JP2021048292A - セラミック電子部品 - Google Patents
セラミック電子部品 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2021048292A JP2021048292A JP2019170387A JP2019170387A JP2021048292A JP 2021048292 A JP2021048292 A JP 2021048292A JP 2019170387 A JP2019170387 A JP 2019170387A JP 2019170387 A JP2019170387 A JP 2019170387A JP 2021048292 A JP2021048292 A JP 2021048292A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lead terminal
- solder
- coating layer
- electronic component
- ceramic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 title claims abstract description 158
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims abstract description 125
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 claims abstract description 91
- 238000005476 soldering Methods 0.000 claims abstract description 22
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 18
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 18
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 74
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 57
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 33
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 33
- 239000011135 tin Substances 0.000 claims description 28
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims description 23
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 21
- 229910017482 Cu 6 Sn 5 Inorganic materials 0.000 claims description 19
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 11
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 38
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 26
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 25
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 22
- 238000000034 method Methods 0.000 description 17
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 239000013256 coordination polymer Substances 0.000 description 13
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 12
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 12
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- KUNSUQLRTQLHQQ-UHFFFAOYSA-N copper tin Chemical class [Cu].[Sn] KUNSUQLRTQLHQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 description 9
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 8
- 230000008569 process Effects 0.000 description 8
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 7
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 6
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 6
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 5
- 229910000765 intermetallic Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 5
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 5
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 5
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 5
- 238000007711 solidification Methods 0.000 description 5
- 230000008023 solidification Effects 0.000 description 5
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 5
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 4
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 4
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 4
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 4
- 239000003985 ceramic capacitor Substances 0.000 description 3
- 239000011162 core material Substances 0.000 description 3
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 238000000550 scanning electron microscopy energy dispersive X-ray spectroscopy Methods 0.000 description 3
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 2
- GVFOJDIFWSDNOY-UHFFFAOYSA-N antimony tin Chemical compound [Sn].[Sb] GVFOJDIFWSDNOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 2
- 238000002149 energy-dispersive X-ray emission spectroscopy Methods 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 2
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 2
- DJOYTAUERRJRAT-UHFFFAOYSA-N 2-(n-methyl-4-nitroanilino)acetonitrile Chemical compound N#CCN(C)C1=CC=C([N+]([O-])=O)C=C1 DJOYTAUERRJRAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000640 Fe alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001252 Pd alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 1
- PQIJHIWFHSVPMH-UHFFFAOYSA-N [Cu].[Ag].[Sn] Chemical compound [Cu].[Ag].[Sn] PQIJHIWFHSVPMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 229910000287 alkaline earth metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- -1 and the like Chemical class 0.000 description 1
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011324 bead Substances 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- JWVAUCBYEDDGAD-UHFFFAOYSA-N bismuth tin Chemical compound [Sn].[Bi] JWVAUCBYEDDGAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WEUCVIBPSSMHJG-UHFFFAOYSA-N calcium titanate Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ca+2].[Ti+4] WEUCVIBPSSMHJG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000007606 doctor blade method Methods 0.000 description 1
- 238000002003 electron diffraction Methods 0.000 description 1
- 238000000921 elemental analysis Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000010191 image analysis Methods 0.000 description 1
- 238000011835 investigation Methods 0.000 description 1
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 1
