JP2014107406A5 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- JP2014107406A5 JP2014107406A5 JP2012259128A JP2012259128A JP2014107406A5 JP 2014107406 A5 JP2014107406 A5 JP 2014107406A5 JP 2012259128 A JP2012259128 A JP 2012259128A JP 2012259128 A JP2012259128 A JP 2012259128A JP 2014107406 A5 JP2014107406 A5 JP 2014107406A5
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- transistor
- memory device
- floating gate
- region
- semiconductor memory
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims 12
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims 2
- 230000001808 coupling Effects 0.000 claims 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 claims 2
- 230000000295 complement Effects 0.000 claims 1
- 239000000284 extract Substances 0.000 claims 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims 1
Claims (10)
- フローティングゲートを備えた単層ゲート構造のメモリトランジスタと、スイッチゲート電極を備えた単層ゲート構造のスイッチトランジスタとを有するメモリセルを備え、
前記メモリセルは、
前記メモリトランジスタの一端にソース線が接続されているとともに、前記スイッチトランジスタの一端にビット線が接続されており、前記メモリトランジスタの他端と前記スイッチトランジスタの他端とが電気的に接続され、該メモリトランジスタおよび該スイッチトランジスタが直列に配置された構成を有し、
前記メモリトランジスタは、
前記フローティングゲートの下部領域と、前記スイッチトランジスタに電気的に接続された他端側のソースドレイン領域との間に、前記フローティングゲートの下部領域および前記一端側のソースドレイン領域間の抵抗値よりも高い抵抗値の高抵抗領域を有する
ことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。 - 前記メモリトランジスタには、
前記フローティングゲートの下部領域の両側にエクステンション領域が形成されており、
前記高抵抗領域として、前記一端側のエクステンション領域よりも不純物濃度が低い低濃度不純物エクステンション領域が形成されている
ことを特徴とする請求項１記載の不揮発性半導体記憶装置。 - 前記フローティングゲートの下部の活性領域上面には、
前記エクステンション領域と接してデプリート型チャネル領域が形成されている
ことを特徴する請求項１または２記載の不揮発性半導体記憶装置。 - 前記フローティングゲートの電位を調整するカップリングキャパシタを備え、
前記フローティングゲートは、前記メモリトランジスタおよび前記カップリングキャパシタに延在している
ことを特徴とする請求項１または２記載の不揮発性半導体記憶装置。 - 前記スイッチトランジスタは、
前記スイッチゲート電極の下部に形成されたゲート酸化膜の膜厚が、前記メモリトランジスタの前記フローティングゲートの下部に形成されたゲート酸化膜の膜厚よりも薄く形成されている
ことを特徴とする請求項１〜４のうちいずれか１項記載の不揮発性半導体記憶装置。 - 前記フローティングゲートから電荷を引き抜くイレーストランジスタを備えており、
前記フローティングゲートは、前記メモリトランジスタおよび前記イレーストランジスタに延在している
ことを特徴とする請求項１〜５のうちいずれか１項記載の不揮発性半導体記憶装置。 - 前記フローティングゲートは、前記メモリトランジスタとの対向領域がＮ型で形成され、前記イレーストランジスタとの対向領域がＰ型で形成されている
ことを特徴とする請求項６記載の不揮発性半導体記憶装置。 - 前記メモリセルが行列状に配置されており、
前記ソース線は、前記メモリセル毎に設けた前記メモリトランジスタに共通の電圧を一律に印加する
ことを特徴とする請求項１〜７のうちいずれか１項記載の不揮発性半導体記憶装置。 - ＳＲＡＭセルと、一の前記メモリセルおよび他の前記メモリセルとで1ビットを構成し、
前記一のメモリセルに接続された一のビット線がＳＲＡＭセルの一のストレージノードに接続され、前記他のメモリセルに接続された他のビット線が前記ＳＲＡＭセルの前記一のストレージノードと相補的な他のストレージノードに接続されている、
ことを特徴とする請求項１〜７のうちいずれか１項記載の不揮発性半導体記憶装置。 - 前記メモリセル毎に設けられた各前記スイッチトランジスタには個別にゲート線が接続されており、各前記スイッチトランジスタが独立にオンオフ制御される
ことを特徴とする請求項９記載の不揮発性半導体記憶装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2012259128A JP6053474B2 (ja) | 2012-11-27 | 2012-11-27 | 不揮発性半導体記憶装置 |
| PCT/JP2013/079512 WO2014083997A1 (ja) | 2012-11-27 | 2013-10-31 | 不揮発性半導体記憶装置 |
| US14/647,009 US9646979B2 (en) | 2012-11-27 | 2013-10-31 | Non-volatile semiconductor storage device |
| TW102139904A TWI582909B (zh) | 2012-11-27 | 2013-11-04 | Nonvolatile semiconductor memory device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2012259128A JP6053474B2 (ja) | 2012-11-27 | 2012-11-27 | 不揮発性半導体記憶装置 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2014107406A JP2014107406A (ja) | 2014-06-09 |
| JP2014107406A5 true JP2014107406A5 (ja) | 2015-11-05 |
| JP6053474B2 JP6053474B2 (ja) | 2016-12-27 |
Family
ID=50827643
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2012259128A Active JP6053474B2 (ja) | 2012-11-27 | 2012-11-27 | 不揮発性半導体記憶装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US9646979B2 (ja) |
| JP (1) | JP6053474B2 (ja) |
| TW (1) | TWI582909B (ja) |
| WO (1) | WO2014083997A1 (ja) |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6306466B2 (ja) | 2014-07-31 | 2018-04-04 | 株式会社フローディア | 不揮発性ｓｒａｍメモリセル、および不揮発性半導体記憶装置 |
| US9450052B1 (en) * | 2015-07-01 | 2016-09-20 | Chengdu Monolithic Power Systems Co., Ltd. | EEPROM memory cell with a coupler region and method of making the same |
