JP2021507212A - ガリウムおよび窒素を含有するレーザー光源を含むidarシステム - Google Patents

ガリウムおよび窒素を含有するレーザー光源を含むidarシステム Download PDF

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Abstract

少なくともガリウムおよび窒素を含有するレーザーダイオードと波長変換部材とを担持する統合型パッケージを有するレーザーダイオードベースの照光システムを含む、可動機械である。ガリウムおよび窒素を含有するレーザーダイオードは、第1のピーク波長を有する第1のレーザービームを放射するように構成される。波長変換部材は、第1のピーク波長を有する第1のレーザービームを少なくとも部分的に受信して、第1のピーク波長よりも長い第2のピーク波長を有する放射を励起し、第2のピーク波長と第1のピーク波長とを混合した白色光を生成するように構成される。可動機械は、第2のレーザービームを生成し、第2のレーザービームを操作して遠隔距離にある標的対象の空間マップを感知するように構成される、光検出および測距(LIDAR)システムをさらに有する。

Description

関連出願の相互参照
この出願は、その全体の内容が全ての目的のために参照により本明細書に組み込まれる2017年12月13日出願の米国仮特許出願第15/841,053号の利益を主張するものである。
1800年代後期、トーマス・エジソンは、電球を発明した。2014年10月7日、物理分野のノーベル賞は、「高輝度の省エネルギー型の白色光源を実現する効率のよい青色発光ダイオードの発明」またはやや砕けていえばLEDランプについて、赤崎勇、天野浩、および中村修二に授与された。LEDは成功しているが、他のLEDの応用が望まれている。
一実施形態では、本発明は、LIDARを含む装置を提供する。一実施形態では、この装置は、少なくともガリウムおよび窒素を含有するレーザーダイオードと波長変換部材とを担持する統合型パッケージを含む、レーザーダイオードベースの照光システムを有する。一実施形態では、ガリウムおよび窒素を含有するレーザーダイオードは、第1のピーク波長を有する第1のレーザービームを放射するように構成される。波長変換部材は、第1のピーク波長を有する第1のレーザービームを少なくとも部分的に受信して、第1のピーク波長よりも長い第2のピーク波長を有する放射を励起し、第2のピーク波長と第1のピーク波長とを混合した白色光を生成するように構成される。装置は、第2のレーザービームを生成し、第2のレーザービームを操作して遠隔距離にある標的対象の空間マップを感知するように構成される、光検出および測距(LIDAR)システムを有する。本願装置および関連手法のさらに別の詳細は、本願明細書を通して、およびさらに具体的には下記に、見出される。
本発明の一実施形態による表面実装型パッケージにおける反射モードで動作するレーザーベースの白色光源の模式図である。 本発明の別の実施形態による表面実装型パッケージにおける反射モードで動作するレーザーベースの白色光源の模式図である。 本発明の別の実施形態による表面実装型パッケージにおける側面ポンピング型の蛍リン光体により動作するレーザーベースの白色光源の模式図である。 関連分野のLIDARの簡略化されたブロック図である。 本発明の一部の実施形態によるLIDARシステムおよびレーザーベースの可視光源の両方の装置の模式図である。 本発明の一部の実施形態による自動車の装置を使用のする際の例示的な図である。 本発明の一部の実施形態によるLIDARシステムに統合されたレーザー光照明システムの簡略化された模式図である。 本発明の一部の代替の実施形態によるLIDARシステムに統合されたレーザー光照明システムの簡略化された模式図である。 光の波長の関数としての純水吸収の吸収スペクトルのプロットである。 本発明の一部の実施形態によるレーザー照明照光システムおよびLIDARシステムを備え付けた可動機械の模式図である。 本発明の一部の代替の実施形態によるレーザー照明照光システムおよびLIDARシステムを備え付けた可動機械の模式図である。 本発明の一部の代替の実施形態によるレーザー照明照光システムおよびLIDARシステムを備え付けた可動機械の模式図である。 本発明の一部の実施形態による追加のLIDARマッピングレーザーを含むLIDARシステムに統合されたレーザー光照明システムの簡略化されたブロック図である。 本発明の一部の代替の実施形態による追加のLIDARマッピングレーザーを含むLIDARシステムに統合されたレーザー光照明システムの簡略化されたブロック図である。 本発明の一部の代替の実施形態による追加のLIDARマッピングレーザーを含むLIDARシステムに統合されたレーザー光照明システムの簡略化されたブロック図である。 本発明の一実施形態による可視光通信を可能にするレーザーベースの白色光源機能のブロック図である。 本発明の別の実施形態による可視光通信を可能にするレーザーベースの白色光源機能のブロック図である。 本発明の一部の実施形態による動的光源の機能ブロック図である。 本発明の一例によるビーム操向部品を有する封入された動的光源の模式図である。 本発明の一実施形態による反射アーキテクチャを有するスキャンされた蛍リン光体の表示の模式図である。 本発明の一実施形態による伝送アーキテクチャを有するスキャンされた蛍リン光体の表示の模式図である。 本発明の代替の一実施形態による反射アーキテクチャを有するスキャンされた蛍リン光体の表示の模式図である。 本発明の一部の実施形態による可視光通信のための投射光として青色レーザーに基づく白色レーザー光源を使用する際の模式図である。 本発明の一実施形態による光スポットの強度およびスペクトルの動的な空間的制御を可能にする複合波長変換部品の模式図であり図17Bは、本発明の一実施形態による複合波長変換部品の断面の模式図であり、図17Cは、本発明の一実施形態による複合波長変換部品の断面の模式図である。 本発明の一部の実施形態によるレーザーベースのスマート照光システムの機能ブロック図である。 本発明の一部の実施形態による動的なレーザーベースのスマート照光システムの機能ブロック図である。
本発明は、移送型のガリウムおよび窒素を含有する材料レーザーのプロセスに基づく、ガリウムおよび窒素を含有するレーザーダイオードに統合された様々なセンサーベースのフィードバックループを有して構成されるシステム、装置、ならびにその製造および使用の方法を提供する。例に過ぎないが、本発明は、遠隔の統合型スマートレーザー照光のデバイスおよび方法、投射ディスプレイおよび空間的に動的な照光のデバイスおよび方法、LIDAR、LiFi、ならびに可視光通信のデバイスおよび方法、ならびに一般の照光、商業用の照光およびディスプレイ、自動車の照光および通信、防衛および保安、工業用加工、およびインターネット通信などのアプリケーションにおける上記の様々な組合せを提供する。
様々な実施形態では、レーザーデバイスおよび蛍リン光体デバイスは、中間サブマウントの存在下または非存在下で、併せてパッケージされるかまたは共通支持部材の上に実装され、蛍リン光体材は、透過モード、反射モード、または側面ポンピング型モードで動作されて、結果として白色発光レーザーベース光源を生じる。追加の様々な実施形態では、レーザーデバイスからの電磁気照射は、自由空間カップリングまたは光ファイバケーブルや他の固体導波材などの導波管とのカップリングなどの手段を介して、遠隔で蛍リン光体デバイスに結合され、その場合、蛍リン光体材は、透過モード、反射モード、または側面ポンピング型モードで動作されて、結果として白色発光レーザーベース光源を生じる。例に過ぎないが、本発明は、白色の照光、白色のスポット照光、フラッシュ光、自動車のヘッドライト、全地形対応の乗物の照光、フラッシュ光源、例えばカメラのフラッシュなど、娯楽スポーツ、例えばバイク、サーフィン、ランニング、レース、ボートなどに使用される光源、ドローン、飛行機、ロボット、他の可動性またはロボットのアプリケーションに使用される光源、安全性、防御アプリケーションでの対抗手段、多色照光、平面パネルのための照光、医療、度量衡、ビーム投射器および他のディスプレイ、高強度ランプ、分光、娯楽、映画館、音楽およびコンサート、分析の瑕疵の検出および/または認証、ツール、水の処理、レーザー輝光、ターゲッティング、通信、LiFi、可視光通信(VLC)、感知、検出、距離の検出、光検出および測距(LIDAR)、転換、自律的な乗物、輸送、平準化、硬化および他の化学的処置、加熱、切削および/または融除、他の光学デバイスのポンピング、他の光電子工学デバイス、および関連アプリケーション、ならびに光源の照光などのアプリケーションに適用することができる。
サブマウント部材上でレーザーダイオードを製作した後、本発明の実施形態では、統合された白色光源の構築から、レーザーダイオードおよび共通支持部材への蛍リン光体の統合に進むものとなる。蛍リン光体の選択は、レーザーベースの統合された白色光源において重要な考慮すべき事項である。蛍リン光体は、レーザー励起スポットによって誘発される極端な光学強度と関連する加熱に対し、苛烈な分解を起こすことなく耐えられるものでなければならない。蛍リン光体の選択のために考慮すべき重要な特徴としては、以下が挙げられる。
−白色光ルーメンへの高い変換効率の光励起電力。黄色の蛍リン光体を励起する青色レーザーダイオードの一例では、光ワット当たり150ルーメン超、光ワット当たり200ルーメン超、または光ワット当たり300ルーメン超の変換効率が望ましい。
−直径1mm、500 μm、200 μm、100 μm、または50 μmでさえあるスポットにおける1〜20Wのレーザー出力に耐えることのできる高い光損傷閾値。
−温度150℃超、200℃超または300℃超に耐えることのできる高い熱損傷閾値。
−蛍リン光体が温度150℃超、200℃超、または250℃超に達した際に効率の良いままであるような低い熱消光特性。
−熱を放散し温度を調節する高い熱伝導率。3W/m−K超、5W/m−K超、10W/m−K超、および15W/m−K超でさえある熱伝導率が望ましい。
−アプリケーションのための適正な蛍リン光体の発光色。
−許容できない熱伝導率または光学効率の低減のない所望の干渉励起の散乱を生じる、適切な多孔性特性。
−アプリケーションのための適正な形状因子。そのような形状因子としては、以下に限定されないが、ブロック、平板、円盤、球、円筒、ロッド、または類似の幾何学的部品である。適正な選定は、蛍リン光体が透過と反射のどちらのモードで動作されるか、ならびに蛍リン光体における励起光の吸収長に依存するものとなる。
−アプリケーションのために最適化される表面の状態。一実施形態では、蛍リン光体の表面は、光の抽出を高めるために意図的に粗いものとすることができる。
一部の実施形態では、或る特定のタイプの蛍リン光体は、レーザー励起源を有するこの求められているアプリケーションに最も適するものとなる。一例として、Ce3+イオンによりドープされるセラミック性イットリウム・アルミニウム・ガーネット(YAG)、またはYAGベースの蛍リン光体を、理想的な候補とすることができる。それらは、Ceなどの種によりドープされて適正な発光色を達成し、多くの場合、レーザー励起において励起源の光を散乱しかつ干渉性を精密に崩壊させる多孔性特性を含む。その立方結晶構造の結果として、YAG:Ceは、透明性の高い単結晶として、ならびに多結晶のバルク材料として、調製することができる。透明度および発光度は、化学量論的な組成、ドーパントの含量、および全体の加工および焼結の経路に依存している。透明性および散乱中心の角度は、青色と黄色の光の均質な混合物のために最適化することができる。YAG:CEは、緑色の発光を放射するように構成することができる。一部の実施形態では、YAGは、Euによってドープされて赤色の発光を放射することができる。
本発明による好適な実施形態では、白色光源は、光学励起ワット当たり100ルーメン超、光学励起ワット当たり200ルーメン超、または光学励起ワット当たり300ルーメン超でさえある光学変換効率を有するセラミック性多結晶YAG:Ce蛍リン光体により構成される。さらに、セラミック性YAG:Ce蛍リン光体は、熱を効果的に放熱部材に放散して蛍リン光体を動作可能温度に保つ、150℃超、200℃超、または250℃超の温度消光特性および5〜10W/m−Kの高い熱伝導率によって特徴付けられる。
図1Aは、本発明の一実施形態による、反射モードで動作しかつ表面実装型パッケージに格納される例示的なレーザーベースの白色光源の模式図である。図1Aを参照すると、反射モードの白色光源は、表面実装型デバイス(SMD)タイプパッケージ中に構成される。SMDパッケージは、共通支持基板部材1601を有する。反射モードの蛍リン光体部材1602は、基板部材1601に取り付けられる。任意選択的に、中間サブマウント部材が、蛍リン光体部材1602と基板部材1601との間に含まれていてもよい。レーザーダイオード1603は、角度を持つ支持部材1604上に据え付けられ、その場合、角度を持つ支持部材1604は、基板部材1601に取り付けられている。基板部材1601は、白色光源から放熱板へと熱を逃して伝えるように構成される。基板部材1601は、熱伝導性材、例えば銅、銅タングステン、アルミニウム、SiC、鋼鉄、ダイヤモンド、複合ダイヤモンド、AlN、サファイア、もしくは他の金属、セラミック、または半導体などからなる。
基板部材1601への据え付けは、AuSnはんだ、SAC305などのSACはんだ、鉛含有はんだ、またはインジウムを用いるなど、はんだ付けまたは接着の手法を使用して達成することができるが、他のものとすることができる。あるいは、焼結Agペーストまたはフィルムを、界面での貼着プロセスに用いることができる。焼結Ag貼着材は、標準的な加工道具またはサイクル温度を用いて、さらに高い熱伝導率および向上した導電率という追加的な恩恵の下、分注するかまたは堆積させることができる。例えば、AuSnが、熱伝導率約50W/m−Kおよび導電率約16μΩcmを有するのに対し、常圧焼結Agは、熱伝導率約125W/m−Kおよび導電率約4μΩcmを有することがあるか、または常圧焼結Agは、熱伝導率約250W/m−Kおよび導電率約2.5μΩcmを有することがある。ペーストから焼結体への260℃〜900℃という融点温度の極端な変化に起因して、プロセスは、下流プロセスへの熱負荷の制約を回避することができ、完結したデバイスが非常に良好かつ一貫した結合を至るところで有することを可能にする。また、据付ジョイントも、熱伝導性接着剤、銀エポキシなどの熱エポキシ、および他の材料から形成することができよう。
ワイヤボンド1605を電極部材1606に使用して、レーザーダイオードの電極からの電気的接続が作製される。ワイヤボンド1607および1608が、内部フィードスルー1609および1610に対して形成される。これらのフィードスルーは、外部リードに電気的に結合される。外部リードは、電源に電気的に結合されて、白色光源に通電し白色光放射を生成することができる。
基板部材1601の上面は、反射層により構成、被覆、または充填されて、下方から向けられた光または反射光に関連する任意の損失を防止または軽減してもよい。さらに、レーザーダイオードおよびサブマウント部材を含むパッケージ内の全ての面は、反射率の増加のために増強されて、有用な白色光の出力を高める一助となる。
この構成では、白色光源は、開放環境で曝露されるよう、キャップまたはシールされない。この統合された白色光源装置の本実施形態の一部の例では、静電放電(ESD)保護部品、例えば過渡電圧抑制(TVS)部品などが含まれる。無論、図1Aは、一例に過ぎず、表面実装型パッケージの白色光源の可能な単純な構成の1つを説明することが意図されている。具体的には、表面実装タイプパッケージは、LEDおよび他のデバイスについては幅広く普及しており、在庫があって入手可能であることから、コストの低いかつ適合性の高い解決策のための1つの選択肢とすることができよう。
図1Bは、本発明による2つのレーザーダイオードチップを含むパッケージされた白色光源の代替の一例である。この例では、反射モードの白色光源は、SMDタイプパッケージでも構成される。このSMDパッケージは、反射モード蛍リン光体部材1602が支持部材上または基板部材上に据え付けられた基板部材1601を有する。第1のレーザーダイオードデバイス1613は、第1の支持部材1614または基板部材1601の上に据え付けられることがある。第2のレーザーダイオードデバイス1615は、第2の支持部材1616または基板部材1601の上に据え付けられることがある。これらの支持部材および基板部材は、蛍リン光体部材1602ならびにレーザーダイオードデバイス1613および1615から熱を逃して伝えるように構成される。
外部のリードは、電源に電気的に結合され、レーザーダイオード源に通電して、第1のレーザービーム1618を第1のレーザーダイオードデバイス1613から、第2のレーザービーム1619を第2のレーザーダイオードデバイス1615から、放射することができる。これらのレーザービームは、蛍リン光体部材1602上に入射して、励起スポットと白色光放射とを作り出す。これらのレーザービームは、好ましくは、蛍リン光体部材1602上で重なり合い、最適化された幾何学的形状および/またはサイズの励起スポットを作り出す。例えば、第1および第2のレーザーダイオードからのレーザービームは、第1のレーザービーム1618の遅軸が第2のレーザービーム1619の速軸と一線上に整列するように、互いに90度に回転される。
基板部材1601の上面は、反射層により構成、被覆、または充填されて、下方から向けられた光または反射光に関連する任意の損失を防止または軽減してもよい。さらに、レーザーダイオード部材およびサブマウント部材を含むパッケージ内の全ての面は、反射率の増加のために増強されて、有用な白色光の出力を高める一助となる。この構成では、白色光源は、開放環境で曝露されるよう、キャップまたはシールされない。この統合された白色光源装置の本実施形態の一部の例では、ESD保護部品、例えばTVS部品などが含まれる。無論、図1Bは、一例に過ぎず、表面実装型パッケージの白色光源の可能な単純な構成の1つを説明することが意図されている。具体的には、表面実装タイプパッケージは、LEDおよび他のデバイスについては幅広く普及しており、在庫があって入手可能であることから、コストの低いかつ適合性の高い解決策のための1つの選択肢とすることができよう。
図1Cは、本発明によるパッケージされた白色光源の代替の一例である。この例では、反射モードの白色光源は、SMDタイプパッケージでも構成される。このSMDパッケージは、サブマウントまたは支持部材1623の上に据え付けられた側面ポンピング型蛍リン光体部材1622、およびサブマウントまたは支持部材1625の上に据え付けたレーザーダイオードデバイス1624のための共通支持部材としての役割を果たす、基板部材1601を有する。一部の実施形態では、レーザーダイオード1624およびまたは蛍リン光体部材1622は、パッケージの基板部材1601に直接的に据え付けられてもよい。支持部材および基板部材1601は、蛍リン光体部材1622およびレーザーダイオードデバイス1624から熱を逃がして伝えるように構成される。基板部材1601は、SMDタイプパッケージにおいて図1Aおよび図1Bと実質的に同じタイプである。
p−電極およびn−電極からの電気的接続は、サブマウント部材1625上の電極1626および1627に電気的に結合することができ、それらは次いで、パッケージ中の内部フィードスルーに接続されるものとなる。これらのフィードスルーは、外部リードに電気的に結合される。外部リードは、電力供給源に電気的に結合され、レーザーダイオードに通電して、蛍リン光体部材1622の側面に入射するレーザービームを生成する。蛍リン光体部材1622は、好ましくは、蛍リン光体部材1622の上面からの最初の白色光の放射のために構成されることがある。基板部材1601の上面は、反射層により構成、被覆、または充填されて、下方から向けられた光または反射光に関連する任意の損失を防止または軽減してもよい。さらに、レーザーダイオード部材およびサブマウント部材を含むパッケージ内の全ての面は、反射率の増加のために増強されて、有用な白色光の出力を高める一助となる。この構成では、白色光源は、開放環境で曝露されるよう、キャップまたはシールされない。この統合された白色光源装置の本実施形態の一部の例では、ESD保護部品、例えばTVS部品などが含まれる。無論、図1Bは、一例に過ぎず、表面実装型パッケージの白色光源の可能な単純な構成の1つを説明することが意図されている。具体的には、表面実装タイプパッケージは、LEDおよび他のデバイスについては幅広く普及しており、在庫があって入手可能であることから、コストの低いかつ適合性の高い解決策のための1つの選択肢とすることができよう。
図1A、図1B、および図1Cに示される白色光源は、複数の方法で封入し、光エンジンを形成することができる。任意選択的に、光エンジンは、成型されたエポキシまたはプラスチックのカバー(図示せず)の中に被包される。この成型されたカバーは、平坦な上部を有することがあるか、または光抽出を促すために湾曲面もしくは球面を有するように成型することができる。このカバーは、適所に予め成型されて接着されるか、または適所に液体もしくはゲルの前駆体から成型することが可能である。ポリマーカバーまたは成型された被包材がレーザー光を吸収するか、または波長変換部品からの変換光を低下させる場合があることから、被包材が加熱および光吸収のために老化するという大きなリスクがある。そのような材料が老化すると、さらに光学的に吸収性が増してゆき、必然的にデバイスの故障に至る暴走プロセスに繋がり易い。レーザーデバイスが非常に高い輝度と光線束とを有する光を放射する場合のレーザーベースのデバイスでは、この老化の作用は、極めて苛烈であるものと予想される。次いで、ポリマーカバーは、レーザーの放射面に近い領域で、ならびにレーザーデバイスと波長変換部品との間のレーザービーム路で、不在であることが好適である。任意選択的に、成型されたカバーは、レーザーデバイスにも波長変換部品にも接触せず、波長変換部品を横断する前のレーザー光ビームを横断もしない。任意選択的に、成型されたカバーは、レーザーデバイスおよび波長変換部品の一部または殆どの部分と重なり合い接触するが、レーザーの放射面も波長変換部品の表面も覆わず、レーザーデバイスと波長変換部品との間のレーザー光ビーム路を横断することもない。任意選択的に、被包材は、レーザーデバイスのワイヤボンディング後に、デバイスを覆って成型され、空隙および空所は含まれない。
別の実施形態では、光エンジンは、剛性の部材、例えばセラミックまたは金属の筐体を用いて被包される。例えば、圧断された金属壁を、共通基板の外縁に近い寸法をもたせて設けることができよう。この壁は、共通基板に取り付けることができ、気密シールは、他の結合手法の中でも、エポキシまたは別の接着剤、金属はんだ、ガラスフリットシーリング、および摩擦溶接を用いて形成することができよう。壁の上縁は、例えば、透明なカバーを取り付けることによってシールすることができよう。この透明なカバーは、シリカ含有ガラス、サファイア、スピネル、プラスチック、ダイヤモンド、および他の様々な鉱物を含めて、任意の透明な材料から構成されてもよい。このカバーは、カバー材に適切な他の結合手法の中でも、エポキシ、接着剤、金属はんだ、ガラスフリットシーリング、および摩擦溶接を用いて、壁に取り付けられてもよい。
一部の実施形態では、この封入は、MEMSデバイスの加工に使用されるものに類似した標準的なリソグラフィ手法を用いて、共通基板上に直接的に造られてもよい。レーザーダイオードなどの数多くの光エミッタは、同じ共通基板上に造ることができ、ひとたび製作が完了すれば、鋸引き、レーザースクライビング、または類似のプロセスを用いて別々のデバイスに個片化される。
デバイス、乗物、および他の対象の自律型および半自律型の動作のための現時点の推進力の中で決定的に重要なセンサ技術として認められていることから、LIDAR(光イメージング検出および測距)技術は、物理的な周囲環境およびトポロジーを高い解像度および速いリフレッシュレートで検査するかまたは積極的にモニタリングしなければならないアプリケーションにおいて、使用を急速に増している。この技術は、標的または対象との距離を測定するためのいくらか単純な方法に基づいており、レーザー光、例えばレーザー光のパルスなどを標的に向けて、次いで、光が反射されてシステムに戻る時間を検出により測定することによるものである。LIDARは、地理情報学、考古学、地理学、地質学、林学、大気物理学、レーザー誘導、航空機レーザー広範囲マッピング(ALSM)、およびレーザー高度測量などのアプリケーションのための、高解像度マップを作製するために一般に使用されている。
さらに最近、LIDARは、自動車やドローンなどの自律型の乗物のための決定的に重要なセンサ技術となりつつある。自動運転車に求められる咄嗟の判断を行うことを可能にするため、LIDARシステムは、周囲環境に関する正確な3D情報を提供する。このデータを用いて、プロセッサは、対象の特定、運動ベクトルの決定、衝突の予測、および回避のストラテジーを実行する。LIDARユニットは、イメージングによく適しており、回転システム、スキャニングミラーシステム、および複数のセンサアセンブリを用いることによって、360°の眺めを提供することができる。高速および高出力のレーザーパルスは、対象との距離を反射光から計算するための検出器の応答に合わされる。検出器のアレイまたは時限式カメラを使用して、3D情報の解像度を高めることができる。パルスは、深度分解能を増大させるために非常に短く、結果として得られる光反射は、データを体積の特定およびベクトル情報に変換するために解析される3Dの点様の「雲」を作り出すのに用いられる。変換された結果は、次いで、これらの外部対象に対する乗物の位置、スピード、および方向を計算して、衝突の可能性を決定し、必要に応じて適切な行動を教示するのに用いられる。
