JP2015533029A5 - - Google Patents
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- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 45
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 44
- 210000002381 Plasma Anatomy 0.000 claims description 31
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 27
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 27
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 27
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 24
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 claims description 13
- 230000001590 oxidative Effects 0.000 claims description 13
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims description 12
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 9
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N Silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 7
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 claims description 6
- LMSLTAIWOIYSGZ-LWMBPPNESA-N (3S,4S)-1,1,2,2,3,4-hexafluorocyclobutane Chemical compound F[C@H]1[C@H](F)C(F)(F)C1(F)F LMSLTAIWOIYSGZ-LWMBPPNESA-N 0.000 claims description 4
- NLOLSXYRJFEOTA-OWOJBTEDSA-N (E)-1,1,1,4,4,4-hexafluorobut-2-ene Chemical compound FC(F)(F)\C=C\C(F)(F)F NLOLSXYRJFEOTA-OWOJBTEDSA-N 0.000 claims description 4
- NLOLSXYRJFEOTA-UPHRSURJSA-N (Z)-1,1,1,4,4,4-hexafluorobut-2-ene Chemical compound FC(F)(F)\C=C/C(F)(F)F NLOLSXYRJFEOTA-UPHRSURJSA-N 0.000 claims description 4
- CCVRBOAAPJPHKL-UHFFFAOYSA-N 1,1,2,2,3-pentafluorocyclobutane Chemical compound FC1CC(F)(F)C1(F)F CCVRBOAAPJPHKL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- QMIWYOZFFSLIAK-UHFFFAOYSA-N 3,3,3-trifluoro-2-(trifluoromethyl)prop-1-ene Chemical compound FC(F)(F)C(=C)C(F)(F)F QMIWYOZFFSLIAK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910003481 amorphous carbon Inorganic materials 0.000 claims description 4
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 4
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 4
- LMSLTAIWOIYSGZ-XIXRPRMCSA-N (3S,4R)-1,1,2,2,3,4-hexafluorocyclobutane Chemical compound F[C@H]1[C@@H](F)C(F)(F)C1(F)F LMSLTAIWOIYSGZ-XIXRPRMCSA-N 0.000 claims description 3
- AKQMZZOTFNLAQJ-UHFFFAOYSA-N 1,1,2,2-tetrafluorocyclobutane Chemical compound FC1(F)CCC1(F)F AKQMZZOTFNLAQJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 claims description 3
- 230000003213 activating Effects 0.000 claims description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 125000004432 carbon atoms Chemical group C* 0.000 claims description 2
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052743 krypton Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052754 neon Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 125000004433 nitrogen atoms Chemical group N* 0.000 claims description 2
- 125000004430 oxygen atoms Chemical group O* 0.000 claims description 2
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims 4
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 claims 4
- 239000010408 film Substances 0.000 claims 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims 2
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N oxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 101710038810 CS2 Proteins 0.000 claims 1
- 101710041798 cys-12 Proteins 0.000 claims 1
