JP2017002316A5 - - Google Patents
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- 239000011342 resin composition Substances 0.000 claims 20
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 claims 20
- 230000003287 optical Effects 0.000 claims 15
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims 15
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 claims 12
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 claims 12
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 9
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims 8
- 239000011256 inorganic filler Substances 0.000 claims 5
- 229910003475 inorganic filler Inorganic materials 0.000 claims 5
- 238000004898 kneading Methods 0.000 claims 5
- 238000000465 moulding Methods 0.000 claims 5
- 239000012463 white pigment Substances 0.000 claims 5
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Chemical compound [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 4
- 238000000034 method Methods 0.000 claims 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 4
- 150000008065 acid anhydrides Chemical class 0.000 claims 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims 3
- 238000001721 transfer moulding Methods 0.000 claims 3
- OUPZKGBUJRBPGC-UHFFFAOYSA-N 1,3,5-tris(oxiran-2-ylmethyl)-1,3,5-triazinane-2,4,6-trione Chemical compound O=C1N(CC2OC2)C(=O)N(CC2OC2)C(=O)N1CC1CO1 OUPZKGBUJRBPGC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N AI2O3 Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- PXKLMJQFEQBVLD-UHFFFAOYSA-N Bis(4-hydroxyphenyl)methane Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1CC1=CC=C(O)C=C1 PXKLMJQFEQBVLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N Bisphenol A Chemical compound C=1C=C(O)C=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(O)C=C1 IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- VPWNQTHUCYMVMZ-UHFFFAOYSA-N Bisphenol S Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1S(=O)(=O)C1=CC=C(O)C=C1 VPWNQTHUCYMVMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- ZFSLODLOARCGLH-UHFFFAOYSA-N Cyanuric acid Chemical compound OC1=NC(O)=NC(O)=N1 ZFSLODLOARCGLH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N TiO Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N ZrO2 Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 229910000410 antimony oxide Inorganic materials 0.000 claims 2
- 125000003700 epoxy group Chemical class 0.000 claims 2
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 claims 2
