JP2022179744A - フレーム一体型蒸着マスク、有機半導体素子の製造方法、及びパターンの形成方法 - Google Patents

フレーム一体型蒸着マスク、有機半導体素子の製造方法、及びパターンの形成方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2022179744A
JP2022179744A JP2022164764A JP2022164764A JP2022179744A JP 2022179744 A JP2022179744 A JP 2022179744A JP 2022164764 A JP2022164764 A JP 2022164764A JP 2022164764 A JP2022164764 A JP 2022164764A JP 2022179744 A JP2022179744 A JP 2022179744A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
mask
resin
vapor deposition
metal
frame
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2022164764A
Other languages
English (en)
Inventor
吉紀 廣部
Yoshinori Hirobe
豊 松元
Yutaka Matsumoto
昌人 牛草
Masato Ushikusa
利彦 武田
Toshihiko Takeda
祐行 西村
Sukeyuki Nishimura
勝也 小幡
Katsuya Obata
敬 竹腰
Takashi Takekoshi
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Dai Nippon Printing Co Ltd
Original Assignee
Dai Nippon Printing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Dai Nippon Printing Co Ltd filed Critical Dai Nippon Printing Co Ltd
Publication of JP2022179744A publication Critical patent/JP2022179744A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05BSPRAYING APPARATUS; ATOMISING APPARATUS; NOZZLES
    • B05B12/00Arrangements for controlling delivery; Arrangements for controlling the spray area
    • B05B12/16Arrangements for controlling delivery; Arrangements for controlling the spray area for controlling the spray area
    • B05B12/20Masking elements, i.e. elements defining uncoated areas on an object to be coated
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/04Coating on selected surface areas, e.g. using masks
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05CAPPARATUS FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05C21/00Accessories or implements for use in connection with applying liquids or other fluent materials to surfaces, not provided for in groups B05C1/00 - B05C19/00
    • B05C21/005Masking devices
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32LAYERED PRODUCTS
    • B32BLAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B37/00Methods or apparatus for laminating, e.g. by curing or by ultrasonic bonding
    • B32B37/14Methods or apparatus for laminating, e.g. by curing or by ultrasonic bonding characterised by the properties of the layers
    • B32B37/16Methods or apparatus for laminating, e.g. by curing or by ultrasonic bonding characterised by the properties of the layers with all layers existing as coherent layers before laminating
    • B32B37/18Methods or apparatus for laminating, e.g. by curing or by ultrasonic bonding characterised by the properties of the layers with all layers existing as coherent layers before laminating involving the assembly of discrete sheets or panels only
    • B32B37/182Methods or apparatus for laminating, e.g. by curing or by ultrasonic bonding characterised by the properties of the layers with all layers existing as coherent layers before laminating involving the assembly of discrete sheets or panels only one or more of the layers being plastic
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32LAYERED PRODUCTS
    • B32BLAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B38/00Ancillary operations in connection with laminating processes
    • B32B38/0008Electrical discharge treatment, e.g. corona, plasma treatment; wave energy or particle radiation
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/04Coating on selected surface areas, e.g. using masks
    • C23C14/042Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24Vacuum evaporation
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23FNON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
    • C23F1/00Etching metallic material by chemical means
    • C23F1/02Local etching
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20Exposure; Apparatus therefor
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05BELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00Electroluminescent light sources
    • H05B33/10Apparatus or processes specially adapted to the manufacture of electroluminescent light sources
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10Deposition of organic active material
    • H10K71/16Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
    • H10K71/166Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using selective deposition, e.g. using a mask
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32LAYERED PRODUCTS
    • B32BLAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2310/00Treatment by energy or chemical effects
    • B32B2310/08Treatment by energy or chemical effects by wave energy or particle radiation
    • B32B2310/0806Treatment by energy or chemical effects by wave energy or particle radiation using electromagnetic radiation
    • B32B2310/0843Treatment by energy or chemical effects by wave energy or particle radiation using electromagnetic radiation using laser
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32LAYERED PRODUCTS
    • B32BLAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2311/00Metals, their alloys or their compounds
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32LAYERED PRODUCTS
    • B32BLAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2398/00Unspecified macromolecular compounds
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/10OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Thermal Sciences (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

Figure 2022179744000001
【課題】大型化した場合でも高精細化と軽量化の双方を満たすことができる蒸着マスク、及びこの蒸着マスクをフレームに精度よく位置合わせすることができる蒸着マスク装置の製造方法、及び高精細な有機半導体素子を製造することができる有機半導体素子の製造方法を提供すること。
【解決手段】スリットが設けられた金属マスクと、前記金属マスクの表面に位置し、蒸着作製するパターンに対応した開口部が縦横に複数列配置された樹脂マスクと、が積層されてなる。
【選択図】図1

