|
JPS57124468A
(en)
*
|
1981-01-26 |
1982-08-03 |
Matsushita Electronics Corp |
Manufacture of solid image pickup device
|
|
JP3451833B2
(ja)
*
|
1995-05-09 |
2003-09-29 |
ミノルタ株式会社 |
固体撮像装置及び固体撮像装置の製造方法
|
|
KR100390822B1
(ko)
*
|
1999-12-28 |
2003-07-10 |
주식회사 하이닉스반도체 |
이미지센서에서의 암전류 감소 방법
|
|
JP4703883B2
(ja)
*
|
2001-04-09 |
2011-06-15 |
株式会社半導体エネルギー研究所 |
半導体装置の作製方法
|
|
KR20030040865A
(ko)
*
|
2001-11-16 |
2003-05-23 |
주식회사 하이닉스반도체 |
암전류를 감소시키기 위한 이미지센서의 제조 방법
|
|
JP3731750B2
(ja)
*
|
2002-06-24 |
2006-01-05 |
松下電器産業株式会社 |
赤外線センサの製造方法
|
|
TWI236767B
(en)
*
|
2002-12-13 |
2005-07-21 |
Sony Corp |
Solid-state image pickup device and its manufacturing method
|
|
JP4123060B2
(ja)
*
|
2003-06-11 |
2008-07-23 |
ソニー株式会社 |
固体撮像素子及びその製造方法
|
|
KR101197084B1
(ko)
*
|
2004-05-21 |
2012-11-07 |
가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 |
반도체 장치 및 그 제조 방법
|
|
US7268369B2
(en)
*
|
2004-07-06 |
2007-09-11 |
Fujifilm Corporation |
Functional device and method for producing the same
|
|
JP2006073885A
(ja)
*
|
2004-09-03 |
2006-03-16 |
Canon Inc |
固体撮像装置、その製造方法、およびデジタルカメラ
|
|
WO2006137867A1
(en)
*
|
2004-09-17 |
2006-12-28 |
California Institute Of Technology |
Fabrication method for back-illuminated cmos or ccd imagers made from soi wafer
|
|
JP2006147661A
(ja)
*
|
2004-11-16 |
2006-06-08 |
Matsushita Electric Ind Co Ltd |
受光装置とその製造方法およびカメラ
|
|
KR100697279B1
(ko)
*
|
2005-02-03 |
2007-03-20 |
삼성전자주식회사 |
수직형 광검출기를 가지는 이미지 센서 및 그 제조 방법
|
|
JP2007035993A
(ja)
*
|
2005-07-28 |
2007-02-08 |
Matsushita Electric Ind Co Ltd |
Ｍｏｓ型固体撮像装置
|
|
JP4825542B2
(ja)
*
|
2006-02-23 |
2011-11-30 |
富士フイルム株式会社 |
固体撮像素子の製造方法
|
|
US7547573B2
(en)
*
|
2006-08-01 |
2009-06-16 |
United Microelectronics Corp. |
Image sensor and method of manufacturing the same
|
|
US7544982B2
(en)
*
|
2006-10-03 |
2009-06-09 |
Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. |
Image sensor device suitable for use with logic-embedded CIS chips and methods for making the same
|
|
JP4396684B2
(ja)
*
|
2006-10-04 |
2010-01-13 |
ソニー株式会社 |
固体撮像装置の製造方法
|
|
US7973271B2
(en)
*
|
2006-12-08 |
2011-07-05 |
Sony Corporation |
Solid-state image pickup device, method for manufacturing solid-state image pickup device, and camera
|
|
TWI366916B
(en)
*
|
2006-12-19 |
2012-06-21 |
Sony Corp |
Solid-state imaging device and imaging apparatus
|
|
JP2008153500A
(ja)
*
|
2006-12-19 |
2008-07-03 |
Sony Corp |
固体撮像装置及びカメラ
|
|
JP4137161B1
(ja)
*
|
2007-02-23 |
2008-08-20 |
キヤノン株式会社 |
光電変換装置の製造方法
|
|
WO2008123119A1
