JP2021169410A - 改善された機械的強度を有する高抵抗率単結晶シリコンインゴット及びウェハ - Google Patents

Abstract

【課題】低酸素濃度、高抵抗率、及び改善された機械的強度を有する、直径の大きいシリコン単結晶ウエハを提供する。
【解決手段】単結晶シリコンインゴット及び単結晶シリコンインゴットから薄く切り出されるウェハを準備する方法が提供される。インゴットとウェハは、少なくとも５×１０^１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３の濃度の窒素、または少なくとも５×１０^１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３の濃度のゲルマニウム、または少なくとも５×１０^１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３の濃度の窒素と少なくとも５×１０^１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３の濃度のゲルマニウムの組み合わせ、及び６ｐｐｍａ未満の濃度の格子間酸素とを含む不純物を備え、さらに、少なくとも１００００Ωｃｍの抵抗率を有する。
【選択図】図１１

Description

関連する出願の相互参照
本開示は、２０１６年６月８日に出願された米国仮特許出願６２／３４７１４３の利益、２０１６年６月８日に出願された米国仮特許出願６２／３４７１４５の利益を主張する。両方の優先書類の開示は、ここで、そのすべてにおいて記載されているように、参照することによって組み込まれる。

本開示は、一般的に、単結晶シリコンインゴット及びウェハの生産に関連し、インゴット及びウェハは、低酸素濃度、高抵抗率、及び改善された機械的強度を有する。

単結晶シリコンは、半導体電子部品及び太陽電池材料を製造するための多くのプロセスの出発材料である。例えば、シリコンインゴットから生産された半導体ウェハは、一般的に、集積回路チップの生産に使われる。太陽電池工業において、単結晶シリコンは、グレインバウンダリ及び転位の欠如によって、微結晶シリコンの代わりに使われることができる。単結晶シリコンインゴットは、半導体または太陽電池ウェハが生産されることができる、例えばシリコンウェハなど、所望の形状に機械加工される。

高純度単結晶シリコンインゴットの生産のための既存の方法は、フロートゾーン法及び磁場印加チョクラルスキ（ＭＣＺ）プロセスを含む。フロートゾーン法は、超高純度多結晶シリコンのロッドの狭い領域を溶融するステップと、高純度単結晶シリコンインゴットを生産するためのロッドに沿って溶融した領域をゆっくり平行移動させるステップを含む。ＭＣＺプロセスは、るつぼに多結晶シリコンを溶融し、溶融したシリコンに種結晶を浸し、インゴットの所望の直径を達成するために十分な方法で、種結晶を引き出すことによって、単結晶シリコンインゴットを生産する。水平及び／または垂直磁場は、成長する単結晶シリコンインゴットの中に、例えば酸素など、不純物の組み込みを抑制するために、溶融したシリコンに印加されてもよい。フロートゾーンシリコンインゴットは、通常、例えば酸素など、比較的低濃度の不純物を含むが、フロートゾーン法を用いて成長されたインゴットの直径は、通常、表面張力によって強いられる限界のために、約２００ｍｍより大きくない。ＭＣＺシリコンインゴットは、フロートゾーンインゴットと比較して大きいインゴット直径で生産されることができるが、ＭＣＺシリコンインゴットは、通常、高い濃度の不純物を含む。

ＭＣＺ法を使った単結晶シリコンインゴットを生産するプロセスの間、酸素は、液−固または溶融結晶界面を通ってシリコン結晶インゴットに導入される。酸素は、インゴットから生産されるウェハに様々な欠陥を引き起こし、インゴットを使用して製造される半導体装置の収率を減少させるかもしれない。例えば、絶縁ゲートバイポーラトランジスタ（ｉｎｓｕｌａｔｅｄ−ｇａｔｅ ｂｉｐｏｌａｒ ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒｓ（ＩＧＢＴｓ））、高品質の無線周波数（ｈｉｇｈ ｑｕａｌｉｔｙ ｒａｄｉｏ−ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ（ＲＦ））、高抵抗シリコンオンインシュレータ（ｈｉｇｈ ｒｅｓｉｓｔｉｖｉｔｙ ｓｉｌｉｃｏｎ ｏｎ ｉｎｓｕｌａｔｏｒ（ＨＲ−ＳＯＩ））、電荷トラップ層ＳＯＩ（ｃｈａｒｇｅ ｔｒａｐ ｌａｙｅｒ ＳＯＩ（ＣＴＬ−ＳＯＩ））、及びＧａＮのエピタキシャル成長の用途のための基板は、通常、高抵抗を達成するために、低酸素濃度（Ｏｉ）を必要とする。

少なくともいくつか知られた半導体装置は、低Ｏｉ及び高抵抗を達成するために、フロートゾーンシリコン材料を使って製造される。しかしながら、フロートゾーン材料は、比較的高価であり、約２００ｍｍより小さい直径を有するインゴットを生産する際の使用に限定される。したがって、フロートゾーンシリコン材料は、高価であり、比較的低酸素濃度の、直径の大きいシリコン単結晶インゴットを生産することができない。

高抵抗シリコンオンインシュレータ（ＨＲ−ＳＯＩ）で作られた高品質無線周波数（ＲＦ）装置は、よい２次高調波性能（ＨＤ２）のために非常に高抵抗であることを必要とする。装置の製造及びパッケージの間、ウェハの高抵抗を維持するために、非常に低いＯｉが、Ｏｉのサーマルドナーインパクトを最小化し、ＰＮ接合の形成を避けるために、必要とされる。しかしながら、低Ｏｉウェハの機械的強度は、ひどく劣り、これらのウェハは、ＳＯＩライン、ＥＰＩ反応器、及び装置の製造工程の高温プロセス工程の間、スリップする傾向がある。これは、ＳＯＩウェハ製造者及び装置製造者の両方に収率の高い損失を引き起こす。

この背景部は、以下で記載され及び／または権利主張される、本開示の様々な態様に関連することができる技術の様々な態様へ読み手を導入する意図がある。本開示は、読み手に本開示の様々な態様をより理解することを容易にするために背景情報を提供する際の助けになると信じる。したがって、これらの記述は、この観点から読むべきで、従来技術の自白として読むべきでないことが理解されるべきである。

１つの実施形態において、本発明は、一方が、単結晶シリコンウェハの前面であり、他方が、前記単結晶シリコンウェハの裏面である、２つの主要で、平行な表面と、前記単結晶シリコンウェハの前記前面と前記裏面を接合する周縁エッジと、前記前面と前記裏面の間のバルク領域と、前記単結晶シリコンウェハの前記前面と前記裏面の間の前記単結晶シリコンウェハの中央平面と、を備える単結晶シリコンウェハであって、前記バルク領域は、少なくとも約１×１０^１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３の濃度の窒素、少なくとも約１×１０^１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３の濃度のゲルマニウム、または少なくとも約１×１０^１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３の濃度の窒素と少なくとも約１×１０^１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３の濃度のゲルマニウムとの組み合わせ、及び約６ｐｐｍａ未満（Ｎｅｗ ＡＳＴＭ：ＡＳＴＭ Ｆ １２１，１９８０−１９８３；ＤＩＮ ５０４３８／１，１９７８）の濃度の格子間酸素とを含む不純物を備え、さらに単結晶シリコンインゴットの本体は、少なくとも約１０００Ωｃｍの抵抗率を有する、単結晶シリコンウェハに案内される。

１つの実施形態において、本発明はさらに単結晶シリコンインゴットを成長する方法に案内される。方法は、シリコンの溶融物を準備するステップであって、前記シリコンの溶融物は、石英内張るつぼに多結晶シリコンを溶融するステップと、前記石英内張るつぼへ不純物のソースを加えるステップとによって準備され、前記不純物は、ゲルマニウム、窒素、またはゲルマニウムと窒素の組み合わせを含む、ステップと、前記シリコンの溶融物から単結晶シリコンインゴットを引くステップであって、前記単結晶シリコンインゴットは、中心軸、クラウン、前記クラウンの反対の端部、及び前記クラウンと前記反対の端部との間の本体とを備え、前記本体は、側面と、前記中心軸から前記側面へ延びる半径Ｒを有するステップと、を備え、前記単結晶シリコンインゴットの前記本体は、少なくとも約１×１０^１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３の濃度の窒素、少なくとも約１×１０^１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３の濃度のゲルマニウム、または少なくとも約１×１０^１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３の濃度の窒素と少なくとも約１×１０^１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３の濃度のゲルマニウムとの組み合わせを含み、さらに前記引く条件は、約６ｐｐｍａ未満（Ｎｅｗ ＡＳＴＭ：ＡＳＴＭ Ｆ １２１，１９８０−１９８３；ＤＩＮ ５０４３８／１，１９７８）の前記単結晶シリコンインゴットの前記本体の格子間酸素の濃度を得るのに十分であり、さらに前記単結晶シリコンインゴットの前記本体は、少なくとも約１０００Ωｃｍの抵抗率を有する、方法である。

１つの実施形態において、本発明は、さらに、中心軸、クラウン、前記クラウンの反対の端部、及び前記クラウンと前記反対の端部との間の本体とを備え、前記本体は、側面と、前記中心軸から前記側面へ延びる半径Ｒを有するステップと、を備える単結晶シリコンインゴットであって、前記単結晶シリコンインゴットの前記本体は、少なくとも約１×１０^１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３の濃度の窒素、少なくとも約１×１０^１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３の濃度のゲルマニウム、または少なくとも約１×１０^１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３の濃度の窒素と少なくとも約１×１０^１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３の濃度のゲルマニウムとの組み合わせ、及び約６ｐｐｍａ（Ｎｅｗ ＡＳＴＭ：ＡＳＴＭ Ｆ １２１，１９８０−１９８３；ＤＩＮ ５０４３８／１，１９７８）より低い濃度の格子間酸素を含む不純物を備え、さらに前記単結晶シリコンインゴットの前記本体は、少なくとも約１０００Ωｃｍの抵抗率を有する、単結晶シリコンインゴットに案内される。

様々な改善が上述の態様に関連して記載された特徴に存在する。さらなる特徴は、上述の態様に同様に組み込まれることもできる。これらの改善及び追加の特徴は、個々にまたは任意の組み合わせで存在するかもしれない。例えば、説明された実施形態のいずれかに関連した以下に議論される様々な特徴は、単独でまたは任意の組み合わせで、上記に記載された態様に、組み込まれることができる。

１つの実施形態のるつぼの上面図である。 図１に示されたるつぼの側面図である。 単結晶成長器具の中の溶融物を含むるつぼに与えられたカスプ磁場を描く概略図である。 図１として同じ実施形態の結晶成長システムのブロック図である。 与えられた結晶回転率における中間本体成長のるつぼ壁の近くの流線と酸素濃度を示す、るつぼの一部の断面図である。 結晶回転率における後半本体成長のるつぼ壁の近くの流線と酸素濃度をマッピングする実施例るつぼの一部の断面図である。 異なる結晶回転率における後半本体成長におけるるつぼ壁の近くの流線と酸素濃度をマッピングするるつぼの一部の断面図である。 結晶に沿った後半本体成長対位置（ＢＬ）における結晶回転率の関数としてシミュレートされた酸素濃度（Ｏｉ）をプロットするグラフである。 結晶本体回転率６ｒｐｍの後半本体成長対るつぼ回転率における酸素濃度をプロットするグラフである。 結晶本体回転率８ｒｐｍの後半本体成長対るつぼ回転率における酸素濃度をプロットするグラフである。 平衡化された５０％に対応する磁場強度における後半本体成長のるつぼ壁の近くの流線と速度の大きさをマッピングする実施例るつぼの断面図である。 平衡化された９５％に対応する磁場強度における後半本体成長のるつぼ壁の近くの流線と速度の大きさをマッピングする実施例るつぼの断面図である。 平衡化された１５０％に対応する磁場強度における後半本体成長のるつぼ壁の近くの流線と速度の大きさをマッピングする実施例るつぼの断面図である。 ２つの異なる結晶回転率プロファイルの結晶本体長さの関数として酸素濃度をプロットするグラフである。 実施例３によるノンスリップ温度ウィンドウテストを描くグラフである。 実施例３によるノンスリップ温度ウィンドウテストを描くグラフである。 実施例４によるノンスリップ温度ウィンドウテストを描くグラフである。

様々な図において類似の符号は類似の要素を示す。

本発明の方法は、低酸素濃度、高抵抗率、及び改善された機械的強度を有するインゴットを生産するために十分な条件下で、単結晶シリコンインゴットの成長に案内される。本発明は、さらに方法によって生産された単結晶シリコンインゴットに案内され、またさらに、単結晶シリコンインゴットから薄く切り出された単結晶シリコンウェハに案内され、ウェハは、低酸素濃度、高抵抗率、及び改善された機械的強度を有する。

本発明のいくつかの実施形態によると、単結晶成長条件は、チョクラルスキ法によって単結晶シリコンインゴットを準備するために十分であり、インゴットは、少なくとも１×１０^１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３濃度のゲルマニウムドーパント（Ｇｅ）を含み、約６．０ｐｐｍａ未満の濃度の格子間酸素（Ｏｉ）を有する。本発明のいくつかの実施形態によると、結晶成長条件は、チョクラルスキ法によって単結晶シリコンインゴットを準備するために十分であり、インゴットは、少なくとも約１×１０^１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３の濃度の窒素（Ｎ）ドーパントを含み、約６．０ｐｐｍａ未満の濃度の格子間酸素（Ｏｉ）を有する。本発明のいくつかの実施形態によると、結晶成長条件は、チョクラルスキ法によって単結晶シリコンインゴットを準備するために十分であり、インゴットは、少なくとも約１×１０^１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３の濃度の窒素（Ｎ）ドーパントと少なくとも約１×１０^１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３濃度のゲルマニウムドーパント（Ｇｅ）を含み、約６．０ｐｐｍａ未満の濃度の格子間酸素（Ｏｉ）を有する。さらに、単結晶シリコンインゴット、及びそれから薄く切り出されたウェハは、すくなくとも約１０００Ωｃｍの抵抗率を有する。好ましい実施形態において、インゴットは、チョクラルスキバッチ結晶引き上げプロセスによって引かれる。ゲルマニウムを単結晶シリコンインゴットにドーピングすることは、有利に、インゴットの機械的強度を改善しつつ、Ｓｉの抵抗率に影響しない。いくつかの実施形態において、窒素は、抵抗率に多くの影響なく、機械的強度を改善するためにＧｅと共ドープされることができる。Ｇｅ及び／またはＮドーパントの濃度は、ウェハが熱プロセスの間、サーマルドナー生成が少ないかないことによって特徴付けられるほど十分に低い。さらに、Ｇｅドーピングは、例えば、窒素、ボロン、または金属などの他のドーパントによって低下されることがかもしれない、２次高調波性能を低下させない。

