CN103249480B - 微芯片的制造方法 - Google Patents

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Abstract

在以往的微芯片的制造方法中，在一对树脂基板的粘接中使用紫外光，导致在被照射该紫外光的树脂基板的表面产生荧光。因此，在对检体附加荧光标记来进行测定的荧光标识法的情况下，如果使用该微芯片，则存在如下问题：在树脂基板的表面上产生的荧光对测定带来坏影响，检测精度降低。一种微芯片的制造方法，该微芯片具有对置的面相互粘接的一对树脂基材，在对置的面中的至少一面上形成有凹部，该微芯片的制造方法为如下制造方法：在向一对树脂基材被粘接之前的对置的面照射紫外区域的波长的光即紫外光之后，向被照射过紫外光的一对树脂基材的对置的面照射实质上包含可见区域的波长的光的可见光。

Description

微芯片的制造方法
技术领域
本发明涉及一种在化学、生物化学、医学等领域中使用的微芯片的制造方法，该微芯片形成有微细的流路、回路，特别是降低了荧光。
背景技术
在化学、生物化学、医学等领域中，在需要在微细流路的空间中进行化学反应、分离、分析、检测等的情况下，有时使用在硅基板、玻璃基板上形成有微细的流路、回路的微芯片。然而，在对硅、玻璃等无机材料进行微细加工的方法中，制造费用高，而且制造时间也长，因此存在特别是不适合在使用一次之后就舍弃的(一次性的)用途中所使用的问题。
因此，在专利文献1中提出了如图9所示那样使用形成有微小流路的一对树脂基板的微芯片的制造方法。在该微芯片的制造方法中，首先，如图9(a)所示，从真空紫外线光源910对表面形成有微小流路的槽905的树脂基板903与树脂盖基板904的应接合的各自的表面照射真空紫外线911，来在树脂基板903的表面形成表面改性层907，并且在树脂盖基板904的表面形成表面改性层908。接着，如图9(b)所示，使表面改性层907与表面改性层908对置地重合，然后进行加热/加压，使两个基板接合。由此，能够通过简便的方法廉价且容易地制造流路的截面构造稳定性、耐压性能等优良的微芯片。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2006-187730号公报
发明内容
发明要解决的问题
然而，在如现有例那样的制造方法中，在一对树脂基板的粘接中使用紫外光，导致在被照射过该紫外光的树脂基板的表面上产生荧光。因此，在对检体附加荧光标记来进行测定的荧光标识法的情况下，如果使用该微芯片，则存在如下问题：在树脂基板的表面上产生的荧光对测定带来坏影响，检测精度降低。另一方面，在一对树脂基板的粘接中使用粘接剂的情况下，存在如下问题：在粘接剂本身中含有大量的发出荧光的物质，比通过紫外光的照射来制作的微芯片更对测定带来坏影响，检测精度进一步降低。
本发明用于解决上述问题，其目的在于提供一种降低了荧光的微芯片的制造方法。
用于解决问题的方案
为了解决该问题，在本发明的微芯片的制造方法中，该微芯片具有对置的面相互粘接的一对树脂基材，在上述对置的面中的至少一面上形成有凹部，该微芯片的制造方法的特征在于，在向上述一对树脂基材被粘接之前的上述对置的面照射紫外区域的波长的光即紫外光之后，向被照射过上述紫外光的上述一对树脂基材的上述对置的面照射实质上包含可见区域的波长的光的可见光。
据此，本发明的微芯片的制造方法中，将可见光照射到被照射过紫外光的一对树脂基材的对置的面，由此因紫外光产生的具有荧光发光性的荧光分子成为激发状态，引起电子向树脂基材所包含的其它高分子的移动，成为非荧光分子。由此，能够降低微芯片的荧光。