- VTRUBDSFZJNXHI-UHFFFAOYSA-N oxoantimony Chemical compound [Sb]=O VTRUBDSFZJNXHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 230000002093 peripheral Effects 0.000 claims 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 229910001929 titanium oxide Inorganic materials 0.000 claims 2
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 claims 2
- UHMARZNHEMRXQH-UHFFFAOYSA-N 3a,4,5,7a-tetrahydro-2-benzofuran-1,3-dione Chemical compound C1=CCCC2C(=O)OC(=O)C21 UHMARZNHEMRXQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- UVYLEXYRTBDZNM-UHFFFAOYSA-N 4,4-diethyloxane-2,6-dione Chemical compound CCC1(CC)CC(=O)OC(=O)C1 UVYLEXYRTBDZNM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- HIJQFTSZBHDYKW-UHFFFAOYSA-N 4,4-dimethyloxane-2,6-dione Chemical compound CC1(C)CC(=O)OC(=O)C1 HIJQFTSZBHDYKW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- CSHJJWDAZSZQBT-UHFFFAOYSA-N 7a-methyl-4,5-dihydro-3aH-2-benzofuran-1,3-dione Chemical compound C1=CCCC2C(=O)OC(=O)C21C CSHJJWDAZSZQBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- KNDQHSIWLOJIGP-UHFFFAOYSA-N 826-62-0 Chemical compound C1C2C3C(=O)OC(=O)C3C1C=C2 KNDQHSIWLOJIGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- FPYJFEHAWHCUMM-UHFFFAOYSA-N Maleic anhydride Chemical compound O=C1OC(=O)C=C1 FPYJFEHAWHCUMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- LGRFSURHDFAFJT-UHFFFAOYSA-N Phthalic anhydride Chemical group C1=CC=C2C(=O)OC(=O)C2=C1 LGRFSURHDFAFJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- RINCXYDBBGOEEQ-UHFFFAOYSA-N Succinic anhydride Chemical compound O=C1CCC(=O)O1 RINCXYDBBGOEEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims 1
- 230000032683 aging Effects 0.000 claims 1
- ANSXAPJVJOKRDJ-UHFFFAOYSA-N furo[3,4-f][2]benzofuran-1,3,5,7-tetrone Chemical compound C1=C2C(=O)OC(=O)C2=CC2=C1C(=O)OC2=O ANSXAPJVJOKRDJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- MUTGBJKUEZFXGO-UHFFFAOYSA-N hexahydrophthalic anhydride Chemical compound C1CCCC2C(=O)OC(=O)C21 MUTGBJKUEZFXGO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000000463 material Substances 0.000 claims 1
- -1 methyl nadic anhydride Chemical compound 0.000 claims 1
- VYKXQOYUCMREIS-UHFFFAOYSA-N methylhexahydrophthalic anhydride Chemical compound C1CCCC2C(=O)OC(=O)C21C VYKXQOYUCMREIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims 1
- VANNPISTIUFMLH-UHFFFAOYSA-N oxane-2,6-dione Chemical compound O=C1CCCC(=O)O1 VANNPISTIUFMLH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 claims 1
- 229940014800 succinic anhydride Drugs 0.000 claims 1
- SRPWOOOHEPICQU-UHFFFAOYSA-N trimellitic anhydride Chemical compound OC(=O)C1=CC=C2C(=O)OC(=O)C2=C1 SRPWOOOHEPICQU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
Claims (20)