Description

本発明は、フレーム一体型蒸着マスク、有機半導体素子の製造方法、及びパターンの形成方法に関する。
従来、有機EL素子の製造において、有機EL素子の有機層或いはカソード電極の形成には、例えば、蒸着すべき領域に多数の微細なスリットを微小間隔で平行に配列してなる金属から構成される蒸着マスクが使用されていた。この蒸着マスクを用いる場合、蒸着すべき基板表面に蒸着マスクを載置し、裏面から磁石を用いて保持させているが、スリットの剛性は極めて小さいことから、蒸着マスクを基板表面に保持する際にスリットにゆがみが生じやすく、高精細化或いはスリット長さが大となる製品の大型化の障害となっていた。
スリットのゆがみを防止するための蒸着マスクについては、種々の検討がなされており、例えば、特許文献1には、複数の開口部を備えた第一金属マスクを兼ねるベースプレートと、前記開口部を覆う領域に多数の微細なスリットを備えた第二金属マスクと、第二金属マスクをスリットの長手方向に引っ張った状態でベースプレート上に位置させるマスク引張保持手段を備えた蒸着マスクが提案されている。すなわち、2種の金属マスクを組合せた蒸着マスクが提案されている。この蒸着マスクによれば、スリットにゆがみを生じさせることなくスリット精度を確保できるとされている。
ところで近時、有機EL素子を用いた製品の大型化或いは基板サイズの大型化にともない、蒸着マスクに対しても大型化の要請が高まりつつあり、金属から構成される蒸着マスクの製造に用いられる金属板も大型化している。しかしながら、現在の金属加工技術では、大型の金属板にスリットを精度よく形成することは困難であり、たとえ上記特許文献1に提案されている方法などによってスリット部のゆがみを防止できたとしても、スリットの高精細化への対応はできない。また、金属のみからなる蒸着マスクとした場合には、大型化に伴いその質量も増大し、フレームを含めた総質量も増大することから取り扱いに支障をきたすこととなる。
特開2003-332057号公報
本発明はこのような状況に鑑みてなされたものであり、大型化した場合でも高精細化と軽量化の双方を満たすことができる蒸着マスクや、この蒸着マスクを製造するための樹脂板付き金属マスク、フレーム一体型の樹脂板付き金属マスク、蒸着マスクの製造方法を提供すること、及びこの蒸着マスクをフレームに精度よく位置合わせすることができる蒸着マスク装置の製造方法を提供すること、さらには、有機半導体素子を精度よく製造することができる有機半導体素子の製造方法を提供することを主たる課題とする。
上記課題を解決するための本発明は、フレーム一体型蒸着マスクであって、フレームと、前記フレームに固定された樹脂マスクとを備え、前記樹脂マスクが、レーザー加工で形成された樹脂開口部を有する。
前記樹脂マスクの厚みが3μm以上25μm以下でもよい。
前記樹脂開口部の断面形状が、蒸着源方向に向かって広がりをもってもよい。
前記樹脂マスクが、熱膨張係数が16ppm以下の樹脂材料を含んでもよい。
前記樹脂マスクが、吸湿率が1.0%以下の樹脂材料を含んでもよい。
前記樹脂マスクが透明性を有してもよい。
一実施形態のフレーム一体型蒸着マスクは、フレームに蒸着マスクが固定されたフレーム一体型蒸着マスクであって、前記蒸着マスクが、蒸着作成するパターンに対応した樹脂開口部を有する樹脂マスクと、前記樹脂マスクの一方の面側に設けられた金属開口部を有する金属マスクを含む。
前記フレームが金属を含んでもよい。
前記フレームと前記金属マスクがスポット溶接で固定されてもよい。
前記樹脂マスクの厚みが3μm以上25μm以下でもよい。
前記樹脂開口部の断面形状が、蒸着源方向に向かって広がりをもってもよい。
前記樹脂マスクが、熱膨張係数が16ppm以下の樹脂材料を含んでもよい。
前記樹脂マスクが、吸湿率が1.0%以下の樹脂材料を含んでもよい。
前記金属マスクは、磁性体でもよい。
前記金属開口部の開口空間が、ブリッジによって区画されてもよい。
前記金属開口部の断面形状が、蒸着源方向に向かって広がりをもってもよい。
前記金属マスクの厚みが5μm以上100μm以下であってもよい。
前記金属開口部を複数有してもよい。
1つの前記金属開口部が、複数の前記樹脂開口部と重なってもよい。
前記金属開口部の開口面積が、前記樹脂開口部の開口面積より大きくてもよい。
前記金属マスクと前記樹脂マスクが直接的に接合されてもよい。
前記樹脂マスクが透明性を有してもよい。
本開示の有機半導体素子の製造方法は、上記のフレーム一体型蒸着マスクを使用する。
本開示のパターンの形成方法は、上記のフレーム一体型蒸着マスクを使用する。
上記課題を解決するための本発明は、蒸着マスクの製造方法であって、上記のフレーム一体型の樹脂板付き金属マスクの樹脂板をレーザー加工して前記蒸着作製するパターンに対応する樹脂マスク開口部を形成する。
上記課題を解決するための本発明は、樹脂板をレーザー加工して蒸着作製するパターンに対応する樹脂マスク開口部を形成することにより、金属マスク開口部を有する金属マスクと前記樹脂マスク開口部を有する樹脂マスクとが積層された蒸着マスクを製造するために用いられる樹脂板付き金属マスクであって、前記樹脂板付き金属マスクは、前記金属マスクの一方の面側に前記樹脂板が位置し、前記樹脂板の厚みが3μm以上25μm以下である。
また、一実施形態の樹脂層付き金属マスクは、スリットが設けられた金属マスクと、前記金属マスクの表面に位置し、前記スリットと重なる位置に蒸着作製するパターンに対応した開口部が設けられた樹脂マスクと、が積層されてなり、前記開口部がレーザー加工によって形成されてなる蒸着マスクを製造するために用いられるものであり、スリットが設けられた金属マスクの一方の面に、前記開口部が形成される前の樹脂板が設けられ、前記樹脂板が、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリエステル樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリビニルアルコール樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリアクリロニトリル樹脂、エチレン酢酸ビニル共重合体樹脂、エチレン-ビニルアルコール共重合体樹脂、エチレン-メタクリル酸共重合体樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリ塩化ビニリデン樹脂、セロファン、アイオノマー樹脂の中から選択される何れかの樹脂材料を含有しており、前記樹脂板の吸湿率が、1.0%以下である。
また、一実施形態の樹脂層付き金属マスクは、スリットが設けられた金属マスクと、前記金属マスクの表面に位置し、前記スリットと重なる位置に蒸着作製するパターンに対応した開口部が設けられた樹脂マスクと、が積層されてなる蒸着マスクを製造するために用いられる樹脂板付き金属マスクであって、スリットが設けられた金属マスクの一方の面に樹脂板が設けられ、前記金属マスクの前記スリットを断面視したときの断面形状が、前記金属マスクの前記樹脂板と接する側の面から、前記金属マスクの前記樹脂板と接しない側の面に向かって広がりを持つ形状であり、前記樹脂板が、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリエステル樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリビニルアルコール樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリアクリロニトリル樹脂、エチレン酢酸ビニル共重合体樹脂、エチレン-ビニルアルコール共重合体樹脂、エチレン-メタクリル酸共重合体樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリ塩化ビニリデン樹脂、セロファン、アイオノマー樹脂の中から選択される何れかの樹脂材料を含有していることを特徴とする。
また、一実施形態の蒸着マスクは、蒸着マスクであって、スリットが設けられた金属マスクと、前記金属マスクの表面に位置し、蒸着作製するパターンに対応した開口部が縦横に複数列配置された樹脂マスクと、が積層されてなることを特徴とする。
また、前記金属マスクが、磁性体であってもよい。また、前記開口部の断面形状が、蒸着源方向に向かって広がりをもっていてもよい。前記スリットの断面形状が、蒸着源方向に向かって広がりをもっていてもよい。また、前記金属マスクのスリットと前記樹脂マスクの開口部とにより形成される開口全体の断面形状が階段状を呈していてもよい。
また、前記樹脂マスクの前記開口部を形成する端面にバリア層が設けられていてもよい。また、前記樹脂マスクの厚みが3μm以上25μm以下であってもよい。
上記課題を解決するための本発明は、蒸着マスク装置の製造方法であって、スリットが設けられた金属マスクと、樹脂板とを貼り合わせる工程と、金属を含むフレーム上に、前記樹脂板が貼り合わされた金属マスクを固定する工程と、前記金属マスク側からレーザーを照射し、前記樹脂板に蒸着作製するパターンに対応した開口部を縦横に複数列形成する工程と、を備えることを特徴とする。
また、上記課題を解決するための本発明は、蒸着マスク装置の製造方法であって、金属を含むフレーム上に、スリットが設けられた金属マスクを固定する工程と、前記フレームに固定された金属マスクと、樹脂板とを貼り合わせる工程と、前記金属マスク側からレーザーを照射し、前記樹脂板に蒸着作製するパターンに対応した開口部を縦横に複数列形成する工程と、を備えることを特徴とする。
また、上記課題を解決するための本発明は、蒸着マスクの製造方法であって、上記のフレーム一体型の樹脂板付き金属マスクの樹脂板をレーザー加工して前記蒸着作製するパターンに対応する樹脂マスク開口部を形成する。
また、上記課題を解決するための本発明は、有機半導体素子の製造方法であって、上記の製造方法で製造されたフレーム一体型の蒸着マスクを使用する。
また、上記課題を解決するための本発明は、蒸着で作製されるパターンの形成方法であって、上記の製造方法で製造されたフレーム一体型の蒸着マスクを使用する。
また、上記課題を解決するための本発明は、フレーム一体型の樹脂板付き金属マスクであって、フレームに上記の樹脂板付き金属マスクが固定されてなる。
また、上記課題を解決するための本発明は、蒸着マスクの製造方法であって、上記の樹脂板付き金属マスクの樹脂板、又は上記のフレーム一体型の樹脂板付き金属マスクの樹脂板をレーザー加工して前記蒸着作製するパターンに対応する樹脂マスク開口部を形成する。
