JP2015169424A - 空気液化分離装置及び方法 - Google Patents

空気液化分離装置及び方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2015169424A
JP2015169424A JP2014047333A JP2014047333A JP2015169424A JP 2015169424 A JP2015169424 A JP 2015169424A JP 2014047333 A JP2014047333 A JP 2014047333A JP 2014047333 A JP2014047333 A JP 2014047333A JP 2015169424 A JP2015169424 A JP 2015169424A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
distillation
low
pressure
path
gas
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2014047333A
Other languages
English (en)
Other versions
JP6204231B2 (ja
Inventor
信明 江越
Nobuaki Ekoshi
信明 江越
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Taiyo Nippon Sanso Corp
Original Assignee
Taiyo Nippon Sanso Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Taiyo Nippon Sanso Corp filed Critical Taiyo Nippon Sanso Corp
Priority to JP2014047333A priority Critical patent/JP6204231B2/ja
Publication of JP2015169424A publication Critical patent/JP2015169424A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6204231B2 publication Critical patent/JP6204231B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F25REFRIGERATION OR COOLING; COMBINED HEATING AND REFRIGERATION SYSTEMS; HEAT PUMP SYSTEMS; MANUFACTURE OR STORAGE OF ICE; LIQUEFACTION SOLIDIFICATION OF GASES
    • F25JLIQUEFACTION, SOLIDIFICATION OR SEPARATION OF GASES OR GASEOUS OR LIQUEFIED GASEOUS MIXTURES BY PRESSURE AND COLD TREATMENT OR BY BRINGING THEM INTO THE SUPERCRITICAL STATE
    • F25J3/00Processes or apparatus for separating the constituents of gaseous or liquefied gaseous mixtures involving the use of liquefaction or solidification
    • F25J3/02Processes or apparatus for separating the constituents of gaseous or liquefied gaseous mixtures involving the use of liquefaction or solidification by rectification, i.e. by continuous interchange of heat and material between a vapour stream and a liquid stream
    • F25J3/04Processes or apparatus for separating the constituents of gaseous or liquefied gaseous mixtures involving the use of liquefaction or solidification by rectification, i.e. by continuous interchange of heat and material between a vapour stream and a liquid stream for air
    • F25J3/04248Generation of cold for compensating heat leaks or liquid production, e.g. by Joule-Thompson expansion
    • F25J3/04284Generation of cold for compensating heat leaks or liquid production, e.g. by Joule-Thompson expansion using internal refrigeration by open-loop gas work expansion, e.g. of intermediate or oxygen enriched (waste-)streams
    • F25J3/0429Generation of cold for compensating heat leaks or liquid production, e.g. by Joule-Thompson expansion using internal refrigeration by open-loop gas work expansion, e.g. of intermediate or oxygen enriched (waste-)streams of feed air, e.g. used as waste or product air or expanded into an auxiliary column
    • F25J3/04303Lachmann expansion, i.e. expanded into oxygen producing or low pressure column
    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F25REFRIGERATION OR COOLING; COMBINED HEATING AND REFRIGERATION SYSTEMS; HEAT PUMP SYSTEMS; MANUFACTURE OR STORAGE OF ICE; LIQUEFACTION SOLIDIFICATION OF GASES
    • F25JLIQUEFACTION, SOLIDIFICATION OR SEPARATION OF GASES OR GASEOUS OR LIQUEFIED GASEOUS MIXTURES BY PRESSURE AND COLD TREATMENT OR BY BRINGING THEM INTO THE SUPERCRITICAL STATE
    • F25J3/00Processes or apparatus for separating the constituents of gaseous or liquefied gaseous mixtures involving the use of liquefaction or solidification
    • F25J3/02Processes or apparatus for separating the constituents of gaseous or liquefied gaseous mixtures involving the use of liquefaction or solidification by rectification, i.e. by continuous interchange of heat and material between a vapour stream and a liquid stream
    • F25J3/04Processes or apparatus for separating the constituents of gaseous or liquefied gaseous mixtures involving the use of liquefaction or solidification by rectification, i.e. by continuous interchange of heat and material between a vapour stream and a liquid stream for air
    • F25J3/04406Processes or apparatus for separating the constituents of gaseous or liquefied gaseous mixtures involving the use of liquefaction or solidification by rectification, i.e. by continuous interchange of heat and material between a vapour stream and a liquid stream for air using a dual pressure main column system
    • F25J3/04412Processes or apparatus for separating the constituents of gaseous or liquefied gaseous mixtures involving the use of liquefaction or solidification by rectification, i.e. by continuous interchange of heat and material between a vapour stream and a liquid stream for air using a dual pressure main column system in a classical double column flowsheet, i.e. with thermal coupling by a main reboiler-condenser in the bottom of low pressure respectively top of high pressure column
    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F25REFRIGERATION OR COOLING; COMBINED HEATING AND REFRIGERATION SYSTEMS; HEAT PUMP SYSTEMS; MANUFACTURE OR STORAGE OF ICE; LIQUEFACTION SOLIDIFICATION OF GASES
    • F25JLIQUEFACTION, SOLIDIFICATION OR SEPARATION OF GASES OR GASEOUS OR LIQUEFIED GASEOUS MIXTURES BY PRESSURE AND COLD TREATMENT OR BY BRINGING THEM INTO THE SUPERCRITICAL STATE
    • F25J3/00Processes or apparatus for separating the constituents of gaseous or liquefied gaseous mixtures involving the use of liquefaction or solidification
    • F25J3/02Processes or apparatus for separating the constituents of gaseous or liquefied gaseous mixtures involving the use of liquefaction or solidification by rectification, i.e. by continuous interchange of heat and material between a vapour stream and a liquid stream
    • F25J3/04Processes or apparatus for separating the constituents of gaseous or liquefied gaseous mixtures involving the use of liquefaction or solidification by rectification, i.e. by continuous interchange of heat and material between a vapour stream and a liquid stream for air
    • F25J3/04642Recovering noble gases from air
    • F25J3/04648Recovering noble gases from air argon
    • F25J3/04654Producing crude argon in a crude argon column
    • F25J3/04666Producing crude argon in a crude argon column as a parallel working rectification column of the low pressure column in a dual pressure main column system
    • F25J3/04672Producing crude argon in a crude argon column as a parallel working rectification column of the low pressure column in a dual pressure main column system having a top condenser
    • F25J3/04678Producing crude argon in a crude argon column as a parallel working rectification column of the low pressure column in a dual pressure main column system having a top condenser cooled by oxygen enriched liquid from high pressure column bottoms
    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F25REFRIGERATION OR COOLING; COMBINED HEATING AND REFRIGERATION SYSTEMS; HEAT PUMP SYSTEMS; MANUFACTURE OR STORAGE OF ICE; LIQUEFACTION SOLIDIFICATION OF GASES
    • F25JLIQUEFACTION, SOLIDIFICATION OR SEPARATION OF GASES OR GASEOUS OR LIQUEFIED GASEOUS MIXTURES BY PRESSURE AND COLD TREATMENT OR BY BRINGING THEM INTO THE SUPERCRITICAL STATE
    • F25J3/00Processes or apparatus for separating the constituents of gaseous or liquefied gaseous mixtures involving the use of liquefaction or solidification
    • F25J3/02Processes or apparatus for separating the constituents of gaseous or liquefied gaseous mixtures involving the use of liquefaction or solidification by rectification, i.e. by continuous interchange of heat and material between a vapour stream and a liquid stream
    • F25J3/04Processes or apparatus for separating the constituents of gaseous or liquefied gaseous mixtures involving the use of liquefaction or solidification by rectification, i.e. by continuous interchange of heat and material between a vapour stream and a liquid stream for air
    • F25J3/04763Start-up or control of the process; Details of the apparatus used
    • F25J3/04769Operation, control and regulation of the process; Instrumentation within the process
    • F25J3/04793Rectification, e.g. columns; Reboiler-condenser
    • F25J3/048Argon recovery
    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F25REFRIGERATION OR COOLING; COMBINED HEATING AND REFRIGERATION SYSTEMS; HEAT PUMP SYSTEMS; MANUFACTURE OR STORAGE OF ICE; LIQUEFACTION SOLIDIFICATION OF GASES
    • F25JLIQUEFACTION, SOLIDIFICATION OR SEPARATION OF GASES OR GASEOUS OR LIQUEFIED GASEOUS MIXTURES BY PRESSURE AND COLD TREATMENT OR BY BRINGING THEM INTO THE SUPERCRITICAL STATE
    • F25J3/00Processes or apparatus for separating the constituents of gaseous or liquefied gaseous mixtures involving the use of liquefaction or solidification
    • F25J3/02Processes or apparatus for separating the constituents of gaseous or liquefied gaseous mixtures involving the use of liquefaction or solidification by rectification, i.e. by continuous interchange of heat and material between a vapour stream and a liquid stream
    • F25J3/04Processes or apparatus for separating the constituents of gaseous or liquefied gaseous mixtures involving the use of liquefaction or solidification by rectification, i.e. by continuous interchange of heat and material between a vapour stream and a liquid stream for air
    • F25J3/04763Start-up or control of the process; Details of the apparatus used
    • F25J3/04866Construction and layout of air fractionation equipments, e.g. valves, machines
    • F25J3/04872Vertical layout of cold equipments within in the cold box, e.g. columns, heat exchangers etc.
    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F25REFRIGERATION OR COOLING; COMBINED HEATING AND REFRIGERATION SYSTEMS; HEAT PUMP SYSTEMS; MANUFACTURE OR STORAGE OF ICE; LIQUEFACTION SOLIDIFICATION OF GASES
    • F25JLIQUEFACTION, SOLIDIFICATION OR SEPARATION OF GASES OR GASEOUS OR LIQUEFIED GASEOUS MIXTURES BY PRESSURE AND COLD TREATMENT OR BY BRINGING THEM INTO THE SUPERCRITICAL STATE
    • F25J3/00Processes or apparatus for separating the constituents of gaseous or liquefied gaseous mixtures involving the use of liquefaction or solidification
    • F25J3/02Processes or apparatus for separating the constituents of gaseous or liquefied gaseous mixtures involving the use of liquefaction or solidification by rectification, i.e. by continuous interchange of heat and material between a vapour stream and a liquid stream
    • F25J3/04Processes or apparatus for separating the constituents of gaseous or liquefied gaseous mixtures involving the use of liquefaction or solidification by rectification, i.e. by continuous interchange of heat and material between a vapour stream and a liquid stream for air
    • F25J3/04763Start-up or control of the process; Details of the apparatus used
    • F25J3/04866Construction and layout of air fractionation equipments, e.g. valves, machines
    • F25J3/04896Details of columns, e.g. internals, inlet/outlet devices
    • F25J3/04933Partitioning walls or sheets
    • F25J3/04939Vertical, e.g. dividing wall columns
    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F25REFRIGERATION OR COOLING; COMBINED HEATING AND REFRIGERATION SYSTEMS; HEAT PUMP SYSTEMS; MANUFACTURE OR STORAGE OF ICE; LIQUEFACTION SOLIDIFICATION OF GASES
    • F25JLIQUEFACTION, SOLIDIFICATION OR SEPARATION OF GASES OR GASEOUS OR LIQUEFIED GASEOUS MIXTURES BY PRESSURE AND COLD TREATMENT OR BY BRINGING THEM INTO THE SUPERCRITICAL STATE
    • F25J2240/00Processes or apparatus involving steps for expanding of process streams
    • F25J2240/40Expansion without extracting work, i.e. isenthalpic throttling, e.g. JT valve, regulating valve or venturi, or isentropic nozzle, e.g. Laval
    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F25REFRIGERATION OR COOLING; COMBINED HEATING AND REFRIGERATION SYSTEMS; HEAT PUMP SYSTEMS; MANUFACTURE OR STORAGE OF ICE; LIQUEFACTION SOLIDIFICATION OF GASES
    • F25JLIQUEFACTION, SOLIDIFICATION OR SEPARATION OF GASES OR GASEOUS OR LIQUEFIED GASEOUS MIXTURES BY PRESSURE AND COLD TREATMENT OR BY BRINGING THEM INTO THE SUPERCRITICAL STATE
    • F25J2250/00Details related to the use of reboiler-condensers
    • F25J2250/02Bath type boiler-condenser using thermo-siphon effect, e.g. with natural or forced circulation or pool boiling, i.e. core-in-kettle heat exchanger

