JP2021080549A - 銅粉体とその製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
本発明の実施形態の一つは、複数の銅粒子を含む銅粉体である。本銅粉体を製造する方法の一例を図1に示すフローを用いて説明する。ここでは、いわゆる気相成長法を利用する銅粉体の製造方法について述べるが、銅粉体の製造方法は気相成長法に限られず、湿式法やプラズマ法などを利用して銅粉体を製造してもよい。
まず、金属銅を塩素ガスと反応させることで塩化銅ガスを生成する。この方法は、塩化銅よりも安価な金属銅を用いることができる点でコスト的に優位であるのみならず、塩化銅ガスの供給量を安定化させることができる。具体的な塩化銅ガスの製造方法としては、金属銅をその融点以下(例えば800℃以上1000℃以下)で塩素ガスと反応させることによって塩化銅ガスを生成させる。塩素ガスは、実質的に塩素のみを含有するものであっても良く、希釈用の不活性ガスを含有する塩素と希釈用の不活性ガスの混合ガスであってもよい。混合ガスを用いることで、金属銅と反応させる塩素の量を容易に、かつ精密に制御することが可能となる。
生成した塩化銅ガスを還元性ガスと反応させて銅粉体を生成させる。還元性ガスとしては、例えば水素やヒドラジン、アンモニア、メタンなどを用いることができる。還元性ガスは、塩化銅ガスに対して化学量論量以上用いることができる。例えば、塩化銅ガスがすべて一価の銅の塩化物からなり、還元性ガスが水素の場合、還元性ガスの導入量は塩化銅ガスに対して50モル%以上10000モル%以下、500モル%以上10000モル%以下、あるいは1000モル%以上10000モル%以下とすることができる。この反応によって、塩化銅は還元されて銅になり、銅元素は銅粒子に成長して、集合体としての銅粉体となる。この還元反応で生成する銅粉体を以下、一次粉体と呼ぶ。
上記の製造方法によって得られた一次粉体に対して塩基の水溶液あるいは懸濁液で処理することで、塩素成分の低減を行っても良い。
上記の製造方法によって得られた一次粉体に対し、酸素成分の低減のために、アスコルビン酸やヒドラジン、クエン酸などを含む溶液、または懸濁液を洗浄液として用いて処理した後、水で洗浄し、ろ過、乾燥を行っても良い。
上記の製造方法によって得られた一次粉体に対して、所定の表面処理を行っても良い。表面処理剤としては、ベンゾトリアゾールとその誘導体、トリアゾールとその誘導体、チアゾールとその誘導体、ベンゾチアゾールとその誘導体、イミダゾールとその誘導体、およびベンズイミダゾールとその誘導体などの含窒素ヘテロ芳香族化合物などを使用することができる。
上記の製造方法によって得られた銅粉体に対して、乾燥、分級、解砕、篩別などの処理を行ってもよい。分級は乾式分級でも湿式分級でも良く、乾式分級では、気流分級、重力場分級、慣性力場分級、遠心力場分級など、任意の方式を採用できる。湿式分級においても同様に、重力場分級や遠心力場分級などの方式を採用することができる。解砕は、例えばジェットミルを用いて行うことができる。篩別は、所望のメッシュサイズを有する篩を振動させ、これに銅粉体を通過させることで行うことができる。分級、解砕、篩別処理を行うことで、銅粉体の粒子径分布をより小さくすることが可能である。
2−1.粒子径
以上の工程により製造される銅粉体は、気相成長法によって一次粉体が生成されることに起因して平均粒子径が小さく、その分布も狭い。ここで銅粉体の平均粒子径とは、銅粉体の体積基準の粒子径ヒストグラムにおける累積頻度が50%になるときの粒子径のことをいう。銅粉体の体積基準の粒子径とは、銅粉体に含まれる各粒子の体積で重みづけられた粒子径である。以下の式で表されるように、粒子径di(iは1からkの自然数、i≦k)を有する粒子の総体積を粉体体に含まれる全粒子の総体積で除すことで、粒子径diを有する粒子の頻度Fが得られる。この頻度Fを累積し、50%となるときの粒子径がメジアン径D50である。ここでは、平均粒子径もD50として表記する。
Si=π(di)2
Vi=4π(di/2)3/3
本発明の実施形態の一つである銅粉体は、気相成長法によって一次粉体が生成されることに起因して平均結晶子径Dが大きいことが一つの特徴である。ここで、結晶子とは単結晶とみなせる領域の長さを表す指標である。個々の銅粒子は、単一、または複数の結晶子を有している。平均結晶子径Dは、銅粉体に対してX線回折の測定によって得られる各種パラメータ(使用するX線の波長λ、回折X線の広がりの半値幅β、ブラッグ角θ)を、以下に示すシェラーの式(式1)に代入して計算することで得られる。ここで、Kはシェラー定数である。例えば、X線回折装置を用いて銅結晶の(111)面、(200)面、(220)面の回折ピークの半値幅を求め、下記式1に従って平均結晶子径Dを算出することができる。平均結晶子径Dは、個々の銅粒子の結晶子の大きさを反映したパラメータである。
D=(K×λ)/(β×cosθ)・・・式1
銅粉体の銅粒子は、その形状が真球に近い。より具体的には、銅粉体の平均円形度すなわち銅粒子の円形度Cの平均は、例えば0.85以上0.95以下、または0.87以上0.95以下である。平均円形度とは、粉体に含まれる各粒子の形状を表すパラメータの一つであり、粉体を顕微鏡観察して得られる画像を解析し、複数の(例えば500個)粒子について円形度Cを求め、それを平均した値である。円形度Cは、以下の式によって表される。ここで、Aは顕微鏡像中における各粒子の投影面の周囲長、Bはこの投影面の面積と等しい面積の円の周囲長である。高い平均円形度に起因し、銅粉体は高い充填性を示す。このため、本銅粉体を用いることで、密度が高く、低抵抗な高い電極や配線を形成することができる。
