の銅張積層板。
実施形態９５。ペルフルオロポリマーは、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）、ペルフルオロアルコキシポリマー樹脂（ＰＦＡ）、フッ素化エチレンプロピレン（ＦＥＰ）、又はそれらの任意の組み合わせからなる、実施形態９２に記載の銅張積層板。
実施形態９６。第２の樹脂マトリックス成分の含有量は、第２の充填ポリマー層の総体積に対して少なくとも約４５体積％である、実施形態８６の銅張積層板。
実施形態９７。第２の樹脂マトリックス成分の含有量は、第２の充填ポリマー層の総体積に対して約６３体積％以下である、実施形態８６の銅張積層板。
実施形態９８。ペルフルオロポリマーの含有量は、第２の充填ポリマー層の総体積に対して少なくとも約４５体積％である、実施形態８６の銅張積層板。
実施形態９９。ペルフルオロポリマーの含有量は、第２の充填ポリマー層の総体積に対して約６３体積％以下である、実施形態８６の銅張積層板。
実施形態１００。第２のセラミックフィラー成分の含有量は、第２の充填ポリマー層の総体積に対して少なくとも約５０体積％である、実施形態８６の銅張積層板。
実施形態１０１。第２のセラミックフィラー成分の含有量は、第２の充填ポリマー層の総体積に対して約５７体積％以下である、実施形態８６に記載の銅張積層板。
実施形態１０２。第２のフィラー材料の含有量は、第２のセラミックフィラー成分の総体積に対して少なくとも約８０体積％である、実施形態８６の銅張積層板。
実施形態１０３。第２のフィラー材料の含有量は、第２のセラミックフィラー成分の総体積に対して約１００体積％以下である、実施形態８６の銅張積層板。
実施形態１０４。第２のセラミックフィラー成分は、ＴｉＯ２フィラー材料を更に含む、実施形態８６に記載の銅張積層板。
実施形態１０５。ＴｉＯ２フィラー材料の含有量は、第２のセラミックフィラー成分の総体積に対して少なくとも約１体積％である、実施形態１０４に記載の銅張積層板。
実施形態１０６。ＴｉＯ２フィラー材料の含有量は、第２のセラミックフィラー成分の総体積に対して約２０体積％以下である、実施形態１０４に記載の銅張積層板。
実施形態１０７。第２のセラミックフィラー成分は、少なくとも約９７％が非晶質である、実施形態８６に記載の銅張積層板。
実施形態１０８。誘電体基板は、約１０体積％以下の空隙率を有する、実施形態５９及び８６のいずれか１つに記載の銅張積層板。
実施形態１０９。誘電体基板は、少なくとも約１０マイクロメートルの平均厚さを有する、実施形態５９及び８６のいずれか１つに記載の銅張積層板。
実施形態１１０。誘電体基板は、約２００マイクロメートル以下の平均厚さを有する、実施形態５９及び８６のいずれか１つに記載の銅張積層板。
実施形態１１１。誘電体基板は、約０．００５以下の誘電正接（５ＧＨｚ、２０％ＲＨ）を有する、実施形態５９及び８６のいずれか１つに記載の銅張積層板。
実施形態１１２。誘電体基板は、約０．００１４以下の誘電正接（５ＧＨｚ、２０％ＲＨ）を有する、実施形態５９及び８６のいずれか１つに記載の銅張積層板。
実施形態１１３。誘電体基板は、約８０ｐｐｍ／℃以下の熱膨張係数（ｘ／ｙ軸）を有する、実施形態５９及び８６のいずれか１つに記載の銅張積層板。
実施形態１１４。誘電体基板は、第１の充填ポリマー層とポリイミド層との間に少なくとも約５ｌｂ／ｉｎの剥離強度を有する、実施形態５９及び８６のいずれか１つに記載の銅張積層板。
実施形態１１５。誘電体基板は、第２の充填ポリマー層とポリイミド層との間に少なくとも約５ｌｂ／ｉｎの剥離強度を有する、実施形態５９及び８６のいずれか１つに記載の銅張積層板。
実施形態１１６。銅張積層板は、銅箔層と誘電体基板との間に少なくとも約６ｌｂ／ｉｎの剥離強度を有する、実施形態５９及び８６のいずれか１つに記載の銅張積層板。
実施形態１１７。誘電体基板は、少なくとも約６０ＭＰａの引張強度を有する、実施形態５９及び８６のいずれか１つに記載の銅張積層板。
実施形態１１８。誘電体基板は、少なくとも約１．３ＧＰａの弾性率を有する、実施形態５９及び８６のいずれか１つに記載の銅張積層板。
実施形態１１９。誘電体基板は、約１．２％以下の吸湿率を有する、実施形態５９及び８６のいずれか１つに記載の銅張積層板。
実施形態１２０。銅張積層板は、約１０体積％以下の空隙率を有する、実施形態５９及び８６のいずれか１つに記載の銅張積層板。
実施形態１２１。銅張積層板を備えたプリント回路基板であって、銅張積層板は、銅箔層と、銅箔層の上を覆う誘電体基板と、を含み、誘電体基板は、ポリイミド層と、ポリイミド層の上を覆う第１の充填ポリマー層と、を含み、第１の充填ポリマー層は、第１の樹脂マトリックス成分と、第１のセラミックフィラー成分と、を含み、第１のセラミックフィラー成分は、第１のフィラー材料を含み、第１のフィラー材料は、約１０マイクロメートル以下の平均粒径を更に有する、プリント回路基板。
実施形態１２２。第１のセラミックフィラー成分のシリカフィラー材料の粒径分布は、少なくとも約０．２マイクロメートルかつ約１．６以下のＤ１０、少なくとも約０．５マイクロメートルかつ約２．７マイクロメートル以下のＤ５０、及び少なくとも約０．８マイクロメートルかつ約４．７マイクロメートル以下のＤ９０を含む、実施形態１２１に記載のプリント回路基板。
実施形態１２３。第１のセラミックフィラー成分のシリカフィラー材料は、約８以下の粒径分布スパン（ＰＳＤＳ）を有し、ＰＳＤＳは、（Ｄ９０－Ｄ１０）／Ｄ５０に等しく、式中、Ｄ９０は、シリカフィラー材料のＤ９０粒径分布測定値に等しく、Ｄ１０は、第１のフィラー材料のＤ１０粒径分布測定値に等しく、Ｄ５０は、第１のフィラー材料のＤ５０粒径分布測定値に等しい、実施形態１２１に記載のプリント回路基板。
実施形態１２４。第１のフィラー材料は、約１０ｍ２／ｇ以下の平均表面積を更に有する、実施形態１２１に記載のプリント回路基板。
実施形態１２５。第１のフィラー材料は、シリカ系化合物を含む、実施形態１２１に記載のプリント回路基板。
実施形態１２６。第１のフィラー材料は、シリカを含む、実施形態１２１に記載のプリント回路基板。
実施形態１２７。第１の樹脂マトリックス成分は、ペルフルオロポリマーを含む、実施形態１２１に記載のプリント回路基板。
実施形態１２８。ペルフルオロポリマーは、テトラフルオロエチレン（ＴＦＥ）のコポリマー、ヘキサフルオロプロピレン（ＨＦＰ）のコポリマー、テトラフルオロエチレン（ＴＦＥ）のターポリマー、又はそれらの任意の組み合わせ、を含む、実施形態１２７に記載の方法。
実施形態１２９。ペルフルオロポリマーは、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）、ペルフルオロアルコキシポリマー樹脂（ＰＦＡ）、フッ素化エチレンプロピレン（ＦＥＰ）、又はそれらの任意の組み合わせを含む、実施形態１２７に記載のプリント回路基板。
実施形態１３０。ペルフルオロポリマーは、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）、ペルフルオロアルコキシポリマー樹脂（ＰＦＡ）、フッ素化エチレンプロピレン（ＦＥＰ）、又はそれらの任意の組み合わせからなる、実施形態１２７に記載のプリント回路基板。
実施形態１３１。第１の樹脂マトリックス成分の含有量は、誘電体基板の総体積に対して少なくとも約４５体積％である、実施形態１２１に記載のプリント回路基板。
実施形態１３２。第１の樹脂マトリックス成分の含有量は、第１の充填ポリマー層の総体積に対して約６３体積％以下である、実施形態１２１に記載のプリント回路基板。
実施形態１３３。ペルフルオロポリマーの含有量は、第１の充填ポリマー層の総体積に対して少なくとも約４５体積％である、実施形態１２７に記載のプリント回路基板。