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Thermal Sciences (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Separation By Low-Temperature Treatments (AREA)

Abstract

【課題】製品酸素や製品窒素の収率に悪影響を及ぼすことなく、窒素成分濃度が低く、アルゴン成分濃度が高いフィードアルゴンガスが得られる空気液化分離装置を提供する。【解決手段】低圧塔12に第1,第2中間蒸留通路62,63を併設した中間分割蒸留部64を設け、第1中間蒸留通路に上部蒸留部65と下部蒸留部66とを設け、両蒸留部間にフィードアルゴンガス経路47を設ける。第2中間蒸留通路に上部蒸留部67と下部蒸留部68を設け、両蒸留部間に低圧空気導入経路44を設ける。上方の低圧塔内に第1〜第3蒸留部71,72,73を設け、第1、第2蒸留部間に低圧酸素富化液導入経路34を設け、第2、第3蒸留部間に廃窒素ガス導出経路56を設け、第3蒸留部の上部に低圧窒素ガス導出経路53を設ける。中間分割蒸留部の下方に低圧塔下部蒸留部74を設け、低圧塔下部蒸留部の下方に主凝縮器13と低圧酸素ガス導出経路54とを設ける。【選択図】図1

Description

本発明は、空気液化分離装置及び方法に関し、詳しくは、原料空気を深冷液化分離することにより、製品としてアルゴンを採取する空気液化分離装置及び方法に関する。
図6は、原料空気を深冷液化分離してアルゴンを採取する空気液化分離装置の基本的な構成例を示す系統図である。空気圧縮機101で所定の圧力(中圧)まで圧縮された原料空気は、アフタークーラー101aで常温まで冷却された後、モレキュラーシーブス等を充填した精製設備102に導入され、二酸化炭素や水分等の不純物が吸着除去される。精製設備102で精製された原料空気は、経路151を通り、主熱交換器103で、製品酸素ガスや製品窒素ガス等の低温戻りガスと間接熱交換して露点温度付近まで冷却され、全量がガスの状態又は一部液化した状態で経路152を通り、複精留塔の中圧塔104の下部に導入される。
中圧塔104では、塔底部から導入された原料空気が塔内上昇ガスとなり、塔頂からの還流液との気液接触により低温蒸留が行われ、塔頂部に中圧窒素ガス、塔底部に中圧酸素富化液がそれぞれ分離する。塔頂部の中圧窒素ガスは、経路153を通って低圧塔105の底部に設置された主凝縮器106に導入され、低圧塔105の底部に分離した低圧液化酸素と間接熱交換を行い、低圧液化酸素を気化させて低圧酸素ガスにするとともに、中圧窒素ガスが液化して中圧液化窒素となる。この中圧液化窒素は経路154に導出され、その一部が経路155を通って中圧塔104の頂部に還流液として戻され、中圧塔104内を下降する。残りの中圧液化窒素は、経路156を通り、過冷器107で冷却され、減圧弁108で低圧塔105の頂部圧力に減圧されて低圧液化窒素となり、低圧塔105の頂部に還流液として導入される。
また、中圧塔104の底部に分離した中圧酸素富化液は、経路157に抜き出され、前記過冷器107で冷却され、減圧弁109で低圧塔105の中段部圧力まで減圧されて低圧酸素富化液となり、低圧塔105の中段部に還流液として導入される。
さらに、前記経路151を流れる前記原料空気の一部は、経路161に分流してブロワ(膨張タービン制動ブロワ)111で昇圧されて昇圧原料空気となり、アフタークーラー111aで常温まで冷却された後、更に主熱交換器103で中間温度まで冷却される。中間温度に冷却された昇圧原料空気は、経路162から膨張タービン112に導入されて低圧塔105の中段部圧力まで断熱膨張することによって寒冷を発生させて低圧原料空気となり、経路163から低圧塔105の中段部に上昇ガスとして導入される。
低圧塔105では、主凝縮器106で気化して塔内の上昇ガスとなる低圧酸素ガスや、経路156から導入されて塔内の還流液となる低圧液化窒素の他、各経路から導入される上昇ガスや還流液が大気圧に近い低圧の操作圧力で低温蒸留され、塔頂部に低圧窒素ガスが分離し、塔底部に低圧液化酸素が分離するとともに、塔中部にアルゴンが濃縮されたガスが生成する。
アルゴンが濃縮されたガスの一部は、窒素濃度が低く、比較的アルゴン濃度が高いガスがフィードアルゴンガスとしてフィードアルゴンガス経路171に導出され、粗アルゴン塔121の下部に上昇ガスとして導入される。粗アルゴン塔121では、フィードアルゴンガスを低温蒸留することによって塔頂部にアルゴンが濃縮された粗アルゴンガスが生成し、塔底部にアルゴン濃度が低下した戻りフィードアルゴン液流体が生成する。
粗アルゴン塔121の上部には、粗アルゴン塔121から経路172に導出された前記粗アルゴンガスと、前記中圧塔104の中段から経路166に抜き出され、過冷器107で冷却された中圧液化空気を減圧弁122で減圧した低圧液化空気とを間接熱交換させるアルゴン凝縮器123が設けられている。
粗アルゴンガスは、アルゴン凝縮器123で大部分が液化して液化粗アルゴンとなり、経路173を通って気液分離器124に導入される。気液分離器124で分離した液相の液化粗アルゴンは、経路174を通って粗アルゴン塔121の頂部に還流液として導入され、気相の粗アルゴンガスは、経路175から製品粗アルゴンガス(Ar)として採取される。
また、前記減圧弁122で減圧した低圧液化空気は、気液分離器125で分離した液相の低圧液化空気のみが経路167を介して前記アルゴン凝縮器123の下部に導入され、経路168に抜き出された気相の低圧空気は、アルゴン凝縮器123で気化した低圧空気と合流し、経路169を通って低圧塔105の中段部に上昇ガスとして導入される。
さらに、粗アルゴン塔121の底部の戻りフィードアルゴン液流体は、経路176を通って前記経路171と同じ位置の低圧塔105の中段部に還流液として導入される。
この空気分離装置からは、経路175から前記製品粗アルゴンガスが採取される他、前記経路153を流れる中圧窒素ガスの一部が経路181に分流し、主熱交換器103で熱回収されて製品中圧窒素ガスとして導出され(MPGN)、前記経路156を流れる中圧液化窒素の一部が経路182から製品液化窒素(LN)として導出され、低圧塔105の底部からは経路183に少量の低圧液化酸素が製品液化酸素あるいは保安液酸(LO)として抜き出され、低圧塔105の下部からは、主凝縮器106で気化した低圧酸素ガスの一部が経路184に抜き出され、主熱交換器103で熱回収されて製品酸素ガス(GO)として導出され、低圧塔105の頂部からは経路185に低圧窒素ガスが抜き出され、過冷器107及び主熱交換器103で熱回収されて製品低圧窒素ガス(LPGN)として導出され、さらに、低圧塔105の中段上部からは経路186に低圧不純窒素ガスが廃窒素として抜き出され、過冷器107及び主熱交換器103で熱回収されて廃ガス(WG)として導出される。
低圧塔105からフィードアルゴンガス経路171に導出される前記フィードアルゴンガスの組成は、通常、アルゴン成分が7〜12%、窒素成分が50〜500ppm、残り酸素成分であり、粗アルゴン塔121では、アルゴンより沸点が高い酸素は、塔底部の戻りフィードアルゴン液流体中に分離されるが、アルゴンより沸点が低い窒素は粗アルゴン中に濃縮されるため、粗アルゴン塔121の運転条件によって異なるが、粗アルゴン中の窒素成分は0.15〜1.5%程度になる。
粗アルゴン中の窒素濃度を下げるため、低圧塔で従来の一般的なフィードアルゴンガス経路の接続部より下方にフィードアルゴンガス経路を接続することが提案されている(例えば、特許文献1参照。)。また、低圧塔の内部を鉛直方向に二つの通路に分割し、分割した一方の通路からフィードアルゴンガスを導出することも提案されている(例えば、特許文献2参照。)。さらに、低圧塔の内部を鉛直方向に二つの通路に分割し、分割した一方の通路を粗アルゴン塔として利用することも提案されている(例えば、特許文献3参照。)。
特許第2856985号公報 特表2005−527767号公報 特開平7−60003号公報
特許文献1に記載された方法において、単純にフィードアルゴンガス経路の接続位置を下げただけでは、フィードアルゴンガス中の窒素成分濃度は低くできるが、アルゴン成分の濃度も低下してしまう。このため、窒素成分濃度を低くしながらアルゴン成分濃度を低下させないための蒸留段を追加する必要があり、空気分離装置全体の設置高さに影響が出る。さらに、フィードアルゴンガス中の窒素成分濃度が増加しないように低圧塔全体の運転条件を設定する必要があるため、低圧塔の運転条件が制約されるおそれもあった。また、フィードアルゴンガス中の窒素成分濃度を低下できたとしても、アルゴン成分濃度も僅かに低下してしまうため、装置全体のアルゴン回収率が数%低下することになる。
特許文献2に記載された方法では、通路を分割した部分の直上から廃窒素ガスを抜き出す排出口(9)の部分から、フィードアルゴンガスを導出する通路の全体にわたる広い濃度範囲の蒸留条件を一定にしなければならないことから、フィードアルゴンガス中の窒素成分濃度の低減に着目した蒸留条件の設定は極めて困難であった。