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- 238000005033 Fourier transform infrared spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 229910004541 SiN Inorganic materials 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N Silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 150000003254 radicals Chemical class 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Inorganic materials [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Description
＜概要＞
ケイ素含有薄膜をエッチングする方法を開示する。エッチングガスを、基板上にケイ素含有薄膜を有するプラズマ反応チャンバ内に導入する。エッチングガスは、ｔｒａｎｓ−
１，１，１，４，４，４−ヘキサフルオロ−２−ブテン；ｃｉｓ−１，１，１，４，４，４−ヘキサフルオロ−２−ブテン；ヘキサフルオロイソブテン；ｔｒａｎｓ−１，１，２，２，３，４−ヘキサフルオロシクロブタン；１，１，２，２，３−ペンタフルオロシクロブタン；１，１，２，２−テトラフルオロシクロブタン；又はｃｉｓ−１，１，２，２，３，４−ヘキサフルオロシクロブタンである。不活性ガスをプラズマ反応チャンバ内に導入する。プラズマが活性化して、基板からケイ素含有薄膜を選択的にエッチングすることができる活性化エッチングガスを発生させる。本開示の方法は、以下の態様の１つ又は複数を含み得る。
・エッチングガスがｔｒａｎｓ−１，１，１，４，４，４−ヘキサフルオロ−２−ブテンである、
・エッチングガスがｃｉｓ−１，１，１，４，４，４−ヘキサフルオロ−２−ブテンである、
・エッチングガスがヘキサフルオロイソブテンである、
・エッチングガスがｔｒａｎｓ−１，１，２，２，３，４−ヘキサフルオロシクロブタンである、
・エッチングガスが１，１，２，２，３−ペンタフルオロシクロブタンである、
・エッチングガスが１，１，２，２−テトラフルオロシクロブタンである、
・エッチングガスがｃｉｓ−１，１，２，２，３，４−ヘキサフルオロシクロブタンである、
・活性化エッチングガスがケイ素含有薄膜と選択的に反応して揮発性副産物を形成させる、
・プラズマ反応チャンバから揮発性副産物を除去すること、
・不活性ガスがＨｅ、Ａｒ、Ｘｅ、Ｋｒ及びＮｅよりなる群から選択される、
・不活性ガスがＡｒである、
・プラズマ反応チャンバに導入する前にエッチングガスと不活性ガスとを混合して、混合物を生成すること、
・不活性ガスとは別にプラズマ反応チャンバ内にエッチングガスを導入すること、
・プラズマ反応チャンバ内に連続的に不活性ガスを導入すること、及びプラズマ反応チャンバ内に断続的に（in pulses）エッチングガスを導入すること、
・不活性ガスが、プラズマ反応チャンバ内に導入されるエッチングガスと不活性ガスとの全体積のおよそ５０％ｖ／ｖ〜およそ９５％ｖ／ｖを構成する、
・プラズマ反応チャンバ内に酸化剤を導入すること、
・プラズマ反応チャンバ内に酸化剤を導入しないこと、
・酸化剤が、Ｏ２、ＣＯ、ＣＯ２、ＮＯ、Ｎ２Ｏ及びＮＯ２よりなる群から選択される、・酸化剤がＯ２である、
・プラズマ反応チャンバ内への導入前に、エッチングガスと酸化剤とを混合すること、
・酸化剤とは別にプラズマ反応チャンバ内にエッチングガスを導入すること、
・プラズマ反応チャンバ内に連続的に酸化剤を導入すること、及びプラズマ反応チャンバ内に断続的にエッチングガスを導入すること、
・酸化剤が、プラズマ反応チャンバ内に導入されるエッチングガスと酸化剤との全体積のおよそ５％ｖ／ｖ〜およそ１００％ｖ／ｖを構成する、
・ケイ素含有薄膜が、酸化ケイ素、窒化ケイ素、ポリシリコン、又はそれらの組合せの層を含む、
・ケイ素含有薄膜が、酸素原子、窒素原子、炭素原子、又はそれらの組合せを含む、
・ケイ素含有薄膜が炭化ケイ素を含まない、
・ケイ素含有薄膜がアモルファスカーボン層から選択的にエッチングされる、
・ケイ素含有薄膜がフォトレジスト層から選択的にエッチングされる、
・ケイ素含有薄膜がポリシリコン層から選択的にエッチングされる、
・ケイ素含有薄膜が金属コンタクト層から選択的にエッチングされる、
・ケイ素含有薄膜が酸化ケイ素層である、
・酸化ケイ素層が多孔質ＳｉＣＯＨ薄膜である、
・アモルファスカーボン層から酸化ケイ素層を選択的にエッチングすること、
・フォトレジスト層から酸化ケイ素層を選択的にエッチングすること、
・ポリシリコン層から酸化ケイ素層を選択的にエッチングすること、
・金属コンタクト層から酸化ケイ素層を選択的にエッチングすること、
・ＳｉＮ層からから酸化ケイ素層を選択的にエッチングすること、
・ケイ素含有薄膜が窒化ケイ素層である、
・アモルファスカーボン層から窒化ケイ素層を選択的にエッチングすること、
・パターン化されたフォトレジスト層から窒化ケイ素層を選択的にエッチングすること、・ポリシリコン層から窒化ケイ素層を選択的にエッチングすること、
・金属コンタクト層から窒化ケイ素層を選択的にエッチングすること、
・ＳｉＯ層から窒化ケイ素層を選択的にエッチングすること、
・シリコン層から酸化ケイ素及び窒化ケイ素の両方を選択的にエッチングすること、
・ケイ素含有薄膜に、およそ１０：１〜およそ１００：１のアスペクト比を有する開口部を作製すること、
・ゲートトレンチを作製すること、
・ステアケースコンタクトを作製すること、
・チャンネルホールを作製すること、
・およそ６０：１〜およそ１００：１のアスペクト比を有するチャンネルホールを作製すること、
・およそ４０ｎｍ〜およそ５０ｎｍの範囲をとる直径を有するチャンネルホールを作製すること、
・プラズマ反応チャンバ内に第２のガスを導入することによって選択性を改良すること、・第２のガスが、ｃＣ４Ｆ８、Ｃ４Ｆ６、ＣＦ４、ＣＨＦ３、ＣＦＨ ３ 、ＣＨ２Ｆ２、ＣＯＳ、ＣＳ２、ＣＦ３Ｉ、Ｃ２Ｆ３Ｉ、Ｃ２Ｆ５Ｉ及びＳＯ２よりなる群から選択される、
・第２のガスがｃＣ５Ｆ８である、
・第２のガスがｃＣ４Ｆ８である、
・第２のガスがＣ４Ｆ６である、
・プラズマ反応チャンバへの導入前に、エッチングガスと第２のガスとを混合すること、・第２のガスとは別にプラズマ反応チャンバ内にエッチングガスを導入すること、
・チャンバ内に、およそ１％ｖ／ｖ〜およそ９９．９％ｖ／ｖの第２のガスを導入すること、
・およそ２５Ｗ〜およそ１００００Ｗの範囲をとるＲＦ電力によってプラズマを活性化させること、
・プラズマ反応チャンバが、およそ１ｍＴｏｒｒ〜およそ１０Ｔｏｒｒの範囲をとる圧力を有する、
・およそ５ｓｃｃｍ〜およそ１ｓｌｍの範囲をとる流量で、プラズマ反応チャンバにエッチングガスを導入すること、
・およそ−１９６℃〜およそ５００℃の範囲をとる温度で基板を維持すること、
・およそ−１２０℃〜およそ３００℃の範囲をとる温度で基板を維持すること、
・およそ−１０℃〜およそ４０℃の範囲をとる温度で基板を維持すること、
・四重極型質量分析計、発光分光分析装置、ＦＴＩＲ、又は他のラジカル／イオン測定器によって活性化エッチングガスを測定すること、
・ＲＦ電力を印加することによってプラズマを発生させること。
ケイ素含有薄膜をエッチングする方法を開示する。エッチングガスを、基板上にケイ素含有薄膜を有するプラズマ反応チャンバ内に導入する。エッチングガスは、ｔｒａｎｓ−
１，１，１，４，４，４−ヘキサフルオロ−２−ブテン；ｃｉｓ−１，１，１，４，４，４−ヘキサフルオロ−２−ブテン；ヘキサフルオロイソブテン；ｔｒａｎｓ−１，１，２，２，３，４−ヘキサフルオロシクロブタン；１，１，２，２，３−ペンタフルオロシクロブタン；１，１，２，２−テトラフルオロシクロブタン；又はｃｉｓ−１，１，２，２，３，４−ヘキサフルオロシクロブタンである。不活性ガスをプラズマ反応チャンバ内に導入する。プラズマが活性化して、基板からケイ素含有薄膜を選択的にエッチングすることができる活性化エッチングガスを発生させる。本開示の方法は、以下の態様の１つ又は複数を含み得る。
