JP2022531796A - 有機水素吸蔵原料用脱水素触媒及びその担体、水素吸蔵性合金、並びに、高純度水素ガスの供給方法 - Google Patents
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- F17—STORING OR DISTRIBUTING GASES OR LIQUIDS
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- F17—STORING OR DISTRIBUTING GASES OR LIQUIDS
- F17C—VESSELS FOR CONTAINING OR STORING COMPRESSED, LIQUEFIED OR SOLIDIFIED GASES; FIXED-CAPACITY GAS-HOLDERS; FILLING VESSELS WITH, OR DISCHARGING FROM VESSELS, COMPRESSED, LIQUEFIED, OR SOLIDIFIED GASES
- F17C7/00—Methods or apparatus for discharging liquefied, solidified, or compressed gases from pressure vessels, not covered by another subclass
- F17C7/02—Discharging liquefied gases
- F17C7/04—Discharging liquefied gases with change of state, e.g. vaporisation
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01M8/00—Fuel cells; Manufacture thereof
- H01M8/04—Auxiliary arrangements, e.g. for control of pressure or for circulation of fluids
- H01M8/04082—Arrangements for control of reactant parameters, e.g. pressure or concentration
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01D—SEPARATION
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
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- B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
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- B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
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- B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
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- B22F9/02—Making metallic powder or suspensions thereof using physical processes
- B22F9/04—Making metallic powder or suspensions thereof using physical processes starting from solid material, e.g. by crushing, grinding or milling
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- C01P2002/70—Crystal-structural characteristics defined by measured X-ray, neutron or electron diffraction data
- C01P2002/72—Crystal-structural characteristics defined by measured X-ray, neutron or electron diffraction data by d-values or two theta-values, e.g. as X-ray diagram
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C22C—ALLOYS
- C22C1/00—Making non-ferrous alloys
- C22C1/02—Making non-ferrous alloys by melting
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- F17—STORING OR DISTRIBUTING GASES OR LIQUIDS
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- F17C2221/00—Handled fluid, in particular type of fluid
- F17C2221/01—Pure fluids
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- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F17—STORING OR DISTRIBUTING GASES OR LIQUIDS
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- F17C2225/00—Handled fluid after transfer, i.e. state of fluid after transfer from the vessel
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- F17C2225/0123—Single phase gaseous, e.g. CNG, GNC
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Abstract
本発明は、有機水素吸蔵原料を脱水素して水素を生成するための触媒、当該触媒の担体、及びその調製方法に関する。本発明は、水素吸蔵性合金及びその調製方法にも関する。また、本発明は、高純度水素の供給方法、高純度高圧水素の高効率分散型製造方法、高純度高圧水素の供給システム、可動型水素供給システム、及び分散型水素供給装置にも関する。
Description
〔技術分野〕 本発明は、有機水素吸蔵原料を脱水素して水素ガスを生成するための触媒、当該触媒の担体、及びその調製方法に関する。本発明は、水素吸蔵性合金及びその調製方法にも関する。また、本発明は、高純度水素ガスの供給方法、高純度高圧水素ガスの高効率分散型製造方法、高純度高圧水素ガスの供給システム、可動型水素供給システム、及び分散型水素供給装置にも関する。
〔背景技術〕
水素ガスは、再生可能なエネルギー源として、エネルギー効率が良いだけでなく、ほとんど無駄を生み出さない。水素ガスエネルギー源の開発は、エネルギー効率の向上、石油消費量の削減、環境汚染の改善、エネルギー安全保障のための重要な手段として期待されている。持続的、効率的な大規模水素製造技術の開発は、水素エネルギー時代における切実なニーズとなっている。
水素ガスは、再生可能なエネルギー源として、エネルギー効率が良いだけでなく、ほとんど無駄を生み出さない。水素ガスエネルギー源の開発は、エネルギー効率の向上、石油消費量の削減、環境汚染の改善、エネルギー安全保障のための重要な手段として期待されている。持続的、効率的な大規模水素製造技術の開発は、水素エネルギー時代における切実なニーズとなっている。
水素ガスは、通常の条件では気体の状態で存在し、且つその可燃性、爆発性、拡散性がゆえに、実際の応用では、水素貯蔵・輸送上の安全性、効率化、漏出防止を優先的に考慮しなければならず、貯蔵・輸送に大きな困難をもたらす。したがって、水素エネルギーの利用には水素ガスの貯蔵及び輸送の課題を解決する必要がある。
水素ガスは、製造現場から高圧ガス形態で直接的に水素補給ステーションに輸送されるため、輸送コストが高く、長距離の輸送にも交通安全上のリスクがある。水素ガスを高圧ガス形態で貯蔵する場合、水素貯蔵タンクのコスト及び用地面積の問題があり、危険性も高い。
〔発明の概要〕
本発明が解決しようとする技術課題は、水素吸蔵有機化合物を脱水素して水素ガスを生成するための触媒、及び当該触媒の担体を提供することにある。本発明が解決しようとするもう１つの技術課題は、有機物含有水素ガスの精製方法において用いられる水素吸蔵性合金、及びその調製方法を提供することにある。本発明が解決しようとする更なる技術課題は、高純度水素ガスの供給方法、高純度高圧水素ガスの高効率分散型製造方法、高純度高圧水素ガスの供給システム、可動型水素供給システム及び分散型水素供給装置を提供することにある。
本発明が解決しようとする技術課題は、水素吸蔵有機化合物を脱水素して水素ガスを生成するための触媒、及び当該触媒の担体を提供することにある。本発明が解決しようとするもう１つの技術課題は、有機物含有水素ガスの精製方法において用いられる水素吸蔵性合金、及びその調製方法を提供することにある。本発明が解決しようとする更なる技術課題は、高純度水素ガスの供給方法、高純度高圧水素ガスの高効率分散型製造方法、高純度高圧水素ガスの供給システム、可動型水素供給システム及び分散型水素供給装置を提供することにある。
そのために、本発明は、以下の技術的構成を提供する：
〔１〕液状有機水素吸蔵原料を脱水素触媒と接触させて反応させ、水素ガスを含有する脱水素反応生成物を得る工程（１）と、
脱水素反応生成物を冷却して液体生成物及び水素リッチな気体生成物を得、当該液体生成物を回収する工程（２）と、
水素リッチな気体を水素吸蔵性合金と接触させて水素含有合金を得、吸着されていない気体を回収する工程（３）と、
任意的に、水素含有合金の格納容器内の有機物を除去する工程（３ａ）と、
水素含有合金を加熱して水素ガスを放出させる工程（４）と、を含む、高純度水素ガスの供給方法。
〔１〕液状有機水素吸蔵原料を脱水素触媒と接触させて反応させ、水素ガスを含有する脱水素反応生成物を得る工程（１）と、
脱水素反応生成物を冷却して液体生成物及び水素リッチな気体生成物を得、当該液体生成物を回収する工程（２）と、
水素リッチな気体を水素吸蔵性合金と接触させて水素含有合金を得、吸着されていない気体を回収する工程（３）と、
任意的に、水素含有合金の格納容器内の有機物を除去する工程（３ａ）と、
水素含有合金を加熱して水素ガスを放出させる工程（４）と、を含む、高純度水素ガスの供給方法。
〔２〕工程（１）において、
液状有機水素吸蔵原料と脱水素触媒との接触反応における反応温度は１５０～４５０℃（例えば２００～４００℃、３００～３５０℃）であり、
液状有機水素吸蔵原料と脱水素触媒との接触反応における時間当たりの重量空間速度は０．５～５０ｈ－１（例えば、１～４５ｈ－１、２～３０ｈ－１）であり、
液状有機水素吸蔵原料と脱水素触媒との接触反応における圧力は、０．０３～５ＭＰａ（ゲージ圧）（例えば０．３～５ＭＰａ、０．１～３ＭＰａ、０．５～２ＭＰａ又は０．２～１．６ＭＰａ）であり、
任意的に、液状有機水素吸蔵原料と水素ガスとを混合したものを脱水素触媒と接触させる場合、水素対炭化水素比（液状有機水素吸蔵原料に対する水素ガスのモル比）は、０～１０（例えば０～８）である、上述した技術的構成のいずれか１つに記載の高純度水素ガスの供給方法。
液状有機水素吸蔵原料と脱水素触媒との接触反応における反応温度は１５０～４５０℃（例えば２００～４００℃、３００～３５０℃）であり、
液状有機水素吸蔵原料と脱水素触媒との接触反応における時間当たりの重量空間速度は０．５～５０ｈ－１（例えば、１～４５ｈ－１、２～３０ｈ－１）であり、
液状有機水素吸蔵原料と脱水素触媒との接触反応における圧力は、０．０３～５ＭＰａ（ゲージ圧）（例えば０．３～５ＭＰａ、０．１～３ＭＰａ、０．５～２ＭＰａ又は０．２～１．６ＭＰａ）であり、
任意的に、液状有機水素吸蔵原料と水素ガスとを混合したものを脱水素触媒と接触させる場合、水素対炭化水素比（液状有機水素吸蔵原料に対する水素ガスのモル比）は、０～１０（例えば０～８）である、上述した技術的構成のいずれか１つに記載の高純度水素ガスの供給方法。
〔３〕工程（２）において、
脱水素反応生成物を冷却する冷却温度は、液体生成物中の有機物の沸点よりも低く、好ましくは当該液体生成物のうち、常温常圧下で液体となる最も沸点の低い有機物の沸点よりも低い、上述した技術的構成のいずれか１つに記載の高純度水素ガスの供給方法。
脱水素反応生成物を冷却する冷却温度は、液体生成物中の有機物の沸点よりも低く、好ましくは当該液体生成物のうち、常温常圧下で液体となる最も沸点の低い有機物の沸点よりも低い、上述した技術的構成のいずれか１つに記載の高純度水素ガスの供給方法。
〔４〕工程（３）において、
水素リッチな気体は、水素リッチな気体生成物、又は、水素リッチな気体生成物に対する更なる分離により得られる水素ガス含有気体であり、更なる分離の方法は、温度スイング分離、膜分離、圧力スイング吸着分離、又はそれらの組み合わせを含み、
水素リッチな気体中の水素ガスの質量分率は≧８０％（例えば８０～９９％、好ましくは≧８５％、より好ましくは≧９０％）である、上述した技術的構成のいずれか１つに記載の高純度水素ガスの供給方法。
水素リッチな気体は、水素リッチな気体生成物、又は、水素リッチな気体生成物に対する更なる分離により得られる水素ガス含有気体であり、更なる分離の方法は、温度スイング分離、膜分離、圧力スイング吸着分離、又はそれらの組み合わせを含み、
水素リッチな気体中の水素ガスの質量分率は≧８０％（例えば８０～９９％、好ましくは≧８５％、より好ましくは≧９０％）である、上述した技術的構成のいずれか１つに記載の高純度水素ガスの供給方法。
〔５〕工程（３）において、
水素リッチな気体と水素吸蔵性合金との接触は、１つ又は複数の水素吸蔵性合金の格納容器内で行われ、
水素吸蔵性合金の数は１つ又は複数であり得、複数の水素吸蔵性合金は混合形態で用いられ得、直列形態、並列形態、又は直列と並列との複合形態で用いられ得、
水素リッチな気体と水素吸蔵性合金との接触における圧力は、０．００１～５ＭＰａ（例えば０．０１～５ＭＰａ、０．０３～４ＭＰａ、０．０５～５ＭＰａ、０．０８～２ＭＰａ、０．０５～３ＭＰａ、０．１～１ＭＰａ）であり、水素吸蔵性合金の格納容器が複数存在し且つ直列に接続された水素吸蔵容器が存在する場合、水素リッチな気体の流れ方向における最下流の水素吸蔵性合金と接触する接触圧力（水素吸着圧力とも言う）は０．０５～５ＭＰａ（例えば０．１～１ＭＰａ）であり、
水素リッチな気体と水素吸蔵性合金との接触における温度（水素吸着温度とも言う）は、－７０～１００℃（例えば、－５０～９０℃、－３０～８０℃）であり、
水素吸蔵性合金との接触時、水素リッチな気体の温度は、液状有機水素吸蔵原料の常圧下での沸点よりも低い、上述した技術的構成のいずれか１つに記載の高純度水素ガスの供給方法。
水素リッチな気体と水素吸蔵性合金との接触は、１つ又は複数の水素吸蔵性合金の格納容器内で行われ、
水素吸蔵性合金の数は１つ又は複数であり得、複数の水素吸蔵性合金は混合形態で用いられ得、直列形態、並列形態、又は直列と並列との複合形態で用いられ得、
水素リッチな気体と水素吸蔵性合金との接触における圧力は、０．００１～５ＭＰａ（例えば０．０１～５ＭＰａ、０．０３～４ＭＰａ、０．０５～５ＭＰａ、０．０８～２ＭＰａ、０．０５～３ＭＰａ、０．１～１ＭＰａ）であり、水素吸蔵性合金の格納容器が複数存在し且つ直列に接続された水素吸蔵容器が存在する場合、水素リッチな気体の流れ方向における最下流の水素吸蔵性合金と接触する接触圧力（水素吸着圧力とも言う）は０．０５～５ＭＰａ（例えば０．１～１ＭＰａ）であり、
水素リッチな気体と水素吸蔵性合金との接触における温度（水素吸着温度とも言う）は、－７０～１００℃（例えば、－５０～９０℃、－３０～８０℃）であり、
水素吸蔵性合金との接触時、水素リッチな気体の温度は、液状有機水素吸蔵原料の常圧下での沸点よりも低い、上述した技術的構成のいずれか１つに記載の高純度水素ガスの供給方法。
〔６〕工程（３）において、
水素吸蔵性合金の格納容器の数は１つ又は複数であり、水素ガスとの接触順で最後に水素ガスと接触する水素吸蔵性合金の格納容器内の水素吸蔵性合金は高平衡圧を有する水素吸蔵性合金であり、高平衡圧を有する水素吸蔵性合金は、１５０～４５０℃の温度範囲内に、水素ガスの吸着における平衡圧が３５ＭＰａ以上となる温度点が少なくとも１つ存在し、好ましくは、少なくとも１つの水素吸蔵性合金の格納容器内の水素吸蔵性合金が、高平衡圧を有する水素吸蔵性合金である、上述した技術的構成のいずれか１つに記載の高純度水素ガスの供給方法。
水素吸蔵性合金の格納容器の数は１つ又は複数であり、水素ガスとの接触順で最後に水素ガスと接触する水素吸蔵性合金の格納容器内の水素吸蔵性合金は高平衡圧を有する水素吸蔵性合金であり、高平衡圧を有する水素吸蔵性合金は、１５０～４５０℃の温度範囲内に、水素ガスの吸着における平衡圧が３５ＭＰａ以上となる温度点が少なくとも１つ存在し、好ましくは、少なくとも１つの水素吸蔵性合金の格納容器内の水素吸蔵性合金が、高平衡圧を有する水素吸蔵性合金である、上述した技術的構成のいずれか１つに記載の高純度水素ガスの供給方法。
〔７〕水素含有合金の格納容器内の有機物を除去するパージ法、例えば、水素ガスを用いたパージ法（当該パージ法としては、例えば、水素吸蔵性合金における吸着量が所定量となった後、水素吸蔵性合金への水素リッチな気体の供給を停止し、水素ガスを水素含有合金に通すことで水素含有合金及び水素含有合金の格納容器（水素吸蔵性合金の格納容器とも言う）内の有機ガスを追い出し、当該有機ガスを貯蔵タンクに導入して貯蔵するか、又は当該有機ガスを他の水素吸蔵性合金の格納容器内の水素吸蔵性合金に吸着させる。パージ用水素ガスの純度は好ましくは９０重量％を超え、より好ましくは９５重量％を超え、例えば９９重量％を超える）により、工程（３ａ）を行う、上述した技術的構成のいずれか１つに記載の高純度水素ガスの供給方法。
〔８〕工程（４）において、
水素吸蔵性合金から水素ガスを放出させる温度（即ち、水素吸蔵性合金が加熱される温度；水素放出温度と略称する）は１５０～４５０℃であり、放出される水素ガスの圧力は、高純度高圧水素ガスを得るために≧３５ＭＰａ（例えば３５～１００ＭＰａ）であるか、又は放出される水素ガスの分圧は、高純度水素ガスを得るために０．１～５ＭＰａであり、水素放出温度は水素吸着温度よりも高い、上述した技術的構成のいずれか１つに記載の高純度水素ガスの供給方法。
水素吸蔵性合金から水素ガスを放出させる温度（即ち、水素吸蔵性合金が加熱される温度；水素放出温度と略称する）は１５０～４５０℃であり、放出される水素ガスの圧力は、高純度高圧水素ガスを得るために≧３５ＭＰａ（例えば３５～１００ＭＰａ）であるか、又は放出される水素ガスの分圧は、高純度水素ガスを得るために０．１～５ＭＰａであり、水素放出温度は水素吸着温度よりも高い、上述した技術的構成のいずれか１つに記載の高純度水素ガスの供給方法。
〔９〕水素含有合金に水素ガスを放出させ、放出された水素ガスを他の水素吸蔵性合金と接触させて水素含有合金を形成させるプロセスをさらに含み、
当該プロセスは、１回又は複数回行われ、少なくとも最後の１回の当該プロセスにおいて用いられる水素吸蔵性合金が、高平衡圧を有する水素吸蔵性合金である、上述した技術的構成のいずれか１つに記載の高純度水素ガスの供給方法。
当該プロセスは、１回又は複数回行われ、少なくとも最後の１回の当該プロセスにおいて用いられる水素吸蔵性合金が、高平衡圧を有する水素吸蔵性合金である、上述した技術的構成のいずれか１つに記載の高純度水素ガスの供給方法。
〔１０〕水素吸蔵性合金は、第１水素吸蔵性合金と第２水素吸蔵性合金との組み合わせであり、
第１水素吸蔵性合金は、水素リッチな気体との接触に用いるマグネシウム系Ａ２Ｂ型水素吸蔵性合金であり、
第２水素吸蔵性合金は、第１水素吸蔵水素ガスの加圧のために用いられ、高平衡圧を有する水素吸蔵性合金であり、第２水素吸蔵性合金は、希土類系ＡＢ５型、ジルコニウムチタン系ＡＢ２型、チタン系ＡＢ型の水素吸蔵性合金のうち１つ又は複数であり、
先ず、水素リッチな気体を第１水素吸蔵性合金に通すことで不純物を分離し、その後、第１水素吸蔵性合金から放出された高純度水素ガスを第２水素吸蔵性合金と接触させ、その後、高圧下で第２水素吸蔵性合金に水素ガスを放出させ、
第１水素吸蔵性合金の水素放出温度は、第２水素吸蔵性合金の水素吸着温度よりも高く、それらの温度差は、好ましくは≧１００℃（例えば３５０℃≧温度差≧１５０℃）であり、
第１水素吸蔵性合金及び第２水素吸蔵性合金は、異なる水素吸蔵性合金の貯蔵タンク内に存在し、且つ第１水素吸蔵性合金の貯蔵タンクと第２水素吸蔵性合金の貯蔵タンクとの間に熱交換システムが存在し、
水素リッチな気体と第１水素吸蔵性合金との接触における水素吸着温度は２０～１５０℃（例えば５０～１００℃）、水素分圧は０．００１～０．１ＭＰａ（０．００１～０．０３ＭＰａ）であり、
第１水素吸蔵性合金から水素ガスが放出される温度（水素放出温度）は１５０～４５０℃（例えば２００～３５０℃）、水素放出における水素ガス分圧は０．１～５ＭＰａ（例えば０．１～１ＭＰａ）であり、
第２水素吸蔵性合金が水素ガスを吸着する水素吸着温度は－７０～１００℃（例えば－３０～１００℃）、水素吸着における水素ガス分圧は０．１～５ＭＰａ（例えば０．１～１ＭＰａ）であり、
第２水素吸蔵性合金の水素放出温度は１５０～４５０℃（例えば２００～３５０℃）、水素放出における水素ガス分圧は≧３５ＭＰａ（例えば３５～１００ＭＰａ）である、上述した技術的構成のいずれか１つに記載の高純度水素ガスの供給方法。
第１水素吸蔵性合金は、水素リッチな気体との接触に用いるマグネシウム系Ａ２Ｂ型水素吸蔵性合金であり、
第２水素吸蔵性合金は、第１水素吸蔵水素ガスの加圧のために用いられ、高平衡圧を有する水素吸蔵性合金であり、第２水素吸蔵性合金は、希土類系ＡＢ５型、ジルコニウムチタン系ＡＢ２型、チタン系ＡＢ型の水素吸蔵性合金のうち１つ又は複数であり、
先ず、水素リッチな気体を第１水素吸蔵性合金に通すことで不純物を分離し、その後、第１水素吸蔵性合金から放出された高純度水素ガスを第２水素吸蔵性合金と接触させ、その後、高圧下で第２水素吸蔵性合金に水素ガスを放出させ、
第１水素吸蔵性合金の水素放出温度は、第２水素吸蔵性合金の水素吸着温度よりも高く、それらの温度差は、好ましくは≧１００℃（例えば３５０℃≧温度差≧１５０℃）であり、
第１水素吸蔵性合金及び第２水素吸蔵性合金は、異なる水素吸蔵性合金の貯蔵タンク内に存在し、且つ第１水素吸蔵性合金の貯蔵タンクと第２水素吸蔵性合金の貯蔵タンクとの間に熱交換システムが存在し、
水素リッチな気体と第１水素吸蔵性合金との接触における水素吸着温度は２０～１５０℃（例えば５０～１００℃）、水素分圧は０．００１～０．１ＭＰａ（０．００１～０．０３ＭＰａ）であり、
第１水素吸蔵性合金から水素ガスが放出される温度（水素放出温度）は１５０～４５０℃（例えば２００～３５０℃）、水素放出における水素ガス分圧は０．１～５ＭＰａ（例えば０．１～１ＭＰａ）であり、
第２水素吸蔵性合金が水素ガスを吸着する水素吸着温度は－７０～１００℃（例えば－３０～１００℃）、水素吸着における水素ガス分圧は０．１～５ＭＰａ（例えば０．１～１ＭＰａ）であり、
第２水素吸蔵性合金の水素放出温度は１５０～４５０℃（例えば２００～３５０℃）、水素放出における水素ガス分圧は≧３５ＭＰａ（例えば３５～１００ＭＰａ）である、上述した技術的構成のいずれか１つに記載の高純度水素ガスの供給方法。
〔１１〕液状有機水素吸蔵原料は、分子中に環を有し、ヘテロ原子を任意的に含み、当該ヘテロ原子が環状に存在し得る、有機化合物であり、
例えばシクロアルカン環含有の飽和又は不飽和炭化水素、例えばヘテロ環原子を含有せずシクロアルカン環を含有する飽和又は不飽和炭化水素、より具体的には芳香族環及びシクロアルカン環の環の数の合計が２以下でありヘテロ環原子を含有せずシクロアルカン環を含有する飽和又は不飽和炭化水素、例えばシクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、デカヒドロナフタレン、及びビ（シクロヘキサン）、並びに、ヘテロ原子を含有するシクロアルカン環含有の飽和又は不飽和炭化水素、例えば窒素含有ヘテロ環化合物、及び窒素／ホウ素含有ヘテロ環化合物；窒素含有ヘテロ環化合物は、デカヒドロカルバゾール、ドデカヒドロエチルカルバゾール、インドリン、４－アミノピペリジン、ピペリジン－４－カルボキサミド、ペルヒドロ－４，７－フェナントロリン、２－メチル－１，２，３，４－テトラヒドロキノリン、及び２，６－ジメチルデカヒドロ－１，５－ナフチリジンのうち１つ又は複数を含み、窒素／ホウ素含有ヘテロ環化合物は、１，２－アザボリネート、及び３－メチル－１，２－アザボロリジンのうち１つ又は複数を含む、上述した技術的構成のいずれか１つに記載の高純度水素ガスの供給方法。
例えばシクロアルカン環含有の飽和又は不飽和炭化水素、例えばヘテロ環原子を含有せずシクロアルカン環を含有する飽和又は不飽和炭化水素、より具体的には芳香族環及びシクロアルカン環の環の数の合計が２以下でありヘテロ環原子を含有せずシクロアルカン環を含有する飽和又は不飽和炭化水素、例えばシクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、デカヒドロナフタレン、及びビ（シクロヘキサン）、並びに、ヘテロ原子を含有するシクロアルカン環含有の飽和又は不飽和炭化水素、例えば窒素含有ヘテロ環化合物、及び窒素／ホウ素含有ヘテロ環化合物；窒素含有ヘテロ環化合物は、デカヒドロカルバゾール、ドデカヒドロエチルカルバゾール、インドリン、４－アミノピペリジン、ピペリジン－４－カルボキサミド、ペルヒドロ－４，７－フェナントロリン、２－メチル－１，２，３，４－テトラヒドロキノリン、及び２，６－ジメチルデカヒドロ－１，５－ナフチリジンのうち１つ又は複数を含み、窒素／ホウ素含有ヘテロ環化合物は、１，２－アザボリネート、及び３－メチル－１，２－アザボロリジンのうち１つ又は複数を含む、上述した技術的構成のいずれか１つに記載の高純度水素ガスの供給方法。
〔１２〕放出された水素ガスを水素ガス貯蔵タンクに導入して水素ガスを貯蔵する工程、又は、得られた高純度高圧水素ガスを水素燃料電池車両の補給に直接的に用い得る工程をさらに含む、上述した技術的構成のいずれか１つに記載の高純度水素ガスの供給方法。
〔１３〕脱水素反応器内で、脱水素触媒の存在下で液状有機水素吸蔵原料の脱水素反応を行い、水素ガスを含む脱水素反応生成物を得る工程と、
冷却分離装置内で、脱水素反応生成物を冷却して分離し、水素リッチなストリーム及び有機液体を得る工程と、
水素吸蔵性合金の格納容器内で、水素リッチなストリーム、又は精製後の水素リッチなストリームを水素吸蔵性合金と接触させ、水素含有合金を得る工程と、
水素ガスを用いたパージ法により、好ましくは９０重量％を超える（例えば９５重量％を超え、９９重量％を超える）純度のパージ用水素ガスにて、水素吸蔵性合金の格納容器内の有機物を除去する工程と、
水素含有合金を加熱して水素ガスを放出させ、高圧水素ガスを得るとともに、得られた高圧水素ガスを水素消費装置又は貯蔵用の高圧水素ガス貯蔵タンクに供給する工程と、
を含む、高純度高圧水素ガスの高効率分散型製造方法。
冷却分離装置内で、脱水素反応生成物を冷却して分離し、水素リッチなストリーム及び有機液体を得る工程と、
水素吸蔵性合金の格納容器内で、水素リッチなストリーム、又は精製後の水素リッチなストリームを水素吸蔵性合金と接触させ、水素含有合金を得る工程と、
水素ガスを用いたパージ法により、好ましくは９０重量％を超える（例えば９５重量％を超え、９９重量％を超える）純度のパージ用水素ガスにて、水素吸蔵性合金の格納容器内の有機物を除去する工程と、
水素含有合金を加熱して水素ガスを放出させ、高圧水素ガスを得るとともに、得られた高圧水素ガスを水素消費装置又は貯蔵用の高圧水素ガス貯蔵タンクに供給する工程と、
を含む、高純度高圧水素ガスの高効率分散型製造方法。
〔１４〕高純度高圧水素ガスの供給システムであって、
液状有機水素吸蔵原料を貯蔵するとともに、脱水素反応器に液状有機水素吸蔵原料を供給する液状有機水素吸蔵原料貯蔵－供給装置と、
液状有機水素吸蔵原料の脱水素により得られた液体生成物を貯蔵する脱水素液体貯蔵装置と、
脱水素触媒の作用下で液状有機水素吸蔵原料の脱水素反応を行い、水素ガスを含む脱水素反応生成物を得る脱水素反応器装置と、
脱水素反応生成物を分離し、水素リッチな気体生成物及び液体生成物を得る冷却分離装置と、
水素吸蔵性合金の格納容器及び水素吸蔵性合金加熱システムを備え、水素リッチな気体を低温低圧下で水素吸蔵性合金と接触させて水素吸着を行い、飽和吸着後、加熱により脱水素を行う水素吸蔵－水素供給装置と、
任意的に、水素吸蔵容器内の有機物の除去のために用いるパージ装置と、
高圧水素ガスを水素消費装置又は水素ガス貯蔵タンクに供給する水素ガス供給装置と、を含み、
好ましくは、当該システムは、コンテナの内部と一体化してなるコンテナ型水素製造システムとして水素補給ステーションへ設置されるか、又は、水素補給ステーション内に直接に組み込まれて使用され、
好ましくは、水素吸蔵－水素供給装置は、１つ又は複数の水素吸蔵性合金の格納容器を含み、複数の水素吸蔵性合金の格納容器は、並列形態、直列形態、又は、並列と直列との複合形態で連結され得、
好ましくは、少なくとも１つの水素吸蔵性合金の格納容器が耐高圧容器であり、及び／又は、水素ガス供給装置が耐高圧装置、例えば許容圧力３５ＭＰａ以上の装置である、高純度高圧水素ガスの供給システム。
液状有機水素吸蔵原料を貯蔵するとともに、脱水素反応器に液状有機水素吸蔵原料を供給する液状有機水素吸蔵原料貯蔵－供給装置と、
液状有機水素吸蔵原料の脱水素により得られた液体生成物を貯蔵する脱水素液体貯蔵装置と、
脱水素触媒の作用下で液状有機水素吸蔵原料の脱水素反応を行い、水素ガスを含む脱水素反応生成物を得る脱水素反応器装置と、
脱水素反応生成物を分離し、水素リッチな気体生成物及び液体生成物を得る冷却分離装置と、
水素吸蔵性合金の格納容器及び水素吸蔵性合金加熱システムを備え、水素リッチな気体を低温低圧下で水素吸蔵性合金と接触させて水素吸着を行い、飽和吸着後、加熱により脱水素を行う水素吸蔵－水素供給装置と、
任意的に、水素吸蔵容器内の有機物の除去のために用いるパージ装置と、
高圧水素ガスを水素消費装置又は水素ガス貯蔵タンクに供給する水素ガス供給装置と、を含み、
好ましくは、当該システムは、コンテナの内部と一体化してなるコンテナ型水素製造システムとして水素補給ステーションへ設置されるか、又は、水素補給ステーション内に直接に組み込まれて使用され、
好ましくは、水素吸蔵－水素供給装置は、１つ又は複数の水素吸蔵性合金の格納容器を含み、複数の水素吸蔵性合金の格納容器は、並列形態、直列形態、又は、並列と直列との複合形態で連結され得、
好ましくは、少なくとも１つの水素吸蔵性合金の格納容器が耐高圧容器であり、及び／又は、水素ガス供給装置が耐高圧装置、例えば許容圧力３５ＭＰａ以上の装置である、高純度高圧水素ガスの供給システム。
〔１５〕輸送車両と、当該輸送車両上に設置された上述した技術的構成のいずれか１つに記載の高純度高圧水素ガスの供給システムとを含む、可動型水素供給システム。
〔１６〕上述した技術的構成のいずれか１つに記載の高純度高圧水素の供給システムを含み、且つ高圧水素ガス貯蔵タンクを任意的に含む、分散型水素供給装置。
〔１７〕水素吸蔵性合金、又は、上述した技術的構成のいずれか１つに記載の方法、システム若しくは装置であって、
水素吸蔵性合金は、希土類系ＡＢ５型、ジルコニウムチタン系ＡＢ２型、チタン系ＡＢ型、マグネシウム系Ａ２Ｂ型及びバナジウム系固溶体型の水素吸蔵性合金のうち１つ又は複数であり、
