JP3253215B2 - エッチング方法及びエッチング装置 - Google Patents
エッチング方法及びエッチング装置Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は，例えば半導体ウエハな
どの被処理体にエッチングを行うためのエッチング方法
及びエッチング装置に関するものである。
どの被処理体にエッチングを行うためのエッチング方法
及びエッチング装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、例えばドライエッチング方法にお
いては、半導体素子の代表的な絶縁材料であるＳｉＯ2
の薄膜にコンタクトホールをプラズマ雰囲気中でエッチ
ングする場合、使用するエッチングガスとして、Ｈ2を
添加した例えばＣＦ4＋Ｈ2の混合ガスや、あるいまた特
開昭６１−１４２７４４号公報に開示されているＣＨ2
Ｆ2＋ＣＯ2の混合ガスや、その他例えばＣＨＦ3ガス＋
ＣＯの混合ガスなど、Ｈ結合を有するＣＨxＦy系ガスと
ＣＯ2、ＣＯとの混合ガスが多く用いられている。
いては、半導体素子の代表的な絶縁材料であるＳｉＯ2
の薄膜にコンタクトホールをプラズマ雰囲気中でエッチ
ングする場合、使用するエッチングガスとして、Ｈ2を
添加した例えばＣＦ4＋Ｈ2の混合ガスや、あるいまた特
開昭６１−１４２７４４号公報に開示されているＣＨ2
Ｆ2＋ＣＯ2の混合ガスや、その他例えばＣＨＦ3ガス＋
ＣＯの混合ガスなど、Ｈ結合を有するＣＨxＦy系ガスと
ＣＯ2、ＣＯとの混合ガスが多く用いられている。
【０００３】その結果、例えばＣＨＦ3ガスとＣＯとの
混合ガスの場合、対Ｓｉにおける選択比（基板であるＳ
ｉのエッチングレートに対するその上に形成されるＳｉ
Ｏ2膜のエッチングレート比）は、５０という高い値が
得られている。また対多結晶シリコン膜、例えばポリ−
Ｓｉの場合でも約５０という高い選択比が得られてい
る。
混合ガスの場合、対Ｓｉにおける選択比（基板であるＳ
ｉのエッチングレートに対するその上に形成されるＳｉ
Ｏ2膜のエッチングレート比）は、５０という高い値が
得られている。また対多結晶シリコン膜、例えばポリ−
Ｓｉの場合でも約５０という高い選択比が得られてい
る。
【０００４】このように従来はＳｉＯ2に代表される酸
化膜をエッチングする場合、下地のＳｉや多結晶シリコ
ンに対して選択的に酸化膜をエッチングするため、叙上
のように、適宜Ｈ2を添加したり、あるいはＨ結合を有
するＣＨxＦy系ガスを使用してエッチングを行っていた
のである。
化膜をエッチングする場合、下地のＳｉや多結晶シリコ
ンに対して選択的に酸化膜をエッチングするため、叙上
のように、適宜Ｈ2を添加したり、あるいはＨ結合を有
するＣＨxＦy系ガスを使用してエッチングを行っていた
のである。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記のよ
うにエッチングガスとして、Ｈ2を添加したＣＦ4＋Ｈ2
の混合ガスや、Ｈ結合を有するＣＨＦ3ガスとＣＯとの
混合ガスでは、そのように対Ｓｉやポリ−Ｓｉにおける
選択比は高いものの、下地がそれ以外の材質、例えばＳ
ｉＮ（シリコンナイトライド）や金属（例えばＡｌな
ど）の場合には選択比が極端に低下してしまうという問
題があった。
うにエッチングガスとして、Ｈ2を添加したＣＦ4＋Ｈ2
の混合ガスや、Ｈ結合を有するＣＨＦ3ガスとＣＯとの
混合ガスでは、そのように対Ｓｉやポリ−Ｓｉにおける
選択比は高いものの、下地がそれ以外の材質、例えばＳ
ｉＮ（シリコンナイトライド）や金属（例えばＡｌな
ど）の場合には選択比が極端に低下してしまうという問
題があった。
【０００６】例えばエッチングガスとしてＣＨＦ3ガス
とＣＯとの混合ガスを使用した場合、対ＳｉＮの場合で
は選択比が僅かに１．０しか得られず、対Ａｌの場合で
も４．０程度の選択比しか得られなかったのである。即
ち、従来使用されてきているＨを含むエッチングガスを
使用したフッ素ガス系のプラズマ雰囲気中でエッチング
を行った場合、例えば下地の膜種がＳｉＮの場合、 ＳｉＮ＋ＣＦX +＋Ｈ+→ＳｉＦX↑＋ＮＨX↑＋ＨＣＮ↑
＋ＮＨXＦ↑ という反応を起こして下地であるＳｉＮに対してもエッ
チングが進行してしまい、その結果対ＳｉＮにおける選
択比の低下を招いていた。
とＣＯとの混合ガスを使用した場合、対ＳｉＮの場合で
は選択比が僅かに１．０しか得られず、対Ａｌの場合で
も４．０程度の選択比しか得られなかったのである。即
ち、従来使用されてきているＨを含むエッチングガスを
使用したフッ素ガス系のプラズマ雰囲気中でエッチング
を行った場合、例えば下地の膜種がＳｉＮの場合、 ＳｉＮ＋ＣＦX +＋Ｈ+→ＳｉＦX↑＋ＮＨX↑＋ＨＣＮ↑
＋ＮＨXＦ↑ という反応を起こして下地であるＳｉＮに対してもエッ
チングが進行してしまい、その結果対ＳｉＮにおける選
択比の低下を招いていた。
【０００７】一方、半導体素子の一層の微細化に伴い、
隣接するゲート（ポリシリコン）どうしの間隔が近年益
々小さくなってきており、これによってコンタクトホー
ル開口形成のためのリソグラフィーの寸法精度が一層要
求されるようになってきているが、リソグラフィーの寸
法精度には限界がある。従来のエッチングガスを用いる
技術では、間隔の微細化されたゲートに関連してセルフ
ァラインコンタクトホールをエッチングにより形成する
時に、酸化膜（ＳｉＯ2）と、ポリシリコンゲートを覆
う窒化膜（Ｓｉ3Ｎ4）とを厳密に選択してエッチングを
行える可能性は高くなかった。
隣接するゲート（ポリシリコン）どうしの間隔が近年益
々小さくなってきており、これによってコンタクトホー
ル開口形成のためのリソグラフィーの寸法精度が一層要
求されるようになってきているが、リソグラフィーの寸
法精度には限界がある。従来のエッチングガスを用いる
技術では、間隔の微細化されたゲートに関連してセルフ
ァラインコンタクトホールをエッチングにより形成する
時に、酸化膜（ＳｉＯ2）と、ポリシリコンゲートを覆
う窒化膜（Ｓｉ3Ｎ4）とを厳密に選択してエッチングを
行える可能性は高くなかった。
【０００８】また、従来のエッチングでは、エッチング
後の反応生成物例えばフッ化アルミニウム系化合物（Ａ
ｌＦx系）がコンタクトホール側壁に付着し（フェンス
やクラウンと一般に呼ばれている）、エッチング処理後
の工程、例えばアッシング処理や洗浄処理の工程でそれ
を除去する必要があり、しかもそれを除去することは非
常に困難であった。
後の反応生成物例えばフッ化アルミニウム系化合物（Ａ
ｌＦx系）がコンタクトホール側壁に付着し（フェンス
やクラウンと一般に呼ばれている）、エッチング処理後
の工程、例えばアッシング処理や洗浄処理の工程でそれ
を除去する必要があり、しかもそれを除去することは非
常に困難であった。
【０００９】本発明はかかる点に鑑みてなされたもので
あり，その第１の目的は，下地の膜種にかかわらず，常
に高い選択比が得られるエッチング方法を提供すること
にある。また第２の目的は，きわめて微細化されたパタ
ーンを有する被処理体に対しても，酸化膜と窒化膜とを
厳密に選択してエッチングすることができるエッチング
方法を提供することにある。さらに第３の目的は，形成
されるコンタクトホールの側壁に前記したフェンスやク
ラウンが発生するのを防止できるエッチング方法するこ
とにある。さらに本発明は，そのような方法を実施する
ためのエッチング装置を提供することを目的としてい
る。
あり，その第１の目的は，下地の膜種にかかわらず，常
に高い選択比が得られるエッチング方法を提供すること
にある。また第２の目的は，きわめて微細化されたパタ
ーンを有する被処理体に対しても，酸化膜と窒化膜とを
厳密に選択してエッチングすることができるエッチング
方法を提供することにある。さらに第３の目的は，形成
されるコンタクトホールの側壁に前記したフェンスやク
ラウンが発生するのを防止できるエッチング方法するこ
とにある。さらに本発明は，そのような方法を実施する
ためのエッチング装置を提供することを目的としてい
る。
【００１０】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め，まず請求項１によれば，処理室内の上下に電極を有
する処理室内に処理ガスを導入して，当該処理室内の下
部電極上の被処理体に形成された窒化膜上のＳｉＯ２に
対してエッチングを行う際の選択性を高める方法におい
て，前記処理ガスとして，Ｈを含まない少なくとも４族
と７族の元素を含有するガスとＣＯとの混合ガスを含む
エッチングガスを用いることを特徴とする，エッチング
方法が提供される。また請求項２によれば，処理室内に
処理ガスを導入して，当該処理室内の被処理体に形成さ
れた下地がＡｌであるＳｉＯ２膜にコンタクトホールの
エッチングを行う方法において，前記処理ガスとして，
Ｈを含まない少なくとも４族と７族の元素を含有するガ
スとＣＯとの混合ガスを含むエッチングガスを用いるこ
とを特徴とする，エッチング方法が提供される。Ｈを含
まない少なくとも４族と７族の元素を含有するガスとし
ては，後述のハロゲン化炭化系ガスの項で挙げる各種ガ
