JPH11343395A - 光半導体素子封止用エポキシ樹脂組成物及び該組成物で封止された光半導体装置 - Google Patents
光半導体素子封止用エポキシ樹脂組成物及び該組成物で封止された光半導体装置Info
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- JPH11343395A JPH11343395A JP10152899A JP15289998A JPH11343395A JP H11343395 A JPH11343395 A JP H11343395A JP 10152899 A JP10152899 A JP 10152899A JP 15289998 A JP15289998 A JP 15289998A JP H11343395 A JPH11343395 A JP H11343395A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】光学特性（光透過性）、金型からの離型性、ア
ルミニウム等の金属との接着性に優れたエポキシ樹脂組
成物、及び該エポキシ樹脂組成物で封止された信頼性の
高い光半導体装置を安価に提供すること。 【解決手段】光半導体素子を、一般式（１） 【化１】 で表される化合物を含有するエポキシ樹脂組成物を用い
て封止する。
ルミニウム等の金属との接着性に優れたエポキシ樹脂組
成物、及び該エポキシ樹脂組成物で封止された信頼性の
高い光半導体装置を安価に提供すること。 【解決手段】光半導体素子を、一般式（１） 【化１】 で表される化合物を含有するエポキシ樹脂組成物を用い
て封止する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は離型性に優れ、かつ
リードフレーム等の金属との接着性及び光透過性に優れ
た半導体素子封止用エポキシ樹脂組成物及び該組成物で
封止してなる光半導体装置にする。
リードフレーム等の金属との接着性及び光透過性に優れ
た半導体素子封止用エポキシ樹脂組成物及び該組成物で
封止してなる光半導体装置にする。
【０００２】
【従来の技術】従来、発光素子や受光素子等の光半導体
素子の封止用樹脂としては、透明性の優れた酸無水物硬
化系のエポキシ樹脂が用いられている。その封止方法と
しては、液状エポキシ樹脂組成物を用いて、キャステイ
ング成形又はポッテイング成形する方法と、固形エポキ
シ樹脂組成物を用いてトランスファー成形する方法があ
る。特に、トランスファー成形は大量生産に適している
ことから、樹脂封止型半導体装置の製造に通常用いられ
ている。光半導体素子についてもトランスファー成形に
よる封止方法が主流になりつつある。
素子の封止用樹脂としては、透明性の優れた酸無水物硬
化系のエポキシ樹脂が用いられている。その封止方法と
しては、液状エポキシ樹脂組成物を用いて、キャステイ
ング成形又はポッテイング成形する方法と、固形エポキ
シ樹脂組成物を用いてトランスファー成形する方法があ
る。特に、トランスファー成形は大量生産に適している
ことから、樹脂封止型半導体装置の製造に通常用いられ
ている。光半導体素子についてもトランスファー成形に
よる封止方法が主流になりつつある。
【０００３】光半導体素子封止用のトランスファー成形
材料は、成形時の離型性に優れていること、光透過性が
優れていること及び半導体素子との接着性が重要であ
る。そのため、内部離型剤等の添加材の選定には特には
留意する必要がある。例えば、離型剤としては、ベース
樹脂である液状エポキシ樹脂と完全に相溶することが光
透過性の向上に必要となるが、この場合、金型からの離
型性が低下する問題がある。
材料は、成形時の離型性に優れていること、光透過性が
優れていること及び半導体素子との接着性が重要であ
る。そのため、内部離型剤等の添加材の選定には特には
留意する必要がある。例えば、離型剤としては、ベース
樹脂である液状エポキシ樹脂と完全に相溶することが光
透過性の向上に必要となるが、この場合、金型からの離
