JP2020513167A - ナノ構造 - Google Patents
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Abstract
Description
ワイドバンドギャップGaNとそれに関連する三元又は四元III−N族半導体化合物は、それらの顕著な光学的特性、電気的特性及び物理的特性により、エレクトロニクス及び光電子デバイス用の最も重要な半導体の部類に入ると認められている。それにもかかわらず、GaNをベースとするデバイスの商業化は、利用できる基板が限られていることにより、妨げられている。低コストで熱伝導性の良好なSi及びサファイア(Al2O3)が従来から採用されているが、これらの材料は、GaNとの格子不整合及び熱膨張不整合が比較的大きい。
従って、本発明は、一態様において、任意にドープされたβ−Ga2O3基板上にエピタキシャル成長させた少なくとも1つのナノ構造(ナノ構造体)を含み、
上記ナノ構造が、少なくとも1つのIII−V族化合物を含む、組成物を提供する。
任意にドープされたβ−Ga2O3基板上にエピタキシャル成長させた少なくとも1つのコア半導体ナノ構造であって、少なくとも1つのIII−V族化合物を含むナノ構造と、
上記コアナノ構造を取り囲む半導体シェルであって、少なくとも1つのIII−V族化合物を含むシェルと、を含み、
上記コア半導体ナノ構造は、ドープされてn型半導体又はp型半導体を形成しており、
上記シェルは、ドープされて前記コアとは反対側にp型半導体又はn型半導体を形成している、組成物であって、
電極コンタクトを形成する上記シェルの少なくとも一部を取り囲む外側導電被膜を含む、組成物を提供する。
任意にドープされたβ−Ga2O3基板上にエピタキシャル成長させた少なくとも1つの半導体ナノ構造であって、少なくとも1つのIII−V族化合物を含むナノ構造を含み、
上記半導体ナノ構造が、軸方向にn型半導体領域及びp型半導体領域を含有するようにドープされた、組成物を提供する。
(I)任意にドープされたβ−Ga2O3基板の表面にIII−V族元素を提供する工程と、
(II)上記β−Ga2O3基板の表面から少なくとも1つのナノ構造をエピタキシャル成長させる工程と、を含むプロセスを提供する。
ドープされたβ−Ga2O3基板上にエピタキシャル成長させた複数のナノ構造であって、pn接合又はpin接合を有するナノ構造と、
上記ドープされたβ−Ga2O3基板と電気的に接触している第1の電極と、
上記ナノ構造の少なくとも一部のトップと接触している、光反射層の形態であってもよい第2の電極と、を含み、
上記ナノ構造が、少なくとも1つのIII−V族化合物半導体を含む、LEDデバイスを提供する。使用時に、光が、ドープされたβ−Ga2O3基板を通過して、ナノ構造の成長方向に対して実質的に平行且つ反対の方向へ放出されることが好ましい。
ドープされたβ−Ga2O3基板上に、好ましくは上記ドープされたβ−Ga2O3基板上の任意の孔パターンマスクの孔を通して、エピタキシャル成長させた複数のナノ構造であって、pn接合又はpin接合を有するナノ構造と、
上記ドープされたβ−Ga2O3基板と電気的に接触している第1の電極と、
上記ナノ構造の少なくとも一部のトップと接触しているか、又は、上記ナノ構造の少なくとも一部のトップと接触している第2の電極と接触している光反射層であって、第2の電極として機能してもよい光反射層と、
上記ナノ構造の少なくとも一部のトップと電気的に接触している第2の電極であって、上記光反射層が電極として機能しない場合には必須である第2の電極と、を含み、
上記ナノ構造が、少なくとも1つのIII−V族化合物半導体を含み、
使用時に、上記デバイスから上記ドープされたβ−Ga2O3基板を通過して上記光反射層とは実質的に反対の方向へ光が放出される、発光ダイオードデバイスを提供する。
ドープされたβ−Ga2O3基板上に、好ましくは前記基板上の任意の孔パターンマスクの孔を通して、エピタキシャル成長させた複数のナノ構造であって、pn接合又はpin接合を有するナノ構造と、
上記基板と電気的に接触している第1の電極と、
上記ナノ構造の少なくとも一部のトップと接触している光反射層であって、第2の電極として機能してもよい光反射層と、