本発明の実施形態の一つである銅粉体は、焼結時における脱ガス挙動が高度に制御されており、その結果、後述するように、焼結によって構造が明確に定義された銅膜を与えることが可能である。脱ガス挙動を評価する方法に限定はないが、スループット法、またはコンダクタンス法と呼ばれる方法を用いることができる。この方法では、減圧されたチャンバー内で所定の温度範囲において一定の昇温速度で銅粉体を加熱し、チャンバー内の圧力変化に基づいて脱離したガスの量が見積もられる。例えば昇温脱離ガス分析(TDS)装置を用い、減圧下で銅粉を載置したステージを所定の温度範囲(例えば60℃から950℃)において一定の昇温速度(例えば30℃/min)で加熱し、圧力変化をモニターする。脱離したガスは質量分析装置で分析することができ、これにより、脱離したガスを同定し、その組成比を求めることができる。脱離するガスとしては、水、水素、二酸化炭素、一酸化炭素、窒素、シアン化水素などが挙げられる。なお、窒素と一酸化炭素は分子量が同一であるため、これらは混合ガスとして評価される。
上述したように、本発明の実施形態の一つである銅粉体は、気相成長法で得られる一次粉体を表面安定化処理することで製造される。このため、銅粒子は、その表面に表面処理剤に由来する微量の炭素を含む。銅粉体中の炭素濃度は、例えば0.04重量%以上1.00重量%以下、0.04重量%以上0.90重量%以下、または0.04重量%以上0.80重量%以下である。
上述したように、本発明の実施形態の一つである銅粉体の製造方法には、一次粒子の表面安定化処理が含まれ、さらに塩素成分や酸素成分の低減処理を含むことができる。この製造方法では、例えばアルミニウムやチタン、ジルコニウム、セリウムなどの遷移金属、あるいはケイ素などの不純物の混入の原因となる工程を含める必要は無い。したがって銅粉体は、焼結によって形成される銅膜の電気的特性に対して悪影響を及ぼし得るこれらの不純物を実質的に含まない。上述した元素の濃度は、例えば誘導結合プラズマ(ICP)発光分光などを利用する元素分析測定において、検出限界値未満であることが好ましい。なお、本発明における「検出限界値未満」とは、アルミニウムが1ppm未満、ケイ素が1ppm未満、チタンが10ppm未満、ジルコニウムが1ppm未満であることを意味する。
塩化炉に球状の金属銅を設置し、塩化炉を900℃に加熱した。この温度において、塩化炉の上部と下部に接続された塩素導入管(以下、それぞれ上部導入管と下部導入管と記す)から塩素ガスと窒素ガスの混合ガスを供給した。上部導入管を介して導入された混合ガスにおける塩素ガスと窒素ガスの体積比(VCl2:VN2)は29:61、下部導入管を介して導入された混合ガスにおける塩素ガスと窒素ガスの体積比(VCl2:VN2)は2:98であった。上部導入管を介して導入された混合ガスと下部導入管を介して導入された混合ガスの体積比(Vu:Vl)は1:0.17であった。
銅粉体を表面処理するときのベンゾトリアゾールの水溶液の濃度を0.05重量%とした以外は、実施例1と同様の条件で銅粉体を調製した。
銅粉体を表面処理するときのベンゾトリアゾールの水溶液の濃度を1.0重量%とした以外は、実施例1と同様の条件で銅粉体を調製した
比較例1の銅粉体は、特許文献3に開示された湿式還元法を利用して調製した。
実施例1から3、および比較例1の銅粉体の平均粒子径D50、平均結晶子径D、平均円形度、焼結開始温度、炭素濃度、およびアルミニウム、ケイ素、チタン、およびジルコニウムの濃度を測定した。さらに、スループット法を適用して脱ガス挙動を評価した。
銅粉体を表面処理するときのベンゾトリアゾールの水溶液の濃度を0.33重量%とした以外は、実施例1と同様の条件で銅粉体を調製した。
銅粉体を表面処理するときのベンゾトリアゾールの水溶液の濃度を0.05重量%とした以外は、実施例1と同様の条件で銅粉体を調製した
実施例1、参考例1と2、および比較例1の銅粉体の平均粒子径D50、平均結晶子径D、平均円形度、焼結開始温度、炭素濃度、およびアルミニウム、ケイ素、チタン、およびジルコニウムの濃度を測定した。さらに、スループット法を適用して脱ガス挙動を評価した。
Claims (5)
- 平均粒径D50が100nm以上500nm以下であり、
焼結開始温度が450℃以上であり、
脱ガスピーク温度が150℃以上300℃以下である、銅粉体。 - 60℃以上950℃以下の温度範囲で脱離するガスの総量(W0)に対する、600℃以上950℃以下の温度範囲で脱離するガスの量(W1)の比(W1/W0)は、0.6重量%以下である、請求項1に記載の銅粉体。
- 平均結晶子径(D)の平均粒子径(D50)に対する比D/D50が0.10以上0.50以下である、請求項1または2に記載の銅粉体。
- 炭素濃度が0.04重量%以上1.00重量%以下である、請求項1から3のいずれか一項に記載の銅粉体。
- アルミニウム、ケイ素、チタン、ジルコニウム、セリウム、およびスズの各々の濃度は、誘導結合プラズマ発光分光による前記銅粉体の測定において、検出限界値未満である、請求項1から4のいずれか一項に記載の銅粉体。
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