JP2018041795A - 配線回路基板およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】高い周波数帯域において電気信号の損失が低減された配線回路基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】サスペンション基板１においては、支持基板１０上に第１の絶縁層４１が形成される。第１の絶縁層４１上に接地層５０および電源用配線パターンＰ１が形成される。接地層５０は、支持基板１０よりも高い電気伝導率を有する。接地層５０および電源用配線パターンＰ１を覆うように第１の絶縁層４１上に第２の絶縁層４２が形成される。接地層５０に重なるように第２の絶縁層４２上に書込用配線パターンＷ１，Ｗ２が形成される。支持基板１０、第１の絶縁層４１および第２の絶縁層４２の積層方向において、接地層５０と書込用配線パターンＷ１，Ｗ２との間隔は、電源用配線パターンＰ１と書込用配線パターンＷ１，Ｗ２との間隔よりも大きい。
【選択図】図４

Description

本発明は、配線回路基板およびその製造方法に関する。

従来から、種々の電気機器または電子機器に配線回路基板が用いられている。特許文献１には、配線回路基板として、ハードディスクドライブ装置のアクチュエータに用いられるサスペンション基板が記載されている。

特許文献１の配線回路基板においては、サスペンション本体部上に第１の絶縁層が形成される。第１の絶縁層上に第１および第２の配線パターンが間隔をおいて平行に形成される。第１および第２の配線パターンの両側における第１の絶縁層上の領域には、第２の絶縁層が形成される。第２の配線パターン側における第２の絶縁層上の領域に第３の配線パターンが形成され、第１の配線パターン側における第２の絶縁層上の領域に第４の配線パターンが形成される。

第１の配線パターンと第３の配線パターンとが所定箇所で互いに接続されることにより、第１の書込用配線パターンが構成される。第２の配線パターンと第４の配線パターンとが所定箇所で互いに接続されることにより、第２の書込用配線パターンが構成される。第１の書込用配線パターンと第２の書込用配線パターンとは、一対の信号線路対を構成する。

特許文献１の配線回路基板においては、第１および第２の配線パターンは、第３および第４の配線パターンよりも低い位置に形成される。したがって、第１〜第４の配線パターンが同一平面上に形成されている場合に比べて、第１〜第４の配線パターン間の距離が長くなる。そのため、第１〜第４の配線パターン間の近接効果が低下する。それにより、第１〜第４の配線パターンを伝送する電気信号の損失が低減される。

特開２０１０−３８９３号公報

しかしながら、近年、電気機器または電子機器に用いられる電気信号の高周波化が進んでいる。そのため、配線回路基板には、高い周波数帯域において電気信号の伝送損失がさらに低減されることが求められる。

本発明の目的は、高い周波数帯域において電気信号の損失が低減された配線回路基板およびその製造方法を提供することである。

（１）第１の発明に係る配線回路基板は、導電性材料により形成される支持基板と、支持基板上に形成される第１の絶縁層と、支持基板に電気的に接続されるように第１の絶縁層上に形成され、支持基板よりも高い電気伝導率を有する接地層と、第１の絶縁層上に形成される下部配線パターンと、接地層および下部配線パターンを覆うように第１の絶縁層上に形成される第２の絶縁層と、接地層に重なるように第２の絶縁層上に形成される上部配線パターンとを備え、支持基板、第１の絶縁層および第２の絶縁層の積層方向において、接地層と上部配線パターンとの間隔は、下部配線パターンと上部配線パターンとの間隔よりも大きい。

この配線回路基板においては、支持基板上に第１の絶縁層が形成される。第１の絶縁層上に接地層および下部配線パターンが形成される。また、接地層および下部配線パターンを覆うように第１の絶縁層上に第２の絶縁層が形成される。さらに、接地層に重なるように第２の絶縁層上に上部配線パターンが形成される。この場合、下部配線パターンおよび上部配線パターンの各々に電気信号を伝送させることができる。

高い周波数帯域を有する電気信号が上部配線パターンを伝送する場合、上部配線パターンから電磁波が発生する。その電磁波が支持基板または接地層に入射すると、支持基板または接地層に渦電流が発生し、上部配線パターンと支持基板または接地層とが電磁的に結合する。上部配線パターンを伝送する電気信号には、支持基板または接地層に発生する渦電流の大きさに応じた損失が生じる。電気信号の損失は、渦電流が大きいほど大きく、渦電流が小さいほど小さい。

ある導体に電磁波が与えられることによりその導体に発生する渦電流は、その導体の電気伝導率が低いほど大きく、その導体の電気伝導率が高いほど小さい。接地層は、支持基板に比べて高い電気伝導率を有する。したがって、電磁波により接地層に発生する渦電流は、電磁波により支持基板に発生する渦電流よりも小さい。

上記の構成によれば、上部配線パターンの少なくとも一部と支持基板との間に接地層が位置するので、上部配線パターンから支持基板に向かって放射される電磁波の少なくとも一部は、接地層に入射し、支持基板に到達しない。また、接地層に発生する渦電流は、接地層と上部配線パターンとの間隔が大きいほど小さくなる。

また、積層方向における接地層と上部配線パターンとの間の間隔が、積層方向における下部配線パターンと上部配線パターンとの間の間隔よりも大きい。したがって、積層方向における接地層と上部配線パターンとの間の間隔が積層方向における下部配線パターンと上部配線パターンとの間の間隔以下である場合に比べて、接地層に発生する渦電流が小さくされる。これらの結果、高い周波数帯域において上部配線パターンを伝送する電気信号の損失が低減される。

（２）第１の絶縁層は、第１の厚みを有する第１の部分と第１の厚みよりも大きい第２の厚みを有する第２の部分とを含み、接地層は、第１の絶縁層の第１の部分上に形成され、下部配線パターンは、第１の絶縁層の第２の部分上に形成されてもよい。この場合、積層方向における接地層と上部配線パターンとの間の間隔を、積層方向における下部配線パターンと上部配線パターンとの間の間隔よりも容易に大きくすることができる。

（３）支持基板には、第１の開口部が形成され、接地層には、支持基板の第１の開口部に重なる第２の開口部が形成され、上部配線パターンの少なくとも一部は、接地層の第２の開口部に重なってもよい。

上部配線パターンの特性インピーダンスの値は、上部配線パターンと支持基板および接地層とが重なる部分の面積に応じて定まる。上記の構成によれば、支持基板および接地層に第１および第２の開口部がそれぞれ形成される。したがって、第１および第２の開口部の大きさおよび数を調整することにより、上部配線パターンの特性インピーダンスの値を容易に調整することができる。

（４）接地層の第２の開口部の寸法は、上部配線パターンと支持基板との間に接地層の一部が存在するように設定されてもよい。この場合、支持基板および接地層に第１および第２の開口部をそれぞれ設けつつ、上部配線パターンから支持基板に向かって放射される電磁波が支持基板に到達することを抑制することができる。これにより、上部配線パターンの特性インピーダンスの値を所望の値に調整しつつ、高い周波数帯域において上部配線パターンを伝送する電気信号の損失を低減することができる。

（５）第２の発明に係る配線回路基板は、導電性材料により形成される支持基板と、支持基板上に形成される第１の絶縁層と、支持基板に電気的に接続されるように第１の絶縁層上に形成され、支持基板よりも高い電気伝導率を有する接地層と、接地層を覆うように第１の絶縁層上に形成される第２の絶縁層と、接地層に重なるように第２の絶縁層上に形成される上部配線パターンとを備え、支持基板には、第１の開口部が形成され、接地層には、支持基板の第１の開口部に重なる第２の開口部が形成され、上部配線パターンの少なくとも一部は、接地層の第２の開口部に重なり、接地層の第２の開口部の寸法は、上部配線パターンと支持基板との間に接地層の一部が存在するように設定される。

この配線回路基板においては、支持基板上に第１の絶縁層が形成される。第１の絶縁層上に接地層が形成される。また、接地層を覆うように第１の絶縁層上に第２の絶縁層が形成される。さらに、接地層に重なるように第２の絶縁層上に上部配線パターンが形成される。この場合、上部配線パターンに電気信号を伝送させることができる。

高い周波数帯域を有する電気信号が上部配線パターンを伝送する場合、上部配線パターンから電磁波が発生する。その電磁波が支持基板または接地層に入射すると、支持基板または接地層に渦電流が発生し、上部配線パターンと支持基板または接地層とが電磁的に結合する。上部配線パターンを伝送する電気信号には、支持基板または接地層に発生する渦電流の大きさに応じた損失が生じる。電気信号の損失は、渦電流が大きいほど大きく、渦電流が小さいほど小さい。

ある導体に電磁波が与えられることによりその導体に発生する渦電流は、その導体の電気伝導率が低いほど大きく、その導体の電気伝導率が高いほど小さい。接地層は、支持基板に比べて高い電気伝導率を有する。したがって、電磁波により接地層に発生する渦電流は、電磁波により支持基板に発生する渦電流よりも小さい。

上記の構成によれば、上部配線パターンの少なくとも一部と支持基板との間に接地層が位置するので、上部配線パターンから支持基板に向かって放射される電磁波の少なくとも一部は、接地層に入射し、支持基板に到達しない。これにより、高い周波数帯域において上部配線パターンを伝送する電気信号の損失が低減される。

また、上部配線パターンの特性インピーダンスの値は、上部配線パターンと支持基板および接地層とが重なる部分の面積に応じて定まる。上記の構成によれば、支持基板および接地層に第１および第２の開口部がそれぞれ形成される。したがって、第１および第２の開口部の大きさおよび数を調整することにより、上部配線パターンの特性インピーダンスの値を容易に調整することができる。

さらに、接地層の第２の開口部の寸法は、上部配線パターンと支持基板との間に接地層の一部が存在するように設定される。そのため、支持基板および接地層に第１および第２の開口部をそれぞれ設けつつ、上部配線パターンから支持基板に向かって放射される電磁波が支持基板に到達することを抑制することができる。これにより、上部配線パターンの特性インピーダンスの値を所望の値に調整しつつ、高い周波数帯域において上部配線パターンを伝送する電気信号の損失を低減することができる。