型性が低下する問題がある。
【０００４】通常は金型にシリコーン系やフッ素系等の
外部離型剤を予め塗布して、光半導体素子を樹脂封止す
ることで対処している。このため、外部離型剤が樹脂封
止材の中に混入し、濁り光透過性が低下したり、外部離
型剤に起因したボイドが発生したりする。このため、外
部離型剤を塗布した金型を使用しても、連続成形が難し
く、３〜５ショット毎に金型に離型剤の塗布処理を施す
必要があり、作業が非常に煩雑でトランスファー成形の
生産性を大幅に低下させている。また、外部離型剤は有
機溶剤型のガスを使用している場合が多く、金型への塗
布処理時に揮散するため、環境、安全衛生上の課題もあ
る。
外部離型剤を予め塗布して、光半導体素子を樹脂封止す
ることで対処している。このため、外部離型剤が樹脂封
止材の中に混入し、濁り光透過性が低下したり、外部離
型剤に起因したボイドが発生したりする。このため、外
部離型剤を塗布した金型を使用しても、連続成形が難し
く、３〜５ショット毎に金型に離型剤の塗布処理を施す
必要があり、作業が非常に煩雑でトランスファー成形の
生産性を大幅に低下させている。また、外部離型剤は有
機溶剤型のガスを使用している場合が多く、金型への塗
布処理時に揮散するため、環境、安全衛生上の課題もあ
る。
【０００５】一方、樹脂封止材の離型性を向上させるた
めに、特開平６―１５７８１７号公報には炭素数２５以
下の長鎖脂肪族エステル化合物等の内部離型剤を用いる
ことが開示されている。該発明によれば、樹脂の透明性
を保持した状態で、金型からの離型性も改善される。し
かし、樹脂と半導体素子及び金属フレームとの接着性が
低下し、樹脂封止光半導体装置の耐湿性、ヒートサイク
ル性等の信頼性が悪くなる。
めに、特開平６―１５７８１７号公報には炭素数２５以
下の長鎖脂肪族エステル化合物等の内部離型剤を用いる
ことが開示されている。該発明によれば、樹脂の透明性
を保持した状態で、金型からの離型性も改善される。し
かし、樹脂と半導体素子及び金属フレームとの接着性が
低下し、樹脂封止光半導体装置の耐湿性、ヒートサイク
ル性等の信頼性が悪くなる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明は上記の状況に
鑑みてなされたものであり、その目的は、光学特性（特
に光透過性）に優れ、金型からの離型性、半導体装置の
半導体素子、金属フレーム等の各種基材との接着性に優
れたエポキシ樹脂組成物、及び該エポキシ樹脂組成物で
封止された信頼性の高い光半導体装置を提供することに
ある。
鑑みてなされたものであり、その目的は、光学特性（特
に光透過性）に優れ、金型からの離型性、半導体装置の
半導体素子、金属フレーム等の各種基材との接着性に優
れたエポキシ樹脂組成物、及び該エポキシ樹脂組成物で
封止された信頼性の高い光半導体装置を提供することに
ある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】かかる目的は本発明によ
れば、エポキシ樹脂と、一般式（１）
れば、エポキシ樹脂と、一般式（１）
【０００８】
【化２】
【０００９】で表される化合物を含有することを特徴と
する光半導体素子封止用エポキシ樹脂組成物を用いて光
半導体素子を封止することにより達成される。
する光半導体素子封止用エポキシ樹脂組成物を用いて光
半導体素子を封止することにより達成される。
【００１０】本発明において、エポキシ樹脂とは、一分
子中に２個以上のエポキシ基を有する化合物であり、エ
ポキシ樹脂成形材料として使用できるものであれば、特
に制限はない。例えば、フェノールノボラック型エポキ
シ樹脂、Ｏークレゾールノボラック型エポキシ樹脂等の
フェノール類とアルデヒド類を酸性触媒下で縮合反応し
て得られるノボラック樹脂とエピクロルヒドリンとを反
応して得られるエポキシ樹脂、ビスフェノールＡ，ビス
フェノールＦ，ビスフェノールＳ，水添ビスフェノール
Ａ等のグリシ汁ジルエーテル、フタル酸，ダイマー酸等
