CN102312292A - 一种掺杂的直拉单晶硅 - Google Patents

Abstract

本发明涉及用于半导体领域的直拉单晶硅材料，特别适用于光电领域的连续单晶硅固体实体材料。现有的直拉单晶硅材料，其性能对包括金属、氧、碳等的杂质和重掺的III、V族杂质的耐受性较差，并含有包括漩涡缺陷和氧致堆垛层错缺陷在内的多种缺陷，本发明提出了一种掺杂有氧、碳、氮、锗的半导体铸造单晶硅及其生产方法，其含有密度较低的缺陷包括漩涡缺陷和氧致堆垛层错缺陷，并且其半导体性能对包括过渡金属和重掺III、V族杂质等在内的杂质耐受性提高，在同等杂质浓度下，具有更好的光电等半导体性能。

Description

一种掺杂的直拉单晶硅

技术领域

本发明一般涉及用于半导体领域的单晶硅材料，特别适用于光电领域的直拉单晶硅连续实体材料。

背景技术

基于晶硅的光电池(或称光伏电池、太阳能电池)应具有最大可能地将太阳能辐射功率转化为电流的效率、以及尽可能长久的使用寿命和衰减速率。这是由多种因素决定的，例如硅原材料的纯度，硅晶体的类型(单晶、多晶)和缺陷、杂质分布以及晶向、内应力。其中，单晶硅光电池被认为是具有最高的效率。同时，由于硅晶体被制成晶片使用，工业上倾向于制造较大尺寸的硅晶体毛胚(实体)，以获得较大尺寸的晶片，因而获得更高的生产效率；而降低硅晶体的缺陷和内应力，有助于增大可制取的晶片尺寸，还有助于提高成品和良品的产出率。

尽管通常要提高硅晶体的半导体性能，需要尽可能高纯度的硅原料来生长晶体，并尽可能降低杂质含量，但绝对纯的物质是工业上不存在的，例如，对于广泛应用于光伏领域的以改良西门法生产的单晶硅原料，其金属杂质含量一般为5*10¹⁵cm^-3，而采用一些低成本方法生产的光伏用硅原料，氧、碳、金属和其他杂质往往高达5*10¹⁶cm^-3甚至更高。因而，对于纯度一定的硅原料，如何提高其性能更为重要。已知在硅晶体中，包含适当的掺杂物质，可以改善晶体的性能。例如，通过在原料中或晶体生长过程中掺入特殊的杂质，某些情况下硅晶体的一些性能获得提高。例如，文献CN01815935.4提出，在FZ或CZ硅单晶中，掺入氮，可以降低或消除氧致堆垛层错缺陷，CN01139098.0提出，微量的锗掺入直拉单晶硅，可以消除或减少微缺陷。晶硅掺入一定数量的锗，一般认为将提高其机械性能，并有助于降低晶体的缺陷。另一方面，晶硅中诸如氧、碳、重金属等杂质，一般认为是有害杂质，导致晶硅中的缺陷和半导体性能的损害，特别是其光电性能的损害，需要尽可能地降低。而多种杂质共同存在时，由于彼此间的相互作用过于复杂，其对硅晶体的影响远未清楚。

发明内容

因此，本发明的目的是提供一种掺杂的晶硅，特别是掺杂了通常被认为是有害的氧、碳杂质的晶硅，不仅能避免氧碳杂质本身对晶硅性能的影响，并且能降低有害重金属对其半导体性能、尤其是光电性能的损害，和提高硅晶体的性能。

具体地，本发明提出了一种掺杂的直拉单晶硅，包括晶锭、晶片，在其包含有提供其电性能特征的III族或/和V族元素掺杂外，还含有特征性的杂质包括：约(平均值，下同)1～35*10¹⁶cm^-3的碳(原子数单位，下同)；约1～50*10¹⁵cm^-3的氮；约1～20*10¹⁷cm^-3的氧，约0.2*10¹⁶～1*10²⁰cm^-3的锗。所述的提供电特性的III、V族元素掺杂杂质，包括例如硼、铝、镓、铟，或磷、砷、锑等，它们在晶硅中作为施主或受主，使硅呈现出半导体特性。

本发明的上述特征性杂质的含量，进一步优选为含氮约1.5～4.5*10¹⁵cm^-3；和进一步优选为含碳约1～10*10¹⁶cm^-3；以及优选为含氧约1～10*10¹⁷cm^-3；和优选为含锗约1～50*10¹⁶cm^-3。

