JP2005331468A - 測距機能を備えた照明装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】 測距機能を備えた照明装置を提供する。
【解決手段】 GaN系発光ダイオード1のLEDチップ2から放射される光のうちエポキシ樹脂7の中に分散されている蛍光体8a〜8cに吸収されずにGaN系発光ダイオード1から放射される光を測距光12として利用し、蛍光体8a〜8cに吸収され、放射された蛍光を照明光13として利用することにより、測距機能を備えた照明装置を実現した。
【選択図】 図2
【解決手段】 GaN系発光ダイオード1のLEDチップ2から放射される光のうちエポキシ樹脂7の中に分散されている蛍光体8a〜8cに吸収されずにGaN系発光ダイオード1から放射される光を測距光12として利用し、蛍光体8a〜8cに吸収され、放射された蛍光を照明光13として利用することにより、測距機能を備えた照明装置を実現した。
【選択図】 図2
Description
本発明は、測距機能を備えた照明装置に関する。
従来から、自動車の前照灯部、室内用照明装置、装飾用照明装置等の管球としては、ハロゲンランプ、水銀灯、電球、蛍光灯等が用いられている。近年、これら管球を用いた照明装置に替わり固体発光素子である発光ダイオード(LED:Light Emitting Diode)を用いた照明装置が着目されている。発光ダイオードは、低電力で高輝度の光が得られ、電気を直接光に変えているので余分な熱が発生せず、寿命が長いので取替えの手間が省け、蛍光灯のように水銀等の有害物質を使用していない等の点で優れている。また、蛍光体との組み合わせにより白色光を放射する発光ダイオードも開発されており、この発光ダイオードの光出力の高出力化に伴い、次世代の照明光源としての発光ダイオードの利用がさらに広がると考えられる。
また、測定対象までの距離を測定する測距装置として、光源からパルス光が空間に放射され、放射されたパルス光が測定対象により反射され、反射されたパルス光が測距装置に戻ってくるまでの時間、いわゆる飛行時間(TOF:Time Of Flight)が測定され、この飛行時間と既知の光伝播速度を用いることにより測定対象までの距離を求めるものはあった。
この種の測距装置としては、パルス光を放射する複数の光源と、複数の光源からそれぞれ放射されたパルス光の光軸を一致させる光学部材とを設け、複数の光源をそれぞれ異なる時期に発光させることにより、パルス光の放射周期を短縮させ、測定の高速化を図るものはあった(たとえば、特許文献1)。
特開2000−266851号公報
しかしながら、従来の発光ダイオードを用いた照明装置は照明として利用されているだけであり、また従来の測距装置は測定対象までの距離を測定する装置として利用されているだけであり、測距装置の機能が付加された照明装置は実現されていなかった。
本発明は、係る事情に鑑み考え出されたものであり、その目的は、測距機能を備えた照明装置を提供することである。
本発明によれば、測距機能を備えた照明装置は、光を放射する光源と、変調信号を出力し、光源から放射させる光の光強度を変調する変調手段と、光源から放射させた光を吸収し、光源から放射させた光の波長とは異なる波長の蛍光を放射する蛍光体と、光源から放射させた光のうち測定対象により反射された光を受光して電気信号を出力する光検出手段と、光検出手段が出力する電気信号と変調手段が出力する変調信号とに基づいて測定対象までの距離を算出する信号処理手段とを含む。
好ましくは、測距機能を備えた照明装置は、複数の光源を含み、変調手段は、複数の光源から放射させる光の光強度を同じ位相で変調する。
好ましくは、測距機能を備えた照明装置は、複数の光源を含み、変調手段は、複数の光源のうちの一部の光源のみを対象として光強度を変調する。
好ましくは、変調手段は、蛍光体の蛍光寿命より短い間隔で変調信号を出力する。
好ましくは、信号処理手段は、光検出手段が出力する電気信号と変調手段が出力する変調信号との位相差を算出する位相差算出手段と、位相差算出手段により算出された位相差に応じた電気信号を出力する位相差信号出力手段とを含む。
好ましくは、信号処理手段は、光検出手段が出力する電気信号と変調手段が出力する変調信号との位相差に対応する位相信号を出力する位相信号出力手段と、一定幅のパルスを発生するパルス発生手段と、位相信号出力手段が出力する位相信号の時間長さで前記パルス発生手段が発生するパルスの数を計数する計数手段と、計数手段の計数値とパルス発生手段が発生するパルスのパルス幅とに基づいて位相信号の時間を算出する位相信号時間算出手段とを含む。
好ましくは、信号処理手段が算出した測定対象までの距離に応じた電気信号を外部へ出力する出力手段をさらに含む。
好ましくは、測距機能を備えた照明装置は、車両の前照灯部を構成している。
好ましくは、測距機能を備えた照明装置は、一般照明を構成している。
本発明によれば、光源から放射させる光を測距用の光として利用することができ、蛍光体により放射される蛍光を照明用の光として利用することができるため、測距機能を備えた照明装置を実現することができる。
以下に、本発明の実施の形態について図面を参照しながら詳細に説明する。
[実施の形態1]