の多塩基酸とエピクロルヒドリンとの反応によって得ら
れるグリシジルエステル型エポキシ樹脂、ｐ−フェニレ
ンジアミン，ジアミノジフェニルメタン等のポリアミン
とエピクロルヒドリンとのとの反応によって得られるグ
リシジルアミン型エポキシ樹脂、オレフィン結合を過酢
酸等の過酸により酸化して得られる線状脂肪族エポキシ
樹脂等があり、これらの１種以上を併用することもでき
る。これらのエポキシ樹脂は液化時の外観が無色透明で
あることが好ましく、エポキシ樹脂は十分に精製されて
いることが好ましい。
子中に２個以上のエポキシ基を有する化合物であり、エ
ポキシ樹脂成形材料として使用できるものであれば、特
に制限はない。例えば、フェノールノボラック型エポキ
シ樹脂、Ｏークレゾールノボラック型エポキシ樹脂等の
フェノール類とアルデヒド類を酸性触媒下で縮合反応し
て得られるノボラック樹脂とエピクロルヒドリンとを反
応して得られるエポキシ樹脂、ビスフェノールＡ，ビス
フェノールＦ，ビスフェノールＳ，水添ビスフェノール
Ａ等のグリシ汁ジルエーテル、フタル酸，ダイマー酸等
の多塩基酸とエピクロルヒドリンとの反応によって得ら
れるグリシジルエステル型エポキシ樹脂、ｐ−フェニレ
ンジアミン，ジアミノジフェニルメタン等のポリアミン
とエピクロルヒドリンとのとの反応によって得られるグ
リシジルアミン型エポキシ樹脂、オレフィン結合を過酢
酸等の過酸により酸化して得られる線状脂肪族エポキシ
樹脂等があり、これらの１種以上を併用することもでき
る。これらのエポキシ樹脂は液化時の外観が無色透明で
あることが好ましく、エポキシ樹脂は十分に精製されて
いることが好ましい。
【００１１】本発明のエポキシ樹脂は硬化剤を添加する
ことにより、加熱、光エネルギー照射等により硬化す
る。該硬化剤としては、エポキシ樹脂と硬化反応を示す
ものであれば特に制限されず、公知の硬化剤が使用でき
る。その中でも、トランスファー成形、硬化物の光学特
性（特に光透過性）等の点から、ノボラックフェノール
樹脂、あるいは酸無水物を用いることができるが、特に
酸無水物が好ましい。該酸無水物としては、例えば、ヘ
キサヒドロ無水フタル酸、テトラヒドロ無水フタル酸、
メチルヘキサヒドロ無水フタル酸、メチルテトラヒドロ
無水フタル酸等が挙げられ、これらの無色ないし淡黄色
のものが好ましい。
ことにより、加熱、光エネルギー照射等により硬化す
る。該硬化剤としては、エポキシ樹脂と硬化反応を示す
ものであれば特に制限されず、公知の硬化剤が使用でき
る。その中でも、トランスファー成形、硬化物の光学特
性（特に光透過性）等の点から、ノボラックフェノール
樹脂、あるいは酸無水物を用いることができるが、特に
酸無水物が好ましい。該酸無水物としては、例えば、ヘ
キサヒドロ無水フタル酸、テトラヒドロ無水フタル酸、
メチルヘキサヒドロ無水フタル酸、メチルテトラヒドロ
無水フタル酸等が挙げられ、これらの無色ないし淡黄色
のものが好ましい。
【００１２】前記エポキシ樹脂と前記酸無水物硬化剤と
の配合割合はエポキシ基１当量に対して、カルボン酸基
当量が０．５〜１．５、好ましくは０．７〜１．３の範
囲で用いればよい。
の配合割合はエポキシ基１当量に対して、カルボン酸基
当量が０．５〜１．５、好ましくは０．７〜１．３の範
囲で用いればよい。
【００１３】また、本発明において、一般式（１）で表
される化合物は、疎水基である（ＣＨ２ＣＨ２）ｍのｍ
が５〜３０の範囲であり、親水基（ＯＣＨ２ＣＨ２）ｎ
ＯＨのｎが２〜４０の範囲であり、一分子中の前記疎水
基と前記親水基の比率（ｎ／ｍ）は０．１〜３の範囲に
限定される。この範囲に特定することにより、親水基が
エポキシ樹脂との相溶を良くして光透過性（透明性）を
発現し、疎水基が金型の表面に配向することにより離型
性を発揮するものと推定される。
される化合物は、疎水基である（ＣＨ２ＣＨ２）ｍのｍ
が５〜３０の範囲であり、親水基（ＯＣＨ２ＣＨ２）ｎ
ＯＨのｎが２〜４０の範囲であり、一分子中の前記疎水
基と前記親水基の比率（ｎ／ｍ）は０．１〜３の範囲に