(en)
*
|
2007-03-26 |
2008-10-16 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Photoelectric conversion device and electronic device provided with the photoelectric conversion device
|
|
WO2009014155A1
(en)
*
|
2007-07-25 |
2009-01-29 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Photoelectric conversion device and electronic device having the same
|
|
JP2009059824A
(ja)
*
|
2007-08-30 |
2009-03-19 |
Sharp Corp |
固体撮像素子およびその製造方法、電子情報機器
|
|
DE102008046030A1
(de)
*
|
2007-09-07 |
2009-06-10 |
Dongbu Hitek Co., Ltd. |
Bildsensor und Verfahren zu seiner Herstellung
|
|
JP2009188068A
(ja)
*
|
2008-02-04 |
2009-08-20 |
Sharp Corp |
固体撮像素子およびその製造方法、電子情報機器
|
|
JP2009229502A
(ja)
*
|
2008-03-19 |
2009-10-08 |
Sony Corp |
表示装置、および、その製造方法
|
|
JP2009295799A
(ja)
*
|
2008-06-05 |
2009-12-17 |
Sharp Corp |
固体撮像装置の製造方法
|
|
JP2010016128A
(ja)
*
|
2008-07-02 |
2010-01-21 |
Canon Inc |
固体撮像装置及びその製造方法
|
|
KR20100049282A
(ko)
*
|
2008-11-03 |
2010-05-12 |
삼성전자주식회사 |
이미지 센서 및 그 제조 방법
|
|
JP2010182764A
(ja)
*
|
2009-02-04 |
2010-08-19 |
Sony Corp |
半導体素子とその製造方法、及び電子機器
|
|
JP5356872B2
(ja)
*
|
2009-03-18 |
2013-12-04 |
パナソニック株式会社 |
個体撮像装置の製造方法
|
|
JP5985136B2
(ja)
*
|
2009-03-19 |
2016-09-06 |
ソニー株式会社 |
半導体装置とその製造方法、及び電子機器
|
|
JP5367459B2
(ja)
*
|
2009-05-28 |
2013-12-11 |
株式会社東芝 |
半導体撮像装置
|
|
JP5728171B2
(ja)
*
|
2009-06-29 |
2015-06-03 |
株式会社半導体エネルギー研究所 |
半導体装置
|
|
US8766269B2
(en)
*
|
2009-07-02 |
2014-07-01 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Light-emitting device, lighting device, and electronic device
|
|
JP2011071482A
(ja)
*
|
2009-08-28 |
2011-04-07 |
Fujifilm Corp |
固体撮像装置，固体撮像装置の製造方法，デジタルスチルカメラ，デジタルビデオカメラ，携帯電話，内視鏡
|
|
WO2011052384A1
(en)
*
|
2009-10-30 |
2011-05-05 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Semiconductor device and method for manufacturing the same
|
|
JP5899519B2
(ja)
*
|
2009-11-05 |
2016-04-06 |
パナソニックＩｐマネジメント株式会社 |
固体撮像装置
|
|
JP2010200328A
(ja)
|
2010-03-16 |
2010-09-09 |
Semiconductor Energy Lab Co Ltd |
半導体装置及び半導体装置の作製方法
|
|
JP4783868B1
(ja)
*
|
2010-03-17 |
2011-09-28 |
富士フイルム株式会社 |
固体撮像素子及びその製造方法並びに撮像装置
|
|
WO2012004923A1
(ja)
*
|
2010-07-09 |
2012-01-12 |
パナソニック株式会社 |
固体撮像装置および固体撮像装置の駆動方法
|
|
JP5693924B2
(ja)
*
|
2010-11-10 |
2015-04-01 |
株式会社東芝 |
半導体撮像装置
|
|
JP5960961B2
(ja)
*
|
2010-11-16 |
2016-08-02 |
キヤノン株式会社 |
固体撮像素子及び撮像システム
|
|
JP5921129B2
(ja)
*
|
2011-02-09 |
2016-05-24 |
キヤノン株式会社 |
固体撮像装置、及び固体撮像装置の製造方法
|
|
JP2012182426A
(ja)
*
|
2011-02-09 |
2012-09-20 |
Canon Inc |