いくつかの実施形態において、抵抗率は、抵抗率＞１０００Ωｃｍの高純度多結晶シリコンを選択することによって及び高純度合成石英内張りるつぼの溶融物を準備することによって制御されることができる。いくつかの実施形態において、補償Ｐ／Ｎ型少量希薄ドーパントは、結晶の所望の抵抗率を達成するために電気的に活性な不純物を補償するために追加されることができる。したがって、結晶を引き出す条件と材料は、単結晶シリコンインゴットを提供するために選択されることができ、単結晶シリコンインゴットの本体は、少なくとも約１０００Ωｃｍ、少なくとも約３０００Ωｃｍ、少なくとも約４０００Ωｃｍ、少なくとも約５０００Ωｃｍ、少なくとも約１００００Ωｃｍ、少なくとも約１５０００Ωｃｍ、またはさらに少なくとも約２００００Ωｃｍの抵抗率を有する。

いくつかの実施形態において、格子間酸素、Ｏｉは、引き上げプロセスの最適化によって、要求される範囲内に制御されることができる。非常に低いＯｉ単結晶シリコンインゴットを製造するための方法論は、３つのキープロセスメカニズムの組み合わせを含むことができる。３つのキーメカニズムは、１）るつぼ内壁の温度及びるつぼの溶解の最適化、２）るつぼ壁から成長結晶へＯｉの移動、３）溶融物表面から気相へのＳｉＯの蒸発を含む。上記で述べられた３つのメカニズムは、印加された磁場によって、重く確立され、影響される溶融物流れ条件に強く依存する。いくつかの実施形態において、引く条件は約６ｐｐｍａ未満、例えば約５ｐｐｍａ未満、約４ｐｐｍａ未満、またはさらに約３ｐｐｍａ未満など、単結晶シリコンインゴットの本体の格子間酸素の濃度を生じるために十分である。これらの濃度は、Ｎｅｗ ＡＳＴＭ：ＡＳＴＭ Ｆ １２１，１９８０−１９８３；ＤＩＮ ５０４３８／１，１９７８による。

いくつかの実施形態において、ゲルマニウムは、溶解プロセスの間、溶融物に、例えばゲルマニウム元素及び／またはシリコンゲルマニウムなど、ゲルマニウムのソースを加えることによって、単結晶シリコンインゴットに組み込まれることができる。ゲルマニウムはそれによって分離原理に基づいて単結晶シリコンインゴットに組み込まれる。したがって、いくつかの実施形態において、例えばゲルマニウム元素及び／またはシリコンゲルマニウムなど、十分なゲルマニウムは、シリコン溶融物に加えられ、それにより、単結晶シリコンインゴットを引き上げることができ、単結晶シリコンインゴットの本体は、少なくとも約１×１０^１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３、例えば、少なくとも約３×１０^１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３、または少なくとも約５×１０^１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３などの濃度のゲルマニウムを含む。単結晶シリコンインゴットの本体は、約１×１０^２２ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３未満、例えば約１×１０^２１ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３未満、約１×１０^２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３未満などの濃度のゲルマニウムを含む。いくつかの実施形態において、単結晶シリコンインゴットの本体は、少なくとも約１×１０^１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３で、約１×１０^２２ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３未満の濃度のゲルマニウムを含む。いくつかの実施形態において、単結晶シリコンインゴットの本体は、少なくとも約３×１０^１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３で、約１×１０^２２ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３未満、例えば、約５×１０^１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３から約１×１０^２１ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３未満、または約５×１０^１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３から約１×１０^２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３未満の濃度のゲルマニウムを含む。

いくつかの実施形態において、窒素は、溶解プロセスの間、溶融物に、例えばシリコン窒素または窒素ガスなど窒素のソースを加えることによって、単結晶シリコンインゴットの中に組み込まれることができる。窒素は、それによって、分離原理に基づいて単結晶シリコンインゴットに組み込まれる。いくつかの実施形態において、単結晶シリコンインゴットの本体は、少なくとも約１×１０^１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３、例えば、少なくとも約２×１０^１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３、または少なくとも約５×１０^１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３などの濃度の窒素を含む。いくつかの実施形態において、単結晶シリコンインゴットの本体は、少なくとも約１×１０^１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３で、約１×１０^１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３未満の濃度の窒素を含む。いくつかの実施形態において、単結晶シリコンインゴットの本体は、約２×１０^１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３から約２×１０^１５ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３未満、例えば、少なくとも約５×１０^１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３で約１×１０^１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３未満の濃度の窒素を含む。いくつかの実施形態において、単結晶シリコンインゴットの本体は、少なくとも約１×１０^１５ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３で約１×１０^１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３未満の濃度の窒素を含む。

いくつかの実施形態において、ゲルマニウムは、溶解プロセスの間、溶融物に例えばゲルマニウム元素及び／またはシリコンゲルマニウムなど、ゲルマニウムのソースを加えることによって、単結晶シリコンインゴットに組み込まれることができ、窒素は、例えばシリコン窒素または窒素ガスなど窒素のソースを加えることによって、単結晶シリコンインゴットの中に組み込まれることができる。したがって、いくつかの実施形態において、例えば、ゲルマニウム元素及び／またはシリコンゲルマニウムなど、十分なゲルマニウムがシリコン溶融物に加えられ、それによって単結晶シリコンインゴットが引き上げることができ、単結晶シリコンインゴットの本体は、少なくとも約１×１０^１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３、例えば、少なくとも約３×１０^１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３、または少なくとも約５×１０^１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３などの濃度のゲルマニウムを含み、単結晶シリコンインゴットの本体は、少なくとも約１×１０^１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３、例えば、少なくとも約２×１０^１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３、または少なくとも約５×１０^１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３などの濃度の窒素を含む。いくつかの実施形態において、単結晶シリコンインゴットの本体は、少なくとも約１×１０^１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３で、約１×１０^２２ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３未満の濃度のゲルマニウムと少なくとも約１×１０^１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３で、約１×１０^１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３未満の濃度の窒素を含む。いくつかの実施形態において、単結晶シリコンインゴットの本体は、少なくとも約３×１０^１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３で、約１×１０^２２ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３未満のゲルマニウム及び少なくとも約２×１０^１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３で、約１×１０^１５ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３未満の濃度の窒素を含む。

図１及び２を参照して、１つの実施形態のるつぼは、一般的に１０で示される。るつぼ１０の円筒座標システムは、半径方向Ｒ１２、角度方向θ１４、及び軸方向Ｚ１６を含む。座標、Ｒ１２、θ１４及びＺ１６は、低酸素シリコンインゴットを生産するための方法とシステムを記載するために本明細書で使われる。るつぼ１０は、溶融表面３６を有する溶融物２５を含む。結晶２７は溶融物２５から成長される。溶融物２５は、るつぼ１０の加熱及び角度方向θ１４にるつぼ１０及び／または結晶２７の回転によって誘導された１以上の対流フローセル１７、１８を含むことができる。これらの１以上の対流フローセル１７、１８の構造と相互作用は、本明細書で以下に詳細に記載されるように、形成結晶２７の中の酸素の含有物を減らすために、さらなるプロセスパラメータの１つの調整によって調節される。るつぼ壁１０３（図５Ａ−５Ｃ及び８Ａ−８Ｃ参照）は、抵抗率の制御を強化するために高純度石英で内張りされることができる。いくつかの実施形態において、るつぼ１０は、るつぼ壁１０３を内張りする高純度石英を備える合成るつぼであることができる。

図３を参照すると、ブロック図は、結晶成長器具に溶融物２３を含むるつぼ１０に与えられるカスプ磁場を描く。示されるように、るつぼ１０は、結晶２７が成長するシリコン溶融物２３を含む。カスプ磁場形態は、軸及び水平の磁場形態の欠点を克服するように設計される。コイル３１及び３３の組（例えばヘルムホルツコイル）は、溶融物表面３６の上及び下に同軸で設置される。コイル３１及び３３は、溶融物表面３６の近くの純粋に半径の場の成分（すなわち、Ｒ１２に沿って）と結晶２７の対称軸３８の近くの純粋に軸の場の成分（すなわち、Ｚ１６に沿って）を有する磁場を発生する対向電流モードで動作する。コイル３１と３３によって発生された上の磁場４０と下の磁場４２の組み合わせは、それぞれ、軸及び半径のカスプ磁場成分をもたらす。

図４は、結晶成長システム１００のブロック図である。結晶成長システム１００、結晶成長システム１００の要素、及び結晶成長システム１００の様々な動作パラメータは、本明細書に全て参照して組み込まれる、国際特許出願ＰＣＴ／ＵＳ２０１４／０３９１６４（ＷＯ２０１４／１９０１６５として公開される）に追加の詳細が記載される。図４を再び参照して、システム１００は、半導体インゴットを生産するためのチョクラルスキ結晶成長法を用いる。この実施形態において、システム１００は、１５０ミリメータより大きい、さらに特には約１５０ｍｍから４６０ｍｍの範囲で、よりさらに特には約３００ミリメータ（３００ｍｍ）の直径でインゴット直径を有する円筒半導体インゴットを生産するために構成される。他の実施形態において、システム１００は、２００ミリメータ（２００ｍｍ）のインゴット直径または４５０ミリメータ（４５０ｍｍ）のインゴット直径を有する半導体インゴットを生産するように構成される。さらに、１つの実施形態において、システム１００は、少なくとも５００ミリメータ（５００ｍｍ）、例えば少なくとも９００ｍｍなどの総インゴット長さの半導体インゴットを生産するように構成される。他の実施形態において、システム１００は、約５００ミリメータ（５００ｍｍ）から３０００ミリメータ（３０００ｍｍ）の範囲、例えば９００ｍｍから１２００ｍｍの総インゴット長さの半導体インゴットを生産するように構成される。

図４を再び参照して、結晶成長システム１００は、るつぼ１０が入っている真空チャンバ１０１を含む。側部ヒータ１０５、例えば抵抗ヒータは、るつぼ１０を囲う。底部ヒータ１０６、例えば抵抗ヒータは、るつぼ１０の下に配置される。加熱及び結晶引き上げの間、るつぼ駆動ユニット１０７（例えば、モータ）は、例えば、矢印１０８によって示されるような時計回り方向にるつぼ１０を回転する。るつぼ駆動ユニット１０７は、また、成長プロセスの間、所望のように、るつぼ１０を持ち上げ、及び／または下げることもできる。るつぼ１０内に、シリコン溶融物２５は、溶融物レベルまたは溶融物表面３６を有する。動作において、システム１００は、溶融物２５から、プルシャフトまたはケーブル１１７に取り付けられた種結晶１１５で始められる、単結晶２７を引き上げる。プルシャフトまたはケーブル１１７の１つの端部は、ドラム（図示せず）へのプーリ（図示せず）、または例えばシャフトなど、持ち上げ機構の、その他の適当なタイプを経由して、接続され、他の端部は、種結晶１１５及び種結晶１１５から成長された結晶２７を保持するチャック（図示せず）と接続される。

るつぼ１０及び単結晶２７は、対称共通軸３８を有する。るつぼ駆動ユニット１０７は、溶融物２５が所望の高さで溶融物レベル３６を維持して消耗されるように、軸３８に沿って、るつぼ１０を持ち上げることができる。結晶駆動ユニット１２１は、同様にるつぼ駆動ユニット１０７が、るつぼ１０を回転する方向と反対の方向１１０にプルシャフトまたはケーブル１１７を回転する（例えば反対回転）。等回転を使う実施形態において、結晶駆動ユニット１２１は、るつぼ駆動ユニット１０７がるつぼ１０を回転する（例えば、時計方向に）同じ方向に、プルシャフトまたはケーブル１１７を回転することができる。等回転は、共回転ともいうことができる。さらに、結晶駆動ユニット１２１は、成長プロセスの間に、所望のように溶融物レベル３６に対して、結晶２７を持ち上げ、下げる。

チョクラルスキ単結晶成長プロセスによると、多量の多結晶シリコン、またはポリシリコンがるつぼ１０に満たされる。さらに、多結晶シリコン充填物は、溶融物から引き上げられた単結晶シリコンインゴットをドープするための、ゲルマニウム元素またはシリコンゲルマニウムであることができる、ゲルマニウムのソース、窒素ガスまたは窒化シリコンであることができる、窒素のソース、またはゲルマニウムのソース及び窒素のソースの両方を含む。ゲルマニウムの適当なソースは、ゲルマニウム元素及びシリコンゲルマニウムを含む。いくつかの実施形態において、元素、純粋ゲルマニウムは、フロートゾーンプロセスによって純化される。フロートゾーンで純化したゲルマニウムは、小さなチップ／大きな塊に砕かれ、その後、シリコン溶融物をドープするために、使われる。シリコンゲルマニウムは、おおむね約０．１から約０．９のモル率でゲルマニウム含有量を含む。したがって、いくつかの実施形態において、例えばゲルマニウム元素及び／またはシリコンゲルマニウムなどの、十分なゲルマニウムは、シリコン溶融物に加えられ、それによって単結晶シリコンインゴットを引き上げることができ、単結晶シリコンインゴットの本体は少なくとも約１×１０^１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３、例えば少なくとも約３×１０^１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３、または少なくとも約５×１０^１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３の濃度のゲルマニウムを含む。単結晶シリコンインゴットの本体は、約１×１０^２２ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３未満、例えば約１×１０^２１ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３未満、または約１×１０^２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３未満の濃度のゲルマニウムを含むことができる。十分なゲルマニウムは、単結晶シリコンインゴットの結果の本体が、少なくとも約１×１０^１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３であり、約１×１０^２２ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３未満、例えば、少なくとも約３×１０^１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３、または約５×１０^１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３から約１×１０^２１ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３未満、または約５×１０^１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３から約１×１０^２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３未満の濃度のゲルマニウムを含む。