限定される。この範囲に特定することにより、親水基が
エポキシ樹脂との相溶を良くして光透過性（透明性）を
発現し、疎水基が金型の表面に配向することにより離型
性を発揮するものと推定される。
【００１４】該一般式（１）で表される化合物は、本発
明のエポキシ樹脂の内部離型剤として、それ単独で使用
してもよいし、２種以上併用してもよい。該化合物の配
合量は本発明のエポキシ樹脂組成物全体量に対して０．
０１〜１５重量％、好ましくは０．１〜５重量％で用い
ればよい。前記配合量が０．０１重量％未満では成形時
の離型性に問題が生じ、１５重量％を超えると樹脂硬化
物の透明性が低下し、本発明の目的である光半導体装置
の性能及び信頼性を得ることが難しい。
明のエポキシ樹脂の内部離型剤として、それ単独で使用
してもよいし、２種以上併用してもよい。該化合物の配
合量は本発明のエポキシ樹脂組成物全体量に対して０．
０１〜１５重量％、好ましくは０．１〜５重量％で用い
ればよい。前記配合量が０．０１重量％未満では成形時
の離型性に問題が生じ、１５重量％を超えると樹脂硬化
物の透明性が低下し、本発明の目的である光半導体装置
の性能及び信頼性を得ることが難しい。
【００１５】また、本発明のエポキシ樹脂組成物には、
硬化促進剤として例えば、１，８−ジアザービシクロ
（５，４，０）ウンデセンー７、トリエチレンジアミ
ン、ベンジルジメチルアミン、トリエタノールアミン、
トリス（ジメチルアミノメチル）フェノール等の第三級
アミン類、２―メチルイミダゾール、２―フェニルイミ
ダゾール、２―フェニルー４―メチルイミダゾール、１
―ベンジルー２―フェニルイミダゾール等のイミダゾー
ル類、トリブチルフォスフィン、トリフェニルフォスフ
ィン、ジフェニルフォスフィン等の有機フォスフィン
類、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレー
ト、トリフェニルフォスフィンテトラフェニルボレー
ト、２―エチルー４―メチルイミダゾールテトラフェニ
ルボレート等のテトラフェニルボロン塩等が挙げられ
る。
硬化促進剤として例えば、１，８−ジアザービシクロ
（５，４，０）ウンデセンー７、トリエチレンジアミ
ン、ベンジルジメチルアミン、トリエタノールアミン、
トリス（ジメチルアミノメチル）フェノール等の第三級
アミン類、２―メチルイミダゾール、２―フェニルイミ
ダゾール、２―フェニルー４―メチルイミダゾール、１
―ベンジルー２―フェニルイミダゾール等のイミダゾー
ル類、トリブチルフォスフィン、トリフェニルフォスフ
ィン、ジフェニルフォスフィン等の有機フォスフィン
類、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレー
ト、トリフェニルフォスフィンテトラフェニルボレー
ト、２―エチルー４―メチルイミダゾールテトラフェニ
ルボレート等のテトラフェニルボロン塩等が挙げられ
る。
【００１６】その配合量はその使用条件、用途に合わせ
て適宜決められるが、通常、エポキシ樹脂１００重量部
に対して、０．０５〜１０重量部、好ましくは０．１〜
５重量部の範囲で用いればよい。
て適宜決められるが、通常、エポキシ樹脂１００重量部
に対して、０．０５〜１０重量部、好ましくは０．１〜
５重量部の範囲で用いればよい。
【００１７】本発明のエポキシ樹脂組成物には、光透過
性を損なわない限り、シリカ等の充填材、あるいは高級
脂肪族酸やワックスなど公知の離型剤、エポキシシラ
ン、ビニルシラン、アルコキシチタネート化合物などの
カップリング剤が配合される。また、必要に応じて酸化
防止剤、着色剤、紫外線吸収剤等の各種添加剤を用いる
ことができる。
性を損なわない限り、シリカ等の充填材、あるいは高級
脂肪族酸やワックスなど公知の離型剤、エポキシシラ
ン、ビニルシラン、アルコキシチタネート化合物などの
カップリング剤が配合される。また、必要に応じて酸化
防止剤、着色剤、紫外線吸収剤等の各種添加剤を用いる
ことができる。
【００１８】その他、本発明のエポキシ樹脂組成物に