另外，本发明的微芯片的制造方法的特征在于，上述可见光是实质上包含从380nm至800nm的波长的光的来自光源的光。
据此，由于是几乎不包含紫外光的实质上包含从380nm至800nm的波长的光的可见光，因此不会新生成因紫外光的照射所产生的具有荧光发光性的荧光分子，能够将在紫外光工序中产生的荧光分子可靠地变成非荧光分子。由此，能够进一步降低微芯片的荧光。
另外，本发明的微芯片的制造方法的特征在于，上述一对树脂基材中的至少一个是使上述可见光透射的光透射性基材，上述制造方法包括以下工序：紫外光工序，向上述一对树脂基材被粘接之前的上述对置的面照射上述紫外光；粘接工序，使上述紫外光工序后的上述对置的面相互接触来将上述一对树脂基材粘接；以及可见光工序，在上述粘接工序后，从上述光透射性基材一侧照射上述可见光。
据此，在紫外光工序之后进行粘接工序，在粘接工序之后进行照射可见光的可见光工序，因此将因紫外光产生的具有荧光发光性的荧光分子可靠地变成非荧光分子，并且不会降低一对树脂基材的贴紧性，能够使一对树脂基材的粘接可靠。由此，能够制作除了能够进一步降低微芯片的荧光以外耐压性能等也优良的微芯片。
本发明的微芯片的制造方法的特征在于，包括以下工序：紫外光工序，向上述一对树脂基材被粘接之前的上述对置的面照射上述紫外光；可见光工序，向被照射过上述紫外光的上述一对树脂基材的上述对置的面照射上述可见光；以及粘接工序，使上述可见光工序后的上述对置的面相互接触来将上述一对树脂基材粘接。
据此，在紫外光工序之后进行向被照射过紫外光的树脂基材的对置的各面照射可见光的可见光工序，在可见光工序之后进行粘接工序，因此能够将因紫外光产生的具有荧光发光性的荧光分子可靠地变成非荧光分子。由此，能够进一步降低微芯片的荧光。
本发明的微芯片的制造方法的特征在于，上述树脂基材中的至少一个是环烯烃聚合物或环烯烃共聚物。
据此，由于树脂基材是自身荧光少的环烯烃聚合物或环烯烃共聚物，因此能够将因紫外光产生的具有荧光发光性的荧光分子更可靠地变成非荧光分子。由此，能够更进一步降低微芯片的荧光。
发明效果
本发明的微芯片的制造方法将可见光照射到被照射过紫外光的一对树脂基材的对置的面，从而因紫外光产生的具有荧光发光性的荧光分子成为激发状态，引起电子向树脂基材所包含的其它高分子的移动，成为非荧光分子。由此，能够降低微芯片的荧光。
因而，本发明的微芯片的制造方法能够提供降低了荧光的微芯片的制造方法。
附图说明
图1是说明使用本发明的制造方法制作的微芯片的结构图，图1(a)是俯视图，图1(b)是侧视图，图1(c)是图1(a)的I-I线的剖视图。
图2是说明本发明的第一实施方式所涉及的微芯片的制造方法的一例的图，是说明紫外光工序、粘接工序、可见光工序的结构图。
图3是表示在本发明的第一实施方式所涉及的微芯片的制造方法的可见光工序中使用的可见光相对于波长的相对光强度的图表。
图4是表示其它光源的相对于波长的相对光强度的图表，图4(a)是LED光源的光的一例，图4(b)是自然光(阳光)。
图5是使用了本发明的第一实施方式所涉及的微芯片的制造方法的实施例1的测定结果，是测定了相对于波长的荧光光谱的图表。
图6是说明本发明的第二实施方式所涉及的微芯片的制造方法的一例的图，是说明紫外光工序、可见光工序、粘接工序的结构图。
图7是使用了本发明的第二实施方式所涉及的微芯片的制造方法的实施例2的测定结果，是表示相对于波长的荧光光谱的图表。
图8是说明本发明的第二实施方式所涉及的微芯片的制造方法的变形例2的图，是说明紫外光工序、可见光工序、粘接工序的结构图。
图9是说明现有例中的微芯片的制造方法的图，是表示真空紫外线处理工艺和接合工艺的示意图。