（６）上部配線パターンは第１の方向に延び、第２の開口部は、第１の方向に並ぶように接地層に間欠的に複数形成されてもよい。この場合、複数の第２の開口部とともに複数の第１の開口部が第１の方向に間欠的に並ぶ。それにより、上部配線パターンの特性インピーダンスの均一性を向上させることができる。

（７）配線回路基板は、第１および第２の絶縁層を貫通する第１および第２のビアをさらに備え、支持基板は、接地層に電気的に接続された支持部と、支持部から電気的に絶縁された配線部とを含み、上部配線パターンは、信号線路対を構成する第１および第２の信号線路を含み、第１の信号線路は、第１および第２の分岐線路を含み、第２の信号線路は、互いに電気的に接続された第３および第４の分岐線路を含み、第１の信号線路の第１および第２の分岐線路と第２の信号線路の第３および第４の分岐線路とは、交互に並ぶように配置され、第１のビアは、第１の信号線路の第１の分岐線路と支持基板の配線部とを電気的に接続し、第２のビアは、第１の信号線路の第２の分岐線路と支持基板の配線部とを電気的に接続してもよい。

この場合、第１の信号線路の第１の分岐線路の一部と第１の分岐線路の残りの部分とが、第１のビア、配線部および第２のビアを通して電気的に接続される。それにより、第１の分岐線路の一部と第１の分岐線路の残りの部分とが互いに離間するように第１の分岐線路を第２の絶縁層上に形成するとともに、第１の分岐線路の一部と第１の分岐線路の残りの部分との間を通るように第３または第４の分岐線路を第２の絶縁層上に形成することができる。したがって、第２の絶縁層上で、第１および第２の分岐線路と第３および第４の分岐線路とを交互に並ぶように配置することができる。

第１および第２の分岐線路と第３および第４の分岐線路とが交互に並ぶことにより、第１の分岐線路の一側面および他側面ならびに第２の分岐線路の一側面および他側面のうち３つの側面と、第３の分岐線路の一側面および他側面ならびに第４の分岐線路の一側面および他側面のうち３つの側面とが、互いに対向する。それにより、第１の信号線路と第２の信号線路との対向面積が大きくなり、上部配線パターンのキャパシタンスが大きくなる。その結果、第１および第２の信号線路の特性インピーダンスが低減される。

（８）配線回路基板は、第１の絶縁層上に形成される中継パターンと、第２の絶縁層を貫通する第１および第２のビアをさらに備え、上部配線パターンは、信号線路対を構成する第１および第２の信号線路を含み、第１の信号線路は、第１および第２の分岐線路を含み、第２の信号線路は、互いに電気的に接続された第３および第４の分岐線路を含み、第１の信号線路の第１および第２の分岐線路と第２の信号線路の第３および第４の分岐線路とは、交互に並ぶように配置され、第１のビアは、第１の信号線路の第１の分岐線路と中継パターンとを電気的に接続し、第２のビアは、第１の信号線路の第２の分岐線路と中継パターンとを電気的に接続してもよい。

上記の構成によれば、第１の信号線路の第１の分岐線路の一部と第１の分岐線路の残りの部分とが、第１のビア、中継パターンおよび第２のビアを通して電気的に接続される。それにより、第１の分岐線路の一部と第１の分岐線路の残りの部分とが互いに離間するように第１の分岐線路を第２の絶縁層上に形成するとともに、第１の分岐線路の一部と第１の分岐線路の残りの部分との間を通るように第３または第４の分岐線路を第２の絶縁層上に形成することができる。したがって、第２の絶縁層上で、第１および第２の分岐線路と第３および第４の分岐線路とを交互に並ぶように配置することができる。

第１および第２の分岐線路と第３および第４の分岐線路とが交互に並ぶことにより、第１の分岐線路の一側面および他側面ならびに第２の分岐線路の一側面および他側面のうち３つの側面と、第３の分岐線路の一側面および他側面ならびに第４の分岐線路の一側面および他側面のうち３つの側面とが、互いに対向する。それにより、第１の信号線路と第２の信号線路との対向面積が大きくなり、上部配線パターンのキャパシタンスが大きくなる。その結果、第１および第２の信号線路の特性インピーダンスが低減される。

（９）配線回路基板は、第１の絶縁層を貫通して接地層と支持基板とを電気的に接続する第３のビアをさらに備えてもよい。この場合、第３のビアを介して接地層を支持基板に電気的に容易に接続することができる。

（１０）支持基板はステンレスを含み、接地層は銅を含んでもよい。この場合、ステンレス鋼により、上部配線パターンを支持するために必要とされる支持基板の十分な剛性を確保することができる。また、ステンレス鋼の表面には不動態皮膜が形成される。それにより、腐食による支持基板の劣化が抑制される。銅はステンレス鋼に比べて高い電気伝導率を有する。それにより、電磁波により接地層に発生する渦電流を小さくすることができる。

（１１）配線回路基板は、上部配線パターンを覆うように第２の絶縁層上に形成される第３の絶縁層をさらに備えてもよい。この場合、上部配線パターンが第３の絶縁層により保護される。

（１２）第３の発明に係る配線回路基板の製造方法は、導電性材料により形成される支持基板上に積層された第１の絶縁層を準備するステップと、支持基板に電気的に接続されるように第１の絶縁層上に支持基板よりも高い電気伝導率を有する接地層を形成し、第１の絶縁層上に下部配線パターンを形成するステップと、接地層および下部配線パターンを覆うように第１の絶縁層上に第２の絶縁層を形成するステップと、接地層に重なるように第２の絶縁層上に上部配線パターンを形成するステップとを含み、接地層および下部配線パターンを形成するステップは、支持基板、第１の絶縁層および第２の絶縁層の積層方向において、接地層と上部配線パターンとの間隔が下部配線パターンと上部配線パターンとの間隔よりも大きくなるように接地層および下部配線パターンを形成することを含む。

この配線回路基板の製造方法においては、支持基板上に第１の絶縁層が形成される。第１の絶縁層上に接地層および下部配線パターンが形成される。また、接地層および下部配線パターンを覆うように第１の絶縁層上に第２の絶縁層が形成される。さらに、接地層に重なるように第２の絶縁層上に上部配線パターンが形成される。この場合、下部配線パターンおよび上部配線パターンの各々に電気信号を伝送させることができる。

高い周波数帯域を有する電気信号が上部配線パターンを伝送する場合、上部配線パターンから電磁波が発生する。その電磁波が支持基板または接地層に入射すると、支持基板または接地層に渦電流が発生し、上部配線パターンと支持基板または接地層とが電磁的に結合する。上部配線パターンを伝送する電気信号には、支持基板または接地層に発生する渦電流の大きさに応じた損失が生じる。電気信号の損失は、渦電流が大きいほど大きく、渦電流が小さいほど小さい。

ある導体に電磁波が与えられることによりその導体に発生する渦電流は、その導体の電気伝導率が低いほど大きく、その導体の電気伝導率が高いほど小さい。接地層は、支持基板に比べて高い電気伝導率を有する。したがって、電磁波により接地層に発生する渦電流は、電磁波により支持基板に発生する渦電流よりも小さい。

上記の製造方法によれば、上部配線パターンの少なくとも一部と支持基板との間に接地層が位置するので、上部配線パターンから支持基板に向かって放射される電磁波の少なくとも一部は、接地層に入射し、支持基板に到達しない。また、接地層に発生する渦電流は、接地層と上部配線パターンとの間隔が大きいほど小さくなる。

また、積層方向における接地層と上部配線パターンとの間の間隔が、積層方向における下部配線パターンと上部配線パターンとの間の間隔よりも大きい。したがって、積層方向における接地層と上部配線パターンとの間の間隔が積層方向における下部配線パターンと上部配線パターンとの間の間隔以下である場合に比べて、接地層に発生する渦電流が小さくされる。これらの結果、高い周波数帯域において上部配線パターンを伝送する電気信号の損失が低減される。

（１３）第４の発明に係る配線回路基板の製造方法は、導電性材料により形成される支持基板上に積層された第１の絶縁層を準備するステップと、支持基板に電気的に接続されるように第１の絶縁層上に支持基板よりも高い電気伝導率を有する接地層を形成するステップと、接地層を覆うように第１の絶縁層上に第２の絶縁層を形成するステップと、接地層に重なるように第２の絶縁層上に上部配線パターンを形成するステップと、支持基板に第１の開口部を形成するステップと、接地層に支持基板の第１の開口部に重なる第２の開口部を形成するステップとを含み、上部配線パターンを形成するステップは、上部配線パターンの少なくとも一部が接地層の第２の開口部に重なるように上部配線パターンを形成することを含み、第２の開口部を形成するステップは、上部配線パターンと支持基板との間に接地層の一部が存在するように第２の開口部の寸法を設定することを含む。

この配線回路基板の製造方法においては、支持基板上に第１の絶縁層が形成される。第１の絶縁層上に接地層が形成される。また、接地層を覆うように第１の絶縁層上に第２の絶縁層が形成される。さらに、接地層に重なるように第２の絶縁層上に上部配線パターンが形成される。この場合、上部配線パターンに電気信号を伝送させることができる。

高い周波数帯域を有する電気信号が上部配線パターンを伝送する場合、上部配線パターンから電磁波が発生する。その電磁波が支持基板または接地層に入射すると、支持基板または接地層に渦電流が発生し、上部配線パターンと支持基板または接地層とが電磁的に結合する。上部配線パターンを伝送する電気信号には、支持基板または接地層に発生する渦電流の大きさに応じた損失が生じる。電気信号の損失は、渦電流が大きいほど大きく、渦電流が小さいほど小さい。

ある導体に電磁波が与えられることによりその導体に発生する渦電流は、その導体の電気伝導率が低いほど大きく、その導体の電気伝導率が高いほど小さい。接地層は、支持基板に比べて高い電気伝導率を有する。したがって、電磁波により接地層に発生する渦電流は、電磁波により支持基板に発生する渦電流よりも小さい。