本発明によれば、LIDARシステムは、レーザーベースの照明源を含むデバイス、機械、または可動機械において構成され、その照明源は、本発明に記載されるレーザーベースのスマート光とすることができる。本発明によるLIDARシステムは、ナビゲーションおよびガイダンスのための最初のサブシステムとしての役割を果たすGPS(全地球測位システム)受信器を含めた、他のセンサ、アクチュエータ、およびシステムにより補われるおよび/またはそれらに接続することができる。GPSシステムは、典型的には、60個を超える低軌道衛星の少なくとも4つの群から受信された信号の複素解析に基づき、現在の位置を演算する。GPSガイダンスシステムは、外部信号を必要としない内部ガイダンスによって補うことができるが、むしろ乗物または可動機械に固定されたプラットフォームからなる内部測定ユニット(IMU)を利用する。このプラットフォームは、典型的には3つのジャイロスコープと3つの加速度計とを有し、一対が直交するX軸、Y軸、およびZ軸のそれぞれに由来する。これらのセンサは、プラットフォームの回転運動および直線運動に関するデータを提供し、このデータは、次いで、スピードまたはどんな種類の信号妨害に関わらず、運動および位置を計算するのに用いられる。LIDARシステムは、多くの場合、近接近対象または妨害物の感知のためにレーダーによって補われる。レーダー(無線検出および測距)は、運動計測の主器であり、ラジオ波を使用して、対象のベロシティ、範囲、および角度を決定する。レーダーは、演算的にはLIDARシステムよりも軽く、角度的にはLIDARよりも正確ではないものの、あらゆる状況で作動することができ、反射を用いて妨害物の後ろを見ることさえできる。レーダーは、LIDARに対する冗長性のために用いることができる。さらに、カメラシステムが、LIDARシステムと共に含まれる。カメラは、分類および質感の解明に最も適している。それらは断然、最も安価かつ最も入手し易いセンサであるが、莫大な量のデータを使用し、演算的に過酷かつアルゴリズム的に複雑なジョブの処理を生じる。LIDARおよびレーダーの両方とは異なり、カメラは色を見、それらを場面の解釈に最も良い状態とする。無論、本発明により、そのようなサブシステムのいかなる構成も含めることができる。そのようなサブシステムを、個別に、または統合された構成の洗練されたアルゴリズムで動作させるために、ソフトウェアを実行する強力なプロセッサが好ましくは含まれる。
本発明は、空間的かつ動的な機能、動的な色もしくは輝度、および/またはLiFiなどの可視光通信[VLC]を含むスマートレーザー光源となりうるレーザーベースの照明源を含むことによって、以前のLIDAR技術を超える強力な恩恵をもたらす。レーザーベースの照明システムをLIDARに組み合わせることによって、LIDARシステムは、機能性の増加、感度の増加、より小さくよりコンパクトなサイズ、自動車内などに含まれる装置のスタイリングの改善、自動車内などに含まれる装置における統合の改善、およびより低いコストをもたらすことができる。
多くの3D感知LIDARアプリケーションについては、スキャニングレーザービームまたは拡大レーザービームおよびタイムオブフライト測定は、各ピクセルに対し深度座標を与えるために用いることができる。別のアプローチは、光のパルスを用いて全域を照明すること、ならびにタイムオブフライト測定を用いて、並行して深度座標を一度に1フレーム集めることである。検出器アレイ、例えばフォトダイオードアレイ、CCD、アンテナアレイ、CMOSアレイ、または他の並行検出装置などを使用することによって、このアプローチは、周囲環境の速やかなイメージングを可能にする。多くの場合、これは赤外で、例えば905nm、1000nm、1064nm、または1550nmで行われる。これらの波長は、眼の安全性のため、より短い波長に伴って増加する散乱を最小にして、イメージングされている対象への可視光スキャニングを回避するために、ならびにコスト効率が良く、信頼性があり、効率性のある可能性がある、成熟したレーザーダイオード技術を利用するために、選定されている。
赤外線源は、LIDARシステムに採用された従来の波長ではあるものの、LIDARは、広範な供給源および検出波長域に適合し、それらでは、紫外から可視まで、および近赤外および遠赤外まで、異なる波長域内にユニークな恩恵とトレードオフとが見出される。マッピングされている対象または地形に併せてレーザー光が通過する必要がある周囲環境または媒体材に応じて、ある特定の波長または波長群が理想的である場合がある。例えば、LIDAR感知波長は、250nm域の紫外(UV)またはそれよりも短い域にさえ至る約10umの波長を有して動作するレーザー源から選択されてもよい。実際に、近年、青および青紫の領域で動作する、コスト効率の良い信頼性および効率性のあるガリウムおよび窒素を含有するレーザーダイオード(すなわちGaNレーザーダイオード)が台頭しており、本発明を通じて記載される高輝度GaNレーザーダイオードポンピング型の蛍リン光体白色光源もそれに伴っている。これらの可視光源の利用は、水中の吸収の低減などのいくつかのメリットを有する。
典型的には伝送された供給源光は、後方散乱プロセスを介して反射され、次いでLIDARシステムによって検出される。LIDARシステムに用いられる最も一般的な後方散乱プロセスとしては、レイリー散乱、ミー散乱、ラマン散乱、および蛍光が挙げられ、それらは全て、本発明に用いることができる。異なる種類の後方散乱に基づき、それに応じてLIDARを、レイリーLIDAR、ミーLIDAR、ラマンLIDARなどとよぶことができる。適した波長の組合せは、戻された信号の強度の波長依存的な変化を特定することによって、周囲環境の内容の遠隔マッピングを与えることができる。
レイリー散乱は、照射の波長よりはるかに小さな粒子による光の弾性散乱または他の電磁気照射であり、材料の状態を変えない。これらの粒子は、別個の原子または分子であり得るものであり、光が透明な固体または液体を通過する際に発生することがあるが、気体中に最も顕著に見られる。レイリー散乱は、主として、直径が入射光の波長の約10分の1未満である原子または分子の粒子からの光の弾性散乱を指すのに対し、ミー散乱は、主として、直径が入射光の約波長よりも大きな原子または分子の粒子からの光の弾性散乱を指す。ミー散乱では、白色光の全波長がほぼ等しく散乱し、ゆえに、大気中の大きな粒子が、白色光の全波長を等しく散乱することから、雲は白色に見える。ラマン散乱は、対象からの光の弾性散乱であり、それによって、散乱された光子は、入射光子よりも低い(ラマンストークス散乱)かまたは高い(ラマン反ストークス散乱)エネルギーを有する。本発明のある特定の実施形態では、LIDARシステムは、戻された信号の強度の波長依存的な変化を特定することによって周囲環境の遠隔マッピングを可能にするために、適した組合せの感知波長を含むことができる。
LIDARは、広範囲の材料を空間的にマッピングすることができ、そのような材料としては、建造物、構造物、ヒト、および動物、乗物、物体、岩、雨、化学化合物、エアロゾル、雲、および単一の分子さえ挙げられる。実際に、航空機ベースのLIDARシステムは、cmの解像度までマップ出力することが示されている。航空機および衛星に適合するLIDAR計器は、検査およびマッピングを行う―最近の例は、米国地質調査所実験的高機能空挺調査ライダーである。NASAは、将来のロボット操作型および乗員操作型の月面着陸の乗物の自律型の精密かつ安全な上陸を可能にする鍵となる技術として、LIDARを認識している。LIDARは、自律型の乗物などの自律型デバイスに用いる決定的に重要なセンサ技術として、広範に受け入れられつつある。
LIDARとガリウムおよび窒素を含有するレーザーダイオードとを組み合わせた本発明によれば、2種類のLIDAR検出スキームを配備することができる。すなわち、「非干渉性」のまたは直接的なエネルギータイムオブフライト検出(主に振幅測定)と、干渉性の検出(ドップラーまたは位相感応型測定)である。干渉性のシステムは、一般に光学ヘテロダイン式検出を用いるが、この検出は、直接的な検出よりも感度が良く、はるかに低い出力で、しかしより複雑な受信器の要件を代償にして、システムが動作することを可能にする。
干渉性のおよび非干渉性の両方のLIDARでは、マイクロパルスLIDARパルスシステムまたは高エネルギーパルスシステムを、空間マッピングのために配備することができる。マイクロパルスシステムは、レーザー技術の進歩と組み合わされた膨大なコンピュータ能力の可用性に基づき開発されてきた。それらは、レーザーに著しく少ないエネルギーを、典型的には1マイクロジュールのオーダーで用い、多くの場合に「眼に安全」であり、このことは安全性の予防措置なくそれらを使用できることを意味する。高出力システムは、周囲環境の探知に一般的であり、その場合、このシステムは、数多くの周囲環境のパラメータを測定するために広く用いられる。
図2は、既存のLIDARシステムの簡略化されたバージョンを提示している。電源2701は、システム内の様々なコンポーネントに電力を供給するように構成される。制御ユニットおよび/またはプロセッサ2702は、変調および検出のスキームを指示するレーザードライバ2703に対し、変調信号またはパルス信号を指示することを担う、システムの中央演算または頭脳である。レーザードライバ2703は、電流(および電圧)をレーザー源2704または任意選択的にレーザーおよび外部光学変調器に供給して、レーザー出力2704を作動し、レーザー出力からの出力照射に関する信号をコード化する。データをコード化するための変調スキームは、様々な長さのパルスおよびデューティサイクルから、および本明細書を通して記載される他のスキームによって、構成することができる。パルス化または変調されたレーザービームは、次いで、任意選択的に、1つまたは複数の光学系(ビーム成形器2705)を介して供されて、ビーム視準をもたらすなどビームを調整する。レーザービームは、次いで、大きな範囲の中に分配されるかまたは向けられて、連続的な空間座標を別個のピクセルとしてスキャンもしくは照明するか、またはイメージを部分的にもしくは全体的に含む複数のピクセルを同時に表す大きな範囲を照明する。前者の「一度に1ピクセル」の構成では、レーザーを、大規模な機械式システム2706、例えば回転スキャナや測角器などを用いてスキャンすることができるか、またはスキャンは、MEMSスキャニングミラーなどのマイクロスキャナ、もしくはDLPチップやLCOSチップなどのマイクロディスプレイなどを介して行うことができよう。後者の構成では、レーザービームを、ビーム拡張光学系を介して、より大きな範囲に分配することができるか、または、MEMSスキャニングミラーなどのマイクロスキャナ、もしくはDLPチップやLCOSチップなどのマイクロディスプレイなどを介して、スキャニング機能により拡張することができよう。スキャナまたはマイクロディスプレイにより空間的に分配された後、レーザービームを、1つまたは複数の光学系(ビーム成形器2707)を介して任意選択的に供して、出口路で出力伝送器2708を介して外界に進入する前にさらに進んだビーム調整を行うことができる。外界で、スキャンされたレーザービームが標的範囲を照明すると、反射または跳ね返った光は入力受信器2719に受信される。この受信器では、いくつかのセンサと突き当たる前に、光を、任意選択的に光学系(ビーム成形器2717)を介して結合することができ、上記センサは、フォトダイオードまたはフォトダイオードのアレイ2715とすることができる。フォトダイオードまたは検出器アレイ2715によって生成された電気信号は、次いで、任意選択的に、インピーダンス変換増幅器などの電気的増幅器2713にて増幅される。この電気的データは、次いで、制御および処理ユニット2702に移送され、そこでは、検出された信号が処理されて、環境のマップを生成する。この処理は、タイムオブフライトの計算または干渉性のヘテロダイン式検出から構成することができる。受信されたデータに基づき、処理ユニット2702は、レーザードライバ2703にへの信号特性を改変して、LIDARの性能を最適化するかまたは動作モードを切り替えてもよい。図2は、言うまでも無く、簡略化された模式図であり、他のコンポーネントおよびスキームをLIDARシステムに含めることができよう。例えば、GPSまたはIMUを含めてもよい。
LIDARとガリウムおよび窒素を含有するレーザーダイオードとを組み合わせた本発明の様々な実施形態によれば、LIDARシステム内のレーザー波長の最適な選択は、感度、効率、サイズ、および安全性の要件を考慮したアプリケーションに依存する。600から1000nmの、例えば905nmの波長を有するLIDARシステムは、科学以外のアプリケーションで最も一般的である。それらは高価ではないが、眼に合焦され容易に吸収されうることから、最大出力は、眼に安全となるようなニーズにより制限され、これは殆どのアプリケーションの要件である。一般的な波長代替物である1550nmレーザーは、この波長が眼によって合焦されないことから、はるかに高い出力レベルで眼に安全であるが、検出器の技術はあまり進歩しておらず、それゆえ、これらの波長は、概して、より長い領域かつより低い精度で使用される。それらはまた、軍事アプリケーションにも使用されているが、より短い1000nmの赤外レーザーとは異なり、1550nmが暗視ゴーグルでは可視ではないためである。
航空機地勢マッピングアプリケーションに用いることを含めた本発明の一部の実施形態では、本LIDARシステムは、一般に用いられる従来の1064nmダイオードポンピング型YAGレーザーとは対照的に、1064nmのダイオードレーザーダイオードを含むことがある。水中LIDARアプリケーションを含めて可視波長などのさらに短い波長が好適である場合の他の実施形態では、レーザー波長は、約420nmから約532nmまでの範囲のダイオードレーザーにより構成されてもよく、その場合、より短いこの波長は、1064nmで行うよりもはるかに少ない減衰で水を貫通する。本発明による直接的なダイオードガリウムおよび窒素を含有するレーザーダイオードの使用は、532nm周波数2倍発生ダイオードポンピング型YAGレーザーを用いた従来のシステムに比べて、コスト、サイズ、および重量の低減をもたらすとともに、より高い効率を実現可能とする。
LIDARシステムの性能を決定する鍵となるレーザー動作パラメータとしては、レーザー反復速度またはパルスが挙げられ、これは、データ収集スピードと感度とを制御する。パルス長は、一般に、レーザーの空洞、構造、および寄生発振、利得材を通る必要な通路の数の属性である。より良い標的解像度は、LIDAR受信検出器および電子機器が十分な帯域幅を有していれば、より短いパルスにより達成される。ガリウムおよび窒素を含有するレーザーダイオードは、3GHz以上の非常に高い変調帯域幅をもたらすように設計できることから、先行技術に比べて向上した解像度を与える超短パルスが、本発明により可能である。本発明に含まれる実施形態は、周波数2倍発生緑色レーザーとYAGレーザーとに依存した先行技術を超える利点をもたらすが、それらのレーザーは、本発明によるダイオードレーザーの効率性、低コスト、コンパクト性、および/または短パルス長の実現性を持たない。
本発明の一部の実施形態では、従来のLIDAR技術およびレーザー源は、ガリウムおよび窒素を含有するレーザーダイオードと、スマート照光源を含めたレーザーベース光源とに組み合わされる。すなわち、本LIDARシステムは、さらに多くの従来の波長とレーザー源とを利用することができ、例えば905nm、1000nm、1064nm、または1550nmのレーザーと、レーザーベース照光システムに含まれる青紫色または青色のレーザーダイオードとが、レーザーベース可視照明源のみに使用されるものとなり、この照明源を、本発明による、センサ、フィードバックループ、およびまたは動的な色もしくは空間的なパターニングを含むスマートレーザー光源とすることができる。これらの実施形態では、レーザーベース光源とLIDAR技術との新規の組合せによって、新しい向上されたシステム性能が、例えば増強された能力、より小さなおよび/またはよりコンパクトな照光およびLIDARシステム、よりコストの低いシステム、ならびにより堅牢または強靱なシステムが可能になる。一例では、LIDARとレーザーベース照光システムとの組合せは、同等だが別々のLIDARおよびレーザーベース照光システムが与えるよりも、小さなサイズ、低いコスト、および/もしくはユーザにとって簡単なシステム、または信頼性のある組合せシステムを可能にするものとなる。別の例では、LIDARシステムとレーザーベース照光システムとの組合せの機能性または感度は、別々のシステムとしてのLIDARシステムとレーザーベース照光システムに比べて、性能を向上させるために構成されるものとなる。これらの実施形態は、自律型の物体または乗物でのアプリケーション、モノのインターネットのアプリケーション、または他の消費、防御、自動、もしくは専門のアプリケーションを見出すことができる。
本発明の好適な実施形態では、レーザーベースの照光システム内のガリウムおよび窒素を含有するレーザーダイオードは、LIDAR感知波長を形成する。すなわち、照光機能を生成するための同じ青紫色または青色を放射するレーザーダイオードの励起波長変換材もまた、空間的にスキャンされ、標的を照明してLIDAR検査機能を生成する。一部の好適な実施形態では、ガリウムおよび窒素を含有するレーザーダイオード放射波長のみが、LIDARスキャニングに使用される。その場合、一例では、直接的な干渉性レーザービームを標的上でスキャンすることができ、別の例では、反射または散乱されたレーザービームを再視準して、LIDARスキャニングに使用することがある。さらに別の実施形態では、波長変換材からの黄色や緑色、赤色の放射などの光学放射も、ガリウムおよび窒素を含有するレーザーダイオードからの放射、例えば青紫色や青色の放射などとは別々に、またはそれに追加して、LIDARスキャニングに使用される。複数の波長をスキャニングシステムに含めることによって、増強検出を可能にすることができる。
レーザースキャニングおよび光学設計は、LIDARシステムの感度、解像度、およびリフレッシュレートにおいて決定的に重要な役割を果たす。ガリウムおよび窒素を含有するレーザーダイオードを含むLIDARシステムのために本発明に含まれているのは、方位角および高度をスキャンするためのいくつかの選択肢であり、そのようなものとしては、二重発振平面ミラー、多角形ミラーとの組合せ、2軸スキャナ、MEMSミラー、DLPチップ、ファイバスキャナ、LCOSなどが挙げられる。本発明を通じて記載されるビーム操向部品のうちいずれかまたは全てが、LIDARにおけるスキャニングシステムのための選択肢の候補である。光学系の選定は、検出可能な角度分解能および領域に影響を及ぼす。伝送および収集の信号の光路に使用される光学コンポーネントは、開口、孔、ミラー、ビーム分割器、反射器、速軸視準レンズ、遅軸視準レンズ。再イメージング光学系、拡大光学系、二色ミラー、散光器などを含んでいてもよい。
一部の実施形態では、レーザー照明源、MEMSマイクロスキャニングミラーやビーム拡張光学系などのレーザービームスキャニングまたは拡張装置、および伝送および収集に用いられる光学アーキテクチャに加えて、適切な光検出システムを要する。このシステムの複雑性およびアーキテクチャは、LIDARシステムのタイプ[干渉性vs非干渉性]、システムの波長域によって、検出の感度およびスピードの要件と併せて、影響を受けるものとなる。本発明によれば、LIDARに利用される主要なフォトダイオード技術としては、固相光検出器、例えばシリコン・アバランシェ・フォトダイオード、シリコン・フォトダイオード、GaAsフォトダイオード、GaNフォトダイオード、光電子増倍管などが挙げられる。この検出システムは、一度に1ピクセルに戻されたもしくは反射された信号を、例えば単一の検出器の構成により検出するように構成することができるか、または、一度に部分的もしくは全体のフレームを捕捉するために同時に大量のピクセルからの戻されたもしくは反射された信号を検出するように構成することができる。
受信器での微光検出のために、設計者は、3つの基本的な検出器の選択肢がある:すなわちシリコンPIN検出器、シリコンアバランシェフォトダイオード(APD)、および光電子増倍管(PMT)である。APDは、器械工学および航空宇宙のアプリケーションに広く用いられ、他の検出器にはない高スピードと高感度との組合せをもたらす。受信器のAPDは、受信された光パルスを電気信号に変換する。それは、入射光に比例した電流を出力する。次いで、インピーダンス変換増幅器を用いて、電流を電圧信号に変換する。優れたインピーダンス変換増幅器は、高い振幅利得、高い入力インピーダンス、電圧および電流の超低ノイズ、ならびに低い入力キャパシタンスを有するべきである。それは、通常は、これらの要件を満たすFETまたはMOSの入力段を有する。入力ノイズ電圧<1.0nv√Hzおよび電流ノイズ<15fA√Hzは、高性能デバイスにより達成可能である。トランスインピーダンスの出力は、概ね差動信号に変換され、ADCによるデジタル化の前に増幅される。伝送パルスは、概ね大きく減衰され(大気条件など)、伝送パルスと受信パルスとの強度の大きな差に繋がる。伝送器に近接する対象もまた、高出力の信号を反射して受信器に戻すことができる。このことにより、受信システムについてのダイナミックレンジの要件が求められる。受信システムは、全出力かつ極めて低く反射されたパルスを扱うのに十分な感度を有するべきである。100dBのオーダーのダイナミックレンジの要件は、通常には見られない。このダイナミックレンジは、一般に、ADCの前に前面で可変利得増幅器(VGA)またはデジタルVGA(DVGA)を用いることによって達成される(自動車/工業/軍事アプリケーションのためのLIDARシステム設計、Texas Instruments)。
複数のアプリケーションでは、LIDARセンサは、可動プラットフォーム、例えば航空機または衛星などに実装されて、センサの絶対的な位置および方位を決定するための器械工学系を必要とする。そのようなデバイスは、概して、全地球測位システム(GPS)の受信器および慣性測定ユニット(IMU)、例えば加速度計などを含む。
LIDARイメージングは、スキャニングシステムと非スキャニングシステムとの両方を用いて達成することができる。例えば、「3Dゲート型観視(gated viewing)レーザー・レーダー」は、パルス化されたレーザーと高速ゲート型カメラとを適用する非スキャニング・レーザー測距システムである。さらに、レーザービームは、広範囲を捕捉するために拡張することができ、この範囲にわたってビームを積極的にスキャンする必要はない。非機械的なビーム操向またはレーザー信号のスキャニングのためのいくつかのアプローチがある。一例では、複数の単一周波数レーザーが、干渉性ビーム操向に使用される。一般原理は、伝送器のアレイを配備することであり、それらの伝送器については、レーザーにより生じる波のそれぞれの位相を制御することができる。次いで、伝送器アレイから得られる波面の組合せを、個々の位相の動的な制御を介して、ある特定の方向に移動するように操作する。別の実施形態では、単一の高干渉性エミッタからの出力は、複数の行路に分割され、その場合、各行路の放射光の位相は、ビームを組み換える際に組み合わされた波面を制御するように、個別に操作することができる。あるいは、波長可調整レーザー出力は、格子を介して方向付けることができ、その場合、格子からの出力の放射の方向は、波長依存的である。レーザーの波長を動的に整調することによって、出力ビームの方向を制御することができる。DLP技術による仮想ビーム操向のための研究が始まっている。これらのビーム操向およびスキャンニングの技術は全て、ガリウムおよび窒素を含有するレーザーダイオードを含む本発明に適用可能である。
本発明の一部の好適な実施形態では、イメージングLIDARシステムは、光のパルスを用いて全域を照明し、タイムオブフライト測定などの測定法を使用して、10から100万の空間点の深度座標を、並行して、一度に1フレーム集める。これらの受信器システムは、数多くの空間点から戻った信号を並行して検出するために、アレイを利用しなければならない。一実施形態では、高速検出器および変調高感度検出器のアレイが、LIDARシステムに含まれる。これらのアレイは、低コストで信頼性のある高性能の並行検出を行うために、CMOSおよびハイブリッドCMOS/CCDを用いて、単一のチップに構築することができる。この構成では、各ピクセルは、復調や高速でのゲーティングなど、一部の局所的な処理を実施することができ、アレイがカメラのように読み取るように、信号を動画速度にダウンコンバートする。この手法を用いて、数多くの密なピクセルアレイまたはチャネルを、同時に取得することができる。本発明の一部の実施形態では、電子CCDまたはCMOSシャッターを用いたホモダイン検出が、高解像度の3D LIDARのために採用される。
並行検出LIDARシステムの別の実施形態では、DLPチップやLCOSチップなどの光学アレイ(例えばマイクロディスプレイ)を使用して、様々な空間点からの同時の戻り信号を収集することができる。光学アレイは、次いで、様々な空間点からの反射光を検出器に方向付けるものとなり、その場合、検出器は、検出器アレイまたは単一の検出器とすることができる。適正なデータ処理、アルゴリズム設計、および同期を介して、様々な空間点からの深度座標が演算されるものとなる。
一部の実施形態では、MEMSスキャナミラーが、受信ユニットにおける検出スキームに含まれる。例えば、MEMSスキャナは、光学アレイと組み合わされて、各ピクセルからの信号を個々にピックオフし、単一のフォトダイオードに方向付けるものとなる。別のさらに望ましい例では、MEMSスキャニングミラーは、LIDAR照明範囲中をラスターして様々な空間座標から戻った信号を捕捉するように構成されるものとなり、その場合、MEMSミラーの様々な回転位置は、イメージまたはフレームにおける様々なピクセルと相関するものとなる。MEMSミラーは、次いで、光検出器、CMOS検出器、または検出器アレイなど、検出器から戻った信号を反射するものとなる。さらに別の好適な簡略化された実施形態では、単一または複数のMEMSまたはマイクロディスプレイは、LIDARシステムの伝送器側の両方に用いられて、標的範囲にわたって照明パルスをラスターまたは分配し、LIDARシステムの受信器側で反射信号を収集する。
特定の一実施形態では、マイクロディスプレイを使用して、MEMSスキャニングミラーなどのビーム操向部材を用いてパルスなどのレーザーイメージング信号をラスターするか、またはDLPチップやLCOSチップなどの2Dアレイマイクロディスプレイを用いて標的範囲を照明する。ある構成では、検出システムは、CMOS検出器アレイと共に構成される。別の構成では、検出システムは、フォトダイオードに戻って結合するマイクロディスプレイを使用する。
別の先進型スキームでは、干渉性イメージングLIDARが含まれる。干渉性イメージングLIDARは、まさに単一部品の受信器をイメージングアレイであるかのように機能させることを可能にする、合成アレイヘテロダイン検出を含む。