実施形態１３４。ペルフルオロポリマーの含有量は、第１の充填ポリマー層の総体積に対して約６３体積％以下である、実施形態１２７に記載のプリント回路基板。
実施形態１３５。第１のセラミックフィラー成分の含有量は、第１の充填ポリマー層の総体積に対して少なくとも約３０体積％である、実施形態１２１に記載のプリント回路基板。
実施形態１３６。第１のセラミックフィラー成分の含有量は、第１の充填ポリマー層の総体積に対して約５７体積％以下である、実施形態１２１に記載のプリント回路基板。
実施形態１３７。第１のフィラー材料の含有量は、第１のセラミックフィラー成分の総体積に対して少なくとも約８０体積％である、実施形態１２１に記載のプリント回路基板。
実施形態１３８。第１のフィラー材料の含有量は、第１のセラミックフィラー成分の総体積に対して約１００体積％以下である、実施形態１２１に記載のプリント回路基板。
実施形態１３９。第１のセラミックフィラー成分は、第２のフィラー材料を更に含む、実施形態１２１に記載のプリント回路基板。
実施形態１４０。第１のセラミックフィラー成分の第２のフィラー材料は、高誘電率セラミック材料を含む、実施形態１３９に記載のプリント回路基板。
実施形態１４１。高誘電率セラミック材料は、少なくとも約１４の誘電率を有する、実施形態１４０のプリント回路基板。
実施形態１４２。第１のセラミックフィラー成分は、ＴｉＯ２、ＳｒＴｉＯ３、ＺｒＴｉ２Ｏ６、ＭｇＴｉＯ３、ＣａＴｉＯ３、ＢａＴｉＯ４、又はそれらの任意の組み合わせを更に含む、実施形態１４０に記載のプリント回路基板。
実施形態１４３。第１のセラミックフィラー成分の第２のフィラー材料の含有量は、第１のセラミックフィラー成分の総体積に対して少なくとも約１体積％である、実施形態１３９に記載のプリント回路基板。
実施形態１４４。第１のセラミックフィラー成分の第２のフィラー材料の含有量は、第１のセラミックフィラー成分の総体積に対して約２０体積％以下である、実施形態１３９に記載のプリント回路基板。
実施形態１４５。第１のセラミックフィラー成分中のＴｉＯ２フィラー材料の含有量は、第１のセラミックフィラー成分の総体積に対して少なくとも約１体積％である、実施形態１４２に記載のプリント回路基板。
実施形態１４６。第１のセラミックフィラー成分中のＴｉＯ２フィラー材料の含有量は、第１のセラミックフィラー成分の総体積に対して約２０体積％以下である、実施形態１４２に記載のプリント回路基板。
実施形態１４７。第１のセラミックフィラー成分は、少なくとも約９７％が非晶質である、実施形態１２１に記載のプリント回路基板。
実施形態１４８。誘電体基板は、ポリイミド層の下を覆う第２の充填ポリマー層を更に含み、第２の充填ポリマー層は、第２の樹脂マトリックス成分と、第２のセラミックフィラー成分と、を含み、第２のセラミックフィラー成分は、シリカフィラー材料を含み、第１のフィラー材料は、約１０マイクロメートル以下の平均粒径を更に有する、実施形態１２１のプリント回路基板。
実施形態１４９。第２のセラミックフィラー成分のシリカフィラー材料の粒径分布は、少なくとも約０．２マイクロメートルかつ約１．６以下のＤ１０、少なくとも約０．５マイクロメートルかつ約２．７マイクロメートル以下のＤ５０、及び少なくとも約０．８マイクロメートルかつ約４．７マイクロメートル以下のＤ９０を含む、実施形態１４８に記載のプリント回路基板。
実施形態１５０。第２のセラミックフィラー成分の第２のフィラー材料は、約８以下の粒径分布スパン（ＰＳＤＳ）を有し、ＰＳＤＳは、（Ｄ９０－Ｄ１０）／Ｄ５０に等しく、式中、Ｄ９０は、シリカフィラー材料のＤ９０粒径分布測定値に等しく、Ｄ１０は、第１のフィラー材料のＤ１０粒径分布測定値に等しく、Ｄ５０は、第１のフィラー材料のＤ５０粒径分布測定値に等しい、実施形態１４８に記載のプリント回路基板。
実施形態１５１。第２のフィラー材料は、約１０ｍ２／ｇ以下の平均表面積を更に有する、実施形態１４８に記載のプリント回路基板。
実施形態１５２。第２のフィラー材料は、シリカ系化合物を含む、実施形態１４８のプリント回路基板。
実施形態１５３。第２のフィラー材料は、シリカを含む、実施形態１４８に記載のプリント回路基板。
実施形態１５４。第２の樹脂マトリックスは、ペルフルオロポリマーを含む、実施形態１４８に記載のプリント回路基板。
実施形態１５５。ペルフルオロポリマーは、テトラフルオロエチレン（ＴＦＥ）のコポリマー、ヘキサフルオロプロピレン（ＨＦＰ）のコポリマー、テトラフルオロエチレン（ＴＦＥ）のターポリマー、又はそれらの任意の組み合わせ、を含む、実施形態１５４に記載の方法。
実施形態１５６。ペルフルオロポリマーは、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）、ペルフルオロアルコキシポリマー樹脂（ＰＦＡ）、フッ素化エチレンプロピレン（ＦＥＰ）、又はそれらの任意の組み合わせを含む、実施形態１５４に記載のプリント回路基板。
実施形態１５７。ペルフルオロポリマーは、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）、ペルフルオロアルコキシポリマー樹脂（ＰＦＡ）、フッ素化エチレンプロピレン（ＦＥＰ）、又はそれらの任意の組み合わせからなる、実施形態１５４に記載のプリント回路基板。
実施形態１５８。第２の樹脂マトリックス成分の含有量は、第２の充填ポリマー層の総体積に対して少なくとも約４５体積％である、実施形態１４８に記載のプリント回路基板。
実施形態１５９。第２の樹脂マトリックス成分の含有量は、第２の充填ポリマー層の総体積に対して約６３体積％以下である、実施形態１４８に記載のプリント回路基板。
実施形態１６０。ペルフルオロポリマーの含有量は、第２の充填ポリマー層の総体積に対して少なくとも約４５体積％である、実施形態１４８に記載のプリント回路基板。
実施形態１６１。ペルフルオロポリマーの含有量は、第２の充填ポリマー層の総体積に対して約６３体積％以下である、実施形態１４８に記載のプリント回路基板。
実施形態１６２。第２のセラミックフィラー成分の含有量は、第２の充填ポリマー層の総体積に対して少なくとも約３０体積％である、実施形態１４８に記載のプリント回路基板。
実施形態１６３。第２のセラミックフィラー成分の含有量は、第２の充填ポリマー層の総体積に対して約５７体積％以下である、実施形態１４８に記載のプリント回路基板。
実施形態１６４。第２のフィラー材料の含有量は、第２のセラミックフィラー成分の総体積に対して少なくとも約８０体積％である、実施形態１４８に記載のプリント回路基板。
実施形態１６５。第２のフィラー材料の含有量は、第２のセラミックフィラー成分の総体積に対して約１００体積％以下である、実施形態１４８に記載のプリント回路基板。
実施形態１６６。第２のセラミックフィラー成分は、ＴｉＯ２フィラー材料を更に含む、実施形態１４８に記載のプリント回路基板。
実施形態１６７。ＴｉＯ２フィラー材料の含有量は、第２のセラミックフィラー成分の総体積に対して少なくとも約１体積％である、実施形態１６６に記載のプリント回路基板。
実施形態１６８。ＴｉＯ２フィラー材料の含有量は、第２のセラミックフィラー成分の総体積に対して約２０体積％以下である、実施形態１６６に記載のプリント回路基板。
実施形態１６９。第２のセラミックフィラー成分は、少なくとも約９７％が非晶質である、実施形態１４８に記載のプリント回路基板。
実施形態１７０。誘電体基板は、約１０体積％以下の空隙率を有する、実施形態１２１及び１４８のいずれか１つに記載のプリント回路基板。
実施形態１７１。誘電体基板は、少なくとも約１０マイクロメートルの平均厚さを有する、実施形態１２１及び１４８のいずれか１つに記載のプリント回路基板。