上記の製造方法によれば、上部配線パターンの少なくとも一部と支持基板との間に接地層が位置するので、上部配線パターンから支持基板に向かって放射される電磁波の少なくとも一部は、接地層に入射し、支持基板に到達しない。これにより、高い周波数帯域において上部配線パターンを伝送する電気信号の損失が低減される。

また、上部配線パターンの特性インピーダンスの値は、上部配線パターンと支持基板および接地層とが重なる部分の面積に応じて定まる。上記の構成によれば、支持基板および接地層に第１および第２の開口部がそれぞれ形成される。したがって、第１および第２の開口部の大きさおよび数を調整することにより、上部配線パターンの特性インピーダンスの値を容易に調整することができる。

さらに、接地層の第２の開口部の寸法は、上部配線パターンと支持基板との間に接地層の一部が存在するように設定される。そのため、支持基板および接地層に第１および第２の開口部をそれぞれ設けつつ、上部配線パターンから支持基板に向かって放射される電磁波が支持基板に到達することを抑制することができる。これにより、上部配線パターンの特性インピーダンスの値を所望の値に調整しつつ、高い周波数帯域において上部配線パターンを伝送する電気信号の損失を低減することができる。

本発明によれば、高い周波数帯域において電気信号の損失が低減される。

本発明の第１の実施の形態に係るサスペンション基板の平面図である。 図１の書込用配線パターンおよび電源用配線パターンの構成を示す模式図である。 図１のサスペンション基板のうち一点鎖線で取り囲まれる部分Ｑの拡大平面図である。 図３のＡ−Ａ線断面図である。 図３のＢ−Ｂ線断面図である。 図３のＣ−Ｃ線断面図である。 図２の交差領域の拡大平面図である。 図７のＤ−Ｄ線断面図である。 図１のサスペンション基板の製造方法を示す模式的工程断面図である。 図１のサスペンション基板の製造方法を示す模式的工程断面図である。 図１のサスペンション基板の製造方法を示す模式的工程断面図である。 図１のサスペンション基板の製造方法を示す模式的工程断面図である。 図１のサスペンション基板の製造方法を示す模式的工程断面図である。 図１のサスペンション基板の製造方法を示す模式的工程断面図である。 図１のサスペンション基板の製造方法を示す模式的工程断面図である。 第２の実施の形態に係るサスペンション基板の一部拡大平面図である。 第２の実施の形態に係るサスペンション基板の一部拡大平面図である。 第２の実施の形態に係るサスペンション基板の一部拡大平面図である。 他の実施の形態に係るサスペンション基板のうち図７のＤ−Ｄ線に対応する部分の断面図である。 実施例１に係るサスペンション基板の平面図および断面図である。 実施例２に係るサスペンション基板の平面図である。 図２１のＪ２−Ｊ２線断面図およびＪ３−Ｊ３線断面図である。 比較例１に係るサスペンション基板の平面図および断面図である。 比較例２に係るサスペンション基板の平面図および断面図である。 実施例１，２および比較例１，２に係るサスペンション基板についてのシミュレーション結果を示す図である。 実施例３に係るサスペンション基板の断面図である。 比較例３に係るサスペンション基板の断面図である。 比較例４に係るサスペンション基板の断面図である。 実施例３および比較例３，４に係るサスペンション基板についてのシミュレーション結果を示す図である。

以下、本発明の一実施の形態に係る配線回路基板およびその製造方法について図面を参照しながら説明する。本発明の一実施の形態に係る配線回路基板として、ハードディスクドライブ装置のアクチュエータに用いられる回路付サスペンション基板（以下、サスペンション基板と略記する。）について説明する。

［１］第１の実施の形態
（１）サスペンション基板の構造
図１は、本発明の第１の実施の形態に係るサスペンション基板の平面図である。図１において、矢印が向かう方向を前方と呼び、その逆方向を後方と呼ぶ。図１に示すように、サスペンション基板１は、サスペンション本体部として例えばステンレス鋼からなる支持基板１０を備える。図１においては、支持基板１０は、略前後方向に延びている。

サスペンション基板１は、長尺状の支持プレート９０により支持される。図１に点線で示すように、サスペンション基板１には、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２、読取用配線パターンＲ１，Ｒ２および電源用配線パターンＰ１，Ｐ２が形成されている。書込用配線パターンＷ１，Ｗ２および読取用配線パターンＲ１，Ｒ２は、高い周波数帯域を有する電気信号を伝送させるための高周波線路である。電源用配線パターンＰ１，Ｐ２は、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２および読取用配線パターンＲ１，Ｒ２を伝送する電気信号よりも低い周波数帯域を有する電気信号を伝送させるための低周波線路である。

支持基板１０の先端部には、Ｕ字状の開口部１１を形成することにより磁気ヘッド搭載部（以下、タング部と呼ぶ）１２が設けられている。タング部１２は、支持基板１０に対して所定の角度をなすように一点鎖線Ｒの箇所で折り曲げ加工される。

支持基板１０の一端部におけるタング部１２の上面には４個の接続端子２１，２２，２３，２４が形成されている。また、支持基板１０が延びる方向（前後方向）における支持基板１０の中央部近傍の両側部には、２個の接続端子２５，２６がそれぞれ形成されている。タング部１２の上面に磁気ヘッドを有するヘッドスライダ（図示せず）が実装される。タング部１２の接続端子２１〜２４にヘッドスライダの磁気ヘッドの端子が接続される。接続端子２５，２６は、後述する２つの圧電素子９５，９６にそれぞれ接続される。

支持基板１０の他端部の上面には６個の接続端子３１，３２，３３，３４，３５，３６が形成されている。接続端子３１〜３４には、プリアンプ等の電子回路が接続される。接続端子３５，３６には圧電素子９５，９６用の電源回路が接続される。接続端子２１〜２６と接続端子３１〜３６とは、それぞれ書込用配線パターンＷ１，Ｗ２、読取用配線パターンＲ１，Ｒ２および電源用配線パターンＰ１，Ｐ２により電気的に接続されている。また、支持基板１０の中央部には複数の孔部Ｈが形成されている。

支持プレート９０は、前端領域９１、後端領域９２および中央領域９３を有する。後端領域９２は矩形状を有する。前端領域９１は台形状を有し、その幅は後方から前方に向かって漸次減少する。中央領域９３は前後方向に延びる矩形状を有し、前端領域９１と後端領域９２との間に配置される。サスペンション基板１が支持プレート９０の上面に支持された状態において、接続端子３１〜３６を含むサスペンション基板１の端部は、後端領域９２から後方に突出する。

中央領域９３の一部分には、圧電素子実装領域９４が設けられる。圧電素子実装領域９４は、サスペンション基板１の接続端子２５，２６と重なる。圧電素子実装領域９４の両側部は、外方に湾曲するように突出する。また、圧電素子実装領域９４には、幅方向（前後方向に直交する方向）に延びる貫通孔９４ｈが形成される。この構成によれば、支持プレート９０の圧電素子実装領域９４の部分は、前後方向に伸縮性を有する。

貫通孔９４ｈをまたぐように圧電素子実装領域９４の下面に圧電素子９５，９６が実装される。圧電素子９５，９６は、サスペンション基板１の両側方にそれぞれ位置する。圧電素子９５，９６は、貫通孔９４ｈを通してサスペンション基板１の接続端子２５，２６にそれぞれ接続される。

接続端子２５，３５および電源用配線パターンＰ１を介して圧電素子９５に電圧が印加され、接続端子２６，３６および電源用配線パターンＰ２を介して圧電素子９６に電圧が印加される。これにより、圧電素子９５，９６の伸縮に伴って、支持プレート９０が前後方向に伸縮する。圧電素子９５，９６に印加される電圧を制御することにより、サスペンション基板１上のヘッドスライダの磁気ヘッドの微小な位置合わせが可能になる。

支持プレート９０に支持されたサスペンション基板１はハードディスク装置に設けられる。磁気ディスクへの情報の書込み時に一対の書込用配線パターンＷ１，Ｗ２に電流が流れる。書込用配線パターンＷ１と書込用配線パターンＷ２とは、差動の書込み信号を伝送させる差動信号線路対を構成する。また、磁気ディスクからの情報の読取り時に一対の読取用配線パターンＲ１，Ｒ２に電流が流れる。読取用配線パターンＲ１と読取用配線パターンＲ２とは、差動の読取り信号を伝送させる差動信号線路対を構成する。

（２）書込用配線パターンおよび電源用配線パターン
書込用配線パターンＷ１，Ｗ２および電源用配線パターンＰ１の構成について説明する。図２は、図１の書込用配線パターンＷ１，Ｗ２および電源用配線パターンＰ１の構成を示す模式図である。

図２に示すように、書込用配線パターンＷ１は、線路ＬＡ１〜ＬＡ５により構成される。接続端子２１に線路ＬＡ１の一端部が接続され、接続端子３１に線路ＬＡ２の一端部が接続される。線路ＬＡ３，ＬＡ４の一端部は、線路ＬＡ１の他端部に一体化する。線路ＬＡ３の他端部と線路ＬＡ５の一端部とが交差領域ＣＮ１において電気的に接続される。交差領域ＣＮ１の詳細については後述する。線路ＬＡ４，ＬＡ５の他端部は、線路ＬＡ２の他端部に一体化する。

書込用配線パターンＷ２は、線路ＬＢ１〜ＬＢ５により構成される。接続端子２２に線路ＬＢ１の一端部が接続され、接続端子３２に線路ＬＢ２の一端部が接続される。線路ＬＢ３，ＬＢ４の一端部は、線路ＬＢ１の他端部に一体化する。線路ＬＢ３の他端部と線路ＬＢ５の一端部とが交差領域ＣＮ２において電気的に接続される。交差領域ＣＮ２の詳細については後述する。線路ＬＢ４，ＬＢ５の他端部は、線路ＬＢ２の他端部に一体化する。

書込用配線パターンＷ１の線路ＬＡ４，ＬＡ５と書込用配線パターンＷ２の線路ＬＢ３，ＬＢ４とは、互いに交互にかつ平行に配置される。書込用配線パターンＷ１の線路ＬＡ５は、交差領域ＣＮ２において書込用配線パターンＷ２の線路ＬＢ３，ＬＢ５の端部間を通って延び、書込用配線パターンＷ２の線路ＬＢ３は、交差領域ＣＮ１において書込用配線パターンＷ１の線路ＬＡ３，ＬＡ５の端部間を通って延びる。