本発明の蒸着マスクによれば、大型化した場合でも高精細化と軽量化の双方を満たすことができる。また、本発明の樹脂板付き金属マスク、フレーム一体型の樹脂板付き金属マスク、蒸着マスクの製造方法によれば、上記の蒸着マスクを製造できる。また、本発明の蒸着マスク装置の製造方法によれば、上記蒸着マスクの効果に加え、上記の蒸着マスクをフレームに精度よく位置合わせすることができる。また、本発明の有機半導体素子の製造方法によれば、有機半導体素子を精度よく製造することができる。
本発明の一例を示す蒸着マスクの金属マスクと樹脂マスクを分解して示す概略斜視図であり、(a)は金属マスクの概略斜視図であり、(b)は樹脂マスクの概略斜視図である。 (a)、(c)、(d)は本発明の一例を示す蒸着マスクの金属マスク側から見た正面図であり、(b)は本発明の一例を示す蒸着マスクを示す概略断面図である。 本発明の蒸着マスク100の拡大断面図である。 (a)は樹脂マスクの別の態様の斜視図であり、(b)はその断面図である。 本発明の蒸着マスク100の別の態様を示す正面図である。 第1の製造方法を説明するための工程図である。なお(a)~(f)はすべて断面図である。 第2の製造方法を説明するための工程図である。なお(a)~(f)はすべて断面図である。 シャドウと、金属マスクの厚みとの関係を示す概略断面図である。 金属マスクのスリットと、樹脂マスクの開口部との関係を示す部分概略断面図である。 金属マスクのスリットと、樹脂マスクの開口部との関係を示す部分概略断面図である。
以下に、本発明の蒸着マスク100について図面を用いて具体的に説明する。
図1(a)は、本発明の一例を示す蒸着マスクを構成する金属マスクの概略斜視図であり、図1(b)は、本発明の一例を示す蒸着マスクを構成する樹脂マスクの概略斜視図である。図2(a)は、本発明の一例を示す蒸着マスクの金属マスク側から見た正面図であり、図2(b)本発明の一例を示す蒸着マスクを示す概略断面図である。図3は、本発明の蒸着マスク100の拡大断面図である。なお、図1~3ともに、金属マスクの設けられたスリットおよび蒸着マスクに設けられた開口部を強調するため、全体に対する比率を大きく記載してある。
図1、2に示すように、本発明の蒸着マスク100は、スリット15が設けられた金属マスク10と、金属マスク10の表面(図2(b)に示す場合にあっては、金属マスク10の下面)に位置し、蒸着作製するパターンに対応した開口部25が縦横に複数列配置された樹脂マスク20が積層された構成をとる。
ここで、本発明の蒸着マスク100の質量と、従来公知の金属のみから構成される蒸着マスクの質量とを、蒸着マスク全体の厚みが同一であると仮定して比較すると、従来公知の蒸着マスクの金属材料の一部を樹脂材料に置き換えた分だけ、本発明の蒸着マスク100の質量は軽くなる。また、金属のみから構成される蒸着マスクを用いて、軽量化を図るためには、当該蒸着マスクの厚みを薄くする必要などがあるが、蒸着マスクの厚みを薄くした場合には、蒸着マスクを大型化した際に、蒸着マスクに歪みが発生する場合や、耐久性が低下する場合が起こる。一方、本発明の蒸着マスクによれば、大型化したときの歪みや、耐久性を満足させるべく、蒸着マスク全体の厚みを厚くしていった場合であっても、樹脂マスク20の存在によって、金属のみから形成される蒸着マスクよりも軽量化を図ることができる。以下、それぞれについて具体的に説明する。
(樹脂マスク)
樹脂マスク20は、樹脂から構成され、図1、2に示すように、スリット15と重なる位置に蒸着作製するパターンに対応した開口部25が縦横に複数列配置されている。なお、本願明細書において蒸着作製するパターンとは、当該蒸着マスクを用いて作製しようとするパターンを意味し、例えば、当該蒸着マスクを有機EL素子の有機層の形成に用いる場合には、当該有機層の形状である。また、本発明では、開口部が縦横に複数列配置された例を挙げて説明をしているが、開口部25は、スリットと重なる位置に設けられていればよく、スリット15が、縦方向、或いは横方向に1列のみ配置されている場合には、当該1列のスリット15と重なる位置に開口部25が設けられていればよい。
樹脂マスク20は、従来公知の樹脂材料を適宜選択して用いることができ、その材料について特に限定されないが、レーザー加工等によって高精細な開口部25の形成が可能であり、熱や経時での寸法変化率や吸湿率が小さく、軽量な材料を用いることが好ましい。このような材料としては、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリエステル樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリビニルアルコール樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリアクリロニトリル樹脂、エチレン酢酸ビニル共重合体樹脂、エチレン-ビニルアルコール共重合体樹脂、エチレン-メタクリル酸共重合体樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリ塩化ビニリデン樹脂、セロファン、アイオノマー樹脂等を挙げることができる。上記に例示した材料の中でも、その熱膨張係数が16ppm/℃以下である樹脂材料が好ましく、吸湿率が1.0%以下である樹脂材料が好ましく、この双方の条件を備える樹脂材料が特に好ましい。本発明では、樹脂マスク20が上述したように金属材料と比較して、高精細な開口部25の形成が可能な樹脂材料から構成される。したがって、高精細な開口部25を有する蒸着マスク100とすることができる。
樹脂マスク20の厚みについても特に限定はないが、本発明の蒸着マスク100を用いて蒸着を行ったときに、蒸着作成するパターンに不充分な蒸着部分、つまり目的とする蒸着膜厚よりも薄い膜厚となる蒸着部分、所謂シャドウが生じることを防止するためには、樹脂マスク20は可能な限り薄いことが好ましい。しかしながら、樹脂マスク20の厚みが3μm未満である場合には、ピンホール等の欠陥が生じやすく、また変形等のリスクが高まる。一方で、25μmを超えるとシャドウの発生が生じ得る。この点を考慮すると樹脂マスク20の厚みは3μm以上25μm以下であることが好ましい。樹脂マスク20の厚みをこの範囲内とすることで、ピンホール等の欠陥や変形等のリスクを低減でき、かつシャドウの発生を効果的に防止することができる。特に、樹脂マスク20の厚みを、3μm以上10μm以下、より好ましくは4μm以上8μm以下とすることで、300ppiを超える高精細パターンを形成する際のシャドウの影響をより効果的に防止することができる。なお、本発明の蒸着マスク100において、金属マスク10と樹脂マスク20とは、直接的に接合されていてもよく、粘着剤層を介して接合されていてもよいが、粘着剤層を介して金属マスク10と樹脂マスク20とが接合される場合には、上記シャドウの点を考慮して、樹脂マスク20と粘着剤層との合計の厚みが3μm以上25μm以下、好ましくは3μm以上10μm、特に好ましくは、4μm以上8μm以下の範囲内となるように設定することが好ましい。
開口部25の形状、大きさについて特に限定はなく、蒸着作製するパターンに対応する形状、大きさであればよい。また、図2(a)に示すように、隣接する開口部25の横方向のピッチP1や、縦方向のピッチP2についても蒸着作製するパターンに応じて適宜設定することができる。
開口部25を設ける位置や、開口部25の数についても特に限定はなく、スリット15と重なる位置に1つ設けられていてもよく、縦方向、或いは横方向に複数設けられていてもよい。例えば、図2(c)に示すように、スリットが縦方向に延びる場合に、当該スリット15と重なる開口部25が、横方向に2つ以上設けられていてもよい。
開口部25の断面形状についても特に限定はなく、開口部25を形成する樹脂マスクの向かいあう端面同士が略平行であってもよいが、図2(b)や図3に示すように、開口部25はその断面形状が、蒸着源に向かって広がりをもつような形状であることが好ましい。換言すれば、金属マスク10側に向かって広がりをもつテーパー面を有していることが好ましい。開口部25の断面形状を当該構成とすることにより、本発明の蒸着マスクを用いて蒸着を行ったときに、蒸着作成するパターンにシャドウが生じることを防止することができる。テーパー角θについては、樹脂マスク20の厚み等を考慮して適宜設定することができるが、樹脂マスクの開口部における下底先端と、同じく樹脂マスクの開口部における上底先端を結んだ角度(θ)が25°~65°の範囲内であることが好ましい。特には、この範囲内の中でも、使用する蒸着機の蒸着角度よりも小さい角度であることが好ましい。さらに、図2(b)や図3にあっては、開口部25を形成する端面25aは直線形状を呈しているが、これに限定されることはなく、外に凸の湾曲形状となっている、つまり開口部25の全体の形状がお椀形状となっていてもよい。このような断面形状を有する開口部25は、例えば、開口部25の形成時における、レーザーの照射位置や、レーザーの照射エネルギーを適宜調整する、或いは照射位置を段階的に変化させる多段階のレーザー照射を行うことで形成可能である。
樹脂マスク20は、樹脂材料が用いられることから、従来の金属加工に用いられる加工法、例えば、エッチング加工法や切削等の加工方法によらず、開口部25の形成が可能である。つまり、開口部25の形成方法について特に限定されることなく、各種の加工方法、例えば、高精細な開口部25の形成が可能なレーザー加工法や、精密プレス加工、フォトリソ加工等を用いて開口部25を形成することができる。レーザー加工法等によって開口部25を形成する方法については後述する。
エッチング加工法としては、例えば、エッチング材を噴射ノズルから所定の噴霧圧力で噴霧するスプレーエッチング法、エッチング材が充填されたエッチング液中に浸漬エッチング法、エッチング材を滴下するスピンエッチング法等のウェットエッチング法や、ガス、プラズマ等を利用したドライエッチング法を用いることができる。
また、本発明では、蒸着マスク100の構成として樹脂マスク20が用いられることから、この蒸着マスク100を用いて蒸着を行ったときに、樹脂マスク20の開口部25には非常に高い熱が加わり、樹脂マスク20の開口部25を形成する端面25a(図3参照)から、ガスが発生し、蒸着装置内の真空度を低下させる等のおそれが生じ得る。したがって、この点を考慮すると、図3に示すように、樹脂マスク20の開口部25を形成する端面25aには、バリア層26が設けられていることが好ましい。バリア層26を形成することで、樹脂マスク20の開口部25を形成する端面25aからガスが発生することを防止できる。
バリア層26は、無機酸化物や無機窒化物、金属の薄膜層または蒸着層を用いることができる。無機酸化物としては、アルミニウムやケイ素、インジウム、スズ、マグネシウムの酸化物を用いることができ、金属としてはアルミニウム等を用いることができる。バリア層26の厚みは、0.05μm~1μm程度であることが好ましい。