図1は、実施の形態1に従う測距機能を備えた照明装置の構成図である。測距機能を備えた照明装置は、GaN系発光ダイオード1、パルス発生回路9、受光素子15、負荷抵抗16、信号処理装置17から構成されている。信号処理装置17は、位相比較器18、距離表示装置19、外部I/F20から構成されている。発光部であるGaN系発光ダイオード1は、パルス発生回路9により駆動され、測距に用いる測距光12および照明に用いる照明光13を放射する。
図1は、実施の形態1に従う測距機能を備えた照明装置の構成図である。測距機能を備えた照明装置は、GaN系発光ダイオード1、パルス発生回路9、受光素子15、負荷抵抗16、信号処理装置17から構成されている。信号処理装置17は、位相比較器18、距離表示装置19、外部I/F20から構成されている。発光部であるGaN系発光ダイオード1は、パルス発生回路9により駆動され、測距に用いる測距光12および照明に用いる照明光13を放射する。
次に、図2を参照してGaN系発光ダイオード1からどのようにして測距光12および照明光13が放射されるかについて説明する。図2は、GaN系発光ダイオード1およびGaN系発光ダイオード1から測距光12および照明光13を放射させるための駆動回路を示す図である。
図2(a)は、GaN系発光ダイオード1を示す図である。GaN系発光ダイオード1のリード電極3のリードフレーム上には光源であるLEDチップ2が実装されている。LEDチップ2は、他のリード電極4とワイヤボンディングされている。これらを覆うようにエポキシ樹脂7が形成されている。
エポキシ樹脂7の先端は丸みをもった形状となっており、レンズ作用を持っている。その結果、GaN系発光ダイオード1からは、中心軸方向に光強度の強い光が放射されるようになっている。
図2(b)は、GaN系発光ダイオード1から放射される測距光12および照明光13を示す図である。図2(b)では、複数のGaN系発光ダイオード1を配列したものを示している。1個のGaN系発光ダイオード1から得られる光量が少なく、十分な光量を得たいときに、このように複数のGaN系発光ダイオード1を配列する。
GaN系発光ダイオード1のLEDチップ2からは、波長410nmの光が放射される。エポキシ樹脂7の中には、たとえば410nmの光が照射されると、その光を吸収し、励起状態に移り、吸収した410nmとは異なる波長の蛍光を放射する蛍光体8a〜8cが分散されている。
エポキシ樹脂7の中に分散されている蛍光体8a〜8cは、410nmの光を吸収して635nmの赤色の蛍光を放射する蛍光体(Y2O2S:Eu3+)8a、410nmの光を吸収して520nmの緑色の蛍光を放射する蛍光体(ZnS:Cu、Al)8b、そして410nmの光を吸収して480nmの青色の蛍光を放射する蛍光体((Sr,Ca、Ba、Mg)10(PO4)6Cl2:Eu2+)8cである。
このようにエポキシ樹脂7には、光の三原色である赤色、緑色、青色の蛍光を放射する蛍光体8a〜8cが分散されているため、GaN系発光ダイオード1から放射される光は、混色により白色となる。この白色の光が照明光13として利用される。
また、エポキシ樹脂7の厚みやエポキシ樹脂7の中の蛍光体8a〜8cの分散状態を制御することによって、GaN系発光ダイオード1のLEDチップ2から放射される光の一部は、蛍光体8a〜8cに吸収されずにGaN系発光ダイオード1から放射される。この光が測距光12として利用される。
次に、図2(c)を参照して、GaN系発光ダイオード1から測距光12および照明光13を放射させるための駆動回路について説明する。図1に示したパルス発生回路9には、パルス発生部10、バイアス部11等が設けられている。複数のGaN系発光ダイオード1は、全て同一のパルス発生部10およびバイアス部11に接続されている。
パルス発生部10は、変調信号である所定幅のパルス信号を出力する。パルス発生部10からパルス信号が出力されると、GaN系発光ダイオード1のLEDチップ2からは、同じ位相で光強度が変調された光が放射される。
GaN系発光ダイオード1のLEDチップ2から放射される光が変調されているため、GaN系発光ダイオード1から放射される光も変調されている。その結果、照明光13がちらつくという問題が生じる。この変調による照明光13のちらつきを防止するには、たとえば変調速度を数十kHzに設定するようにすればよい。
このように変調速度を人間の光に対する応答速度以上とすることにより、人間は照明光13の光強度の平均値しか感じることができず(たとえば、パルス信号のデューティー比が50%のときには、蛍光の光量としては波高値の半分の光量として感じられる。)、照明光13のちらつきを防止することができる。
また、複数のGaN系発光ダイオード1は、全て同一のパルス発生部10に接続されている。そのため、複数のGaN系発光ダイオード1から放射される測距光12は、すべて同じ位相で同期して変調されるので、後述する受光素子により検出される受光信号とパルス発生部10から出力されるパルス信号が重なることを防止でき、測距を正確に行なうことができる。
実施の形態1では、白色の照明光13を得るために蛍光体8a〜8cを用いているため、変調速度が遅いと以下のような問題も生じる。図3を用いてその問題と、問題の解消方法について説明する。図3は、パルス発生部10からパルス信号が出力されるタイミングと蛍光体8a〜8cから放射される蛍光の光強度の時間変化との関係を示した図である。図3(a)は、変調速度が遅いときを示す図であり、図3(b)は、変調速度が速いときを示す図である。