希土類系ＡＢ５型水素吸蔵性合金を示す分子式は、ＭｍＮｉｘ１Ｃｏｘ２Ｍｎｘ３Ｆｅｘ４Ａｌｘ５Ｓｎｘ６
（４．５≦ｘ１＋ｘ２＋ｘ３＋ｘ４＋ｘ５＋ｘ６≦５．５；
ＭｍはＬａｙ１Ｃｅｙ２Ｎｄｙ３Ｐｒｙ４Ｙｙ５であり；ｙ１＋ｙ２＋ｙ３＋ｙ４＋ｙ５＝１；
０．４≦ｙ１≦０．９９（例えば０．４≦ｙ１≦０．８）、０≦ｙ２≦０．４５（例えば０．１≦ｙ２≦０．４５）、０≦ｙ３≦０．２（例えば０≦ｙ３≦０．２）、０≦ｙ４≦０．０５（例えば０≦ｙ４≦０．０５）、０．０１≦ｙ５≦０．１（例えば０．０１≦ｙ５≦０．０５）、３≦ｘ１≦５．４５（例えば、３≦ｘ１≦４．９）、０≦ｘ２≦１．５（例えば０．１≦ｘ２≦１）、０≦ｘ３≦０．８（例えば０．１≦ｘ３≦０．６）、０≦ｘ４≦０．８（例えば０．１≦ｘ４≦０．６）、０≦ｘ５≦０．７５（例えば０．０５≦ｘ５≦０．５）、０≦ｘ６≦０．２（例えば０≦ｘ６≦０．１５））であり、
ジルコニウムチタン系ＡＢ２型水素吸蔵性合金を示す分子式は、ＡＢ２
（Ａ＝Ｍｇｘ１Ｃａｘ２Ｔｉｘ３Ｚｒｘ４Ｙｘ５Ｌａｘ６；ｘ１＋ｘ２＋ｘ３＋ｘ４＋ｘ５＋ｘ６＝０．９～１．１；
Ｂ＝Ｖｙ１Ｃｒｙ２Ｍｎｙ３Ｆｅｙ４Ｃｏｙ５Ｎｉｙ６Ｃｕｙ７；ｙ１＋ｙ２＋ｙ３＋ｙ４＋ｙ５＋ｙ６＋ｙ７＝１．９～２．１；
０≦ｘ１≦０．５４（例えば０．０１≦ｘ１≦０．３、０．０１≦ｘ１≦０．１）、０≦ｘ２≦０．５４（例えば０≦ｘ２≦０．２５）、０．５≦ｘ３≦１．０４（例えば０．６≦ｘ３≦１）、０．０５≦ｘ４≦０．５８（例えば０．１≦ｘ４≦０．５８）、０．０１≦ｘ５≦０．２（例えば０．０１≦ｘ５≦０．０５）、０≦ｘ６≦０．２（例えば０≦ｘ６≦０．０５）、０．０５≦ｙ１≦１．９５（例えば０．０５≦ｙ１≦１．８）、０≦ｙ２≦１．９（例えば０≦ｙ２≦１．８５）、０．０５≦ｙ３≦１．９５（例えば０．１≦ｙ３≦１．９５）、０≦ｙ４≦１．６（例えば０≦ｙ４≦１．５）、０≦ｙ５≦０．５（例えば０≦ｙ５≦０．３）、０．１≦ｙ６≦０．５（例えば０．１≦ｙ６≦０．３）、０≦ｙ７≦０．５（例えば０．１≦ｙ７≦０．２）；
好ましくは、０．７≦ｘ３：（ｘ３＋ｘ４）≦０．９５；
好ましくは、１．７≦ｙ１＋ｙ２＋ｙ３＋ｙ４≦２）であり、
チタン系ＡＢ型水素吸蔵性合金を示す分子式は、ＡＢ
（Ａ＝Ｔｉｘ１Ｚｒｘ２Ｙｘ３Ｌａｘ４；ｘ１＋ｘ２＋ｘ３＋ｘ４＝０．８５～１．１；
Ｂ＝Ｖｙ１Ｃｒｙ２Ｍｎｙ３Ｆｅｙ４Ｃｏｙ５Ｎｉｙ６Ｃｕｙ７；ｙ１＋ｙ２＋ｙ３＋ｙ４＋ｙ５＋ｙ６＋ｙ７＝０．９５～１．０５；
０≦ｘ１≦１．０９（例えば０．９≦ｘ１≦１．０５）、０≦ｘ２≦１．０９（例えば０≦ｘ２≦０．５）、０．０１≦ｘ３≦０．２（例えば０．０１≦ｘ３≦０．０５）、０≦ｘ４≦０．２（例えば０≦ｘ４≦０．０５）、０．０５≦ｙ１≦０．５（例えば０．０５≦ｙ１≦０．２）、０≦ｙ２≦０．８（例えば０≦ｙ２≦０．２）、０≦ｙ３≦０．８（例えば０．０５≦ｙ３≦０．４、又は０．１≦ｙ３≦０．４）、０．２≦ｙ４≦１（例えば０．５≦ｙ４≦０．９）、０≦ｙ５≦０．３５（例えば０≦ｙ５≦０．１）、０≦ｙ６≦０．４５（例えば０≦ｙ６≦０．２）、０≦ｙ７≦０．３（例えば０≦ｙ７≦０．２）；
ｘ１及びｘ２は、同時に０を取らないことが好ましい）であり、
マグネシウム系Ａ２Ｂ型水素吸蔵性合金を示す分子式は、Ａ２Ｂ
（Ａ＝Ｍｇｘ１Ｃａｘ２Ｔｉｘ３Ｌａｘ４Ｙｘ５；ｘ１＋ｘ２＋ｘ３＋ｘ４＋ｘ５＝１．９～２．１；
Ｂ＝Ｃｒｙ１Ｆｅｙ２Ｃｏｙ３Ｎｉｙ４Ｃｕｙ５Ｍｏｙ６；ｙ１＋ｙ２＋ｙ３＋ｙ４＋ｙ５＋ｙ６＝０．９～１．１；
１．２９≦ｘ１≦２．０９（例えば１．７≦ｘ１≦２．０５）、０≦ｘ２≦０．５（例えば０≦ｘ２≦０．２）、０≦ｘ３≦０．８（例えば０≦ｘ３≦０．５）、０≦ｘ４≦０．５（例えば０≦ｘ４≦０．２）、０．０１≦ｘ５≦０．２（例えば０．０５≦ｘ５≦０．１）、０≦ｙ１≦０．３（例えば０≦ｙ１≦０．２、０．０５≦ｙ１≦０．２）、０≦ｙ２≦０．２（例えば０≦ｙ２≦０．１）、０≦ｙ３≦０．６（例えば０≦ｙ３≦０．５）、０．２≦ｙ４≦１．１（例えば０．７≦ｙ４≦１．０５）、０≦ｙ５≦０．５（例えば０≦ｙ５≦０．４）、０≦ｙ６≦０．１５（例えば０≦ｙ６≦０．１））であり、
バナジウム系固溶体型水素吸蔵性合金を示す分子式は、Ａｘ１Ｂｘ２
（ｘ１＋ｘ２＝１；
Ａ＝Ｔｉｙ１Ｖｙ２Ｚｒｙ３Ｎｂｙ４Ｙｙ５Ｌａｙ６Ｃａｙ７；ｙ１＋ｙ２＋ｙ３＋ｙ４＋ｙ５＋ｙ６＋ｙ７＝１；
Ｂ＝Ｍｎｚ１Ｆｅｚ２Ｃｏｚ３Ｎｉｚ４；ｚ１＋ｚ２＋ｚ３＋ｚ４＝１；
０．７≦ｘ１≦０．９５（例えば０．８≦ｘ１≦０．９５、０．９≦ｘ１≦０．９５）、０．０５≦ｘ２≦０．３（例えば０．０５≦ｘ２≦０．２、０．０５≦ｘ２≦０．１）、０．４０≦ｙ１≦０．９（例えば０．４５≦ｙ１≦０．９、０．５≦ｙ１≦０．８）、０≦ｙ２≦０．５（例えば０≦ｙ２≦０．４）、０≦ｙ３≦０．５（例えば０≦ｙ３≦０．４）、０≦ｙ４≦０．５５（例えば０≦ｙ４≦０．４）、０≦ｙ５≦０．２（例えば０．０１≦ｙ５≦０．２、０．０５≦ｙ５≦０．２）、０≦ｙ６≦０．１（例えば０≦ｙ６≦０．０５）、０≦ｙ７≦０．１（例えば０≦ｙ７≦０．０５）、０≦ｚ１≦１（例えば０．１≦ｚ１≦１、０．２≦ｚ１≦０．９５）、０≦ｚ２≦０．９５（例えば０≦ｚ２≦０．９）、０≦ｚ３≦０．３（例えば０≦ｚ３≦０．２）、０≦ｚ４≦０．４５（例えば０．０５≦ｚ４≦０．４５、０．０５≦ｚ４≦０．３）、０．５５≦ｚ１＋ｚ２≦１（例えば０．７≦ｚ１＋ｚ２≦１））である、水素吸蔵性合金、又は、方法、システムもしくは装置。
水素吸蔵性合金は、希土類系ＡＢ５型、ジルコニウムチタン系ＡＢ２型、チタン系ＡＢ型、マグネシウム系Ａ２Ｂ型及びバナジウム系固溶体型の水素吸蔵性合金のうち１つ又は複数であり、
希土類系ＡＢ５型水素吸蔵性合金を示す分子式は、ＭｍＮｉｘ１Ｃｏｘ２Ｍｎｘ３Ｆｅｘ４Ａｌｘ５Ｓｎｘ６
（４．５≦ｘ１＋ｘ２＋ｘ３＋ｘ４＋ｘ５＋ｘ６≦５．５；
ＭｍはＬａｙ１Ｃｅｙ２Ｎｄｙ３Ｐｒｙ４Ｙｙ５であり；ｙ１＋ｙ２＋ｙ３＋ｙ４＋ｙ５＝１；
０．４≦ｙ１≦０．９９（例えば０．４≦ｙ１≦０．８）、０≦ｙ２≦０．４５（例えば０．１≦ｙ２≦０．４５）、０≦ｙ３≦０．２（例えば０≦ｙ３≦０．２）、０≦ｙ４≦０．０５（例えば０≦ｙ４≦０．０５）、０．０１≦ｙ５≦０．１（例えば０．０１≦ｙ５≦０．０５）、３≦ｘ１≦５．４５（例えば、３≦ｘ１≦４．９）、０≦ｘ２≦１．５（例えば０．１≦ｘ２≦１）、０≦ｘ３≦０．８（例えば０．１≦ｘ３≦０．６）、０≦ｘ４≦０．８（例えば０．１≦ｘ４≦０．６）、０≦ｘ５≦０．７５（例えば０．０５≦ｘ５≦０．５）、０≦ｘ６≦０．２（例えば０≦ｘ６≦０．１５））であり、
ジルコニウムチタン系ＡＢ２型水素吸蔵性合金を示す分子式は、ＡＢ２
（Ａ＝Ｍｇｘ１Ｃａｘ２Ｔｉｘ３Ｚｒｘ４Ｙｘ５Ｌａｘ６；ｘ１＋ｘ２＋ｘ３＋ｘ４＋ｘ５＋ｘ６＝０．９～１．１；
Ｂ＝Ｖｙ１Ｃｒｙ２Ｍｎｙ３Ｆｅｙ４Ｃｏｙ５Ｎｉｙ６Ｃｕｙ７；ｙ１＋ｙ２＋ｙ３＋ｙ４＋ｙ５＋ｙ６＋ｙ７＝１．９～２．１；
０≦ｘ１≦０．５４（例えば０．０１≦ｘ１≦０．３、０．０１≦ｘ１≦０．１）、０≦ｘ２≦０．５４（例えば０≦ｘ２≦０．２５）、０．５≦ｘ３≦１．０４（例えば０．６≦ｘ３≦１）、０．０５≦ｘ４≦０．５８（例えば０．１≦ｘ４≦０．５８）、０．０１≦ｘ５≦０．２（例えば０．０１≦ｘ５≦０．０５）、０≦ｘ６≦０．２（例えば０≦ｘ６≦０．０５）、０．０５≦ｙ１≦１．９５（例えば０．０５≦ｙ１≦１．８）、０≦ｙ２≦１．９（例えば０≦ｙ２≦１．８５）、０．０５≦ｙ３≦１．９５（例えば０．１≦ｙ３≦１．９５）、０≦ｙ４≦１．６（例えば０≦ｙ４≦１．５）、０≦ｙ５≦０．５（例えば０≦ｙ５≦０．３）、０．１≦ｙ６≦０．５（例えば０．１≦ｙ６≦０．３）、０≦ｙ７≦０．５（例えば０．１≦ｙ７≦０．２）；
好ましくは、０．７≦ｘ３：（ｘ３＋ｘ４）≦０．９５；
好ましくは、１．７≦ｙ１＋ｙ２＋ｙ３＋ｙ４≦２）であり、
チタン系ＡＢ型水素吸蔵性合金を示す分子式は、ＡＢ
（Ａ＝Ｔｉｘ１Ｚｒｘ２Ｙｘ３Ｌａｘ４；ｘ１＋ｘ２＋ｘ３＋ｘ４＝０．８５～１．１；
Ｂ＝Ｖｙ１Ｃｒｙ２Ｍｎｙ３Ｆｅｙ４Ｃｏｙ５Ｎｉｙ６Ｃｕｙ７；ｙ１＋ｙ２＋ｙ３＋ｙ４＋ｙ５＋ｙ６＋ｙ７＝０．９５～１．０５；
０≦ｘ１≦１．０９（例えば０．９≦ｘ１≦１．０５）、０≦ｘ２≦１．０９（例えば０≦ｘ２≦０．５）、０．０１≦ｘ３≦０．２（例えば０．０１≦ｘ３≦０．０５）、０≦ｘ４≦０．２（例えば０≦ｘ４≦０．０５）、０．０５≦ｙ１≦０．５（例えば０．０５≦ｙ１≦０．２）、０≦ｙ２≦０．８（例えば０≦ｙ２≦０．２）、０≦ｙ３≦０．８（例えば０．０５≦ｙ３≦０．４、又は０．１≦ｙ３≦０．４）、０．２≦ｙ４≦１（例えば０．５≦ｙ４≦０．９）、０≦ｙ５≦０．３５（例えば０≦ｙ５≦０．１）、０≦ｙ６≦０．４５（例えば０≦ｙ６≦０．２）、０≦ｙ７≦０．３（例えば０≦ｙ７≦０．２）；
ｘ１及びｘ２は、同時に０を取らないことが好ましい）であり、
マグネシウム系Ａ２Ｂ型水素吸蔵性合金を示す分子式は、Ａ２Ｂ
（Ａ＝Ｍｇｘ１Ｃａｘ２Ｔｉｘ３Ｌａｘ４Ｙｘ５；ｘ１＋ｘ２＋ｘ３＋ｘ４＋ｘ５＝１．９～２．１；
Ｂ＝Ｃｒｙ１Ｆｅｙ２Ｃｏｙ３Ｎｉｙ４Ｃｕｙ５Ｍｏｙ６；ｙ１＋ｙ２＋ｙ３＋ｙ４＋ｙ５＋ｙ６＝０．９～１．１；
１．２９≦ｘ１≦２．０９（例えば１．７≦ｘ１≦２．０５）、０≦ｘ２≦０．５（例えば０≦ｘ２≦０．２）、０≦ｘ３≦０．８（例えば０≦ｘ３≦０．５）、０≦ｘ４≦０．５（例えば０≦ｘ４≦０．２）、０．０１≦ｘ５≦０．２（例えば０．０５≦ｘ５≦０．１）、０≦ｙ１≦０．３（例えば０≦ｙ１≦０．２、０．０５≦ｙ１≦０．２）、０≦ｙ２≦０．２（例えば０≦ｙ２≦０．１）、０≦ｙ３≦０．６（例えば０≦ｙ３≦０．５）、０．２≦ｙ４≦１．１（例えば０．７≦ｙ４≦１．０５）、０≦ｙ５≦０．５（例えば０≦ｙ５≦０．４）、０≦ｙ６≦０．１５（例えば０≦ｙ６≦０．１））であり、
バナジウム系固溶体型水素吸蔵性合金を示す分子式は、Ａｘ１Ｂｘ２
（ｘ１＋ｘ２＝１；
Ａ＝Ｔｉｙ１Ｖｙ２Ｚｒｙ３Ｎｂｙ４Ｙｙ５Ｌａｙ６Ｃａｙ７；ｙ１＋ｙ２＋ｙ３＋ｙ４＋ｙ５＋ｙ６＋ｙ７＝１；
Ｂ＝Ｍｎｚ１Ｆｅｚ２Ｃｏｚ３Ｎｉｚ４；ｚ１＋ｚ２＋ｚ３＋ｚ４＝１；
０．７≦ｘ１≦０．９５（例えば０．８≦ｘ１≦０．９５、０．９≦ｘ１≦０．９５）、０．０５≦ｘ２≦０．３（例えば０．０５≦ｘ２≦０．２、０．０５≦ｘ２≦０．１）、０．４０≦ｙ１≦０．９（例えば０．４５≦ｙ１≦０．９、０．５≦ｙ１≦０．８）、０≦ｙ２≦０．５（例えば０≦ｙ２≦０．４）、０≦ｙ３≦０．５（例えば０≦ｙ３≦０．４）、０≦ｙ４≦０．５５（例えば０≦ｙ４≦０．４）、０≦ｙ５≦０．２（例えば０．０１≦ｙ５≦０．２、０．０５≦ｙ５≦０．２）、０≦ｙ６≦０．１（例えば０≦ｙ６≦０．０５）、０≦ｙ７≦０．１（例えば０≦ｙ７≦０．０５）、０≦ｚ１≦１（例えば０．１≦ｚ１≦１、０．２≦ｚ１≦０．９５）、０≦ｚ２≦０．９５（例えば０≦ｚ２≦０．９）、０≦ｚ３≦０．３（例えば０≦ｚ３≦０．２）、０≦ｚ４≦０．４５（例えば０．０５≦ｚ４≦０．４５、０．０５≦ｚ４≦０．３）、０．５５≦ｚ１＋ｚ２≦１（例えば０．７≦ｚ１＋ｚ２≦１））である、水素吸蔵性合金、又は、方法、システムもしくは装置。
〔１８〕水素吸蔵性合金は、Ｌａ０．６１Ｃｅ０．１６Ｐｒ０．０４Ｎｄ０．１９ Ｎｉ３．５５Ｃｏ０．７５Ｍｎ０．４Ａｌ０．３、（Ｔｉ０．８Ｖ０．２）０．９５（Ｆｅ１）０．０５、（Ｔｉ０．８Ｙ０．２）０．９５（Ｍｎ０．９５Ｎｉ０．０５）０．０５、（Ｔｉ０．４Ｖ０．４Ｙ０．２）０．９（Ｆｅ０．０５Ｍｎ０．９５）０．１、（Ｔｉ０．４Ｖ０．４Ｙ０．２）０．９（Ｆｅ０．０５Ｍｎ０．９Ｎｉ０．０５）０．１、（Ｔｉ０．７Ｎｂ０．１Ｙ０．２）０．９（Ｍｎ１）０．１、（Ｔｉ０．７Ｎｂ０．１Ｙ０．２）０．９（Ｍｎ０．７Ｎｉ０．３）０．１、（Ｔｉ０．４Ｚｒ０．４Ｙ０．２）０．９３（Ｆｅ０．２Ｍｎ０．７Ｃｏ０．１）０．０７、（Ｔｉ０．４Ｚｒ０．４Ｙ０．２）０．９３（Ｆｅ０．２Ｍｎ０．７Ｎｉ０．１）０．０７、（Ｔｉ０．４Ｖ０．４Ｚｒ０．２）０．９５（Ｆｅ０．６Ｍｎ０．２Ｃｏ０．１Ｎｉ０．１）０．０５、（Ｔｉ０．４Ｖ０．３５Ｚｒ０．２Ｙ０．０５）０．９５（Ｆｅ０．６Ｍｎ０．２Ｃｏ０．１Ｎｉ０．１）０．０５、（Ｔｉ０．８８Ｙ０．１Ｃａ０．０２）０．９５（Ｆｅ０．３Ｍｎ０．６Ｃｏ０．１）０．０５、（Ｔｉ０．８８Ｙ０．１Ｃａ０．０２）０．９５（Ｆｅ０．３Ｍｎ０．６Ｎｉ０．１）０．０５、（Ｔｉ０．７Ｎｂ０．１Ｙ０．２）０．８（Ｍｎ０．７Ｎｉ０．３）０．２、Ｔｉ０．６４Ｚｒ０．４５Ｙ０．０１ＶＭｎ０．９Ｎｉ０．１、Ｍｇ０．０１Ｔｉ０．９３Ｚｒ０．１５Ｙ０．０１ＶＭｎ０．９Ｎｉ０．１、Ｔｉ０．５５Ｚｒ０．４８Ｙ０．０５Ｌａ０．０２Ｖ０．３３Ｃｒ０．０５Ｍｎ１．５Ｆｅ０．０９Ｎｉ０．１、Ｔｉ０．８５Ｚｒ０．１８Ｙ０．０５Ｌａ０．０２Ｖ０．２３Ｃｒ０．０５Ｍｎ１．５Ｆｅ０．０９Ｎｉ０．１Ｃｕ０．１、Ｔｉ０．６Ｚｒ０．４Ｙ０．０５Ｖ０．１Ｍｎ１．８Ｎｉ０．２、Ｍｇ０．１Ｔｉ０．７Ｚｒ０．２Ｙ０．０５Ｖ０．１Ｍｎ１．６Ｎｉ０．２Ｃｕ０．２、Ｃａ０．０１Ｔｉ０．９Ｚｒ０．０５Ｙ０．０５Ｖ１．２Ｍｎ０．６Ｎｉ０．３、Ｃａ０．０１Ｔｉ０．８５Ｚｒ０．０５Ｙ０．０５Ｖ１．２Ｍｎ０．６Ｎｉ０．１Ｃｕ０．２、ＴｉＺｒ０．０５Ｙ０．０５Ｖ０．１Ｃｒ１．４Ｍｎ０．２Ｃｏ０．１Ｎｉ０．３、Ｍｇ０．１Ｔｉ０．８Ｚｒ０．１５Ｙ０．０５Ｖ０．１Ｃｒ１．４Ｍｎ０．２Ｃｏ０．１Ｎｉ０．１Ｃｕ０．２、Ｔｉ０．５Ｚｒ０．５５Ｙ０．０５Ｖ１．７９Ｍｎ０．１Ｆｅ０．０１Ｎｉ０．２、Ｔｉ０．８Ｚｒ０．２５Ｙ０．０５Ｖ１．７９Ｍｎ０．１Ｆｅ０．０１Ｎｉ０．１Ｃｕ０．１、Ｍｇ０．０１Ｔｉ０．６３Ｚｒ０．４５Ｙ０．０１ＶＭｎ０．９Ｎｉ０．１、Ｍｇ１．８Ｙ０．１Ｎｉ１、Ｍｇ１．８Ｙ０．１Ｃｒ０．０５Ｎｉ１、Ｍｇ１．５Ｔｉ０．５Ｙ０．０５Ｎｉ１．１、Ｍｇ１．５Ｔｉ０．５Ｙ０．０５Ｃｒ０．１Ｎｉ１、Ｍｇ２Ｙ０．１Ｎｉ０．６Ｃｕ０．４、Ｍｇ２Ｙ０．１Ｃｒ０．０５Ｎｉ０．６Ｃｕ０．４、Ｍｇ１．９２Ｙ０．０８Ｎｉ０．９５Ｆｅ０．０５、Ｍｇ１．９２Ｙ０．０８Ｃｒ０．２Ｎｉ０．７５Ｆｅ０．０５、Ｍｇ１．９Ｙ０．１Ｆｅ０．１Ｎｉ０．８Ｃｕ０．１、Ｍｇ１．９Ｙ０．１Ｃｒ０．１Ｆｅ０．１Ｎｉ０．７Ｃｕ０．１、Ｍｇ１．９Ｙ０．１Ｎｉ０．８Ｃｏ０．２、Ｍｇ１．９Ｙ０．１Ｃｒ０．１Ｎｉ０．８Ｃｏ０．２、Ｍｇ１．８Ｙ０．１Ｌａ０．１Ｎｉ０．９Ｃｏ０．１、Ｍｇ１．８Ｙ０．１Ｌａ０．１Ｃｒ０．０５Ｎｉ０．９Ｃｏ０．１、Ｍｇ１．７Ｔｉ０．２Ｙ０．１Ｎｉ０．７Ｃｏ０．３２、Ｍｇ１．７Ｔｉ０．２Ｙ０．１Ｃｒ０．０５Ｎｉ０．７Ｃｏ０．３、ＴｉＹ０．０１Ｖ０．１Ｆｅ０．７Ｎｉ０．２、ＴｉＹ０．０１Ｖ０．１Ｆｅ０．７Ｍｎ０．１Ｎｉ０．１、ＴｉＹ０．０２Ｖ０．２Ｆｅ０．８、ＴｉＹ０．０２Ｖ０．２Ｆｅ０．７Ｍｎ０．１、Ｔｉ０．９７Ｙ０．０３Ｖ０．０５Ｃｒ０．０３Ｆｅ０．９、Ｔｉ０．９７Ｙ０．０３Ｖ０．０５Ｃｒ０．０３Ｆｅ０．５Ｍｎ０．４、Ｔｉ０．９Ｙ０．０４Ｖ０．１５Ｆｅ０．９、Ｔｉ０．９Ｙ０．０４Ｖ０．０５Ｆｅ０．９Ｍｎ０．１、Ｔｉ０．９１Ｚｒ０．０５Ｙ０．０４Ｖ０．１Ｃｒ０．２Ｆｅ０．７、Ｔｉ０．９１Ｚｒ０．０５Ｙ０．０４Ｖ０．１Ｃｒ０．２Ｆｅ０．６Ｍｎ０．１、Ｔｉ０．９５Ｙ０．０５Ｖ０．２６Ｆｅ０．７Ｃｕ０．０５、Ｔｉ０．９５Ｙ０．０５Ｖ０．０５Ｆｅ０．７Ｍｎ０．２１Ｃｕ０．０５、Ｔｉ１．０２Ｙ０．０３Ｖ０．０５Ｆｅ０．９Ｎｉ０．１、Ｔｉ１．０２Ｙ０．０３Ｖ０．０５Ｆｅ０．８Ｍｎ０．１Ｎｉ０．１、Ｌａ０．５Ｃｅ０．３２Ｎｄ０．１５Ｐｒ０．０２Ｙ０．０１Ｎｉ４．４Ｆｅ０．５５Ａｌ０．０５、Ｌａ０．５Ｃｅ０．３２Ｎｄ０．１５Ｐｒ０．０２Ｙ０．０１Ｎｉ４．４Ｆｅ０．６、Ｌａ０．８Ｃｅ０．１５Ｙ０．０５Ｎｉ４Ｍｎ０．５Ａｌ０．５、Ｌａ０．８Ｃｅ０．１５Ｙ０．０５Ｎｉ４．５Ｍｎ０．５、Ｌａ０．４５Ｃｅ０．４Ｎｄ０．１Ｐｒ０．０３Ｙ０．０２Ｎｉ４Ｃｏ０．８Ａｌ０．２、Ｌａ０．４５Ｃｅ０．４Ｎｄ０．１Ｐｒ０．０３Ｙ０．０２Ｎｉ４．２Ｃｏ０．８、Ｌａ０．７５Ｃｅ０．１５Ｎｄ０．０５Ｐｒ０．０２Ｙ０．０３Ｎｉ４．７Ａｌ０．１Ｆｅ０．２、Ｌａ０．７５Ｃｅ０．１５Ｎｄ０．０５Ｐｒ０．０２Ｙ０．０３Ｎｉ４．８Ｆｅ０．２、Ｌａ０．８Ｃｅ０．１５Ｎｄ０．０３Ｙ０．０２Ｎｉ４．５Ｃｏ０．３Ｍｎ０．１Ａｌ０．１、Ｌａ０．８Ｃｅ０．１５Ｎｄ０．０３Ｙ０．０２Ｎｉ４．５Ｃｏ０．４Ｍｎ０．１、Ｌａ０．９７Ｙ０．０３Ｎｉ４Ｃｏ１から選ばれる、上述した技術的構成のいずれか１つに記載の水素吸蔵性合金、方法、システム又は装置。
〔１９〕水素吸蔵性合金は、（Ｔｉ０．８Ｙ０．２）０．９５（Ｍｎ０．９５Ｎｉ０．０５）０．０５、（Ｔｉ０．４Ｖ０．４Ｙ０．２）０．９（Ｆｅ０．０５Ｍｎ０．９Ｎｉ０．０５）０．１、（Ｔｉ０．７Ｎｂ０．１Ｙ０．２）０．９（Ｍｎ０．７Ｎｉ０．３）０．１、（Ｔｉ０．４Ｚｒ０．４Ｙ０．２）０．９３（Ｆｅ０．２Ｍｎ０．７Ｎｉ０．１）０．０７、（Ｔｉ０．４Ｖ０．３５Ｚｒ０．２Ｙ０．０５）０．９５（Ｆｅ０．６Ｍｎ０．２Ｃｏ０．１Ｎｉ０．１）０．０５、（Ｔｉ０．８８Ｙ０．１Ｃａ０．０２）０．９５（Ｆｅ０．３Ｍｎ０．６Ｎｉ０．１）０．０５、Ｍｇ０．０１Ｔｉ０．９３Ｚｒ０．１５Ｙ０．０１ＶＭｎ０．９Ｎｉ０．１、Ｔｉ０．８５Ｚｒ０．１８Ｙ０．０５Ｌａ０．０２Ｖ０．２３Ｃｒ０．０５Ｍｎ１．５Ｆｅ０．０９Ｎｉ０．１Ｃｕ０．１、Ｍｇ０．１Ｔｉ０．７Ｚｒ０．２Ｙ０．０５Ｖ０．１Ｍｎ１．６Ｎｉ０．２Ｃｕ０．２、Ｃａ０．０１Ｔｉ０．８５Ｚｒ０．０５Ｙ０．０５Ｖ１．２Ｍｎ０．６Ｎｉ０．１Ｃｕ０．２、Ｍｇ０．１Ｔｉ０．８Ｚｒ０．１５Ｙ０．０５Ｖ０．１Ｃｒ１．４Ｍｎ０．２Ｃｏ０．１Ｎｉ０．１Ｃｕ０．２、Ｔｉ０．８Ｚｒ０．２５Ｙ０．０５Ｖ１．７９Ｍｎ０．１Ｆｅ０．０１Ｎｉ０．１Ｃｕ０．１、Ｍｇ１．８Ｙ０．１Ｃｒ０．０５Ｎｉ１、Ｍｇ１．５Ｔｉ０．５Ｙ０．０５Ｃｒ０．１Ｎｉ１、Ｍｇ２Ｙ０．１Ｃｒ０．０５Ｎｉ０．６Ｃｕ０．４、Ｍｇ１．９２Ｙ０．０８Ｃｒ０．２Ｎｉ０．７５Ｆｅ０．０５、Ｍｇ１．９Ｙ０．１Ｃｒ０．１Ｆｅ０．１Ｎｉ０．７Ｃｕ０．１、Ｍｇ１．９Ｙ０．１Ｃｒ０．１Ｎｉ０．８Ｃｏ０．２、Ｍｇ１．８Ｙ０．１Ｌａ０．１Ｃｒ０．０５Ｎｉ０．９Ｃｏ０．１、Ｍｇ１．７Ｔｉ０．２Ｙ０．１Ｃｒ０．０５Ｎｉ０．７Ｃｏ０．３、ＴｉＹ０．０１Ｖ０．１Ｆｅ０．７Ｍｎ０．１Ｎｉ０．１、ＴｉＹ０．０２Ｖ０．２Ｆｅ０．７Ｍｎ０．１、Ｔｉ０．９７Ｙ０．０３Ｖ０．０５Ｃｒ０．０３Ｆｅ０．５Ｍｎ０．４、Ｔｉ０．９Ｙ０．０４Ｖ０．０５Ｆｅ０．９Ｍｎ０．１、Ｔｉ０．９１Ｚｒ０．０５Ｙ０．０４Ｖ０．１Ｃｒ０．２Ｆｅ０．６Ｍｎ０．１、Ｔｉ０．９５Ｙ０．０５Ｖ０．０５Ｆｅ０．７Ｍｎ０．２１Ｃｕ０．０５、Ｔｉ１．０２Ｙ０．０３Ｖ０．０５Ｆｅ０．８Ｍｎ０．１Ｎｉ０．１、Ｌａ０．５Ｃｅ０．３２Ｎｄ０．１５Ｐｒ０．０２Ｙ０．０１Ｎｉ４．４Ｆｅ０．５５Ａｌ０．０５、Ｌａ０．８Ｃｅ０．１５Ｙ０．０５Ｎｉ４Ｍｎ０．５Ａｌ０．５、Ｌａ０．４５Ｃｅ０．４Ｎｄ０．１Ｐｒ０．０３Ｙ０．０２Ｎｉ４Ｃｏ０．８Ａｌ０．２、Ｌａ０．７５Ｃｅ０．１５Ｎｄ０．０５Ｐｒ０．０２Ｙ０．０３Ｎｉ４．７Ａｌ０．１Ｆｅ０．２、Ｌａ０．８Ｃｅ０．１５Ｎｄ０．０３Ｙ０．０２Ｎｉ４．５Ｃｏ０．３Ｍｎ０．１Ａｌ０．１から選ばれる、上述した技術的構成のいずれか１つに記載の水素吸蔵性合金、方法、システム又は装置。
〔２０〕水素吸蔵性合金は、以下の方法によって調製され、
当該方法は、以下の工程、
水素吸蔵性合金の組成となるように水素吸蔵性合金の原料それぞれを秤量して、原料を混合する工程（１）と、
工程（１）で得られた混合物を溶融した後、アニールする工程（２）と、を含み、
溶融は、電気炉溶融又は誘導加熱溶融であり、
好ましくは、溶融の条件は、真空又は不活性雰囲気下、１２００～３０００℃、好ましくは１８００～２２００℃の温度を含み、
より好ましくは真空下、１×１０－５～１×１０－３Ｐａ（絶対圧）、好ましくは０．５×１０－４～５×１０－４Ｐａ（絶対圧）の圧力で溶融し、
より好ましくは不活性雰囲気下、０．５～１バール（例えば０．６～１バール、０．７～１バール）（ゲージ圧）の圧力で溶融し、
アニールの条件は、真空又は不活性雰囲気（例えばアルゴン雰囲気）下、５００～９００℃（例えば７００～１０００℃）の温度、１２～３６０ｈの時間を含み、
任意的に、当該方法は、工程（２）のアニールによって得られた材料を冷却した後、破砕処理を行い、１０～４００メッシュ（例えば２０～４００メッシュ）の生成物を得る工程をさらに含み、
任意的に、当該方法は、工程（２）のアニールによって得られた材料を活性化処理に供する工程をさらに含み、好ましくは活性化処理の条件は、真空下、５０～３００℃の温度、１～１０ｈの時間を含む、上述した技術的構成のいずれか１つに記載の水素吸蔵性合金、方法、システム又は装置。
当該方法は、以下の工程、
水素吸蔵性合金の組成となるように水素吸蔵性合金の原料それぞれを秤量して、原料を混合する工程（１）と、
工程（１）で得られた混合物を溶融した後、アニールする工程（２）と、を含み、
溶融は、電気炉溶融又は誘導加熱溶融であり、
好ましくは、溶融の条件は、真空又は不活性雰囲気下、１２００～３０００℃、好ましくは１８００～２２００℃の温度を含み、
より好ましくは真空下、１×１０－５～１×１０－３Ｐａ（絶対圧）、好ましくは０．５×１０－４～５×１０－４Ｐａ（絶対圧）の圧力で溶融し、
より好ましくは不活性雰囲気下、０．５～１バール（例えば０．６～１バール、０．７～１バール）（ゲージ圧）の圧力で溶融し、
アニールの条件は、真空又は不活性雰囲気（例えばアルゴン雰囲気）下、５００～９００℃（例えば７００～１０００℃）の温度、１２～３６０ｈの時間を含み、
任意的に、当該方法は、工程（２）のアニールによって得られた材料を冷却した後、破砕処理を行い、１０～４００メッシュ（例えば２０～４００メッシュ）の生成物を得る工程をさらに含み、
任意的に、当該方法は、工程（２）のアニールによって得られた材料を活性化処理に供する工程をさらに含み、好ましくは活性化処理の条件は、真空下、５０～３００℃の温度、１～１０ｈの時間を含む、上述した技術的構成のいずれか１つに記載の水素吸蔵性合金、方法、システム又は装置。
〔２１〕有機物の脱水素触媒のための担体組成物であって、
当該担体組成物は、アルミナ及び改質金属酸化物を含み、
改質金属酸化物は、チタン酸化物及び／又はジルコニウム酸化物であり、
η＜０．３、好ましくはη＝０、
θ≧５、好ましくはθが５～４０（例えば５．４～３４．３）である
（η＝担体組成物中の改質金属酸化物の結晶相の重量％含量／担体組成物中の改質金属酸化物の化学組成物の重量％含量；
θ＝担体組成物の表面における改質金属酸化物の重量％含量／担体組成物中の改質金属酸化物の化学組成物の重量％含量；
チタン酸化物はＴｉＯ２として算定され、ジルコニウム酸化物はＺｒＯ２として算定される）、有機物の脱水素触媒のための担体組成物。
当該担体組成物は、アルミナ及び改質金属酸化物を含み、
改質金属酸化物は、チタン酸化物及び／又はジルコニウム酸化物であり、
η＜０．３、好ましくはη＝０、
θ≧５、好ましくはθが５～４０（例えば５．４～３４．３）である
（η＝担体組成物中の改質金属酸化物の結晶相の重量％含量／担体組成物中の改質金属酸化物の化学組成物の重量％含量；
θ＝担体組成物の表面における改質金属酸化物の重量％含量／担体組成物中の改質金属酸化物の化学組成物の重量％含量；
チタン酸化物はＴｉＯ２として算定され、ジルコニウム酸化物はＺｒＯ２として算定される）、有機物の脱水素触媒のための担体組成物。
〔２２〕担体組成物において、アルミナの質量分率が８０～９８．５％（例えば８３～９７．５％、８５～９５％又は９０～９５％）であり、改質金属酸化物の質量分率が１．５～２０％（例えば２．５～１７％、５～１５％、又は５～１０％）である、上述した技術的構成のいずれか１つに記載の有機物の脱水素触媒のための担体組成物。
〔２３〕改質金属酸化物はチタン酸化物を含み、担体組成物において、二酸化チタンの質量分率が２～２０％（例えば２．５～１７％、５～１５％又は５～１０％）であり、二酸化ジルコニウムの質量分率が０～８％（例えば０～６％、０～３％又は１～６％）であり、好ましくは改質金属酸化物（例えば二酸化チタン）がアルミナ基質上に単層として分散している、上述した技術的構成のいずれか１つに記載の有機物の脱水素触媒のための担体組成物。
〔２４〕ＴｉＯ２の純粋相と比較して、担体組成物のＸＰＳスペクトルにおいて、Ｔｉの２Ｐ３／２軌道電子結合エネルギーの４５８．８ｅＶにおけるピークが高結合エネルギー側へ０．６～０．７ｅＶシフトし、及び／又は、Ｔｉの２Ｐ１／２軌道電子結合エネルギーの４６４．５ｅＶにおけるピークが高結合エネルギー側へ０．８～０．９ｅＶシフトしている、上述した技術的構成のいずれか１つに記載の有機物の脱水素触媒のための担体組成物。
〔２５〕担体組成物は、γ－アルミナ、η－アルミナ、ρ－アルミナ又はχ－アルミナのうち少なくとも１種類の相構造を有する、上述した技術的構成のいずれか１つに記載の有機物の脱水素触媒のための担体組成物。
〔２６〕担体組成物の比表面積が１００～３５０ｍ２／ｇであり、担体組成物の細孔容積が０．３～１．３ｍＬ／ｇである、上述した技術的構成のいずれか１つに記載の有機物の脱水素触媒のための担体組成物。
〔２７〕上述した技術的構成のいずれか１つに記載の有機物の脱水素触媒のための担体組成物の調製方法であって、
アルミナ基質を、ガスによって運ばれる改質金属酸化物前駆体のガス流と接触させ、改質金属酸化物前駆体としての酸化チタン前駆体及び／又は酸化ジルコニウム前駆体を担持しているアルミナ基質を得る工程（１）と、
改質金属酸化物前駆体を担持しているアルミナ基質を加水分解し、焼成し、担体組成物を得る工程（２）と、を含む、担体組成物の調製方法。
アルミナ基質を、ガスによって運ばれる改質金属酸化物前駆体のガス流と接触させ、改質金属酸化物前駆体としての酸化チタン前駆体及び／又は酸化ジルコニウム前駆体を担持しているアルミナ基質を得る工程（１）と、
改質金属酸化物前駆体を担持しているアルミナ基質を加水分解し、焼成し、担体組成物を得る工程（２）と、を含む、担体組成物の調製方法。
〔２８〕酸化チタン前駆体は、四塩化チタン、（テトラ）エチルチタネート、テトラブチルチタネート、（テトラ）イソプロピルチタネート、酢酸チタン、及びこれらの混合物から選ばれ（好ましくは四塩化チタン）、酸化ジルコニウム前駆体は、四塩化ジルコニウム、ジルコニウムエトキシド、ジルコニウムメトキシド、ジルコニウムイソプロポキシド、テトラブチルジルコネート、及びこれらの混合物から選ばれる（好ましくは四塩化ジルコニウム及び／又はジルコニウムメトキシド）、上述した技術的構成のいずれか１つに記載の担体組成物の調製方法。
〔２９〕アルミナ基質は、γ－アルミナ、η－アルミナ、ρ－アルミナ、χ－アルミナ、水和アルミナ、及びこれらの混合物から選ばれる、上述した技術的構成のいずれか１つに記載の担体組成物の調製方法。
〔３０〕アルミナ基質の比表面積が１００～３５０ｍ２／ｇであり、好ましくは、アルミナ基質の比表面積に対する、担体組成物の比表面積の比率が９０％以上である、上述した技術的構成のいずれか１つに記載の担体組成物の調製方法。
〔３１〕アルミナ基質の細孔容積が０．３～１．３ｍＬ／ｇである、上述した技術的構成のいずれか１つに記載の担体組成物の調製方法。
〔３２〕ガスは無水不活性ガス（例えば窒素ガス、ヘリウムガス、ネオンガス、アルゴンガス）であり、無水不活性ガス中の含水量は１０ｐｐｍ以下であり、
好ましくは、ガスによって運ばれる改質金属酸化物前駆体のガス流中の、改質金属酸化物前駆体（金属酸化物として算定される）の含量は、０．１～３ｇ／Ｌ（例えば０．２～２ｇ／Ｌ）である、上述した技術的構成のいずれか１つに記載の担体組成物の調製方法。
好ましくは、ガスによって運ばれる改質金属酸化物前駆体のガス流中の、改質金属酸化物前駆体（金属酸化物として算定される）の含量は、０．１～３ｇ／Ｌ（例えば０．２～２ｇ／Ｌ）である、上述した技術的構成のいずれか１つに記載の担体組成物の調製方法。
〔３３〕工程（１）において、ガスの温度は室温～３５０℃（例えば室温（室温とは１５～４０℃を指す）～３００℃、又は１５～３００℃）である、上述した技術的構成のいずれか１つに記載の担体組成物の調製方法。
〔３４〕工程（１）において、接触における圧力は０．０５～５ａｔｍ（例えば１～３ａｔｍ）（ゲージ圧）である、上述した技術的構成のいずれか１つに記載の担体組成物の調製方法。
〔３５〕アルミナ基質の体積に対する、ガスの１分間当たりの体積流量の比率は、３～８０：１（例えば５～３０：１、１０～２５：１）であり、ガスの体積は標準状態下での体積として算定され、アルミナ基質の体積は嵩体積として算定される、上述した技術的構成のいずれか１つに記載の担体組成物の調製方法。
〔３６〕アルミナ基質が、ガスによって運ばれる改質金属酸化物前駆体のガス流と接触するとき、アルミナ基質は流動化条件下又は撹拌下にあり、流動化条件下は、例えばバブリング床、乱流床、高速床又は運搬床であり得る、上述した技術的構成のいずれか１つに記載の担体組成物の調製方法。
〔３７〕工程（２）において、改質金属酸化物前駆体を担持しているアルミナ基質の加水分解は、改質金属酸化物前駆体を担持しているアルミナ基質を水蒸気含有ガスと接触させることにより行われる、上述した技術的構成のいずれか１つに記載の担体組成物の調製方法。
〔３８〕工程（２）における加水分解は、水蒸気含有ガスが接触するアルミナ基質に対する、当該水蒸気含有ガスの比率（標準状態下で、アルミナ基質の嵩体積に対する水蒸気含有ガスの体積の比率）が３～８０：１（例えば５～３０：１、又は１０～２５：１）であり、総ガス体積のうち、水蒸気含有ガスの水蒸気が占める割合が０．１体積％～１００体積％（例えば３体積％～１００体積％）であり、水蒸気含有ガスのうち、水蒸気以外の他のガスが不活性ガス、窒素ガス又は空気であり得る、上述した技術的構成のいずれか１つに記載の担体組成物の調製方法。
〔３９〕工程（２）における加水分解は、加水分解時間が１時間～５０時間、例えば２時間～３０時間である、上述した技術的構成のいずれか１つに記載の担体組成物の調製方法。
〔４０〕焼成は、焼成温度が３５０℃～７００℃であり、焼成時間が０．５～１２時間（焼成の雰囲気は、酸素ガスを含有しないか、又は酸素ガスを含有する雰囲気であり得、一実施形態において、酸素ガスを含有する雰囲気中の酸素ガスの含量は３～１００体積％であってよく、例えば空気雰囲気又は酸素ガス雰囲気である）である、上述した技術的構成のいずれか１つに記載の担体組成物の調製方法。
〔４１〕有機物を脱水素して水素ガスを製造するための触媒、又は、上述した技術的構成のいずれか１つに記載の水素吸蔵性合金、方法、システム若しくは装置であって、触媒は、上述した技術的構成のいずれか１つに記載の有機物の脱水素触媒のための担体組成物と、活性成分とを含む、触媒、又は、水素吸蔵性合金、方法、システム若しくは装置。
〔４２〕上述した技術的構成のいずれか１つに記載の有機物を脱水素して水素ガスを製造するための触媒、又は、上述した技術的構成のいずれか１つに記載の水素吸蔵性合金、方法、システム若しくは装置であって、
活性成分は、以下の（１）、（２）及び（３）のいずれか１つであり：
（１）貴金属群のうち少なくとも１種類の元素、好ましくはＰｔ、及び、任意的に貴金属群のうちＰｔ以外の少なくとも１種類の元素；
（２）Ｐｔ、及び第１金属群のうち少なくとも１種類の元素；
（３）Ｎｉ、第２金属群のうち少なくとも１種類の元素、及び任意的にリン、
貴金属群は、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｒｕ、Ｒｅ、Ｒｈ、Ｉｒ及びＯｓから選択される元素からなる群であり、
第１金属群は、Ｓｎ、Ｖ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｃｅ、Ｗ、Ｃｕ及びＣａから選択される元素からなる群であり；
第２金属群は、Ｚｎ、Ｓｎ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ａｇ、Ｉｎ、Ｒｅ、Ｍｏ、Ｃｏ、Ｃａ及びＷから選択される元素からなる群であり；
触媒中、担体の含量は７０～９９．９重量％であり、活性成分の含量は０．１～３０重量％である、触媒、又は、水素吸蔵性合金、方法、システム若しくは装置。
活性成分は、以下の（１）、（２）及び（３）のいずれか１つであり：
（１）貴金属群のうち少なくとも１種類の元素、好ましくはＰｔ、及び、任意的に貴金属群のうちＰｔ以外の少なくとも１種類の元素；
（２）Ｐｔ、及び第１金属群のうち少なくとも１種類の元素；
（３）Ｎｉ、第２金属群のうち少なくとも１種類の元素、及び任意的にリン、
貴金属群は、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｒｕ、Ｒｅ、Ｒｈ、Ｉｒ及びＯｓから選択される元素からなる群であり、