上記ナノ構造の少なくとも一部のトップと電気的に接触している第2の電極であって、上記光反射層が電極として機能しない場合には必須である第2の電極と、を含み、
上記ナノ構造が、少なくとも1つのIII−V族化合物半導体を含み、
使用時に、上記デバイスから上記ドープされたβ−Ga2O3基板を通過して上記光反射層とは実質的に反対の方向へ光が放出される、発光ダイオードデバイスを提供する。
ドープされたβ−Ga2O3基板上にエピタキシャル成長させた複数のIII−V族化合物半導体ナノ構造を含み、
上記ナノ構造のそれぞれが、上記基板から突出し、各ナノ構造が、pn接合又はpin接合を含み、
上記ナノ構造の少なくとも一部のトップ部が、光反射層又は透明コンタクト層で覆われてナノ構造群に対する少なくとも1つのコンタクトを形成しており、
電極が、前記ドープされたβ−Ga2O3基板と電気的に接触しており、
上記光反射層又は透明コンタクト層が、上記ナノ構造を介して第1の電極と電気的に接触している、ナノ構造LEDを提供する。
ドープされたβ−Ga2O3基板上にエピタキシャル成長させた複数のナノ構造であって、pn接合又はpin接合を有するナノ構造と、
上記ドープされたβ−Ga2O3基板と電気的に接触している第1の電極と、
上記ナノ構造の少なくとも一部のトップと接触している、光反射層の形態であってもよい第2の電極と、を含む光検出デバイスであって、
上記ナノ構造が、少なくとも1つのIII−V族化合物半導体を含み、
使用時に、該デバイスに光が吸収される、光検出デバイスを提供する。
n(p)ドープされたβ−Ga2O3基板上にエピタキシャル成長させた複数のナノ構造であって、p(n)ドープされたナノ構造と、
上記ドープされたβ−Ga2O3基板と電気的に接触している第1の電極と、
上記ナノ構造の少なくとも一部のトップと接触している、光反射層の形態であってもよい第2の電極と、を含む、紫外光検出デバイスなどの光検出デバイスであって、
上記ナノ構造が、少なくとも1つのIII−N族化合物半導体を含み、
使用時に、該デバイスに光が吸収される、光検出デバイスを提供する。
ドープされたβ−Ga2O3基板上にエピタキシャル成長させた複数のIII−V族化合物半導体ナノ構造を含むナノ構造光検出器であって、
上記ナノ構造のそれぞれが、上記基板から突出し、各ナノ構造が、pn接合又はpin接合を含み、
上記複数のナノ構造のうちの各ナノ構造又は少なくとも1つのナノ構造群のトップ部が、透明コンタクト層で覆われてナノ構造群に対する少なくとも1つのコンタクトを形成しており、
電極が、上記ドープされたβ−Ga2O3基板と電気的に接触しており、
上記透明コンタクト層が、上記ナノ構造のpn接合又はpin接合を介して第1の電極と電気的に接触している、ナノ構造光検出器を提供する。
III−V族化合物とは、III族から少なくとも1つのイオンとV族から少なくとも1つのイオンとを含むものを意味する。各族から2つ以上の元素が含まれていてもよく、例えば、AlGaN(すなわち、三元化合物)、AlInGaN(すなわち、四元化合物)などが挙げられる。Al(In)GaNという表示は、AlGaN又はAlInGaNのいずれかを意味する、すなわち、Inの存在は任意であることを意味する。括弧で囲まれた元素は、含まれていても含まれていなくてもよい。
本発明は、β−Ga2O3基板、特にドープされたβ−Ga2O3基板上におけるナノ構造のエピタキシャル成長に関する。本発明の組成物は、基板と、その上にエピタキシャル成長させたナノ構造との両方を含む。
ナノ構造成長用の基板はβ−Ga2O3である。結晶構造を図5に示す。図6は、この材料の詳細も示している。これらの基板は、商業的供給者から、2インチのウェハサイズで購入可能である。ウェハは、十分に厚いので、自立し、別個の支持体は不要である。
該ナノ構造が、少なくとも1つのIII−V族化合物を含む、組成物を提供する。
該ナノ構造が、少なくとも1つのIII−V族化合物を含み、該基板に隣接する該孔パターンマスク層の孔の底が、GaNバッファなどのIII−V族化合物バッファで被覆された、組成物を提供する。
(I)III−V族化合物バッファ層が付与されたβ−Ga2O3基板の表面にIII−V族元素を提供する工程と、