- 光半導体素子搭載領域となる凹部が1つ以上形成されている光半導体素子搭載用基板の、少なくとも前記凹部の内周側面を形成するために用いられる熱硬化性光反射用樹脂組成物であって、
(A’)エポキシ樹脂と(B’)硬化剤とのオリゴマー、無機充填剤、及び白色顔料を含み、
前記(A’)エポキシ樹脂は、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、ビスフェノールS型エポキシ樹脂、ジグリシジルイソシアヌレート、及びトリグリシジルイソシアヌレートからなる群の中から選ばれる少なくとも1種を含み、
前記(B’)硬化剤は、酸無水物硬化剤を含む、
熱硬化性光反射用樹脂組成物。 - 前記無機充填剤は、シリカを含む、請求項1に記載の熱硬化性光反射用樹脂組成物。
- 前記白色顔料は、アルミナ、酸化マグネシウム、酸化アンチモン、酸化チタン、酸化ジルコニウム、及び無機中空粒子からなる群の中から選ばれる少なくとも1種を含む、請求項1又は2に記載の熱硬化性光反射用樹脂組成物。
- 前記酸無水物は、無水フタル酸、無水マレイン酸、無水トリメリット酸、無水ピロメリット酸、ヘキサヒドロ無水フタル酸、テトラヒドロ無水フタル酸、無水メチルナジック酸、無水ナジック酸、無水グルタル酸、無水ジメチルグルタル酸、無水ジエチルグルタル酸、無水コハク酸、メチルヘキサヒドロ無水フタル酸、及びメチルテトラヒドロ無水フタル酸からなる群の中から選ばれる少なくとも1種を含む、請求項1〜3のいずれか一項に記載の熱硬化性光反射用樹脂組成物。
- 前記無機充填剤と前記白色顔料との合計配合量が、樹脂組成物全体に対して、10体積%〜85体積%の範囲である、請求項1〜4のいずれか一項に記載の熱硬化性光反射用樹脂組成物。
- 前記(A’)エポキシ樹脂と前記(B’)硬化剤との配合比が、前記(A’)エポキシ樹脂中のエポキシ基1当量に対して、該エポキシ基と反応可能な前記(B’)硬化剤中の活性基が0.3当量以下となる比である、請求項1〜5のいずれか一項に記載の熱硬化性光反射用樹脂組成物。
- 前記オリゴマーの100〜150℃における粘度が100〜2500mPa・sの範囲である、請求項1〜6のいずれか1項に記載の熱硬化性光反射用樹脂組成物。
- 室温において加圧成形可能である、請求項1〜7のいずれか1項に記載の熱硬化性光反射用樹脂組成物。
- 成形温度100℃〜200℃、成形圧力20MPa以下、及び成形時間60〜120秒の条件でトランスファー成形した時に生じるバリ長さが5mm以下である、請求項1〜8のいずれか1項に記載の熱硬化性光反射用樹脂組成物。
- 光半導体素子搭載領域となる凹部が1つ以上形成されている光半導体素子搭載用基板であって、少なくとも前記凹部の内周側面が請求項1〜9のいずれか一項に記載の熱硬化性光反射用樹脂組成物から構成される、光半導体素子搭載用基板。
- 光半導体素子搭載領域となる凹部が1つ以上形成されている光半導体素子搭載用基板の製造方法であって、少なくとも前記凹部を請求項1〜9のいずれか一項に記載の熱硬化性光反射用樹脂組成物を用いたトランスファー成形によって形成する工程を含む、光半導体搭載用基板の製造方法。
- 前記トランスファー成形が、金型に注入した前記熱硬化性光反射用樹脂組成物を、金型温度170〜200℃、成形圧力0.5MPa〜20MPaで60〜120秒の条件で硬化させる工程を含む、請求項11に記載の光半導体搭載用基板の製造方法。
- 前記トランスファー成形が、アフターキュア温度120℃〜180℃で1〜3時間の条件で熱硬化させる工程を含む、請求項11又は12に記載の光半導体搭載用基板の製造方法。
- 請求項10に記載の光半導体素子搭載用基板と、前記光半導体素子搭載用基板の凹部底面に搭載された光半導体素子と、前記光半導体素子を覆うように前記凹部内に形成された蛍光体含有透明封止樹脂層と、を少なくとも備える光半導体装置。
- (A’)エポキシ樹脂及び(B’)硬化剤とのオリゴマーを調製する工程、及び、
前記オリゴマー、無機充填剤、及び白色顔料を混練する工程、
を備える、熱硬化性光反射性樹脂組成物の製造方法であって、
前記(A’)エポキシ樹脂は、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、ビスフェノールS型エポキシ樹脂、ジグリシジルイソシアヌレート、及びトリグリシジルイソシアヌレーからなる群の中から選ばれる少なくとも1種を含み、
前記(B’)硬化剤は、酸無水物硬化剤を含む、
熱硬化性光反射性樹脂組成物の製造方法。 - 前記無機充填剤は、シリカを含む、請求項15に記載の熱硬化性光反射用樹脂組成物の製造方法。
- 前記白色顔料は、アルミナ、酸化マグネシウム、酸化アンチモン、酸化チタン、酸化ジルコニウム、及び無機中空粒子からなる群の中から選ばれる少なくとも1種を含む、請求項15又は16に記載の熱硬化性光反射用樹脂組成物の製造方法。
- 前記オリゴマーの粒径が1mm以下である、請求項15〜17のいずれか一項に記載の熱硬化性光反射性樹脂組成物の製造方法。
- 前記混錬する工程を、混練温度15〜100℃、及び混練時間5〜40分の条件で行う、請求項15〜18のいずれか一項に記載の熱硬化性光反射用樹脂組成物の製造方法。
- さらに、前記混練する工程により得た混錬物を、0〜30℃で1〜72時間にわたってエージングする工程を備える、請求項15〜19のいずれか一項に記載の熱硬化性光反射用樹脂組成物の製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006309052 | 2006-11-15 | ||
JP2006309052 | 2006-11-15 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014103155A Division JP2014195106A (ja) | 2006-11-15 | 2014-05-19 | Led装置の製造方法およびled装置 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017002316A JP2017002316A (ja) | 2017-01-05 |