特許文献3に記載された低圧塔は、分割した通路の一方から導出されるアルゴンの組成は、該特許文献における段落番号0018の記載から、アルゴン84.3%、酸素2.1%、窒素13.6%であり、窒素成分の濃度が一般的な粗アルゴンに比べて極めて高く、窒素成分濃度の低減には全く寄与していないことが分かる。
そこで本発明は、窒素成分濃度が低く、かつ、アルゴン成分濃度が高いフィードアルゴンガスをできるだけ多く導出することができ、粗アルゴン塔から窒素成分濃度の低い粗アルゴンガスを効率よく、高い回収率で採取することができ、製品酸素や製品窒素の収率に悪影響を及ぼすことがない空気液化分離装置及び方法を提供することを目的としている。
上記目的を達成するため、本発明の空気液化分離装置は、圧縮、精製、冷却した原料空気を中圧塔、低圧塔及び粗アルゴン塔で深冷液化分離することによってアルゴンを採取する空気分離装置において、前記低圧塔の上下方向中間部に、鉛直方向の第1中間蒸留通路と第2中間蒸留通路とを併設した中間分割蒸留部を設け、前記第1中間蒸留通路の内部に第1中間蒸留通路上部蒸留部と第1中間蒸留通路下部蒸留部とを設け、該第1中間蒸留通路上部蒸留部と第1中間蒸留通路下部蒸留部との間に、前記粗アルゴン塔に向けてフィードアルゴンガスを導出するフィードアルゴンガス経路と、前記粗アルゴン塔から戻される戻りフィードアルゴン液流体を導入する戻りフィードアルゴン液流体経路とを設け、前記第2中間蒸留通路の内部に第2中間蒸留通路上部蒸留部と第2中間蒸留通路下部蒸留部とを設け、該第2中間蒸留通路上部蒸留部と第2中間蒸留通路下部蒸留部との間に、低圧空気を上昇ガスとして導入する低圧空気導入経路を設け、前記中間分割蒸留部の上方の低圧塔内に、低圧塔上部第1蒸留部と、該低圧塔上部第1蒸留部の上方に配置された低圧塔上部第2蒸留部と、該低圧塔上部第2蒸留部の上方に配置された低圧塔上部第3蒸留部とを設け、低圧塔上部第1蒸留部と低圧塔上部第2蒸留部との間に、前記中圧塔から導出した中圧酸素富化液を減圧した低圧酸素富化液を導入する低圧酸素富化液導入経路を設け、低圧塔上部第2蒸留部と低圧塔上部第3蒸留部との間に、廃窒素ガスを導出する廃窒素ガス導出経路を設けるとともに、低圧塔上部第3蒸留部の上部に低圧窒素ガスを導出する低圧窒素ガス導出経路を設け、前記中間分割蒸留部の下方の低圧塔内に、低圧塔下部蒸留部を設け、該低圧塔下部蒸留部の下方に主凝縮器と低圧酸素ガス導出経路とを設けたことを特徴としている。
さらに、本発明の空気液化分離装置は、前記中間分割蒸留部が前記低圧塔の上下方向中間部に設けられた鉛直方向の仕切り部材によって第1中間蒸留通路と第2中間蒸留通路とが区画されていること、あるいは、前記低圧塔が、前記低圧塔上部第1蒸留部、前記低圧塔上部第2蒸留部及び前記低圧塔上部第3蒸留部を備えた上部低圧塔と、前記第1中間蒸留通路を備えた中間部第1低圧塔と、前記第2中間蒸留通路を備えた中間部第2低圧塔と、前記低圧塔下部蒸留部を備えた下部低圧塔とで形成されていることを特徴としている。
また、前記第1中間蒸留通路及び前記第2中間蒸留通路は、各通路に向かって上昇する上昇ガス量及び各通路に向かって下降する下降液量の少なくとも一つを調節する流量調節手段を備えていること、前記第2中間蒸留通路の低圧空気導入経路から導入される低圧空気が前記粗アルゴン塔に設けられているアルゴン凝縮器で気化した低圧空気であること、前記低圧塔上部第1蒸留部と前記低圧塔上部第2蒸留部との間に、前記原料空気の一部を膨張タービンで膨張させたタービン膨張低圧空気を上昇ガスとして導入するタービン膨張低圧空気導入経路が設けられていることを特徴としている。
本発明の空気液化分離方法は、圧縮、精製、冷却した原料空気を中圧蒸留工程、低圧蒸留工程及び粗アルゴン蒸留工程で深冷液化分離することによってアルゴンを採取する空気分離方法において、前記低圧蒸留工程の中間部で、互いに独立した第1中間蒸留工程と第2中間蒸留工程とを並行して行う中間分割蒸留工程を行い、前記第1中間蒸留工程では第1中間蒸留工程上部蒸留段階と第1中間蒸留工程下部蒸留段階とを行い、該第1中間蒸留工程上部蒸留段階と第1中間蒸留工程下部蒸留段階との間で、前記粗アルゴン蒸留工程に向けてフィードアルゴンガスを導出するフィードアルゴンガス導出工程と、前記粗アルゴン蒸留工程から戻される戻りフィードアルゴン液流体を導入する戻りフィードアルゴン液流体導入工程とを行い、前記第2中間蒸留工程では、第2中間蒸留工程上部蒸留段階と第2中間蒸留工程下部蒸留段階とを行い、該第2中間蒸留工程上部蒸留段階と第2中間蒸留工程下部蒸留段階との間で、低圧空気を上昇ガスとして導入する低圧空気導入工程を行い、前記中間分割蒸留工程の上方の低圧蒸留工程では、低圧蒸留上部第1蒸留段階と、該低圧蒸留上部第1蒸留段階の上方の低圧蒸留上部第2蒸留段階と、該低圧蒸留上部第2蒸留段階の上方の低圧蒸留上部第3蒸留段階とを行い、低圧蒸留上部第1蒸留段階と低圧蒸留上部第2蒸留段階との間で、前記中圧蒸留工程から導出した中圧酸素富化液を減圧した低圧酸素富化液を導入する低圧酸素富化液導入工程を行い、低圧蒸留上部第2蒸留段階と低圧蒸留上部第3蒸留段階との間で、廃窒素ガスを導出する廃窒素ガス導出工程を行うとともに、低圧蒸留上部第3蒸留段階の上部で低圧窒素ガスを導出する低圧窒素ガス導出工程を行い、前記中間分割蒸留工程の下方の低圧蒸留工程では、低圧蒸留下部蒸留段階を行い、該低圧蒸留下部蒸留段階の下方で低圧液化酸素を気化させて低圧酸素ガスとする間接熱交換工程と、低圧酸素ガス導出工程とを行うことを特徴としている。
さらに、本発明の空気液化分離方法は、前記第1中間蒸留工程及び前記第2中間蒸留工程における下降液量及び上昇ガス量の少なくとも一つを調整可能としたことを特徴としている。
本発明によれば、中間分割蒸留部の第1中間蒸留通路中段にフィードアルゴンガス経路と戻りフィードアルゴン液流体経路とを設け、第2中間蒸留通路中段に低圧空気導入経路を設けるとともに、中間分割蒸留部の上方に設けた低圧塔上部第1蒸留部の上に低圧酸素富化液導入経路を設け、さらに、低圧塔上部第2蒸留部の上に廃窒素ガス導出経路を設けているので、フィードアルゴンガス中の窒素成分を最少とし、かつ、アルゴン成分を最大とする蒸留条件での運転が可能となる。これにより、アルゴンの回収率を向上させることができる。
本発明方法を実施するための本発明の空気液化分離装置の一形態例を示す系統図である。 第1中間蒸留通路の蒸留条件と第2中間蒸留通路の蒸留条件とを調整する調整手段の一例を示す説明図である。 第1中間蒸留通路と第2中間蒸留通路とに下降する下降液の流量割合を調整可能とした下降液量調整手段の一例を示す説明図である。 第1中間蒸留通路と第2中間蒸留通路とに上昇する上昇ガスの流量割合を調整可能とした上昇ガス量調整手段の一例を示す説明図である。 低圧塔上部体と、低圧塔下部体と、第1中間蒸留通路を備えた低圧塔第1中間体と、第2中間蒸留通路を備えた低圧塔第2中間体とに4分割した低圧塔の説明図である。 アルゴンを採取する空気液化分離装置の基本的な構成例を示す系統図である。
図1は、圧縮、精製、冷却した原料空気を中圧塔、低圧塔及び粗アルゴン塔で深冷液化分離することによってアルゴンを採取するとともに、酸素及び窒素も採取するように形成した本発明の空気液化分離装置の一形態例を示している。
本形態例に示す空気液化分離装置は、主要な機器として、あらかじめ設定された中間圧力で中圧蒸留工程を行う中圧塔11と、大気圧に近い低い圧力で低圧蒸留工程を行う低圧塔12と、該低圧塔12の底部に設けられた主凝縮器13と、粗アルゴンを得るための粗アルゴン蒸留工程を行う粗アルゴン塔14と、該粗アルゴン塔14の上部に設けられたアルゴン凝縮器15と、原料空気を所定圧力に昇圧する空気圧縮機16と、原料空気を所定温度に冷却する主熱交換器17と、寒冷を発生させる膨張タービン18とを備えている。
原料空気は、空気圧縮機16であらかじめ設定された中間圧力(中圧)に圧縮され、アフタークーラー16aで常温まで冷却された後、モレキュラーシーブス等を充填した精製設備21に導入され、二酸化炭素や水分等の不純物が吸着除去される。精製設備21で精製された原料空気の大部分は、経路31を通って主熱交換器17に導入され、この主熱交換器17で、製品酸素ガスや製品窒素ガス等の低温戻りガスと熱交換して露点温度付近まで冷却され、経路32に導出されて中圧塔11の下部に上昇ガスとして導入される。
中圧塔11では、前記原料空気の中圧蒸留工程が行われ、塔頂部に中圧窒素ガスが生成し、塔底部に中圧酸素富化液が生成する。中圧酸素富化液は、塔底の経路33に導出され、過冷器22で冷却された後、減圧弁23で低圧塔12の運転圧力に対応した圧力に減圧されて低圧酸素富化液となり、低圧酸素富化液導入経路34から還流液の一部として低圧塔12内に導入される。
また、中圧塔頂部の中圧窒素ガスは、経路35に導出された後、経路36を通って主凝縮器13に導入される流れと、製品中圧窒素導出経路37を通って主熱交換器17で熱回収された後に製品中圧窒素ガス(MPGN)として採取される流れとに分かれる。主凝縮器13に導入された中圧窒素ガスは、低圧塔底部の低圧液化酸素と間接熱交換工程を行い、液化して中圧液化窒素となる。この中圧液化窒素は、経路38を通って中圧塔11の頂部に還流液として戻される流れと、経路39を通る流れとに分かれる。経路39を通る中圧液化窒素は、過冷器22で冷却された後、製品中圧液化窒素導出経路40を通って製品中圧液化窒素として採取される流れと、経路41を通り、減圧弁24で減圧されて低圧液化窒素となり、低圧液化窒素導入経路42から低圧塔12の頂部に還流液として導入される流れとに分かれる。