其中，各杂质浓度范围的优选方案，可以是彼此独立的，也可以是相对应的，即较高的一种掺杂杂质含量，对应较高的其他掺杂杂质含量，或者较低的一种掺杂杂质含量，对应较低的其他杂质含量。例如，含有氮1.5～4.5*10¹⁵cm^-3、碳1～10*10¹⁶cm^-3、氧1～10*10¹⁷cm^-3和锗1～50*10¹⁶cm^-3的铸造单晶硅。由于部分杂质在晶体生长中的分凝作用，杂质浓度彼此之间的对应，有利于加强其相互作用，对提高晶体的性能具有优势。

本发明中，锗含量进一步优选为1～20*10¹⁶cm^-3。较低的锗含量，可以在保证一定的优良性能的同时，降低单晶硅成本。更高的锗含量，例如，含锗2*10²⁰cm^-3或6*10²⁰cm^-3的晶硅，虽然预期其机械性能进一步提高，但电性能改善相对于含量的提高趋于减弱，并且成本较高。

单晶硅中掺杂III族元素杂质，如硼、镓、铝，或等效的锂，形成p型半导体；掺杂V族元素杂质，形成n型半导体，一般制成片状晶体，即p型或n型晶片。p型或n型半导体再以n型或p型杂质作部分掺杂，形成包含p-n结的晶体或晶片，由此晶体或晶片可以制作半导体器件，如二极管、可控硅元件、光电池。

关于硅晶体中的掺杂，除了引起导电性改变的III、V族元素外，还有许多其他杂质和可能的(主动)掺杂杂质。由于杂质之间、杂质和硅锗之间的复杂相互作用，以及晶体生长不同条件的影响，和由晶硅制作光电池的复杂处理，通常，难以从各单一杂质掺杂产生的影响，预测出多种杂质共同作用后晶硅的性能改变，而只能借助于试验样品性能的直接观察，辅之以理性分析，才能给出确切的结论。申请人在研究中发现，采用石英坩埚，包括石英陶瓷坩埚，制造方向凝固铸造单晶硅时，如果坩埚内壁涂有含氮的脱离涂层，和/或在原料熔化后和凝固过程中，提供诸如适当的氮气氛等氮源，P型或N型掺杂的硅原料如果掺杂有微量的锗，并使用部分碳头料，则获得的直拉单晶硅，较不含锗的同样的硅料制造的直拉单晶硅，具有密度较少的漩涡缺陷和氧致堆垛层错缺陷，更长的少子寿命，更好的有害杂质(例如重金属)耐受性，并且，发明人发现，其后制作半导体元件的晶体、晶片或电池片过程中，适当的热处理，例如退火，其表现出更好的内吸杂效果。制成的光电池，在少子寿命和抗辐射性能方面，有更优异的表现。发明人分析了具有上述优异表现的掺杂微量锗的晶硅，发现具有这样的特征：其包含有平均1～35*10¹⁶cm^-3的碳；1～50*10¹⁵cm^-3的氮；1～20*10¹⁷cm^-3的氧，0.2*10¹⁶～1*10²⁰cm^-3的锗。其中，发明人发现，在碳、氮、氧掺杂存在时，锗低至0.2*10¹⁶cm^-3就呈现出少子寿命和有害杂质耐受性、抗辐射的优势，在0.2*10¹⁶cm^-3～100*10¹⁶cm^-3范围内增加锗时，晶体的位错、少子寿命、抗辐射的优势随锗的增加而增加；锗进一步增加，直到1*10²⁰cm^-3，除了上述方面继续改善外，晶体的机械加工性能也随之逐步改善。