さらに、バリア層は、樹脂マスク20の蒸着源側表面を覆っていることが好ましい。樹脂マスク20の蒸着源側表面をバリア層26で覆うことによりバリア性が更に向上する。バリア層は、無機酸化物、および無機窒化物の場合は各種PVD法、CVD法によって形成することが好ましい。金属の場合は、真空蒸着法によって形成することが好ましい。なお、ここでいうところの樹脂マスク20の蒸着源側表面とは、樹脂マスク20の蒸着源側の表面の全体であってもよく、樹脂マスク20の蒸着源側の表面において金属マスクから露出している部分のみであってもよい。
図4(a)は樹脂マスクの別の態様の斜視図であり、(b)はその断面図である。
図4に示すように、樹脂マスク20上には、樹脂マスク20の縦方向、或いは横方向(図4の場合は縦方向)にのびる溝28が形成されていることが好ましい。蒸着時に熱が加わった場合、樹脂マスク20が熱膨張し、これにより開口部25の寸法や位置に変化が生じる可能性があるが、当該溝28を形成することで樹脂マスクの膨張を吸収することができ、樹脂マスクの各所で生じる熱膨張が累積することにより樹脂マスク20が全体として所定の方向に膨張して開口部25の寸法や位置が変化することを防止することができる。
なお、図4では、開口部25の間に縦方向に延びる溝28が形成されているが、これに限定されることはなく、開口部25の間に横方向に延びる溝を形成してもよい。さらには、開口部25の間に限定されることはなく、開口部25と重なる位置に溝を形成してもよい。さらには、これらを組み合わせた態様で溝を形成することも可能である。
溝28の深さやその幅については特に限定はないが、溝28の深さが深すぎる場合や、幅が広すぎる場合には、樹脂マスク20の剛性が低下する傾向にあることから、この点を考慮して設定することが必要である。また、溝の断面形状についても特に限定されることはなくU字形状やV字形状など、加工方法などを考慮して任意に選択すればよい。
(金属マスク)
金属マスク10は、金属から構成され、該金属マスク10の正面からみたときに、開口部25と重なる位置、換言すれば、樹脂マスク20に配置された全ての開口部25がみえる位置に、縦方向或いは横方向に延びるスリット15が複数列配置されている。なお、図1、2では、金属マスク10の縦方向に延びるスリット15が横方向に連続して配置されている。また、本発明では、スリット15が縦方向、或いは横方向に延びるスリット15が複数列配置された例を挙げて説明をしているが、スリット15は、縦方向、或いは横方向に1列のみ配置されていてもよい。
スリット15の幅Wについて特に限定はないが、少なくとも隣接する開口部25間のピッチよりも短くなるように設計することが好ましい。具体的には、図2(a)に示すように、スリット15が縦方向に延びる場合には、スリット15の横方向の幅Wは、横方向に隣接する開口部25のピッチP1よりも短くすることが好ましい。同様に、図示はしないが、スリット15が横方向に伸びている場合には、スリット15の縦方向の幅は、縦方向に隣接する開口部25のピッチP2よりも短くすることが好ましい。一方で、スリット15が縦方向に延びる場合の縦方向の長さLについては、特に限定されることはなく、金属マスク10の縦の長さおよび樹脂マスク20に設けられている開口部25の位置に応じて適宜設計すればよい。
また、縦方向、或いは横方向に連続して延びるスリット15が、ブリッジ18によって複数に分割されていてもよい。なお、図2(d)は、蒸着マスク100の金属マスク10側から見た正面図であり、図2(a)に示される縦方向に連続して延びる1つのスリット15が、ブリッジ18によって複数(スリット15a、15b)に分割された例を示している。ブリッジ18の幅について特に限定はないが5μm~20μm程度であることが好ましい。ブリッジ18の幅をこの範囲とすることで、金属マスク10の剛性を効果的に高めることができる。ブリッジ18の配置位置についても特に限定はないが、分割後のスリットが、2つ以上の開口部25と重なるようにブリッジ18が配置されていることが好ましい。
金属マスク10に形成されるスリット15の断面形状についても特に限定されることはないが、上記樹脂マスク20における開口部25と同様、図3に示すように、蒸着源に向かって広がりをもつような形状であることが好ましい。
金属マスク10の材料について特に限定はなく、蒸着マスクの分野で従来公知のものを適宜選択して用いることができ、例えば、ステンレス鋼、鉄ニッケル合金、アルミニウム合金などの金属材料を挙げることができる。中でも、鉄ニッケル合金であるインバー材は熱による変形が少ないので好適に用いることができる。
また、本発明の蒸着マスク100を用いて、基板上へ蒸着を行うにあたり、基板後方に磁石等を配置して基板前方の蒸着マスク100を磁力によって引きつけることが必要な場合には、金属マスク10を磁性体で形成することが好ましい。磁性体の金属マスク10としては、純鉄、炭素鋼、W鋼、Cr鋼、Co鋼、KS鋼、MK鋼、NKS鋼、Cunico鋼、Al-Fe合金等を挙げることができる。また、金属マスク10を形成する材料そのものが磁性体でない場合には、当該材料に上記磁性体の粉末を分散させることにより金属マスク10に磁性を付与してもよい。
金属マスク10の厚みについても特に限定はないが、5μm~100μm程度であることが好ましい。蒸着時におけるシャドウの防止を考慮した場合、金属マスク10の厚さは薄い方が好ましいが、5μmより薄くした場合、破断や変形のリスクが高まるとともにハンドリングが困難となる可能性がある。ただし、本発明では、金属マスク10は樹脂マスク20と一体化されていることから、金属マスク10の厚さが5μmと非常に薄い場合であっても、破断や変形のリスクを低減させることができ、5μm以上であれば使用可能である。なお、100μmより厚くした場合には、シャドウの発生が生じ得るため好ましくない。
以下、図8(a)~図8(c)を用いてシャドウの発生と、金属マスク10の厚みとの関係について具体的に説明する。図8(a)に示すように、金属マスク10の厚みが薄い場合には、蒸着源から蒸着対象物に向かって放出される蒸着材は、金属マスク10のスリット15の内壁面や、金属マスク10の樹脂マスク20が設けられていない側の表面に衝突することなく金属マスク10のスリット15、及び樹脂マスク20の開口部25を通過して蒸着対象物へ到達する。これにより、蒸着対象物上へ、均一な膜厚での蒸着パターンの形成が可能となる。つまりシャドウの発生を防止することができる。一方、図8(b)に示すように、金属マスク10の厚みが厚い場合、例えば、金属マスク10の厚みが100μmを超える厚みである場合には、蒸着源から放出された蒸着材の一部は、金属マスク10のスリット15の内壁面や、金属マスク10の樹脂マスク20が形成されていない側の表面に衝突し、蒸着対象物へ到達することができない。蒸着対象物へ到達することができない蒸着材が多くなるほど、蒸着対象物に目的とする蒸着膜厚よりも薄い膜厚となる未蒸着部分が生ずる、シャドウが発生することとなる。
シャドウ発生を十分に防止するには、図8(c)に示すように、スリット15の断面形状を、蒸着源に向かって広がりをもつような形状とすることが好ましい。このような断面形状とすることで、蒸着マスク100に生じうる歪みの防止、或いは耐久性の向上を目的として、蒸着マスク全体の厚みを厚くしていった場合であっても、蒸着源から放出された蒸着材が、スリット15の当該表面や、スリット15の内壁面に衝突等することなく、蒸着材を蒸着対象物へ到達させることができる。より具体的には、金属マスク10のスリット15における下底先端と、同じく金属マスク10のスリット15における上底先端を結んだ直線と金属マスク10の底面とのなす角度が25°~65°の範囲内であることが好ましい。特には、この範囲内の中でも、使用する蒸着機の蒸着角度よりも小さい角度であることが好ましい。このような断面形状とすることで、蒸着マスク100に生じうる歪みの防止、或いは耐久性の向上を目的として金属マスク10の厚みを比較的厚くした場合であっても、蒸着源から放出された蒸着材が、スリット15の内壁面に衝突等することなく、蒸着材を蒸着対象物へ到達させることができる。これにより、シャドウ発生をより効果的に防止することができる。なお、図8は、シャドウの発生と金属マスク10のスリット15との関係を説明するための部分概略断面図である。なお、図8(c)では、金属マスク10のスリット15が蒸着源側に向かって広がりを持つ断面形状となっており、樹脂マスク20の開口部25の向かいあう端面は略平行となっているが、シャドウの発生をより効果的に防止するためには、金属マスク10のスリット、及び樹脂マスク20の開口部25は、ともにその断面形状が、蒸着源側に向かって広がりを持つ形状となっていることが好ましい。
図5は、本発明の蒸着マスク100の別の態様を示す正面図である。
図5に示すように、蒸着マスク100の金属マスク10側から見た正面図において、金属マスクのスリット15から見える樹脂マスク20に形成された開口部25を横方向に互い違いに配置してもよい。つまり、横方向に隣り合う開口部25を縦方向にずらして配置してもよい。このように配置することにより、樹脂マスク20が熱膨張した場合にあっても、各所において生じる膨張を開口部25によって吸収することができ、膨張が累積して大きな変形が生じることを防止することができる。
また、図5に示すように、樹脂マスク20に形成する開口部25は、1画素に対応させる必要はなく、例えば2画素~10画素をまとめて一つの開口部25としてもよい。
図9(a)~(d)は、金属マスクのスリットと、樹脂マスクの開口部との関係を示す部分概略断面図であり、図示する形態では、金属マスクのスリット15と樹脂マスクの開口部25とにより形成される開口全体の断面形状が階段状を呈している。図9に示すように、開口全体の断面形状を蒸着源側に向かって広がりをもつ階段状とすることでシャドウの発生を効果的に防止することができる。金属マスクのスリット15や、樹脂マスク20の断面形状は、図9(a)に示すように、向かいあう端面が略平行となっていてもよいが、図9(b)、(c)に示すように、金属マスクのスリット15、樹脂マスクの開口部の何れか一方のみが、蒸着源側に向かって広がりをもつ断面形状を有しているものであってもよい。なお、上記で説明したように、シャドウの発生をより効果的に防止するためには、金属マスクのスリット15、及び樹脂マスクの開口部25は、図3や、図9(d)に示すように、ともに蒸着源側に向かって広がりをもつ断面形状を有していることが好ましい。