いくつかの実施形態において、多結晶シリコン充填物は、例えば窒化シリコン及び／または窒素ガスなどの窒素のソースを含む。いくつかの実施形態において、十分な窒素は、単結晶シリコンインゴットの本体が、少なくとも約１×１０^１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３で、約１×１０^１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３未満の濃度の窒素を含むように加えられることができる。いくつかの実施形態において、単結晶シリコンインゴットの本体は約２×１０^１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３から約２×１０^１５ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３未満の濃度の窒素を含む。いくつかの実施形態において、単結晶シリコンインゴットの本体は、少なくとも約５×１０^１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３で約１×１０^１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３未満の濃度の窒素を含む。いくつかの実施形態において、単結晶シリコンインゴットの本体は、少なくとも約１×１０^１５ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３で約１×１０^１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３未満の濃度の窒素を含む。

いくつかの実施形態において、多結晶シリコン充填物は、ゲルマニウムのソースと窒素のソースを含む。したがって例えばゲルマニウム元素及び／またはシリコンゲルマニウムなどの、十分なゲルマニウムは、シリコン溶融物に加えられ、それによって単結晶シリコンインゴットを引き上げることができ、単結晶シリコンインゴットの本体は少なくとも約１×１０^１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３、例えば少なくとも約３×１０^１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３、または少なくとも約５×１０^１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３の濃度のゲルマニウムを含み、十分な窒素は、シリコン溶融物に加えられ、それによって、少なくとも約１×１０^１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３、例えば、少なくとも約２×１０^１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３または少なくとも約５×１０^１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３の濃度の窒素を含む、単結晶シリコンインゴットを引き上げることができる。

ヒータ電源サプライ１２３は、抵抗ヒータ１０５及び１０６にエネルギーを与え、断熱材１２５が真空チャンバ１０１の内壁を内張りする。ガスサプライ１２７（例えばボトル）は、真空ポンプ１３１が真空チャンバ１０１から気体を取り除くので、ガスフローコントローラ１２９を経由して、真空チャンバ１０１にアルゴンガスを供給する。リザーバ１３５から冷却水が供給される外側チャンバ１３３は、真空チャンバ１０１を囲う。

冷却水は、その後、冷却水戻りマニホールド１３７に排出される。通常、フォトセル１３９（またはパイロメータ）などの温度センサは、溶融物の表面における溶融物２５の温度を測定し、直径トランスデューサ１４１は、単結晶２７の直径を測定する。この実施形態において、システム１００は、上部ヒータを含まない。上部ヒータが存在または上部ヒータの欠如は、結晶２７の冷却特性を変える。

例えばソレノイドコイル３１などの上部磁石、及び例えばソレノイドコイル３３などの下部磁石は、この実施形態で、溶融物レベル３６の上部と下部にそれぞれ設置される。コイル３１と３３は、断面図に示されるように、真空チャンバ（図示せず）を囲い、対称軸３８で軸を分ける。１つの実施形態において、上部と下部コイル３１と３３は、これに限定されるものではないが、それぞれが、コントロールユニット１４３に接続され、コントロールユニット１４３によって制御された、上部コイル電源サプライ１４９及び下部コイル電源サプライ１５１を含む、分離した電源サプライを有する。

この実施形態において、電流は、磁場（図３に示されるように）を発生するために２つのソレノイドコイル３１と３３で、反対の方向に流れる。リザーバ１５３は、冷却水戻りマニホールド１３７を通って排出する前に、上部と下部コイル３１と３３に冷却水を提供する。鉄のシールド１５５は浮遊磁場を減らし、発生される場の強度を強化するためにコイル３１と３３を囲う。

制御ユニット１４３は、これに限定されるものではないが、結晶回転率、るつぼ回転率、及び磁場強度の少なくとも１つを含む、複数のプロセスパラメータを調整するために使われる。様々な実施形態において、コントロールユニット１４３は、これに限定されるものではないが、フォトセル１３９及び直径トランスデューサ１４１を含むシステム１００の様々なセンサから受ける信号、及び、これに限定されるものではないが、るつぼ駆動ユニット１０７、結晶駆動ユニット１２１、ヒータ電源サプライ１２３、真空ポンプ１３１、ガスフローコントローラ１２９（例えばアルゴンフローコントローラ）、上部コイル電源サプライ１４９、下部コイル電源サプライ１５１、及びそれらの任意の組み合わせを含む、システム１００の１以上の装置を制御する信号、を処理するプロセッサ１４４を含んでもよい。

実施例実施形態において、システム１００は、装置製造に使用するのに適したシリコン結晶インゴットを生産する。単結晶シリコンインゴットは、おおむね円筒形で、引き上げ条件によって、円すい形のクラウン及びクラウンの反対の円すいの端部で被せられる。したがって、本発明の方法によって引き上げられた単結晶シリコンインゴットは、中心軸、クラウン、クラウンの反対の端部、及びクラウンと反対の端部との間の本体とを備え、本体は、側面と、中心軸から側面へ延びる半径Ｒを有する。有利に、システム１００は、実質的な部分または全てが、凝集真性点欠陥を実質的に含まない、単結晶シリコンインゴット２７を生産するために使われることができる。さらに、システム１００は、直径約１２０ナノメータ（ｎｍ）、または特に、直径約９０ｎｍより大きい凝集欠陥を実質的に有しない単結晶シリコンインゴット２７を生産するために使われてもよい。固液または溶融物−結晶界面の形状及び引き上げ速度は、凝集真性点欠陥の形成を限定及び／または抑制するために結晶成長の間、制御される。

生産の間、酸素は、固液または溶融物−結晶界面を通して、単結晶シリコンインゴットの中に導入される。しかしながら、酸素は、インゴットから生産されたウェハに様々な欠陥を引き起こし、半導体装置の収率を減らす。したがって、低酸素濃度の単結晶シリコンインゴットを生産することが望ましい。本明細書で記載された方法を使って、単結晶シリコンインゴットは、約６ｐｐｍａ未満、または約５ｐｐｍａ未満、または約４ｐｐｍａ未満、約３ｐｐｍａ未満の酸素濃度を有して生産される。これらの濃度は、Ｎｅｗ ＡＳＴＭ：ＡＳＴＭ Ｆ １２１，１９８０−１９８３；ＤＩＮ ５０４３８／１，１９７８による。

いかなる特定の理論に限定されることなく、酸素は、相互作用する一連のイベントによって溶融物から出現する成長シリコン結晶インゴットの中に導入され、イベントのそれぞれは、本明細書で以下に記載されるように少なくとも１つのプロセスパラメータによって影響を与えられる。ＳｉＯは、るつぼ壁の溶解によって溶融物の中に導入される。るつぼ壁において導入されたＳｉＯは、るつぼ壁の近くの溶融物の局所的な加熱よって作り出された浮力によって誘導された流れを通して溶融物の他の場所に移動されることができる。ＳｉＯは、さらに溶融物結晶界面における結晶の回転率及びるつぼ自身の回転率によって誘導された追加の流れによって移動されることができる。溶融物のＳｉＯの濃度は、溶融物の曝された表面において、溶融物から蒸発によって減らすことができる。溶融物の中のＳｉＯの溶解、対流、及び蒸発の任意の組み合わせの相互作用は、シリコン結晶インゴットの中に形成された結晶−溶融物界面の近くに位置づけられた溶融物のＳｉＯの濃度に影響を与える。様々な態様において、任意の１以上のプロセスパラメータは、同時に、溶融物−結晶界面の近くに位置づけられたＳｉＯの濃度を減らすために調整され、その結果として、方法によって形成されたシリコン結晶インゴットの中の酸素濃度を減らす。

様々な実施形態において、様々なプロセスパラメータは、低酸素濃度のシリコン結晶インゴットを生産することを容易にするために同時に調整される。１つの実施形態において、様々なプロセスパラメータは、約８００ｍｍの中間インゴット長さまでのシリコン結晶インゴットの成長に対応する中間本体成長ステージと、約８００ｍｍの中間インゴット長さから総インゴット長さまでのシリコン結晶インゴットの成長に対応する後半本体成長ステージを含む、少なくとも２つのステージで調整される。この実施形態において、少なくとも２つの異なるステージにおけるさまざまなプロセスパラメータの調整は、溶融物の中のＳｉＯの溶解、対流、蒸発の相互作用の働きの変化、るつぼの中の溶融物の深さ、及びシリコン結晶インゴットが長さに成長するときのるつぼの溶融物の中のフローセルから成る。

特に、対流の役割は、以下に詳細に記載されるように、シリコン結晶インゴットの成長に関連された、るつぼの中の溶融物の深さの減少によって、全シリコン結晶インゴットの形成を通して、変更される。結果として、後半本体成長ステージにおいて、少なくとも１つのプロセスパラメータの調整は、中間本体成長ステージにおいて、これらの同じパラメータの調整に対して、異なって変更される。いくつかの実施形態において、後半本体成長ステージにおいて、少なくとも３つのプロセスパラメータの調整は、中間本体成長ステージにおけるこれらの同じパラメータの調整に対して、異なって変更される。本明細書で以下に記載されるように、プロセスパラメータの調整は、後半本体成長ステージにおいて溶融物の中のＳｉＯの対流に関連したさまざまな要因を調節する。１つの実施形態において、後半本体成長ステージの間に変更される調整のプロセスパラメータは、これに限定されるものではないが、種回転率、るつぼ回転率、及び磁場強度を含む。

再び図４を参照すると、種回転率は、プルシャフトまたはケーブル１１７が、軸３８の周りを種結晶１１５が回転する、率をいう。種回転率は、るつぼ１０から結晶２７へのＳｉＯの流れと、溶融物２５からＳｉＯ蒸発の率に影響を及ぼす。再び図２を参照すると、るつぼ１０から結晶２７へのＳｉＯの流れは、溶融物２５の中の種回転率において、結晶２７の回転によって駆動される結晶フローセル１８と、るつぼ１０の中の溶融物２５の加熱によって駆動される浮力のフローセル１７の間の相互作用によって、一般的に影響を与えられる。るつぼ１０から結晶２７へのＳｉＯの流れの種回転率の影響は、結晶２７の成長のステージによって、異なる。

図５Ａは、約８００ｍｍの中間インゴット長さまでの結晶２７（図１を参照すると）の成長に対応する、中間本体成長ステージにおける溶融物２５（図２を参照すると）の中のシミュレートされた流線と酸素濃度の断面図である。中間本体成長ステージにおいて、るつぼ１０の中の溶融物２５の深さ２００は、結晶フローセル１８と浮力フローセル１７によって誘導される流体運動の間の相互作用を効果的に切り離すのに足りるほど深い。高い種回転率（すなわち、１２ｒｐｍ）は、ＳｉＯ蒸発を増加するための、溶融物線３６と溶融物２５上のガスの間の境界層厚さを減らす。さらに、高い種回転率は、図５Ａに描かれているように、誘導された結晶フローセル１８と共に浮力フローセル１７を抑制することによって、るつぼ１０から結晶２７へ溶融物フローを減らす。さらに、高い種回転率は、るつぼ１０からＳｉＯの内部フロー（すなわち、輸送）を遅らせる外側半径フローを作り出し、結晶２７の酸素濃度を減らす。

図５Ｂは、約８００ｍｍの中間インゴット長さから総インゴット長さまでの結晶２７の成長に対応する、後半本体成長ステージにおける溶融物２５の中のシミュレートされた流線と酸素濃度の断面図である。結晶２７の形成に関連したるつぼ１０から溶融物２５の除去により、後半本体成長ステージにおける深さ２００は、図５Ａに描かれたように、中間本体成長ステージにおいて、深さ２００に関してより浅い。図５Ａにおいて描かれた、シミュレーションを処理するために使われる物に対して同様の高い速度の回転率（すなわち、１２ｒｐｍ）において、結晶フローセル１８は、るつぼ１０の内側壁に接触し、後半本体成長ステージにおいて形成される結晶２７の中のるつぼ１０の内壁において形成されるＳｉＯの対流を引き起こす。

図５Ｃは、低い種回転率（例えば、８ｒｐｍ）において計算された後半本体成長ステージにおいて、溶融物２５の中にシミュレートした流線及び酸素濃度の断面図である。低い種回転率によって誘導された結晶フローセル１８は、るつぼ１０の内壁に伸びないが、代わりに、浮力セル１７によって、排除される。結果として、結晶２７へるつぼ１０の内壁において生産されるＳｉＯの流れは、邪魔され、それによって、減少された種回転率で、後半本体成長ステージにおいて形成される結晶２７の中の酸素濃度を減少する。

本明細書で記載されたように、中間から後半本体成長ステージへの遷移は、穏やかな遷移である。遷移は、例えば、るつぼの大きさ、形状、溶融物の深さ、モデリングパラメータなどのプロセスの様々なパラメータによって変わることができる。一般的に、中間本体成長ステージにおいて、パラメータは、結晶フローセル１８及び浮力フローセル１７によって誘導された流体運動の間の相互作用が限定されるかまたは相互作用がないようなものであり、結晶フローセル１８及び浮力フローセル１７は効果的に分断される。後半本体成長ステージにおいて、パラメータは、結晶フローセル１８と浮力フローセル１７によって誘導される流体運動の間の相互作用があるようなものであり、結晶フローセル１８と浮力フローセル１７は効果的に結合される。限定されない実施例を手段として、後半本体成長ステージは、約３６インチの内側直径のるつぼ１０に１８０ｋｇから４５０ｋｇの初期溶融物質量を含む実施形態で、溶融物２５の最初の質量の３７％未満が、るつぼ１０に残っているときに起こる。様々な実施形態において、るつぼ１０の中の溶融物２５の深さ２００は、中間から後半本体成長ステージの遷移を識別するためにモニタされる。他の実施形態において、後半本体成長ステージは、溶融物２５の初期質量の約３５％未満、約４０％未満、約４５％未満、または約５０％未満が、るつぼ１０に残っているときに起こる。いくつかの実施形態において、中間から後半本体成長ステージの遷移は、溶融物２５の深さ、または他の適切なパラメータに基づいて決定される。