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000013507 mapping Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000005554 pickling Methods 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- UKDIAJWKFXFVFG-UHFFFAOYSA-N potassium;oxido(dioxo)niobium Chemical compound [K+].[O-][Nb](=O)=O UKDIAJWKFXFVFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004451 qualitative analysis Methods 0.000 description 1
- 238000004445 quantitative analysis Methods 0.000 description 1
- 229910001404 rare earth metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 1
- 230000007480 spreading Effects 0.000 description 1
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 1
- VEALVRVVWBQVSL-UHFFFAOYSA-N strontium titanate Chemical compound [Sr+2].[O-][Ti]([O-])=O VEALVRVVWBQVSL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005211 surface analysis Methods 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- 229910000969 tin-silver-copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000314 transition metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/224—Housing; Encapsulation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/228—Terminals
- H01G4/232—Terminals electrically connecting two or more layers of a stacked or rolled capacitor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G2/00—Details of capacitors not covered by a single one of groups H01G4/00-H01G11/00
- H01G2/10—Housing; Encapsulation
- H01G2/103—Sealings, e.g. for lead-in wires; Covers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/018—Dielectrics
- H01G4/06—Solid dielectrics
- H01G4/08—Inorganic dielectrics
- H01G4/12—Ceramic dielectrics
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/228—Terminals
- H01G4/232—Terminals electrically connecting two or more layers of a stacked or rolled capacitor
- H01G4/2325—Terminals electrically connecting two or more layers of a stacked or rolled capacitor characterised by the material of the terminals
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/30—Stacked capacitors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G2/00—Details of capacitors not covered by a single one of groups H01G4/00-H01G11/00
- H01G2/10—Housing; Encapsulation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/228—Terminals
- H01G4/236—Terminals leading through the housing, i.e. lead-through
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Abstract
【課題】セラミック素体に生じるクラックを低減すると共に、十分な機械的強度を有するセラミック電子部品を提供することである。【解決手段】セラミック素体と、セラミック素体の端面から側面にかけて形成してある端子電極と、ハンダにより端子電極に接合してあるリード端子と、を有するセラミック電子部品である。セラミック素体の側面とリード端子との間には、ハンダによるフィレットが形成してあり、ハンダと接触するリード端子の表面には、被覆層が形成してある。そして、被覆層が、リード端子よりも、ハンダとの接触角が小さい金属成分で構成してある。【選択図】図４
Description
本発明は、リード端子付きのセラミック電子部品に関する。
回路基板などに実装される電子部品として、特許文献１に示すような、リード端子付きのセラミック電子部品が知られている。このセラミック電子部品においては、端子電極が形成してあるセラミック素体に、ハンダを用いて、リード端子を接合することが一般的である。
ハンダによりリード端子を接合した場合、リード端子と端子電極との間には、ハンダが濡れ広がることによりフィレットが形成される。このフィレットと接触しているセラミック素体の端部においては、ハンダの凝固時に収縮応力が発生することなどにより、素体内部にクラックが生じやすい。
本発明は、上記の実情を鑑みてなされ、その目的は、セラミック素体に生じるクラックを低減すると共に、十分な機械的強度を有するセラミック電子部品を提供することである。
上記目的を達成するために、本発明に係るセラミック電子部品は、
セラミック素体と、
前記セラミック素体の端面から側面にかけて形成してある端子電極と、
ハンダにより前記端子電極に接合してあるリード端子と、を有し、
前記セラミック素体の前記側面と前記リード端子との間には、ハンダによるフィレットが形成してあり、
前記ハンダと接触する前記リード端子の表面には、被覆層が形成してあり、
前記被覆層が、前記リード端子よりも、ハンダとの接触角が小さい金属成分で構成してある。
セラミック素体と、
前記セラミック素体の端面から側面にかけて形成してある端子電極と、
ハンダにより前記端子電極に接合してあるリード端子と、を有し、
前記セラミック素体の前記側面と前記リード端子との間には、ハンダによるフィレットが形成してあり、
前記ハンダと接触する前記リード端子の表面には、被覆層が形成してあり、
前記被覆層が、前記リード端子よりも、ハンダとの接触角が小さい金属成分で構成してある。
本発明のセラミック電子部品では、セラミック素体の側面とリード端子との間にフィレットが形成してあり、端子電極の端面側と側面側の両方にハンダによる接合領域が存在している。そのため、本発明のセラミック電子部品では、セラミック素体の端子電極に対して、リード端子が強固に接続されている。特に、本発明のセラミック電子部品では、セラミック素体のサイズが小さい場合であっても、十分な接合強度を確保できる。
また、本発明のセラミック電子部品では、十分な接合強度が確保できると共に、これと両立して、クラックの発生を抑制できる。
従来では、フィレットの形成を抑制するために、リード端子の一部にハンダ付着防止処理を施し、部分的にリード端子表面のハンダ濡れ性を悪くすることが知られていた。本発明のセラミック電子部品では、従来とは逆に、リード端子のハンダと接触する部分において、表面のハンダ濡れ性を良くする方向に最適化している。本発明では、上記のようにリード端子側のハンダ濡れ性を良くすることで、セラミック素体の側面に対するハンダフィレットの角度が、かえって小さくなることを見出した。フィレット角度が小さくなることで、セラミック素体にクラックが発生することを抑制できる。また、クラックを抑制することで、セラミック電子部品の機械的強度が向上する。
本発明のセラミック電子部品では、好ましくは、前記リード端子が銅を含む。また、好ましくは、前記被覆層を構成する前記金属成分には、銅および錫が含まれる。特に、リード端子とハンダの境界においては、リード端子側から、リード端子の銅、銅−錫合金を含む被覆層、ハンダの順序となる接合構造が形成してあることが好ましい。本発明のセラミック電子部品では、上記のような接合構造をとることで、リード端子側のハンダ濡れ性がより最適な状態となり、フィレット角度をさらに小さくすることができる。その結果、セラミック素体に生じるクラックをより好適に抑制することができる。
さらに好ましくは、本発明のセラミック電子部品では、前記被覆層が、Ｃｕ６Ｓｎ５を含む。このように被覆層がＣｕ６Ｓｎ５を含むことで、ハンダ濡れ性がより向上し、フィレット角度の低角度化に寄与する。また、Ｃｕ６Ｓｎ５は錫よりも融点が高いため、リード端子とハンダとの接合部において、耐熱性が向上する。
また、前記被覆層は、めっきにより形成される銅−錫めっき層ではなく、リード端子の先端部のみをハンダ浴に浸漬することで形成される合金層であることが好ましい。上記のように、本発明に係るセラミック電子部品では、被覆層を浸漬処理により形成される合金層とすることで、めっき処理により形成される銅−錫めっき層よりも、機械的強度が向上する。
また、本発明において、前記セラミック素体の前記側面に対する前記フィレットの角度は、好ましくは、１５度以上、４０度未満であり、より好ましくは、３５度未満である。セラミック素体の側面に対するフィレット角度が上記の範囲にあることで、セラミック素体に生じるクラックをより好適に抑制することができる。
さらに、前記被覆層の厚みは、好ましくは、１μｍ以上、７μｍ以下である。被覆層の厚みが上記の範囲内にあることによって、下地を被覆層で十分に覆うことが可能になり、リード端子側のハンダ濡れ性がより最適な状態となる。その結果、セラミック素体に生じるクラックをより好適に抑制することができる。
本発明において、前記セラミック素体の第１方向（Ｚ軸方向）の高さをＴ０とし、前記リード端子において、前記被覆層が形成してある前記第１方向の長さをＬ１とすると、Ｌ１のＴ０に対する比率（Ｌ１／Ｔ０）は、１．５倍〜２．０倍であることが好ましい。また、前記被覆層が形成されていない前記リード端子の表面には、錫めっき層が形成してあることが好ましい。
上記に示すように、リード端子の先端側（端子電極対向部側）と基板実装側とで異なる被覆層を形成することで、端子電極対向部側の接合信頼性を確保できると共に、基板実装側の接合信頼性をも両立して確保することができる。
本発明に係るセラミック電子部品は、たとえば、以下に示す製造方法で作製できる。すなわち、本発明に係るセラミック電子部品の製造方法は、
表面に端子電極が形成してあるセラミック素体を準備する工程と、
リード端子の先端部をハンダ浴に浸漬する浸漬工程と、
前記浸漬工程後の前記リード端子の先端部に、前記セラミック素体を仮固定する工程と、
前記セラミック素体を仮固定した前記リード端子の先端部を、ハンダ浴に浸漬して、前記セラミック素体の前記端子電極と前記リード端子の先端部とをハンダ付けするハンダ付け工程と、を含む。