(II)上記基板の表面から少なくとも1つのナノ構造をエピタキシャル成長させる工程と、を含むプロセスを提供する。
商業的に重要なナノ構造を製造するためには、これらが基板上にエピタキシャル成長することが好ましい。また、成長がエピタキシャルに且つ基板に対して直角に、よって理想的には、閃亜鉛鉱III−V族半導体の場合には[111]方向又はウルツ鉱III−V族半導体結晶の場合には[0001]方向に、起こることも理想的である。
本発明のナノ構造は、ドープされていることが好ましく、例えばp型ドープ、特には、例えばpn又はpin接合を含むようにp型ドープ及びn型ドープされていることが好ましい。基板をドープし、ナノ構造をドープして、両者間にpn接合を形成することも可能である。従って、本発明のデバイス、とりわけpin接合をベースとするデバイスは、任意に、p型半導体領域とn型半導体領域との間に非ドープ真性半導体領域を備えている。ドープされたトップ部分の領域は、オーミック接触に使用されるため、通常、高濃度にドープされている。ドープされたβ−Ga2O3基板は、通常、デバイス内に他方のオーミック接触を形成し、このことにより、垂直デバイス構成が可能になる。
本発明のナノ構造は、選択領域成長(SAG)法により成長させるのが好ましい。この方法は、β−Ga2O3基板上に堆積したナノ孔パターンを有するマスクを必要とする場合もある。
該ナノ構造が、真性領域によって分離されていてもよいnドープ領域及びpドープ領域を有する、組成物を提供する。
本発明の組成物は、LEDにおいて、好ましくはフリップチップ配置において、用いられることが好ましい。デバイスを作製するために、ナノ構造のトップは、トップ電極と、LEDの実施形態の場合には好ましくは反射層と、を有する必要がある。いくつかの実施形態において、これらの層は一体であってもよい。
n(p)ドープされたβ−Ga2O3基板上にエピタキシャル成長させた複数のp(n)ドープされたIII−N族ナノ構造を含む。
フィラーが例えば紫外光に対して透明である限り、フィラーを使用してフリップチップアセンブリを包囲することは、本発明の範囲内である。フィラーは、ナノワイヤ間若しくはナノピラミッド間の空間及び/又はアセンブリ全体の周囲に存在してもよい。ナノワイヤ間又はナノピラミッド間の空間には、アセンブリ全体とは異なるフィラーを使用してもよい。
本発明は、主としてLED、特にUV−LED、とりわけUV−A、UV−B又はUV−C LEDに関する。LEDは、通常のデバイスと比べてチップが反転した、いわゆる「フリップチップ」として設計されることが好ましい。
図面は、一定の縮尺で作成されたものではない。図1は、可能なフリップチップ設計を示している。従って、使用時、光はデバイスのトップを通過し放出される(hυと記載)。層1は、β−Ga2O3基板である。
Veeco社のGEN930分子線エピタキシーシステムにおいて、高周波窒素プラズマ源(PA−MBE、アイソレーションゲートバルブ付き)を用いて、Nが豊富な条件下で、nドープβ−Ga2O3基板の(−201)面上にn型ドープGaNナノワイヤを成長させた。基板は、成長チャンバーに入れる前に、準備チャンバーにおいて500℃で1時間サーマルクリーニングした。n型ドープGaNバッファ層を、550℃、Gaフラックス0.1ML/s、N2流量2.5sccm、495Wで、60分間成長させた。バッファの成長は、GaシャッターとN2ゲートバルブ及びシャッターとを同時に開くことによって開始させた。バッファ層の成長が成功した後、基板温度を765℃まで徐々に上昇させた。次いで、GaシャッターとN2ゲートバルブ及びシャッターとを同時に開くことによってナノワイヤの成長を開始させた。ナノワイヤの成長は、Gaフラックス0.5ML/s、N2流量2.5sccm、495Wで、4時間進行させた。GaNバッファ層とナノワイヤとを、1100℃のSiセル温度で、Siでn型ドープした。
PA−MBEを用いて、Nが豊富な条件下で、nドープβ−Ga2O3基板の(−201)面上にnドープGaNナノワイヤを成長させた。Ga及びSi原子を供給するために標準のクヌーセン(Knudsen)エフュージョンセルを用い、原子状窒素は450Wで動作する高周波プラズマ源から生成した。基板は、成長チャンバーに入れる前に、準備チャンバーにおいて350℃で1時間サーマルクリーニングした。次いで、無触媒の自己組織化nドープGaNナノワイヤを、中間バッファ層なしで、nドープβ−Ga2O3基板上に直接成長させた。この成長プロセスは、GaシャッターとN2シャッターとを同時に開くことによって開始させた。すなわち、基板の表面で意図的な窒化は行わなかった。GaNナノワイヤを、セル温度800℃、成長時間90分間で、Siでn型ドープした。