実施形態１７２。誘電体基板は、約２００マイクロメートル以下の平均厚さを有する、実施形態１２１及び１４８のいずれか１つに記載のプリント回路基板。
実施形態１７３。誘電体基板は、約０．００５以下の誘電正接（５ＧＨｚ、２０％ＲＨ）を有する、実施形態１２１及び１４８のいずれか１つに記載のプリント回路基板。
実施形態１７４。誘電体基板は、約０．００１４以下の誘電正接（５ＧＨｚ、２０％ＲＨ）を有する、実施形態１２１及び１４８のいずれか１つに記載のプリント回路基板。
実施形態１７５。誘電体基板は、約８０ｐｐｍ／℃以下の熱膨張係数（ｘ／ｙ軸）を有する、実施形態１２１及び１４８のいずれか１つに記載のプリント回路基板。
実施形態１７６。誘電体基板は、第１の充填ポリマー層とポリイミド層との間に少なくとも約５ｌｂ／ｉｎの剥離強度を有する、実施形態１２１及び１４８のいずれか１つに記載のプリント回路基板。
実施形態１７７。誘電体基板は、第２の充填ポリマー層とポリイミド層との間に少なくとも約５ｌｂ／ｉｎの剥離強度を有する、実施形態１２１及び１４８のいずれか１つに記載のプリント回路基板。
実施形態１７８。プリント回路基板は、銅箔層と誘電体基板との間に少なくとも約５ｌｂ／ｉｎの剥離強度を有する、実施形態１２１及び１４８のいずれか１つに記載のプリント回路基板。
実施形態１７９。誘電体基板は、少なくとも約６０ＭＰａの引張強度を有する、実施形態１２１及び１４８のいずれか１つに記載のプリント回路基板。
実施形態１８０。誘電体基板は、少なくとも約１．３ＧＰａの弾性率を有する、実施形態１２１及び１４８のいずれか１つに記載のプリント回路基板。
実施形態１８１。誘電体基板は、約１．２％以下の吸湿率を有する、実施形態１２１及び１４８のいずれか１つに記載のプリント回路基板。
実施形態１８２。プリント回路基板は、約１０体積％以下の空隙率を有する、実施形態１２１及び１４８のいずれか１つに記載のプリント回路基板。
実施形態１８３。誘電体基板を形成する方法であって、本方法は、ポリイミド層を提供することと、第１の樹脂マトリックス前駆体成分と第１のセラミックフィラー前駆体成分とを組み合わせて形成混合物を形成することと、形成混合物を、ポリイミド層の上を覆う第１の充填ポリマー層に形成することと、を含み、第１のセラミックフィラー前駆体成分は、第１のフィラー前駆体材料を含み、第１のフィラー前駆体材料は、約１０マイクロメートル以下の平均粒径を更に有する、方法。
実施形態１８４。第１のセラミックフィラー前駆体成分の第１のフィラー前駆体材料の粒径分布は、少なくとも約０．２マイクロメートルかつ約１．６以下のＤ１０、少なくとも約０．５マイクロメートルかつ約２．７マイクロメートル以下のＤ５０、及び少なくとも約０．８マイクロメートルかつ約４．７マイクロメートル以下のＤ９０を含む、実施形態１８３に記載の方法。
実施形態１８５。第１のセラミックフィラー前駆体成分の第１のフィラー前駆体材料は、約８以下の粒径分布スパン（ＰＳＤＳ）を有し、ＰＳＤＳは、（Ｄ９０－Ｄ１０）／Ｄ５０に等しく、式中、Ｄ９０は、第１のフィラー前駆体材料のＤ９０粒径分布測定値に等しく、Ｄ１０は、第１のフィラー前駆体材料のＤ１０粒径分布測定値に等しく、Ｄ５０は、第１のフィラー前駆体材料のＤ５０粒径分布測定値に等しい、実施形態１８３に記載の方法。
実施形態１８６。第１のフィラー前駆体材料は、約１０ｍ２／ｇ以下の平均表面積を更に有する、実施形態１８３に記載の方法。
実施形態１８７。第１のフィラー前駆体材料は、シリカ系化合物を含む、実施形態１８３に記載の方法。
実施形態１８８。第１のフィラー前駆体材料は、シリカを含む、実施形態１８３に記載の方法。
実施形態１８９。第１の樹脂マトリックス前駆体成分は、ペルフルオロポリマーを含む、実施形態１８３に記載の方法。
実施形態１９０。ペルフルオロポリマーは、テトラフルオロエチレン（ＴＦＥ）のコポリマー、ヘキサフルオロプロピレン（ＨＦＰ）のコポリマー、テトラフルオロエチレン（ＴＦＥ）のターポリマー、又はそれらの任意の組み合わせ、を含む、実施形態１８９に記載の方法。
実施形態１９１。ペルフルオロポリマーは、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）、ペルフルオロアルコキシポリマー樹脂（ＰＦＡ）、フッ素化エチレンプロピレン（ＦＥＰ）、又はそれらの任意の組み合わせを含む、実施形態１８９に記載の方法。
実施形態１９２。ペルフルオロポリマーは、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）、ペルフルオロアルコキシポリマー樹脂（ＰＦＡ）、フッ素化エチレンプロピレン（ＦＥＰ）、又はそれらの任意の組み合わせからなる、実施形態１８９に記載の方法。
実施形態１９３。第１の樹脂マトリックス前駆体成分の含有量は、第１の充填ポリマー層の総体積に対して少なくとも約４５体積％である、実施形態１８３に記載の方法。
実施形態１９４。第１の樹脂マトリックス前駆体成分の含有量は、第１の充填ポリマー層の総体積に対して約６３体積％以下である、実施形態１８３に記載の方法。
実施形態１９５。ペルフルオロポリマーの含有量は、第１の充填ポリマー層の総体積に対して少なくとも約４５体積％である、実施形態１８９に記載の方法。
実施形態１９６。ペルフルオロポリマーの含有量は、第１の充填ポリマー層の総体積に対して約６３体積％以下である、実施形態１８９に記載の方法。
実施形態１９７。第１のセラミックフィラー前駆体成分の含有量は、第１の充填ポリマー層の総体積に対して少なくとも約３０体積％である、実施形態１８３に記載の方法。
実施形態１９８。第１のセラミックフィラー前駆体成分の含有量は、第１の充填ポリマー層の総体積に対して約５７体積％以下である、実施形態１８３に記載の方法。
実施形態１９９。第１のフィラー前駆体材料の含有量は、第１のセラミックフィラー前駆体成分の総体積に対して少なくとも約８０体積％である、実施形態１８３に記載の方法。
実施形態２００。第１のフィラー前駆体材料の含有量は、第１のセラミックフィラー前駆体成分の総体積に対して約１００体積％以下である、実施形態１８３に記載の方法。
実施形態２０１。第１のセラミックフィラー前駆体成分は、第２のフィラー前駆体材料を更に含む、実施形態１８３に記載の方法。
実施形態２０２。第１のセラミックフィラー前駆体成分の第２のフィラー前駆体材料は、高誘電率セラミック材料を含む、実施形態２０１に記載の方法。
実施形態２０３。高誘電率セラミック材料は、少なくとも約１４の誘電率を有する、実施形態２０２に記載の方法。
実施形態２０４。第１のセラミックフィラー成分は、ＴｉＯ２、ＳｒＴｉＯ３、ＺｒＴｉ２Ｏ６、ＭｇＴｉＯ３、ＣａＴｉＯ３、ＢａＴｉＯ４、又はそれらの任意の組み合わせを更に含む、実施形態２０２に記載の方法。
実施形態２０５。第１のセラミックフィラー前駆体成分の第２のフィラー前駆体材料の含有量は、第１のセラミックフィラー前駆体成分の総体積に対して少なくとも約１体積％である、実施形態２０１に記載の方法。
実施形態２０６。第１のセラミックフィラー前駆体成分の第２のフィラー前駆体材料の含有量は、第１のセラミックフィラー前駆体成分の総体積に対して約２０体積％以下である、実施形態２０１に記載の方法。
実施形態２０７。第１のセラミックフィラー前駆体成分中のＴｉＯ２フィラー材料の含有量は、第１のセラミックフィラー前駆体成分の総体積に対して少なくとも約１体積％である、実施形態２０４に記載の方法。
実施形態２０８。第１のセラミックフィラー前駆体成分中のＴｉＯ２フィラー材料の含有量は、第１のセラミックフィラー前駆体成分の総体積に対して約２０体積％以下である、実施形態２０４に記載の方法。
実施形態２０９。第１のセラミックフィラー前駆体成分は、少なくとも約９７％が非晶質である、実施形態１８３に記載の方法。