本発明の一部の実施形態では、レーザーベース光源は、デバイスまたは可動機械、例えば乗物、自動車、航空機、船舶、潜水艇、ドローン、衛星、ヘリコプター、気象観測気球、または他の装置上にLIDARシステムと共に含まれる。これらの実施形態では、LIDAR源を従来のLIDARシステムとすることができ、この従来のLIDARシステムは、必ずしもレーザーベース光源と同じパッケージに収容または含有されていないが、レーザーベース照光およびLIDARイメージングの機能性の組合せをもたらすように同じ装置内にまたはオンボードで含有される必要がある。例えば、LIDARイメージングシステムは、環境の3次元マッピングを与えるものとなり、レーザーベース照光システムは、特化された照光機能、例えば、可視性もしくは安全性を高めるための長距離光機能、スポット照光機能、またはスマート照光機能を提供するものとなる。当該スマート照光機能は、空間的に動的な照光、LiFiなどの可視光通信[VLC]、動的な色制御などの、閉フィードバックループのためのセンサを組み合わせることができる本発明に記載される任意のスマート照光機能を含む。レーザーベース照明システムのユニークな特性、例えば、リアルタイムLIDARイメージングと組み合わされた高指向性または高解像度の動的な表示およびパターン能力は、自律型アプリケーションを含む数多くのアプリケーションに使用されるスマートシステムの安全性および機能性を高めることができる。
図3Aは、本発明の一部の実施形態によるLIDARシステムとレーザーベース可視光源との両方を含む、装置または可動機械の模式図を示す。可動機械などの装置2800は、レーザー光照明システム2810とLIDARシステム2820との両方のためのエネルギー源として役割を果たす少なくとも1つの電源2801から構成される。レーザー光照明システム2810は、第1の電磁気照射出力により青色波長領域(420から485nm)または青紫色波長領域(390から420nm)で動作する、ガリウムおよび窒素を含有するレーザーダイオード2811から構成される。第1の出力電磁気照射は、蛍リン光体材などの波長変換部材への入射ビームであり、そこでは、第1の青色または青紫色のピーク波長の少なくともごく一部が、第2のピーク波長に変換されて、第1のピーク波長と第2のピーク波長とを混合された出力ビームとして白色光を生成する。一部の好適な実施形態では、波長変換部材または蛍リン光体材は、反射モードで動作されて、入射ビームに対する出力ビームを産生する。他の好適な実施形態では、波長変換部材または蛍リン光体材は、伝送モードで動作されて、入射ビームに対する出力ビームを産生する。白色光が生成されると、それは視準光学系などの光学部材を介して結合され、出力ビームを成形する。
LIDARシステム2820は、レーザーを含む少なくとも伝送器モジュール2822を有するレーザーサブシステムから構成され、その場合、伝送器2822は、周囲環境に対する1つまたは複数の感知光信号として、レーザー光パルスを直接的に生成するように構成される。LIDARシステム2820はまた、少なくとも受信モジュール2823を含む検出サブシステムを含み、この受信モジュールは、周囲環境に反射した後の1つまたは複数の感知光信号が戻ると、光信号を検出するように機能する。さらに、LIDARシステム2820は、プロセッサ2821を含み、このプロセッサは、伝送器2822と受信器2823とを同期し、伝送されたレーザー光パルスと反射光信号との両方を処理し、タイムオブフライトの計算を実施して、全ての周囲環境対象との距離を決定しその3次元マップを生成する。
レーザー光照明システム2810は、任意選択的に、信号プロセッサおよび/またはジェネレータ2802を介してLIDARシステム2820に結合することができ、この信号プロセッサおよび/またはジェネレータは、LIDARシステム2820から提供されるフィードバックまたは情報に基づきレーザー光照明システムを制御するように構成される。一例では、LIDARシステム2820は、接近する可動対象を検出する。接近する対象のグレアを防ぐために、処理ユニット2802は、電流をレーザー光照明システム2810に適合させて、レーザー光照明システム2810の輝度を減弱または低減させ、グレアの危険を防ぐ。代替の一例では、LIDARシステム2820は、動く対象を検出するが、この対象では、可動機械の操作者は、衝突の危険などの安全性での危険に気付いていないことがあり、それを防ぐことができよう。この場合、処理ユニット2802は、レーザー光照明システム2810に対し信号を生成して、動く対象へのスポット光機能を作動させて操作者の注意に供するなど、光の特性を改変する。さらに、レーザー光照明システム2810は、動く対象をスポット光と共に動的に追跡できるように、光出力のビーム角度および/または空間的なパターン/場所を動的に変える能力を有する、動的供給源とすることができる。
本願実施形態の一例では、レーザーベース照光システム2810およびLIDARシステム2820のコンポーネントは、統合されシステム2800として、または別々のシステムとして、一般的なパッケージ内に収納することができる。例えば、LIDARシステム2820およびレーザーベース照光システム2810は、自律型乗物などの自動車のヘッドランプ内に収納することができる。別の例では、レーザーベース照光システムおよびLIDARシステムは、ドローン上の照光筐体に収納することができる。
一例では、レーザーベース照光システムおよびLIDARシステムは、自律型乗物やドローンなどの可動機械上に設けられ、その場合、LIDARシステムは、スキャニングおよびナビゲーションに使用され、レーザーベース照光システムは、対象または地形をスポット照光して通信または警告をもたらすのに使用される。好適な一実施形態では、LIDAR機能および照明機能は、ループを介して接続され、その場合、LIDARイメージは、動的なレーザーベース照明パターンにフィードバックするためのセンサ信号として働いている。例えば、LIDARマッピングが道路脇に動物を検出した場合、それを選好的にスポット照光するように、レーザー照明源を構成することができる。別の例では、接近する車がLIDARマッピングによって検出された場合、接近する交通へのビームを隠すかまたは暗くするように、レーザーベース照明パターンを構成することができる。もちろん、自動車、娯楽、商業、宇宙、および防衛などを含む数多くのアプリケーションで、機能性および安全性を追加するために、動的な照明パターンおよび動的なLIDARスキャニングパターンをどのように併せて使うことができるかに関しては、数多くの例がある。
図3Bは、本発明の一部の実施形態による図3AのLIDARシステムとレーザーベース可視光源との両方を統合する装置を使用する一例を示す。図3Bを参照すると、自動車は、LIDARシステムとレーザーベース光源との両方を含む。本実施形態では、LIDARシステムは、環境を空間的にマッピングするのに使用され、レーザーベース光システムは、可視白色光を用いて特定の対象と全般的な周囲環境とを照明するのに使用される。
一実施形態では、レーザーベース照光システムを、VLCまたはLiFiを介した通信に使用して、周囲環境の機械、デバイス、またはヒトによって検出されるデータ信号を伝送することができよう。例えば、伝送された信号を使用して、LIDARシステムを収容する本主題の装置のスピード、ベロシティ、軌道、または意図に関するデータを伝送することができよう。別の実施形態では、動的な空間的照明を使用して、可視表面上に形状および表示を投影することによって周囲環境の対象、デバイス、またはヒトと通信する。さらに別の実施形態では、動的な色の整調を伴う照光システムを使用して、周囲環境の対象、デバイス、またはヒトと通信するが、その場合、レーザーベース光の色または輝度は、メッセージを通信するように変えられるものとなる。そのようなLIDARおよびレーザーベース照光システムの新規の組合せは、ナビゲーションのために環境をイメージングするとともにその環境内の対象、デバイス、およびヒト/動物を同時に照明しそれらと通信するために決定的な能力を用いて、自律型または半自律型の乗物、デバイス、ドローン、ボート、乗物、および他の機械のために能力を有効にすることができる。
一例では、LIDARシステムは、赤外波長により、例えば800nmと1100nmとの間(例えば、典型的には905nmまたは1064nmで)、1100nmから1450nmの間、または1450nmから1800nmの間の波長などで動作し、レーザーベース光システムは、400と480nmとの間のーザー励起源波長と蛍リン光体などの波長変換部材とにより動作する。レーザー光源は、反射モードまたは伝送モードで励起レーザー光を蛍リン光体部材に結合させるために構成されるものとなる。レーザーベース光源は、LIDARシステム.によって検出されるある特定のまたは所定の環境条件に対して反応するように構成されるものとなる。レーザーベース光システムおよびLIDARシステムのコンポーネントは、一般的なパッケージ部材または基板部材を共有することができるが、乗物または装置の異なる場所に完全に別々にして実装することもできる。
本発明の一部の実施形態では、レーザーベース光源は、完全にまたは部分的にLIDARシステムに統合され、乗物、自動車、ドローン、航空機、船舶、潜水艇、または他の装置のような可動機械など、装置デバイス上に構成される。これらの実施形態では、LIDARシステムは、少なくとも部分的には、レーザーベース光源、例えばレーザーベース光源中の励起レーザーダイオードなどを共有する、1つまたは複数のコンポーネントから構成される。LIDAR機能の少なくとも一部がレーザーベース光システム内に統合されているそのようなシステムは、システムのサイズ、コスト、および重量の全体的な低減という潜在的なメリットを、機能性、感度の増加、または能力の増強の機会と併せてもたらすものとなる。一例では、本実施形態によれば、レーザーベース光システムと少なくともLIDARの一部は、同じパッケージに収容または含有される。
本実施形態の一例では、蛍リン光体部材などの波長変換部材を励起してレーザーベースの白色光を生成するのに用いられる、390nmから480nmまでの波長を有する青紫色または青色のレーザーダイオード源からの放射はまた、LIDARシステムにおけるレーザースキャニング機能のためにもなる。青色または青紫色のレーザーダイオードの放射は、2つのビームに分割されることがあり、その場合、第1のビームは、主として、蛍リン光体を励起して白色光などの光を生成するのに用いられ、第2のビームは、周囲環境を空間的にマッピングするために視準される。一実施形態では、LIDAR感知のために視準されたレーザー光は、スキャニング部材を使用して、スキャニングミラーのラスタリングパターンに基づき、所定の対象範囲にわたってレーザービームを空間的にスキャンする。スキャニング部材は、二軸または単軸のスキャニングMEMSデバイスとすることができ、このデバイスは、環境にわたって青紫色または青色の波長の視準されたレーザービームを空間的に掃引し、戻された(散乱/反射された)レーザービームを感知してタイムオブフライト法により距離を計算し、それにより3次元マップを生成する。代替の一実施形態では、光学ビーム成形部品を用いて、青色または青紫色のレーザービームを所定の発散に拡張して、総対象範囲を同時に照明する。一般的な構成では、レーザー源および/またはスキャニング部材は、周期的な短い光のパルスまたは変調された強度のスキームを生成して、伝送されて検出された信号の同期を可能とするように構成されるものとなり、その場合、タイムオブフライトの計算または干渉性検出の計算を用いて、距離を演算し対象範囲をマッピングすることができる。本発明のこの実施形態では、レーザー源は、照光機能とLIDAR機能との両方のために使用されている。LIDAR感知のための可視波長を用いる場合の課題の1つは、眼の安全性の懸念である。しかし、これは、短い光のパルスを用いて眼の曝露を制限することによって、眼に安全なレベルに出力を制限することによって、ならびに/またはスキャニングの方法論および安全性アルゴリズムを用いて損傷もしくは眼の曝露の延長を防ぐことによって、克服することができる。
図4は、本発明の一部の実施形態によるLIDARシステムに統合されたレーザー光照明システムの簡略化された模式図である。図に示されるように、統合されたシステム2900は、LIDARシステムとレーザー光照明システムとの両方に電力を供給するための電源2901を有して構成される。任意選択的に、別々のまたは複数の電力供給源2901を、コントローラ2902と併せて用いることができるが、このコントローラは、プロセッサといくつかの駆動電子機器とを含み、駆動電子機器は、電力供給源2901から電力を受信し、かつLIDARシステムの受信コンポーネント2931からデータまたは信号を受信するように構成されている。指定された機能性と電力供給源2901から供給される電力とを与えるためのユーザ入力や所定の入力などの外部入力2990に基づいて、コントローラ2902は、1つまたは複数のガリウムおよび窒素を含有するレーザーダイオード2903に送られる適切な駆動信号を決定する。駆動信号は、レーザーダイオード2903の電流および電圧の特性を駆動し、レーザーダイオードから適切な強度パターンを生成して、青色または青紫色のピーク波長などの第1のピーク波長により特徴付けられる第1の電磁気照射を与えるように構成される。一実施形態では、駆動信号は、所望の輝度と光束とを有するレーザー照明源に必要な適切なパターンのレーザー光と、LIDARシステムのための所望の感知光信号またはレーザーパルスを有するLIDARスキャニング機能のためのレーザー放射とを併せた両方を生成し、感知光信号に基づいて反射光信号を感知し、かつ感知光信号と反射光信号との両方に基づいてタイムオブフライトの計算を実施するように構成される。代替の一実施形態では、LIDARシステムについて、またはレーザー光照明源について、光に関して信号を別々にコード化するために、光学モジュレータを含めることができよう。
図4に示されるように、レーザーダイオード2903からの第1のピーク波長の第1の電磁気照射は、次いで、2つの別々の光路に分割される。第1の光路は、波長変換部材2911(例えば蛍リン光体)に入射し、そこでは、第1のピーク波長を有する第1の電磁気照射の少なくともごく一部は、第2のピーク波長.を有する第2の電磁気照射(励起された蛍リン光体からの放射)に変換される。任意選択的に、第2のピーク波長は黄色域にある。好適な実施形態では、第2の電磁気照射は、第1の電磁気照射の一部分と混合されて、レーザーベース照明システムの出力電磁気照射を白色光として産生する。結果として得られる出力電磁気照射は、次いで、1つまたは複数のビーム成形部品2912により、所定の視準、発散、およびパターンをもたらすように調整される。任意選択的に、ビーム操向部品を、空間的に動的な照明を作り出すためにレーザーベース照明システムに追加することができる。一部の実施形態では、視準光学系などの追加のビーム成形部品が、波長変換部材2911への入射の前にレーザー光を視準するために使用される。さらに、光ファイバ、例えばガラスもしくはポリマーのファイバまたは他の導波部品などを、レーザーダイオード2903から波長変換部材2911にレーザー光を移送して遠隔のポンピング変換を作り出すために使用することができる。
図4によれば、第2の光路は、第1のピーク波長を有する電磁気照射をLIDAR伝送器モジュール2921に方向付けるが、その場合、この伝送器モジュールを、他の伝送器コンポーネントと組み合わせることができる。一部の実施形態では、レンズなどの視準光学系が、LIDARシステムの伝送器モジュール2921への進入の前にレーザー光を視準するために使用される。さらに、光ファイバ、例えばガラスもしくはポリマーのファイバまたは他の導波部品などを、レーザーダイオード2903からLIDAR伝送器モジュール2921までレーザー光を移送するために使用することができる。先に記載されたように、光学モジュレータをこの第2の光路に含めて、所望のLIDAR機能に必要な感知光信号として光学パルスまたは他の光学信号を生成することができよう。外部の環境に出る前に、LIDARシステムの感知光信号は、周囲環境の所望の標的範囲にわたる感知光信号をスキャンするための適切な発散および方向をLIDARシステムが有するように、伝送光学系2922によって適正に調整することができる。所望の標的範囲のマップは、様々な方法でLIDARシステムによって捕捉することができ、そのような方法としては、MEMSスキャニングミラーなどの動的スキャナを用いて感知光信号をスキャンすること、DLPまたはLCOSなどのマイクロディスプレイを用いてイメージを記録すること、および/またはレンズ、ミラー、および拡散部品などの基礎光学系2932を用いてビームを単純に拡張もしくは成形することが挙げられる。全ての信号処理およびビーム調整が伝送光学系2922によって完了すると、LIDAR感知光ビームは、外部に向けて標的範囲に対し投射され、その場合、ビームは、周囲環境の様々な遠隔の標的対象で反射および散乱し、ごく一部がLIDARシステムの受信モジュール2931に戻る。受信モジュール2931は、いくつかの受信光学コンポーネントおよび信号プロセッサ(アナログ−デジタル変換器)、検出部材2932から構成され、検出部材2932は、例えばフォトダイオード、フォトダイオードアレイ、CCDアレイ、アンテナアレイ、フォトダイオードに結合されるスキャニングミラーもしくはマイクロディスプレイ、または反射もしくは散乱された光信号を遠隔の標的対象から検出して電気信号に変換するように構成されるその他のものなどである。検出部材2932によって検出される電気信号は、受信モジュール2931によって受信され、次いで、感知光ビームなど、伝送されて検出されたLIDAR信号についてタイムオブフライトを計算するのに用いられる。任意選択的に、遠隔の標的対象の空間マップを、受信モジュール2931に付随する信号プロセッサによって生成することができる。タイムオブフライトおよび空間マップを決定するための計算または処理は、受信器2931で直接的に行うことができる。あるいは、空間マップ生成は、別のプロセッサユニット2902で行われる。
もちろん、実現可能な本実施形態の数多くの新規の構成がある。例えば、レーザーベース照明システムの光源は、複数のガリウムおよび窒素を含有するレーザーダイオードから構成されることがあるが、その場合、複数のレーザーダイオードのうち1つまたは複数が、LIDARスキャニング機能に使用される。一実施形態では、390nmから550nmの範囲で動作する複数のガリウムおよび窒素を含有するレーザーダイオードが、多波長(マルチスペクトル)またはハイパースペクトルのLIDAR照明スキャニングのためにLIDARシステムで使用される。対応する信号の調整および検出に結び付けられたそのような波長の多様性は、感度の増加を可能とする、および/または環境風景に関するさらに多くの情報をLIDARユーザに提供することができる。代替の実施形態では、他の波長域、例えば紫外、シアン、緑、黄、橙、または赤などを、ガリウムおよび窒素を含有するレーザーダイオードから生成することができよう。さらに、任意の数のスキャニング、ラスタリング、またはイメージ生成の技術、例えばDLP、LCOS、およびスキャニングファイバなどを含めることができる。
代替の一実施形態では、ガリウムおよび窒素を含有するレーザーダイオード波長をLIDAR照明のために使用するレーザーベース照光システムは、標準的なLIDAR波長、例えば905nm、1000nm、1064nm、1550nmなどを使用する従来のLIDARシステム内に構成される。ガリウムおよび窒素を含有するレーザーダイオードからの390nmから480nmまでの範囲の青色波長などの波長を、従来のLIDARシステムからの赤外波長と組み合わせることによって、感度または機能性を増加させることができる。この感度および機能性の増加は、ベースとする環境の各種特徴を感知するために別々の波長を用いることによって、または戻った信号もしくは反響、例えば振幅、タイムオブフライト、もしくは位相などの各種解析に基づいて、達成される。一部の実施形態では、長い波長で放射するガリウムおよび窒素を含有するレーザーダイオードは、GaAsまたはInPベースのレーザーダイオードを含むシステムに使用されない。
別の実施形態では、レーザー光照明システムにおける波長変換部材からの反射および/または散乱しているレーザー光励起ビームを、LIDAR感知機能を実現するために用いることができる。実施形態では、ビームスプリッタまたは類似のコンポーネントは、波長変換部材の励起の前に、LIDAR感知のために、直接的なレーザービームの一部を「ピックオフ」するために排除される。例えば、GaNベースのレーザーダイオードからの390nmから480nmの範囲の第1の波長を有する青紫色から青色のレーザーは、蛍リン光体などの波長変換部材を励起して、さらに長い第2の波長の放射を生成する。一例では、第2の波長は黄色の放射であり、それは、GaNベースのレーザーダイオードからの残りの青紫色または青色の放射と混和して白色光の放射を作製する。この白色光の放射は、ランバートパターンを有しうるが、次いで視準され、1次元または2次元スキャナ、例えばスキャニングMEMSミラーなどに結合される。スキャナのスキャニング部材は、次いで、環境および周囲環境のうち視準された光のビームを掃引し、LIDARスキャニング照明部材としての役割を果たすものとなる。視準された白色光ビーム内の青紫色または青色の第1の波長は、戻された(散乱/反射された)レーザービームを感知するために環境にわたって掃引し、タイムオブフライト方法を用いて散乱対象からの距離を計算し、それによって3次元マップを生成する。LIDAR感知のために設けられた青紫色または青色のレーザーは、1mWから10mW、10mWから100mW、100mWから1W、および1Wから10Wから選択される1つの領域にある高出力レベルによって特徴付けられ、この出力は、以下の各範囲:25%超、50%超、75%超、および100%超の相対湿度レベルを有する湿潤条件下で、遠隔の標的対象を感知およびマッピングすることができる。
本実施形態の一般構成では、レーザー源および/またはスキャニング部材は、周期的な短い光のパルスまたは変調された強度スキームを生成して、伝送されて検出された信号の同期を可能とするように動作されるものとなる。検出器は、ノッチ・パス・フィルタを有して構成することができ、このフィルタは、励起源中の青紫色または青色の波長など、レーザー放射波長の周囲に中心がある狭い帯域(すなわち2〜20nmまたは20〜100nm)内の波長のみを受け入れるように設計される。そのような構成は、本発明を通して記載される空間的に動的なレーザーベース光の実施形態にそれ自体を最適なものとするが、この実施形態は、MEMSスキャニングミラーなどのマイクロディスプレイをレーザーベース照光/照明技術と組み合わせるものである。さらに、スマートレーザーベース照光システムは、LIDAR感知およびスマートレーザー照光の機能を環境条件に変化に対して活性化し応答させることのできる閉フィードバックループに、センサフィードバックをもたらすものとなる。
図5は、本発明の一部の代替の実施形態によるLIDARシステムに統合されたレーザー光照明システムの簡略化された模式図である。図に示されるように、統合されたシステム3000は、LIDARシステムと照明システム(一部の実施形態では、別々または複数の電源を使用できることに留意)との両方に電力を供給するための電源3001を有し、プロセッサと、電力供給源3001からの電力およびLIDARシステムの受信部3031からのデータまたは信号を受信するように構成される制御ユニット3002とを伴って構成される。指定の機能性と電力供給源3001から供給される電力とを与えるユーザ入力または所定の入力などの外部入力3090に基づき、プロセッサおよび制御ユニット3002は、1つまたは複数のガリウムおよび窒素を含有するレーザーダイオード3003を駆動するための、外部入力3090に基づく適切な駆動信号を決定する。駆動信号は、レーザーダイオード3003の電流および電圧の特性を決定し、適切な強度パターンを生成して、青色または青紫色のピーク波長などの第1のピーク波長を有する電磁気照射を与えるように構成される。一実施形態では、駆動信号は、所望の輝度と光束とを有するレーザー照明源に必要な適切なパターンのレーザー光と、LIDAR感知およびタイムオブフライトの計算のための所望の信号またはレーザーパルスを有するLIDARスキャニング機能のためのレーザー放射とを併せた両方を生成するように構成される。代替の一実施形態では、LIDARシステムについて、またはレーザー光照明源について、光に関して信号を別々にコード化するために、光学モジュレータを含めることができよう。
図5に示されるように、レーザーダイオード3003からの第1のピーク波長の一次電磁気照射は、入射光として波長変換部材3004内に方向付けられる。波長変換部材3004は、ある特定の波長の入射光によって励起されてより長い波長光を再放射する、蛍リン光体材である。そのため、第1のピーク波長を有する一次電磁気照射の少なくともごく一部は、黄色ピーク波長などの第2のピーク波長を有する二次電磁気放射に変換される。好適な実施形態では、第2のピーク波長を有する二次電磁気放射は、1つまたは複数のビーム成形部品3005によって、第1のピーク波長を有する電磁気照射の少なくともごく一部と組み合わされるかまたは混合されて、白色光を産生する。任意選択的に、放射の組合せとしての白色光は、青紫色域または青色域にある少なくとも第1のピーク波長と、黄色域にある第2のピーク波長とを含む。さらに、1つまたは複数のビーム成形部品3005は、照明とLIDAR感知との両方に用いる放射の組合せをガイドするための、所定の視準、発散、およびパターンをもたらすように構成される。
図5に見られるように、組み合わされた放射の少なくとも一部は、出力され、LIDARスキャニング放射として成形される。一実施形態では、1つまたは複数のビーム成形部品3005によって生成されたLIDARスキャニング放射は、第1のピーク波長を有する第1の感知光信号と、受信されたレーザーベース白色光に基づく第2のピーク波長を有する第2の感知光信号とを含む。一方、第1の感知光信号と第2の感知光信号とのビームが、標的対象およびその周囲環境を含む遠隔の範囲にわたるスキャニングのために、LIDAR信号伝送モジュール3022を介して環境内に投射される前に、LIDARスキャニング放射は、信号の成形、フィルタリング、波長依存的伝送、ビーム操向(MEMSなどを用いた能動的なビーム操向とすることができる)などのために、LIDAR伝送コンポーネント3021を介して供給されることがある。一方、組み合わされた放射の残りの部分は、照明のためのビームとして提供される。ビームは、追加のビーム成形光学コンポーネント3011によってさらに処理されて、指向性が増強されかつ減衰が低減された標的対象のためのより良い照明源として、15度以下に視準することができる。任意選択的に、ビーム操向部品3012を追加的に含めて、照明源のビームを操作し、標的対象の少なくとも一部の空間的に動的な照明を作り出す。
一部の実施形態では、コリメータなどの追加のビーム成形部品を用いて、波長変換部材3004への入射の前にレーザー光を視準する。さらに、光ファイバ、例えばガラスもしくはポリマーのファイバまたは他の導波部品などを用いて、レーザーダイオード3003から波長変換部材3004にレーザー光を移送して、遠隔のポンピング変換を作り出すことができる。