は、本発明の効果を損なわない限りフェニルグリシジル
エーテル、ジグリシジルエーテル、ジグリシジルアニリ
ン等の希釈剤、ポリグリシジルエーテル、ポリオール、
カルボキシル化合物、ウレタンプレポリマー、シリコー
ン系化合物、フッ素系化合物等の可撓性付与剤の配合も
可能である。
は、本発明の効果を損なわない限りフェニルグリシジル
エーテル、ジグリシジルエーテル、ジグリシジルアニリ
ン等の希釈剤、ポリグリシジルエーテル、ポリオール、
カルボキシル化合物、ウレタンプレポリマー、シリコー
ン系化合物、フッ素系化合物等の可撓性付与剤の配合も
可能である。
【００１９】本発明において、光半導体素子とは、例え
ばＧａＰ緑色発光ダイオード、ＧａＰ赤色発光ダイオー
ド等の発光ダイオード、ＧａＡｓ系の赤外発光ダイオー
ド及び半導体レーザー等の赤外発光素子、赤外可視変換
素子、電界発光素子等の各種発光素子、赤色，緑色，青
色の半導体レーザー、光検波器、光導波管、光導波形変
調器、光集積回路等のオプトエレクトロニクス等が挙げ
られる。
ばＧａＰ緑色発光ダイオード、ＧａＰ赤色発光ダイオー
ド等の発光ダイオード、ＧａＡｓ系の赤外発光ダイオー
ド及び半導体レーザー等の赤外発光素子、赤外可視変換
素子、電界発光素子等の各種発光素子、赤色，緑色，青
色の半導体レーザー、光検波器、光導波管、光導波形変
調器、光集積回路等のオプトエレクトロニクス等が挙げ
られる。
【００２０】本発明の光半導体装置は、上記したエポキ
シ樹脂組成物を用いて、上記の光半導体素子をトランス
ファー成形することにより提供できる。トランスファー
成形の条件は、成形温度としては５０〜２００℃、好ま
しくは１００〜１７０℃、更に好ましくは１２０〜１５
０℃である。成形圧力としては、１００〜５０００ｋｇ
・ｆ／ｃｍ、好ましくは２００〜１０００ｋｇ・ｆ／ｃ
ｍである。成形時間としては、３０〜６００秒、好まし
くは４５〜３００秒、更に好ましくは６０〜１８０秒で
ある。
シ樹脂組成物を用いて、上記の光半導体素子をトランス
ファー成形することにより提供できる。トランスファー
成形の条件は、成形温度としては５０〜２００℃、好ま
しくは１００〜１７０℃、更に好ましくは１２０〜１５
０℃である。成形圧力としては、１００〜５０００ｋｇ
・ｆ／ｃｍ、好ましくは２００〜１０００ｋｇ・ｆ／ｃ
ｍである。成形時間としては、３０〜６００秒、好まし
くは４５〜３００秒、更に好ましくは６０〜１８０秒で
ある。
【００２１】トランスファー成形により樹脂封止された
光半導体装置は、場合に応じてアフタキュアされてもよ
い。アフタキュアの条件は、通常１００〜２００℃、好
ましくは１２０〜１８０℃で行われる。
光半導体装置は、場合に応じてアフタキュアされてもよ
い。アフタキュアの条件は、通常１００〜２００℃、好
ましくは１２０〜１８０℃で行われる。
【００２２】
【発明の実施の形態】本発明を実施例を用いて説明す
る。
る。
【００２３】
【実施例１〜５】
【比較例１〜３】エポキシ樹脂として、ビスフェノール
Ａ型エポキシ樹脂、エポキシ当量：９９４（エポミック
Ｒ３６６、三井石油化学・株製）と、多官能エポキシ樹
脂、エポキシ当量：１００（ＴＥＰＩＣ−Ｓ、日産化学
・株製）を、酸無水物硬化剤として、テトラヒドロ無水
フタル酸、酸無水物当量：１５２（リカシッドＴＨ、新
日本理化・株製）、硬化促進剤として１―ベンジルー２
―フェニルイミダゾール、（１Ｂ２ＰＺ、四国化成・株
製）、離型剤として、表３に示すａ〜ｈの８種（一般式
（１）のｍ、ｎ及びｍ／ｎ比を変えたもの）を取り上
げ、表１および表２に示した所定量をそれぞれ配合し
た。該組成物をそれぞれ別個にニーダーで混練（バレル
温度：９０℃）した後、冷却、粉砕して粉末状のエポキ
シ樹脂組成物を得た。
Ａ型エポキシ樹脂、エポキシ当量：９９４（エポミック
Ｒ３６６、三井石油化学・株製）と、多官能エポキシ樹
脂、エポキシ当量：１００（ＴＥＰＩＣ−Ｓ、日産化学
・株製）を、酸無水物硬化剤として、テトラヒドロ無水
フタル酸、酸無水物当量：１５２（リカシッドＴＨ、新