また、中圧塔11の中段部からは、僅かに窒素分が富んだ中圧液化空気が経路43に導出され、過冷器22で冷却され、減圧弁25で低圧塔12の圧力に減圧されて気液混合中圧空気となり、気液分離器26で気相を分離した低圧液化空気がアルゴン凝縮器15に導入される。低圧液化空気は、アルゴン凝縮器15で粗アルゴン塔13の塔頂部に生成した粗アルゴンガスと間接熱交換を行い、気化して低圧空気となり、気液分離器26で分離した気相と低圧空気導入経路44に合流し、低圧塔12の中段部に上昇ガスの一部として導入される。
前記精製設備21で精製された原料空気の一部は、経路45を通ってブロワ(膨張タービン制動ブロワ)27で昇圧され、昇圧原料空気となる。昇圧原料空気は、アフタークーラー27aで常温まで冷却され、更に主熱交換器17で中間温度まで冷却された後、膨張タービン18に導入されて低圧塔12の中段部圧力まで断熱膨張することにより、寒冷を発生させて低圧原料空気となる。低圧原料空気は、タービン膨張低圧空気導入経路46を通って低圧塔12の中段部に上昇ガスの一部として導入される。
前記粗アルゴン塔14は、該粗アルゴン塔14の下部と低圧塔12の中段部とがフィードアルゴンガス経路47及び戻りフィードアルゴン液流体経路48で接続されており、フィードアルゴンガス経路47から導入されるフィードアルゴンガスが粗アルゴン蒸留工程されることにより、アルゴン成分が濃縮された粗アルゴンガスが塔頂部に生成し、塔底部にアルゴン濃度が低下した戻りフィードアルゴン液流体が生成する。
塔頂部の粗アルゴンガスは、経路49からアルゴン凝縮器15に導入され、前記低圧液化空気と間接熱交換を行うことにより、大部分が液化して液化粗アルゴンとなる。この液化粗アルゴンは、経路50を通って気液分離器28に導入され、分離した気相の粗アルゴンガスが製品粗アルゴンガス導出経路51から製品粗アルゴンガス(Ar)として導出され、液相の液化粗アルゴンは、経路52を通って粗アルゴン塔14の頂部に還流液として戻される。また、塔底部の戻りフィードアルゴン液流体は、戻りフィードアルゴン液流体経路48を通って低圧塔12の中段部に戻されて還流液の一部となる。
低圧塔12は、還流液となる低圧液化窒素導入経路42から導入される低圧液化窒素、低圧酸素富化液導入経路34から導入される低圧酸素富化液及び戻りフィードアルゴン液流体経路48から導入される戻りフィードアルゴン液流体と、上昇ガスとなる主凝縮器13で気化した低圧酸素ガス、低圧空気導入経路44から導入される低圧空気及びタービン膨張低圧空気導入経路46から導入されるタービン膨張低圧空気とを低圧蒸留工程することにより、塔頂部に低圧窒素ガスを生成し、塔底部に低圧液化酸素を生成するとともに、上下方向中間部(中段部)にアルゴン富化ガスを生成する。
また、低圧塔12の頂部からは、低圧窒素ガスが製品低圧窒素ガス導出経路53に導出され、過冷器22及び主熱交換器17で熱回収された後、製品低圧窒素ガス(LPGN)として採取される。さらに、低圧塔12の下部からは、主凝縮器13で前記中圧液化窒素と間接熱交換工程を行うことにより気化した低圧酸素ガスの一部が製品低圧酸素ガス導出経路54に導出され、主熱交換器17で熱回収された後、製品酸素ガス(GO)として採取され、低圧塔12の底部からは、少量の低圧液化酸素が製品液化酸素あるいは保安液酸(LO)として経路55に導出される。さらに、低圧塔12の中段上部からは、低圧不純窒素ガスが廃窒素として廃窒素ガス導出経路56に導出され、過冷器22及び主熱交換器17で熱回収された後、廃ガス(WG)として導出される。
本形態例に示す低圧塔12は、アルゴン富化ガスが生成する低圧塔12の上下方向中間部に、鉛直方向の仕切板61を液密かつ気密状態で設置し、該仕切板61の両側に第1中間蒸留工程を行う第1中間蒸留通路62と第2中間蒸留工程を行う第2中間蒸留通路63とを併設して中間分割蒸留工程を行う中間分割蒸留部64を設けている。
第1中間蒸留通路62の内部には、第1中間蒸留通路上部蒸留段階を行う第1中間蒸留通路上部蒸留部65と、第1中間蒸留通路下部蒸留段階を行う第1中間蒸留通路下部蒸留部66とを上下2段設けるとともに、第1中間蒸留通路上部蒸留部65と第1中間蒸留通路下部蒸留部66との間に、前記粗アルゴン塔14に向けてフィードアルゴンガスを導出するフィードアルゴンガス導出工程を行うフィードアルゴンガス経路47と、粗アルゴン塔から戻される戻りフィードアルゴン液流体を導入する戻りフィードアルゴン液流体導入工程を行う戻りフィードアルゴン液流体経路48とを設けている。
また、前記第2中間蒸留通路63の内部には、第2中間蒸留通路上部蒸留段階を行う第2中間蒸留通路上部蒸留部67と、第2中間蒸留通路下部蒸留段階を行う第2中間蒸留通路下部蒸留部68とを上下2段に設けるとともに、第2中間蒸留通路上部蒸留部67と第2中間蒸留通路下部蒸留部68との間に、前記低圧空気を上昇ガスとして導入する低圧空気導入工程を行う低圧空気導入経路44を設けている。
さらに、中間分割蒸留部64の上方の低圧塔12内には、下から順に、低圧蒸留上部第1蒸留段階を行う低圧塔上部第1蒸留部71、低圧蒸留上部第2蒸留段階を行う低圧塔上部第2蒸留部72、低圧蒸留上部第3蒸留段階を行う低圧塔上部第3蒸留部73が上下3段に設けられている。低圧塔上部第1蒸留部71と低圧塔上部第2蒸留部72との間には、低圧酸素富化液導入工程を行う低圧酸素富化液導入経路34が設けられるとともに、タービン膨張低圧空気導入経路46が設けられている。また、低圧塔上部第2蒸留部72と低圧塔上部第3蒸留部73との間には、廃窒素ガスを導出する廃窒素ガス導出工程を行う廃窒素ガス導出経路56が設けられるとともに、低圧塔上部第3蒸留部73の上部には製品低圧窒素ガス導出工程を行う製品低圧窒素ガス導出経路53が設けられている。
一方、中間分割蒸留部64の下方の低圧塔12内には、低圧蒸留下部蒸留段階を行う低圧塔下部蒸留部74が設けられ、該低圧塔下部蒸留部74の下方には、前記主凝縮器13と低圧酸素ガス導出工程を行う前記製品低圧酸素ガス導出経路54とが設けられている。
このように、アルゴン富化ガスが生成する低圧塔12の上下方向中間部に中間分割蒸留部64を設け、一方の第1中間蒸留通路62の内部に設けた第1中間蒸留通路上部蒸留部65と第1中間蒸留通路下部蒸留部66との間に、フィードアルゴンガス経路47と戻りフィードアルゴン液流体経路48とを設けるとともに、中間分割蒸留部64と低圧酸素富化液導入経路34の接続部との間に低圧塔上部第1蒸留部71を設けることにより、第1中間蒸留通路上部蒸留部65より上方の窒素濃度を低減できるとともに、第1中間蒸留通路上部蒸留部65及び第1中間蒸留通路下部蒸留部66における蒸留条件を改善することができ、フィードアルゴンガス中のアルゴン成分濃度を向上できるとともに窒素成分濃度の低減でき、例えば、窒素成分濃度を60ppm以下にすることができる。また、フィードアルゴンガス経路47の下方に設けた第1中間蒸留通路下部蒸留部66で酸素−アルゴンの蒸留が推進されるので、フィードアルゴンガス中のアルゴン成分濃度を高くすることができる。
すなわち、第1中間蒸留通路上部蒸留部65の部分では通常の低温蒸留が行われ、第1中間蒸留通路上部蒸留部65の上部の流体中の窒素成分が少ない程、第1中間蒸留通路上部蒸留部65の下部の窒素成分が低減するので、フィードアルゴンガス経路47に抜き出すフィードアルゴンガス中の窒素成分を低下させることができる。さらに、低圧塔12内における流体の組成分布は、中圧塔11からの中圧酸素富化液を導入する低圧酸素富化液導入経路34の下方で流体中の窒素成分が急激に低下するので、低圧酸素富化液導入経路34の下方に低圧塔上部第1蒸留部71を設けて低温蒸留することにより、流体中の窒素成分を効果的に低減させることができる。これにより、低圧塔上部第1蒸留部71の下方に位置する第1中間蒸留通路上部蒸留部65における流体中の窒素成分を更に低減することができ、フィードアルゴンガス中の窒素成分濃度の低減を図ることができる。
さらに、第1中間蒸留通路上部蒸留部65と第1中間蒸留通路下部蒸留部66との蒸留条件を適切に設定することにより、フィードアルゴンガス中の窒素成分を更に低減することができる。従来は、フィードアルゴンガスの成分を最適化するために低圧塔12の蒸留条件(L/V)を設定すると、低圧塔12の全体に影響が及んで製品窒素や製品酸素の回収率が低下するおそれがあるのに対し、低圧塔12の一部である第1中間蒸留通路62の第1中間蒸留通路上部蒸留部65及び第1中間蒸留通路下部蒸留部66の蒸留条件を、適切なフィードアルゴンガスが得られるように設定すればよいため、低圧塔12の全体に及ぼす影響を最小とすることができ、製品窒素や製品酸素の回収率が低下しないようにすることができる。
なお、フィードアルゴンガス経路47から導出するフィードアルゴンガスの流量は、従来と同様に、経路43を経て粗アルゴン凝縮器15に導入される中圧液化空気の流量を調整することによって調整することができる。