JP2017002316A5 true JP2017002316A5 (ja) | 2017-02-09 |
JP6322237B2 JP6322237B2 (ja) | 2018-05-09 |
Family
ID=39604652
Family Applications (8)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007114227A Withdrawn JP2008144127A (ja) | 2006-11-15 | 2007-04-24 | 熱硬化性光反射用樹脂組成物、ならびにこれを用いた光半導体素子搭載用基板、光半導体装置およびこれらの製造方法 |
JP2012060714A Active JP5778605B2 (ja) | 2006-11-15 | 2012-03-16 | 熱硬化性光反射用樹脂組成物、ならびにこれを用いた光半導体素子搭載用基板、光半導体装置およびこれらの製造方法 |
JP2014103155A Pending JP2014195106A (ja) | 2006-11-15 | 2014-05-19 | Led装置の製造方法およびled装置 |
JP2016156301A Active JP6322237B2 (ja) | 2006-11-15 | 2016-08-09 | 熱硬化性光反射用樹脂組成物およびその製造方法 |
JP2016156302A Active JP6306652B2 (ja) | 2006-11-15 | 2016-08-09 | 熱硬化性光反射用樹脂組成物およびその製造方法 |
JP2016156303A Pending JP2017005260A (ja) | 2006-11-15 | 2016-08-09 | 熱硬化性光反射用樹脂組成物およびその製造方法 |
JP2017165729A Withdrawn JP2017214599A (ja) | 2006-11-15 | 2017-08-30 | 熱硬化性光反射用樹脂組成物およびその製造方法 |
JP2019165447A Pending JP2020023699A (ja) | 2006-11-15 | 2019-09-11 | 熱硬化性光反射用樹脂組成物およびその製造方法 |
Family Applications Before (3)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007114227A Withdrawn JP2008144127A (ja) | 2006-11-15 | 2007-04-24 | 熱硬化性光反射用樹脂組成物、ならびにこれを用いた光半導体素子搭載用基板、光半導体装置およびこれらの製造方法 |
JP2012060714A Active JP5778605B2 (ja) | 2006-11-15 | 2012-03-16 | 熱硬化性光反射用樹脂組成物、ならびにこれを用いた光半導体素子搭載用基板、光半導体装置およびこれらの製造方法 |
JP2014103155A Pending JP2014195106A (ja) | 2006-11-15 | 2014-05-19 | Led装置の製造方法およびled装置 |
Family Applications After (4)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016156302A Active JP6306652B2 (ja) | 2006-11-15 | 2016-08-09 | 熱硬化性光反射用樹脂組成物およびその製造方法 |
JP2016156303A Pending JP2017005260A (ja) | 2006-11-15 | 2016-08-09 | 熱硬化性光反射用樹脂組成物およびその製造方法 |
JP2017165729A Withdrawn JP2017214599A (ja) | 2006-11-15 | 2017-08-30 | 熱硬化性光反射用樹脂組成物およびその製造方法 |
JP2019165447A Pending JP2020023699A (ja) | 2006-11-15 | 2019-09-11 | 熱硬化性光反射用樹脂組成物およびその製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (8) | JP2008144127A (ja) |
CN (1) | CN101535366B (ja) |
Families Citing this family (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102408543B (zh) | 2006-11-15 | 2014-10-29 | 日立化成工业株式会社 | 光反射用热固化性树脂组合物、用该组合物的光半导体元件搭载用基板及其光半导体装置 |
JP2008144127A (ja) * | 2006-11-15 | 2008-06-26 | Hitachi Chem Co Ltd | 熱硬化性光反射用樹脂組成物、ならびにこれを用いた光半導体素子搭載用基板、光半導体装置およびこれらの製造方法 |
JP5421546B2 (ja) * | 2007-07-05 | 2014-02-19 | 日立化成株式会社 | 熱硬化性光反射用樹脂組成物、並びにその樹脂組成物を用いた光半導体素子搭載用基板及び光半導体装置 |
JP6133004B2 (ja) * | 2009-03-31 | 2017-05-24 | 日立化成株式会社 | 光反射用熱硬化性樹脂組成物、光半導体素子搭載用基板及びその製造方法、並びに光半導体装置 |
CN103249480B (zh) * | 2010-12-06 | 2015-07-08 | 阿尔卑斯电气株式会社 | 微芯片的制造方法 |