日本理化・株製）、硬化促進剤として１―ベンジルー２
―フェニルイミダゾール、（１Ｂ２ＰＺ、四国化成・株
製）、離型剤として、表３に示すａ〜ｈの８種（一般式
（１）のｍ、ｎ及びｍ／ｎ比を変えたもの）を取り上
げ、表１および表２に示した所定量をそれぞれ配合し
た。該組成物をそれぞれ別個にニーダーで混練（バレル
温度：９０℃）した後、冷却、粉砕して粉末状のエポキ
シ樹脂組成物を得た。
【００２４】次いで、前記で得たエポキシ樹脂組成物を
用いて、トランスファー成形（成形温度：１５０℃、成
形圧力：７０ｋｇ・ｆ／ｃｍ、成形時間３分）により、
各種特性測定用試験片を成形したのち、１５０℃、３時
間アフタタキュアした。試験評価結果を表４及び図１に
示す。
用いて、トランスファー成形（成形温度：１５０℃、成
形圧力：７０ｋｇ・ｆ／ｃｍ、成形時間３分）により、
各種特性測定用試験片を成形したのち、１５０℃、３時
間アフタタキュアした。試験評価結果を表４及び図１に
示す。
【００２５】
【表１】
【００２６】
【表２】
【００２７】
【表３】
【００２８】
【表４】
【００２９】
【表５】
【００３０】各種特性の測定条件は次の通りである。
【００３１】（１）光透過率 分光光度計Ｕ−２０００型（株・日立製作所製）を使用
し、厚さ１ｍｍの試験片を用い、波長６００ｎｍの光透
過率を測定した。
し、厚さ１ｍｍの試験片を用い、波長６００ｎｍの光透
過率を測定した。
【００３２】（２）アルミピール強さ（接着強さ） 金型に鏡面仕上げされたアルミニウム箔を敷き、該アル
ミニウム箔表面にエポキシ樹脂組成物を成形して得た試
験片を、オートグラフＡＧＳ−５００Ａ型（株・島津製
作所製）を用いて３０ｍｍ／ｍｉｎ．の速度でアルミニ
ウム箔を垂直にピールすることにより、エポキシ樹脂硬
化物のアルミニウムに対するピ＾ル強さ（接着強さ）を
測定した。
ミニウム箔表面にエポキシ樹脂組成物を成形して得た試
験片を、オートグラフＡＧＳ−５００Ａ型（株・島津製
作所製）を用いて３０ｍｍ／ｍｉｎ．の速度でアルミニ
ウム箔を垂直にピールすることにより、エポキシ樹脂硬
化物のアルミニウムに対するピ＾ル強さ（接着強さ）を
測定した。
【００３３】（３）離型性 テーパ付き成形品（直径：上面９ｍｍ、下面１０ｍｍ、
高さ：２０ｍｍ）が得られる金型を用いて、トランスフ
ァー成形した直後のテーパ付き成形品の、金型からの抜
き荷重をプッシュゲージにより測定した。なお、各試験
片について試験を行う前に、光半導体専用離型回復剤、
ＣＥＬ−Ｔ−Ｒ１００（日立化成工業・株製）を１ショ
ット成形した。
高さ：２０ｍｍ）が得られる金型を用いて、トランスフ
ァー成形した直後のテーパ付き成形品の、金型からの抜
き荷重をプッシュゲージにより測定した。なお、各試験
片について試験を行う前に、光半導体専用離型回復剤、
ＣＥＬ−Ｔ−Ｒ１００（日立化成工業・株製）を１ショ
ット成形した。
【００３４】（４）連続離型性 上記の離型性の評価を連続２０ショット実施し、ショッ
ト毎の抜き荷重を求めた。
ト毎の抜き荷重を求めた。
【００３５】上記の結果から、実施例１〜５は光学特性
（光透過性）、アルミニウムとの接着性にすぐれてお
り、しかも金型からの離型性も良好でトランスファー成
形で連続成形が可能である。
（光透過性）、アルミニウムとの接着性にすぐれてお
り、しかも金型からの離型性も良好でトランスファー成
形で連続成形が可能である。
【００３６】一方、比較例１、２は内部離型材の一般式
（１）におけるｎ／ｍの値が本発明の範囲をこえている
ため、一分子中での親水基の割合が高く、光透過性、接
着性は良好であるが、離型性が悪く、連続成形ができな
い。また、比較例３は内部離型材の一般式（１）におけ
るｎ／ｍの値が０で、親水基が含まれないため、樹脂と
の相溶性が悪く光透過性、接着性に劣り、実用に供する
ことは難しい。
（１）におけるｎ／ｍの値が本発明の範囲をこえている
ため、一分子中での親水基の割合が高く、光透過性、接
着性は良好であるが、離型性が悪く、連続成形ができな