また、中間分割蒸留部64の下方に低圧塔下部蒸留部74を設けているので、第1中間蒸留通路62から流下する下降液の組成と第2中間蒸留通路63から流下する下降液の組成とが異なっていても、低圧塔下部蒸留部74を通すことによって組成の均一化を図ることができる。同様に、中間分割蒸留部64の上方に低圧塔上部第1蒸留部71を設けているので、第1中間蒸留通路62から上昇する上昇ガスの組成と第2中間蒸留通路63から上昇する上昇ガスの組成とが異なっていても、低圧塔上部第1蒸留部71を通すことによって組成の均一化を図ることができる。したがって、フィードアルゴンガスの組成に着目して第1中間蒸留通路上部蒸留部65及び第1中間蒸留通路下部蒸留部66の蒸留条件を適宜設定しても、低圧塔12の全体に及ぶ影響を有効に抑えることができる。
これらの改善効果により、本形態例に示す空気分離装置は、前記図6に示した従来の空気液化分離装置に比べて、必要動力及び酸素収率を同一とした場合に、アルゴン回収率を5%以上向上させることが可能となる。
図2は、規則充填剤を充填した充填塔を低圧塔12として使用した場合の第1中間蒸留通路62の蒸留条件と第2中間蒸留通路63の蒸留条件とを調整する調整手段の一例を示している。なお、以下の説明において、前記形態例に示した空気液化分離装置の構成要素と同一の構成要素には同一の符号を付して詳細な説明は省略する。
図2では、調整手段として、低圧塔上部第1蒸留部71と中間分割蒸留部64との間に設けた液分配器81と、第2中間蒸留通路63の上部に設けた圧損調整板82とを設けた例を示している。
液分配器81は、低圧塔上部第1蒸留部71から流下する下降液を貯留し、あらかじめ設定された流量で下方に分配して流下させるもので、液流下部の形状や設置数を適宜変更することにより、第1中間蒸留通路62に流下する下降液量と、第2中間蒸留通路63に流下する下降液量との割合を任意に調整することができる。また、圧損調整板82は、第2中間蒸留通路63から上昇する上昇ガスに抵抗を与えて上昇ガス量を適宜減少させることにより、両通路62,63を上昇する上昇ガス量の割合を調整することができる。このような圧損調整板82は、第1中間蒸留通路62及び第2中間蒸留通路63の任意の位置に設置することができる。
図3は、低圧塔12の上部を、中間分割蒸留部64を備えた低圧塔中間体69と、低圧塔上部第1蒸留部71や低圧塔上部第2蒸留部、低圧塔上部第3蒸留部を備えた低圧塔上部体75とに分割したときの下降液や上昇ガスの気液の流量調整手段の一例を示している。
図3(a)は、低圧塔上部体75の底部から第1中間蒸留通路62と第2中間蒸留通路63とに下降する下降液の流量割合を調整可能とした下降液量調整手段の一例を示すもので、低圧塔上部体75の底部から低圧塔中間体69に流下する下降液を、下部が分岐した分岐配管77で中間分割蒸留部64の第1中間蒸留通路62と第2中間蒸留通路63とに分配してそれぞれ流下させるように形成するとともに、分岐した下部の配管77a及び配管77bにそれぞれ設けた流量調整弁77Va及び流量調整弁77Vbで各配管77a,77bから第1中間蒸留通路62及び第2中間蒸留通路63に流下する下降液の流量をそれぞれ調整できるように形成している。
図3(b)は、低圧塔中間体69の頂部から低圧塔上部体75の下部に上昇する上昇ガスの流量割合を調整可能とした上昇ガス量調整手段の一例を示すもので、第1中間蒸留通路62の頂部に接続した配管78aと、第2中間蒸留通路63に接続した配管78bとを、低圧塔上部体75の底部に溜まる下降液の液面より上方の低圧塔上部体75の下部に接続するとともに、各配管78a,78bに流量調整弁78Va及び流量調整弁78Vbをそれぞれ設け、流量調整弁78Va及び流量調整弁78Vbの開度を調整して第1中間蒸留通路62及び第2中間蒸留通路63から低圧塔上部体75の下部に上昇する上昇ガスの流量をそれぞれ調整することにより、第1中間蒸留通路62内及び第2中間蒸留通路63内を上昇する上昇ガス量を個別に調整できるように形成している。
図4は、低圧塔12の下部を、中間分割蒸留部64を備えた低圧塔中間体69と、低圧塔下部蒸留部74を備えた低圧塔下部体76とに分割し、低圧塔下部体76の頂部から第1中間蒸留通路62と第2中間蒸留通路63とに上昇する上昇ガスの流量割合を調整可能とした上昇ガス量調整手段の一例を示している。
すなわち、低圧塔下部体76の頂部に接続した配管79の上部を配管79aと配管79bとに分岐し、分岐した一方の配管79aを第1中間蒸留通路62の下部に接続し、分岐した他方の配管79bを第2中間蒸留通路63の下部に接続するとともに、両配管79a,79bに流量調整弁79Va及び流量調整弁79Vbをそれぞれ設け、流量調整弁79Va及び流量調整弁79Vbの開度を調整することによって低圧塔下部体76から第1中間蒸留通路62及び第2中間蒸留通路63に上昇する上昇ガスの流量をそれぞれ調整できるように形成している。
このように、低圧塔12を、中間分割蒸留部64の上部や下部で分割し、下降液や上昇ガスを分岐配管77〜79でガイドするように形成するとともに、各分岐配管部分に流量調整弁を設けることにより、第1中間蒸留通路62及び第2中間蒸留通路63に向かってそれぞれ流下する流下液の流量割合や、第1中間蒸留通路62及び第2中間蒸留通路63に向かってそれぞれ上昇する上昇ガスの流量割合を、所望の蒸留条件に応じて容易に調整することができる。なお、図3に示す構成と図4に示す構成とを同時に適用してもよく、いずれか一方のみを適用してもよい。
図5は、低圧塔12を、低圧塔上部第1蒸留部71や低圧塔上部第2蒸留部72、低圧塔上部第3蒸留部73を備えた低圧塔上部体75と、低圧塔下部蒸留部74を備えた低圧塔下部体76と、第1中間蒸留通路62を備えた低圧塔第1中間体69aと、第2中間蒸留通路63を備えた低圧塔第2中間体69bとに4分割するとともに、低圧塔上部体75から流下する下降液を低圧塔第1中間体69a及び低圧塔第2中間体69bにガイドする上部下降液分岐配管91と、低圧塔第1中間体69a及び低圧塔第2中間体69bから低圧塔上部体75に上昇する上昇ガスをガイドする上部上昇ガス配管92a,92bと、低圧塔第1中間体69a及び低圧塔第2中間体69bから流下する下降液を低圧塔下部体76にガイドする下部下降液配管93a,93bと、低圧塔下部体76から低圧塔第1中間体69a及び低圧塔第2中間体69bに上昇する上昇ガスをガイドする下部上昇ガス分岐配管94とで形成した例を示している。
低圧塔上部体75から流下する下降液は、上部下降液分岐配管91の分岐配管91a,91bにそれぞれ設けられた流量調整弁91Va,91Vbにより流量調整されて低圧塔第1中間体69a及び低圧塔第2中間体69bに流下する。したがって、流量調整弁91Va,91Vbの開度を適宜調節することにより、中間分割蒸留部64における第1中間蒸留通路62の下降液量と第2中間蒸留通路63の下降液量との流量割合を任意に調整することが可能となる。低圧塔第1中間体69a及び低圧塔第2中間体69bからの下降液は、下部下降液配管93a,93bを通って低圧塔下部体76に下降して合流する。
同様に、低圧塔下部体76から上昇する上昇ガスは、下部上昇ガス分岐配管94の分岐配管94a,94bにそれぞれ設けられた流量調整弁94Va,94Vbにより流量調整されて低圧塔第1中間体69a及び低圧塔第2中間体69bに上昇する。したがって、流量調整弁94Va,94Vbの開度を適宜調節することにより、中間分割蒸留部64における第1中間蒸留通路62の上昇ガス量と第2中間蒸留通路63の上昇ガス量との流量割合を任意に調整することが可能となる。また、上部上昇ガス配管92a,92bにそれぞれ流量調整弁92Va,92Vbを設けることによっても、低圧塔第1中間体69a及び低圧塔第2中間体69bから低圧塔上部体75に上昇するガスの流量割合を調整することで、低圧塔第1中間体69a及び低圧塔第2中間体69bの上昇ガス流量割合を調整することが可能である。
11…中圧塔、12…低圧塔、13…主凝縮器、14…粗アルゴン塔、15…アルゴン凝縮器、16…空気圧縮機、16a…アフタークーラー、17…主熱交換器、18…膨張タービン、21…精製設備、22…過冷器、23…減圧弁、24…減圧弁、25…減圧弁、26…気液分離器、27…ブロワ、27a…アフタークーラー、28…気液分離器、34…低圧酸素富化液導入経路、37…製品中圧窒素導出経路、40…製品中圧液化窒素導出経路、42…低圧液化窒素導入経路、44…低圧空気導入経路、46…タービン膨張低圧空気導入経路、47…フィードアルゴンガス経路、48…戻りフィードアルゴン液流体経路、51…製品粗アルゴンガス導出経路、53…製品低圧窒素ガス導出経路、54…製品低圧酸素ガス導出経路、56…廃窒素ガス導出経路、61…仕切板、62…第1中間蒸留通路、63…第2中間蒸留通路、64…中間分割蒸留部、65…第1中間蒸留通路上部蒸留部、66…第1中間蒸留通路下部蒸留部、67…第2中間蒸留通路上部蒸留部、68…第2中間蒸留通路下部蒸留部、69…低圧塔中間体、69a…低圧塔第1中間体、69b…低圧塔第2中間体、71…低圧塔上部第1蒸留部、72…低圧塔上部第2蒸留部、73…低圧塔上部第3蒸留部、74…低圧塔下部蒸留部、75…低圧塔上部体、76…低圧塔下部体、77…分岐配管、77Va,77Vb,78Va,78Vb,79Va,79Vb…流量調整弁、81…液分配器、82…圧損調整板、91…上部下降液分岐配管、91a,91b…分岐配管、91Va,91Vb…流量調整弁、92a,92b…上部上昇ガス配管、92Va,92Vb…流量調整弁、93a,93b…下部下降液配管、94…下部上昇ガス分岐配管、94a,94b…分岐配管、94Va,94Vb…流量調整弁