具体实施方式
下面，参照附图详细说明本发明的实施方式。
[第一实施方式]
图1是说明使用本发明的制造方法制作的微芯片101的结构图，图1(a)是俯视图，图1(b)是侧视图，图1(c)是图1(a)的I-I线的剖视图。图2是说明本发明的第一实施方式所涉及的微芯片101的制造方法的一例的图，图2(a)和图2(b)是表示向光透射性基材2和树脂基材1照射紫外光UV的紫外光工序P11的结构图，图2(c)是粘接工序P12中的使粘接前的光透射性基材2与树脂基材1对置的结构图，图2(d)是说明向微芯片101照射可见光VL的可见光工序P13的结构图。
如图1所示，使用本发明的制造方法制作的微芯片101由通过凹部3形成了微小流路的一对树脂基材形成，在作为一个树脂基材的树脂基材1的一面形成有凹部3，与作为另一个树脂基材的光透射性基材2互相对置的面4彼此被粘接。在光透射性基材2中，在多处设置有用于注入试料的注入孔16。
光透射性基材2要求是在后述的可见光工序P13中使可见光VL透射那样的透光性的基材，使用环烯烃聚合物(COP)、环烯烃共聚物(COC)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚碳酸酯(PC)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、非晶聚烯烃等材质，特别是环烯烃聚合物(COP)、环烯烃共聚物(COC)是自身荧光少的合成树脂材料，因此适合使用。
另外，考虑强度、加工性以及与光透射性基材2的粘接性等，树脂基材1使用环烯烃聚合物(COP)、环烯烃共聚物(COC)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚碳酸酯(PC)、聚二甲基硅氧烷(PDMS)等硅酮树脂、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、非晶聚烯烃等材质，与光透射性基材2同样地，特别是环烯烃聚合物(COP)、环烯烃共聚物(COC)是自身荧光少的合成树脂材料，因此适合使用。
接着，说明微芯片101的制造方法。
微芯片101的制造方法由如下工序构成：紫外光工序P11，向一对树脂基材被粘接之前的对置的面4照射紫外光UV；粘接工序P12，使紫外光工序P11后的对置的面4相互接触来将一对树脂基材粘接；以及可见光工序P13，在粘接工序P12后从作为一个树脂基材的光透射性基材2侧照射可见光VL。
首先，如图2(a)和图2(b)所示，使用紫外光灯111向包括粘接面的树脂基材1的对置的面4(B4)和光透射性基材2的对置的面4(A4)照射紫外区域的波长的光即紫外光UV(紫外光工序P11)。特别是，紫外光UV优选使用在后述的粘接工序P12中能够期待粘接性能的提高的作为波长100nm～200nm的紫外光的真空紫外光(VUV)。另外，向树脂基材1和光透射性基材2照射紫外光UV的工序既可以同时进行，也可以分开进行。
接着，如图2(c)所示，在使照射了紫外光UV的树脂基材1的对置的面B4与光透射性基材2的对置的面A4对置之后，在使树脂基材1的对置的面B4与光透射性基材2的对置的面A4相互接触的状态下升温，由此将树脂基材1与光透射性基材2粘接(粘接工序P12)。另外，粘接工序P12中的升温在所使用的合成树脂材料的玻璃转化以下的温度下进行，但是，如果一边向树脂基材1与光透射性基材2的对置的面4相互贴紧的方向加压一边升温，则贴紧性进一步提高，更为优选。