申请人发现，上述含锗的掺杂的晶硅的优势，又与氧、氮、碳的含量相联系，例如对于基本上不含氧和氮的掺杂的晶硅，上述一项或多项掺锗带来的优势明显降低或消失。本申请人进一步发现，当P型掺杂主导的硅原料中如果含有少量的磷，在约0.5～5*10¹⁶cm^-3的范围内，例如，来自冶金硅直接纯化获得的硅料(参见本申请人的另一申请案CN200910053361.1)，包括少子寿命、对硅料有害杂质的耐受性在内的一些光电性能进一步提高，并随磷含量的提高而提高。申请人发现，上述性能的提高，优于现有知识中单独的掺杂氮、锗、碳、氧所可能导致的性能提高的总和。对此，申请人深入研究后，提出如下解释：采用石英坩埚时，坩埚内壁的石英成分，在高温下，透过薄的脱离涂层而进入硅中，由此导致氧掺入硅中，并且部分气态硅氧化合物扩散到坩埚外，氧化石墨加热器中的碳成为CO，连同或有的石英坩埚接触石墨加热器氧化生成的CO气体扩散而被硅吸收，导致碳、氧掺入硅中；碳头料的使用，也在硅中引入了碳。同时，坩埚内壁的含氮涂层中的氮或其他氮源的氮，也掺入硅中。氧、碳、氮在凝固及其后的降温冷却过程中，和锗共同作用，与硅料中的有害杂质发生内吸杂和陷阱反应，其中，氮促进了氧沉淀及杂质陷阱作用，由此，改善了晶硅的光电性能。而锗在减少晶格位错、特别是替位碳引致的位错和晶格畸变，吸附一些杂质的同时(锗的化学活性高于硅)，又能与氧、碳、氮发生复杂的相互作用，包括消弭氧及氧陷阱所致晶格位错和畸变，提高杂质的吸附和失活效果。磷的加入，与p型杂质复合和与重金属结合的可能，易形成缺陷中心，因而也能提高内吸杂效果，增强晶硅对有害杂质的耐受性。由此，微量的锗，可以容许更高的氧含量。因而，在锗存在的条件下，适当高的氧浓度，将有益于晶硅的光电性能。申请人发现，氧掺杂浓度在3～20*10¹⁷cm^-3的范围内，随着氧浓度的提高，晶硅的光电性能对有害杂质的耐受性提高。这部分证实了上述解释。也说明对制成的晶片作适当热处理，将进一步提高内吸杂效果。由此可以得出结论，本发明在上述实施方案中所获得的晶硅其光电性能的提高，并非仅取决于制造方法，而且也取决于上述氧、氮、碳、锗的浓度，因此，预期通过其它方法掺入上述各杂质，也能获得类似的有益效果。由此推知，对从冶金级硅提纯的硅料，由于提纯到光电级典型的6N纯度前，通常是需要花费可观的成本以进一步降低磷含量的，如果采用本发明的方法，使硅料在结晶后包含适量的氧、氮、碳、锗，那么，原料中微量的磷并不需要被除去却能获得至少一样好的光电性能，这样，就获得了节约成本和提高性能的双重优势。类似地，采用本发明，部分使用含碳的碳头料，使得原本废弃的碳头硅料获得利用，也可以获得降低成本提高性能的效果。