Claims (8)

  1. 圧縮、精製、冷却した原料空気を中圧塔、低圧塔及び粗アルゴン塔で深冷液化分離することによってアルゴンを採取する空気分離装置において、前記低圧塔の上下方向中間部に、鉛直方向の第1中間蒸留通路と第2中間蒸留通路とを併設した中間分割蒸留部を設け、前記第1中間蒸留通路の内部に第1中間蒸留通路上部蒸留部と第1中間蒸留通路下部蒸留部とを設け、該第1中間蒸留通路上部蒸留部と第1中間蒸留通路下部蒸留部との間に、前記粗アルゴン塔に向けてフィードアルゴンガスを導出するフィードアルゴンガス経路と、前記粗アルゴン塔から戻される戻りフィードアルゴン液流体を導入する戻りフィードアルゴン液流体経路とを設け、前記第2中間蒸留通路の内部に第2中間蒸留通路上部蒸留部と第2中間蒸留通路下部蒸留部とを設け、該第2中間蒸留通路上部蒸留部と第2中間蒸留通路下部蒸留部との間に、低圧空気を上昇ガスとして導入する低圧空気導入経路を設け、前記中間分割蒸留部の上方の低圧塔内に、低圧塔上部第1蒸留部と、該低圧塔上部第1蒸留部の上方に配置された低圧塔上部第2蒸留部と、該低圧塔上部第2蒸留部の上方に配置された低圧塔上部第3蒸留部とを設け、低圧塔上部第1蒸留部と低圧塔上部第2蒸留部との間に、前記中圧塔から導出した中圧酸素富化液を減圧した低圧酸素富化液を導入する低圧酸素富化液導入経路を設け、低圧塔上部第2蒸留部と低圧塔上部第3蒸留部との間に、廃窒素ガスを導出する廃窒素ガス導出経路を設けるとともに、低圧塔上部第3蒸留部の上部に低圧窒素ガスを導出する低圧窒素ガス導出経路を設け、前記中間分割蒸留部の下方の低圧塔内に、低圧塔下部蒸留部を設け、該低圧塔下部蒸留部の下方に主凝縮器と低圧酸素ガス導出経路とを設けたことを特徴とする空気液化分離装置。
  2. 前記中間分割蒸留部は、前記低圧塔の上下方向中間部に設けられた鉛直方向の仕切り部材によって第1中間蒸留通路と第2中間蒸留通路とが区画されていることを特徴とする請求項1記載の空気液化分離装置。
  3. 前記低圧塔は、前記低圧塔上部第1蒸留部、前記低圧塔上部第2蒸留部及び前記低圧塔上部第3蒸留部を備えた上部低圧塔と、前記第1中間蒸留通路を備えた中間部第1低圧塔と、前記第2中間蒸留通路を備えた中間部第2低圧塔と、前記低圧塔下部蒸留部を備えた下部低圧塔とで形成されていることを特徴とする請求項1記載の空気液化分離装置。
  4. 前記第1中間蒸留通路及び前記第2中間蒸留通路は、各通路に向かって上昇する上昇ガス量及び各通路に向かって下降する下降液量の少なくとも一つを調節する流量調節手段を備えていることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項記載の空気液化分離装置。
  5. 前記第2中間蒸留通路の低圧空気導入経路から導入される低圧空気は、前記粗アルゴン塔に設けられているアルゴン凝縮器で気化した低圧空気であることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項記載の空気液化分離装置。
  6. 前記低圧塔上部第1蒸留部と前記低圧塔上部第2蒸留部との間に、前記原料空気の一部を膨張タービンで膨張させたタービン膨張低圧空気を上昇ガスとして導入するタービン膨張低圧空気導入経路が設けられていることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項記載の空気液化分離装置。
  7. 圧縮、精製、冷却した原料空気を中圧蒸留工程、低圧蒸留工程及び粗アルゴン蒸留工程で深冷液化分離することによってアルゴンを採取する空気分離方法において、前記低圧蒸留工程の中間部で、互いに独立した第1中間蒸留工程と第2中間蒸留工程とを並行して行う中間分割蒸留工程を行い、前記第1中間蒸留工程では第1中間蒸留工程上部蒸留段階と第1中間蒸留工程下部蒸留段階とを行い、該第1中間蒸留工程上部蒸留段階と第1中間蒸留工程下部蒸留段階との間で、前記粗アルゴン蒸留工程に向けてフィードアルゴンガスを導出するフィードアルゴンガス導出工程と、前記粗アルゴン蒸留工程から戻される戻りフィードアルゴン液流体を導入する戻りフィードアルゴン液流体導入工程とを行い、前記第2中間蒸留工程では、第2中間蒸留工程上部蒸留段階と第2中間蒸留工程下部蒸留段階とを行い、該第2中間蒸留工程上部蒸留段階と第2中間蒸留工程下部蒸留段階との間で、低圧空気を上昇ガスとして導入する低圧空気導入工程を行い、前記中間分割蒸留工程の上方の低圧蒸留工程では、低圧蒸留上部第1蒸留段階と、該低圧蒸留上部第1蒸留段階の上方の低圧蒸留上部第2蒸留段階と、該低圧蒸留上部第2蒸留段階の上方の低圧蒸留上部第3蒸留段階とを行い、低圧蒸留上部第1蒸留段階と低圧蒸留上部第2蒸留段階との間で、前記中圧蒸留工程から導出した中圧酸素富化液を減圧した低圧酸素富化液を導入する低圧酸素富化液導入工程を行い、低圧蒸留上部第2蒸留段階と低圧蒸留上部第3蒸留段階との間で、廃窒素ガスを導出する廃窒素ガス導出工程を行うとともに、低圧蒸留上部第3蒸留段階の上部で低圧窒素ガスを導出する低圧窒素ガス導出工程を行い、前記中間分割蒸留工程の下方の低圧蒸留工程では、低圧蒸留下部蒸留段階を行い、該低圧蒸留下部蒸留段階の下方で低圧液化酸素を気化させて低圧酸素ガスとする間接熱交換工程と、低圧酸素ガス導出工程とを行うことを特徴とする空気液化分離方法。
  8. 前記第1中間蒸留工程及び前記第2中間蒸留工程における下降液量及び上昇ガス量の少なくとも一つを調整可能としたことを特徴とする請求項7記載の空気液化分離方法。
JP2014047333A 2014-03-11 2014-03-11 空気液化分離装置及び方法 Active JP6204231B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014047333A JP6204231B2 (ja) 2014-03-11 2014-03-11 空気液化分離装置及び方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014047333A JP6204231B2 (ja) 2014-03-11 2014-03-11 空気液化分離装置及び方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2015169424A true JP2015169424A (ja) 2015-09-28
JP6204231B2 JP6204231B2 (ja) 2017-09-27