表面に端子電極が形成してあるセラミック素体を準備する工程と、
リード端子の先端部をハンダ浴に浸漬する浸漬工程と、
前記浸漬工程後の前記リード端子の先端部に、前記セラミック素体を仮固定する工程と、
前記セラミック素体を仮固定した前記リード端子の先端部を、ハンダ浴に浸漬して、前記セラミック素体の前記端子電極と前記リード端子の先端部とをハンダ付けするハンダ付け工程と、を含む。
上記に示すように、本発明に係るセラミック電子部品の製造方法では、まず、リード端子のみをハンダ浴に浸漬させ、その後に、リード端子とセラミック素体の端子電極とをハンダ付けしている。このような二度漬けの工程を経ることで、リード端子の先端部（少なくともハンダと接触する部分）において、ハンダ濡れ性の良い被覆層が形成される。その結果、セラミック素体に生じるクラックが低減されたセラミック電子部品が得られる。
リード端子に形成される被覆層の厚みと組成とは、浸漬工程におけるハンダ浴の温度、もしくは浸漬時間などにより制御し得る。より具体的には、前記浸漬工程におけるハンダ浴の温度は、前記ハンダ付け工程におけるハンダ浴の温度の０．９〜１．１倍程度にすることが好ましい。
また、前記浸漬工程では、前記ハンダ付け工程よりも、ハンダ浴への浸漬時間を長くすることが好ましい。より具体的には、前記浸漬工程における浸漬時間は、前記ハンダ付け工程における浸漬時間よりも、１０〜６０倍程度と長くすることが好ましい。
上記に示すように、浸漬工程とハンダ付け工程の条件を制御することで、リード端子の先端部には、ハンダ濡れ性が最適な被覆層が形成される。
以下、本発明を図面に示す実施形態に基づき説明するが、本発明は下記の実施形態に限定されない。
図１および図２に示すように、本発明の一実施形態に係るリード端子付きセラミック電子部品２は、セラミック素体４と、一対のリード端子８と、外装２０とを有する。本実施形態では、セラミック電子部品の一例として、セラミック素体４が、積層セラミックコンデンサで構成してある場合について説明する。
図２に示すように、外装２０は、セラミック素体４の全体と、リード端子８の一部とを覆っている。外装２０の被覆範囲は、特に限定されないが、少なくとも、セラミック素体４の全体と、セラミック素体４とリード端子８との接合部分（すなわち後述するハンダ１０が存在する箇所）とを覆っていればよい。外装２０の材質は、絶縁性を有していればよく、特に制限されないが、ハロゲンフリーの絶縁樹脂であることが好ましく、たとえば、エポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂が例示される。
図２に示すセラミック素体４は、Ｘ軸方向で対向する２つの端面４ａと、２つの端面４ａを連結する４つの側面４ｂとを有し、全体形状が直方体である。ただし、セラミック素体４の形状および寸法は、特に限定されず、目的や用途に応じて適宜決定すればよい。たとえば、セラミック素体４の寸法は、Ｘ軸方向の長さを０．６〜６．５ｍｍ、幅（図３に示すＷ０）を０．３〜５．０ｍｍ、高さ（図２に示すＴ０）を０．２〜３．５ｍｍとすることができる。なお、各図面において、Ｘ軸とＹ軸とＺ軸（第１方向）とは、相互に垂直である。
セラミック素体４の内部には、図２および図３に示すように、内部電極層１６，１８が、セラミック層１４を介して交互に積層してある。内部電極層１６は、セラミック素体４のＸ軸方向の一方の端面４ａに露出しており、内部電極層１８は、セラミック素体４の他方の端面４ａに露出している。
また、セラミック素体４のＸ軸方向の両端には、一対の端子電極６が形成してある。より具体的に、端子電極６は、セラミック素体４の端面４ａから側面４ｂに回り込んで形成してあり、端面側電極６ａと、側面側電極６ｂとを有する。内部電極１６，１８は、露出した端面４ａにおいて、それぞれ、端面側電極６ａに電気的に接続してある。なお、一対の端子電極６は、互いに絶縁してあり、一対の端子電極６と、内部電極層１６，１８とで、コンデンサ回路を形成している。
本実施形態において、セラミック層１４は、誘電体組成物で構成してある。使用する誘電体組成物としては、特に限定されず、公知の材質を用いればよい。たとえば、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３）、チタン酸カルシウム（ＣａＴｉＯ３）、チタン酸ストロンチウム（ＳｒＴｉＯ３）、ジルコン酸カルシウム（ＣａＺｒＯ３）、ニオブ酸カリウム（ＫＮｂＯ３）などを主成分として用いることができる。また、これら主成分の他に、希土類の酸化物、アルカリ土類金属の酸化物、遷移金属の酸化物、酸化マグネシウムなどを副成分として添加してもよい。なお、セラミック層１４の厚み、および積層数も、特に限定されず、一般的な厚みおよび積層数とすることができる。
内部電極層１６，１８は、導電性金属を主成分として含有する。使用する導電性金属は、特に限定されず、公知の材質を用いればよい。たとえば、ニッケル、銅、銀、金、パラジウム、または、これら金属のうち少なくとも１種を含む合金などが例示される。内部電極層１６，１８の厚みも、特に限定されず、一般的な厚みを採用できる。また、内部電極層１６，１８の積層数は、セラミック層１４の積層数に応じて決定される。
また、端子電極６についても、導電性金属を主成分として含有していればよく、材質は特に限定されない。端子電極６としては、通常、銅や銅合金、ニッケルやニッケル合金などが用いられるが、銀や銀とパラジウムの合金なども使用することができる。端子電極６の厚みも特に限定されず、通常、１０〜５０μｍ程度である。なお、端子電極６の表面には、ニッケル、銅、錫などから選ばれる少なくとも１種のめっき層が形成してあってもよい。端子電極６において、めっき層の１層当たりの厚みは、１〜１０μｍであることが好ましく、めっき層は多層構造であってもよい。
本実施形態では、図２に示すように、一対のリード端子８が、セラミック素体４の２つの端面４ａに対応して設けられている。各リード端子８は、それぞれ、端子電極対向部８ａと、曲折部８ｃと、リード脚部８ｄとを有する。本実施形態において、リード端子８の各部位８ａ〜８ｄは、導電性線材８０を加工することで、一体的に形成してある。ただし、リード端子８は、導電性の金属板を加工して形成してもよい。
リード端子８を構成する導電性線材８０としては、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、鉄（Ｆｅ）、銀（Ａｇ）などを含む金属線を用いることができる。特に、リード端子８は、銅を含むことが好ましい。より具体的には、芯材が純銅、もしくは銅を主成分として含む銅合金である銅系の金属線（以下、Ｃｕ線と呼ぶ）を用いることが好ましい。もしくは、表面に銅めっき層を形成した銅被覆鋼線（以下、ＣＰ線と呼ぶ）を用いることが好ましい。ＣＰ線の場合、芯材は、純鉄、もしくは鉄を主成分として含む鉄合金である。また、ＣＰ線を用いる場合、芯材の表面に形成してある銅めっき層の厚みは、５μｍ〜１０μｍであることが好ましい。
なお、リード端子８を構成する導電性線材８０の線径は、セラミック素体４の寸法に応じて適宜決定される。たとえば、０．５ｍｍ〜１．０ｍｍの線径とすることができ、好ましくは、０．５ｍｍ〜０．６ｍｍである。
図２に示すように、リード端子８の端子電極対向部８ａは、端子電極６の端面側電極６ａと対向して配置してあり、ハンダ１０を介して、端面側電極６ａに接合してある。すなわち、端子電極対向部８ａは、リード端子８の長手方向が、Ｚ軸に対して略平行となるように端子電極６に接続してある。本実施形態において、端子電極対向部８ａは、前述した導電性線材８０の先端を潰し加工することで形成してある。そのため、端子電極対向部８ａは、図３に示すように、平板状の断面形状を有する。
端子電極対向部８ａの長手方向（Ｚ軸方向）の長さＬ２は、セラミック素体４のＺ軸方向の高さＴ０に対して長くてもよいし、短くてもよい。ただし、好ましくは、端子電極対向部８ａの長さＬ２は、セラミック素体４の高さＴ０に対して０．９倍〜１．１倍程度の範囲内であることが好ましい。このような長さとすることで、端子電極６とリード端子８との接合強度が向上する傾向となる。
また、図３に示す端子電極対向部８ａのＹ軸方向の幅Ｗ１は、セラミック素体のＹ軸方向の幅Ｗ０に対して、０．７倍〜１．１倍程度の範囲内であることが好ましい。端子電極対向部８ａの幅Ｗ１を上記の範囲内とすることで、端面側電極６ａと端子電極対向部８ａとの間に入り込むハンダ１０の介在量を、適切な範囲に制御することができる。
端子電極対向部８ａのＺ軸方向の下方では、リード端子８の長手方向に対して直線状ではない曲折部８ｃが形成してある。曲折部８ｃの断面と、後述するリード脚部８ｄの断面とは、端子電極対向部８ａと異なり、円形状を有する。
曲折部８ｃは、図２に示すように、Ｘ−Ｚ断面において、一対のリード端子８がＸ軸上で離間する方向に折り曲がって形成してあることが好ましい。曲折部８ｃは、このような折り曲がり形状を有するとともに、端子電極対向部８ａとリード脚部８ｄとを連結している。なお、Ｘ−Ｚ断面における曲折部８ｃの折り曲がり形状は、図２に示す形状に限定されない。たとえば、曲折部８ｃは、図２とは逆に、一対のリード端子８がＸ軸上で近接する方向に折り曲がっていても良く、Ｓ字状の曲線形状を有していても良い。
リード脚部８ｄは、図２に示すように、曲折部８ｃのＺ軸方向の下端側に一体的に形成してあり、セラミック素体４の端面４ａに平行なＺ軸の下側方向に向けて、直線状に延びている。リード脚部８ｄの端部は、プリント基板やフレキシブル基板などの基板に接続され、基板実装部を構成する。セラミック電子部品２の基板への実装方法は、特に限定されないが、たとえば、ハンダや溶接、カシメなどの実装技術を適用できる。なお、曲折部８ｃの下方側８ｃ２は、セラミック電子部品２の基板実装時に、立付け高さを規制するキンクとして作用する。
前述したように、リード端子８は、ハンダ１０により端子電極６に接合される。ハンダ１０の材質は、特に限定されないが、たとえば、錫−アンチモン系、錫−銀−銅系、錫−銅系、錫−ビスマス系の鉛フリーハンダを用いることができる。本実施形態に係るセラミック電子部品２では、図４に示すように、端子電極６とリード端子８との接合構造に特徴を有する。以下、当該接合構造について詳細を説明する。
図４に示すように、本実施形態では、ハンダ１０が、端面側電極６ａと端子電極対向部８ａとの間、および、側面側電極６ｂと曲折部８ｃの上方側８ｃ１との間に介在している。そして、側面側電極６ｂと曲折部８ｃの上方側８ｃ１との間（すなわち、セラミック素体４の側面４ｂとリード端子８との間）には、ハンダによるフィレット１０ａが形成してある。すなわち、リード端子８は、端子電極対向部８ａ、および、曲折部８ｃの上方側８ｃ１においてハンダ１０と接触しており、端子電極対向部８ａと曲折部８ｃの上方側８ｃ１とで素子接合部８ｂを構成している。
本実施形態において、リード端子８の素子接合部８ｂの表面には、すなわち、素子接合部８ｂとハンダ１０との境界には、ハンダ１０の接合後の状態で、被覆層９が形成してある。この被覆層９は、リード端子８よりも、ハンダ１０との接触角が小さい金属成分で構成してある。前述したように、リード端子８は銅を含むことが好ましいため、被覆層９は、銅よりも、ハンダ１０との接触角が小さい金属成分で構成してあることが好ましい。
ハンダ１０との接触角とは、接合対象物のハンダ濡れ性を評価するための指標であって、接合対象物に液化したハンダを滴下した際に、液滴外縁部（濡れ先端部）と接合対象物の表面とのなす角度を意味する。ハンダ１０の接触角は、主に、使用するハンダ１０の材質と、リード端子８の素子接合部８ｂの表面に形成された被覆層９の組成に依存する。
銅よりもハンダ１０との接触角が小さい金属成分とは、具体的に、銀、金、パラジウム、銅−錫合金、などが例示され、特に好ましくは、銅−錫合金である。つまり、図４に示す端子電極６とリード端子８との接合部において、リード端子８とハンダ１０との境界は、Ｘ軸方向に沿って、リード端子８の銅、銅および錫を含む被覆層９、ハンダ１０の順序となっており、本実施形態では、このような接合構造をとることが好ましい。