実施形態２１０。誘電体基板は、ポリイミド層の下を覆う第２の充填ポリマー層を更に含み、第２の充填ポリマー層は、第２の樹脂マトリックス前駆体成分と、第２のセラミックフィラー前駆体成分と、を含み、第２のセラミックフィラー前駆体成分は、第３のフィラー前駆体材料を含み、第３のフィラー前駆体材料は、約１０マイクロメートル以下の平均粒径を更に有する、実施形態１８３に記載の方法。
実施形態２１１。第２のセラミックフィラー成分の第３のフィラー前駆体材料の粒径分布は、少なくとも約０．２マイクロメートルかつ約１．６以下のＤ１０、少なくとも約０．５マイクロメートルかつ約２．７マイクロメートル以下のＤ５０、及び少なくとも約０．８マイクロメートルかつ約４．７マイクロメートル以下のＤ９０を含む、実施形態２１０に記載の方法。
実施形態２１２。第２のセラミックフィラー成分の第３のフィラー前駆体材料は、約８以下の粒径分布スパン（ＰＳＤＳ）を含み、ＰＳＤＳは、（Ｄ９０－Ｄ１０）／Ｄ５０に等しく、式中、Ｄ９０は、第３のフィラー前駆体材料のＤ９０粒径分布測定値に等しく、Ｄ１０は、第３のフィラー前駆体材料のＤ１０粒径分布測定値に等しく、Ｄ５０は、第３のフィラー前駆体材料のＤ５０粒径分布測定値に等しい、実施形態２１０に記載の方法。
実施形態２１３。第３のフィラー前駆体材料は、約１０ｍ２／ｇ以下の平均表面積を更に有する、実施形態２１０に記載の方法。
実施形態２１４。第３のフィラー前駆体材料は、シリカ系化合物を含む、実施形態２１０に記載の方法。
実施形態２１５。第３のフィラー前駆体材料は、シリカを含む、実施形態２１０に記載の方法。
実施形態２１６。第３のフィラー前駆体材料は、ペルフルオロポリマーを含む、実施形態２１０に記載の方法。
実施形態２１７。ペルフルオロポリマーは、テトラフルオロエチレン（ＴＦＥ）のコポリマー、ヘキサフルオロプロピレン（ＨＦＰ）のコポリマー、テトラフルオロエチレン（ＴＦＥ）のターポリマー、又はそれらの任意の組み合わせ、を含む、実施形態２１６に記載の方法。
実施形態２１８。ペルフルオロポリマーは、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）、ペルフルオロアルコキシポリマー樹脂（ＰＦＡ）、フッ素化エチレンプロピレン（ＦＥＰ）、又はそれらの任意の組み合わせを含む、実施形態２１６に記載の方法。
実施形態２１９。ペルフルオロポリマーは、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）、ペルフルオロアルコキシポリマー樹脂（ＰＦＡ）、フッ素化エチレンプロピレン（ＦＥＰ）、又はそれらの任意の組み合わせからなる、実施形態２１６に記載の方法。
実施形態２２０。第２の樹脂マトリックス前駆体成分の含有量は、第２の充填ポリマー層の総体積に対して少なくとも約４５体積％である、実施形態２１０に記載の方法。
実施形態２２１。第２の樹脂マトリックス前駆体成分の含有量は、第２の充填ポリマー層の総体積に対して約６３体積％以下である、実施形態２１０に記載の方法。
実施形態２２２。ペルフルオロポリマーの含有量は、第２の充填ポリマー層の総体積に対して少なくとも約４５体積％である、実施形態２１０に記載の方法。
実施形態２２３。ペルフルオロポリマーの含有量は、第２の充填ポリマー層の総体積に対して約６３体積％以下である、実施形態２１０に記載の方法。
実施形態２２４。第２のセラミックフィラー前駆体成分の含有量は、第２の充填ポリマー層の総体積に対して少なくとも約３０体積％である、実施形態２１０に記載の方法。
実施形態２２５。第２のセラミックフィラー前駆体成分の含有量は、第２の充填ポリマー層の総体積に対して約５７体積％以下である、実施形態２１０に記載の方法。
実施形態２２６。第３のフィラー前駆体材料の含有量は、第２のセラミックフィラー成分の総体積に対して少なくとも約８０体積％である、実施形態２１０に記載の方法。
実施形態２２７。第３のフィラー前駆体材料の含有量は、第２のセラミックフィラー成分の総体積に対して約１００体積％以下である、実施形態２１０に記載の方法。
実施形態２２８。第２のセラミックフィラー前駆体成分は、ＴｉＯ２フィラー材料を更に含む、実施形態２１０に記載の方法。
実施形態２２９。ＴｉＯ２フィラー材料の含有量は、第２のセラミックフィラー前駆体成分の総体積に対して少なくとも約１体積％である、実施形態２２８に記載の方法。
実施形態２３０。ＴｉＯ２フィラー材料の含有量は、第２のセラミックフィラー前駆体成分の総体積に対して約２０体積％以下である、実施形態２２８に記載の方法。
実施形態２３１。第２のセラミックフィラー前駆体成分は、少なくとも約９７％が非晶質である、実施形態２２８に記載の方法。
実施形態２３２。誘電体基板は、約１０体積％以下の空隙率を有する、実施形態１８３及び２１０のいずれか１つに記載の方法。
実施形態２３３。誘電体基板は、少なくとも約１０マイクロメートルの平均厚さを有する、実施形態１８３及び２１０のいずれか１つに記載の方法。
実施形態２３４。誘電体基板は、約２００マイクロメートル以下の平均厚さを有する、実施形態１８３及び２１０のいずれか１つに記載の方法。
実施形態２３５。誘電体基板は、約０．００５以下の誘電正接（５ＧＨｚ、２０％ＲＨ）を有する、実施形態１８３及び２１０のいずれか１つに記載の方法。
実施形態２３６。誘電体基板は、約０．００１４以下の誘電正接（５ＧＨｚ、２０％ＲＨ）を有する、実施形態１８３及び２１０のいずれか１つに記載の方法。
実施形態２３７。誘電体基板は、約８０ｐｐｍ／℃以下の熱膨張係数（ｘ／ｙ軸）を有する、実施形態１８３及び２１０のいずれか１つに記載の方法。
実施形態２３８。誘電体基板は、第１の充填ポリマー層とポリイミド層との間に少なくとも約５ｌｂ／ｉｎの剥離強度を有する、実施形態１８３及び２１０のいずれか１つに記載の方法。
実施形態２３９。誘電体基板は、第２の充填ポリマー層とポリイミド層との間に少なくとも約５ｌｂ／ｉｎの剥離強度を有する、実施形態１８３及び２１０のいずれか１つに記載の方法。
実施形態２４０。誘電基板は、約１．２％以下の吸湿率を有する、実施形態１８３及び２１０のいずれか１つに記載の方法。
実施形態２４１。銅張積層板を形成する方法であって、本方法は、銅箔層を提供することと、銅箔層の上を覆う誘電体基板を形成することと、を含み、誘電体基板を形成することは、ポリイミド層を提供することと、第１の樹脂マトリックス前駆体成分と第１のセラミックフィラー前駆体成分とを組み合わせて形成混合物を形成することと、形成混合物を、ポリイミド層の上を覆う第１の充填ポリマー層に形成することと、を含み、第１のセラミックフィラー前駆体成分は、第１のフィラー前駆体材料を含み、第１のフィラー前駆体材料は、約１０マイクロメートル以下の平均粒径を更に有する、方法。
実施形態２４２。第１のセラミックフィラー前駆体成分の第１のフィラー前駆体材料の粒径分布は、少なくとも約０．２マイクロメートルかつ約１．６以下のＤ１０、少なくとも約０．５マイクロメートルかつ約２．７マイクロメートル以下のＤ５０、及び少なくとも約０．８マイクロメートルかつ約４．７マイクロメートル以下のＤ９０を含む、実施形態２４１に記載の方法。
実施形態２４３。第１のセラミックフィラー前駆体成分の第１のフィラー前駆体材料は、約８以下の粒径分布スパン（ＰＳＤＳ）を有し、ＰＳＤＳは、（Ｄ９０－Ｄ１０）／Ｄ５０に等しく、式中、Ｄ９０は、第１のフィラー前駆体材料のＤ９０粒径分布測定値に等しく、Ｄ１０は、第１のフィラー前駆体材料のＤ１０粒径分布測定値に等しく、Ｄ５０は、第１のフィラー前駆体材料のＤ５０粒径分布測定値に等しい、実施形態２４１に記載の方法。
実施形態２４４。第１のフィラー前駆体材料は、約１０ｍ２／ｇ以下の平均表面積を更に有する、実施形態２４１に記載の方法。