スの他に，ＳｉＦ４，Ｓｉ２Ｆ６，Ｓｉ３Ｆ８，ＳｉＣ
ｌ４等のガスがある。
め，まず請求項１によれば，処理室内の上下に電極を有
する処理室内に処理ガスを導入して，当該処理室内の下
部電極上の被処理体に形成された窒化膜上のＳｉＯ２に
対してエッチングを行う際の選択性を高める方法におい
て，前記処理ガスとして，Ｈを含まない少なくとも４族
と７族の元素を含有するガスとＣＯとの混合ガスを含む
エッチングガスを用いることを特徴とする，エッチング
方法が提供される。また請求項２によれば，処理室内に
処理ガスを導入して，当該処理室内の被処理体に形成さ
れた下地がＡｌであるＳｉＯ２膜にコンタクトホールの
エッチングを行う方法において，前記処理ガスとして，
Ｈを含まない少なくとも４族と７族の元素を含有するガ
スとＣＯとの混合ガスを含むエッチングガスを用いるこ
とを特徴とする，エッチング方法が提供される。Ｈを含
まない少なくとも４族と７族の元素を含有するガスとし
ては，後述のハロゲン化炭化系ガスの項で挙げる各種ガ
スの他に，ＳｉＦ４，Ｓｉ２Ｆ６，Ｓｉ３Ｆ８，ＳｉＣ
ｌ４等のガスがある。
【００１１】この場合、Ｈを含まない少なくとも４族と
７族の元素を含有するガスとしては、例えばＣｘＦｙ
（ｙ≦２ｘ＋２）ガスが提案できる。
７族の元素を含有するガスとしては、例えばＣｘＦｙ
（ｙ≦２ｘ＋２）ガスが提案できる。
【００１２】さらにまた前記Ｈを含まない少なくとも４
族と７族の元素を含有するガスの例としては，ＣＦ４，
Ｃ２Ｆ６，Ｃ４Ｆ８，Ｃ ４ Ｆ ６ ，Ｃ ５ Ｆ ８ を用いること
ができる。
族と７族の元素を含有するガスの例としては，ＣＦ４，
Ｃ２Ｆ６，Ｃ４Ｆ８，Ｃ ４ Ｆ ６ ，Ｃ ５ Ｆ ８ を用いること
ができる。
【００１３】前記各エッチング方法において，使用する
エッチングガスに不活性ガスを添加してもよい。不活性
ガスとしては，例えばＡｒガスを使用することができ
る。また前記エッチングガスに添加するＡｒガスの流量
比は，例えば前記エッチングガスに対して０．８６以上
とすることができる。またＡｒガスに代えてＮ ２ ガスを
使用してもよい。
エッチングガスに不活性ガスを添加してもよい。不活性
ガスとしては，例えばＡｒガスを使用することができ
る。また前記エッチングガスに添加するＡｒガスの流量
比は，例えば前記エッチングガスに対して０．８６以上
とすることができる。またＡｒガスに代えてＮ ２ ガスを
使用してもよい。
【００１４】また請求項１８によれば，処理室内に処理
ガスを導入して当該処理室内の被処理体に形成された，
下地がポリシリコンであるＳｉＯ２に対してエッチング
を行う方法において，前記処理ガスとして，ＣｘＦｙ
（ｙ≦２ｘ＋２）ガスにＣＯ及びＡｒガスを添加したエ
ッチングガスを用い，さらに前記ＣＯの流量比は，前記
ＣｘＦｙ（ｙ≦２ｘ＋２）ガス＋ＣＯに対して，０．７
５以上１．００未満であることを特徴とする，エッチン
グ方法が提供される。また本発明のエッチング装置は，
処理室内にガス導入口から処理ガスを導入して，当該処
理室内の被処理体に形成された窒化膜上のＳｉＯ ２ 膜に
対してエッチングを行う際の選択性を高めるための装置
であって，処理室内の上下に電極を有し，前記ガス導入
口からは，前記処理ガスとして，Ｈを含まない少なくと
も４族と７族の元素を含有するガスとＣＯとの混合ガス
を含むエッチングガスが処理室内に導入されるように構
成されていることを特徴とするものである。 処理室内に
ガス導入口から処理ガスを導入して，当該処理室内の被
処理体に形成された下地がＡｌであるＳｉＯ ２ 膜にコン
タクトホールのエッチングを行うための装置であって，
前記ガス導入口からは，前記処理ガスとして，Ｈを含ま
ない少なくとも４族と７族の元素を含有するガスとＣＯ
との混合ガスを含むエッチングガスが処理室内に導入さ
れるように構成されていることを特徴とする，エッチン
グ装置としてもよい。 またさらに処理室内にガス導入口
から処理ガスを導入して，当該処理室内の被処理体に形
成された下地がポリシリコンであるＳｉＯ ２ に対してエ
ッチングを行う装置であって，前記ガス導入口からは，
前記処理ガスとして，ＣｘＦｙ（ｙ≦２ｘ＋２）ガスに
ＣＯ及びＡｒガスを添加したエッチングガスが処理室内
に導入されると共に，さらに前記ＣＯの流量比が，前記
ＣｘＦｙ（ｙ≦２ｘ＋２）ガス＋ＣＯに対して，０．７
５以上１．００未満となるように前記各ガスの流量が調
整されていることを特徴とする，エッチング装置も提案
できる。さらにまた処理室内にガス導入口から処理ガス
を導入して，当該処理室内の被処理体に形成された窒化
膜上のＳｉＯ ２ 膜に対してエッチングを行う際の選択性
を高めるための装置であって，前記ガス導入口からは，
前記処理ガスとして，Ｈ を含まない少なくとも４族と７
族の元素を含有するガスとＣＯとの混合ガスを含みかつ
不活性ガスが添加されたエッチングガスが処理室内に導
入されるように構成されたエッチング装置としてもよ
い。 そして前記処理室内には下部電極を構成するサセプ
タが設けられ，該サセプタには３８０ｋＨｚ又は４０．
６８ＭＨｚの高周波電力が供給されるように構成されて
いてもよい。 また前記高周波電力のパワーは１００〜２
５００Ｗとしてもよい。 以上の各装置において，前記処
理室内の被処理体の表面に対して磁界を形成する手段を
備えることとしてもよい。この場合の，磁界の強度は例
えば１０〜１０００Ｇとすることが提案できる。 前記各
装置は，平行平板型プラズマ装置，平行平板型ＲＩＥ装
置，マグネトロンＲＩＥ装置，ＥＣＲ型プラズマ装置と
して構成してもよい。
ガスを導入して当該処理室内の被処理体に形成された，
下地がポリシリコンであるＳｉＯ２に対してエッチング
を行う方法において，前記処理ガスとして，ＣｘＦｙ
（ｙ≦２ｘ＋２）ガスにＣＯ及びＡｒガスを添加したエ
ッチングガスを用い，さらに前記ＣＯの流量比は，前記
ＣｘＦｙ（ｙ≦２ｘ＋２）ガス＋ＣＯに対して，０．７
５以上１．００未満であることを特徴とする，エッチン
グ方法が提供される。また本発明のエッチング装置は，
処理室内にガス導入口から処理ガスを導入して，当該処
理室内の被処理体に形成された窒化膜上のＳｉＯ ２ 膜に
対してエッチングを行う際の選択性を高めるための装置
であって，処理室内の上下に電極を有し，前記ガス導入
口からは，前記処理ガスとして，Ｈを含まない少なくと
も４族と７族の元素を含有するガスとＣＯとの混合ガス
を含むエッチングガスが処理室内に導入されるように構
成されていることを特徴とするものである。 処理室内に
ガス導入口から処理ガスを導入して，当該処理室内の被
処理体に形成された下地がＡｌであるＳｉＯ ２ 膜にコン
タクトホールのエッチングを行うための装置であって，
前記ガス導入口からは，前記処理ガスとして，Ｈを含ま
ない少なくとも４族と７族の元素を含有するガスとＣＯ
との混合ガスを含むエッチングガスが処理室内に導入さ
れるように構成されていることを特徴とする，エッチン
グ装置としてもよい。 またさらに処理室内にガス導入口
から処理ガスを導入して，当該処理室内の被処理体に形
成された下地がポリシリコンであるＳｉＯ ２ に対してエ
ッチングを行う装置であって，前記ガス導入口からは，
前記処理ガスとして，ＣｘＦｙ（ｙ≦２ｘ＋２）ガスに
ＣＯ及びＡｒガスを添加したエッチングガスが処理室内
に導入されると共に，さらに前記ＣＯの流量比が，前記
ＣｘＦｙ（ｙ≦２ｘ＋２）ガス＋ＣＯに対して，０．７
５以上１．００未満となるように前記各ガスの流量が調
整されていることを特徴とする，エッチング装置も提案
できる。さらにまた処理室内にガス導入口から処理ガス
を導入して，当該処理室内の被処理体に形成された窒化
膜上のＳｉＯ ２ 膜に対してエッチングを行う際の選択性
を高めるための装置であって，前記ガス導入口からは，
前記処理ガスとして，Ｈ を含まない少なくとも４族と７
族の元素を含有するガスとＣＯとの混合ガスを含みかつ
不活性ガスが添加されたエッチングガスが処理室内に導
入されるように構成されたエッチング装置としてもよ
い。 そして前記処理室内には下部電極を構成するサセプ
タが設けられ，該サセプタには３８０ｋＨｚ又は４０．
６８ＭＨｚの高周波電力が供給されるように構成されて
いてもよい。 また前記高周波電力のパワーは１００〜２
５００Ｗとしてもよい。 以上の各装置において，前記処
理室内の被処理体の表面に対して磁界を形成する手段を
備えることとしてもよい。この場合の，磁界の強度は例
えば１０〜１０００Ｇとすることが提案できる。 前記各
装置は，平行平板型プラズマ装置，平行平板型ＲＩＥ装
置，マグネトロンＲＩＥ装置，ＥＣＲ型プラズマ装置と
して構成してもよい。
【００１５】なお少なくとも４族と７族の元素を含有す
るガスは、ハロゲン化炭化系ガスとしてもよく、またハ
ロゲン化炭化系ガスは、飽和フッ化炭素化合物、不飽和
フッ化炭素化合物、飽和混成ハロゲン化炭素化合物、又
は不飽和混成ハロゲン化合物から選択される各種の化合
物ガスであってもよい。飽和混成ハロゲン化炭素化合物
としては、例えば化１に示すような結合状態を有するＣ
ＣｌＦ３がある。
るガスは、ハロゲン化炭化系ガスとしてもよく、またハ
ロゲン化炭化系ガスは、飽和フッ化炭素化合物、不飽和
