JPS5979591A - 半導体発光装置 - Google Patents
半導体発光装置Info
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- JPS5979591A JPS5979591A JP19039182A JP19039182A JPS5979591A JP S5979591 A JPS5979591 A JP S5979591A JP 19039182 A JP19039182 A JP 19039182A JP 19039182 A JP19039182 A JP 19039182A JP S5979591 A JPS5979591 A JP S5979591A
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- semiconductor
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- light emitting
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/18—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities
- H01S5/183—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL]
- H01S5/18308—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL] having a special structure for lateral current or light confinement
-
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01S5/18305—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL] with emission through the substrate, i.e. bottom emission
-
- H—ELECTRICITY
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- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/2054—Methods of obtaining the confinement
- H01S5/2059—Methods of obtaining the confinement by means of particular conductivity zones, e.g. obtained by particle bombardment or diffusion
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
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- Optics & Photonics (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（ａ） 発明の技術分野
本発明は半導体発光装置、竹に発振モードが軸方向及び
横方向について単一化され、低閾値電流。
横方向について単一化され、低閾値電流。
高効率でおって、出力の増大に２菌する一発光半募体レ
ーザに関する。
ーザに関する。
（ｂ） 技術の背景
光ファイバ通信及び各種の産呆分野或いは民生機器を対
象としてレーザ光の応用が進められている。これらの分
野において目的に応じて各種のレーザが選択使用されて
いるが、半ｌ！参体レーザばその発振波長を一］御する
ことが用油であること、小形で足厘性があり、′電流を
流すだけで高効率で発振するために容易に使用できるこ
となどの特徴によって最も将来性を有し、要求される波
長帯域の実現、安定した単一の横及び軸モード発＆＋
Ｔ乱流−光用力特性の向上、光ビーム発散角の減少、出
力の増大などの諸物件の向上について多くの努力が重ね
られている。
象としてレーザ光の応用が進められている。これらの分
野において目的に応じて各種のレーザが選択使用されて
いるが、半ｌ！参体レーザばその発振波長を一］御する
ことが用油であること、小形で足厘性があり、′電流を
流すだけで高効率で発振するために容易に使用できるこ