代替の一実施形態では、レーザーダイオードからの一次放射と波長変換部材3004からの二次放射との組み合わされた放射として1つまたは複数のビーム成形部品3005から出力された白色光は、2つの光の経路に分割され、照明システムには第1のビームを、LIDARシステムには第2のビームをそれぞれ用いて、別々の調整および操向を実現する。他の実施形態では、LIDARシステムおよびレーザー照明システムは、照明範囲およびLIDARシステムからの3Dスキャンされた範囲がほぼ同じになるように、同じ光の経路を辿ることがある。
別の代替の実施形態では、1つまたは複数のビーム成形部品3005から出力された白色光は、単一の光の経路を通じてビーム投射器に供給され、このビーム投射器は、LIDAR伝送コンポーネント3021、LIDAR信号伝送モジュール3022、ビーム成形光学コンポーネント3011、およびビーム操向部品3012を含む。信号の処理、フィルタリング、ビーム成形、視準、および投射という複数のタスクを達成して、第1のピーク波長を有する第1の感知光信号、第2のピーク波長を有する第2の感知光信号、および照明のための白色光のビームを生成する。あるいは、ビーム投射器は、組み合わされた放射を扱うためのハイブリッド・コリメータを含有する。このハイブリッド・コリメータは、白色光の一部をLIDAR感知ビームとして視準するように構成される中央コリメータと、残りの部分の白色光を照明ビームとして視準するように構成される外部コリメータとを含む。具体的には、LIDAR感知ビームとして視準された白色光の一部は、一次レーザーダイオード3003からの第1のピーク波長を有する第1の感知光信号と、波長変換部材3004の二次放射からの第2のピーク波長を有する第2の感知光信号とを含む。中央コリメータは、第1の感知光信号のビームおよび第2の感知光信号を1度未満または2度未満に視準するように構成され、この角度は、1つまたは複数の標的対象および周囲環境にわたって高度に指向性のビームを有する、LIDAR感知光スキャニングおよび戻り光の検出に好適である。外部コリメータは、1つまたは複数の標的対象を簡素に照明するために、白色光のビームを15度未満に視準するように構成される。
先に記載されたように、LIDARシステムに統合されたレーザー光照明システムは、所望のLIDAR感知機能に必要なパルス信号を生成するように構成される光学モジュレータを含む。 標的LIDARマッピング範囲は、MEMSスキャニングミラーなどの動的なスキャナ、DLPなどのマイクロディスプレイなどを含む、LIDAR信号伝送のための光学系を介して、LIDAR感知光信号をスキャンすることによって、またはレンズ、ミラー、および拡散部品などの基礎光学系を用いて、高度に視準されたビームを単純に拡張もしくは成形することによって、様々な方法で捕捉することができる。光学モジュレータは、第1の速度を有する変調信号を提供して、ガリウムおよび窒素を含有するレーザーダイオードを駆動し、第2の速度により遮断される第1のピーク波長を有する第1の光を放射するように構成され、その場合、第2の速度は、波長変換部材から再放射された黄色の第2の光の遅延した変調速度に実質的に同期される。波長変換部材からの黄色パルスに付随するこの遅延した変調速度は、レーザーダイオードからの青色の励起パルスの速度と相関する。遅い変調速度の下では、パルスは、多かれ少なかれ同期されることがあり、このことは問題とはなり得ない。しかし、速い変調速度、例えばGHZの下では、1つの黄色パルスに隠れて何百から何千もの青色パルスがあるものとなる。二次的な黄色の放射は、本質的に止むことがない際には、バックグラウンドノイズのように見えるものとなる。これは、パルス遮断を励起信号に含めることによって克服することができよう。これらの遮断は、黄色信号についてビット長を設定するものとなる。
信号伝送およびビーム調整が完了すると、LIDARシステムのための第1の感知光信号と第2の感知光信号との両方を含む視準されたLIDAR感知ビームは、外部に向けて、様々な標的対象と周囲環境とを含む設計された投射範囲に対して投射される。任意選択的に、LIDAR感知ビームは、各スキャニングサイクルで、少なくとも第1のピーク波長と第2のピーク波長とを有する一連の光パルスとして提供される。第1の感知光信号および第2の感知光信号は、投射範囲内の様々な標的対象でそれぞれ反射および散乱される。反射/散乱された光信号の少なくともごく一部は、LIDARシステムの受信モジュール3031によって受信される。受信モジュール3031は、いくつかの光学受信コンポーネント3032に結合され、そのような受信コンポーネントとしては、1つまたは複数の光学検出器、例えばフォトダイオード、フォトダイオードアレイ、CCDアレイ、アンテナアレイ、またはフォトダイオードに結合されるスキャニングミラーもしくはマイクロディスプレイ、または反射/散乱された光信号を検出して電気信号に変換するその他のものが挙げられる。受信モジュール3031は、さらに、少なくとも信号プロセッサを含み、このプロセッサは、電気信号をデジタル形式に加工し、さらに、デジタル形式の伝送された第2の感知光信号と検出された信号との両方に基づいてタイムオブフライトを計算するためのものである。タイムオブフライトの情報を用いて、標的対象およびその周囲環境の空間マップまたはイメージを生成することができる。
任意選択的に、受信モジュール3031は、第1の感知光信号の反射信号を検出して1つまたは複数の標的対象の第1のイメージを生成するように構成される第1の信号受信器と、第2の感知光信号の反射信号を検出して1つまたは複数の標的対象第2のイメージを生成するように構成される第2の信号受信器とを含む。任意選択的に、第1の信号受信器によって生成される第1のイメージは、第2の信号受信器によって生成された第2のイメージに同期されて、1つまたは複数の標的対象の色差イメージをもたらす。青色光と黄色光との間の減衰の差は、環境に関する情報をもたらすことがあり、そのようなものとしては、空気、または光信号が通り抜けて移動している他の空間、または光信号が反射している材料が挙げられる。同様に、青色および黄色の信号の光についての戻る時間の差は、分散により、光が通り抜けて移動している材料に関する情報をもたらすことがある。任意選択的に、タイムオブフライトおよび標的対象/範囲の空間マップまたはイメージを決定するための計算または処理は、受信モジュール3031で、または代替的にはプロセッサおよび制御ユニット3002で直接的に行うことができる。
LIDARアプリケーションで使用される波長変換部材(3004、蛍リン光体など)から出力されるレーザーベース光源について、極端に高い輝度が達成されることが認識されよう。レーザーそれ自体は、指向性が高く、減衰が低く、および輝度が極端であるという特徴に大きく起因して、典型的にはLIDARシステムに用いられる。この放射特性は、レーザー光を高度に視準し、ビームの制御を維持して、大きな距離(すなわち10mから10,000m)にわたる環境を正確かつ密に検査することを可能にする。LEDなどの他の照明源は、この視準および指向性を可能にするためのそのような輝度の要件を全く以て満たすことができない。しかし、蛍リン光体上のごく小さなスポットを照明し、かつ50μmから1000μmのスポットサイズ(光学アパーチャ)から300から3,000ルーメンの光を生成する高出力レーザーを用いた先進型レーザーベース照光システムは、たとえ蛍リン光体(すなわち,波長変換部材)からの放射がランバートであるとしても、極限の視準を可能にすることができる。そのため、そのようなレーザーベース照光システムでは、光学ビームを1度未満、2度未満、または5度未満に視準して、LIDARアプリケーションに必要な指向性および強度を可能にすることができる。本明細書に記載される全ての実施形態のうちの一部の例では、ある特定のまたは別々の光学系を、照光または照明システムとは対照的に、LIDARシステムに用いてもよい。例えば、ハイブリッド光学ビームコリメータを用いて、外部ビーム視準とは別の、中央ビーム視準を可能にすることができよう。中央ビーム視準は、1度未満または2度未満などの高い視準として、主要なLIDAR伝送ビームコリメータとしての役割を果たすようにしてもよい。外部ビーム視準は、15度未満、10度未満、または5度未満などの低い視準にして、主要な照明ビームコリメータとしての役割を果たすようにしてもよい。もちろん、これは、照光システムの照光特性からの光のLIDAR伝送ビームを別々に最適化するようにいかに光学システムを設計できるかに関する一例に過ぎない。
本願の例のベネフィットは、何倍にもなる。上記に述べられたように、LIDARシステムを、マイクロディスプレイを用いたレーザーベースのスマート照光システムと統合することは、レーザー源およびスキャニングシステムを既に要するスマートな光構成の優れた追加的なベネフィットである。この構成では、動的なレーザーベース光源は、照光機能とLIDAR機能との両方に用いられている。LIDARとスマート照光などのレーザー照光機能とを共通のデバイス内で組み合わせることによって、機能性の増加、コストの低減、サイズの低減、および信頼性の向上を達成することができる。これらのベネフィットは、自律型の乗物、航空機、および船舶などのいくつかの先進型技術アプリケーションにおいて、軍事、防衛、自動車、商業、および専門のアプリケーションと併せて、決定的に重要であり、それらのアプリケーションでは、サイズ、重量、および様式が主要な設計パラメータであり、コストが常に重要である。
1つまたは複数の可視のガリウムおよび窒素を含有するレーザーダイオードを採用するこれらの実施形態に記載されたLIDARシステムに対する主要な差別化およびベネフィットとは、LIDARに用いられるさらに一般的な赤外波長に比べて水における吸収が低減されることである。その結果、ある特定の条件下では、これらの可視波長は、霧、雨、または水の塊などの湿気を、赤外波長よりも自由に通過するものとなり、水を含有する環境を動作する際にLIDARの感度を増加させることが可能になる。そのため、一部の散乱現象が、4番目の波長の出力の逆として生じたとしても、水の吸収はIRよりも可視で劇的に低く、その結果、霧や雨などの水で存在する条件で、さらに高い性能をもたらす。例えば、905nmと比べて450nmで光を用いると、散乱は16×に増加し、その結果、6%の光が伝送される。しかし、905nmの水の吸収は、450nmの青色の100×を超え、その結果、5倍を超える高い信号を生じる。一例では、レーザー励起源からの青色波長は、湿ったまたは濡れた条件で動作する自律型の乗物に可視性および安全性の改善をもたらす。湿潤条件での可視性の改善により、乗物および乗物内の搭乗者のための安全性を高めることができよう。
図6は、(媒体外で測定された際の)光の波長の関数として吸収係数をプロットした純水の吸収スペクトルを示す。陰影の範囲は、波長約380nmの青紫色から波長約760nmの赤色までに及ぶ可視光の領域に対応する。可視領域の左は紫外領域であり、可視領域の右は赤外領域である。このプロットから明らかなのは、純水中では、可視波長が、従来のLIDARレーザー源の動作する赤外領域よりも低い吸収係数を有するということである。実際に、この吸収は、約450nmの青色領域の波長である可視スペクトルの曲線の最小値よりも、赤色端では約100倍強い。この吸収の低減により、ガリウムおよび窒素を含有する可視のレーザーダイオード、例えば青色レーザーダイオードに基づくLIDARシステムは、雨もしくは霧の日または水面下などの湿った環境において、高精度で環境を空間的にマッピングおよびイメージングすることが可能になる。図6の吸収スペクトルは純水のものであることに留意すべきである。実際の環境では、水中にいくらかの不純物があり、それゆえに吸収を最小にするための最適な波長は変わることがある。
統合されたLIDAR機能のために動的ベースレーザー光源を照明源として用いた本実施形態は、膨大な数の性能または動作原理を実現し、その場合、レーザーベース光源からの照明パターンは、LIDARイメージングのためにスキャンされるパターンと別々または同じとすることができる。ある概念では、スキャナ部材の掃引パターンは、マイクロディスプレイのスキャニングプロファイルによって決定されたレーザーベース光源から静的な光学照明パターンをもたらし、このパターンは、ある特定の期間にわたって一定の幾何学パターンで光を配置するとともに、LIDAR信号を同時的にスキャニングおよび検出して光の照明パターン内にある環境の3Dマップを生成する。ここでは、照明パターンとLIDARイメージングパターンとは、一致しているかまたはほぼ一致しうる。この動作モードのベネフィットとして、ユーザは、レーザーベース光源を用いて光学的に照明している範囲についてほぼ正確に、3D LIDARイメージを可視的に見ることが可能になる。第1の概念では、ある意味で動的ではあるが典型的には静的な照明モードで動作されるように、ユーザまたはセンサからの入力に基づき、静的な照明パターンが変化または改変されることがあることに留意しなければならない。このシステムを、LIDARとレーザー光照明との両方のパターンが周期的に改変されるように設計することができよう。
図7は、本発明の一実施形態によるレーザー照明照光システムとLIDARシステムとを備え付けた可動機械を示す。図に見られるように、本実施形態では、LIDARスキャン範囲とレーザー光照明範囲とはほぼ一致し、それゆえに、乗物の乗員に見える照明された範囲は、LIDAR 3Dマッピングされた範囲にほぼ相当するものとなる。
第2の概念では、レーザーベース光源からの照明パターンは、センサ検出またはユーザ入力に基づき変化させることができる所与の照明パターンで典型的には動作するように、再び瞬時に静的なものとなる。しかし、この概念では、LIDARによる掃引は、照明パターンとは異なるパターンにわたって起こっている。一例では、LIDARパターンは、はるかに広い範囲にわたって検査しており、レーザーベースの光照明パターンがより小さな選択された範囲のみにわたって生成されるのと同時に、周囲環境の3Dマップを生成する。この差次的なスキャン範囲を達成するための1つの方法は、所望の照明パターンの外部の領域を形成するLIDARによってスキャンされている範囲のみについて強度の低い光信号を用いることであり、その場合、これらの領域の光の量は、LIDAR検出に十分な高さであるに過ぎず、実質的な可視照明を生じるほど高くはない。さらに、LIDAR信号は、数多くのアプリケーションで、周期的にパルスまたは変調される信号となり、この信号は、照明が無視されうるものとなるように平均強度を低減することができる。この概念の一例は、方向付けられた光としてレーザーベース照明源、例えば乗物、航空機、または船舶に用いるスポット光またはヘッドライトなどを使用して非常に明瞭な可視野をもたらすことであり、その一方で、LIDARシステムが、ナビゲーションおよびデータ収集を目的として、より大きな視野を同時に検査している。もちろん、LIDARスキャニングパターンよりも大きな範囲をカバーする照明パターンなど、この概念の数多くの構成がある。
図8は、本発明の別の実施形態によるレーザー照明照光システムおよびLIDARシステムを備え付けた可動機械を示す。図に見られるように、本実施形態では、LIDARスキャン範囲とレーザー光照明範囲とは一致せず、本実施形態では、LIDARスキャン範囲は、照明された範囲よりもはるかに大きく、それゆえに、LIDAR 3Dマッピングされた範囲は、乗物の乗員に見える照明された範囲をはるかに超えて広がるものとなる。
第3の概念では、レーザーベース照明パターンおよび/またはLIDAR検査パターンは、敏活に動的なものとすることができ、その場合、それらのパターンは、ユーザ入力もしくはセンサフィードバック入力に基づき環境に対し継続的に変化または採用することができるか、またはある特定の期間または条件にわたって静的とすることができる。一実施形態では、レーザーベースの光照明パターンは、自動車の動的調整型ヘッドライトであり、それは、ドライバまたは観察者に安全性または性能の上で最適なパターンをもたらすとともに、路上の他の交通物または歩行者がレーザーベース光によって目が眩むか妨げられることが確実に起こらないようにする(すなわち眩しさのない)ように構成される。レーザーベース照明システムが動的に調整される際に、LIDARスキャニングシステムは、静的な掃引パターンモードまたは動的に変化する掃引パターンモードのどちらかで動作している。前者では、LIDARシステムは、一部の視野、例えば120度を超えて、自動車の前方にあるあらゆるものを検査して、車をナビゲートする一助となり、接近中の危険を検出することができる。好適な一実施形態では、LIDAR機能および照明機能はループを介して接続され、その場合、LIDARイメージは、動的なレーザーベース照明パターンにフィードバックするためのセンサ信号としての役割を果たす。例えば、LIDARマッピングが道路脇に動物を検出した場合、それを選好的にスポット照光するように、レーザー照明源を構成することができよう。別の例では、接近中の車がLIDARマッピングによって検出された場合、その接近中の交通物へのビームを無効化するかまたは暗くするように、レーザーベース照明パターンを構成することができる。もちろん、自動車、娯楽、商業、宇宙、および防衛などを含む数多くのアプリケーションにおいて、どのように動的な照明パターンと動的なLIDARスキャニングパターンとを併せて機能性および安全性を追加するために用いることができるかについて、数多くの例がある。
LIDAR感知に可視波長を用いることの課題の1つは、眼の安全性の懸念である。しかし、これは、極端に重くはない様々な方法で克服することができる。まず、本発明に記載される実施形態の多くは、認可されている照光システムに適合する平均強度とスペクトル組成とを含むLIDARスキャニング信号を利用することから、LIDAR機能は、照明源のみ以外の余分な安全性リスクに達するはずはない。大部分のアプリケーションでは、レーザー光は、散乱されるかまたは非干渉性となり、自動車の照光などの数多くのスポット光および指向照光アプリケーションで既に一般医使用されているLED光に等しいものとなる。端的に言えば、数多くの実施形態では、LIDAR機能は、今日の照光製品に一般に使用されている標準的な平均照明強度および波長により達成される。さらに、LIDARスキャニング信号は、多くの場合、サンプリング速度に応じて様々な時間間隔を空けた短い光のパルスから構成されるものとなる。時間を揃えて空けられた短いパルスは、眼の曝露を安全な用量レベルに制限する。スキャニング技術において、安全性の懸念の1つは、スキャナが一箇所に嵌まってしまい、次いで単一のピクセルに継続的に照明するという事象である。このことは、そのピクセルの経路にいる任意の対象または人間に危険な曝露レベルをもたらす可能性がある。これが発生するのを避けるため、インターロックが採用され、その際には、スキャニングまたはビーム操向部材が動けなくなるかまたはフリーズした場合に、レーザーが遮断されるかまたはシャッターが閉じる。そして再度、このアプローチは、LIDARおよび照明のためのレーザーベース光源からの高度に視準された出力光に影響を及ぼすことから、照明は、規制された照光基準を満たす所定の流束パターンを形成するように構成されるものとなる。このことの一例は、動的なレーザーベース光源を用いて自動車のヘッドライト内にLIDARを含むことであり、そのため、ヘッドライトは、ドライバのために道路を照明しつつ3次元マップを生成する。この動的なレーザーベース光源からの照光およびLIDARマッピングの概念は、自律型または半自律型の乗物、航空機、または船舶、ならびに完全にヒトにより制御される自動車、航空機、および船舶さえ含めて、多数のアプリケーションに広げることができる。
本発明の代替の一実施形態では、ガリウムおよび窒素を含有するレーザーダイオード波長をLIDAR照明に使用するレーザーベース照光システムは、905nm、1064nm、1550nmなどの標準的なLIDAR波長を用いた従来のLIDARシステム内に構成されるか、またはそれと統合される。390nmから480nmまでの波長などのガリウムおよび窒素を含有するレーザーダイオードからの波長を従来の赤外波長と組合せることによって、LIDARシステム全体が、感度または機能性を増加させることができる。この感度および機能性の増加は、戻った信号または反響における異なる解析に基づく環境の異なる特徴、例えば振幅、タイムオブフライト、または位相などを感知するために、別々の波長を用いることによって達成される。一部の実施形態では、長波長を放射するガリウムおよび窒素を含有しないレーザーダイオードが、GaAsまたはInPベースのレーザーダイオードを含むシステムに使用される。
もちろん、これらの基本的な実施形態の数多くの他の例が存在する。例えば、代替の励起波長を、紫外領域で、緑色領域で、または青色領域などで使用することができる。波長変換された光は、レーザー励起により白色光を形成するように構成されることがある。すなわち、蛍リン光体などの波長変換部材からの波長変換された光は、青と黄との組合せや他の白色の組合せではないことがあるが、緑色、赤色、赤外色、またはそれらの組合せとすることができる。蛍リン光体部材は、透過、反射、または組合せのモードで動作させることができる。代替のスキャニングデバイス、例えばDLPチップまたはLCOSチップなどを使用して、動的な照光およびLIDAR掃引機能を作り出してもよい。
代替の好適な一連の実施形態では、波長変換部材から反射、伝送、および/または散乱されているレーザー光源からのレーザー光励起ビームと、波長変換された光とが、LIDAR感知機能のために使用される。レーザーベース照光技術に基づくこの多重スペクトルまたは多波長のLIDARシステムは、感度を増加し、機能性を増加し、および/またはLIDARシステムの複雑性を低減することを可能にするものとなる。この例では、390nmから480nmの範囲の青紫色から青色のレーザーの第1の波長は、蛍リン光体などの波長変換部材を励起して、さらに長い第2の波長の放射を生成する。一例では、このさらに長い第2の波長は、黄色の放射であり、レーザーからの残りの青色の放射に混合されて白色光の放射を作り出す。この白色光の放射は、ランバートパターンを形成することができ、次いで、視準されて、スキャニングMEMSミラーなどの1次元または2次元スキャナに結合される。スキャニング部材は、次いで、環境および周囲環境のうち視準された白色光のビームを掃引し、LIDARスキャニング照明部材として役割を果たすものとなる。レーザーダイオードからの第1の青紫色または青色の波長は、変換された第2の波長、例えば黄波長などと共に、視準された白色光ビーム内に含まれ、このビームは環境にわたって掃引し、戻された(散乱または反射された)第1の波長および第2の波長を感知して計算する。環境にわたって青紫色または青色の波長の視準されたレーザービームを空間的に掃引し、戻された(散乱/反射された)レーザービームを感知してタイムオブフライト法を用いて散乱対象からの距離を計算し、それにより3次元マップを生成する。一般的な構成では、レーザー源およびまたはスキャニング部材は、周期的な短い光のパルスまたは変調された強度のスキームを生成して、伝送されて検出された信号の同期を可能とするように動作されるものとなる。検出器システムは、ノッチ・パス・フィルタを有して構成することができ、このフィルタは、レーザーダイオードからの第1の放射波長、波長変換部材の第2の波長、または第1および第2の両方の波長の周囲に中心がある帯域内(すなわち2から20nmまたは20から100nmまたはそれを超える)の波長のみを受け入れるように設計される。そのような構成は、本発明を通して記載される空間的に動的なレーザーベース照光の実施形態にそれ自体を最適なものとするが、この実施形態は、MEMSデバイスなどのマイクロディスプレイをレーザーベース照光/照明技術と組み合わせるものである。さらに、スマートレーザーベース照光システムは、LIDARおよびスマートレーザー照光の機能を環境条件の変化に対して活性化し応答させることのできる閉フィードバックループに、センサフィードバックをもたらすものとなる。
多波長のLIDAR照明源は、主に第1のレーザー放射のみをLIDARシステム伝送および受信機能に用いる従来のレーザー源を超える追加のベネフィットをもたらす。本願の実施形態では、第1の波長(すなわち約400nmから約480nm)と波長変換された第2の波長(すなわち約520nmから約660nm)とを併せて有するレーザー放射された照射を、LIDARシステム伝送および受信機能に含めることができ、この機能は、多色の伝送および検出を伴う機能性および感度を増強する可能性を実現する。少なくとも2つの波長が、信号の伝送および検出に使用され、環境に関するさらに多くの情報を捕捉するための異なる感知を可能にすることができる。さらに、蛍リン光体波長変換部材などの波長変換部材から結果として得られる第2の波長が、広いスペクトル強度特性(すなわち5nm、10nm、または50nmを超える大きなスペクトル幅)を有することがあることから、ハイパースペクトルLIDARイメージングを可能にすることができる。
一例として、レーザーベース光源によって可能となる多波長またはハイパースペクトルのLIDARシステムは、第1の波長と第2の波長との間の相対強度または振幅の変化を検出して、放射が伝送される媒体または物質の吸収に関する情報を決定するように構成することができる。すなわち、第1の波長の戻り信号と伝送された信号との減速比は、第2の波長の戻り信号と伝送された信号との減速比とは異なることがある。減速比間の差は、有意であることがあり、スキャンされた環境の特徴を抽出するために用いることができる。第1の具体例としては、青色波長が水中で黄色波長よりも低い公知の吸収を有するものとなることから、ルックアップ・テーブルから引き出すことのできる対応する比によって青色波長の減衰が黄色波長の減衰よりも小さい場合に、LIDARシステムは、環境中に湿気があるという情報をユーザに提供することができ、さらに環境中の湿気または水分の一部の相対量を、環境中の湿気の空間マップと併せて決定することが可能であることがある。第2の具体例では、伝送された信号内の第1および第2の波長の散乱特性の差異は、伝送された信号が通過する媒体、ならびに/または伝送された信号が反射されて戻り信号を生成する対象および媒体に関する情報をさらに決定するために使用される。