・エッチングガスがｔｒａｎｓ−１，１，１，４，４，４−ヘキサフルオロ−２−ブテンである、
・エッチングガスがｃｉｓ−１，１，１，４，４，４−ヘキサフルオロ−２−ブテンである、
・エッチングガスがヘキサフルオロイソブテンである、
・エッチングガスがｔｒａｎｓ−１，１，２，２，３，４−ヘキサフルオロシクロブタンである、
・エッチングガスが１，１，２，２，３−ペンタフルオロシクロブタンである、
・エッチングガスが１，１，２，２−テトラフルオロシクロブタンである、
・エッチングガスがｃｉｓ−１，１，２，２，３，４−ヘキサフルオロシクロブタンである、
・活性化エッチングガスがケイ素含有薄膜と選択的に反応して揮発性副産物を形成させる、
・プラズマ反応チャンバから揮発性副産物を除去すること、
・不活性ガスがＨｅ、Ａｒ、Ｘｅ、Ｋｒ及びＮｅよりなる群から選択される、
・不活性ガスがＡｒである、
・プラズマ反応チャンバに導入する前にエッチングガスと不活性ガスとを混合して、混合物を生成すること、
・不活性ガスとは別にプラズマ反応チャンバ内にエッチングガスを導入すること、
・プラズマ反応チャンバ内に連続的に不活性ガスを導入すること、及びプラズマ反応チャンバ内に断続的に（in pulses）エッチングガスを導入すること、
・不活性ガスが、プラズマ反応チャンバ内に導入されるエッチングガスと不活性ガスとの全体積のおよそ５０％ｖ／ｖ〜およそ９５％ｖ／ｖを構成する、
・プラズマ反応チャンバ内に酸化剤を導入すること、
・プラズマ反応チャンバ内に酸化剤を導入しないこと、
・酸化剤が、Ｏ２、ＣＯ、ＣＯ２、ＮＯ、Ｎ２Ｏ及びＮＯ２よりなる群から選択される、・酸化剤がＯ２である、
・プラズマ反応チャンバ内への導入前に、エッチングガスと酸化剤とを混合すること、
・酸化剤とは別にプラズマ反応チャンバ内にエッチングガスを導入すること、
・プラズマ反応チャンバ内に連続的に酸化剤を導入すること、及びプラズマ反応チャンバ内に断続的にエッチングガスを導入すること、
・酸化剤が、プラズマ反応チャンバ内に導入されるエッチングガスと酸化剤との全体積のおよそ５％ｖ／ｖ〜およそ１００％ｖ／ｖを構成する、
・ケイ素含有薄膜が、酸化ケイ素、窒化ケイ素、ポリシリコン、又はそれらの組合せの層を含む、
・ケイ素含有薄膜が、酸素原子、窒素原子、炭素原子、又はそれらの組合せを含む、
・ケイ素含有薄膜が炭化ケイ素を含まない、
・ケイ素含有薄膜がアモルファスカーボン層から選択的にエッチングされる、
・ケイ素含有薄膜がフォトレジスト層から選択的にエッチングされる、
・ケイ素含有薄膜がポリシリコン層から選択的にエッチングされる、
・ケイ素含有薄膜が金属コンタクト層から選択的にエッチングされる、
・ケイ素含有薄膜が酸化ケイ素層である、
・酸化ケイ素層が多孔質ＳｉＣＯＨ薄膜である、
・アモルファスカーボン層から酸化ケイ素層を選択的にエッチングすること、
・フォトレジスト層から酸化ケイ素層を選択的にエッチングすること、
・ポリシリコン層から酸化ケイ素層を選択的にエッチングすること、
・金属コンタクト層から酸化ケイ素層を選択的にエッチングすること、
・ＳｉＮ層からから酸化ケイ素層を選択的にエッチングすること、
・ケイ素含有薄膜が窒化ケイ素層である、
・アモルファスカーボン層から窒化ケイ素層を選択的にエッチングすること、
・パターン化されたフォトレジスト層から窒化ケイ素層を選択的にエッチングすること、・ポリシリコン層から窒化ケイ素層を選択的にエッチングすること、
・金属コンタクト層から窒化ケイ素層を選択的にエッチングすること、
・ＳｉＯ層から窒化ケイ素層を選択的にエッチングすること、
・シリコン層から酸化ケイ素及び窒化ケイ素の両方を選択的にエッチングすること、
・ケイ素含有薄膜に、およそ１０：１〜およそ１００：１のアスペクト比を有する開口部を作製すること、
・ゲートトレンチを作製すること、
・ステアケースコンタクトを作製すること、
・チャンネルホールを作製すること、
・およそ６０：１〜およそ１００：１のアスペクト比を有するチャンネルホールを作製すること、
・およそ４０ｎｍ〜およそ５０ｎｍの範囲をとる直径を有するチャンネルホールを作製すること、
・プラズマ反応チャンバ内に第２のガスを導入することによって選択性を改良すること、・第２のガスが、ｃＣ４Ｆ８、Ｃ４Ｆ６、ＣＦ４、ＣＨＦ３、ＣＦＨ ３ 、ＣＨ２Ｆ２、ＣＯＳ、ＣＳ２、ＣＦ３Ｉ、Ｃ２Ｆ３Ｉ、Ｃ２Ｆ５Ｉ及びＳＯ２よりなる群から選択される、
・第２のガスがｃＣ５Ｆ８である、
・第２のガスがｃＣ４Ｆ８である、
・第２のガスがＣ４Ｆ６である、
・プラズマ反応チャンバへの導入前に、エッチングガスと第２のガスとを混合すること、・第２のガスとは別にプラズマ反応チャンバ内にエッチングガスを導入すること、
・チャンバ内に、およそ１％ｖ／ｖ〜およそ９９．９％ｖ／ｖの第２のガスを導入すること、
・およそ２５Ｗ〜およそ１００００Ｗの範囲をとるＲＦ電力によってプラズマを活性化させること、
・プラズマ反応チャンバが、およそ１ｍＴｏｒｒ〜およそ１０Ｔｏｒｒの範囲をとる圧力を有する、
・およそ５ｓｃｃｍ〜およそ１ｓｌｍの範囲をとる流量で、プラズマ反応チャンバにエッチングガスを導入すること、
・およそ−１９６℃〜およそ５００℃の範囲をとる温度で基板を維持すること、
・およそ−１２０℃〜およそ３００℃の範囲をとる温度で基板を維持すること、
・およそ−１０℃〜およそ４０℃の範囲をとる温度で基板を維持すること、
・四重極型質量分析計、発光分光分析装置、ＦＴＩＲ、又は他のラジカル／イオン測定器によって活性化エッチングガスを測定すること、
・ＲＦ電力を印加することによってプラズマを発生させること。
エッチングガスを混合させ得る他の例示的なガスとしては、ｃＣ４Ｆ８、Ｃ４Ｆ６、ＣＦ４、ＣＨＦ３、ＣＦＨ ３ 、ＣＨ２Ｆ２、ＣＯＳ、ＣＳ２、ＣＦ３Ｉ、Ｃ２Ｆ３Ｉ、Ｃ２Ｆ５Ｉ及びＳＯ２等の付加的なエッチングガスが挙げられる。エッチングガス及び付加的なガスの蒸気を、プラズマ反応チャンバへの導入前に混合してもよい。付加的なエッチングガスは、チャンバ内に導入される混合物のおよそ１％ｖ／ｖ〜およそ９９．９％ｖ／ｖを構成することができる。
Claims (17)
- ケイ素含有薄膜をエッチングする方法であって、
基板上にケイ素含有薄膜を有するプラズマ反応チャンバ内に、ｔｒａｎｓ−１，１，１，４，４，４−ヘキサフルオロ−２−ブテン、ｃｉｓ−１，１，１，４，４，４−ヘキサフルオロ−２−ブテン、ヘキサフルオロイソブテン、ｔｒａｎｓ−１，１，２，２，３，４−ヘキサフルオロシクロブタン、１，１，２，２，３−ペンタフルオロシクロブタン、１，１，２，２−テトラフルオロシクロブタン、及びｃｉｓ−１，１，２，２，３，４−ヘキサフルオロシクロブタンよりなる群から選択されるエッチングガスを導入することと、
前記プラズマ反応チャンバ内に不活性ガスを導入することと、
前記基板から前記ケイ素含有薄膜を選択的にエッチングすることができる活性化エッチングガスを発生させる、プラズマを活性化させることと、
を含む、ケイ素含有薄膜をエッチングする方法。 - 前記活性化エッチングガスが前記ケイ素含有薄膜と選択的に反応して形成される揮発性副産物を前記チャンバから除去することを更に含む、請求項１に記載の方法。
- 前記不活性ガスが、Ｈｅ、Ａｒ、Ｘｅ、Ｋｒ及びＮｅよりなる群から選択される、請求項１または請求項２に記載の方法。
- 前記不活性ガスが、前記プラズマ反応チャンバ内に導入されるエッチングガスと不活性ガスとの全体積のおよそ５０％ｖ／ｖ〜およそ９５％ｖ／ｖを構成する、請求項１または請求項２に記載の方法。
- 前記プラズマ反応チャンバ内に酸化剤を導入することを更に含む、請求項１または請求項２に記載の方法。
- 前記酸化剤が、Ｏ２、ＣＯ、ＣＯ２、ＮＯ、Ｎ２Ｏ及びＮＯ２よりなる群から選択される、請求項５に記載の方法。