実施形態２４５。第１のフィラー前駆体材料は、シリカ系化合物を含む、実施形態２４１に記載の方法。
実施形態２４６。第１のフィラー前駆体材料は、シリカを含む、実施形態２４１に記載の方法。
実施形態２４７。第１の樹脂マトリックス前駆体成分は、ペルフルオロポリマーを含む、実施形態２４１に記載の方法。
実施形態２４８。ペルフルオロポリマーは、テトラフルオロエチレン（ＴＦＥ）のコポリマー、ヘキサフルオロプロピレン（ＨＦＰ）のコポリマー、テトラフルオロエチレン（ＴＦＥ）のターポリマー、又はそれらの任意の組み合わせ、を含む、実施形態２４７に記載の方法。
実施形態２４９。ペルフルオロポリマーは、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）、ペルフルオロアルコキシポリマー樹脂（ＰＦＡ）、フッ素化エチレンプロピレン（ＦＥＰ）、又はそれらの任意の組み合わせを含む、実施形態２４７に記載の方法。
実施形態２５０。ペルフルオロポリマーは、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）、ペルフルオロアルコキシポリマー樹脂（ＰＦＡ）、フッ素化エチレンプロピレン（ＦＥＰ）、又はそれらの任意の組み合わせからなる、実施形態２４７に記載の方法。
実施形態２５１。第１の樹脂マトリックス前駆体成分の含有量は、第１の充填ポリマー層の総体積に対して少なくとも約４５体積％である、実施形態２４１に記載の方法。
実施形態２５２。第１の樹脂マトリックス前駆体成分の含有量は、第１の充填ポリマー層の総体積に対して約６３体積％以下である、実施形態２４１に記載の方法。
実施形態２５３。ペルフルオロポリマーの含有量は、第１の充填ポリマー層の総体積に対して少なくとも約４５体積％である、実施形態２４７に記載の方法。
実施形態２５４。ペルフルオロポリマーの含有量は、第１の充填ポリマー層の総体積に対して約６３体積％以下である、実施形態２４７に記載の方法。
実施形態２５５。第１のセラミックフィラー前駆体成分の含有量は、第１の充填ポリマー層の総体積に対して少なくとも約３０体積％である、実施形態２４１に記載の方法。
実施形態２５６。第１のセラミックフィラー前駆体成分の含有量は、第１の充填ポリマー層の総体積に対して約５７体積％以下である、実施形態２４１に記載の方法。
実施形態２５７。第１のフィラー前駆体材料の含有量は、第１のセラミックフィラー前駆体成分の総体積に対して少なくとも約８０体積％である、実施形態２４１に記載の方法。
実施形態２５８。第１のフィラー前駆体材料の含有量は、第１のセラミックフィラー前駆体成分の総体積に対して約１００体積％以下である、実施形態２４１に記載の方法。
実施形態２５９。第１のセラミックフィラー前駆体成分は、第２のフィラー前駆体材料を更に含む、実施形態２４１に記載の方法。
実施形態２６０。第１のセラミックフィラー前駆体成分の第２のフィラー前駆体材料は、高誘電率セラミック材料を含む、実施形態２５９に記載の方法。
実施形態２６１。高誘電率セラミック材料は、少なくとも約１４の誘電率を有する、実施形態２６０に記載の方法。
実施形態２６２。第１のセラミックフィラー成分は、ＴｉＯ２、ＳｒＴｉＯ３、ＺｒＴｉ２Ｏ６、ＭｇＴｉＯ３、ＣａＴｉＯ３、ＢａＴｉＯ４、又はそれらの任意の組み合わせを更に含む、実施形態２６０に記載の方法。
実施形態２６３。第１のセラミックフィラー前駆体成分の第２のフィラー前駆体材料の含有量は、第１のセラミックフィラー前駆体成分の総体積に対して少なくとも約１体積％である、実施形態２５９に記載の方法。
実施形態２６４。第１のセラミックフィラー前駆体成分の第２のフィラー前駆体材料の含有量は、第１のセラミックフィラー前駆体成分の総体積に対して約２０体積％以下である、実施形態２５９に記載の方法。
実施形態２６５。第１のセラミックフィラー前駆体成分中のＴｉＯ２フィラー材料の含有量は、第１のセラミックフィラー前駆体成分の総体積に対して少なくとも約１体積％である、実施形態２６２に記載の方法。
実施形態２６６。第１のセラミックフィラー前駆体成分中のＴｉＯ２フィラー材料の含有量は、第１のセラミックフィラー前駆体成分の総体積に対して約２０体積％以下である、実施形態２６２に記載の方法。
実施形態２６７。第１のセラミックフィラー前駆体成分は、少なくとも約９７％が非晶質である、実施形態２４１に記載の方法。
実施形態２６８。誘電体基板は、ポリイミド層の下を覆う第２の充填ポリマー層を更に含み、第２の充填ポリマー層は、第２の樹脂マトリックス前駆体成分と、第２のセラミックフィラー前駆体成分と、を含み、第２のセラミックフィラー前駆体成分は、第３のフィラー前駆体材料を含み、第３のフィラー前駆体材料は、約１０マイクロメートル以下の平均粒径を更に有する、実施形態２４１に記載の方法。
実施形態２６９。第２のセラミックフィラー成分の第３のフィラー前駆体材料の粒径分布は、少なくとも約０．２マイクロメートルかつ約１．６以下のＤ１０、少なくとも約０．５マイクロメートルかつ約２．７マイクロメートル以下のＤ５０、及び少なくとも約０．８マイクロメートルかつ約４．７マイクロメートル以下のＤ９０を含む、実施形態２５９に記載の方法。
実施形態２７０。第２のセラミックフィラー成分の第３のフィラー前駆体材料は、約８以下の粒径分布スパン（ＰＳＤＳ）を有し、ＰＳＤＳは、（Ｄ９０－Ｄ１０）／Ｄ５０に等しく、式中、Ｄ９０は、第３のフィラー前駆体材料のＤ９０粒径分布測定値に等しく、Ｄ１０は、第３のフィラー前駆体材料のＤ１０粒径分布測定値に等しく、Ｄ５０は、第３のフィラー前駆体材料のＤ５０粒径分布測定値に等しい、実施形態２５９に記載の方法。
実施形態２７１。第３のフィラー前駆体材料は、約１０ｍ２／ｇ以下の平均表面積を更に有する、実施形態２５９に記載の方法。
実施形態２７２。第３のフィラー前駆体材料は、シリカ系化合物を含む、実施形態２５９に記載の方法。
実施形態２７３。第３のフィラー前駆体材料は、シリカを含む、実施形態２５９に記載の方法。
実施形態２７４。第３のフィラー前駆体材料は、ペルフルオロポリマーを含む、実施形態２５９に記載の方法。
実施形態２７５。ペルフルオロポリマーは、テトラフルオロエチレン（ＴＦＥ）のコポリマー、ヘキサフルオロプロピレン（ＨＦＰ）のコポリマー、テトラフルオロエチレン（ＴＦＥ）のターポリマー、又はそれらの任意の組み合わせ、を含む、実施形態２７４に記載の方法。
実施形態２７６。ペルフルオロポリマーは、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）、ペルフルオロアルコキシポリマー樹脂（ＰＦＡ）、フッ素化エチレンプロピレン（ＦＥＰ）、又はそれらの任意の組み合わせを含む、実施形態２７４に記載の方法。
実施形態２７７。ペルフルオロポリマーは、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）、ペルフルオロアルコキシポリマー樹脂（ＰＦＡ）、フッ素化エチレンプロピレン（ＦＥＰ）、又はそれらの任意の組み合わせからなる、実施形態２７４に記載の方法。
実施形態２７８。第２の樹脂マトリックス前駆体成分の含有量は、第２の充填ポリマー層の総体積に対して少なくとも約４５体積％である、実施形態２５９に記載の方法。
実施形態２７９。第２の樹脂マトリックス前駆体成分の含有量は、第２の充填ポリマー層の総体積に対して約６３体積％以下である、実施形態２５９に記載の方法。
実施形態２８０。ペルフルオロポリマーの含有量は、第２の充填ポリマー層の総体積に対して少なくとも約４５体積％である、実施形態２５９に記載の方法。
実施形態２８１。ペルフルオロポリマーの含有量は、第２の充填ポリマー層の総体積に対して約６３体積％以下である、実施形態２５９に記載の方法。