虽然目前的科技水平，离彻底揭示出极微量的掺杂元素及不同的掺杂元素间的复杂相互作用对晶硅光电性能的影响还很遥远，但这不能阻止人们依据理性进行的大胆判断、预期和试验，并从中发现有益于技术经济方面的处理。本发明发现的上述晶硅掺杂在光电性能上的优良表现，尽管指出的机理包含有推测的成分，但不影响将本发明的构思用于工业以获得有益效果。

虽然基于含有含氮脱离涂层的石英坩埚和石墨加热器的直拉单晶硅生长装置，可以提供本发明的晶硅所需要的至少部分碳、氮和氧掺杂，其他适当的方式，只要能提供给晶硅适量的所述掺杂杂质，也可以选择用来实现本发明。例如，对于碳掺杂杂质，直接在原料中加入含碳元素的物质，如碳化硅、碳粉、碳酸盐，或部分使用碳头料，或在熔化和凝固期间，提供含碳元素的物质的气氛，如CO2、CO，也可实现碳的掺入。另一方面，采用含适量碳的硅原料，例如，使用冶金法或冶金化学法提纯的硅原料，也可以不用掺碳或少掺碳。对于氮掺杂，向原料中加入含氮物质，例如氮化硅，也可以完全替代含氮的脱离涂层，例如在使用不含氮的涂层如氧化钡或钡盐的坩埚时；也可以通过使用含氮的坩埚如氮化硅坩埚或氮化硅结合碳化硅坩埚。在原料熔化后提供含氮的气氛，如将保护性的惰性气体氩至少部分替换为氮气，可以实现掺氮的目的。但最好不要在化硅期间使用纯氮气气氛，虽然化硅期间纯氮气气氛可以实现氮的饱和掺入，但容易生成过量的氮化硅沉淀或浮渣，消耗大量的硅料，降低材料利用率。本发明提供的掺氮范围的上限50*10¹⁵cm^-3和优选的掺氮量范围上限约4.5*10¹⁵cm^-3，分别对应其在硅中的饱和固溶度的1/2不到及其熔点附近的饱和固溶度浓度分凝后氮在晶硅中的分配浓度，远低于氮在硅熔点附近的饱和固溶度6～10*10¹⁸cm^-3。申请人发现，在本发明的其他掺杂杂质含量范围内，掺氮量越高，基本上获得的掺氮优势越明显。同时，虽然在趋近于零的晶体生长速度下，晶硅中氮的理论固溶度为4.5(+/-1)*10¹⁵cm^-3；但根据实验观察，当晶体生长速度达到2.5mm/min的时，氮的实际固溶度就达到了上述值的2倍；而在使用激光的激冷凝固条件下，达到5ms^-1的晶体生长速度时，氮的固溶度可高达10²⁰cm^-3。超出室温或熔点时饱和固溶度的氮，将在晶体中形成氮化硅沉淀，或氮-复合体，或杂质聚集中心，在本发明的杂质含量范围内，这些复合体和中心等将有益于晶体的性能。氮在晶硅中，至少有两种形态：替位氮和氮对。通常红外光谱法检测出的仅仅是硅中的氮对浓度。替位氮扩散很慢，但氮对在硅中的扩散速度很快，这使得即使在晶硅生长完成后的降温或退火阶段提供氮气氛，仍可获得氮杂质掺入晶硅的效果。

氧的掺杂也可以通过向原料中提供含氧元素的物质，例如氧化硅材料，碳酸盐，或使用含氧元素的材料制成的坩埚如氧化镁、氧化锆、氧化钙坩埚等来实现。提供含有氧元素的气氛，例如含水的气氛，或含SIO的气氛，也可以实现本发明的氧掺杂。

氧、碳和氮类似，在晶硅中可以过饱和，熔体中的饱和平衡量，碳为40*10¹⁷cm^-3；氧2.75*10¹⁸cm^-3；超出晶体饱和固溶度的氧和碳，可以形成沉淀或浮渣，或杂质复合中心，或经扩散而离开晶体。在本发明的掺杂含量范围内，氧、碳含量是有益于硅晶体的性能的，然而，超出上述范围较大的数量，将导致晶体性能受到不利影响。

实现本发明的掺锗的方法，除了使用原本含锗的硅原料外，也可在熔硅前后直接按原子浓度折算的重量比例加入适量的锗。例如，若要获得平均含锗10*10¹⁶cm^-3的晶硅，对于1000kg的硅原料，凝固前需掺入5.2g的锗粒。

需要指出的是，本发明的掺杂杂质，并不是均匀地分布在硅晶体中的。由于杂质在凝固中将出现偏析现象，所有杂质均将按照偏析系数以特定的浓度梯度方式沿凝固方向不均匀分布，而杂质之间的复杂相互作用，则形成了对这种偏析导致的浓度梯度分布的调制。显然，本发明的晶硅的性能，是受到杂质的上述这些非均匀分布模式的影响，因而也受到晶体生长方法的影响。

申请人还发现，本发明的上述已经III族或V族元素适量掺杂了的含如前所述的微量碳、氮、氧和锗的单晶硅或单晶硅锭，如果进一步含有适宜量的氢，其光电和机械性能进一步提高。其机理包括氢能钝化杂质和缺陷的电活性，与过渡金属形成复合体使其钝化，以及可能的氢和氧碳氮锗及其复合体的复杂相互作用。晶硅中的氢也能和浅施主、浅受主、深能级金属杂质和其他缺陷作用，形成各种各样的复合体。这些复合体大多是电中性的，因此，硅中掺氢能钝化杂质和缺陷的电活性。硅中的金属杂质引入深能级而影响其少子寿命等性能，而氢能与金属杂质结合，去除或改变深能级。