上記金属成分を含む被覆層９は、たとえば、リード端子８の表面にめっきを施すことによっても形成し得るが、特に、リード端子８の先端部（すなわち素子接合部８ｂに対応する領域）のみをハンダ浴に浸漬する（以下浸漬工程と呼ぶ）ことで形成することが好ましい。本実施形態では、浸漬工程により形成された被覆層９について説明する。
浸漬工程により形成された被覆層９は、銅および錫を含む合金層である。より具体的に、上記の合金層には、金属間化合物であるＣｕ３ＳｎおよびＣｕ６Ｓｎ５が含まれ得る。特に、Ｃｕ６Ｓｎ５が含まれていることが好ましい。浸漬工程により形成された被覆層９では、図４に示す接合構造において、被覆層９のリード端子８側にＣｕ３Ｓｎが多く存在し、被覆層９のハンダ１０側にＣｕ６Ｓｎ５が多く存在すると考えられる。すなわち、ハンダ１０と接触する被覆層９の最表面では、Ｃｕ６Ｓｎ５が露出していることが好ましい。
浸漬工程により形成された被覆層９の厚みは、ある程度のばらつきを有するが、０．５μｍ〜１０μｍ程度とすることができ、好ましくは、１．０μｍ〜７．０μｍであり、より好ましくは、１．０μｍ〜３．０μｍである。
本実施形態において、浸漬工程により形成された被覆層９は、リード端子８の素子接合部８ｂ（すなわち端子電極対向部８ａおよび曲折部８ｃの上方側８ｃ１）の表面に形成してある。被覆層９が形成してあるＺ軸方向の長さ、すなわち素子接合部８ｂのＺ軸方向の長さは、図２において符号Ｌ１で示される。Ｌ１は、セラミック素体４のＺ軸方向の高さＴ０に対して、１．１倍〜２．５倍程度の長さとすることができ、好ましくは、１．５倍〜２．０倍程度の長さである。
一方、リード端子８のリード脚部８ｄ、および、曲折部８ｃの下方側８ｃ２では、銅および錫を含む合金層である被覆層９が形成されていない。リード脚部８ｄおよび曲折部８ｃの下方側８ｃ２では、銅および錫を含む合金層ではなく、錫めっき層が形成してある。この錫めっき層は、錫が９０ｍｏｌ％以上含まれていることが好ましく、その厚みは、１μｍ〜１０μｍ程度であることが好ましい。基板実装部となるリード脚部８ｄに錫めっき層が形成してあることで、基板とリード端子８との接合信頼性は向上する傾向となる。
なお、被覆層９や錫めっき層の厚みは、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）により、図４に示すＸ−Ｚ断面を観測することで測定する。また、被覆層９や錫めっき層の成分は、ＳＥＭ観察時にエネルギー分散型Ｘ線分析（ＥＤＸ）を行うことで測定する。ＳＥＭ−ＥＤＸでは、点分析による元素解析（元素定量分析）および面分析によるマッピングを併用して実施することが好ましい。さらに、被覆層９のより詳細な化合物同定を行うためには、透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）を用いた電子回折により結晶構造解析を実施すればよい。
詳細については後述するが、本実施形態では、リード端子８の素子接合部８ｂにおいて被覆層９が形成してあることで、ハンダ１０によるフィレット１０ａの角度θが小さくなる。フィレット１０ａの角度θとは、図４に示すＸ−Ｚ断面において、セラミック素体４の側面４ｂと、フィレット１０ａの外縁部１０ａｂ１とがなす角のことを意味する。
なお、フィレット１０ａが形成してあるセラミック素体４の側面４ｂとは、セラミック素体４のＺ軸に略垂直な側面であり、かつ、基板実装側に近い側面である。また、フィレット１０ａの角度θは、上記のとおり、リード端子８の表面に形成してある被覆層９の構成により変化するが、その他、端子電極６の表面状態や、曲折部８ｃの形状などによっても変化する。
本実施形態では、フィレット１０ａの角度θが、１５度以上、４０度未満であることが好ましく、３５度未満であることがより好ましい。フィレット１０ａの角度θの測定は、ＳＥＭもしくは光学顕微鏡により図４に示すＸ−Ｚ断面の断面写真を撮影し、その断面写真を画像解析することで測定する。この際、観察用の試料は、Ｘ−Ｚ断面が、リード端子８のＹ軸方向の略中央位置となるように、セラミック電子部品２を切断し、鏡面研磨することで得る。
続いて、図１に示すセラミック電子部品２の製造方法の一例について、以下に説明する。
まず、セラミック素体４として、コンデンサチップを準備する。コンデンサチップは、公知の方法により製造すれば良い。たとえば、ドクターブレード法やスクリーン印刷等の手法により、電極パターンが形成されたグリーンシートを積層し、積層体を得る。その後、得られた積層体を加圧・焼成することで、コンデンサチップが得られる。
次に、準備したコンデンサチップに対して、一対の端子電極６を形成する。端子電極６の形成方法は、特に限定されないが、たとえば、コンデンサチップを、電極用の導電性ペーストに浸漬し、その後、焼き付け処理を施すことで形成できる。得られた焼き付け電極の表面には、適宜、めっき処理を施しても良い。例えば、端子電極６は、Ｃｕ焼付層／Ｎｉめっき層／Ｓｎめっき層の複数層構造とすることができる。
次に、リード端子８の製造方法について説明する。リード端子８の製造では、まず、導電性線材８０を準備する。本実施形態において、準備する導電性線材８０としては、表面に錫めっき層が形成してあるＣｕ線、もしくは、Ｃｕめっき層の表面にさらに錫めっき層が形成してあるＣＰ線を用いることが好ましい。ここで、Ｃｕ線もしくはＣＰ線の表面に形成してある錫めっき層は、錫が９０ｍｏｌ％以上含まれていることが好ましく、厚みが、１μｍ〜１０μｍであることが好ましい。
なお、被覆層９をめっきにより形成する場合には、錫めっき層に代えて、銀めっき層や、金めっき層、パラジウムめっき層、銅−錫めっき層などを形成しても良い。さらに、金めっき層もしくはパラジウムめっき層を形成する場合には、下地にニッケルめっき層が形成してあっても良い。
準備した導電性線材８０は、所定の長さに切断し、その後、全体としてＵ字形状となるように曲げ加工を施す。次に、Ｕ字形状の導電性線材８０を、キャリアテープに張り付けて固定する。この際、導電性線材８０は、Ｕ字形状の両端がキャリアテープから飛び出すようにして固定される。
このように、導電性線材８０をキャリアテープに張り付けた状態で、導電性線材８０の先端を、図６に示す形状に加工する。具体的には、まず、導電性線材８０の両端に折り曲げ加工を施し、曲折部８０ｃを形成する。その後、導電性線材８０の先端を潰し加工（プレス加工）し、端子電極対向部８０ａを形成する。量産時においては、キャリアテープ上に複数の導電性線材８０を張り付けて、上記の先端加工を同時に行えばよい。
次に、上記のような手順で作製したセラミック素体４とリード端子８とを、図５に示す手順で、接合し、リード端子付きのセラミック電子部品２を得る。
具体的に、まず、キャリアテープに張り付けてあるリード端子８（導電性線材８０）の先端部のみをハンダ浴に浸漬し、リード端子８の表面に被覆層９を形成する（リード端子８の浸漬工程）。この際、ハンダ浴に浸漬するリード端子８の先端部とは、素子接合部８ｂ（すなわち、端子電極対向部８ａ、および曲折部８ｃの上方側８ｃ１）に対応する範囲であり、図２に示す長さＬ１の範囲である。
上記の浸漬工程において、使用するハンダ浴の種類は、後述するセラミック素体４のハンダ付け工程で使用するハンダ浴と同じで良いが、異なっていても良い。また、使用するハンダ浴の温度は、ハンダの組成によっても異なるが、たとえば、錫−アンチモン系のハンダの場合、２７０℃〜３２０℃とすることができる。特に、浸漬工程におけるハンダ浴の温度は、後述するハンダ付け工程におけるハンダ浴の温度に対して、０．９〜１．１倍程度とすることが好ましい。このように浸漬工程時のハンダ浴の温度を制御することで、形成される被覆層９の最表面側にＣｕ６Ｓｎ５の金属間化合物が形成されやすくなると考えられる。
また、浸漬工程におけるハンダ浴への浸漬時間は、後述するハンダ付け工程での浸漬時間に対して、１０〜６０倍程度と長くすることが好ましく、より具体的には、１０秒〜６０秒程度とすることが好ましい。浸漬時間を上記の範囲に制御することで、リード端子の先端が細ることなく、被覆層９の厚みを最適な範囲に制御することができる。また、形成される被覆層９の最表面側にＣｕ６Ｓｎ５の金属間化合物が形成されやすくなると考えられる。
なお、上記の浸漬工程において、ハンダ浴に浸漬した箇所（すなわち素子接合部８ｂに対応する箇所）では、導電性線材８０の表面に形成してある錫めっき層が、ハンダ浴に溶解され、銅および錫を含む合金層である被覆層９が生成する。ハンダ浴に浸漬していないリード端子８のリード脚部８ｄ、および、曲折部８ｃの下方側８ｃ２では、表面に錫めっき層が残った状態となる。
上記の浸漬工程を行った後、一対のリード端子８の端子電極対向部８ａの間に、端子電極６を形成したセラミック素体４を配置し、一対の端子電極対向部８ａでセラミック素体４を挟持することで、セラミック素体４を仮固定する。
次に、セラミック素体４を仮固定したリード端子８の先端部分を、ハンダ浴に浸漬し、端子電極６とリード端子８とをハンダ付けする（ハンダ付け工程）。このハンダ付け工程において、ハンダ浴への浸漬時間は、０．５秒〜２程度であり、特に、０．８秒〜１．５秒程度と短くすることが好ましい。ハンダ付け工程での浸漬時間を上記の範囲内とすることで、セラミック素体４への熱影響を最小限に抑制することができる。
ハンダ付け工程の後には、セラミック素体４を接合したリード端子８の先端部分を、液状の絶縁性樹脂の浴槽に浸漬する。この際、少なくとも、セラミック素体４およびリード端子８の素子接合部８ｂが、絶縁性樹脂の浴槽に浸るように浸漬する。その後、使用する絶縁性樹脂の種類に応じて適宜熱処理を加えることで、セラミック素体４およびリード端子８の素子接合部８ｂを覆うように外装２０が形成される。
なお、図５に示す一連の工程は、リード端子８をキャリアテープに張り付けて固定した状態で行えばよい。外装２０を形成した後、一対のリード脚部８ｄの連結部分（すなわち、Ｕ字形状の円弧部分）を切断し、キャリアテープからリード端子８を取り外すことで、図１に示すセラミック電子部品２が得られる。
本実施形態に係るセラミック電子部品２では、セラミック素体４の側面４ｂとリード端子８との間に、ハンダ１０によるフィレット１０ａが形成してあり、端子電極６の端面側電極６ａと側面側電極６ｂの両方に、ハンダ１０による接合領域が存在している。そのため、セラミック電子部品２では、セラミック素体４の端子電極６に対して、リード端子８が強固に接続されている。
特に、本実施形態に係るセラミック電子部品２では、セラミック素体４のサイズが小さい場合であっても、十分な接合強度を確保できる。より具体的に、セラミック素体４の寸法は、Ｘ軸方向の長さが２．０ｍｍ以下、Ｙ軸方向の幅Ｗ０が１．２５ｍｍ以下とすることが好ましく、この場合であっても、本発明の効果を享受できる。
また、本実施形態に係るセラミック電子部品２では、端子電極６とリード端子８との接合部において十分な接合強度を確保したうえで、これと両立して、セラミック素体４の内部にクラックが発生することを抑制できる。
従来は、表面に錫めっき層が形成してあるＣｕ線またはＣＰ線を、リード端子として使用することが一般的であり、予め浸漬工程を行わずに、当該Ｃｕ線またはＣＰ線を端子電極に短時間でハンダ付けすることが一般的である。この従来工法の場合、表面の錫めっき層は、ハンダ付け時に、ハンダ側に溶解される。そのため、従来工法の場合、ハンダ凝固後の接合断面において、リード端子とハンダの境界には、被覆層９が形成されない。
また、上記の従来工法の場合、形成されるハンダフィレットの角度が大きくなる。より具体的には、従来工法の場合、フィレットの外縁部は、図４に示す符号１０ａｂ２に位置し、フィレット角度が４０度以上となる。この場合、セラミック素体のフィレット近傍では、ハンダの凝固時の収縮応力によりクラックが発生しやすくなる。また、ハンダ凝固後においても、フィレットには内部応力が蓄積されているため、リード端子に外力が加わると、セラミック素体のフィレット近傍にクラックが発生しやすくなる。この問題を受けて、従来では、クラックを抑制するために、リード端子の一部にハンダ付着防止処理を施し、部分的にリード端子表面のハンダ濡れ性を悪くすることが知られていた。