電源用配線パターンＰ１は、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２から離間した位置で、２つの接続端子２５，３５をつなぐように設けられる。

図３は、図１のサスペンション基板１のうち一点鎖線で取り囲まれる部分Ｑの拡大平面図である。図４は、図３のＡ−Ａ線断面図である。図５は、図３のＢ−Ｂ線断面図である。図６は、図３のＣ−Ｃ線断面図である。図３に示すように、図１の部分Ｑでは、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２の線路ＬＡ４，ＬＡ５，ＬＢ３，ＬＢ４および電源用配線パターンＰ１が前後方向に直交する方向に並ぶように形成されている。

図４に示すように、支持基板１０上に、例えばポリイミドからなる第１の絶縁層４１が形成されている。第１の絶縁層４１は、薄肉部４１Ａおよび厚肉部４１Ｂを有する。厚肉部４１Ｂの厚みは、薄肉部４１Ａの厚みよりも大きい。

第１の絶縁層４１の薄肉部４１Ａ上に、支持基板１０よりも高い電気伝導率を有する接地層５０が形成されている。接地層５０の材料としては、例えば銅が用いられる。支持基板１０がステンレス鋼からなる場合には、金または銀を接地層５０の材料として用いてもよい。あるいは、金、銀および銅のいずれかを含みかつステンレス鋼よりも高い電気伝導率を有する合金を接地層５０の材料として用いてもよい。

なお、接地層５０は、多層構造を有してもよい。例えば、接地層５０は、支持基板１０がステンレス鋼からなる場合に、銅層上にニッケル層または銀層が積層された２層構造を有してもよいし、銅層上にニッケル層および金層が積層された３層構造を有してもよい。接地層５０が銅層を含む多層構造を有する場合には、銅層の表面を被覆するように、銅層の上面上および側面上にニッケル層、銀層または金層等の他の金属層が形成されてもよい。

接地層５０の下方における第１の絶縁層４１の薄肉部４１Ａの部分に貫通孔Ｈ１３が形成される。接地層５０は、貫通孔Ｈ１３内において支持基板１０に接触する。貫通孔Ｈ１３内の接地層５０の部分によりビアＶ３が形成される。これにより、接地層５０がビアＶ３を介して支持基板１０に電気的に接続される。

第１の絶縁層４１の厚肉部４１Ｂ上に、本発明の下部配線パターンとして電源用配線パターンＰ１が形成されている。電源用配線パターンＰ１の材料としては、例えば銅が用いられる。なお、電源用配線パターンＰ１の表面は、ニッケル層または銀層等で被覆されてもよい。

接地層５０および電源用配線パターンＰ１を覆うように、第１の絶縁層４１上に、例えばポリイミドからなる第２の絶縁層４２が形成されている。本例では、第２の絶縁層４２はさらに接地層５０に接触するように形成されている。

第２の絶縁層４２上に、本発明の上部配線パターンとして書込用配線パターンＷ１，Ｗ２の線路ＬＡ４，ＬＡ５，ＬＢ３，ＬＢ４が形成されている。書込用配線パターンＷ１，Ｗ２の線路ＬＡ４，ＬＡ５，ＬＢ３，ＬＢ４の少なくとも一部は、接地層５０に重なる。書込用配線パターンＷ１，Ｗ２の材料としては、例えば銅が用いられる。書込用配線パターンＷ１，Ｗ２を覆うように、第２の絶縁層４２上に、例えばポリイミドからなる第３の絶縁層６０が形成されている。なお、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２の表面は、ニッケル層または銀層等で被覆されてもよい。

上記の構成により、支持基板１０、第１の絶縁層４１および第２の絶縁層４２の積層方向（以下、基板積層方向と呼ぶ。）において、接地層５０と書込用配線パターンＷ１との間隔ｄ１は、電源用配線パターンＰ１と書込用配線パターンＷ１との間隔ｄ２よりも大きくなるように設定される。

図３では、図４の第１の絶縁層４１、第２の絶縁層４２および第３の絶縁層６０の図示を省略している。また、図３では、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２を太い実線およびハッチングで示し、電源用配線パターンＰ１を太い一点鎖線およびハッチングで示し、接地層５０を実線およびドットパターンで示す。さらに、支持基板１０を二点鎖線で示す。

高い周波数帯域を有する電気信号が書込用配線パターンＷ１，Ｗ２を伝送する場合、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２から電磁波が発生する。発生する電磁波が支持基板１０または接地層５０に入射すると、支持基板１０に渦電流が発生し、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２と支持基板１０または接地層５０とが電磁的に結合する。書込用配線パターンＷ１，Ｗ２を伝送する電気信号には、支持基板１０または接地層５０に発生する渦電流の大きさに応じた損失が生じる。電気信号の損失は、発生する渦電流が大きいほど大きく、発生する渦電流が小さいほど小さい。

ある導体に電磁波が与えられることによりその導体に発生する渦電流は、その導体の電気伝導率が低いほど大きく、その導体の電気伝導率が高いほど小さい。接地層５０は、支持基板１０に比べて高い電気伝導率を有する。そのため、電磁波により接地層５０に発生する渦電流は、電磁波により支持基板１０に発生する渦電流よりも小さい。

上記の構成によれば、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２の少なくとも一部と支持基板１０との間に接地層５０が位置するので、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２から支持基板１０に向かって放射される電磁波の少なくとも一部は、接地層５０に入射し、支持基板１０に到達しない。また、接地層５０に発生する渦電流は、接地層５０と書込用配線パターンＷ１，Ｗ２との間隔が大きいほど小さい。上記の構成によれば、基板積層方向における接地層５０と書込用配線パターンＷ１，Ｗ２との間隔ｄ１（図４）が、電源用配線パターンＰ１と書込用配線パターンＷ１との間隔ｄ２（図４）よりも大きい。したがって、接地層５０が第１の絶縁層４１の厚肉部４１Ｂ上に形成される場合に比べて接地層５０に発生する渦電流が小さくされる。これらの結果、高い周波数帯域において書込用配線パターンＷ１，Ｗ２を伝送する電気信号の損失が低減される。

書込用配線パターンＷ１，Ｗ２の特性インピーダンスの値は、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２と支持基板１０および接地層５０とが重なる部分の面積に応じて定まる。例えば、書込用配線パターンＷ１の特性インピーダンスの値は、書込用配線パターンＷ１の一部と支持基板１０および接地層５０とが重なる場合に比べて、書込用配線パターンＷ１全体と支持基板１０および接地層５０とが重なる場合の方が小さくなる。また、その特性インピーダンスの値は、書込用配線パターンＷ１と支持基板１０および接地層５０とが重ならない場合に比べて、書込用配線パターンＷ１の一部と支持基板１０および接地層５０とが重なる場合の方が小さくなる。

そこで、本実施の形態では、各書込用配線パターンＷ１，Ｗ２の特性インピーダンスの値が所望の値に近づくように、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２と支持基板１０および接地層５０とが重なる部分の面積が調整される。具体的には、図３、図５および図６に示すように、予め設定されるインピーダンスに応じて、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２に重なる複数の第１の開口部１９が支持基板１０に形成される。また、複数の第１の開口部１９にそれぞれ重なる複数の第２の開口部５９が接地層５０に形成される。

複数の第１の開口部１９および複数の第２の開口部５９は、基本的に書込用配線パターンＷ１，Ｗ２が延びる方向に並ぶように間欠的に形成される。それにより、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２の特性インピーダンスの均一性を向上させることができる。

なお、設定されるインピーダンスによっては、複数の第１の開口部１９および複数の第２の開口部５９は、支持基板１０および接地層５０にそれぞれ形成されなくてもよい。または、設定されるインピーダンスによっては、支持基板１０および接地層５０には、１つの第１の開口部１９および１つの第２の開口部５９のみが形成されてもよい。

図３に示すように、互いに重なり合う第１の開口部１９および第２の開口部５９は、サスペンション基板１を基板積層方向に沿って見た場合に第１の開口部１９の内縁が第２の開口部５９の内縁を取り囲むように形成される。この場合、図５に示すように、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２に直交する方向においては、接地層５０の各第２の開口部５９の寸法ｄ４が対応する支持基板１０の第１の開口部１９の寸法ｄ３に比べて小さい。また、図６に示すように、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２に平行な方向においては、接地層５０の各第２の開口部５９の寸法ｄ６が対応する支持基板１０の第１の開口部１９の寸法ｄ５に比べて小さい。

このような構成により、支持基板１０および接地層５０に第１の開口部１９および第２の開口部５９をそれぞれ設けつつ、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２から支持基板１０に向かって放射される電磁波が支持基板１０に到達することを抑制することができる。したがって、各書込用配線パターンＷ１，Ｗ２の特性インピーダンスの値を所望の値に調整しつつ、高い周波数帯域において書込用配線パターンＷ１，Ｗ２を伝送する電気信号の損失を低減することができる。

（３）交差領域
図７は、図２の交差領域ＣＮ１の拡大平面図である。図８は、図７のＤ−Ｄ線断面図である。図７では、図４の第１の絶縁層４１、第２の絶縁層４２および第３の絶縁層６０の図示を省略している。また、図７では、書込用配線パターンＷ１（図２）の線路ＬＡ３，ＬＡ５および書込用配線パターンＷ２（図２）の線路ＬＢ３を太い実線およびハッチングで示す。また、接地層５０を実線およびドットパターンで示す。さらに、支持基板１０を二点鎖線で示す。図２の交差領域ＣＮ２は、交差領域ＣＮ１と同様の構成を有する。

図７および図８に示すように、支持基板１０のうち交差領域ＣＮ１が形成される部分には、環状開口部１８が形成される。これにより、支持基板１０の一部に、他の部分から電気的に分離された島状の部分が形成される。以下の説明では、支持基板１０のうち島状の部分を配線部１０Ｘと呼び、支持基板１０のうち配線部１０Ｘを除く部分を支持部１０Ｙと呼ぶ。配線部１０Ｘおよび支持部１０Ｙは、環状開口部１８により電気的に分離されている。