另外，作为将树脂基材1与光透射性基材2粘接的方法，除此以外还可考虑使用粘接剂的接合/密封方法，但是，由于粘接剂本身所具有的自身荧光大，因此使用粘接剂的方法并不理想。另外，除此以外还可考虑利用热熔接的接合/密封方法，但是利用该方法的粘接通常在合成树脂的玻璃转化点以上的温度下进行，因此有时在粘接时基板变形，失去作为微芯片的功能。并且，基板的变形的影响在流路的宽度变细的情况或者使流路图案复杂的情况下更为突出，因此在利用热熔接进行粘接时难以实现微芯片的高功能化。
最后，如图2(d)所示，使用可见光灯333从光透射性基材2侧向粘接工序P12结束后的微芯片101照射包含可见区域的波长的光的可见光VL(可见光工序P13)。由于光透射性基材2是使可见光VL透射的透光性的基材，因此可见光VL被照射到被照射紫外光UV的树脂基材1的包括凹部3的对置的面B4和光透射性基材2的对置的面A4。由此，通过可见光VL被照射到被照射过紫外光UV的树脂基材1的包括凹部3的对置的面B4和光透射性基材2的对置的面A4，从而由紫外光UV产生的具有荧光发光性的荧光分子成为激发状态，引起电子向各合成树脂材料中所包含的其它高分子的移动，成为非荧光分子。由此，能够降低微芯片101的荧光。
另外，在可见光工序P13的可见光VL的照射中，也可以与可见光灯333一起使用使380nm以下的波长的光截止的紫外线截止滤波器。由此，照射到树脂基材1的包括凹部3的对置的面B4和光透射性基材2的对置的面A4的光成为几乎不包含紫外光的实质上包含从380nm至800nm的波长的光的可见光VL。因此，不会新生成因照射紫外光UV而产生的具有荧光发光性的荧光分子，能够将在紫外光工序P11中产生的荧光分子可靠地形成为非荧光分子。由此，能够进一步降低微芯片101的荧光。
另外，本发明的微芯片101的制造方法在紫外光工序P11之后进行粘接工序P12，在粘接工序P12之后进行照射可见光VL的可见光工序P13。由此，将因紫外光UV产生的具有荧光发光性的荧光分子可靠地变成非荧光分子，并且不会降低树脂基材1与光透射性基材2的贴紧性，能够使树脂基材1与光透射性基材2的粘接可靠。由此，能够制作除了能够进一步降低微芯片101的荧光以外耐压性能等也优良的微芯片101。
<实施例1>
下面，通过实施例1更详细说明本发明的第一实施方式。本发明不限定于以下所示的实施例。
首先，作为树脂基材1和光透射性基材2，使用由环烯烃聚合物(日本ゼオン公司制、ZEONEX330R、玻璃转化点123℃)构成的一对树脂基材(70mm×20mm、厚度2mm)。树脂基材1的凹部3、光透射性基材2的注入孔16是通过对该树脂基材分别进行机械加工来制作的。
接着，通过Xe准分子灯(ウシオ電機公司(USHIO INC.)制、UER20-172A)向树脂基材1的对置的面B4和光透射性基材2的对置的面A4各自的表面照射紫外光UV(波长172nm)。紫外光UV的照射在大气中进行，将灯与树脂基材1的表面的距离以及灯与光透射性基材2的表面的距离设为5mm，将照射强度设为10mW/cm2，将照射时间设为60分钟。将紫外光UV的照射面设为各自的粘接的整个粘接面。
接着，使紫外光工序P11结束后的树脂基材1与光透射性基材2的紫外光UV的被照射面相互对置，使得成为相接的状态，一边向各被照射面相互贴紧的方向以压力0.7MPa进行加压，一边使整体升温至100℃，以该状态保持1个小时。之后，在使整体降温至室温之后停止上述加压，确认基板彼此是否粘接，其结果，基板彼此牢固地粘接，不进行破坏则无法将两者剥下。