蛍光体8a〜8cは、光が照射されていないときは、蛍光を放射していない。前述したように、蛍光体8a〜8cには、GaN系発光ダイオード1のLEDチップ2から放射される光が照射される。蛍光体8a〜8cは、その光を吸収している間は光強度の高い蛍光を放射するが、GaN系発光ダイオード1のLEDチップ2から光が放射されなくなると、徐々に蛍光の光強度が減衰していき、蛍光を放射しない元の状態に戻る。このように蛍光体8a〜8cがGaN系発光ダイオード1から放射された光を吸収して蛍光を放射し始めてから蛍光の光強度が1/eとなるまでの時間を蛍光寿命という。
図3(a)の(i)は、パルス発生部10からパルス信号が出力されるタイミングを示している。図3の(a)の(ii)は、蛍光体8a〜8cから放射される蛍光の光強度の時間変化を示している。前述したように、パルス発生部10からパルス信号が出力されると、GaN系発光ダイオード1のLEDチップ2から光が放射される。
図3(a)では、変調速度が遅いため、蛍光体8a〜8cは、GaN系発光ダイオード1のLEDチップ2から放射される光を吸収して蛍光を放射し始めてから次にパルス発生部10からパルス信号が出力されてGaN系発光ダイオード1のLEDチップ2から光が放射されるるまでの間に蛍光寿命を迎えてしまう。
このように、変調速度が遅いと、蛍光体8a〜8cが放射する蛍光の光強度が大きく変化してしまうため、GaN系発光ダイオード1から放射される照明光13がちらつくという問題が生じる。この問題を解消する方法としては以下の方法が考えられる。
図3(b)の(iii)は、パルス発生部10からパルス信号が出力されるタイミングを示している。図3(b)の(iv)は、蛍光体8a〜8cから放射される蛍光の光強度の時間変化を示している。図3(b)では、変調速度が速い(具体的には、蛍光寿命よりパルス信号の間隔が短い)ため、蛍光体8a〜8cは、GaN系発光ダイオード1のLEDチップ2から放射される光を吸収して蛍光を放射し始めてから蛍光寿命を迎えるまでの間に次のパルス信号がパルス発生部10から出力され、再び光強度の高い蛍光を放射する状態となる。
このように、変調速度を早くすることにより、蛍光体2a〜2cから放射される蛍光が蛍光寿命を迎える前に再び蛍光の光強度を高い状態にすることができるため、人間は蛍光の光強度の平均値しか感じることができず、照明光13のちらつきを防止することができる。
再び図1を参照して、GaN系発光ダイオード1から放射された測距光12の一部は、測定対象14により拡散反射される。測定対象14により反射された測距光12は、たとえばシリコンからなる受光素子15により受光される。
受光素子15により受光される光の中には、雑音成分となる外乱光等も含まれている。この雑音成分となる外乱光等は、測定精度を低下させるため除去する必要がある。そのため、受光素子15には、たとえば測距光12として用いられている410nmの波長の光のみを透過する光学特性を有する光学膜(フィルター)が設けられている。この光学膜の光学特性は、たとえば多層膜中での光の干渉原理に基づいた一般的な反射率、透過率の計算手法により設計できる。
受光素子15から出力された受光信号は、負荷抵抗16により電圧変換され、信号処理装置17の位相比較器18に入力される。また、位相比較器18には、パルス発生回路9のパルス発生部10から出力されたパルス信号が入力される。
位相比較器18は、PLL(Phase Locked Loop:位相同期回路)を基本にしており、パルス発生部10から出力されたパルス信号と、受光素子15から出力された受光信号との位相差を検出し、その位相差に応じた電圧を出力する。
距離表示装置19は、位相比較器18から出力された電圧に応じて測定対象14までの距離を算出し、算出した距離を表示する。外部I/F20は、距離表示装置19により算出された距離に応じた電気信号を外部に出力する。
このような構成により、受光素子15から出力される受光信号とパルス発生部10から出力されたパルス信号とに基づいて測定対象14までの距離を算出する信号処理装置17を実現することができる。
図4は、パルス発生部10から出力されたパルス信号と受光素子15から出力された受光信号との位相差および位相比較器18から出力される電圧と測定対象14までの距離との関係を示す図である。
図4(a)の(i)は、パルス発生部10から出力されたパルス信号を示す図である。図4(a)の(ii)は、受光素子15から出力された受光信号を示す図である。受光素子15から出力され受光信号は、パルス発生部10から出力されたパルス信号に比べ、測定対象14までの往復にかかる時間だけ位相が遅れている。
このパルス発生部10から出力されたパルス信号と、受光素子15から出力された受光信号との位相差と、GaN系発光ダイオード1(または受光素子15)と測定対象14までの距離とは比例関係にある。すなわちGaN系発光ダイオード1(または受光素子15)と測定対象との距離が近いときは位相差が小さくなり、GaN系発光ダイオード1(または受光素子15)と測定対象との距離が遠いときは位相差が大きくなる。位相比較器18は、この位相差を検出し、位相差に応じた電圧を出力する。