Claims (28)
- 任意にドープされたβ−Ga2O3基板上にエピタキシャル成長させた少なくとも1つのナノ構造を含み、
前記ナノ構造が、少なくとも1つのIII−V族化合物を含む、組成物。 - 前記少なくとも1つのナノ構造が、ドープ、例えば、p型ドープされた、請求項1に記載の組成物。
- 前記少なくとも1つのナノ構造が、径方向ヘテロ構造又は軸方向ヘテロ構造を含む、請求項1に記載の組成物。
- 任意にドープされたβ−Ga2O3基板上にエピタキシャル成長させた少なくとも1つのコア半導体ナノ構造であって、少なくとも1つのIII−V族化合物を含むナノ構造と、
前記コアナノ構造を取り囲む半導体シェルであって、少なくとも1つのIII−V族化合物を含むシェルと、を含み、
前記コア半導体ナノ構造は、ドープされてn型半導体又はp型半導体を形成しており、
前記シェルは、ドープされて前記コアとは反対側にp型半導体又はn型半導体を形成している、組成物であって、
電極コンタクトを形成する前記シェルの少なくとも一部を取り囲む外側導電被膜を含む、組成物。 - 任意にドープされたβ−Ga2O3基板上にエピタキシャル成長させた少なくとも1つの半導体ナノ構造であって、少なくとも1つのIII−V族化合物を含むナノ構造を含み、
前記半導体ナノ構造が、軸方向にn型半導体領域及びp型半導体領域を含有するようにドープされた、組成物。 - 前記ナノ構造が、(−201)又は(100)β−Ga2O3基板面から成長している、請求項1から5に記載の組成物。
- 前記ナノ構造が、III−N族化合物を含む、先行する請求項のいずれかに記載の組成物。
- 前記ナノ構造が、GaN、AlN、AlGaN、InGaN又はAlInGaNを含む、先行する請求項のいずれかに記載の組成物。
- 前記ナノ構造が、ナノワイヤ又はナノピラミッドである、先行する請求項のいずれかに記載の組成物。
- 前記ナノワイヤの直径が400nm以下であり、長さが最長で5ミクロンまで、例えば、最長で2ミクロンまでである、請求項9に記載の組成物。
- 前記基板が、複数のナノワイヤを含み、前記ナノワイヤは、好ましくは実質的に平行である、先行する請求項のいずれかに記載の組成物。
- 前記基板と前記ナノ構造との間に配置されたドープ又は非ドープのIII−V族バッファ層をさらに含む、先行する請求項のいずれかに記載の組成物。
- 前記バッファ層が、ドープ又は非ドープのGaNである、請求項12に記載の組成物。
- 前記基板上に孔パターンマスクをさらに含み、前記ナノ構造が、前記マスクの孔を通って成長している、先行する請求項のいずれかに記載の組成物。
- 前記基板上の孔パターンマスクと、前記マスクの孔内のドープ又は非ドープのIII−V族化合物バッファ層と、をさらに含み、前記ナノ構造が、前記バッファ層から前記マスクの孔を通って成長している、先行する請求項のいずれかに記載の組成物。
- ドープ又は非ドープのGaNバッファ層などのドープ又は非ドープのIII−V族化合物バッファ層と任意にドープされたβ−Ga2O3層とを含む基板上にエピタキシャル成長させた少なくとも1つのナノ構造を含み、
前記ナノ構造が、少なくとも1つのIII−V族化合物を含む、組成物。 - 任意にドープされたβ−Ga2O3層を含む基板上にエピタキシャル成長させた少なくとも1つのナノ構造を含み、前記基板は、前記ナノ構造が通って成長する孔パターンマスク層を含む、組成物であって、
前記ナノ構造が、少なくとも1つのIII−V族化合物を含み、前記基板に隣接する前記孔パターンマスク層の孔の底が、GaNバッファなどのドープ又は非ドープのIII−V族化合物バッファで被覆された、組成物。 - 請求項1から17に記載の組成物を含む、例えば、太陽電池、光検出器、LED又はレーザダイオードといった、電子デバイス、特に光電子デバイスなどのデバイス。
