JP2017034251A5 - 半導体装置及び表示装置 - Google Patents

Claims (6)

1. トランジスタを有する半導体装置であって、
   前記トランジスタは、
   第１の絶縁膜上の酸化物半導体膜と、
   前記酸化物半導体膜上の第２の絶縁膜と、
   前記第２の絶縁膜上のゲート電極と、
   前記第２の絶縁膜の側面に接する金属酸化膜と、
   前記酸化物半導体膜、前記ゲート電極、及び前記金属酸化膜上の第３の絶縁膜と、を有し、
   前記酸化物半導体膜は、
   前記ゲート電極と重なるチャネル領域と、
   前記第３の絶縁膜と接するソース領域と、
   前記第３の絶縁膜と接するドレイン領域と、を有し、
   前記ソース領域及び前記ドレイン領域は、
   水素、ホウ素、炭素、窒素、フッ素、リン、硫黄、塩素、チタン、または希ガスの１以上を有し、
   前記金属酸化膜は、
   前記ゲート電極の側面と接する領域を有する、半導体装置。
2. トランジスタを有する半導体装置であって、
   前記トランジスタは、
   導電膜と、
   前記導電膜上の第１の絶縁膜と、
   前記第１の絶縁膜上の酸化物半導体膜と、
   前記酸化物半導体膜上の第２の絶縁膜と、
   前記第２の絶縁膜上のゲート電極と、
   前記第２の絶縁膜の側面に接する金属酸化膜と、
   前記酸化物半導体膜、前記ゲート電極、及び前記金属酸化膜上の第３の絶縁膜と、を有し、
   前記酸化物半導体膜は、
   前記ゲート電極と重なるチャネル領域と、
   前記第３の絶縁膜と接するソース領域と、
   前記第３の絶縁膜と接するドレイン領域と、を有し、
   前記ソース領域及び前記ドレイン領域は、
   水素、ホウ素、炭素、窒素、フッ素、リン、硫黄、塩素、チタン、または希ガスの１以上を有し、
   前記金属酸化膜は、
   前記ゲート電極の側面と接する領域を有する、半導体装置。
3. 請求項１又は請求項２において、
   前記金属酸化膜は、
   Ａｌ、Ｔａ、Ｙ、またはＨｆの１以上を有する、半導体装置。
4. 請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
   前記酸化物半導体膜は、
   Ｉｎと、Ｚｎと、Ｍ（ＭはＡｌ、Ｇａ、Ｙ、またはＳｎ）と、を有する、半導体装置。
5. 請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
   前記酸化物半導体膜は、
   結晶部を有し、前記結晶部は、ｃ軸配向性を有する、半導体装置。
6. 請求項１乃至請求項５に記載のいずれか一つの半導体装置と、
   表示素子と、
   を有する表示装置。