配線部１０Ｘの上方を通って延びるように書込用配線パターンＷ２の線路ＬＢ３が配置され、線路ＬＢ３の両側に書込用配線パターンＷ１の線路ＬＡ３の他端部および線路ＬＡ５の一端部が配置される。

線路ＬＡ３の他端部および線路ＬＡ５の一端部には、円形の接続部Ｇ１，Ｇ２がそれぞれ設けられる。また、接続部Ｇ１の下方における第１の絶縁層４１および第２の絶縁層４２の部分に貫通孔Ｈ１１が形成され、接続部Ｇ２の下方における第１の絶縁層４１および第２の絶縁層４２の部分に貫通孔Ｈ１２が形成される。

接続部Ｇ１は、貫通孔Ｈ１１内において配線部１０Ｘに接触する。接続部Ｇ２は、貫通孔Ｈ１２内において配線部１０Ｘに接触する。貫通孔Ｈ１１内の接続部Ｇ１の部分によりビアＶ１が形成され、貫通孔Ｈ１２内の接続部Ｇ２の部分によりビアＶ２が形成される。これにより、線路ＬＡ３，ＬＡ５が、ビアＶ１，Ｖ２、配線部１０Ｘを介して電気的に接続される。

接続部Ｇ１，Ｇ２の形状は、円形に限らず、楕円形、三角形、四角形または扇形等の他の形状であってもよい。また、貫通孔Ｈ１１，Ｈ１２の横断面形状は、楕円形、三角形、四角形または扇形等の他の形状であってもよい。

このように、本実施の形態においては、線路ＬＡ３と線路ＬＡ５とが交差領域ＣＮ１のビアＶ１，Ｖ２、配線部１０Ｘを介して電気的に接続される。また、線路ＬＢ３（図２）と線路ＬＢ５（図２）とが交差領域ＣＮ２（図２）のビアＶ１，Ｖ２、配線部１０Ｘを介して電気的に接続される。

これにより、書込用配線パターンＷ１と書込用配線パターンＷ２とを互いに干渉させることなく、図２の書込用配線パターンＷ１の線路ＬＡ４，ＬＡ５と図２の書込用配線パターンＷ２の線路ＬＢ３，ＬＢ４とを交互に並ぶように配置することができる。

上記の構成によれば、線路ＬＡ４の一側面および他側面ならびに線路ＬＡ５の一側面および他側面のうち３つの側面と、線路ＬＢ３の一側面および他側面ならびに線路ＬＢ４の一側面および他側面のうち３つの側面とが、互いに対向する。それにより、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２の間の対向面積が大きくなり、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２のキャパシタンスが大きくなる。その結果、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２の特性インピーダンスが低減される。

なお、図１の読取用配線パターンＲ１，Ｒ２は、例えばそれぞれ１つの線路により図４の第２の絶縁層４２上に形成される。あるいは、読取用配線パターンＲ１，Ｒ２は、上記の書込用配線パターンＷ１，Ｗ２の構成と同様に、電気信号が分岐して伝送するように構成された複数の線路により形成されてもよい。

（４）サスペンション基板の製造方法
サスペンション基板１の製造方法について説明する。図９〜図１５は、図１のサスペンション基板１の製造方法を示す模式的工程断面図である。図９〜図１５の各図においては、（ａ）が図３のＡ−Ａ線断面図に対応し、（ｂ）が図３のＢ−Ｂ線断面図に対応し、（ｃ）が図７のＤ−Ｄ線断面図に対応する。ここでは、図１のタング部１２、複数の接続端子２１〜２６，３１〜３６、複数の孔部Ｈ、読取用配線パターンＲ１，Ｒ２および電源用配線パターンＰ２の形成工程についての説明は省略する。

初めに、図９（ａ）〜（ｃ）に示すように、例えばステンレス鋼からなる長尺状の支持基板１０上に、例えば感光性ポリイミド樹脂前駆体４１ｐを塗布する。支持基板１０の厚みは、例えば８μｍ以上１００μｍ以下である。

次に、図１０（ａ）〜（ｃ）に示すように、露光機において所定の階調を有するマスクを介して支持基板１０上の感光性ポリイミド樹脂前駆体４１ｐに紫外線を照射する。これにより、ポリイミドからなる第１の絶縁層４１が形成される。厚肉部４１Ｂの厚みは、例えば１μｍ以上２５μｍ以下である。薄肉部４１Ａの厚みは、厚肉部４１Ｂの厚みよりもわずかに小さい。

また、図１０（ａ）に示すように、接地層５０が形成されることになる第１の絶縁層４１の薄肉部４１Ａの部分に貫通孔Ｈ１３が形成される。それにより、支持基板１０の部分が貫通孔Ｈ１３を通して第１の絶縁層４１よりも上方の空間に露出する。さらに、図１０（ｃ）に示すように、図２の交差領域ＣＮ１を構成することになる第１の絶縁層４１の厚肉部４１Ｂの部分に間隔を隔てて並ぶ２つの貫通孔Ｈ１，Ｈ２が形成される。それにより、支持基板１０の上面の２つの部分が２つの貫通孔Ｈ１，Ｈ２を通して第１の絶縁層４１よりも上方の空間に露出する。

次に、図１１（ａ）〜（ｃ）に示すように、第１の絶縁層４１の薄肉部４１Ａ上に銅からなる接地層５０を形成する。また、接地層５０の形成と同時に、第１の絶縁層４１の厚肉部４１Ｂ上に銅からなる電源用配線パターンＰ１を形成する。このとき、図１１（ｂ）に示すように、接地層５０には、図３の複数の第２の開口部５９が形成される。接地層５０および電源用配線パターンＰ１の厚みは、例えば１μｍ以上２０μｍ以下である。さらに、図１１（ａ）に示すように、接地層５０の形成時には、貫通孔Ｈ１３の内部に銅が充填される。それにより、ビアＶ３が形成される。

次に、図１２（ａ）〜（ｃ）に示すように、接地層５０および電源用配線パターンＰ１を覆うように、第１の絶縁層４１上にポリイミドからなる第２の絶縁層４２を形成する。このとき、第２の絶縁層４２は、接地層５０に接触するように形成される。第２の絶縁層４２の厚みは、例えば１μｍ以上２５μｍ以下である。

また、図１２（ｃ）に示すように、第１の絶縁層４１の２つの貫通孔Ｈ１，Ｈ２にそれぞれ重なるように第２の絶縁層４２の部分に貫通孔Ｈ３，Ｈ４が形成される。貫通孔Ｈ１と貫通孔Ｈ３とが連なることにより貫通孔Ｈ１１となり、貫通孔Ｈ２と貫通孔Ｈ４とが連なることにより貫通孔Ｈ１２となる。

次に、図１３（ａ）〜（ｃ）に示すように、少なくとも一部が接地層５０に重なるように第２の絶縁層４２上に銅からなる書込用配線パターンＷ１，Ｗ２を形成する。本例では、図１３（ａ）に示すように、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２の線路ＬＡ４，ＬＡ５，ＬＢ３，ＬＢ４の一部が接地層５０上に位置する。また、図１３（ｂ）に示すように、線路ＬＡ４，ＬＡ５，ＬＢ３，ＬＢ４の他の部分が接地層５０に形成される複数の第２の開口部５９上に位置する。さらに、図１３（ｃ）に示すように、書込用配線パターンＷ１の線路ＬＡ３の他端部に接続部Ｇ１が位置し、書込用配線パターンＷ１の線路ＬＡ５の一端部に接続部Ｇ２が位置する。線路ＬＡ３，ＬＡ５の形成時には、２つの貫通孔Ｈ１１，Ｈ１２の内部に銅が充填される。それにより、ビアＶ１，Ｖ２が形成される。

書込用配線パターンＷ１，Ｗ２の厚みは、例えば１μｍ以上２０μｍ以下である。書込用配線パターンＷ１，Ｗ２を構成する各線路ＬＡ１〜ＬＡ５，ＬＢ１〜ＬＢ５の幅は、例えば６μｍ以上１００μｍ以下である。また、線路ＬＡ４，ＬＢ３，ＬＡ５，ＬＢ４のうち隣り合う各２つの線路の間隔は、例えば６μｍ以上１００μｍ以下である。各ビアＶ１，Ｖ２の外径は、例えば１５μｍ以上１５０μｍ以下である。

次に、図１４（ａ）〜（ｃ）に示すように、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２を覆うように、第２の絶縁層４２上にポリイミドからなる第３の絶縁層６０を形成する。第３の絶縁層６０は、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２を保護するために用いられる。第３の絶縁層６０の厚みは、例えば２μｍ以上２５μｍ以下である。

最後に、図１５（ａ）〜（ｃ）に示すように、支持基板１０の外縁を設計寸法に応じて加工するとともに、支持基板１０に複数の第１の開口部１９および環状開口部１８を形成する。複数の第１の開口部１９は、複数の第２の開口部５９をそれぞれ取り囲む。環状開口部１８は、ビアＶ１，Ｖ２に接する支持基板１０の部分を取り囲む。それにより、サスペンション基板１が完成する。

（５）効果
本実施の形態に係るサスペンション基板１においては、支持基板１０上に第１の絶縁層４１が形成される。第１の絶縁層４１の薄肉部４１Ａ上に接地層５０が形成され、第１の絶縁層４１の厚肉部４１Ｂ上に電源用配線パターンＰ１が形成される。また、接地層５０および電源用配線パターンＰ１を覆うように第１の絶縁層４１上に第２の絶縁層４２が形成される。さらに、少なくとも一部が接地層５０に重なるように第２の絶縁層４２上に書込用配線パターンＷ１，Ｗ２が形成される。この場合、電源用配線パターンＰ１および書込用配線パターンＷ１，Ｗ２の各々に電気信号を伝送させることができる。

