JP2019054169A5 - - Google Patents

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Claims (9)

  1. 第１の面と第２の面を有する半導体層と、
    前記半導体層の中に設けられた第１導電型の第１の半導体領域と、
    前記第１の半導体領域と前記第１の面との間に設けられた第２導電型の複数の第２の半導体領域と、
    前記第１の半導体領域と前記第１の面との間に設けられ、複数の前記第２の半導体領域の間に設けられた第１導電型の複数の第３の半導体領域と、
    前記第２の半導体領域と前記第１の面との間に設けられ、少なくとも一部が前記第１の面に接して設けられ、前記第２の半導体領域よりも第２導電型不純物濃度が高い第４の半導体領域と、
    前記第４の半導体領域と前記第１の面との間に設けられた第１導電型の第５の半導体領域と、
    前記第２の半導体領域と前記第４の半導体領域との間に設けられ、単位深さ当たりの電気抵抗が、前記第２の半導体領域の単位深さ当たりの電気抵抗よりも高い第６の半導体領域と、
    ゲート電極と、
    前記第４の半導体領域の前記少なくとも一部と前記ゲート電極との間に設けられたゲート絶縁膜と、
    を備える半導体装置。
  2. 前記第６の半導体領域は第１導電型であり、前記第６の半導体領域の第１導電型不純物濃度は、前記第３の半導体領域の第１導電型不純物濃度よりも低い請求項１記載の半導体装置。
  3. 前記第６の半導体領域は第２導電型であり、前記第６の半導体領域の第２導電型不純物濃度は、前記第２の半導体領域の第２導電型不純物濃度よりも低い請求項１記載の半導体装置。
  4. 前記第６の半導体領域は第２導電型であり、前記第６の半導体領域の幅は、前記第２の半導体領域の幅よりも狭い請求項１記載の半導体装置。
  5. 前記第２の半導体領域の第２導電型不純物濃度は、前記第１の面の側の端部から前記第２の面の側の端部に向かって単調に低下する請求項１乃至請求項４いずれか一項記載の半導体装置。
  6. 前記第６の半導体領域と前記第４の半導体領域との間に設けられ、前記第４の半導体領域よりも第２導電型不純物濃度が低い第７の半導体領域を更に備え、
    前記第６の半導体領域の単位深さ当たりの電気抵抗が、前記第７の半導体領域の単位深さ当たりの電気抵抗よりも高い請求項１記載の半導体装置。
  7. 前記第６の半導体領域は第１導電型であり、前記第６の半導体領域の第１導電型不純物濃度は、前記第３の半導体領域の第１導電型不純物濃度よりも低い請求項６記載の半導体装置。
  8. 前記第６の半導体領域は第２導電型であり、前記第６の半導体領域の第２導電型不純物濃度は、前記第７の半導体領域の第２導電型不純物濃度よりも低い請求項６記載の半導体装置。
  9. 前記第６の半導体領域は第２導電型であり、前記第６の半導体領域の幅は、前記第２の半導体領域の幅及び前記第７の半導体領域の幅よりも狭い請求項６記載の半導体装置。
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