さまざまな実施形態において、方法は、これに限定されるものではないが、中間本体成長ステージ及び後半本体成長ステージを含む、少なくとも２つのステージで種回転率を調整することを含む。１つの実施形態において、方法は、約８から１４ｒｐｍの範囲、さらに特には１２ｒｐｍの種回転率において、中間本体成長ステージの間の結晶２７を回転すること含む。この実施形態において、方法はさらに、約６ｒｐｍから８ｒｐｍの範囲、さらに特には８ｒｐｍの種回転率へ、後半本体成長ステージにおける種回転率を減らすことを含む。

別の実施形態において、種回転率は、中間インゴット長さによって減少されてもよい。限定されない実施例を手段として、種回転率は、図９に描かれるように約８５０ｍｍまでの中間インゴット長さで約１２ｒｐｍに調整されてもよく、さらに約９５０ｍｍの中間インゴット長さにおいて、約８ｒｐｍに直線的に減らすように調整されてもよく、その後、総インゴット長さまで、約８ｒｐｍに種回転率を調整する。図９にも記載されているように、約８００ｍｍから総インゴット長さの範囲の本体長さの中の結晶の酸素含有量は、約１２ｒｐｍの一定の種回転率で形成された結晶と比較して減少される。図６は、３つの回転スケジュールによる種回転率で形成される結晶のシミュレートした酸素濃度を比較したグラフである。ａ）全結晶の形成で１２ｒｐｍで回転、ｂ）９００ｍｍの中間結晶長さまで１２ｒｐｍで回転に続いて、残りの結晶長さの形成で８ｒｐｍで回転、及びｃ）９００ｍｍの中間結晶長さまで１２ｒｐｍで回転に続いて、残りの結晶長さの形成で６ｒｐｍで回転。図６に描かれているように、低い種回転率は、後半本体成長ステージにおいて形成された結晶の一部の中の酸素濃度を減らした。

るつぼ回転率は、さらに、方法の実施形態によって形成された結晶２７の中の酸素濃度に影響を与えることができる。るつぼ回転率は、るつぼ１０がるつぼ駆動ユニット１０７を使って軸３８の周りを回転する率をいう。るつぼ回転率は、るつぼ１０から結晶２７へのＳｉＯの流れ及び溶融物２５から蒸発するＳｉＯの量に影響を与える。高いるつぼ回転率は、るつぼ１０と溶融物２５の間の境界層厚さと、溶融物線３６と溶融物２５より上のガスの間の境界層厚さの両方を減らす。しかしながら、結晶２７の酸素濃度を最小化するために、るつぼ１０と溶融物２５の間の厚い境界層は、ＳｉＯ輸送率を減らすことが切望される一方で、溶融物線３６と溶融物２５の上のガスの間の薄い境界層は、ＳｉＯ蒸発率を増やすことが切望される。したがって、るつぼ回転率は、低いるつぼ回転率からもたらされるるつぼ１０と溶融物２５の間の高い境界層厚さと、高いるつぼ回転率からもたらされる溶融物線３６と溶融物２５上のガスの間の低い境界層厚さの競合する利益の均衡を保つように選択される。

上記の本明細書で記載された中間本体成長ステージと後半本体成長ステージの間の溶融物１０の深さ２００の変化は、前に本明細書で記載された種回転率の影響と同様な方法で、酸素濃度のるつぼ回転率の調整に影響を与える。様々な実施形態において、方法は、これに限定されるものではないが、中間本体成長ステージと後半本体成長ステージを含む、少なくとも２つのステージで、るつぼ回転率を調整することを含む。１つの実施形態において、方法は、約１．３ｒｐｍから約２．２の範囲、さらに特には、１．７ｒｐｍのるつぼ回転率で、中間本体成長ステージにおいて、るつぼ１０を回転することを含む。この実施形態において、方法はさらに、約０．５ｒｐｍから約１．０ｒｐｍの範囲、さらに特には、１ｒｐｍのるつぼ回転率へ、後半本体成長ステージにおいて、るつぼ回転率を減らすことを含む。

図７Ａ及び７Ｂは、後半本体成長ステージにおいて、るつぼ回転率の関数として、シリコンインゴットの中のシミュレートした酸素濃度を示すグラフである。図７Ａのシリコンインゴットは、種回転率が、後半本体成長ステージにおいて、１２ｒｐｍから６ｒｐｍに減らされ、るつぼ回転率が、後半本体成長ステージにおいて、約１．７ｒｐｍから１ｒｐｍまたは１．５ｒｐｍに減らされた方法の実施形態を使って形成された。図７Ｂのシリコンインゴットは、種回転率が、後半本体成長ステージにおいて、１２ｒｐｍから８ｒｐｍに減らされ、るつぼ回転率が、後半本体成長ステージにおいて、約１．７ｒｐｍから０．５ｒｐｍ、１ｒｐｍ、または１．５ｒｐｍに減らされた方法の実施形態を使って形成された。両方のシミュレーションにおいて、低いるつぼ回転率は、もたらされたシリコンインゴットの中の低酸素濃度と関連づけられた。

方法はさらに、これに限定されるものではないが、中間本体成長ステージと後半本体成長ステージを含む少なくとも２つのステージで、磁場強度を調整することを含む。磁場強度は、真空チャンバ中のカスプ磁場の強度をいう。さらに特には、磁場強度は、磁場強度を調整するために制御されるコイル３１と３３に流れる電流によって特徴付けられる。磁場強度は、るつぼ１０から結晶２７へのＳｉＯの流れに影響を与える。すなわち、高い磁場強度は、溶融物２５の中の浮力を抑制することによって、るつぼ１０から結晶２７へのＳｉＯの流れを最小化する。磁場は浮力フローを抑制するので、石英るつぼの溶解率を減らし、それゆえ、結晶の中に組み込まれる格子間酸素を低減する。しかしながら、磁場強度があるレベルを超えて増加すると、浮力フローのさらなる妨害が、溶融物自由表面における蒸発率を減らす結果をもたらし、それゆえ、格子間酸素レベルが上がる。本明細書で前に記載されたように、中間本体形成ステージに対して、後半本体形成ステージにおける結晶の酸素含有量への浮力フローの相対的な貢献の違いにより、後半本体形成ステージにおける磁場強度の調整は、後半本体形成ステージにおいて形成された結晶の中の酸素を減らすための浮力フローの適切な調整を可能とする。

様々な実施形態において、方法は、これに限定されるものではないが、中間本体成長ステージと後半本体成長ステージを含む、少なくとも２つのステージにおいて、磁場強度を調整することを含む。１つの実施形態において、方法は、磁場強度が、固液界面の結晶２７の端部において、約０．０２から０．０５テスラ（Ｔ）であり、るつぼ１０の壁において約０．０５から０．１２Ｔであるように、中間本体成長ステージにおいて、磁場強度を調整することを含む。別の態様において、方法は、磁場強度が、固液界面の結晶２７の端部において、約０．０３から０．０７５テスラ（Ｔ）、るつぼ１０の壁において約０．０７５から０．１８Ｔに対応する、中間本体成長ステージの間使われた磁場強度の約１５０％であるように、後半本体成長ステージにおいて磁場強度を調整することを含む。

図８Ａ、８Ｂ、及び８Ｃは、後半本体成長ステージにおいて、溶融物２５の中のシミュレートした流線と総速度の断面図である。図８Ａは、中間本体成長ステージにおいて使われた磁場の５０％（すなわち固液界面の結晶２７の端部において、約０．０１から０．０２５テスラ（Ｔ）、るつぼ１０の壁において約０．０２５から０．０６Ｔ）に対応する磁場強度を使ってシミュレートされた。図８Ｂは、中間本体成長ステージにおいて使われた磁場の９５％（すなわち固液界面の結晶２７の端部において、約０．０１９から０．０４７５テスラ（Ｔ）、るつぼ１０の壁において約０．０４７５から０．１１４Ｔ）に対応する磁場強度を使ってシミュレートされた。図８Ｃは、中間本体成長ステージにおいて使われた磁場の１５０％（すなわち固液界面の結晶２７の端部において、約０．０３から０．０７５テスラ（Ｔ）、るつぼ１０の壁において約０．０７５から０．１８Ｔ）に対応する磁場強度を使ってシミュレートされた。図８Ａ、８Ｂ、及び８Ｃを比較すると、磁場の強度が増加するので、るつぼ１０の底部から溶融物−結晶界面３０２への流れ３００は、低い磁場強度（図８Ａ）における溶融物−結晶界面３０２への相対的に大きい対流から、高い磁場強度における相対的に小さい対流へ遷移する。増加された磁場によって溶融物２５の中の浮力フローのこの抑制は、以下の表１に要約されるように、結果物のシリコンインゴットに低い酸素濃度をもたらす結果となる。１５０％磁場強度において、シミュレートされた酸素濃度は、５％パーツパーミリオン原子（ｐｐｍａ）より低い所望の範囲内であった。

表１：シリコンインゴットの酸素濃度における後半本体成長ステージの磁場強度の効果

１以上の追加のプロセスパラメータは、低酸素濃度のシリコン結晶インゴットを生産することを容易にするために調整されてもよい。しかしながら、これらの追加のプロセスパラメータの効果は、結晶２７の成長の間、るつぼ１０の中の溶融物２５の深さ２００の変化に敏感ではない。結果として、本明細書で記載された追加のプロセスパラメータの調整は、以下に追加の詳細で記載されるように、結晶成長の異なるステージの間、本質的に同じ状態のままである。

制御された１つの追加のプロセスパラメータは、少なくともいくつかの実施形態において、るつぼ１０の壁の温度である。るつぼ１０の壁の温度は、るつぼ１０の溶解率に対応する。特に、るつぼ１０の壁の温度を高くすると、るつぼ１０の一部が溶融物２５と反応して中に溶解することを速くし、溶融物の中にＳｉＯを発生し、潜在的に溶融物−結晶界面を通して結晶２７の酸素濃度を増加させる。したがって、るつぼ１０の壁の温度を減少することは、本明細書で使われるように、るつぼ１０の溶解率を減らすことと同等である。るつぼ１０の壁の温度を減らすことによって（すなわち、るつぼ１０の溶解率を減らす）、結晶２７の酸素濃度を減らすことができる。壁の温度は、これに限定されるものではないが、ヒータ電源、溶融物対反射体間隙を含む１以上の追加のプロセスパラメータを制御することによって、調整することができる。

ヒータ電源は、るつぼ１０の壁の温度を調整するためのいくつかの実施形態で制御されることができる、別のプロセスパラメータである。ヒータ電源は、側部及び底部ヒータ１０５及び１０６の電源をいう。特に、典型的な加熱構成に対して、側部ヒータ１０５の電源を増加し、底部ヒータ１０６の電源を減らすことによって、るつぼ１０の壁の加熱スポットは、溶融物線３６の近くに上がる。溶融物線３６においてまたは下のるつぼ１０の壁の温度が低いとき、るつぼ１０と反応する溶融物２５によって発生されたＳｉＯの量もまた低い。ヒータ電源構成は、また、るつぼ１０から単結晶２７へＳｉＯの流れ（すなわち、輸送）を減らすことによって、溶融物フローに影響を与える。この実施形態において、底部ヒータ１０６の電源は、約０から５キロワット、さらに特には約０キロワットであり、側部ヒータ１０５の電源は、約１００から１２５キロワットの範囲である。側部ヒータ１０５の電源のバリエーションは、例えば、引き上げるものから引き上げるものへの加熱ゾーンのバリエーションに起因してもよい。

いくつかの実施形態において、溶融物対反射体間隙は、るつぼ１０の壁の温度を調整するために制御される追加のプロセスパラメータである。溶融物対反射体間隙は、溶融物線３６と加熱反射体（図示せず）の間の間隙をいう。溶融物対反射体間隙は、るつぼ１０の壁の温度に影響を与える。特に、大きい溶融物対反射体間隙は、るつぼ１０の壁の温度を減らす。この実施形態において、溶融物対反射体間隙は、約６０ｍｍから８０ｍｍ、さらに特には７０ｍｍである。

種の持ち上げは、るつぼ１０から結晶２７へＳｉＯの流れを調整するために制御された追加のプロセスパラメータである。種の持ち上げは、プルシャフトまたはケーブル１１７が溶融物２５の外へ種結晶１１５を持ち上げる率をいう。１つの実施形態において、種結晶１１５は、３００ｍｍ生産物で、約０．４ｍｍ／ｍｉｎから約０．７ｍｍ／ｍｉｎ、例えば、約０．４２から０．５５ミリメータパー分（ｍｍ／ｍｉｎ）の範囲、さらに特には、０．４６ｍｍ／ｍｉｎの率で持ち上げられる。この引く率は、小さい直径（例えば、２００ｍｍ）結晶で典型的に使われる引く率よりも遅い。例えば、２００ｍｍ生産物で種の持ち上げは、約０．５５ｍｍ／ｍｉｎから約０．９５ｍｍ／ｍｉｎ、例えば、約０．５５から０．８５ｍｍ／ｍｉｎの範囲など、さらに特には、０．７ｍｍ／ｍｉｎであることができる。

引く速度は、結晶の欠陥品質を制御するために調整されることができる追加のプロセスパラメータである。例えば、ＳＰ２レーザ光散乱を使って、本明細書で記載されたプロセスによって発生した検知された格子点欠陥は、６０ｎｍ未満の欠陥で４００個未満、６０から９０ｎｍの間の欠陥で１００個未満、９０から１２０ｎｍの間の欠陥で１００個未満であることができる。