- 前記酸化剤が、前記プラズマ反応チャンバ内に導入されるエッチングガスと酸化剤との全体積のおよそ５％ｖ／ｖ〜およそ１００％ｖ／ｖを構成する、請求項５に記載の方法。
- 前記ケイ素含有薄膜が、酸化ケイ素、窒化ケイ素、ポリシリコン、またはそれらの組合せの層を含む、請求項１または請求項２に記載の方法。
- 前記ケイ素含有薄膜が、酸素原子、窒素原子、炭素原子、又はそれらの組合せを更に含む、請求項８に記載の方法。
- 前記ケイ素含有薄膜がアモルファスカーボン層から選択的にエッチングされる、請求項８に記載の方法。
- 前記ケイ素含有薄膜がフォトレジスト層から選択的にエッチングされる、請求項８に記載の方法。
- 前記ケイ素含有薄膜がポリシリコン層から選択的にエッチングされる、請求項８に記載の方法。
- 前記ケイ素含有薄膜が金属コンタクト層から選択的にエッチングされる、請求項８に記載の方法。
- 前記ケイ素含有薄膜におよそ１０：１〜およそ１００：１のアスペクト比を有する開口部を作製する、請求項１または請求項２に記載の方法。
- 前記プラズマ反応チャンバ内に、ｃＣ４Ｆ８、Ｃ４Ｆ６、ＣＦ４、ＣＨＦ３、ＣＦＨ ３ 、ＣＨ２Ｆ２、ＣＯＳ、ＣＳ２、ＣＦ３Ｉ、Ｃ２Ｆ３Ｉ、Ｃ２Ｆ５Ｉ及びＳＯ２よりなる群から選択される第２のガスを導入することによって選択性を改良することを更に含む、請求項１または請求項２に記載の方法。
- ｔｒａｎｓ−１，１，１，４，４，４−ヘキサフルオロ−２−ブテン、ｃｉｓ−１，１，１，４，４，４−ヘキサフルオロ−２−ブテン、ヘキサフルオロイソブテン、ｔｒａｎｓ−１，１，２，２，３，４−ヘキサフルオロシクロブタン、１，１，２，２，３−ペンタフルオロシクロブタン、１，１，２，２−テトラフルオロシクロブタン、及びｃｉｓ−１，１，２，２，３，４−ヘキサフルオロシクロブタンよりなる群から選択される、プラズマエッチング化合物であって、少なくとも９９．９体積％の純度、及び０．１体積％未満の微量のガス不純物を有し、該微量のガス状不純物中に含まれる窒素含有ガスと酸素含有ガスとの総含有率が１５０体積ｐｐｍ未満である、プラズマエッチング化合物。
- 前記酸素含有ガスが水であり、前記プラズマエッチング化合物が２０重量ｐｐｍ未満の含水量を有する、請求項１６に記載のプラズマエッチング化合物。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US201261720139P | 2012-10-30 | 2012-10-30 | |
| US61/720,139 | 2012-10-30 | ||
| PCT/US2013/067415 WO2014070838A1 (en) | 2012-10-30 | 2013-10-30 | Fluorocarbon molecules for high aspect ratio oxide etch |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2017233163A Division JP6527214B2 (ja) | 2012-10-30 | 2017-12-05 | エッチング耐性ポリマー層を堆積させる方法及びパターンエッチング構造の製造方法 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2015533029A JP2015533029A (ja) | 2015-11-16 |
| JP2015533029A5 true JP2015533029A5 (ja) | 2016-11-17 |
| JP6257638B2 JP6257638B2 (ja) | 2018-01-10 |
Family
ID=50628017
Family Applications (3)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2015539935A Active JP6257638B2 (ja) | 2012-10-30 | 2013-10-30 | 高アスペクト比酸化物エッチング用のフルオロカーボン分子 |
| JP2017233163A Active JP6527214B2 (ja) | 2012-10-30 | 2017-12-05 | エッチング耐性ポリマー層を堆積させる方法及びパターンエッチング構造の製造方法 |
| JP2019088964A Active JP6811284B2 (ja) | 2012-10-30 | 2019-05-09 | ３ｄ ｎａｎｄフラッシュメモリの製造方法 |
Family Applications After (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2017233163A Active JP6527214B2 (ja) | 2012-10-30 | 2017-12-05 | エッチング耐性ポリマー層を堆積させる方法及びパターンエッチング構造の製造方法 |
| JP2019088964A Active JP6811284B2 (ja) | 2012-10-30 | 2019-05-09 | ３ｄ ｎａｎｄフラッシュメモリの製造方法 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (3) | US9514959B2 (ja) |
| JP (3) | JP6257638B2 (ja) |
| KR (3) | KR102048959B1 (ja) |
| CN (2) | CN104885203B (ja) |
| SG (3) | SG11201503321XA (ja) |
| TW (2) | TWI588240B (ja) |
| WO (1) | WO2014070838A1 (ja) |
Families Citing this family (60)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8501631B2 (en) | 2009-11-19 | 2013-08-06 | Lam Research Corporation | Plasma processing system control based on RF voltage |
| US9171699B2 (en) | 2012-02-22 | 2015-10-27 | Lam Research Corporation | Impedance-based adjustment of power and frequency |
| US9390893B2 (en) | 2012-02-22 | 2016-07-12 | Lam Research Corporation | Sub-pulsing during a state |
| US9462672B2 (en) | 2012-02-22 | 2016-10-04 | Lam Research Corporation | Adjustment of power and frequency based on three or more states |
| US10325759B2 (en) | 2012-02-22 | 2019-06-18 | Lam Research Corporation | Multiple control modes |
| US10128090B2 (en) | 2012-02-22 | 2018-11-13 | Lam Research Corporation | RF impedance model based fault detection |
| US9368329B2 (en) | 2012-02-22 | 2016-06-14 | Lam Research Corporation | Methods and apparatus for synchronizing RF pulses in a plasma processing system |