い。また、比較例３は内部離型材の一般式（１）におけ
るｎ／ｍの値が０で、親水基が含まれないため、樹脂と
の相溶性が悪く光透過性、接着性に劣り、実用に供する
ことは難しい。
【００３７】
【発明の効果】本発明のエポキシ樹脂組成物は、光透過
性、金型からの離型性、金属（アルミニウム）との接着
性に優れている。このため、光半導体素子を連続的に成
形（トランスファー成形）することができ、信頼性に優
れた光半導体装置を安価に提供できる。
性、金型からの離型性、金属（アルミニウム）との接着
性に優れている。このため、光半導体素子を連続的に成
形（トランスファー成形）することができ、信頼性に優
れた光半導体装置を安価に提供できる。
【図１】実施例１〜５及び比較例１〜３の連続離型性評
価結果を示すグラフである。
価結果を示すグラフである。
なし
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｌ 33/00
Claims (3)
- 【請求項１】エポキシ樹脂と、一般式（１） 【化１】 で表される化合物を含有することを特徴とする光半導体
素子封止用エポキシ樹脂組成物。 - 【請求項２】一般式（１）で表される化合物の配合量が
エポキシ樹脂組成物全体の０．０１〜１５重量％である
請求項１記載の光半導体素子封止用エポキシ樹脂組成
物。 - 【請求項３】請求項１又は請求項２に記載のエポキシ樹
脂組成物を用いて光半導体素子を、封止した光半導体装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10152899A JPH11343395A (ja) | 1998-06-02 | 1998-06-02 | 光半導体素子封止用エポキシ樹脂組成物及び該組成物で封止された光半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10152899A JPH11343395A (ja) | 1998-06-02 | 1998-06-02 | 光半導体素子封止用エポキシ樹脂組成物及び該組成物で封止された光半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11343395A true JPH11343395A (ja) | 1999-12-14 |
Family
ID=15550575
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10152899A Pending JPH11343395A (ja) | 1998-06-02 | 1998-06-02 | 光半導体素子封止用エポキシ樹脂組成物及び該組成物で封止された光半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11343395A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000212400A (ja) * | 1999-01-26 | 2000-08-02 | Matsushita Electric Works Ltd | 光半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び光半導体装置 |
-
1998
- 1998-06-02 JP JP10152899A patent/JPH11343395A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000212400A (ja) * | 1999-01-26 | 2000-08-02 | Matsushita Electric Works Ltd | 光半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び光半導体装置 |
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