本実施形態に係るセラミック電子部品２では、従来とは逆に、リード端子８の素子接合部８ｂ（ハンダ１０と接触する部分）において、被覆層９を形成し、表面のハンダ濡れ性を良くしている。本発明では、このように、リード端子８側のハンダ濡れ性を良くすることで、セラミック素体４の側面４ｂ側においてフィレット１０ａの角度θが、かえって小さくなることを見出した。フィレット１０ａの角度θが小さくなることで、セラミック素体４のフィレット１０の近傍でクラックが発生することを有効に抑制することができる。また、クラックを抑制することで、セラミック電子部品２の機械的強度が向上する。
また、本実施形態に係るセラミック電子部品２では、被覆層９を構成する金属成分には、銅および錫が含まれることが好ましい。そして、リード端子８とハンダ１０の境界においては、リード端子８側からＸ軸方向に沿って、リード端子８の銅、銅および錫を含む被覆層９、ハンダ１０の順序となる接合構造が形成してあることが好ましい。上記のような接合構造をとることで、リード端子８側のハンダ濡れ性がより最適な状態となり、フィレット１０ａの角度θがさらに小さくなる。
フィレット１０ａの角度θは、１５度以上、４０度未満であることが好ましく、３５度未満であることがより好ましい。フィレット１０ａの角度θを上記の範囲に制御することで、セラミック素体４に生じるクラックをより好適に抑制することができる。
さらに、被覆層９の厚みは、好ましくは、１μｍ以上、７μｍ以下である。被覆層９の厚みが上記の範囲内にあることによって、下地である導電性線材８０の表面を被覆層９で十分に覆うことが可能となり、リード端子８側のハンダ濡れ性がより最適な状態となる。その結果、セラミック素体４に生じるクラックをより好適に抑制することができる。
特に、被覆層９は、浸漬工程により形成された銅および錫を含む合金層であることが好ましい。本実施形態では、被覆層９を、浸漬工程により形成された合金層とすることで、めっきにより形成された銅−錫めっき層よりも、機械的強度が向上する傾向となる。機械的強度が向上する理由は、未だ明らかではないが、浸漬工程により形成された銅−錫合金層と、銅−錫めっき層とで、微小な結晶構造に違いがあるためであると考えられる。
本実施形態の浸漬工程により形成された被覆層９では、Ｃｕ３Ｓｎ、およびＣｕ６Ｓｎ５が含まれ得るが、浸漬工程の場合、最表面側（すなわち被覆層９のハンダ１０側）において、Ｃｕ６Ｓｎ５がより多く（選択的に）存在していると考えられる。他の金属間化合物よりも、特にＣｕ６Ｓｎ５が、ハンダ濡れ性の向上に寄与すると考えられ、本実施形態では、被覆層９の最表面側にＣｕ６Ｓｎ５が多く存在することで、クラック抑制効果がより向上すると共に、セラミック電子部品２の機械的強度が向上すると考えられる。
ただし、前述したように、被覆層９の厚みは数μｍ程度（０．５〜１０μｍ程度）と薄く、被覆層９の微小な結晶構造を詳細に特定することは、必ずしも容易ではない。したがって、上述した被覆層９の結晶構造（特に、金属間化合物の分布）、および機械的強度が向上する理由は、あくまでも推論であって、作用効果を奏する原理は、上記の内容に限定されない。
なお、被覆層９にＣｕ６Ｓｎ５が含まれる場合には、上述した作用効果の他に、リード端子８とハンダ１０との接合部において、耐熱性が向上することも期待できる。Ｃｕ６Ｓｎ５は、錫よりも融点が高いためである。
また、本実施形態では、セラミック素体４のＺ軸方向の高さをＴ０とし、リード端子８の被覆層９が形成してある箇所（素子接合部８ｂ）長さをＬ１とすると、Ｌ１のＴ０に対する比率（Ｌ１／Ｔ０）は、１．５倍〜２．０倍であることが好ましい。そして、リード端子８の被覆層９が形成されていない箇所（曲折部８ｃの下方側８ｃ２とリード脚部８ｄ）の表面には、錫めっき層が形成してあることが好ましい。
このように、リード端子８の先端側（端子電極対向部８ａ側）と基板実装側（リード脚部８ｄ側）とで異なる被覆を形成することで、端子電極対向部側の接合信頼性を確保できると共に、基板実装側の接合信頼性をも両立して確保することができる。
以上、本発明の実施形態について説明してきたが、本発明は上述した実施形態に限定されるものではなく、本発明の範囲内で種々に改変することができる。たとえば、上述した実施形態では、セラミック素体４が積層セラミックコンデンサである場合について説明したが、セラミック電子部品は、コンデンサ以外に、バリスタ、圧電素子、フィルタ、チップビーズ、インダクタ、サーミスタなどであっても良い。これら電子部品の場合は、セラミック層１４を、圧電体セラミックや、半導体セラミック、磁性体セラミックなどで構成すればよい。
また、上述した実施形態では、リード端子８として先端に潰し加工が施されたリード線を開示したが、リード端子８は、潰し加工をせずに、すべての部位において円形状の断面を有する端子を用いても良いし、金属板を加工した端子を用いても良い。また、リード端子８の先端部（端子電極対向部８ａ）は、半円状の断面形状を有していても良い。
以下、本発明をさらに詳細な実施例に基づき説明するが、本発明は以下の実施例に限定されない。
（実施例１）
まず、セラミック素体４として積層セラミックコンデンサのチップを準備した。コンデンサチップの寸法は、長さ１．６ｍｍ×幅０．８ｍｍ×高さ０．８ｍｍとした。また、コンデンサチップには、Ｃｕペーストを焼き付け処理することで、一対の端子電極６を形成した。なお、端子電極６の表面には、ニッケルめっきと錫めっきとを施し、端子電極６の厚みを１０μｍ〜６０μｍとした。
まず、セラミック素体４として積層セラミックコンデンサのチップを準備した。コンデンサチップの寸法は、長さ１．６ｍｍ×幅０．８ｍｍ×高さ０．８ｍｍとした。また、コンデンサチップには、Ｃｕペーストを焼き付け処理することで、一対の端子電極６を形成した。なお、端子電極６の表面には、ニッケルめっきと錫めっきとを施し、端子電極６の厚みを１０μｍ〜６０μｍとした。
次に、リード端子８を構成する材料として、表面に錫めっき層が形成してあるＣｕ線を準備した。Ｃｕ線表面の錫めっき層の厚みは、平均で５μｍとした。準備したＣｕ線は、所定の長さに切断し、Ｕ字形状に曲げ加工した後、キャリアテープに固定した。
次に、キャリアテープに固定したＣｕ線に対して、折り曲げ加工や潰し加工を施し、図６に示すような先端形状を形成した。そして、キャリアテープに固定した状態で、Ｃｕ線の先端部分のみを、ハンダ浴に浸漬させた。この際、ハンダ浴としては、Ｓｎ９０−Ｓｂ１０のハンダ材を使用し、浸漬条件は、ハンダ浴の温度を２９０℃とし、ハンダ浴への浸漬時間を６０秒とした。また、ハンダ浴に浸漬したＣｕ線の長さは、Ｌ１／Ｔ０が１．７５となるように制御した。
上記の浸漬工程の後、Ｃｕ線の先端部（すなわち端子電極対向部８ａ）に、端子電極６を形成したコンデンサチップを仮固定した。そして、コンデンサチップを仮固定したＣｕ線の先端部を、２９０℃のハンダ浴に、約１秒間浸漬し、Ｃｕ線（リード端子８）とコンデンサチップとをハンダ付けした。この際、ハンダ浴としては、浸漬工程と同じＳｎ９０−Ｓｂ１０のハンダ材を使用した。
ハンダ付け後、リード端子８の一対のリード脚部８ｄを切断し、リード端子８をキャリアテープから取り外すことで、リード端子付きのセラミック電子部品２を得た。上記工程で、少なくとも３０個の電子部品サンプルを作成し、以下に示す評価を行った。
（被覆層９の観察）
得られた電子部品サンプルに含まれる被覆層９の確認は、ＳＥＭ観察により行った。具体的に、リード端子８とハンダ１０との境界をＳＥＭ−ＥＤＸにより分析し、被覆層９の有無、および、被覆層９に含まれる元素の定性分析を行った。また、被覆層９の厚みは、Ｘ−Ｚ断面において断面写真を撮影し、その断面写真を画像解析することで測定した。この際、観察用の試料は、Ｘ−Ｚ断面が、リード端子８のＹ軸方向の略中央位置となるように、セラミック電子部品２を切断し、鏡面研磨することで得た。
得られた電子部品サンプルに含まれる被覆層９の確認は、ＳＥＭ観察により行った。具体的に、リード端子８とハンダ１０との境界をＳＥＭ−ＥＤＸにより分析し、被覆層９の有無、および、被覆層９に含まれる元素の定性分析を行った。また、被覆層９の厚みは、Ｘ−Ｚ断面において断面写真を撮影し、その断面写真を画像解析することで測定した。この際、観察用の試料は、Ｘ−Ｚ断面が、リード端子８のＹ軸方向の略中央位置となるように、セラミック電子部品２を切断し、鏡面研磨することで得た。
（フィレット１０ａの角度θの測定）
上記のＳＥＭ観察時に、側面４ｂとリード端子との間に存在するフィレット１０ａの角度θを測定した。測定は、ＳＥＭ断面写真を画像解析することで行った。測定結果を表１に示す。なお、表１に示すフィレット１０ａの角度θは平均値であり、平均値は、２０個の電子部品サンプルについて、それぞれ２箇所で測定（すなわち計４０箇所で測定）を行い算出した。
上記のＳＥＭ観察時に、側面４ｂとリード端子との間に存在するフィレット１０ａの角度θを測定した。測定は、ＳＥＭ断面写真を画像解析することで行った。測定結果を表１に示す。なお、表１に示すフィレット１０ａの角度θは平均値であり、平均値は、２０個の電子部品サンプルについて、それぞれ２箇所で測定（すなわち計４０箇所で測定）を行い算出した。
（クラック評価）
また、上記のＳＥＭ観察時に、セラミック素体４の内部（特にセラミック素体４のフィレット１０の近傍）にクラックが存在するか否かを調査した。当該クラックの調査は、２０個の電子部品サンプルについて、それぞれ２箇所で行い（すなわち計４０箇所を調査）、クラックが発生していた割合をクラック発生率として算出した。また、クラックが発生していたサンプルについては、そのクラックの長さを測定し、平均値を算出した。クラック評価の結果を表１に示す。
また、上記のＳＥＭ観察時に、セラミック素体４の内部（特にセラミック素体４のフィレット１０の近傍）にクラックが存在するか否かを調査した。当該クラックの調査は、２０個の電子部品サンプルについて、それぞれ２箇所で行い（すなわち計４０箇所を調査）、クラックが発生していた割合をクラック発生率として算出した。また、クラックが発生していたサンプルについては、そのクラックの長さを測定し、平均値を算出した。クラック評価の結果を表１に示す。
（また裂き強度試験）
セラミック電子部品２の機械的強度は、また裂き強度試験を行うことで評価した。また裂き強度試験では、一対のリード端子８のリード脚部８ｄ側の端部を、Ｘ軸方向で互いに離間する方向に引っ張り、電子部品サンプルが破壊されるまで張力をかけた。そして、電子部品サンプルが破壊された時点の張力を、また裂き強度として測定した。当該試験を、１０個のサンプルについて行い、平均値を算出した。
セラミック電子部品２の機械的強度は、また裂き強度試験を行うことで評価した。また裂き強度試験では、一対のリード端子８のリード脚部８ｄ側の端部を、Ｘ軸方向で互いに離間する方向に引っ張り、電子部品サンプルが破壊されるまで張力をかけた。そして、電子部品サンプルが破壊された時点の張力を、また裂き強度として測定した。当該試験を、１０個のサンプルについて行い、平均値を算出した。
なお、また裂き強度試験では、セラミック素体４の内部にクラックが発生していると、また裂き強度が低下する。また、リード端子８と端子電極６との接合強度が十分に確保されていないと、また裂き強度が低下する。また裂き強度の数値が高いほど、セラミック電子部品２の機械的強度が高いと判断する。評価結果を表１に示す。
（実施例２）
実施例２では、リード端子８を構成する導電性線材８０として、表面に錫めっき層が形成してあるＣＰ線を用いした。ＣＰ線表面の錫めっき層の厚みは、平均で５μｍとした。これ以外の実験条件は、実施例１と同様にして、実施例２に係る電子部品サンプルを作製した。実施例２の評価結果を表１に示す。
実施例２では、リード端子８を構成する導電性線材８０として、表面に錫めっき層が形成してあるＣＰ線を用いした。ＣＰ線表面の錫めっき層の厚みは、平均で５μｍとした。これ以外の実験条件は、実施例１と同様にして、実施例２に係る電子部品サンプルを作製した。実施例２の評価結果を表１に示す。
（比較例１）
比較例１では、実施例１と同様に、リード端子８を構成する導電性線材８０として表面に錫めっき層が形成してあるＣｕ線を使用した。ただし、比較例１では、浸漬工程を行わずに、リード端子をセラミック素体にハンダ付けした。これ以外の実験条件は、実施例１と同様にして、比較例１に係る電子部品サンプルを作製した。評価結果を表１に示す。