となどの特徴によって最も将来性を有し、要求される波
長帯域の実現、安定した単一の横及び軸モード発＆＋
Ｔ乱流−光用力特性の向上、光ビーム発散角の減少、出
力の増大などの諸物件の向上について多くの努力が重ね
られている。
（Ｃ） 従来技術と問題点
前記の目的を達成するために現在までに数多くの半導体
レーザの構造が提某されているが、その多くはファプリ
ー−ペロー光共振器を半導体結晶の臂開等によって形成
する構造である。
レーザの構造が提某されているが、その多くはファプリ
ー−ペロー光共振器を半導体結晶の臂開等によって形成
する構造である。
この襞間による端面形成はレーザチップの形状寸法を制
約し、共振器長の短縮、軸モード制御が困難であり、ま
たレーザを含む集積回路の形成も固締である。
約し、共振器長の短縮、軸モード制御が困難であり、ま
たレーザを含む集積回路の形成も固締である。
これらの問題点に対処する半導体レーザの一つとして、
面発光レーザが知られている。面発光レーザはレーザ光
を半導体基体の主面に垂直な方向に出射する半導体レー
ザであって、ファプリ−ペロー光共振器はエピタキシャ
ル成長させた結晶の表面を反射面として構成される。
面発光レーザが知られている。面発光レーザはレーザ光
を半導体基体の主面に垂直な方向に出射する半導体レー
ザであって、ファプリ−ペロー光共振器はエピタキシャ
ル成長させた結晶の表面を反射面として構成される。
面発光レーザはこの様な構造であるために、（イ）光共
振器長を短くすることが容易で軸モードの単一化が可能
となる。（ロ）光放射面積を広くすることが容易で、光
出力含増大し、光用射角を狭くすることが可能となる。
振器長を短くすることが容易で軸モードの単一化が可能
となる。（ロ）光放射面積を広くすることが容易で、光
出力含増大し、光用射角を狭くすることが可能となる。
（ハ）２次元レーザアレイの構成が容易である。に）モ
ノリシック光集積回路の構成に適する。ｌどの優れた特
徴を有している。
ノリシック光集積回路の構成に適する。ｌどの優れた特
徴を有している。
しかしながら従来の面発光レーザではこの様々構造に起
因して、（イ）ファプリー−ペロー光共振器の共振面が
エピタキシャル成長させた結晶表面であるために襞間面
の如き鏡面にはなり算１１＜、一様な共振が実現し難い
こと。（ロ）発売の横モードの安定化が不可能であるこ
と。（ハ）′磁流が光共振器に平行な方向に導入される
ために、活性萌域における・電流密度を効果的に高くす
る乙とが困難であって、変換効率が低いこと。などの欠
点が伴なっている。
因して、（イ）ファプリー−ペロー光共振器の共振面が
エピタキシャル成長させた結晶表面であるために襞間面
の如き鏡面にはなり算１１＜、一様な共振が実現し難い
こと。（ロ）発売の横モードの安定化が不可能であるこ
と。（ハ）′磁流が光共振器に平行な方向に導入される
ために、活性萌域における・電流密度を効果的に高くす
る乙とが困難であって、変換効率が低いこと。などの欠
点が伴なっている。
面発光レーザの先に述べた優れた特徴は、将来の半導体
レーザとして要望されている特徴でちり、前記の欠点が
改嵜されることは半導体レーザの応用分野に犬さい効果
を及ぼす。
レーザとして要望されている特徴でちり、前記の欠点が
改嵜されることは半導体レーザの応用分野に犬さい効果
を及ぼす。
（ｄ） 発明の口重
本発明は半導体発光装置、特に面発光レーザについて、
ファプリー−ペロー共振面を必要とせず、かつ閾値電流
の低減、量子効率の向上、並びに軸及び横モードの単一
化が達成される構造を軛供することを目的とする。
ファプリー−ペロー共振面を必要とせず、かつ閾値電流
の低減、量子効率の向上、並びに軸及び横モードの単一
化が達成される構造を軛供することを目的とする。
（ｅ） 発明のｇ成
本発明の前記目的は、禁制帯幅がＥ ａ １屈折率がＨ
ａかつ厚さがｄａである第１４延型の第１の半導体層と
、禁制帯幅がＥｃ、屈折率ｎ０かつ厚さがｄｃである第
１梼、電型の第２の半導体層とが交互に積層され、該複
数の第１の半導体層と複数の第２の半導体層とに共通に
接して第２導電型の半導体層が配設され、前記禁制帯幅
及び屈折率がＥ ａ （Ｅ Ｃかつｎ ｈ ＞ｎ ｃで
ろって、出射光の真空中の波長λ０．前記半導体積層構
逅の有効屈折率ｎ＠、 正の整数ｔの関係が、はぼ を満たすことによって達成される。
ａかつ厚さがｄａである第１４延型の第１の半導体層と
、禁制帯幅がＥｃ、屈折率ｎ０かつ厚さがｄｃである第
１梼、電型の第２の半導体層とが交互に積層され、該複
数の第１の半導体層と複数の第２の半導体層とに共通に