掺氢还对硼重掺杂的硅料(例如由冶金级硅纯化而得到的光电级硅)有附加的益处：氢与硼形成HB复合体，使得硅中硼浓度降低，电阻率升高，其钝化部分硼并降低重掺硼晶片的光衰减效应，从而提高由此类晶硅制作的光电池的光电性能。类似地，其他施主杂质，包括铝、镓、铟等也能与氢生成复合体而被钝化，使电阻率上升，和晶硅的性能对硼、铝、镓、铟的耐受性提高。另一方面，氢也和施主结合，生成氢-施主对。用氢等离子处理磷掺杂硅晶体后，HP复合体生成，由此可能解释了氢在本发明中可增加晶硅对施主杂质的耐受性。

使晶硅含有适量的氢的方法的一个例子，是在包括硅原料熔化、凝固、降温过程中的任选环节提供含氢的气氛，或含水的气氛(包括空气气氛)，包括低压和加压(大于一个大气压)的气氛。另一种方法的例子是氢离子注入。此外，湿法化学腐蚀晶片时会引入氢，这通常是在制成硅晶片后施加的处理。

氢的掺杂适宜量，可以在其饱和固溶度浓度到1/100饱和固溶度浓度之间的任意值，优选0.1～0.5倍饱和固溶度之间。当硅料中的氧、硼含量高时，由于氢与硼、氢与氧可分别形成复合体，掺杂的氢浓度可以更高些，并依据氧、硼含量不同，可以设置在0.01～30ppma之间，例如0.02、0.08、0.2、0.3、0.5、0.6、0.7、0.8、1、1.3、1.5、1.7、2、2.5、3、4、5、5.5、6、7、8、9、10、15、20、25ppma，等等。另外，由于氢也能和磷形成复合体，因此，掺有磷的晶硅，掺杂的氢含量也可以较高些。

由于本发明的掺杂杂质在晶硅中的不均匀分布及各掺杂杂质之间、掺杂杂质和其他杂质之间存在着复杂的相互作用，不同的单晶硅生长方法可能形成不同杂质分布和性能有差异的单晶硅。本发明的单晶硅可以采用通常的直拉法制造，但使用的籽晶，优选是掺杂有锗的籽晶，并优选与本发明的晶硅中的锗含量相近。

本发明的掺杂直拉单晶硅，具有良好的抗金属杂质、特别是过渡金属杂质污染的金属杂质耐受性，以及优良的光电和机械加工性能，适合于制作半导体晶片，尤其是适合于光电半导体晶片。例如，由本发明的p型掺杂的单晶硅实体棒，沿径向切割，形成适当薄的晶圆片，即获得p型半导体晶片，该晶片可制成包含p-n结的半导体晶片和制作半导体装置，例如光电池片或光电池。例如，将本发明获得的p型硅晶片的部分进行磷掺杂，例如单面少部分深度的磷掺杂，就获得包含p-n结的硅晶片。硅光电池片是指具有p-n结和导电触点、经光照可以在导电触点形成电位差、可引出电流的硅晶片，光电池片经在导电触点引出导电线和封装在适当的框架内，就形成了光电池或称光伏电池。

将获得的掺杂的p型晶片进一步按光电池的工艺加工，即获得光电池，它较普通的单晶硅锭制成的电池，具有高的光能转换效率和使用寿命。

由此本发明提供了一种光电池，包括：由连续的本发明的晶硅实体形成的晶片，任选的对晶片的热处理；晶片中的p-n结；晶片表面上任选的抗反射涂层；任选自背面电场和钝化层的至少一层；以及晶片上的导电触点；任选的封装晶片的透光玻璃和背板，和从晶片上的导电触点引出的导电线。

具体实施方式

使用切克劳斯基(CZ)法，在带有石墨加热器和石墨坩埚托套的切克劳斯基(CZ)法硅单晶生长装置中，使用内壁涂有氮化硅脱离涂层的石英坩埚，用于掺锗的硅原料熔化和直拉单晶生长，硅原料中使用部分碳头料，调整坩埚涂层的厚薄，调整加热、熔化、拉晶、降温等处理环节期间坩埚的气氛、气压和气体流速，及改变上述各环节的处理时间，可以获得氮、碳、氧、锗含量不同的晶锭。通过使用不同直拉程序，可以获得各种直径的本发明的单晶硅棒。通过与本实施方案一致的掺杂量不同的试验，可获得的具有比较优良的半导体性能例如光电性能的晶硅成分的部分例子列举如下(可能含有的其它III、V族元素、氢和其它杂质部分样品中未列出)(含量单位均为每立方厘米原子数)：