上記階段状となっている断面における平坦部(図9における符号(X))の幅について特に限定はないが、平坦部(X)の幅が1μm未満である場合には、金属マスクのスリットの干渉により、シャドウの発生防止効果が低下する傾向にある。したがって、この点を考慮すると、平坦部(X)の幅は、1μm以上であることが好ましい。好ましい上限値については特に限定はなく、樹脂マスクの開口部の大きさや、隣り合う開口部の間隔等を考慮して適宜設定することができ、一例としては、20μm程度である。
なお、上記図9(a)~(d)では、スリットが縦方向に延びる場合に、当該スリット15と重なる開口部25が、横方向に1つ設けられた例を示しているが、図10に示すように、スリットが縦方向に延びる場合に、当該スリット15と重なる開口部25が、横方向に2つ以上設けられていてもよい。図10では、金属マスクのスリット15、及び樹脂マスクの開口部25は、ともに蒸着源側に向かって広がりをもつ断面形状を有しており、当該スリット15と重なる開口部25が、横方向に2つ以上設けられていている。
(蒸着マスクの製造方法)
次に、本発明の蒸着マスク装置の製造方法について説明する。
(第1の製造方法)
図6は、第1の製造方法を説明するための工程図である。なお(a)~(f)はすべて断面図である。
第1の製造方法は、スリットが設けられた金属マスクと樹脂板とを貼り合わせる工程と、金属を含むフレーム上に、前記樹脂板が貼り合わされた金属マスクを固定する工程と、前記金属マスク側からレーザーを照射し、前記樹脂板に蒸着作製するパターンに対応した開口部を縦横に複数列形成する工程と、を備えている。以下に各工程について説明する。
(スリットが設けられた金属マスクと樹脂板とを貼り合わせる工程)
まず、スリットが設けられた金属マスクを準備する。本方法において、準備される金属マスクの製造方法については特に限定されることはなく、所望のスリットが精度良く形成できる方法を適宜選択すればよい。
例えば、図6(a)に示すように、金属板61を用意し、その両面にレジスト材62を塗工する。用いるレジスト材としては処理性が良く、所望の解像性があるものを用いる。その後、スリットパターンが形成されたマスク63でレジスト材62をマスキングし、密着露光により露光し、現像する。これにより、図6(b)に示すように、金属板61の両面にレジストパターン64を形成する。次いで、このレジストパターンを耐エッチングマスクとして用いて2段エッチング法によりエッチング加工する。なお、2段エッチング法とは、金属板の両面にレジストパターンを形成し、片面側からのエッチングを行った後、形成された貫通していない凹部に耐エッチング性の樹脂、いわゆるバッキング材を充填し、その後に他面側からエッチングを行うことで貫通孔を形成する加工方法である。本方法においては、当該2段エッチング法ではなく、両面から同時にエッチングを行う方法を採用しても良いが、加工精度の観点からは2段エッチング法を用いることが好ましい。エッチングが終了したら、レジストパターンを洗浄除去する。これにより、図6(c)に示すように、金属板61に所望のスリット65が形成され、金属マスク66を得る。
図6(d)に示すように、金属マスク66と樹脂板67とを貼り合わせる。この方法についても特に限定されず、例えば各種粘着剤を用いてもよく、または自己粘着性を有する樹脂板を用いてもよい。なお、金属マスク66と樹脂板67の大きさは同一であってもよいが、この後に任意で行われるフレームへの固定を考慮して、樹脂板67の大きさを金属マスク66よりも小さくし、金属マスク66の外周部分が露出された状態としておくことが好ましい。
(金属を含むフレームに前記樹脂板が貼り合わされた金属マスクを固定する工程)
次に、図6(e)に示すように、金属を含むフレーム68に樹脂板67が貼り合わされた金属マスク66を固定する。本方法は固定方法を特に限定することなく、例えばスポット溶接など従来公知の工程方法を適宜採用すればよい。
(金属マスク側からレーザーを照射し、前記樹脂板に蒸着作製するパターンに対応した開口部を縦横に複数列形成する工程)
次に、金属マスク66側からスリット65を通してレーザーを照射し、前記樹脂板67に蒸着作製するパターンに対応した開口部69を縦横に複数列形成し、樹脂マスク70とする。ここで用いるレーザー装置については特に限定されることはなく、従来公知のレーザー装置を用いればよい。これにより、図6(f)に示すような、本発明の蒸着マスク装置80を得る。
(第2の製造方法)
図7は、第2の製造方法を説明するための工程図である。なお(a)~(f)はすべて断面図である。
第2の製造方法は、金属を含むフレーム上に、スリットが設けられた金属マスクを固定する工程と、前記フレームに固定された金属マスクと、樹脂板とを貼り合わせる工程と、前記金属マスク側からレーザーを照射し、前記樹脂板に蒸着作製するパターンに対応した開口部を縦横に複数列形成する工程と、を備えている。つまり、上記で説明した第1の製造方法においては、金属マスク66と樹脂板67とを貼り合わせた後にフレーム68で金属マスク66を固定しているが、第2の製造方法においては、はじめに金属マスク66をフレーム68に固定し、その後に樹脂板67を貼り合わせる。
つまり、第2の製造方法においては、図7(a)~(c)に示すように、金属マスク66を製造する工程については、前記第1の製造方法と同じであり、図7(d)に示すように、完成した金属マスク66を、金属を含むフレーム68に固定した後に、図7(e)に示すように、金属マスク66と樹脂板67とを貼り合わせる。その後、樹脂板67に開口部65を設けて蒸着マスク装置80とする工程については、図7(f)に示すように、前記第1の製造方法と同じである。
このように、第1および第2の製造方法によれば、いずれも完成した蒸着マスクをフレームに固定するのではなく、フレームに固定された状態の樹脂板に対し、後から開口部を設けているので、位置精度を格段に向上せしめることができる。なお、従来公知の方法では、開口が決定された金属マスクをフレームに対して引っ張りながら固定するために、開口位置座標精度は低下する。
また、フレームに固定された状態の樹脂板に開口部25を設けるに際し、蒸着作製するパターン、すなわち形成すべき開口部25に対応するパターンが予め設けられた基準板を準備し、この基準板を、樹脂板の金属マスク66が設けられていない側の面に貼り合せた状態で、金属マスク側から、基準板のパターンに対応するレーザー照射を行ってもよい。この方法によれば、樹脂板に貼り合わされた基準板のパターンを見ながらレーザー照射を行う、いわゆる向こう合わせの状態で、開口部25を形成することができ、開口の寸法精度が極めて高い高精細な開口部25を形成することができる。また、この方法は、フレームに固定された状態で開口部25の形成が行われることから、寸法精度のみならず、位置精度にも優れた蒸着マスクとすることができる。
なお、上記方法を用いる場合には、金属マスク66側から、樹脂板を介して基準板のパターンをレーザー照射装置等で認識することができることが必要である。樹脂板としては、ある程度の厚みを有する場合には透明性を有するものを用いることが必要となるが、上記で説明したように、シャドウの影響を考慮した好ましい厚み、例えば、3μm~25μm程度の厚みとする場合には、着色された樹脂板であっても、基準板のパターンを認識させることができる。
樹脂板と基準板との貼り合せ方法についても特に限定はなく、例えば、金属マスク66が磁性体である場合には、基準板の後方に磁石等を配置して、樹脂板と基準板とを引きつけることで貼り合せることができる。これ以外に、静電吸着法等を用いて貼り合せることもできる。基準板としては、例えば、所定の開口パターンを有するTFT基板や、フォトマスク等を挙げることができる。
(スリミング工程)
また、本発明の製造方法においては、上記で説明した工程間、或いは工程後にスリミング工程を行ってもよい。当該工程は、本発明の製造方法における任意の工程であり、金属マスク66の厚みや、樹脂マスク70の厚みを最適化する工程である。金属マスク66や樹脂マスク70の好ましい厚みとしては上記で説明した範囲内で適宜設定すればよく、ここでの詳細な説明は省略する。
たとえば、樹脂マスク70となる樹脂板67や金属マスク66となる金属板61として、上記で説明した好ましい厚みよりも厚いものを用いた場合には、製造工程中において、金属板61や樹脂板67を単独で搬送する際、凹部が設けられた金属板61上に樹脂板67が設けられた積層体を搬送する際、或いは、上記蒸着マスクを形成する工程で得られた蒸着マスク100を搬送する際に優れた耐久性や搬送性を付与することができる。一方で、シャドウの発生等を防止するためには、本発明の製造方法で得られる蒸着マスク100の厚みは最適な厚みであることが好ましい。スリミング工程は、製造工程間、或いは工程後において耐久性や搬送性を満足させつつ、蒸着マスク100の厚みを最適化する場合に有用な工程である。
金属マスク66となる金属板61や金属マスク66のスリミング、すなわち金属マスクの厚みの最適化は、上記で説明した工程間、或いは工程後に、金属板61の樹脂板67と接しない側の面、或いは金属マスク66の樹脂板67又は樹脂マスク20と接しない側の面を、金属板61や金属マスク66をエッチング可能なエッチング材を用いてエッチングすることで実現可能である。
樹脂マスク70となる樹脂板67や樹脂マスク70のスリミング、すなわち、樹脂板67、樹脂マスク70の厚みの最適化についても同様であり、上記で説明した何れかの工程間、或いは工程後に、樹脂板67の金属板61や金属マスク66と接しない側の面、或いは樹脂マスク70の金属マスク66と接しない側の面を、樹脂板67や樹脂マスク70の材料をエッチング可能なエッチング材を用いてエッチングすることで実現可能である。また、蒸着マスク100を形成した後に、金属マスク66、樹脂マスク70の双方をエッチング加工することで、双方の厚みを最適化することもできる。
(有機半導体素子の製造方法)
本発明の有機半導体素子の製造方法は、上記で説明した本発明の蒸着マスク100を用いて有機半導体素子を形成することを特徴とするものである。蒸着マスク100については、上記で説明した本発明の蒸着マスク100をそのまま用いることができ、ここでの詳細な説明は省略する。上記で説明した本発明の蒸着マスクによれば、当該蒸着マスク100が有する寸法精度の高い開口部25によって、高精細なパターンを有する有機半導体素子を形成することができる。本発明の製造方法で製造される有機半導体素子としては、例えば、有機EL素子の有機層、発光層や、カソード電極等を挙げることができる。特に、本発明の有機半導体素子の製造方法は、高精細なパターン精度が要求される有機EL素子のR、G、B発光層の製造に好適に用いることができる。
100…蒸着マスク
10、66…金属マスク
15…スリット
18…ブリッジ
20、70…樹脂マスク
25…開口部
80…蒸着マスク装置