上記の例では、レーザーベース光源LIDARシステム照明ビーム内の複数の波長の検出されたvs伝送された信号の強度または振幅の差異は、さらに別の情報またはシステムの解像度を捕捉するために使用された。さらに、多波長間のタイムオブフライトまたは戻されたパルス形状の差異は、環境の特性を決定するために用いることができる。具体例として、2波長の例で第1および第2の波長が純粋な空気以外の任意の媒体を伝播する際に、その媒体は、分散に起因して2つの波長について僅かに異なる屈折率を有するものとなる。光信号のスピードは、反射率によって決定されることから、第1および第2の波長の戻り信号は、伝送時の一時的な位置に比べて遅延またはオフセットを有することがある。この遅延またはオフセットを処理して、LIDARシステムにおける2つの波長について反射率の差を決定することができ、次いで、LIDARシステムにおける2つの波長についてそのような反射率の差を有する媒体のライブラリまたはルックアップ・テーブルに関連付けることができる。もちろん、これは一例に過ぎず、限定すること、または多波長のLIDARシステムからのベネフィットが予想される任意の他の例を排除することを意図されていない。
上記の例では、レーザーベース光源LIDARシステム内の複数の波長の検出されたvs伝送された信号の強度または振幅の差異は、分散性および吸収性によって規定された。さらに、多波長間のタイムオブフライトまたは戻されたパルス形状の差異は、LIDAR感知光の反射される対象の特性を決定するために使用することができる。具体例として、2波長の例で第1および第2の波長が純粋な空気以外の任意の媒体を伝播する際に、その媒体は、異なる波長に起因して2つの波長について僅かに異なるミー散乱性を有するものとなる。この散乱の差は、戻り振幅の差に繋がり、次いで、この振幅差を用いて、散乱を起こしている粒子の差を計算し決定することができる。一例では、散乱はミー散乱である。
上に記載された差次的な感知に加えて、LIDARシステムにおける多波長またはハイパースペクトルの照明感知信号がレーザーベース光源によって可能になる、数多くのアプリケーションおよびシステム構成がある。単純な一例では、複数の波長が、冗長性および精度の増加のために使用される。すなわち、2つ以上の波長を別々の検出と共に使用することによって、2つ以上の別個の3Dイメージを、スキャンされた環境に関して作成することができる。これらの複数のイメージを処理して、検出された様々な特徴を比較および対照することによって、さらに精度の高い単一の統合された3Dイメージを生成することができる。
図9は、本発明の一実施形態による多波長のLIDARシステムを用いた例示的な可動機械を図説する。この例では、第1のピーク波長を有するガリウムおよび窒素を含有するレーザーダイオードを含むレーザー照明源は、複数のLIDAR感知波長のうち少なくとも1つに対し使用される。図9に示された具体例では、レーザーダイオードからの第1のピーク波長の一次放射は、青色の放射である。さらに、この例では、第2のピーク波長を有する波長変換された二次放射は、複数のLIDAR感知波長のうち少なくとも1つに対し使用される。図9に示された具体例では、レーザーダイオードからのこの第2のピーク波長放射は、黄色の放射である。上に記載されたように、LIDAR感知およびマッピングのために1つを超える波長を配備することによって、LIDARシステムは、機能性の増加、感度の増加、解像度の増加などを含む複数の方法で利を得ることができる。
そのようなLIDARアプリケーションに用いられるのは、蛍リン光体などの波長変換部材を用いた極端に高輝度のレーザーベース光源であることが認識されるものとなる。すなわち、レーザーそれ自体は、指向性が高く、減衰が低く、および輝度が極端であることに大きく起因して、典型的にはLIDARシステムに用いられる。この放射特性は、レーザー光を高度に視準し、ビームの制御を維持して、大きな距離(すなわち10mから10,000m)にわたる環境を正確かつ密に検査することを可能にする。LEDなどの他の照明源は、この視準および指向性を可能にするためのそのような輝度の要件の能力が全くない。しかし、蛍リン光体上のごく小さなスポットを照明し、かつ50μmから1000μmのスポットサイズ(光学アパーチャ)から300から3,000ルーメンの光を生成する高出力レーザーを用いた先進型レーザーベース照光システムは、たとえ蛍リン光体または波長変換部材からの放射がランバートであるとしても、極限の視準を可能にすることができる。そのため、そのようなレーザーベース照光システムでは、光学ビームを1度未満、2度未満、または5度未満に視準して、LIDARアプリケーションに必要な指向性および強度を可能にすることができる。本明細書に記載される全ての実施形態のうちの一部の例では、ある特定のまたは別々の光学系を、照光または照明システムとは対照的に、LIDARシステムに用いてもよい。例えば、ハイブリッド光学系を用いて、外部ビーム視準とは別の、中央ビーム視準を可能にすることができよう。中央ビーム視準は、1度未満または2度未満などの高い視準として、主要なLIDAR伝送ビームコリメータとしての役割を果たすようにしてもよい。外部ビーム視準は、15度未満、10度未満、または5度未満などの低い視準にして、主要な照明ビームコリメータとしての役割を果たすようにしてもよい。もちろん、これは、照光システムの照光特性からの光のLIDAR伝送ビームを別々に最適化するようにいかに光学システムを設計できるかに関する一例に過ぎない。
本発明による一部の実施形態では、可動機械に搭載された統合されたレーザーベース照明およびLIDARシステムは、赤外領域で動作するスキャニングレーザーを含むことがある従来のLIDARシステムなど、追加のLIDARシステムを補うことができる。追加のLIDARシステムは、レーザー照明システムとは別に、しかし同じ可動機械内に構成することができよう。本実施形態では、追加のLIDARシステムは、統合されたレーザーベース照明およびLIDARシステムと併せて配備され、その結果、機能性、感度、範囲、スキャン範囲、冗長性、または安全性の向上を、可動機械により達成することができる。例えば、さらに多くの従来のピーク波長、例えば約905nm、9XXnm、1000nm、1064nm、1300nm、または約1550nmなどを有すLIDARシステムを、追加のLIDARシステムに配備して、レーザーベース照明システムにおけるガリウムおよび窒素を含有するレーザーダイオードからの第1のピーク波長、例えば青色または青紫色の波長などを補完することができる。追加のLIDARシステムは、周囲環境の広角度マップを生成するように機能する主要な3Dマッピング装置として使用することができ、レーザーベース照明システムLIDARは、ヘッドライトにより照明される可動機械の前方などの指定の場所にマッピング情報を追加するために使用することができる。もちろん、異なる検出スキームを配備することができ、その場合、異なる波長を感知およびマッピングに使用する2つのLIDARシステム間のマッピング特性の差は、周囲範囲および環境を表現するさらに広範な情報およびデータを計算するために使用することができる。
さらに別の実施形態では、赤外レーザーダイオードなどの追加のレーザーを、LIDARマッピングのためのレーザーベース照明システムに含めることができる。本実施形態では、追加されたレーザーダイオードは、高性能LIDARスキャニング源を提供するように機能するものとなり、直接的にレーザーベース照明システム内に統合されるものとなる。一例では、追加されたレーザーダイオードは、波長約9XXnm、または約1,000nm、または約1300nm、または約1550nmで動作可能なInPまたはGaAsレーザーダイオードとなる。好適な一実施形態では、この波長は、眼の安全性の目的には約1550nmである。この例では、追加されたレーザーは、赤外波長のレジームにあることから、追加されたレーザーにより産生される放射は、可視となることはなく、それゆえにレーザーベース照明システムの照明特性に干渉することはない。追加のLIDARスキャニングレーザーは、複数の構成でレーザー照明システム内に統合することができる。本発明で既に記載されたように、レーザーベース照明源は、複数のレーザーダイオードとさらに他の光放射デバイス、例えばLEDなどから構成されることがある。複数の光源およびレーザーを種々の理由から照明源に含めることができ、そのような理由としては、光束を増加させること、動的な空間的パターニングを行うこと、より良好な色質の光レーザー照明源を達成すること、動的な色制御を行うこと、または伝送された信号を可視光通信に提供することが挙げられる。同様に、本実施形態によれば、追加のレーザー源は、LIDARマッピング波長を提供するために含まれるものとなり、この波長は、システム唯一のLIDARマッピング波長とすることができるか、または1つもしくは複数の既存のLIDARマッピング波長、例えば照明システムのガリウムおよび窒素を含有するレーザーダイオードからの可視波長などに対する、補助的もしくは補完的なLIDARマッピング波長とすることができる。
好適な一実施形態では、照明および可能性としてLIDARスキャニングに使用される、ガリウムおよび窒素を含有する青色または青紫色のレーザーダイオードは、LIDARスキャニングのための第2のレーザー源、例えば赤外レーザー源などと共にパッケージングされる。複数のレーザー源のための様々な共パッケージング構成を、設計し実装することができる。一部の設計では、ガリウムおよび窒素を含有するレーザー源は、第1の一次開始パッケージ、例えばTO−Can、フラットパッケージ、表面実装型パッケージ、または他のタイプのパッケージなどにパッケージングされるものとなる。同様に、LIDARレーザー源を、第2の一次開始パッケージ、例えばTO−Can、フラットパッケージ、表面実装型パッケージ、または他のパッケージにパッケージングすることができる。続いて、レーザー源を含む第1の一次パッケージおよび第2の一次パッケージは、次いで、第1および第2の一次パッケージを受けるためのインターフェースを含有する大きな二次パッケージにパッケージングされるものとなる。次いで、供給源は、周囲環境内に入る前の蛍リン光体変換部材および/またはLIDAR伝送器コンポーネントに光学的に結合されるものとなる。別の好適な実施形態では、第1のガリウムおよび窒素を含有するレーザーダイオードチップ、またはサブマウント上およびGaAsもしくはInPベースのレーザーダイオードなどのLIDARレーザー源上のチップ、またはサブマウント上のチップは、共通支持部材上に共にパッケージされる。
図1Bに戻ると、レーザーを共にパッケージされた実施形態の一例が提示されており、この場合、照明および任意選択的にLIDARマッピングを目的としたガリウムおよび窒素を含有するレーザーダイオード1603、例えば青色レーザーダイオードは、中間サブマウント部材1604上に構成される。中間サブマウント部材1604は、表面実装型基板部材1601に取り付けられる。また含まれるのは、第2のレーザーダイオード1605であるが、これは、マッピングを目的としており、中間サブマウント1606に取り付けられた赤外放射レーザーダイオードとすることができ、次いで、表面実装型パッケージ基板部材1601に取り付けられる。この構成では、ガリウムおよび窒素を含有するレーザーダイオードからの放射1608と赤外レーザーダイオードからの放射1609との両方が、波長変換部材1602に入射するが、この波長変換部材は蛍リン光体部材とすることができる。代替の構成では、LIDAR感知レーザー放射1609は、波長変換部材1602に接触しない異なる光路を辿ることがある。
第1の実施形態では、追加された赤外レーザーダイオードは、レーザーベース照明システムに含まれ、ガリウムおよび窒素を含有するレーザーダイオードの放射とは別の光路を辿り、波長変換部材には入射しない。図10は、本発明による追加のLIDARマッピングレーザーを含むLIDARシステムに統合されたレーザー光照明システムの簡略化された模式図である。図に示されるように、統合されたシステム3100は、電力供給源3101からの電力とLIDARシステムの受信部3131からのデータまたは信号とを受信するように構成されたプロセッサおよび制御ユニット3102と併せて、LIDARシステムと照明システム(一部の実施形態では、別々または複数の電源を使用できることに留意されたい)との両方に電力を供給するための電源3101を有して構成される。指定された機能性と電力供給源から供給される電力とを与えるユーザ入力、センサ入力、または所定の入力などの外部入力3190に基づいて、プロセッサおよび制御ユニット3102は、1つまたは複数のガリウムおよび窒素を含有するレーザーダイオードs3111に送るための適切な第1の信号を決定する。結果として得られる信号は、ガリウムおよび窒素を含有するレーザーダイオード3111に特徴的な電流および電圧を駆動して、レーザーダイオードから適切な強度パターンを生成し、青色または青紫色のピーク波長などの第1のピーク波長を有する電磁気照射をもたらすように構成される。プロセッサおよび制御ユニット3102からの第2の信号は、第3の波長と共にLIDARマッピングレーザー3121に送られて、LIDARスキャニング機能のための所望の強度または周波数パターン、例えばタイムオブフライトの計算に用いる短い光のパルスなどを生成する。一実施形態では、照明レーザーダイオード3111およびLIDARマッピングレーザー3121に用いる両方の信号が、図に示されるように、プロセッサおよび制御ユニット3102から発生する。別の一実施形態では、複数のプロセッサおよび電力供給源が含まれることがある。
図10に示されるように、ガリウムおよび窒素を含有するレーザーダイオード3111からの第1のピーク波長の出力電磁気照射と、追加のLIDARマッピングレーザー3121からの第3のピーク波長の出力とは、2つの別々の光路を辿り、その場合、第1のピーク波長の出力は波長変換部材3112に入射し、そこで、第1のピーク波長を有する電磁気照射の少なくともごく一部は、黄色ピーク波長などの第2のピーク波長を有する電磁気に変換される。好適な実施形態では、レーザーベース照明システムで結果として得られる光は、白色光である。結果として得られるレーザーベース照明光は、次いで、1つまたは複数のビーム成形部品3113により、所定の視準、発散、およびパターンをもたらすように調整される。任意選択的に、ビーム操向部品を、空間的に動的な照明を作り出すためにレーザーベース照明システムに追加することができる。一部の実施形態では、視準光学系などのビーム成形部品(図示せず)が、波長変換部材3112への入射の前にレーザー光を視準するために使用される。さらに、光ファイバ、例えばガラスもしくはポリマーのファイバまたは他の導波部品などを、レーザーダイオードから波長変換部材3112にレーザー光を移送して遠隔のポンピング変換を作り出すために使用することができる。
図10によれば、第2の光路は、第2のピーク波長を有するLIDARマッピングレーザー3121からの電磁気照射を、LIDAR感知レーザーのビーム成形および/または操向のための光学系を介して、LIDARに方向付ける。一部の実施形態では、レンズなどの視準光学系が、LIDARシステムの伝送器モジュールへの進入の前にレーザー光を視準するために使用される。さらに、光ファイバ、例えばガラスもしくはポリマーのファイバまたは他の導波部品などを、レーザーダイオードからLIDAR伝送器モジュールまでレーザー光を移送するために使用することができる。外部の環境に出る前に、LIDARシステムのレーザー光は、周囲環境の所望の対象範囲をスキャンするための適切な発散および方向を伴って適正に調整することができる。標的LIDARマッピング範囲は、MEMSスキャニングミラーなどの動的スキャナ、DLPなどのマイクロディスプレイを含む光学系3122を用いた様々な方法で、またはレンズ、ミラー、および拡散部品などの基礎光学系2932を用いてビームを単純に拡張もしくは成形することによって、捕捉することができる。全ての信号およびビームの調整が完了すると、LIDARビームは、外部に向けて投射され、その場合、ビームは、周囲環境の様々な対象で反射および散乱し、ごく一部がLIDARシステムの受信モジュール3131に戻る。受信モジュール3131は、いくつかの受信光学コンポーネント3132、検出部材から構成され、検出部材は、例えばフォトダイオード、フォトダイオードアレイ、CCDアレイ、アンテナアレイ、フォトダイオードに結合されるスキャニングミラーまたはマイクロディスプレイなどである。受信モジュール3131の検出された信号は、次いで、パルスなど、伝送されて検出されたLIDAR信号についてタイムオブフライトを計算するのに用いられる。タイムオブフライトおよび空間マップを決定するための計算または処理は、受信器で直接的に行うことができるか、または、それは、別のプロセッサユニット3102で行われる。
追加された赤外レーザーダイオードなど、LIDARマッピングを指定された追加のレーザーを含む第2の実施形態では、LIDARマッピングに用いる追加のレーザーは、ガリウムおよび窒素を含有するレーザーダイオード放射に対して共通の光路を辿り、波長変換部材3112に入射しない。下記図11に示されるように、別の実施形態では、GaおよびNベースのレーザーダイオード3211からの第1のピーク波長での出力電磁気照射と、LIDARマッピングレーザー3221からの第3のピーク波長での出力電磁気照射とが、波長変換部材3231に入射する。青色波長などの第1のピーク波長を有する少なくともごく一部の電磁気照射が、黄色ピーク波長などの第2のピーク波長を有する電磁気に変換される。好適な実施形態では、レーザーベース照明システムで生成された結果として得られる可視色光は、白色光である。赤外ピーク波長などの第3のピーク波長を有する電磁気放射強度は、波長変換部材に入射した際に大部分が保たれるものとなる。すなわち、吸収などのプロセスを介した光の損失は僅かになるかまたは最小となり、その結果、次いでその光をスキャニングのために環境に視準し方向付けることのできる波長変換部材の材料または表面で、殆どの入射光が単に反射または散乱されるものとなる。いくらかの赤外光の損失が予想され許容されるものとなるが、蛍リン光体との相互作用からの結果として生じる損失が赤外光に対して極めて少ないシステムを実現できたものと考えられる。実質的には、結果として得られる放射スペクトルは、第1のピーク波長、第2のピーク波長、および第3のピーク波長の光から構成されるものとなり、その場合、第1および第2のピーク波長の光は、照明に用いる可視の白色光を作出するものとなり、第3のピーク波長の光は、ヒトの眼に不可視であり、LIDARマッピングに役立てることができる。結果として得られるレーザーベース照明光およびLIDARスキャニング光は、次いで、1つまたは複数のビーム成形部品を用いて調整され、所定の視準、発散、およびパターンをもたらす。
図11に示される実施形態によれば、赤外レーザー3221は、振幅または周波数の変調により電気的に駆動されて、眼に不可視の光のパルスなどのLIDAR感知信号を生成するものとなる。ガリウムおよび窒素を含有するレーザーダイオード3211は、連続波、準連続波、パルス化幅の変調、周波数の変調、または振幅の変調などを含めた種々の方法で駆動することができる。LIDAR感知またはマッピングレーザー3221からの赤外光とダイオード3211からの可視光との両方は、環境に進入する前に共通のまたは少なくとも部分的に共通の光路を介して供給されるものとなる。任意選択的に、MEMSミラーまたはDLPマイクロディスプレイなどのビーム操向デバイス3233を含めることができる。全ての信号およびビームの調整が完了すると、LIDARビームは、外部に向けて投射され、その場合、ビームが周囲環境の様々な対象で反射および散乱し、ごく一部がLIDARシステムの受信モジュールに戻る。受信器モジュールは、いくつかの受信光学コンポーネント3241、検出部材3242から構成され、検出部材は、例えばフォトダイオード、フォトダイオードアレイ、CCDアレイ、アンテナアレイ、フォトダイオードに結合されるスキャニングミラーまたはマイクロディスプレイなどである。受信器モジュールの検出された信号は、次いで、パルスなど、伝送されて検出されたLIDAR信号についてタイムオブフライトを計算するのに用いられる。タイムオブフライトおよび空間マップを決定するための計算または処理は、受信器で直接的に行うことができるか、または、それは、別のプロセッサユニット3202で行われる。本実施形態では、赤外光と可視光との両方をLIDARマッピングに使用することが可能である。
赤外レーザー波長および可視レーザー波長を含む代替の実施形態では、照明源ならびにLIDAR感知およびマッピング源のための光路は別々とすることができる。図12に見られるように、レーザー光照明放射およびLIDARスキャニング放射に用いる光路は、任意選択的に別々とすることができ、その場合、LIDARスキャニング放射が、さらにLIDAR伝送コンポーネント3351を介して信号成形、ビーム成形、ビーム操向のために供給されることがあり、それらは、放射がスキャニングのために最終的な光学系から環境内に出る前のMEMSなどを用いた能動的なビーム操向、フィルタリングなどであることがある。レーザー照明の光路は、さらにビーム成形のための光学系3341と、任意選択的には空間的に動的な照明を作り出すためのビーム操向部品3342とを含むことができよう。一部の実施形態では、視準光学系などの追加のビーム成形部品が、波長変換部材3331への入射前のレーザー光を視準するために使用される。
図12によれば、レーザーダイオード3311からの一次放射と波長変換部材3331から第2の放射との組合せは、ビーム成形光学系3332によって2つの経路に分割され、LIDARシステムおよび照明システムについて別々の調整および操向の可能性を与えるものとすることができよう。先に記載されたように、光学モジュレータを、所望のLIDAR機能に必要なパルスまたは他の光学信号を生成するためにLIDAR伝送器3351内に含めることができよう。標的LIDARマッピング範囲は、MEMSスキャニングミラーなどの動的スキャナ、DLPなどのマイクロディスプレイを含む様々な方法で、またはレンズ、ミラー、および拡散部品などの基礎光学系2932を用いてビームを単純に拡張もしくは成形することによって、捕捉することができる。全ての信号およびビームの調整が完了すると、LIDARビームが外部に向けて投射され、その場合、ビームは、周囲環境の様々な対象で反射および散乱し、ごく一部がLIDARシステムの受信モジュールに戻る。受信モジュールは、いくつかの受信光学コンポーネント3361、検出部材3362から構成され、検出部材は、例えばフォトダイオード、フォトダイオードアレイ、CCDアレイ、アンテナアレイ、フォトダイオードに結合されるスキャニングミラーまたはマイクロディスプレイなどである。受信モジュールの検出された信号は、次いで、パルスなど、伝送されて検出されたLIDAR信号についてタイムオブフライトを計算するのに用いられる。タイムオブフライトおよび空間マップを決定するための計算または処理は、受信器で直接的に行うことができるか、または、それは、別のプロセッサユニット3302で行われる。
本発明の特定の実施形態は、従来の製作技術を超えるベネフィットを実現する、レーザーダイオードを製作するための転位ガリウムおよび窒素を含有する材料のプロセス、または他のガリウムおよび窒素を含有するデバイスを利用する。このユニークな半導体デバイス製造技術は、複数の半導体材料の単一チップでの統合を実現し、それは、可視のレーザーダイオードおよび赤外レーザーダイオードなど、同じチップ上での様々な波長レーザーダイオードの統合を可能にすることができる。本発明による一実施形態では、レーザー照明およびLIDARシステムにおけるレーザー源は、このリフトオフおよび転位のプロセスに従って製造される。一例では、異なる可視波長、例えば異なる青色波長、青紫色波長、および他の可視波長などを有するレーザー材は、同じ担体部材上で転位されてレーザーに成形され、複数の可視波長のレーザー源を作り出し、それゆえに追加のベネフィットをシステムにもたらすことができる。そのような追加のベネフィットとしては、照明白色光におけるさらに良好な色質、差次的な検出を用いたさらに良好なLIDAR検出、またはさらに低いコストおよびさらに小さなサイズが挙げられる。別の例では、可視波長、例えば青色波長、青紫色波長、および他の可視波長などを有するレーザー材は、同じ担体部材上で、8XXnm、9XXnm、約1,000nm、1300nm、または約1550nmなどの赤外波長を有するレーザー材として転位されてレーザーに成形され、可視波長と赤外波長との両方を含有する統合されたレーザー源を作り出し、それゆえに追加のベネフィットをシステムにもたらすことができる。そのような追加のベネフィットとしては、さらに低いコストのシステム、さらに小さなシステム、および差次的な検出を用いたさらに良好なLIDAR検出が挙げられる。
レーザーベース照明およびLIDARシステムのさらに別の例では、エピタキシャル材の転位を含む製作技術を用いて、電子機器または他のデバイスを統合してレーザー源チップにすることができる。例えば、光源を有する統合されたドライバ電子機器を作り出すために、GaNまたはGaAsベースの電子機器を含めることができる。統合されたスキャニングミラーを含めることができる。他の例では、シリコン電子機器を含めることができる。
本発明の一部の実施形態によれば、レーザー光源は、様々な方法により通信することができる。好適な方法の1つでは、スマート光が、LiFiシステムなどの可視光通信(VLC)システムとして構成され、その場合、光源内の電磁気照射の少なくとも1つのスペクトルコンポーネントは、データを符号化するように変調されて、その結果、その光は伝送データとなる。いくつかの例では、可視スペクトルの一部が変調され、他の例では、赤外源または紫外源などの非可視源が通信のために含まれる。変調のパターンまたは形式は、デジタル形式にもアナログ形式にもすることができ、対象またはデバイスによって受信されるように構成されるものとなる。一部の実施形態では、レーザーベースのスマート光システムからの光放射の空間的なパターニングを用いて、通信を実行することができる。一実施形態では、マイクロディスプレイが、光をピクセル化またはパターン化するために用いられるが、絶え間なく流れている情報を通信するようにピクセル化またはパターン化を迅速かつ動的な方式で行うことができるか、または更新されることのある静止メッセージを通信するようにパターンを周期的に静止パターンに変える。通信の例は、個別にまたは集団に、近日中の催事、店舗内にある物、特別な宣伝について通知すること、指示、教育、販売、および安全性を与えることである。代替の一実施形態では、放射ビームの形状または発散角度は、マイクロディスプレイまたは液晶レンズなどの調整可能なレンズを用いて、拡散光からスポット光に変換されるかまたはその逆とされる。通信の例は、個別にまたは集団に向けること、危険を警告すること、教育すること、または宣伝することである。レーザー光ベースの通信のさらに別の実施形態では、スマート照光システムの色を、寒白色から温白色に、または赤、緑、青、もしくは黄などの単色にさえ変えることができる。