样晶1，含碳1.5*10¹⁶；氮1*10¹⁶；氧5*10¹⁷，锗0.5*10¹⁶；

样晶1a，含碳3*10¹⁶；氮2*10¹⁶；氧8*10¹⁷，锗1*10¹⁶；

样晶1b，含碳18*10¹⁶；氮10*10¹⁶；氧15*10¹⁷，锗50*10¹⁶；

样晶2，含碳0.25*10¹⁷；氮5*10¹⁶；氧2*10¹⁷，锗5*10¹⁶；

样晶3，含碳0.5*10¹⁷；氮6*10¹⁶；氧3*10¹⁷，锗20*10¹⁶；

样晶4，含碳0.25*10¹⁷；氮12*10¹⁶；氧14*10¹⁷，锗90*10¹⁶；

样晶5，含碳3*10¹⁷；氮10*10¹⁶；氧10*10¹⁷，锗5*10¹⁹；

样晶6，含碳3*10¹⁷；氮5*10¹⁶；氧3*10¹⁷，锗50*10¹⁶；

样晶7，含碳3.5*10¹⁷；氮3*10¹⁶；氧7*10¹⁷，锗80*10¹⁶；

样晶8，含碳0.5*10¹⁷；氮2.5*10¹⁶；氧0.6*10¹⁷，锗100*10¹⁶，磷5*10¹⁶；

样晶9，含碳0.4*10¹⁷；氮1*10¹⁶；氧1.5*10¹⁷，锗5*10¹⁶，磷3*10¹⁶；

样晶10，含碳1*10¹⁷；氮4*10¹⁶；氧2.5*10¹⁷，锗50*10¹⁶，磷4*10¹⁶；

样晶11，含碳0.5*10¹⁷；氮2*10¹⁶；氧15*10¹⁷，锗1*10²⁰，磷＜0.1*10¹⁶。

与本发明一致的另一些p型的半导体单晶硅实体和晶片的例子，其掺杂杂质平均含量如下(其中，电性掺杂杂质以相对浓度列出)：

样晶12，含碳1.8*10¹⁷；氮3.3*10¹⁶；氧2*10¹⁷，锗1*10¹⁷，含硼0.3ppma；

样晶13，含碳3*10¹⁷；氮5*10¹⁶；氧3*10¹⁷，锗50*10¹⁶，含硼0.2ppma，含镓0.3ppma；

样晶14，含碳0.8*10¹⁷；氮0.8*10¹⁶；氧4*10¹⁷，锗20*10¹⁶，含硼0.8ppma，含磷0.3ppma；

样晶15，含碳2*10¹⁷；氮4.5*10¹⁶；氧15*10¹⁷，锗15*10¹⁶，含硼0.3ppma，含饱和固溶度的氢。

经对比观察和测试，上述掺杂的单晶硅及其制成的晶片和电池片，在金属杂质耐受性、III、V族杂质耐受性、电阻率、微缺陷密度包括漩涡缺陷、氧致堆垛层错缺陷、位错密度、少数载流子寿命、热处理后的性能的提高、抗辐射性能方面、机械加工性能等方面，比较不含所述的掺杂杂质的同等级硅料相同方法制成的晶硅，有明显的提高。

本发明的单晶硅，优选大直径的晶锭，相同条件下，不仅生产效率高，并且可制成的晶片大尺寸的晶片，更适合于制成高效能的半导体器件，例如光电池片和光电池。通过降低拉晶速度，可以获得大直径的晶锭，例如，至少约15cm的长单晶棒，或者直径至少约20cm的长单晶棒。由其制成的晶片和电池片，相应地具有至少约15cm的直径。

