JP2012505530A5 - - Google Patents

Claims (13)

1. 誘電体層をエッチングする方法であって、
   シリコン及び窒素を含む誘電体層と前記誘電体層に隣接して配置された酸化物層とを有する基板を用意すること、
   リモートプラズマを使用して、水素（Ｈ_２）及び三フッ化窒素（ＮＦ_３）を含むプロセスガスから反応性種を形成すること、ならびに
   前記反応性種を使用して前記誘電体層をエッチングすること
   を含み、前記酸化物層又は前記基板のうち少なくとも１つに対する前記誘電体層のエッチング選択性が約０．８〜約４である、方法。
2. 前記酸化物層が二酸化シリコン（ＳｉＯ_２）を含む、請求項１に記載の方法。
3. 前記酸化物層が、トランジスタデバイスのゲート酸化物層を含む、請求項１又は２に記載の方法。
4. 前記酸化物層が、前記誘電体層よりも上に配置されており、前記酸化物層内に画定されたフィーチャを含み、前記フィーチャが、前記誘電体層を少なくとも部分的に露出させている、請求項１又は２に記載の方法。
5. 前記誘電体層が、窒化シリコン（ＳｉＮ）、窒素がドープされた炭化シリコン（ＳｉＮＣ）、及び酸素及び窒素がドープされた炭化シリコン（ＳｉＯＮＣ）のうちの少なくとも１つを含む、請求項１ないし４のいずれか一項に記載の方法。
6. 前記基板がさらに、シリコン、ポリシリコン、金属ケイ化物、ｎ型にドープされたシリコン、及びｐ型にドープされたシリコンのうちの少なくとも１つを含む、請求項１ないし５のいずれか一項に記載の方法。
7. 流量比ＮＦ_３：Ｈ_２が約１：１から約１：１０である、請求項１ないし６のいずれか一項に記載の方法。
8. 前記プロセスガスが、三フッ化窒素（ＮＦ_３）、アンモニア（ＮＨ_３）及び水素（Ｈ_２）を含む、請求項１ないし７のいずれか一項に記載の方法。
9. 前記誘電体層をエッチングすることがさらに、
   前記基板が載せられた基板支持台を、摂氏約３５度から摂氏約８０度の温度に維持すること
   を含む、請求項１ないし８のいずれか一項に記載の方法。
10. プロセッサによって実行されたときに、プロセス室内に配置された、シリコン及び窒素を含む誘電体層と前記誘電体層に隣接して配置された酸化物層とを有する基板をエッチングする方法を、前記プロセス室に実行させる命令を含むコンピュータ可読媒体であって、前記方法が、
    リモートプラズマを使用して、水素（Ｈ_２）及び三フッ化窒素（ＮＦ_３）を含むプロセスガスから反応性種を形成すること、ならびに
    前記反応性種を使用して前記誘電体層をエッチングすること
    を含み、前記酸化物層又は前記基板のうち少なくとも１つに対する前記誘電体層のエッチング選択性が約０．８〜約４である、コンピュータ可読媒体。
11. 流量比ＮＦ_３：Ｈ_２が約１：１から約１：１０である、請求項１０に記載のコンピュータ可読媒体。
12. 温度が、摂氏約３５度から摂氏約８０度に維持される、請求項１０又は１１に記載のコンピュータ可読媒体。
13. 前記プロセスガスが、三フッ化窒素（ＮＦ_３）、アンモニア（ＮＨ_３）及び水素（Ｈ_２）を含む、請求項１０ないし１２のいずれか一項に記載のコンピュータ可読媒体。