フッ化炭素化合物、飽和混成ハロゲン化炭素化合物、又
は不飽和混成ハロゲン化合物から選択される各種の化合
物ガスであってもよい。飽和混成ハロゲン化炭素化合物
としては、例えば化１に示すような結合状態を有するＣ
ＣｌＦ３がある。
【００１６】
【化１】
【００１７】また不飽和混成ハロゲン化合物には、二重
結合、三重結合が１つ以上あるもの、例えば化２に示す
ようなＣ2ＣｌＦ3がある。
結合、三重結合が１つ以上あるもの、例えば化２に示す
ようなＣ2ＣｌＦ3がある。
【００１８】
【化２】
【００１９】ハロゲン化炭化系ガスとしては、例えばＣ
ｘＦｙ系ガスであって、ｙ≦２ｘ＋２の関係を有するも
のを用いてもよく、例えばＣ４Ｆ８を用いてもよい。そ
してｙ＝２ｘ＋２の関係式を満たすものとしては、飽和
フッ化炭素化合物ガスである、ＣＦ４、Ｃ３Ｆ８、Ｃ５
Ｆ１２、Ｃ７Ｆ１６、Ｃ９Ｆ２０、Ｃ２Ｆ６、Ｃ４Ｆ１
０、Ｃ６Ｆ１４、Ｃ８Ｆ１８、Ｃ１０Ｆ２２ 等のガス
が有り、またｙ＜２ｘ＋２の関係式を満たすものとして
は、不飽和フッ化炭素化合物ガスである二重結合、三重
結合が１つ以上あるもの、例えばＣ２Ｆ４、Ｃ２Ｆ２、
Ｃ３Ｆ７、Ｃ３Ｆ４、Ｃ４Ｆ８、Ｃ４Ｆ６、Ｃ４Ｆ４、
Ｃ４Ｆ２、Ｃ５Ｆ１０、Ｃ５Ｆ８、Ｃ５Ｆ６、Ｃ５Ｆ
４、Ｃ６Ｆ１２、Ｃ６Ｆ１０、Ｃ６Ｆ８、Ｃ６Ｆ６ 等
のガスが有る。
ｘＦｙ系ガスであって、ｙ≦２ｘ＋２の関係を有するも
のを用いてもよく、例えばＣ４Ｆ８を用いてもよい。そ
してｙ＝２ｘ＋２の関係式を満たすものとしては、飽和
フッ化炭素化合物ガスである、ＣＦ４、Ｃ３Ｆ８、Ｃ５
Ｆ１２、Ｃ７Ｆ１６、Ｃ９Ｆ２０、Ｃ２Ｆ６、Ｃ４Ｆ１
０、Ｃ６Ｆ１４、Ｃ８Ｆ１８、Ｃ１０Ｆ２２ 等のガス
が有り、またｙ＜２ｘ＋２の関係式を満たすものとして
は、不飽和フッ化炭素化合物ガスである二重結合、三重
結合が１つ以上あるもの、例えばＣ２Ｆ４、Ｃ２Ｆ２、
Ｃ３Ｆ７、Ｃ３Ｆ４、Ｃ４Ｆ８、Ｃ４Ｆ６、Ｃ４Ｆ４、
Ｃ４Ｆ２、Ｃ５Ｆ１０、Ｃ５Ｆ８、Ｃ５Ｆ６、Ｃ５Ｆ
４、Ｃ６Ｆ１２、Ｃ６Ｆ１０、Ｃ６Ｆ８、Ｃ６Ｆ６ 等
のガスが有る。
【００２０】
【００２１】
【作用】本発明によれば、Ｈを含まないエッチングガス
を使用しているので、既述したようなＮＨXを生成する
反応は起こらない。即ち例えば窒化膜中のＮと反応する
Ｈがないので、選択性が大幅に向上する。
を使用しているので、既述したようなＮＨXを生成する
反応は起こらない。即ち例えば窒化膜中のＮと反応する
Ｈがないので、選択性が大幅に向上する。
【００２２】また本発明では、さらにＣＯを添加してい
るから、カーボンリッチの雰囲気であり、酸化膜、例え
ばＳｉＯ２ のエッチングレートは向上している。即ち、
ＣＯの存在のため、例えば７族の元素としてフッ素
（Ｆ）を用いた場合、下地の膜には、通常この下地膜と
は反応を起こさないカーボンリッチな保護膜が形成さ
れ。この保護膜がフッ素ラジカルの下地膜への付着を防
止し、そのブロッキング効果によって下地のエッチング
レートは低下する。その結果、下地膜に対する選択比は
大幅に向上するものである。
るから、カーボンリッチの雰囲気であり、酸化膜、例え
ばＳｉＯ２ のエッチングレートは向上している。即ち、
ＣＯの存在のため、例えば７族の元素としてフッ素
（Ｆ）を用いた場合、下地の膜には、通常この下地膜と
は反応を起こさないカーボンリッチな保護膜が形成さ
れ。この保護膜がフッ素ラジカルの下地膜への付着を防
止し、そのブロッキング効果によって下地のエッチング
レートは低下する。その結果、下地膜に対する選択比は
大幅に向上するものである。
【００２３】これを図に基づいて説明すると、図１に示
したように、従来のＨを有しカーボンリッチ雰囲気を創
出しない例えば（ａ）ＣＨＦ ３／ＣＯ、（ｂ）ＣＦ４／
Ｈ２／Ｏ２のエッチングガスの場合には、下地のフッ素
ラジカルＦ＊に対する保護膜形成が不十分なため、下地
がＳｉの場合には、ＳｉＦｘが生成して下地であるＳｉ
がエッチングされてしまったり、またビアコンタクトホ
ールを形成する場合の下地であるＡｌの場合には、Ｆ＊
のスパッタリングによって表面にＡｌＦｘ（フェンス）
が形成され、さらにセルフアラインコンタクトを形成す
る場合の下地である、ＳｉＮの場合には、Ｆ＊によって
ＳｉＮが生成されると共に、ＨによってＮＨＸが生成し
て、下地であるＳｉＮがエッチングされるという現象が
生じていた。
したように、従来のＨを有しカーボンリッチ雰囲気を創
出しない例えば（ａ）ＣＨＦ ３／ＣＯ、（ｂ）ＣＦ４／
Ｈ２／Ｏ２のエッチングガスの場合には、下地のフッ素
ラジカルＦ＊に対する保護膜形成が不十分なため、下地
がＳｉの場合には、ＳｉＦｘが生成して下地であるＳｉ
がエッチングされてしまったり、またビアコンタクトホ
ールを形成する場合の下地であるＡｌの場合には、Ｆ＊
のスパッタリングによって表面にＡｌＦｘ（フェンス）
が形成され、さらにセルフアラインコンタクトを形成す
る場合の下地である、ＳｉＮの場合には、Ｆ＊によって
ＳｉＮが生成されると共に、ＨによってＮＨＸが生成し
て、下地であるＳｉＮがエッチングされるという現象が
生じていた。
【００２４】しかしながら本願発明によれば、例えば
（ｃ）Ｃ4Ｆ8／ＣＯの場合には、同図に示したように、
前記各下地表面にカーボンリッチなデポが付着するの
で、これによって下地が保護され、前記の下地のエッチ
ングやフェンスの生成が発生しないものである。
（ｃ）Ｃ4Ｆ8／ＣＯの場合には、同図に示したように、
前記各下地表面にカーボンリッチなデポが付着するの
で、これによって下地が保護され、前記の下地のエッチ
ングやフェンスの生成が発生しないものである。
【００２５】なおＣＯの添加量は、後述の実施例で示す
ように、０．７５以上１．００未満，すなわち７５％以
上１００％未満がよい。
ように、０．７５以上１．００未満，すなわち７５％以
上１００％未満がよい。
【００２６】またエッチングガスにその約８６％以上の
不活性ガス、例えばＡｒ、ＫｒあるいはＸｅの各ガスを
添加することにより、フッ素ガスの解離が効率よく行わ
れ、例えばＣ４Ｆ８系ガスの場合には、Ａｒを添加する
ことで、エッチングに有効な活性種であるＣ２Ｆ４ ＋や
ＣＦ２ ＋が増加する一方で、選択性を低下させるＦ＊ま
での解離反応が進みにくくなり、これにより、効率よく
エッチングが促進される。また不活性ガスによるスパッ
タリング効果により、酸化膜上の堆積物を減少させ、エ
ッチングが促進される。
不活性ガス、例えばＡｒ、ＫｒあるいはＸｅの各ガスを
添加することにより、フッ素ガスの解離が効率よく行わ
れ、例えばＣ４Ｆ８系ガスの場合には、Ａｒを添加する
ことで、エッチングに有効な活性種であるＣ２Ｆ４ ＋や
ＣＦ２ ＋が増加する一方で、選択性を低下させるＦ＊ま
での解離反応が進みにくくなり、これにより、効率よく
エッチングが促進される。また不活性ガスによるスパッ
タリング効果により、酸化膜上の堆積物を減少させ、エ
ッチングが促進される。
【００２７】そして、ＯやＯ２を微量添加することによ
り、例えばカーボン系堆積物が除去されてコンタクトホ
ール側壁がエッチング面に垂直になり、エッチングが促
進されるだけでなく、アスペクト比が６以上の微細加工
のエッチングも実現できるものである。
り、例えばカーボン系堆積物が除去されてコンタクトホ
ール側壁がエッチング面に垂直になり、エッチングが促
進されるだけでなく、アスペクト比が６以上の微細加工
のエッチングも実現できるものである。
【００２８】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明
すると、図２は本実施例を実施するためのエッチング処
理装置の構成を模式的に示しており、本実施例において
は、マグネトロンＲＩＥ装置１を使用している。
すると、図２は本実施例を実施するためのエッチング処
理装置の構成を模式的に示しており、本実施例において
は、マグネトロンＲＩＥ装置１を使用している。
【００２９】上記マグネトロンＲＩＥ装置１は、アルミ
等の材質で構成され電気的に接地された気密容器である
処理室２をその内部に有し、この処理室２内の底部には
真空ポンプ（図示せず）に通ずる排気管３が接続され
て、この処理室２内はその底部周辺部から均等に真空引
きすることが可能であり、例えば処理室２内を数ｍＴｏ
ｒｒ〜数百ｍＴｏｒｒの範囲の間の任意の値であっても
これを設定維持できるように構成されている。
等の材質で構成され電気的に接地された気密容器である
処理室２をその内部に有し、この処理室２内の底部には
真空ポンプ（図示せず）に通ずる排気管３が接続され
て、この処理室２内はその底部周辺部から均等に真空引
きすることが可能であり、例えば処理室２内を数ｍＴｏ
ｒｒ〜数百ｍＴｏｒｒの範囲の間の任意の値であっても
これを設定維持できるように構成されている。
【００３０】上記処理室２内の底部中央には、セラミッ
ク等の絶縁板４を介してサセプタ支持台５が設けられ、
さらにこのサセプタ支持台５の上面には、アルミ等の材
質からなり下部電極を構成するサセプタ６が設けられて
いる。
ク等の絶縁板４を介してサセプタ支持台５が設けられ、
さらにこのサセプタ支持台５の上面には、アルミ等の材
質からなり下部電極を構成するサセプタ６が設けられて