接して第２導電型の半導体層が配設され、前記禁制帯幅
及び屈折率がＥ ａ （Ｅ Ｃかつｎ ｈ ＞ｎ ｃで
ろって、出射光の真空中の波長λ０．前記半導体積層構
逅の有効屈折率ｎ＠、 正の整数ｔの関係が、はぼ を満たすことによって達成される。
（ｆ） 発明の実施例
以下、本発明を実施例により図面を参照して具体的に説
明する。
明する。
図は本弁明の実施例を２等分した１片を示す斜視図でめ
る。
る。
図において、１はｎ型ガリウム・砒素（ＧａＡ８）基板
、２はｎ型ガリウム・アルミニウム・砒素（Ｇａ ６．
７ Ｎ、 ０，３ Ａ ８ ）クラッド層、３はｎ型Ｇ
ａＡｓ活性層であって、彼に詳細に説明する如くクラッ
ド層２と活性層３とは交互に積層して形成されている。
、２はｎ型ガリウム・アルミニウム・砒素（Ｇａ ６．
７ Ｎ、 ０，３ Ａ ８ ）クラッド層、３はｎ型Ｇ
ａＡｓ活性層であって、彼に詳細に説明する如くクラッ
ド層２と活性層３とは交互に積層して形成されている。
斜線で示した４は前記クラッド層２と活性層３とよりな
る抗層荷造に不純物を拡散することによって形成された
ｐ型領域、５は絶縁層、６はｎ側電極、７はｐ旧ｊ１電
極を示す。
る抗層荷造に不純物を拡散することによって形成された
ｐ型領域、５は絶縁層、６はｎ側電極、７はｐ旧ｊ１電
極を示す。
不芙力出例においては、活性層ｒ５溝成するＧａＡｓ層
３は禁制帯幅Ｅａ＝１．４２ＣｅＶ’ｌ、ノオトルミイ
・センスのピーク波長λｐ＝０．８７Ｃμｍ〕に対する
屈折率ｎａ＝３．６０であり、クラッド層を構成するＧ
ａｏ、ｖＡｌ！ｏ、 ｓ Ａｓ ）曽２は禁制帯幅Ｅｃ
＝１．８ＣｅＶ）、前記波長０、’８７（μＪの光に対
するＭＩ」）〒率ｎ ｃ ＝ ３．３９であって・Ｅａ
＜Ｅｃ・ｎａ）ｎｃなる関係がＷＪａ足され丁いる０ また、ＧａＡＳ活性ノ脅３は各層の厚さ’ｚｄａ＝０．
１５〔μｍ ）、 Ｇａ ０．７ ＡＣ，ｏ、 ａ Ａ
ｓクラッド）ｆＪ ２は活性層３に挾まれた各層の厚さ
をｄｃ−０，２２５［：μｍ〕に形成することによって
、ｄａ＋ｄａ＝０．３７５（μＪとし、かつ出射光の真
空中の波長λ。＝λｐ＝０．８７（μｍ〕に対するＧａ
Ａｓ活性層３とＧａａ７成ｏ、ａＡｓクラッドＪ曽２と
よりなる半導体し層Ｍ造の有効屈折率（半導体積層構造
内の伝播定数βと真空中の伝播定数ｋＯとの比β／ｋｏ
）ｎ ＠＝３．４８ ｉもしめて、Ｂｒａｇｇの反射灸
件 λＯ ｄ ａ ＋ ｄ・−’２ｎａ をｔ＝３について満足させて、ＧａＡｓ活性層３を２０
層、Ｇａｏ７Ａｌ！ｏ、ａＡｓクラッド層２を最初と最
後の厚さが制約されない２層を含めて２１／＃交互に分
子線エピタキシャル成長法によって形成している。なお
、ＧａＡｓ活性Ｎ３の層数Ｎは１層杵度以上とすること
が望ましく、これらの層の成長方法は金属有機化学気相
成長法などを採用してもよい。
３は禁制帯幅Ｅａ＝１．４２ＣｅＶ’ｌ、ノオトルミイ
・センスのピーク波長λｐ＝０．８７Ｃμｍ〕に対する
屈折率ｎａ＝３．６０であり、クラッド層を構成するＧ
ａｏ、ｖＡｌ！ｏ、 ｓ Ａｓ ）曽２は禁制帯幅Ｅｃ
＝１．８ＣｅＶ）、前記波長０、’８７（μＪの光に対
するＭＩ」）〒率ｎ ｃ ＝ ３．３９であって・Ｅａ
＜Ｅｃ・ｎａ）ｎｃなる関係がＷＪａ足され丁いる０ また、ＧａＡＳ活性ノ脅３は各層の厚さ’ｚｄａ＝０．
１５〔μｍ ）、 Ｇａ ０．７ ＡＣ，ｏ、 ａ Ａ
ｓクラッド）ｆＪ ２は活性層３に挾まれた各層の厚さ
をｄｃ−０，２２５［：μｍ〕に形成することによって
、ｄａ＋ｄａ＝０．３７５（μＪとし、かつ出射光の真
空中の波長λ。＝λｐ＝０．８７（μｍ〕に対するＧａ
Ａｓ活性層３とＧａａ７成ｏ、ａＡｓクラッドＪ曽２と
よりなる半導体し層Ｍ造の有効屈折率（半導体積層構造
内の伝播定数βと真空中の伝播定数ｋＯとの比β／ｋｏ
）ｎ ＠＝３．４８ ｉもしめて、Ｂｒａｇｇの反射灸
件 λＯ ｄ ａ ＋ ｄ・−’２ｎａ をｔ＝３について満足させて、ＧａＡｓ活性層３を２０
層、Ｇａｏ７Ａｌ！ｏ、ａＡｓクラッド層２を最初と最
後の厚さが制約されない２層を含めて２１／＃交互に分
子線エピタキシャル成長法によって形成している。なお
、ＧａＡｓ活性Ｎ３の層数Ｎは１層杵度以上とすること
が望ましく、これらの層の成長方法は金属有機化学気相
成長法などを採用してもよい。
以上説明した構成よりなるクラッド層２と活性）ｆｌｉ
３との積層構造体に、本実施例においては図に示す如く
基板１に接するクラッド層２がら杷緑層５に接するクラ
ッド層２を貫通する円筒状のｐ型領域４を例えば亜鉛（
Ｚｎ ）の拡散によって形成する。