此外，在使用由与上述不同的环烯烃聚合物(日本ゼオン公司制、ZEONEX480R、玻璃转化点138℃)构成的树脂基材的情况以及使用由聚碳酸酯(バイエル(Bayer)公司制、玻璃转化点210℃)构成的树脂基材的情况下，也能够获得同样的结果。另外，在将紫外光UV的照射时间设为5分钟的情况下，也能够获得同样的结果。
最后，通过氙灯(朝日分光公司制、LAX-1000)从光透射性基材2侧对粘接工序P12结束后的微芯片101进行了实质上包含可见区域的波长的光的可见光VL的照射。可见光VL的照射在干燥空气中进行，将灯与树脂基材1的表面的距离以及灯与光透射性基材2的表面的距离设为5cm，将照射强度设为50mW/cm2，将照射时间设为10分钟。作为其它条件，在将照射强度设为167mW/cm2、将照射时间设为10分钟的条件下对其它微芯片试样进行。
图3是表示在本发明的第一实施方式所涉及的微芯片101的制造方法的可见光工序P13中使用的可见光VL相对于波长的相对光强度的图表。如图3所示，所使用的氙灯的可见光VL成为包含一部分380nm以下的紫外光的可见区域的光，因此在同时使用使380nm以下的波长的光截止的紫外线截止滤波器的情况下更为适当。实际上，使用了使400nm以下的波长的光截止的紫外线截止滤波器。
另外，图4是表示其它光源的相对于波长的相对光强度的图表，图4(a)是LED光源的光的一例，图4(b)是自然光(阳光)。如图4所示，虽然能够使用几乎不包含紫外光的LED光、同时使用紫外线截止滤波器的自然光，但是在这两种情况下，为了输出10mW/cm2以上的照射强度，都必须将大量的光源汇集来设置成多光源，或者必须使用将透镜组合而成的用于聚光的聚光系统，并且自然光是还大量包含红外光的光，因此更优选如在本实施例1中使用的那样的可见光。
图5是使用了本发明的第一实施方式所涉及的微芯片101的制造方法的实施例1的测定结果，是测定了相对于波长的荧光光谱的图表。图表中的A和B表示照射紫外光UV前的树脂基材1和光透射性基材2的自身荧光强度，图表中的C表示在照射紫外光UV后粘接工序P12结束后的微芯片101的荧光强度，图表中的D表示本条件(将照射强度设为50mW/cm2，将照射时间设为10分钟)下的可见光工序P13结束后的微芯片101的荧光强度，图表中的E表示其它条件(将照射强度设为167mW/cm2，将照射时间设为10分钟)下的可见光工序P13结束后的微芯片101的荧光强度。
如图5所示，C与A及B相比，通过紫外光UV的照射，约420nm～约600nm的频带下的荧光强度增加。而且，D及E与C相比，通过可见光VL的照射，其荧光强度降低。因而，可以说，通过向包含因紫外光UV产生的具有荧光发光性的荧光分子的微芯片101照射可见光VL，能够降低微芯片101的荧光。另外，在可见光工序P13中的照射强度更大的E的情况下，与D相比，其荧光强度降低，因此可以说，在照射强度更大的情况下其效果大。
由此，在本发明的微芯片101的制造方法中，通过向被照射过紫外光UV的树脂基材1的对置的面B4和光透射性基材2的对置的面A4照射可见光VL，因紫外光UV产生的具有荧光发光性的荧光分子成为激发状态，引起电子向各合成树脂材料中包含的其它高分子的移动，成为非荧光分子。由此，能够降低微芯片101的荧光。
另外，由于是几乎不包含紫外光的实质上包含从380nm至800nm的波长的光的可见光VL，因此不会新产生因照射紫外光UV而产生的具有荧光发光性的荧光分子，能够将在紫外光工序P11中产生的荧光分子可靠地变成非荧光分子。由此，能够进一步降低微芯片101的荧光。
另外，在紫外光工序P11后进行粘接工序P12，在粘接工序P12后进行照射可见光VL的可见光工序P13，因此将因紫外光UV产生的具有荧光发光性的荧光分子可靠地变成非荧光分子，并且不会降低树脂基材1与光透射性基材2的贴紧性，能够使树脂基材1与光透射性基材2的粘接可靠。由此，能够制作除了能够进一步降低微芯片101的荧光以外耐压性能等也优良的微芯片101。