| US9320126B2 (en) | 2012-12-17 | 2016-04-19 | Lam Research Corporation | Determining a value of a variable on an RF transmission model |
| US9114666B2 (en) | 2012-02-22 | 2015-08-25 | Lam Research Corporation | Methods and apparatus for controlling plasma in a plasma processing system |
| US9842725B2 (en) | 2013-01-31 | 2017-12-12 | Lam Research Corporation | Using modeling to determine ion energy associated with a plasma system |
| US9197196B2 (en) | 2012-02-22 | 2015-11-24 | Lam Research Corporation | State-based adjustment of power and frequency |
| US9502216B2 (en) | 2013-01-31 | 2016-11-22 | Lam Research Corporation | Using modeling to determine wafer bias associated with a plasma system |
| US10157729B2 (en) | 2012-02-22 | 2018-12-18 | Lam Research Corporation | Soft pulsing |
| US9295148B2 (en) | 2012-12-14 | 2016-03-22 | Lam Research Corporation | Computation of statistics for statistical data decimation |
| US9155182B2 (en) | 2013-01-11 | 2015-10-06 | Lam Research Corporation | Tuning a parameter associated with plasma impedance |
| US9620337B2 (en) | 2013-01-31 | 2017-04-11 | Lam Research Corporation | Determining a malfunctioning device in a plasma system |
| US9779196B2 (en) | 2013-01-31 | 2017-10-03 | Lam Research Corporation | Segmenting a model within a plasma system |
| US9502221B2 (en) | 2013-07-26 | 2016-11-22 | Lam Research Corporation | Etch rate modeling and use thereof with multiple parameters for in-chamber and chamber-to-chamber matching |
| US9594105B2 (en) | 2014-01-10 | 2017-03-14 | Lam Research Corporation | Cable power loss determination for virtual metrology |
| JP2015170763A (ja) * | 2014-03-07 | 2015-09-28 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| WO2015156272A1 (ja) * | 2014-04-08 | 2015-10-15 | 二プロ株式会社 | 医療用弁 |
| US10950421B2 (en) | 2014-04-21 | 2021-03-16 | Lam Research Corporation | Using modeling for identifying a location of a fault in an RF transmission system for a plasma system |
| JP6360770B2 (ja) * | 2014-06-02 | 2018-07-18 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置 |
| TWI658509B (zh) | 2014-06-18 | 2019-05-01 | L'air Liquide, Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude | 用於ｔｓｖ／ｍｅｍｓ／功率元件蝕刻的化學物質 |
| KR102333443B1 (ko) * | 2014-10-24 | 2021-12-02 | 삼성전자주식회사 | 반도체 소자의 제조 방법 |
| US9536749B2 (en) | 2014-12-15 | 2017-01-03 | Lam Research Corporation | Ion energy control by RF pulse shape |
| SG11201705639VA (en) | 2015-01-22 | 2017-08-30 | Zeon Corp | Plasma etching method |
| WO2016167892A1 (en) | 2015-04-13 | 2016-10-20 | Honeywell International Inc. | Polysiloxane formulations and coatings for optoelectronic applications |
| US9728421B2 (en) * | 2015-12-31 | 2017-08-08 | International Business Machines Corporation | High aspect ratio patterning of hard mask materials by organic soft masks |
| JP6861802B2 (ja) * | 2016-09-14 | 2021-04-21 | マトソン テクノロジー インコーポレイテッドＭａｔｔｓｏｎ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ， Ｉｎｃ． | 高アスペクト比構造のためのストリッププロセス |
| KR102535484B1 (ko) * | 2016-11-29 | 2023-05-22 | 램 리써치 코포레이션 | 유기 층 에칭시 수직 프로파일들을 생성하기 위한 방법 |
| WO2018106955A1 (en) * | 2016-12-09 | 2018-06-14 | Asm Ip Holding B.V. | Thermal atomic layer etching processes |
| US10283319B2 (en) | 2016-12-22 | 2019-05-07 | Asm Ip Holding B.V. | Atomic layer etching processes |
| US10607850B2 (en) * | 2016-12-30 | 2020-03-31 | American Air Liquide, Inc. | Iodine-containing compounds for etching semiconductor structures |