３との積層構造体に、本実施例においては図に示す如く
基板１に接するクラッド層２がら杷緑層５に接するクラ
ッド層２を貫通する円筒状のｐ型領域４を例えば亜鉛（
Ｚｎ ）の拡散によって形成する。
次いで基板１上にｎ側電極６とする例えば金・ゲルマニ
ウム／金（ＡｕＧｅ／Ａｕ）膜を被着した後に該Ａ ｕ
Ｇ ｅ ／Ａ ｕ膜及び基板１を貫通して最初のクラ
ッド層２を表出する開口を設け、また最後のクラッド層
２（（接して選択的にｐ型領域４を表出する絶縁膜５及
び例えば金・亜鉛（ＡｕＺｎ’） よυ々るｐ側電極
７を形成する。
ウム／金（ＡｕＧｅ／Ａｕ）膜を被着した後に該Ａ ｕ
Ｇ ｅ ／Ａ ｕ膜及び基板１を貫通して最初のクラ
ッド層２を表出する開口を設け、また最後のクラッド層
２（（接して選択的にｐ型領域４を表出する絶縁膜５及
び例えば金・亜鉛（ＡｕＺｎ’） よυ々るｐ側電極
７を形成する。
以上説明した構造を有する本実施例のレーザにおいては
、ｐ側電極７よりｎ側電極６に到る電流ば、ビルトイン
ポテンシャルの低いＧａＡｓ層３においてｎ型領域３か
らｐ型領域４に電子によって注入されて、電子の拡散幅
（数μｍ程度）の範囲において発光再結合が行なわれる
。
、ｐ側電極７よりｎ側電極６に到る電流ば、ビルトイン
ポテンシャルの低いＧａＡｓ層３においてｎ型領域３か
らｐ型領域４に電子によって注入されて、電子の拡散幅
（数μｍ程度）の範囲において発光再結合が行なわれる
。
ここで発生した光のうち、真空中の波長がλ。
であるピーク成分は、Ｂｒａｇｇの反射条件を満足する
半導体積層構造によって縦モードが界面に接合する共振
状態となシ、基板１洸設けられた前記開口よ泥図中矢印
をもって模式的に示す如くレーザ光として出射する。
半導体積層構造によって縦モードが界面に接合する共振
状態となシ、基板１洸設けられた前記開口よ泥図中矢印
をもって模式的に示す如くレーザ光として出射する。
％に本実施例のｐｎ接合が無終端の環状をなす構造にお
いて、例えばｎ型領域の磁子濃度を５×１０”（ｃｒｎ
−り以上とし、ｐ型領域の正孔良度を８Ｘ １０１８（
ｚ−”）以下とするなど、両領域の不純物濃度を選択す
ることによって、ｐ型領域４の屈折率をその周囲のｎ型
領域の屈折率、ｌニジ大きくして光の閉じ込め不：行な
うことが可能であって、横モードについても安定化が実
現され、単一モードも可能である。
いて、例えばｎ型領域の磁子濃度を５×１０”（ｃｒｎ
−り以上とし、ｐ型領域の正孔良度を８Ｘ １０１８（
ｚ−”）以下とするなど、両領域の不純物濃度を選択す
ることによって、ｐ型領域４の屈折率をその周囲のｎ型
領域の屈折率、ｌニジ大きくして光の閉じ込め不：行な
うことが可能であって、横モードについても安定化が実
現され、単一モードも可能である。
ただし横モードの安定化は、例えばトランスバースジャ
ンクシぢンストライプ構造の半導体レーザ等について既
に行なわれている如く、ｎ型半導体積層構造にアクセプ
タ不純物を拡散せしめてＩＸ １０２ｏ（ｃｍ ’）程
度の高濃度のｐ＋型領領域形成し次いで不純物の再拡散
を行なって高屈折率のｐ型領域を形成して屈折率ガイデ
ィングを構成することによっても可能である。この種の
屈折率ガイディングを設けるならばｐｎ接合が無終端の
環状をなすことは光のガイディングのためには不必要で
あるが、実用に適し更に充放出面の拡大及び集積化に通
ずる面発光レーザとしては、例えば前記実施例の如く、
ｐｎ接合が環状をカ、シてこの接合界面内に光が閉じ込
められる構造が有利である。
ンクシぢンストライプ構造の半導体レーザ等について既
に行なわれている如く、ｎ型半導体積層構造にアクセプ
タ不純物を拡散せしめてＩＸ １０２ｏ（ｃｍ ’）程
度の高濃度のｐ＋型領領域形成し次いで不純物の再拡散
を行なって高屈折率のｐ型領域を形成して屈折率ガイデ
ィングを構成することによっても可能である。この種の
屈折率ガイディングを設けるならばｐｎ接合が無終端の
環状をなすことは光のガイディングのためには不必要で
あるが、実用に適し更に充放出面の拡大及び集積化に通
ずる面発光レーザとしては、例えば前記実施例の如く、
ｐｎ接合が環状をカ、シてこの接合界面内に光が閉じ込
められる構造が有利である。
本発明の面発光レーザは従来の面発光レーザと異なって
発光領域がＢｒａｇｇの反射条件を溝たして多層重畳さ
れているために閾値電流が低減され、かつ量子効率が［
ｉ］上する。
発光領域がＢｒａｇｇの反射条件を溝たして多層重畳さ
れているために閾値電流が低減され、かつ量子効率が［
ｉ］上する。
なお、前記実施例においてはｐｎ接合はホモ接合である