Claims (8)

  1. フレーム一体型蒸着マスクであって、
    フレームと、前記フレームに固定された樹脂マスクと、を備え、
    前記樹脂マスクが、レーザー加工で形成された樹脂開口部を有する、
    フレーム一体型蒸着マスク。
  2. 前記樹脂マスクの厚みが3μm以上25μm以下である、
    請求項1に記載のフレーム一体型蒸着マスク。
  3. 前記樹脂開口部の断面形状が蒸着源方向に向かって広がりをもつ、
    請求項1又は2に記載のフレーム一体型蒸着マスク。
  4. 前記樹脂マスクが、熱膨張係数が16ppm以下の樹脂材料を含む、
    請求項1乃至3の何れか1項に記載のフレーム一体型蒸着マスク。
  5. 前記樹脂マスクが、吸湿率が1.0%以下の樹脂材料を含む、
    請求項1乃至4の何れか1項に記載のフレーム一体型蒸着マスク。
  6. 前記樹脂マスクが透明性を有する、
    請求項1乃至5の何れか1項に記載のフレーム一体型蒸着マスク。
  7. 請求項1乃至6の何れか1項に記載のフレーム一体型蒸着マスクを使用する、
    有機半導体素子の製造方法。
  8. 請求項1乃至6の何れか1項に記載のフレーム一体型蒸着マスクを使用する、
    パターンの形成方法。
JP2022164764A 2012-01-12 2022-10-13 フレーム一体型蒸着マスク、有機半導体素子の製造方法、及びパターンの形成方法 Pending JP2022179744A (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012004484 2012-01-12
JP2012004484 2012-01-12
JP2021016533A JP2021073382A (ja) 2012-01-12 2021-02-04 フレーム一体型蒸着マスク、有機半導体素子の製造方法、及びパターンの形成方法

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2021016533A Division JP2021073382A (ja) 2012-01-12 2021-02-04 フレーム一体型蒸着マスク、有機半導体素子の製造方法、及びパターンの形成方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2022179744A true JP2022179744A (ja) 2022-12-02

Family

ID=48781584

Family Applications (7)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2013003070A Active JP5288072B2 (ja) 2012-01-12 2013-01-11 蒸着マスク、蒸着マスク装置の製造方法、及び有機半導体素子の製造方法
JP2013117238A Active JP6209867B2 (ja) 2012-01-12 2013-06-03 樹脂板付き金属マスク
JP2017119535A Pending JP2017166074A (ja) 2012-01-12 2017-06-19 樹脂板付き金属マスク
JP2018241275A Pending JP2019052378A (ja) 2012-01-12 2018-12-25 樹脂板付き金属マスク、フレーム一体型の樹脂板付き金属マスク、及び蒸着マスクの製造方法
JP2020114766A Active JP6835283B2 (ja) 2012-01-12 2020-07-02 フレーム一体型の樹脂板付き金属マスク、フレーム一体型の蒸着マスクの製造方法、有機半導体素子の製造方法、及びパターンの形成方法
JP2021016533A Pending JP2021073382A (ja) 2012-01-12 2021-02-04 フレーム一体型蒸着マスク、有機半導体素子の製造方法、及びパターンの形成方法
JP2022164764A Pending JP2022179744A (ja) 2012-01-12 2022-10-13 フレーム一体型蒸着マスク、有機半導体素子の製造方法、及びパターンの形成方法

Family Applications Before (6)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2013003070A Active JP5288072B2 (ja) 2012-01-12 2013-01-11 蒸着マスク、蒸着マスク装置の製造方法、及び有機半導体素子の製造方法
JP2013117238A Active JP6209867B2 (ja) 2012-01-12 2013-06-03 樹脂板付き金属マスク
JP2017119535A Pending JP2017166074A (ja) 2012-01-12 2017-06-19 樹脂板付き金属マスク
JP2018241275A Pending JP2019052378A (ja) 2012-01-12 2018-12-25 樹脂板付き金属マスク、フレーム一体型の樹脂板付き金属マスク、及び蒸着マスクの製造方法
JP2020114766A Active JP6835283B2 (ja) 2012-01-12 2020-07-02 フレーム一体型の樹脂板付き金属マスク、フレーム一体型の蒸着マスクの製造方法、有機半導体素子の製造方法、及びパターンの形成方法
JP2021016533A Pending JP2021073382A (ja) 2012-01-12 2021-02-04 フレーム一体型蒸着マスク、有機半導体素子の製造方法、及びパターンの形成方法

Country Status (6)

Country Link
US (7) US9108216B2 (ja)
JP (7) JP5288072B2 (ja)
KR (6) KR102128735B1 (ja)
CN (9) CN105331928B (ja)
TW (7) TWI667138B (ja)
WO (1) WO2013105642A1 (ja)