第１金属群は、Ｓｎ、Ｖ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｃｅ、Ｗ、Ｃｕ及びＣａから選択される元素からなる群であり；
第２金属群は、Ｚｎ、Ｓｎ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ａｇ、Ｉｎ、Ｒｅ、Ｍｏ、Ｃｏ、Ｃａ及びＷから選択される元素からなる群であり；
触媒中、担体の含量は７０～９９．９重量％であり、活性成分の含量は０．１～３０重量％である、触媒、又は、水素吸蔵性合金、方法、システム若しくは装置。
〔４３〕上述した技術的構成のいずれか１つに記載の有機物を脱水素して水素ガスを製造するための触媒、又は、上述した技術的構成のいずれか１つに記載の水素吸蔵性合金、方法、システム若しくは装置であって、
活性成分は、（１）貴金属群のうち少なくとも１種類の元素であり、触媒中、担体の含量は９０～９９．９重量％（例えば９２～９９．４重量％、９２～９９．５重量％、９５～９９．４重量％、９８～９９．２重量％、９８．５～９９．５重量％）であり、活性成分の含量は０．１～１０重量％（例えば０．６～８重量％、０．５～８重量％、０．６～５重量％、０．８～２重量％又は０．５～１．５重量％）であり、
好ましくは、活性成分はＰｔ、及び、任意的に貴金属群のうちＰｔ以外の少なくとも１種類の元素であり、Ｐｔの含量は０．１～１０重量％（例えば０．１～２重量％、０．６～１０重量％又は０．６～０．８重量％）であり、貴金属群のうちＰｔ以外の少なくとも１種類の元素の含量は０～９．９重量％（例えば０．１～２重量％又は０．１～０．８重量％）である、触媒、又は、水素吸蔵性合金、方法、システム若しくは装置。
活性成分は、（１）貴金属群のうち少なくとも１種類の元素であり、触媒中、担体の含量は９０～９９．９重量％（例えば９２～９９．４重量％、９２～９９．５重量％、９５～９９．４重量％、９８～９９．２重量％、９８．５～９９．５重量％）であり、活性成分の含量は０．１～１０重量％（例えば０．６～８重量％、０．５～８重量％、０．６～５重量％、０．８～２重量％又は０．５～１．５重量％）であり、
好ましくは、活性成分はＰｔ、及び、任意的に貴金属群のうちＰｔ以外の少なくとも１種類の元素であり、Ｐｔの含量は０．１～１０重量％（例えば０．１～２重量％、０．６～１０重量％又は０．６～０．８重量％）であり、貴金属群のうちＰｔ以外の少なくとも１種類の元素の含量は０～９．９重量％（例えば０．１～２重量％又は０．１～０．８重量％）である、触媒、又は、水素吸蔵性合金、方法、システム若しくは装置。
〔４４〕上述した技術的構成のいずれか１つに記載の有機物を脱水素して水素ガスを製造するための触媒、又は、上述した技術的構成のいずれか１つに記載の水素吸蔵性合金、方法、システム若しくは装置であって、
活性成分は、（２）Ｐｔ、及び第１金属群のうち少なくとも１種類の元素であり、
触媒中、担体の含量は７５～９９．５重量％（例えば７５～９９．４重量％、７９．９～９８．５重量％）であり、活性成分の含量は０．５～２５重量％（例えば０．６～２５重量％、１．５～２０．１重量％）であり、
活性成分のうち、Ｐｔ（単体として算定される）の含量は０．０１～１０重量％（例えば０．２～８重量％、０．４～２重量％、０．３～０．６重量％、０．１～０．７重量％）であり、第１金属群のうち少なくとも１種類の元素（酸化物として算定される）の含量は０．５～２０重量％（例えば０．５～１５重量％又は１～１０重量％）であり、
好ましくは、第１金属群のうち少なくとも１種類の元素が、Ｎｉ、又は、Ｎｉと第１金属群のうちＮｉ以外の少なくとも１種類の元素との組み合わせであり、Ｐｔ（単体として算定される）とＮｉ（ＮｉＯとして算定される）との質量比が（０．０１：１６）～（０．５：０．１）である、
触媒、又は、水素吸蔵性合金、方法、システム若しくは装置。
活性成分は、（２）Ｐｔ、及び第１金属群のうち少なくとも１種類の元素であり、
触媒中、担体の含量は７５～９９．５重量％（例えば７５～９９．４重量％、７９．９～９８．５重量％）であり、活性成分の含量は０．５～２５重量％（例えば０．６～２５重量％、１．５～２０．１重量％）であり、
活性成分のうち、Ｐｔ（単体として算定される）の含量は０．０１～１０重量％（例えば０．２～８重量％、０．４～２重量％、０．３～０．６重量％、０．１～０．７重量％）であり、第１金属群のうち少なくとも１種類の元素（酸化物として算定される）の含量は０．５～２０重量％（例えば０．５～１５重量％又は１～１０重量％）であり、
好ましくは、第１金属群のうち少なくとも１種類の元素が、Ｎｉ、又は、Ｎｉと第１金属群のうちＮｉ以外の少なくとも１種類の元素との組み合わせであり、Ｐｔ（単体として算定される）とＮｉ（ＮｉＯとして算定される）との質量比が（０．０１：１６）～（０．５：０．１）である、
触媒、又は、水素吸蔵性合金、方法、システム若しくは装置。
〔４５〕上述した技術的構成のいずれか１つに記載の有機物を脱水素して水素ガスを製造するための触媒、又は、上述した技術的構成のいずれか１つに記載の水素吸蔵性合金、方法、システム若しくは装置であって、
活性成分は、（３）Ｎｉ、第２金属群のうち少なくとも１種類の元素、及び任意的にリンであり、
触媒中、担体の含量は７０～９５重量％（例えば、７５～９３重量％、又は７５～９０重量％）であり、活性成分（酸化物として算定される）の含量は５～３０重量％（例えば、７～２５重量％）であり、
活性成分のうち、ニッケル（ＮｉＯとして算定される）の含量が０．５～２５重量％（例えば、５～２５重量％、６～２０重量％、又は６～１１重量％）であり、第２金属群のうち少なくとも１種類の元素（酸化物として算定される）の含量は０～１５重量％（例えば０～１０重量％）であり、リン（Ｐ２Ｏ５として算定される）の含量は０～１５重量％である、触媒、又は、水素吸蔵性合金、方法、システム若しくは装置。
活性成分は、（３）Ｎｉ、第２金属群のうち少なくとも１種類の元素、及び任意的にリンであり、
触媒中、担体の含量は７０～９５重量％（例えば、７５～９３重量％、又は７５～９０重量％）であり、活性成分（酸化物として算定される）の含量は５～３０重量％（例えば、７～２５重量％）であり、
活性成分のうち、ニッケル（ＮｉＯとして算定される）の含量が０．５～２５重量％（例えば、５～２５重量％、６～２０重量％、又は６～１１重量％）であり、第２金属群のうち少なくとも１種類の元素（酸化物として算定される）の含量は０～１５重量％（例えば０～１０重量％）であり、リン（Ｐ２Ｏ５として算定される）の含量は０～１５重量％である、触媒、又は、水素吸蔵性合金、方法、システム若しくは装置。
〔４６〕上述した技術的構成のいずれか１つに記載の担体組成物の調製方法における工程（１）及び（２）、
アルミナ基質を、ガスによって運ばれる改質金属酸化物前駆体のガス流と接触させ、改質金属酸化物前駆体としての酸化チタン前駆体及び／又は酸化ジルコニウム前駆体を担持しているアルミナ基質を得る工程（１）と、
改質金属酸化物前駆体を担持しているアルミナ基質を加水分解し、焼成し、担体組成物を得る工程（２）と、を含む、触媒の調製方法であって、
活性成分前駆体の溶液を担体組成物に含浸させ、活性成分前駆体が含浸した担体を得る工程（３）と、
活性成分前駆体が含浸した担体を乾燥及び焼成する工程（４）と、をさらに含み、
好ましくは、活性成分は、以下の（１）、（２）及び（３）のいずれか１つであり：
（１）貴金属群のうち少なくとも１種類の元素、好ましくはＰｔ、及び、任意的に貴金属群のうちＰｔ以外の少なくとも１種類の元素；
（２）Ｐｔ、及び第１金属群のうち少なくとも１種類の元素；
（３）Ｎｉ、第２金属群のうち少なくとも１種類の元素、及び任意的にリン、
貴金属群は、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｒｕ、Ｒｅ、Ｒｈ、Ｉｒ及びＯｓから選択される元素からなる群であり、
第１金属群は、Ｓｎ、Ｖ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｃｅ、Ｗ、Ｃｕ及びＣａから選択される元素からなる群であり、
第２金属群は、Ｚｎ、Ｓｎ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ａｇ、Ｉｎ、Ｒｅ、Ｍｏ、Ｃｏ、Ｃａ及びＷから選択される元素からなる群である、触媒の調製方法。
アルミナ基質を、ガスによって運ばれる改質金属酸化物前駆体のガス流と接触させ、改質金属酸化物前駆体としての酸化チタン前駆体及び／又は酸化ジルコニウム前駆体を担持しているアルミナ基質を得る工程（１）と、
改質金属酸化物前駆体を担持しているアルミナ基質を加水分解し、焼成し、担体組成物を得る工程（２）と、を含む、触媒の調製方法であって、
活性成分前駆体の溶液を担体組成物に含浸させ、活性成分前駆体が含浸した担体を得る工程（３）と、
活性成分前駆体が含浸した担体を乾燥及び焼成する工程（４）と、をさらに含み、
好ましくは、活性成分は、以下の（１）、（２）及び（３）のいずれか１つであり：
（１）貴金属群のうち少なくとも１種類の元素、好ましくはＰｔ、及び、任意的に貴金属群のうちＰｔ以外の少なくとも１種類の元素；
（２）Ｐｔ、及び第１金属群のうち少なくとも１種類の元素；
（３）Ｎｉ、第２金属群のうち少なくとも１種類の元素、及び任意的にリン、
貴金属群は、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｒｕ、Ｒｅ、Ｒｈ、Ｉｒ及びＯｓから選択される元素からなる群であり、
第１金属群は、Ｓｎ、Ｖ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｃｅ、Ｗ、Ｃｕ及びＣａから選択される元素からなる群であり、
第２金属群は、Ｚｎ、Ｓｎ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ａｇ、Ｉｎ、Ｒｅ、Ｍｏ、Ｃｏ、Ｃａ及びＷから選択される元素からなる群である、触媒の調製方法。
〔４７〕工程（４）における焼成は、焼成温度が４００～７００℃であり、焼成時間が０．５～１２時間である、上述した技術的構成のいずれか１つに記載の触媒の調製方法。
〔４８〕活性成分前駆体は、活性成分の可溶性塩（例えば、金属硝酸塩、金属酢酸塩、金属塩化物、金属炭酸塩、金属酢酸塩錯体、金属水酸化物、金属シュウ酸塩錯体、高原子価金属酸、高原子価金属酸塩、金属錯体及びアンモニウム塩のうち１つ又は複数）である、上述した技術的構成のいずれか１つに記載の触媒の調製方法。
〔４９〕活性成分前駆体が含浸した担体を、－４０℃未満の環境に１時間～２４時間置いた後、担体上に吸着した水を真空乾燥により除去し、焼成し、触媒を得る、上述した技術的構成のいずれか１つに記載の触媒の調製方法。
〔図面の簡単な説明〕
図１は、アルミナとチタン酸化物とを含む担体組成物のＸ線回析（ＸＲＤ）スペクトルである。図中、「１」は本発明によって提供される担体組成物（チタン酸化物を担持したアルミナ）のＸＲＤスペクトルを示し、「２」は含浸法により調製された、アルミナがＴｉ酸化物を担持してなる担体組成物のＸＲＤスペクトルを示し、「３」はアルミナと二酸化チタンとを機械的に混合した混合物のＸＲＤスペクトルを示す。ＸＲＤ曲線において、２θ＝２５．３７°、４８．１２°、５３．９７°、５５．１°におけるピークは、ＴｉＯ２（アナターゼ）の回折ピークである。
図１は、アルミナとチタン酸化物とを含む担体組成物のＸ線回析（ＸＲＤ）スペクトルである。図中、「１」は本発明によって提供される担体組成物（チタン酸化物を担持したアルミナ）のＸＲＤスペクトルを示し、「２」は含浸法により調製された、アルミナがＴｉ酸化物を担持してなる担体組成物のＸＲＤスペクトルを示し、「３」はアルミナと二酸化チタンとを機械的に混合した混合物のＸＲＤスペクトルを示す。ＸＲＤ曲線において、２θ＝２５．３７°、４８．１２°、５３．９７°、５５．１°におけるピークは、ＴｉＯ２（アナターゼ）の回折ピークである。
図２は、Ｘ線光電子分光法（ＸＰＳ）スペクトルである。図中、１は純粋なＴｉＯ２のＸＰＳスペクトルを示し、他の曲線は本発明の方法により調製された、ＴｉＯ２含量が異なる担体組成物（チタン酸化物を担持したアルミナ）のＸＰＳスペクトルを示す。Ｍ－２、Ｍ－４、Ｍ－７及びＭ－８はそれぞれ実施例２、４、７及び８の担体を示す。図２では、本発明によって提供される担体組成物は、Ｔｉの２Ｐ３／２軌道電子結合エネルギー（結合エネルギーと略称する）の４５８．８ｅＶにおけるピークが高結合エネルギー側へ０．６～０．７ｅＶシフトし、Ｔｉの２Ｐ１／２軌道電子結合エネルギーの４６４．５ｅＶにおけるピークが高結合エネルギー側へ０．８～０．９ｅＶシフトしており、Ｔｉとアルミナ担体との間に相互作用が存在することが示されている。
図３は、本発明によって提供される高純度高圧水素ガスを提供する模式図である。図中、１は有機液体貯蔵タンクを示し、２は原料ポンプを示し、３は熱交換器を示し、４は脱水素反応器を示し、５は熱交換器を示し、６は水素貯蔵タンクを示し、７は一方向バルブを示し、８はエネルギー伝送システムを示し、９はパージシステムを示し、１０は水素貯蔵制御システムを示す。
〔発明の詳細な説明〕
本発明で言う圧力とは、特段に説明しない限り、ゲージ圧を指す。
本発明で言う圧力とは、特段に説明しない限り、ゲージ圧を指す。
本発明の一態様において、本発明は、有機物の脱水素触媒のための担体組成物であって、当該担体組成物は、アルミナ及び改質金属酸化物を含み、改質金属酸化物は、チタン酸化物及び／又はジルコニウム酸化物であり、η＜０．３、好ましくはη＝０；θ≧５、好ましくはθが５～４０（例えば５．４～３４．３）である（η＝担体組成物中の改質金属酸化物の結晶相の重量％含量／担体組成物中の改質金属酸化物の化学組成物の重量％含量；θ＝担体組成物の表面における改質金属酸化物の重量％含量／担体組成物中の改質金属酸化物の化学組成物の重量％含量；チタン酸化物はＴｉＯ２として算定され、ジルコニウム酸化物はＺｒＯ２として算定される）、有機物の脱水素触媒のための担体組成物を提供する。
好ましくは、アルミナ及び改質金属酸化物の一部又は全てが、担体組成物を形成する。一実施形態において、改質金属酸化物が担体の表面に担持されている。
本発明の担体組成物によれば、担体組成物において、アルミナの質量分率は８０～９８．５％（例えば８３～９７．５％、８５～９５％又は９０～９５％）であり、改質金属酸化物の質量分率は１．５～２０％（例えば２．５～１７％、５～１５％、又は５～１０％）である。
本発明の担体組成物によれば、改質金属酸化物はチタン酸化物を含み、担体組成物において、二酸化チタンの質量分率は２～２０％（例えば２．５～１７％、５～１５％又は５～１０％）であり、二酸化ジルコニウムの質量分率は０～８％（例えば０～６％、０～３％又は１～６％）であり、好ましくは、改質金属酸化物（例えば二酸化チタン）はアルミナ基質上に単層として分散している。
本発明の一実施形態によれば、ＸＰＳで測定する場合、担体の表面から厚さ０～５ｎｍの表層において、改質金属酸化物の含量として原子番号％が９０を超え、好ましくは９５を超える場合、当該改質金属酸化物がアルミナ基質上に単層として分散していると言う。
本発明の担体組成物によれば、ＴｉＯ２の純粋相と比較して、担体組成物のＸＰＳスペクトルにおいて、Ｔｉの２Ｐ３／２軌道電子結合エネルギーの４５８．８ｅＶにおけるピークが高結合エネルギー側へ０．６～０．７ｅＶシフトし、及び／又は、Ｔｉの２Ｐ１／２軌道電子結合エネルギーの４６４．５ｅＶにおけるピークが高結合エネルギー側へ０．８～０．９ｅＶシフトしている。
本発明の担体組成物によれば、担体組成物は、γ－アルミナ、η－アルミナ、ρ－アルミナ又はχ－アルミナのうち少なくとも１種類の相構造を有する。
本発明の担体組成物によれば、担体組成物の比表面積は１００～３５０ｍ２／ｇ（例えば１１０～３４０ｍ２／ｇ又は１３０～２５０ｍ２／ｇ又は１４０～２００ｍ２／ｇ）であり、担体組成物の細孔容積は０．３～１．３ｍＬ／ｇ（例えば０．３２～１．０ｍＬ／ｇ又は０．３５～０．６ｍＬ／ｇ又は０．３５～０．８ｍＬ／ｇ）である。アルミナ基質の比表面積に対する、担体組成物の比表面積の比率は、９０％以上であり、即ち、純粋アルミナ（改質元素の導入による改質を施していないアルミナ）の比表面積と比較して、担体組成物の比表面積の減少割合は、≦１０％である。
本発明によって提供される担体組成物は、有機物を脱水素して水素ガスを生成するための触媒の調製に用いてもよく、アルカン類有機物の酸化脱水素によりオレフィン又は酸素含有有機物を生成するための触媒に用いてもよい。一般的に、触媒は、本発明によって提供される担体組成物、及び当該担体組成物上に担持された活性金属成分を含み、活性金属成分は、活性金属の酸化物及び／又は活性金属の単体である。活性金属は、例えばＶＩＩＩＢ族金属、ＶＩＩＢ族金属、ＶＢ族金属、ＶＩＢ族金属、ＩＢ族金属、希土類元素、アルカリ土類金属、ＩＶＡ族金属のうち１つ又は複数である。これにより、従来の担体及び同様の活性金属を用いて調製した触媒に比べ、より高い脱水素活性及び／又はより高い選択性を有することができる。
本発明によって提供される担体組成物は、η値が比較的低く、θ値が比較的高いため、脱水素触媒用担体、特に、シクロアルカン環を含有する液状有機水素吸蔵化合物を脱水素して水素ガスを生成するための触媒に用いることができ、触媒の脱水素活性及び／又は選択性を向上させることができる。
本発明で提供される、担体組成物の調製方法は、本発明で提供される担体組成物を得ることができ、得られる担体組成物はη値が比較的低く、θ値が比較的高く、調製方法の実施は容易である。
本発明で提供される担体組成物を用いて調製される、液状有機水素吸蔵化合物の脱水素による水素ガス生成のための脱水素触媒は、より高い活性を有し、水素ガス選択性が比較的高い。また、調製される酸化脱水素触媒は、活性が高く、より高い酸化選択性を有する。
本発明によって提供される担体は、水素吸蔵有機化合物を脱水素して水素ガスを生成するための触媒の調製に用いてもよく、他の水素関連反応触媒又は酸化触媒における担体として用いてもよく、例えば有機物酸化脱水素触媒、不飽和炭化水素水素化触媒、有機物完全酸化触媒、又はＮＯ酸化触媒に用いてもよい。
本発明の一態様において、本発明は、以下の工程、アルミナ基質を、ガスによって運ばれる改質金属酸化物前駆体のガス流と接触させ、改質金属酸化物前駆体としての酸化チタン前駆体及び／又は酸化ジルコニウム前駆体を担持しているアルミナ基質を得る工程（１）と、改質金属酸化物前駆体を担持しているアルミナ基質を加水分解し、焼成し、担体組成物を得る工程（２）と、を含む、担体組成物の調製方法を提供する。
本発明の担体組成物の調製方法によれば、改質金属酸化物前駆体は、好ましくは室温～３５０℃下で気化して金属酸化物前駆体ガスを形成することが可能な物質である。酸化チタン前駆体は、四塩化チタン、（テトラ）エチルチタネート、テトラブチルチタネート、（テトラ）イソプロピルチタネート、酢酸チタンから選ばれる１つ又は複数（好ましくは四塩化チタン）であり、酸化ジルコニウム前駆体は、四塩化ジルコニウム、ジルコニウムエトキシド、ジルコニウムメトキシド、ジルコニウムイソプロポキシド、テトラブチルジルコネートから選ばれる１つ又は複数（好ましくは四塩化ジルコニウム及び／又はジルコニウムメトキシド）である。
本発明の担体組成物の調製方法によれば、アルミナ基質は、γ－アルミナ、η－アルミナ、ρ－アルミナ、χ－アルミナ、水和アルミナ（例えばベーマイト、ダイアスポア、擬ベーマイト、ギブサイト（ｇｉｂｂｓｉｔｅ）、バイエライト（ｂａｙｅｒｉｔｅ）、ノルドストランダイト（ｎｏｒｄｓｔｒａｎｄｉｔｅ）、非晶質水酸化アルミニウム）、及びこれらの混合物から選ばれ、好ましくはアルミナ基質の平均粒子径（直径）が５～１００μｍ、例えば５～５０μｍである。
本発明の担体組成物の調製方法によれば、アルミナ基質の比表面積は１００ｍ２／ｇ以上（例えば１００ｍ２／ｇよりも大きく且つ３８０ｍ２／ｇ以下、１００～３５０ｍ２／ｇ、１２５～３３５ｍ２／ｇ）であり、好ましくはアルミナ基質の比表面積に対する、担体組成物の比表面積の比率は、９０％以上であり、即ち、アルミナ基質の比表面積と比較して、得られる担体組成物の比表面積の減少割合は、≦１０％である。
本発明の担体組成物の調製方法によれば、アルミナ基質の細孔容積は０．３ｍＬ／ｇ以上（例えば０．３ｍＬ／ｇよりも大きく且つ１．４５ｍＬ／ｇ以下、０．３～１．３ｍＬ／ｇ、０．３５～１．２ｍＬ／ｇ、０．３５～１．０又は０．４～０．８ｍＬ／ｇ）である。
本発明の担体組成物の調製方法によれば、ガスは無水不活性ガス（例えば窒素ガス、ヘリウムガス、ネオンガス、アルゴンガス）であり、無水不活性ガス中の含水量は１０ｐｐｍ以下であり、好ましくは、ガスによって運ばれる改質金属酸化物前駆体のガス流中の、改質金属酸化物前駆体（金属酸化物として算定される）の含量は、０．１～３ｇ／Ｌ（例えば０．２～２ｇ／Ｌ）である。
本発明の担体組成物の調製方法によれば、工程（１）において、ガスの温度は室温～３５０℃（例えば室温（室温とは１５～４０℃を指す）～３００℃、又は１５～３００℃）であり、接触における温度は１５～３５０℃（例えば１５～３００℃、又は１５～１００℃、又は１５～２００℃、又は１８～６０℃、又は１５～４０℃）である。
本発明の担体組成物の調製方法によれば、工程（１）において、接触における圧力は０．０５～５ａｔｍ（例えば１～３ａｔｍ）（ゲージ圧）である。
本発明の担体組成物の調製方法によれば、アルミナ基質の体積に対する、ガスの１分間当たりの体積流量の比率は、３～８０：１（例えば５～３０：１、１０～２５：１）であり、ガスの体積は標準状態下での体積として算定され、アルミナ基質の体積は嵩体積として算定される。
本発明の担体組成物の調製方法によれば、アルミナ基質が、ガスによって運ばれる改質金属酸化物前駆体のガス流と接触するとき、アルミナ基質は流動化条件下又は撹拌下にあり、流動化条件下は、例えばバブリング床、乱流床、高速床又は運搬床であり得る。
一実施形態において、アルミナ基質を、ガスによって運ばれる改質金属酸化物前駆体のガス流（ガス流とも言う）と接触させ、アルミナ基質は固定床においてガス流と接触するか、又は、流動化条件下で、ガスによって運ばれる改質金属酸化物前駆体のガス流と接触し得るか、又は、撹拌下でガス流と接触し得る。流動化条件下での接触は、例えばバブリング床、乱流床、高速床又は運搬床を用いた方式の接触であり得る。アルミナ基質の体積に対する、ガスの１分間当たりの体積流量の比率は、３～８０：１、例えば５～３０：１、又は１０～２５：１であり、ガスの体積は標準状態下での体積として算定され、アルミナ基質の体積は嵩体積として算定される。別の一実施形態において、ガス流とアルミナ基質とが流動床において接触し、接触における体積空間速度は３～８０：１分間－１、例えば５～３０：１分間－１又は１０～２５：１分間－１であり、ガス流の体積流量は標準状態下でのガスの体積として算定され、アルミナ基質の体積は嵩体積として算定され、流動床はバルク流動床、バブリング床又は乱流床であり得る。
本発明の担体組成物の調製方法によれば、工程（２）において、改質金属酸化物前駆体を担持しているアルミナ基質の加水分解は、改質金属酸化物前駆体を担持しているアルミナ基質を水蒸気含有ガスと接触させることにより行われる。
本発明の担体組成物の調製方法によれば、工程（２）における加水分解は、水蒸気含有ガスが接触するアルミナ基質に対する、当該水蒸気含有ガスの比率（標準状態下で、アルミナ基質の嵩体積に対する水蒸気含有ガスの体積の比率）が３～８０：１（例えば５～３０：１、又は１０～２５：１）であり、総ガス体積のうち、水蒸気含有ガスの水蒸気が占める割合が０．１体積％～１００体積％（例えば３体積％～１００体積％、１０体積％～７０体積％）であり、水蒸気含有ガスのうち、水蒸気以外の他のガスが不活性ガス、窒素ガス又は空気であり得る。
本発明の担体組成物の調製方法によれば、工程（２）における加水分解は、加水分解時間が１時間～５０時間、例えば２時間～３０時間である（通常、加水分解時間は担持時間以上である。担持時間とは、アルミナ基質と、ガスによって運ばれる改質金属酸化物前駆体のガス流とが接触する時間を指す）。
本発明の担体組成物の調製方法によれば、焼成の雰囲気は、酸素ガスを含有しないか、又は酸素ガスを含有する雰囲気であり得る。一実施形態において、酸素ガスを含有する雰囲気中の酸素ガスの含量は３～１００体積％であってよく、例えば空気雰囲気又は酸素ガス雰囲気である。焼成温度は３５０℃～７００℃（例えば４００～７００℃）であり、焼成時間は０．５～１２時間（例えば１～１０時間、又は２～９時間、又は４～８時間）である。
本発明の一態様において、本発明は、有機物を脱水素して水素ガスを製造するための触媒であって、有機物の脱水素触媒のための本発明の担体組成物、及び活性成分を含む触媒を提供する。
本発明によって提供される触媒に含まれる活性成分は、酸化物及び／又は活性金属単体の形態で存在してもよい。
有機物を脱水素して水素ガスを製造するための本発明の触媒によれば、活性成分は、以下の（１）、（２）及び（３）のいずれか１つであり：（１）貴金属群のうち少なくとも１種類の元素、好ましくはＰｔ、及び、任意的に貴金属群のうちＰｔ以外の少なくとも１種類の元素；（２）Ｐｔ、及び第１金属群のうち少なくとも１種類の元素；（３）Ｎｉ、第２金属群のうち少なくとも１種類の元素、及び任意的にリン、
貴金属群は、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｒｕ、Ｒｅ、Ｒｈ、Ｉｒ及びＯｓから選択される元素からなる群であり、
第１金属群は、Ｓｎ、Ｖ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｃｅ、Ｗ、Ｃｕ及びＣａから選択される元素からなる群であり；
第２金属群は、Ｚｎ、Ｓｎ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ａｇ、Ｉｎ、Ｒｅ、Ｍｏ、Ｃｏ、Ｃａ及びＷから選択される元素からなる群であり；
触媒中、担体の含量は７０～９９．９重量％であり、活性成分の含量は０．１～３０重量％である。
貴金属群は、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｒｕ、Ｒｅ、Ｒｈ、Ｉｒ及びＯｓから選択される元素からなる群であり、
第１金属群は、Ｓｎ、Ｖ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｃｅ、Ｗ、Ｃｕ及びＣａから選択される元素からなる群であり；
第２金属群は、Ｚｎ、Ｓｎ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ａｇ、Ｉｎ、Ｒｅ、Ｍｏ、Ｃｏ、Ｃａ及びＷから選択される元素からなる群であり；
触媒中、担体の含量は７０～９９．９重量％であり、活性成分の含量は０．１～３０重量％である。
有機物を脱水素して水素ガスを製造するための本発明の触媒によれば、活性成分は、（１）貴金属群のうち少なくとも１種類の元素であり、触媒中、担体の含量は９０～９９．９重量％（例えば９２～９９．４重量％、９２～９９．５重量％、９５～９９．４重量％、９８～９９．２重量％、９８．５～９９．５重量％）であり、活性成分の含量は０．１～１０重量％（例えば０．６～８重量％、０．５～８重量％、０．６～５重量％、０．８～２重量％又は０．５～１．５重量％）であり、好ましくは、活性成分はＰｔ、及び、任意的に貴金属群のうちＰｔ以外の少なくとも１種類の元素であり、Ｐｔの含量は０．１～１０重量％（例えば０．１～２重量％、０．６～１０重量％又は０．６～０．８重量％）であり、貴金属群のうちＰｔ以外の少なくとも１種類の元素の含量は０～９．９重量％（例えば０．１～２重量％又は０．１～０．８重量％）である。
有機物を脱水素して水素ガスを製造するための本発明の触媒によれば、活性成分は、（２）Ｐｔ、及び第１金属群のうち少なくとも１種類の元素（例えばＳｎ、Ｎｉ、Ｍｎ、Ｃｕのうち１つ又は複数）であり、触媒中、担体の含量は７５～９９．５重量％（例えば７５～９９．４重量％、７９．９～９８．５重量％）であり、活性成分の含量は０．５～２５重量％（例えば０．６～２５重量％、１．５～２０．１重量％）であり、活性成分のうち、Ｐｔ（単体として算定される）の含量は０．０１～１０重量％（例えば０．２～８重量％、０．４～２重量％、０．３～０．６重量％、０．１～０．７重量％）であり、第１金属群のうち少なくとも１種類の元素（酸化物として算定される）の含量は０．５～２０重量％（例えば０．５～１５重量％又は１～１０重量％）であり、好ましくは、第１金属群のうち少なくとも１種類の元素が、Ｎｉ、又は、Ｎｉと第１金属群のうちＮｉ以外の少なくとも１種類の元素（例えばＳｎ、Ｍｎ及びＣｕ、好ましくはＣｕ）との組み合わせであり、Ｐｔ（単体として算定される）とＮｉ（ＮｉＯとして算定される）との質量比が（０．０１：１６）～（０．５：０．１）である。好ましくは、触媒中、Ｐｔの含量は０．１～０．５重量％であり、Ｎｉ（酸化物として算定される）の含量は０．５～１５重量％、例えば１～１０重量％であり、第１金属群のうちＮｉ以外の元素（酸化物として算定される）の含量は０～１０重量％、例えば１～６重量％である。活性成分は、より好ましくはＰｔ、Ｎｉ及びＣｕである。
有機物を脱水素して水素ガスを製造するための本発明の触媒によれば、活性成分は、（３）Ｎｉ、第２金属群のうち少なくとも１種類の元素（好ましくはＳｎ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｆｅ、Ａｇ、より好ましくはＳｎ、Ａｇ、Ｃｕ及びＺｎ、更に好ましくはＳｎ、Ｚｎ及びＣｕ、更に好ましくはＳｎ及びＺｎ）、及び任意的にリンである。当該好ましい実施形態によれば、高い転化率及び水素ガス生成速度を有するとともに、他の活性金属よりも高い水素ガス選択性を有することができる。触媒中、担体の含量は７０～９５重量％（例えば、７５～９３重量％、又は７５～９０重量％）であり、活性成分（酸化物として算定される）の含量は５～３０重量％（例えば、７～２５重量％、１０～２５重量％、８～２０重量％、又は１０～１６重量％）であり、活性成分のうち、ニッケル（ＮｉＯとして算定される）の含量が０．５～２５重量％（例えば０．５～２０重量％、５～２５重量％、６～２０重量％、５～１５重量％、８～１０重量％、又は６～１１重量％）であり、第２金属群のうち少なくとも１種類の元素（酸化物として算定される）の含量は０～１５重量％（例えば０～１０重量％、２～６重量％）であり、リン（Ｐ２Ｏ５として算定される）の含量は０～１５重量％（例えば０～８重量％、０～６重量％）である。
有機物を脱水素して水素ガスを製造するための本発明の触媒によれば、触媒の比表面積は１００～３５０ｍ２／ｇ（例えば１２０～３３０ｍ２／ｇ）であり、触媒の細孔容積は０．３～１．３ｍｌ／ｇ（例えば０．３５～１．２ｍｌ／ｇ）である。
本発明の一態様において、本発明は、有機物を脱水素して水素ガスを製造するための本発明の触媒の調製方法であって、アルミナ基質を、ガスによって運ばれる改質金属酸化物前駆体のガス流と接触させ、改質金属酸化物前駆体としての酸化チタン前駆体及び／又は酸化ジルコニウム前駆体を担持しているアルミナ基質を得る工程（１）と、改質金属酸化物前駆体を担持しているアルミナ基質を加水分解し、焼成し、担体組成物を得る工程（２）と、活性成分前駆体の溶液を担体組成物に含浸させ、活性成分前駆体が含浸した担体を得る工程（３）と、活性成分前駆体が含浸した担体を乾燥及び焼成する工程（４）と、を含み、好ましくは、活性成分は、以下の（１）、（２）及び（３）のいずれか１つであり：（１）貴金属群のうち少なくとも１種類の元素、好ましくはＰｔ、及び、任意的に貴金属群のうちＰｔ以外の少なくとも１種類の元素；（２）Ｐｔ、及び第１金属群のうち少なくとも１種類の元素；（３）Ｎｉ、第２金属群のうち少なくとも１種類の元素、及び任意的にリン、貴金属群は、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｒｕ、Ｒｅ、Ｒｈ、Ｉｒ及びＯｓから選択される元素からなる群であり、第１金属群は、Ｓｎ、Ｖ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｃｅ、Ｗ、Ｃｕ及びＣａから選択される元素からなる群であり、第２金属群は、Ｚｎ、Ｓｎ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ａｇ、Ｉｎ、Ｒｅ、Ｍｏ、Ｃｏ、Ｃａ及びＷから選択される元素からなる群である、触媒の調製方法を提供する。