実施形態２８２。第２のセラミックフィラー前駆体成分の含有量は、第２の充填ポリマー層の総体積に対して少なくとも約３０体積％である、実施形態２５９に記載の方法。
実施形態２８３。第２のセラミックフィラー前駆体成分の含有量は、第２の充填ポリマー層の総体積に対して約５７体積％以下である、実施形態２５９に記載の方法。
実施形態２８４。第３のフィラー前駆体材料の含有量は、第２のセラミックフィラー成分の総体積に対して少なくとも約８０体積％である、実施形態２５９に記載の方法。
実施形態２８５。第３のフィラー前駆体材料の含有量は、第２のセラミックフィラー成分の総体積に対して約１００体積％以下である、実施形態２５９に記載の方法。
実施形態２８６。第２のセラミックフィラー前駆体成分は、ＴｉＯ２フィラー材料を更に含む、実施形態２５９に記載の方法。
実施形態２８７。ＴｉＯ２フィラー材料の含有量は、第２のセラミックフィラー前駆体成分の総体積に対して少なくとも約１体積％である、実施形態２８６に記載の方法。
実施形態２８８。ＴｉＯ２フィラー材料の含有量は、第２のセラミックフィラー前駆体成分の総体積に対して約２０体積％以下である、実施形態２８６に記載の方法。
実施形態２８９。第２のセラミックフィラー前駆体成分は、少なくとも約９７％が非晶質である、実施形態２８６に記載の方法。
実施形態２９０。誘電体基板は、約１０体積％以下の空隙率を有する、実施形態２４１及び２５９のいずれか１つに記載の方法。
実施形態２９１。誘電体基板は、少なくとも約１０マイクロメートルの平均厚さを有する、実施形態２４１及び２５９のいずれか１つに記載の方法。
実施形態２９２。誘電体基板は、約２００マイクロメートル以下の平均厚さを有する、実施形態２４１及び２５９のいずれか１つに記載の方法。
実施形態２９３。誘電体基板は、約０．００５以下の誘電正接（５ＧＨｚ、２０％ＲＨ）を有する、実施形態２４１及び２５９のいずれか１つに記載の方法。
実施形態２９４。誘電体基板は、約０．００１４以下の誘電正接（５ＧＨｚ、２０％ＲＨ）を有する、実施形態２４１及び２５９のいずれか１つに記載の方法。
実施形態２９５。誘電体基板は、約８０ｐｐｍ／℃以下の熱膨張係数（ｘ／ｙ軸）を有する、実施形態２４１及び２５９のいずれか１つに記載の方法。
実施形態２９６。誘電体基板は、第１の充填ポリマー層とポリイミド層との間に少なくとも約５ｌｂ／ｉｎの剥離強度を有する、実施形態２４１及び２５９のいずれか１つに記載の方法。
実施形態２９７。誘電体基板は、第２の充填ポリマー層とポリイミド層との間に少なくとも約５ｌｂ／ｉｎの剥離強度を有する、実施形態２４１及び２５９のいずれか１つに記載の方法。
実施形態２９８。誘電体基板は、約１．２％以下の吸湿率を有する、実施形態２４１及び２５９のいずれか１つに記載の方法。
実施形態２９９。プリント回路基板を形成する方法であって、本方法は、銅箔層を提供することと、銅箔層の上を覆う誘電体基板を形成することと、を含み、誘電体基板を形成することは、ポリイミド層を提供することと、第１の樹脂マトリックス前駆体成分と第１のセラミックフィラー前駆体成分とを組み合わせて形成混合物を形成することと、形成混合物を、ポリイミド層の上を覆う第１の充填ポリマー層に形成することと、を含み、第１のセラミックフィラー前駆体成分は、第１のフィラー前駆体材料を含み、第１のフィラー前駆体材料は、約１０マイクロメートル以下の平均粒径を更に有する、方法。
実施形態３００。第１のセラミックフィラー前駆体成分の第１のフィラー前駆体材料の粒径分布は、少なくとも約０．２マイクロメートルかつ約１．６以下のＤ１０、少なくとも約０．５マイクロメートルかつ約２．７マイクロメートル以下のＤ５０、及び少なくとも約０．８マイクロメートルかつ約４．７マイクロメートル以下のＤ９０を含む、実施形態２９９に記載の方法。
実施形態３０１。第１のセラミックフィラー前駆体成分の第１のフィラー前駆体材料は、約８以下の粒径分布スパン（ＰＳＤＳ）を有し、ＰＳＤＳは、（Ｄ９０－Ｄ１０）／Ｄ５０に等しく、式中、Ｄ９０は、第１のフィラー前駆体材料のＤ９０粒径分布測定値に等しく、Ｄ１０は、第１のフィラー前駆体材料のＤ１０粒径分布測定値に等しく、Ｄ５０は、第１のフィラー前駆体材料のＤ５０粒径分布測定値に等しい、実施形態２９９に記載の方法。
実施形態３０２。第１のフィラー前駆体材料は、約１０ｍ２／ｇ以下の平均表面積を更に有する、実施形態２９９に記載の方法。
実施形態３０３。第１のフィラー前駆体材料は、シリカ系化合物を含む、実施形態２９９に記載の方法。
実施形態３０４。第１のフィラー前駆体材料は、シリカを含む、実施形態２９９に記載の方法。
実施形態３０５。第１の樹脂マトリックス前駆体成分は、ペルフルオロポリマーを含む、実施形態２９９に記載の方法。
実施形態３０６。ペルフルオロポリマーは、テトラフルオロエチレン（ＴＦＥ）のコポリマー、ヘキサフルオロプロピレン（ＨＦＰ）のコポリマー、テトラフルオロエチレン（ＴＦＥ）のターポリマー、又はそれらの任意の組み合わせ、を含む、実施形態３０５に記載の方法。
実施形態３０７。ペルフルオロポリマーは、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）、ペルフルオロアルコキシポリマー樹脂（ＰＦＡ）、フッ素化エチレンプロピレン（ＦＥＰ）、又はそれらの任意の組み合わせを含む、実施形態３０５に記載の方法。
実施形態３０８。ペルフルオロポリマーは、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）、ペルフルオロアルコキシポリマー樹脂（ＰＦＡ）、フッ素化エチレンプロピレン（ＦＥＰ）、又はそれらの任意の組み合わせからなる、実施形態３０５に記載の方法。
実施形態３０９。第１の樹脂マトリックス前駆体成分の含有量は、第１の充填ポリマー層の総体積に対して少なくとも約４５体積％である、実施形態２９９に記載の方法。
実施形態３１０。第１の樹脂マトリックス前駆体成分の含有量は、第１の充填ポリマー層の総体積に対して約６３体積％以下である、実施形態２９９に記載の方法。
実施形態３１１。ペルフルオロポリマーの含有量は、第１の充填ポリマー層の総体積に対して少なくとも約４５体積％である、実施形態３０５に記載の方法。
実施形態３１２。ペルフルオロポリマーの含有量は、第１の充填ポリマー層の総体積に対して約６３体積％以下である、実施形態３０５に記載の方法。
実施形態３１３。第１のセラミックフィラー前駆体成分の含有量は、第１の充填ポリマー層の総体積に対して少なくとも約３０体積％である、実施形態２９９に記載の方法。
実施形態３１４。第１のセラミックフィラー前駆体成分の含有量は、第１の充填ポリマー層の総体積に対して約５７体積％以下である、実施形態２９９に記載の方法。
実施形態３１５。第１のフィラー前駆体材料の含有量は、第１のセラミックフィラー前駆体成分の総体積に対して少なくとも約８０体積％である、実施形態２９９に記載の方法。
実施形態３１６。第１のフィラー前駆体材料の含有量は、第１のセラミックフィラー前駆体成分の総体積に対して約１００体積％以下である、実施形態２９９に記載の方法。
実施形態３１７。第１のセラミックフィラー前駆体成分は、第２のフィラー前駆体材料を更に含む、実施形態２９９に記載の方法。
実施形態３１８。第１のセラミックフィラー前駆体成分の第２のフィラー前駆体材料は、高誘電率セラミック材料を含む、実施形態３１７に記載の方法。
実施形態３１９。高誘電率セラミック材料は、少なくとも約１４の誘電率を有する、実施形態３１８に記載の方法。
実施形態３２０。第１のセラミックフィラー成分は、ＴｉＯ２、ＳｒＴｉＯ３、ＺｒＴｉ２Ｏ６、ＭｇＴｉＯ３、ＣａＴｉＯ３、ＢａＴｉＯ４、又はそれらの任意の組み合わせを更に含む、実施形態３１８に記載の方法。