固体撮像装置、固体撮像装置を用いた撮像システム及び固体撮像装置の製造方法
|
|
JP2014103133A
(ja)
|
2011-03-10 |
2014-06-05 |
Panasonic Corp |
固体撮像装置
|
|
JP2012234949A
(ja)
*
|
2011-04-28 |
2012-11-29 |
Panasonic Corp |
固体撮像装置及びその製造方法
|
|
JP5942275B2
(ja)
*
|
2011-08-02 |
2016-06-29 |
パナソニックＩｐマネジメント株式会社 |
固体撮像装置
|
|
JP6080437B2
(ja)
*
|
2011-09-30 |
2017-02-15 |
キヤノン株式会社 |
有機発光装置の製造方法
|
|
TWI467751B
(zh)
*
|
2011-12-12 |
2015-01-01 |
Sony Corp |
A solid-state imaging device, a driving method of a solid-state imaging device, and an electronic device
|
|
JP2013135123A
(ja)
*
|
2011-12-27 |
2013-07-08 |
Sony Corp |
半導体装置、半導体装置の製造方法、固体撮像装置および電子機器
|
|
JP5806635B2
(ja)
*
|
2012-03-30 |
2015-11-10 |
富士フイルム株式会社 |
固体撮像素子の製造方法
|
|
US8957358B2
(en)
*
|
2012-04-27 |
2015-02-17 |
Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. |
CMOS image sensor chips with stacked scheme and methods for forming the same
|
|
JP2014011392A
(ja)
*
|
2012-07-02 |
2014-01-20 |
Sony Corp |
固体撮像装置及びその製造方法、電子機器
|
|
TW201403804A
(zh)
*
|
2012-07-05 |
2014-01-16 |
Sony Corp |
固體攝像裝置及其製造方法、以及電子機器
|
|
JPWO2014021177A1
(ja)
*
|
2012-08-02 |
2016-07-21 |
ソニー株式会社 |
半導体素子、半導体素子の製造方法、固体撮像装置、および電子機器
|
|
JP6039294B2
(ja)
*
|
2012-08-07 |
2016-12-07 |
キヤノン株式会社 |
半導体装置の製造方法
|
|
JP2014036092A
(ja)
*
|
2012-08-08 |
2014-02-24 |
Canon Inc |
光電変換装置
|
|
JP2014053591A
(ja)
*
|
2012-08-08 |
2014-03-20 |
Sony Corp |
撮像素子、撮像装置、製造装置および方法
|
|
JP6044223B2
(ja)
*
|
2012-09-20 |
2016-12-14 |
セイコーエプソン株式会社 |
光電変換装置、医療機器および光電変換装置の製造方法
|
|
JP2014067948A
(ja)
|
2012-09-27 |
2014-04-17 |
Fujifilm Corp |
固体撮像素子および撮像装置
|
|
TWI595637B
(zh)
*
|
2012-09-28 |
2017-08-11 |
Sony Corp |
半導體裝置及電子機器
|
|
JP6041607B2
(ja)
*
|
2012-09-28 |
2016-12-14 |
キヤノン株式会社 |
半導体装置の製造方法
|
|
JP5885634B2
(ja)
*
|
2012-10-02 |
2016-03-15 |
キヤノン株式会社 |
固体撮像装置、および撮像システム
|
|
JP6308717B2
(ja)
*
|
2012-10-16 |
2018-04-11 |
キヤノン株式会社 |
固体撮像装置、固体撮像装置の製造方法、および撮像システム
|
|
JP2014099582A
(ja)
*
|
2012-10-18 |
2014-05-29 |
Sony Corp |
固体撮像装置
|
|
JP6164830B2
(ja)
*
|
2012-12-14 |
2017-07-19 |
キヤノン株式会社 |
光電変換装置の製造方法
|
|
JP2014127545A
(ja)
*
|
2012-12-26 |
2014-07-07 |
Sony Corp |
固体撮像素子およびこれを備えた固体撮像装置
|
|
JP6274729B2
(ja)
*
|
2013-02-04 |
2018-02-07 |
キヤノン株式会社 |
固体撮像装置およびカメラ
|
|
KR102136845B1
(ko)
*
|
2013-09-16 |
2020-07-23 |
삼성전자 주식회사 |
적층형 이미지 센서 및 그 제조방법
|
|
WO2016083952A1
(en)
*
|
2014-11-28 |
2016-06-02 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Semiconductor device, module, and electronic device
|
|
KR102500813B1
(ko)
*
|
2015-09-24 |
2023-02-17 |
삼성전자주식회사 |
반도체 소자 및 이의 제조 방법
|