一些本发明的单晶硅晶棒实施例的尺寸数据(cm)：

直径约10cm，长110cm；直径15cm，长180cm；直径20cm，长180cm；

直径约25cm，长150cm；直径25cm，长180cm；直径30cm，长200cm；

直径约6英寸，长160cm；直径约8英寸，长160cm；直径约10英寸，长160cm；

直径约12英寸，长170cm；直径约15英寸，长170cm；直径约18英寸，长160cm；

一些本发明的单晶硅晶片、电池片实施例的尺寸数据(cm)：

长5，宽5；长10，宽10；长15，宽10；长15，宽15；长20，宽20；

长25，宽15；长25，宽20；长25，宽25；长30，宽30；长40，宽40；

直径102mm；直径3英寸；直径4英寸；直径5英寸；直径6英寸；直径7英寸；

直径8英寸；直径9英寸；直径12英寸；直径15英寸；直径18英寸；等等。

本发明中提拉单晶所用的籽晶，可以是普通硅单晶籽晶，优选掺杂锗的籽晶，优选其杂质含量和本发明的目标掺杂单晶的杂质含量接近的籽晶。

本发明的掺杂的单晶硅锭适用于制作高性能的半导体晶片和器件，特别是光电用晶片和光电池。

作为一个实施例，通过切割本发明的硅锭的固体实体形成至少一个片状晶体，即晶片；任选在晶片表面上实施清洗步骤；任选在晶片表面上实施纹饰步骤，即在晶片表面形成降低光反射的绒面；任选对晶片实施热处理步骤，其中，热处理可进一步改善晶片的性能；形成p-n结，例如通过表面掺杂；该含p-n结的晶片可作为二极管晶元或元件；任选在表面上沉积抗反射涂层；任选形成选自背面电场和钝化层的至少一层，例如通过铝烧结步骤；以及在晶片上形成导电触点，其中，导电触点可彼此连接成导电线或带，由此，可以由根据本发明的实施方案的晶硅锭生产的晶片，制造出光电池。钝化层是与维系表面原子的悬空键的裸晶片表面具有界面的层。硅上的钝化层的例子包括氮化硅、二氧化硅和无定形硅。该层通常比1微米还要薄，或者对光是透明的，或者作为抗反射层。

在例如使用p型硅晶片制备光电池的典型和一般方法中，使晶片在一侧于高温下暴露于适当的n型掺杂剂，从而在晶片的前侧或受光测形成发射体层和p-n结。为进一步改善光吸收，通常可以在晶片的前侧施加任选的抗反射涂层，例如氮化硅，有时提供同时的表面和/或体相钝化。

为了利用通过p-n结暴露于光能所产生的电位，光电池通常在晶片的前表面提供导电的前电触点，在晶片的后表面提供导电的后电触点。电触点或称导电触点通常由导电的金属制成。

本领域的技术人员显而易见，在不偏离本发明的范围或构思的情况下，可以对所披露的单晶硅的成分、制造方法做出各种修改和变形，并可用以制成包括但不限于二极管、三极管、晶闸管、光电池等各种半导体元、器件。其中，作为一个例子，晶闸管元件是在本发明的单晶硅上形成至少3组p-n结并附加导电触点(或线、带)，晶闸管是将上述晶闸管元件封装、引出电导线并连接上附加的其他半导体元器件。

Claims (9)

1.一种掺杂的直拉单晶硅，其含有任选自III族和V族元素中的至少一种元素的掺杂剂，其特征是，还掺杂有浓度为1～35*10¹⁶cm^-3的碳，1～50*10¹⁵cm^-3的氮；1～20*10¹⁷cm^-3的氧，0.2*10¹⁶～1*10²⁰cm^-3的锗。

2.根据权利要求1的直拉单晶硅，其特征为，掺杂杂质浓度按以下一组杂质含量范围中的至少一种进一步优选：碳1～10*10¹⁶cm^-3；氮1.5～4.5*10¹⁵cm^-3；氧1～10*10¹⁷cm^-3和锗1～50*10¹⁶cm^-3。

3.根据权利要求1的直拉单晶硅，其特征为，还含有氢。

4.根据权利要求1～3的直拉单晶硅棒，其特征为，其直径至少约15cm。

5.根据权利要求1～3所述的直拉单晶硅，其特征为，还包含有至少一组p-n结。

6.根据权利要求5所述的直拉单晶硅，其特征为，还包含有附加的导电触点(或线、带)。

7.一种半导体器件，包括但不限于二极管、三极管、晶闸管、光电池，其特征是包含有权利要求1～3所述的单晶硅。

8.根据权利要求1～3所述的直拉单晶硅，其用于制作含p-n结的半导体元件的用途。

9.根据权利要求1～3所述的直拉单晶硅，其用于制作包括但不限于二极管、三极管、晶闸管、光电池等半导体器件的用途。