いくつかの実施形態において、不活性ガス流は、溶融物２５からＳｉＯ蒸発を調整するために制御される追加のプロセスパラメータである。不活性ガス流は、本明細書で記載されるように、アルゴンガスが、真空チャンバ１０１を通って流れる率をいう。アルゴンガス流量の増加は、結晶２７から離れる溶融物線３６の上のさらなるＳｉＯガスを一掃し、ＳｉＯガスの分圧を最小化し、次にＳｉＯ蒸発を増加する。この実施形態において、アルゴンガス流量は、約１００ｓｌｐｍから１５０ｓｌｐｍの範囲である。

不活性ガス圧力は、いくつかの実施形態において溶融物２７からＳｉＯ蒸発を調整するためにも制御される追加のプロセスパラメータである。不活性ガス圧は、本明細書で記載されるように、真空チャンバ１０１を通って流れるアルゴンガスの圧力をいう。アルゴンガス圧を減少させることにより、ＳｉＯ蒸発を増加させ、このため、溶融物２５のＳｉＯ濃度が減少する。この実施形態において、アルゴンガス圧は、約１０ｔｏｒｒから３０ｔｏｒｒの範囲である。

適切な実施形態において、カスプ位置は、るつぼ１０の壁の温度と、るつぼ１０から結晶２７へのＳｉＯの流れを調整するために制御される追加のプロセスパラメータである。カスプ位置は、本明細書で記載されるように、コイル３１と３３によって発生される磁場のカスプの位置をいう。溶融物線３６より下のカスプ位置を維持することは、酸素濃度を減らすことを促進する。この実施形態において、カスプ位置は、溶融物線３６の下、約１０ｍｍから４０ｍｍの範囲、さらに特には、溶融物線３６の下、約２５ｍｍから３５ｍｍの範囲、及びさらに特には、約３０ｍｍおいて、設定される。

上記で記載されるように、プロセスパラメータを制御することによって（すなわち、ヒータ電源、るつぼ回転率、磁場強度、種の持ち上げ、溶融物対反射体間隙、不活性ガス流、不活性ガス圧、種回転率、及びカスプ位置）、複数のプロセスパラメータが（すなわち、るつぼの壁の温度、るつぼから単結晶へのＳｉＯの流れ、及び溶融物からＳｉＯの蒸発）、低酸素濃度を有するシリコンインゴットを生産するために調整される。１つの実施形態において、本明細書で記載された方法は、約１５０ミリメータ（ｍｍ）より大きいインゴット直径、少なくとも約９００ｍｍの総インゴット長さ、６ｐｐｍａ未満、例えば、約５ｐｐｍａ未満、約４ｐｐｍａ未満、またはさらに約３ｐｐｍａ未満の酸素濃度を備えるシリコンインゴットを生産することを容易にする。別の実施形態において、本明細書で記載された方法は、約１５０ｍｍから４６０ｍｍの範囲、特に約３００ｍｍのインゴット直径、６ｐｐｍａ未満、例えば、約５ｐｐｍａ未満、約４ｐｐｍａ未満、またはさらに約３ｐｐｍａ未満の酸素濃度を備えるシリコンインゴットを生産することを容易にする。さらに別の追加の実施形態において、本明細書で記載された方法は、約９００ｍｍから１２００ｍｍの範囲の総インゴット長さ、６ｐｐｍａ未満、例えば、約５ｐｐｍａ未満、約４ｐｐｍａ未満、またはさらに約３ｐｐｍａ未満の酸素濃度を備えるシリコンインゴットを生産することを容易にする。これらの濃度は、Ｎｅｗ ＡＳＴＭ：ＡＳＴＭ Ｆ １２１，１９８０−１９８３；ＤＩＮ ５０４３８／１，１９７８による。

単結晶シリコンウェハは、本発明の方法によって準備された単結晶シリコンインゴットまたはスラグから従来の技術により薄く切り出されることができる。一般に、単結晶シリコンウェハは、一方が、単結晶シリコンウェハの前面であり、他方が、前記単結晶シリコンウェハの裏面である、２つの主要で、平行な表面と、単結晶シリコンウェハの前面と裏面を接合する周縁エッジと、前面と裏面の間のバルク領域と、単結晶シリコンウェハの前面と裏面の間の単結晶シリコンウェハの中央平面と、を備える。ウェハは、その後従来のプロセスを経る。したがって、任意の鋭く、もろい端部は、ウェハに強度と安定性を提供するために、丸められまたはプロファイルされる。これは、続くプロセスにおいて、チッピングまたは破損を最終的に防ぐ。次にそれぞれのウェハは、とても小さな英数字またはバーコード文字でレーザマークされる。このレーザマークＩＤは、ウェハが製造された具体的な日、機械、及び設備に対して完全なトレーサビリティを与える。ウェハは、その後さらに均一に、同時に、前面と裏面の表面に存在する切断ダメージを取り除くこと確実にするために、回転板及び研磨剤スラリからの圧力を使う精密な「ラッピング」機械に積み込まれる。このステップは、また原料除去を提供し、平坦度の均一性を促進する。これからウェハは、「エッチング」サイクルを通るに違いない。化学エッチングは、ラッピングによって引き起こされた残りの表面ダメージを除去するのに必要であり、またいくらかの原料除去を提供する。エッチングサイクルの間、ウェハは、正確な流体力学で、別の一連の化学バスとリンスに進む。これらの薬液は、光沢仕上げされた平らな強いウェハを生産する。全てのウェハは、その後、機械特性とプロセスフィードバックのためにサンプリングされる。

本明細書で記載されたシステム及び方法を使った、低酸素濃度（すなわち、約６ｐｐｍａ未満、約５ｐｐｍａ未満、約４ｐｐｍａ未満、またはさらに約３ｐｐｍａ未満）を有するウェハは、さまざまな用途において利点があることができる。例えば、絶縁ゲートバイポーラトランジスタ（ｉｎｓｕｌａｔｅｄ−ｇａｔｅ ｂｉｐｏｌａｒ ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒｓ（ＩＧＢＴｓ）、高品質の無線周波数（ｈｉｇｈ ｑｕａｌｉｔｙ ｒａｄｉｏ−ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ（ＲＦ））、高抵抗率シリコンオンインシュレータ（ｈｉｇｈ ｒｅｓｉｓｔｉｖｉｔｙ ｓｉｌｉｃｏｎ ｏｎ ｉｎｓｕｌａｔｏｒ（ＨＲ−ＳＯＩ）、及び電荷捕獲層ＳＯＩ（ｃｈａｒｇｅ ｔｒａｐ ｌａｙｅｒ ＳＯＩ（ＣＴＬ−ＳＯＩ））、ＧａＮ ＥＰＩのための基板の用途は、それらが高抵抗率を達成し、ｐ−ｎ接合を有さないため、低酸素濃度から利益を得ることができる。いくつかの実施形態において、単結晶シリコンウェハの抵抗率は、少なくとも約３０００Ωｃｍ、例えば少なくとも約４０００Ωｃｍ、少なくとも約５０００Ωｃｍ、少なくとも約１００００Ωｃｍ、例えば、少なくとも約１５０００Ωｃｍ、またはさらに少なくとも約２００００Ωｃｍである。本明細書で記載された方法を使って、ＩＧＢＴ用途で生産されたウェハは、例えば、３０から３００オームセンチメータ（Ωｃｍ）のＮ型抵抗率または７５０Ωｃｍより大きいＮ／Ｐ型抵抗率を有することができる。さらに、本明細書で記載された方法を使って、無線周波数（ＲＦ）、高抵抗率シリコンオンインシュレータ（ＨＲ−ＳＯＩ）、及び／または電荷捕獲層ＳＯＩ（ＣＴＬ−ＳＯＩ）及び／またはＧａＮ ＥＰＩ用途で生産されたウェハは、例えば、７５０Ωｃｍより大きいＰ型ウェハ、または少なくとも約３０００Ωｃｍ、例えば少なくとも約４０００Ωｃｍ、少なくとも約５０００Ωｃｍ、少なくとも約１００００Ωｃｍ、例えば、少なくとも約１５０００Ωｃｍ、またはさらに少なくとも約２００００Ωｃｍを有することができる。記載されたシステム及び方法で生産されたウェハは、ハンドルウェハとして使われることもできる。本明細書で記載された方法を使って生産されたＰ型ウェハのために、ボロン、アルミニウム、ガリウム、及び／またはインジウムは、多数キャリアとして適宜使われることができ、赤リン、リン、ヒ素、及び／またはアンチモンは、小数キャリアとして使われることができる。本明細書で記載された方法を使って生産されたＮ型ウェハのために、赤リン、リン、ヒ素、及び／またはアンチモンは、多数キャリアとして使われることができ、ボロン、アルミニウム、ガリウム、及び／またはインジウムは、小数キャリアとして使われることができる。

機械的強度とスリップ性能を改善するために、記載された方法を使って生産されたウェハは、ゲルマニウム及び／または窒素（例えば、インゴットを形成する単結晶をドーピングすることによって）共ドープすることができる。ゲルマニウムは、溶解プロセスの間、溶融物に、例えばゲルマニウム元素及び／またはシリコンゲルマニウムなど、ゲルマニウムのソースを加えることによって、単結晶シリコンインゴットに組み込まれることができる。ゲルマニウムは、それによって分離原理に基づいて単結晶シリコンインゴットに組み込まれる。したがって、いくつかの実施形態において、本発明の方法によって、引き上げられたインゴットから薄く切り出された単結晶シリコンウェハは、少なくとも約１×１０^１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３、例えば、少なくとも約３×１０^１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３、または少なくとも約５×１０^１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３などの濃度のゲルマニウムを含む。本発明の方法によって、引き上げられたインゴットから薄く切り出された単結晶シリコンウェハは、約１×１０^２２ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３未満、例えば約１×１０^２１ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３未満、約１×１０^２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３未満などの濃度のゲルマニウムを含む。いくつかの実施形態において、単結晶シリコンウェハは、少なくとも約１×１０^１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３で、約１×１０^２２ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３未満の濃度のゲルマニウムを含む。いくつかの実施形態において、単結晶シリコンウェハは、少なくとも約５×１０^１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３で、約１×１０^２２ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３未満の濃度のゲルマニウムを含む。単結晶シリコンインゴットの本体部分から薄く切り出された単結晶シリコンウェハは、これらの濃度範囲内のゲルマニウムを含む。

いくつかの実施形態において、窒素は、溶解プロセスの間、溶融物に、例えばシリコン窒素または窒素ガスなど窒素のソースを加えることによって、単結晶シリコンインゴットの中に組み込まれることができる。機械的強度を改善することに加えて、窒素ドーパントは、サーマルドナーを形成することによって、ウェハの電気特性を部分的に変えるために、Ｏｉと相互作用することができる。この電気特性は、そのような種の発生と消去温度は、それぞれ個々の種で異なるので、温度の関数であることができる。Ｏ−Ｏ、Ｎ−Ｏ、Ｇｅ−Ｏによって発生されたサーマルドナーは、異なる熱安定性を有する。例えば、Ｎ−Ｏサーマルドナーは、６００℃あたりで発生し、＜９００℃まで安定であることができる。それゆえ、Ｎ−Ｏサーマルドナーを分離するために、＞９００℃サーマルドナー消去（ｔｈｅｒｍａｌ ｄｏｎｏｒ ｋｉｌｌ（ＴＤＫ））ステップは、ウェハの抵抗率を制御するために必要とされることができる。代わりに、そのようなＴＤＫプロセスステップの欠如において、結晶のドーピングは、目標抵抗率を達成するために、ＴＤによって、抵抗率シフトを補償するために調整されることができる。いくつかの実施形態において、単結晶シリコンインゴットは、ゲルマニウムと窒素が共ドープされる。いくつかの実施形態において、単結晶シリコンインゴットの本体は、少なくとも約１×１０^１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３、少なくとも約３×１０^１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３、または例えば少なくとも約５×１０^１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３などの濃度のゲルマニウムと、少なくとも約１×１０^１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３の濃度の窒素を含む。いくつかの実施形態において、単結晶シリコンインゴットの本体は、少なくとも約１×１０^１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３で、約１×１０^２２ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３未満の濃度のゲルマニウムと、少なくとも約１×１０^１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３で、約１×１０^１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３未満の濃度の窒素を含む。いくつかの実施形態において、単結晶シリコンインゴットの本体は、少なくとも約５×１０^１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３で約１×１０^１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３未満の濃度の窒素を含む。いくつかの実施形態において、単結晶シリコンインゴットの本体は、少なくとも約２×１０^１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３で、約１×１０^１５ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３未満の濃度の窒素を含む。いくつかの実施形態において、単結晶シリコンインゴットの本体は、少なくとも約３×１０^１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３で、約１×１０^２２ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３未満の濃度のゲルマニウムと、少なくとも約１×１０^１５ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３で約１×１０^１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３未満の濃度の窒素を含む。単結晶シリコンインゴットの本体部分から薄く切り出された単結晶シリコンウェハは、この濃度の範囲内のゲルマニウムと窒素を含む。

多結晶シリコンから形成された溶融物から比較的低酸素濃度の単結晶シリコンインゴットを生産する実施例のシステム及び方法は、本明細書で記載される。これらの方法は、比較的低酸素シリコンを生産するためのインゴットの生産の第１及び第２のステージの間の溶融物のフローセルの構造の変化を利用する。第１のステージの間、シリコンインゴットは比較的小さく、溶融物の深さは比較的深い。第２のステージは、シリコンインゴットの形成によって、るつぼの中の使い果たされた溶融物の深さに特徴付けられる。この第２のステージにおいて、溶融物の中のシリコンインゴットの回転によって誘導されるフローセルは、るつぼの底部と接触し、成長する結晶インゴットの中にるつぼの底部で形成された酸化シリコンの望まれない含有を引き起こすことができる。本明細書で記載された方法とシステムは、望まれない酸化シリコンの含有を制限するために、インゴットの生産を制御する。一般的に、少なくとも1つのプロセスパラメータは、第１のステージの間のその値に対して第２のステージの間に変化される。第１のステージから第２のステージのプロセスパラメータの変化の限定されない実施例は、減少した結晶回転率、減少したるつぼ回転率、増加した磁場強度、及びそれらの任意の組み合わせを含む。例えば、いくつかの実施形態において、シリコンインゴットは、るつぼの底部のフローセルが誘導する、回転の接触を減らすために、第２のステージの間、さらにゆっくり回転され、それによって、シリコンインゴットに含有された酸素の量を減らす。