図4(b)は、位相比較器18から出力される電圧と測定対象までの距離との関係を示す図である。距離表示装置19は、図4(b)の関係に従い位相比較器18から出力された電圧に基づいて測定対象14までの距離を算出し、算出した距離を表示する。
このような構成によれば、GaN系発光ダイオード1から放射された光のうちエポキシ樹脂7の中に分散されている蛍光体8a〜8cに吸収されずに放射される光を測距光12として利用することができ、エポキシ樹脂7の中に分散されている蛍光体8a〜8cに吸収され、放射される蛍光を照明光13として利用することができるため、測距機能を備えた照明装置を実現することができる。
なお、前述では測距光12および照明光13を放射する発光部としてGaN系発光ダイオード1を用いる例を示したが、これに限られない。たとえば蛍光体を励起し得るGaN系半導体レーザ素子などの半導体発光素子を用いてもよい。駆動電流パルスに対する周波数応答特性がよいという観点から、GaN系発光ダイオード1よりもGaN系半導体レーザ素子を用いる方が好ましい。
図5は、測距機能を備えた照明装置が設けられている自動車30を示す図である。図5(a)は、前照灯部31および受光部32を含む自動車30の外観図であり、図5(b)は、自動車30の前照灯部31の構造図である。
図5(a)を参照して、自動車30の前照灯部31から放射された光の一部は照明光13として利用され、一部は測距光12として利用される。測距光12の一部は、たとえば前方を走っている自動車等により拡散反射され、反射された光が受光部32により受光される。この受光部32には、前述した受光素子15が設けられている。
次に、図5(b)を参照して、自動車30の前照灯部31について説明する。自動車30の前照灯部31の発光部には、たとえば前述したGaN系半導体レーザ素子33が用いられる。前照灯部31は、GaN系半導体レーザ素子33、凹面鏡35、樹脂34、レンズ36から構成されている。
GaN系半導体レーザ素子33は、光を放射する方向が、前方ではなく、後方を向くように透明アクリル板等の保持材によって取り付けられている。GaN系半導体レーザ素子33から放射された光は、凹面鏡35に反射されて外に放射される。
凹面鏡35の表面には、前述した蛍光体8a〜8cが分散されている樹脂34が塗布されている。そのため、前照灯部31から放射される光は、混色により白色となる。この光が照明光13として利用される。
また、樹脂34の厚みや樹脂34の中の蛍光体8a〜8cの分散状態を制御することによって、GaN系半導体レーザ素子33から放射される光の一部は、蛍光体8a〜8cに吸収されずに前照灯部31から放射される。この光が測距光12として利用される。これらの光がレンズ36により所望とされる光強度分布となるよう変換され、自動車30の前方方向に放射される。
このGaN系半導体レーザ素子33には、前述したのと同様の回路が接続されており、前照灯部33から放射される光の光強度は変調されている。位相比較器18は、入力された受光素子15から出力された受光信号と、パルス発生部10から出力されたパルス信号との位相差を検出し、位相差に応じた電圧を出力する。
距離表示装置19は、位相比較器18から出力された電圧に応じて前方の自動車等との距離を算出し、算出した距離を表示する。外部I/F20は、たとえば自動車30を制御するコンピュータ等と接続されており、自動車30を制御するコンピュータ等は、前方の自動車等との距離が予め定められている距離よりも短くなったと判別したときに、たとえばブレーキを作動させる制御を行なう。
なお、GaN系半導体レーザ素子33は、透明アクリル板等の保持材によって光を放射する方向が後方を向くように取り付けられている例を示したが、たとえばGaN系半導体レーザ素子33の向きを変える機構を設けて、光を放射する方向をレンズ側にできるようにしてもよい。
このようにすると、日中等の前照灯部31の光が不要であるときは、GaN系半導体レーザ素子33の光を放射する方向を前方に向け、測距機能は維持しつつ、前照灯部31の消灯状態を実現することができる。また、樹脂34として、たとえばエポキシ系の樹脂を用いたときには、エポキシ系の樹脂はGaN系半導体レーザ素子33から放射される紫外域の光に反応して黄色の変質が生じるが、日中等はGaN系半導体レーザ素子33から放射される光がエポキシ系の樹脂に照射されないので、エポキシ系の樹脂が黄色の変質を生じることを極力防止することができる。
また、測距機能を備えた照明装置が自動車30の前照灯部31に設けられている例を示したが、これに限られない。たとえば、測距機能を備えた照明装置が自動車30のテールライトに用いられてもよい。そして、後方の自動車等との距離が予め定められている距離よりも短くなったときに、テールライトが光るように制御する。このようにすると、後方の運転手に車間距離が縮まったことを報知することができ、衝突事故等を未然に防止することができる。
このような構成によれば、GaN系半導体レーザ素子33から放射された光のうち樹脂34の中に分散されている蛍光体8a〜8cに吸収されずに前照灯部31から放射される光を測距光12として利用することができ、樹脂34の中に分散されている蛍光体8a〜8cに吸収され、放射される蛍光を照明光13として利用することができるため、測距機能を備えた照明装置を実現することができる。