いる。
【００３１】上記サセプタ支持体５の内部には冷却室７
が形成されており、この冷却室７内には、上記処理室２
の底部に設けられた冷媒導入管８から導入されかつ冷媒
排出管９から排出される冷却冷媒が循環するように構成
され、適宜の温度制御装置（図示せず）の調整によっ
て、上記サセプタ６は所望の温度、例えば−２００゜Ｃ
〜＋２００゜Ｃまでの範囲の間の、任意に温度に設定維
持することが可能である。
が形成されており、この冷却室７内には、上記処理室２
の底部に設けられた冷媒導入管８から導入されかつ冷媒
排出管９から排出される冷却冷媒が循環するように構成
され、適宜の温度制御装置（図示せず）の調整によっ
て、上記サセプタ６は所望の温度、例えば−２００゜Ｃ
〜＋２００゜Ｃまでの範囲の間の、任意に温度に設定維
持することが可能である。
【００３２】上記サセプタ６には、上記処理室２外部に
設けられている高周波電源１０からの、例えば周波数が
１３．５６ＭＨｚ、４０．６８ＭＨｚ、３８０ｋＨｚ、
でパワーが１００〜２５００ｗの高周波電力が、マッチ
ング回路１１、ブロッキングコンデンサ１２を介して供
給されるように構成されている。
設けられている高周波電源１０からの、例えば周波数が
１３．５６ＭＨｚ、４０．６８ＭＨｚ、３８０ｋＨｚ、
でパワーが１００〜２５００ｗの高周波電力が、マッチ
ング回路１１、ブロッキングコンデンサ１２を介して供
給されるように構成されている。
【００３３】また上記サセプタ６の上面には、被処理体
である半導体ウエハＷが直接載置されて吸引保持され
る、静電チャック２１が設けられている。この静電チャ
ック２１は、例えば電界箔銅からなる導電層２２を上下
両側からポリイミド・フィルム等の絶縁体で挟んで接着
した構成を有しており、上記処理室２外部に設けられて
いる高圧直流電源２３によって直流電圧が上記導電層２
２に印加されると、クーロン力によって上記半導体ウエ
ハＷは上記静電チャック２１に吸引保持されるようにな
っている。
である半導体ウエハＷが直接載置されて吸引保持され
る、静電チャック２１が設けられている。この静電チャ
ック２１は、例えば電界箔銅からなる導電層２２を上下
両側からポリイミド・フィルム等の絶縁体で挟んで接着
した構成を有しており、上記処理室２外部に設けられて
いる高圧直流電源２３によって直流電圧が上記導電層２
２に印加されると、クーロン力によって上記半導体ウエ
ハＷは上記静電チャック２１に吸引保持されるようにな
っている。
【００３４】一方上記処理室２内の上部には、接地線３
１を介して電気的に接地されている上部電極３２が設け
られている。この上部電極３２は、例えばアモルファス
・カーボンやＳｉＣからなる中空構造になっており、さ
らにこの上部電極３２における上記半導体ウエハＷとの
対向面には多数のガス拡散孔３３が設けられ、上部電極
３２の上部に設けられているガス導入口３４から供給さ
れるエッチングガスなどの処理ガスは、これら多数のガ
ス拡散孔３３から上記半導体ウエハＷに向けて均等に吐
出されるように構成されている。
１を介して電気的に接地されている上部電極３２が設け
られている。この上部電極３２は、例えばアモルファス
・カーボンやＳｉＣからなる中空構造になっており、さ
らにこの上部電極３２における上記半導体ウエハＷとの
対向面には多数のガス拡散孔３３が設けられ、上部電極
３２の上部に設けられているガス導入口３４から供給さ
れるエッチングガスなどの処理ガスは、これら多数のガ
ス拡散孔３３から上記半導体ウエハＷに向けて均等に吐
出されるように構成されている。
【００３５】上記ガス導入口３４は、バルブ３５を介し
てガス供給管３６と接続されており、さらにこのガス供
給管３６は分岐管３７、３８、３９に分岐され、これら
各分岐管３７、３８、３９には、夫々対応するバルブ４
０、４１、４２、並びにガス供給量の調整を担うマスフ
ロー・コントローラ４３、４４、４５を介し、各々異な
った処理ガスが充填されているガスボンベが接続されて
いる。
てガス供給管３６と接続されており、さらにこのガス供
給管３６は分岐管３７、３８、３９に分岐され、これら
各分岐管３７、３８、３９には、夫々対応するバルブ４
０、４１、４２、並びにガス供給量の調整を担うマスフ
ロー・コントローラ４３、４４、４５を介し、各々異な
った処理ガスが充填されているガスボンベが接続されて
いる。
【００３６】本実施例においては、分岐管３７にはＣ4
Ｆ8ガスが充填されているボンベ４６が、分岐管３８に
はＣＯが充填されているボンベ４７が、そして分岐管３
９にはＮ2が充填されているボンベ４８が夫々接続され
ている。そしてこれら各ガスの供給量、並びにその混合
比率は、適宜の制御装置（図示せず）、及び上記マスフ
ロー・コントローラ４３、４４、４５による調整によっ
て行われるように構成されている。
Ｆ8ガスが充填されているボンベ４６が、分岐管３８に
はＣＯが充填されているボンベ４７が、そして分岐管３
９にはＮ2が充填されているボンベ４８が夫々接続され
ている。そしてこれら各ガスの供給量、並びにその混合
比率は、適宜の制御装置（図示せず）、及び上記マスフ
ロー・コントローラ４３、４４、４５による調整によっ
て行われるように構成されている。
【００３７】そして既述の上部電極３２の上面には、こ
れと近接して永久磁石５１が配置されている。この永久
磁石５１は、例えばモータなどの駆動機構（図示せず）
によって所望の回転速度で上記ガス導入口３４をその回
転中心軸として回転するように構成されており、前出静
電チャック２１上に載置される半導体ウエハＷに対し
て、その表面に均一な平行磁界、例えば１０〜１０００
Ｇの範囲の間の任意の値の磁界を形成することが可能に
なっている。
れと近接して永久磁石５１が配置されている。この永久
磁石５１は、例えばモータなどの駆動機構（図示せず）
によって所望の回転速度で上記ガス導入口３４をその回
転中心軸として回転するように構成されており、前出静
電チャック２１上に載置される半導体ウエハＷに対し
て、その表面に均一な平行磁界、例えば１０〜１０００
Ｇの範囲の間の任意の値の磁界を形成することが可能に
なっている。
【００３８】本実施例を実施するために使用したマグネ
トロンＲＩＥ装置１は以上のように構成されており、こ
のマグネトロンＲＩＥ装置１によって半導体ウエハＷに
対してエッチングを行う場合について説明すると、まず
エッチング処理対象となる半導体ウエハＷは、このマグ
ネトロンＲＩＥ装置１にゲートバルブ（図示せず）を介
して設けられているロードロック室（図示せず）から処
理室２内に搬入され、静電チャック２１上に載置され
る。そして高圧直流電源２３の印加によって上記半導体
ウエハＷは、この静電チャック２１上に吸着保持され
る。その後処理室２内は排気管２３からの排気によって
減圧されていき、例えば２０ｍＴｏｒｒに設定される。
トロンＲＩＥ装置１は以上のように構成されており、こ
のマグネトロンＲＩＥ装置１によって半導体ウエハＷに
対してエッチングを行う場合について説明すると、まず
エッチング処理対象となる半導体ウエハＷは、このマグ
ネトロンＲＩＥ装置１にゲートバルブ（図示せず）を介
して設けられているロードロック室（図示せず）から処
理室２内に搬入され、静電チャック２１上に載置され
る。そして高圧直流電源２３の印加によって上記半導体
ウエハＷは、この静電チャック２１上に吸着保持され
る。その後処理室２内は排気管２３からの排気によって
減圧されていき、例えば２０ｍＴｏｒｒに設定される。
【００３９】次にガス導入口３４から、エッチングガス
が処理室２内に導入されるが、今回はＣ4Ｆ8ガスを１０
ｓｃｃｍ、ＣＯを２００ｓｃｃｍ流し、Ｎ2については
バルブ４２を閉鎖してその供給を行わなかった。またこ
れと同時に高周波電源１０からは、１３．５６ＭＨｚで
パワーが８００ｗの電力を印加するとともに、永久磁石
５１を回転駆動させて上記半導体ウエハＷ中心部付近で
１２０Ｇの磁場を形成するように磁界をかけた。そして
上記半導体ウエハＷの温度は−３０゜Ｃ〜＋２０゜Ｃと
なるように制御して、上記半導体ウエハＷに対してエッ
チングを実施した。
が処理室２内に導入されるが、今回はＣ4Ｆ8ガスを１０
ｓｃｃｍ、ＣＯを２００ｓｃｃｍ流し、Ｎ2については
バルブ４２を閉鎖してその供給を行わなかった。またこ
れと同時に高周波電源１０からは、１３．５６ＭＨｚで
パワーが８００ｗの電力を印加するとともに、永久磁石
５１を回転駆動させて上記半導体ウエハＷ中心部付近で
１２０Ｇの磁場を形成するように磁界をかけた。そして
上記半導体ウエハＷの温度は−３０゜Ｃ〜＋２０゜Ｃと
なるように制御して、上記半導体ウエハＷに対してエッ
チングを実施した。
【００４０】次に実際にそのようにしてエッチングした
際の結果についていうと、まず実際にエッチングを行っ
た試料としての半導体ウエハは、図３、４にそれぞれそ
の構造を示した半導体ウエハＷ1、Ｗ2である。
際の結果についていうと、まず実際にエッチングを行っ
た試料としての半導体ウエハは、図３、４にそれぞれそ
の構造を示した半導体ウエハＷ1、Ｗ2である。
【００４１】図３に示した半導体ウエハＷ1は、Ｓｉの
下地６１の上に酸化物のＳｉＯ2膜６２が形成され、さ