有機物を脱水素して水素ガスを製造するための触媒の本発明の調製方法によれば、工程（４）における焼成は、焼成温度が４００～７００℃であり、焼成時間０．５～１２時間である。
一実施形態において、活性成分前駆体の溶液を担体組成物に含浸させるとき、一般的には、活性金属成分前駆体を水に溶解したものを担体組成物に含浸させ、活性金属成分前駆体が含浸した担体を得る工程を含む。なお、含浸の方法としては、従来の含浸法、例えば、等体積含浸、過剰量含浸の方法であってもよい。水は、例えば脱イオン水、蒸留水、又は脱カチオン水のうち１つ又は複数である。また、金属前駆体を水に溶解して金属前駆体溶液を得、当該金属前駆体溶液を共含浸又は段階的含浸の方法にて担体に導入してもよく、含浸は飽和含浸又は過飽和含浸であってもよい。触媒に２種類以上の金属活性成分が含まれる場合、共含浸では、２種類以上の金属元素を共に脱イオン水に溶解してなる含浸液を担体に含浸させ、その後、乾燥及び焼成してもよい。また、段階的含浸では、２種類以上の金属元素を個別に脱イオン水に溶解してなる、金属含浸液それぞれを担体に含浸させ、１回の含浸ごとに、担体を乾燥及び焼成してもよい。なお、金属を導入する順序は特に限定されない。例えば、Ｐｔ前駆体と、第１金属群中の１つの元素の前駆体とを溶液として調製し、それを担体組成物に含浸させてもよく、先にＰｔ前駆体を含浸させておき、乾燥後に、第１金属群中の元素の前駆体を含浸させてもよい。例えば、含浸する際、含浸液対担体の液体／固体体積比は０．３～５．０、好ましくは０．６～４．０であり、含浸温度は１０～５０℃、好ましくは１５～４０℃である。好ましくは、含浸後、室温下で２～１０時間静置することで含浸後の担体を乾燥してから、焼成する。焼成温度は好ましくは４００～７００℃であり、焼成時間は好ましくは０．５～１２時間、例えば１～１０時間、又は２～９時間、又は４～８時間である。焼成の雰囲気は特に限定されず、例えば、空気下で焼成してもよい。焼成時、空気（標準状態下）／触媒の体積比は例えば４００～１０００：１、焼成時間は好ましくは４～８時間である。
有機物を脱水素して水素ガスを製造するための触媒の本発明の調製方法によれば、活性成分前駆体は、活性成分の可溶性塩（例えば、金属硝酸塩、金属酢酸塩、金属塩化物、金属炭酸塩、金属酢酸塩錯体、金属水酸化物、金属シュウ酸塩錯体、高原子価金属酸、高原子価金属酸塩、金属錯体及びアンモニウム塩のうち１つ又は複数）である。一実施形態において、高原子価金属酸／高原子価金属酸塩は、例えば、塩化白金酸、塩化白金酸アンモニウム、硝酸テトラアンミン白金及び水酸化テトラアンミン白金のうち１つ又は複数である。リンの前駆体は、例えばリン酸アンモニウム、リン酸二水素アンモニウム、リン酸水素二アンモニウム、リン酸及び金属リン酸塩のうち１つ又は複数である。
有機物を脱水素して水素ガスを製造するための触媒の本発明の調製方法によれば、活性成分前駆体が含浸した担体を、－４０℃未満の環境に１時間～２４時間置いた後、担体上に吸着した水を真空乾燥により除去し、焼成し、触媒を得る。
本発明の一態様において、本発明は、水素吸蔵性合金を提供し、当該水素吸蔵性合金は、希土類系ＡＢ５型、ジルコニウムチタン系ＡＢ２型、チタン系ＡＢ型、マグネシウム系Ａ２Ｂ型及びバナジウム系固溶体型の水素吸蔵性合金のうち１つ又は複数であり、
希土類系ＡＢ５型水素吸蔵性合金を示す分子式は、ＭｍＮｉｘ１Ｃｏｘ２Ｍｎｘ３Ｆｅｘ４Ａｌｘ５Ｓｎｘ６
（４．５≦ｘ１＋ｘ２＋ｘ３＋ｘ４＋ｘ５＋ｘ６≦５．５；
ＭｍはＬａｙ１Ｃｅｙ２Ｎｄｙ３Ｐｒｙ４Ｙｙ５であり；ｙ１＋ｙ２＋ｙ３＋ｙ４＋ｙ５＝１；
０．４≦ｙ１≦０．９９（例えば０．４≦ｙ１≦０．８）、０≦ｙ２≦０．４５（例えば０．１≦ｙ２≦０．４５）、０≦ｙ３≦０．２（例えば０≦ｙ３≦０．２）、０≦ｙ４≦０．０５（例えば０≦ｙ４≦０．０５）、０．０１≦ｙ５≦０．１（例えば０．０１≦ｙ５≦０．０５）、３≦ｘ１≦５．４５（例えば、３≦ｘ１≦４．９）、０≦ｘ２≦１．５（例えば０．１≦ｘ２≦１）、０≦ｘ３≦０．８（例えば０．１≦ｘ３≦０．６）、０≦ｘ４≦０．８（例えば０．１≦ｘ４≦０．６）、０≦ｘ５≦０．７５（例えば０．０５≦ｘ５≦０．５）、０≦ｘ６≦０．２（例えば０≦ｘ６≦０．１５））である。
希土類系ＡＢ５型水素吸蔵性合金を示す分子式は、ＭｍＮｉｘ１Ｃｏｘ２Ｍｎｘ３Ｆｅｘ４Ａｌｘ５Ｓｎｘ６
（４．５≦ｘ１＋ｘ２＋ｘ３＋ｘ４＋ｘ５＋ｘ６≦５．５；
ＭｍはＬａｙ１Ｃｅｙ２Ｎｄｙ３Ｐｒｙ４Ｙｙ５であり；ｙ１＋ｙ２＋ｙ３＋ｙ４＋ｙ５＝１；
０．４≦ｙ１≦０．９９（例えば０．４≦ｙ１≦０．８）、０≦ｙ２≦０．４５（例えば０．１≦ｙ２≦０．４５）、０≦ｙ３≦０．２（例えば０≦ｙ３≦０．２）、０≦ｙ４≦０．０５（例えば０≦ｙ４≦０．０５）、０．０１≦ｙ５≦０．１（例えば０．０１≦ｙ５≦０．０５）、３≦ｘ１≦５．４５（例えば、３≦ｘ１≦４．９）、０≦ｘ２≦１．５（例えば０．１≦ｘ２≦１）、０≦ｘ３≦０．８（例えば０．１≦ｘ３≦０．６）、０≦ｘ４≦０．８（例えば０．１≦ｘ４≦０．６）、０≦ｘ５≦０．７５（例えば０．０５≦ｘ５≦０．５）、０≦ｘ６≦０．２（例えば０≦ｘ６≦０．１５））である。
ジルコニウムチタン系ＡＢ２型水素吸蔵性合金を示す分子式は、ＡＢ２
（Ａ＝Ｍｇｘ１Ｃａｘ２Ｔｉｘ３Ｚｒｘ４Ｙｘ５Ｌａｘ６；ｘ１＋ｘ２＋ｘ３＋ｘ４＋ｘ５＋ｘ６＝０．９～１．１；
Ｂ＝Ｖｙ１Ｃｒｙ２Ｍｎｙ３Ｆｅｙ４Ｃｏｙ５Ｎｉｙ６Ｃｕｙ７；ｙ１＋ｙ２＋ｙ３＋ｙ４＋ｙ５＋ｙ６＋ｙ７＝１．９～２．１；
０≦ｘ１≦０．５４（例えば０．０１≦ｘ１≦０．３、０．０１≦ｘ１≦０．１）、０≦ｘ２≦０．５４（例えば０≦ｘ２≦０．２５）、０．５≦ｘ３≦１．０４（例えば０．６≦ｘ３≦１）、０．０５≦ｘ４≦０．５８（例えば０．１≦ｘ４≦０．５８）、０．０１≦ｘ５≦０．２（例えば０．０１≦ｘ５≦０．０５）、０≦ｘ６≦０．２（例えば０≦ｘ６≦０．０５）、０．０５≦ｙ１≦１．９５（例えば０．０５≦ｙ１≦１．８）、０≦ｙ２≦１．９（例えば０≦ｙ２≦１．８５）、０．０５≦ｙ３≦１．９５（例えば０．１≦ｙ３≦１．９５）、０≦ｙ４≦１．６（例えば０≦ｙ４≦１．５）、０≦ｙ５≦０．５（例えば０≦ｙ５≦０．３）、０．１≦ｙ６≦０．５（例えば０．１≦ｙ６≦０．３）、０≦ｙ７≦０．５（例えば０．１≦ｙ７≦０．２）；好ましくは、０．７≦ｘ３：（ｘ３＋ｘ４）≦０．９５；好ましくは、１．７≦ｙ１＋ｙ２＋ｙ３＋ｙ４≦２）である。
（Ａ＝Ｍｇｘ１Ｃａｘ２Ｔｉｘ３Ｚｒｘ４Ｙｘ５Ｌａｘ６；ｘ１＋ｘ２＋ｘ３＋ｘ４＋ｘ５＋ｘ６＝０．９～１．１；
Ｂ＝Ｖｙ１Ｃｒｙ２Ｍｎｙ３Ｆｅｙ４Ｃｏｙ５Ｎｉｙ６Ｃｕｙ７；ｙ１＋ｙ２＋ｙ３＋ｙ４＋ｙ５＋ｙ６＋ｙ７＝１．９～２．１；
０≦ｘ１≦０．５４（例えば０．０１≦ｘ１≦０．３、０．０１≦ｘ１≦０．１）、０≦ｘ２≦０．５４（例えば０≦ｘ２≦０．２５）、０．５≦ｘ３≦１．０４（例えば０．６≦ｘ３≦１）、０．０５≦ｘ４≦０．５８（例えば０．１≦ｘ４≦０．５８）、０．０１≦ｘ５≦０．２（例えば０．０１≦ｘ５≦０．０５）、０≦ｘ６≦０．２（例えば０≦ｘ６≦０．０５）、０．０５≦ｙ１≦１．９５（例えば０．０５≦ｙ１≦１．８）、０≦ｙ２≦１．９（例えば０≦ｙ２≦１．８５）、０．０５≦ｙ３≦１．９５（例えば０．１≦ｙ３≦１．９５）、０≦ｙ４≦１．６（例えば０≦ｙ４≦１．５）、０≦ｙ５≦０．５（例えば０≦ｙ５≦０．３）、０．１≦ｙ６≦０．５（例えば０．１≦ｙ６≦０．３）、０≦ｙ７≦０．５（例えば０．１≦ｙ７≦０．２）；好ましくは、０．７≦ｘ３：（ｘ３＋ｘ４）≦０．９５；好ましくは、１．７≦ｙ１＋ｙ２＋ｙ３＋ｙ４≦２）である。
チタン系ＡＢ型水素吸蔵性合金を示す分子式は、ＡＢ
（Ａ＝Ｔｉｘ１Ｚｒｘ２Ｙｘ３Ｌａｘ４；ｘ１＋ｘ２＋ｘ３＋ｘ４＝０．８５～１．１；
Ｂ＝Ｖｙ１Ｃｒｙ２Ｍｎｙ３Ｆｅｙ４Ｃｏｙ５Ｎｉｙ６Ｃｕｙ７；ｙ１＋ｙ２＋ｙ３＋ｙ４＋ｙ５＋ｙ６＋ｙ７＝０．９５～１．０５；
０≦ｘ１≦１．０９（例えば０．９≦ｘ１≦１．０５）、０≦ｘ２≦１．０９（例えば０≦ｘ２≦０．５）、０．０１≦ｘ３≦０．２（例えば０．０１≦ｘ３≦０．０５）、０≦ｘ４≦０．２（例えば０≦ｘ４≦０．０５）、０．０５≦ｙ１≦０．５（例えば０．０５≦ｙ１≦０．２）、０≦ｙ２≦０．８（例えば０≦ｙ２≦０．２）、０≦ｙ３≦０．８（例えば０．０５≦ｙ３≦０．４、又は０．１≦ｙ３≦０．４）、０．２≦ｙ４≦１（例えば０．５≦ｙ４≦０．９）、０≦ｙ５≦０．３５（例えば０≦ｙ５≦０．１）、０≦ｙ６≦０．４５（例えば０≦ｙ６≦０．２）、０≦ｙ７≦０．３（例えば０≦ｙ７≦０．２）；ｘ１及びｘ２は、同時に０を取らないことが好ましい）である；
マグネシウム系Ａ２Ｂ型水素吸蔵性合金を示す分子式は、Ａ２Ｂ
（Ａ＝Ｍｇｘ１Ｃａｘ２Ｔｉｘ３Ｌａｘ４Ｙｘ５；ｘ１＋ｘ２＋ｘ３＋ｘ４＋ｘ５＝１．９～２．１；
Ｂ＝Ｃｒｙ１Ｆｅｙ２Ｃｏｙ３Ｎｉｙ４Ｃｕｙ５Ｍｏｙ６；ｙ１＋ｙ２＋ｙ３＋ｙ４＋ｙ５＋ｙ６＝０．９～１．１；
１．２９≦ｘ１≦２．０９（例えば１．７≦ｘ１≦２．０５）、０≦ｘ２≦０．５（例えば０≦ｘ２≦０．２）、０≦ｘ３≦０．８（例えば０≦ｘ３≦０．５）、０≦ｘ４≦０．５（例えば０≦ｘ４≦０．２）、０．０１≦ｘ５≦０．２（例えば０．０５≦ｘ５≦０．１）、０≦ｙ１≦０．３（例えば０≦ｙ１≦０．２、０．０５≦ｙ１≦０．２）、０≦ｙ２≦０．２（例えば０≦ｙ２≦０．１）、０≦ｙ３≦０．６（例えば０≦ｙ３≦０．５）、０．２≦ｙ４≦１．１（例えば０．７≦ｙ４≦１．０５）、０≦ｙ５≦０．５（例えば０≦ｙ５≦０．４）、０≦ｙ６≦０．１５（例えば０≦ｙ６≦０．１））である；
バナジウム系固溶体型水素吸蔵性合金を示す分子式は、Ａｘ１Ｂｘ２
（ｘ１＋ｘ２＝１；
Ａ＝Ｔｉｙ１Ｖｙ２Ｚｒｙ３Ｎｂｙ４Ｙｙ５Ｌａｙ６Ｃａｙ７；ｙ１＋ｙ２＋ｙ３＋ｙ４＋ｙ５＋ｙ６＋ｙ７＝１；
Ｂ＝Ｍｎｚ１Ｆｅｚ２Ｃｏｚ３Ｎｉｚ４；ｚ１＋ｚ２＋ｚ３＋ｚ４＝１；
０．７≦ｘ１≦０．９５（例えば０．８≦ｘ１≦０．９５、０．９≦ｘ１≦０．９５）、０．０５≦ｘ２≦０．３（例えば０．０５≦ｘ２≦０．２、０．０５≦ｘ２≦０．１）、０．４≦ｙ１≦０．９（例えば０．４５≦ｙ１≦０．９、０．５≦ｙ１≦０．８）、０≦ｙ２≦０．５（例えば０≦ｙ２≦０．４）、０≦ｙ３≦０．５（例えば０≦ｙ３≦０．４）、０≦ｙ４≦０．５５（例えば０≦ｙ４≦０．４）、０≦ｙ５≦０．２（例えば０．０１≦ｙ５≦０．２、０．０５≦ｙ５≦０．２）、０≦ｙ６≦０．１（例えば０≦ｙ６≦０．０５）、０≦ｙ７≦０．１（例えば０≦ｙ７≦０．０５）、０≦ｚ１≦１（例えば０．１≦ｚ１≦１、０．２≦ｚ１≦０．９５）、０≦ｚ２≦０．９５（例えば０≦ｚ２≦０．９）、０≦ｚ３≦０．３（例えば０≦ｚ３≦０．２）、０≦ｚ４≦０．４５（例えば０．０５≦ｚ４≦０．４５、０．０５≦ｚ４≦０．３）、０．５５≦ｚ１＋ｚ２≦１（例えば０．７≦ｚ１＋ｚ２≦１））である。
（Ａ＝Ｔｉｘ１Ｚｒｘ２Ｙｘ３Ｌａｘ４；ｘ１＋ｘ２＋ｘ３＋ｘ４＝０．８５～１．１；
Ｂ＝Ｖｙ１Ｃｒｙ２Ｍｎｙ３Ｆｅｙ４Ｃｏｙ５Ｎｉｙ６Ｃｕｙ７；ｙ１＋ｙ２＋ｙ３＋ｙ４＋ｙ５＋ｙ６＋ｙ７＝０．９５～１．０５；
０≦ｘ１≦１．０９（例えば０．９≦ｘ１≦１．０５）、０≦ｘ２≦１．０９（例えば０≦ｘ２≦０．５）、０．０１≦ｘ３≦０．２（例えば０．０１≦ｘ３≦０．０５）、０≦ｘ４≦０．２（例えば０≦ｘ４≦０．０５）、０．０５≦ｙ１≦０．５（例えば０．０５≦ｙ１≦０．２）、０≦ｙ２≦０．８（例えば０≦ｙ２≦０．２）、０≦ｙ３≦０．８（例えば０．０５≦ｙ３≦０．４、又は０．１≦ｙ３≦０．４）、０．２≦ｙ４≦１（例えば０．５≦ｙ４≦０．９）、０≦ｙ５≦０．３５（例えば０≦ｙ５≦０．１）、０≦ｙ６≦０．４５（例えば０≦ｙ６≦０．２）、０≦ｙ７≦０．３（例えば０≦ｙ７≦０．２）；ｘ１及びｘ２は、同時に０を取らないことが好ましい）である；
マグネシウム系Ａ２Ｂ型水素吸蔵性合金を示す分子式は、Ａ２Ｂ
（Ａ＝Ｍｇｘ１Ｃａｘ２Ｔｉｘ３Ｌａｘ４Ｙｘ５；ｘ１＋ｘ２＋ｘ３＋ｘ４＋ｘ５＝１．９～２．１；
Ｂ＝Ｃｒｙ１Ｆｅｙ２Ｃｏｙ３Ｎｉｙ４Ｃｕｙ５Ｍｏｙ６；ｙ１＋ｙ２＋ｙ３＋ｙ４＋ｙ５＋ｙ６＝０．９～１．１；
１．２９≦ｘ１≦２．０９（例えば１．７≦ｘ１≦２．０５）、０≦ｘ２≦０．５（例えば０≦ｘ２≦０．２）、０≦ｘ３≦０．８（例えば０≦ｘ３≦０．５）、０≦ｘ４≦０．５（例えば０≦ｘ４≦０．２）、０．０１≦ｘ５≦０．２（例えば０．０５≦ｘ５≦０．１）、０≦ｙ１≦０．３（例えば０≦ｙ１≦０．２、０．０５≦ｙ１≦０．２）、０≦ｙ２≦０．２（例えば０≦ｙ２≦０．１）、０≦ｙ３≦０．６（例えば０≦ｙ３≦０．５）、０．２≦ｙ４≦１．１（例えば０．７≦ｙ４≦１．０５）、０≦ｙ５≦０．５（例えば０≦ｙ５≦０．４）、０≦ｙ６≦０．１５（例えば０≦ｙ６≦０．１））である；
バナジウム系固溶体型水素吸蔵性合金を示す分子式は、Ａｘ１Ｂｘ２
（ｘ１＋ｘ２＝１；
Ａ＝Ｔｉｙ１Ｖｙ２Ｚｒｙ３Ｎｂｙ４Ｙｙ５Ｌａｙ６Ｃａｙ７；ｙ１＋ｙ２＋ｙ３＋ｙ４＋ｙ５＋ｙ６＋ｙ７＝１；
Ｂ＝Ｍｎｚ１Ｆｅｚ２Ｃｏｚ３Ｎｉｚ４；ｚ１＋ｚ２＋ｚ３＋ｚ４＝１；
０．７≦ｘ１≦０．９５（例えば０．８≦ｘ１≦０．９５、０．９≦ｘ１≦０．９５）、０．０５≦ｘ２≦０．３（例えば０．０５≦ｘ２≦０．２、０．０５≦ｘ２≦０．１）、０．４≦ｙ１≦０．９（例えば０．４５≦ｙ１≦０．９、０．５≦ｙ１≦０．８）、０≦ｙ２≦０．５（例えば０≦ｙ２≦０．４）、０≦ｙ３≦０．５（例えば０≦ｙ３≦０．４）、０≦ｙ４≦０．５５（例えば０≦ｙ４≦０．４）、０≦ｙ５≦０．２（例えば０．０１≦ｙ５≦０．２、０．０５≦ｙ５≦０．２）、０≦ｙ６≦０．１（例えば０≦ｙ６≦０．０５）、０≦ｙ７≦０．１（例えば０≦ｙ７≦０．０５）、０≦ｚ１≦１（例えば０．１≦ｚ１≦１、０．２≦ｚ１≦０．９５）、０≦ｚ２≦０．９５（例えば０≦ｚ２≦０．９）、０≦ｚ３≦０．３（例えば０≦ｚ３≦０．２）、０≦ｚ４≦０．４５（例えば０．０５≦ｚ４≦０．４５、０．０５≦ｚ４≦０．３）、０．５５≦ｚ１＋ｚ２≦１（例えば０．７≦ｚ１＋ｚ２≦１））である。
一実施形態において、本発明の水素吸蔵性合金は、Ｌａ０．６１Ｃｅ０．１６Ｐｒ０．０４Ｎｄ０．１９ Ｎｉ３．５５Ｃｏ０．７５Ｍｎ０．４Ａｌ０．３、（Ｔｉ０．８Ｖ０．２）０．９５（Ｆｅ１）０．０５、（Ｔｉ０．８Ｙ０．２）０．９５（Ｍｎ０．９５Ｎｉ０．０５）０．０５、（Ｔｉ０．４Ｖ０．４Ｙ０．２）０．９（Ｆｅ０．０５Ｍｎ０．９５）０．１、（Ｔｉ０．４Ｖ０．４Ｙ０．２）０．９（Ｆｅ０．０５Ｍｎ０．９Ｎｉ０．０５）０．１、（Ｔｉ０．７Ｎｂ０．１Ｙ０．２）０．９（Ｍｎ１）０．１、（Ｔｉ０．７Ｎｂ０．１Ｙ０．２）０．９（Ｍｎ０．７Ｎｉ０．３）０．１、（Ｔｉ０．４Ｚｒ０．４Ｙ０．２）０．９３（Ｆｅ０．２Ｍｎ０．７Ｃｏ０．１）０．０７、（Ｔｉ０．４Ｚｒ０．４Ｙ０．２）０．９３（Ｆｅ０．２Ｍｎ０．７Ｎｉ０．１）０．０７、（Ｔｉ０．４Ｖ０．４Ｚｒ０．２）０．９５（Ｆｅ０．６Ｍｎ０．２Ｃｏ０．１Ｎｉ０．１）０．０５、（Ｔｉ０．４Ｖ０．３５Ｚｒ０．２Ｙ０．０５）０．９５（Ｆｅ０．６Ｍｎ０．２Ｃｏ０．１Ｎｉ０．１）０．０５、（Ｔｉ０．８８Ｙ０．１Ｃａ０．０２）０．９５（Ｆｅ０．３Ｍｎ０．６Ｃｏ０．１）０．０５、（Ｔｉ０．８８Ｙ０．１Ｃａ０．０２）０．９５（Ｆｅ０．３Ｍｎ０．６Ｎｉ０．１）０．０５、（Ｔｉ０．７Ｎｂ０．１Ｙ０．２）０．８（Ｍｎ０．７Ｎｉ０．３）０．２、Ｔｉ０．６４Ｚｒ０．４５Ｙ０．０１ＶＭｎ０．９Ｎｉ０．１、Ｍｇ０．０１Ｔｉ０．９３Ｚｒ０．１５Ｙ０．０１ＶＭｎ０．９Ｎｉ０．１、Ｔｉ０．５５Ｚｒ０．４８Ｙ０．０５Ｌａ０．０２Ｖ０．３３Ｃｒ０．０５Ｍｎ１．５Ｆｅ０．０９Ｎｉ０．１、Ｔｉ０．８５Ｚｒ０．１８Ｙ０．０５Ｌａ０．０２Ｖ０．２３Ｃｒ０．０５Ｍｎ１．５Ｆｅ０．０９Ｎｉ０．１Ｃｕ０．１、Ｔｉ０．６Ｚｒ０．４Ｙ０．０５Ｖ０．１Ｍｎ１．８Ｎｉ０．２、Ｍｇ０．１Ｔｉ０．７Ｚｒ０．２Ｙ０．０５Ｖ０．１Ｍｎ１．６Ｎｉ０．２Ｃｕ０．２、Ｃａ０．０１Ｔｉ０．９Ｚｒ０．０５Ｙ０．０５Ｖ１．２Ｍｎ０．６Ｎｉ０．３、Ｃａ０．０１Ｔｉ０．８５Ｚｒ０．０５Ｙ０．０５Ｖ１．２Ｍｎ０．６Ｎｉ０．１Ｃｕ０．２、ＴｉＺｒ０．０５Ｙ０．０５Ｖ０．１Ｃｒ１．４Ｍｎ０．２Ｃｏ０．１Ｎｉ０．３、Ｍｇ０．１Ｔｉ０．８Ｚｒ０．１５Ｙ０．０５Ｖ０．１Ｃｒ１．４Ｍｎ０．２Ｃｏ０．１Ｎｉ０．１Ｃｕ０．２、Ｔｉ０．５Ｚｒ０．５５Ｙ０．０５Ｖ１．７９Ｍｎ０．１Ｆｅ０．０１Ｎｉ０．２、Ｔｉ０．８Ｚｒ０．２５Ｙ０．０５Ｖ１．７９Ｍｎ０．１Ｆｅ０．０１Ｎｉ０．１Ｃｕ０．１、Ｍｇ０．０１Ｔｉ０．６３Ｚｒ０．４５Ｙ０．０１ＶＭｎ０．９Ｎｉ０．１、Ｍｇ１．８Ｙ０．１Ｎｉ１、Ｍｇ１．８Ｙ０．１Ｃｒ０．０５Ｎｉ１、Ｍｇ１．５Ｔｉ０．５Ｙ０．０５Ｎｉ１．１、Ｍｇ１．５Ｔｉ０．５Ｙ０．０５Ｃｒ０．１Ｎｉ１、Ｍｇ２Ｙ０．１Ｎｉ０．６Ｃｕ０．４、Ｍｇ２Ｙ０．１Ｃｒ０．０５Ｎｉ０．６Ｃｕ０．４、Ｍｇ１．９２Ｙ０．０８Ｎｉ０．９５Ｆｅ０．０５、Ｍｇ１．９２Ｙ０．０８Ｃｒ０．２Ｎｉ０．７５Ｆｅ０．０５、Ｍｇ１．９Ｙ０．１Ｆｅ０．１Ｎｉ０．８Ｃｕ０．１、Ｍｇ１．９Ｙ０．１Ｃｒ０．１Ｆｅ０．１Ｎｉ０．７Ｃｕ０．１、Ｍｇ１．９Ｙ０．１Ｎｉ０．８Ｃｏ０．２、Ｍｇ１．９Ｙ０．１Ｃｒ０．１Ｎｉ０．８Ｃｏ０．２、Ｍｇ１．８Ｙ０．１Ｌａ０．１Ｎｉ０．９Ｃｏ０．１、Ｍｇ１．８Ｙ０．１Ｌａ０．１Ｃｒ０．０５Ｎｉ０．９Ｃｏ０．１、Ｍｇ１．７Ｔｉ０．２Ｙ０．１Ｎｉ０．７Ｃｏ０．３２、Ｍｇ１．７Ｔｉ０．２Ｙ０．１Ｃｒ０．０５Ｎｉ０．７Ｃｏ０．３、ＴｉＹ０．０１Ｖ０．１Ｆｅ０．７Ｎｉ０．２、ＴｉＹ０．０１Ｖ０．１Ｆｅ０．７Ｍｎ０．１Ｎｉ０．１、ＴｉＹ０．０２Ｖ０．２Ｆｅ０．８、ＴｉＹ０．０２Ｖ０．２Ｆｅ０．７Ｍｎ０．１、Ｔｉ０．９７Ｙ０．０３Ｖ０．０５Ｃｒ０．０３Ｆｅ０．９、Ｔｉ０．９７Ｙ０．０３Ｖ０．０５Ｃｒ０．０３Ｆｅ０．５Ｍｎ０．４、Ｔｉ０．９Ｙ０．０４Ｖ０．１５Ｆｅ０．９、Ｔｉ０．９Ｙ０．０４Ｖ０．０５Ｆｅ０．９Ｍｎ０．１、Ｔｉ０．９１Ｚｒ０．０５Ｙ０．０４Ｖ０．１Ｃｒ０．２Ｆｅ０．７、Ｔｉ０．９１Ｚｒ０．０５Ｙ０．０４Ｖ０．１Ｃｒ０．２Ｆｅ０．６Ｍｎ０．１、Ｔｉ０．９５Ｙ０．０５Ｖ０．２６Ｆｅ０．７Ｃｕ０．０５、Ｔｉ０．９５Ｙ０．０５Ｖ０．０５Ｆｅ０．７Ｍｎ０．２１Ｃｕ０．０５、Ｔｉ１．０２Ｙ０．０３Ｖ０．０５Ｆｅ０．９Ｎｉ０．１、Ｔｉ１．０２Ｙ０．０３Ｖ０．０５Ｆｅ０．８Ｍｎ０．１Ｎｉ０．１、Ｌａ０．５Ｃｅ０．３２Ｎｄ０．１５Ｐｒ０．０２Ｙ０．０１Ｎｉ４．４Ｆｅ０．５５Ａｌ０．０５、Ｌａ０．５Ｃｅ０．３２Ｎｄ０．１５Ｐｒ０．０２Ｙ０．０１Ｎｉ４．４Ｆｅ０．６、Ｌａ０．８Ｃｅ０．１５Ｙ０．０５Ｎｉ４Ｍｎ０．５Ａｌ０．５、Ｌａ０．８Ｃｅ０．１５Ｙ０．０５Ｎｉ４．５Ｍｎ０．５、Ｌａ０．４５Ｃｅ０．４Ｎｄ０．１Ｐｒ０．０３Ｙ０．０２Ｎｉ４Ｃｏ０．８Ａｌ０．２、Ｌａ０．４５Ｃｅ０．４Ｎｄ０．１Ｐｒ０．０３Ｙ０．０２Ｎｉ４．２Ｃｏ０．８、Ｌａ０．７５Ｃｅ０．１５Ｎｄ０．０５Ｐｒ０．０２Ｙ０．０３Ｎｉ４．７Ａｌ０．１Ｆｅ０．２、Ｌａ０．７５Ｃｅ０．１５Ｎｄ０．０５Ｐｒ０．０２Ｙ０．０３Ｎｉ４．８Ｆｅ０．２、Ｌａ０．８Ｃｅ０．１５Ｎｄ０．０３Ｙ０．０２Ｎｉ４．５Ｃｏ０．３Ｍｎ０．１Ａｌ０．１、Ｌａ０．８Ｃｅ０．１５Ｎｄ０．０３Ｙ０．０２Ｎｉ４．５Ｃｏ０．４Ｍｎ０．１、Ｌａ０．９７Ｙ０．０３Ｎｉ４Ｃｏ１から選ばれる。
好ましい一実施形態において、本発明の水素吸蔵性合金は、（Ｔｉ０．８Ｙ０．２）０．９５（Ｍｎ０．９５Ｎｉ０．０５）０．０５、（Ｔｉ０．４Ｖ０．４Ｙ０．２）０．９（Ｆｅ０．０５Ｍｎ０．９Ｎｉ０．０５）０．１、（Ｔｉ０．７Ｎｂ０．１Ｙ０．２）０．９（Ｍｎ０．７Ｎｉ０．３）０．１、（Ｔｉ０．４Ｚｒ０．４Ｙ０．２）０．９３（Ｆｅ０．２Ｍｎ０．７Ｎｉ０．１）０．０７、（Ｔｉ０．４Ｖ０．３５Ｚｒ０．２Ｙ０．０５）０．９５（Ｆｅ０．６Ｍｎ０．２Ｃｏ０．１Ｎｉ０．１）０．０５、（Ｔｉ０．８８Ｙ０．１Ｃａ０．０２）０．９５（Ｆｅ０．３Ｍｎ０．６Ｎｉ０．１）０．０５、Ｍｇ０．０１Ｔｉ０．９３Ｚｒ０．１５Ｙ０．０１ＶＭｎ０．９Ｎｉ０．１、Ｔｉ０．８５Ｚｒ０．１８Ｙ０．０５Ｌａ０．０２Ｖ０．２３Ｃｒ０．０５Ｍｎ１．５Ｆｅ０．０９Ｎｉ０．１Ｃｕ０．１、Ｍｇ０．１Ｔｉ０．７Ｚｒ０．２Ｙ０．０５Ｖ０．１Ｍｎ１．６Ｎｉ０．２Ｃｕ０．２、Ｃａ０．０１Ｔｉ０．８５Ｚｒ０．０５Ｙ０．０５Ｖ１．２Ｍｎ０．６Ｎｉ０．１Ｃｕ０．２、Ｍｇ０．１Ｔｉ０．８Ｚｒ０．１５Ｙ０．０５Ｖ０．１Ｃｒ１．４Ｍｎ０．２Ｃｏ０．１Ｎｉ０．１Ｃｕ０．２、Ｔｉ０．８Ｚｒ０．２５Ｙ０．０５Ｖ１．７９Ｍｎ０．１Ｆｅ０．０１Ｎｉ０．１Ｃｕ０．１、Ｍｇ１．８Ｙ０．１Ｃｒ０．０５Ｎｉ１、Ｍｇ１．５Ｔｉ０．５Ｙ０．０５Ｃｒ０．１Ｎｉ１、Ｍｇ２Ｙ０．１Ｃｒ０．０５Ｎｉ０．６Ｃｕ０．４、Ｍｇ１．９２Ｙ０．０８Ｃｒ０．２Ｎｉ０．７５Ｆｅ０．０５、Ｍｇ１．９Ｙ０．１Ｃｒ０．１Ｆｅ０．１Ｎｉ０．７Ｃｕ０．１、Ｍｇ１．９Ｙ０．１Ｃｒ０．１Ｎｉ０．８Ｃｏ０．２、Ｍｇ１．８Ｙ０．１Ｌａ０．１Ｃｒ０．０５Ｎｉ０．９Ｃｏ０．１、Ｍｇ１．７Ｔｉ０．２Ｙ０．１Ｃｒ０．０５Ｎｉ０．７Ｃｏ０．３、ＴｉＹ０．０１Ｖ０．１Ｆｅ０．７Ｍｎ０．１Ｎｉ０．１、ＴｉＹ０．０２Ｖ０．２Ｆｅ０．７Ｍｎ０．１、Ｔｉ０．９７Ｙ０．０３Ｖ０．０５Ｃｒ０．０３Ｆｅ０．５Ｍｎ０．４、Ｔｉ０．９Ｙ０．０４Ｖ０．０５Ｆｅ０．９Ｍｎ０．１、Ｔｉ０．９１Ｚｒ０．０５Ｙ０．０４Ｖ０．１Ｃｒ０．２Ｆｅ０．６Ｍｎ０．１、Ｔｉ０．９５Ｙ０．０５Ｖ０．０５Ｆｅ０．７Ｍｎ０．２１Ｃｕ０．０５、Ｔｉ１．０２Ｙ０．０３Ｖ０．０５Ｆｅ０．８Ｍｎ０．１Ｎｉ０．１、Ｌａ０．５Ｃｅ０．３２Ｎｄ０．１５Ｐｒ０．０２Ｙ０．０１Ｎｉ４．４Ｆｅ０．５５Ａｌ０．０５、Ｌａ０．８Ｃｅ０．１５Ｙ０．０５Ｎｉ４Ｍｎ０．５Ａｌ０．５、Ｌａ０．４５Ｃｅ０．４Ｎｄ０．１Ｐｒ０．０３Ｙ０．０２Ｎｉ４Ｃｏ０．８Ａｌ０．２、Ｌａ０．７５Ｃｅ０．１５Ｎｄ０．０５Ｐｒ０．０２Ｙ０．０３Ｎｉ４．７Ａｌ０．１Ｆｅ０．２、Ｌａ０．８Ｃｅ０．１５Ｎｄ０．０３Ｙ０．０２Ｎｉ４．５Ｃｏ０．３Ｍｎ０．１Ａｌ０．１から選ばれる。
本発明の一態様において、本発明は、水素吸蔵性合金の調製方法を提供し、当該方法は、以下の工程、水素吸蔵性合金の組成となるように水素吸蔵性合金の原料それぞれを秤量して、原料を混合する工程（１）と、工程（１）で得られた混合物を溶融した後、アニールする工程（２）と、を含み、溶融は、電気炉溶融又は誘導加熱溶融であり、好ましくは、溶融の条件は、真空又は不活性雰囲気下、１２００～３０００℃、好ましくは１８００～２２００℃の温度を含み、より好ましくは真空下、１×１０－５～１×１０－３Ｐａ（絶対圧）、好ましくは０．５×１０－４～５×１０－４Ｐａ（絶対圧）の圧力で溶融し、より好ましくは不活性雰囲気下、０．５～１バール（例えば０．６～１バール、０．７～１バール）（ゲージ圧）の圧力で溶融し、アニールの条件は、真空又は不活性雰囲気（例えばアルゴン雰囲気）下、５００～９００℃（例えば７００～１０００℃）の温度、１２～３６０ｈの時間を含み、任意的に、当該方法は、工程（２）のアニールによって得られた材料を冷却した後、破砕処理を行い、１０～４００メッシュ（例えば２０～４００メッシュ）の生成物を得る工程をさらに含み、そして任意的に、当該方法は、工程（２）のアニールによって得られた材料を活性化処理に供する工程をさらに含み、好ましくは活性化処理の条件は、真空下、５０～３００℃の温度、１～１０ｈの時間を含む。
本発明の一態様において、本発明は、高純度水素ガスの供給方法を提供し、当該方法は、液状有機水素吸蔵原料を脱水素触媒と接触させて反応させ、水素を含有する脱水素反応生成物を得る工程（１）と、脱水素反応生成物を冷却して液体生成物及び水素リッチな気体生成物を得、当該液体生成物を回収する工程（２）と、水素リッチな気体を水素吸蔵性合金と接触させて水素含有合金を得、吸着されていない気体を回収する工程（３）と、任意的に、水素含有合金の格納容器内の有機物を除去する工程（３ａ）と、水素含有合金を加熱して水素ガスを放出させる工程（４）と、を含む。
本発明の高純度水素ガスの供給方法によれば、有機物を脱水素して水素ガスを製造するための本発明の触媒、及び／又は、本発明の水素吸蔵性合金が使用される。
本発明の高純度水素ガスの供給方法によれば、液状有機水素吸蔵原料と脱水素触媒との接触反応における反応温度は１５０～４５０℃（例えば２００～４００℃、３００～３５０℃）であり、液状有機水素吸蔵原料と脱水素触媒との接触反応における時間当たりの重量空間速度は０．５～５０ｈ－１（例えば、１～４５ｈ－１、２～３０ｈ－１）であり、液状有機水素吸蔵原料と脱水素触媒との接触反応における圧力は、０．０３～５ＭＰａ（ゲージ圧）（例えば０．３～５ＭＰａ、０．１～３ＭＰａ、０．５～２ＭＰａ又は０．２～１．６ＭＰａ）であり、任意的に、液状有機水素吸蔵原料と水素ガスとを混合したものを脱水素触媒と接触させる場合、水素対炭化水素比（液状有機水素吸蔵原料に対する水素ガスのモル比）は、０～１０（例えば０～８）である。なお、水素ガスの導入は、脱水素反応で生成されるコークスの低減に有利である。
本発明の高純度水素ガスの供給方法によれば、工程（２）において、脱水素反応生成物を冷却する冷却温度は、液体生成物中の有機物の沸点よりも低く、好ましくは当該液体生成物のうち、常温常圧下で液体となる最も沸点の低い有機物の沸点よりも低い。
本発明の高純度水素ガスの供給方法によれば、工程（３）において、水素リッチな気体は、水素リッチな気体生成物、又は、水素リッチな気体生成物に対する更なる分離により得られる水素含有気体であり、更なる分離の方法は、温度スイング分離、膜分離、圧力スイング吸着分離、又はそれらの組み合わせを含み、水素リッチな気体中の水素ガスの質量分率は≧８０％（例えば８０～９９％、好ましくは≧８５％、より好ましくは≧９０％）である。冷却分離により得られた、一定量の水素ガスを有する水素リッチな気体を、水素吸蔵性合金に吸着させることにより、水素吸蔵性合金の吸着能を十分に発揮させ、水素吸蔵性合金の吸着効率を向上させることができる。
本発明の、高純度水素ガスの供給方法によれば、工程（３）において、水素リッチな気体と水素吸蔵性合金との接触は、１つ又は複数の水素吸蔵性合金の格納容器内で行われ、水素吸蔵性合金の数は１つ又は複数であり得、複数の水素吸蔵性合金は混合形態で用いられ得、直列形態、並列形態、又は直列と並列との複合形態で用いられ得、水素リッチな気体と水素吸蔵性合金との接触における圧力は、０．００１～５ＭＰａ（例えば０．０１～５ＭＰａ、０．０３～４ＭＰａ、０．０５～５ＭＰａ、０．０８～２ＭＰａ、０．０５～３ＭＰａ、０．１～１ＭＰａ）であり、水素吸蔵性合金の格納容器が複数存在し且つ直列に接続された水素吸蔵容器が存在する場合、水素リッチな気体の流れ方向における最下流の水素吸蔵性合金と接触する接触圧力（水素吸着圧力とも言う）は０．０５～５ＭＰａ（例えば０．１～１ＭＰａ）であり、水素リッチな気体と水素吸蔵性合金との接触における温度（水素吸着温度とも言う）は、－７０～１００℃（例えば、－５０～９０℃、－３０～８０℃）であり、水素吸蔵性合金との接触時、水素リッチな気体の温度は、液状有機水素吸蔵原料の常圧下での沸点よりも低い。
本発明の高純度水素ガスの供給方法によれば、工程（３）において、水素吸蔵性合金の格納容器の数は１つ又は複数であり、水素ガスとの接触順で最後に水素ガスと接触する水素吸蔵性合金の格納容器内の水素吸蔵性合金は高平衡圧を有する水素吸蔵性合金であり、高平衡圧を有する水素吸蔵性合金は、１５０～４５０℃の温度範囲内に、水素ガスの吸着における平衡圧が３５ＭＰａ以上となる温度点が少なくとも１つ存在し、好ましくは、少なくとも１つの水素吸蔵性合金の格納容器内の水素吸蔵性合金が、高平衡圧を有する水素吸蔵性合金である。高平衡圧を有する水素吸蔵性合金によれば、高純度高圧水素ガスを得ることができ、また、得られた高純度高圧水素ガスを水素燃料電池車両の補給に直接的に用いることができる。
本発明の高純度水素ガスの供給方法によれば、水素含有合金の格納容器内の有機物を除去するパージ法により、工程（３ａ）を行う。例えば、水素ガスを用いたパージ法であり、例えば当該方法は、水素吸蔵性合金における吸着量が所定量となった後、水素吸蔵性合金への水素リッチな気体の供給を停止し、水素ガスを水素含有合金に通すことで水素含有合金及び水素含有合金の格納容器（水素吸蔵性合金の格納容器とも言う）内の有機ガスを追い出し、当該有機ガスを貯蔵タンクに導入して貯蔵するか、又は当該有機ガスを他の水素吸蔵性合金の格納容器内の水素吸蔵性合金に吸着させる。なお、パージ用水素ガスの純度は好ましくは９０重量％を超え、より好ましくは９５重量％を超え、例えば９９重量％を超える。
本発明の高純度水素ガスの供給方法によれば、工程（４）において、水素吸蔵性合金から水素ガスを放出させる温度（即ち、水素吸蔵性合金が加熱される温度；水素放出温度と略称する）は１５０～４５０℃であり、放出される水素ガスの圧力は、高純度高圧水素ガスを得るために≧３５ＭＰａ（例えば３５～１００ＭＰａ）であるか、又は放出される水素ガスの分圧は、高純度水素ガスを得るために０．１～５ＭＰａであり、水素放出温度は水素吸着温度よりも高い。
本発明の高純度水素ガスの供給方法によれば、水素含有合金に水素ガスを放出させ、放出された水素ガスを他の水素吸蔵性合金と接触させて水素含有合金を形成させるプロセスをさらに含み、当該プロセスは、１回又は複数回行われ、少なくとも最後の１回の当該プロセスにおいて用いられる水素吸蔵性合金が、高平衡圧を有する水素吸蔵性合金である。
本発明の高純度水素ガスの供給方法によれば、水素吸蔵性合金は、第１水素吸蔵性合金と第２水素吸蔵性合金との組み合わせであり、第１水素吸蔵性合金は、水素リッチな気体との接触に用いる本発明によるマグネシウム系Ａ２Ｂ型水素吸蔵性合金であり、第２水素吸蔵性合金は、第１水素吸蔵水素ガスの加圧のために用いられ、高平衡圧を有する水素吸蔵性合金であり、第２水素吸蔵性合金は、本発明による希土類系ＡＢ５型、ジルコニウムチタン系ＡＢ２型、及びチタン系ＡＢ型の水素吸蔵性合金のうち１つ又は複数であり、先ず、水素リッチな気体を第１水素吸蔵性合金に通すことで不純物を分離し、その後、第１水素吸蔵性合金から放出された高純度水素ガスを第２水素吸蔵性合金と接触させ、その後、高圧下で第２水素吸蔵性合金に水素ガスを放出させ、第１水素吸蔵性合金の水素放出温度は、第２水素吸蔵性合金の水素吸着温度よりも高く、それらの温度差は、好ましくは≧１００℃（例えば３５０℃≧温度差≧１５０℃）であり、第１水素吸蔵性合金及び第２水素吸蔵性合金は、異なる水素吸蔵性合金の貯蔵タンク内に存在し、且つ第１水素吸蔵性合金の貯蔵タンクと第２水素吸蔵性合金の貯蔵タンクとの間に熱交換システムが存在し、
水素リッチな気体と第１水素吸蔵性合金との接触における水素吸着温度は２０～１５０℃（例えば５０～１００℃）、水素ガス分圧は０．００１～０．１ＭＰａ（０．００１～０．０３ＭＰａ）であり、第１水素吸蔵性合金から水素ガスが放出される温度（水素放出温度）は１５０～４５０℃（例えば２００～３５０℃）、水素放出における水素ガス分圧は０．１～５ＭＰａ（例えば０．１～１ＭＰａ）であり、第２水素吸蔵性合金が水素ガスを吸着する水素吸着温度は－７０～１００℃（例えば－３０～１００℃）、水素吸着における水素ガス分圧は０．１～５ＭＰａ（例えば０．１～１ＭＰａ）であり、第２水素吸蔵性合金の水素放出温度は１５０～４５０℃（例えば２００～３５０℃）、水素放出における水素ガス分圧は≧３５ＭＰａ（例えば３５～１００ＭＰａ）である。
水素リッチな気体と第１水素吸蔵性合金との接触における水素吸着温度は２０～１５０℃（例えば５０～１００℃）、水素ガス分圧は０．００１～０．１ＭＰａ（０．００１～０．０３ＭＰａ）であり、第１水素吸蔵性合金から水素ガスが放出される温度（水素放出温度）は１５０～４５０℃（例えば２００～３５０℃）、水素放出における水素ガス分圧は０．１～５ＭＰａ（例えば０．１～１ＭＰａ）であり、第２水素吸蔵性合金が水素ガスを吸着する水素吸着温度は－７０～１００℃（例えば－３０～１００℃）、水素吸着における水素ガス分圧は０．１～５ＭＰａ（例えば０．１～１ＭＰａ）であり、第２水素吸蔵性合金の水素放出温度は１５０～４５０℃（例えば２００～３５０℃）、水素放出における水素ガス分圧は≧３５ＭＰａ（例えば３５～１００ＭＰａ）である。