| WO2018186364A1 (ja) * | 2017-04-06 | 2018-10-11 | 関東電化工業株式会社 | ドライエッチングガス組成物及びドライエッチング方法 |
| JP6896522B2 (ja) | 2017-06-27 | 2021-06-30 | レール・リキード−ソシエテ・アノニム・プール・レテュード・エ・レクスプロワタシオン・デ・プロセデ・ジョルジュ・クロード | エッチング方法およびプラズマエッチング用材料 |
| US11075084B2 (en) | 2017-08-31 | 2021-07-27 | L'Air Liquide, Société Anonyme pour l'Etude et l'Exploitation des Procédés Georges Claude | Chemistries for etching multi-stacked layers |
| US10410878B2 (en) * | 2017-10-31 | 2019-09-10 | American Air Liquide, Inc. | Hydrofluorocarbons containing —NH2 functional group for 3D NAND and DRAM applications |
| JP7030648B2 (ja) * | 2018-08-09 | 2022-03-07 | キオクシア株式会社 | 半導体装置の製造方法およびエッチングガス |
| JP7173799B2 (ja) * | 2018-09-11 | 2022-11-16 | キオクシア株式会社 | 半導体装置の製造方法およびエッチングガス |
| JP6666601B2 (ja) * | 2018-11-22 | 2020-03-18 | 東京エレクトロン株式会社 | 多孔質膜をエッチングする方法 |
| JP6874778B2 (ja) * | 2019-01-09 | 2021-05-19 | ダイキン工業株式会社 | シクロブタンの製造方法 |
| JP7206501B2 (ja) * | 2019-03-27 | 2023-01-18 | ダイキン工業株式会社 | ハロゲン化シクロアルカン化合物の製造方法 |
| JP7437580B2 (ja) * | 2019-06-21 | 2024-02-26 | ヒタチ・エナジー・リミテッド | 誘電絶縁または消弧流体 |
| US11688650B2 (en) * | 2019-07-05 | 2023-06-27 | Tokyo Electron Limited | Etching method and substrate processing apparatus |
| JP7493378B2 (ja) * | 2019-07-05 | 2024-05-31 | 東京エレクトロン株式会社 | エッチング処理方法及び基板処理装置 |
| JP2021019201A (ja) | 2019-07-18 | 2021-02-15 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． | 半導体処理システム用シャワーヘッドデバイス |
| US11574813B2 (en) | 2019-12-10 | 2023-02-07 | Asm Ip Holding B.V. | Atomic layer etching |
| CN113035706A (zh) * | 2019-12-25 | 2021-06-25 | 中微半导体设备(上海)股份有限公司 | 一种等离子体刻蚀方法和刻蚀装置 |
| KR102461689B1 (ko) * | 2020-05-04 | 2022-10-31 | 아주대학교산학협력단 | 펜타플루오로프로판올(pentafluoropropanol)을 이용한 플라즈마 식각 방법 |
| KR102244862B1 (ko) * | 2020-08-04 | 2021-04-27 | (주)원익머트리얼즈 | 식각 가스 혼합물과 이를 이용한 패턴 형성 방법 |
| IL302117A (en) * | 2020-10-15 | 2023-06-01 | Resonac Corp | Container filled with gas and method of storage (E)-1,1,1,4,4,4-HEXAFLUORO-2-BUTENE |
| JPWO2022080271A1 (ja) * | 2020-10-15 | 2022-04-21 | ||
| WO2022080268A1 (ja) * | 2020-10-15 | 2022-04-21 | 昭和電工株式会社 | エッチングガス、エッチング方法、及び半導体素子の製造方法 |
| WO2022080267A1 (ja) * | 2020-10-15 | 2022-04-21 | 昭和電工株式会社 | エッチングガス、エッチング方法、及び半導体素子の製造方法 |
| US12106971B2 (en) * | 2020-12-28 | 2024-10-01 | American Air Liquide, Inc. | High conductive passivation layers and method of forming the same during high aspect ratio plasma etching |
| KR102244885B1 (ko) * | 2021-02-03 | 2021-04-27 | (주)원익머트리얼즈 | 높은 선택비를 갖는 식각 가스 조성물과 이를 이용한 반도체 메모리 소자의 제조 공정 |
| KR20220133019A (ko) * | 2021-03-24 | 2022-10-04 | 삼성전자주식회사 | 식각 가스 조성물, 이를 이용한 미세 패턴 형성 방법 및 수직형 반도체 장치의 제조 방법 |
| CN114566431A (zh) * | 2022-02-21 | 2022-05-31 | 中船(邯郸)派瑞特种气体股份有限公司 | 一种低损伤刻蚀多孔有机硅酸盐材料的方法 |
| US20240096640A1 (en) * | 2022-09-20 | 2024-03-21 | Tokyo Electron Limited | High Aspect Ratio Contact (HARC) Etch |
Family Cites Families (48)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4711698A (en) * | 1985-07-15 | 1987-12-08 | Texas Instruments Incorporated | Silicon oxide thin film etching process |
| JP2570726B2 (ja) * | 1987-03-05 | 1997-01-16 | ミノルタ株式会社 | 摩擦帯電部材 |
| JP3253215B2 (ja) * | 1993-03-31 | 2002-02-04 | 東京エレクトロン株式会社 | エッチング方法及びエッチング装置 |
| JPH06329826A (ja) * | 1993-05-17 | 1994-11-29 | Daikin Ind Ltd | フルオロシクロブタン化合物からなる発泡剤 |
| US5935877A (en) | 1995-09-01 | 1999-08-10 | Applied Materials, Inc. | Etch process for forming contacts over titanium silicide |