Families Citing this family (102)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5895539B2 (ja) * 2012-01-12 2016-03-30 大日本印刷株式会社 蒸着マスク
CN105385990A (zh) 2012-01-12 2016-03-09 大日本印刷株式会社 拼版蒸镀掩模的制造方法及有机半导体元件的制造方法
KR102128735B1 (ko) * 2012-01-12 2020-07-01 다이니폰 인사츠 가부시키가이샤 수지판을 구비한 금속 마스크, 증착 마스크, 증착 마스크 장치의 제조 방법, 및 유기 반도체 소자의 제조 방법
JP5895540B2 (ja) * 2012-01-12 2016-03-30 大日本印刷株式会社 蒸着マスク
CN105789487B (zh) * 2012-01-12 2019-04-26 大日本印刷株式会社 蒸镀掩模的制造方法及有机半导体元件的制造方法
WO2014157068A1 (ja) * 2013-03-26 2014-10-02 大日本印刷株式会社 蒸着マスク、蒸着マスク準備体、蒸着マスクの製造方法、及び有機半導体素子の製造方法
CN107858642B (zh) * 2013-04-12 2020-04-21 大日本印刷株式会社 蒸镀掩模、蒸镀掩模准备体、蒸镀掩模的制造方法、及有机半导体元件的制造方法
CN105143497B (zh) 2013-04-12 2017-10-24 大日本印刷株式会社 蒸镀掩模、蒸镀掩模准备体、蒸镀掩模的制造方法、及有机半导体元件的制造方法
JP5455099B1 (ja) 2013-09-13 2014-03-26 大日本印刷株式会社 金属板、金属板の製造方法、および金属板を用いてマスクを製造する方法
JP6168944B2 (ja) * 2013-09-20 2017-07-26 株式会社ブイ・テクノロジー 成膜マスク
JP6331312B2 (ja) * 2013-09-30 2018-05-30 大日本印刷株式会社 蒸着マスクの製造方法、及び蒸着マスク準備体
JP2015067892A (ja) * 2013-09-30 2015-04-13 大日本印刷株式会社 蒸着マスク、及び有機半導体素子の製造方法
JP6394877B2 (ja) * 2013-09-30 2018-09-26 大日本印刷株式会社 蒸着マスク、蒸着マスクの製造方法、蒸着マスク準備体、フレーム付き蒸着マスク、及び有機半導体素子の製造方法
JP2015074826A (ja) * 2013-10-11 2015-04-20 株式会社ブイ・テクノロジー 成膜マスク及びその製造方法
JP5516816B1 (ja) 2013-10-15 2014-06-11 大日本印刷株式会社 金属板、金属板の製造方法、および金属板を用いて蒸着マスクを製造する方法
JP5780350B2 (ja) 2013-11-14 2015-09-16 大日本印刷株式会社 蒸着マスク、フレーム付き蒸着マスク、及び有機半導体素子の製造方法
JP6409701B2 (ja) * 2013-11-14 2018-10-24 大日本印刷株式会社 蒸着マスク、フレーム付き蒸着マスク、及び有機半導体素子の製造方法
JP6288497B2 (ja) * 2013-12-13 2018-03-07 株式会社ブイ・テクノロジー マスク及びその製造方法
JP6357312B2 (ja) * 2013-12-20 2018-07-11 株式会社ブイ・テクノロジー 成膜マスクの製造方法及び成膜マスク
KR102138625B1 (ko) * 2013-12-23 2020-07-29 엘지디스플레이 주식회사 박막 형성 장치
JP5846287B1 (ja) 2013-12-27 2016-01-20 大日本印刷株式会社 フレーム付き蒸着マスクの製造方法、引張装置、有機半導体素子の製造装置及び有機半導体素子の製造方法
JP6240960B2 (ja) * 2014-02-03 2017-12-06 株式会社ブイ・テクノロジー 成膜マスクの製造方法及び成膜マスク
JP2015148002A (ja) * 2014-02-07 2015-08-20 大日本印刷株式会社 蒸着マスク、蒸着マスク準備体、及び有機半導体素子の製造方法
JP6347112B2 (ja) * 2014-02-07 2018-06-27 大日本印刷株式会社 蒸着マスク、蒸着マスク準備体、蒸着マスクの製造方法、パターンの製造方法、フレーム付き蒸着マスク、及び有機半導体素子の製造方法
CN103882375B (zh) * 2014-03-12 2016-03-09 京东方科技集团股份有限公司 一种掩膜板及其制作方法
JP6326885B2 (ja) * 2014-03-19 2018-05-23 大日本印刷株式会社 蒸着マスク、蒸着マスク準備体、及び有機半導体素子の製造方法
JP6511908B2 (ja) 2014-03-31 2019-05-15 大日本印刷株式会社 蒸着マスクの引張方法、フレーム付き蒸着マスクの製造方法、有機半導体素子の製造方法、及び引張装置
CN103952666B (zh) * 2014-04-22 2016-02-10 四川虹视显示技术有限公司 蒸镀掩膜板张紧方法
CN103981485B (zh) * 2014-05-09 2016-07-06 合肥鑫晟光电科技有限公司 掩膜板及其制造方法
JP5641462B1 (ja) 2014-05-13 2014-12-17 大日本印刷株式会社 金属板、金属板の製造方法、および金属板を用いてマスクを製造する方法
CN106536784B (zh) * 2014-06-06 2019-08-30 大日本印刷株式会社 蒸镀掩模及其前体、以及有机半导体元件的制造方法
US10573815B2 (en) 2014-06-06 2020-02-25 Dai Nippon Printing Co., Ltd. Vapor deposition mask, frame-equipped vapor deposition mask, vapor deposition mask preparation body, and method for producing organic semiconductor element
JP6323266B2 (ja) * 2014-09-03 2018-05-16 大日本印刷株式会社 蒸着マスクの検査方法
US20170311411A1 (en) * 2014-10-23 2017-10-26 Sharp Kabushiki Kaisha Deposition-mask manufacturing method, deposition mask, deposition device, and deposition method
DE102014116076A1 (de) * 2014-11-04 2016-05-04 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zum Aufbringen eines Materials auf einer Oberfläche
JP6375906B2 (ja) * 2014-12-02 2018-08-22 大日本印刷株式会社 蒸着マスク、蒸着マスク準備体、フレーム付き蒸着マスク及び有機半導体素子の製造方法
WO2016117535A1 (ja) * 2015-01-20 2016-07-28 シャープ株式会社 蒸着マスク、製造方法
JP5994952B2 (ja) * 2015-02-03 2016-09-21 大日本印刷株式会社 蒸着マスクの製造方法、蒸着マスク製造装置、レーザー用マスクおよび有機半導体素子の製造方法
TWI671411B (zh) 2015-02-10 2019-09-11 日商大日本印刷股份有限公司 有機el顯示裝置用蒸鍍遮罩之製造方法、欲製作有機el顯示裝置用蒸鍍遮罩所使用之金屬板及其製造方法
US10947616B2 (en) 2015-04-17 2021-03-16 Dai Nippon Printing Co., Ltd. Method for forming vapor deposition pattern, pressing-plate-integrated type pressing member, vapor deposition apparatus, and method for producing organic semiconductor element
CH711107A1 (de) * 2015-05-20 2016-11-30 Glas Trösch Holding AG Kopplungsvorrichtung für die thermogravimetrische Analyse.
JP2017008342A (ja) * 2015-06-17 2017-01-12 株式会社ブイ・テクノロジー 成膜マスク及び成膜マスクの製造方法
CN112176284B (zh) * 2015-07-03 2023-09-01 大日本印刷株式会社 制造蒸镀掩模、有机半导体元件和有机el显示器的方法、蒸镀掩模准备体、及蒸镀掩模
JP6160747B2 (ja) * 2015-07-03 2017-07-12 大日本印刷株式会社 蒸着マスクの製造方法、蒸着マスク準備体、有機半導体素子の製造方法、及び蒸着マスク
WO2017045122A1 (en) * 2015-09-15 2017-03-23 Applied Materials, Inc. A shadow mask for organic light emitting diode manufacture
KR102430444B1 (ko) 2015-12-18 2022-08-09 삼성디스플레이 주식회사 마스크 조립체, 이를 이용한 표시 장치의 제조 장치 및 표시 장치의 제조 방법
CN112030102B (zh) * 2016-02-10 2022-12-06 鸿海精密工业股份有限公司 蒸镀掩模的制造方法
JP2017150017A (ja) 2016-02-23 2017-08-31 株式会社ジャパンディスプレイ 蒸着マスクの製造方法及び有機elディスプレイの製造方法
CN108779549B (zh) * 2016-03-18 2021-04-06 鸿海精密工业股份有限公司 蒸镀遮罩、蒸镀遮罩的制造方法及有机半导体元件的制造方法
US10927443B2 (en) 2016-03-29 2021-02-23 Hon Hai Precision Industry Co., Ltd. Vapor deposition mask, method for manufacturing vapor deposition mask, vapor deposition method, and method for manufacturing organic el display device
JP6465075B2 (ja) * 2016-05-26 2019-02-06 大日本印刷株式会社 蒸着マスク、フレーム付き蒸着マスク、有機半導体素子の製造方法、及びに有機elディスプレイの製造方法
JP7017032B2 (ja) 2016-06-28 2022-02-08 大日本印刷株式会社 蒸着マスク、有機半導体素子の製造方法、および有機elディスプレイの製造方法
WO2018003766A1 (ja) 2016-06-28 2018-01-04 大日本印刷株式会社 蒸着マスク、有機半導体素子の製造方法、および有機elディスプレイの製造方法
KR102632617B1 (ko) * 2016-08-08 2024-02-02 삼성디스플레이 주식회사 마스크 조립체, 이를 이용한 표시 장치의 제조장치, 이를 이용한 표시 장치의 제조방법 및 표시 장치
KR102624714B1 (ko) * 2016-09-12 2024-01-12 삼성디스플레이 주식회사 마스크 및 이를 포함하는 마스크 조립체의 제조방법
US10727409B2 (en) 2016-09-13 2020-07-28 Lg Innotek Co., Ltd. Metal plate for deposition mask, and deposition mask and manufacturing method therefor
KR102455363B1 (ko) * 2016-09-29 2022-10-18 다이니폰 인사츠 가부시키가이샤 증착 마스크 곤포체 및 증착 마스크 곤포 방법
KR20220032648A (ko) * 2016-09-30 2022-03-15 다이니폰 인사츠 가부시키가이샤 증착 마스크, 프레임 부착 증착 마스크, 증착 마스크 준비체, 증착 패턴 형성 방법, 유기 반도체 소자의 제조 방법, 유기 el 디스플레이의 제조 방법
JP6922179B2 (ja) * 2016-09-30 2021-08-18 大日本印刷株式会社 蒸着マスク、有機半導体素子の製造方法、及び有機elディスプレイの製造方法
CN107636191B (zh) * 2016-09-30 2020-01-21 深圳市柔宇科技有限公司 用于oled蒸镀的金属遮罩及oled蒸镀方法
JP6926435B2 (ja) * 2016-10-03 2021-08-25 大日本印刷株式会社 蒸着マスクの製造方法、及び有機半導体素子の製造方法、並びに有機elディスプレイの製造方法
WO2018066611A1 (ja) 2016-10-06 2018-04-12 大日本印刷株式会社 蒸着マスクの製造方法、有機半導体素子の製造方法、及び有機elディスプレイの製造方法
KR20220104846A (ko) 2016-10-07 2022-07-26 다이니폰 인사츠 가부시키가이샤 증착 마스크의 제조 방법, 증착 마스크가 배치된 중간 제품 및 증착 마스크
US20180183014A1 (en) * 2016-12-27 2018-06-28 Int Tech Co., Ltd. Light emitting device
JP6620899B2 (ja) * 2017-03-31 2019-12-18 大日本印刷株式会社 蒸着マスク、フレーム付き蒸着マスク、蒸着マスク準備体、蒸着パターン形成方法および有機半導体素子の製造方法
CN107058945B (zh) * 2017-04-20 2020-07-07 京东方科技集团股份有限公司 掩膜板
CN206706184U (zh) * 2017-05-12 2017-12-05 京东方科技集团股份有限公司 掩模板以及掩模片
KR102300029B1 (ko) * 2017-07-27 2021-09-09 삼성디스플레이 주식회사 마스크 프레임 조립체와 이의 제조 방법 및 표시 장치의 제조 방법
US20190044068A1 (en) * 2017-08-01 2019-02-07 Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Dis play Technology Co., Ltd. Mask plate
US10510959B2 (en) 2017-08-22 2019-12-17 Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. Commissioning method and vapor deposition machine
CN107523787B (zh) * 2017-08-22 2019-08-02 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种调试方法及蒸镀机
US10439138B2 (en) * 2017-08-31 2019-10-08 Sakai Display Products Corporation Method for producing deposition mask
JP6497596B2 (ja) * 2017-09-14 2019-04-10 大日本印刷株式会社 蒸着マスク装置の中間体
KR102411536B1 (ko) * 2017-10-11 2022-06-22 삼성디스플레이 주식회사 증착 마스크 제조방법 및 제조장치
US11121321B2 (en) * 2017-11-01 2021-09-14 Emagin Corporation High resolution shadow mask with tapered pixel openings
KR102399595B1 (ko) * 2017-11-21 2022-05-19 엘지이노텍 주식회사 금속판 및 이를 이용한 증착용 마스크
JP6496086B1 (ja) * 2017-12-25 2019-04-03 堺ディスプレイプロダクト株式会社 蒸着マスク、蒸着方法及び有機el表示装置の製造方法
CN108227989B (zh) * 2018-01-02 2021-03-05 京东方科技集团股份有限公司 触控基板及其制备方法、金属掩膜板以及显示装置
CN108281575B (zh) * 2018-01-26 2020-08-14 京东方科技集团股份有限公司 掩膜板及其制作方法
JP6583446B2 (ja) * 2018-01-31 2019-10-02 大日本印刷株式会社 蒸着マスク、及び有機半導体素子の製造方法
JP6996997B2 (ja) 2018-02-03 2022-01-17 日鉄ケミカル&マテリアル株式会社 金属張積層板及びその製造方法
JP6658790B2 (ja) * 2018-04-19 2020-03-04 大日本印刷株式会社 蒸着マスク、フレーム付き蒸着マスク、蒸着マスク準備体、蒸着マスクの製造方法、有機半導体素子の製造方法、有機elディスプレイの製造方法、及びパターンの形成方法
CN108914055B (zh) * 2018-07-05 2020-07-17 京东方科技集团股份有限公司 一种掩模板及蒸镀设备
JP7110776B2 (ja) * 2018-07-11 2022-08-02 大日本印刷株式会社 蒸着マスク、蒸着マスクの製造方法および有機el表示装置の製造方法
CN109166984A (zh) * 2018-09-12 2019-01-08 苏州蓝沛光电科技有限公司 用于oled面板的掩模及其制造方法
CN109161853B (zh) * 2018-09-25 2020-12-18 合肥京东方光电科技有限公司 蒸镀设备以及蒸镀方法
KR102137168B1 (ko) * 2018-10-15 2020-07-24 엘지전자 주식회사 박막 메탈 마스크용 가공방법 및 이를 이용한 박막 메탈 마스크
CN109208888A (zh) * 2018-10-22 2019-01-15 中国二冶集团有限公司 建筑工程废旧模板再利用装置
JP7406717B2 (ja) 2018-12-25 2023-12-28 大日本印刷株式会社 蒸着マスク
US11773477B2 (en) 2018-12-25 2023-10-03 Dai Nippon Printing Co., Ltd. Deposition mask
US11056277B2 (en) 2018-12-28 2021-07-06 Applied Materials, Inc. Magnetized substrate carrier apparatus with shadow mask for deposition
CN109746141A (zh) * 2019-01-29 2019-05-14 杨鑫鹏 一种家具漆面维修用木纹喷涂板及其喷涂方法和制作工艺
CN109881147A (zh) * 2019-02-01 2019-06-14 云谷(固安)科技有限公司 蒸镀用掩膜板、制备方法、oled显示基板及显示装置
US10957512B1 (en) * 2019-09-25 2021-03-23 Applied Materials, Inc. Method and device for a carrier proximity mask
US11805678B2 (en) * 2019-11-21 2023-10-31 Samsung Display Co., Ltd. Display device, mask assembly, method of manufacturing the mask assembly, apparatus for manufacturing the display device, and method of manufacturing the display device
KR20210091382A (ko) 2020-01-13 2021-07-22 삼성디스플레이 주식회사 마스크, 이의 제조 방법, 및 표시 패널 제조 방법
KR20210113526A (ko) * 2020-03-06 2021-09-16 삼성디스플레이 주식회사 마스크의 제조 방법, 이에 따라 제조된 마스크 및 이를 이용한 표시 장치의 제조 방법
JP2021175824A (ja) * 2020-03-13 2021-11-04 大日本印刷株式会社 有機デバイスの製造装置の蒸着室の評価方法、評価方法で用いられる標準マスク装置及び標準基板、標準マスク装置の製造方法、評価方法で評価された蒸着室を備える有機デバイスの製造装置、評価方法で評価された蒸着室において形成された蒸着層を備える有機デバイス、並びに有機デバイスの製造装置の蒸着室のメンテナンス方法
CN113817981B (zh) * 2020-06-18 2022-09-30 中国科学技术大学 掩膜版及其制作方法
KR20220016383A (ko) * 2020-07-31 2022-02-09 삼성디스플레이 주식회사 마스크 및 마스크의 제조방법
CN113224105B (zh) * 2021-07-08 2021-09-28 苏州芯聚半导体有限公司 彩色化制作方法、彩色基板及显示装置
KR20230020035A (ko) * 2021-08-02 2023-02-10 삼성디스플레이 주식회사 증착용 마스크