另外，树脂基材是自身荧光少的环烯烃聚合物，因此能够将因紫外光UV产生的具有荧光发光性的荧光分子更可靠地变成非荧光分子。由此，能够更进一步降低微芯片101的荧光。
[第二实施方式]
图6是说明本发明的第二实施方式所涉及的微芯片201的制造方法的一例的图，图6(a)和图6(b)是表示向一对树脂基材照射紫外光UV的紫外光工序PU1的结构图，图6(c)和图6(d)是表示向紫外光工序PU1结束后的一对树脂基材的对置的面94照射可见光VL的可见光工序PV2的结构图，图6(e)是表示粘接工序PA3结束后的微芯片201的结构图。此外，对与第一实施方式相同的构件附加相同的符号，并省略说明。
本发明的第二实施方式所涉及的微芯片201的制造方法由如下工序构成：紫外光工序PU1，向一对树脂基材粘接之前的对置的面94照射紫外光UV；可见光工序PV2，向被照射过紫外光UV的一对树脂基材的对置的面94照射可见光VL；以及粘接工序PA3，使可见光工序PV2后的对置的面94相互接触来将一对树脂基材粘接。
首先，准备作为一对树脂基材的第一树脂基材11、第二树脂基材21。在第一树脂基材11上，在一面形成有作为微小流路的凹部3，在第二树脂基材21中多处形成有用于注入试料的注入孔16。
另外，考虑强度、加工性以及树脂基材彼此的粘接性等，第一树脂基材11和第二树脂基材21使用环烯烃共聚物(COC)、环烯烃聚合物(COP)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚碳酸酯(PC)、聚二甲基硅氧烷(PDMS)等硅酮树脂、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、非晶聚烯烃等材质，但是，特别是环烯烃共聚物(COC)、环烯烃聚合物(COP)是自身荧光少的合成树脂材料，因此适合使用。
接着，如图6(a)和图6(b)所示，使用紫外光灯111向一对树脂基材(第一树脂基材11、第二树脂基材21)粘接之前的对置的面94即第一面14和第二面24照射紫外区域的波长的光即紫外光UV(紫外光工序PU1)。
接着，如图6(c)和图6(d)所示，使用可见光灯333对紫外光工序PU1结束后的第一树脂基材11的包括凹部3的第一面14和第二树脂基材21的第二面24照射包含可见区域的波长的光的可见光VL(可见光工序PV2)。
最后，在使照射过可见光VL的包括凹部3的第一面14与第二面24对置之后，在使第一面14与第二面24相互接触的状态下升温，由此将第一树脂基材11与第二树脂基材21粘接(粘接工序PA3)。这样，如图6(e)所示，得到微芯片201。由此，在紫外光工序PU1之后进行向被照射过紫外光UV的第一树脂基材11的包括凹部3的第一面14和第二树脂基材21的第二面24照射可见光VL的可见光工序PV2，在可见光工序PV2结束后进行粘接工序PA3，因此能够将因紫外光UV产生的具有荧光发光性的荧光分子可靠地变成非荧光分子。由此，能够进一步降低微芯片201的荧光。
<实施例2>
下面，通过实施例2更详细说明本发明的第二实施方式。本发明不限定于以下所示的实施例。
首先，作为第一树脂基材11和第二树脂基材21，使用了由环烯烃共聚物(ポリプラスチック公司制、TOPAS5013L-10、玻璃转化点134℃)构成的一对树脂基材(30mm×30mm、厚度1.5mm)。第一树脂基材11和第二树脂基材21是使用用于形成第一树脂基材11的凹部3、第二树脂基材21的注入孔16的模具进行注射成型而制作的。