図6は、測距機能を備えた照明装置が設けられている室内用照明装置40を示す図である。室内用照明装置40は、GaN系半導体レーザ素子33、導光体41、金属膜42、導光体43、樹脂44から構成されている。
GaN系半導体レーザ素子33から放射された光は、導光体41に入射する。この導光体41の断面構造について図7を用いて説明する。図7は、導光体41の断面図である。導光体41は、たとえばポリメチルメタクリレートからなるコア45、たとえばTiO粒子からなる散乱部46、たとえばフッ素系樹脂からなるクラッド47、たとえばアルミニウムからなる金属膜48から構成されている。
導光体41には、周囲を覆うように金属膜48が設けられているが、導光体41の先端部分と側面の1部分とには金属膜48が設けられていない部分がある。GaN系半導体レーザ素子33から放射された光の一部はコア45に入射され、一部はクラッド47に入射される。
コア45にはTiO粒子が分散している散乱部46が設けられており、コア45に入射した光のうち散乱部46に達した光はTiO粒子により乱反射される。導光体41に入射した光は、金属膜48により繰返し反射され、一部は先端部から放射され、一部は側面の1部分から放射される。
導光体41の先端部分は、斜めにカットされており、端面が上方向を向くように取り付けられている。このため、導光体41の先端部分に到達した光は端面部分で界面での屈折率差により反射され略下方向に放射される。この光が測距光12として利用される。
導光体41の側面の1部分から放射された光は、導光体43の中を伝播し、金属膜42により反射される。金属膜42により反射された光は、蛍光体8a〜8cが分散されている樹脂44に入射する。そのため、樹脂44から放射される光は、混色により白色となる。この光が照明光13として利用される。
このような構成によれば、GaN系半導体レーザ素子33から放射された光のうち導光体41の先端から放射される光を測距光12として利用することができ、樹脂44の中に分散されている蛍光体8a〜8cに吸収され、放射される蛍光を照明光13として利用することができるため、測距機能を備えた照明装置を実現することができる。
なお、前述では発光部としてGaN系発光ダイオード1を用い、蛍光体として410nmの光を吸収して赤色、緑色、青色の蛍光を放射する蛍光体8a〜8cを用いる例を示したがこれに限られない。たとえば、発光部として波長470nmの青色の光を放射する固体発光素子を用い、蛍光体として黄色の蛍光を放射する蛍光体(YAG(Y、Gd)3(Al、Ga)5O12:Ce)を用いてもよい。このようにすると、固体発光素子が放射する光は、光の補色の関係により白色となり、照明光13として利用することができる。
また、前述では、測距光12としてGaN系発光ダイオード1のLEDチップ2から放射された光のうち、エポキシ樹脂7の中に分散されている蛍光体8a〜8cに吸収されずにエポキシ樹脂7から放射された410nmの波長の光を用いる例を示したが、これに限られない。たとえば受光素子15に蛍光体8aから放射される635nmの波長の蛍光のみを透過する光学特性を有する光学膜を設けるようにしておき、この635nmの蛍光を測距光12として用いることも考えられる。しかしながら、蛍光体の蛍光寿命が短く、受光信号からきれいな矩形パルスを取り出すことが困難であり、測距の精度を向上させるためには、測距光12としてはGaN系発光ダイオード1のLEDチップ2から放射される410nmの波長の光を用いることが好ましい。
また、GaN系発光ダイオード1を配列する個数、配置等は、配光特性等によって適切なものを採用することができる。また、受光素子15に、測定対象14により反射される測距光12を効率よく集光するための集光レンズ等を設けるようにしてもよい。
[実施の形態1の変形例1]
図8は、実施の形態1の変形例に従うGaN系発光ダイオード1を用いた発光部の構成を示す図である。図8に示すGaN系発光ダイオード1を用いた発光部の構成と図2の(b)に示すGaN系発光ダイオード1を用いた発光部の構成の相違点は、図8に示すGaN系発光ダイオード1のLEDチップ2を覆っているエポキシ樹脂7の中には、蛍光体8a〜8cが分散されていない点である。
図8は、実施の形態1の変形例に従うGaN系発光ダイオード1を用いた発光部の構成を示す図である。図8に示すGaN系発光ダイオード1を用いた発光部の構成と図2の(b)に示すGaN系発光ダイオード1を用いた発光部の構成の相違点は、図8に示すGaN系発光ダイオード1のLEDチップ2を覆っているエポキシ樹脂7の中には、蛍光体8a〜8cが分散されていない点である。
図8(a)は、GaN系発光ダイオード1の上部に蛍光体8a〜8cが分散されている板状樹脂60を設ける例を示した図である。GaN系発光ダイオード1のLEDチップ2を覆っているエポキシ樹脂7の中には蛍光体8a〜8cが分散されていないため、GaN系発光ダイオード1からは波長410nmの光のみが放射される。