本明細書で記載されたシステムと方法により、以前の方法を使って達成されたシリコンインゴットの長さを超えて、維持された低酸素濃度の単結晶シリコンインゴットの形成ができる。るつぼの中のフローセルの構造のプロセスパラメータのこれらの変化の効果と、さまざまな実施形態の方法を使って形成されたシリコンインゴットの酸素含有量の詳細な記載は、本明細書でさらに詳細に記載される。

本明細書で記載された方法の実施形態は、以前の方法及びシステムと比較して、優れた結果を達成する。例えば、本明細書で記載された方法は、少なくともいくつか知られた方法より低酸素濃度のシリコンインゴットを生産することが容易である。さらに、少なくともいくつか知られた方法とは異なり、本明細書で記載された方法は、１５０ｍｍより大きい直径、例えば３００ｍｍなどを有するインゴットの生産に使うことができる。

さらに、低酸素含有量で高抵抗率なウェハへのゲルマニウム不純物及び／または窒素不純物の組み込みは、高温動作の間、低下した機械的強度に苦しみ、ウェハスリップに影響を受ける通常のウェハの機械的強度を改善する。ゲルマニウムがドープされた低酸素ウェハの破壊強度は、成長及びポストアニールとして両方を改善することができる。ゲルマニウムをドーピングする別の利点は、サーマルドナー形成を低下させ、それによって、フリーキャリア濃度を減らし、高抵抗率なウェハができることである。またさらに、単結晶シリコンインゴット及びウェハのゲルマニウムドーピングは、効率的にボイド欠陥を抑制する。ゲルマニウムドーパント原子は、空孔と結合し、それによってボイドを形成するために必要な空孔集合を抑制する。空孔結合の追加の効果は、シリコン結晶格子のゲルマニウム原子のミスマッチに基づくひずみ緩和である。自由空孔の減少は、成長するボイドの抑制を導き、形成温度とそれゆえボイドの大きさを減らし、劣化したボイドの熱安定性を導く。さらに、単結晶シリコンインゴット及びウェハのゲルマニウムドーピングは、表面近傍領域のデヌーデッドゾーン（ＤＺ、すなわち酸素の沈殿が低い又はない領域）の形成を改善し、バルク領域のゲルマニウムで強化した酸素沈殿と表面近傍領域の酸素の外拡散の結果として、ワンステップ高温アニーリングの下で達成されることができる。

さらに、シリコン結晶にＮとＧｅドーピングの両方は、効果的にボイド欠陥を抑制し、著しく自由空孔の濃度を減らす（Ｊ． Ｃｒｙ． Ｇｒｏｗｔｈ ２４３（２００２）３７１−３７４）。それゆえ、結晶成長の間、従来のプロセスと比較して、同じ欠陥濃度で早く引き上げることができ、それゆえプロセスのスループットを改善する。これは、特に電荷捕獲層ＳＯＩ（ＣＴＬ−ＳＯＩ）用途に有益であり、ポリシリコンベースの電荷捕獲層は、高抵抗低酸素ハンドル及びＰ型ドナーウェハの間に追加される。ポリシリコン層の存在のために、高密度結晶欠陥（ＣＯＰ）は、装置製造の間、プロセスフローが途絶することなく、ハンドルウェハに許可されることができる（特にＬＬＳ検査の間）。

本発明の方法によって準備されたインゴットから薄く切り出されたウェハは、絶縁物構造上のシリコンの製造で、ハンドルウェハ及び／またはドナーウェハとして使用するために適当である。半導体ウェハ（例えば、シリコンウェハ）は、コンポジット層構造の準備に利用される。コンポジット層構造（例えば、セミコンダクタオンインシュレータ、及びさらに特には、シリコンオンインシュレータ（ＳＯＩ）構造）は、一般的に、ハンドルウェハまたは層、装置層、及びハンドル層と装置層の間の絶縁（すなわち、誘電体）フィルム（通常、酸化物層）を備える。一般に、装置層は、０．０１から２０マイクロメータの厚さであり、例えば、０．０５から２０マイクロメータの厚さなどである。厚いフィルム装置層は、約１．５マイクロメータから約２０マイクロメータの厚さの装置層を有することができる。薄いフィルム装置層は、約０．０１マイクロメータから約０．２０マイクロメータの厚さを有することができる。一般に、例えば、シリコンオンインシュレータ（ＳＯＩ）、シリコンオンサファイア（ＳＯＳ）、及びシリコンオンクォーツなどのコンポジット層構造は、密接な接触で２つのウェハを設置し、それによって、ファンデルワールス力によって密結合に続いて、結合を強化するための熱処理をする。アニールは、２つの界面の間で末端シラノール基からシロキサン結合に変換され、それによって結合を強化することができる。

熱アニール後、結合された構造は、さらに、層の転置を達成するために、ドナーウェハの実質的な部分を取り除くプロセスを経る。例えば、エッチング、研削などのウェハ薄化技術を使うことができ、しばしばバックエッチＳＯＩ（すなわちＢＥＳＯＩ）と言われ、シリコンウェハは、ハンドルウェハに結合され、その後ハンドルウェハにシリコンの薄い層のみが残るまで、ゆっくりエッチングされる。例えば米国特許第５，１８９，５００を参照して、その開示は、あたかもその全てが記載されるように、参照することによって本明細書に組み込まれる。この方法は、時間を消費し、コストが高く、基板の１つを捨て、一般に数マイクロよりも薄い層のために、適切な厚さの均一性を有しない。

層転置を達成するための別の一般的な方法は、水素埋め込みの利用に続いて熱誘導層分離する。粒子（例えば水素原子または水素及びヘリウム原子の組み合わせなど、原子またはイオン化された原子）は、ドナーウェハの前面の下に特定の深さで埋め込まれる。埋め込まれた粒子は、埋め込まれた特定の深さにおいてドナーウェハの劈開面を形成する。ドナーウェハの表面は、埋め込みプロセスの間にウェハに堆積された、有機組成物またはボロン組成物など、その他の汚染物を取りのくために洗浄される。

ドナーウェハの前面は、その後、親水結合プロセスによって、結合されたウェハを形成するためにハンドルウェハに結合される。結合前に、ドナーウェハ及び／またはハンドルウェハを、例えば、酸素または窒素などを含むプラズマにウェハ表面を曝すことによって活性化する。プラズマへの曝露は、活性化プロセスがドナー水（ｗａｔｅｒ）及びハンドルウェハの１つまたは両方の表面を親水性にする、しばしば表面活性と言われるプロセスの表面構造を改質する。ウェハの表面は、追加的に、例えばＳＣ１洗浄またはフッ化水素酸などのウェット処理によって、化学的に活性化されることができる。ウェット処理及びプラズマ活性は、順番にしたがって行われる、またはウェハは１つの処理のみなされてもよい。ウェハは、その後、プレスされ、結合は、それらの間に形成される。この結合は、ファンデルワールス力によって比較的弱く、さらにプロセスが起きるまえに強化されることが必要である。

いくつかのプロセスにおいて、ドナーウェハとハンドルウェハ（すなわち結合されたウェハ）との親水性結合は、結合されたウェハの組を加熱またはアニールすることによって強化される。いくつかのプロセスにおいて、ウェハ結合は、例えば約３００℃から５００℃の低温で起こることができる。いくつかのプロセスにおいて、ウェハ結合は、例えば約８００℃から１１００℃の高温で起こることができる。昇温した温度は、ドナーウェハ及びハンドルウェハの隣接表面の間の共有結合の形成を引き起こし、それゆえ、ドナーウェハとハンドルウェハの間の結合を固める。一般に、結合されたウェハの加熱とアニーリングによって、ドナーウェハに前に埋め込まれた粒子は、劈開面を弱くする。

ドナーウェハの一部は、その後ＳＯＩウェハを形成するために、結合されたウェハから劈開面に沿って、分離（すなわち劈開）される。劈開は、機械力が、結合されたウェハから離れるドナーウェハの一部を引っ張るために、結合されたウェハの反対側に垂直に与えられる、治具に結合されたウェハを設置することによって、実行されることができる。いくつかの方法によって、吸着カップは、機械力を与えるために利用される。ドナーウェハの一部の分離は、劈開面に沿った亀裂の伝播を開始するために、劈開面における結合されたウェハの端部において、機械的なくさびを適用することによって開始される。吸着カップによって与えられた機械力は、その後、結合されたウェハからドナーウェハの一部を引っ張り、それゆえＳＯＩウェハを形成する。ドナーは、ＳＯＩドナーウェハとして複数回の使用のために再利用されることができる。

他の方法によると、結合された組は、代わりに結合されたウェハからドナーウェハの一部を分離するための期間を通して昇温にさらされてもよい。昇温への曝露は、劈開面に沿った亀裂の開始と伝播を引き起こし、それゆえドナーウェハの一部を分離する。亀裂は、オストワルド成長によって成長する、埋め込まれたイオンからのボイドの形成によって形成する。ボイドは、水素及びヘリウムで満たされる。ボイドは、プレートレットになる。プレートレットの圧力ガスは、埋め込み平面のシリコンを弱らせる、マイクロキャビティ、マイクロクラックを伝播する。アニールが適当な時間において止められるならば、弱まった結合されたウェハは、機械プロセスによって劈開されることができる。しかしながら、熱処理は、長い期間及び／または高い温度で続けられるならば、マイクロクラックの伝播は、全ての亀裂が劈開面に沿って合体するレベルに到達し、それゆえ、ドナーウェハの一部を分離する。この方法は、ドナーウェハの再利用を可能とするが、通常、５００℃に達する温度へ埋め込まれた及び結合された組を加熱することが必要である。

例えばアンテナスイッチなどの装置に関連する、ＲＦの高抵抗率セミコンダクタオンインシュレータ（例えばシリコンオンインシュレータ）ウェハの使用は、コストと集積度に関して、従来の基板を超えた利益を提供する。高周波用途に導電性基板を使用したときの固有の寄生電力損失を減らし、高調波歪みを最小化するために、十分ではないが、高抵抗率な基板ウェハを使用することが必要である。したがって、ＲＦ装置のハンドルウェハの抵抗率は、一般に、約５００Ωｃｍより大きい。ハンドルウェハとして、本発明の方法によって準備されたウェハは、特に、ＲＦ装置の使用のための高抵抗率ＳＯＩ構造に適する。ＨＲ−ＳＯＩ構造は、低酸素濃度で、高抵抗率を有し、改善された機械的強度のためにゲルマニウムがドープされた高抵抗率ハンドルウェハを備えることができる。したがって、本発明のいくつかの実施形態は、ゲルマニウムがドープされたハンドルウェハ、誘電体層（一般に、埋め込み酸化シリコン層またはＢＯＸ）及び装置層を備える、ＨＲ−ＳＯＩ構造に案内される。

そのような基板は、装置が、ＲＦ周波数で動作されたときに、基板の実行抵抗率を減らし、寄生電力損失と装置の非線形性を生じさせるフリーキャリア（電子またはホール）の発生を引き起こすＢＯＸ／ハンドル界面において、高伝導性電荷反転または蓄積層を形成する傾向がある。これらの反転／蓄積層は、電荷を固定されたＢＯＸ、電荷が捕獲された酸化物、電荷が捕獲された界面及びさらに装置自身に与えられたＤＣバイアスであることができる。

方法は、それゆえ、基板の高抵抗率が、非常に表面領域の近傍でさえ維持されるように、任意の誘導反転または蓄積層で電荷をトラップすることが必要とされる。高抵抗率ハンドル基板と埋め込み酸化物層（ｂｕｒｉｅｄ ｏｘｉｄｅ（ＢＯＸ））の間の電荷捕獲層（ＣＴＬ）は、ＳＯＩウェハを使って製造されたＲＦ装置の性能を改善することができる。多数の方法は、これらの高界面捕獲層を形成するために提案されてきた。例えば、ＲＦ装置用途のためのＣＴＬを備えるセミコンダクタオンインシュレータ（例えば、シリコンオンインシュレータ、またはＳＯＩ）を作り出す方法の１つは、高抵抗率を有するシリコン基板にドープされていない多結晶シリコンフィルムの堆積と、その後のその上の酸化物とトップシリコン層の積層を形成することに基づく。多結晶シリコン層は、シリコン基板と埋め込み酸化物層の間の高欠陥層として機能する。代わりの方法は、表面近傍の損傷層を作り出すための重イオンの埋め込みである。例えば、高周波装置などの装置は、トップシリコン層に作られる。

