JP2015015401A - 半導体基板の製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
図2に、本実施例に係る接合基板10の斜視図を示す。接合基板10は略円盤状に形成されている。接合基板10は、下側に配置された支持基板11と、支持基板11の上面に貼り合わされた半導体層13とを備えている。半導体層13は、例えば、化合物半導体(例:6H−SiC、4H−SiC、GaN、AlN)の単結晶によって形成されていてもよい。また例えば、単元素半導体(例:Si、C)の単結晶によって形成されていてもよい。
本実施例に係る接合基板10の製造方法を、図1のフローと、図3〜図8の模式図を用いて説明する。図3〜図8は、接合基板10を製造する各工程における、部分断面図である。なお、図3〜図8では、見易さのために、ハッチングを省略している。本実施例では、例として、支持基板11が多結晶SiCであり、半導体層13が単結晶SiCである場合を説明する。また、半導体層13を形成するために、水素原子のアブレーションによる剥離技術(スマートカット(登録商標)とも呼ばれる)を用いる場合を説明する。
図9に、本明細書に記載されている接合方法で作成された接合基板10の、支持基板11と半導体層13との接合界面のTEM(Transmission Electron Microscope)写真を示す。観察に用いられた接合基板10は、支持基板11が多結晶SiCであり、半導体層13が単結晶の4H−SiCである。非晶質層形成工程では、1.5(keV)の入射エネルギーで、60(sec)の間、アルゴン原子を照射した。熱処理工程の最高温度は1100℃である。
図10に、図9で分析を行った接合基板10を製造する際に行われた平坦化工程(ステップS0)における、表面粗さの分析データを示す。測定対象は、CMPによって平坦化された支持基板11の表面である。すなわち図10は、支持基板11表面の断面プロファイルである。測定機器は、日立ハイテクサイエンス社(登録商標)の原子間力顕微鏡(AFM)装置(型番SPA500&SPI3800)である。横軸は測定範囲を示しており、約27μmである。図10に示した測定範囲における支持基板11のPV値は1.5nm、算術平均粗さはRa=1nmであった。この表面粗さは、従来の直接接合法を行うことができない程度に大きい値である。
支持基板と半導体の単結晶層とを、樹脂や合金などの中間材を介さずに直接に接合する、いわゆる直接接合技術では、表面間引力を用いて接合を行うため、接合面同士を数ナノメートル以内に接近させる必要があり、接合面の表面粗さを非常に小さくする必要がある(例えば、算術平均粗さRaで0.3(nm)程度が要求される場合がある)。また、接合面の表面粗さがある程度大きくなることを許容するために、接合面のSiC結晶に流動性を持たせる方法が考えられる。しかしSiC結晶は、2000℃を超えると昇華する(すなわち、固体から直接に気化する)性質を有するため、溶融して液化することがなく、流動性を持たせることが困難である。
非晶質層形成工程(ステップS2)において、非晶質層を形成する方法は、アルゴンの中性原子ビーム照射に限られない。例えば、He、水素、Ar、Si、Cなどの、原子または分子またはイオンなどを注入する方法であってもよい。
Claims (8)
- 半導体基板の製造方法であって、
支持基板の表面を改質して第1の非晶質層を形成するとともに、半導体の単結晶層の表面を改質して第2の非晶質層を形成する非晶質層形成工程と、
前記第1の非晶質層と前記第2の非晶質層とを接触させる接触工程と、
前記第1の非晶質層と前記第2の非晶質層とが接触している状態の前記支持基板および前記単結晶層を熱処理する熱処理工程と、
を備えることを特徴とする半導体基板の製造方法。 - 前記単結晶層は単結晶SiCであり、
前記支持基板は、多結晶SiCであることを特徴とする請求項1に記載の半導体基板の製造方法。 - 前記第1の非晶質層および前記第2の非晶質層は、SiとCを含有していることを特徴とする請求項2に記載の半導体基板の製造方法。
- 前記非晶質層形成工程は、真空中で原子レベルの粒子を照射することによって行われ、前記非晶質層形成工程が行われた真空中において、前記接触工程が引き続き行われることを特徴とする請求項1〜3の何れか1項に記載の半導体基板の製造方法。
- 前記支持基板の表面粗さおよび前記単結晶層の表面粗さに応じて、前記第1の非晶質層および前記第2の非晶質層の厚さを決定する非晶質層厚さ決定工程をさらに備え、
前記非晶質層非晶質層形成工程は、前記厚さ決定工程で決定された厚さを有する前記第1の非晶質層および前記第2の非晶質層を形成することを特徴とする請求項1〜4の何れか1項に記載の半導体基板の製造方法。 - 前記第1の非晶質層の厚さは、前記支持基板の表面の算術平均粗さの1倍〜20倍の範囲内であり、
前記第2の非晶質層の厚さは、前記単結晶層の表面の算術平均粗さの1倍〜20倍の範囲内であることを特徴とする請求項5に記載の半導体基板の製造方法。 - 前記支持基板の表面から微少量の切りくずを機械的に除去することにより、前記支持基板の表面を平坦化する平坦化工程をさらに備え、
前記非晶質層形成工程は、前記平坦化工程によって平坦化された表面を改質して前記第1の非晶質層を形成することを特徴とする請求項1〜6の何れか1項に記載の半導体基板の製造方法。 - 多結晶SiCの第1層と、
前記第1層上に配置されている単結晶SiCの第2層と、を備え、
前記第1層と前記第2層との界面に存在する酸化膜厚が1原子層未満であることを特徴とする半導体基板。
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