比較例１では、実施例１と同様に、リード端子８を構成する導電性線材８０として表面に錫めっき層が形成してあるＣｕ線を使用した。ただし、比較例１では、浸漬工程を行わずに、リード端子をセラミック素体にハンダ付けした。これ以外の実験条件は、実施例１と同様にして、比較例１に係る電子部品サンプルを作製した。評価結果を表１に示す。
（比較例２）
比較例２では、実施例２と同様に、リード端子８を構成する導電性線材８０として、最表面に錫めっき層が形成してあるＣＰ線を使用した。ただし、比較例２では、浸漬工程を行わずに、リード端子をセラミック素体にハンダ付けした。これ以外の実験条件は、実施例２と同様にして、比較例２に係る電子部品サンプルを作製した。評価結果を表１に示す。
比較例２では、実施例２と同様に、リード端子８を構成する導電性線材８０として、最表面に錫めっき層が形成してあるＣＰ線を使用した。ただし、比較例２では、浸漬工程を行わずに、リード端子をセラミック素体にハンダ付けした。これ以外の実験条件は、実施例２と同様にして、比較例２に係る電子部品サンプルを作製した。評価結果を表１に示す。
表１に示すように、浸漬工程を行っていない比較例１および２では、接合後（ハンダ凝固後）の状態で、リード端子８とハンダ１０との境界で、被覆層の存在が確認できなかった。そして、比較例１および２では、フィレット１０ａの角度θが４０度以上となっていることが確認できた。比較例１および２では、フィレット１０ａの角度θが大きいため、クラック発生率が高く、クラック長さも長くなっている。
一方、浸漬工程を行った実施例１および２では、リード端子８の表面に、銅および錫を含む被覆層９が形成してあることが確認できた。特に、実施例１については、ＳＥＭ−ＥＤＸにより分析した銅と錫の含有比から、ハンダ接合後の状態で被覆層９にＣｕ６Ｓｎ５が含まれていることが確認できた。なお、実施例２については、ハンダ接合後の状態では、ＣＰ線のＣｕめっき層の厚みに依存して、被覆層９の厚みが１．０μｍ以下と薄くなっており、被覆層９に含まれる化合物の同定が困難であった。
実施例１および２では、リード端子８の表面に浸漬工程により被覆層９が形成してあることで、フィレット１０ａの角度θが、比較例１および２よりも小さくなっていることが確認できた。その結果、実施例１では、比較例１よりも、クラック発生率が１／２以下に低減されていることが確認できた。また、実施例１では、クラックが発生したとしても、そのクラック長さが、比較例１よりも、１／４以下と短くなっていた。
実施例２についても同様で、実施例２では、比較例２よりも、クラック発生率が１／３以下に低減されていることが確認できた。また、実施例２では、クラックが発生したとしても、そのクラック長さが、比較例２よりも、１／２以下と短くなっていた。
上記の結果から、リード端子８の表面に浸漬工程により被覆層９を形成し、リード端子８側のハンダ濡れ性を向上させることで、セラミック素体側のフィレット１０ａの角度θが小さくなり、クラックの発生を抑制できることが確認できた。
さらに、実施例１と比較例１、および、実施例２と比較例２とを対比すると、各実施例のほうが比較例よりも、また裂き強度が高くなっていることが確認できる。特にＣＰ線を用いた場合（実施例２と比較例２の比較した場合）に、また裂き強度の向上率が高くなっていることがわかる。これらの結果から、リード端子８の表面に浸漬工程により被覆層９を形成することで、得られるセラミック電子部品２の機械的強度が向上することが確認できた。
（実施例１１〜１５）
実施例１１〜１５では、実施例１と同様に、導電性線材８０として、表面に錫めっき層が形成してあるＣｕ線を使用し、電子部品サンプルを作製した。ただし、実施例１１〜１３では、浸漬工程時に、浸漬時間を１０秒〜６０秒の範囲で変更しており、実施例１１では浸漬時間を１０秒、実施例１２では３０秒、実施例１３では６０秒とした。また、実施例１４および１５では、浸漬工程時のハンダ浴の温度を変更しており、実施例１４ではハンダ浴の温度を２７０℃とし、実施例１５では３２０℃とした。各実施例の詳細な条件を表２Ａに示す。なお、実施例１１〜１５における上記以外の実験条件は、実施例１と共通している。
実施例１１〜１５では、実施例１と同様に、導電性線材８０として、表面に錫めっき層が形成してあるＣｕ線を使用し、電子部品サンプルを作製した。ただし、実施例１１〜１３では、浸漬工程時に、浸漬時間を１０秒〜６０秒の範囲で変更しており、実施例１１では浸漬時間を１０秒、実施例１２では３０秒、実施例１３では６０秒とした。また、実施例１４および１５では、浸漬工程時のハンダ浴の温度を変更しており、実施例１４ではハンダ浴の温度を２７０℃とし、実施例１５では３２０℃とした。各実施例の詳細な条件を表２Ａに示す。なお、実施例１１〜１５における上記以外の実験条件は、実施例１と共通している。
（実施例２１〜２５）
実施例２１〜２５では、実施例２と同様に、導電性線材８０として、表面に錫めっき層が形成してあるＣＰ線を使用し、電子部品サンプルを作製した。なお、実施例２１〜２５では、上記の実施例１１〜１５と同様に、浸漬工程時の条件を変更して実験を行った。各実施例の詳細な条件を表２Ｂに示す。なお、実施例２１〜２５における浸漬工程以外の実験条件は、実施例２と共通している。
実施例２１〜２５では、実施例２と同様に、導電性線材８０として、表面に錫めっき層が形成してあるＣＰ線を使用し、電子部品サンプルを作製した。なお、実施例２１〜２５では、上記の実施例１１〜１５と同様に、浸漬工程時の条件を変更して実験を行った。各実施例の詳細な条件を表２Ｂに示す。なお、実施例２１〜２５における浸漬工程以外の実験条件は、実施例２と共通している。
表２Ａに示すように、実施例１１〜１３の結果を比較すると、浸漬時間を長くすることで、リード端子８の被覆層９の厚みが増していることがわかる。また、実施例１２，１４，１５を比較すると、浸漬工程時のハンダ浴温度を高くすると、それに応じて、リード端子８の被覆層９の厚みが増していることがわかる。この結果から、浸漬時間の長短、もしくは浸漬工程時のハンダ浴の温度により、被覆層の厚みを制御できることが確認できた。
なお、表２Ａに示す各実施例を比較すると、フィレット角度θが３５度以上である実施例１３よりも、フィレット角度θが３５度未満である他の実施例（１１，１２，１４，１５）のほうが、クラック発生率が低減していることが確認できた。
次に、表２Ｂに基づいて、浸漬工程の条件（浸漬時間、ハンダ浴温度）とまた裂き強度特性との関係性について、考察する。表２Ｂに示すように、浸漬時間を振った場合（実施例２１〜２３を比較した場合）、浸漬時間が長い実施例２３において、最もまた裂き強度が高い結果となった。浸漬工程におけるハンダ浴への浸漬時間は、被覆層９に含まれるＣ６Ｓｎ５の結晶成長に影響を与えていると推測され、Ｃ６Ｓｎ５の成長度合いは、セラミック電子部品の強度特性に影響を及ぼすと考えられる。
また、表２Ｂに示すように、浸漬工程でのハンダ浴温度を変更した場合（実施例２４と２５とを比較した場合）、実施例２５よりも、ハンダ浴温度が低い実施例２４のほうが、また裂き強度が高い結果となった。浸漬工程においてハンダ浴温度が低いと、Ｃｕ３Ｓｎの生成が抑制されＣｕ６Ｓｎ５の割合が高くなると推測され、被覆層９中のＣｕ６Ｓｎ５の割合は、セラミック電子部品の強度特性に影響を及ぼすと考えられる。
なお、表２Ｂに示すように、実施例２１〜２５のまた裂き強度は、いずれも比較例２のまた裂き強度よりも、向上していることが確認できた。特に、実施例２３および２４の場合、比較例２に対して約１．５倍となった。
２ … セラミック電子部品
４ … セラミック素体
４ａ … 端面
４ｂ … 側面
６ … 端子電極
６ａ … 端面側電極
６ｂ … 側面側電極
８ … リード端子
８ａ … 端子電極対向部
８ｂ … 素子接合部
８ｃ … 曲折部
８ｃ１ … 曲折部の上方側
８ｃ２ … 曲折部の下方側（キンク）
８ｄ … リード脚部（基板実装部）
９ … 被覆層
１０ … ハンダ
１０ａ … フィレット
１０ａｂ１，１０ａｂ２ … フィレットの外縁部
２０ … 外装
８０ … 導電性線材
４ … セラミック素体
４ａ … 端面
４ｂ … 側面
６ … 端子電極
６ａ … 端面側電極
６ｂ … 側面側電極
８ … リード端子
８ａ … 端子電極対向部
８ｂ … 素子接合部
８ｃ … 曲折部
８ｃ１ … 曲折部の上方側
８ｃ２ … 曲折部の下方側（キンク）
８ｄ … リード脚部（基板実装部）
９ … 被覆層
１０ … ハンダ
１０ａ … フィレット
１０ａｂ１，１０ａｂ２ … フィレットの外縁部
２０ … 外装
８０ … 導電性線材
Claims (10)
- セラミック素体と、
前記セラミック素体の端面から側面にかけて形成してある端子電極と、
ハンダにより前記端子電極に接合してあるリード端子と、を有し、
前記セラミック素体の前記側面と前記リード端子との間には、ハンダによるフィレットが形成してあり、
前記ハンダと接触する前記リード端子の表面には、被覆層が形成してあり、
前記被覆層が、前記リード端子よりも、ハンダとの接触角が小さい金属成分で構成してあるセラミック電子部品。 - 前記リード端子は、銅を含む請求項１に記載のセラミック電子部品。
- 前記被覆層を構成する前記金属成分には、錫および銅が含まれる請求項１または２に記載のセラミック電子部品。
- 前記リード端子と前記ハンダとの境界には、前記リード端子の銅、錫および銅を含む前記被覆層、ハンダの順序となる接合構造が形成してある請求項３に記載のセラミック電子部品。
- 前記被覆層が、Ｃｕ６Ｓｎ５を含む請求項３または４に記載のセラミック電子部品。
- 前記被覆層が、前記リード端子の先端部のみをハンダ浴に浸漬することで形成される合金層である請求項１〜５のいずれかに記載のセラミック電子部品。
- 前記セラミック素体の前記側面に対する前記フィレットの角度が、１５度以上、４０度未満である請求項１〜６のいずれかに記載のセラミック電子部品。
- 前記フィレット角度が、３５度未満である請求項７に記載のセラミック電子部品。
- 前記被覆層の厚みが、１μｍ以上、７μｍ以下である請求項１〜８のいずれかに記載のセラミック電子部品。
- 前記セラミック素体の第１方向の高さをＴ０とし、
前記リード端子において、前記被覆層が形成してある前記第１方向の長さをＬ１とし、
Ｌ１のＴ０に対する比率（Ｌ１／Ｔ０）が、１．５倍〜２．０倍であり、
前記被覆層が形成されていない前記リード端子の表面には、錫めっき層が形成してある請求項１〜９のいずれかに記載のセラミック電子部品。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2019170387A JP7408975B2 (ja) | 2019-09-19 | 2019-09-19 | セラミック電子部品 |
| US17/006,100 US11158460B2 (en) | 2019-09-19 | 2020-08-28 | Ceramic electronic component with lead terminals having a coating layer |
| CN202010883354.0A CN112530697B (zh) | 2019-09-19 | 2020-08-28 | 陶瓷电子部件 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2019170387A JP7408975B2 (ja) | 2019-09-19 | 2019-09-19 | セラミック電子部品 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2021048292A true JP2021048292A (ja) | 2021-03-25 |
| JP7408975B2 JP7408975B2 (ja) | 2024-01-09 |
Family
ID=74878735
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2019170387A Active JP7408975B2 (ja) | 2019-09-19 | 2019-09-19 | セラミック電子部品 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US11158460B2 (ja) |