実施形態３２１。第１のセラミックフィラー前駆体成分の第２のフィラー前駆体材料の含有量は、第１のセラミックフィラー前駆体成分の総体積に対して少なくとも約１体積％である、実施形態３１７に記載の方法。
実施形態３２２。第１のセラミックフィラー前駆体成分の第２のフィラー前駆体材料の含有量は、第１のセラミックフィラー前駆体成分の総体積に対して約２０体積％以下である、実施形態３１７に記載の方法。
実施形態３２３。第１のセラミックフィラー前駆体成分中のＴｉＯ２フィラー材料の含有量は、第１のセラミックフィラー前駆体成分の総体積に対して少なくとも約１体積％である、実施形態３１８に記載の方法。
実施形態３２４。第１のセラミックフィラー前駆体成分中のＴｉＯ２フィラー材料の含有量は、第１のセラミックフィラー前駆体成分の総体積に対して約２０体積％以下である、実施形態３１８に記載の方法。
実施形態３２５。第１のセラミックフィラー前駆体成分は、少なくとも約９７％が非晶質である、実施形態２９９に記載の方法。
実施形態３２６。誘電体基板は、ポリイミド層の下を覆う第２の充填ポリマー層を更に含み、第２の充填ポリマー層は、第２の樹脂マトリックス前駆体成分と、第２のセラミックフィラー前駆体成分と、を含み、第２のセラミックフィラー前駆体成分は、第３のフィラー前駆体材料を含み、第３のフィラー前駆体材料は、約１０マイクロメートル以下の平均粒径を更に有する、実施形態２９９に記載の方法。
実施形態３２７。第２のセラミックフィラー成分の第３のフィラー前駆体材料の粒径分布は、少なくとも約０．２マイクロメートルかつ約１．６以下のＤ１０、少なくとも約０．５マイクロメートルかつ約２．７マイクロメートル以下のＤ５０、及び少なくとも約０．８マイクロメートルかつ約４．７マイクロメートル以下のＤ９０を含む、実施形態３１７に記載の方法。
実施形態３２８。第２のセラミックフィラー成分の第３のフィラー前駆体材料は、約８以下の粒径分布スパン（ＰＳＤＳ）を有し、ＰＳＤＳは、（Ｄ９０－Ｄ１０）／Ｄ５０に等しく、式中、Ｄ９０は、第３のフィラー前駆体材料のＤ９０粒径分布測定値に等しく、Ｄ１０は、第３のフィラー前駆体材料のＤ１０粒径分布測定値に等しく、Ｄ５０は、第３のフィラー前駆体材料のＤ５０粒径分布測定値に等しい、実施形態３１７に記載の方法。
実施形態３２９。第３のフィラー前駆体材料は、約１０ｍ２／ｇ以下の平均表面積を更に有する、実施形態３１７に記載の方法。
実施形態３３０。第３のフィラー前駆体材料は、シリカ系化合物を含む、実施形態３１７に記載の方法。
実施形態３３１。第３のフィラー前駆体材料は、シリカを含む、実施形態３１７に記載の方法。
実施形態３３２。第３のフィラー前駆体材料は、ペルフルオロポリマーを含む、実施形態３１７に記載の方法。
実施形態３３３。ペルフルオロポリマーは、テトラフルオロエチレン（ＴＦＥ）のコポリマー、ヘキサフルオロプロピレン（ＨＦＰ）のコポリマー、テトラフルオロエチレン（ＴＦＥ）のターポリマー、又はそれらの任意の組み合わせ、を含む、実施形態３３２に記載の方法。
実施形態３３４。ペルフルオロポリマーは、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）、ペルフルオロアルコキシポリマー樹脂（ＰＦＡ）、フッ素化エチレンプロピレン（ＦＥＰ）、又はそれらの任意の組み合わせを含む、実施形態３３２に記載の方法。
実施形態３３５。ペルフルオロポリマーは、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）、ペルフルオロアルコキシポリマー樹脂（ＰＦＡ）、フッ素化エチレンプロピレン（ＦＥＰ）、又はそれらの任意の組み合わせからなる、実施形態３３２に記載の方法。
実施形態３３６。第２の樹脂マトリックス前駆体成分の含有量は、第２の充填ポリマー層の総体積に対して少なくとも約５０体積％である、実施形態３１７に記載の方法。
実施形態３３７。第２の樹脂マトリックス前駆体成分の含有量は、第２の充填ポリマー層の総体積に対して約６３体積％以下である、実施形態３１７に記載の方法。
実施形態３３８。ペルフルオロポリマーの含有量は、第２の充填ポリマー層の総体積に対して少なくとも約４５体積％である、実施形態３１７に記載の方法。
実施形態３３９。ペルフルオロポリマーの含有量は、第２の充填ポリマー層の総体積に対して約６３体積％以下である、実施形態３１７に記載の方法。
実施形態３４０。第２のセラミックフィラー前駆体成分の含有量は、第２の充填ポリマー層の総体積に対して少なくとも約３０体積％である、実施形態３１７に記載の方法。
実施形態３４１。第２のセラミックフィラー前駆体成分の含有量は、第２の充填ポリマー層の総体積に対して約５７体積％以下である、実施形態３１７に記載の方法。
実施形態３４２。第３のフィラー前駆体材料の含有量は、第２のセラミックフィラー成分の総体積に対して少なくとも約８０体積％である、実施形態３１７に記載の方法。
実施形態３４３。第３のフィラー前駆体材料の含有量は、第２のセラミックフィラー成分の総体積に対して約１００体積％以下である、実施形態３１７に記載の方法。
実施形態３４４。第２のセラミックフィラー前駆体成分は、ＴｉＯ２フィラー材料を更に含む、実施形態３１７に記載の方法。
実施形態３４５。ＴｉＯ２フィラー材料の含有量は、第２のセラミックフィラー前駆体成分の総体積に対して少なくとも約１体積％である、実施形態３４４に記載の方法。
実施形態３４６。ＴｉＯ２フィラー材料の含有量は、第２のセラミックフィラー前駆体成分の総体積に対して約２０体積％以下である、実施形態３４４に記載の方法。
実施形態３４７。第２のセラミックフィラー前駆体成分は、少なくとも約９７％、又は少なくとも約９８％、又は少なくとも約９９％が非晶質である、実施形態３４４に記載の方法。
実施形態３４８。誘電体基板は、約１０体積％以下の空隙率を有する、実施形態２９９及び３１７のいずれか１つに記載の方法。
実施形態３４９。誘電体基板は、少なくとも約１０マイクロメートルの平均厚さを有する、実施形態２９９及び３１７のいずれか１つに記載の方法。
実施形態３５０。誘電体基板は、約２００マイクロメートル以下の平均厚さを有する、実施形態２９９及び３１７のいずれか１つに記載の方法。
実施形態３５１。誘電体基板は、約０．００５以下の誘電正接（５ＧＨｚ、２０％ＲＨ）を有する、実施形態２９９及び３１７のいずれか１つに記載の方法。
実施形態３５２。誘電体基板は、約０．００１４以下の誘電正接（５ＧＨｚ、２０％ＲＨ）を有する、実施形態２９９及び３１７のいずれか１つに記載の方法。
実施形態３５３。誘電体基板は、約８０ｐｐｍ／℃以下の熱膨張係数（ｘ／ｙ軸）を有する、実施形態２９９及び３１７のいずれか１つに記載の方法。
実施形態３５４。誘電体基板は、第１の充填ポリマー層とポリイミド層との間に少なくとも約５ｌｂ／ｉｎの剥離強度を有する、実施形態２９９及び３１７のいずれか１つに記載の方法。
実施形態３５５。誘電体基板は、第２の充填ポリマー層とポリイミド層との間に少なくとも約５ｌｂ／ｉｎの剥離強度を有する、実施形態２９９及び３１７のいずれか１つに記載の方法。
実施形態３５６。誘電体基板は、約１．２％以下の吸湿率を有する、実施形態２９９及び３１７のいずれか１つに記載の方法。
実施例
本明細書に記載されている概念について、以下の実施例において更に説明するが、これらは特許請求の範囲に記載されている発明の範囲を限定するものではない。
本明細書に記載されている概念について、以下の実施例において更に説明するが、これらは特許請求の範囲に記載されている発明の範囲を限定するものではない。
実施例１