上記の構成によれば、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２の少なくとも一部と支持基板１０との間に接地層５０が位置するので、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２から支持基板１０に向かって放射される電磁波の少なくとも一部は、接地層５０に入射し、支持基板１０に到達しない。また、上記の構成によれば、基板積層方向における接地層５０と書込用配線パターンＷ１，Ｗ２との間隔ｄ１が、電源用配線パターンＰ１と書込用配線パターンＷ１との間隔ｄ２よりも大きく設定される。この場合、接地層５０が第１の絶縁層４１の厚肉部４１Ｂ上に形成される場合に比べて接地層５０に発生する渦電流が小さくされる。これらの結果、高い周波数帯域において書込用配線パターンＷ１，Ｗ２を伝送する電気信号の損失が低減される。

上記の例では、ステンレス鋼からなる支持基板１０が用いられる。この場合、支持基板１０において、ステンレス鋼により書込用配線パターンＷ１，Ｗ２、読取用配線パターンＲ１，Ｒ２および電源用配線パターンＰ１，Ｐ２を支持するために必要とされる十分な剛性を確保することができる。また、ステンレス鋼の表面には不動態膜が形成される。それにより、腐食による支持基板１０の劣化が抑止される。

［２］第２の実施の形態
第２の実施の形態に係るサスペンション基板について、第１の実施の形態に係るサスペンション基板１とは異なる点を説明する。図１６、図１７および図１８は、第２の実施の形態に係るサスペンション基板の一部拡大平面図である。図１６、図１７および図１８は、それぞれ図３のＡ−Ａ線断面図、Ｂ−Ｂ線断面図およびＣ−Ｃ線断面図に相当する。

図１６および図１７に示すように、本実施の形態に係るサスペンション基板１においては、電源用配線パターンＰ１，Ｐ２が第１の絶縁層４１上に形成されない。また、図１６〜図１８に示すように、第１の絶縁層４１は、薄肉部４１Ａと厚肉部４１Ｂとを有さずに、均一な厚みに形成される。

第１の実施の形態と同様に、各書込用配線パターンＷ１，Ｗ２の特性インピーダンスの値が所望の値に近づくように、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２と支持基板１０および接地層５０とが重なる部分の面積が調整される。具体的には、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２に重なる複数の第１の開口部１９が支持基板１０に形成される。また、複数の第１の開口部１９にそれぞれ重なる複数の第２の開口部５９が接地層５０に形成される。サスペンション基板１を基板積層方向に沿って見た場合に、第１の開口部１９の内縁が第２の開口部５９の内縁を取り囲む。

この場合、図１７に示すように、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２に直交する方向においては、接地層５０の各第２の開口部５９の寸法ｄ４が対応する支持基板１０の第１の開口部１９の寸法ｄ３に比べて小さい。また、図１８に示すように、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２に平行な方向においては、接地層５０の各第２の開口部５９の寸法ｄ６が対応する支持基板１０の第１の開口部１９の寸法ｄ５に比べて小さい。

上記の構成によれば、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２の少なくとも一部と支持基板１０との間に接地層５０が位置するので、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２から支持基板１０に向かって放射される電磁波の少なくとも一部は、接地層５０に入射し、支持基板１０に到達しない。また、第１の開口部１９および第２の開口部５９の大きさおよび数を調整することにより、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２の特性インピーダンスの値を容易に調整することができる。

ここで、接地層５０の第２の開口部５９の寸法は、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２と支持基板１０との間に接地層５０の一部が存在するように設定される。そのため、支持基板１０および接地層５０に第１の開口部１９および第２の開口部５９をそれぞれ設けつつ、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２から支持基板１０に向かって放射される電磁波が支持基板１０に到達することを抑制することができる。これにより、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２の特性インピーダンスの値を所望の値に調整しつつ、高い周波数帯域において書込用配線パターンＷ１，Ｗ２を伝送する電気信号の損失を低減することができる。

なお、本実施の形態に係るサスペンション基板１の製造方法は、以下の点を除き、第１の実施の形態に係るサスペンション基板１の製造方法と同様である。図１０（ａ）〜（ｃ）の工程において、階調を有さないマスクを介して支持基板１０上の感光性ポリイミド樹脂前駆体４１ｐに紫外線が照射される。また、図１１（ａ）〜（ｃ）の工程において、電源用配線パターンＰ１，Ｐ２が第１の絶縁層４１上に形成されない。

［３］他の実施の形態
（１）上記実施の形態においては、支持基板１０の配線部１０Ｘを通して線路ＬＡ３と線路ＬＡ５とが電気的に接続されるが、本発明はこれに限定されない。図１９は、他の実施の形態に係るサスペンション基板のうち図７のＤ−Ｄ線に対応する部分の断面図である。

図１９に示すように、本実施の形態に係るサスペンション基板１は、接続部Ｇ１，Ｇ２に重なるように第１の絶縁層４１の厚肉部４１Ｂ上に配置された中継パターン５１をさらに備える。中継パターン５１は、図１の書込用配線パターンＷ１，Ｗ２等と同一の材料により書込用配線パターンＷ１，Ｗ２と同時に形成することができる。

接続部Ｇ１，Ｇ２の下方における第２の絶縁層４２の部分に貫通孔Ｈ１１，Ｈ１２がそれぞれ形成される。接続部Ｇ１は貫通孔Ｈ１１内において中継パターン５１に接触し、接続部Ｇ２は貫通孔Ｈ１２内において中継パターン５１に接触する。貫通孔Ｈ１１内の接続部Ｇ１の部分によりビアＶ１が形成され、貫通孔Ｈ１２内の接続部Ｇ２の部分によりビアＶ２が形成される。これにより、線路ＬＡ３，ＬＡ５が、ビアＶ１，Ｖ２、中継パターン５１を介して電気的に接続される。

図１９の構成においては、支持基板１０の一部を配線部１０Ｘとして用いる必要がない。そのため、支持基板１０に図８の環状開口部１８が形成されない。

（２）上記実施の形態においては、接地層５０がビアＶ３を介して支持基板１０に電気的に接続されるが、本発明はこれに限定されない。接地層５０がビアＶ３を介さずに支持基板１０に電気的に接続されてもよい。

（３）第１の実施の形態においては、電源用配線パターンＰ１，Ｐ２は低い周波数帯域を有する電気信号を伝送させるための低周波線路であるが、本発明はこれに限定されない。電源用配線パターンＰ１，Ｐ２を伝送する電気信号の損失がある程度許容される場合には、電源用配線パターンＰ１，Ｐ２に高い周波数帯域を有する電気信号を伝送させてもよい。すなわち、電源用配線パターンＰ１，Ｐ２を高周波線路として用いてもよい。

（４）第１の実施の形態においては、支持基板１０の第１の開口部１９の内縁が接地層５０の第２の開口部５９の内縁を取り囲むが、本発明はこれに限定されない。支持基板１０の第１の開口部１９の内縁が接地層５０の第２の開口部５９の内縁と重なっていてもよい。あるいは、接地層５０の第２の開口部５９の内縁が支持基板１０の第１の開口部１９の内縁を取り囲んでもよい。

（５）第１の実施の形態においては、第１の絶縁層４１が薄肉部４１Ａと厚肉部４１Ｂと有するが、本発明はこれに限定されない。第１の絶縁層４１が薄肉部４１Ａと厚肉部４１Ｂと有さずに、均一な厚みに形成されてもよい。この場合、接地層５０の厚みは、電源用配線パターンＰ１の厚みよりも小さく形成される。

［４］請求項の各構成要素と実施の形態の各部との対応関係
以下、請求項の各構成要素と実施の形態の各部との対応の例について説明するが、本発明は下記の例に限定されない。

上記実施の形態においては、支持基板１０が支持基板の例であり、第１の絶縁層４１が第１の絶縁層の例であり、第２の絶縁層４２が第２の絶縁層の例である。第３の絶縁層６０が第３の絶縁層の例であり、接地層５０が接地層の例であり、電源用配線パターンＰ１が下部配線の例であり、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２が上部配線パターンの例である。

サスペンション基板１が配線回路基板の例であり、薄肉部４１Ａが第１の部分の例であり、厚肉部４１Ｂが第２の部分の例であり、第１の開口部１９が第１の開口部の例である。第２の開口部５９が第２の開口部の例であり、ビアＶ１が第１のビアの例であり、ビアＶ２が第２のビアの例であり、ビアＶ３が第３のビアの例であり、支持部１０Ｙが支持部の例である。

配線部１０Ｘが配線部の例であり、書込用配線パターンＷ１が第１の信号線路の例であり、書込用配線パターンＷ２が第２の信号線路の例であり、線路ＬＡ４が第１の分岐線路の例である。線路ＬＡ５が第２の分岐線路の例であり、線路ＬＢ３が第３の分岐線路の例であり、線路ＬＢ４が第４の分岐線路の例であり、中継パターン５１が中継パターンの例である。

請求項の各構成要素として、請求項に記載されている構成または機能を有する他の種々の要素を用いることもできる。

［５］実施例
（１）第１の実施の形態についての実施例および比較例
第１の実施の形態についての実施例１，２および比較例１，２として、以下のサスペンション基板を想定する。図２０（ａ）は実施例１に係るサスペンション基板の平面図であり、図２０（ｂ）は図２０（ａ）のＪ１−Ｊ１線断面図である。

図２０（ａ）に示すように、実施例１に係るサスペンション基板では、一方向に延びる上部配線パターンＬ１０および下部配線パターンＬ２０が、一方向に直交する他方向に並ぶように形成されている。上部配線パターンＬ１０は、２つの線路Ｌ１１，Ｌ１２を含む。線路Ｌ１１，Ｌ１２により差動信号線路対が構成される。

図２０（ｂ）に示すように、ステンレス鋼からなる支持基板１０上にポリイミドからなる第１の絶縁層４１が形成される。第１の絶縁層４１の薄肉部４１Ａ上に銅からなる接地層５０が形成される。第１の絶縁層４１の厚肉部４１Ｂ上に銅からなる下部配線パターンＬ２０が形成される。接地層５０および下部配線パターンＬ２０を覆うように、第１の絶縁層４１上に、ポリイミドからなる第２の絶縁層４２が形成される。第２の絶縁層４２上に、銅からなる上部配線パターンＬ１０が形成される。上部配線パターンＬ１０を覆うように、第２の絶縁層４２上に、ポリイミドからなる第３の絶縁層６０が形成される。