酸化物と基板の間の多結晶シリコン層が装置分離を改善し、伝送線路損失を減らし、高調波歪みを減少することが学術研究に示された。例えば、Ｈ．Ｓ．Ｇａｍｂｌｅ， ｅｔ ａｌ． ’Ｌｏｗ−ｌｏｓｓ ＣＰＷ ｌｉｎｅｓ ｏｎ ｓｕｒｆａｃｅ ｓｔａｂｉｌｉｚｅｄ ｈｉｇｈ ｒｅｓｉｓｔｉｖｉｔｙ ｓｉｌｉｃｏｎ，’ Ｍｉｃｒｏｗａｖｅ Ｇｕｉｄｅｄ Ｗａｖｅ Ｌｅｔｔ．，９（１０），ｐｐ．３９５−３９７，１９９９；Ｄ．Ｌｅｄｅｒｅｒ， Ｒ． Ｌｏｂｅｔ ａｎｄ Ｊ． −Ｐ． Ｒａｓｋｉｎ，“Ｅｎｈａｎｃｅｄ ｈｉｇｈ ｒｅｓｉｓｔｉｖｉｔｙ ＳＯＩ ｗａｆｅｒｓ ｆｏｒ ＲＦ ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎｓ，” ＩＥＥＥ Ｉｎｔｌ． ＳＯＩ Ｃｏｎｆ．， ｐｐ． ４６−４７， ２００４； Ｄ． Ｌｅｄｅｒｅｒ ａｎｄ Ｊ．−Ｐ． Ｒａｓｋｉｎ， “Ｎｅｗ ｓｕｂｓｔｒａｔｅ ｐａｓｓｉｖａｔｉｏｎ ｍｅｔｈｏｄ ｄｅｄｉｃａｔｅｄ ｔｏ ｈｉｇｈ ｒｅｓｉｓｔｉｖｉｔｙ ＳＯＩ ｗａｆｅｒ ｆａｂｒｉｃａｔｉｏｎ ｗｉｔｈ ｉｎｃｒｅａｓｅｄ ｓｕｂｓｔｒａｔｅ ｒｅｓｉｓｔｉｖｉｔｙ，” ＩＥＥＥ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｄｅｖｉｃｅ Ｌｅｔｔｅｒｓ， ｖｏｌ． ２６， ｎｏ． １１， ｐｐ．８０５−８０７， ２００５； Ｄ． Ｌｅｄｅｒｅｒ， Ｂ． Ａｓｐａｒ， Ｃ． Ｌａｇｈａｅ ａｎｄ Ｊ．−Ｐ． Ｒａｓｋｉｎ， “Ｐｅｒｆｏｒｍａｎｃｅ ｏｆ ＲＦ ｐａｓｓｉｖｅ ｓｔｒｕｃｔｕｒｅｓ ａｎｄ ＳＯＩ ＭＯＳＦＥＴｓ ｔｒａｎｓｆｅｒｒｅｄ ｏｎ ａ ｐａｓｓｉｖａｔｅｄ ＨＲ ＳＯＩ ｓｕｂｓｔｒａｔｅ，” ＩＥＥＥ Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ ＳＯＩ Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ， ｐｐ． ２９−３０， ２００６； ａｎｄ Ｄａｎｉｅｌ Ｃ． Ｋｅｒｒｅｔ ａｌ． “Ｉｄｅｎｔｉｆｉｃａｔｉｏｎ ｏｆ ＲＦ ｈａｒｍｏｎｉｃ ｄｉｓｔｏｒｔｉｏｎ ｏｎ Ｓｉ ｓｕｂｓｔｒａｔｅｓ ａｎｄ ｉｔｓ ｒｅｄｕｃｔｉｏｎ ｕｓｉｎｇ ａ ｔｒａｐ−ｒｉｃｈ ｌａｙｅｒ”， Ｓｉｌｉｃｏｎ Ｍｏｎｏｌｉｔｈｉｃ Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔｓ ｉｎ ＲＦ Ｓｙｓｔｅｍｓ， ２００８． ＳｉＲＦ ２００８ （ＩＥＥＥ Ｔｏｐｉｃａｌ Ｍｅｅｔｉｎｇ）， ｐｐ． １５１−１５４， ２００８参照のこと。

いくつかの実施形態において、高抵抗率、低酸素で、ガリウムがドープされたウェハは、エピタキシャル堆積のための基板に適当である。エピタキシャル堆積は、化学蒸着によって実行されることが好ましい。一般に言えば、化学蒸着は、例えば、Ａｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ社から入手可能なセンチュラリアクタなど、エピタキシャル堆積反応器のシリコンを含む大気にウェハの表面を曝露することを含む。ウェハの表面は、シリコンを含む揮発性ガス（例えば、ＳｉＣｌ_４、ＳｉＨＣｌ_３、ＳｉＨ_２Ｃｌ_２、ＳｉＨ_３Ｃｌ、またはＳｉＨ_４）を含む大気に曝されることが好ましい。大気は、またキャリアガス（好ましくはＨ_２）を含むことが好ましい。例えば、エピタキシャル堆積の間のシリコンのソースは、ＳｉＨ_２Ｃｌ_２またはＳｉＨ_４であることができる。ＳｉＨ_２Ｃｌ_２が使われるならば、堆積の間の反応器真空圧力は、約５００から約７６０Ｔｏｒｒが好ましい。他方、ＳｉＨ_４が使われるならば、反応器圧力は、約１００Ｔｏｒｒが好ましい。さらに、堆積の間のシリコンのソースは、ＳｉＨＣｌ_３であることが好ましい。これは、他のソースよりとても安くなる傾向がある。さらに、ＳｉＨＣｌ_３を使ったエピタキシャル堆積は、大気圧で実施されることができる。これは、真空ポンプが必要とされない及び反応器チャンバが崩壊を防止するほど頑強である必要がないため有利である。さらに、いくつかの安全上の問題があり、反応器チャンバに空気または他のガスがリークする機会が少なくなる。

エピタキシャル堆積の間、ウェハ表面の温度は、シリコンを含む大気が表面上に多結晶シリコンの堆積することを防ぐために、十分な温度に傾斜をつけられ、維持されることが好ましい。一般に、この期間の間の表面の温度は、少なくとも約９００℃であることが好ましい。さらに、表面の温度は、約１０５０から約１１５０℃の範囲で維持されることが好ましい。特に、表面の温度は、酸化シリコンが取り除かれる温度で維持されることが好ましい。

エピタキシャル堆積の成長率は、約０．５から約７．０μｍ／ｍｉｎが好ましい。約３．５から約４．０μｍ／ｍｉｎの率は、例えば、基本的に約１１５０℃の温度で、約１ａｔｍの絶対圧力で、約２．５モル％ＳｉＨＣｌ_３及び約９７．５モル％Ｈ_２のからなる雰囲気を使って達成されることができる。

いくつかの用途において、ウェハは、電気特性を与えるエピタキシャル層を備える。いくつかの実施形態において、エピタキシャル層は、リンが軽くドープされる。それゆえ、エピタキシャル堆積の雰囲気は、例えばフォスフィン、ＰＨ_３などの揮発性化合物として存在するリンを含む。いくつかの実施形態において、エピタキシャル層はボロンを含む。そのような層は、例えば堆積の間、雰囲気にＢ_２Ｈ_６を含むことによって準備されることができる。

堆積されたエピタキシャル層は、実質的に下層のウェハと同じ電気特性を備えることができる。もう一つの方法として、エピタキシャル層は、下層のウェハと異なる電気特性を備えることができる。エピタキシャル層は、シリコン、炭化ケイ素、シリコンゲルマニウム、ヒ化ガリウム、窒化ガリウム、リン化インジウム、ヒ化インジウムガリウム、ゲルマニウム、及びそれらの組み合わせからなるグループから選ばれた材料を含むことができる。最終の集積回路装置の所望の特性により、エピタキシャル層は、ボロン、ヒ素、及びリンからなるグループから選ばれたドーパントを含む。エピタキシャル層の抵抗率は、１から５０Ωｃｍ、典型的には、５から２５Ωｃｍの範囲であることができる。いくつかの実施形態において、エピタキシャル層は、約２０ナノメートルから約３マイクロメートル、例えば約２０ナノメートルから約２マイクロメートル、例えば約２０ナノメートルから約１．５マイクロメートルまたは約１．５マイクロメートルから約３マイクロメートルの厚さを有することができる。

いくつかの実施形態において、高抵抗率、低酸素で、ゲルマニウムがドープされたウェハは、例えば分子線エピタキシーなど、窒化ガリウムのエピタキシャル堆積のための基板に適当である。ＧａＮ分子線エピタキシー（ＭＢＥ）成長は、エヒュージョンセルからのＧａ蒸気ビーム及びプラズマソースからの活性窒素ビームが加熱された基板に向けられる非平衡プロセスである。適切な条件下で、ＧａとＮ原子平面の層ごとの堆積は、可能である。ＭＢＥ手法は、超高真空チャンバで実行され、フィルム汚染を最小化する。

次の限定しない実施例は、さらに本発明を記載することによって提供される。

結晶成長
ゲルマニウムがドープされた単結晶シリコン短インゴット（結晶ＩＤ＃１）及びゲルマニウムがドープされた単結晶シリコン全長インゴット（結晶ＩＤ＃２）は、２００ｍｍＦＦ炉（サンエジソン、韓国）で生産された。多結晶シリコン及びゲルマニウムは、高純度石英内張合成るつぼ（東芝）へ充填された。ゲルマニウムがドープされた単結晶シリコン全長インゴット（結晶ＩＤ＃２）を準備するための充填物は、５Ｎ等級のゲルマニウム１．３ｋｇと高抵抗率多結晶シリコン（＞１０００Ωｃｍ）１８０ｋｇからなった。さらに、リン０．０２４グラムが約１．１×１０^６ｐｐｂａのリンドーパント濃度を提供するために溶融物に添加された。充填物は、溶融され、結晶は、本明細書で開示された技術によって引き上げられた。単結晶シリコンインゴットは、結晶成長プロセスを始める前に、溶融物のドーパント濃度を調整することによって、＞１６，０００Ωｃｍを目標にされた。これは、直径＜２００ｍｍ、重さ＜１５ｋｇの短い結晶を成長することによって計算された溶融物の抵抗率に基づいた。単結晶シリコンインゴットは、Ｏｉを＜５．０ｐｐｍａ含む。

アニールされたインゴットの抵抗率
実施例１によって準備されたゲルマニウムがドープされた単結晶シリコン全長インゴット（結晶ＩＤ＃２）は、熱アニール手順を受ける。引き上げられたインゴットをアニールする前に、引き上げられたインゴットは、種とコーンを取り除くことによって丈を短くされた。分析のために、インゴットは、異なる位置で薄く切り出され、それによって、約１３５０マイクロメータの厚さを有する複数のスラグを準備した。それぞれの短くされたスラグは、エッジグラウンドで、約１１８０マイクロメータの最終厚さへ混酸エッチを受け、１１５０マイクロメータの最終厚さへラップされたウェハ洗浄と前ＲＴＡ洗浄が続いた。スラグは、３６０℃／分の温度傾斜で、７５０℃の急速熱アニールのサーマルドナー消去を受けた。ラッピングとアニールの後、アニールされたスラグは、４点プローブ測定前に４時間冷却され、保持された。アニールされたスラグは、表２に提供されるように抵抗率と追加の特性のための４点プローブ測定技術を受けた。

表２

ウェハ機械的強度
実施例１によって準備されたインゴットから薄く切り出された単結晶シリコンウェハの機械的強度は、温度傾斜によってＥＰＩ反応器スリップ発生テストを使って低Ｏｉをも有するゲルマニウムがドープされていないシリコンウェハ（ＩＤ＃０）と比較された。このテストによって、発生したスリップの数は少なく、機械的強度は大きかった。それによって、収率の損失が低いことが期待される。さらに、このテストでスリップしない温度ウィンドウが大きく、ＳＯＩウェハと装置製造の間のプロセスウィンドウが大きかった。図１０Ａ及び１０Ｂのグラフによって指し示されたように、ゲルマニウムドーピングと窒素ドーピングは、スリップ数の重要な改善を提供する。ゲルマニウムがドープされていないシリコンウェハは、１１００℃、２５０秒のプロセス条件で、〜３℃の温度オフセットウィンドウを実証した。比較して、ゲルマニウムがドープされたウェハは、似た条件下で、〜６℃の温度オフセットウェインドウを実証した。この改善は、多くの厳しい条件下で、高抵抗率、低Ｏｉウェハのスリップのないプロセスを改善するために十分に重要である。

ウェハ機械的強度
実施例１によって準備されたインゴットから薄く切り出された単結晶シリコンウェハの機械的強度は、温度傾斜によってＥＰＩ反応器スリップ発生テストを使って低Ｏｉを有するゲルマニウムがドープされていないシリコンウェハ（ＩＤ＃０）と比較した。このテストによると、発生したスリップの数は少なく、機械的強度は大きかった。それによって、収率の損失が低いことが期待される。さらに、このテストでスリップしない温度ウィンドウが大きく、ＳＯＩウェハと装置製造の間のプロセスウィンドウが大きかった。図１１のグラフによって指し示されたように、ゲルマニウムドーピングは、スリップ数の重要な改善を提供する。ゲルマニウムがドープされていないシリコンウェハは、１１００℃、２５０秒のプロセス条件で、〜３℃の温度オフセットウィンドウを実証した。比較して、ゲルマニウムがドープされたウェハは、似た条件下で、〜６℃の温度オフセットウェインドウを実証した。この改善は、多くの厳しい条件下で、高抵抗率、低Ｏｉウェハのスリップのないプロセスを改善するために十分に重要である。

機械的強度
窒素ドープされた単結晶シリコンインゴットは、韓国のサンエジソンセミコンダクタファシリティにおいて２００ｍｍＦＦ炉で生産された。種の終端の窒素濃度は、溶解プロセスの間、窒化シリコンを同じ量加えることによって、ウェハに〜１．４×１０^１４窒素ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３を目標とした（結晶ＩＤ＃３）。同様に別の結晶は、種終端において、〜５×１０^１４窒素ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３濃度を目標とすることによって成長させた（結晶ＩＤ＃４）。結晶の抵抗率は、結晶成長プロセスを始める前に溶融物のドーパント濃度を調整することによって、種の終端において＞３０００Ωｃｍを目標とした（直径＜２００ｍｍで重さ１５ｋｇの短結晶を成長することによって、計算された溶融物の抵抗率に基づく）。プロセスは、所望の＜６．０ｐｐｍａのＯｉを得るように最適化される。

ゲルマニウムがドープされた単結晶シリコンインゴット（結晶ＩＤ＃２）は、韓国のサンエジソンファシリティにおいて、２００ｍｍＦＦ炉で生産された。５Ｎ等級のＧｅの１．３ｋｇは、高純度石英内張合成るつぼに高抵抗Ｓｉ（＞１０００Ωｃｍ）の１８０ｋｇと共溶融された。結晶は、溶融物にドーパント濃度を調整することによって１６，０００Ωｃｍの抵抗率を目標とした。