| JP (1) | JP7408975B2 (ja) |
| CN (1) | CN112530697B (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP4064500A1 (en) | 2021-03-23 | 2022-09-28 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Battery management system and battery management method |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP7408975B2 (ja) * | 2019-09-19 | 2024-01-09 | Tdk株式会社 | セラミック電子部品 |
| JP7351177B2 (ja) * | 2019-10-28 | 2023-09-27 | Tdk株式会社 | セラミック電子部品 |
| JP7428962B2 (ja) * | 2019-10-28 | 2024-02-07 | Tdk株式会社 | セラミック電子部品 |
| CN114464452A (zh) * | 2020-11-10 | 2022-05-10 | Tdk株式会社 | 陶瓷电子部件 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6274322U (ja) * | 1985-10-30 | 1987-05-13 | ||
| JPH03248503A (ja) * | 1990-02-27 | 1991-11-06 | Tdk Corp | サーミスタ |
| JP2012023303A (ja) * | 2010-07-16 | 2012-02-02 | Murata Mfg Co Ltd | 電子部品 |
| JP2016219482A (ja) * | 2015-05-15 | 2016-12-22 | Tdk株式会社 | 電子部品 |
Family Cites Families (79)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2374499A (en) * | 1942-05-22 | 1945-04-24 | British Insulated Cables Ltd | Electric condenser |
| US2673972A (en) * | 1949-08-13 | 1954-03-30 | Erie Resistor Corp | Condenser |
| US4168520A (en) * | 1978-01-06 | 1979-09-18 | Sprague Electric Company, Inc. | Monolithic ceramic capacitor with free-flowed protective coating and method for making same |
| US4242717A (en) * | 1978-12-28 | 1980-12-30 | Western Electric Company, Inc. | Boxed metallized film capacitor |
| US4255779A (en) * | 1978-12-28 | 1981-03-10 | Western Electric Company, Inc. | Package machine insertable rolled metallized film capacitor |
| JPS564244U (ja) * | 1979-06-20 | 1981-01-14 | ||
| US4446502A (en) * | 1982-06-14 | 1984-05-01 | U.S. Philips Corporation | Metallurgical contacts in hermetically sealed glass encapsulated ceramic capacitors |
| US4458294A (en) * | 1982-07-28 | 1984-07-03 | Corning Glass Works | Compliant termination for ceramic chip capacitors |
| US4603373A (en) * | 1983-07-13 | 1986-07-29 | Electronic Concepts, Inc. | Outer wrapping for a metallized wound capacitor |
| JPS62293707A (ja) * | 1986-06-13 | 1987-12-21 | 株式会社村田製作所 | キャップ付き電子部品 |
| US4806159A (en) * | 1987-07-16 | 1989-02-21 | Sprague Electric Company | Electro-nickel plating activator composition, a method for using and a capacitor made therewith |
| JPH0236024U (ja) * | 1988-09-02 | 1990-03-08 | ||
| US5142436A (en) * | 1990-02-27 | 1992-08-25 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Piercing through type capacitor |
| MY128095A (en) * | 1996-04-03 | 2007-01-31 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Electronic part and method for manufacturing the same |
| US5963416A (en) * | 1997-10-07 | 1999-10-05 | Taiyo Yuden Co., Ltd. | Electronic device with outer electrodes and a circuit module having the electronic device |
| AU2709100A (en) * | 1999-08-31 | 2001-03-26 | Vishay Intertechnology Inc. | Conductive polymer capacitor and method for making same |
| BR0001310A (pt) * | 2000-03-15 | 2001-11-13 | Icotron Ind De Componentes Ele | Capacitor e método de fabricação de capacitor |
| JP4560874B2 (ja) | 2000-03-28 | 2010-10-13 | 株式会社村田製作所 | セラミック電子部品 |
| JP3804539B2 (ja) * | 2001-04-10 | 2006-08-02 | 株式会社村田製作所 | セラミック電子部品 |
| US6855222B2 (en) * | 2002-06-19 | 2005-02-15 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Method for manufacturing laminated multilayer electronic components |
| US7038900B2 (en) * | 2003-02-27 | 2006-05-02 | Greatbatch-Sierra, Inc. | EMI filter terminal assembly with wire bond pads for human implant applications |
| WO2005104148A1 (ja) * | 2004-04-23 | 2005-11-03 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 電子部品及びその製造方法 |
| US6903920B1 (en) * | 2004-08-06 | 2005-06-07 | Kemet Electronics | Clip-on leadframe for large ceramic SMD |
| JP4509972B2 (ja) * | 2005-09-01 | 2010-07-21 | 日本特殊陶業株式会社 | 配線基板、埋め込み用セラミックチップ |
| JP3904024B1 (ja) * | 2005-09-30 | 2007-04-11 | 株式会社村田製作所 | 積層電子部品 |
| US20080239621A1 (en) * | 2007-03-29 | 2008-10-02 | Azizuddin Tajuddin | Clip-on leadframe |
| JP5439944B2 (ja) * | 2009-05-18 | 2014-03-12 | 株式会社村田製作所 | 積層型電子部品およびその製造方法 |
| KR101008310B1 (ko) * | 2010-07-30 | 2011-01-13 | 김선기 | 세라믹 칩 어셈블리 |
| JP2013026392A (ja) * | 2011-07-20 | 2013-02-04 | Tdk Corp | 電子部品及び電子部品の製造方法 |
| KR101983129B1 (ko) * | 2012-01-18 | 2019-05-28 | 삼성전기주식회사 | 적층 세라믹 전자부품 및 이의 제조방법 |
| KR101761936B1 (ko) * | 2012-03-13 | 2017-07-26 | 삼성전기주식회사 | 적층 세라믹 전자 부품 |
| KR101376828B1 (ko) * | 2012-03-20 | 2014-03-20 | 삼성전기주식회사 | 적층 세라믹 전자부품 및 그 제조방법 |
| US9105405B2 (en) * | 2012-09-28 | 2015-08-11 | Tdk Corporation | Ceramic electronic component with metal terminals |
| TWI471884B (zh) * | 2012-10-09 | 2015-02-01 | Murata Manufacturing Co | Laminated ceramic electronic parts and manufacturing method thereof |
| KR101422926B1 (ko) * | 2012-10-26 | 2014-07-23 | 삼성전기주식회사 | 적층 칩 전자부품 및 그 실장 기판 |
| JP5886503B2 (ja) * | 2013-01-11 | 2016-03-16 | 太陽誘電株式会社 | 積層セラミックコンデンサ |
| JP5991337B2 (ja) * | 2013-08-20 | 2016-09-14 | 株式会社村田製作所 | 端子板付き電子部品の製造方法及び端子板付き電子部品 |
| JP6227516B2 (ja) * | 2014-01-29 | 2017-11-08 | アルプス電気株式会社 | 電子部品および電子機器 |
| KR20140039016A (ko) * | 2014-02-27 | 2014-03-31 | 삼성전기주식회사 | 적층 세라믹 커패시터 및 그 실장 기판 |
| KR20150121567A (ko) * | 2014-04-21 | 2015-10-29 | 삼성전기주식회사 | 적층 세라믹 커패시터 및 그의 제조 방법 |