Claims (23)

  1. 少なくともガリウムおよび窒素を含有するレーザーダイオードと波長変換部材とを担持する統合型パッケージを含むレーザーダイオードベースの照光システムであって、前記ガリウムおよび窒素を含有するレーザーダイオードは、第1のピーク波長を有する第1のレーザービームを放射するように構成され、
    前記波長変換部材は、前記第1のピーク波長を有する第1のレーザービームを少なくとも部分的に受信して、第1のピーク波長よりも長い第2のピーク波長を有する放射を励起し、前記第2のピーク波長と前記第1のピーク波長とを混合された白色光を生成するように構成される、レーザーダイオードベースの照光システム;ならびに
    第2のレーザービームを生成し、前記第2のレーザービームを操作して遠隔距離にある標的対象の空間マップを感知するように構成される、光検出および測距(LIDAR)システム
    を含む可動機械。
  2. 前記白色光は、前記標的対象と、前記可動機械に応じて動的に動かされるその周囲環境とを照明するための照明源として構成される、請求項1に記載の可動機械。
  3. 前記ガリウムおよび窒素を含有するレーザーダイオードは、青色域に前記第1のピーク波長を有する前記第1のレーザービームを生じるように構成され、前記波長変換部材は、前記青色域に前記第1のレーザービームによって励起されて、黄色を含む広い色域に前記第2のピーク波長を生じるように構成される蛍リン光体材を含む、請求項2に記載の可動機械。
  4. 前記ガリウムおよび窒素を含有するレーザーダイオードは、青紫色域に前記第1のピーク波長を有する前記第1のレーザービームを生じるように構成され、前記波長変換部材は、前記青紫色域に前記第1のレーザービームによって励起されて、緑色を含む広い色域に前記第2のピーク波長を生じるように構成される蛍リン光体材を含む、請求項2に記載の可動機械。
  5. 前記蛍リン光体材は、Ceによりドープされたセラミック性イットリウム・アルミニウム・ガーネット(YAG)、またはCeによりドープされた単結晶YAG、または結合材を含む粉末YAGから構成され;前記蛍リン光体は、光ワット当たり50ルーメン、光ワット当たり100ルーメン、光ワット当たり200ルーメン、または光ワット当たり300ルーメンを超える光学変換効率を有する、請求項3に記載の可動機械。
  6. 前記第1のピーク波長を有する前記第1のレーザービームを受信して前記第2のピーク波長を有する前記放射を励起することに関連して、前記蛍リン光体材が、反射モード、透過モード、および反射モードと透過モードとの組合せから選択されるモードで動作するように構成される、請求項3に記載の可動機械。
  7. 前記統合型パッケージは、遠隔ポンピング型蛍リン光体として構成される前記波長変換部材と、前記ガリウムおよび窒素を含有するレーザーダイオードから前記遠隔ポンピング型蛍リン光体に前記レーザービームを導く空間を支持する自由空間光学系を含む、請求項2に記載の可動機械。
  8. 前記統合型パッケージは、遠隔ポンピング型蛍リン光体として構成される前記波長変換部材と、前記ガリウムおよび窒素を含有するレーザーダイオードから前記遠隔ポンピング型蛍リン光体に前記レーザービームを導く光ファイバとを含む、請求項2に記載の可動機械。
  9. 前記統合型パッケージは、少なくとも1つのガリウムおよび窒素を含有するレーザーダイオードと前記波長変換部材とを支持するように構成される共通支持部材を含む表面実装型デバイス(SMD)パッケージを含む、請求項2に記載の可動機械。
  10. 前記少なくとも1つのガリウムおよび窒素を含有するレーザーダイオードは、2つのレーザービーム、3つのレーザービーム、または4つのレーザービームをそれぞれ生成するように2つのレーザーダイオード、3つのレーザーダイオード、または4つのレーザーダイオードなどの複数のレーザーダイオードを含み;前記複数のレーザービームは、前記波長変換部材上に励起点を形成する、請求項2に記載の可動機械。
  11. 前記複数のレーザーダイオードのそれぞれは、420nmから485nmの青色域にある複数の第1のピーク波長のうちの1つにより特徴付けられ;前記複数の第1のピーク波長は、結果として前記白色光の色質を改善する、請求項10に記載の可動機械。
  12. 前記波長変換部材は、第1のピーク波長を含む前記第1のレーザービームによって励起されて第2のピーク波長の第1の放射を生じるように構成される第1の蛍リン光体材と、前記レーザービームによって励起されて第3のピーク波長を有する第2の放射を生じるように構成される第2の蛍リン光体材とを含む、請求項2に記載の可動機械。
  13. 前記ガリウムおよび窒素を含有するレーザーダイオードは、青紫色域に前記第1のピーク波長を有する前記第1のレーザービームによって特徴付けられ、前記第1の蛍リン光体材は、青色域に前記第2のピーク波長を有する前記第1の放射によって特徴付けられ、前記第2の蛍リン光体材は、黄色域に前記第3の波長を有する前記第2の放射によって特徴付けられ、前記白色光は、少なくとも前記第1の放射および前記第2の放射から構成される、請求項12に記載の可動機械。
  14. 前記LIDARシステムは、ドライバと、前記第2のレーザービームを生成するためのレーザーダイオードと、前記第2のレーザービームに基づき1つまたは複数の感知光信号を環境に伝送するための伝送器とを含む、レーザーサブシステム;前記1つまたは複数の感知光信号に基づき前記環境から反射光信号を検出するための受信器を少なくとも含む検出サブシステム;ならびに前記伝送器と前記受信器とを同期し、前記1つまたは複数の感知光信号および反射光信号についてそれぞれのタイムオブフライトを演算し、空間マップイメージを生成して目的の対象または範囲を特定するための信号プロセッサを含む、請求項1に記載の可動機械。
  15. 前記1つまたは複数の感知光信号は、約905nm、約1000nm、約1064nm、または約1550nm、または約532nmから選択される波長での前記第2のレーザービームに基づく、請求項14に記載の可動機械。
  16. 前記LIDARシステムは、検査パターンで前記環境に投射される前記1つまたは複数の感知光信号を運ぶ前記第2のレーザービームを操作するためのスキャンMEMSまたは他のビームスキャナを含む、請求項14に記載の可動機械。
  17. 前記LIDARシステムは、イメージのフレームのピクセルの一部または全てを生成するための平面において複数の場所で前記反射光信号を同時検出するための検出器アレイを有して構成される、請求項14に記載の可動機械。
  18. 自律型の乗物、航空機、航宙機、ドローン、オートバイ、ボート、航海用の乗物、潜水艇、二輪車、三輪車、電気スクーターを含む乗物としてさらに構成される、請求項1に記載の可動機械。
  19. 前記LIDARシステムから提供されたフィードバック情報に基づきレーザーダイオードベースの照光システムを制御するように構成される信号プロセッサをさらに含み、前記レーザーダイオードベースの照光システムは、前記白色光を選好的に使用して、前記LIDARシステムにより特定された前記標的対象および周囲の範囲のうち少なくとも1つを照明するように構成される、請求項14に記載の可動機械。
  20. 少なくとも1つの動く標的対象を検出する際に、前記LIDARシステムからの少なくとも一部のフィードバック情報に基づいて、前記レーザーダイオードベースの照光システムは、前記白色光の照明強度、照明パターン、ビーム角度、ビーム形状、およびビーム場所のうち少なくとも1つを動的に変化させるように制御される、請求項19に記載の可動機械。
  21. 前記フィードバック情報は、前記LIDARシステムによって得られた前記少なくとも1つの接近する動く対象のマッピングイメージを含み、前記白色光は、可視光通信ネットワークを通じた送出メッセージのために用いられる、請求項20に記載の可動機械。
  22. 電源;
    前記電源に結合され、電力を供給し駆動電流を生成するように構成されたプロセッサ;
    前記駆動電流によって駆動されて第1のピーク波長を有する第1の光を放射するように構成されたガリウムおよび窒素を含有するレーザーダイオード;
    前記第1の光を少なくとも部分的に受信して、前記第1のピーク波長よりも長い第2のピーク波長を有する第2の光を再放射するように、および前記第1の光の一部と前記第2の光とを組み合わせて白色光生じるように構成される、波長変換部材;
    前記白色光を受信して照明源を生成するように前記波長変換部材に結合されたビーム成形器;
    を含むLIDARシステムであって、
    前記第1のピーク波長に基づく第1の感知光信号;
    前記ビーム成形器に結合されており、前記白色光を少なくとも部分的に向けて、1つまたは複数の標的対象または範囲を照明し、かつ前記1つまたは複数の標的対象または範囲とその周囲とを含む遠隔の範囲をマッピングするための前記第1の感知光信号をそれぞれ伝送するように構成される少なくとも第1のビーム投射器;および
    前記第1の感知光信号の反射信号を検出して、前記1つまたは複数の標的対象または範囲の第1のイメージを生成するように構成される検出器
    をさらに含むLIDARシステム。
  23. 電源;
    前記電源に結合され、電力を供給し駆動電流を生成するように構成されたプロセッサ;
    前記プロセッサからの駆動電流によって駆動されて第1のピーク波長を有する第1の光を放射するように構成される、ガリウムおよび窒素を含有するレーザーダイオード;
    前記第1の光を少なくとも部分的に受信して、前記第1のピーク波長よりも長い第2のピーク波長を有する第2の光を再放射するように、および前記第1の光の一部と前記第2の光とを組み合わせて白色光生じるように構成される、波長変換部材;
    前記白色光を受信して、前記第1のピーク波長および前記第2のピーク波長のうちの1つに基づく感知光信号を含む照明源を生成するように、前記波長変換部材に結合されるビーム成形器;
    前記ビーム成形器に結合されており、前記白色光を少なくとも部分的に向けて、1つまたは複数の標的対象または範囲を照明し、かつ前記1つまたは複数の標的対象または範囲とその周囲とを含む遠隔の範囲をマッピングするための前記感知光信号を伝送するように構成される、ビーム投射器;ならびに
    前記感知光信号の反射信号を検出して、前記1つまたは複数の標的対象またはその周囲の第1のイメージを生成するように構成される検出器
    を含むLIDARシステム。