本発明の高純度水素ガスの供給方法によれば、液状有機水素吸蔵原料は、分子中に環を有し、ヘテロ原子を任意的に含み、当該ヘテロ原子が環状に存在し得る、有機化合物であり、例えばシクロアルカン環含有の飽和又は不飽和炭化水素、例えばヘテロ環原子を含有せずシクロアルカン環を含有する飽和又は不飽和炭化水素、より具体的には芳香族環及びシクロアルカン環の環の数の合計が２以下でありヘテロ環原子を含有せずシクロアルカン環を含有する飽和又は不飽和炭化水素、例えばシクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、デカヒドロナフタレン、及びビ（シクロヘキサン）、並びに、ヘテロ原子を含有するシクロアルカン環含有の飽和又は不飽和炭化水素、例えば窒素含有ヘテロ環化合物、及び窒素／ホウ素含有ヘテロ環化合物；窒素含有ヘテロ環化合物は、デカヒドロカルバゾール、ドデカヒドロエチルカルバゾール、インドリン、４－アミノピペリジン、ピペリジン－４－カルボキサミド、ペルヒドロ－４，７－フェナントロリン、２－メチル－１，２，３，４－テトラヒドロキノリン、及び２，６－ジメチルデカヒドロ－１，５－ナフチリジンのうち１つ又は複数を含み、窒素／ホウ素含有ヘテロ環化合物は、１，２－アザボリネート、及び３－メチル－１，２－アザボロリジンのうち１つ又は複数を含む。。
本発明の高純度水素ガスの供給方法によれば、放出された水素ガスを水素ガス貯蔵タンクに導入して水素ガスを貯蔵する工程、又は、得られた高純度高圧水素ガスを水素燃料電池車両の補給に直接的に用い得る工程をさらに含む。
本発明の一態様において、本発明は、高純度高圧水素ガスの高効率分散型製造方法を提供する。当該方法は、脱水素反応器内で、脱水素触媒の存在下で液状有機水素吸蔵原料の脱水素反応を行い、水素ガスを含む脱水素反応生成物を得る工程と、冷却分離装置内で、脱水素反応生成物を冷却して分離し、水素リッチなストリーム及び有機液体を得る工程と、水素吸蔵性合金の格納容器内で、水素リッチなストリーム、又は精製後の水素リッチなストリームを水素吸蔵性合金と接触させ、水素含有合金を得る工程と、水素ガスを用いたパージ法により、好ましくは９０重量％を超える（例えば９５重量％を超え、９９重量％を超える）純度のパージ用水素ガスにて、水素吸蔵性合金の格納容器内の有機物を除去する工程と、水素含有合金を加熱して水素ガスを放出させ、高圧水素ガスを得るとともに、得られた高圧水素ガスを水素消費装置又は貯蔵用の高圧水素ガス貯蔵タンクに供給する（例えば、得られた高圧水素ガスを水素燃料電池車両の補給に直接的に用いてもよい）工程と、を含む（例えば、得られた高圧水素ガスを水素燃料電池車両の補給に直接に用いてもよい）。
本発明の一態様において、本発明は、高純度高圧水素ガスの供給システムを提供する。当該システムは、液状有機水素吸蔵原料を貯蔵するとともに、脱水素反応器に液状有機水素吸蔵原料を供給する液状有機水素吸蔵原料貯蔵－供給装置と、液状有機水素吸蔵原料の脱水素により得られた液体生成物を貯蔵する脱水素液体貯蔵装置と、脱水素触媒の作用下で液状有機水素吸蔵原料の脱水素反応を行い、水素ガスを含む脱水素反応生成物を得る脱水素反応器装置と、脱水素反応生成物を分離し、水素リッチな気体生成物及び液体生成物を得る冷却分離装置と、水素吸蔵性合金の格納容器及び水素吸蔵性合金加熱システムを備え、水素リッチな気体を低温低圧下で水素吸蔵性合金と接触させて水素吸着を行い、飽和吸着後、加熱により脱水素を行う水素吸蔵－水素供給装置と、任意的に、水素吸蔵容器内の有機物の除去のために用いるパージ装置と、高圧水素ガスを水素消費装置又は水素ガス貯蔵タンクに供給する水素ガス供給装置と、を含み、好ましくは、当該システムは、コンテナの内部と一体化してなるコンテナ型水素製造システムとして水素補給ステーションへ設置されるか、又は、水素補給ステーション内に直接に組み込まれて使用され、好ましくは、水素吸蔵－水素供給装置は、１つ又は複数の水素吸蔵性合金の格納容器を含み、複数の水素吸蔵性合金の格納容器は、並列形態、直列形態、又は、並列と直列との複合形態で連結され得、好ましくは、少なくとも１つの水素吸蔵性合金の格納容器が耐高圧容器であり、及び／又は、水素ガス供給装置が耐高圧装置、例えば許容圧力３５ＭＰａ以上の装置である。
図３は、本発明によって提供される高純度高圧水素ガスの供給システムを示す。図中、１は有機液体貯蔵タンクを示し、２は原料ポンプを示し、３は熱交換器を示し、４は脱水素反応器を示し、５は熱交換器を示し、６は水素貯蔵タンクを示し、７は一方向バルブを示し、８はエネルギー伝送システムを示し、９はパージシステムを示し、１０は水素貯蔵制御システムを示す。図３に示す有機液体原料貯蔵システムは、有機液体原料の注入口及び有機液体原料の排出口が設けられた有機液体貯蔵タンク（１）と、有機液体脱水素反応器と接続された原料ポンプ（２）とを備える。図示の有機液体脱水素反応システムは、脱水素反応器（４）と、有機液体脱水素反応器の出口及び入口と接続されており、反応器の出口からのガスの冷却及び原料の予加熱のための有機液体熱交換器（３）と、を備える。反応器の出口からのガスは、さらに熱交換・冷却装置（５）を経て、冷却分離により水素リッチなストリームを得てもよい。水素リッチなストリームは、膜分離装置及び圧力スイング吸着装置のいずれか１つ以上を通過してもよく、通過しなくてもよい。図示の精製・加圧システムは、一組の逆流防止装置（７）とそれぞれ接続されており且つ並列に少なくとも１つの水素供給パイプラインと接続された一組以上の水素貯蔵タンク（６）と、各水素貯蔵タンク内にエネルギーを供給し、固体水素吸蔵原料から水素ガスを析出させる少なくとも１つのエネルギー伝送システム（８）と、水素貯蔵タンクの出口及び入口に接続された各々の流量メーターを有し、水素貯蔵タンク内の不純物ガスを除去する少なくとも一組の真空ポンプ（９）及びパージシステムと、脱水素反応による水素生成量に応じて、各々の水素貯蔵タンクに関する水素吸着時間、水素放出時間及びエネルギー伝送システムの動作時間を総合的に制御する制御システム（１０）と、を含む。水素貯蔵タンクの入口の流量メーターは、水素吸蔵性合金の水素吸着全量を算出するために用いられる。単一の水素貯蔵タンク内の水素吸蔵性合金の水素吸蔵量が水素飽和吸着全量の８０％以上に達したとき、水素貯蔵タンクの水素リッチなストリームの供給バルブを閉め、パージシステムを起動し、水素貯蔵タンク内の不純物を除去する。そして、パージパイプライン内の水素ガスの純度が９９％以上に達したとき、パージシステムを停止する。水素貯蔵タンクにおいて同時に吸着される水素吸着全量は、水素ガスの生成速度の１２０％よりも高いことが望ましい。水素吸蔵性合金は、水素放出バルブを介して少なくとも１つの水素供給パイプラインと接続され、水素供給パイプラインは水素ガスを水素ガス貯蔵装置まで運搬する。水素供給パイプライン上の、水素吸蔵性合金に関する水素放出バルブは、同時に開き又は同時に閉じることはない。
本発明の一態様において、本発明は、輸送車両と、当該輸送車両上に設置された本発明による高純度高圧水素ガスの供給システムとを含む、可動型水素供給システムを提供する。
本発明の一態様において、本発明は、本発明による高純度高圧水素ガスの供給システムを含み、且つ高圧水素ガス貯蔵タンクを任意的に含む、分散型水素供給装置を提供する。
本発明によって提供される、高純度水素ガスの調製方法は、高純度水素ガスを効率的に提供することができ、高平衡圧を有する水素吸蔵性合金を用いる場合に高純度高圧水素ガスを提供することができる。また、本発明は、以下のうち少なくとも１つの有益な効果を奏してもよく、好ましくは、以下のうち複数の有益な効果を奏する、
（１）本発明の方法によれば、液状有機水素吸蔵化合物に対する高い脱水素効率を有し得る、
（２）液状有機水素吸蔵化合物に対するより高い脱水素転化率を有し得る、
（３）液状有機水素吸蔵化合物に対するより高い脱水素選択性を有し得る、
（４）水素吸蔵金属におけるより高い水素吸着効率を有し得る、
（５）有機物が存在する場合、水素吸蔵金属は好適な水素吸着効率を示す、
（６）有機物の脱水素と、冷却分離と、水素吸蔵性合金の水素吸着との組み合わせにより、有機物の脱水素による転化率を向上させる効果を奏し得る、
（７）有機原料の脱水素と水素吸蔵性合金の水素吸着との適合が、より効率的になる。
（１）本発明の方法によれば、液状有機水素吸蔵化合物に対する高い脱水素効率を有し得る、
（２）液状有機水素吸蔵化合物に対するより高い脱水素転化率を有し得る、
（３）液状有機水素吸蔵化合物に対するより高い脱水素選択性を有し得る、
（４）水素吸蔵金属におけるより高い水素吸着効率を有し得る、
（５）有機物が存在する場合、水素吸蔵金属は好適な水素吸着効率を示す、
（６）有機物の脱水素と、冷却分離と、水素吸蔵性合金の水素吸着との組み合わせにより、有機物の脱水素による転化率を向上させる効果を奏し得る、
（７）有機原料の脱水素と水素吸蔵性合金の水素吸着との適合が、より効率的になる。
本発明によって提供される有機物を脱水素して水素ガスを生成するための脱水素触媒は、脱水素活性、水素ガス選択性及び／又は水素ガス生成速度が高いという利点を有する。
本発明によって提供される有機物を脱水素して水素ガスを生成するための脱水素触媒は、一部の貴金属の代わりに非貴金属を用いることができ、貴金属の使用量を低減するとともに、脱水素活性、水素ガス選択性及び／又は水素ガス生成速度を高く維持することができる。
本発明によって提供される触媒は、水素吸蔵有機化合物の脱水素による水素ガス生成、特に、例えばシクロアルカン環又はヘテロ環含有有機物のような環含有有機物の脱水素による水素ガス生成に用いることができ、転化率、選択性及び／又は水素ガス生成速度が高い。
本発明によれば、結晶相としての改質金属酸化物のパーセンテージ含量は、Ｘ線回折法及び位相フィルタリングを改修したＲｉｅｔｖｅｌｄモデルを用い、結晶相としての改質金属酸化物の重量％含量を近似法にて算出する方法により、測定してもよい。位相フィルタリングは、ＲＶ．Ｓｉｒｉｗａｒｄａｎｅ，Ｊ．Ａ．Ｐｏｓｔｏｎ，Ｇ．Ｅｖａｎｓ，Ｊｒ．Ｉｎｄ．Ｅｎｇ．Ｃｈｅｍ．Ｒｅｓ．３３（１９９４），２８１０－２８１８に基づき、改修したＲｉｅｔｖｅｌｄモデルは、ＲＩＱＡＳ ｒｉｅｔｖｅｌｄ Ａｎａｌｙｓｉｓ，ガイドブック，Ｍａｔｅｒｉａｌ Ｄａｔａ，Ｉｎｃ．，Ｂｅｒｋｌｅｙ，ＣＡ（１９９９）に基づく。
本発明によれば、改質金属酸化物の化学組成のパーセンテージ含量は、担体組成物中の改質金属酸化物の全量であり、改質金属酸化物の化学組成のパーセンテージ含量をＸ線蛍光分析法又は化学分析法で測定してもよい。
本発明によれば、担体組成物の表面における改質金属酸化物の重量％含量はＸＰＳ法で測定し、測定される表層の厚さは外表面から厚さ５ｎｍの範囲内である。
また、本発明は、以下の技術的構成も提供する：
〔１〕有機物を脱水素して水素ガスを生成するための触媒における担体組成物であって、当該担体組成物は、アルミナ及び改質金属酸化物を含み、
改質金属酸化物は、チタン酸化物及び／又はジルコニウム酸化物であり、
改質金属酸化物のηは、η＜０．３（η＝担体組成物中の改質金属酸化物の結晶相の重量％含量／担体組成物中の改質金属酸化物の化学組成物の重量％含量；チタン酸化物はＴｉＯ２として算定され、ジルコニウム酸化物はＺｒＯ２として算定される）である、担体組成物。
〔１〕有機物を脱水素して水素ガスを生成するための触媒における担体組成物であって、当該担体組成物は、アルミナ及び改質金属酸化物を含み、
改質金属酸化物は、チタン酸化物及び／又はジルコニウム酸化物であり、
改質金属酸化物のηは、η＜０．３（η＝担体組成物中の改質金属酸化物の結晶相の重量％含量／担体組成物中の改質金属酸化物の化学組成物の重量％含量；チタン酸化物はＴｉＯ２として算定され、ジルコニウム酸化物はＺｒＯ２として算定される）である、担体組成物。
〔２〕η＝０、好ましくは、第１金属酸化物はアルミナ基質上に単層として分散している、構成〔１〕に記載の担体組成物。
〔３〕前記担体組成物において、アルミナの質量分率が８０～９８．５％、好ましくは８３～９７．５％又は８５～９５％又は９０～９５％であり、改質金属酸化物の質量分率は１．５～２０％、好ましくは２．５～１７％又は５～１５％又は５～１０％である、構成〔１〕に記載の担体組成物。
〔４〕改質金属酸化物はチタン酸化物を含み、好ましくは担体組成物において、二酸化チタンの質量分率が好ましくは２～２０％、例えば５～１５％又は５～１０％又は２．５～１７％であり、二酸化ジルコニウムの質量分率が好ましくは０～８％、例えば０～６％又は０～３％又は１～６％である、構成〔３〕に記載の担体組成物。
〔５〕ＴｉＯ２の純粋相と比較して、担体組成物のＸＰＳスペクトルにおいて、Ｔｉの２Ｐ３／２軌道電子結合エネルギーのシフトが存在し、当該結合エネルギーの４５８．８ｅＶにおけるピークが高結合エネルギー側へ０．６～０．７ｅＶシフトして４５９．４～４５９．５ｅＶとなり、及び／又は、Ｔｉの２Ｐ１／２軌道電子結合エネルギーの４６４．５ｅＶにおけるピークが高結合エネルギー側へ０．８～０．９ｅＶシフトして４６５．３～４６５．４ｅＶとなっている、構成〔４〕に記載の担体組成物。
〔６〕酸化物基質は、γ－アルミナ、η－アルミナ、ρ－アルミナ又はχ－アルミナのうち少なくとも１種類の相構造を有する、構成〔１〕に記載の担体組成物。
〔７〕担体組成物の比表面積が１００～３５０ｍ２／ｇである、構成〔１〕に記載の担体組成物。
〔８〕前記担体組成物の細孔容積が０．３～１．３ｍＬ／ｇである、構成〔１〕に記載の担体組成物。
〔９〕アルミナ基質を、ガスによって運ばれる改質金属酸化物前駆体のガス流と接触させ、所定の四塩化チタン担持量となったとき、ガスによって運ばれる改質金属酸化物前駆体のガス流の導入を停止し、改質金属酸化物前駆体としての酸化チタン前駆体及び／又は酸化ジルコニウム前駆体を担持しているアルミナ基質を得る工程（１）と、
改質金属酸化物前駆体を担持しているアルミナ基質を加水分解し、焼成し、担体組成物を得る工程（２）と、を含む、担体組成物の調製方法。
改質金属酸化物前駆体を担持しているアルミナ基質を加水分解し、焼成し、担体組成物を得る工程（２）と、を含む、担体組成物の調製方法。
〔１０〕前記酸化チタン前駆体は、四塩化チタン、エチルチタネート、イソプロピルチタネート、酢酸チタン、及びこれらの混合物から選ばれ、好ましくは四塩化チタンであり、前記酸化ジルコニウム前駆体は、四塩化ジルコニウム、ジルコニウムエトキシド、ジルコニウムメトキシド、ジルコニウムイソプロポキシド、テトラブチルジルコネート、及びこれらの混合物から選ばれ、好ましくは四塩化ジルコニウム及び／又はジルコニウムメトキシドである、構成〔９〕に記載の担体組成物の調製方法。
〔１１〕アルミナ基質は、γ－アルミナ、η－アルミナ、ρ－アルミナ及びχ－アルミナのうち１つ又は複数である、構成〔９〕に記載の担体組成物の調製方法。
〔１２〕前記アルミナ基質の比表面積が１００～３５０ｍ２／ｇであり、好ましくは、アルミナ基質の比表面積と比較して、得られる担体組成物の比表面積の減少割合が≦１０％である、構成〔９〕に記載の担体組成物の調製方法。
〔１３〕前記アルミナ基質の細孔容積が０．３～１．３ｍＬ／ｇである、構成〔９〕に記載の担体組成物の調製方法。
〔１４〕ガスは無水不活性ガスであり、無水不活性ガス中の含水量は１０ｐｐｍ以下である、構成〔９〕に記載の担体組成物の調製方法。好ましくは、ガスによって運ばれる改質金属酸化物前駆体の前記ガス流中の、改質金属酸化物前駆体（金属酸化物として算定される）の含量は０．１～３ｇ／Ｌである。
〔１５〕工程（１）において、前記ガスの温度は室温～３５０℃、例えば室温～３００℃、又は１５～３００℃である、構成〔９〕に記載の担体組成物の調製方法。
〔１６〕工程（１）において、接触における圧力は０．０５～５ａｔｍ、例えば１～３ａｔｍである、構成〔９〕に記載の担体組成物の調製方法。
〔１７〕アルミナ基質の体積に対する、ガスの１分間当たりの体積流量の比率は、３～８０：１、例えば５～３０：１、好ましくは１０～２５：１であり、ガスの体積は標準状態下での体積として算定され、アルミナ基質の体積は嵩体積として算定される、構成〔９〕に記載の担体組成物の調製方法。
〔１８〕アルミナ基質が、ガスによって運ばれる改質金属酸化物前駆体のガス流と接触するとき、アルミナ基質は流動化条件下又は撹拌下にあり、流動化条件下は、例えばバブリング床、乱流床、高速床又は運搬床であり得る、構成〔９〕に記載の担体組成物の調製方法。
〔１９〕工程（２）において、改質金属酸化物前駆体を担持しているアルミナ基質の加水分解は、改質金属酸化物前駆体を担持しているアルミナ基質を水蒸気含有ガスと接触させることにより行われる、構成〔９〕に記載の担体組成物の調製方法。一実施形態において、水蒸気含有ガスが接触するアルミナ基質に対する、当該水蒸気含有ガスの比率（標準状態下で、アルミナ基質の嵩体積に対する水蒸気含有ガスの体積の比率）は３～８０：１、例えば５～３０：１、好ましくは１０～２５：１であり、総ガス体積のうち、水蒸気含有ガスの水蒸気が占める割合が０．１体積％～１００体積％、好ましくは３体積％～１００体積％、より好ましくは１０体積％～７０体積％であり、水蒸気以外の他のガスが不活性ガス又は空気であり得る。加水分解時間は、例えば１時間～５０時間、好ましくは２時間～３０時間である。通常、加水分解時間は、担持時間（担持時間とは、アルミナ基質と、ガスによって運ばれる改質金属酸化物前駆体のガス流とが接触する時間を指す）以上である。
〔２０〕前記焼成は、焼成温度が３５０℃～７００℃であり、焼成時間が０．５～１２時間である、構成〔９〕に記載の担体組成物の調製方法。
〔２１〕有機物を脱水素して水素ガスを生成するための触媒であって、前記触媒は、アルミナ及び改質金属酸化物を含む担体と、活性金属成分とを含み、改質金属酸化物は、チタン酸化物及び／又はジルコニウム酸化物であり、活性金属成分は、活性金属の酸化物及び／又は活性金属の単体である、触媒。前記活性金属は、例えばＶＩＩＩＢ族金属、ＶＩＩＢ族金属、ＶＢ族金属、ＶＩＢ族金属、ＩＢ族金属、希土類元素、アルカリ土類金属、ＩＶＡ族金属のうち１つ又は複数であり；
好ましくは、活性金属は、Ｐｔ及び／又はＮｉを含み、任意的に他の元素を含む。好ましくは、他の元素はＶ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｃｅ、Ｗ、Ｍｏ、Ｓｎ、Ｃａ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｒｕ、Ｒｅ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｏｓ、Ｚｎ、Ｐ及びＩｎのうち１つ又は複数である。好ましくは、担体は、構成〔１〕～〔８〕のいずれか１つに記載の担体組成物、又は、構成〔９〕～〔２０〕のいずれか１つに記載の方法により調製される担体組成物である。
好ましくは、活性金属は、Ｐｔ及び／又はＮｉを含み、任意的に他の元素を含む。好ましくは、他の元素はＶ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｃｅ、Ｗ、Ｍｏ、Ｓｎ、Ｃａ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｒｕ、Ｒｅ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｏｓ、Ｚｎ、Ｐ及びＩｎのうち１つ又は複数である。好ましくは、担体は、構成〔１〕～〔８〕のいずれか１つに記載の担体組成物、又は、構成〔９〕～〔２０〕のいずれか１つに記載の方法により調製される担体組成物である。
〔２２〕有機物を脱水素して水素ガスを生成するための触媒であって、担体と、担持された活性金属成分とを含み、前記担体は、構成〔１〕～〔８〕のいずれか１つに記載の担体組成物、又は、構成〔９〕～〔２０〕のいずれか１つに記載の方法により調製される担体組成物であり、活性金属は、Ｐｔを含み、任意的に他の金属を含み、他の金属は貴金属又は非貴金属であり得、前記他の金属は元素Ｐｄ、Ｒｕ、Ｒｅ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｏｓ、Ｓｎ、Ｖ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｃｅ、Ｗ、Ｃｕ及びＣａのうち１つ又は複数である、触媒。
〔２３〕触媒中、活性金属の含量が０．１～２０重量％、例えば０．１～１５重量％であり、担体の含量が８５～９９．９重量％であり、Ｐｔの含量が０．１～１０重量％である、構成〔２２〕に記載の触媒。なお、本発明の触媒の組成において、活性金属の含量については、貴金属は単体として算定され、非貴金属は酸化物として算定される。
〔２４〕他の金属はＰｄ、Ｒｕ、Ｒｅ、Ｒｈ、Ｉｒ及びＯｓのうち１つ又は複数である、構成〔２２〕に記載の触媒。
〔２５〕触媒中、前記活性金属の含量が０．１～１０重量％、好ましくは０．５～８重量％であり、前記担体の含量が９０～９９．９重量％、好ましくは９２～９９．５重量％である、構成〔２４〕に記載の触媒。
〔２６〕触媒中、Ｐｔの含量が０．１～２重量％、例えば０．３～１．５重量％又は０．５～１重量％であり、前記他の金属の含量が０～９．９重量％、例えば０．１～２、又は０．２～１重量％又は０．１～０．８重量％であり、前記担体の含量が好ましくは９０～９９．９重量％、例えば９６～９９．６重量％、又は９８～９９．５重量％又は９８．５～９９．３重量％である、構成〔２５〕に記載の触媒。
〔２７〕他の金属はＳｎ、Ｖ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｃｅ、Ｗ、Ｃｕ及びＣａのうち１つ又は複数である、構成〔２２〕に記載の触媒。
〔２８〕触媒中、Ｐｔの含量が０．１～１０重量％であり、前記他の金属の含量が０～１５重量％である、構成〔２７〕に記載の触媒。
〔２９〕触媒中、Ｐｔの含量が０．１～２重量％、例えば０．５～１．５重量％であり、他の金属の含量が０～１５重量％、例えば１～１０重量％、又は２～８重量％又は３～７重量％であり、前記担体の含量が好ましくは８５～９９．９重量％、例えば９０～９９重量％、又は９０～９８重量％又は９２～９７重量％である、構成〔２８〕に記載の触媒。
〔３０〕有機物を脱水素して水素ガスを生成するための触媒であって、担体と、担持された活性金属成分とを含み、前記担体は、構成〔１〕～〔８〕のいずれか１つに記載の担体組成物、又は、構成〔９〕～〔２０〕のいずれか１つに記載の方法により調製される担体組成物であり、活性金属は、ニッケルを含み、任意的に他の金属を含み、前記他の金属はＺｎ、Ｓｎ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ａｇ、ｐ、Ｉｎ、Ｒｅ、Ｍｏ、Ｃｏ、Ｃａ及びＷのうち１つ又は複数である、触媒。
〔３１〕触媒中、前記活性金属の質量分率が５％～３０％であり、担体の質量分率が７０～９５％であり、担体の質量分率が好ましくは７５～９０％、活性金属の質量分率が好ましくは１０％～２５％である、構成〔３０〕に記載の触媒。
〔３２〕触媒中、ニッケル（酸化物として算定される）の含量が５～２５重量％、好ましくは６～２０重量％、例えば７～１５重量％、又は７～１２重量％又は８～１１重量％であり、他の金属（酸化物として算定される）の含量が０～１５重量％、好ましくは０～１０重量％、例えば０．５～８重量％又は１～５重量％である、構成〔３０〕に記載の触媒。
〔３３〕構成〔２１〕～〔３２〕のいずれか１つに記載の触媒の調製方法であって、
活性金属成分前駆体を水に溶解したものを担体に含浸させ、活性金属成分前駆体が含浸した担体を得る工程（１）と、
活性金属成分前駆体が含浸した担体を乾燥及び焼成する工程（２）と、を含み、
好ましくは、前記担体は、構成〔１〕～〔８〕のいずれか１つに記載の担体組成物、又は、構成〔９〕～〔２０〕のいずれか１つに記載の方法により調製される担体組成物である、触媒の調製方法。
活性金属成分前駆体を水に溶解したものを担体に含浸させ、活性金属成分前駆体が含浸した担体を得る工程（１）と、
活性金属成分前駆体が含浸した担体を乾燥及び焼成する工程（２）と、を含み、
好ましくは、前記担体は、構成〔１〕～〔８〕のいずれか１つに記載の担体組成物、又は、構成〔９〕～〔２０〕のいずれか１つに記載の方法により調製される担体組成物である、触媒の調製方法。
〔３４〕活性金属は非貴金属を含み、工程（２）において、活性金属成分前駆体が含浸した担体を、－４０℃未満の環境に１時間～２４時間置いた後、担体上に吸着した水を真空乾燥により除去し、焼成し、触媒組成物を得る、構成〔３３〕に記載の触媒の調製方法。
〔３５〕前記活性金属成分前駆体は、金属硝酸塩、金属塩化物、金属酢酸塩、金属炭酸塩、金属酢酸塩錯体、金属水酸化物、金属シュウ酸塩錯体、高原子価金属酸塩のうち１つ又は複数である、構成〔３３〕に記載の触媒の調製方法。
〔３６〕工程（２）における前記焼成は、焼成温度が４００～７００℃であり、焼成時間が好ましくは０．５～１２時間である、構成〔３２〕に記載の触媒の調製方法。
〔３７〕触媒組成物の使用方法であって、水素吸蔵有機化合物を、構成〔２１〕～〔３２〕のいずれか１つに記載の前記脱水素触媒、又は、構成〔３３〕～〔３６〕のいずれか１つに記載の方法により調製される脱水素触媒と接触させ、脱水素反応により水素ガスを生成する工程を含む、方法。
〔３８〕脱水素反応の温度は１５０～４５０℃であり、時間当たりの重量空間速度は０．５～５０ｈ－１であり、反応圧力は０．３～５ＭＰａであり、接触は水素ガスの存在下又は非存在下で行われ、水素対油比（水素吸蔵有機化合物に対する、脱水素反応器に導入された水素ガスのモル比）は０～１０である、構成〔３７〕に記載の方法。
〔３９〕水素吸蔵有機化合物は、シクロアルカン環を含有する飽和又は不飽和炭化水素であり、例えば、水素吸蔵有機化合物はシクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、デカヒドロナフタレン、ビ（シクロヘキサン）、デカヒドロカルバゾール、ドデカヒドロエチルカルバゾール、インドリン、４－アミノピペリジン、ピペリジン－４－カルボキサミド、ペルヒドロ－４，７－フェナントロリン、２－メチル－１，２，３，４－テトラヒドロキノリン、２，６－ジメチルデカヒドロ－１，５－ナフチリジン、１，２－ＢＮ－シクロヘキサン、３－メチル－１，２－ＢＮ－シクロペンタンのうち１つ又は複数である、構成〔３７〕に記載の方法。
また、本発明は、さらに以下の技術的構成も提供する：
〔１〕高純度水素ガスの供給方法であって、
液状有機水素吸蔵原料を脱水素触媒と接触させて反応させ、水素ガスを含有する脱水素反応生成物を得る工程と、
脱水素反応生成物を冷却して液体生成物及び水素リッチな気体生成物を得、当該液体生成物を回収する工程と、
水素リッチな気体を水素吸蔵性合金と接触させて水素含有合金を得、吸着されていない気体を回収する工程と、
任意的に、水素含有合金の格納容器内の有機物を除去する工程と、
水素含有合金を加熱して水素ガスを放出させ、高純度水素ガスを得る工程と、を含む方法。
〔１〕高純度水素ガスの供給方法であって、
液状有機水素吸蔵原料を脱水素触媒と接触させて反応させ、水素ガスを含有する脱水素反応生成物を得る工程と、
脱水素反応生成物を冷却して液体生成物及び水素リッチな気体生成物を得、当該液体生成物を回収する工程と、
水素リッチな気体を水素吸蔵性合金と接触させて水素含有合金を得、吸着されていない気体を回収する工程と、
任意的に、水素含有合金の格納容器内の有機物を除去する工程と、
水素含有合金を加熱して水素ガスを放出させ、高純度水素ガスを得る工程と、を含む方法。
〔２〕水素リッチな気体は、水素リッチな気体生成物、又は、水素リッチな気体生成物に対する更なる分離により得られる水素ガス含有気体であり、更なる分離の方法は、温度スイング分離、膜分離、圧力スイング吸着分離、又はそれらの組み合わせを含む、構成〔１〕に記載の方法。
〔３〕水素リッチな気体中の水素ガスの質量分率は≧８０％、例えば８０～９９％、好ましくは≧８５％、より好ましくは≧９０％である、構成〔１〕又は〔２〕に記載の方法。
〔４〕前記水素リッチな気体と水素吸蔵性合金との接触における温度は、－７０～１００℃、好ましくは－５０～９０℃、より好ましくは－３０～８０℃である、構成〔１〕に記載の方法。
〔５〕脱水素反応生成物を冷却する温度は、有機物の沸点よりも低く、好ましくは当該液体生成物のうち、常温常圧下で液体となる最も沸点の低い有機物の沸点よりも低い、構成〔１〕に記載の方法。
〔６〕水素吸蔵性合金との接触時、水素リッチな気体の温度は、液状有機水素吸蔵原料の常圧下での沸点よりも低い、構成〔１〕～〔５〕のいずれか１つに記載の方法。
〔７〕水素吸蔵性合金の数は１つ又は複数であり得、複数の水素吸蔵性合金は混合形態で用いられ得、直列形態、並列形態、又は直列と並列との複合形態で用いられ得、好ましくは、水素リッチな気体と水素吸蔵性合金との接触における圧力は、０．００１～５ＭＰａ、例えば０．０１～５ＭＰａ、又は０．０３～４ＭＰａ、又は０．０５～５ＭＰａ、又は０．０８～２ＭＰａ、又は０．００５～３ＭＰａ、又は０．１～１ＭＰａである、構成〔１〕に記載の方法。
〔８〕前記水素リッチな気体と水素吸蔵性合金との接触は、１つ又は複数の水素吸蔵性合金の格納容器内で行われ、水素リッチな気体と水素吸蔵性合金との接触における圧力は０．０５～５ＭＰａ、好ましくは０．１～１ＭＰａであり、
水素吸蔵性合金の格納容器が複数存在し且つ直列に接続された水素吸蔵容器が存在する場合、好ましくは、水素リッチな気体の流れ方向における最下流の水素吸蔵性合金と接触する接触圧力は０．０５～５ＭＰａ、好ましくは０．１～１ＭＰａである、構成〔１〕に記載の方法。
水素吸蔵性合金の格納容器が複数存在し且つ直列に接続された水素吸蔵容器が存在する場合、好ましくは、水素リッチな気体の流れ方向における最下流の水素吸蔵性合金と接触する接触圧力は０．０５～５ＭＰａ、好ましくは０．１～１ＭＰａである、構成〔１〕に記載の方法。
〔９〕水素吸蔵性合金の格納容器の数は１つ又は複数であり、水素ガスとの接触順で最後に水素ガスと接触する水素吸蔵性合金の格納容器内の水素吸蔵性合金は高平衡圧を有する水素吸蔵性合金であり、高平衡圧を有する水素吸蔵性合金は、１５０～４５０℃の温度範囲内に、水素ガスの吸着における平衡圧が３５ＭＰａ以上となる温度点が少なくとも１つ存在し、好ましくは、少なくとも１つの水素吸蔵性合金の格納容器内の水素吸蔵性合金が、高平衡圧を有する水素吸蔵性合金である、構成〔１〕に記載の方法。
〔１０〕水素含有合金に水素ガスを放出させ、放出された水素ガスを他の水素吸蔵性合金と接触させて水素含有合金を形成させるプロセスをさらに含み、当該プロセスは、１回又は複数回行われ、少なくとも最後の１回の当該プロセスにおいて用いられる水素吸蔵性合金が、高平衡圧を有する水素吸蔵性合金である、構成〔１〕に記載の方法。
〔１１〕水素吸蔵性合金は、希土類系ＡＢ５型、ジルコニウムチタン系ＡＢ２型、チタン系ＡＢ型、マグネシウム系Ａ２Ｂ型及びバナジウム系固溶体型の合金のうち１つ又は複数である、構成〔１〕～〔１０〕のいずれか１つに記載の方法。
〔１２〕希土類系ＡＢ５型水素吸蔵性合金を具体的に示す分子式は、ＭｍＮｉｘ１Ｃｏｘ２Ｍｎｘ３Ｆｅｘ４Ａｌｘ５Ｓｎｘ６であり、４．５≦ｘ１＋ｘ２＋ｘ３＋ｘ４＋ｘ５＋ｘ６≦５．５、３≦ｘ１≦５．５、好ましくは３≦ｘ１≦４．９、０≦ｘ２≦１．５、好ましくは０．１≦ｘ２≦１、０≦ｘ３≦０．８、好ましくは０．１≦ｘ３≦０．６、０≦ｘ４≦０．８、好ましくは０．１≦ｘ４≦０．６、０≦ｘ５≦０．７５、好ましくは０≦ｘ５≦０．５、０≦ｘ６≦０．２、好ましくは０≦ｘ６≦０．１５であり、ＭｍはＬａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ及びＹを含み、Ｍｍ＝Ｌａｙ１Ｃｅｙ２Ｎｄｙ３Ｐｒｙ４Ｙｙ５の式で示される混合希土類金属であり、ｙ１＋ｙ２＋ｙ３＋ｙ４＋ｙ５＝１、０．４≦ｙ１≦１、好ましくは０．４≦ｙ１≦０．８、０≦ｙ２≦０．４５、好ましくは０．１≦ｙ２≦０．４５、０≦ｙ３≦０．２、０≦ｙ４≦０．０５、０≦ｙ５≦０．０５である、構成〔１１〕に記載の方法。
〔１３〕ジルコニウムチタン系ＡＢ２型水素吸蔵性合金において、Ａ＝Ｍｇｘ１Ｃａｘ２Ｔｉｘ３Ｚｒｘ４Ｙｘ５Ｌａｘ６、ｘ１＋ｘ２＋ｘ３＋ｘ４＋ｘ５＋ｘ６＝０．９～１．１、０≦ｘ１≦１．１、好ましくは０．９０≦ｘ１≦１．０５、０≦ｘ２≦０．７、好ましくは０≦ｘ２≦０．２５、０≦ｘ３≦１．０５、好ましくは０．８≦ｘ３≦１、０≦ｘ４≦１．０５、好ましくは０．８５≦ｘ４≦１、０≦ｘ５≦０．２、好ましくは０≦ｘ５≦０．０５、０≦ｘ６≦０．２、好ましくは０≦ｘ６≦０．０５、且つ、ｘ３／（ｘ３＋ｘ４）≧０．７、又は、ｘ３／（ｘ３＋ｘ４）≦０．３であり；Ｂ＝Ｖｙ１Ｃｒｙ２Ｍｎｙ３Ｆｅｙ４Ｃｏｙ５Ｎｉｙ６Ｃｕｙ７、ｙ１＋ｙ２＋ｙ３＋ｙ４＋ｙ５＋ｙ６＋ｙ７＝１．９～２．１、０≦ｙ１≦２．１、好ましくは０≦ｙ１≦１．８、０≦ｙ２≦２．１、好ましくは０≦ｙ２≦１．８５、０≦ｙ３≦２．１、好ましくは０≦ｙ３≦２．０５、０≦ｙ４≦１．６、好ましくは０≦ｙ４≦１．５、０≦ｙ５≦０．５、好ましくは０≦ｙ５≦０．３、０≦ｙ６≦０．５、好ましくは０≦ｙ６≦０．３、０≦ｙ７≦０．５、好ましくは０≦ｙ７≦０．２、且つ、１．７≦ｙ１＋ｙ２＋ｙ３＋ｙ４≦２．１である、構成〔１１〕に記載の方法。