図２０（ａ）では、図２０（ｂ）の第１の絶縁層４１、第２の絶縁層４２および第３の絶縁層６０の図示を省略している。また、図２０（ａ）では、上部配線パターンＬ１０を太い実線およびハッチングで示し、下部配線パターンＬ２０を太い一点鎖線およびハッチングで示し、接地層５０を実線およびドットパターンで示す。さらに、支持基板１０を二点鎖線で示す。

実施例１に係るサスペンション基板においては、線路Ｌ１１，Ｌ１２および下部配線パターンＬ２０の各々の長さは２０ｍｍである。線路Ｌ１１，Ｌ１２および下部配線パターンＬ２０の各々の幅ｄ１１および厚みｄ１２はそれぞれ８０μｍおよび８μｍである。線路Ｌ１１，Ｌ１２の間隔ｄ１３は２０μｍである。接地層５０の幅ｄ１４は３００μｍである。下部配線パターンＬ２０および接地層５０の各々の厚みｄ１５は４μｍである。

第１の絶縁層４１の薄肉部４１Ａの厚みｄ２０および厚肉部４１Ｂの厚みｄ２１は、それぞれ２μｍおよび８μｍである。第２の絶縁層４２の厚みｄ２２および第３の絶縁層６０の厚みｄ２３は、それぞれ８μｍおよび１２μｍである。基板積層方向において、接地層５０と線路Ｌ１１，Ｌ１２との間隔ｄ１は１０μｍであり、下部配線パターンＬ２０と線路Ｌ１１，Ｌ１２との間隔ｄ２は４μｍである。なお、実施例１に係るサスペンション基板においては、後述する開口率は０％に設定される。

図２１は実施例２に係るサスペンション基板の平面図である。図２２（ａ）は図２１のＪ２−Ｊ２線断面図であり、図２２（ｂ）は図２１のＪ３−Ｊ３線断面図である。図２１では、図２０（ａ）の例と同様に、サスペンション基板の複数の構成要素のうち一部の構成要素を互いに異なる態様で示すとともに、他の構成要素の図示を省略している。実施例２に係るサスペンション基板は、以下の点を除いて実施例１に係るサスペンション基板と同じ構成を有する。

図２１および図２２（ａ），（ｂ）に示すように、実施例２に係るサスペンション基板においては、上部配線パターンＬ１０に重なる支持基板１０の部分に、一方向に並ぶように間欠的に複数の第１の開口部１９が形成される。また、接地層５０に複数の第１の開口部１９に重なる複数の第２の開口部５９がそれぞれ形成される。

ここで、複数の第１の開口部１９と上部配線パターンＬ１０とが重なる部分の面積の合計を開口面積とした場合に、第２の絶縁層４２上で上部配線パターンＬ１０が形成される部分の面積（第２の絶縁層４２と上部配線パターンＬ１０との接触部の面積）に対する開口面積の割合を開口率と呼ぶ。実施例２に係るサスペンション基板においては、開口率は５０％に設定される。

図２３（ａ）は比較例１に係るサスペンション基板の平面図であり、図２３（ｂ）は図２３（ａ）のＪ４−Ｊ４線断面図である。図２３（ａ）では、図２０（ａ）の例と同様に、サスペンション基板の複数の構成要素のうち一部の構成要素を互いに異なる態様で示すとともに、他の構成要素の図示を省略している。比較例１に係るサスペンション基板は、以下の点を除いて実施例１に係るサスペンション基板と同じ構成を有する。

図２３（ａ），（ｂ）に示すように、比較例１に係るサスペンション基板においては、第１の絶縁層４１が、薄肉部４１Ａと厚肉部４１Ｂとを有さずに、均一な厚みに形成される。第１の絶縁層４１の厚みｄ２１は８μｍである。また、接地層５０の厚みｄ１５は、下部配線パターンＬ２０の厚みと等しく、４μｍである。そのため、基板積層方向における接地層５０と線路Ｌ１１，Ｌ１２との間隔ｄ１は、基板積層方向における下部配線パターンＬ２０と線路Ｌ１１，Ｌ１２との間隔ｄ２と等しく、４μｍである。なお、比較例１に係るサスペンション基板においては、開口率は０％に設定される。

図２４（ａ）は比較例２に係るサスペンション基板の平面図であり、図２４（ｂ）は図２４（ａ）のＪ５−Ｊ５線断面図であり、図２４（ｃ）は図２４（ａ）のＪ６−Ｊ６線断面図である。図２４（ａ）では、図２０（ａ）の例と同様に、サスペンション基板の複数の構成要素のうち一部の構成要素を互いに異なる態様で示すとともに、他の構成要素の図示を省略している。比較例２に係るサスペンション基板は、以下の点を除いて比較例１に係るサスペンション基板と同じ構成を有する。

図２４（ａ）〜（ｃ）に示すように、比較例２に係るサスペンション基板においては、実施例２に係るサスペンション基板と同様に、上部配線パターンＬ１０に重なる支持基板１０の部分に、一方向に並ぶように間欠的に複数の第１の開口部１９が形成される。また、上部配線パターンＬ１０に重なる接地層５０の部分に、複数の第１の開口部１９にそれぞれ重なるように複数の第２の開口部５９が形成される。比較例２に係るサスペンション基板においては、開口率は５０％に設定される。

実施例１，２および比較例１，２に係るサスペンション基板の各部の寸法が下記表１に示される。

実施例１，２および比較例１，２に係るサスペンション基板の上部配線パターンＬ１０を電気信号が伝送するときの透過特性を表すＳパラメータＳｄｄ２１をシミュレーションにより求めた。ＳパラメータＳｄｄ２１は、差動モード入力および差動モード出力での減衰量を示す。

図２５は、実施例１，２および比較例１，２に係るサスペンション基板についてのシミュレーション結果を示す図である。図２５においては、縦軸はＳパラメータＳｄｄ２１［ｄＢ］を表し、横軸は電気信号の周波数［ＧＨｚ］を表す。また、図２５においては、実施例１，２についてのシミュレーション結果をそれぞれ太い実線および太い点線で示す。比較例１，２についてのシミュレーション結果をそれぞれ一点鎖線および二点鎖線で示す。

なお、図２５においては、縦軸に示される負の利得は損失を示す。そのため、ＳパラメータＳｄｄ２１の値が低いほど減衰量が大きいことを示し、ＳパラメータＳｄｄ２１の値が０に近いほど減衰量が小さいことを示す。

図２５のシミュレーション結果によれば、０〜２０ＧＨｚの周波数帯域において、実施例１に係るサスペンション基板を伝送する電気信号の減衰量は、比較例１，２に係るサスペンション基板を伝送する電気信号の減衰量よりも小さい。これにより、基板積層方向において、接地層５０と線路Ｌ１１，Ｌ１２との間隔ｄ１を下部配線パターンＬ２０と線路Ｌ１１，Ｌ１２との間隔ｄ２よりも大きくすることにより、広い周波数帯域に渡って電気信号の減衰量を低減することが可能であることがわかった。

また、図２５のシミュレーション結果によれば、０〜２０ＧＨｚの周波数帯域において、実施例２に係るサスペンション基板を伝送する電気信号の減衰量は、実施例１に係るサスペンション基板を伝送する電気信号の減衰量よりもさらに小さい。それにより、開口率を大きく設定することにより、広い周波数帯域に渡って電気信号の減衰量をより低減することが可能であることがわかった。

（２）第２の実施の形態についての実施例および比較例
第２の実施の形態についての実施例３および比較例３，４として、以下のサスペンション基板を想定する。図２６は、実施例３に係るサスペンション基板の断面図である。図２６の断面図は、図１７のＢ−Ｂ線断面図に対応する。後述する図２７および図２８においても同様である。

図２６に示すように、実施例３に係るサスペンション基板では、ステンレス鋼からなる支持基板１０上にポリイミドからなる第１の絶縁層４１が形成される。第１の絶縁層４１は、均一な厚みを有する。第１の絶縁層４１上に銅からなる接地層５０が形成される。接地層５０を覆うように第１の絶縁層４１上にポリイミドからなる第２の絶縁層４２が形成される。

第２の絶縁層４２上に、銅からなる上部配線パターンＬ１０が形成される。上部配線パターンＬ１０は、差動信号線路対を構成する２つの線路Ｌ１１，Ｌ１２を含む。上部配線パターンＬ１０を覆うように、第２の絶縁層４２上に、ポリイミドからなる第３の絶縁層６０が形成される。上部配線パターンＬ１０に重なる第１の開口部１９が支持基板１０に形成される。また、第１の開口部１９に重なる第２の開口部５９が接地層５０に形成される。

上部配線パターンＬ１０に直交する方向においては、接地層５０の第２の開口部５９の寸法ｄ４は、支持基板１０の第１の開口部１９の寸法ｄ３に比べて小さい。同様に、上部配線パターンＬ１０に平行な方向においては、接地層５０の第２の開口部５９の寸法ｄ６（図１８）は、支持基板１０の第１の開口部１９の寸法ｄ５（図１８）に比べて小さい。

図２７は、比較例３に係るサスペンション基板の断面図である。比較例３に係るサスペンション基板は、以下の点を除いて実施例３に係るサスペンション基板と同じ構成を有する。図２７に示すように、比較例３に係るサスペンション基板では、上部配線パターンＬ１０に直交する方向においては、接地層５０の第２の開口部５９の寸法ｄ４は、支持基板１０の第１の開口部１９の寸法ｄ３と等しい。同様に、上部配線パターンＬ１０に平行な方向においては、接地層５０の第２の開口部５９の寸法ｄ６（図１８）は、支持基板１０の第１の開口部１９の寸法ｄ５（図１８）と等しい。

図２８は、比較例４に係るサスペンション基板の断面図である。比較例４に係るサスペンション基板は、以下の点を除いて実施例３に係るサスペンション基板と同じ構成を有する。図２８に示すように、比較例４に係るサスペンション基板では、上部配線パターンＬ１０に直交する方向においては、接地層５０の第２の開口部５９の寸法ｄ４は、支持基板１０の第１の開口部１９の寸法ｄ３に比べて大きい。同様に、上部配線パターンＬ１０に平行な方向においては、接地層５０の第２の開口部５９の寸法ｄ６（図１８）は、支持基板１０の第１の開口部１９の寸法ｄ５（図１８）に比べて大きい。