| EP0948033B1 (en) * | 1996-10-30 | 2006-10-18 | Japan as represented by Director-General, Agency of Industrial Science and Technology | Gas composition for dry etching and process of dry etching |
| US6051504A (en) * | 1997-08-15 | 2000-04-18 | International Business Machines Corporation | Anisotropic and selective nitride etch process for high aspect ratio features in high density plasma |
| US6183655B1 (en) * | 1997-09-19 | 2001-02-06 | Applied Materials, Inc. | Tunable process for selectively etching oxide using fluoropropylene and a hydrofluorocarbon |
| US6228775B1 (en) * | 1998-02-24 | 2001-05-08 | Micron Technology, Inc. | Plasma etching method using low ionization potential gas |
| US6387287B1 (en) | 1998-03-27 | 2002-05-14 | Applied Materials, Inc. | Process for etching oxide using a hexafluorobutadiene and manifesting a wide process window |
| US6412984B2 (en) * | 1998-05-14 | 2002-07-02 | Nsk Ltd. | Dynamic pressure bearing apparatus |
| US6451703B1 (en) | 2000-03-10 | 2002-09-17 | Applied Materials, Inc. | Magnetically enhanced plasma etch process using a heavy fluorocarbon etching gas |
| JP4432230B2 (ja) * | 2000-07-27 | 2010-03-17 | 日本ゼオン株式会社 | フッ素化炭化水素の精製方法、溶剤、潤滑性重合体含有液および潤滑性重合体膜を有する物品 |
| US6569774B1 (en) | 2000-08-31 | 2003-05-27 | Micron Technology, Inc. | Method to eliminate striations and surface roughness caused by dry etch |
| US6972265B1 (en) | 2002-04-15 | 2005-12-06 | Silicon Magnetic Systems | Metal etch process selective to metallic insulating materials |
| US6897532B1 (en) | 2002-04-15 | 2005-05-24 | Cypress Semiconductor Corp. | Magnetic tunneling junction configuration and a method for making the same |
| US20050014383A1 (en) | 2003-07-15 | 2005-01-20 | Bing Ji | Use of hypofluorites, fluoroperoxides, and/or fluorotrioxides as oxidizing agent in fluorocarbon etch plasmas |
| US6972258B2 (en) * | 2003-08-04 | 2005-12-06 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Method for selectively controlling damascene CD bias |
| JP4629421B2 (ja) * | 2004-12-06 | 2011-02-09 | パナソニック株式会社 | ドライエッチング方法及びドライエッチング装置 |
| CA2591130A1 (en) | 2004-12-21 | 2006-06-29 | Honeywell International Inc. | Stabilized iodocarbon compositions |
| US9175201B2 (en) | 2004-12-21 | 2015-11-03 | Honeywell International Inc. | Stabilized iodocarbon compositions |
| JP4691702B2 (ja) * | 2005-02-16 | 2011-06-01 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | トランス−１，１，２，２，３，４−ヘキサフルオロシクロブタンの製造方法 |
| US20060243944A1 (en) | 2005-03-04 | 2006-11-02 | Minor Barbara H | Compositions comprising a fluoroolefin |
| JP5131436B2 (ja) * | 2007-05-31 | 2013-01-30 | 日本ゼオン株式会社 | エッチング方法 |
| WO2008154612A1 (en) | 2007-06-12 | 2008-12-18 | E.I. Du Pont De Nemours And Company | Azeotropic and azeotrope-like compositions of e-1,1,1,4,4,4-hexafluoro-2-butene |
| WO2009019219A2 (en) | 2007-08-03 | 2009-02-12 | Solvay (Société Anonyme) | Methods of using a solvent or a foam blowing agent |
| JP5440170B2 (ja) * | 2007-09-28 | 2014-03-12 | 日本ゼオン株式会社 | プラズマエッチング方法 |
| JP2009093869A (ja) * | 2007-10-05 | 2009-04-30 | Sunarrow Ltd | キーシートおよびその製造方法 |
| US8614151B2 (en) * | 2008-01-04 | 2013-12-24 | Micron Technology, Inc. | Method of etching a high aspect ratio contact |
| CA2719042A1 (en) | 2008-03-19 | 2009-09-24 | E.I. Du Pont De Nemours And Company | Process for making 1,1,1,4,4,4-hexafluoro-2-butene |
| JP5266902B2 (ja) * | 2008-06-20 | 2013-08-21 | 日本ゼオン株式会社 | 含フッ素オレフィン化合物の製造方法 |