Family

ID=54202307

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2014047333A Active JP6204231B2 (ja) 2014-03-11 2014-03-11 空気液化分離装置及び方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP6204231B2 (ja)

Families Citing this family (262)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9394608B2 (en) 2009-04-06 2016-07-19 Asm America, Inc. Semiconductor processing reactor and components thereof
US8802201B2 (en) 2009-08-14 2014-08-12 Asm America, Inc. Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species
US9312155B2 (en) 2011-06-06 2016-04-12 Asm Japan K.K. High-throughput semiconductor-processing apparatus equipped with multiple dual-chamber modules
US10854498B2 (en) 2011-07-15 2020-12-01 Asm Ip Holding B.V. Wafer-supporting device and method for producing same
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
US9017481B1 (en) 2011-10-28 2015-04-28 Asm America, Inc. Process feed management for semiconductor substrate processing
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
US10683571B2 (en) 2014-02-25 2020-06-16 Asm Ip Holding B.V. Gas supply manifold and method of supplying gases to chamber using same
US10167557B2 (en) 2014-03-18 2019-01-01 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system, reactor including the system, and methods of using the same
US11015245B2 (en) 2014-03-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof
US10858737B2 (en) 2014-07-28 2020-12-08 Asm Ip Holding B.V. Showerhead assembly and components thereof
US9890456B2 (en) 2014-08-21 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Method and system for in situ formation of gas-phase compounds
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
US10600673B2 (en) 2015-07-07 2020-03-24 Asm Ip Holding B.V. Magnetic susceptor to baseplate seal
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10865475B2 (en) 2016-04-21 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides and silicides
US10190213B2 (en) 2016-04-21 2019-01-29 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides
US10032628B2 (en) 2016-05-02 2018-07-24 Asm Ip Holding B.V. Source/drain performance through conformal solid state doping
US10367080B2 (en) 2016-05-02 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a germanium oxynitride film
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
US10714385B2 (en) 2016-07-19 2020-07-14 Asm Ip Holding B.V. Selective deposition of tungsten
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
KR102532607B1 (ko) 2016-07-28 2023-05-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 가공 장치 및 그 동작 방법
US10643826B2 (en) 2016-10-26 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for thermally calibrating reaction chambers
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10229833B2 (en) 2016-11-01 2019-03-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10643904B2 (en) 2016-11-01 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a semiconductor device and related semiconductor device structures
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
KR20180068582A (ko) 2016-12-14 2018-06-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
KR102700194B1 (ko) 2016-12-19 2024-08-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US10867788B2 (en) 2016-12-28 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US10655221B2 (en) 2017-02-09 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing oxide film by thermal ALD and PEALD
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10529563B2 (en) 2017-03-29 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
KR102457289B1 (ko) 2017-04-25 2022-10-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10892156B2 (en) 2017-05-08 2021-01-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US12040200B2 (en) 2017-06-20 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and methods for calibrating a semiconductor processing apparatus
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
US10685834B2 (en) 2017-07-05 2020-06-16 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a silicon germanium tin layer and related semiconductor device structures
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US10541333B2 (en) 2017-07-19 2020-01-21 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11018002B2 (en) 2017-07-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US11139191B2 (en) 2017-08-09 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US10249524B2 (en) 2017-08-09 2019-04-02 Asm Ip Holding B.V. Cassette holder assembly for a substrate cassette and holding member for use in such assembly
USD900036S1 (en) 2017-08-24 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Heater electrical connector and adapter
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
KR102491945B1 (ko) 2017-08-30 2023-01-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
US11056344B2 (en) 2017-08-30 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method
KR102401446B1 (ko) 2017-08-31 2022-05-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR102630301B1 (ko) 2017-09-21 2024-01-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치
US10844484B2 (en) 2017-09-22 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US10319588B2 (en) 2017-10-10 2019-06-11 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a metal chalcogenide on a substrate by cyclical deposition
US10923344B2 (en) 2017-10-30 2021-02-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures
US10910262B2 (en) 2017-11-16 2021-02-02 Asm Ip Holding B.V. Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure
KR102443047B1 (ko) 2017-11-16 2022-09-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 방법 및 그에 의해 제조된 장치
CN111316417B (zh) 2017-11-27 2023-12-22 阿斯莫Ip控股公司 与批式炉偕同使用的用于储存晶圆匣的储存装置
JP7206265B2 (ja) 2017-11-27 2023-01-17 エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. クリーン・ミニエンバイロメントを備える装置
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
TWI799494B (zh) 2018-01-19 2023-04-21 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 沈積方法
CN111630203A (zh) 2018-01-19 2020-09-04 Asm Ip私人控股有限公司 通过等离子体辅助沉积来沉积间隙填充层的方法
USD903477S1 (en) 2018-01-24 2020-12-01 Asm Ip Holdings B.V. Metal clamp
US11018047B2 (en) 2018-01-25 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Hybrid lift pin
USD880437S1 (en) 2018-02-01 2020-04-07 Asm Ip Holding B.V. Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
CN116732497A (zh) 2018-02-14 2023-09-12 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环沉积工艺在衬底上沉积含钌膜的方法
US10731249B2 (en) 2018-02-15 2020-08-04 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10658181B2 (en) 2018-02-20 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method of spacer-defined direct patterning in semiconductor fabrication
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11114283B2 (en) 2018-03-16 2021-09-07 Asm Ip Holding B.V. Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US11088002B2 (en) 2018-03-29 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate rack and a substrate processing system and method
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102501472B1 (ko) 2018-03-30 2023-02-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
KR102709511B1 (ko) 2018-05-08 2024-09-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 산화물 막을 주기적 증착 공정에 의해 증착하기 위한 방법 및 관련 소자 구조
US12025484B2 (en) 2018-05-08 2024-07-02 Asm Ip Holding B.V. Thin film forming method
TW202349473A (zh) 2018-05-11 2023-12-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於基板上形成摻雜金屬碳化物薄膜之方法及相關半導體元件結構
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
TWI840362B (zh) 2018-06-04 2024-05-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 水氣降低的晶圓處置腔室
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
JP2021529254A (ja) 2018-06-27 2021-10-28 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 金属含有材料ならびに金属含有材料を含む膜および構造体を形成するための周期的堆積方法
TW202405221A (zh) 2018-06-27 2024-02-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於形成含金屬材料及包含含金屬材料的膜及結構之循環沉積方法
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
KR102686758B1 (ko) 2018-06-29 2024-07-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10767789B2 (en) 2018-07-16 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components
US11053591B2 (en) 2018-08-06 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Multi-port gas injection system and reactor system including same
US10883175B2 (en) 2018-08-09 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein
US10829852B2 (en) 2018-08-16 2020-11-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution device for a wafer processing apparatus
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
KR102707956B1 (ko) 2018-09-11 2024-09-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US11049751B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Asm Ip Holding B.V. Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith
CN110970344B (zh) 2018-10-01 2024-10-25 Asmip控股有限公司 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
US10847365B2 (en) 2018-10-11 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Method of forming conformal silicon carbide film by cyclic CVD
US10811256B2 (en) 2018-10-16 2020-10-20 Asm Ip Holding B.V. Method for etching a carbon-containing feature
KR102605121B1 (ko) 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
USD948463S1 (en) 2018-10-24 2022-04-12 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR20200051105A (ko) 2018-11-02 2020-05-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US11031242B2 (en) 2018-11-07 2021-06-08 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a boron doped silicon germanium film
US10847366B2 (en) 2018-11-16 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US12040199B2 (en) 2018-11-28 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
JP7504584B2 (ja) 2018-12-14 2024-06-24 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化ガリウムの選択的堆積を用いてデバイス構造体を形成する方法及びそのためのシステム
TW202405220A (zh) 2019-01-17 2024-02-01 荷蘭商Asm Ip 私人控股有限公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
TWI756590B (zh) 2019-01-22 2022-03-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 基板處理裝置
CN111524788B (zh) 2019-02-01 2023-11-24 Asm Ip私人控股有限公司 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
TW202044325A (zh) 2019-02-20 2020-12-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 填充一基板之一表面內所形成的一凹槽的方法、根據其所形成之半導體結構、及半導體處理設備
US11482533B2 (en) 2019-02-20 2022-10-25 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and methods for plug fill deposition in 3-D NAND applications
TWI845607B (zh) 2019-02-20 2024-06-21 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用來填充形成於基材表面內之凹部的循環沉積方法及設備
TWI842826B (zh) 2019-02-22 2024-05-21 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 基材處理設備及處理基材之方法
KR20200108248A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOCN 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR20200108242A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
KR20200108243A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
JP2020167398A (ja) 2019-03-28 2020-10-08 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ドアオープナーおよびドアオープナーが提供される基材処理装置
KR20200116855A (ko) 2019-04-01 2020-10-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
US11447864B2 (en) 2019-04-19 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR20200130118A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP2020188255A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
JP2020188254A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
KR20200141003A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 가스 감지기를 포함하는 기상 반응기 시스템
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD931978S1 (en) 2019-06-27 2021-09-28 Asm Ip Holding B.V. Showerhead vacuum transport
KR20210005515A (ko) 2019-07-03 2021-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP7499079B2 (ja) 2019-07-09 2024-06-13 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR20210010307A (ko) 2019-07-16 2021-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
KR20210010820A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
KR20210010817A (ko) 2019-07-19 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 토폴로지-제어된 비정질 탄소 중합체 막을 형성하는 방법
TWI839544B (zh) 2019-07-19 2024-04-21 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成形貌受控的非晶碳聚合物膜之方法
CN112309843A (zh) 2019-07-29 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 实现高掺杂剂掺入的选择性沉积方法
CN112309900A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309899A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
CN112323048B (zh) 2019-08-05 2024-02-09 Asm Ip私人控股有限公司 用于化学源容器的液位传感器
JP2021031769A (ja) 2019-08-21 2021-03-01 エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
USD930782S1 (en) 2019-08-22 2021-09-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR20210024420A (ko) 2019-08-23 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
KR20210029090A (ko) 2019-09-04 2021-03-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR20210029663A (ko) 2019-09-05 2021-03-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
TWI846953B (zh) 2019-10-08 2024-07-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 基板處理裝置
KR20210042810A (ko) 2019-10-08 2021-04-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20210043460A (ko) 2019-10-10 2021-04-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토레지스트 하부층을 형성하기 위한 방법 및 이를 포함한 구조체
US12009241B2 (en) 2019-10-14 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette
TWI834919B (zh) 2019-10-16 2024-03-11 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR20210047808A (ko) 2019-10-21 2021-04-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
KR20210050453A (ko) 2019-10-25 2021-05-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR20210054983A (ko) 2019-11-05 2021-05-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR20210062561A (ko) 2019-11-20 2021-05-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
US11450529B2 (en) 2019-11-26 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively forming a target film on a substrate comprising a first dielectric surface and a second metallic surface
CN112951697A (zh) 2019-11-26 2021-06-11 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885692A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885693A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
JP7527928B2 (ja) 2019-12-02 2024-08-05 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210078405A (ko) 2019-12-17 2021-06-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐 나이트라이드 층을 형성하는 방법 및 바나듐 나이트라이드 층을 포함하는 구조
US11527403B2 (en) 2019-12-19 2022-12-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures
JP2021111783A (ja) 2020-01-06 2021-08-02 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー チャネル付きリフトピン
JP2021109175A (ja) 2020-01-06 2021-08-02 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ガス供給アセンブリ、その構成要素、およびこれを含む反応器システム
US11993847B2 (en) 2020-01-08 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Injector
KR20210093163A (ko) 2020-01-16 2021-07-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고 종횡비 피처를 형성하는 방법
KR102675856B1 (ko) 2020-01-20 2024-06-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법
TW202130846A (zh) 2020-02-03 2021-08-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成包括釩或銦層的結構之方法
TW202146882A (zh) 2020-02-04 2021-12-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 驗證一物品之方法、用於驗證一物品之設備、及用於驗證一反應室之系統
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
US11781243B2 (en) 2020-02-17 2023-10-10 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon
TW202203344A (zh) 2020-02-28 2022-01-16 荷蘭商Asm Ip控股公司 專用於零件清潔的系統
KR20210116249A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 록아웃 태그아웃 어셈블리 및 시스템 그리고 이의 사용 방법
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
KR20210117157A (ko) 2020-03-12 2021-09-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 타겟 토폴로지 프로파일을 갖는 층 구조를 제조하기 위한 방법
KR20210124042A (ko) 2020-04-02 2021-10-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TW202146689A (zh) 2020-04-03 2021-12-16 荷蘭商Asm Ip控股公司 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法
TW202145344A (zh) 2020-04-08 2021-12-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
KR20210128343A (ko) 2020-04-15 2021-10-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 크롬 나이트라이드 층을 형성하는 방법 및 크롬 나이트라이드 층을 포함하는 구조
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
US11996289B2 (en) 2020-04-16 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
KR20210132605A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 냉각 가스 공급부를 포함한 수직형 배치 퍼니스 어셈블리
JP2021172884A (ja) 2020-04-24 2021-11-01 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化バナジウム含有層を形成する方法および窒化バナジウム含有層を含む構造体
KR20210134226A (ko) 2020-04-29 2021-11-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
KR20210141379A (ko) 2020-05-13 2021-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
TW202146699A (zh) 2020-05-15 2021-12-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成矽鍺層之方法、半導體結構、半導體裝置、形成沉積層之方法、及沉積系統
TW202147383A (zh) 2020-05-19 2021-12-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 基材處理設備
KR20210145078A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
TW202200837A (zh) 2020-05-22 2022-01-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於在基材上形成薄膜之反應系統
TW202201602A (zh) 2020-05-29 2022-01-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 基板處理方法
TW202212620A (zh) 2020-06-02 2022-04-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 處理基板之設備、形成膜之方法、及控制用於處理基板之設備之方法
TW202218133A (zh) 2020-06-24 2022-05-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成含矽層之方法
TW202217953A (zh) 2020-06-30 2022-05-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 基板處理方法
TW202202649A (zh) 2020-07-08 2022-01-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 基板處理方法
TW202219628A (zh) 2020-07-17 2022-05-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於光微影之結構與方法
TW202204662A (zh) 2020-07-20 2022-02-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
US12040177B2 (en) 2020-08-18 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a laminate film by cyclical plasma-enhanced deposition processes
US11725280B2 (en) 2020-08-26 2023-08-15 Asm Ip Holding B.V. Method for forming metal silicon oxide and metal silicon oxynitride layers
TW202229601A (zh) 2020-08-27 2022-08-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成圖案化結構的方法、操控機械特性的方法、裝置結構、及基板處理系統
US12009224B2 (en) 2020-09-29 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for etching metal nitrides
KR20220045900A (ko) 2020-10-06 2022-04-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 함유 재료를 증착하기 위한 증착 방법 및 장치
CN114293174A (zh) 2020-10-07 2022-04-08 Asm Ip私人控股有限公司 气体供应单元和包括气体供应单元的衬底处理设备
TW202229613A (zh) 2020-10-14 2022-08-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 於階梯式結構上沉積材料的方法
TW202217037A (zh) 2020-10-22 2022-05-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 沉積釩金屬的方法、結構、裝置及沉積總成
TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
TW202235649A (zh) 2020-11-24 2022-09-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 填充間隙之方法與相關之系統及裝置
KR20220076343A (ko) 2020-11-30 2022-06-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치의 반응 챔버 내에 배열되도록 구성된 인젝터
US11946137B2 (en) 2020-12-16 2024-04-02 Asm Ip Holding B.V. Runout and wobble measurement fixtures
TW202231903A (zh) 2020-12-22 2022-08-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成
TW202242184A (zh) 2020-12-22 2022-11-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 前驅物膠囊、前驅物容器、氣相沉積總成、及將固態前驅物裝載至前驅物容器中之方法
TW202226899A (zh) 2020-12-22 2022-07-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 具匹配器的電漿處理裝置