ウェハの機械的強度は、温度傾斜によるＥＰＩ反応器スリップ発生テストを使って、ゲルマニウムがドープされていないシリコンウェハ（高抵抗率、＞１０００Ωｃｍで低Ｏｉ＜６．０ｐｐｍａ）と異なる濃度の窒素とゲルマニウムがドープされた低Ｏｉを比較した。このテストによると、発生したスリップの数は少なく、機械的強度は大きく、収率の損失が低いことが期待される。さらに、スリップしない温度ウィンドウが大きく、ＳＯＩウェハと装置製造の間のプロセスウィンドウが大きかった。このテストに基づいて、これらは、スリップ数の重要な改善が観察される。ゲルマニウムがドープされていないシリコンウェハは、１１００℃、２５０秒のプロセス条件で、〜３℃の温度オフセットウィンドウを有する一方で、低濃度窒素ドーピング（〜１．４×１０^１４窒素ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３）は、９℃を有し、高濃度窒Ｎドーピング（〜５×１０^１４窒素ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３）は、＞２０℃の温度オフセットを有する。表３を参照のこと。Ｇｅがドープされたウェハは、同様の条件で、〜６℃の温度オフセットウィンドウを有する。この改善は、多くの厳しい条件下で、高抵抗率、低Ｏｉウェハのスリップのないプロセスを改善するために十分に重要である。

表３

本発明の要素または本発明の実施形態を導入したとき、項目「１つの」（ａ）、「１つの」（ａｎ）、「その」（ｔｈｅ）及び「前記」（ｓａｉｄ）は、１以上の要素があることを意味することを意図する。「備える」（ｃｏｍｐｒｉｓｉｎｇ）、「含む」（ｉｎｃｌｕｄｉｎｇ）及び「有する」（ｈａｖｉｎｇ）という用語は、挙げられた要素の他に追加の要素があってもよいことを含み、意味することを意図する。

幅のある言語は、明細書及び請求項を通して本明細書で使われるように、関連する基本的な機能の変化をもたらすことなく、許容範囲で変化することができる、任意の量に関する表現を変更するために適用されることができる。したがって、例えば、「約」（ａｂｏｕｔ）、「約」（ａｐｐｒｏｘｉｍａｔｅｌｙ）、及び「実質的に」（ｓｕｂｓｔａｎｔｉａｌｌｙ）などの用語、複数の用語によって変更された値は、特定された正確な値に限定されるものではない。少なくともいくつかの例において、幅のある言語は、値を測定するための手段の正確性に対応する。ここで、及び明細書と請求項を通して、範囲の限定は、組み合わせられ及び／または置き換えられることができる。そのような範囲は、内容または言語が別のことを指し示すことがないならば、識別され、範囲に含まれるサブレンジをすべて含む。

さまざまな変更が本発明の範囲から逸脱することなく上記になされることができるので、上記の記載に含まれる及び添付した図面に示されたすべての内容は、描かれたように解釈され、限定した意味で解釈されないことを意図する。

Claims (48)

1. 一方が、単結晶シリコンウェハの前面であり、他方が、前記単結晶シリコンウェハの裏面である、２つの主要で、平行な表面と、前記単結晶シリコンウェハの前記前面と前記裏面を接合する周縁エッジと、前記前面と前記裏面の間のバルク領域と、前記単結晶シリコンウェハの前記前面と前記裏面の間の前記単結晶シリコンウェハの中央平面と、を備える単結晶シリコンウェハであって、
   前記バルク領域は、少なくとも約１×１０^１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３の濃度の窒素、少なくとも約１×１０^１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３の濃度のゲルマニウム、または少なくとも約１×１０^１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３の濃度の窒素と少なくとも約１×１０^１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３の濃度のゲルマニウムとの組み合わせ、及び約６ｐｐｍａ未満（Ｎｅｗ ＡＳＴＭ：ＡＳＴＭ Ｆ １２１，１９８０−１９８３；ＤＩＮ ５０４３８／１，１９７８）の濃度の格子間酸素とを含む不純物を備え、
   さらに単結晶シリコンインゴットの本体は、少なくとも約１０００Ωｃｍの抵抗率を有する、単結晶シリコンウェハ。
2. 前記格子間酸素の濃度は、約５ｐｐｍａ未満である、請求項１に記載の単結晶シリコンウェハ。
3. 前記格子間酸素の濃度は、約４ｐｐｍａ未満である、請求項１に記載の単結晶シリコンウェハ。
4. 前記格子間酸素の濃度は、約３ｐｐｍａ未満である、請求項１に記載の単結晶シリコンウェハ。
5. 前記抵抗率は、少なくとも約３０００Ωｃｍである、請求項１に記載の単結晶シリコンウェハ。
6. 前記抵抗率は、少なくとも約４０００Ωｃｍである、請求項１に記載の単結晶シリコンウェハ。
7. 前記抵抗率は、少なくとも約５０００Ωｃｍである、請求項１に記載の単結晶シリコンウェハ。
8. 前記抵抗率は、少なくとも約１００００Ωｃｍである、請求項１に記載の単結晶シリコンウェハ。
9. 前記抵抗率は、少なくとも約１５０００Ωｃｍである、請求項１に記載の単結晶シリコンウェハ。
10. 前記抵抗率は、少なくとも約２００００Ωｃｍである、請求項１に記載の単結晶シリコンウェハ。
11. 前記ゲルマニウムの濃度は、少なくとも約１×１０^１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３であり、約１×１０^２２ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３未満である、請求項１乃至１０のいずれか１項に記載の単結晶シリコンウェハ。
12. 前記ゲルマニウムの濃度は、少なくとも約５×１０^１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３である、請求項１乃至１０のいずれか１項に記載の単結晶シリコンウェハ。
13. 前記ゲルマニウムの濃度は、少なくとも約５×１０^１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３であり、約１×１０^２２ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３未満である、請求項１乃至１０のいずれか１項に記載の単結晶シリコンウェハ。
14. 少なくとも約１×１０^１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３の濃度の窒素を含む、請求項１乃至１３のいずれか１項に記載の単結晶シリコンウェハ。
15. 少なくとも約５×１０^１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３で、約１×１０^１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３未満の濃度の窒素を含む、請求項１乃至１３のいずれか１項に記載の単結晶シリコンウェハ。
16. 少なくとも約１×１０^１５ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３で、約１×１０^１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３未満の濃度の窒素を含む、請求項１乃至１３のいずれか１項に記載の単結晶シリコンウェハ。
17. 単結晶シリコンインゴットを成長させる方法であって、
    シリコンの溶融物を準備するステップであって、前記シリコンの溶融物は、石英内張るつぼに多結晶シリコンを溶融するステップと、前記石英内張るつぼへ不純物のソースを加えるステップとによって準備し、前記不純物は、ゲルマニウム、窒素、またはゲルマニウムと窒素の組み合わせを含む、ステップと、
    前記シリコンの溶融物から単結晶シリコンインゴットを引くステップであって、前記単結晶シリコンインゴットは、中心軸、クラウン、前記クラウンの反対の端部、及び前記クラウンと前記反対の端部との間の本体とを備え、前記本体は、側面と、前記中心軸から前記側面へ延びる半径Ｒを有するステップと、を備え、
    前記単結晶シリコンインゴットの前記本体は、少なくとも約１×１０^１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３の濃度の窒素、少なくとも約１×１０^１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３の濃度のゲルマニウム、または少なくとも約１×１０^１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３の濃度の窒素と少なくとも約１×１０^１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３の濃度のゲルマニウムとの組み合わせを含み、
    さらに前記引く条件は、約６ｐｐｍａ未満（Ｎｅｗ ＡＳＴＭ：ＡＳＴＭ Ｆ １２１，１９８０−１９８３；ＤＩＮ ５０４３８／１，１９７８）の前記単結晶シリコンインゴットの前記本体の格子間酸素の濃度を得るのに十分であり、
    さらに前記単結晶シリコンインゴットの前記本体は、少なくとも約１０００Ωｃｍの抵抗率を有する、方法。
18. 前記引く条件は、約５ｐｐｍａ未満である前記単結晶シリコンインゴットの前記本体の格子間酸素の濃度を得るのに十分である、請求項１７に記載の方法。
19. 前記引く条件は、約４ｐｐｍａ未満である前記単結晶シリコンインゴットの前記本体の格子間酸素の濃度を得るのに十分である、請求項１７に記載の方法。
20. 前記引く条件は、約３ｐｐｍａ未満である前記単結晶シリコンインゴットの前記本体の格子間酸素の濃度を得るのに十分である、請求項１７に記載の方法。
21. 前記単結晶シリコンインゴットの前記本体は、少なくとも約３０００Ωｃｍの抵抗率を有する、請求項１７に記載の方法。
22. 前記単結晶シリコンインゴットの前記本体は、少なくとも約４０００Ωｃｍの抵抗率を有する、請求項１７に記載の方法。
23. 前記単結晶シリコンインゴットの前記本体は、少なくとも約５０００Ωｃｍの抵抗率を有する、請求項１７に記載の方法。
24. 前記単結晶シリコンインゴットの前記本体は、少なくとも約１００００Ωｃｍの抵抗率を有する、請求項１７に記載の方法。
25. 前記単結晶シリコンインゴットの前記本体は、少なくとも約１５０００Ωｃｍの抵抗率を有する、請求項１７に記載の方法。
26. 前記単結晶シリコンインゴットの前記本体は、少なくとも約２００００Ωｃｍの抵抗率を有する、請求項１７に記載の方法。
27. 前記単結晶シリコンインゴットの前記本体は、少なくとも約１×１０^１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３で、約１×１０^２２ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３未満の濃度のゲルマニウムを含む、請求項１７乃至２６のいずれか１項に記載の方法。
28. 前記単結晶シリコンインゴットの前記本体は、少なくとも約３×１０^１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３である、濃度のゲルマニウムを含む、請求項１７乃至２６のいずれか１項に記載の方法。
29. 前記単結晶シリコンインゴットの前記本体は、少なくとも約５×１０^１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３で、約１×１０^２２ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３未満の濃度のゲルマニウムを含む、請求項１７乃至２６のいずれか１項に記載の方法。
30. 前記単結晶シリコンインゴットの前記本体は、少なくとも約１×１０^１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３の濃度の窒素を含む、請求項１７乃至２９のいずれか１項に記載の方法。
31. 前記単結晶シリコンインゴットの前記本体は、少なくとも約２×１０^１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３で、２×１０^１５ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３未満の濃度の窒素を含む、請求項１７乃至２９のいずれか１項に記載の方法。
32. 前記単結晶シリコンインゴットの前記本体は、少なくとも約１×１０^１５ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３で、１×１０^１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３未満の濃度の窒素を含む、請求項１７乃至２９のいずれか１項に記載の方法。
33. 中心軸、クラウン、前記クラウンの反対の端部、及び前記クラウンと前記反対の端部との間の本体とを備え、前記本体は、側面と、前記中心軸から前記側面へ延びる半径Ｒを有するステップと、を備える単結晶シリコンインゴットであって、
    前記単結晶シリコンインゴットの前記本体は、少なくとも約１×１０^１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３の濃度の窒素、少なくとも約１×１０^１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３の濃度のゲルマニウム、または少なくとも約１×１０^１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３の濃度の窒素と少なくとも約１×１０^１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３の濃度のゲルマニウムとの組み合わせ、及び約６ｐｐｍａ未満（Ｎｅｗ ＡＳＴＭ：ＡＳＴＭ Ｆ １２１，１９８０−１９８３；ＤＩＮ ５０４３８／１，１９７８）の濃度の格子間酸素を含む不純物を備え、
    さらに前記単結晶シリコンインゴットの前記本体は、少なくとも約１０００Ωｃｍの抵抗率を有する、単結晶シリコンインゴット。
34. 前記格子間酸素の濃度は、約５ｐｐｍａ未満である、請求項３３に記載の単結晶シリコンインゴット。
35. 前記格子間酸素の濃度は、約４ｐｐｍａ未満である、請求項３３に記載の単結晶シリコンインゴット。
36. 前記格子間酸素の濃度は、約３ｐｐｍａ未満である、請求項３３に記載の単結晶シリコンインゴット。
37. 前記抵抗率は、少なくとも約３０００Ωｃｍである、請求項３３に記載の単結晶シリコンインゴット。
38. 前記抵抗率は、少なくとも約４０００Ωｃｍである、請求項３３に記載の単結晶シリコンインゴット。
39. 前記抵抗率は、少なくとも約５０００Ωｃｍである、請求項３３に記載の単結晶シリコンインゴット。
40. 前記抵抗率は、少なくとも約１００００Ωｃｍである、請求項３３に記載の単結晶シリコンインゴット。
41. 前記抵抗率は、少なくとも約１５０００Ωｃｍである、請求項３３に記載の単結晶シリコンインゴット。
42. 前記抵抗率は、少なくとも約２００００Ωｃｍである、請求項３３に記載の単結晶シリコンインゴット。
43. 前記ゲルマニウムの濃度は、少なくとも約１×１０^１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３であり、約１×１０^２２ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３未満である、請求項３３乃至４２のいずれか１項に記載の単結晶シリコンインゴット。
44. 前記ゲルマニウムの濃度は、少なくとも約３×１０^１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３である、請求項３３乃至４２のいずれか１項に記載の単結晶シリコンインゴット。
45. 前記ゲルマニウムの濃度は、少なくとも約５×１０^１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３であり、約１×１０^２２ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３未満である、請求項３３乃至４２のいずれか１項に記載の単結晶シリコンインゴット。
46. 少なくとも約１×１０^１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３の濃度の窒素を含む、請求項３３乃至４５のいずれか１項に記載の単結晶シリコンインゴット。
47. 少なくとも約２×１０^１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３で、約２×１０^１５ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３未満の濃度の窒素を含む、請求項３３乃至４５のいずれか１項に記載の単結晶シリコンインゴット。
48. 少なくとも約１×１０^１５ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３で、約１×１０^１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３未満の濃度の窒素を含む、請求項３３乃至４５のいずれか１項に記載の単結晶シリコンインゴット。

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