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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102670467B1 (ko) 2022-05-16 2024-05-30 주식회사 메타플바이오 스마트 지팡이

Families Citing this family (110)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9726360B1 (en) * 2014-09-25 2017-08-08 CSC Holdings, LLC Luminaires having a wireless antenna
WO2018096523A1 (en) * 2016-11-28 2018-05-31 Magna Mirrors Of America, Inc. Exterior illumination and icon projection module for vehicle
US10768194B2 (en) * 2017-08-07 2020-09-08 The Board Of Regents For Oklahoma State University System and method for speed estimation, detection and ranging using visible light in vehicles
DE102017214346A1 (de) * 2017-08-17 2019-02-21 Volkswagen Aktiengesellschaft Scheinwerfer für ein Fahrzeug
US10771155B2 (en) 2017-09-28 2020-09-08 Soraa Laser Diode, Inc. Intelligent visible light with a gallium and nitrogen containing laser source
US11758111B2 (en) 2017-10-27 2023-09-12 Baidu Usa Llc 3D lidar system using a dichroic mirror for autonomous driving vehicles
US10222474B1 (en) * 2017-12-13 2019-03-05 Soraa Laser Diode, Inc. Lidar systems including a gallium and nitrogen containing laser light source
WO2019116980A1 (ja) * 2017-12-15 2019-06-20 日本電気株式会社 測距装置及び制御方法
US10859704B2 (en) 2018-01-08 2020-12-08 Microvision, Inc. Time division multiplexing of multiple wavelengths for high resolution scanning time of flight 3D imaging
US10871569B2 (en) * 2018-01-08 2020-12-22 Microvision, Inc. Scanning 3D imaging device with power control using multiple wavelengths
JP6965784B2 (ja) * 2018-02-13 2021-11-10 株式会社リコー 距離測定装置、およびこれを用いた移動体
US11592527B2 (en) * 2018-02-16 2023-02-28 Cepton Technologies, Inc. Systems for incorporating LiDAR sensors in a headlamp module of a vehicle
US20190272743A1 (en) * 2018-03-05 2019-09-05 Gregory D'Oliveira Henry Safe Stop Surveillance System
US10429495B1 (en) * 2018-04-03 2019-10-01 Hesai Photonics Technology Co., Ltd. Lidar system and method
US10788582B2 (en) * 2018-05-11 2020-09-29 Silc Technologies, Inc. Optical sensor chip
DE102018113711A1 (de) * 2018-06-08 2019-12-12 Osram Opto Semiconductors Gmbh Apparat und scheinwerfer
WO2019237581A1 (en) 2018-06-13 2019-12-19 Hesai Photonics Technology Co., Ltd. Lidar systems and methods
JP2020027202A (ja) * 2018-08-14 2020-02-20 株式会社エンプラス 光レセプタクルおよび光モジュール
US11681021B2 (en) * 2018-08-17 2023-06-20 SiLC Technologies. Inc. Optical sensor system
US11052909B1 (en) * 2018-09-11 2021-07-06 ARIN Technologies, Inc. Object zone identification
US11463854B2 (en) * 2018-09-24 2022-10-04 Douglas Glass Benefield Free space optical transmission system for vehicle networking
EP3657203A1 (de) * 2018-11-22 2020-05-27 Hexagon Technology Center GmbH Elektrooptischer entfernungsmesser und entfernungsmessverfahren
JP7017504B2 (ja) * 2018-12-06 2022-02-08 トヨタ自動車株式会社 車両用前照灯
US20220069542A1 (en) * 2018-12-17 2022-03-03 Ams International Ag Light emitting module including enhanced eye-safety feature
US11740071B2 (en) 2018-12-21 2023-08-29 Apple Inc. Optical interferometry proximity sensor with temperature variation compensation
FR3091399A1 (fr) * 2018-12-28 2020-07-03 Orange Procédé de commande d’un système de réalité virtualisée, et système pour la mise en œuvre du procédé
US11280907B2 (en) * 2018-12-28 2022-03-22 Texas Instruments Incorporated Depth imaging system
US10926273B2 (en) * 2019-01-31 2021-02-23 Toyota Motor Engineering & Manufacturing North America, Inc. Systems and methods for modifying an infrared signature of a vehicle
US11997455B2 (en) 2019-02-11 2024-05-28 Koko Home, Inc. System and method for processing multi-directional signals and feedback to a user to improve sleep
US10810850B2 (en) 2019-02-19 2020-10-20 Koko Home, Inc. System and method for state identity of a user and initiating feedback using multiple sources
US11971503B2 (en) 2019-02-19 2024-04-30 Koko Home, Inc. System and method for determining user activities using multiple sources
US10523342B1 (en) * 2019-03-12 2019-12-31 Bae Systems Information And Electronic Systems Integration Inc. Autonomous reinforcement learning method of receiver scan schedule control
WO2020186862A1 (zh) * 2019-03-15 2020-09-24 青岛海信宽带多媒体技术有限公司 一种光模块
US11828991B2 (en) 2019-03-15 2023-11-28 Hisense Broadband Multimedia Technologies Co., Ltd. Optical module
US11385332B2 (en) * 2019-03-20 2022-07-12 Aeva, Inc. LIDAR system with a mode field expander
US11402476B2 (en) * 2019-03-20 2022-08-02 Microvision, Inc. Method and apparatus for LIDAR channel encoding
US11428794B2 (en) * 2019-03-21 2022-08-30 Luminar, Llc Lidar system with humidity compensation
JP7371698B2 (ja) 2019-03-29 2023-10-31 オムロン株式会社 存在検知システムに対する視覚インジケータ
DE102019108505A1 (de) * 2019-04-02 2020-10-08 Claas E-Systems Gmbh Landwirtschaftliche Arbeitsmaschine
KR102663206B1 (ko) * 2019-04-23 2024-05-03 현대자동차주식회사 차량의 라이다 통합 램프 장치
US20200357190A1 (en) * 2019-05-06 2020-11-12 Sap National Security Services, Inc. System and method for enhancing a 3d rendering of a lidar point cloud
JP7340350B2 (ja) * 2019-05-07 2023-09-07 東芝テック株式会社 情報処理装置及び情報処理方法
US11567206B1 (en) * 2019-05-17 2023-01-31 Insight Lidar, Inc. Chip-scale coherent lidar utilizing quantum dots
CN110233677A (zh) * 2019-05-20 2019-09-13 电子科技大学 一种基于光正交码的激光通信测距装置及方法
US11156456B2 (en) 2019-05-21 2021-10-26 Apple Inc. Optical proximity sensor integrated into a camera module for an electronic device
US11279035B1 (en) * 2019-05-23 2022-03-22 Amazon Technologies, Inc. LIDAR safely rings
US11473898B2 (en) 2019-05-24 2022-10-18 Apple Inc. Wearable voice-induced vibration or silent gesture sensor
US20200371215A1 (en) 2019-05-24 2020-11-26 Seagate Technology Llc Solid state lidar with silicon photonics and metasurface
DE102020205033A1 (de) * 2019-05-27 2020-12-03 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Lichtquellenvorrichtung, lichtquellenansteuerung und beleuchtungssystem
WO2020243038A1 (en) * 2019-05-28 2020-12-03 Optonomous Technologies, Inc. Lidar integrated with smart headlight and method
DE112019007389T5 (de) * 2019-05-31 2022-02-24 Mitsubishi Electric Corporation Objekterkennungssystem und objekterkennungsverfahren
EP3748393A1 (en) * 2019-06-04 2020-12-09 Jabil Optics Germany GmbH Surround-view imaging system
DE102019208386A1 (de) 2019-06-07 2020-12-10 Infineon Technologies Ag Steuersystem und Verfahren für Laserabtastung
US11516388B2 (en) 2019-06-20 2022-11-29 Cilag Gmbh International Pulsed illumination in a fluorescence imaging system
US20200397239A1 (en) 2019-06-20 2020-12-24 Ethicon Llc Offset illumination of a scene using multiple emitters in a fluorescence imaging system
CN110336608A (zh) * 2019-06-28 2019-10-15 清华大学 光电混合单频网广播方法及系统
US11828934B1 (en) 2019-07-10 2023-11-28 X Development Llc High-dispersion optical components and methods for making the same
US11269076B2 (en) * 2019-07-11 2022-03-08 Mtd Products Inc Solid state LIDAR machine vision for power equipment device
US10718491B1 (en) * 2019-07-16 2020-07-21 Soraa Laser Diode, Inc. Infrared illumination device configured with a gallium and nitrogen containing laser source
US11236889B2 (en) 2019-07-16 2022-02-01 Kyocera Sld Laser, Inc. Violet and ultraviolet illumination device configured with a gallium and nitrogen containing laser source
CN112585490B (zh) * 2019-07-29 2023-08-04 深圳市速腾聚创科技有限公司 激光发射模组及其装调方法、激光雷达及智能感应设备
WO2021016831A1 (en) * 2019-07-30 2021-02-04 Shenzhen Genorivision Technology Co., Ltd. Lidar systems for phones
CN110361712B (zh) * 2019-08-12 2021-12-28 上海禾赛科技有限公司 激光雷达的光机转子、制造方法以及包括其的激光雷达
US10866487B1 (en) * 2019-08-19 2020-12-15 Raytheon Company Monolithically integrated wavelength converted photonic integrated circuit (PIC) and hybrid fabrication thereof
US11556000B1 (en) 2019-08-22 2023-01-17 Red Creamery Llc Distally-actuated scanning mirror
US11011884B1 (en) * 2019-08-29 2021-05-18 X Development Llc Systems and methods for designing optical devices having mode selective facets
CN110752507B (zh) * 2019-09-04 2021-10-26 南京理工大学 脉冲周期和序列长度可控的多脉冲激光序列发生装置
US11604957B1 (en) 2019-09-20 2023-03-14 X Development Llc Methods for designing hybrid neural networks having physical and digital components
WO2021062658A1 (zh) * 2019-09-30 2021-04-08 深圳市大疆创新科技有限公司 激光测距机的量程的测量方法及系统和存储介质
KR102297399B1 (ko) * 2019-11-12 2021-09-03 주식회사 엠쏘텍 듀얼 파장을 이용한 라이다 장치
US11835715B1 (en) 2019-12-19 2023-12-05 X Development Llc Multimodal photonic components
US11757250B2 (en) * 2019-12-23 2023-09-12 Kyocera Sld Laser, Inc. Specialized mobile light device configured with a gallium and nitrogen containing laser source
US10907960B1 (en) * 2020-01-06 2021-02-02 Outsight SA Calibration system for combined depth and texture sensor
CN111169368B (zh) * 2020-01-16 2021-10-22 深圳市得盛电子有限公司 汽车灯光智能控制装置
JP2021118271A (ja) * 2020-01-27 2021-08-10 パナソニックIpマネジメント株式会社 レーザ発振器及びレーザ加工方法
US11506786B2 (en) 2020-02-14 2022-11-22 Arete Associates Laser detection and ranging
US20210262787A1 (en) * 2020-02-21 2021-08-26 Hamamatsu Photonics K.K. Three-dimensional measurement device
US11187532B2 (en) * 2020-03-06 2021-11-30 Anello Photonics, Inc. Process flow for fabricating integrated photonics optical gyroscopes
US11240635B1 (en) * 2020-04-03 2022-02-01 Koko Home, Inc. System and method for processing using multi-core processors, signals, and AI processors from multiple sources to create a spatial map of selected region
US11947048B2 (en) 2020-05-06 2024-04-02 Waymo Llc Crosstalk reduction for light detection and ranging (lidar) devices using wavelength locking
US11550033B2 (en) * 2020-05-28 2023-01-10 Beijing Voyager Technology Co., Ltd. Electro-optical beam deflecting unit for light detection and ranging (LiDAR)
US11842129B1 (en) 2020-05-28 2023-12-12 X Development Llc Finite floating-point numerical simulation and optimization
US11280909B2 (en) * 2020-06-29 2022-03-22 Aurora Operations, Inc. Lidar transmit/receive system
US10948600B1 (en) * 2020-06-29 2021-03-16 Aurora Innovation, Inc. Systems and methods for IQ detection
US11415699B2 (en) 2020-06-29 2022-08-16 Aurora Operations, Inc. Lidar transmit/receive system
US10946878B1 (en) 2020-07-14 2021-03-16 Bnsf Railway Company Wireless slide fence system and method
US11289051B2 (en) 2020-08-24 2022-03-29 Apple Inc. Electronic devices having light sensor modules overlapped by displays
US11394918B2 (en) * 2020-08-31 2022-07-19 National Chung Hsing University Solid-state optical phased scanning component
CN116348571A (zh) * 2020-09-01 2023-06-27 通用电气公司 与夜视设备兼容的装置
US11874110B2 (en) 2020-09-25 2024-01-16 Apple Inc. Self-mixing interferometry device configured for non-reciprocal sensing
CN112505711B (zh) * 2020-11-24 2023-03-31 中国科学院光电技术研究所 一种利用反射式体布拉格光栅进行激光雷达光谱滤波的装置
TWI746313B (zh) * 2020-12-15 2021-11-11 和碩聯合科技股份有限公司 距離偵測系統及距離偵測方法
CN112887031B (zh) * 2021-01-11 2021-12-10 吉林大学 基于occ双曝光时长相机接收模式与距离感知的车辆间通信实现方法
CN112887627B (zh) * 2021-01-26 2022-08-30 光为科技(广州)有限公司 增加LiDAR设备动态范围的方法、光检测测距LiDAR设备及机器可读介质
US11629948B2 (en) 2021-02-04 2023-04-18 Apple Inc. Optical interferometry proximity sensor with optical path extender
US20220255281A1 (en) * 2021-02-09 2022-08-11 Northrop Grumman Systems Corporation Servo-stabilized phase demodulated fiber amplifier system
CN112952390B (zh) * 2021-02-18 2022-11-11 四川大学 一种基于抛物面的衬底互换多波束缝隙天线
US11567212B2 (en) 2021-03-15 2023-01-31 Argo AI, LLC Compressive sensing for photodiode data
DE102021203829A1 (de) * 2021-04-19 2022-10-20 Robert Bosch Gesellschaft mit beschränkter Haftung Reichweitenoptimiertes LiDAR-System sowie LiDAR-Vorrichtung (110) und Steuereinrichtung für ein solches LiDAR-System
US20220357424A1 (en) * 2021-05-04 2022-11-10 Argo AI, LLC Systems and Methods for Providing a Gapless LiDAR Emitter Using a Laser Diode Bar
WO2023023106A2 (en) 2021-08-18 2023-02-23 Lyte Technologies Inc. Optical transceiver arrays
CN113640758B (zh) * 2021-08-23 2022-07-19 中国科学院空天信息创新研究院 一种城市复杂环境下的sar图像定标器放置方法与系统
US20230087691A1 (en) * 2021-09-22 2023-03-23 Apple Inc. Through-Display Interferometric Proximity and Velocity Sensing
US20230221416A1 (en) * 2022-01-07 2023-07-13 Samsung Electronics Co., Ltd. Distance information acquisition apparatus and electronic apparatus including the same
US11475110B1 (en) * 2022-03-04 2022-10-18 Fmr Llc Secure transmission and authentication of a user credential
CN114859324B (zh) * 2022-07-05 2022-10-14 天津光电集团有限公司 一种利用tvs的激光雷达发射及检测电路
FR3141019A1 (fr) * 2022-10-17 2024-04-19 Valeo Vision Système de détection et/ou de communication d’un véhicule automobile comportant un module de réception d’un faisceau lumineux
US11906121B1 (en) 2022-10-21 2024-02-20 Kyocera Sld Laser, Inc. Laser high beam and low beam headlamp apparatus and method
CN115474172B (zh) * 2022-11-14 2023-01-24 成都大学 结合uwb采集的室内密集人流组群行人群体疏散方法
CN117492027B (zh) * 2024-01-03 2024-03-15 成都量芯集成科技有限公司 一种基于激光扫描识别装置及其方法