らに当該ＳｉＯ2膜６２の上に適宜のレジスト６３が形
成されているものである。図４に示された半導体ウエハ
Ｗ2は、Ａｌの下地７１の上に酸化物のＳｉＯ2膜７２、
及びその上にレジスト膜７３が形成されたものである。
下地６１の上に酸化物のＳｉＯ2膜６２が形成され、さ
らに当該ＳｉＯ2膜６２の上に適宜のレジスト６３が形
成されているものである。図４に示された半導体ウエハ
Ｗ2は、Ａｌの下地７１の上に酸化物のＳｉＯ2膜７２、
及びその上にレジスト膜７３が形成されたものである。
【００４２】これら各半導体ウエハＷ1、Ｗ2、に対して
既述の条件の下でエッチングを行った結果、上記半導体
ウエハＷ1においては対Ｓｉにおける選択比は従来と同
様５０であったが、上記半導体ウエハＷ2における対Ａ
ｌにおいても選択比が５０という高い値が得られた。
既述の条件の下でエッチングを行った結果、上記半導体
ウエハＷ1においては対Ｓｉにおける選択比は従来と同
様５０であったが、上記半導体ウエハＷ2における対Ａ
ｌにおいても選択比が５０という高い値が得られた。
【００４３】またさらに図５に示された半導体ウエハＷ
3、即ち下地８１がＳｉＮであり、その上に酸化物のＳ
ｉＯ2膜８２、及び当該ＳｉＯ2膜８２の上にレジスト膜
８３が形成されている半導体ウエハＷ3に対してエッチ
ングを行った場合の結果を、図６に示したグラフに基づ
いて説明する。
3、即ち下地８１がＳｉＮであり、その上に酸化物のＳ
ｉＯ2膜８２、及び当該ＳｉＯ2膜８２の上にレジスト膜
８３が形成されている半導体ウエハＷ3に対してエッチ
ングを行った場合の結果を、図６に示したグラフに基づ
いて説明する。
【００４４】この場合、パワーは６５０ｗとし、そして
Ｃ4Ｆ8ガス１０ｓｃｃｍに対してＣＯの流量を０〜２０
０ｓｃｃｍまで増加してＣＯの混合比を変化させた際
の、ＳｉＯ2膜のエッチングレート（図６のグラフにお
ける○印で示される特性Ａ）、下地のＳｉＮのエッチン
グレート（図６のグラフにおける△印で示される特性
Ｂ）、対レジスト膜における選択比（図６のグラフにお
ける□印で示される特性Ｃ）、対ＳｉＮにおける選択比
（図６のグラフにおける◇印で示される特性Ｄ）を夫々
測定して、その結果を夫々同一グラフ上に示した。
Ｃ4Ｆ8ガス１０ｓｃｃｍに対してＣＯの流量を０〜２０
０ｓｃｃｍまで増加してＣＯの混合比を変化させた際
の、ＳｉＯ2膜のエッチングレート（図６のグラフにお
ける○印で示される特性Ａ）、下地のＳｉＮのエッチン
グレート（図６のグラフにおける△印で示される特性
Ｂ）、対レジスト膜における選択比（図６のグラフにお
ける□印で示される特性Ｃ）、対ＳｉＮにおける選択比
（図６のグラフにおける◇印で示される特性Ｄ）を夫々
測定して、その結果を夫々同一グラフ上に示した。
【００４５】このグラフからみればわかるように、ＣＯ
の混合比を増加させるに従い、ＳｉＯ2のエッチングレ
ートとＳｉＮのエッチングレートは漸次低下している。
また対レジスト膜における選択比についてもＣＯの混合
比を増加させるに伴って上昇している。そして対ＳｉＮ
における選択比は、ＣＯを５０ｓｃｃｍ以上混合させた
頃からほぼリニアに上昇し、２００ｓｃｃｍ混合したと
きには、選択比が１５．６にまで向上している。またＣ
Ｏの混合比率を高くすれば、それに伴ってさらに高い選
択比が得られることも確認できる。
の混合比を増加させるに従い、ＳｉＯ2のエッチングレ
ートとＳｉＮのエッチングレートは漸次低下している。
また対レジスト膜における選択比についてもＣＯの混合
比を増加させるに伴って上昇している。そして対ＳｉＮ
における選択比は、ＣＯを５０ｓｃｃｍ以上混合させた
頃からほぼリニアに上昇し、２００ｓｃｃｍ混合したと
きには、選択比が１５．６にまで向上している。またＣ
Ｏの混合比率を高くすれば、それに伴ってさらに高い選
択比が得られることも確認できる。
【００４６】さらにまた参考までに、対ＳｉＮ（ＳｉＯ
2膜）における従来のＣＨＦ3／ＣＯとＣＦ4／Ｈ2／Ｏ2
と、本発明におけるＣ2Ｆ6系ガスとＣ4Ｆ8系ガスとの選
択比の比較を図７に示す表に示した。この表をみればわ
かるように、従来のＨを含むエッチングガスによってエ
ッチングした場合には、ＣＨＦ3／ＣＯの場合は１．
３、ＣＦ4／Ｈ2／Ｏ2の場合には０．７と、極めて低い
選択比しか得られなかったが、本発明におけるＣ2Ｆ6ガ
スにＣＯを混合したときには４．８、Ｃ4Ｆ8ガスにＣＯ
を混合したときには、１４．７と大幅に選択比が向上し
ていることがわかる。またＣ2Ｆ6ガス、Ｃ4Ｆ8ガス共、
ＣＯを混合してよりカーボンリッチにした方が選択比が
向上していることも確認できる。
2膜）における従来のＣＨＦ3／ＣＯとＣＦ4／Ｈ2／Ｏ2
と、本発明におけるＣ2Ｆ6系ガスとＣ4Ｆ8系ガスとの選
択比の比較を図７に示す表に示した。この表をみればわ
かるように、従来のＨを含むエッチングガスによってエ
ッチングした場合には、ＣＨＦ3／ＣＯの場合は１．
３、ＣＦ4／Ｈ2／Ｏ2の場合には０．７と、極めて低い
選択比しか得られなかったが、本発明におけるＣ2Ｆ6ガ
スにＣＯを混合したときには４．８、Ｃ4Ｆ8ガスにＣＯ
を混合したときには、１４．７と大幅に選択比が向上し
ていることがわかる。またＣ2Ｆ6ガス、Ｃ4Ｆ8ガス共、
ＣＯを混合してよりカーボンリッチにした方が選択比が
向上していることも確認できる。
【００４７】さらにまた例えば図８に示したように、下
地９１がＡｌで、その上にＳｉＯ2膜９２、さらにこの
ＳｉＯ2膜９２の上にレジスト膜９３が形成されている
半導体ウエハＷ0の場合に対して従来技術によって、コ
ンタクトホール９４のエッチングした場合、従来は当該
コンタクトホール９４の側壁にフェンス９５と呼ばれる
一種のデポジションが従来固着形成されていた。このフ
ェンス９５はＡｌ−Ｓｉ系の不純物であり、その除去は
難しく、そのためこのまま例えば後処理としてコンタク
トホール９４に導電物質を充填して配線パターン形成し
た場合、接触不良など起こし、歩留りの低下を招いてい
た。
地９１がＡｌで、その上にＳｉＯ2膜９２、さらにこの
ＳｉＯ2膜９２の上にレジスト膜９３が形成されている
半導体ウエハＷ0の場合に対して従来技術によって、コ
ンタクトホール９４のエッチングした場合、従来は当該
コンタクトホール９４の側壁にフェンス９５と呼ばれる
一種のデポジションが従来固着形成されていた。このフ
ェンス９５はＡｌ−Ｓｉ系の不純物であり、その除去は
難しく、そのためこのまま例えば後処理としてコンタク
トホール９４に導電物質を充填して配線パターン形成し
た場合、接触不良など起こし、歩留りの低下を招いてい
た。
【００４８】しかしながら、今回の上記実施例に従って
下地がＡｌの上記半導体ウエハＷ2にコンタクトホール
のエッチングした結果、図９に示したように、コンタク
トホール７４の側壁にはそのようなフェンスは殆ど形成
されていないことが確認できた。これはカーボンリッチ
の雰囲気の中で、下地のＡｌ周辺に対して、Ｃによる保
護膜が形成されたためと考えられる。従って本発明によ
れば、単に選択比が高いだけではなく、そのようなフェ
ンスを発生させない良好なエッチングを実施できること
も確認できた。
下地がＡｌの上記半導体ウエハＷ2にコンタクトホール
のエッチングした結果、図９に示したように、コンタク
トホール７４の側壁にはそのようなフェンスは殆ど形成
されていないことが確認できた。これはカーボンリッチ
の雰囲気の中で、下地のＡｌ周辺に対して、Ｃによる保
護膜が形成されたためと考えられる。従って本発明によ
れば、単に選択比が高いだけではなく、そのようなフェ
ンスを発生させない良好なエッチングを実施できること
も確認できた。
【００４９】なお、上記実施例では、バルブ４０を閉鎖
してエッチングガスとしてＣ4Ｆ8ガスとＣＯとの混合ガ
スを使用したが、もちろん例えばバルブ４０を開放して
Ｎ2を当該混合ガスに添加してしてもよく、その他例え
ば不活性ガスとしてＡｒを用いてもよい。
してエッチングガスとしてＣ4Ｆ8ガスとＣＯとの混合ガ
スを使用したが、もちろん例えばバルブ４０を開放して
Ｎ2を当該混合ガスに添加してしてもよく、その他例え
ば不活性ガスとしてＡｒを用いてもよい。
【００５０】例えば図１０に示したように、エッチング
ガス（１０ｓｃｃｍのＣ4Ｆ8と２５ｓｃｃｍのＣＯの混
合ガス）３５ｓｃｃｍに対して、３０ｓｃｃｍ以上の不
活性ガス、例えばＡｒ等の希ガス又はＮ2を添加する
と、熱酸化ＳｉＯ2膜のエッチングレートが、曲線Ｅで
示したように向上したことが確認された。なお曲線Ｆは
フォトレジストに対する選択比の変化を表している。
ガス（１０ｓｃｃｍのＣ4Ｆ8と２５ｓｃｃｍのＣＯの混
合ガス）３５ｓｃｃｍに対して、３０ｓｃｃｍ以上の不
活性ガス、例えばＡｒ等の希ガス又はＮ2を添加する
と、熱酸化ＳｉＯ2膜のエッチングレートが、曲線Ｅで
示したように向上したことが確認された。なお曲線Ｆは
フォトレジストに対する選択比の変化を表している。
【００５１】ところで前記した不活性ガスの量である３
０ｓｃｃｍは、エッチングガス（１０ｓｃｃｍのＣ4Ｆ8
と２５ｓｃｃｍのＣＯの混合ガス）３５ｓｃｃｍに対し
て、３０ｓｃｃｍ／３５ｓｃｃｍ≒８６％である。従っ
て約８６％以上の不活性ガスを添加することにより、か