| US9847133B2 (en) * | 2016-01-19 | 2017-12-19 | Ememory Technology Inc. | Memory array capable of performing byte erase operation |
| US10892266B2 (en) * | 2016-01-19 | 2021-01-12 | Ememory Technology Inc. | Nonvolatile memory structure and array |
| US11361215B2 (en) * | 2017-11-29 | 2022-06-14 | Anaflash Inc. | Neural network circuits having non-volatile synapse arrays |
| WO2019124356A1 (ja) * | 2017-12-20 | 2019-06-27 | パナソニック・タワージャズセミコンダクター株式会社 | 半導体装置及びその動作方法 |
| KR102385951B1 (ko) * | 2018-02-23 | 2022-04-14 | 에스케이하이닉스 시스템아이씨 주식회사 | 프로그램 효율이 증대되는 원 타임 프로그래머블 메모리 및 그 제조방법 |
| US11462282B2 (en) * | 2020-04-01 | 2022-10-04 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Semiconductor memory structure |
| CN114005477B (zh) * | 2021-11-03 | 2023-03-10 | 中国电子科技集团公司第五十八研究所 | 一种高可靠共浮栅型Flash存内计算器件及阵列结构 |
Family Cites Families (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0760864B2 (ja) | 1984-07-13 | 1995-06-28 | 株式会社日立製作所 | 半導体集積回路装置 |
| JPS6414798A (en) * | 1987-07-09 | 1989-01-18 | Fujitsu Ltd | Non-volatile memory device |
| US5181188A (en) * | 1989-07-07 | 1993-01-19 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor memory device |
| US5331188A (en) * | 1992-02-25 | 1994-07-19 | International Business Machines Corporation | Non-volatile DRAM cell |
| US5592415A (en) * | 1992-07-06 | 1997-01-07 | Hitachi, Ltd. | Non-volatile semiconductor memory |
| JPH11186416A (ja) * | 1997-12-19 | 1999-07-09 | Rohm Co Ltd | 不揮発性半導体記憶装置およびその製造方法 |
| US6114724A (en) * | 1998-03-31 | 2000-09-05 | Cypress Semiconductor Corporation | Nonvolatile semiconductor memory cell with select gate |
| JP3906177B2 (ja) * | 2002-05-10 | 2007-04-18 | 株式会社東芝 | 不揮発性半導体記憶装置 |
| US7209392B2 (en) * | 2004-07-20 | 2007-04-24 | Ememory Technology Inc. | Single poly non-volatile memory |
| KR100795907B1 (ko) * | 2006-09-07 | 2008-01-21 | 삼성전자주식회사 | 이이피롬 소자 및 그 형성 방법 |
| JP5265898B2 (ja) * | 2007-09-25 | 2013-08-14 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置 |
| JP2009194140A (ja) * | 2008-02-14 | 2009-08-27 | Renesas Technology Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
| JP5316532B2 (ja) * | 2008-03-31 | 2013-10-16 | 富士通セミコンダクター株式会社 | 半導体装置 |
| JP2009267185A (ja) * | 2008-04-28 | 2009-11-12 | Sharp Corp | 不揮発性半導体記憶装置 |
| US8674422B2 (en) * | 2012-01-30 | 2014-03-18 | Synopsys, Inc. | Asymmetric dense floating gate nonvolatile memory with decoupled capacitor |
| US9001580B1 (en) * | 2013-12-04 | 2015-04-07 | Synopsys, Inc. | Asymmetric dense floating gate nonvolatile memory with decoupled capacitor |
-
2012
- 2012-11-27 JP JP2012259128A patent/JP6053474B2/ja active Active
-
2013
- 2013-10-31 WO PCT/JP2013/079512 patent/WO2014083997A1/ja active Application Filing
- 2013-10-31 US US14/647,009 patent/US9646979B2/en active Active
- 2013-11-04 TW TW102139904A patent/TWI582909B/zh active
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2014107406A5 (ja) | ||
| JP2012256808A5 (ja) | ||
| JP2012256822A5 (ja) | 半導体装置 | |
| JP2012256821A5 (ja) | ||
| JP2011129893A5 (ja) | ||
| JP2011199274A5 (ja) | ||
| JP2013239713A5 (ja) | ||
| JP2010109342A5 (ja) | ||
| JP2011172217A5 (ja) | ||
| JP2011170951A5 (ja) | ||
| JP2015181159A5 (ja) | ||
| JP2012064930A5 (ja) | 半導体メモリ装置 | |
| TW200943538A (en) | Semiconductor storage device | |
| JP2011192982A5 (ja) | 半導体メモリ装置及び半導体メモリ装置の駆動方法 | |
| IN2012DN05057A (ja) | ||
| JP2012256400A5 (ja) | ||
| JP2010062536A5 (ja) | 薄膜トランジスタ、及び当該薄膜トランジスタを有する表示装置 | |
| JP2012114422A5 (ja) | 半導体装置 | |
| JP2017195395A5 (ja) | ||
| JP2011216878A5 (ja) | 半導体装置 | |
| JP2011119674A5 (ja) | ||
| JP2014522114A5 (ja) | ||
| JP2010272874A5 (ja) | ||
| JP2012256815A5 (ja) | ||
| JP2012015498A5 (ja) |