〔１４〕ＡＢ型水素吸蔵性合金において、Ａ＝Ｔｉｘ１Ｚｒｘ２Ｙｘ３Ｌａｘ４、ｘ１＋ｘ２＋ｘ３＋ｘ４＝０．８５～１．１、０≦ｘ１≦１．１、好ましくは０．９０≦ｘ１≦１．０５、０≦ｘ２≦１．１、好ましくは０≦ｘ２≦０．５、０≦ｘ３≦０．２、好ましくは０≦ｘ３≦０．０５、０≦ｘ４≦０．２、好ましくは０≦ｘ４≦０．０５であり；Ｂ＝Ｖｙ１Ｃｒｙ２Ｍｎｙ３Ｆｅｙ４Ｃｏｙ５Ｎｉｙ６Ｃｕｙ７、ｙ１＋ｙ２＋ｙ３＋ｙ４＝０．９５～１．０５、０≦ｙ１≦０．５、好ましくは０≦ｙ１≦０．２、０≦ｙ２≦０．８、好ましくは０≦ｙ２≦０．２、０≦ｙ３≦０．８、好ましくは０．０５≦ｙ３≦０．３、０＜ｙ４≦１．０５、好ましくは０．７≦ｙ４≦１．０５、０≦ｙ５≦０．３５、好ましくは０≦ｙ５≦０．１０、０≦ｙ６≦０．４５、好ましくは０≦ｙ６≦０．２０、０≦ｙ７≦０．３、好ましくは０≦ｙ７≦０．２である、構成〔１１〕に記載の方法。
〔１５〕バナジウム系固溶体型水素吸蔵性合金を具体的に示す分子式は、Ａｘ１Ｂｘ２であり、ｘ１＋ｘ２＝１、０．８５≦ｘ１≦０．９５、好ましくは０．９０≦ｘ１≦０．９５、０．０５≦ｘ２≦０．１５、好ましくは０．０５≦ｘ２≦０．１０であり；Ａ＝Ｔｉｙ１Ｖｙ２Ｚｒｙ３Ｎｂｙ４Ｙｙ５Ｌａｙ６Ｃａｙ７、ｙ１＋ｙ２＋ｙ３＋ｙ４＋ｙ５＋ｙ６＋ｙ７＝１、０≦ｙ１≦０．９、好ましくは０≦ｙ１≦０．８、０≦ｙ２≦０．９５、好ましくは０≦ｙ２≦０．９５、０≦ｙ３≦０．９０、好ましくは０≦ｙ３≦０．８、０≦ｙ４≦０．５５、好ましくは０≦ｙ４≦０．４、０≦ｙ５≦０．２、好ましくは０．２５≦ｙ５≦０．０５、０≦ｙ６≦０．１、好ましくは０≦ｙ６≦０．０５、０≦ｙ７≦０．１、好ましくは０≦ｙ７≦０．０５であり；Ｂ＝Ｍｎｚ１Ｆｅｚ２Ｃｏｚ３Ｎｉｚ４、ｚ１＋ｚ２＋ｚ３＋ｚ４＝１、０≦ｚ１≦１、好ましくは０≦ｚ１≦０．９５、０≦ｚ２≦０．９５、好ましくは０≦ｚ２≦０．９５、０．７≦ｚ１＋ｚ２≦１．０、０≦ｚ３≦０．３、好ましくは０≦ｚ３≦０．２、０≦ｚ４≦０．４５、好ましくは０≦ｚ４≦０．３である、構成〔１１〕に記載の方法。
〔１６〕水素吸蔵性合金は、第１水素吸蔵性合金と第２水素吸蔵性合金との組み合わせであり、第１水素吸蔵性合金は、水素リッチな気体との接触に用いるマグネシウム系Ａ２Ｂ型水素吸蔵性合金であり、第２水素吸蔵性合金は、第１水素吸蔵水素ガスの加圧のために用いられ、高平衡圧を有する水素吸蔵性合金である、構成〔１〕又は〔１１〕に記載の方法。
〔１７〕第２水素吸蔵性合金は、希土類系ＡＢ５型、ジルコニウムチタン系ＡＢ２型、及びチタン系ＡＢ型の合金のうち１つ又は複数である、構成〔１６〕に記載の方法。
〔１８〕先ず、水素リッチな気体を第１水素吸蔵性合金に通すことで不純物を分離し、その後、第１水素吸蔵性合金から放出された高純度水素ガスを第２水素吸蔵性合金と接触させ、その後、高圧下で第２水素吸蔵性合金に水素ガスを放出させる、構成〔１〕又は〔１６〕に記載の方法。
〔１９〕第１水素吸蔵性合金の水素放出温度は、第２水素吸蔵性合金の水素吸着温度よりも高く、それらの温度差は、好ましくは≧１００℃、好ましくは３５０℃≧温度差≧１５０℃である、構成〔１６〕に記載の方法。
〔２０〕第１水素吸蔵性合金及び第２水素吸蔵性合金は、異なる水素吸蔵性合金の貯蔵タンク内に存在し、且つ第１水素吸蔵性合金の貯蔵タンクと第２水素吸蔵性合金の貯蔵タンクとの間に熱交換システムが存在する、構成〔１６〕に記載の方法。
〔２１〕前記Ａ２Ｂ型の第１水素吸蔵性合金を具体的に示す分子式において、Ａ＝Ｍｇｘ１Ｃａｘ２Ｔｉｘ３Ｌａｘ４Ｙｘ５、ｘ１＋ｘ２＋ｘ３＝１．９～２．１、１．５≦ｘ１≦２．１、好ましくは１．７０≦ｘ１≦２．０５、０≦ｘ２≦０．５、好ましくは０≦ｘ２≦０．２、０≦ｘ３≦０．８、好ましくは０≦ｘ３≦０．５０であり；Ｂ＝Ｃｒｙ１Ｆｅｙ２Ｃｏｙ３Ｎｉｙ４Ｃｕｙ５Ｍｏｙ６、ｙ１＋ｙ２＋ｙ３＋ｙ４＋ｙ５＋ｙ６＝０．９～１．１、０≦ｙ１≦０．３０、好ましくは０≦ｙ１≦０．２、０≦ｙ２≦０．２０、好ましくは０≦ｘ２≦０．１０、０≦ｙ３≦１．１、好ましくは０≦ｙ３≦１、０≦ｙ４≦１．１、好ましくは０≦ｙ４≦１．０５、０≦ｙ５≦０．４、０≦ｙ６≦０．１５、好ましくは０≦ｙ６≦０．１０であり；
前記ＡＢ５型の第２水素吸蔵性合金を具体的に示す分子式は、ＭｍＮｉｘ１Ｃｏｘ２Ｍｎｘ３Ｆｅｘ４Ａｌｘ５Ｓｎｘ６であり、４．５≦ｘ１＋ｘ２＋ｘ３＋ｘ４＋ｘ５＋ｘ６≦５．５、３≦ｘ１≦５．５、好ましくは３≦ｘ１≦４．９、０≦ｘ２≦１．５、好ましくは０．１≦ｘ２≦１、０≦ｘ３≦０．８、好ましくは０．１≦ｘ３≦０．６、０≦ｘ４≦０．８、好ましくは０．１≦ｘ４≦０．６、０≦ｘ５≦０．７５、好ましくは０≦ｘ５≦０．５、０≦ｘ６≦０．２、好ましくは０≦ｘ６≦０．１５であり；ＭｍはＬａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ及びＹを含み、Ｍｍ＝Ｌａｙ１Ｃｅｙ２Ｎｄｙ３Ｐｒｙ４Ｙｙ５の式で示される混合希土類金属であり、ｙ１＋ｙ２＋ｙ３＋ｙ４＋ｙ５＝１、０．４≦ｙ１≦１、好ましくは０．４≦ｙ１≦０．８、０≦ｙ２≦０．４５、好ましくは０．１≦ｙ２≦０．４５、０≦ｙ３≦０．２、０≦ｙ４≦０．０５、０≦ｙ５≦０．０５であり；
ジルコニウムチタン系ＡＢ２型の第２水素吸蔵性合金において、Ａ＝Ｍｇｘ１Ｃａｘ２Ｔｉｘ３Ｚｒｘ４Ｙｘ５Ｌａｘ６、ｘ１＋ｘ２＋ｘ３＋ｘ４＋ｘ５＋ｘ６＝０．９～１．１、０≦ｘ１≦１．１、好ましくは０．９０≦ｘ１≦１．０５、０≦ｘ２≦０．７、好ましくは０≦ｘ２≦０．２５、０≦ｘ３≦１．０５、好ましくは０．８≦ｘ３≦１、０≦ｘ４≦１．０５、好ましくは０．８５≦ｘ４≦１、０≦ｘ５≦０．２、好ましくは０≦ｘ５≦０．０５、０≦ｘ６≦０．２、好ましくは０≦ｘ６≦０．０５、且つ、ｘ３／（ｘ３＋ｘ４）≧０．７、又は、ｘ３／（ｘ３＋ｘ４）≦０．３であり；Ｂ＝Ｖｙ１Ｃｒｙ２Ｍｎｙ３Ｆｅｙ４Ｃｏｙ５Ｎｉｙ６Ｃｕｙ７、ｙ１＋ｙ２＋ｙ３＋ｙ４＋ｙ５＋ｙ６＋ｙ７＝１．９～２．１、０≦ｙ１≦２．１、好ましくは０≦ｙ１≦１．８、０≦ｙ２≦２．１、好ましくは０≦ｙ２≦１．８５、０≦ｙ３≦２．１、好ましくは０≦ｙ３≦２．０５、０≦ｙ４≦１．６、好ましくは０≦ｙ４≦１．５、０≦ｙ５≦０．５、好ましくは０≦ｙ５≦０．３、０≦ｙ６≦０．５、好ましくは０≦ｙ６≦０．３、０≦ｙ７≦０．５、好ましくは０≦ｙ７≦０．２、且つ、１．７≦ｙ１＋ｙ２＋ｙ３＋ｙ４≦２．１であり；
チタン系ＡＢ型の第２水素吸蔵性合金において、Ａ＝Ｔｉｘ１Ｚｒｘ２Ｙｘ３Ｌａｘ４、ｘ１＋ｘ２＋ｘ３＋ｘ４＝０．８５～１．１、０≦ｘ１≦１．１、好ましくは０．９０≦ｘ１≦１．０５、０≦ｘ２≦１．１、好ましくは０≦ｘ２≦０．５、０≦ｘ３≦０．２、好ましくは０≦ｘ３≦０．０５、０≦ｘ４≦０．２、好ましくは０≦ｘ４≦０．０５であり；Ｂ＝Ｖｙ１Ｃｒｙ２Ｍｎｙ３Ｆｅｙ４Ｃｏｙ５Ｎｉｙ６Ｃｕｙ７、ｙ１＋ｙ２＋ｙ３＋ｙ４＝０．９５～１．０５、０≦ｙ１≦０．５、好ましくは０≦ｙ１≦０．２、０≦ｙ２≦０．８、好ましくは０≦ｙ２≦０．２、０≦ｙ３≦０．８、好ましくは０．０５≦ｙ３≦０．３、０＜ｙ４≦１．０５、好ましくは０．７≦ｙ４≦１．０５、０≦ｙ５≦０．３５、好ましくは０≦ｙ５≦０．１０、０≦ｙ６≦０．４５、好ましくは０≦ｙ６≦０．２０、０≦ｙ７≦０．３、好ましくは０≦ｙ７≦０．２である、構成〔１６〕又は〔１７〕に記載の方法。
前記ＡＢ５型の第２水素吸蔵性合金を具体的に示す分子式は、ＭｍＮｉｘ１Ｃｏｘ２Ｍｎｘ３Ｆｅｘ４Ａｌｘ５Ｓｎｘ６であり、４．５≦ｘ１＋ｘ２＋ｘ３＋ｘ４＋ｘ５＋ｘ６≦５．５、３≦ｘ１≦５．５、好ましくは３≦ｘ１≦４．９、０≦ｘ２≦１．５、好ましくは０．１≦ｘ２≦１、０≦ｘ３≦０．８、好ましくは０．１≦ｘ３≦０．６、０≦ｘ４≦０．８、好ましくは０．１≦ｘ４≦０．６、０≦ｘ５≦０．７５、好ましくは０≦ｘ５≦０．５、０≦ｘ６≦０．２、好ましくは０≦ｘ６≦０．１５であり；ＭｍはＬａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ及びＹを含み、Ｍｍ＝Ｌａｙ１Ｃｅｙ２Ｎｄｙ３Ｐｒｙ４Ｙｙ５の式で示される混合希土類金属であり、ｙ１＋ｙ２＋ｙ３＋ｙ４＋ｙ５＝１、０．４≦ｙ１≦１、好ましくは０．４≦ｙ１≦０．８、０≦ｙ２≦０．４５、好ましくは０．１≦ｙ２≦０．４５、０≦ｙ３≦０．２、０≦ｙ４≦０．０５、０≦ｙ５≦０．０５であり；
ジルコニウムチタン系ＡＢ２型の第２水素吸蔵性合金において、Ａ＝Ｍｇｘ１Ｃａｘ２Ｔｉｘ３Ｚｒｘ４Ｙｘ５Ｌａｘ６、ｘ１＋ｘ２＋ｘ３＋ｘ４＋ｘ５＋ｘ６＝０．９～１．１、０≦ｘ１≦１．１、好ましくは０．９０≦ｘ１≦１．０５、０≦ｘ２≦０．７、好ましくは０≦ｘ２≦０．２５、０≦ｘ３≦１．０５、好ましくは０．８≦ｘ３≦１、０≦ｘ４≦１．０５、好ましくは０．８５≦ｘ４≦１、０≦ｘ５≦０．２、好ましくは０≦ｘ５≦０．０５、０≦ｘ６≦０．２、好ましくは０≦ｘ６≦０．０５、且つ、ｘ３／（ｘ３＋ｘ４）≧０．７、又は、ｘ３／（ｘ３＋ｘ４）≦０．３であり；Ｂ＝Ｖｙ１Ｃｒｙ２Ｍｎｙ３Ｆｅｙ４Ｃｏｙ５Ｎｉｙ６Ｃｕｙ７、ｙ１＋ｙ２＋ｙ３＋ｙ４＋ｙ５＋ｙ６＋ｙ７＝１．９～２．１、０≦ｙ１≦２．１、好ましくは０≦ｙ１≦１．８、０≦ｙ２≦２．１、好ましくは０≦ｙ２≦１．８５、０≦ｙ３≦２．１、好ましくは０≦ｙ３≦２．０５、０≦ｙ４≦１．６、好ましくは０≦ｙ４≦１．５、０≦ｙ５≦０．５、好ましくは０≦ｙ５≦０．３、０≦ｙ６≦０．５、好ましくは０≦ｙ６≦０．３、０≦ｙ７≦０．５、好ましくは０≦ｙ７≦０．２、且つ、１．７≦ｙ１＋ｙ２＋ｙ３＋ｙ４≦２．１であり；
チタン系ＡＢ型の第２水素吸蔵性合金において、Ａ＝Ｔｉｘ１Ｚｒｘ２Ｙｘ３Ｌａｘ４、ｘ１＋ｘ２＋ｘ３＋ｘ４＝０．８５～１．１、０≦ｘ１≦１．１、好ましくは０．９０≦ｘ１≦１．０５、０≦ｘ２≦１．１、好ましくは０≦ｘ２≦０．５、０≦ｘ３≦０．２、好ましくは０≦ｘ３≦０．０５、０≦ｘ４≦０．２、好ましくは０≦ｘ４≦０．０５であり；Ｂ＝Ｖｙ１Ｃｒｙ２Ｍｎｙ３Ｆｅｙ４Ｃｏｙ５Ｎｉｙ６Ｃｕｙ７、ｙ１＋ｙ２＋ｙ３＋ｙ４＝０．９５～１．０５、０≦ｙ１≦０．５、好ましくは０≦ｙ１≦０．２、０≦ｙ２≦０．８、好ましくは０≦ｙ２≦０．２、０≦ｙ３≦０．８、好ましくは０．０５≦ｙ３≦０．３、０＜ｙ４≦１．０５、好ましくは０．７≦ｙ４≦１．０５、０≦ｙ５≦０．３５、好ましくは０≦ｙ５≦０．１０、０≦ｙ６≦０．４５、好ましくは０≦ｙ６≦０．２０、０≦ｙ７≦０．３、好ましくは０≦ｙ７≦０．２である、構成〔１６〕又は〔１７〕に記載の方法。
〔２２〕水素リッチな気体と第１水素吸蔵性合金との接触における温度は２０～１５０℃、水素ガス分圧は０．００１～０．１ＭＰａであり、第１水素吸蔵性合金から水素ガスが放出される温度（水素放出温度）は１５０～４５０℃、水素放出における水素ガス分圧は０．１～５ＭＰａである、構成〔１６〕に記載の方法。
〔２３〕第２水素吸蔵性合金の水素吸着温度は－７０～１００℃、水素吸着における水素ガス分圧は０．１～５ＭＰａ、第２水素吸蔵性合金の水素放出温度は１５０～４５０℃、水素放出における水素分圧は≧３５ＭＰａ、例えば３５～１００ＭＰａである、構成〔１６〕又は〔２２〕に記載の方法。
〔２４〕水素リッチな気体と第１水素吸蔵性合金との接触における水素吸着温度は好ましくは５０～１００℃であり、水素ガス分圧は好ましくは０．００１～０．０３ＭＰａであり、第１水素吸蔵性合金の水素放出温度は好ましくは２００～３５０℃であり、水素放出における水素ガス分圧は好ましくは０．１～１ＭＰａであり；第２水素吸蔵性合金が水素ガスを吸着する水素吸着温度は好ましくは－３０～１００℃であり、水素吸着における水素ガス分圧は好ましくは０．１～１ＭＰａであり、第２水素吸蔵性合金の水素放出温度は好ましくは２００～３５０℃であり、水素放出における水素分圧は好ましくは≧３５ＭＰａである、構成〔１６〕又は〔２２〕に記載の方法。
〔２５〕水素吸蔵性合金から水素ガスを放出させる温度（水素吸蔵性合金を加熱する温度；水素放出温度と略称する）は１５０～４５０℃であり、放出される水素ガスの圧力は、高純度高圧水素ガスを得るために≧３５ＭＰａ、例えば３５～１００ＭＰａであるか、又は水素放出における水素ガス分圧は、高純度水素ガスを得るために０．１～５ＭＰａであり、水素放出温度は水素吸着温度よりも高い、構成〔１〕に記載の方法。
〔２６〕例えば、水素ガスを用いたパージ法により水素含有合金中の有機物を除去し、当該パージ法としては、例えば、水素吸蔵性合金における吸着量が所定量となった後、水素吸蔵性合金への水素リッチな気体の供給を停止し、水素ガスを水素含有合金に通すことで水素含有合金及び（水素吸蔵性合金の格納容器とも言う）内の有機ガスを追い出し、当該有機ガスを貯蔵タンクに導入して貯蔵するか、又は当該有機ガスを他の水素吸蔵性合金の格納容器内の水素吸蔵性合金に吸着させ、パージ用水素ガスの純度は好ましくは９０重量％を超え、より好ましくは９５重量％を超え、例えば９９重量％を超える、構成〔１〕に記載の方法。
〔２７〕液状有機水素吸蔵原料と脱水素触媒との接触反応における反応温度は、１５０～４５０℃、好ましくは２００～４００℃、より好ましくは３００～３５０℃である、構成〔１〕に記載の方法。
〔２８〕液状有機水素吸蔵原料と脱水素触媒との接触における時間当たりの重量空間速度は、０．５～５０ｈ－１、好ましくは１～４５ｈ－１、より好ましくは２～３０ｈ－１である、構成〔１〕に記載の方法。
〔２９〕液状有機水素吸蔵原料と脱水素触媒との接触反応における圧力は、０．０３～５ＭＰａ又は０．３～５ＭＰａであり、好ましくは０．１～３ＭＰａ、例えば０．５～２ＭＰａ又は０．２～１．６ＭＰａである、構成〔１〕に記載の方法。。
〔３０〕液状有機水素吸蔵原料と水素ガスとを混合したものを脱水素触媒と接触させる場合、水素対炭化水素比（液状有機水素吸蔵原料に対する水素ガスのモル比）は、０～１０である、構成〔１〕に記載の方法。
〔３１〕水素ガスの存在下又は非存在下の有機液体脱水素反応、有機液体脱水素反応における温度は１５０～４５０℃であり、時間当たりの重量空間速度は０．５～５０ｈ－１であり、反応圧力は０．３～５ＭＰａであり、水素対炭化水素比は０～１０モル比であり、好ましくは、反応温度は２００～４００℃であり、時間当たりの重量空間速度は１～３０ｈ－１であり、水素対炭化水素比は０～８モル比である、構成〔１〕に記載の方法。
〔３２〕脱水素触媒は金属担持型触媒であり、金属担持型触媒は、担体と、担持された活性金属成分とを含み、前記担体、前記活性金属は、好ましくは、ＶＩＩＩ族金属のうち１つ又は複数の金属を含み、より好ましくは、活性金属成分は、第１活性金属及び任意的に第２活性金属を含み、前記第１活性金属はＰｔ、Ｐｄ、Ｒｕ、Ｒｈ及びＩｒのうち１つ又は複数であり、前記第２活性金属はＮｉ、Ｒｅ、Ｓｎ、Ｍｏ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｃａ、Ｃｏ及びＷのうち１つ又は複数であり、好ましくは、前記第２活性金属はＮｉ、Ｒｅ及びＳｎのうち１つ又は複数であり、より好ましくは、第１活性金属はＰｔを含むか；
又は、
脱水素触媒は、担体と、担持された活性金属成分とを含む。担体はアルミナ、二酸化ケイ素、二酸化チタン、酸化ジルコニウム、活性炭及びケイ素アルミニウム材料のうち１つ又は複数から選ばれ、活性金属はＮｉ、Ｚｎ、Ｓｎ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ａｇ、ｐ、Ｉｎ、Ｒｅ、Ｍｏ、Ｃｏ、Ｃａ及びＷの少なくとも２つの金属から選ばれ、より好ましくはＮｉ、Ｚｎ、Ｓｎ及びＣｕの２つ又は２つ以上であり、若しくは、活性金属は、Ｎｉと、Ｚｎ、Ｓｎ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ａｇ、ｐ、Ｉｎ、Ｒｅ、Ｍｏ、Ｃｏ、Ｃａ及びＷから選ばれる１つ又は複数と、を含む、構成〔１〕に記載の方法。
又は、
脱水素触媒は、担体と、担持された活性金属成分とを含む。担体はアルミナ、二酸化ケイ素、二酸化チタン、酸化ジルコニウム、活性炭及びケイ素アルミニウム材料のうち１つ又は複数から選ばれ、活性金属はＮｉ、Ｚｎ、Ｓｎ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ａｇ、ｐ、Ｉｎ、Ｒｅ、Ｍｏ、Ｃｏ、Ｃａ及びＷの少なくとも２つの金属から選ばれ、より好ましくはＮｉ、Ｚｎ、Ｓｎ及びＣｕの２つ又は２つ以上であり、若しくは、活性金属は、Ｎｉと、Ｚｎ、Ｓｎ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ａｇ、ｐ、Ｉｎ、Ｒｅ、Ｍｏ、Ｃｏ、Ｃａ及びＷから選ばれる１つ又は複数と、を含む、構成〔１〕に記載の方法。
〔３３〕脱水素触媒中、担体の質量分率は７０～９９．９％、金属成分の質量分率は０．１～３０％である、構成〔３２〕に記載の方法。
〔３４〕脱水素触媒は担体及び活性金属成分を含み、担体は担体組成物であり、担体組成物はアルミナ及び改質金属酸化物を含み、改質金属酸化物はチタン酸化物及び／又はジルコニウム酸化物であり、改質金属酸化物はη＜０．３であり、η＝担体組成物中の改質金属酸化物の結晶相の重量％含量／担体組成物中の改質金属酸化物の化学組成物の重量％含量；チタン酸化物はＴｉＯ２として算定され、ジルコニウム酸化物はＺｒＯ２として算定される、構成〔１〕に記載の方法。
〔３５〕担体組成物はη＝０であり、好ましくは第１金属酸化物がアルミナ基質上に単層として分散している、構成〔３４〕に記載の方法。
〔３６〕前記担体組成物において、アルミナの質量分率が８０～９８．５％、好ましくは８３～９７．５％、８５～９５％又は９０～９５％であり、改質金属酸化物の質量分率が１．５～２０％、好ましくは２．５～１７％、５～１５％又は５～１０％である、構成〔３４〕に記載の方法。
〔３７〕改質金属酸化物はチタン酸化物を含み、好ましくは、担体組成物において、二酸化チタンの質量分率が好ましくは２～２０％、例えば５～１５％又は５～１０％又は２．５～１７％であり、二酸化ジルコニウムの質量分率が好ましくは０～８％、例えば０～６％又は０～３％又は１～６％である、構成〔３４〕に記載の方法。
〔３８〕ＴｉＯ２の純粋相と比較して、担体組成物のＸＰＳスペクトルにおいて、Ｔｉの２Ｐ３／２軌道電子結合エネルギーのシフトが存在し、当該結合エネルギーの４５８．８ｅＶにおけるピークが高結合エネルギー側へ０．６～０．７ｅＶシフトして４５９．４～４５９．５ｅＶとなり、及び／又は、Ｔｉの２Ｐ１／２軌道電子結合エネルギーの４６４．５ｅＶにおけるピークが高結合エネルギー側へ０．８～０．９ｅＶシフトして４６５．３～４６５．４ｅＶとなっている、構成〔３４〕に記載の方法。
〔３９〕酸化物基質は、γ－アルミナ、η－アルミナ、ρ－アルミナ又はχ－アルミナのうち少なくとも１種類の相構造を有する、構成〔３４〕に記載の方法。
〔４０〕担体組成物の比表面積が１００～３５０ｍ２／ｇである、構成〔３４〕に記載の方法。
〔４１〕前記担体組成物の細孔容積が０．３～１．３ｍｌ／ｇである、構成〔３４〕に記載の方法。
〔４２〕前記脱水素触媒は、アルミナ及び改質金属酸化物を含む担体と、活性金属成分とを含み、改質金属酸化物は、チタン酸化物及び／又はジルコニウム酸化物であり、活性金属成分は、活性金属の酸化物及び／又は活性金属の単体である、構成〔１〕又は〔３４〕に記載の方法。前記活性金属は、例えばＶＩＩＩＢ族金属、ＶＩＩＢ族金属、ＶＢ族金属、ＶＩＢ族金属、ＩＢ族金属、希土類元素、アルカリ土類金属、ＩＶＡ族金属のうち１つ又は複数であり；
好ましくは、活性金属は、Ｐｔ及び／又はＮｉを含み、任意的に他の元素を含む。好ましくは、他の元素はＶ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｃｅ、Ｗ、Ｍｏ、Ｓｎ、Ｃａ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｒｕ、Ｒｅ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｏｓ、Ｚｎ、Ｐ及びＩｎのうち１つ又は複数である。
好ましくは、活性金属は、Ｐｔ及び／又はＮｉを含み、任意的に他の元素を含む。好ましくは、他の元素はＶ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｃｅ、Ｗ、Ｍｏ、Ｓｎ、Ｃａ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｒｕ、Ｒｅ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｏｓ、Ｚｎ、Ｐ及びＩｎのうち１つ又は複数である。
〔４３〕活性金属は、Ｐｔを含み、任意的に他の金属を含み、他の金属は貴金属又は非貴金属であり得、前記他の金属はＰｄ、Ｒｕ、Ｒｅ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｏｓ、Ｓｎ、Ｖ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｃｅ、Ｗ、Ｃｕ及びＣａのうち１つ又は複数である、構成〔４２〕に記載の方法。
〔４４〕前記脱水素触媒中、活性金属の含量が０．１～２０重量％、例えば０．１～１５重量％であり、担体の含量が７５～９９．９重量％であり、Ｐｔの含量が０．１～１０重量％である、構成〔４２〕に記載の方法。なお、本発明の脱水素触媒の組成において、活性金属の含量については、貴金属は単体として算定され、非貴金属は酸化物として算定される。
〔４５〕他の金属はＰｄ、Ｒｕ、Ｒｅ、Ｒｈ、Ｉｒ及びＯｓのうち１つ又は複数である、構成〔４３〕に記載の方法。
〔４６〕前記脱水素触媒中、前記活性金属の含量が０．１～１０重量％、好ましくは０．５～８重量％であり、前記担体の含量が９０～９９．９重量％、好ましくは９２～９９．５重量％である、構成〔４３〕に記載の方法。
〔４７〕触媒中、Ｐｔの含量が０．１～２重量％、例えば０．３～１．５重量％又は０．５～１重量％であり、前記他の金属の含量が０～９．９重量％、例えば０．１～２、又は０．２～１重量％又は０．１～０．８重量％であり、前記担体の含量が好ましくは９０～９９．９重量％、例えば９６～９９．６重量％、又は９８～９９．５重量％又は９８．５～９９．３重量％である、構成〔４３〕に記載の方法。
〔４８〕他の金属元素はＳｎ、Ｖ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｃｅ、Ｗ、Ｃｕ及びＣａのうち１つ又は複数である、構成〔４３〕に記載の方法。
〔４９〕触媒中、Ｐｔの含量が０．１～１０重量％であり、前記他の金属の含量が０～１５重量％である、構成〔４３〕に記載の方法。
〔５０〕触媒中、Ｐｔの含量が０．１～２重量％、例えば０．５～１．５重量％であり、他の金属の含量が０～１５重量％、例えば１～１０重量％、又は２～８重量％又は３～７重量％であり、前記担体の含量が好ましくは８５～９９．９重量％、例えば９０～９９重量％、又は９０～９８重量％又は９２～９７重量％である、構成〔４３〕に記載の方法。
〔５１〕活性金属は、ニッケルを含み、任意的に他の金属を含み、前記他の金属はＺｎ、Ｓｎ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ａｇ、ｐ、Ｉｎ、Ｒｅ、Ｍｏ、Ｃｏ、Ｃａ及びＷのうち１つ又は複数である、構成〔３４〕に記載の方法。
〔５２〕触媒中、前記活性金属の質量分率が５％～３０％であり、担体の質量分率が７０～９５％であり、担体の質量分率が好ましくは７５～９０％、活性金属の質量分率が好ましくは１０％～２５％である、構成〔５１〕に記載の方法。
〔５３〕触媒中、ニッケル（酸化物として算定される）の含量が５～２５重量％、好ましくは６～２０重量％、例えば７～１５重量％、又は７～１２重量％又は８～１１重量％であり、他の金属（酸化物として算定される）の含量が０～１５重量％、好ましくは０～１０重量％、例えば０．５～８重量％又は１～５重量％である、構成〔５１〕に記載の方法。
〔５４〕液状有機水素吸蔵原料は、シクロアルカン環を含有し任意的にヘテロ原子を含有する飽和及び／又は不飽和炭化水素であり、ヘテロ原子を含有する水素吸蔵有機化合物は、シクロアルカン環を含有する炭化水素のシクロアルカン環上でヘテロ原子置換が生じて得られる有機物である、構成〔１〕に記載の方法。中でも、液状有機水素吸蔵原料は、好ましくは、ヘテロ環原子を含有せずシクロアルカン環を含有する飽和又は不飽和炭化水素である。より好ましくは、ヘテロ環原子を含有せず、芳香族環及びシクロアルカン環の環の数の合計が２以下である飽和又は不飽和炭化水素である；
よりさらに好ましくは、有機水素吸蔵原料は、ヘテロ環原子を含有せず、芳香族環及びシクロアルカン環の環の数の合計が２以下である飽和又は不飽和炭化水素であり、ヘテロ環原子を含有せずシクロアルカン環を含有する飽和又は不飽和炭化水素は、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、デカヒドロナフタレン、ビ（シクロヘキサン）のうち１つ又は複数を含み、ヘテロ原子を含有しシクロアルカン環を含有する飽和又は不飽和炭化水素は、窒素含有ヘテロ環化合物、及び、窒素／ホウ素含有ヘテロ環化合物を含み、窒素含有ヘテロ環化合物は、例えば、デカヒドロカルバゾール、ドデカヒドロエチルカルバゾール、インドリン、４－アミノピペリジン、ピペリジン－４－カルボキサミド、ペルヒドロ－４，７－フェナントロリン、２－メチル－１，２，３，４－テトラヒドロキノリン、２，６－ジメチルデカヒドロ－１，５－ナフチリジンのうち１つ又は複数を含み、窒素／ホウ素ヘテロ原子含有不飽和炭化水素は、１，２－ＢＮ－シクロヘキサン、及び３－メチル－１，２－ＢＮ－シクロペンタンのうち１つ又は複数を含む。
よりさらに好ましくは、有機水素吸蔵原料は、ヘテロ環原子を含有せず、芳香族環及びシクロアルカン環の環の数の合計が２以下である飽和又は不飽和炭化水素であり、ヘテロ環原子を含有せずシクロアルカン環を含有する飽和又は不飽和炭化水素は、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、デカヒドロナフタレン、ビ（シクロヘキサン）のうち１つ又は複数を含み、ヘテロ原子を含有しシクロアルカン環を含有する飽和又は不飽和炭化水素は、窒素含有ヘテロ環化合物、及び、窒素／ホウ素含有ヘテロ環化合物を含み、窒素含有ヘテロ環化合物は、例えば、デカヒドロカルバゾール、ドデカヒドロエチルカルバゾール、インドリン、４－アミノピペリジン、ピペリジン－４－カルボキサミド、ペルヒドロ－４，７－フェナントロリン、２－メチル－１，２，３，４－テトラヒドロキノリン、２，６－ジメチルデカヒドロ－１，５－ナフチリジンのうち１つ又は複数を含み、窒素／ホウ素ヘテロ原子含有不飽和炭化水素は、１，２－ＢＮ－シクロヘキサン、及び３－メチル－１，２－ＢＮ－シクロペンタンのうち１つ又は複数を含む。
〔５５〕放出された水素ガスを水素ガス貯蔵タンクに導入して水素ガスを貯蔵する工程、又は、得られた高純度高圧水素ガスを水素燃料電池車両の補給に直接的に用い得る工程をさらに含む、構成〔１〕に記載の方法。
〔５６〕脱水素反応器内で、脱水素触媒の存在下で液状有機水素吸蔵原料の脱水素反応を行い、水素ガスを含む脱水素反応生成物を得る工程と、
冷却分離装置内で、脱水素反応生成物を冷却して分離し、水素リッチなストリーム及び有機液体を得る工程と、
水素吸蔵性合金の格納容器内で、水素リッチなストリーム、又は精製後の水素リッチなストリームを水素吸蔵性合金と接触させ、水素含有合金を得る工程と、
水素ガスを用いたパージ法により、好ましくは９０重量％を超え、より好ましくは９５重量％を超える純度のパージ用水素ガスにて、水素吸蔵性合金の格納容器内の有機物を除去する工程と、
水素含有合金を加熱して水素ガスを放出させ、高圧水素ガスを得るとともに、得られた高圧水素ガスを水素消費装置又は貯蔵用の高圧水素ガス貯蔵タンクに供給する工程と、
を含む、高純度高圧水素ガスの高効率分散型製造方法。
冷却分離装置内で、脱水素反応生成物を冷却して分離し、水素リッチなストリーム及び有機液体を得る工程と、
水素吸蔵性合金の格納容器内で、水素リッチなストリーム、又は精製後の水素リッチなストリームを水素吸蔵性合金と接触させ、水素含有合金を得る工程と、
水素ガスを用いたパージ法により、好ましくは９０重量％を超え、より好ましくは９５重量％を超える純度のパージ用水素ガスにて、水素吸蔵性合金の格納容器内の有機物を除去する工程と、
水素含有合金を加熱して水素ガスを放出させ、高圧水素ガスを得るとともに、得られた高圧水素ガスを水素消費装置又は貯蔵用の高圧水素ガス貯蔵タンクに供給する工程と、
を含む、高純度高圧水素ガスの高効率分散型製造方法。
〔５７〕高純度高圧水素ガスの供給システムであって、
液状有機水素吸蔵原料を貯蔵するとともに、脱水素反応器に液状有機水素吸蔵原料を供給する液状有機水素吸蔵原料貯蔵－供給装置と、
液状有機水素吸蔵原料の脱水素により得られた液体生成物を貯蔵する脱水素液体貯蔵装置と、
脱水素触媒の作用下で液状有機水素吸蔵原料の脱水素反応を行い、水素ガスを含む脱水素反応生成物を得る脱水素反応器装置と、
脱水素反応生成物を分離し、水素リッチな気体生成物及び液体生成物を得る冷却分離装置と、
水素吸蔵性合金の格納容器及び水素吸蔵性合金加熱システムを備え、水素リッチな気体を低温低圧下で水素吸蔵性合金と接触させて水素吸着を行い、飽和吸着後、加熱により脱水素を行う水素吸蔵－水素供給装置と、
任意的に、水素吸蔵容器内の有機物の除去のために用いるパージ装置と、
高圧水素ガスを水素消費装置又は水素ガス貯蔵タンクに供給する水素ガス供給装置と、を含む、システム。
液状有機水素吸蔵原料を貯蔵するとともに、脱水素反応器に液状有機水素吸蔵原料を供給する液状有機水素吸蔵原料貯蔵－供給装置と、
液状有機水素吸蔵原料の脱水素により得られた液体生成物を貯蔵する脱水素液体貯蔵装置と、
脱水素触媒の作用下で液状有機水素吸蔵原料の脱水素反応を行い、水素ガスを含む脱水素反応生成物を得る脱水素反応器装置と、
脱水素反応生成物を分離し、水素リッチな気体生成物及び液体生成物を得る冷却分離装置と、
水素吸蔵性合金の格納容器及び水素吸蔵性合金加熱システムを備え、水素リッチな気体を低温低圧下で水素吸蔵性合金と接触させて水素吸着を行い、飽和吸着後、加熱により脱水素を行う水素吸蔵－水素供給装置と、
任意的に、水素吸蔵容器内の有機物の除去のために用いるパージ装置と、
高圧水素ガスを水素消費装置又は水素ガス貯蔵タンクに供給する水素ガス供給装置と、を含む、システム。
〔５８〕システムは、コンテナの内部と一体化してなるコンテナ型水素製造システムとして水素補給ステーションへ設置されるか、又は、水素補給ステーション内に直接に組み込まれて使用される、構成〔５７〕に記載システム。
〔５９〕水素吸蔵－水素供給装置は、１つ又は複数の水素吸蔵性合金の格納容器を含み、複数の水素吸蔵性合金の格納容器は、並列形態、直列形態、又は、並列と直列との複合形態で連結され得る、構成〔５７〕に記載のシステム。
〔６０〕少なくとも１つの水素吸蔵性合金の格納容器が耐高圧容器であり、及び／又は、水素ガス供給装置が耐高圧装置である、構成〔５７〕～〔５９〕のいずれか１つに記載のシステム。好ましくは、装置の許容圧力は３５ＭＰａ以上である。
〔６１〕輸送車両と、当該輸送車両上に設置された構成〔５７〕～〔６０〕のいずれか１つに記載の高純度水素ガスの提供システムとを含む、可動型水素供給システム。
〔６２〕構成〔５７〕～〔６０〕のいずれか１つに記載の高純度水素ガスの供給システムを含み、且つ高圧水素ガス貯蔵タンクを任意的に含む、分散型水素供給装置。
〔実施例〕
以下の実施例は、本発明をさらに詳細に説明するが、本発明を限定するものではない。
以下の実施例は、本発明をさらに詳細に説明するが、本発明を限定するものではない。
（原料及び測定手法）
ＳＢ粉末：ドイツのＳａｓｏｌ社製、固形分含量 ７５重量％。
ＳＢ粉末：ドイツのＳａｓｏｌ社製、固形分含量 ７５重量％。
Ｐ２５（二酸化チタン）：ドイツのＤｅｇｕｓｓａ社製、固形分含量 ９８重量％。
金属酸塩及び金属塩は、シノファーム化学試薬北京Ｃｏ．，Ｌｔｄ．から購入した。
液状有機水素吸蔵原料は、Ｊ＆Ｋ Ｓｃｉｅｎｔｉｆｉｃ Ｃｏ．，Ｌｔｄ．から購入した。
各実施例及び比較例において、担持型有機液体の脱水素触媒の組成を蛍光Ｘ線法により測定し、液状有機水素吸蔵原料の脱水素生成物をクロマトグラフィー分析により得た。水素ガスの純度は、ガスクロマトグラフィーにより分析した。