が、例えば前記半導体＜Ｒ層構造をその導電型をｐ型と
して成長形成させ、所要のｐ型領域を残置する選択的エ
ノナング後に、ｎ型Ｇ ａ Ｍ Ａ ｓ屑を選択成長さ
せることによって、活性層のｐｎ接合をペテロ接合とす
ることができてキャリア注入効率が改善される。
が、例えば前記半導体＜Ｒ層構造をその導電型をｐ型と
して成長形成させ、所要のｐ型領域を残置する選択的エ
ノナング後に、ｎ型Ｇ ａ Ｍ Ａ ｓ屑を選択成長さ
せることによって、活性層のｐｎ接合をペテロ接合とす
ることができてキャリア注入効率が改善される。
また前記実施例において（づ１、活性層の厚さｄ８とク
ラッド層の厚さｄＩ、との和をλ。／ ２ ｎ ｅの整
数倍に合致させて共振条件を満足させているが、活性）
蛤の厚さｄ８をクランド層の厚さｄ。に比較して充分に
薄くシ、クラッド層のＪｆさｄｃをλ。／ ２ ｎ ａ
の整数倍に合致させることによっても、はぼ同様の効果
を得るととが可能である。
ラッド層の厚さｄＩ、との和をλ。／ ２ ｎ ｅの整
数倍に合致させて共振条件を満足させているが、活性）
蛤の厚さｄ８をクランド層の厚さｄ。に比較して充分に
薄くシ、クラッド層のＪｆさｄｃをλ。／ ２ ｎ ａ
の整数倍に合致させることによっても、はぼ同様の効果
を得るととが可能である。
（ｇ） 発明の詳細
な説明した如く本発明によれは、面発光レ−ザの軸モー
ドの安定性が従来よシ更に同上し、光放射面積を更に拡
大して光出力を稿・犬することが容易となるのみｉらず
、横モードの安定化、閾値′電流の低減、拓子効率のｊ
ｌコ］上がなされて、半導体レーザに対する硬い要求に
応えるのみならず、２次元レーザアレイは勿論モノリシ
ック光集積回路の実現に犬合い寄Ｊ−ｊを及ばず。
ドの安定性が従来よシ更に同上し、光放射面積を更に拡
大して光出力を稿・犬することが容易となるのみｉらず
、横モードの安定化、閾値′電流の低減、拓子効率のｊ
ｌコ］上がなされて、半導体レーザに対する硬い要求に
応えるのみならず、２次元レーザアレイは勿論モノリシ
ック光集積回路の実現に犬合い寄Ｊ−ｊを及ばず。
図面は本発明の実施例の半尋体発元装置４．嫁Ｖげあを
２分した１片の断面を官む斜視図でめる。 図において、１けｎ型ＧａＡｓ基板、２はｎ型ＧａＭＡ
ｓクラッド崩、３はｎ 型Ｇ ａ Ａ Ｓ ｒ６性層、
４はｐ型仙域、５は絶縁層、６はｎ ｉｆ！ｉｌ電極、
７はｐ更１］域極を示す。 ４１４
２分した１片の断面を官む斜視図でめる。 図において、１けｎ型ＧａＡｓ基板、２はｎ型ＧａＭＡ
ｓクラッド崩、３はｎ 型Ｇ ａ Ａ Ｓ ｒ６性層、
４はｐ型仙域、５は絶縁層、６はｎ ｉｆ！ｉｌ電極、
７はｐ更１］域極を示す。 ４１４
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 禁制帯幅がＥａ、屈折率がｎａかつ腔、さがｄａである
第１導電型の第１の半導体層と、禁制帯幅がＥｃ＋屈折
率がｊｌｅかつ厚さがｄａである第１２＃電型の第２の
半纏体層とが父方に積層され、該複数の第１の半導体層
と複数の第２の半導体層とに共通に接して第２．４’［
４１：型の半導体層が配設され、前記禁制帯幅及び屈折
率がＥ ａ ＜ Ｅ ｃかつｎａ） ｎｃでめって、出
射光の真空中の波長λ。、前記半導体積層構造の有効ル
（折率ｎ６．正の整数ｔ−の関係が、はぼλＯ ｄ ａ ＋ｄ ｅ ＝ ｔ□ ｎｅ を湾たすことを特徴とする半導体発光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19039182A JPS5979591A (ja) | 1982-10-29 | 1982-10-29 | 半導体発光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19039182A JPS5979591A (ja) | 1982-10-29 | 1982-10-29 | 半導体発光装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5979591A true JPS5979591A (ja) | 1984-05-08 |
| JPH0478036B2 JPH0478036B2 (ja) | 1992-12-10 |
Family
ID=16257375