- ドープされたβ−Ga2O3基板上にエピタキシャル成長させた複数のナノ構造であって、pn接合又はpin接合を有するナノ構造と、
前記β−Ga2O3基板と電気的に接触している第1の電極と、
前記ナノ構造の少なくとも一部のトップと接触している、光反射層の形態であってもよい第2の電極と、を含み、
前記ナノ構造が、少なくとも1つのIII−V族化合物半導体を含む、発光ダイオードデバイス。 - ドープされたβ−Ga2O3基板上に、好ましくは前記ドープされたβ−Ga2O3基板上の任意の孔パターンマスクの孔を通して、エピタキシャル成長させた複数のナノ構造であって、pn接合又はpin接合を有するナノ構造と、
前記ドープされたβ−Ga2O3基板と電気的に接触している第1の電極と、
前記ナノ構造の少なくとも一部のトップと接触しているか、又は、前記ナノ構造の少なくとも一部のトップと接触している第2の電極と接触している光反射層であって、第2の電極として機能してもよい光反射層と、
前記ナノ構造の少なくとも一部のトップと電気的に接触している第2の電極であって、前記光反射層が電極として機能しない場合には必須である第2の電極と、を含み、
前記ナノ構造が、少なくとも1つのIII−V族化合物半導体を含み、
使用時に、前記デバイスから前記光反射層とは実質的に反対の方向へ光が放出される、発光ダイオードデバイス。 - ドープされたβ−Ga2O3基板上に、好ましくは前記基板上の任意の孔パターンマスクの孔を通して、エピタキシャル成長させた複数のナノ構造であって、pn接合又はpin接合を有するナノ構造と、
前記基板と電気的に接触している第1の電極と、
前記ナノ構造の少なくとも一部のトップと接触している光反射層であって、第2の電極として機能してもよい光反射層と、
前記ナノ構造の少なくとも一部のトップと電気的に接触している第2の電極であって、前記光反射層が電極として機能しない場合には必須である第2の電極と、を含み、
前記ナノ構造が、少なくとも1つのIII−V族化合物半導体を含み、
使用時に、前記デバイスから前記光反射層とは実質的に反対の方向へ光が放出される、発光ダイオードデバイス。 - ドープされたβ−Ga2O3基板上にエピタキシャル成長させた複数のIII−V族化合物半導体ナノ構造を含み、
前記ナノ構造のそれぞれが、前記基板から突出し、各ナノ構造が、pn接合又はpin接合を含み、
前記ナノ構造の少なくとも一部のトップ部が、光反射層又は透明コンタクト層で覆われてナノ構造群に対する少なくとも1つのコンタクトを形成しており、
電極が、前記ドープされたβ−Ga2O3基板と電気的に接触しており、
前記光反射層又は透明コンタクト層が、前記ナノ構造を介して第1の電極と電気的に接触している、ナノ構造LED。 - 任意にドープされたβ−Ga2O3基板上にエピタキシャル成長させた少なくとも1つのナノ構造を製造するプロセスであって、
(I)β−Ga2O3基板の表面にIII−V族元素を用意する工程と、
(II)前記β−Ga2O3基板の表面から少なくとも1つのナノ構造をエピタキシャル成長させる工程と、を含むプロセス。 - 無触媒プロセスである、請求項23に記載のプロセス。
- 前記基板が、孔パターンマスクで被覆される、請求項23又は24に記載のプロセス。
- 前記孔パターンマスクが、例えば、電子ビーム蒸着、CVD、PE−CVD又はスパッタリングにより堆積した、Ti、SiO2又はSi3N4を含む、請求項25に記載のプロセス。
- n(p)ドープされたβ−Ga2O3基板上にエピタキシャル成長させた複数のナノ構造であって、p(n)ドープされたナノ構造と、
前記ドープされたβ−Ga2O3基板と電気的に接触している第1の電極と、
前記ナノ構造の少なくとも一部のトップと接触している、光反射層の形態であってもよい第2の電極と、を含む、紫外光検出デバイスなどの光検出デバイスであって、
前記ナノ構造が、少なくとも1つのIII−N族化合物半導体を含み、
使用時に、前記β−Ga2O3基板側から前記デバイスに光が吸収される、光検出デバイス。 - 前記複数のナノ構造が、前記n(p)ドープされたβ−Ga2O3基板上の孔パターンマスクの孔を通って成長している、請求項27に記載の光検出デバイス。
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