かる効果が得られることが確認できる。
０ｓｃｃｍは、エッチングガス（１０ｓｃｃｍのＣ4Ｆ8
と２５ｓｃｃｍのＣＯの混合ガス）３５ｓｃｃｍに対し
て、３０ｓｃｃｍ／３５ｓｃｃｍ≒８６％である。従っ
て約８６％以上の不活性ガスを添加することにより、か
かる効果が得られることが確認できる。
【００５２】かかる場合のエッチングレートの向上の理
由としては、次のように考えられる。即ち、よりＳｉＯ
2が多く露出している部分には、酸化膜上に例えばフロ
ロカーボンが厚く堆積する傾向があり、この部分が特に
エッチングされにくくなる。ところがＡｒ等の不活性ガ
スをエッチングガスに添加することにより、この堆積物
がスパッタリング効果により除去されて減少し、その結
果エッチングが促進されやすくなる。また例えばＣ4Ｆ8
系ガスの場合には、不活性ガスとしてＡｒを添加するこ
とで、一方でエッチングに有効な活性種であるＣ2Ｆ4 +
やＣＦ2 +が増加し、他方で選択性を低下させるＦ*まで
の解離反応が進みにくくなり、これによって効率よくエ
ッチングが促進されるのである。
由としては、次のように考えられる。即ち、よりＳｉＯ
2が多く露出している部分には、酸化膜上に例えばフロ
ロカーボンが厚く堆積する傾向があり、この部分が特に
エッチングされにくくなる。ところがＡｒ等の不活性ガ
スをエッチングガスに添加することにより、この堆積物
がスパッタリング効果により除去されて減少し、その結
果エッチングが促進されやすくなる。また例えばＣ4Ｆ8
系ガスの場合には、不活性ガスとしてＡｒを添加するこ
とで、一方でエッチングに有効な活性種であるＣ2Ｆ4 +
やＣＦ2 +が増加し、他方で選択性を低下させるＦ*まで
の解離反応が進みにくくなり、これによって効率よくエ
ッチングが促進されるのである。
【００５３】さらにまたそのように不活性ガスを添加し
た上に、さらに酸素原子Ｏを含むガスを添加するとさら
にエッチングレートが向上することが確認された。図１
１のグラフは、かかる場合の結果を示しており、曲線Ｇ
からわかるように、酸素原子Ｏを含有するガスを１０ｓ
ｃｃｍ以下に微量添加することによってエッチングレー
トが向上している。なおグラフ中の曲線Ｇは、熱酸化Ｓ
ｉＯ２のエッチングレートとＯ２の添加量との関係を、
曲線ＨはＯ２添加量に応じたフォトレジストの選択比の
変化を示している。またこの場合には、Ｏ２を例にとっ
ているが、この他に大気とかＮ２Ｏが考えられる。
た上に、さらに酸素原子Ｏを含むガスを添加するとさら
にエッチングレートが向上することが確認された。図１
１のグラフは、かかる場合の結果を示しており、曲線Ｇ
からわかるように、酸素原子Ｏを含有するガスを１０ｓ
ｃｃｍ以下に微量添加することによってエッチングレー
トが向上している。なおグラフ中の曲線Ｇは、熱酸化Ｓ
ｉＯ２のエッチングレートとＯ２の添加量との関係を、
曲線ＨはＯ２添加量に応じたフォトレジストの選択比の
変化を示している。またこの場合には、Ｏ２を例にとっ
ているが、この他に大気とかＮ２Ｏが考えられる。
【００５４】このように微量のＯ2を添加するとエッチ
ングレートがさらに向上する理由は、次のように考えら
れる。即ち、Ｏ2の添加により、カーボン系の堆積物が
除去されてコンタクトホールを垂直化させ、かつＳｉＯ
2のエッチングレートを増加させると考えられる。この
ように酸素の微量添加により、プロセスマージンを広げ
る機能が得られるものである。
ングレートがさらに向上する理由は、次のように考えら
れる。即ち、Ｏ2の添加により、カーボン系の堆積物が
除去されてコンタクトホールを垂直化させ、かつＳｉＯ
2のエッチングレートを増加させると考えられる。この
ように酸素の微量添加により、プロセスマージンを広げ
る機能が得られるものである。
【００５５】既述の如く、ＣＯの混合比率を高くすれば
さらに高い選択比が得られ、一方ＣxＦy系ガスについて
も、例えばＣＦ4、Ｃ2Ｆ6、Ｃ4Ｆ8などＣＦ比が大きく
よりカーボンリッチな雰囲気のガスとした方がさらに選
択比が高くとれる。
さらに高い選択比が得られ、一方ＣxＦy系ガスについて
も、例えばＣＦ4、Ｃ2Ｆ6、Ｃ4Ｆ8などＣＦ比が大きく
よりカーボンリッチな雰囲気のガスとした方がさらに選
択比が高くとれる。
【００５６】前記した実施例においては、エッチングガ
ス（Ｃ4Ｆ8／ＣＯ）中に、２００／２１０（約９５．２
％）の割合のＣＯガスが含まれていたが、エッチングガ
ス中のＣＯの含有率を５０％以上１００％未満にすると
選択比が向上し、特に７５％以上１００％未満にする
と、第２の変化点が存在してさらに選択比が向上するこ
とが確認された。
ス（Ｃ4Ｆ8／ＣＯ）中に、２００／２１０（約９５．２
％）の割合のＣＯガスが含まれていたが、エッチングガ
ス中のＣＯの含有率を５０％以上１００％未満にすると
選択比が向上し、特に７５％以上１００％未満にする
と、第２の変化点が存在してさらに選択比が向上するこ
とが確認された。
【００５７】即ち、図１２のグラフは、ＣＯの含有率を
横軸にとり、縦軸には左側にエッチングレートを、右側
にはポリシリコンに対する選択比をとって有るが、特性
曲線Ｉに示すように、ＣＯの含有率（濃度）が５０％越
えると、選択比は１５から増加し始めさらに７５％を越
える辺りから、急激に上昇して９５％あたりで１００近
くになっている。なお９５％を越えると選択比は急激に
低下すると予想される。また特性曲線Ｊは、熱酸化Ｓｉ
Ｏ2膜のエッチングレートの変化を示している。またエ
ッチングガスの成分として、ＣｘＦｙガスを用いる場
合、ＣＦ4や、Ｃ2Ｆ6、さらには前記Ｃ4Ｆ8のようにＣ
とＦの比（Ｃ／Ｆ）が大きく、カーボンリッチなガスを
用いる方が、さらに選択比が高くなることが確認されて
いる。
横軸にとり、縦軸には左側にエッチングレートを、右側
にはポリシリコンに対する選択比をとって有るが、特性
曲線Ｉに示すように、ＣＯの含有率（濃度）が５０％越
えると、選択比は１５から増加し始めさらに７５％を越
える辺りから、急激に上昇して９５％あたりで１００近
くになっている。なお９５％を越えると選択比は急激に
低下すると予想される。また特性曲線Ｊは、熱酸化Ｓｉ
Ｏ2膜のエッチングレートの変化を示している。またエ
ッチングガスの成分として、ＣｘＦｙガスを用いる場
合、ＣＦ4や、Ｃ2Ｆ6、さらには前記Ｃ4Ｆ8のようにＣ
とＦの比（Ｃ／Ｆ）が大きく、カーボンリッチなガスを
用いる方が、さらに選択比が高くなることが確認されて
いる。
【００５８】なお前記実施例を実施するに当たっては、
その装置としてマグネトロンＲＩＥ装置１を使用した
が、これに限らず、例えば平行平板型プラズマ装置、平
行平板型ＲＩＥ装置、ＥＣＲ型プラズマ装置など、各種
処理室内に減圧雰囲気でプラズマを存在させるドライエ
ッチング処理装置を使用することが可能である。
その装置としてマグネトロンＲＩＥ装置１を使用した
が、これに限らず、例えば平行平板型プラズマ装置、平
行平板型ＲＩＥ装置、ＥＣＲ型プラズマ装置など、各種
処理室内に減圧雰囲気でプラズマを存在させるドライエ
ッチング処理装置を使用することが可能である。
【００５９】
【発明の効果】本発明によれば、下地がＡｌなどの金属
やＳｉＮ、ＴｉＮなどの窒化膜などによって構成されて
いる半導体ウエハなどの被処理体に対してエッチングを
行う場合にも、高い選択比が得られる。もちろん従前と
同様対Ｓｉにおける選択比も高レベルを維持しているの
で、下地の膜種に拘らず、その上に形成されている酸化
物や窒化物を高い選択比の下でエッチングできるもので
ある。
やＳｉＮ、ＴｉＮなどの窒化膜などによって構成されて
いる半導体ウエハなどの被処理体に対してエッチングを
行う場合にも、高い選択比が得られる。もちろん従前と
同様対Ｓｉにおける選択比も高レベルを維持しているの
で、下地の膜種に拘らず、その上に形成されている酸化
物や窒化物を高い選択比の下でエッチングできるもので
ある。
【００６０】しかも下地がＡｌなどの金属の場合、従来
エッチング孔内に固着形成されていたフェンスを殆ど発
生させないので、高い選択比でけではなく、極めて良好
なエッチングを実施することが可能である。
エッチング孔内に固着形成されていたフェンスを殆ど発
生させないので、高い選択比でけではなく、極めて良好
なエッチングを実施することが可能である。
【００６１】そしてエッチングガスの約８６％以上の不
活性ガスを添加することにより、エッチングレートがさ
らに向上し、またさらにＯ ２ を含有するガスを添加する
と、より一層エッチングレートが向上する。
活性ガスを添加することにより、エッチングレートがさ
らに向上し、またさらにＯ ２ を含有するガスを添加する
と、より一層エッチングレートが向上する。
【００６２】またＨを含まない４族と７族の元素を含有
するガスは、Ｃ ２ Ｆ ６ 、Ｃ ４ Ｆ ８ が適している。
するガスは、Ｃ ２ Ｆ ６ 、Ｃ ４ Ｆ ８ が適している。
【００６３】そしてエッチングガス中のＣＯの含有量
は、７５％以上１００％未満とすることにより、カーボ
ンリッチな保護膜を下地に対して形成でき、下地との選
択比が向上し、またフェンスなどの発生も防止できる。
すなわち高い選択比で高レベルでのフェンスの防止が図
れるものである。