本発明の実施例及び比較例における、有機液体の脱水素試験は、固定床反応器中で行った。
分離するために、冷却剤を用いて冷却及び分離を行った。水素吸蔵容器は分離システムの後ろに接続し、エネルギー転送媒体は熱水又は熱水蒸気であり、水蒸気は水蒸気発生器により生成した。
以下の実施例では、液状有機水素吸蔵原料の脱水素触媒の担体の調製において、改質金属酸化物の結晶相のパーセンテージ含量を、以下の方法によって測定した：
４０ｋＶ及び３０ｍＡで駆動されるロングファインフォーカスの銅Ｘ線源を備えたＰｈｉｌｉｐｓ ＸＲＧ３１００発電機、Ｐｈｉｌｉｐｓ３０２０デジタルゴニオメーター、Ｐｈｉｌｉｐｓ３７１０ＭＰＤ制御コンピュータ、及びＫｅｖｅｘ ＰＳＩ Ｐｅｌｔｉｅｒ冷却シリコン検出器を使用して、全てのＸ線回折測定を行った；Ｋｅｖｅｘ４６０１イオンポンプコントローラ、Ｋｅｖｅｘ４６０８Ｐｅｌｔｉｅｒ電源装置、Ｋｅｖｅｘ４６２１検出器バイアス、Ｋｅｖｅｘ４５６１Ａパルスプロセッサ、及びＫｅｖｅｘ４９１１－Ａシングルチャンネル解析器を使用して、Ｋｅｖｅｘ検出器を動作させた；Ｐｈｉｌｉｐｓ ＡＰＤ４．１Ｃバージョンのソフトウェアを使用して、回折パターンを得た；全てのリートベルトの計算は、Ｍａｔｅｒｉａｌ Ｄａｔａ，Ｉｎｃ．，Ｒｉｑａｓ ３．１Ｃバージョンのソフトウェア（Ｑｕｔｏｋｕｍｐｕ ＨＳＣ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ ｆｏｒ Ｗｉｎｄｏｗｓ； Ｕｓｅｒ Ｇｕｉｄｅ，Ｑｕｔｏｋｕｍｐｏ Ｒｅｓａｒｃｈ Ｏｙ，Ｐｏｒｉ，Ｆｉｎｌａｎｄ（１９９９））を使用して行った。
４０ｋＶ及び３０ｍＡで駆動されるロングファインフォーカスの銅Ｘ線源を備えたＰｈｉｌｉｐｓ ＸＲＧ３１００発電機、Ｐｈｉｌｉｐｓ３０２０デジタルゴニオメーター、Ｐｈｉｌｉｐｓ３７１０ＭＰＤ制御コンピュータ、及びＫｅｖｅｘ ＰＳＩ Ｐｅｌｔｉｅｒ冷却シリコン検出器を使用して、全てのＸ線回折測定を行った；Ｋｅｖｅｘ４６０１イオンポンプコントローラ、Ｋｅｖｅｘ４６０８Ｐｅｌｔｉｅｒ電源装置、Ｋｅｖｅｘ４６２１検出器バイアス、Ｋｅｖｅｘ４５６１Ａパルスプロセッサ、及びＫｅｖｅｘ４９１１－Ａシングルチャンネル解析器を使用して、Ｋｅｖｅｘ検出器を動作させた；Ｐｈｉｌｉｐｓ ＡＰＤ４．１Ｃバージョンのソフトウェアを使用して、回折パターンを得た；全てのリートベルトの計算は、Ｍａｔｅｒｉａｌ Ｄａｔａ，Ｉｎｃ．，Ｒｉｑａｓ ３．１Ｃバージョンのソフトウェア（Ｑｕｔｏｋｕｍｐｕ ＨＳＣ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ ｆｏｒ Ｗｉｎｄｏｗｓ； Ｕｓｅｒ Ｇｕｉｄｅ，Ｑｕｔｏｋｕｍｐｏ Ｒｅｓａｒｃｈ Ｏｙ，Ｐｏｒｉ，Ｆｉｎｌａｎｄ（１９９９））を使用して行った。
以下の実施例において、ＸＰＳ試験は、Ｔｈｅｒｍｏ Ｆｉｓｈｅｒ社製のＥＳＣＡＬａｂ２５０型Ｘ線光電子分光装置にて行った。励起源は、１４８６．６ｅＶのエネルギー、及び１５０Ｗの出力を有する単色化ＡｌＫαＸ線であった。狭域走査における透過エネルギーは３０ｅＶであった。解析中の基本真空度は、約６．５×１０－１０ｍｂａｒであった。結合エネルギーは、汚染炭素のＣ１ｓピーク（２８４．８ｅＶ）によって校正した。担体組成物の表面における改質金属酸化物の重量パーセント含量は、１０点のサンプル粒子を測定し、その平均値を取ることによって決定された。
以下の実施例において、比表面積及び細孔容積は、アメリカのＭｉｃｒｏｍｅｒｉｔｉｃｓ Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ社製のＡＳＡＰ２４００型自動吸着装置を用いて、静的低温吸着容積法（ＧＢ／Ｔ５８１６－１９９５に準ずる方法）によって測定した。具体的な方法は、下記のとおりであった：被測定試料を、２５０℃、及び１．３３Ｐａにて４時間真空にし、且つ脱気した後、静的吸着が吸着平衡に達するまで、－１９６℃にて、吸着物である窒素ガスと接触させた；窒素ガスの導入量と、吸着後の気相中の残留窒素ガス量との差分から、吸着剤に吸着された窒素量を算出し、ＢＥＴ式によって比表面積及び細孔容積を算出した。
＜液状有機水素吸蔵原料の脱水素触媒のための担体の調製＞
（担体実施例１）
ＳＢ粉末を５００℃で４時間焼成し、γ－Ａｌ２Ｏ３を得た。γ－Ａｌ２Ｏ３の比表面積は１７６ｍ２／ｇであり、細孔容積は０．４８ｍＬ／ｇであった。
（担体実施例１）
ＳＢ粉末を５００℃で４時間焼成し、γ－Ａｌ２Ｏ３を得た。γ－Ａｌ２Ｏ３の比表面積は１７６ｍ２／ｇであり、細孔容積は０．４８ｍＬ／ｇであった。
上記γ－Ａｌ２Ｏ３（５００ｇ）を流動化反応器（反応器内径：１０cｍ、高さ：４０ｃｍ）内に入れた。四塩化チタンを２０℃の恒温浴に設置し、窒素ガス（温度は２５℃）を、１０Ｌ／ｍｉｎの流量で四塩化チタンに通しながら、流動化反応器の底部から流動化反応器に導入した。流動化を１時間行った後、四塩化チタン浴槽への窒素ガスの導入を停止した。窒素ガス（温度は２５℃）を、１０Ｌ／ｍｉｎの流量で５０℃の恒温浴中に設置した脱イオン水に導入しながら、反応器の底部から流動化反応器に導入した。加水分解するために流動化を４時間行い、加水分解された担体を得た。加水分解された担体を空気雰囲気において、５５０℃にて４時間焼成し、最終的な担体を得た。最終的な担体を担体１と称する。担体の組成及び担体の性質を表１に示し、当該Ｘ線回析（ＸＲＤ）スペクトルを図１中の「１」に示した。
（担体実施例２～８）
担体２～８は、窒素ガスによって運ばれた四塩化チタンを流動床に導入する時間、及び、脱イオン水への窒素ガスの導入による加水分解の時間が異なること以外は、担体実施例１における担体１と同じ方法で調製した。担体の調製条件、担体の組成、及び担体の性質を表１に示した。
担体２～８は、窒素ガスによって運ばれた四塩化チタンを流動床に導入する時間、及び、脱イオン水への窒素ガスの導入による加水分解の時間が異なること以外は、担体実施例１における担体１と同じ方法で調製した。担体の調製条件、担体の組成、及び担体の性質を表１に示した。
（担体実施例９～１１）
担体９～１１は、窒素ガスをまず四塩化チタンに通し、次に四塩化ジルコニウム蒸気発生器（四塩化ジルコニウム蒸気温度は３００℃）に通したこと以外は、担体実施例１における担体１と同じ方法で調製した。担体の調製条件、担体の組成、及び担体の性質を表１に示した。
担体９～１１は、窒素ガスをまず四塩化チタンに通し、次に四塩化ジルコニウム蒸気発生器（四塩化ジルコニウム蒸気温度は３００℃）に通したこと以外は、担体実施例１における担体１と同じ方法で調製した。担体の調製条件、担体の組成、及び担体の性質を表１に示した。
（担体比較例１）
ＳＢ粉末を５００℃で４時間焼成し、直接γ－Ａｌ２Ｏ３を得た。当該担体を担体Ｃ１と称する。担体の組成及び担体の性質を表１に示した。
ＳＢ粉末を５００℃で４時間焼成し、直接γ－Ａｌ２Ｏ３を得た。当該担体を担体Ｃ１と称する。担体の組成及び担体の性質を表１に示した。
（担体比較例２）
ＳＢ粉末を５００℃で４時間焼成することによって得られたγ－Ａｌ２Ｏ３を、ＴｉＯ２と物理的に混合したこと以外は、担体実施例１の方法を参照して担体を調製した。当該担体を担体Ｃ２と称する。担体の組成及び担体の性質を表１に示し、当該Ｘ線回析（ＸＲＤ）スペクトルを図１中の「２」で示した。
ＳＢ粉末を５００℃で４時間焼成することによって得られたγ－Ａｌ２Ｏ３を、ＴｉＯ２と物理的に混合したこと以外は、担体実施例１の方法を参照して担体を調製した。当該担体を担体Ｃ２と称する。担体の組成及び担体の性質を表１に示し、当該Ｘ線回析（ＸＲＤ）スペクトルを図１中の「２」で示した。
（担体比較例３）
担体比較例２を参照して担体を調製した。当該担体を担体Ｃ３と称する。担体の組成及び担体の性質を表１に示した。
担体比較例２を参照して担体を調製した。当該担体を担体Ｃ３と称する。担体の組成及び担体の性質を表１に示した。
（担体比較例４）
ＳＢ粉末を５００℃で４時間焼成することによって得られた担体であるγ－Ａｌ２Ｏ３を、四塩化チタン溶液と物理的に混合したこと以外は、担体実施例６の方法を参照して担体を調製した。当該担体を担体Ｃ４と称する。担体の組成及び担体の性質を表１に示した。
ＳＢ粉末を５００℃で４時間焼成することによって得られた担体であるγ－Ａｌ２Ｏ３を、四塩化チタン溶液と物理的に混合したこと以外は、担体実施例６の方法を参照して担体を調製した。当該担体を担体Ｃ４と称する。担体の組成及び担体の性質を表１に示した。
（担体比較例５）
ＳＢ粉末を５００℃で４時間焼成し、γ－Ａｌ２Ｏ３を得た。テトラブチルチタネートと脱イオン水とを３０分間撹拌して混合し、等体積含浸の方式でγ－Ａｌ２Ｏ３に含浸させた。乾燥し、５５０℃で４時間焼成し、酸化物複合担体を得た。当該担体を担体Ｃ５と称する。担体の組成及び担体の性質を表１に示し、当該Ｘ線回析（ＸＲＤ）スペクトルを図１中の「５」で示した。
ＳＢ粉末を５００℃で４時間焼成し、γ－Ａｌ２Ｏ３を得た。テトラブチルチタネートと脱イオン水とを３０分間撹拌して混合し、等体積含浸の方式でγ－Ａｌ２Ｏ３に含浸させた。乾燥し、５５０℃で４時間焼成し、酸化物複合担体を得た。当該担体を担体Ｃ５と称する。担体の組成及び担体の性質を表１に示し、当該Ｘ線回析（ＸＲＤ）スペクトルを図１中の「５」で示した。
（担体比較例６）
ＳＢ粉末を５００℃で４時間焼成することによって得られたγ－Ａｌ２Ｏ３を、ＴｉＯ２及びＺｒＯ２と物理的に混合したこと以外は、担体実施例９の配合にしたがって担体を調製した。当該担体を担体Ｃ６と称する。担体の組成及び担体の性質を表１に示した。
ＳＢ粉末を５００℃で４時間焼成することによって得られたγ－Ａｌ２Ｏ３を、ＴｉＯ２及びＺｒＯ２と物理的に混合したこと以外は、担体実施例９の配合にしたがって担体を調製した。当該担体を担体Ｃ６と称する。担体の組成及び担体の性質を表１に示した。
（担体比較例７）
担体比較例６を参照して担体を調製した。当該担体を担体Ｃ７と称する。担体の組成及び担体の性質を表１に示した。
担体比較例６を参照して担体を調製した。当該担体を担体Ｃ７と称する。担体の組成及び担体の性質を表１に示した。
担体実施例１～１１及び担体比較例１～７において調製された各担体の性質を、表１に示した。
＜液状有機水素吸蔵原料の脱水素触媒の調製及び評価＞
（実施例１）
０．３４ｇの塩化白金酸を水に入れ、２０ｍＬの含浸液を調製した。撹拌しながら含浸液を１９．８４ｇの担体１にゆっくり添加し、含浸液を酸化物複合担体上に均一に担持させた。含浸温度は、２５℃であり、含浸後の固体は、１２０℃の窒素ガスを用いたパージにより３時間乾燥させた。その後、空気雰囲気において焼成した。焼成温度は６００℃であり、焼成時の気体対担体比（空気／固体の体積比）は６００：１であり、焼成時間は４時間であり、最終的に触媒を得た。触媒の組成を表２に示した。
（実施例１）
０．３４ｇの塩化白金酸を水に入れ、２０ｍＬの含浸液を調製した。撹拌しながら含浸液を１９．８４ｇの担体１にゆっくり添加し、含浸液を酸化物複合担体上に均一に担持させた。含浸温度は、２５℃であり、含浸後の固体は、１２０℃の窒素ガスを用いたパージにより３時間乾燥させた。その後、空気雰囲気において焼成した。焼成温度は６００℃であり、焼成時の気体対担体比（空気／固体の体積比）は６００：１であり、焼成時間は４時間であり、最終的に触媒を得た。触媒の組成を表２に示した。
メチルシクロヘキサンの脱水素反応を固定床反応器内で行い、上記で調製した触媒を評価した。脱水素反応は、固定床マイクロリアクターにおいて行った。評価時の条件は、反応温度が３５０℃、反応圧力（反応器の入口における圧力）が１ＭＰａ、追加水素ガスの流量が１５０ｍＬ／ｍｉｎＨ２、メチルシクロヘキサン供給量が２ｍＬ／ｍｉｎ、触媒装填量が２０ｇであった。触媒の評価結果を表２に示した。なお、転化率＝反応したメチルシクロヘキサン／全メチルシクロヘキサン供給量；選択性＝トルエンを生成したメチルシクロヘキサン／反応したメチルシクロヘキサンである。
（実施例５）
実施例１と同様の方法において、塩化白金酸及び硝酸ニッケルを水に入れ、２０ｍＬの含浸液を調製した。撹拌しながら含浸液を１９．７ｇの担体１にゆっくり添加し、含浸液を酸化物複合担体上に均一に担持させた。含浸温度は２５℃であり、含浸後の固体は、１２０℃の窒素ガスを用いたパージにより３時間乾燥させた。その後、空気雰囲気において焼成した。焼成温度は６００℃であり、焼成時の気体対担体比（空気／固体の体積比）は６００：１であり、焼成時間は４時間であり、最終的に触媒を得た。触媒の組成を表２に示した。
実施例１と同様の方法において、塩化白金酸及び硝酸ニッケルを水に入れ、２０ｍＬの含浸液を調製した。撹拌しながら含浸液を１９．７ｇの担体１にゆっくり添加し、含浸液を酸化物複合担体上に均一に担持させた。含浸温度は２５℃であり、含浸後の固体は、１２０℃の窒素ガスを用いたパージにより３時間乾燥させた。その後、空気雰囲気において焼成した。焼成温度は６００℃であり、焼成時の気体対担体比（空気／固体の体積比）は６００：１であり、焼成時間は４時間であり、最終的に触媒を得た。触媒の組成を表２に示した。
メチルシクロヘキサンの脱水素反応を固定床反応器内で行い、上記で調製した触媒を評価した。脱水素反応は固定床マイクロリアクターにおいて行った。評価時の条件は、反応温度が３５０℃であり、反応圧力（反応器の入口における圧力）が１ＭＰａであり、追加水素ガスの流量が１５０ｍＬ／ｍｉｎＨ２であり、メチルシクロヘキサン供給量が２．５ｍＬ／ｍｉｎであり、触媒装填量が２０ｇであった。触媒の評価結果を表２に示した。なお、転化率＝反応したメチルシクロヘキサン／全メチルシクロヘキサン供給量；選択性＝トルエンを生成したメチルシクロヘキサン／反応したメチルシクロヘキサンである。
（実施例１０）
硝酸ニッケル及び塩化スズを水に入れ、２０ｍＬの含浸液を調製した。撹拌しながら、含浸液を１７．８ｇの担体１にゆっくり添加し、含浸液を酸化物複合担体上に均一に担持させた。含浸温度は２５℃であり、含浸後の固体は、１２０℃の窒素パージの下で３時間乾燥させた。その後、空気雰囲気において、焼成した。焼成温度は６００℃であり、焼成時の気体対担体比（空気／固体の体積比）は６００：１であり、焼成時間が４時間であり、最終的に触媒を得た。触媒の組成を表２に示した。
硝酸ニッケル及び塩化スズを水に入れ、２０ｍＬの含浸液を調製した。撹拌しながら、含浸液を１７．８ｇの担体１にゆっくり添加し、含浸液を酸化物複合担体上に均一に担持させた。含浸温度は２５℃であり、含浸後の固体は、１２０℃の窒素パージの下で３時間乾燥させた。その後、空気雰囲気において、焼成した。焼成温度は６００℃であり、焼成時の気体対担体比（空気／固体の体積比）は６００：１であり、焼成時間が４時間であり、最終的に触媒を得た。触媒の組成を表２に示した。
メチルシクロヘキサンの脱水素反応を固定床反応器内で行い、上記で調製した触媒を評価した。脱水素反応は、固定床マイクロリアクターにおいて行った。評価時の条件は、反応温度が４００℃、反応圧力（反応器の入口における圧力）が１ＭＰａ、追加水素ガスの流量が１５０ｍＬ／ｍｉｎＨ２、メチルシクロヘキサン供給量が１．０ｍＬ／ｍｉｎ、触媒装填量が２０ｇであった。触媒の評価結果を表２に示した。なお、転化率＝反応したメチルシクロヘキサン／全メチルシクロヘキサン供給量；選択性＝トルエンを生成したメチルシクロヘキサン／反応したメチルシクロヘキサンである。
（実施例２、４、７～９、及び１２～３９、並びに比較例１～１７）
実施例１、５、又は１０に準じ、含浸法を用いて触媒を調製した。触媒の配合を表２に示した。担体は、乾燥ベース（８００℃で１時間焼成）で算定され、白金（Ｐｔ）は単体の乾燥ベースで算定され、パラジウム（Ｐｄ）は単体の乾燥ベースで算定され、イリジウム（Ｉｒ）は単体の乾燥ベースで算定され、レニウム（Ｒｅ）は単体の乾燥ベースで算定され、ニッケル（Ｎｉ）はＮｉＯとして算定され、スズ（Ｓｎ）はＳｎＯ２として算定され、亜鉛（Ｚｎ）はＺｎＯとして算定され、銅（Ｃｕ）はＣｕＯとして算定され、鉄（Ｆｅ）はＦｅ２Ｏ３として算定され、銀（Ａｇ）はＡｇＯとして算定され、リン（Ｐ）はＰ２Ｏ５として算定され、マンガン（Ｍｎ）はＭｎＯ２として算定された。
実施例１、５、又は１０に準じ、含浸法を用いて触媒を調製した。触媒の配合を表２に示した。担体は、乾燥ベース（８００℃で１時間焼成）で算定され、白金（Ｐｔ）は単体の乾燥ベースで算定され、パラジウム（Ｐｄ）は単体の乾燥ベースで算定され、イリジウム（Ｉｒ）は単体の乾燥ベースで算定され、レニウム（Ｒｅ）は単体の乾燥ベースで算定され、ニッケル（Ｎｉ）はＮｉＯとして算定され、スズ（Ｓｎ）はＳｎＯ２として算定され、亜鉛（Ｚｎ）はＺｎＯとして算定され、銅（Ｃｕ）はＣｕＯとして算定され、鉄（Ｆｅ）はＦｅ２Ｏ３として算定され、銀（Ａｇ）はＡｇＯとして算定され、リン（Ｐ）はＰ２Ｏ５として算定され、マンガン（Ｍｎ）はＭｎＯ２として算定された。
実施例１、５、又は１０の評価方法に準じ、調製した触媒について評価した。評価時の条件は、反応圧力（反応器の入口における圧力）が１ＭＰａであり、触媒装填量が２０ｇであった。また、反応温度、追加水素ガスの流量、及びメチルシクロヘキサン供給量を表２に示した。
（実施例３、６、及び１１）
含浸後の固体を－４５℃にて１０時間冷凍し、続いて－５℃にて、０．１ａｔｍ（絶対圧）の真空条件下で乾燥し、その後、焼成を行ったこと以外は、実施例２、５、及び１０の手法に準じ、実施例３、６、及び１１の触媒を調製した。
含浸後の固体を－４５℃にて１０時間冷凍し、続いて－５℃にて、０．１ａｔｍ（絶対圧）の真空条件下で乾燥し、その後、焼成を行ったこと以外は、実施例２、５、及び１０の手法に準じ、実施例３、６、及び１１の触媒を調製した。
実施例１の評価方法に準じ、調製した触媒について評価した。評価時の条件は、反応圧力（反応器の入口における圧力）が１ＭＰａであり、触媒装填量が２０ｇであった。また、反応温度、追加水素ガスの流量、及びメチルシクロヘキサン供給量を表２に示した。
本発明によって提供される脱水素触媒は、従来の方法で調製される脱水素触媒に比べ、より高い転化活性を有し得る。同様の反応条件下において、当該脱水素触媒は、より高い水素ガス生成速度を有する。冷凍、及び真空乾燥方法を使用すると、触媒の活性及び選択性が向上し、水素ガスの生成速度が向上する。
＜水素吸蔵性合金の調製及び評価＞
（水素吸蔵性合金実施例１～１３及びＣ１～Ｃ４）
合金の配合に準じて、金属を合計約１０００ｇ秤量し、誘導加熱型真空溶融炉の水冷るつぼ内に設置し、真空下で溶融させて合金を得た。調製条件は、以下を含む：１×１０－４Ｐａの背景真空度の下で、表３に示す溶融の温度及び時間にて溶融を行った；１×１０－４Ｐａの背景真空度の下で、１０℃／ｍｉｎの速度にてアニール温度まで降温し、表３に示すアニールの温度、時間にてアニールした；１×１０－４Ｐａの背景真空度の下で室温まで自然冷却した；得られた合金を粉砕し、篩にかけ、７０～２００メッシュの金属粉末を得た；粉末を水素貯蔵タンクに入れ、水素貯蔵タンクを、０．１Ｐａの真空下で３００℃まで加熱して、４時間保温して合金粉末を活性化し、水素吸蔵性合金１～１３及びＣ１～Ｃ４を得た。
（水素吸蔵性合金実施例１～１３及びＣ１～Ｃ４）
合金の配合に準じて、金属を合計約１０００ｇ秤量し、誘導加熱型真空溶融炉の水冷るつぼ内に設置し、真空下で溶融させて合金を得た。調製条件は、以下を含む：１×１０－４Ｐａの背景真空度の下で、表３に示す溶融の温度及び時間にて溶融を行った；１×１０－４Ｐａの背景真空度の下で、１０℃／ｍｉｎの速度にてアニール温度まで降温し、表３に示すアニールの温度、時間にてアニールした；１×１０－４Ｐａの背景真空度の下で室温まで自然冷却した；得られた合金を粉砕し、篩にかけ、７０～２００メッシュの金属粉末を得た；粉末を水素貯蔵タンクに入れ、水素貯蔵タンクを、０．１Ｐａの真空下で３００℃まで加熱して、４時間保温して合金粉末を活性化し、水素吸蔵性合金１～１３及びＣ１～Ｃ４を得た。
１ｋｇの水素吸蔵性合金を水素貯蔵タンクに入れ、２０℃の有機物含有水素ガス（メタン含量が０．０１体積％）を、モデル化合物として水素貯蔵タンク中に導入した。水素含有合金を形成するために、水素ガスを水素吸蔵性合金と反応させた。水素吸蔵性合金の水素吸蔵量が、理論上の容量の７５％に達したとき、有機物含有水素ガスの導入を停止するとともに、純度９５％の水素ガスを用いて２０分間パージした。続いて、水素貯蔵タンクを加熱し、５０ＭＰａ下で、水素吸蔵性合金を維持し、継続的な水素放出を行った。なお、水素ガスの純度は、ガスクロマトグラフィーにより分析した。水素ガスの純度、累計水素吸蔵量、及び水素吸蔵量の減衰率を表３に示した。当該累計水素吸蔵量とは、３０回分の水素吸着量の合計をいう。上述した水素吸着及び水素放出を３０回繰り返した後、水素吸蔵量の減衰率を測定した。
減衰率＝（１回目の水素吸着放出における水素吸蔵量－３０回目の水素吸着放出における水素吸蔵量）／１回目の水素吸着放出における水素吸蔵量×１００％
減衰率＝（１回目の水素吸着放出における水素吸蔵量－３０回目の水素吸着放出における水素吸蔵量）／１回目の水素吸着放出における水素吸蔵量×１００％
（水素吸蔵性合金実施例１４～２６及びＣ５～Ｃ１０）
合金の配合に準じて、金属を合計約１０００ｇ秤量し、誘導加熱型真空溶融炉の水冷るつぼ内に設置し、真空下で溶融させて合金を得た。調製条件は、以下を含む：１×１０－４Ｐａの背景真空度の下で、表３に示す溶融の温度及び時間にて溶融を行った；１×１０－４Ｐａの背景真空度の下で、１０℃／ｍｉｎの速度にてアニール温度まで降温し、表３に示すアニールの温度、時間にてアニールした；１×１０－４Ｐａの背景真空度の下で室温まで自然冷却した；得られた合金を粉砕し、篩にかけ、７０～２００メッシュの金属粉末を得た；粉末を水素貯蔵タンクに入れ、水素貯蔵タンクを０．１Ｐａの真空下で３００℃まで加熱して、４時間保温することによって合金粉末を活性化し、水素吸蔵性合金１４～２６及びＣ５～Ｃ１０を得た。
合金の配合に準じて、金属を合計約１０００ｇ秤量し、誘導加熱型真空溶融炉の水冷るつぼ内に設置し、真空下で溶融させて合金を得た。調製条件は、以下を含む：１×１０－４Ｐａの背景真空度の下で、表３に示す溶融の温度及び時間にて溶融を行った；１×１０－４Ｐａの背景真空度の下で、１０℃／ｍｉｎの速度にてアニール温度まで降温し、表３に示すアニールの温度、時間にてアニールした；１×１０－４Ｐａの背景真空度の下で室温まで自然冷却した；得られた合金を粉砕し、篩にかけ、７０～２００メッシュの金属粉末を得た；粉末を水素貯蔵タンクに入れ、水素貯蔵タンクを０．１Ｐａの真空下で３００℃まで加熱して、４時間保温することによって合金粉末を活性化し、水素吸蔵性合金１４～２６及びＣ５～Ｃ１０を得た。
１ｋｇの水素吸蔵性合金を水素貯蔵タンクに入れ、１０℃の有機物含有水素ガス（メタン含量が０．０５体積％）をモデル化合物として水素貯蔵タンク中に導入した。水素含有合金を形成するために、水素ガスを水素吸蔵性合金と反応させた。水素吸蔵性合金の水素吸蔵量が、理論上の容量の７５％に達したとき、有機物含有水素ガスの導入を停止するとともに、純度９８％以上の水素ガスを用いて２０分間パージした。続いて、水素貯蔵タンクを加熱し、３５ＭＰａ下で水素吸蔵性合金を維持し、継続的な水素放出を行った。なお、水素ガスの純度は、ガスクロマトグラフィーにより分析した。なお、水素ガスの純度、累計水素吸蔵量、及び水素吸蔵量の減衰率を表３に示した。当該累計水素吸蔵量とは、１０回分の水素吸着量の合計をいう。上述した水素吸着及び水素放出を１０回繰り返した後、水素吸蔵量の減衰率を測定した。
減衰率＝（１回目の水素吸着放出における水素吸蔵量－１０回目の水素吸着放出における水素吸蔵量）／１回目の水素吸着放出における水素吸蔵量×１００％
減衰率＝（１回目の水素吸着放出における水素吸蔵量－１０回目の水素吸着放出における水素吸蔵量）／１回目の水素吸着放出における水素吸蔵量×１００％
（水素吸蔵性合金実施例２７～４０及びＣ１１～Ｃ１４）
合金の配合に準じて、金属を合計約１０００ｇ秤量し、誘導加熱型真空溶融炉の水冷るつぼ内に設置し、真空下で溶融させて合金を得た。調製条件は、以下を含む：１×１０－４Ｐａの背景真空度の下で、表３に示す溶融の温度及び時間にて溶融を行った；１×１０－４Ｐａの背景真空度の下で、１０℃／ｍｉｎの速度にてアニール温度まで降温し、表３に示すアニールの温度、及び時間にてアニールした；１×１０－４Ｐａの背景真空度の下で室温まで自然冷却した；得られた合金を粉砕し、篩にかけ、７０～２００メッシュの金属粉末を得た；粉末を水素貯蔵タンクに入れ、水素貯蔵タンクを０．１Ｐａの真空下で３００℃まで加熱して、４時間保温することによって合金粉末を活性化し、水素吸蔵性合金２７～４０及びＣ１１～Ｃ１４を得た。
合金の配合に準じて、金属を合計約１０００ｇ秤量し、誘導加熱型真空溶融炉の水冷るつぼ内に設置し、真空下で溶融させて合金を得た。調製条件は、以下を含む：１×１０－４Ｐａの背景真空度の下で、表３に示す溶融の温度及び時間にて溶融を行った；１×１０－４Ｐａの背景真空度の下で、１０℃／ｍｉｎの速度にてアニール温度まで降温し、表３に示すアニールの温度、及び時間にてアニールした；１×１０－４Ｐａの背景真空度の下で室温まで自然冷却した；得られた合金を粉砕し、篩にかけ、７０～２００メッシュの金属粉末を得た；粉末を水素貯蔵タンクに入れ、水素貯蔵タンクを０．１Ｐａの真空下で３００℃まで加熱して、４時間保温することによって合金粉末を活性化し、水素吸蔵性合金２７～４０及びＣ１１～Ｃ１４を得た。
１ｋｇの水素吸蔵性合金を水素貯蔵タンクに入れ、２０℃の有機物含有水素ガス（メタン含量が０．１体積％）をモデル化合物として、５ＭＰａの圧力にて水素貯蔵タンク中に導入した。水素含有合金を形成するために、水素ガスを水素吸蔵性合金と反応させた。水素吸蔵性合金の水素吸蔵量が、理論上の容量の７５％に達したとき、有機物含有水素ガスの導入を停止するとともに、純度９５％の水素ガスを用いて２０分間パージした。続いて、水素貯蔵タンクを加熱し、２０ＭＰａ下で水素吸蔵性合金を維持し、継続的な水素放出を行った。なお、水素ガスの純度は、ガスクロマトグラフィーにより分析した。水素ガスの純度、累計水素吸蔵量、及び水素吸蔵量の減衰率を表３に示した。当該累計水素吸蔵量とは、１０回分の水素吸着量の合計をいう。上述した水素吸着及び水素放出を１０回繰り返した後、水素吸蔵量の減衰率を測定した。
減衰率＝（１回目の水素吸着放出における水素吸蔵量－１０回目の水素吸着放出における水素吸蔵量）／１回目の水素吸着放出における水素吸蔵量×１００％
減衰率＝（１回目の水素吸着放出における水素吸蔵量－１０回目の水素吸着放出における水素吸蔵量）／１回目の水素吸着放出における水素吸蔵量×１００％
（水素吸蔵性合金実施例４１～５６及びＣ１５～Ｃ１９）
合金の配合に準じて、金属を合計約１０００ｇ秤量し、アーク溶融炉の水冷るつぼ内に設置し、アルゴン雰囲気下で溶融させて合金を得た。具体的な調製は、以下を含む：高純度のＡｒ雰囲気（純度９９．９９９％）下、表３に示す溶融の温度、圧力及び時間にて、溶融を行った；１×１０－４Ｐａの背景真空度の下で、１０℃／ｍｉｎの速度にて、６５０℃のアニール温度まで降温し、アニール温度下で４８時間アニールした；真空下で室温まで自然冷却した；得られた合金を粉砕し、篩にかけ、７０～２００メッシュの金属粉末を得た；粉末を水素貯蔵タンクに入れ、水素貯蔵タンクを０．１Ｐａの真空下で３００℃まで加熱し、４時間保温することによって合金粉末を活性化し、水素吸蔵性合金４１～５６及びＣ１５～Ｃ１９を得た。
合金の配合に準じて、金属を合計約１０００ｇ秤量し、アーク溶融炉の水冷るつぼ内に設置し、アルゴン雰囲気下で溶融させて合金を得た。具体的な調製は、以下を含む：高純度のＡｒ雰囲気（純度９９．９９９％）下、表３に示す溶融の温度、圧力及び時間にて、溶融を行った；１×１０－４Ｐａの背景真空度の下で、１０℃／ｍｉｎの速度にて、６５０℃のアニール温度まで降温し、アニール温度下で４８時間アニールした；真空下で室温まで自然冷却した；得られた合金を粉砕し、篩にかけ、７０～２００メッシュの金属粉末を得た；粉末を水素貯蔵タンクに入れ、水素貯蔵タンクを０．１Ｐａの真空下で３００℃まで加熱し、４時間保温することによって合金粉末を活性化し、水素吸蔵性合金４１～５６及びＣ１５～Ｃ１９を得た。
１ｋｇの水素吸蔵性合金を水素貯蔵タンクに入れ、２０℃の有機物含有水素ガス（メタン含量が０．１体積％）をモデル化合物として、２ＭＰａの圧力にて、水素貯蔵タンク中に導入した。水素含有合金を形成するために、水素ガスを水素吸蔵性合金と反応させ、水素吸蔵性合金の水素吸蔵量が、理論上の容量の７５％に達したとき、有機物含有水素ガスの導入を停止し、真空ポンプを用いて、８０℃下で５分間減圧した。続いて、水素貯蔵タンクを加熱し、０．１ＭＰａ下で、水素吸蔵性合金を維持し、継続的な水素放出を行った。なお、水素ガスの純度は、ガスクロマトグラフィーにより分析した。水素ガスの純度、累計水素吸蔵量、及び水素吸蔵量の減衰率を表３に示した。当該累計水素吸蔵量とは、１０回分の水素吸着量の合計をいう。上述した水素吸着及び水素放出を１０回繰り返した後、水素吸蔵量の減衰率を測定した。
減衰率＝（１回目の水素吸着放出における水素吸蔵量－１０回目の水素吸着放出における水素吸蔵量）／１回目の水素吸着放出における水素吸蔵量×１００％
減衰率＝（１回目の水素吸着放出における水素吸蔵量－１０回目の水素吸着放出における水素吸蔵量）／１回目の水素吸着放出における水素吸蔵量×１００％
（水素吸蔵性合金実施例５７～６７及びＣ２０～Ｃ２４）
合金の配合に準じて、金属を合計約１０００ｇ秤量し、アーク溶融炉の水冷るつぼ内に設置し、アルゴン雰囲気下で溶融させて合金を得た。具体的な調製は、以下を含む：高純度のＡｒ雰囲気（純度９９．９９９％）下で、表３に示す溶融の温度、圧力、及び時間にて、溶融を行った；合金をＡｒ雰囲気下で室温まで自然冷却した後、真空アニール炉内に移し、１×１０－４Ｐａのバックグランド圧力、表３に示すアニールの温度、及び時間にて真空アニールを行い、室温まで自然冷却した；得られた合金を粉砕し、篩にかけて、７０～２００メッシュの金属粉末を得た；粉末を水素貯蔵タンクに入れ、水素貯蔵タンクを０．１Ｐａの真空下で、５０～３００℃まで加熱して、１～１０時間保温することによって合金粉末を活性化（活性化における具体的な温度及び時間を表３に示した）し、水素吸蔵性合金５７～６７及びＣ２０～Ｃ２４を得た。
合金の配合に準じて、金属を合計約１０００ｇ秤量し、アーク溶融炉の水冷るつぼ内に設置し、アルゴン雰囲気下で溶融させて合金を得た。具体的な調製は、以下を含む：高純度のＡｒ雰囲気（純度９９．９９９％）下で、表３に示す溶融の温度、圧力、及び時間にて、溶融を行った；合金をＡｒ雰囲気下で室温まで自然冷却した後、真空アニール炉内に移し、１×１０－４Ｐａのバックグランド圧力、表３に示すアニールの温度、及び時間にて真空アニールを行い、室温まで自然冷却した；得られた合金を粉砕し、篩にかけて、７０～２００メッシュの金属粉末を得た；粉末を水素貯蔵タンクに入れ、水素貯蔵タンクを０．１Ｐａの真空下で、５０～３００℃まで加熱して、１～１０時間保温することによって合金粉末を活性化（活性化における具体的な温度及び時間を表３に示した）し、水素吸蔵性合金５７～６７及びＣ２０～Ｃ２４を得た。
１ｋｇの水素吸蔵性合金を水素貯蔵タンクに入れ、２０℃の有機物含有水素ガス（メタン含量が０．１体積％）を、モデル化合物として２ＭＰａの圧力にて水素貯蔵タンク中に導入した。水素含有合金を形成するために、水素ガスを水素吸蔵性合金と反応させ、水素吸蔵性合金の水素吸蔵量が、理論上の容量の７５％に達したとき、有機物含有水素ガスの導入を停止するとともに、純度９５％の水素ガスを用いて２０分間パージした。続いて、水素貯蔵タンクを加熱し、１０ＭＰａ下で水素吸蔵性合金を維持し、継続的な水素放出を行った。なお、水素ガスの純度はガスクロマトグラフィーにより分析した。水素ガス純度を表３に示した。上述した水素吸着及び水素放出を１０回繰り返した後、累計水素吸蔵量及び水素吸蔵量の減衰率を測定した。測定結果を表３に示した。
減衰率＝（１回目の水素吸着放出における水素吸蔵量－１０回目の水素吸着放出における水素吸蔵量）／１回目の水素吸着放出における水素吸蔵量×１００％
なお、当該水素吸蔵累計量とは、１０回分の水素吸着量の合計を言う。
減衰率＝（１回目の水素吸着放出における水素吸蔵量－１０回目の水素吸着放出における水素吸蔵量）／１回目の水素吸着放出における水素吸蔵量×１００％
なお、当該水素吸蔵累計量とは、１０回分の水素吸着量の合計を言う。