接着，通过Xe准分子灯(ウシオ電機公司(USHIO INC.)制、UER20-172A)向第一树脂基材11的第一面14和第二树脂基材21的第二面24各自的表面照射紫外光UV(波长172nm)。紫外光UV的照射在氮气氛中进行，将灯与第一树脂基材11的表面的距离以及灯与第二树脂基材21的表面的距离设为5mm，将照射强度设为10mW/cm2，将照射时间设为20分钟。将紫外光UV的照射面设为各自的粘接的整个粘接面。
接着，通过氙灯(朝日分光社制、LAX-1000)向紫外光工序PU1结束后的第一树脂基材11的包括凹部3的第一面14和第二树脂基材21的第二面24进行了实质上包含可见区域的波长的光的可见光VL的照射。可见光VL的照射在干燥空气中进行，将灯与第一树脂基材11的表面的距离以及灯与第二树脂基材21的表面的距离设为5cm，将照射强度设为78mW/cm2，将照射时间设为10分钟。作为其它条件，使用其它微芯片试样，在氮气氛中进行了可见光VL的照射。另外，可见光VL使用如图3所示那样的包含一部分380nm以下的紫外光的可见区域的光。
最后，使可见光工序PV2结束后的第一树脂基材11与第二树脂基材21的紫外光UV的被照射面相互对置，使得成为相接的状态，一边向各被照射面相互贴紧的方向以压力0.7MPa进行加压，一边使整体升温至100℃，将该状态保持1个小时。之后，在使整体降温至室温之后停止上述加压，确认树脂基材彼此是否粘接，其结果，树脂基材彼此牢固地粘接，不进行破坏则无法将两者剥下。
图7是使用了本发明的第二实施方式所涉及的微芯片201的制造方法的实施例2的测定结果，是测定了相对于波长的荧光光谱的图表。图表中的F表示照射紫外光UV前的第一树脂基材11的自身荧光强度，图表中的G表示照射紫外光UV后的第一树脂基材11的荧光强度，图表中的H表示本条件(将照射强度设为78mW/cm2，将照射时间设为10分钟，干燥空气中)下的可见光工序PV2结束后的第一树脂基材11的荧光强度，图表中的I表示其它条件(将照射强度设为78mW/cm2，将照射时间设为10分钟，氮气氛中)下的可见光工序PV2结束后的第一树脂基材11的荧光强度。
如图7所示，G与F相比，通过紫外光UV的照射，约420nm～约600nm的频带下的荧光强度增加。而且，H及I与G相比，通过可见光VL的照射，其荧光强度降低。另外，氮气氛中进行了照射的I与H相比，其荧光强度降低，因此可以说，氮气氛中照射时的效果大。
由此，在本发明的微芯片201的制造方法中，通过向被照射过紫外光UV的第一树脂基材11的第一面14和第二树脂基材21的第二面24照射可见光VL，因紫外光UV产生的具有荧光发光性的荧光分子成为激发状态，引起电子向各合成树脂材料中包含的其它高分子的移动，成为非荧光分子。由此，能够降低微芯片201的荧光。
另外，由于是实质上包含从380nm至800nm的波长的光的可见光VL，因此不会新生成因照射紫外光UV而产生的具有荧光发光性的荧光分子，能够将在紫外光工序PU1中产生的荧光分子可靠地变成非荧光分子。由此，能够进一步降低微芯片201的荧光。
另外，在紫外光工序PU1结束后进行向被照射过紫外光UV的第一树脂基材11的第一面14和第二树脂基材21的第二面24照射可见光VL的可见光工序PV2，在可见光工序PV2后进行粘接工序PA3，因此能够将因紫外光UV产生的具有荧光发光性的荧光分子可靠地变成非荧光分子。由此，能够进一步降低微芯片201的荧光。
另外，树脂基材是自身荧光少的环烯烃共聚物(COC)，因此能够将因紫外光UV产生的具有荧光发光性的荧光分子更可靠地变成非荧光分子。由此，能够更进一步降低微芯片201的荧光。