実施例３および比較例３，４に係るサスペンション基板の上部配線パターンＬ１０を電気信号が伝送するときの透過特性を表すＳパラメータＳｄｄ２１をシミュレーションにより求めた。図２９は、実施例３および比較例３，４に係るサスペンション基板についてのシミュレーション結果を示す図である。図２９においては、縦軸はＳパラメータＳｄｄ２１［ｄＢ］を表し、横軸は電気信号の周波数［ＧＨｚ］を表す。また、図２９においては、実施例３、比較例３および比較例４についてのシミュレーション結果をそれぞれ実線、一点鎖線および二点鎖線で示す。

図２９のシミュレーション結果によれば、０〜１０ＧＨｚの周波数帯域において、実施例３に係るサスペンション基板を伝送する電気信号の減衰量は、比較例３に係るサスペンション基板を伝送する電気信号の減衰量よりも小さい。また、比較例３に係るサスペンション基板を伝送する電気信号の減衰量は、比較例４に係るサスペンション基板を伝送する電気信号の減衰量よりも小さい。これにより、接地層５０の第２の開口部５９の寸法ｄ４，ｄ６を支持基板１０の第１の開口部１９の寸法ｄ３，ｄ５に比べてそれぞれ小さくすることにより、広い周波数帯域に渡って電気信号の減衰量を低減することが可能であることがわかった。

本発明は種々の配線回路基板に有効に利用することができる。

１ サスペンション基板
１０ 支持基板
１０Ｘ 配線部
１０Ｙ 支持部
１１ 開口部
１２ タング部
１８ 環状開口部
１９，５９ 開口部
２１〜２６ 接続端子
３１〜３６ 接続端子
４１，４２，６０ 絶縁層
４１Ａ 薄肉部
４１Ｂ 厚肉部
４１ｐ 感光性ポリイミド樹脂前駆体
５０ 接地層
５１ 中継パターン
９０ 支持プレート
９１ 前端領域
９２ 後端領域
９３ 中央領域
９４ 圧電素子実装領域
９４ｈ 貫通孔
９５，９６ 圧電素子
ＣＮ１，ＣＮ２ 交差領域
ｄ１，ｄ２，ｄ１３ 間隔
ｄ３〜ｄ６ 寸法
ｄ１１，ｄ１４ 幅
ｄ１２，ｄ１５，ｄ２０〜ｄ２３ 厚み
Ｇ１，Ｇ２ 接続部
Ｈ 孔部
Ｈ１〜Ｈ４，Ｈ１１〜Ｈ１３ 貫通孔
Ｌ１０ 上部配線パターン
Ｌ１１，Ｌ１２，ＬＡ１〜ＬＡ５，ＬＢ１〜ＬＢ５ 線路
Ｌ２０ 下部配線パターン
Ｐ１，Ｐ２ 電源用配線パターン
Ｒ１，Ｒ２ 読取用配線パターン
Ｖ１〜Ｖ３ ビア
Ｗ１，Ｗ２ 書込用配線パターン

Claims (13)

1. 導電性材料により形成される支持基板と、
   前記支持基板上に形成される第１の絶縁層と、
   前記支持基板に電気的に接続されるように前記第１の絶縁層上に形成され、前記支持基板よりも高い電気伝導率を有する接地層と、
   前記第１の絶縁層上に形成される下部配線パターンと、
   前記接地層および前記下部配線パターンを覆うように前記第１の絶縁層上に形成される第２の絶縁層と、
   前記接地層に重なるように前記第２の絶縁層上に形成される上部配線パターンとを備え、
   前記支持基板、前記第１の絶縁層および前記第２の絶縁層の積層方向において、前記接地層と前記上部配線パターンとの間隔は、前記下部配線パターンと前記上部配線パターンとの間隔よりも大きい、配線回路基板。
2. 前記第１の絶縁層は、第１の厚みを有する第１の部分と前記第１の厚みよりも大きい第２の厚みを有する第２の部分とを含み、
   前記接地層は、前記第１の絶縁層の前記第１の部分上に形成され、
   前記下部配線パターンは、前記第１の絶縁層の前記第２の部分上に形成される、請求項１記載の配線回路基板。
3. 前記支持基板には、第１の開口部が形成され、
   前記接地層には、前記支持基板の前記第１の開口部に重なる第２の開口部が形成され、
   前記上部配線パターンの少なくとも一部は、前記接地層の前記第２の開口部に重なる、請求項１または２記載の配線回路基板。
4. 前記接地層の前記第２の開口部の寸法は、前記上部配線パターンと前記支持基板との間に前記接地層の一部が存在するように設定される、請求項３記載の配線回路基板。
5. 導電性材料により形成される支持基板と、
   前記支持基板上に形成される第１の絶縁層と、
   前記支持基板に電気的に接続されるように前記第１の絶縁層上に形成され、前記支持基板よりも高い電気伝導率を有する接地層と、
   前記接地層を覆うように前記第１の絶縁層上に形成される第２の絶縁層と、
   前記接地層に重なるように前記第２の絶縁層上に形成される上部配線パターンとを備え、
   前記支持基板には、第１の開口部が形成され、
   前記接地層には、前記支持基板の前記第１の開口部に重なる第２の開口部が形成され、
   前記上部配線パターンの少なくとも一部は、前記接地層の前記第２の開口部に重なり、
   前記接地層の前記第２の開口部の寸法は、前記上部配線パターンと前記支持基板との間に前記接地層の一部が存在するように設定される、配線回路基板。
6. 前記上部配線パターンは第１の方向に延び、
   前記第２の開口部は、前記第１の方向に並ぶように前記接地層に間欠的に複数形成される、請求項３〜５のいずれか一項に記載の配線回路基板。
7. 前記第１および第２の絶縁層を貫通する第１および第２のビアをさらに備え、
   前記支持基板は、前記接地層に電気的に接続された支持部と、前記支持部から電気的に絶縁された配線部とを含み、
   前記上部配線パターンは、信号線路対を構成する第１および第２の信号線路を含み、
   前記第１の信号線路は、第１および第２の分岐線路を含み、
   前記第２の信号線路は、互いに電気的に接続された第３および第４の分岐線路を含み、
   前記第１の信号線路の前記第１および第２の分岐線路と前記第２の信号線路の前記第３および第４の分岐線路とは、交互に並ぶように配置され、
   前記第１のビアは、前記第１の信号線路の前記第１の分岐線路と前記支持基板の前記配線部とを電気的に接続し、
   前記第２のビアは、前記第１の信号線路の前記第２の分岐線路と前記支持基板の前記配線部とを電気的に接続する、請求項１〜６のいずれか一項に記載の配線回路基板。
8. 前記第１の絶縁層上に形成される中継パターンと、
   前記第２の絶縁層を貫通する第１および第２のビアをさらに備え、
   前記上部配線パターンは、信号線路対を構成する第１および第２の信号線路を含み、
   前記第１の信号線路は、第１および第２の分岐線路を含み、
   前記第２の信号線路は、互いに電気的に接続された第３および第４の分岐線路を含み、
   前記第１の信号線路の前記第１および第２の分岐線路と前記第２の信号線路の前記第３および第４の分岐線路とは、交互に並ぶように配置され、
   前記第１のビアは、前記第１の信号線路の前記第１の分岐線路と前記中継パターンとを電気的に接続し、
   前記第２のビアは、前記第１の信号線路の前記第２の分岐線路と前記中継パターンとを電気的に接続する、請求項１〜６のいずれか一項に記載の配線回路基板。
9. 前記第１の絶縁層を貫通して前記接地層と前記支持基板とを電気的に接続する第３のビアをさらに備える、請求項１〜８のいずれか一項に記載の配線回路基板。
10. 前記支持基板はステンレスを含み、前記接地層は銅を含む、請求項１〜９のいずれか一項に記載の配線回路基板。
11. 前記上部配線パターンを覆うように前記第２の絶縁層上に形成される第３の絶縁層をさらに備える、請求項１〜１０のいずれか一項に記載の配線回路基板。
12. 導電性材料により形成される支持基板上に積層された第１の絶縁層を準備するステップと、
    前記支持基板に電気的に接続されるように前記第１の絶縁層上に前記支持基板よりも高い電気伝導率を有する接地層を形成し、前記第１の絶縁層上に下部配線パターンを形成するステップと、
    前記接地層および前記下部配線パターンを覆うように前記第１の絶縁層上に第２の絶縁層を形成するステップと、
    前記接地層に重なるように前記第２の絶縁層上に上部配線パターンを形成するステップとを含み、
    前記接地層および前記下部配線パターンを形成するステップは、前記支持基板、前記第１の絶縁層および前記第２の絶縁層の積層方向において、前記接地層と前記上部配線パターンとの間隔が前記下部配線パターンと前記上部配線パターンとの間隔よりも大きくなるように前記接地層および前記下部配線パターンを形成することを含む、配線回路基板の製造方法。
13. 導電性材料により形成される支持基板上に積層された第１の絶縁層を準備するステップと、
    前記支持基板に電気的に接続されるように前記第１の絶縁層上に前記支持基板よりも高い電気伝導率を有する接地層を形成するステップと、
    前記接地層を覆うように前記第１の絶縁層上に第２の絶縁層を形成するステップと、
    前記接地層に重なるように前記第２の絶縁層上に上部配線パターンを形成するステップと、
    前記支持基板に第１の開口部を形成するステップと、
    前記接地層に前記支持基板の前記第１の開口部に重なる第２の開口部を形成するステップとを含み、
    前記上部配線パターンを形成するステップは、前記上部配線パターンの少なくとも一部が前記接地層の前記第２の開口部に重なるように前記上部配線パターンを形成することを含み、
    前記第２の開口部を形成するステップは、前記上部配線パターンと前記支持基板との間に前記接地層の一部が存在するように前記第２の開口部の寸法を設定することを含む、配線回路基板。

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