Family Cites Families (79)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5948059A (ja) 1982-09-13 1984-03-19 Dainippon Ink & Chem Inc 変性ステビオシド
JPS6376859A (ja) * 1986-09-19 1988-04-07 Matsushita Electric Ind Co Ltd 蒸着用マスクとその製造法
JP3017752B2 (ja) 1989-07-26 2000-03-13 村上スクリーン株式会社 印刷用メタルマスクおよびその製造方法
JPH07300664A (ja) 1994-04-28 1995-11-14 Fujitsu Ltd メタルマスクの製造方法とその再生方法
US6045671A (en) * 1994-10-18 2000-04-04 Symyx Technologies, Inc. Systems and methods for the combinatorial synthesis of novel materials
EP0787558B1 (en) 1995-08-24 2001-12-19 Kabushiki Kaisha Toshiba Method of manufacturing reflector
JPH09143758A (ja) 1995-11-22 1997-06-03 Nippon Steel Corp 容器用樹脂被覆金属板およびその樹脂被覆金属板を有する缶体
JP2000173769A (ja) 1998-12-03 2000-06-23 Toray Ind Inc 有機電界発光素子の製造方法
US6469439B2 (en) 1999-06-15 2002-10-22 Toray Industries, Inc. Process for producing an organic electroluminescent device
US20100261159A1 (en) * 2000-10-10 2010-10-14 Robert Hess Apparatus for assay, synthesis and storage, and methods of manufacture, use, and manipulation thereof
JP2002220656A (ja) * 2000-11-22 2002-08-09 Sanyo Electric Co Ltd 蒸着用マスクおよびその製造方法
JP4092914B2 (ja) * 2001-01-26 2008-05-28 セイコーエプソン株式会社 マスクの製造方法、有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法
JP4096567B2 (ja) 2001-01-31 2008-06-04 東レ株式会社 統合マスク、ならびに統合マスクを用いた有機el素子の製造方法およびその製造装置
US7396558B2 (en) 2001-01-31 2008-07-08 Toray Industries, Inc. Integrated mask and method and apparatus for manufacturing organic EL device using the same
JP4635348B2 (ja) * 2001-02-08 2011-02-23 凸版印刷株式会社 パターン形成用マスクおよびそれを使用したパターン形成装置
JP2003332057A (ja) 2002-05-16 2003-11-21 Dainippon Printing Co Ltd 有機el素子製造に用いる真空蒸着用多面付けマスク装置
WO2003019988A1 (fr) * 2001-08-24 2003-03-06 Dai Nippon Printing Co., Ltd. Dispositif de masque de formation a plusieurs faces pour depot sous vide
KR100490534B1 (ko) * 2001-12-05 2005-05-17 삼성에스디아이 주식회사 유기 전자 발광 소자의 박막 증착용 마스크 프레임 조립체
JP2003231964A (ja) 2001-12-05 2003-08-19 Toray Ind Inc 蒸着マスクおよびその製造方法並びに有機電界発光装置およびその製造方法
US6897164B2 (en) 2002-02-14 2005-05-24 3M Innovative Properties Company Aperture masks for circuit fabrication
JP2003272838A (ja) * 2002-03-14 2003-09-26 Dainippon Printing Co Ltd マスキング部材
JP2004043898A (ja) 2002-07-12 2004-02-12 Canon Electronics Inc 蒸着用マスク、および有機エレクトロルミネセンス表示装置
JP2004055231A (ja) * 2002-07-17 2004-02-19 Dainippon Printing Co Ltd 有機el素子製造に用いる真空蒸着用多面付けメタルマスク
JP4104964B2 (ja) * 2002-12-09 2008-06-18 日本フイルコン株式会社 パターニングされたマスク被膜と支持体からなる積層構造の薄膜パターン形成用マスク及びその製造方法
JP3990307B2 (ja) * 2003-03-24 2007-10-10 株式会社クラレ 樹脂成形品の製造方法、金属構造体の製造方法、チップ
KR100534580B1 (ko) 2003-03-27 2005-12-07 삼성에스디아이 주식회사 표시장치용 증착 마스크 및 그의 제조방법
KR100903465B1 (ko) * 2003-06-23 2009-06-18 미쓰이 가가쿠 가부시키가이샤 감광성 조성물 및 그것을 사용한 프린트 배선 기판의 제조방법
US9236279B2 (en) 2003-06-27 2016-01-12 Lam Research Corporation Method of dielectric film treatment
JP2005042147A (ja) * 2003-07-25 2005-02-17 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 蒸着用マスクの製造方法および蒸着用マスク
JP2005146338A (ja) * 2003-11-14 2005-06-09 Sony Corp 蒸着マスク
JP2005154879A (ja) * 2003-11-28 2005-06-16 Canon Components Inc 蒸着用メタルマスク及びそれを用いた蒸着パターンの製造方法
JP2005174843A (ja) 2003-12-15 2005-06-30 Sony Corp 蒸着用マスクおよびその製造方法
JP4434809B2 (ja) * 2004-03-29 2010-03-17 三洋電機株式会社 半導体装置の製造方法
JP2008226859A (ja) * 2004-10-22 2008-09-25 Seiko Epson Corp 有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法、及び有機エレクトロルミネッセンス装置
JP4329740B2 (ja) 2004-10-22 2009-09-09 セイコーエプソン株式会社 有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法、及び有機エレクトロルミネッセンス装置
WO2006067836A1 (ja) 2004-12-21 2006-06-29 Ulvac Singapore Pte Ltd. 成膜用マスク及びマスク組立治具
JP4438710B2 (ja) 2005-07-20 2010-03-24 セイコーエプソン株式会社 マスク、マスクチップ、マスクの製造方法及びマスクチップの製造方法
JP5008849B2 (ja) 2005-09-08 2012-08-22 ソニーモバイルディスプレイ株式会社 レーザ加工方法及び透明樹脂層を有する表示装置の製造方法
US20070148337A1 (en) 2005-12-22 2007-06-28 Nichols Jonathan A Flame-perforated aperture masks
CN100482848C (zh) * 2006-06-12 2009-04-29 友达光电股份有限公司 屏蔽、应用其的蒸镀装置和显示面板制造方法
JP2008121060A (ja) * 2006-11-10 2008-05-29 Mitsubishi Paper Mills Ltd 樹脂付き真空成膜用マスクの作製方法及び樹脂付き真空成膜用マスク
KR20080045886A (ko) * 2006-11-21 2008-05-26 삼성전자주식회사 유기막 증착용 마스크 및 그 제조방법, 이를 포함하는유기전계 발광표시장치의 제조방법
JP5255224B2 (ja) 2007-03-29 2013-08-07 三菱製紙株式会社 スクリーン印刷用マスクおよびスクリーン印刷用マスクの作製方法
JP2008255449A (ja) * 2007-04-09 2008-10-23 Kyushu Hitachi Maxell Ltd 蒸着マスクとその製造方法
CN100580905C (zh) 2007-04-20 2010-01-13 晶能光电(江西)有限公司 获得在分割衬底上制造的半导体器件的高质量边界的方法
JP2008274373A (ja) * 2007-05-02 2008-11-13 Optnics Precision Co Ltd 蒸着用マスク
KR20080111967A (ko) 2007-06-20 2008-12-24 삼성전기주식회사 섀도우 마스크
JP2009041054A (ja) 2007-08-07 2009-02-26 Sony Corp 蒸着用マスクおよびその製造方法ならびに表示装置の製造方法
JP4985227B2 (ja) * 2007-08-24 2012-07-25 大日本印刷株式会社 蒸着マスク、蒸着マスク装置、蒸着マスクの製造方法、蒸着マスク装置の製造方法、および、蒸着マスク用シート状部材の製造方法
JP2009052073A (ja) * 2007-08-24 2009-03-12 Dainippon Printing Co Ltd 蒸着マスク付シート、蒸着マスク装置の製造方法、および、蒸着マスク付シートの製造方法
JP2009107208A (ja) * 2007-10-30 2009-05-21 Mitsubishi Paper Mills Ltd スクリーン印刷用マスク及びスクリーン印刷用マスクの作製方法
KR101450728B1 (ko) 2008-05-28 2014-10-14 삼성디스플레이 주식회사 마스크 조립체 및 그의 제조 방법
JP5239800B2 (ja) 2008-07-24 2013-07-17 富士ゼロックス株式会社 光導波路フィルム及びその製造方法、並びに、光送受信モジュール
KR20100026655A (ko) 2008-09-01 2010-03-10 삼성모바일디스플레이주식회사 박막 증착용 마스크 및 이를 이용한 유기전계발광 소자의 제조방법
KR101117645B1 (ko) 2009-02-05 2012-03-05 삼성모바일디스플레이주식회사 마스크 조립체 및 이를 이용한 평판표시장치용 증착 장치
JP5323581B2 (ja) 2009-05-08 2013-10-23 三星ディスプレイ株式會社 蒸着方法及び蒸着装置
KR101135544B1 (ko) * 2009-09-22 2012-04-17 삼성모바일디스플레이주식회사 마스크 조립체, 이의 제조 방법 및 이를 이용한 평판표시장치용 증착 장치
US9024312B2 (en) 2009-09-30 2015-05-05 Dai Nippon Printing Co., Ltd. Substrate for flexible device, thin film transistor substrate for flexible device, flexible device, substrate for thin film element, thin film element, thin film transistor, method for manufacturing substrate for thin film element, method for manufacturing thin film element, and method for manufacturing thin film transistor
JP5585813B2 (ja) 2010-02-05 2014-09-10 株式会社ブイ・テクノロジー レーザ加工装置
JP5379717B2 (ja) 2010-02-24 2013-12-25 株式会社アルバック 蒸着用マスク
WO2011111134A1 (ja) * 2010-03-09 2011-09-15 シャープ株式会社 蒸着マスク、蒸着装置及び蒸着方法
KR101434084B1 (ko) * 2010-05-28 2014-09-22 샤프 가부시키가이샤 증착 마스크 및 이것을 사용한 유기el 소자의 제조 방법과 제조 장치
JP2012015463A (ja) 2010-07-05 2012-01-19 V Technology Co Ltd Yagレーザアニーリング装置及びyagレーザ光によるアニーリング方法
JP2013021165A (ja) 2011-07-12 2013-01-31 Sony Corp 蒸着用マスク、蒸着用マスクの製造方法、電子素子および電子素子の製造方法
JP5517308B2 (ja) 2011-11-22 2014-06-11 株式会社ブイ・テクノロジー マスクの製造方法、マスク及びマスクの製造装置
JP5899585B2 (ja) * 2011-11-04 2016-04-06 株式会社ブイ・テクノロジー マスクの製造方法
KR102078888B1 (ko) 2011-09-16 2020-02-19 브이 테크놀로지 씨오. 엘티디 증착 마스크, 증착 마스크의 제조 방법 및 박막 패턴 형성 방법
JP5884543B2 (ja) * 2011-09-16 2016-03-15 株式会社ブイ・テクノロジー 薄膜パターン形成方法、マスクの製造方法及び有機el表示装置の製造方法
JP5515025B2 (ja) * 2011-10-06 2014-06-11 株式会社ブイ・テクノロジー マスク、それに使用するマスク用部材、マスクの製造方法及び有機el表示用基板の製造方法
JP5804457B2 (ja) * 2011-10-06 2015-11-04 株式会社ブイ・テクノロジー マスク
JP5935179B2 (ja) * 2011-12-13 2016-06-15 株式会社ブイ・テクノロジー 蒸着マスク及び蒸着マスクの製造方法
CN105385990A (zh) * 2012-01-12 2016-03-09 大日本印刷株式会社 拼版蒸镀掩模的制造方法及有机半导体元件的制造方法
CN105789487B (zh) * 2012-01-12 2019-04-26 大日本印刷株式会社 蒸镀掩模的制造方法及有机半导体元件的制造方法
KR102128735B1 (ko) * 2012-01-12 2020-07-01 다이니폰 인사츠 가부시키가이샤 수지판을 구비한 금속 마스크, 증착 마스크, 증착 마스크 장치의 제조 방법, 및 유기 반도체 소자의 제조 방법
CN103205704A (zh) * 2012-01-16 2013-07-17 昆山允升吉光电科技有限公司 蒸镀用掩模板
KR101978190B1 (ko) 2012-11-29 2019-05-15 삼성디스플레이 주식회사 편광 소자 및 이의 제조방법
CN103045996A (zh) * 2012-12-10 2013-04-17 陕西科技大学 一种有机电致发光器件蒸镀用掩模板调节装置
JP6357312B2 (ja) * 2013-12-20 2018-07-11 株式会社ブイ・テクノロジー 成膜マスクの製造方法及び成膜マスク
WO2017130440A1 (ja) * 2016-01-26 2017-08-03 鴻海精密工業股▲ふん▼有限公司 蒸着マスク、その製造方法及びその蒸着マスクを使った有機発光ダイオードの製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
TWI622662B (zh) 2018-05-01
US20180318864A1 (en) 2018-11-08
CN105349946A (zh) 2016-02-24
JP2019052378A (ja) 2019-04-04
JP6835283B2 (ja) 2021-02-24
CN104053813B (zh) 2015-11-25
KR102085707B1 (ko) 2020-03-06
CN105336855B (zh) 2020-08-04
TW202026139A (zh) 2020-07-16
US10894267B2 (en) 2021-01-19
CN105322101A (zh) 2016-02-10
TW201540855A (zh) 2015-11-01
KR102128735B1 (ko) 2020-07-01
JP5288072B2 (ja) 2013-09-11
JP2013216978A (ja) 2013-10-24
TWI687315B (zh) 2020-03-11
CN105331934A (zh) 2016-02-17
CN105336855A (zh) 2016-02-17
KR20140090267A (ko) 2014-07-16
KR20140102234A (ko) 2014-08-21
KR20210046847A (ko) 2021-04-28
TWI667138B (zh) 2019-08-01
US10391511B2 (en) 2019-08-27
WO2013105642A1 (ja) 2013-07-18
KR20200024963A (ko) 2020-03-09
US10189042B2 (en) 2019-01-29
JP2013163864A (ja) 2013-08-22
TW201825274A (zh) 2018-07-16
JP2017166074A (ja) 2017-09-21
KR20190045394A (ko) 2019-05-02
TWI720818B (zh) 2021-03-01
CN105322103A (zh) 2016-02-10
CN105322102A (zh) 2016-02-10
CN105322103B (zh) 2019-01-25
KR101972920B1 (ko) 2019-08-23
JP2021073382A (ja) 2021-05-13
US10160000B2 (en) 2018-12-25
US9527098B2 (en) 2016-12-27
KR20200077625A (ko) 2020-06-30
TWI560293B (ja) 2016-12-01
CN105322102B (zh) 2018-12-07
CN105331928B (zh) 2018-11-16
TW201706431A (zh) 2017-02-16
CN105331927A (zh) 2016-02-17
CN105331928A (zh) 2016-02-17
US20190329277A1 (en) 2019-10-31
TWI479041B (zh) 2015-04-01
TWI498434B (zh) 2015-09-01
CN104053813A (zh) 2014-09-17
JP2020158890A (ja) 2020-10-01
KR101439218B1 (ko) 2014-09-12
CN105331927B (zh) 2018-09-11
US11511301B2 (en) 2022-11-29
US20150037928A1 (en) 2015-02-05
US9108216B2 (en) 2015-08-18
US20190070625A1 (en) 2019-03-07
TW201435111A (zh) 2014-09-16
JP6209867B2 (ja) 2017-10-11
TW201343943A (zh) 2013-11-01
US20160325300A1 (en) 2016-11-10
US20150251205A1 (en) 2015-09-10
TW201936375A (zh) 2019-09-16
CN105322101B (zh) 2019-04-05
US20210069739A1 (en) 2021-03-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2022179744A (ja) フレーム一体型蒸着マスク、有機半導体素子の製造方法、及びパターンの形成方法
JP6725890B2 (ja) 蒸着マスクの製造方法、パターンの製造方法、及び有機半導体素子の製造方法
KR102218952B1 (ko) 증착 마스크, 증착 마스크 준비체, 증착 마스크의 제조 방법 및 유기 반도체 소자의 제조 방법
JP6601483B2 (ja) 蒸着マスク、蒸着マスク準備体、蒸着マスクの製造方法、及び有機半導体素子の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20221013

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20231205

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20240118

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20240403