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0760003A (ja) * 1993-08-05 1995-03-07 Praxair Technol Inc 間仕切カラムを有する蒸留系
US5765396A (en) * 1997-03-19 1998-06-16 Praxair Technology, Inc. Cryogenic rectification system for producing high pressure nitrogen and high pressure oxygen
JP2001224901A (ja) * 1999-12-13 2001-08-21 Air Prod And Chem Inc 多成分流体の蒸留方法及び多成分流体を蒸留する蒸留塔装置
JP2005527767A (ja) * 2002-04-12 2005-09-15 リンデ アクチエンゲゼルシヤフト 低温空気分解によりアルゴンを取得する方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0760003A (ja) * 1993-08-05 1995-03-07 Praxair Technol Inc 間仕切カラムを有する蒸留系
US5765396A (en) * 1997-03-19 1998-06-16 Praxair Technology, Inc. Cryogenic rectification system for producing high pressure nitrogen and high pressure oxygen
JP2001224901A (ja) * 1999-12-13 2001-08-21 Air Prod And Chem Inc 多成分流体の蒸留方法及び多成分流体を蒸留する蒸留塔装置
JP2005527767A (ja) * 2002-04-12 2005-09-15 リンデ アクチエンゲゼルシヤフト 低温空気分解によりアルゴンを取得する方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP6204231B2 (ja) 2017-09-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6204231B2 (ja) 空気液化分離装置及び方法
JP5425100B2 (ja) 低温空気分離方法及び装置
CN110307695B (zh) 产品氮气和产品氩的制造方法及其制造装置
US10436508B2 (en) Air separation method and air separation apparatus
KR20000011251A (ko) 산소를제조하기위해공급공기의극저온정류를수행하는방법및장치
JPH06207775A (ja) 一酸化炭素のない窒素を製造するための低温空気分離方法
JP6092804B2 (ja) 空気液化分離方法及び装置
US11150016B2 (en) Nitrogen production system for producing nitrogen with different purities and nitrogen production process thereof
US2519892A (en) Method of producing liquid oxygen
TW201800333A (zh) 用於低溫合成氣體分離之方法及裝置
JP2017536523A (ja) 極低温分離によってアルゴンを可変的に取得する方法及び装置
US20100071411A1 (en) Method And Device For Separating A Mixture of At Least Hydrogen, Nitrogen, and Carbon Monoxide By Cryogenic Distillation
JP2016188751A (ja) 窒素及び酸素製造方法、並びに窒素及び酸素製造装置
US2195976A (en) Separation of the constituents of gaseous mixtures
US20180209725A1 (en) Production of helium from a stream of natural gas
JP5027173B2 (ja) アルゴン製造方法およびその装置
JP3720863B2 (ja) 空気液化分離方法
CN101595355B (zh) 通过低温蒸馏生产一氧化碳的方法和设备
JP4960277B2 (ja) 超高純度酸素の製造方法
JPH10103859A (ja) アルゴン精製方法および空気分離装置
JP2019178816A (ja) 空気液化分離装置及び空気液化分離装置の運転停止方法
JPH0399190A (ja) 酸素の製造方法
JP6159242B2 (ja) 空気分離方法及び装置
JP7329714B1 (ja) 窒素製造方法及び装置
JPH1163812A (ja) 低純度酸素の製造方法及び装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20170106

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20170530

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20170606

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20170803

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20170829

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20170831

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6204231

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250