GaN系発光ダイオード1から放射され、板状樹脂60に照射された光の一部は、蛍光体8a〜8cにより吸収される。蛍光体8a〜8cからは赤色、緑色、青色の蛍光が放射され、板状樹脂60からは光の混色によって白色となった光が放射される。この光が照明光13として利用される。
一方、板状樹脂60の板厚や蛍光体8a〜8cの分散状態を制御することにより、GaN系発光ダイオード1から放射され、板状樹脂60に照射された光の一部は、蛍光体8a〜8cに吸収されずに、板状樹脂60を透過する。この光が測距光12として利用される。
図8(b)は、図8(a)に示す板状樹脂60に開口部61を設ける例を示した図である。GaN系発光ダイオード1から放射された光の一部は、開口部61を通り、蛍光体8a〜8cに吸収されない。この光が測距光7として利用される。なお、開口部61の場所や形状等は適切なものを採用することができる。
このような構成によれば、GaN系発光ダイオード1から放射された光のうち板状樹脂50の中に分散されている蛍光体8a〜8cに吸収されずに放射される光を測距光12として利用することができ、板状樹脂50の中に分散されている蛍光体8a〜8cに吸収され、放射される蛍光を照明光13として利用することができるため、測距機能を備えた照明装置を実現することができる。
なお、板状樹脂60の形態としては、平行平板に限られず、曲率を有するようなものであってもよい。
[実施の形態1の変形例2]
図9は、GaN系発光ダイオード1の駆動回路を示す図である。図9に示すGaN系発光ダイオード1の駆動回路の構成と図2(c)に示すGaN系発光ダイオード1の駆動回路の構成との相違点は、図9に示す複数のGaN系発光ダイオード1の一部のGaN系発光ダイオード1のみパルス発生部10およびバイアス部11の両方が接続されているという点である。
図9は、GaN系発光ダイオード1の駆動回路を示す図である。図9に示すGaN系発光ダイオード1の駆動回路の構成と図2(c)に示すGaN系発光ダイオード1の駆動回路の構成との相違点は、図9に示す複数のGaN系発光ダイオード1の一部のGaN系発光ダイオード1のみパルス発生部10およびバイアス部11の両方が接続されているという点である。
図9では、3つのGaN系発光ダイオード1には、パルス発生部10およびバイアス部11の両方が接続されているが、他の3つのGaN系発光ダイオード1には、直流バイアスを与えるバイアス部11のみが接続されている。
全てのGaN系発光ダイオード1にパルス発生部10およびバイアス部11の両方が接続されていると、たとえばパルス発生部10から出力されるパルスの波高値を大きくあるいは小さくする等して測距光12の光条件を変えるようなときに、照明光13の光強度(パルスの波高値の平均値)も変調され、照明光13のちらつきが顕著に現れてしまうことがある。
一方、複数のGaN系発光ダイオード1の一部のGaN系発光ダイオード1にはパルス発生部10およびバイアス部11の両方を接続しておき、一部のGaN系発光ダイオード1にはバイアス部11のみを接続しておくと、パルス発生部10が接続されているGaN系発光ダイオード1によって測距光12の光条件を変えることができるとともに、これに伴って発生する照明光13のちらつきをバイアス部11のみが接続されているGaN系発光ダイオード1から放射される光強度を調整することにより、照明光13のちらつきを補正することができる。
[実施の形態2]
実施の形態2では、実施の形態1とは異なる構成の信号処理装置60が設けられている測距機能を備えた照明装置について説明する。
実施の形態2では、実施の形態1とは異なる構成の信号処理装置60が設けられている測距機能を備えた照明装置について説明する。
図10は、実施の形態2に従う測距機能を備えた照明装置の構成図である。図10に示す測距機能を備えた照明装置と実施の形態1の図1に示す測距機能を備えた照明装置との相違点は、信号処理装置60の構成が異なることであり、その他の部分の構成は実施の形態1と同じであるので、詳細な説明は繰り返さない。
信号処理装置60は、位相信号発生回路61、カウンタ回路62、カウンタパルス発生回路63、位相信号時間算出回路64、距離表示装置65、外部I/F66から構成されている。以下に信号処理装置60について説明する。
位相信号発生回路61には、パルス発生回路9のパルス発生部10から出力されたパルス信号と受光素子15から出力された受光信号とが入力される。位相信号発生回路61は、入力されたパルス発生部10から出力されたパルス信号と受光素子15から出力された受光信号との位相差に対応する位相信号を出力する。
位相信号発生回路61から出力された位相信号は、カウンタ回路62に入力される。また、カウンタ回路62には、カウンタパルス発生回路63から出力された一定幅のカウンタパルスが入力される。カウンタ回路62は、位相信号発生回路61から出力される位相信号の時間長さで、カウンタ回路62に入力されるカウンタパルスの数を計数する。
位相信号時間算出回路64は、カウンタ回路62により計数されたカウンタパルスの数の計数値とカウンタパルス発生回路63から出力されるカウンタパルスのパルス幅とに基づいて位相信号の時間を算出する。
距離表示装置65は、位相信号時間算出回路64により算出された位相信号の時間と、光の伝播速度とに基づいて測定対象までの距離を算出し、算出した距離を表示する。外部I/F66は、距離表示装置65により算出された距離に応じた電気信号を外部に出力する。