此外，本发明不限定于上述实施方式，例如能够如下变形来实施，这些实施方式也属于本发明的保护范围。
<变形例1>
在上述第一实施方式中，是在树脂基材1中形成凹部3并在光透射性基材2中形成注入孔16的结构，但是也可以是在树脂基材1中形成注入孔16并在光透射性基材2中形成凹部3的结构。另外，凹部3也可以设置在树脂基材1和光透射性基材2这双方。另外，也可以在树脂基材1和光透射性基材2中的某一方中设置凹部3和注入孔16。
<变形例2>
图8是说明本发明的第二实施方式所涉及的微芯片201的制造方法的变形例2的结构图。图8(a)和图8(b)是向第一树脂基材31的第一面34和第二树脂基材41的第二面44照射紫外光UV的紫外光工序PU1，图8(c)和图8(d)是向第一树脂基材31和第二树脂基材41照射可见光VL的可见光工序PV2，图8(e)是说明粘接工序PA3结束后得到的微芯片301的结构图。
在该变形例2中，将第一树脂基材31和第二树脂基材41设为透光性基材。由此，在上述第二实施方式中，在可见光工序PV2中，如图6(c)和图6(d)所示，向包括凹部3的第一面14和第二面24进行了可见光VL的照射，但是也可以如图8(c)和图8(d)所示那样透过各基材中来对第一树脂基材31的包括凹部3的第一面34和第二树脂基材41的第二面44进行可见光VL的照射。
本发明不限定于上述实施方式，只要不脱离本发明的目的的范围就能够适当地变更。
符号说明
1：树脂基材
2：光透射性基材
3：凹部
4、A4、B4、94：对置的面
101、201、301：微芯片
UV：紫外光
VL：可见光
P11：紫外光工序
P12：粘接工序
P13：可见光工序
PU1：紫外光工序
PA3：粘接工序
PV2：可见光工序

Claims (5)

1.一种微芯片的制造方法，该微芯片具有对置的面相互粘接的一对树脂基材，在上述对置的面中的至少一面上形成有凹部，该微芯片的制造方法的特征在于，
在向上述一对树脂基材被粘接之前的上述对置的面照射紫外区域的波长的光即紫外光之后，向被照射过上述紫外光的上述一对树脂基材的上述对置的面照射实质上包含可见区域的波长的光的可见光，以使上述树脂基材中的由上述紫外光产生的具有荧光发光性的荧光分子成为激发状态，引起电子向上述树脂基材所包含的其它高分子的移动，上述荧光分子成为非荧光分子。
2.根据权利要求1所述的微芯片的制造方法，其特征在于，
上述可见光是实质上包含从380nm至800nm的波长的光的来自光源的光。
3.根据权利要求1所述的微芯片的制造方法，其特征在于，
上述一对树脂基材中的至少一个是使上述可见光透射的光透射性基材，
上述制造方法包括以下工序：
紫外光工序，向上述一对树脂基材被粘接之前的上述对置的面照射上述紫外光；
粘接工序，使上述紫外光工序后的上述对置的面相互接触来将上述一对树脂基材粘接；以及
可见光工序，在上述粘接工序后，从上述光透射性基材一侧照射上述可见光。
4.根据权利要求1所述的微芯片的制造方法，其特征在于，包括以下工序：
紫外光工序，向上述一对树脂基材被粘接之前的上述对置的面照射上述紫外光；
可见光工序，向被照射过上述紫外光的上述一对树脂基材的上述对置的面照射上述可见光；以及
粘接工序，使上述可见光工序后的上述对置的面相互接触来将上述一对树脂基材粘接。
5.根据权利要求1所述的微芯片的制造方法，其特征在于，
上述树脂基材中的至少一个是环烯烃聚合物或环烯烃共聚物。
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