サンプル誘電体基板Ｓ１～Ｓ８を、本明細書に記載されている特定の実施形態に従って構成し、かつ形成した。各サンプル誘電体基板は、ポリイミド層と、ポリイミド層の第１の表面の上を覆う第１の充填ポリマー層と、ポリイミド層の第２の表面の下を覆う第２の充填ポリマー層と、を含む。サンプル誘電体基板Ｓ１～Ｓ８の各充填ポリマー層の樹脂マトリックス成分は、１種のフルオロポリマーであるか、又は複数種のフルオロポリマーの組み合わせである。サンプル誘電体基板Ｓ１～Ｓ７の各充填ポリマー層のセラミック充填成分は、シリカ系成分タイプＡであり、サンプル誘電体基板Ｓ８の各充填ポリマー層のセラミック充填成分は、シリカ系成分タイプＢである。それぞれの充填ポリマー層の組成は、４５．６体積％の樹脂マトリックス成分及び５４．４体積％のセラミックフィラー成分である。
サンプル誘電体基板Ｓ１～Ｓ８を、本明細書に記載されている特定の実施形態に従って構成し、かつ形成した。各サンプル誘電体基板は、ポリイミド層と、ポリイミド層の第１の表面の上を覆う第１の充填ポリマー層と、ポリイミド層の第２の表面の下を覆う第２の充填ポリマー層と、を含む。サンプル誘電体基板Ｓ１～Ｓ８の各充填ポリマー層の樹脂マトリックス成分は、１種のフルオロポリマーであるか、又は複数種のフルオロポリマーの組み合わせである。サンプル誘電体基板Ｓ１～Ｓ７の各充填ポリマー層のセラミック充填成分は、シリカ系成分タイプＡであり、サンプル誘電体基板Ｓ８の各充填ポリマー層のセラミック充填成分は、シリカ系成分タイプＢである。それぞれの充填ポリマー層の組成は、４５．６体積％の樹脂マトリックス成分及び５４．４体積％のセラミックフィラー成分である。
以下の表１は、サンプル誘電体基板Ｓ１～Ｓ８に使用されたシリカ系成分タイプの粒径分布測定値（すなわちＤ１０、Ｄ５０、及びＤ９０）、粒径分布スパン、平均粒径、及びＢＥＴ表面積を含む特性を要約してある。
以下の表２は、各サンプル誘電体基板Ｓ１～Ｓ８の性能特性を要約してある。要約されている性能特性には、５ＧＨｚで測定したサンプル誘電体基板の絶対誘電率（「Ｄｋ（５ＧＨｚ）」）、５ＧＨｚ、２０％ＲＨで測定した基板の損失正接（「Ｄｆ（５ＧＨｚ、２０％ＲＨ）」）、５ＧＨｚ、８０％ＲＨで測定したサンプル誘電体基板の損失正接（「Ｄｆ（５ＧＨｚ、８０％ＲＨ）」）、サンプル誘電体基板の熱膨張係数（「ＣＴＥ」）、が含まれる。
一般的な説明又は実施例で上述した活動の全てが必要とされるわけではなく、特定の活動の一部が必要とされなくてもよく、記載した活動に加えて１つ以上の更なる活動が行われてもよいことに留意されたい。更に、活動が列挙される順序は、必ずしもそれらが行われる順序ではない。
利点、他の利点、及び問題の解決策は、特定の実施形態に関して上述されている。しかしながら、利益、利点、問題の解決策、及び任意の利益、利点、又は解決策をもたらすかより顕著にする可能性がある任意の特徴は、請求項のいずれか又は全ての重要な、必要な、又は本質的な特徴として解釈されるべきではない。
本明細書に記載の実施形態の明細書及び図面は、様々な実施形態の構造の一般的な理解を提供することを意図している。明細書及び図面は、本明細書に記載の構造又は方法を使用する装置及びシステムの全ての要素及び特徴の網羅的かつ包括的な説明として役立つことを意図するものではない。別個の実施形態が単一の実施形態中に組み合わせて提供されてもよく、逆に、簡潔にするために単一の実施形態の文脈において説明されている様々な特徴が、別々に又は任意の部分的組み合わせで提供されてもよい。更に、範囲に記載された値への言及は、その範囲内の各々の値全てを含む。多くの他の実施形態が、本明細書を読んだ後にのみ当業者に明らかとなってもよい。本開示の範囲から逸脱することなく、構造的置換、論理的置換、又は別の変更を行うことができるように、他の実施形態を使用し、本開示から導出することができる。したがって、本開示は、限定的ではなく例示的なものと見なされるべきである。
Claims (15)
- 誘電体基板であって、
ポリイミド層と、前記ポリイミド層の上を覆う第１の充填ポリマー層と、を備え、前記第１の充填ポリマー層は、第１の樹脂マトリックス成分と、
第１のセラミックフィラー成分と、を含み、前記第１のセラミックフィラー成分は、第１のフィラー材料を含み、前記第１のフィラー材料は、約１０マイクロメートル以下の平均粒径を更に有する、誘電体基板。 - 前記第１のセラミックフィラー成分のシリカフィラー材料の粒径分布は、
少なくとも約０．２マイクロメートルかつ約１．６以下のＤ１０と、
少なくとも約０．５マイクロメートルかつ約２．７マイクロメートル以下のＤ５０と、
少なくとも約０．８マイクロメートルかつ約４．７マイクロメートル以下のＤ９０と、を有する、請求項１に記載の誘電体基板。 - 前記第１のセラミックフィラー成分の前記シリカフィラー材料は、約８以下の粒径分布スパン（ＰＳＤＳ）を有し、ＰＳＤＳは、（Ｄ９０－Ｄ１０）／Ｄ５０に等しく、式中、Ｄ９０は、前記シリカフィラー材料のＤ９０粒径分布測定値に等しく、Ｄ１０は、前記第１のフィラー材料のＤ１０粒径分布測定値に等しく、Ｄ５０は、前記第１のフィラー材料のＤ５０粒径分布測定値に等しい、請求項１に記載の誘電体基板。
- 前記第１のフィラー材料は、約１０ｍ２／ｇ以下の平均表面積を更に有する、請求項１に記載の誘電体基板。
- 前記第１のフィラー材料は、シリカ系化合物を含む、請求項１に記載の誘電体基板。
- 前記第１の樹脂マトリックス成分は、ペルフルオロポリマーを含む、請求項１に記載の誘電体基板。
- 前記第１の樹脂マトリックス成分の含有量は、前記第１の充填ポリマー層の総体積に対して少なくとも約４５体積％かつ約６３体積％以下である、請求項１に記載の誘電体基板。
- 前記第１のセラミックフィラー成分の含有量は、前記第１の充填ポリマー層の総体積に対して少なくとも約３０体積％かつ約５７体積％以下である、請求項１に記載の誘電体基板。
- 前記第１のフィラー材料の含有量は、前記第１のセラミックフィラー成分の総体積に対して少なくとも約８０体積％かつ約１００体積％以下である、請求項１に記載の誘電体基板。
- 前記第１のセラミックフィラー成分は、第２のフィラー材料を更に含む、請求項１に記載の誘電体基板。
- 前記第１のセラミックフィラー成分の前記第２のフィラー材料は、高誘電率セラミック材料を含む、請求項１０に記載の誘電体基板。
- 前記誘電体基板は、前記ポリイミド層の下を覆う第２の充填ポリマー層を更に含み、前記第２の充填ポリマー層は、第２の樹脂マトリックス成分と、第２のセラミックフィラー成分と、を含み、前記第２のセラミックフィラー成分は、シリカフィラー材料を含み、前記第１のフィラー材料は、約１０マイクロメートル以下の平均粒径を更に有する、請求項１に記載の誘電体基板。
- 前記第２のフィラー材料は、シリカ系化合物を含む、請求項１２に記載の誘電体基板。
- 銅箔層と、前記銅箔層の上を覆う誘電体基板と、を含む銅張積層板であって、前記誘電体基板は、
ポリイミド層と、前記ポリイミド層の上を覆う第１の充填ポリマー層と、を含み、前記第１の充填ポリマー層は、第１の樹脂マトリックス成分と、第１のセラミックフィラー成分と、を含み、前記第１のセラミックフィラー成分は、第１のフィラー材料を含み、前記第１のフィラー材料は、約１０マイクロメートル以下の平均粒径を更に有する、銅張積層板。 - 銅張積層板を備えるプリント回路基板であって、前記銅張積層板は、
銅箔層と、前記銅箔層の上を覆う誘電体基板と、を含み、前記誘電体基板は、
ポリイミド層と、前記ポリイミド層の上を覆う第１の充填ポリマー層と、を含み、前記第１の充填ポリマー層は、第１の樹脂マトリックス成分と、第１のセラミックフィラー成分とを含み、前記第１のセラミックフィラー成分は、第１のフィラー材料を含み、前記第１のフィラー材料は、約１０マイクロメートル以下の平均粒径を更に有する、プリント回路基板。
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