は、７５％以上１００％未満とすることにより、カーボ
ンリッチな保護膜を下地に対して形成でき、下地との選
択比が向上し、またフェンスなどの発生も防止できる。
すなわち高い選択比で高レベルでのフェンスの防止が図
れるものである。
【図１】本発明と従来技術の作用効果の差異を模擬的に
示す説明図である。
示す説明図である。
【図２】本発明の実施例に用いたマグネトロンＲＩＥ装
置の側面の説明図である。
置の側面の説明図である。
【図３】実施例によってエッチングを行う被処理体とし
て下地膜がＳｉの半導体ウエハの側面端面の様子を示す
説明図である。
て下地膜がＳｉの半導体ウエハの側面端面の様子を示す
説明図である。
【図４】実施例によってエッチングを行う被処理体とし
て下地膜がＡｌの半導体ウエハの側面端面の様子を示す
説明図である。
て下地膜がＡｌの半導体ウエハの側面端面の様子を示す
説明図である。
【図５】実施例によってエッチングを行う被処理体とし
て下地膜がＳｉＮの半導体ウエハの側面端面の様子を示
す説明図である。
て下地膜がＳｉＮの半導体ウエハの側面端面の様子を示
す説明図である。
【図６】図４に示した半導体ウエハに対してＣＯガス流
量を変化させてエッチングを行った場合の、エッチング
レート、選択比についての結果を示すグラフである。
量を変化させてエッチングを行った場合の、エッチング
レート、選択比についての結果を示すグラフである。
【図７】従来のＨを含むエッチングガスと、本発明にお
けるＣxＦy系ガスとの、対ＳｉＮにおける選択比の比較
を示す図表である。
けるＣxＦy系ガスとの、対ＳｉＮにおける選択比の比較
を示す図表である。
【図８】従来のエッチング方法によって下地膜がＡｌの
半導体ウエハをエッチングした際の様子を示す説明図で
ある。
半導体ウエハをエッチングした際の様子を示す説明図で
ある。
【図９】実施例によって下地膜がＡｌの半導体ウエハを
エッチングした際の様子を示す説明図である。
エッチングした際の様子を示す説明図である。
【図１０】エッチングガスに不活性ガスを添加した場合
の影響を示すグラフである。
の影響を示すグラフである。
【図１１】エッチングガスに酸素を添加した場合の影響
を示すグラフである。
を示すグラフである。
【図１２】エッチングガス中のＣＯ含有率によるエッチ
ングレートと選択比の変化を示すグラフである。
ングレートと選択比の変化を示すグラフである。
１ マグネトロンＲＩＥ装置 ２ 処理室 ３ 排気管 ６ サセプタ １０ 高周波電源 ２１ 静電チャック ３２ 上部電極 ３４ ガス導入口 ３５ バルブ ４３、４４、４５ マスフロー・コントローラ ４６、４７、４８ ボンベ ５１ 永久磁石 Ｗ 半導体ウエハ Ｗ1、Ｗ2、Ｗ3 半導体ウエハ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平６−244152（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−290428（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−36652（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−274082（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/3065 C23F 4/00
Claims (30)
- 【請求項１】 処理室内の上下に電極を有する処理室内
に処理ガスを導入して，当該処理室内の下部電極上の被
処理体に形成された窒化膜上のＳｉＯ２膜に対してエッ
チングを行う際の選択性を高める方法であって， 前記処理ガスとして，Ｈを含まない少なくとも４族と７
族の元素を含有するガスとＣＯとの混合ガスを含むエッ
チングガスを用いることを特徴とする，エッチング方
法。 - 【請求項２】 処理室内に処理ガスを導入して，当該処
理室内の被処理体に形成された下地がＡｌであるＳｉＯ
２膜にコンタクトホールのエッチングを行う方法におい
て， 前記処理ガスとして，Ｈを含まない少なくとも４族と７
族の元素を含有するガスとＣＯとの混合ガスを含むエッ
チングガスを用いることを特徴とする，エッチング方
法。 - 【請求項３】 前記エッチングは，セルフアラインコン
タクトホールのエッチングであることを特徴とする，請
求項１に記載のエッチング方法。 - 【請求項４】 処理室内に処理ガスを導入して，当該処
理室内の被処理体に形成された窒化膜上のＳｉＯ ２ 膜に
対してエッチングを行う際の選択性を高める方法であっ
て， 前記処理ガスとして，Ｈを含まない少なくとも４族と７
族の元素を含有するガスとＣＯとの混合ガスを含むエッ
チングガスを用い， さらに前記エッチングガスに不活性ガスを添加した こと
を特徴とする，エッチング方法。 - 【請求項５】 前記Ｈを含まない少なくとも４族と７族
の元素を含有するガスは，ＣｘＦｙ（ｙ≦２ｘ＋２）ガ
スであることを特徴とする，請求項１，２，３又は４の
いずれかに記載のエッチング方法。 - 【請求項６】 前記Ｈを含まない少なくとも４族と７族
の元素を含有するガスは，ＣＦ ４ であることを特徴とす
る，請求項５に記載のエッチング方法。 - 【請求項７】 前記Ｈを含まない少なくとも４族と７族
の元素を含有するガスは，Ｃ ２ Ｆ ６ であることを特徴と
する，請求項５に記載のエッチング方法。 - 【請求項８】 前記Ｈを含まない少なくとも４族と７族
の元素を含有するガスは，Ｃ ４ Ｆ ８ であることを特徴と
する，請求項５に記載のエッチング方法。 - 【請求項９】 前記Ｈを含まない少なくとも４族と７族
の元素を含有するガスは，Ｃ ４ Ｆ ６ であることを特徴と
する，請求項５に記載のエッチング方法。 - 【請求項１０】 前記Ｈを含まない少なくとも４族と７
族の元素を含有するガスは，Ｃ ５ Ｆ ８ であることを特徴
とする，請求項５に記載のエッチング方法。 - 【請求項１１】 さらに前記エッチングガスに不活性ガ
スを添加したことを特徴とする，請求項１，２，３，
５，６，７，８，９又は１０のいずれかに記載のエッチ
ング方法。 - 【請求項１２】 前記不活性ガスは，Ａｒガスであるこ
とを特徴とする，請求項４又は１１に記載のエッチング
方法。 - 【請求項１３】 前記エッチングガスに添加するＡｒガ
スの流量比は，前記エッチングガスに対して０．８６以
上であることを特徴とする，請求項１２に記載のエッチ
ング方法。 - 【請求項１４】 前記ＣＯの流量比は，前記Ｈを含まな
い少なくとも４族と７族の元素を含有するガス＋ＣＯに
対して，０．７５以上１．００未満であることを特徴と
する，請求項１３に記載のエッチング方法。 - 【請求項１５】 Ａｒガスの他にさらにＯ ２ を添加した
ことを特徴とする，請求項１２，１３又は１４に記載の
エッチング方法。 - 【請求項１６】 Ｏ ２ の添加量は，１０ｓｃｃｍ以下で
あることを特徴とする，請求項１５に記載のエッチング
方法。 - 【請求項１７】 前記Ａｒガスに代えて，Ｎ ２ ガスを用
いることを特徴とする，請求項１２，１３，１４，１５
又は１６に記載のエッチング方法。 - 【請求項１８】 処理室内に処理ガスを導入して，当該
処理室内の被処理体に形成された下地がポリシリコンで
あるＳｉＯ ２ に対してエッチングを行う方法において， 前記処理ガスとして，ＣｘＦｙ（ｙ≦２ｘ＋２）ガスに
ＣＯ及びＡｒガスを添加したエッチングガスを用い，さ
らに前記ＣＯの流量比は，前記ＣｘＦｙ（ｙ≦２ｘ＋
２）ガス＋ＣＯに対して，０．７５以上１．００未満で
あることを特徴とす る，エッチング方法。 - 【請求項１９】 処理室内にガス導入口から処理ガスを
導入して，当該処理室内の被処理体に形成された窒化膜
上のＳｉＯ ２ 膜に対してエッチングを行う際の選択性を
高めるための装置であって， 処理室内の上下に電極を有し， 前記ガス導入口からは，前記処理ガスとして，Ｈを含ま
ない少なくとも４族と７族の元素を含有するガスとＣＯ
との混合ガスを含むエッチングガスが処理室内に導入さ
れるように構成されていることを特徴とする，エッチン
グ装置。 - 【請求項２０】 処理室内にガス導入口から処理ガスを
導入して，当該処理室内の被処理体に形成された下地が
ＡｌであるＳｉＯ ２ 膜にコンタクトホールのエッチング
を行うための装置であって， 前記ガス導入口からは，前記処理ガスとして，Ｈを含ま
ない少なくとも４族と７族の元素を含有するガスとＣＯ
との混合ガスを含むエッチングガスが処理室内に導入さ
れるように構成されていることを特徴とする，エッチン
グ装置。 - 【請求項２１】 処理室内にガス導入口から処理ガスを
導入して，当該処理室内の被処理体に形成された下地が
ポリシリコンであるＳｉＯ ２ に対してエッチングを行う
装置であって， 前記ガス導入口からは，前記処理ガスとして，ＣｘＦｙ
（ｙ≦２ｘ＋２）ガスにＣＯ及びＡｒガスを添加したエ
ッチングガスが処理室内に導入されると共に，さらに前
記ＣＯの流量比が，前記ＣｘＦｙ（ｙ≦２ｘ＋２）ガス
＋ＣＯに対して，０．７５以上１．００未満となるよう
に前記各ガスの流量が調整されていることを特徴とす