本発明で提供される水素吸蔵性合金は、有機物による汚染に対して良好な耐性を有し、水素ガスに有機物が含まれる場合においても、好適な水素吸着効率を示し、且つより高い水素吸蔵量を有するため、高圧高純度の水素ガスを得ることができる。
ＡＢ５型水素吸蔵性合金実施例６８：
ＭｍＮｉ３．５５Ｃｏ０．７５Ｍｎ０．４Ａｌ０．３、ここで、Ｍｍ＝Ｌａ０．６１Ｃｅ０．１６Ｐｒ０．０４Ｎｄ０．１９
合金の配合に応じて金属を合計約１００ｇ秤量し、アーク溶融炉の水冷るつぼ内に設置し、アルゴン雰囲気下で溶融させて合金を得た。調製条件は、以下を含む：高純度のＡｒ雰囲気（純度９９．９９９％）下で、０．９～１．０ａｔｍの圧力、８０～２００Ａの電流、４０Ｖの電圧、１０～６０分間の溶融時間にて溶融させた後、Ａｒ雰囲気下で室温まで自然冷却した；合金を高真空度のアニール炉に移し、１×１０－４Ｐａのバックグランド圧力、８００～９５０℃のアニール温度、２４～１６８ｈのアニール時間にて真空アニールを行い、室温まで自然冷却した；得られた合金を粉砕し、篩にかけて、７０～２００メッシュの金属粉末を得た；粉末を水素貯蔵タンクに入れ、水素貯蔵タンクを０．１Ｐａの真空下で２００～４００℃まで加熱して、１～４時間保温することによって合金粉末を活性化した。
ＭｍＮｉ３．５５Ｃｏ０．７５Ｍｎ０．４Ａｌ０．３、ここで、Ｍｍ＝Ｌａ０．６１Ｃｅ０．１６Ｐｒ０．０４Ｎｄ０．１９
合金の配合に応じて金属を合計約１００ｇ秤量し、アーク溶融炉の水冷るつぼ内に設置し、アルゴン雰囲気下で溶融させて合金を得た。調製条件は、以下を含む：高純度のＡｒ雰囲気（純度９９．９９９％）下で、０．９～１．０ａｔｍの圧力、８０～２００Ａの電流、４０Ｖの電圧、１０～６０分間の溶融時間にて溶融させた後、Ａｒ雰囲気下で室温まで自然冷却した；合金を高真空度のアニール炉に移し、１×１０－４Ｐａのバックグランド圧力、８００～９５０℃のアニール温度、２４～１６８ｈのアニール時間にて真空アニールを行い、室温まで自然冷却した；得られた合金を粉砕し、篩にかけて、７０～２００メッシュの金属粉末を得た；粉末を水素貯蔵タンクに入れ、水素貯蔵タンクを０．１Ｐａの真空下で２００～４００℃まで加熱して、１～４時間保温することによって合金粉末を活性化した。
以下の試験方法を使用して、実施例１の触媒及び実施例６８のＡＢ５型水素吸蔵性合金に関する、液状有機水素吸蔵原料の脱水素反応の効果、並びに、精製及び加圧による分離効果を説明する。
原料油としてメチルシクロヘキサンを用い、メチルシクロヘキサンの脱水素反応を固定床マイクロリアクターにおいて評価した。評価時の条件として、反応温度が３５０℃であり、圧力が１ＭＰａであり、追加水素ガスの流量が１５０ｍＬ／ｍｉｎＨ２（標準状態）であり、メチルシクロヘキサン供給量が２ｍＬ／ｍｉｎであり、触媒装填量が２０ｇであった。具体的なパラメータ及び結果は以下に示す。
脱水素反応生成物を冷却した後、２０℃の塩水中に置かれた分離タンク内において、冷却温度を２０℃に制御しながら、分離を行った。液体生成物を回収するとともに、気体生成物を水素ガス吸收のために水素吸蔵性合金貯蔵タンクに導入した。水素吸蔵性合金の吸着量が設定値に達すると、純度９９％の水素ガスを用いて、水素吸着温度下で水素吸蔵性合金の貯蔵タンクを３０分間パージした。その後、水素吸蔵性合金を加熱して水素ガスを放出させた。
ここで、転化率＝反応したメチルシクロヘキサン／全メチルシクロヘキサン供給量である。
反応生成物は、開始後１０分の時点の生成物をクロマトグラフィーで分析し、その組成のデータから転化率を算出した。
反応生成物は、開始後１０分の時点の生成物をクロマトグラフィーで分析し、その組成のデータから転化率を算出した。
脱水素反応の温度：３５０℃；
脱水素反応の圧力：１ＭＰａ；
有機液体の脱水素転化率：９８．５０％；
水素吸着温度：２０℃；
水素吸着における水素分圧：０．２ＭＰａ；
水素放出温度：２００℃；
水素放出における水素分圧：３５ＭＰａ；
水素ガス純度：９９．９９％；
水素吸蔵量（２００ｍｌ）：１４．１ｇ。
脱水素反応の圧力：１ＭＰａ；
有機液体の脱水素転化率：９８．５０％；
水素吸着温度：２０℃；
水素吸着における水素分圧：０．２ＭＰａ；
水素放出温度：２００℃；
水素放出における水素分圧：３５ＭＰａ；
水素ガス純度：９９．９９％；
水素吸蔵量（２００ｍｌ）：１４．１ｇ。
Claims (16)
- 液状有機水素吸蔵原料を脱水素触媒と接触させて反応させ、水素ガスを含有する脱水素反応生成物を得る工程（１）と、
前記脱水素反応生成物を冷却して液体生成物及び水素リッチな気体生成物を得、前記液体生成物を回収する工程（２）と、
前記水素リッチな気体を水素吸蔵性合金と接触させて水素含有合金を得、吸着されていない気体を回収する工程（３）と、
任意的に、前記水素含有合金の格納容器内の有機物を除去する工程（３ａ）と、
前記水素含有合金を加熱して水素ガスを放出させる工程（４）と、を含む、高純度水素ガスの供給方法であって、
前記水素吸蔵性合金は、希土類系ＡＢ５型、ジルコニウムチタン系ＡＢ２型、チタン系ＡＢ型、マグネシウム系Ａ２Ｂ型及びバナジウム系固溶体型の水素吸蔵性合金のうち１つ又は複数であり、
前記希土類系ＡＢ５型水素吸蔵性合金を示す分子式は、ＭｍＮｉｘ１Ｃｏｘ２Ｍｎｘ３Ｆｅｘ４Ａｌｘ５Ｓｎｘ６
（４．５≦ｘ１＋ｘ２＋ｘ３＋ｘ４＋ｘ５＋ｘ６≦５．５；
ＭｍはＬａｙ１Ｃｅｙ２Ｎｄｙ３Ｐｒｙ４Ｙｙ５であり；ｙ１＋ｙ２＋ｙ３＋ｙ４＋ｙ５＝１；
０．４≦ｙ１≦０．９９（例えば０．４≦ｙ１≦０．８）、０≦ｙ２≦０．４５（例えば０．１≦ｙ２≦０．４５）、０≦ｙ３≦０．２（例えば０≦ｙ３≦０．２）、０≦ｙ４≦０．０５（例えば０≦ｙ４≦０．０５）、０．０１≦ｙ５≦０．１（例えば０．０１≦ｙ５≦０．０５）、３≦ｘ１≦５．４５（例えば、３≦ｘ１≦４．９）、０≦ｘ２≦１．５（例えば０．１≦ｘ２≦１）、０≦ｘ３≦０．８（例えば０．１≦ｘ３≦０．６）、０≦ｘ４≦０．８（例えば０．１≦ｘ４≦０．６）、０≦ｘ５≦０．７５（例えば０．０５≦ｘ５≦０．５）、０≦ｘ６≦０．２（例えば０≦ｘ６≦０．１５））であり、
前記ジルコニウムチタン系ＡＢ２型水素吸蔵性合金を示す分子式は、ＡＢ２
（Ａ＝Ｍｇｘ１Ｃａｘ２Ｔｉｘ３Ｚｒｘ４Ｙｘ５Ｌａｘ６；ｘ１＋ｘ２＋ｘ３＋ｘ４＋ｘ５＋ｘ６＝０．９～１．１；
Ｂ＝Ｖｙ１Ｃｒｙ２Ｍｎｙ３Ｆｅｙ４Ｃｏｙ５Ｎｉｙ６Ｃｕｙ７；ｙ１＋ｙ２＋ｙ３＋ｙ４＋ｙ５＋ｙ６＋ｙ７＝１．９～２．１；
０≦ｘ１≦０．５４（例えば０．０１≦ｘ１≦０．３、０．０１≦ｘ１≦０．１）、０≦ｘ２≦０．５４（例えば０≦ｘ２≦０．２５）、０．５≦ｘ３≦１．０４（例えば０．６≦ｘ３≦１）、０．０５≦ｘ４≦０．５８（例えば０．１≦ｘ４≦０．５８）、０．０１≦ｘ５≦０．２（例えば０．０１≦ｘ５≦０．０５）、０≦ｘ６≦０．２（例えば０≦ｘ６≦０．０５）、０．０５≦ｙ１≦１．９５（例えば０．０５≦ｙ１≦１．８）、０≦ｙ２≦１．９（例えば０≦ｙ２≦１．８５）、０．０５≦ｙ３≦１．９５（例えば０．１≦ｙ３≦１．９５）、０≦ｙ４≦１．６（例えば０≦ｙ４≦１．５）、０≦ｙ５≦０．５（例えば０≦ｙ５≦０．３）、０．１≦ｙ６≦０．５（例えば０．１≦ｙ６≦０．３）、０≦ｙ７≦０．５（例えば０．１≦ｙ７≦０．２）；
好ましくは、０．７≦ｘ３：（ｘ３＋ｘ４）≦０．９５；
好ましくは、１．７≦ｙ１＋ｙ２＋ｙ３＋ｙ４≦２）であり、
前記チタン系ＡＢ型水素吸蔵性合金を示す分子式は、ＡＢ
（Ａ＝Ｔｉｘ１Ｚｒｘ２Ｙｘ３Ｌａｘ４；ｘ１＋ｘ２＋ｘ３＋ｘ４＝０．８５～１．１；
Ｂ＝Ｖｙ１Ｃｒｙ２Ｍｎｙ３Ｆｅｙ４Ｃｏｙ５Ｎｉｙ６Ｃｕｙ７；ｙ１＋ｙ２＋ｙ３＋ｙ４＋ｙ５＋ｙ６＋ｙ７＝０．９５～１．０５；
０≦ｘ１≦１．０９（例えば０．９≦ｘ１≦１．０５）、０≦ｘ２≦１．０９（例えば０≦ｘ２≦０．５）、０．０１≦ｘ３≦０．２（例えば０．０１≦ｘ３≦０．０５）、０≦ｘ４≦０．２（例えば０≦ｘ４≦０．０５）、０．０５≦ｙ１≦０．５（例えば０．０５≦ｙ１≦０．２）、０≦ｙ２≦０．８（例えば０≦ｙ２≦０．２）、０≦ｙ３≦０．８（例えば０．０５≦ｙ３≦０．４、又は０．１≦ｙ３≦０．４）、０．２≦ｙ４≦１（例えば０．５≦ｙ４≦０．９）、０≦ｙ５≦０．３５（例えば０≦ｙ５≦０．１）、０≦ｙ６≦０．４５（例えば０≦ｙ６≦０．２）、０≦ｙ７≦０．３（例えば０≦ｙ７≦０．２）；
ｘ１及びｘ２は、同時に０を取らないことが好ましい）であり、
前記マグネシウム系Ａ２Ｂ型水素吸蔵性合金を示す分子式は、Ａ２Ｂ
（Ａ＝Ｍｇｘ１Ｃａｘ２Ｔｉｘ３Ｌａｘ４Ｙｘ５；ｘ１＋ｘ２＋ｘ３＋ｘ４＋ｘ５＝１．９～２．１；
Ｂ＝Ｃｒｙ１Ｆｅｙ２Ｃｏｙ３Ｎｉｙ４Ｃｕｙ５Ｍｏｙ６；ｙ１＋ｙ２＋ｙ３＋ｙ４＋ｙ５＋ｙ６＝０．９～１．１；
１．２９≦ｘ１≦２．０９（例えば１．７≦ｘ１≦２．０５）、０≦ｘ２≦０．５（例えば０≦ｘ２≦０．２）、０≦ｘ３≦０．８（例えば０≦ｘ３≦０．５）、０≦ｘ４≦０．５（例えば０≦ｘ４≦０．２）、０．０１≦ｘ５≦０．２（例えば０．０５≦ｘ５≦０．１）、０≦ｙ１≦０．３（例えば０≦ｙ１≦０．２、０．０５≦ｙ１≦０．２）、０≦ｙ２≦０．２（例えば０≦ｙ２≦０．１）、０≦ｙ３≦０．６（例えば０≦ｙ３≦０．５）、０．２≦ｙ４≦１．１（例えば０．７≦ｙ４≦１．０５）、０≦ｙ５≦０．５（例えば０≦ｙ５≦０．４）、０≦ｙ６≦０．１５（例えば０≦ｙ６≦０．１））であり、
前記バナジウム系固溶体型水素吸蔵性合金を示す分子式は、Ａｘ１Ｂｘ２
（ｘ１＋ｘ２＝１；
Ａ＝Ｔｉｙ１Ｖｙ２Ｚｒｙ３Ｎｂｙ４Ｙｙ５Ｌａｙ６Ｃａｙ７；ｙ１＋ｙ２＋ｙ３＋ｙ４＋ｙ５＋ｙ６＋ｙ７＝１；
Ｂ＝Ｍｎｚ１Ｆｅｚ２Ｃｏｚ３Ｎｉｚ４；ｚ１＋ｚ２＋ｚ３＋ｚ４＝１；
０．７≦ｘ１≦０．９５（例えば０．８≦ｘ１≦０．９５、０．９≦ｘ１≦０．９５）、０．０５≦ｘ２≦０．３（例えば０．０５≦ｘ２≦０．２、０．０５≦ｘ２≦０．１）、０．４０≦ｙ１≦０．９（例えば０．４５≦ｙ１≦０．９、０．５≦ｙ１≦０．８）、０≦ｙ２≦０．５（例えば０≦ｙ２≦０．４）、０≦ｙ３≦０．５（例えば０≦ｙ３≦０．４）、０≦ｙ４≦０．５５（例えば０≦ｙ４≦０．４）、０≦ｙ５≦０．２（例えば０．０１≦ｙ５≦０．２、０．０５≦ｙ５≦０．２）、０≦ｙ６≦０．１（例えば０≦ｙ６≦０．０５）、０≦ｙ７≦０．１（例えば０≦ｙ７≦０．０５）、０≦ｚ１≦１（例えば０．１≦ｚ１≦１、０．２≦ｚ１≦０．９５）、０≦ｚ２≦０．９５（例えば０≦ｚ２≦０．９）、０≦ｚ３≦０．３（例えば０≦ｚ３≦０．２）、０≦ｚ４≦０．４５（例えば０．０５≦ｚ４≦０．４５、０．０５≦ｚ４≦０．３）、０．５５≦ｚ１＋ｚ２≦１（例えば０．７≦ｚ１＋ｚ２≦１））であり、
前記水素吸蔵性合金は、好ましくは、Ｌａ０．６１Ｃｅ０．１６Ｐｒ０．０４Ｎｄ０．１９ Ｎｉ３．５５Ｃｏ０．７５Ｍｎ０．４Ａｌ０．３、（Ｔｉ０．８Ｖ０．２）０．９５（Ｆｅ１）０．０５、（Ｔｉ０．８Ｙ０．２）０．９５（Ｍｎ０．９５Ｎｉ０．０５）０．０５、（Ｔｉ０．４Ｖ０．４Ｙ０．２）０．９（Ｆｅ０．０５Ｍｎ０．９５）０．１、（Ｔｉ０．４Ｖ０．４Ｙ０．２）０．９（Ｆｅ０．０５Ｍｎ０．９Ｎｉ０．０５）０．１、（Ｔｉ０．７Ｎｂ０．１Ｙ０．２）０．９（Ｍｎ１）０．１、（Ｔｉ０．７Ｎｂ０．１Ｙ０．２）０．９（Ｍｎ０．７Ｎｉ０．３）０．１、（Ｔｉ０．４Ｚｒ０．４Ｙ０．２）０．９３（Ｆｅ０．２Ｍｎ０．７Ｃｏ０．１）０．０７、（Ｔｉ０．４Ｚｒ０．４Ｙ０．２）０．９３（Ｆｅ０．２Ｍｎ０．７Ｎｉ０．１）０．０７、（Ｔｉ０．４Ｖ０．４Ｚｒ０．２）０．９５（Ｆｅ０．６Ｍｎ０．２Ｃｏ０．１Ｎｉ０．１）０．０５、（Ｔｉ０．４Ｖ０．３５Ｚｒ０．２Ｙ０．０５）０．９５（Ｆｅ０．６Ｍｎ０．２Ｃｏ０．１Ｎｉ０．１）０．０５、（Ｔｉ０．８８Ｙ０．１Ｃａ０．０２）０．９５（Ｆｅ０．３Ｍｎ０．６Ｃｏ０．１）０．０５、（Ｔｉ０．８８Ｙ０．１Ｃａ０．０２）０．９５（Ｆｅ０．３Ｍｎ０．６Ｎｉ０．１）０．０５、（Ｔｉ０．７Ｎｂ０．１Ｙ０．２）０．８（Ｍｎ０．７Ｎｉ０．３）０．２、Ｔｉ０．６４Ｚｒ０．４５Ｙ０．０１ＶＭｎ０．９Ｎｉ０．１、Ｍｇ０．０１Ｔｉ０．９３Ｚｒ０．１５Ｙ０．０１ＶＭｎ０．９Ｎｉ０．１、Ｔｉ０．５５Ｚｒ０．４８Ｙ０．０５Ｌａ０．０２Ｖ０．３３Ｃｒ０．０５Ｍｎ１．５Ｆｅ０．０９Ｎｉ０．１、Ｔｉ０．８５Ｚｒ０．１８Ｙ０．０５Ｌａ０．０２Ｖ０．２３Ｃｒ０．０５Ｍｎ１．５Ｆｅ０．０９Ｎｉ０．１Ｃｕ０．１、Ｔｉ０．６Ｚｒ０．４Ｙ０．０５Ｖ０．１Ｍｎ１．８Ｎｉ０．２、Ｍｇ０．１Ｔｉ０．７Ｚｒ０．２Ｙ０．０５Ｖ０．１Ｍｎ１．６Ｎｉ０．２Ｃｕ０．２、Ｃａ０．０１Ｔｉ０．９Ｚｒ０．０５Ｙ０．０５Ｖ１．２Ｍｎ０．６Ｎｉ０．３、Ｃａ０．０１Ｔｉ０．８５Ｚｒ０．０５Ｙ０．０５Ｖ１．２Ｍｎ０．６Ｎｉ０．１Ｃｕ０．２、ＴｉＺｒ０．０５Ｙ０．０５Ｖ０．１Ｃｒ１．４Ｍｎ０．２Ｃｏ０．１Ｎｉ０．３、Ｍｇ０．１Ｔｉ０．８Ｚｒ０．１５Ｙ０．０５Ｖ０．１Ｃｒ１．４Ｍｎ０．２Ｃｏ０．１Ｎｉ０．１Ｃｕ０．２、Ｔｉ０．５Ｚｒ０．５５Ｙ０．０５Ｖ１．７９Ｍｎ０．１Ｆｅ０．０１Ｎｉ０．２、Ｔｉ０．８Ｚｒ０．２５Ｙ０．０５Ｖ１．７９Ｍｎ０．１Ｆｅ０．０１Ｎｉ０．１Ｃｕ０．１、Ｍｇ０．０１Ｔｉ０．６３Ｚｒ０．４５Ｙ０．０１ＶＭｎ０．９Ｎｉ０．１、Ｍｇ１．８Ｙ０．１Ｎｉ１、Ｍｇ１．８Ｙ０．１Ｃｒ０．０５Ｎｉ１、Ｍｇ１．５Ｔｉ０．５Ｙ０．０５Ｎｉ１．１、Ｍｇ１．５Ｔｉ０．５Ｙ０．０５Ｃｒ０．１Ｎｉ１、Ｍｇ２Ｙ０．１Ｎｉ０．６Ｃｕ０．４、Ｍｇ２Ｙ０．１Ｃｒ０．０５Ｎｉ０．６Ｃｕ０．４、Ｍｇ１．９２Ｙ０．０８Ｎｉ０．９５Ｆｅ０．０５、Ｍｇ１．９２Ｙ０．０８Ｃｒ０．２Ｎｉ０．７５Ｆｅ０．０５、Ｍｇ１．９Ｙ０．１Ｆｅ０．１Ｎｉ０．８Ｃｕ０．１、Ｍｇ１．９Ｙ０．１Ｃｒ０．１Ｆｅ０．１Ｎｉ０．７Ｃｕ０．１、Ｍｇ１．９Ｙ０．１Ｎｉ０．８Ｃｏ０．２、Ｍｇ１．９Ｙ０．１Ｃｒ０．１Ｎｉ０．８Ｃｏ０．２、Ｍｇ１．８Ｙ０．１Ｌａ０．１Ｎｉ０．９Ｃｏ０．１、Ｍｇ１．８Ｙ０．１Ｌａ０．１Ｃｒ０．０５Ｎｉ０．９Ｃｏ０．１、Ｍｇ１．７Ｔｉ０．２Ｙ０．１Ｎｉ０．７Ｃｏ０．３２、Ｍｇ１．７Ｔｉ０．２Ｙ０．１Ｃｒ０．０５Ｎｉ０．７Ｃｏ０．３、ＴｉＹ０．０１Ｖ０．１Ｆｅ０．７Ｎｉ０．２、ＴｉＹ０．０１Ｖ０．１Ｆｅ０．７Ｍｎ０．１Ｎｉ０．１、ＴｉＹ０．０２Ｖ０．２Ｆｅ０．８、ＴｉＹ０．０２Ｖ０．２Ｆｅ０．７Ｍｎ０．１、Ｔｉ０．９７Ｙ０．０３Ｖ０．０５Ｃｒ０．０３Ｆｅ０．９、Ｔｉ０．９７Ｙ０．０３Ｖ０．０５Ｃｒ０．０３Ｆｅ０．５Ｍｎ０．４、Ｔｉ０．９Ｙ０．０４Ｖ０．１５Ｆｅ０．９、Ｔｉ０．９Ｙ０．０４Ｖ０．０５Ｆｅ０．９Ｍｎ０．１、Ｔｉ０．９１Ｚｒ０．０５Ｙ０．０４Ｖ０．１Ｃｒ０．２Ｆｅ０．７、Ｔｉ０．９１Ｚｒ０．０５Ｙ０．０４Ｖ０．１Ｃｒ０．２Ｆｅ０．６Ｍｎ０．１、Ｔｉ０．９５Ｙ０．０５Ｖ０．２６Ｆｅ０．７Ｃｕ０．０５、Ｔｉ０．９５Ｙ０．０５Ｖ０．０５Ｆｅ０．７Ｍｎ０．２１Ｃｕ０．０５、Ｔｉ１．０２Ｙ０．０３Ｖ０．０５Ｆｅ０．９Ｎｉ０．１、Ｔｉ１．０２Ｙ０．０３Ｖ０．０５Ｆｅ０．８Ｍｎ０．１Ｎｉ０．１、Ｌａ０．５Ｃｅ０．３２Ｎｄ０．１５Ｐｒ０．０２Ｙ０．０１Ｎｉ４．４Ｆｅ０．５５Ａｌ０．０５、Ｌａ０．５Ｃｅ０．３２Ｎｄ０．１５Ｐｒ０．０２Ｙ０．０１Ｎｉ４．４Ｆｅ０．６、Ｌａ０．８Ｃｅ０．１５Ｙ０．０５Ｎｉ４Ｍｎ０．５Ａｌ０．５、Ｌａ０．８Ｃｅ０．１５Ｙ０．０５Ｎｉ４．５Ｍｎ０．５、Ｌａ０．４５Ｃｅ０．４Ｎｄ０．１Ｐｒ０．０３Ｙ０．０２Ｎｉ４Ｃｏ０．８Ａｌ０．２、Ｌａ０．４５Ｃｅ０．４Ｎｄ０．１Ｐｒ０．０３Ｙ０．０２Ｎｉ４．２Ｃｏ０．８、Ｌａ０．７５Ｃｅ０．１５Ｎｄ０．０５Ｐｒ０．０２Ｙ０．０３Ｎｉ４．７Ａｌ０．１Ｆｅ０．２、Ｌａ０．７５Ｃｅ０．１５Ｎｄ０．０５Ｐｒ０．０２Ｙ０．０３Ｎｉ４．８Ｆｅ０．２、Ｌａ０．８Ｃｅ０．１５Ｎｄ０．０３Ｙ０．０２Ｎｉ４．５Ｃｏ０．３Ｍｎ０．１Ａｌ０．１、Ｌａ０．８Ｃｅ０．１５Ｎｄ０．０３Ｙ０．０２Ｎｉ４．５Ｃｏ０．４Ｍｎ０．１、Ｌａ０．９７Ｙ０．０３Ｎｉ４Ｃｏ１から選ばれる、
高純度水素ガスの供給方法。 - 工程（１）において、
前記液状有機水素吸蔵原料と前記脱水素触媒との接触反応における反応温度は１５０～４５０℃（例えば２００～４００℃、３００～３５０℃）であり、
前記液状有機水素吸蔵原料と前記脱水素触媒との接触反応における時間当たりの重量空間速度は０．５～５０時間－１（例えば、１～４５時間－１、２～３０時間－１）であり、
前記液状有機水素吸蔵原料と前記脱水素触媒との接触反応における圧力は、０．０３～５ＭＰａ（ゲージ圧）（例えば０．３～５ＭＰａ、０．１～３ＭＰａ、０．５～２ＭＰａ又は０．２～１．６ＭＰａ）であり、
任意的に、前記液状有機水素吸蔵原料と水素ガスとを混合したものを前記脱水素触媒と接触させる場合、水素対炭化水素比（前記液状有機水素吸蔵原料に対する水素ガスのモル比）は、０～１０（例えば０～８）であり；
工程（２）において、
前記脱水素反応生成物を冷却する冷却温度は、前記液体生成物中の有機物の沸点よりも低く、好ましくは当該液体生成物のうち、常温常圧下で液体となる最も沸点の低い有機物の沸点よりも低く；
工程（３）において、
前記水素リッチな気体は、水素リッチな気体生成物、又は、前記水素リッチな気体生成物に対する更なる分離により得られる水素ガス含有気体であり、前記更なる分離の方法は、温度スイング分離、膜分離、圧力スイング吸着分離、又はそれらの組み合わせを含み、
前記水素リッチな気体中の水素ガスの質量分率は≧８０％（例えば８０～９９％、好ましくは≧８５％、より好ましくは≧９０％）であり、
前記水素リッチな気体と前記水素吸蔵性合金との接触は、１つ又は複数の水素吸蔵性合金の格納容器内で行われ、
前記水素吸蔵性合金の数は１つ又は複数であり得、複数の水素吸蔵性合金は混合形態で用いられ得、直列形態、並列形態、又は直列と並列との複合形態で用いられ得、
前記水素リッチな気体と前記水素吸蔵性合金との接触における圧力は、０．００１～５ＭＰａ（例えば０．０１～５ＭＰａ、０．０３～４ＭＰａ、０．０５～５ＭＰａ、０．０８～２ＭＰａ、０．０５～３ＭＰａ、０．１～１ＭＰａ）であり、水素吸蔵性合金の格納容器が複数存在し且つ直列に接続された水素吸蔵容器が存在する場合、前記水素リッチな気体の流れ方向における最下流の前記水素吸蔵性合金と接触する接触圧力（水素吸着圧力とも言う）は０．０５～５ＭＰａ（例えば０．１～１ＭＰａ）であり、
前記水素リッチな気体と前記水素吸蔵性合金との接触における温度（水素吸着温度とも言う）は、－７０～１００℃（例えば、－５０～９０℃、－３０～８０℃）であり、
前記水素吸蔵性合金との接触時、前記水素リッチな気体の温度は、前記液状有機水素吸蔵原料の常圧下での沸点よりも低く；
工程（４）において、
前記水素吸蔵性合金から水素ガスを放出させる温度（即ち、前記水素吸蔵性合金が加熱される温度；水素放出温度と略称する）は１５０～４５０℃であり、放出される水素ガスの圧力は、高純度高圧水素ガスを得るために≧３５ＭＰａ（例えば３５～１００ＭＰａ）であるか、又は放出される水素ガスの分圧は、高純度水素ガスを得るために０．１～５ＭＰａであり、前記水素放出温度は前記水素吸着温度よりも高く；
前記液状有機水素吸蔵原料は、分子中に環を有し、ヘテロ原子を任意的に含み、前記ヘテロ原子が前記環上に存在し得る、有機化合物である、
上述した請求項のいずれか１項に記載の高純度水素ガスの供給方法。 - 工程（３）において、前記水素吸蔵性合金の格納容器の数は１つ又は複数であり、水素ガスとの接触順で最後に水素ガスと接触する前記水素吸蔵性合金の格納容器内の前記水素吸蔵性合金は高平衡圧を有する水素吸蔵性合金であり、高平衡圧を有する前記水素吸蔵性合金は、１５０～４５０℃の温度範囲内に、水素ガスの吸着における平衡圧が３５ＭＰａ以上となる温度点が少なくとも１つ存在し；
好ましくは、少なくとも１つの水素吸蔵性合金の格納容器内の前記水素吸蔵性合金が、高平衡圧を有する水素吸蔵性合金である、
上述した請求項のいずれか１項に記載の高純度水素ガスの供給方法。 - 前記水素含有合金の格納容器内の有機物を除去するパージ法、例えば、水素ガスを用いたパージ法（当該パージ法としては、例えば、前記水素吸蔵性合金における吸着量が所定量となった後、前記水素吸蔵性合金への水素リッチな気体の供給を停止し、水素ガスを前記水素含有合金に通すことで前記水素含有合金及び前記水素含有合金の格納容器（水素吸蔵性合金の格納容器とも言う）内の有機ガスを追い出し、当該有機ガスを貯蔵タンクに導入して貯蔵するか、又は当該有機ガスを他の水素吸蔵性合金の格納容器内の前記水素吸蔵性合金に吸着させ、パージ用水素ガスの純度は好ましくは９０重量％を超え、より好ましくは９５重量％を超え、例えば９９重量％を超える）により、ステップ（３ａ）を行う、
上述した請求項のいずれか１項に記載の高純度水素ガスの供給方法。 - 前記水素含有合金に水素ガスを放出させ、放出された水素ガスを他の水素吸蔵性合金と接触させて水素含有合金を形成させるプロセスをさらに含み、
当該プロセスは、１回又は複数回行われ、少なくとも最後の１回の当該プロセスにおいて用いられる前記水素吸蔵性合金が、高平衡圧を有する水素吸蔵性合金である、
上述した請求項のいずれか１項に記載の高純度水素ガスの供給方法。 - 前記水素吸蔵性合金は、第１水素吸蔵性合金と第２水素吸蔵性合金との組み合わせであり、
前記第１水素吸蔵性合金は、前記水素リッチな気体との接触に用いるマグネシウム系Ａ２Ｂ型水素吸蔵性合金であり、
前記第２水素吸蔵性合金は、第１水素吸蔵水素ガスの加圧のために用いられ、高平衡圧を有する水素吸蔵性合金であり、
前記第２水素吸蔵性合金は、希土類系ＡＢ５型、ジルコニウムチタン系ＡＢ２型、及びチタン系ＡＢ型の水素吸蔵性合金のうち１つ又は複数であり；
先ず、前記水素リッチな気体を前記第１水素吸蔵性合金に通すことで不純物を分離し、その後、前記第１水素吸蔵性合金から放出された高純度水素ガスを前記第２水素吸蔵性合金と接触させ、その後、高圧下で前記第２水素吸蔵性合金に水素ガスを放出させ；
前記第１水素吸蔵性合金の水素放出温度は、前記第２水素吸蔵性合金の水素吸着温度よりも高く、それらの温度差は、好ましくは≧１００℃（例えば３５０℃≧温度差≧１５０℃）であり；
前記第１水素吸蔵性合金及び前記第２水素吸蔵性合金は、異なる水素吸蔵性合金の貯蔵タンク内に存在し、且つ前記第１水素吸蔵性合金の貯蔵タンクと前記第２水素吸蔵性合金の貯蔵タンクとの間に熱交換システムが存在し；
前記水素リッチな気体と前記第１水素吸蔵性合金との接触における水素吸着温度は２０～１５０℃（例えば５０～１００℃）、水素ガス分圧は０．００１～０．１ＭＰａ（０．００１～０．０３ＭＰａ）であり；
前記第１水素吸蔵性合金から水素ガスが放出される温度（水素放出温度）は１５０～４５０℃（例えば２００～３５０℃）、水素放出における水素ガス分圧は０．１～５ＭＰａ（例えば０．１～１ＭＰａ）であり；
前記第２水素吸蔵性合金が水素ガスを吸着する水素吸着温度は－７０～１００℃（例えば－３０～１００℃）、水素吸着における水素ガス分圧は０．１～５ＭＰａ（例えば０．１～１ＭＰａ）であり、
前記第２水素吸蔵性合金の水素放出温度は１５０～４５０℃（例えば２００～３５０℃）、水素放出における水素ガス分圧は≧３５ＭＰａ（例えば３５～１００ＭＰａ）である、
上述した請求項のいずれか１項に記載の高純度水素ガスの供給方法。 - 放出された水素ガスを水素ガス貯蔵タンクに導入して水素ガスを貯蔵する工程、又は、得られた高純度高圧水素ガスを水素燃料電池車両の補給に直接的に用い得る工程をさらに含む、
上述した請求項のいずれか１項に記載の高純度水素ガスの供給方法。 - 脱水素反応器内で、脱水素触媒の存在下で液状有機水素吸蔵原料の脱水素反応を行い、水素ガスを含む脱水素反応生成物を得る工程と、
冷却分離装置内で、前記脱水素反応生成物を冷却して分離し、水素リッチなストリーム及び有機液体を得る工程と、
水素吸蔵性合金の格納容器内で、水素リッチなストリーム、又は精製後の水素リッチなストリームを前記水素吸蔵性合金と接触させ、水素含有合金を得る工程と、
水素ガスを用いたパージ法により、好ましくは９０重量％を超える（例えば９５重量％を超え、９９重量％を超える）純度のパージ用水素ガスにて、前記水素吸蔵性合金の格納容器内の有機物を除去する工程と、
前記水素含有合金を加熱して水素ガスを放出させ、高圧水素ガスを得るとともに、得られた高圧水素ガスを水素消費装置又は貯蔵用の高圧水素ガス貯蔵タンクに供給する工程と、を含み、
前記水素吸蔵性合金は、上述した請求項のいずれか１項に記載の高純度水素ガスの供給方法において用いられる水素吸蔵性合金である、
高純度高圧水素ガスの高効率分散型製造方法。 - 高純度高圧水素ガスの供給システムであって、
液状有機水素吸蔵原料を貯蔵するとともに、脱水素反応器に前記液状有機水素吸蔵原料を供給する液状有機水素吸蔵原料貯蔵－供給装置と、
前記液状有機水素吸蔵原料の脱水素により得られた液体生成物を貯蔵する脱水素液体貯蔵装置と、
脱水素触媒の作用下で前記液状有機水素吸蔵原料の脱水素反応を行い、水素ガスを含む脱水素反応生成物を得る脱水素反応器装置と、
前記脱水素反応生成物を分離し、水素リッチな気体生成物及び液体生成物を得る冷却分離装置と、
水素吸蔵性合金の格納容器及び水素吸蔵性合金加熱システムを備え、前記水素リッチな気体を低温低圧下で水素吸蔵性合金と接触させて水素吸着を行い、飽和吸着後、加熱により脱水素を行う水素吸蔵－水素供給装置と、
任意的に、水素吸蔵容器内の有機物の除去のために用いるパージ装置と、
高圧水素ガスを水素消費装置又は水素ガス貯蔵タンクに供給する水素ガス供給装置と、を含み、
好ましくは、当該システムは、コンテナの内部と一体化してなるコンテナ型水素製造システムとして水素補給ステーションへ設置されるか、又は、水素補給ステーション内に直接に組み込まれて使用され、
好ましくは、前記水素吸蔵－水素供給装置は、１つ又は複数の水素吸蔵性合金の格納容器を含み、複数の水素吸蔵性合金の格納容器は、並列形態、直列形態、又は、並列と直列との複合形態で連結され得、
好ましくは、少なくとも１つの前記水素吸蔵性合金の格納容器が耐高圧容器であり、及び／又は、前記水素ガス供給装置が耐高圧装置、例えば許容圧力３５ＭＰａ以上の装置であり、前記水素吸蔵性合金は、上述した請求項のいずれか１項に記載の高純度水素ガスの供給方法において用いられる水素吸蔵性合金である、
高純度高圧水素ガスの供給システム。 - 輸送車両と、前記輸送車両上に設置された上述した請求項のいずれか１項に記載の高純度高圧水素ガスの供給システムとを含む、可動型水素供給システム。
- 上述した請求項のいずれか１項に記載の高純度高圧水素ガスの供給システムを含み、且つ高圧水素ガス貯蔵タンクを任意的に含む、分散型水素供給装置。
- 前記脱水素触媒は、有機物を脱水素して水素ガスを製造するための触媒であり、
前記触媒は、有機物の脱水素触媒のための担体組成物、及び活性成分を含み、
前記担体組成物は、アルミナ及び改質金属酸化物を含み、
前記改質金属酸化物は、チタン酸化物及び／又はジルコニウム酸化物であり、
η＜０．３、好ましくはη＝０、
θ≧５、好ましくはθが５～４０（例えば５．４～３４．３）である
（η＝前記担体組成物中の前記改質金属酸化物の結晶相の重量％含量／前記担体組成物中の前記改質金属酸化物の化学組成物の重量％含量；
θ＝前記担体組成物の表面における前記改質金属酸化物の重量％含量／前記担体組成物中の前記改質金属酸化物の化学組成物の重量％含量；
チタン酸化物はＴｉＯ２として算定され、ジルコニウム酸化物はＺｒＯ２として算定される）、
上述した請求項のいずれか１項に記載の方法、システム又は装置。 - ＴｉＯ２の純粋相と比較して、
前記担体組成物のＸＰＳスペクトルにおいて、Ｔｉの２Ｐ３／２軌道電子結合エネルギーの４５８．８ｅＶにおけるピークが高結合エネルギー側へ０．６～０．７ｅＶシフトし、及び／又は、Ｔｉの２Ｐ１／２軌道電子結合エネルギーの４６４．５ｅＶにおけるピークが高結合エネルギー側へ０．８～０．９ｅＶシフトしている、
上述した請求項のいずれか１項に記載の方法、システム又は装置。 - 前記担体組成物において、アルミナの質量分率が８０～９８．５％（例えば８３～９７．５％、８５～９５％又は９０～９５％）であり、前記改質金属酸化物の質量分率が１．５～２０％（例えば２．５～１７％、５～１５％、又は５～１０％）であり；
前記改質金属酸化物はチタン酸化物を含み、前記担体組成物において、二酸化チタンの質量分率が２～２０％（例えば２．５～１７％、５～１５％又は５～１０％）であり、二酸化ジルコニウムの質量分率が０～８％（例えば０～６％、０～３％又は１～６％）であり、好ましくは前記改質金属酸化物（例えば二酸化チタン）がアルミナ基質上に単層として分散しており；
前記担体組成物は、γ－アルミナ、η－アルミナ、ρ－アルミナ又はχ－アルミナのうち少なくとも１種類の相構造を有し；
前記担体組成物の比表面積が１００～３５０ｍ２／ｇであり、前記担体組成物の細孔容積が０．３～１．３ｍＬ／ｇである、
上述した請求項のいずれか１項に記載の方法、システム又は装置。 - 前記活性成分は、以下の（１）、（２）及び（３）のいずれか１つであり：
（１）貴金属群のうち少なくとも１種類の元素、好ましくはＰｔ、及び、任意的に貴金属群のうちＰｔ以外の少なくとも１種類の元素；
（２）Ｐｔ、及び第１金属群のうち少なくとも１種類の元素；
（３）Ｎｉ、第２金属群のうち少なくとも１種類の元素、及び任意的にリン、
前記貴金属群は、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｒｕ、Ｒｅ、Ｒｈ、Ｉｒ及びＯｓから選択される元素からなる群であり、
前記第１金属群は、Ｓｎ、Ｖ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｃｅ、Ｗ、Ｃｕ及びＣａから選択される元素からなる群であり、
前記第２金属群は、Ｚｎ、Ｓｎ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ａｇ、Ｉｎ、Ｒｅ、Ｍｏ、Ｃｏ、Ｃａ及びＷから選択される元素からなる群であり、
前記触媒中、前記担体の含量は７０～９９．９重量％であり、前記活性成分の含量は０．１～３０重量％である、
上述した請求項のいずれか１項に記載の方法、システム又は装置。 - 前記活性成分は、（１）前記貴金属群のうち少なくとも１種類の元素であり、前記触媒中、前記担体の含量は９０～９９．９重量％（例えば９２～９９．４重量％、９２～９９．５重量％、９５～９９．４重量％、９８～９９．２重量％、９８．５～９９．５重量％）であり、活性成分の含量は０．１～１０重量％（例えば０．６～８重量％、０．５～８重量％、０．６～５重量％、０．８～２重量％又は０．５～１．５重量％）であり、好ましくは、前記活性成分はＰｔ、及び、任意的に前記貴金属群のうちＰｔ以外の少なくとも１種類の元素であり、Ｐｔの含量は０．１～１０重量％（例えば０．１～２重量％、０．６～１０重量％又は０．６～０．８重量％）であり、前記貴金属群のうちＰｔ以外の少なくとも１種類の元素の含量は０～９．９重量％（例えば０．１～２重量％又は０．１～０．８重量％）であり；
又は、
前記活性成分は、（２）Ｐｔ、及び前記第１金属群のうち少なくとも１種類の元素であり、前記触媒中、前記担体の含量は７５～９９．５重量％（例えば７５～９９．４重量％、７９．９～９８．５重量％）であり、活性成分の含量は０．５～２５重量％（例えば０．６～２５重量％、１．５～２０．１重量％）であり、
前記活性成分のうち、Ｐｔ（単体として算定される）の含量は０．０１～１０重量％（例えば０．２～８重量％、０．４～２重量％、０．３～０．６重量％、０．１～０．７重量％）であり、前記第１金属群のうち少なくとも１種類の元素（酸化物として算定される）の含量は０．５～２０重量％（例えば０．５～１５重量％又は１～１０重量％）であり、
好ましくは、前記第１金属群のうち少なくとも１種類の元素が、Ｎｉ、又は、Ｎｉと前記第１金属群のうちＮｉ以外の少なくとも１種類の元素との組み合わせであり、Ｐｔ（単体として算定される）とＮｉ（ＮｉＯとして算定される）との質量比が（０．０１：１６）～（０．５：０．１）であり；
又は、
前記活性成分は、（３）Ｎｉ、前記第２金属群のうち少なくとも１種類の元素、及び任意的にリンであり、前記触媒中、前記担体の含量は７０～９５重量％（例えば、７５～９３重量％、又は７５～９０重量％）であり、活性成分（酸化物として算定される）の含量は５～３０重量％（例えば、７～２５重量％）であり、前記活性成分のうち、ニッケル（ＮｉＯとして算定される）の含量が０．５～２５重量％（例えば、５～２５重量％、６～２０重量％、又は６～１１重量％）であり、前記第２金属群のうち少なくとも１種類の元素（酸化物として算定される）の含量は０～１５重量％（例えば０～１０重量％）であり、リン（Ｐ２Ｏ５として算定される）の含量は０～１５重量％である、
上述した請求項のいずれか１項に記載の方法、システム又は装置。
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