JP2016009692A5 - - Google Patents

Claims (11)

1. 絶縁層に覆われて互いに電気的に絶縁された複数のフローティングゲートを備え、前記フローティングゲート毎にメモリセルを構成した不揮発性半導体記憶装置であって、
   行方向にて隣り合う前記フローティングゲート間の列間領域、およびまたは列方向にて隣り合う前記フローティングゲート間の行間領域に、前記絶縁層内に存在する可動電荷を引き寄せて、前記フローティングゲートへの該可動電荷の停留を抑制させる可動電荷収集素子が設けられており、前記可動電荷収集素子は、コントロールキャパシタ、電荷注入トランジスタ、電荷引抜トランジスタ、および読み出しトランジスタが形成される活性領域以外のウェル表面に埋込形成された可動電荷収集素子層を含む
   ことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
2. 前記可動電荷収集素子は、
   一の前記フローティングゲートまでの距離と、一の前記フローティングゲートと隣り合う他の前記フローティングゲートまでの距離とが同じ距離に選定されている
   ことを特徴とする請求項１記載の不揮発性半導体記憶装置。
3. 前記可動電荷収集素子層の表面には、前記可動電荷収集素子としての可動電荷収集コンタクトが立設されている
   ことを特徴とする請求項１記載の不揮発性半導体記憶装置。
4. 前記ウェル上方には、前記メモリセルに対して電圧を印加する配線が配置された第1配線層を有しており、
   前記可動電荷収集コンタクトの先端には、前記可動電荷収集素子としての可動電荷収集第1配線層を有し、該可動電荷収集第1配線層が前記第1配線層の高さ位置に形成されている
   ことを特徴とする請求項３記載の不揮発性半導体記憶装置。
5. 前記可動電荷収集第1配線層には、前記可動電荷収集素子としての可動電荷収集層間コンタクトが立設されている
   ことを特徴とする請求項４記載の不揮発性半導体記憶装置。
6. 前記第1配線層の上方には、前記メモリセルに電圧を印加する他の配線が配置された第2配線層を有しており、
   前記可動電荷収集層間コンタクトの先端には、前記可動電荷収集素子としての可動電荷収集第2配線層を有し、該可動電荷収集第2配線層が前記第2配線層の高さ位置に形成されている
   ことを特徴とする請求項５記載の不揮発性半導体記憶装置。
7. 電荷が蓄積された前記フローティングゲートに電圧を印加して、前記フローティングゲートと前記可動電荷収集素子との電圧関係を調整することにより、前記可動電荷を該フローティングゲートから遠ざけて前記可動電荷収集素子に引き寄せる
   ことを特徴とする請求項１〜６のうちいずれか１項記載の不揮発性半導体記憶装置。
8. 前記可動電荷収集素子層は、前記ウェル表面に不純物がドープされた層である
   ことを特徴とする請求項１または２記載の不揮発性半導体記憶装置。
9. 前記ウェルの導電型はＰ型であり、前記不純物はホウ素（B）またはインジウム（In）である
   ことを特徴とする請求項８記載の不揮発性半導体記憶装置。
10. 前記ウェルの導電型はＮ型であり、前記不純物はリン（P）、砒素（As）またはアンチモン（Sb）である
    ことを特徴とする請求項８記載の不揮発性半導体記憶装置。
11. 前記可動電荷収集素子層は、前記コントロールキャパシタ、電荷注入トランジスタ、電荷引抜トランジスタ、および読み出しトランジスタが形成される活性領域に対して非接触に形成されている
    ことを特徴とする請求項１または２記載の不揮発性半導体記憶装置。