| CN107430900B (zh) * | 2015-03-26 | 2019-11-01 | 京瓷株式会社 | 介电膜及使用其的膜电容器、连结型电容器、以及逆变器、电动车辆 |
| EP3279909B1 (en) * | 2015-03-30 | 2021-08-18 | Nippon Chemi-Con Corporation | Capacitor and method for manufacturing same |
| KR102150558B1 (ko) * | 2015-05-29 | 2020-09-01 | 삼성전기주식회사 | 적층 세라믹 전자 부품 및 그 제조 방법 |
| JP6406191B2 (ja) * | 2015-09-15 | 2018-10-17 | Tdk株式会社 | 積層電子部品 |
| JP6429027B2 (ja) * | 2015-09-15 | 2018-11-28 | Tdk株式会社 | 積層電子部品 |
| JPWO2017141844A1 (ja) * | 2016-02-19 | 2018-12-06 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | コンデンサおよびコンデンサの製造方法 |
| KR101813407B1 (ko) * | 2016-11-16 | 2017-12-28 | 삼성전기주식회사 | 복합 전자 부품 및 그 실장 기판 |
| JP6828432B2 (ja) * | 2016-12-28 | 2021-02-10 | Tdk株式会社 | セラミック電子部品 |
| JP6988122B2 (ja) * | 2017-03-23 | 2022-01-05 | Tdk株式会社 | セラミック電子部品 |
| WO2018216452A1 (ja) * | 2017-05-23 | 2018-11-29 | 株式会社村田製作所 | 電子部品、及び、電子部品の製造方法 |
| JP2019009360A (ja) * | 2017-06-27 | 2019-01-17 | 株式会社村田製作所 | セラミック電子部品及びその実装構造 |
| JP2019009361A (ja) * | 2017-06-27 | 2019-01-17 | 株式会社村田製作所 | セラミック電子部品及びその実装構造 |
| KR101992450B1 (ko) * | 2017-08-23 | 2019-06-25 | 삼성전기주식회사 | 커패시터 부품 및 그 제조 방법 |
| JP6946876B2 (ja) * | 2017-09-08 | 2021-10-13 | Tdk株式会社 | 電子部品及び電子部品装置 |
| JP7017893B2 (ja) * | 2017-09-25 | 2022-02-09 | 太陽誘電株式会社 | 積層セラミックコンデンサ |
| JP7003541B2 (ja) * | 2017-09-28 | 2022-01-20 | Tdk株式会社 | 電子部品及び電子部品装置 |
| JP2019083254A (ja) * | 2017-10-30 | 2019-05-30 | Tdk株式会社 | 電子部品 |
| JP6943142B2 (ja) * | 2017-10-30 | 2021-09-29 | Tdk株式会社 | 電子部品及び電子部品装置 |
| JP6806035B2 (ja) * | 2017-10-31 | 2021-01-06 | 株式会社村田製作所 | 積層セラミックコンデンサ |
| JP7040063B2 (ja) * | 2018-01-31 | 2022-03-23 | Tdk株式会社 | 電子部品 |
| JP7040062B2 (ja) * | 2018-01-31 | 2022-03-23 | Tdk株式会社 | 電子部品 |
| JP7040061B2 (ja) * | 2018-01-31 | 2022-03-23 | Tdk株式会社 | 電子部品 |
| JP6780673B2 (ja) * | 2018-03-30 | 2020-11-04 | 株式会社村田製作所 | 積層セラミックコンデンサおよびその実装構造 |
| JP7089404B2 (ja) * | 2018-05-22 | 2022-06-22 | 太陽誘電株式会社 | セラミック電子部品およびその製造方法 |
| KR102586070B1 (ko) * | 2018-10-10 | 2023-10-05 | 삼성전기주식회사 | 적층 세라믹 전자부품 |
| KR102068804B1 (ko) * | 2018-11-16 | 2020-01-22 | 삼성전기주식회사 | 적층 세라믹 전자부품 |
| KR102145310B1 (ko) * | 2018-11-19 | 2020-08-18 | 삼성전기주식회사 | 커패시터 부품 및 그 제조 방법 |
| JP6939762B2 (ja) * | 2018-12-25 | 2021-09-22 | 株式会社村田製作所 | 積層セラミック電子部品およびその実装構造 |
| JP2020107704A (ja) * | 2018-12-27 | 2020-07-09 | Tdk株式会社 | 電子部品 |
| JP7092053B2 (ja) * | 2019-01-23 | 2022-06-28 | 株式会社村田製作所 | 積層セラミックコンデンサ |
| US10937596B2 (en) * | 2019-02-06 | 2021-03-02 | Tdk Corporation | Electronic component |
| JP7351094B2 (ja) * | 2019-03-25 | 2023-09-27 | Tdk株式会社 | 電子部品 |
| JP7302218B2 (ja) * | 2019-03-25 | 2023-07-04 | Tdk株式会社 | 電子部品 |
| JP2020202220A (ja) * | 2019-06-07 | 2020-12-17 | 株式会社村田製作所 | 積層セラミック電子部品 |
| KR20190116115A (ko) * | 2019-06-24 | 2019-10-14 | 삼성전기주식회사 | 전자 부품 |
| KR20190116114A (ko) * | 2019-06-24 | 2019-10-14 | 삼성전기주식회사 | 전자 부품 |
| JP6904383B2 (ja) * | 2019-07-17 | 2021-07-14 | Tdk株式会社 | 積層電子部品およびその実装構造 |
| JP7379899B2 (ja) * | 2019-07-22 | 2023-11-15 | Tdk株式会社 | セラミック電子部品 |
| JP7408975B2 (ja) * | 2019-09-19 | 2024-01-09 | Tdk株式会社 | セラミック電子部品 |
-
2019
- 2019-09-19 JP JP2019170387A patent/JP7408975B2/ja active Active
-
2020
- 2020-08-28 US US17/006,100 patent/US11158460B2/en active Active
- 2020-08-28 CN CN202010883354.0A patent/CN112530697B/zh active Active
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6274322U (ja) * | 1985-10-30 | 1987-05-13 | ||
| JPH03248503A (ja) * | 1990-02-27 | 1991-11-06 | Tdk Corp | サーミスタ |
| JP2012023303A (ja) * | 2010-07-16 | 2012-02-02 | Murata Mfg Co Ltd | 電子部品 |
| JP2016219482A (ja) * | 2015-05-15 | 2016-12-22 | Tdk株式会社 | 電子部品 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP4064500A1 (en) | 2021-03-23 | 2022-09-28 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Battery management system and battery management method |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN112530697A (zh) | 2021-03-19 |
| US20210090805A1 (en) | 2021-03-25 |
| US11158460B2 (en) | 2021-10-26 |
| JP7408975B2 (ja) | 2024-01-09 |
| CN112530697B (zh) | 2022-04-26 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP7408975B2 (ja) | セラミック電子部品 | |
| JP3861927B1 (ja) | 電子部品、電子部品の実装構造および電子部品の製造方法 | |
| US9082532B2 (en) | Ceramic electronic component | |
| JP5897247B2 (ja) | 電子部品及び電子部品の製造方法 | |
| KR102443777B1 (ko) | 칩형 전자 부품 | |
| JP7428962B2 (ja) | セラミック電子部品 | |
| JP7351177B2 (ja) | セラミック電子部品 | |
| JP5239236B2 (ja) | 電子部品およびその製造方法 | |
| JP6407540B2 (ja) | 積層インダクタ | |
| JP2009141292A (ja) | 外部端子電極具備電子部品、その搭載電子用品及び外部端子電極具備電子部品の製造方法 | |
| JP6777066B2 (ja) | 積層電子部品 | |
| JP2012140678A (ja) | 曲げ加工部のウィスカ発生を防止するめっき被膜部材、これを用いた電気電子部品、並びにめっき被膜部材の製造方法とめっき皮膜部材のウィスカ発生防止方法 | |
| JP2019117899A (ja) | 積層電子部品 | |
| US11810723B2 (en) | Ceramic electronic component | |
| JP6525392B2 (ja) | 積層インダクタ | |
| JP2003013280A (ja) | 積層型チップ部品 | |
| JPH01264212A (ja) | 電子部品用多層構造電極 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20220428 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20230526 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20230614 |
|
| A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20230810 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20230908 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20231121 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20231204 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7408975 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |