JP2555962B2 - 光素子 - Google Patents
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- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/18—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities
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- H01S5/18305—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL] with emission through the substrate, i.e. bottom emission
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- H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光伝送や光情報処理用
の面発光型光素子に関する。
の面発光型光素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】光伝送や光情報処理の光源である半導体
レーザの研究が進められている。近年では、半導体レー
ザをアレイ状に配置し、並列光伝送や並列光情報処理に
利用しようとする試みが行われるようになった。導波型
半導体レーザでは、１次元のアレイ集積のみが可能だ
が、さらに２次元状に集積可能なレーザとして、面型半
導体レーザの研究が活発になってきている。
レーザの研究が進められている。近年では、半導体レー
ザをアレイ状に配置し、並列光伝送や並列光情報処理に
利用しようとする試みが行われるようになった。導波型
半導体レーザでは、１次元のアレイ集積のみが可能だ
が、さらに２次元状に集積可能なレーザとして、面型半
導体レーザの研究が活発になってきている。
【０００３】これらの半導体レーザを集積化するために
は、個々の素子の消費電力が小さいことが必要である。
このための１つの重要な課題として、発振しきい値の低
減があげられる。導波型レーザでは、発振しきい電流値
として２５０μＡが得られており、この結果は１９９２
年発行のチェン（Ｃｈｅｎ）他著のアプライド・フィジ
ックス・レターズ（Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ
Ｌｅｔｔｅｒｓ）第６０巻１７８２ページ記載の論文に
報告されている。今のところ、半導体レーザにおける最
小の発振しきい値は１９０μＡであり、これは面発光レ
ーザで実現されている。この結果は、１９９３年発行の
沼居他著のジャパニーズ・ジャーナル・オブ・アプライ
ド・フィジックス・パート２（Ｊａｐａｎｅｓｅ Ｊｏ
ｕｒｎａｌ ｏｆ Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ，
Ｐａｒｔ２）第３２巻１５３３ページ記載の論文に報告
されている。
は、個々の素子の消費電力が小さいことが必要である。
このための１つの重要な課題として、発振しきい値の低
減があげられる。導波型レーザでは、発振しきい電流値
として２５０μＡが得られており、この結果は１９９２
年発行のチェン（Ｃｈｅｎ）他著のアプライド・フィジ
ックス・レターズ（Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ
Ｌｅｔｔｅｒｓ）第６０巻１７８２ページ記載の論文に
報告されている。今のところ、半導体レーザにおける最
小の発振しきい値は１９０μＡであり、これは面発光レ
ーザで実現されている。この結果は、１９９３年発行の
沼居他著のジャパニーズ・ジャーナル・オブ・アプライ
ド・フィジックス・パート２（Ｊａｐａｎｅｓｅ Ｊｏ
ｕｒｎａｌ ｏｆ Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ，
Ｐａｒｔ２）第３２巻１５３３ページ記載の論文に報告
されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
発振しきい値の低い発光素子には次のような課題が存在
する。発振しきい値を低減するためには、内部損失（吸
収損失、散乱損失、ミラー損失）等を低減することが必
要であるが、この中で最も発振しきい値の低減に効果が
あるのは、ミラー損失の低減である。そこで、従来の素
子では、ミラー損失を小さくする、すなわち、ミラーの
反射率を大きくすることによって、発振しきい値を低減
していた。しかし、反射率を大きくすると、光の共振器
外への取り出し効率が低下するため、外部微分量子効率
は小さくなってしまっていた。
発振しきい値の低い発光素子には次のような課題が存在
する。発振しきい値を低減するためには、内部損失（吸
収損失、散乱損失、ミラー損失）等を低減することが必
要であるが、この中で最も発振しきい値の低減に効果が
あるのは、ミラー損失の低減である。そこで、従来の素
子では、ミラー損失を小さくする、すなわち、ミラーの
反射率を大きくすることによって、発振しきい値を低減
していた。しかし、反射率を大きくすると、光の共振器
外への取り出し効率が低下するため、外部微分量子効率
は小さくなってしまっていた。
【０００５】そこで、本発明は、２次元集積化に適した
面発光素子において、低発振しきい値で、かつ外部微分
量子効率の大きい、すなわち消費電力の小さい特性を実
現することを目的とする。
面発光素子において、低発振しきい値で、かつ外部微分
量子効率の大きい、すなわち消費電力の小さい特性を実
現することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の光素子は、３次
元の光共振器において少なくとも１次元のサイズが共振
波長程度である光共振器を有する面発光素子と、共振波
長にくらべて充分大きなサイズ光増幅器とが光の伝播方
向に沿って直列に配置されていることを特徴とする。
元の光共振器において少なくとも１次元のサイズが共振
波長程度である光共振器を有する面発光素子と、共振波
長にくらべて充分大きなサイズ光増幅器とが光の伝播方
向に沿って直列に配置されていることを特徴とする。
【０００７】あるいは、前記の光素子において、面発光
素子または光増幅素子が波長可変、受光、メモリ、しき
い値機能等の機能も有する光機能素子であることを特徴
とする。
素子または光増幅素子が波長可変、受光、メモリ、しき
い値機能等の機能も有する光機能素子であることを特徴
とする。
【０００８】あるいは、前述までの光素子が、１次元あ
るいは２次元上に集積して配置されたことを特徴とす
る。
るいは２次元上に集積して配置されたことを特徴とす
る。
【０００９】
【作用】本発明の光素子では、極めて小さい発振しきい
値を実現するために、ミラー損失を小さくするだけでな
く、共振波長と同程度のサイズの光共振器を用いる。こ
のような微小光共振器では、自然放出光のうち多くの部
分がレーザ発振モードに結合する。そのため、１００μ
Ａ以下の極めて低い発振しきい値が期待できる。しかし
ながら、光共振器が極めて小さい（発振波長１μｍ、屈
折率３．５とすると光共振器のサイズは０．２９μｍ）
ことと、ミラーの反射率が極めて大きいため、レーザ光
の強度は、１０μＷのオーダーである。そこで、光強度
を増幅するために、レーザー光の伝播方向に沿って、面
発光素子と直列に光増幅器を配置する。単位面積あたり
の量子効率が一定であるとすると、高出力化には素子の
大面積化が有利である。そのため、光増幅器のサイズ
は、共振波長に比べて充分大きくする。たとえば、光増
幅器の光の伝播方向に垂直な断面の大きさを１０μｍ×
１０μｍとする。面発光素子と光増幅器との間の回折に
よってレーザービームが広がるため、光増幅器の活性層
全体でレーザー光を増幅することができる。光増幅器の
構造は、基本的に半導体レーザと同じであるが、発振し
ない状態で使用するため、半導体レーザに比べてミラー
の反射率を下げてあることが多い。たとえば、光増幅器
が発振しきい値１ｍＡでレーザ発振するように設計して
おき、光増幅器に０．９８ｍＡの電流（発振しきい値の
０．９８倍）を流しておけば、光増幅器の利得は、１０
μＷの入射光に対して２０ｄＢ以上であるので、光増幅
器からの光出力として１ｍＷ以上が得られることにな
る。
値を実現するために、ミラー損失を小さくするだけでな
く、共振波長と同程度のサイズの光共振器を用いる。こ
のような微小光共振器では、自然放出光のうち多くの部
分がレーザ発振モードに結合する。そのため、１００μ
Ａ以下の極めて低い発振しきい値が期待できる。しかし
ながら、光共振器が極めて小さい（発振波長１μｍ、屈
折率３．５とすると光共振器のサイズは０．２９μｍ）
ことと、ミラーの反射率が極めて大きいため、レーザ光
の強度は、１０μＷのオーダーである。そこで、光強度
を増幅するために、レーザー光の伝播方向に沿って、面
発光素子と直列に光増幅器を配置する。単位面積あたり
の量子効率が一定であるとすると、高出力化には素子の
大面積化が有利である。そのため、光増幅器のサイズ
は、共振波長に比べて充分大きくする。たとえば、光増
幅器の光の伝播方向に垂直な断面の大きさを１０μｍ×
１０μｍとする。面発光素子と光増幅器との間の回折に
よってレーザービームが広がるため、光増幅器の活性層
全体でレーザー光を増幅することができる。光増幅器の
構造は、基本的に半導体レーザと同じであるが、発振し
ない状態で使用するため、半導体レーザに比べてミラー
の反射率を下げてあることが多い。たとえば、光増幅器
が発振しきい値１ｍＡでレーザ発振するように設計して
おき、光増幅器に０．９８ｍＡの電流（発振しきい値の
０．９８倍）を流しておけば、光増幅器の利得は、１０
μＷの入射光に対して２０ｄＢ以上であるので、光増幅
器からの光出力として１ｍＷ以上が得られることにな
る。
【００１０】また、前述の光素子において、面発光素子
または光増幅素子が波長可変、受光、メモリ、しきい値
機能等の機能も有する光機能素子であれば、単なる光伝
送だけでなく、スイッチングやルーティングなどの機能
を比較的簡単な駆動回路で構成することが可能となる。
さらに、前述までの光素子を１次元あるいは２次元上に
集積して配置すれば、並列光伝送、光接続、光情報処理
が可能となる。
または光増幅素子が波長可変、受光、メモリ、しきい値
機能等の機能も有する光機能素子であれば、単なる光伝
送だけでなく、スイッチングやルーティングなどの機能
を比較的簡単な駆動回路で構成することが可能となる。
さらに、前述までの光素子を１次元あるいは２次元上に
集積して配置すれば、並列光伝送、光接続、光情報処理
が可能となる。
【実施例】図面を参照して、本実施例を詳細に説明す
る。図１は、本発明の第１の実施例の面光型光素子の構
造を示す断面図である。ｎ形ＧａＡｓ基板１０上に光増
幅器を構成するｎ形ＧａＡｓ／ＡｌＡｓ多層反射膜（Ｄ
ＢＲ）１１、ｎ形ＧａＡｓ層２０、Ｉｎ0 . 2 Ｇａ
0 . 8 Ａｓ活性層１２、ｐ形ＧａＡｓ層２１、ｐ形Ｇａ
Ａｓ／ＡｌＡｓ多層反射膜（ＤＢＲ）１３、光増幅器と
発光素子とを電気的に分離する高抵抗ＧａＡｓ１４、半
導体（発光素子）を構成するｎ形ＧａＡｓ層１５、ｎ形
ＧａＡｓ／ＡｌＡｓ多層反射膜（ＤＢＲ）１６、ｎ形Ｇ
ａＡｓ層２２、Ｉｎ0 . 2 Ｇａ0 . 8 Ａｓ活性層１７、
ｐ形ＧａＡｓ層２３、ｐ形ＧａＡｓ／ＡｌＡｓ多層反射
膜（ＤＢＲ）１８を形成してある。光増幅器用の電極と
して基板１０上にカソード３０を、ｐ形ＧａＡｓ／Ａｌ
Ａｓ多層反射膜１３上にアノード３１をそれぞれ選択的
に形成してある。一方、半導体レーザ（発光素子）用の
電極としてｎ形ＧａＡｓ層１５上にカソード３２を、ｐ
形ＧａＡｓ／ＡｌＡｓ多層反射膜１８上にアノード３３
をそれぞれ選択的に形成してある。
る。図１は、本発明の第１の実施例の面光型光素子の構
造を示す断面図である。ｎ形ＧａＡｓ基板１０上に光増
幅器を構成するｎ形ＧａＡｓ／ＡｌＡｓ多層反射膜（Ｄ
ＢＲ）１１、ｎ形ＧａＡｓ層２０、Ｉｎ0 . 2 Ｇａ
0 . 8 Ａｓ活性層１２、ｐ形ＧａＡｓ層２１、ｐ形Ｇａ
Ａｓ／ＡｌＡｓ多層反射膜（ＤＢＲ）１３、光増幅器と
発光素子とを電気的に分離する高抵抗ＧａＡｓ１４、半
導体（発光素子）を構成するｎ形ＧａＡｓ層１５、ｎ形
ＧａＡｓ／ＡｌＡｓ多層反射膜（ＤＢＲ）１６、ｎ形Ｇ
ａＡｓ層２２、Ｉｎ0 . 2 Ｇａ0 . 8 Ａｓ活性層１７、
ｐ形ＧａＡｓ層２３、ｐ形ＧａＡｓ／ＡｌＡｓ多層反射
膜（ＤＢＲ）１８を形成してある。光増幅器用の電極と
して基板１０上にカソード３０を、ｐ形ＧａＡｓ／Ａｌ
Ａｓ多層反射膜１３上にアノード３１をそれぞれ選択的
に形成してある。一方、半導体レーザ（発光素子）用の
電極としてｎ形ＧａＡｓ層１５上にカソード３２を、ｐ
形ＧａＡｓ／ＡｌＡｓ多層反射膜１８上にアノード３３
をそれぞれ選択的に形成してある。
【００１１】この発光素子では、ｎ形多層反射膜１６と
ｐ形多層反射膜１８との間隔、すなわち共振器長が０．
３μｍであり、円筒の直径は２μｍである。発振しきい
値５０μＡでレーザ発振し、１００μＡ電流を流したと
きに光出力は１０μＷである。なお、発振波長は１μｍ
である。一方、光増幅器の円筒部の直径は１０μｍであ
り、０．９ｍＡ電流を注入するとこの光増幅器もレーザ
発振する。発振しきい値の０．９８倍、すなわち、０．
８８ｍＡの電流を注入すると、光利得２０ｄＢが得ら
れ、その結果１ｍＷの光出力が基板１０を通して出射さ
れる。駆動電圧は、いずれも２Ｖであり、電力変換効率
として５０％という高い値が得られる。
ｐ形多層反射膜１８との間隔、すなわち共振器長が０．
３μｍであり、円筒の直径は２μｍである。発振しきい
値５０μＡでレーザ発振し、１００μＡ電流を流したと
きに光出力は１０μＷである。なお、発振波長は１μｍ
である。一方、光増幅器の円筒部の直径は１０μｍであ
り、０．９ｍＡ電流を注入するとこの光増幅器もレーザ
発振する。発振しきい値の０．９８倍、すなわち、０．
８８ｍＡの電流を注入すると、光利得２０ｄＢが得ら
れ、その結果１ｍＷの光出力が基板１０を通して出射さ
れる。駆動電圧は、いずれも２Ｖであり、電力変換効率
として５０％という高い値が得られる。
【００１２】図２は、本発明の第２の実施例の面発光型
光素子の構造を示す断面図である。図１との違いは、光
増幅器に波長可変機能を設けるため、ｎ形多層反射膜１
１上に電流注入用の電極３４を設けたことである。電極
３４とカソード３０との間に電流を流すことによってｎ
形多層反射膜１１のブラッグ波長が変化するため、光増
幅器の波長可変動作を実現することができる。
光素子の構造を示す断面図である。図１との違いは、光
増幅器に波長可変機能を設けるため、ｎ形多層反射膜１
１上に電流注入用の電極３４を設けたことである。電極
３４とカソード３０との間に電流を流すことによってｎ
形多層反射膜１１のブラッグ波長が変化するため、光増
幅器の波長可変動作を実現することができる。
【００１３】図３は、本発明の第３の実施例の面発光型
光素子の構造を示す断面図である。図１との違いは、光
増幅器に波長可変機能を設けるため、ｎ形多層反射膜１
６上に電流注入用の電極３５を設けたことである。電極
３５とカソード３２との間に電流を流すことによってｎ
形多層反射膜１６のブラック波長が変化するため、光増
幅器の波長可変動作を実現することができる。
光素子の構造を示す断面図である。図１との違いは、光
増幅器に波長可変機能を設けるため、ｎ形多層反射膜１
６上に電流注入用の電極３５を設けたことである。電極
３５とカソード３２との間に電流を流すことによってｎ
形多層反射膜１６のブラック波長が変化するため、光増
幅器の波長可変動作を実現することができる。
【００１４】図４は、本発明の第４の実施例の面発光型
光素子の構造を示す断面図である。図１との違いは、光
増幅器が、ｎ形ＧａＡｓ層４０、ｐ形ＧａＡｓ層４１、
活性層１２、ｎ形ＧａＡｓ層４２、ｐ形ＧａＡｓ層４３
からなるｐｎｐｎ構造をとっており、光増幅だけでなく
受光、メモリ、しきい値機能を持つことができる。
光素子の構造を示す断面図である。図１との違いは、光
増幅器が、ｎ形ＧａＡｓ層４０、ｐ形ＧａＡｓ層４１、
活性層１２、ｎ形ＧａＡｓ層４２、ｐ形ＧａＡｓ層４３
からなるｐｎｐｎ構造をとっており、光増幅だけでなく
受光、メモリ、しきい値機能を持つことができる。
【００１５】図５は、本発明の第５の実施例の面発光型
光素子の構造を示す断面図である。これは、第４の実施
例において、電極３４を設けることにより第２の実施例
と同様な波長可変動作を実現したものである。
光素子の構造を示す断面図である。これは、第４の実施
例において、電極３４を設けることにより第２の実施例
と同様な波長可変動作を実現したものである。
【００１６】図６は、本発明の第６の実施例の面発光型
光素子の構造を示す断面図である。これは第４の実施例
において、電極３５を設けて、第３の実施例と同様な波
長可変動作を実現したものである。
光素子の構造を示す断面図である。これは第４の実施例
において、電極３５を設けて、第３の実施例と同様な波
長可変動作を実現したものである。
【００１７】図７は、本発明の第７の実施例の面発光型
光素子の構造を示す断面図である。図１との違いは、発
光素子が、ｎ形ＧａＡｓ層５０、ｐ形ＧａＡｓ層５１、
活性層１７、ｎ形ＧａＡｓ層５２、ｐ形ＧａＡｓ層５３
からなるｐｎｐｎ構造をとっており、発光だけでなく受
光、メモリ、しきい値機能を持つことができる。
光素子の構造を示す断面図である。図１との違いは、発
光素子が、ｎ形ＧａＡｓ層５０、ｐ形ＧａＡｓ層５１、
活性層１７、ｎ形ＧａＡｓ層５２、ｐ形ＧａＡｓ層５３
からなるｐｎｐｎ構造をとっており、発光だけでなく受
光、メモリ、しきい値機能を持つことができる。
【００１８】図８は、本発明の第８の実施例の面発光型
光素子の構造を示す断面図である。これは、第７の実施
例において、第２の実施例と同様な波長可変動作を実現
したものである。
光素子の構造を示す断面図である。これは、第７の実施
例において、第２の実施例と同様な波長可変動作を実現
したものである。
【００１９】図９は、本発明の第８の実施例の面発光型
光素子の構造を示す断面図である。これは第７の実施例
において、第３の実施例と同様な波長可変動作を実現し
たものである。
光素子の構造を示す断面図である。これは第７の実施例
において、第３の実施例と同様な波長可変動作を実現し
たものである。
【００２０】図１０は、本発明の第１０の実施例の面発
光型光素子の構造を示す上面図である。これは、第１の
実施例の素子を２次元状に配列したもものである。これ
により、並列の光伝送を行うことができる。第２から第
９の実施例の素子を図１０と同様に２次元状に配列すれ
ば、光交換や光機能接続なども可能となる。
光型光素子の構造を示す上面図である。これは、第１の
実施例の素子を２次元状に配列したもものである。これ
により、並列の光伝送を行うことができる。第２から第
９の実施例の素子を図１０と同様に２次元状に配列すれ
ば、光交換や光機能接続なども可能となる。
【００２１】なお、半導体材料については上述のＧａＡ
ｓ系に限定する必要はなく、例えばＡｌを含んだ系やＩ
ｎＰ系の材料であってもよい。
ｓ系に限定する必要はなく、例えばＡｌを含んだ系やＩ
ｎＰ系の材料であってもよい。
【００２２】
【発明の効果】光素子として、２次元集積化に適した消
費電力の小さい素子（光出力１ｍＷ時に電力／光変換効
率５０％）を実現することができる。
費電力の小さい素子（光出力１ｍＷ時に電力／光変換効
率５０％）を実現することができる。
【図１】本発明の第１の実施例の光素子の構造を示す断
面図である。
面図である。
【図２】本発明の第２の実施例の光素子の構造を示す断
面図である。
面図である。
【図３】本発明の第３の実施例の光素子の構造を示す断
面図である。
面図である。
【図４】本発明の第４の実施例の光素子の構造を示す断
面図である。
面図である。
【図５】本発明の第５の実施例の光素子の構造を示す断
面図である。
面図である。
【図６】本発明の第６の実施例の光素子の構造を示す断
面図である。
面図である。
【図７】本発明の第７の実施例の光素子の構造を示す断
面図である。
面図である。
【図８】本発明の第８の実施例の光素子の構造を示す断
面図である。
面図である。
【図９】本発明の第９の実施例の光素子の構造を示す断
面図である。
面図である。
【図１０】本発明の第１０の実施例の光素子の構造を示
す断面図である。
す断面図である。
１０ ｎ形ＧａＡｓ基板 １１ ｎ形ＧａＡｓ／ＡｌＡｓ多層反射膜 １２ Ｉｎ0 . 2 Ｇａ0 . 8 Ａｓ活性層 １３ ｐ形ＧａＡｓ／ＡｌＡｓ多層反射膜 １４ 高抵抗ＧａＡｓ層 １５ ｎ形ＧａＡｓ層 １６ ｎ形ＧａＡｓ／ＡｌＡｓ多層反射膜 １７ Ｉｎ0 . 2 Ｇａ0 . 8 Ａｓ活性層 １８ ｐ形ＧａＡｓ／ＡｌＡｓ多層反射膜 ２０ ｎ形ＧａＡｓ層 ２１ ｐ形ＧａＡｓ層 ２２ ｎ形ＧａＡｓ層 ２３ ｐ形ＧａＡｓ層 ３０ カソード ３１ アノード ３２ カソード ３３ アノード ３４ 電極 ３５ 電極 ４０ ｎ形ＧａＡｓ層 ４１ ｐ形ＧａＡｓ層 ４２ ｎ形ＧａＡｓ層 ４３ ｐ形ＧａＡｓ層 ５０ ｎ形ＧａＡｓ層 ５１ ｐ形ＧａＡｓ層 ５２ ｎ形ＧａＡｓ層 ５３ ｐ形ＧａＡｓ層
Claims (3)
- 【請求項１】 ３次元の光共振器において少なくとも１
次元のサイズが共振波長程度である光共振器を有する面
発光素子と、共振波長にくらべて充分大きなサイズの光
増幅器とが光の伝播方向に沿って直列に配置されている
ことを特徴とする光素子。 - 【請求項２】 請求項１の光素子において、前記面発光
素子または、光増幅素子が波長可変、または受光、また
はメモリ、またはしきい値機能の機能も有する光機能素
子であることを特徴とする光素子。 - 【請求項３】 請求項１または請求項２の光素子が、１
次元あるいは２次元上に配置されたことを特徴とする集
積光素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5308247A JP2555962B2 (ja) | 1993-12-08 | 1993-12-08 | 光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5308247A JP2555962B2 (ja) | 1993-12-08 | 1993-12-08 | 光素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07162081A JPH07162081A (ja) | 1995-06-23 |
| JP2555962B2 true JP2555962B2 (ja) | 1996-11-20 |
Family
ID=17978715
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5308247A Expired - Lifetime JP2555962B2 (ja) | 1993-12-08 | 1993-12-08 | 光素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2555962B2 (ja) |
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| JP7239920B2 (ja) * | 2019-03-01 | 2023-03-15 | 富士フイルムビジネスイノベーション株式会社 | 半導体光増幅素子、半導体光増幅器、光出力装置、および距離計測装置 |
-
1993
- 1993-12-08 JP JP5308247A patent/JP2555962B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07162081A (ja) | 1995-06-23 |
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|---|---|---|---|
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