図11は、パルス発生部10から出力されるパルス信号、受光素子15から出力される受光信号、位相信号発生回路61から出力される位相信号およびカウンタ回路62に入力されるカウンタパルスを示す図である。
図11の(i)は、パルス発生部10から出力されたパルス信号を示している。図11の(ii)は、受光素子15から出力された受光信号を示している。受光素子15から出力された受光信号は、パルス発生部10から出力されたパルス信号に比べ、測定対象14までの往復にかかる時間だけ位相がずれている。
図11の(iii)は、位相信号発生回路61から出力された位相信号を示している。位相信号発生回路61は、パルス発生部10から出力されたパルス信号を示す図11の(i)と受光素子15から出力された受光信号を示す図11の(ii)の信号の否定(NOT)信号との論理積(AND)信号により位相信号を得る。
図11の(iv)は、カウンタパルス発生回路63から出力されるカウンタパルスを示している。カウンタパルスは図11の(iv)に示すように予め定められたパルス幅である。カウンタ回路62には、このカウンタパルスが位相信号の時間長さだけ入力され、カウンタ回路62により計数されたカウンタパルスの数の計数値に基づいて位相信号時間算出回路64は位相信号時間を算出する。
このような構成により、受光素子15から出力される受光信号とパルス発生部10から出力されたパルス信号とに基づいて測定対象14までの距離を算出する信号処理装置60を実現することができる。
[実施の形態3]
実施の形態3では、実施の形態1および実施の形態2とは異なる構成の測距機能を備えた照明装置について説明する。
[実施の形態3]
実施の形態3では、実施の形態1および実施の形態2とは異なる構成の測距機能を備えた照明装置について説明する。
図12は、実施の形態3に従う測距機能を備えた照明装置の構成図である。実施の形態1の図1に示す測距機能を備えた照明装置および実施の形態2の図10に示す測距機能を備えた照明装置と大きく相違する点は、ポリゴンミラー70を用いてGaN系半導体レーザ素子33から放射された光を走査させている点である。その他の部分の構成は実施の形態1および実施の形態2と同じであるので詳細な説明は繰り返さない。
実施の形態3に従う測距機能を備えた照明装置は、実施の形態1の構成に加えポリゴンミラー70、ポリゴンミラー駆動回路71、形状位置検出回路73から構成されている。ポリゴンミラー70を用いた測距機能を備えた照明装置は、たとえば室内用照明や装飾用照明等の一般照明に利用される。図13は、実施の形態3に従う測距機能を備えた照明装置が設けられている一般照明を示す図である。
GaN系半導体レーザ素子33から放射された光は、レンズ76を通り、ポリゴンミラー70に照射される。GaN系発光ダイオード33から放射される光は、所定の拡がり角で拡がっている。この拡がって放射される光をレンズ76に通すことにより、ポリゴンミラー70の反射面に無駄なく集光させることができる。
ポリゴンミラー70は、ポリゴンミラー駆動回路71によって一定方向に高速回転するように制御されている。そのため、ポリゴンミラー70で反射された光は、蛍光体8a〜8cが分散された板状樹脂77上を走査する。
板状樹脂77上を走査する光は、板状樹脂77の中に分散している蛍光体8a〜8cにより吸収される。そのため、板状樹脂77から放射される光は、混色により白色となるこの光が照明光13として利用される。
一方、板状樹脂77の板厚や板状樹脂77の中の蛍光体8a〜8cの分散状態を制御することによって、GaN系半導体レーザ素子33から放射される光の一部は、蛍光体8a〜8cに吸収されずに、板状樹脂77を透過する。この光が測距光12として使用される。
実施の形態3では、ポリゴンミラー70を用いているので、ポリゴンミラー70を回転させることで、室内に放射される測距光12および照明光13の位置を走査させることができる。なお、走査速度は、照明光13のちらつきが感じられない程度の速度に設定する必要がある。
しかしながら、蛍光体8a〜8cから放射される蛍光は、いわゆる自然放出光であるため四方に放射される。さらに、板状樹脂77の中に分散されている蛍光体8a〜8cによる蛍光の内部散乱が発生するため、照明光13の光強度は、比較的均一性が得られ易く、高速での走査は必要とされない。
また、ポリゴンミラー70は等角速度運動をしているため、ポリゴンミラー70で反射された光が板状樹脂77上を走査するときは、板状樹脂77の中心付近を光が移動する速度に比べ、端に行くほど早い速度で移動することになる。そのため、板状樹脂77から放射される光の光強度が中心付近と端の方とでは異なるおそれがある。そこで、ポリゴンミラー70で反射された光を等速度で板状樹脂77上を走査させるために、ポリゴンミラー70と板状部材77の間に等角速度で移動する反射光を等速度で移動するように補正する所謂fθレンズを設けるようにしてもよい。このようにすると、板状樹脂77から放射される光の光強度を中心付近と端の方とで極力同じにすることができる。また、距離の測定精度の低下を極力防止することができる。