JP5919903B2 (ja) * | 2011-03-31 | 2016-05-18 | 三菱化学株式会社 | 半導体発光装置用パッケージ及び該パッケージを有してなる半導体発光装置並びにそれらの製造方法 |
JP5775408B2 (ja) * | 2011-09-29 | 2015-09-09 | 積水化学工業株式会社 | 光半導体装置用白色硬化性材料、光半導体装置用白色硬化性材料の製造方法、光半導体装置用成形体及び光半導体装置 |
US9142747B2 (en) * | 2011-11-17 | 2015-09-22 | Lumens Co., Ltd. | Light emitting device package and backlight unit comprising the same |
JP2013153144A (ja) * | 2011-12-27 | 2013-08-08 | Panasonic Corp | Ledリフレクター用不飽和ポリエステル樹脂組成物とそれを用いた粒状物、タブレット、ledリフレクター、表面実装型led発光装置、led照明器具 |
CN103325889A (zh) * | 2012-03-19 | 2013-09-25 | 展晶科技(深圳)有限公司 | 发光二极管封装方法 |
JP2013206895A (ja) * | 2012-03-27 | 2013-10-07 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 光学半導体装置用基板とその製造方法、及び光学半導体装置とその製造方法 |
JP6021416B2 (ja) * | 2012-05-01 | 2016-11-09 | 日東電工株式会社 | 光半導体装置用リフレクタ付リードフレームおよびそれを用いた光半導体装置並びにその製造方法 |
JP5831424B2 (ja) * | 2012-10-17 | 2015-12-09 | 日立化成株式会社 | 光反射用熱硬化性樹脂組成物、光半導体素子搭載用基板及びその製造方法、並びに光半導体装置 |
JP2014095051A (ja) * | 2012-11-12 | 2014-05-22 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 熱硬化性エポキシ樹脂組成物、該組成物を用いたled用リフレクター及びled装置 |
CN107074785A (zh) * | 2014-07-24 | 2017-08-18 | 日本化药株式会社 | 多元羧酸和含有其的多元羧酸组合物、环氧树脂组合物、热固化性树脂组合物、它们的固化物以及光半导体装置 |
JP6038236B2 (ja) * | 2015-06-17 | 2016-12-07 | 積水化学工業株式会社 | 光半導体装置用白色硬化性材料、及び光半導体装置用白色硬化性材料の製造方法 |
JP6580948B2 (ja) * | 2015-11-04 | 2019-09-25 | 旭化成株式会社 | リフレクター及び光半導体装置 |
JP7121620B2 (ja) | 2018-09-27 | 2022-08-18 | ダイハツ工業株式会社 | 組付装置 |
CN112391034B (zh) * | 2019-08-13 | 2022-12-09 | 北京科化新材料科技有限公司 | 一种环氧树脂复合材料及其制备方法与应用 |
CN111211209B (zh) * | 2020-01-16 | 2021-09-28 | 江西新正耀光学研究院有限公司 | 紫外光发光二极管及其制作方法 |
CN111380814A (zh) * | 2020-04-26 | 2020-07-07 | 天津德高化成新材料股份有限公司 | 一种用于led封装的光学环氧塑封料及其墨色测量方法 |
CN115011967B (zh) * | 2022-08-05 | 2022-11-04 | 山东祺裕新材料有限公司 | 一种低氨氮酸洗缓蚀剂及其使用方法 |
Family Cites Families (32)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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2007
- 2007-04-24 JP JP2007114227A patent/JP2008144127A/ja not_active Withdrawn
- 2007-11-14 CN CN2007800424632A patent/CN101535366B/zh active Active
-
2012
- 2012-03-16 JP JP2012060714A patent/JP5778605B2/ja active Active
-
2014
- 2014-05-19 JP JP2014103155A patent/JP2014195106A/ja active Pending
-
2016
- 2016-08-09 JP JP2016156301A patent/JP6322237B2/ja active Active
- 2016-08-09 JP JP2016156302A patent/JP6306652B2/ja active Active
- 2016-08-09 JP JP2016156303A patent/JP2017005260A/ja active Pending
-
2017
- 2017-08-30 JP JP2017165729A patent/JP2017214599A/ja not_active Withdrawn
-
2019
- 2019-09-11 JP JP2019165447A patent/JP2020023699A/ja active Pending
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