る，エッチング装置。 - 【請求項２２】 処理室内にガス導入口から処理ガスを
導入して，当該処理室内の被処理体に形成された窒化膜
上のＳｉＯ ２ 膜に対してエッチングを行う際の選択性を
高めるための装置であって， 前記ガス導入口からは，前記処理ガスとして，Ｈを含ま
ない少なくとも４族と７族の元素を含有するガスとＣＯ
との混合ガスを含みかつ不活性ガスが添加されたエッチ
ングガスが処理室内に導入されるように構成されている
ことを特徴とする，エッチング装置。 - 【請求項２３】 前記処理室内には下部電極を構成する
サセプタが設けられ，該サセプタには３８０ｋＨｚ又は
４０．６８ＭＨｚの高周波電力が供給されるように構成
されていることを特徴とする，請求項１９，２０，２１
又は２２に記載のエッチング装置。 - 【請求項２４】 前記高周波電力のパワーは１００〜２
５００Ｗであることを特徴とする，請求項２３に記載の
エッチング装置。 - 【請求項２５】 前記処理室内の被処理体の表面に対し
て磁界を形成する手段を備えたことを特徴とする，請求
項１９，２０，２１，２２，２３又は２４に記載のエッ
チング装置。 - 【請求項２６】 前記磁界の強度は１０〜１０００Ｇで
あることを特徴とする，請求項２５に記載のエッチング
装置。 - 【請求項２７】 前記装置は，平行平板型プラズマ装置
であることを特徴とする，請求項１９，２０，２１，２
２，２３又は２４に記載のエッチング装置。 - 【請求項２８】 前記装置は，平行平板型ＲＩＥ装置で
あることを特徴とする，請求項１９，２０，２１，２
２，２３又は２４に記載のエッチング装置。 - 【請求項２９】 前記装置は，マグネトロンＲＩＥ装置
であることを特徴とする，請求項１９，２０，２１，２
２，２３，２４，２５又は２６に記載のエッチング装
置。 - 【請求項３０】 前記装置は，ＥＣＲ型プラズマ装置で
あることを特徴とする，請求項１９，２０，２１，２
２，２３又は２４に記載のエッチング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP08557594A JP3253215B2 (ja) | 1993-03-31 | 1994-03-31 | エッチング方法及びエッチング装置 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5-98553 | 1993-03-31 | ||
| JP9855393 | 1993-03-31 | ||
| JP08557594A JP3253215B2 (ja) | 1993-03-31 | 1994-03-31 | エッチング方法及びエッチング装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06338479A JPH06338479A (ja) | 1994-12-06 |
| JP3253215B2 true JP3253215B2 (ja) | 2002-02-04 |
Family
ID=26426580
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP08557594A Expired - Fee Related JP3253215B2 (ja) | 1993-03-31 | 1994-03-31 | エッチング方法及びエッチング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3253215B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2014070838A1 (en) * | 2012-10-30 | 2014-05-08 | L'air Liquide, Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude | Fluorocarbon molecules for high aspect ratio oxide etch |
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| US5399237A (en) * | 1994-01-27 | 1995-03-21 | Applied Materials, Inc. | Etching titanium nitride using carbon-fluoride and carbon-oxide gas |
| TW348296B (en) * | 1995-12-16 | 1998-12-21 | Hyundai Electronics Ind | Method for forming contact hole in semiconductor device |
| US6051504A (en) * | 1997-08-15 | 2000-04-18 | International Business Machines Corporation | Anisotropic and selective nitride etch process for high aspect ratio features in high density plasma |
| US6159862A (en) * | 1997-12-27 | 2000-12-12 | Tokyo Electron Ltd. | Semiconductor processing method and system using C5 F8 |
| JP4722243B2 (ja) * | 1999-06-30 | 2011-07-13 | Ｈｏｙａ株式会社 | ドライエッチング用ガスおよび半導体デバイスの加工方法 |
| US6749763B1 (en) | 1999-08-02 | 2004-06-15 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Plasma processing method |
| EP2317543A3 (en) | 2001-11-08 | 2012-08-29 | Zeon Corporation | Gas for plasma reaction, process for producing the same and use |
| JP2006049771A (ja) * | 2004-08-09 | 2006-02-16 | Tokyo Electron Ltd | エッチングガス，エッチング方法及びエッチングガスの評価方法 |
| US7794616B2 (en) | 2004-08-09 | 2010-09-14 | Tokyo Electron Limited | Etching gas, etching method and etching gas evaluation method |
| JP2010045058A (ja) * | 2006-12-18 | 2010-02-25 | Nippon Zeon Co Ltd | プラズマ反応用ガス |
| JP6945385B2 (ja) * | 2017-08-14 | 2021-10-06 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置 |
-
1994
- 1994-03-31 JP JP08557594A patent/JP3253215B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2014070838A1 (en) * | 2012-10-30 | 2014-05-08 | L'air Liquide, Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude | Fluorocarbon molecules for high aspect ratio oxide etch |
| US9514959B2 (en) | 2012-10-30 | 2016-12-06 | American Air Liquide, Inc. | Fluorocarbon molecules for high aspect ratio oxide etch |
| US10381240B2 (en) | 2012-10-30 | 2019-08-13 | American Air Liquide, Inc. | Fluorocarbon molecules for high aspect ratio oxide etch |
| US11152223B2 (en) | 2012-10-30 | 2021-10-19 | American Air Liquide, Inc. | Fluorocarbon molecules for high aspect ratio oxide etch |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06338479A (ja) | 1994-12-06 |
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