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19039182A Granted JPS5979591A (ja) | 1982-10-29 | 1982-10-29 | 半導体発光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5979591A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60223706A (ja) * | 1984-04-20 | 1985-11-08 | Central Conveyor Kk | ブラシベルト駆動パレツトコンベヤ−のパレツト停止位置決め装置 |
| JPS62135461U (ja) * | 1986-02-20 | 1987-08-26 | ||
| JPS6350155U (ja) * | 1986-09-19 | 1988-04-05 | ||
| EP0412120A1 (en) * | 1988-04-22 | 1991-02-13 | University Of New Mexico | Wavelength-resonant surface-emitting semiconductor laser |
| EP0556619A2 (en) * | 1992-02-18 | 1993-08-25 | Eastman Kodak Company | Surface emitting lasers with low resistance Bragg reflectors |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5648192A (en) * | 1979-09-13 | 1981-05-01 | Xerox Corp | Lateral light emitting electroluminescence unit |
| JPS56164588A (en) * | 1980-05-23 | 1981-12-17 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Semiconductor light amplifier |
-
1982
- 1982-10-29 JP JP19039182A patent/JPS5979591A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5648192A (en) * | 1979-09-13 | 1981-05-01 | Xerox Corp | Lateral light emitting electroluminescence unit |
| JPS56164588A (en) * | 1980-05-23 | 1981-12-17 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Semiconductor light amplifier |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60223706A (ja) * | 1984-04-20 | 1985-11-08 | Central Conveyor Kk | ブラシベルト駆動パレツトコンベヤ−のパレツト停止位置決め装置 |
| JPS62135461U (ja) * | 1986-02-20 | 1987-08-26 | ||
| JPH0513021Y2 (ja) * | 1986-02-20 | 1993-04-06 | ||
| JPS6350155U (ja) * | 1986-09-19 | 1988-04-05 | ||
| JPH0521899Y2 (ja) * | 1986-09-19 | 1993-06-04 | ||
| EP0412120A1 (en) * | 1988-04-22 | 1991-02-13 | University Of New Mexico | Wavelength-resonant surface-emitting semiconductor laser |
| EP0556619A2 (en) * | 1992-02-18 | 1993-08-25 | Eastman Kodak Company | Surface emitting lasers with low resistance Bragg reflectors |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0478036B2 (ja) | 1992-12-10 |
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