室内に放射された測距光12は、測定対象により反射され、受光素子15により受光される。再び図12を参照して、受光素子15から出力される受光信号を処理する信号処理装置72について説明する。信号処理装置72は、位相比較器18、距離表示装置19、形状位置検出回路73、外部I/F74から構成されている。
位相比較器18、距離表示装置19については、実施の形態1で説明したものと同じであるので説明を省略する。形状位置検出回路73には、距離表示装置19により算出された測定対象14までの距離を示す距離信号と、ポリゴンミラー駆動回路71から出力されポリゴンミラー70の走査位置信号とが入力される。
形状位置検出回路73は、入力される距離信号および走査位置信号のデータを保存し、このデータの時間変化を処理することにより人等の形状や位置を検出する。外部I/F74は、形状位置検出回路73により検出された人等の形状や位置に応じた電気信号を空調装置等の外部装置75に出力する。空調装置は、入力されたデータに基づいて、室内の人の有無や、人の存在する場所により動作状態制御や吹き出し口の方向についての制御を行なう。
このような構成により、外部装置75に測定対象14までの距離に応じた動作を行なわせることが可能となる。
なお、今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなく特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
1 GaN系発光ダイオード、2 LEDチップ、3 リード電極、4 リード電極、7 エポキシ樹脂、8a 蛍光体、8b 蛍光体、8c 蛍光体、9 パルス発生回路、10 パルス発生部、11バイアス部、12 測距光、13 照明光、14 測定対象、15 受光素子、16 負荷抵抗、17 信号処理装置、18 位相比較器、19 距離表示装置、20 外部I/F、30 自動車、31 前照灯部、32 受光部、33 GaN系半導体レーザ素子、34 樹脂、35 凹面鏡、36 レンズ、40 室内照明装置、41 導光体、42 金属膜、43 導光体、44 樹脂、45 コア、46 散乱部、47 クラッド、48 金属膜、50 板状樹脂、51 開口部、60 信号処理装置、61 位相信号発生回路、62 カウンタ回路、63 カウンタパルス発生回路、64 位相信号時間算出回路、65 距離表示装置、66 外部I/F、70 ポリゴンミラー、71 ポリゴンミラー駆動回路、72 信号処理装置、73 形状位置検出回路、74 外部I/F、75 外部装置、76 レンズ、77 樹脂。
Claims (9)
- 光を放射する光源と、
変調信号を出力し、前記光源から放射させる光の光強度を変調する変調手段と、
前記光源から放射させた光を吸収し、前記光源から放射させた光の波長とは異なる波長の蛍光を放射する蛍光体と、
前記光源から放射させた光のうち測定対象により反射された光を受光して電気信号を出力する光検出手段と、
該光検出手段が出力する電気信号と前記変調手段が出力する変調信号とに基づいて前記測定対象までの距離を算出する信号処理手段とを含むことを特徴とする、測距機能を備えた照明装置。 - 前記測距機能を備えた照明装置は、複数の前記光源を含み、
前記変調手段は、前記複数の光源から放射させる光の光強度を同じ位相で変調することを特徴とする、請求項1に記載の測距機能を備えた照明装置。 - 前記測距機能を備えた照明装置は、複数の前記光源を含み、
前記変調手段は、前記複数の光源のうちの一部の光源のみを対象として光強度を変調することを特徴とする、請求項1に記載の測距機能を備えた照明装置。 - 前記変調手段は、前記蛍光体の蛍光寿命より短い間隔で変調信号を出力することを特徴とする、請求項1〜請求項3のいずれかに記載の測距機能を備えた照明装置。
- 前記信号処理手段は、
前記光検出手段が出力する電気信号と前記変調手段が出力する変調信号との位相差を算出する位相差算出手段と、
該位相差算出手段により算出された位相差に応じた電気信号を出力する位相差信号出力手段とを含むことを特徴とする、請求項1〜請求項4のいずれかに記載の測距機能を備えた照明装置。 - 前記信号処理手段は、
前記光検出手段が出力する電気信号と前記変調手段が出力する変調信号との位相差に対応する位相信号を出力する位相信号出力手段と、
一定幅のパルスを発生するパルス発生手段と、
前記位相信号出力手段が出力する位相信号の時間長さで前記パルス発生手段が発生するパルスの数を計数する計数手段と、
該計数手段の計数値と前記パルス発生手段が発生するパルスのパルス幅とに基づいて位相信号の時間を算出する位相信号時間算出手段とを含むことを特著とする、請求項1〜請求項4のいずれかに記載の測距機能を備えた照明装置。 - 前記信号処理手段が算出した前記測定対象までの距離に応じた電気信号を外部へ出力する出力手段をさらに含むことを特徴とする、請求項1〜請求項6のいずれかに記載の測距機能を備えた照明装置。
- 前記測距機能を備えた照明装置は、車両の前照灯部を構成していることを特徴とする、請求項1〜請求項7のいずれかに記載の測距機能を備えた照明装置。
- 前記測距機能を備えた照明装置は、一般照明を構成していることを特徴とする、請求項1〜請求項7のいずれかに記載の測距機能を備えた照明装置。
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