| US8440048B2 (en) * | 2009-01-28 | 2013-05-14 | Asm America, Inc. | Load lock having secondary isolation chamber |
| CA2752263A1 (en) * | 2009-03-06 | 2010-09-10 | Solvay Fluor Gmbh | Use of unsaturated hydrofluorocarbons |
| JP2011060958A (ja) * | 2009-09-09 | 2011-03-24 | Toshiba Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
| CN102668063B (zh) | 2009-11-20 | 2015-02-18 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体装置 |
| KR101752212B1 (ko) * | 2009-11-20 | 2017-06-29 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
| US20110144216A1 (en) * | 2009-12-16 | 2011-06-16 | Honeywell International Inc. | Compositions and uses of cis-1,1,1,4,4,4-hexafluoro-2-butene |
| KR101660488B1 (ko) | 2010-01-22 | 2016-09-28 | 삼성전자주식회사 | 3차원 반도체 장치 및 그 제조 방법 |
| US8435901B2 (en) * | 2010-06-11 | 2013-05-07 | Tokyo Electron Limited | Method of selectively etching an insulation stack for a metal interconnect |
| TWI523900B (zh) | 2010-07-20 | 2016-03-01 | 首威索勒希斯股份有限公司 | 氟彈性體組合物 |
| RU2010147004A (ru) | 2010-11-17 | 2012-05-27 | Е.И.Дюпон де Немур энд Компани (US) | Каталитический синтез внутренних фторбутенов и внутренних фторпентенов |
| JP2012174961A (ja) * | 2011-02-23 | 2012-09-10 | Toshiba Corp | 半導体記憶装置の製造方法 |
| JP5682381B2 (ja) | 2011-03-09 | 2015-03-11 | 日本ゼオン株式会社 | 含ハロゲノフッ素化シクロアルカン、及び含水素フッ素化シクロアルカンの製造方法 |
| US20130098396A1 (en) | 2011-10-19 | 2013-04-25 | E I Du Pont De Nemours And Company | Novel 1,1,1,4,4,5,5,6,6,6-decafluorohex-2-ene isomer mixtures and uses thereof |
| US20130122712A1 (en) * | 2011-11-14 | 2013-05-16 | Jong Mun Kim | Method of etching high aspect ratio features in a dielectric layer |
| BR112014020279A8 (pt) | 2012-02-17 | 2017-07-11 | Du Pont | Composição do tipo azeótropo, processos para preparar uma espuma termoplástica, para produzir refrigeração, para produzir um produto aerossol e para extinguir ou suprimir um incêndio, composição de formação de espuma, processo para produzir uma espuma e espuma |
| KR102275996B1 (ko) | 2013-03-28 | 2021-07-14 | 더 케무어스 컴퍼니 에프씨, 엘엘씨 | 하이드로플루오로올레핀 식각 가스 혼합물 |
| US9748366B2 (en) | 2013-10-03 | 2017-08-29 | Applied Materials, Inc. | Etching oxide-nitride stacks using C4F6H2 |
-
2013
- 2013-10-30 TW TW102139056A patent/TWI588240B/zh active
- 2013-10-30 TW TW106115006A patent/TWI623510B/zh active
- 2013-10-30 CN CN201380068688.0A patent/CN104885203B/zh active Active
- 2013-10-30 SG SG11201503321XA patent/SG11201503321XA/en unknown
- 2013-10-30 JP JP2015539935A patent/JP6257638B2/ja active Active
- 2013-10-30 SG SG10202113236SA patent/SG10202113236SA/en unknown
- 2013-10-30 WO PCT/US2013/067415 patent/WO2014070838A1/en active Application Filing
- 2013-10-30 CN CN201710540813.3A patent/CN107275206B/zh active Active
- 2013-10-30 SG SG10201703513WA patent/SG10201703513WA/en unknown
- 2013-10-30 KR KR1020157029992A patent/KR102048959B1/ko active IP Right Grant
- 2013-10-30 KR KR1020197034193A patent/KR102153246B1/ko active IP Right Grant
- 2013-10-30 KR KR1020147015278A patent/KR101564182B1/ko active IP Right Grant
- 2013-10-30 US US14/439,831 patent/US9514959B2/en active Active
-
2016
- 2016-09-14 US US15/264,772 patent/US10381240B2/en active Active
-
2017
- 2017-12-05 JP JP2017233163A patent/JP6527214B2/ja active Active
-
2019
- 2019-05-09 JP JP2019088964A patent/JP6811284B2/ja active Active
- 2019-07-03 US US16/502,181 patent/US11152223B2/en active Active
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