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002191554A (ja) * 2000-12-26 2002-07-09 Asahi Optical Co Ltd 3次元画像検出装置を備えた電子内視鏡
JP2005331468A (ja) * 2004-05-21 2005-12-02 Sharp Corp 測距機能を備えた照明装置
JP2010147183A (ja) * 2008-12-17 2010-07-01 Toshiba Corp 半導体発光装置
JP2012204071A (ja) * 2011-03-24 2012-10-22 Sharp Corp 照明装置及び前照灯
JP2015055606A (ja) * 2013-09-13 2015-03-23 株式会社オートネットワーク技術研究所 距離計測システム及び3次元画像生成システム
JP2015187891A (ja) * 2007-06-18 2015-10-29 レッダーテック インコーポレイテッド 運転者支援機能付きの照明システム
JP2016014665A (ja) * 2014-07-03 2016-01-28 アドヴァンスド サイエンティフィック コンセプツ,イン 密集環境のladarセンサ
JP2016205962A (ja) * 2015-04-21 2016-12-08 株式会社デンソー 測距装置
JP2017083371A (ja) * 2015-10-30 2017-05-18 株式会社Jvcケンウッド 光照射装置および光照射方法

Family Cites Families (288)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4341592A (en) 1975-08-04 1982-07-27 Texas Instruments Incorporated Method for removing photoresist layer from substrate by ozone treatment
US4318058A (en) 1979-04-24 1982-03-02 Nippon Electric Co., Ltd. Semiconductor diode laser array
FR2596070A1 (fr) 1986-03-21 1987-09-25 Labo Electronique Physique Dispositif comprenant un suscepteur plan tournant parallelement a un plan de reference autour d'un axe perpendiculaire a ce plan
US4911102A (en) 1987-01-31 1990-03-27 Toyoda Gosei Co., Ltd. Process of vapor growth of gallium nitride and its apparatus
US5029999A (en) * 1989-10-17 1991-07-09 Thermo Electron Technologies Corp. Laser radar device
JPH03287770A (ja) 1990-04-05 1991-12-18 Hitachi Electron Eng Co Ltd 枚葉式常圧cvd装置
US5334277A (en) 1990-10-25 1994-08-02 Nichia Kagaky Kogyo K.K. Method of vapor-growing semiconductor crystal and apparatus for vapor-growing the same
US5157466A (en) 1991-03-19 1992-10-20 Conductus, Inc. Grain boundary junctions in high temperature superconductor films
JP3148004B2 (ja) 1992-07-06 2001-03-19 株式会社東芝 光cvd装置及びこれを用いた半導体装置の製造方法
US5578839A (en) * 1992-11-20 1996-11-26 Nichia Chemical Industries, Ltd. Light-emitting gallium nitride-based compound semiconductor device
US5331654A (en) 1993-03-05 1994-07-19 Photonics Research Incorporated Polarized surface-emitting laser
JPH06267846A (ja) 1993-03-10 1994-09-22 Canon Inc ダイヤモンド電子装置およびその製造法
US5647945A (en) 1993-08-25 1997-07-15 Tokyo Electron Limited Vacuum processing apparatus
JP2555962B2 (ja) 1993-12-08 1996-11-20 日本電気株式会社 光素子
JP3623001B2 (ja) 1994-02-25 2005-02-23 住友電気工業株式会社 単結晶性薄膜の形成方法
JPH07254732A (ja) 1994-03-15 1995-10-03 Toshiba Corp 半導体発光装置
US6167169A (en) 1994-09-09 2000-12-26 Gemfire Corporation Scanning method and architecture for display
US5821555A (en) 1995-03-27 1998-10-13 Kabushiki Kaisha Toshiba Semicoductor device having a hetero interface with a lowered barrier
US6072197A (en) 1996-02-23 2000-06-06 Fujitsu Limited Semiconductor light emitting device with an active layer made of semiconductor having uniaxial anisotropy
JP3360265B2 (ja) 1996-04-26 2002-12-24 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置
TW393521B (en) 1996-05-23 2000-06-11 Ebara Corp Vaporizer apparatus and film deposition apparatus therewith
US6183565B1 (en) 1997-07-08 2001-02-06 Asm International N.V Method and apparatus for supporting a semiconductor wafer during processing
WO1998019375A1 (fr) 1996-10-30 1998-05-07 Hitachi, Ltd. Machine de traitement optique de l'information et dispositif a semi-conducteur emetteur de lumiere afferent
UA47454C2 (uk) 1996-12-20 2002-07-15 Научний Центр Волоконной Оптікі Прі Інстітутє Общєй Фізікі Россійской Акадєміі Наук Волоконний конвертор діаметра поля моди, спосіб локальної зміни показника заломлення оптичних хвильоводів та спосіб виготовлення заготівок для оптичних хвильоводів
EP0871228A3 (en) 1997-04-09 2001-10-24 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Semiconductor substrate, semiconductor device and method of manufacturing the same
CN1292458C (zh) 1997-04-11 2006-12-27 日亚化学工业株式会社 氮化物半导体的生长方法、氮化物半导体衬底及器件
WO1998049837A1 (de) 1997-04-30 1998-11-05 Ldt Gmbh & Co. Laser-Display-Technologie Kg Verfahren und system zur projektion von bildern auf einen schirm mit hilfe eines lichtbündels
US5926493A (en) 1997-05-20 1999-07-20 Sdl, Inc. Optical semiconductor device with diffraction grating structure
JPH10335750A (ja) 1997-06-03 1998-12-18 Sony Corp 半導体基板および半導体装置
JP3653169B2 (ja) 1998-01-26 2005-05-25 シャープ株式会社 窒化ガリウム系半導体レーザ素子
US6147953A (en) 1998-03-25 2000-11-14 Duncan Technologies, Inc. Optical signal transmission apparatus
US6195381B1 (en) 1998-04-27 2001-02-27 Wisconsin Alumni Research Foundation Narrow spectral width high-power distributed feedback semiconductor lasers
US7098871B1 (en) 1998-08-05 2006-08-29 Microvision, Inc. Optical scanning system with correction
US6108937A (en) 1998-09-10 2000-08-29 Asm America, Inc. Method of cooling wafers
JP2000138168A (ja) 1998-10-29 2000-05-16 Shin Etsu Handotai Co Ltd 半導体ウェーハ及び気相成長装置
JP2000209705A (ja) 1999-01-13 2000-07-28 Shinko Electric Co Ltd 無人搬送車システム
WO2000052796A1 (fr) 1999-03-04 2000-09-08 Nichia Corporation Element de laser semiconducteur au nitrure
US6239454B1 (en) 1999-05-10 2001-05-29 Lucent Technologies Inc. Net strain reduction in integrated laser-modulator
DE60033829T2 (de) 1999-09-07 2007-10-11 Sixon Inc. SiC-HALBLEITERSCHEIBE, SiC-HALBLEITERBAUELEMENT SOWIE HERSTELLUNGSVERFAHREN FÜR EINE SiC-HALBLEITERSCHEIBE
US6451157B1 (en) 1999-09-23 2002-09-17 Lam Research Corporation Gas distribution apparatus for semiconductor processing
TW580735B (en) 2000-02-21 2004-03-21 Hitachi Ltd Plasma treatment apparatus and treating method of sample material
TW518767B (en) 2000-03-31 2003-01-21 Toyoda Gosei Kk Production method of III nitride compound semiconductor and III nitride compound semiconductor element
US6554905B1 (en) 2000-04-17 2003-04-29 Asm America, Inc. Rotating semiconductor processing apparatus
US6423565B1 (en) 2000-05-30 2002-07-23 Kurt L. Barth Apparatus and processes for the massproduction of photovotaic modules
WO2001095446A1 (fr) 2000-06-08 2001-12-13 Nichia Corporation Dispositif de laser a semi-conducteur et son procede de fabrication
US7043129B2 (en) 2000-06-16 2006-05-09 Wayne State University Wide bandgap semiconductor waveguide structures
JP2002009402A (ja) 2000-06-20 2002-01-11 Fuji Photo Film Co Ltd 発光装置
US6586762B2 (en) 2000-07-07 2003-07-01 Nichia Corporation Nitride semiconductor device with improved lifetime and high output power
JP2004503923A (ja) 2000-07-10 2004-02-05 コーポレーション フォー レーザー オプティックス リサーチ 帯域幅強調によるスペックル低減のためのシステム及び方法
US6680959B2 (en) 2000-07-18 2004-01-20 Rohm Co., Ltd. Semiconductor light emitting device and semiconductor laser
US6821910B2 (en) 2000-07-24 2004-11-23 University Of Maryland, College Park Spatially programmable microelectronics process equipment using segmented gas injection showerhead with exhaust gas recirculation
WO2002021604A1 (fr) 2000-09-08 2002-03-14 Sharp Kabushiki Kaisha Dispositif emetteur de lumiere a semi-conducteurs au nitrure
US7053413B2 (en) 2000-10-23 2006-05-30 General Electric Company Homoepitaxial gallium-nitride-based light emitting device and method for producing
JP4029565B2 (ja) 2000-12-15 2008-01-09 日亜化学工業株式会社 窒化物半導体レーザアレイ
JP2002190635A (ja) 2000-12-20 2002-07-05 Sharp Corp 半導体レーザ素子およびその製造方法
US6635904B2 (en) 2001-03-29 2003-10-21 Lumileds Lighting U.S., Llc Indium gallium nitride smoothing structures for III-nitride devices
US6489636B1 (en) 2001-03-29 2002-12-03 Lumileds Lighting U.S., Llc Indium gallium nitride smoothing structures for III-nitride devices
US6939730B2 (en) 2001-04-24 2005-09-06 Sony Corporation Nitride semiconductor, semiconductor device, and method of manufacturing the same
US6734530B2 (en) 2001-06-06 2004-05-11 Matsushita Electric Industries Co., Ltd. GaN-based compound semiconductor EPI-wafer and semiconductor element using the same
WO2002103866A1 (en) 2001-06-15 2002-12-27 Nichia Corporation Semiconductor laser element, and its manufacturing method
JP3639807B2 (ja) 2001-06-27 2005-04-20 キヤノン株式会社 光学素子及び製造方法
US6379985B1 (en) 2001-08-01 2002-04-30 Xerox Corporation Methods for cleaving facets in III-V nitrides grown on c-face sapphire substrates
JP3785970B2 (ja) 2001-09-03 2006-06-14 日本電気株式会社 Iii族窒化物半導体素子の製造方法
TW595012B (en) 2001-09-03 2004-06-21 Matsushita Electric Ind Co Ltd Semiconductor light-emitting device, light-emitting apparatus and manufacturing method of semiconductor light-emitting device
US7303630B2 (en) 2003-11-05 2007-12-04 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Method of growing GaN crystal, method of producing single crystal GaN substrate, and single crystal GaN substrate
JP3801125B2 (ja) 2001-10-09 2006-07-26 住友電気工業株式会社 単結晶窒化ガリウム基板と単結晶窒化ガリウムの結晶成長方法および単結晶窒化ガリウム基板の製造方法
MY148924A (en) 2001-09-29 2013-06-14 Cree Inc Apparatus for inverted multi-wafer mocvd fabrication
US6833564B2 (en) 2001-11-02 2004-12-21 Lumileds Lighting U.S., Llc Indium gallium nitride separate confinement heterostructure light emitting devices
US8545629B2 (en) 2001-12-24 2013-10-01 Crystal Is, Inc. Method and apparatus for producing large, single-crystals of aluminum nitride
US6977780B2 (en) 2001-12-27 2005-12-20 Fuji Photo Film Co., Ltd. Image exposure device and laser exposure device applied thereto
WO2003058726A1 (fr) 2001-12-28 2003-07-17 Sanken Electric Co., Ltd. Dispositif electroluminescent a semi-conducteur, ecran electroluminescent, procede de fabrication du dispositif electroluminescent a semi-conducteur et procede de fabrication de l'ecran electroluminescent
JP2003218034A (ja) 2002-01-17 2003-07-31 Sony Corp 選択成長方法、半導体発光素子及びその製造方法
JP3898537B2 (ja) 2002-03-19 2007-03-28 日本電信電話株式会社 窒化物半導体の薄膜形成方法および窒化物半導体発光素子
US6891227B2 (en) 2002-03-20 2005-05-10 International Business Machines Corporation Self-aligned nanotube field effect transistor and method of fabricating same
US7063741B2 (en) 2002-03-27 2006-06-20 General Electric Company High pressure high temperature growth of crystalline group III metal nitrides
US6720570B2 (en) 2002-04-17 2004-04-13 Tekcore Co., Ltd. Gallium nitride-based semiconductor light emitting device
CN100439561C (zh) 2002-04-19 2008-12-03 马特森技术公司 使用低蒸气压气体前体向基材上沉积膜的系统
US7008484B2 (en) 2002-05-06 2006-03-07 Applied Materials Inc. Method and apparatus for deposition of low dielectric constant materials
US6927382B2 (en) 2002-05-22 2005-08-09 Agilent Technologies Optical excitation/detection device and method for making same using fluidic self-assembly techniques
JP2005530349A (ja) 2002-06-13 2005-10-06 クリー インコーポレイテッド 飽和変換材料を有するエミッタパッケージ
EP1537444A2 (de) 2002-07-12 2005-06-08 X3D Technologies GmbH Autostereoskopische projektionsanordnung
US6995032B2 (en) 2002-07-19 2006-02-07 Cree, Inc. Trench cut light emitting diodes and methods of fabricating same
JP3861036B2 (ja) 2002-08-09 2006-12-20 三菱重工業株式会社 プラズマcvd装置
US6809781B2 (en) 2002-09-24 2004-10-26 General Electric Company Phosphor blends and backlight sources for liquid crystal displays
US7009199B2 (en) 2002-10-22 2006-03-07 Cree, Inc. Electronic devices having a header and antiparallel connected light emitting diodes for producing light from AC current
JP2004152841A (ja) 2002-10-29 2004-05-27 Matsushita Electric Ind Co Ltd 窒化物半導体レーザ素子
JP2004186527A (ja) 2002-12-05 2004-07-02 Tecnisco Ltd レーザーダイオード冷却装置
US7186302B2 (en) 2002-12-16 2007-03-06 The Regents Of The University Of California Fabrication of nonpolar indium gallium nitride thin films, heterostructures and devices by metalorganic chemical vapor deposition
JP2004241570A (ja) 2003-02-05 2004-08-26 Fujitsu Ltd 半導体レーザ
US7068905B2 (en) 2003-03-12 2006-06-27 Daryoosh Vakhshoori Extended optical bandwidth semiconductor source
WO2004084275A2 (en) 2003-03-18 2004-09-30 Crystal Photonics, Incorporated Method for making group iii nitride devices and devices produced thereby
JP2004304111A (ja) 2003-04-01 2004-10-28 Sharp Corp 多波長レーザ装置
US7187185B2 (en) 2004-09-29 2007-03-06 Loadstar Sensors Inc Area-change sensing through capacitive techniques
US7118781B1 (en) 2003-04-16 2006-10-10 Cree, Inc. Methods for controlling formation of deposits in a deposition system and deposition methods including the same
JPWO2004111297A1 (ja) 2003-06-10 2006-07-20 東京エレクトロン株式会社 処理ガス供給機構、成膜装置および成膜方法
JP4229005B2 (ja) 2003-06-26 2009-02-25 住友電気工業株式会社 GaN基板及びその製造方法、並びに窒化物半導体素子
JP4011569B2 (ja) 2003-08-20 2007-11-21 株式会社東芝 半導体発光素子
US7009215B2 (en) 2003-10-24 2006-03-07 General Electric Company Group III-nitride based resonant cavity light emitting devices fabricated on single crystal gallium nitride substrates
US7128849B2 (en) 2003-10-31 2006-10-31 General Electric Company Phosphors containing boron and metals of Group IIIA and IIIB
US7384481B2 (en) 2003-12-29 2008-06-10 Translucent Photonics, Inc. Method of forming a rare-earth dielectric layer
JP4279698B2 (ja) 2004-01-30 2009-06-17 シャープ株式会社 Led素子の駆動方法及び駆動装置、照明装置並びに表示装置
US20070242716A1 (en) 2004-03-19 2007-10-18 Arizona Board Of Regents, A Body Corporation Acting On Behalf Of Arizona State University High Power Vcsels With Transverse Mode Control
US7408201B2 (en) 2004-03-19 2008-08-05 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Polarized semiconductor light emitting device
US8035113B2 (en) 2004-04-15 2011-10-11 The Trustees Of Boston University Optical devices featuring textured semiconductor layers
US7061026B2 (en) 2004-04-16 2006-06-13 Arima Optoelectronics Corp. High brightness gallium nitride-based light emitting diode with transparent conducting oxide spreading layer
DE102004021233A1 (de) 2004-04-30 2005-12-01 Osram Opto Semiconductors Gmbh Leuchtdiodenanordnung
EP1598681A3 (de) 2004-05-17 2006-03-01 Carl Zeiss SMT AG Optische Komponente mit gekrümmter Oberfläche und Mehrlagenbeschichtung
US7709284B2 (en) 2006-08-16 2010-05-04 The Regents Of The University Of California Method for deposition of magnesium doped (Al, In, Ga, B)N layers
US7956360B2 (en) 2004-06-03 2011-06-07 The Regents Of The University Of California Growth of planar reduced dislocation density M-plane gallium nitride by hydride vapor phase epitaxy
US8227820B2 (en) 2005-02-09 2012-07-24 The Regents Of The University Of California Semiconductor light-emitting device
US20080092812A1 (en) 2004-06-10 2008-04-24 Mcdiarmid James Methods and Apparatuses for Depositing Uniform Layers
US7019325B2 (en) 2004-06-16 2006-03-28 Exalos Ag Broadband light emitting device
KR100541110B1 (ko) 2004-06-25 2006-01-11 삼성전기주식회사 다파장 반도체 레이저 제조방법
US7288679B2 (en) 2004-08-06 2007-10-30 Agfa-Gevaert Device provided with a dedicated dye compound
JP4290095B2 (ja) 2004-08-16 2009-07-01 キヤノン株式会社 表示光学系および画像表示システム
TWI241036B (en) 2004-08-18 2005-10-01 Formosa Epitaxy Inc GaN LED structure with enhanced light emitting luminance
JP2006073076A (ja) 2004-09-01 2006-03-16 Fujinon Corp 光記録媒体用対物光学系およびこれを用いた光ピックアップ装置
JP2006091285A (ja) 2004-09-22 2006-04-06 Sumitomo Electric Ind Ltd 発光装置
JP2006108435A (ja) 2004-10-06 2006-04-20 Sumitomo Electric Ind Ltd 窒化物半導体ウエハ
JP2006120923A (ja) 2004-10-22 2006-05-11 Fuji Photo Film Co Ltd 半導体レーザ装置
US7858408B2 (en) 2004-11-15 2010-12-28 Koninklijke Philips Electronics N.V. LED with phosphor tile and overmolded phosphor in lens
US7751455B2 (en) 2004-12-14 2010-07-06 Palo Alto Research Center Incorporated Blue and green laser diodes with gallium nitride or indium gallium nitride cladding laser structure
US7358542B2 (en) 2005-02-02 2008-04-15 Lumination Llc Red emitting phosphor materials for use in LED and LCD applications
CN100379042C (zh) 2005-02-18 2008-04-02 乐清市亿昊科技发展有限公司 发光二极管管芯的基底结构体及制造基底结构体的方法
US7932111B2 (en) 2005-02-23 2011-04-26 Cree, Inc. Substrate removal process for high light extraction LEDs
JP2006270028A (ja) 2005-02-25 2006-10-05 Mitsubishi Electric Corp 半導体発光素子
TWI453813B (zh) 2005-03-10 2014-09-21 Univ California 用於生長平坦半極性的氮化鎵之技術
US20090159869A1 (en) 2005-03-11 2009-06-25 Ponce Fernando A Solid State Light Emitting Device
EP1869526B1 (en) 2005-03-30 2019-11-06 Necsel Intellectual Property, Inc. Manufacturable vertical extended cavity surface emitting laser arrays
US7532311B2 (en) 2005-04-06 2009-05-12 Lockheed Martin Coherent Technologies, Inc. Efficient lidar with flexible target interrogation pattern
US7483466B2 (en) 2005-04-28 2009-01-27 Canon Kabushiki Kaisha Vertical cavity surface emitting laser device
US7574791B2 (en) 2005-05-10 2009-08-18 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. Method to fabricate side shields for a magnetic sensor
US7358543B2 (en) 2005-05-27 2008-04-15 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. Light emitting device having a layer of photonic crystals and a region of diffusing material and method for fabricating the device
TWI377602B (en) 2005-05-31 2012-11-21 Japan Science & Tech Agency Growth of planar non-polar {1-100} m-plane gallium nitride with metalorganic chemical vapor deposition (mocvd)
EP1900013A4 (en) 2005-06-01 2010-09-01 Univ California TECHNOLOGY FOR GROWTH AND MANUFACTURE OF SEMIPOLARS (GA, AL, IN, B) N THIN FILMS, HETEROSTRUCTURES AND COMPONENTS
US20060288928A1 (en) 2005-06-10 2006-12-28 Chang-Beom Eom Perovskite-based thin film structures on miscut semiconductor substrates
US8148713B2 (en) 2008-04-04 2012-04-03 The Regents Of The University Of California Method for fabrication of semipolar (Al, In, Ga, B)N based light emitting diodes
US20070081857A1 (en) 2005-10-07 2007-04-12 Yoon Jung H Four parts manhole enabling an easy install and height adjustment
US20070086916A1 (en) 2005-10-14 2007-04-19 General Electric Company Faceted structure, article, sensor device, and method
CN100485979C (zh) 2005-10-17 2009-05-06 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 发光元件、平面光源及直下式背光模组
JP4879563B2 (ja) 2005-11-16 2012-02-22 パナソニック株式会社 Iii族窒化物半導体発光装置
DE102005055252A1 (de) 2005-11-19 2007-05-24 Aixtron Ag CVD-Reaktor mit gleitgelagerten Suszeptorhalter
US20070138505A1 (en) 2005-12-12 2007-06-21 Kyma Technologies, Inc. Low defect group III nitride films useful for electronic and optoelectronic devices and methods for making the same
JP5191650B2 (ja) 2005-12-16 2013-05-08 シャープ株式会社 窒化物半導体発光素子および窒化物半導体発光素子の製造方法
JP4534978B2 (ja) 2005-12-21 2010-09-01 トヨタ自動車株式会社 半導体薄膜製造装置
EP1965416A3 (en) 2005-12-22 2009-04-29 Freiberger Compound Materials GmbH Free-Standing III-N layers or devices obtained by selective masking of III-N layers during III-N layer growth
TWI490918B (zh) 2006-01-20 2015-07-01 Univ California 半極性氮化(鋁,銦,鎵,硼)之改良成長方法
US8044412B2 (en) 2006-01-20 2011-10-25 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd Package for a light emitting element
JP4711838B2 (ja) 2006-01-27 2011-06-29 株式会社東芝 多波長半導体レーザ装置
EP1984940A4 (en) 2006-02-10 2010-11-10 Univ California METHOD FOR CONTROLLING THE CONDUCTIVITY OF (AL, IN, GA, B) N
WO2007098215A2 (en) 2006-02-17 2007-08-30 The Regents Of The University Of California Method for growth of semipolar (al,in,ga,b)n optoelectronic devices
JP4660400B2 (ja) 2006-03-14 2011-03-30 シャープ株式会社 窒化物半導体レーザ素子の製造方法
US7459380B2 (en) 2006-05-05 2008-12-02 Applied Materials, Inc. Dislocation-specific dielectric mask deposition and lateral epitaxial overgrowth to reduce dislocation density of nitride films
US7480322B2 (en) 2006-05-15 2009-01-20 The Regents Of The University Of California Electrically-pumped (Ga,In,Al)N vertical-cavity surface-emitting laser
JP4819577B2 (ja) 2006-05-31 2011-11-24 キヤノン株式会社 パターン転写方法およびパターン転写装置
US7952109B2 (en) 2006-07-10 2011-05-31 Alcatel-Lucent Usa Inc. Light-emitting crystal structures
US20090273005A1 (en) 2006-07-24 2009-11-05 Hung-Yi Lin Opto-electronic package structure having silicon-substrate and method of forming the same
US20080029152A1 (en) 2006-08-04 2008-02-07 Erel Milshtein Laser scribing apparatus, systems, and methods
US7374960B1 (en) 2006-08-23 2008-05-20 Applied Materials, Inc. Stress measurement and stress balance in films
WO2008032557A1 (fr) 2006-09-12 2008-03-20 Konica Minolta Holdings, Inc. Élément à électroluminescence organique, ainsi que dispositif d'éclairage et dispositif d'affichage prévus avec l'élément à électroluminescence organique
JP2008109066A (ja) 2006-09-29 2008-05-08 Rohm Co Ltd 発光素子
US7642122B2 (en) 2006-10-08 2010-01-05 Momentive Performance Materials Inc. Method for forming nitride crystals
EP2100990A1 (en) 2006-10-16 2009-09-16 Mitsubishi Chemical Corporation Process for producing nitride semiconductor, crystal growth rate enhancement agent, nitride single crystal, wafer and device
KR100837404B1 (ko) 2006-10-18 2008-06-12 삼성전자주식회사 반도체 광전 소자
US7598104B2 (en) 2006-11-24 2009-10-06 Agency For Science, Technology And Research Method of forming a metal contact and passivation of a semiconductor feature
JP2008141118A (ja) 2006-12-05 2008-06-19 Rohm Co Ltd 半導体白色発光装置
WO2008073400A1 (en) 2006-12-11 2008-06-19 The Regents Of The University Of California Transparent light emitting diodes
WO2008073435A1 (en) 2006-12-11 2008-06-19 The Regents Of The University Of California Lead frame for transparent and mirrorless light emitting diode
US7766490B2 (en) 2006-12-13 2010-08-03 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Multi-color primary light generation in a projection system using LEDs
US8338273B2 (en) 2006-12-15 2012-12-25 University Of South Carolina Pulsed selective area lateral epitaxy for growth of III-nitride materials over non-polar and semi-polar substrates
US20080217745A1 (en) 2006-12-19 2008-09-11 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Nitride Semiconductor Wafer
UA97969C2 (ru) 2006-12-28 2012-04-10 Сейнт-Гобейн Серамикс Энд Пластикс, Инк. Сапфирная основа (варианты)
JP2008193057A (ja) 2007-01-09 2008-08-21 Matsushita Electric Ind Co Ltd 波長変換装置および2次元画像表示装置
KR101464228B1 (ko) 2007-01-12 2014-11-21 비코 인스트루먼츠 인코포레이티드 가스 처리 시스템
US8211723B2 (en) 2007-02-12 2012-07-03 The Regents Of The University Of California Al(x)Ga(1-x)N-cladding-free nonpolar III-nitride based laser diodes and light emitting diodes
US8541869B2 (en) 2007-02-12 2013-09-24 The Regents Of The University Of California Cleaved facet (Ga,Al,In)N edge-emitting laser diodes grown on semipolar bulk gallium nitride substrates
US7839903B2 (en) 2007-02-12 2010-11-23 The Regents Of The University Of California Optimization of laser bar orientation for nonpolar and semipolar (Ga,Al,In,B)N diode lasers
JP2008198952A (ja) 2007-02-15 2008-08-28 Rohm Co Ltd Iii族窒化物半導体発光素子
JP5162926B2 (ja) 2007-03-07 2013-03-13 三菱電機株式会社 半導体レーザ装置の製造方法
JP2008235802A (ja) 2007-03-23 2008-10-02 Rohm Co Ltd 発光装置
JP2008311640A (ja) 2007-05-16 2008-12-25 Rohm Co Ltd 半導体レーザダイオード
JP2008285364A (ja) 2007-05-17 2008-11-27 Sumitomo Electric Ind Ltd GaN基板、それを用いたエピタキシャル基板及び半導体発光素子
JP4614988B2 (ja) 2007-05-31 2011-01-19 シャープ株式会社 窒化物系半導体レーザ素子及びその製造方法
US20080303033A1 (en) 2007-06-05 2008-12-11 Cree, Inc. Formation of nitride-based optoelectronic and electronic device structures on lattice-matched substrates
JP5118392B2 (ja) 2007-06-08 2013-01-16 ローム株式会社 半導体発光素子およびその製造方法
EP2003230A2 (en) 2007-06-14 2008-12-17 Sumitomo Electric Industries, Ltd. GaN substrate, substrate with an epitaxial layer, semiconductor device, and GaN substrate manufacturing method
US8767215B2 (en) 2007-06-18 2014-07-01 Leddartech Inc. Method for detecting objects with light
KR101459752B1 (ko) 2007-06-22 2014-11-13 엘지이노텍 주식회사 반도체 발광소자 및 그 제조방법
JP2009021506A (ja) 2007-07-13 2009-01-29 Sharp Corp 半導体レーザアレイ、発光装置、半導体レーザアレイの製造方法および発光装置の製造方法
US7619746B2 (en) 2007-07-19 2009-11-17 Zygo Corporation Generating model signals for interferometry
US7733571B1 (en) 2007-07-24 2010-06-08 Rockwell Collins, Inc. Phosphor screen and displays systems
JP4584293B2 (ja) 2007-08-31 2010-11-17 富士通株式会社 窒化物半導体装置、ドハティ増幅器、ドレイン電圧制御増幅器
JP2009065048A (ja) 2007-09-07 2009-03-26 Rohm Co Ltd 半導体発光素子およびその製造方法
WO2009035648A1 (en) 2007-09-14 2009-03-19 Kyma Technologies, Inc. Non-polar and semi-polar gan substrates, devices, and methods for making them
JP4809308B2 (ja) 2007-09-21 2011-11-09 新光電気工業株式会社 基板の製造方法
US8750688B2 (en) 2007-09-21 2014-06-10 Echostar Technologies L.L.C. Systems and methods for selectively recording at least part of a program based on an occurrence of a video or audio characteristic in the program
US7915627B2 (en) 2007-10-17 2011-03-29 Intematix Corporation Light emitting device with phosphor wavelength conversion
US7792171B2 (en) 2007-11-12 2010-09-07 Rohm Co., Ltd. Nitride semiconductor laser device
US20090153752A1 (en) 2007-12-14 2009-06-18 Silverstein Barry D Projector using independent multiple wavelength light sources
DE102008012859B4 (de) 2007-12-21 2023-10-05 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Laserlichtquelle mit einer Filterstruktur
JP2009158893A (ja) 2007-12-28 2009-07-16 Nec Corp 半導体発光素子及びその製造方法
JP5003527B2 (ja) 2008-02-22 2012-08-15 住友電気工業株式会社 Iii族窒化物発光素子、及びiii族窒化物系半導体発光素子を作製する方法
US8545626B2 (en) 2008-03-03 2013-10-01 Mitsubishi Chemical Corporation Nitride semiconductor crystal and its production method
JP5053893B2 (ja) 2008-03-07 2012-10-24 住友電気工業株式会社 窒化物半導体レーザを作製する方法
JP2009283912A (ja) 2008-04-25 2009-12-03 Sanyo Electric Co Ltd 窒化物系半導体素子およびその製造方法
US8757812B2 (en) 2008-05-19 2014-06-24 University of Washington UW TechTransfer—Invention Licensing Scanning laser projection display devices and methods for projecting one or more images onto a surface with a light-scanning optical fiber
KR100998011B1 (ko) 2008-05-22 2010-12-03 삼성엘이디 주식회사 화학기상 증착장치
US20090301388A1 (en) 2008-06-05 2009-12-10 Soraa Inc. Capsule for high pressure processing and method of use for supercritical fluids
US8097081B2 (en) 2008-06-05 2012-01-17 Soraa, Inc. High pressure apparatus and method for nitride crystal growth
US20090309127A1 (en) 2008-06-13 2009-12-17 Soraa, Inc. Selective area epitaxy growth method and structure
US8847249B2 (en) 2008-06-16 2014-09-30 Soraa, Inc. Solid-state optical device having enhanced indium content in active regions
US8303710B2 (en) 2008-06-18 2012-11-06 Soraa, Inc. High pressure apparatus and method for nitride crystal growth
US20100006873A1 (en) 2008-06-25 2010-01-14 Soraa, Inc. HIGHLY POLARIZED WHITE LIGHT SOURCE BY COMBINING BLUE LED ON SEMIPOLAR OR NONPOLAR GaN WITH YELLOW LED ON SEMIPOLAR OR NONPOLAR GaN
CN101621101A (zh) 2008-06-30 2010-01-06 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管及其制造方法
US20100003492A1 (en) 2008-07-07 2010-01-07 Soraa, Inc. High quality large area bulk non-polar or semipolar gallium based substrates and methods
US8232502B2 (en) 2008-07-08 2012-07-31 Acme Services Company, Llp Laser engraving of ceramic articles
US8259769B1 (en) 2008-07-14 2012-09-04 Soraa, Inc. Integrated total internal reflectors for high-gain laser diodes with high quality cleaved facets on nonpolar/semipolar GaN substrates
US8143148B1 (en) 2008-07-14 2012-03-27 Soraa, Inc. Self-aligned multi-dielectric-layer lift off process for laser diode stripes
US8284810B1 (en) 2008-08-04 2012-10-09 Soraa, Inc. Solid state laser device using a selected crystal orientation in non-polar or semi-polar GaN containing materials and methods
US8124996B2 (en) 2008-08-04 2012-02-28 Soraa, Inc. White light devices using non-polar or semipolar gallium containing materials and phosphors
JP4475358B1 (ja) 2008-08-04 2010-06-09 住友電気工業株式会社 GaN系半導体光素子、GaN系半導体光素子を作製する方法、及びエピタキシャルウエハ
WO2010017316A1 (en) 2008-08-05 2010-02-11 The Regents Of The University Of California Linearly polarized backlight source in conjunction with polarized phosphor emission screens for use in liquid crystal displays
US8979999B2 (en) 2008-08-07 2015-03-17 Soraa, Inc. Process for large-scale ammonothermal manufacturing of gallium nitride boules
US8148801B2 (en) 2008-08-25 2012-04-03 Soraa, Inc. Nitride crystal with removable surface layer and methods of manufacture
CN102197551A (zh) 2008-09-04 2011-09-21 3M创新有限公司 由gan ld光泵的散热器上式ⅱ-ⅵ族mqw vcsel
EP2323180A1 (en) 2008-09-11 2011-05-18 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Nitride semiconductor optical device, epitaxial wafer for nitride semiconductor optical device, and method for manufacturing semiconductor light-emitting device
US8134770B2 (en) 2008-09-12 2012-03-13 Spatial Photonics, Inc. Reducing speckle pattern in display images
US8461071B2 (en) 2008-12-12 2013-06-11 Soraa, Inc. Polycrystalline group III metal nitride with getter and method of making
US7923741B1 (en) 2009-01-05 2011-04-12 Lednovation, Inc. Semiconductor lighting device with reflective remote wavelength conversion
JP2010177651A (ja) 2009-02-02 2010-08-12 Rohm Co Ltd 半導体レーザ素子
US8252662B1 (en) 2009-03-28 2012-08-28 Soraa, Inc. Method and structure for manufacture of light emitting diode devices using bulk GaN
US8422525B1 (en) 2009-03-28 2013-04-16 Soraa, Inc. Optical device structure using miscut GaN substrates for laser applications
US8242522B1 (en) 2009-05-12 2012-08-14 Soraa, Inc. Optical device structure using non-polar GaN substrates and growth structures for laser applications in 481 nm
US8294179B1 (en) 2009-04-17 2012-10-23 Soraa, Inc. Optical device structure using GaN substrates and growth structures for laser applications
US8254425B1 (en) 2009-04-17 2012-08-28 Soraa, Inc. Optical device structure using GaN substrates and growth structures for laser applications
US9531164B2 (en) 2009-04-13 2016-12-27 Soraa Laser Diode, Inc. Optical device structure using GaN substrates for laser applications
US8126024B1 (en) 2009-04-17 2012-02-28 Soraa, Inc. Optical device structure using GaN substrates and growth structures for laser applications of emissions of 500 nm and greater
US8416825B1 (en) 2009-04-17 2013-04-09 Soraa, Inc. Optical device structure using GaN substrates and growth structure for laser applications
US8455332B2 (en) 2009-05-01 2013-06-04 Bridgelux, Inc. Method and apparatus for manufacturing LED devices using laser scribing
US8427590B2 (en) 2009-05-29 2013-04-23 Soraa, Inc. Laser based display method and system
US8247887B1 (en) 2009-05-29 2012-08-21 Soraa, Inc. Method and surface morphology of non-polar gallium nitride containing substrates
US8509275B1 (en) 2009-05-29 2013-08-13 Soraa, Inc. Gallium nitride based laser dazzling device and method
US20100309943A1 (en) 2009-06-05 2010-12-09 The Regents Of The University Of California LONG WAVELENGTH NONPOLAR AND SEMIPOLAR (Al,Ga,In)N BASED LASER DIODES
US8314429B1 (en) 2009-09-14 2012-11-20 Soraa, Inc. Multi color active regions for white light emitting diode
US8355418B2 (en) 2009-09-17 2013-01-15 Soraa, Inc. Growth structures and method for forming laser diodes on {20-21} or off cut gallium and nitrogen containing substrates
US20110186887A1 (en) 2009-09-21 2011-08-04 Soraa, Inc. Reflection Mode Wavelength Conversion Material for Optical Devices Using Non-Polar or Semipolar Gallium Containing Materials
JP5387302B2 (ja) 2009-09-30 2014-01-15 住友電気工業株式会社 Iii族窒化物半導体レーザ素子、及びiii族窒化物半導体レーザ素子を作製する方法
JP5515575B2 (ja) 2009-09-30 2014-06-11 住友電気工業株式会社 Iii族窒化物半導体光素子、エピタキシャル基板、及びiii族窒化物半導体光素子を作製する方法
US20110103418A1 (en) 2009-11-03 2011-05-05 The Regents Of The University Of California Superluminescent diodes by crystallographic etching
US20110186874A1 (en) 2010-02-03 2011-08-04 Soraa, Inc. White Light Apparatus and Method
EP2543119B1 (en) 2010-03-04 2020-02-12 The Regents of The University of California Semi-polar iii-nitride optoelectronic devices on m-plane gan substrates with miscuts in the ranges 1 to 15 degrees or -1 to -15 degrees in the c-direction
US9927611B2 (en) 2010-03-29 2018-03-27 Soraa Laser Diode, Inc. Wearable laser based display method and system
US20110247556A1 (en) 2010-03-31 2011-10-13 Soraa, Inc. Tapered Horizontal Growth Chamber
US9028123B2 (en) 2010-04-16 2015-05-12 Flex Lighting Ii, Llc Display illumination device with a film-based lightguide having stacked incident surfaces
US8451876B1 (en) 2010-05-17 2013-05-28 Soraa, Inc. Method and system for providing bidirectional light sources with broad spectrum
WO2011149977A1 (en) 2010-05-24 2011-12-01 Soraa, Inc. System and method of multi-wavelength laser apparatus
WO2012016033A1 (en) 2010-07-28 2012-02-02 Momentive Performance Materials Inc. Apparatus for processing materials at high temperatures and pressures
US8975615B2 (en) 2010-11-09 2015-03-10 Soraa Laser Diode, Inc. Method of fabricating optical devices using laser treatment of contact regions of gallium and nitrogen containing material
US8807783B2 (en) 2010-12-17 2014-08-19 LED Industries, Inc. Light emitting diode retrofit kit for high intensity discharge lighting
US9318875B1 (en) 2011-01-24 2016-04-19 Soraa Laser Diode, Inc. Color converting element for laser diode
US9025635B2 (en) 2011-01-24 2015-05-05 Soraa Laser Diode, Inc. Laser package having multiple emitters configured on a support member
US9595813B2 (en) 2011-01-24 2017-03-14 Soraa Laser Diode, Inc. Laser package having multiple emitters configured on a substrate member
US9287684B2 (en) 2011-04-04 2016-03-15 Soraa Laser Diode, Inc. Laser package having multiple emitters with color wheel
CN203967503U (zh) * 2012-12-31 2014-11-26 天空激光二极管有限公司 光学模块设备
JP6157135B2 (ja) 2013-02-07 2017-07-05 オリンパス株式会社 光源撮像装置
US9784835B1 (en) 2013-09-27 2017-10-10 Waymo Llc Laser diode timing feedback using trace loop
US9379525B2 (en) 2014-02-10 2016-06-28 Soraa Laser Diode, Inc. Manufacturable laser diode
US20150138789A1 (en) * 2013-11-21 2015-05-21 Ford Global Technologies, Llc Vehicle lighting system with photoluminescent structure
CN104459670B (zh) * 2014-12-04 2017-08-11 北京理工大学 一种基于光纤阵列的多光谱探测波长转换系统
CN104597436B (zh) * 2015-01-15 2017-08-11 北京理工大学 一种应用于成像激光雷达的光谱分光装置
WO2017019725A1 (en) 2015-07-28 2017-02-02 Wenasont Dynamics Llc System and method for light and image projection
US11437775B2 (en) 2015-08-19 2022-09-06 Kyocera Sld Laser, Inc. Integrated light source using a laser diode
US10879673B2 (en) 2015-08-19 2020-12-29 Soraa Laser Diode, Inc. Integrated white light source using a laser diode and a phosphor in a surface mount device package
US10938182B2 (en) 2015-08-19 2021-03-02 Soraa Laser Diode, Inc. Specialized integrated light source using a laser diode
US9787963B2 (en) 2015-10-08 2017-10-10 Soraa Laser Diode, Inc. Laser lighting having selective resolution
DE102015118715A1 (de) 2015-11-02 2017-05-04 Osram Opto Semiconductors Gmbh Halbleiterlaseranordnung und Projektor
DE102016200653A1 (de) * 2016-01-20 2017-07-20 Robert Bosch Gmbh Scheinwerfermodul, Scheinwerfer, Scheinwerfersystem und Betriebsverfahren für ein Scheinwerfermodul
EP3430692B1 (en) * 2016-03-18 2022-05-25 NLIGHT, Inc. Spectrally multiplexing diode pump modules to improve brightness
US10651317B2 (en) * 2016-04-15 2020-05-12 Macom Technology Solutions Holdings, Inc. High-voltage lateral GaN-on-silicon Schottky diode
US10761195B2 (en) * 2016-04-22 2020-09-01 OPSYS Tech Ltd. Multi-wavelength LIDAR system
US9902314B1 (en) * 2016-11-17 2018-02-27 Ford Global Technologies, Llc Vehicle light system
US10771155B2 (en) * 2017-09-28 2020-09-08 Soraa Laser Diode, Inc. Intelligent visible light with a gallium and nitrogen containing laser source
US10222474B1 (en) 2017-12-13 2019-03-05 Soraa Laser Diode, Inc. Lidar systems including a gallium and nitrogen containing laser light source
WO2020243038A1 (en) * 2019-05-28 2020-12-03 Optonomous Technologies, Inc. Lidar integrated with smart headlight and method
TR201909524A2 (tr) 2019-06-26 2020-11-23 Atatuerk Ueniversitesi Rektoerluegue Bilimsel Arastirma Projeleri Bap Koordinasyon Birimi Akilli, uyarlanabi̇li̇r dalga boylu aydinlatma si̇stemi̇
US20220275926A1 (en) * 2019-07-08 2022-09-01 Optonomous Technologies, Inc. Laser/phosphor, led and/or diffuser light sources with light recycling
US11236889B2 (en) 2019-07-16 2022-02-01 Kyocera Sld Laser, Inc. Violet and ultraviolet illumination device configured with a gallium and nitrogen containing laser source
US10718491B1 (en) 2019-07-16 2020-07-21 Soraa Laser Diode, Inc. Infrared illumination device configured with a gallium and nitrogen containing laser source

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002191554A (ja) * 2000-12-26 2002-07-09 Asahi Optical Co Ltd 3次元画像検出装置を備えた電子内視鏡
JP2005331468A (ja) * 2004-05-21 2005-12-02 Sharp Corp 測距機能を備えた照明装置
JP2015187891A (ja) * 2007-06-18 2015-10-29 レッダーテック インコーポレイテッド 運転者支援機能付きの照明システム
JP2010147183A (ja) * 2008-12-17 2010-07-01 Toshiba Corp 半導体発光装置
JP2012204071A (ja) * 2011-03-24 2012-10-22 Sharp Corp 照明装置及び前照灯
JP2015055606A (ja) * 2013-09-13 2015-03-23 株式会社オートネットワーク技術研究所 距離計測システム及び3次元画像生成システム
JP2016014665A (ja) * 2014-07-03 2016-01-28 アドヴァンスド サイエンティフィック コンセプツ,イン 密集環境のladarセンサ
JP2016205962A (ja) * 2015-04-21 2016-12-08 株式会社デンソー 測距装置
JP2017083371A (ja) * 2015-10-30 2017-05-18 株式会社Jvcケンウッド 光照射装置および光照射方法

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
成川 幸雄 他: "GaN系発光素子を用いた高輝度白色光源の開発", 応用物理, vol. 第74巻 第11号, JPN6022043485, 10 November 2005 (2005-11-10), JP, pages 1423 - 1432, ISSN: 0005038790 *

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102670467B1 (ko) 2022-05-16 2024-05-30 주식회사 메타플바이오 스마트 지팡이

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